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WO2017030020A1 - 電子制御装置及びそれを搭載した電動パワーステアリング装置 - Google Patents

電子制御装置及びそれを搭載した電動パワーステアリング装置 Download PDF

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Publication number
WO2017030020A1
WO2017030020A1 PCT/JP2016/073103 JP2016073103W WO2017030020A1 WO 2017030020 A1 WO2017030020 A1 WO 2017030020A1 JP 2016073103 W JP2016073103 W JP 2016073103W WO 2017030020 A1 WO2017030020 A1 WO 2017030020A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
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fet
short
detection unit
failure
mcu
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/073103
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
紳 熊谷
恭正 瓜生
信彦 安藤
Original Assignee
日本精工株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本精工株式会社 filed Critical 日本精工株式会社
Priority to US15/746,682 priority Critical patent/US10093351B2/en
Priority to CN201680043751.9A priority patent/CN107852123B/zh
Priority to EP16837010.4A priority patent/EP3340457B1/en
Priority to JP2017535490A priority patent/JP6274365B2/ja
Publication of WO2017030020A1 publication Critical patent/WO2017030020A1/ja
Priority to US16/139,635 priority patent/US10377413B2/en
Priority to US16/139,585 priority patent/US10457321B2/en
Priority to US16/139,664 priority patent/US10543869B2/en

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    • B62D5/0463—Controlling the motor calculating assisting torque from the motor based on driver input

Definitions

  • the present invention relates to an electric power steering apparatus in which a motor is driven and controlled by an MCU (CPU, MPU, microcomputer, etc.) via an inverter composed of a bridge of an upper stage (H side) FET and a lower stage (L side) FET.
  • An electronic control device that reliably detects short-circuit failures and prevents overcurrent flow, a high-performance electronic control device that suppresses dark current that flows from the inverter power supply to the control system power supply, and electric power steering equipped with them Relates to the device.
  • An electric power steering device that is equipped with an electronic control device and applies steering assist force (assist force) to the steering mechanism of the vehicle by the rotational force of the motor is used to reduce the drive force of the motor to a gear or belt via a reduction gear. With this transmission mechanism, a steering assist force is applied to the steering shaft or the rack shaft.
  • EPS electric power steering device
  • Such a conventional electric power steering apparatus performs feedback control of the motor current in order to accurately generate the torque of the steering assist force.
  • the motor applied voltage is adjusted so that the difference between the steering assist command value (current command value) and the motor current detection value is small.
  • the adjustment of the motor applied voltage is a duty of PWM control.
  • the motor is driven by an inverter composed of an FET bridge.
  • a column shaft (steering shaft, handle shaft) 2 of a handle (steering wheel) 1 is a reduction gear 3, universal joints 4 a and 4 b, and a pinion rack mechanism 5.
  • the tie rods 6a and 6b are connected to the steering wheels 8L and 8R via the hub units 7a and 7b.
  • the column shaft 2 is provided with a torque sensor 10 for detecting the steering torque Th of the handle 1 and a steering angle sensor 14 for detecting the steering angle ⁇ , and a motor 20 for assisting the steering force of the handle 1 is provided. It is connected to the column shaft 2 via a reduction gear 3.
  • a control unit (ECU) 30 that controls the electric power steering apparatus is supplied with electric power from a battery 13 as a power source, and also receives an ignition key signal through the ignition key 11.
  • the control unit 30 calculates an assist control current command value based on the steering torque Th detected by the torque sensor 10 and the vehicle speed Vel detected by the vehicle speed sensor 12, and compensates the calculated current command value.
  • the current supplied to the motor 20 is controlled by the applied voltage control command value Vref.
  • the steering angle ⁇ can also be obtained from a rotation sensor connected to the motor 20.
  • the control unit 30 is connected to a CAN (Controller Area Network) 40 that transmits and receives various types of vehicle information, and the vehicle speed Vel can also be received from the CAN 40.
  • the control unit 30 can be connected to a non-CAN 41 that exchanges communications, analog / digital signals, radio waves, and the like other than the CAN 40.
  • control unit 30 is mainly composed of an MCU (Micro Controller Unit; including a CPU, MPU, microcomputer, etc.), and shows a general function executed by a program inside the MCU.
  • MCU Micro Controller Unit
  • the configuration is as shown in FIG.
  • the function and operation of the control unit 30 will be described with reference to FIG. 2.
  • the steering torque Th from the torque sensor 10 and the vehicle speed Vel from the vehicle speed sensor 12 (or CAN 40) are input to the current command value calculation unit 31, and the current command
  • the value calculator 31 calculates the current command value Iref1 using an assist map or the like based on the steering torque Th and the vehicle speed Vel.
  • the calculated current command value Iref1 is added by the adding unit 32A and the compensation signal CM from the compensating unit 34 for improving the characteristics, and the added current command value Iref2 is limited to the maximum value by the current limiting unit 33.
  • the current command value Irefm whose maximum value is limited is input to the subtraction unit 32B and subtracted from the motor current detection value Im.
  • the input duty is calculated, and the motor 20 is PWM driven via the inverter 37 with the PWM signal for which the duty is calculated.
  • the motor current value Im of the motor 20 is detected by the motor current detection means 38, and is input to the subtraction unit 32B and fed back.
  • the compensation unit 34 adds the detected or estimated self-aligning torque (SAT) to the inertia compensation value 342 by the addition unit 344, and further adds the convergence control value 341 to the addition result by the addition unit 345, and the addition The result is input to the adder 32A as a compensation signal CM to improve the characteristics.
  • SAT detected or estimated self-aligning torque
  • the details of the PWM control unit 36 and the inverter 37 are configured as shown in FIG. 3, for example, and the PWM control unit 36 sets the voltage control command value Vref to a three-phase according to a predetermined formula.
  • a duty calculation unit 36A that calculates the duty signals D1 to D6 of the minute PWM, and a gate drive unit 36B that performs ON / OFF driving of the FET as the semiconductor switching element by the duty signals D1 to D6 and compensates for the dead time.
  • a modulation signal (carrier) CF is input to the duty calculator 36A, and the duty calculator 36A calculates PWM duty signals D1 to D6 in synchronization with the modulation signal CF.
  • the inverter 37 is constituted by a three-phase bridge of upper stage FET1 to FET3 and lower stage FET4 to FET6, and the motor 20 is driven and controlled by turning each FET1 to FET6 ON / OFF by PWM duty signals D1 to D6.
  • FET1 to FET6 are FETs with parasitic diodes.
  • a motor release switch 23 is interposed between the inverter 37 and the motor 20 to cut off the current supply for safety when the assist control is stopped.
  • the motor opening switch 23 is composed of an FET with a parasitic diode inserted in each phase.
  • a current detection circuit 37A for detecting the current of the inverter 37, and power supply relays (mechanical relays and semiconductor relays) 37B and 37C are provided on the power supply lines of the MCU and the inverter 37.
  • the inverter current is detected by the 1-shunt method, but there are some that detect by the 2-shunt method or the 3-shunt method.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 10-167085 (Patent Document 1) shows a protection circuit for an inverter of a two-phase motor.
  • Patent Document 1 shows a protection circuit for an inverter of a two-phase motor.
  • a power supply relay for interrupting overcurrent is expensive, and it is not suitable for an electric power steering device for a vehicle that is particularly required to reduce the cost.
  • each drain (D) -source (S) of the upper FET and lower FET of the inverter is monitored in the circuit for driving the FET of the inverter, and the FET is driven OFF.
  • the FET drain-source voltage is low and a built-in FET short-circuit detection circuit that detects a short-circuit failure can be achieved by turning off the inverter FET without using a power relay.
  • a product having a function to do this is commercially available (for example, “TLE7183F” manufactured by Infineon Technologies, Germany).
  • the above products are not provided with a circuit or diagnostic function for diagnosing the correct operation of the FET short detection circuit, and when an undetectable failure of the FET short detection circuit occurs, the undetectable failure Cannot be detected. Therefore, when the inverter FET continues to operate after that, when the inverter FET short-circuit failure occurs, the short-circuit failure cannot be detected, and there is a possibility that overcurrent may continue to flow through the inverter. .
  • the inverter power supply and the battery are always electrically connected.
  • the connection is made only through the resistor voltage dividing circuit, there is a problem that the dark current due to the voltage dividing resistor becomes large.
  • Patent Document 2 As an electric power steering device for suppressing dark current flowing in the ECU, there is one shown in Japanese Patent No. 3860104 (Patent Document 2).
  • Patent Document 2 a power relay that supplies and shuts off power is disposed between the motor operation control unit and the power source, and the power relay is turned off after the gradual reduction process at the ignition OFF timing. Therefore, there is a problem that the dark current suppressing effect cannot be obtained unless the ignition is turned off.
  • the present invention has been made under the circumstances as described above, and an object of the present invention is to diagnose a short-circuit failure of the inverter FET by the FET short-circuit detection unit and appropriately respond to the diagnosis result without increasing the cost.
  • it has a function of diagnosing the presence or absence of a failure in the FET short-circuit detection unit, and furthermore, an electronic control device capable of suppressing dark current flowing into the control system regardless of the ignition OFF, and highly safe electric power equipped with the electronic control device
  • the object is to provide a steering device.
  • the present invention relates to an electronic control device that drives and controls a motor by an inverter composed of a bridge between an upper FET and a lower FET via an MCU.
  • the object of the present invention is to connect each connection point voltage of the upper FET and the lower FET.
  • the detection unit failure diagnosis function Based on, the FET short detection unit for detecting a short failure of the upper FET and the lower FET, and a detection unit failure diagnosis function for detecting a failure of the FET short detection unit, the detection unit failure diagnosis function, When the failure of the FET short detection unit is diagnosed at the time of startup, and the failure of the FET short detection unit is detected, the upper FET and the lower FET are turned off, and the failure of the FET short detection unit is not detected The FET short detection unit diagnoses a short fault in the upper FET and the lower FET. It is achieved.
  • the object of the present invention is to divide the voltage at each connection point by a resistance voltage dividing circuit and supply the divided voltage to the FET short detection unit, so that at least the short failure is detected when the short failure is detected.
  • the FET that has not been turned off is turned off, or the failure diagnosis function of the detection unit is built in the MCU, or the FET short detection unit is a short-circuit failure of either the upper FET or the lower FET. Is detected, via a notification terminal, the failure detection is notified to the MCU, or the FET short detection unit is based on the threshold value 1 for the upper FET and the threshold value 2 for the lower FET.
  • the detection unit failure diagnosis function By detecting a short fault or the inverter was calculated by the MCU Driven by a duty signal of WM, the detection unit failure diagnosis function outputs a gate OFF signal for forcibly turning off the inverter from the MCU at the time of startup, and the duty signal of the upper FET or the duty of the lower FET By calculating with a signal, the abnormal condition of the short fault is compulsorily established, and a diagnostic function that outputs a predetermined signal to the notification terminal, or the notification terminal is an NDIAG terminal, or When the inverter is driven by a PWM duty signal calculated by the MCU, the detection unit failure diagnosis function confirms that the inverter can be turned off and stopped when the FET short detection unit detects the short failure.
  • the error notification of the FET short detection unit is forcibly issued from the MCU.
  • Output a signal for transition to the FET short detection state, and calculate the duty signal of the upper stage FET or the duty signal of the lower stage FET, monitor the upper / lower connection point voltage of the inverter, and stop the inverter
  • a dark current suppression switch is inserted between the control system circuit and the MCU, and the MCU turns on the dark current suppression switch at startup,
  • the detection unit failure diagnosis function turns off the upper stage FET and the lower stage FET when the short fault is detected, and the MCU turns off the dark current suppression switch when the operation of the MCU is stopped. Or by dividing the voltage at each connection point by a resistance voltage dividing circuit and supplying it to the FET short-circuit detection unit.
  • the dark current suppression switch is a transistor including an FET, and a parasitic diode for reverse connection protection is connected, or the control system includes at least the MCU, the resistance voltage dividing circuit, and the FET short circuit. By including the detection part, it is achieved more effectively.
  • the above-mentioned electric power steering device is achieved by mounting each electronic control device and applying it to a vehicle assist control motor.
  • a short-circuit failure of the upper FET and the lower FET of the inverter based on the FET drive circuit including the gate drive unit that drives the upper and lower FETs of the inverter to be turned ON / OFF and the connection point voltages of the upper and lower FETs.
  • FET short detection unit, and a detection unit failure diagnosis function for diagnosing a failure (including an abnormality) in the FET short detection unit. Since the failure of the detection unit is diagnosed, an electric power steering device with high safety can be provided. It is possible to reduce expensive power supply relays or switches arranged on the power supply line of the inverter for cutting off the overcurrent generated when the inverter FET short-circuits.
  • the control system is turned on only during ECU operation regardless of the ignition off. Inflow of dark current into the can be suppressed.
  • the failure diagnosis function in the MCU inside or outside can confirm that the FET short detection unit operates correctly.
  • the FET short detection unit fails, turning off the FET of the inverter causes the first failure. If an undetectable failure of the FET short detection part of the second inverter cannot be detected and then the FET of the inverter continues to operate, an overshoot of the second failure of the FET of the inverter occurs. It is possible to prevent the current from continuing to flow, and it is possible to maintain the safety of the electric power steering apparatus.
  • FET short detection unit Embodiment 1
  • a motor particularly a motor for assist control of a vehicle, is composed of an FET bridge (upper FET (H side), lower FET (L side)) as a semiconductor switching element by an MCU (CPU, MPU, microcomputer, etc.).
  • An electronic control device that drives and controls via an inverter, and includes an FET driving circuit including a gate driving unit that drives the FET of the inverter by turning it ON / OFF, and upper and lower FETs of the inverter based on the connection point voltages of the upper and lower FETs.
  • the FET short detection unit detects a short-circuit failure in the lower stage FET, and a detection unit failure diagnosis function provided inside or outside the MCU for diagnosing a failure (including abnormality) in the FET short detection unit.
  • the FET short detection unit detects a short-circuit failure of the FET that occurs in either the upper or lower stage of the inverter. When a short-circuit failure is detected, the FET of the upper or lower stage FET of the inverter (at least one that has not detected a short-circuit fault) FET) is turned off.
  • the failure of the FET short detection unit is diagnosed by the detection unit failure diagnosis function in the MCU.
  • the gate drive unit turns off the inverter FET. That is, the inverter is stopped.
  • the dark current suppression switch is turned on, the failure of the FET short detection unit is diagnosed by the detection unit failure diagnosis function in the MCU, and when the failure of the FET short detection unit is detected, The gate drive unit turns off the FET of the inverter and turns off the dark current suppression switch.
  • the FET short detection unit operates normally by the detection unit failure diagnosis function inside or outside the MCU. Turn off the FET. As a result, it is not possible to detect the occurrence of an undetectable failure in the first failure FET short-circuit detection unit, and then the inverter FET is operated, resulting in a short failure in the second failure inverter FET. In addition, it is possible to prevent the overcurrent from continuing to flow and maintain the safety of the system. And by using the FET short detection unit that ensures safety as described above, the number of expensive power relays arranged on the power line of the inverter for cutting off the overcurrent generated when the inverter FET is short-circuited is reduced. it can. Therefore, downsizing and cost reduction are possible.
  • the present invention includes an MCU 100 for overall control, and a reverse connection protection FET 13A that is inserted between a battery 13 and a power supply VR and is turned on / off based on a switching signal SW2 from the MCU 100.
  • FET drive circuits for driving FET1 to FET6 of the inverter 37 with duty signals HD1 to HD3 (upper stage (H side) FET) and LD4 to LD6 (lower stage (L side) FET) calculated by the MCU 100 Unit 150, a diagnostic resistor voltage dividing circuit 120 that divides the connection point (middle point) voltage of the inverter 37 (the source (S) of the upper stage FET and the drain (D) of the lower stage FET) with a resistance circuit, An FET short detection unit 110 that detects an FET short failure of the inverter 37 via the voltage circuit 120 and the power supply VR are connected to the MCU 1.
  • a level shift is performed in accordance with the input voltage range of the MCU 100. It is comprised with the resistance voltage dividing circuit 140 for power supplies.
  • FET 13A is an FET for reverse connection protection, and prevents a short circuit due to the parasitic diode 13D of the inverter FET at the time of reverse connection.
  • the power supply relay that cuts off the power supply VR is deleted by the FET short detection function, and only the FET 13A for reverse connection protection is used.
  • a dark current suppression switch 130 is provided as a countermeasure.
  • the voltage HS from the dark current suppression switch 130 is supplied to the diagnostic voltage dividing circuit 120, the FET short detection unit 110, and the power supply voltage dividing circuit 140.
  • overvoltage absorbing Zener diodes Z1 to Z6 are connected between the gates and sources of the FET1 to FET6 of the inverter 37, respectively.
  • the details of the diagnostic resistance voltage dividing circuit 120 are the configurations shown in FIG. 6 (for three phases), and the resistance voltage inserted between the power supply (VR) and the ground (GND) is the connection voltage of the upper and lower FETs.
  • the voltage is divided by R121 and R122, and supplied to the FET short detection unit 110 in three phases through resistors R11 to R13, respectively.
  • the junction voltage of the upper and lower stage FETs is divided to “1/2 ⁇ VR”, and the divided voltages SHU (U phase), SHV (V phase), and SHW (W phase) for each phase are divided. Output.
  • the FET short detection unit 110 detects a short-circuit failure in the upper and lower FETs of the inverter 37 based on the divided voltages SHU, SHV, and SHW obtained by the diagnostic voltage dividing circuit 120, and the short-circuit failure occurs in either of the upper or lower FETs. Is detected, and when a short circuit failure of the FET is detected, an error notification EN is output. The error notification EN is input to the gate drive unit 150, and the gate drive unit 150 turns off the FET1 to FET6 of the inverter 37 using the outputs HD1g to LD6g as the “L” signal.
  • the FET short detection unit 110 notifies the MCU 100 that a short failure has been detected via the NDIAG terminal as a notification terminal, and also sends an error signal ERA to the alarm input circuit 104, via the alarm input circuit 104.
  • a gate OFF command GF is output, and the inverter 37 is stopped via the gate drive unit 150 based on the gate OFF command GF.
  • the MCU 100 also has a detection unit failure diagnosis function for diagnosing a failure of the FET short detection unit 110.
  • the MCU 100 performs a gate via the alarm input circuit 104.
  • An OFF command GF is output, and the inverter 37 is stopped via the gate drive unit 150 based on the gate OFF command GF.
  • the inverter may be stopped by outputting a gate OFF command by the duty signals HD1 to HD3 and LD4 to 1D6 to the gate driving unit 150 without using the alarm input circuit 104.
  • FIG. 7 shows a detailed configuration example of the FET short detection unit 110 and the gate drive unit 150, and the divided voltages SHU, SHV, and SHW from the diagnostic resistance voltage dividing circuit 120 are included in the FET short detection unit 110. It is input to the negative terminal input ( ⁇ ) of the upper stage (H side) comparator (three) 117 respectively, and also input to the positive terminal input (+) of the lower stage (L side) comparator (three) 117. .
  • the FET short detection unit 110 includes an SPI communication circuit 112, and the SPI communication circuit 112 transmits an H-side setting signal vthh_Sh and an L-side setting signal vthl_Sh to the threshold setting units 113 and 114, respectively.
  • a voltage HS is supplied to the threshold setting unit 113, and the threshold setting unit 114 is grounded.
  • the threshold setting units 113 and 114 set the thresholds HREF and LREF based on the setting signals vthh_Sh and vthl_Sh, respectively.
  • the threshold HREF is “HS-vthh_Sh”, and the threshold LREF is “vthl_Sh”.
  • the threshold HREF is input to each positive terminal input (+) of the H-side comparator 117, and the threshold LREF is input to each negative terminal input ( ⁇ ) of the L-side comparator 117.
  • the comparator 117 compares the connection point (divided voltage) voltages SHU, SHV, and SHW with the thresholds HREF and LREF according to Table 1 below, and compares the binary “H, L” comparator outputs shuh, shvh, shwh, shul, shvl. , shwl is output.
  • Input signal (duty signal) is an input signal (duty signal) from the MCU for driving the W-stage lower FET 6
  • HD1 is an input signal (duty signal) from the MCU 100 for driving the U-phase upper FET 1
  • HD2 is an input signal (duty signal) from the MCU for driving the V-phase upper FET 2
  • HD3 is an input signal (duty signal) from the MCU 100 for driving the W-phase upper FET 3.
  • the comparison results shuh to shwl from the six comparators 117 are input to the six AND circuits 116 together with the duty signals LD4 to HD3, and the outputs of the AND circuits 116 are input to the six filters 115.
  • the filter 115 is a digital filter for determining, for example, 10 ⁇ s continuation, and the input clk4m is a clock for measuring 10 ⁇ s.
  • a setting change signal CCH for changing the time measurement time is input from the SPI communication circuit 112 to the filter 115.
  • the SPI communication circuit 112 is an interface with the MCU 100, and can change a filter time and set an error logic internal value in a pseudo error state.
  • Each output shuho, shvho, shwho, shulo, shvlo, shwlo of the filter 115 is input to the error logic circuit 111.
  • the error logic circuit 111 outputs an error notification EN (gate_en_u, gate_en_v, gate_en_w, gate_en_r), and outputs the NDIAG terminal.
  • Error logic circuit 111 A circuit that outputs NDIAG and turns off upper and lower FET1 to FET6 based on the abnormality determination result of FET short detection, and the internal value is variable from the SPI communication circuit 112 to perform failure determination of FET short detection. It is possible to do.
  • the register refers to various memories in the error logic circuit 111, and indicates IC status information and configuration information.
  • FIG. 9 shows FET short detection
  • FIG. 10 shows a configuration for confirming FET drive OFF when short is detected.
  • FIG. 10 shows a configuration for confirming FET drive OFF at the time of short detection.
  • the error logic circuit 111 performs LBIST (logic self-diagnosis).
  • NDIAG L if the short circuit is actually detected.
  • the operation check can be performed in the same manner for the other phases.
  • step S1 When the operation is started (step S1), the detection unit failure diagnosis function in the MCU 100 is activated (step S2), and it is diagnosed whether or not the FET short detection unit 110 is in failure (step S3).
  • the MCU 100 When the failure of the FET short detection unit 110 is diagnosed by the detection unit failure diagnosis function, the MCU 100 outputs ALARM1 / ALARM2, the alarm circuit 104 outputs the gate OFF command GF (step S4), and is input to the gate drive unit 130. This stops the inverter 37 (step S5).
  • the FET short detection unit 110 diagnoses a short failure of the FET of the inverter 37 (step S10).
  • the FET short detection unit 110 performs a failure of the upper and lower FETs of the inverter 37 by comparing Table 1, and first determines whether or not the upper FET has a short failure (step S11). In this case, the lower FET is turned off by the error notification EN, and the upper FET is also turned off (step S12). Next, it is determined whether or not the lower FET is short-circuited (step S13). If the lower FET is short-circuited, the upper FET is turned off by the error notification EN, and the lower FET is turned off. (Step S14).
  • connection point voltage Supply voltage HS- R ON ⁇ I ON If the lower FET is short-circuited, the connection point voltages SHU, SHV, SHW are equivalent to 0V.
  • the H-side setting signal vthh_Sh and the L-side setting signal vthl_Sh are set to 1 V, and are set to values sufficiently larger than “ON resistance of the upper FET R ON ⁇ current I ON ” to avoid erroneous detection. .
  • HD1 to HD3 and LD4 to LD6, which are input signals to the gate drive unit 150, are duty signals from the MCU 100 for driving the FET1 to FET6 of the inverter 37, and the gate drive unit 150 has these duty signals HD1 to HD3.
  • LD1 to FET6 of the inverter 37 are driven based on LD4 to LD6.
  • the inverter FET is turned on / off with a time delay with respect to the inputs of the duty signals HD1 to HD3 and LD4 to LD6.
  • the presence or absence of the failure of the FET short detection 110 is diagnosed by the detection unit failure diagnosis function in the MCU 100.
  • the MCU 100 outputs ALARM1 / ALARM2 from the alarm circuit 104 to the gate drive unit 150.
  • a gate OFF command GF is output to turn off the inverter FET.
  • the connection point voltages SHU, SHV, and SHW of the upper stage FET1 to FET3 and the lower stage FET4 to FET6 of the inverter 37 are the inverter power supply voltages ( ⁇ battery voltage 12V).
  • a diagnostic resistance voltage dividing circuit 120 is provided that divides the resistance so that ⁇ 0.5 times ⁇ 6V.
  • the MCU 100 outputs a gate OFF command GF for forcibly turning off the outputs HD1g to LD6g of the gate driving unit 150, and any one of the duty signals HD1 to HD3 and LD4 to LD6 input to the gate driving unit 150
  • NDIAG becomes logic output “L” (logic output “H” when no short fault is detected).
  • the FET short detection unit 110 detects a FET short failure
  • the error notification EN of the FET short detection unit 110 is forcibly shifted from the MCU 100 to the FET short detection state in order to confirm that the inverter FET can be turned off.
  • the “H” signal is input to any one of the duty signals HD1 to HD3 and LD4 to LD6 input to the gate driving unit 150, and further, the junction voltage SHU of the upper and lower stage FETs of the inverter 37 , SHV, SHW are monitored to diagnose that the inverter FET is turned off.
  • the inverter FET cannot be turned off, when the duty signals HD1 to HD3 are “H”, the connection point voltages SHU, SHV, and SHW are equivalent to the power supply voltage (voltage VR) of the inverter 37, and the duty signals LD4 to LD6 are “ When “H”, the connection point voltages SHU, SHV, SHW are equivalent to 0 V (ground), and the inverter power supply voltage (VR) ⁇ 0.5 when it is turned off is not 0.5. be able to.
  • the detection failure diagnosis function can confirm that the FET short detection unit 110 operates correctly, and when the failure of the FET short detection unit 110 is detected, the inverter FET is immediately turned OFF so that the first short-circuit failure detection unit 110 cannot be detected. It is not possible to detect the occurrence of a failure, and after that, the inverter FET is operated, so that it is possible to prevent the short-circuit failure of the second inverter FET and prevent the overcurrent from continuing to flow. Can be maintained. Then, the FET short detection unit 110 with safety ensured as described above reduces the number of expensive power relays arranged on the inverter power line for cutting off the overcurrent generated when the inverter FET is short-circuited. be able to.
  • FIG. 12 shows a state in which a short-circuit failure has occurred in the lower (L-side) FET at time t1, the short-circuit failure has been detected at time t2, and the short-circuit failure has been released at time t8.
  • the filter When a short fault is detected at time t2, the filter outputs shuho to shwho change from “L” to “H”, and NDIAG is latched to L as shown in FIGS. 12H to 12J, and the duty signal HD1g to The LD 6g is latched OFF.
  • FIG. 13 shows a state in which a short fault has occurred in the upper (H side) FET at time t10 and is detected, and the short fault has been released at time t17.
  • the filter outputs shulo to shwlo change from “L” to “H”, and NDIAG is L latched as shown in FIGS. 13 (H) to (J), and the duty signal HD1g ⁇ The LD 6g is latched OFF.
  • a dark current suppression switch 130 of a semiconductor switch is provided between the power source (voltage VR) of the inverter 37 and a control unit such as the MCU 100, and the dark current suppression switch 130 is activated after the MCU 100 is started by the MCU 100. Is turned off, and is turned off by the switching signal SW1 when the operation of the MCU 100 is stopped (non-energized). Thereby, dark current flowing from the power source (voltage VR) of the inverter during ECU operation stop (MCU operation stop) to the control unit can be suppressed (second embodiment).
  • a semiconductor switch eg, FET or transistor
  • FIG. 14 shows Embodiment 2 of the present invention corresponding to FIG. 7, and a dark current suppression switch 130 composed of an FET 131 is interposed between the power supply VR and the control system, and dark current suppression is performed.
  • the output voltage HS of the switch 130 is supplied to the threshold setting unit 113 and the like.
  • a parasitic diode 131D having a function of interrupting dark current is connected to the FET 131 of the dark current suppressing switch 130.
  • FET is taken as an example, but it is possible to use semiconductor transistors such as general transistors.
  • the MCU 100 When the operation is started (step S20), the MCU 100 outputs the switching signal SW1 to turn on the FET 131 of the dark current suppression switch 130 (step S21), and then activates the detection unit failure diagnosis function in the MCU 100 (step S21). S22), it is diagnosed whether or not the FET short detection unit 110 is out of order (step S23).
  • the MCU 100 When the failure of the FET short detection unit 110 is diagnosed by the detection unit failure diagnosis function, the MCU 100 outputs ALARM1 / ALARM2, the alarm circuit 104 outputs the gate OFF command GF (step S24), and is input to the gate drive unit 130. As a result, the inverter 37 is stopped (step S25).
  • the switching signal SW1 is output to turn off the FET 131 of the dark current suppression switch 130 (step S26).
  • the dark current flowing to the control system by the power source VR of the inverter 37 during which the MCU operation is stopped can be suppressed, so that useless battery consumption is suppressed.
  • the FET short detection unit 110 diagnoses a short failure of the FET of the inverter 37 (step S30).
  • the FET short detection unit 110 performs a failure of the upper and lower FETs of the inverter 37 by comparing Table 1, and first determines whether or not the upper FET is short-circuited (step S31), and the upper FET is short-circuited. In this case, the lower FET is turned off by the error notification EN, and the upper FET is also turned off (step S32). Then, the FET 131 of the dark current suppression switch 130 is turned off by the switching signal SW1 (step S33). Thereby, the dark current which the power supply VR of the inverter 37 in which MCU operation is stopped flows to the control system can be suppressed.
  • step S34 it is determined whether or not the lower FET is short-circuited. If the lower FET is short-circuited, the upper FET is turned off by the error notification EN, and the lower FET is turned off. (Step S35). Then, the FET 131 of the dark current suppression switch 130 is turned off by the switching signal SW1 (step S36). Thereby, the dark current which the power supply VR of the inverter 37 in which MCU operation is stopped flows to the control system can be suppressed.
  • the upper FET and the lower FET are off-latched when an FET short circuit is detected.
  • the present invention is not limited to this, and the operation may be performed only during the FET short circuit detection period.
  • the FET to be turned off may be only the upper stage FET and the lower stage FET in the phase where the failure has occurred, or all the FETs of the inverter may be turned off.
  • vthl_Sh is set to 1V, but not limited thereto, if a value sufficiently larger than the "ON resistor R ON ⁇ current I ON in the upper FET" To avoid false positives good.
  • the short failure detection time is 10 ⁇ s, it is not limited to this, and may be a sufficiently long time in consideration of the time delay of the gate drive unit and the switching time of the inverter FET. Further, the logic H and L described above may be reversed.
  • the dark current suppressing semiconductor switch is arranged between the MCU and the power source (voltage VR) of the inverter and between the FET short detection unit and the power source (voltage VR) of the inverter.
  • the present invention is not limited to this, and it is better to provide semiconductor switches in all the paths that are connected to the control unit from the power source (voltage VR) of the inverter and generate dark current.
  • the MCU has a function of diagnosing the presence or absence of a failure in the FET short detection unit.
  • the MCU may be arranged outside the MCU.

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Abstract

【課題】コストアップすることなく、ＦＥＴショート検出部によりインバータＦＥＴのショート故障を診断し、診断結果に適正に対応できるようにすると共に、ＦＥＴショート検出部の故障の有無を診断する機能を具備した電子制御装置及びそれを搭載した電動パワーステアリング装置を提供する。 【解決手段】ＭＣＵを介して、上下段ＦＥＴのブリッジで成るインバータによりモータを駆動制御する電子制御装置において、上下段ＦＥＴの各接続点電圧に基づき、上下段ＦＥＴのショート故障を検出するＦＥＴショート検出部と、ＦＥＴショート検出部の故障を検出する検出部故障診断機能とを備えており、検出部故障診断機能は、起動時にＦＥＴショート検出部の故障を診断し、ＦＥＴショート検出部の故障が検出された時は、上下段ＦＥＴをＯＦＦし、ＦＥＴショート検出部の故障が検出されない場合には、ＦＥＴショート検出部は、上下段ＦＥＴのショート故障を診断する。

Description

電子制御装置及びそれを搭載した電動パワーステアリング装置
　本発明は、モータをＭＣＵ（ＣＰＵ，ＭＰＵ、マイコン等）により、上段（Ｈ側）ＦＥＴ及び下段（Ｌ側）ＦＥＴのブリッジで成るインバータを介して駆動制御する電動パワーステアリング装置に関し、特にＦＥＴのショート故障を確実に検出して過電流が流れないようにした電子制御装置、更にインバータの電源が制御系の電源に流れる暗電流を抑制した高性能な電子制御装置並びにそれらを搭載した電動パワーステアリング装置に関する。
　電子制御装置を搭載し、車両のステアリング機構にモータの回転力で操舵補助力（アシスト力）を付与する電動パワーステアリング装置（ＥＰＳ）は、モータの駆動力を減速機を介してギア又はベルト等の伝達機構により、ステアリングシャフト或いはラック軸に操舵補助力を付与するようになっている。かかる従来の電動パワーステアリング装置は、操舵補助力のトルクを正確に発生させるため、モータ電流のフィードバック制御を行っている。フィードバック制御は、操舵補助指令値（電流指令値）とモータ電流検出値との差が小さくなるようにモータ印加電圧を調整するものであり、モータ印加電圧の調整は、一般的にＰＷＭ制御のデューティ信号の調整で行い、モータはＦＥＴブリッジで成るインバータで駆動されるようになっている。
　電動パワーステアリング装置の一般的な構成を図１に示して説明すると、ハンドル（ステアリングホイール）１のコラム軸（ステアリングシャフト、ハンドル軸）２は減速ギア３、ユニバーサルジョイント４ａ及び４ｂ、ピニオンラック機構５、タイロッド６ａ，６ｂを経て、更にハブユニット７ａ，７ｂを介して操向車輪８Ｌ，８Ｒに連結されている。また、コラム軸２には、ハンドル１の操舵トルクＴｈを検出するトルクセンサ１０と、操舵角θを検出する舵角センサ１４とが設けられており、ハンドル１の操舵力を補助するモータ２０が減速ギア３を介してコラム軸２に連結されている。電動パワーステアリング装置を制御するコントロールユニット（ＥＣＵ）３０には、電源としてのバッテリ１３から電力が供給されると共に、イグニションキー１１を経てイグニションキー信号が入力される。コントロールユニット３０は、トルクセンサ１０で検出された操舵トルクＴｈと車速センサ１２で検出された車速Ｖｅｌとに基づいてアシスト制御の電流指令値の演算を行い、演算された電流指令値に補償等を施した電圧制御指令値Ｖｒｅｆによってモータ２０に供給する電流を制御する。操舵角θは、モータ２０に連結された回転センサから得ることもできる。
　コントロールユニット３０には、車両の各種情報を授受するＣＡＮ（Controller　Area　Network）４０が接続されており、車速ＶｅｌはＣＡＮ４０から受信することも可能である。また、コントロールユニット３０には、ＣＡＮ４０以外の通信、アナログ／ディジタル信号、電波等を授受する非ＣＡＮ４１も接続可能である。
　このような電動パワーステアリング装置において、コントロールユニット３０は主としてＭＣＵ（Micro Controller Unit；ＣＰＵやＭＰＵ、マイコン等を含む）で構成されるが、そのＭＣＵ内部においてプログラムで実行される一般的な機能を示すと、例えば図２に示されるような構成となっている。
　図２を参照してコントロールユニット３０の機能及び動作を説明すると、トルクセンサ１０からの操舵トルクＴｈ及び車速センサ１２（若しくはＣＡＮ４０）からの車速Ｖｅｌは電流指令値演算部３１に入力され、電流指令値演算部３１は操舵トルクＴｈ及び車速Ｖｅｌに基づいてアシストマップ等を用いて電流指令値Ｉｒｅｆ１を演算する。演算された電流指令値Ｉｒｅｆ１は加算部３２Ａで、特性を改善するための補償部３４からの補償信号ＣＭと加算され、加算された電流指令値Ｉｒｅｆ２が電流制限部３３で最大値を制限され、最大値を制限された電流指令値Ｉｒｅｆｍが減算部３２Ｂに入力され、モータ電流検出値Ｉｍと減算される。
　減算部３２Ｂでの減算結果Ｉ（＝Ｉｒｅｆｍ－Ｉｍ）はＰＩ制御部３５でＰＩ（比例積分）制御され、ＰＩ制御された電圧制御指令値Ｖｒｅｆが変調信号（キャリア）ＣＦと共にＰＷＭ制御部３６に入力されてデューティを演算され、デューティを演算されたＰＷＭ信号でインバータ３７を介してモータ２０をＰＷＭ駆動する。モータ２０のモータ電流値Ｉｍはモータ電流検出手段３８で検出され、減算部３２Ｂに入力されてフィードバックされる。
　補償部３４は、検出若しくは推定されたセルフアライニングトルク（ＳＡＴ）を加算部３４４で慣性補償値３４２と加算し、その加算結果に更に加算部３４５で収れん性制御値３４１を加算し、その加算結果を補償信号ＣＭとして加算部３２Ａに入力し、特性改善する。
　モータ２０が３相ブラシレスモータの場合、ＰＷＭ制御部３６及びインバータ３７の詳細は例えば図３に示すような構成となっており、ＰＷＭ制御部３６は、電圧制御指令値Ｖｒｅｆを所定式に従って３相分ＰＷＭのデューティ信号Ｄ１～Ｄ６を演算するデューティ演算部３６Ａと、デューティ信号Ｄ１～Ｄ６で半導体スイッチング素子としてのＦＥＴをＯＮ／ＯＦＦ駆動すると共に、デッドタイムの補償を行うゲート駆動部３６Ｂとで構成されている。デューティ演算部３６Ａには変調信号（キャリア）ＣＦが入力されており、デューティ演算部３６Ａは変調信号ＣＦに同期してＰＷＭのデューティ信号Ｄ１～Ｄ６を演算する。
　インバータ３７は上段ＦＥＴ１～ＦＥＴ３及び下段ＦＥＴ４～ＦＥＴ６の３相ブリッジで構成されており、各ＦＥＴ１～ＦＥＴ６がＰＷＭのデューティ信号Ｄ１～Ｄ６でＯＮ／ＯＦＦされることによって、モータ２０は駆動制御される。ＦＥＴ１～ＦＥＴ６は、寄生ダイオード付きのＦＥＴである。
　なお、インバータ３７とモータ２０との間には、アシスト制御停止時等に、安全のために電流供給を遮断するためのモータ開放スイッチ２３が介挿されている。モータ開放スイッチ２３は、各相に介挿された寄生ダイオード付きのＦＥＴで構成されている。
　このような電動パワーステアリング装置のインバータにおいて、従来、インバータ３７のＦＥＴ１～ＦＥＴ６がショート故障（短絡故障）した場合に、インバータ３７に過電流が流れ続けることを防止するため、図４に示すようにインバータ３７の電流を検出する電流検出回路３７Ａと、ＭＣＵ及びインバータ３７の電源ラインに電源リレー（機械的リレーや半導体リレー）３７Ｂ，３７Ｃが設けられている。図４の例では１シャント方式でインバータ電流を検出しているが、２シャント方式若しくは３シャント方式で検出するものもある。
　ＭＣＵはインバータ３７に過電流が流れていることを診断し、このようなショート故障を検出した場合に、電源リレー３７Ｂ及び３７ＣをＯＦＦして過電流を遮断し、システムの安全を確保している。例えば特開平１０－１６７０８５号公報（特許文献１）は、２相モータのインバータについての保護回路を示している。しかしながら、過電流を遮断するための電源リレーは高価であるという問題があり、特にコストダウンが要請される車両の電動パワーステアリング装置には適当ではない。
特開平１０－１６７０８５号公報 特許第３８６０１０４号公報
　この問題を解決するために、インバータのＦＥＴを駆動する回路内に、インバータの上段ＦＥＴ及び下段ＦＥＴの各ドレイン（Ｄ）－ソース（Ｓ）間電圧を監視し、ＦＥＴをＯＦＦ駆動しているにも拘わらず、ＦＥＴのドレイン－ソース間電圧が低く、ショート故障していることを検出するＦＥＴショート検出回路を内蔵し、電源リレーを使わずにインバータのＦＥＴをＯＦＦすることで、過電流を遮断する機能を有する製品が市販されている（例えば、ドイツのインフィニオン・テクノロジーズ社製“TLE7183F”）。
　しかしながら、上記製品では、ＦＥＴショート検出回路が正しく動作することを診断するための回路若しくは診断機能が設けられておらず、ＦＥＴショート検出回路の検出不可故障が発生した場合には、その検出不可故障は検出することができない。そのため、その後、インバータのＦＥＴが動作し続けた際に、インバータＦＥＴのショート故障が発生した場合にショート故障を検出することができず、インバータに過電流が流れ続ける可能性があるという問題がある。
　また、過電流遮断のための電源リレーを削除した場合には、インバータの電源とバッテリとの間が常に電気的に導通してしまい、例えばインバータの電源電圧をＭＣＵで監視するために、従来通り抵抗分圧回路のみを介して接続すると、分圧抵抗による暗電流が大きくなるという問題がある。
　更に、ＥＣＵに流れる暗電流を抑制する電動パワーステアリング装置として、特許第３８６０１０４号公報（特許文献２）に示されるものがある。特許文献２では、モータ運転制御部と電源との間に電源供給・遮断を行うパワーリレーを配置し、イグニッションＯＦＦのタイミングで漸減処理後に、パワーリレーをＯＦＦしている。そのため、イグニッションＯＦＦにならないと、暗電流の抑制効果が得られないという問題がある。
　本発明は上述のような事情よりなされたものであり、本発明の目的は、コストアップすることなく、ＦＥＴショート検出部によりインバータＦＥＴのショート故障を診断し、診断結果に適正に対応できるようにすると共に、ＦＥＴショート検出部の故障の有無を診断する機能を具備し、更にはイグニションＯＦＦに関係なく制御系へ流入する暗電流を抑制できる電子制御装置及びそれを搭載した安全性の高い電動パワーステアリング装置を提供することにある。
　本発明は、ＭＣＵを介して、上段ＦＥＴ及び下段ＦＥＴのブリッジで成るインバータによりモータを駆動制御する電子制御装置に関し、本発明の上記目的は、前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴの各接続点電圧に基づき、前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴのショート故障を検出するＦＥＴショート検出部と、前記ＦＥＴショート検出部の故障を検出する検出部故障診断機能とを備えており、前記検出部故障診断機能は、起動時に前記ＦＥＴショート検出部の故障を診断し、前記ＦＥＴショート検出部の故障が検出された時は、前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴをＯＦＦし、前記ＦＥＴショート検出部の故障が検出されない場合には、前記ＦＥＴショート検出部は、前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴのショート故障を診断することにより達成される。
　また、本発明の上記目的は、前記各接続点電圧を抵抗分圧回路で分圧して前記ＦＥＴショート検出部に供給することにより、前記ショート故障が検出された時、少なくとも前記ショート故障が検出されていない方のＦＥＴをＯＦＦすることにより、或いは前記検出部故障診断機能が前記ＭＣＵに内臓されていることにより、或いは前記ＦＥＴショート検出部は、前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴのいずれかのショート故障を検出すると、前記ＭＣＵに対して通知端子を介してショート故障検出を通知することにより、或いは前記ＦＥＴショート検出部は、前記上段ＦＥＴ用のスレッショルド１及び前記下段ＦＥＴ用のスレッショルド２に基づいて前記ショート故障を検出することにより、或いは前記インバータが前記ＭＣＵで演算されたＰＷＭのデューティ信号で駆動され、前記検出部故障診断機能は、起動時に前記ＭＣＵから前記インバータを強制的にＯＦＦさせるゲートＯＦＦ信号を出力し、前記上段ＦＥＴの前記デューティ信号又は前記下段ＦＥＴの前記デューティ信号と演算させることで、前記ショート故障の異常条件を強制的に成立させ、前記通知端子に所定信号を出力する診断機能であることにより、或いは前記通知端子がNDIAG端子であることにより、或いは前記インバータが前記ＭＣＵで演算されたＰＷＭのデューティ信号で駆動され、前記検出部故障診断機能は、前記ＦＥＴショート検出部が前記ショート故障を検出した場合に、前記インバータをＯＦＦして停止できることを確認するために、前記ＭＣＵから前記ＦＥＴショート検出部のエラー通知を強制的にＦＥＴショート検出状態に遷移させる信号を出力し、前記上段ＦＥＴの前記デューティ信号又は前記下段ＦＥＴの前記デューティ信号と演算させると共に、前記インバータの上下接続点電圧を監視し、前記インバータの停止ができていることを診断する診断機能を有することにより、或いは更に制御系の回路の間に暗電流抑制用スイッチが介挿されており、前記ＭＣＵは、起動時に前記暗電流抑制用スイッチをＯＮし、前記検出部故障診断機能は、前記ショート故障が検出された時に前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴをＯＦＦし、前記ＭＣＵは、前記ＭＣＵの動作停止時に前記暗電流抑制用スイッチをＯＦＦするようになっていることにより、或いは前記各接続点電圧を抵抗分圧回路で分圧して前記ＦＥＴショート検出部に供給することにより、或いは前記暗電流抑制用スイッチがＦＥＴを含むトラジスタ類であり、逆接保護用の寄生ダイオードが接続されていることにより、或いは前記制御系に少なくとも前記ＭＣＵ、前記抵抗分圧回路、前記ＦＥＴショート検出部が含まれていることにより、より効果的に達成される。
　上記各電子制御装置を搭載し、車両のアシスト制御用モータに適用することにより、上記目的の電動パワーステアリング装置が達成される。
　本発明によれば、インバータの上下段ＦＥＴをＯＮ／ＯＦＦして駆動するゲート駆動部を含むＦＥＴ駆動回路と、上下段ＦＥＴの各接続点電圧に基づき、インバータの上段ＦＥＴ及び下段ＦＥＴのショート故障を検出するＦＥＴショート検出部と、ＦＥＴショート検出部の故障（異常を含む）を診断するための検出部故障診断機能とから構成され、インバータの上下段ＦＥＴのショート故障を検出すると共に、ＦＥＴショート検出部の故障を診断しているので、安全性の高い電動パワーステアリング装置を提供することができる。インバータのＦＥＴショート故障時に発生する過電流を遮断するための、インバータの電源ラインに配置される高価な電源リレー若しくはスイッチを削減することができる。
　また、起動時に暗電流抑制用スイッチをＯＮし、ＦＥＴショート故障が検出された時に暗電流抑制用スイッチをＯＦＦしているので、イグニションＯＦＦに関係なく、ＥＣＵ動作中のみＯＮされるので、制御系への暗電流の流入を抑制することができる。
　更に、ＭＣＵ内若しくは外部の検出部故障診断機能により、ＦＥＴショート検出部が正しく動作することを確認することができ、ＦＥＴショート検出部の故障時にはインバータのＦＥＴをＯＦＦすることで、１つ目故障のＦＥＴショート検出部の検出不可故障が発生したことを検出できず、かつ、その後、インバータのＦＥＴを動作させ続けることで、２つ目故障のインバータのＦＥＴのショート故障が発生した場合に、過電流が流れ続けることを防止することができ、電動パワーステアリング装置の安全を維持することができる。
電動パワーステアリング装置の概要を示す構成図である。 電動パワーステアリング装置の制御系の構成例を示すブロック図である。 一般的なＰＷＭ制御部及びインバータの構成例を示す結線図である。 従来の保護機能を有するインバータの構成例を示す結線図である。 本発明の構成例を示すブロック図である。 診断用抵抗分圧回路の詳細を示すブロック図である。 本発明の構成例の一部（ＦＥＴショート検出部）（実施形態１）を詳細に示す結線図である。 NDIAG端子の構成例を示すブロック図である。 ＦＥＴショート検出部（Ｕ相）の詳細を示すブロック図である。 ＦＥＴショート検出部（Ｕ相）の詳細を示すブロック図である。 本発明の動作例（実施形態１）を示すフローチャートである 本発明の動作例を示すタイミングフローチャートである 本発明の動作例を示すタイミングフローチャートである 本発明の構成例（実施形態２）を示すブロック図である。 本発明の動作例（実施形態２）を示すフローチャートである
　本発明は、モータ、特に車両のアシスト制御用モータをＭＣＵ（ＣＰＵ，ＭＰＵ、マイコン等）により、半導体スイッチング素子としてのＦＥＴのブリッジ（上段ＦＥＴ（Ｈ側）、下段ＦＥＴ（Ｌ側））で成るインバータを介して駆動制御する電子制御装置であり、インバータのＦＥＴをＯＮ／ＯＦＦして駆動するゲート駆動部を含むＦＥＴ駆動回路と、上下段ＦＥＴの各接続点電圧に基づき、インバータの上段ＦＥＴ及び下段ＦＥＴのショート故障を検出するＦＥＴショート検出部と、ＦＥＴショート検出部の故障（異常を含む）を診断するため、ＭＣＵ内若しくはＭＣＵ外に備えられた検出部故障診断機能とから構成されている。ＦＥＴショート検出部により、インバータの上下段のどちらかに発生したＦＥＴのショート故障を検出し、ショート故障が検出された時はインバータの上下段ＦＥＴのＦＥＴ（少なくともショート故障が検出されていない方のＦＥＴ）をＯＦＦする。
　また、電動パワーステアリングの起動時に、ＭＣＵ内の検出部故障診断機能によりＦＥＴショート検出部の故障を診断し、ＦＥＴショート検出部の故障が検出された時は、ゲート駆動部によりインバータのＦＥＴをＯＦＦ、つまりインバータ停止とする。或いは、電動パワーステアリングの起動時に、暗電流抑制用スイッチをＯＮし、ＭＣＵ内の検出部故障診断機能によりＦＥＴショート検出部の故障を診断し、ＦＥＴショート検出部の故障が検出された時は、ゲート駆動部によりインバータのＦＥＴをＯＦＦすると共に、暗電流抑制用スイッチをＯＦＦする。
　更に、本発明では、ＭＣＵ内若しくはＭＣＵ外の検出部故障診断機能により、ＦＥＴショート検出部が正常に動作することを診断して確認することができ、ＦＥＴショート検出部の故障検出時には、直ちにインバータのＦＥＴをＯＦＦする。これにより、１つ目故障のＦＥＴショート検出部の検出不可故障が発生したことを検出できず、かつ、その後、インバータＦＥＴを動作させたことで、２つ目故障のインバータＦＥＴのショート故障が発生し、過電流が流れ続けることを防止することができ、システムの安全を維持することができる。そして、上記のように安全性が担保されたＦＥＴショート検出部により、インバータＦＥＴのショート故障時に発生する過電流を遮断するための、インバータの電源ラインに配置される高価な電源リレーを削減することできる。よって、小型化とコスト低減が可能となる。
　以下に、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。実施形態として、本発明の電子制御装置を電動パワーステアリング装置に適用した例を説明する。
　本発明は図５に示すように、全体の制御を行うＭＣＵ１００と、バッテリ１３と電源ＶＲとの間に介挿され、ＭＣＵ１００からの切換信号ＳＷ２に基づいてＯＮ／ＯＦＦされる逆接保護用のＦＥＴ１３Ａと、ＭＣＵ１００で演算されたデューティ信号ＨＤ１～ＨＤ３（上段（Ｈ側）ＦＥＴ）及びＬＤ４～ＬＤ６（下段（Ｌ側）ＦＥＴ）でインバータ３７のＦＥＴ１～ＦＥＴ６を駆動するＦＥＴ駆動回路を形成するゲート駆動部１５０と、インバータ３７の接続点（中点）電圧（上段ＦＥＴのソース（Ｓ）と下段ＦＥＴのドレイン（Ｄ））を抵抗回路で分圧する診断用抵抗分圧回路１２０と、診断用抵抗分圧回路１２０を介してインバータ３７のＦＥＴショート故障を検出するＦＥＴショート検出部１１０と、電源ＶＲに接続され、ＭＣＵ１００からの切換信号ＳＷ１でＯＮ／ＯＦＦされる暗電流抑制用スイッチ１３０と、暗電流抑制用スイッチ１３０からの電圧ＨＳを検出するために、ＭＣＵ１００の入力電圧範囲に合わせてレベルシシフトするための電源用抵抗分圧回路１４０とで構成されている。
　ＦＥＴ１３Ａは逆接保護用のＦＥＴであり、逆接時にインバータＦＥＴの寄生ダイオード１３Ｄによる短絡を防ぐ。本発明はＦＥＴショート検出機能により、電源ＶＲを遮断する電源リレーを削除し、逆接保護用のＦＥＴ１３Ａのみで対処する。その背反として、逆接保護用ＦＥＴ１３Ａの寄生ダイオード１３Ｄを介して暗電流が流れるため、その対策として暗電流抑制用スイッチ１３０を設けている。暗電流抑制用スイッチ１３０からの電圧ＨＳは、診断用分圧回路１２０、ＦＥＴショート検出部１１０及び電源用分圧回路１４０に供給される。また、インバータ３７のＦＥＴ１～ＦＥＴ６の各ゲート－ソース間には過電圧吸収用のツェナーダイオードＺ１～Ｚ６がそれぞれ接続されている。
　診断用抵抗分圧回路１２０の詳細は図６に示す構成（３相分）であり、上下段ＦＥＴの接続点電圧を、電源（ＶＲ）と接地（ＧＮＤ）との間に介挿された抵抗Ｒ１２１及びＲ１２２で分圧し、それぞれ抵抗Ｒ１１～Ｒ１３を経てＦＥＴショート検出部１１０に３相で供給する。上下段ＦＥＴのＯＦＦ時に、上下段ＦＥＴの接続点電圧を“１／２×ＶＲ”に分圧し、各相の分圧電圧ＳＨＵ（Ｕ相），ＳＨＶ（Ｖ相），ＳＨＷ（Ｗ相）を出力する。
　ＦＥＴショート検出部１１０は、診断用分圧回路１２０で得られた分圧電圧ＳＨＵ，ＳＨＶ，ＳＨＷに基づいてインバータ３７の上下段ＦＥＴのショート故障を検出すると共に、上下段ＦＥＴのどちらにショート故障が発生したかを検出し、ＦＥＴのショート故障を検出した時にはエラー通知ＥＮを出力する。エラー通知ＥＮはゲート駆動部１５０に入力され、ゲート駆動部１５０は出力ＨＤ１ｇ～ＬＤ６ｇを「Ｌ」信号としてインバータ３７のＦＥＴ１～ＦＥＴ６をＯＦＦする。また、ＦＥＴショート検出部１１０はＭＣＵ１００に対して、通知端子のNDIAG端子を介してショート故障を検出したことを通知すると共に、アラーム入力回路１０４にエラー信号ＥＲＡを送り、アラーム入力回路１０４を介してゲートＯＦＦ指令ＧＦを出力し、ゲートＯＦＦ指令ＧＦに基づいてゲート駆動部１５０を介してインバータ３７を停止する。
　また、ＭＣＵ１００は、ＦＥＴショート検出部１１０の故障を診断するための検出部故障診断機能を有しており、診断によってＦＥＴショート検出部１１０の故障を検出した時には、アラーム入力回路１０４を介してゲートＯＦＦ指令ＧＦを出力し、ゲートＯＦＦ指令ＧＦに基づいてゲート駆動部１５０を介してインバータ３７を停止する。或いはアラーム入力回路１０４を介さずに、ゲート駆動部１５０へのデューティ信号ＨＤ１～ＨＤ３、ＬＤ４～ｌＤ６によりゲートＯＦＦ指令を出力し、インバータを停止するようにしても良い。
　図７は、ＦＥＴショート検出部１１０及びゲート駆動部１５０の詳細な構成例を示しており、診断用抵抗分圧回路１２０からの分圧電圧ＳＨＵ、ＳＨＶ、ＳＨＷは、ＦＥＴショート検出部１１０内の上段側（Ｈ側）コンパレータ（３個）１１７の負端子入力（－）にそれぞれ入力されると共に、下段側（Ｌ側）コンパレータ（３個）１１７の正端子入力（＋）にそれぞれ入力される。ＦＥＴショート検出部１１０はＳＰＩ通信回路１１２を備えており、ＳＰＩ通信回路１１２はスレッショルド設定部１１３及び１１４にそれぞれＨ側設定信号vthh_Sh及びＬ側設定信号vthl_Shを送信する。スレッショルド設定部１１３には電圧ＨＳが供給され、スレッショルド設定部１１４は接地されている。スレッショルド設定部１１３及び１１４は設定信号vthh_Sh及びvthl_Shに基づいてそれぞれスレッショルドＨＲＥＦ及びＬＲＥＦを設定するが、スレッショルドＨＲＥＦは“ＨＳ－vthh_Sh”であり、スレッショルドＬＲＥＦは“vthl_Sh”である。スレッショルドＨＲＥＦはＨ側コンパレータ１１７の各正端子入力（＋）に入力され、スレッショルドＬＲＥＦはＬ側コンパレータ１１７の各負端子入力（－）に入力される。コンパレータ１１７は、下記表１に従って接続点（分圧）電圧ＳＨＵ，ＳＨＶ，ＳＨＷとスレッショルドＨＲＥＦ及びＬＲＥＦとの比較を行い、２値「Ｈ，Ｌ」のコンパレータ出力shuh,shvh,shwh,shul,shvl,shwlを出力する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　即ち、上段ＦＥＴ１～ＦＥＴ３に対応する上段コンパレータについては下記数１となり、下段ＦＥＴ４～ＦＥＴ６に対応する下段コンパレータについては下記数２となる。
（数１）
ＳＨＵ＜ＨＲＥＦのとき、shuh＝Ｈ、ＳＨＵ≧ＨＲＥＦのとき、shuh＝Ｌ
ＳＨＶ＜ＨＲＥＦのとき、shvh＝Ｈ、ＳＨＶ≧ＨＲＥＦのとき、shvh＝Ｌ
ＳＨＷ＜ＨＲＥＦのとき、shwh＝Ｈ、ＳＨＷ≧ＨＲＥＦのとき、shwh＝Ｌ
（数２）
ＳＨＵ＞ＬＲＥＦのとき、shul＝Ｈ、ＳＨＵ≦ＬＲＥＦのとき、shul＝Ｌ
ＳＨＶ＞ＬＲＥＦのとき、shvl＝Ｈ、ＳＨＶ≦ＬＲＥＦのとき、shvl＝Ｌ
ＳＨＷ＞ＬＲＥＦのとき、shwl＝Ｈ、ＳＨＷ≦ＬＲＥＦのとき、shwl＝Ｌ
 
　なお、表１中のＬＤ４は、Ｕ相の下段ＦＥＴ４を駆動するためのＭＣＵ１００（デューティ演算部１０１）からの入力信号（デューティ信号）、ＬＤ５はＶ相の下段ＦＥＴ５を駆動するためのＭＣＵ１００からの入力信号（デューティ信号）、ＬＤ６はＷ相の下段ＦＥＴ６を駆動するためのＭＣＵからの入力信号（デューティ信号）、ＨＤ１はＵ相の上段ＦＥＴ１を駆動するためのＭＣＵ１００からの入力信号（デューティ信号）、ＨＤ２はＶ相の上段ＦＥＴ２を駆動するためのＭＣＵからの入力信号（デューティ信号）、ＨＤ３はＷ相の上段ＦＥＴ３を駆動するためのＭＣＵ１００からの入力信号（デューティ信号）である。これらデューティ信号ＬＤ４～ＨＤ３は、いずれも対応するＡＮＤ回路１１６に入力される。
　６個のコンパレータ１１７からの比較結果shuh～shwlは、デューティ信号ＬＤ４～ＨＤ３と共にそれぞれ６個のＡＮＤ回路１１６に入力され、ＡＮＤ回路１１６の各出力は６個のフィルタ１１５に入力される。フィルタ１１５は、例えば１０μｓ継続を判定するためのディジタルフィルタであり、入力されているclk4mは、１０μｓを計時するためのクロックである。また、ＳＰＩ通信回路１１２からフィルタ１１５に対して、計時時間を変更するための設定変更信号ＣＣＨが入力されている。なお、ＳＰＩ通信回路１１２はＭＣＵ１００とのインタフェースであり、フィルタ時間の変更やエラーロジックの内部値を疑似的にエラー状態に設定することができる。
　フィルタ１１５の各出力shuho,shvho,shwho,shulo,shvlo,shwloはエラー論理回路１１１に入力され、エラー論理回路１１１はエラー通知ＥＮ（gate_en_u,　gate_en_v,　gate_en_w,　gate_en_r）を出力すると共に、NDIAG端子を介してＭＣＵ１００に通知する。エラー論理回路１１１ＦＥＴショート検出の異常判定結果に基づき、NDIAGの出力及び上下段ＦＥＴ１～ＦＥＴ６のＯＦＦを行う回路であり、ＦＥＴショート検出の故障判定を行うために、ＳＰＩ通信回路１１２から内部値を可変することが可能となっている。
　NDIAG端子の動作確認は図８に示すように、ＭＣＵ１００のＳＰＩ通信でＳＰＩ通信回路１１２及びエラー論理回路１１１で成るレジスタdiag_dg＝“１”を設定することにより、NDIAG機能が正常に動作しているかを確認可能である。なお、レジスタはエラー論理回路１１１内にある各種メモリのことであり、ＩＣの状態情報や構成情報を示す。
　即ち、ＳＰＩ通信によりレジスタdiag_dg＝“１”又は“０”に設定すると、レジスタdiag_dg＝０の場合には否定部１０３によりNDIAG＝Ｈとなり、レジスタdiag_dg＝１の場合には否定部１０３によりNDIAG＝Ｌとなる。ＭＣＵ１００によるNDIAGの期待値比較を行うことにより、NDIAGが正常に動作していることを確認することができる。レジスタdiag_dg＝０を再度設定することでNDIAG＝Ｈとなり、通常の異常検出機能が働く。
　次に、ＦＥＴショート検出動作確認について、図９及び図１０にＵ相の構成を示して説明する。図９はＦＥＴショート検出であり、図１０はショート検出時のＦＥＴ駆動ＯＦＦの確認構成を示している。
　図９において、ＭＣＵ１００がALARM1又はALARM2を設定することにより、各ＦＥＴ１～ＦＥＴ６のショート検出機能が正常に動作することを確認することができる。即ち、ALARM1又はALARM2＝Ｌをアラーム入力回路１０４を経て入力し、駆動論理部１５１の入力であるゲートＯＦＦ指令信号ＧＦを「Ｈ」とする。ALARM1又はALARM2＝Ｌにより駆動論理部１５１の出力ＨＤ１ｇ＝Ｌのため、分圧電圧ＳＵＨは電源（ＶＲ）と接地（ＧＮＤ）の中間電圧となり、コンパレータ１１７の出力shul＝Ｈとなる。ＭＣＵ１００からのデューティ信号ＬＤ４＝Ｈ、コンパレータ１１７の出力shul＝Ｈのため、ＡＮＤ回路１１６の出力（レジスタscul）＝Ｈでショート検出状態となり、NDIAG＝Ｌとなる。従って、NDIAGを監視することで、ショート検出機能が正常に動作しているか否かを診断することができる。エラー論理回路１１１内のレジスタ(scul)をＳＰＩ通信によってクリアすることで、NDIAG＝Ｈとなる。
　図１０はショート検出時のＦＥＴ駆動ＯＦＦの確認構成を示しており、ＭＣＵ１００のＳＰＩ通信で各相レジスタshuh_dg, shul_dg, shvh_dg, shvl_dg, shwh_dg, shwl_dgを設定することにより、各ＦＥＴ１～ＦＥＴ６のショート検出時にＦＥＴ１～ＦＥＴ６がＯＦＦすることを確認することができる。即ち、レジスタshul_dg＝“１”の場合、ＳＰＩ通信回路１１２のＳＰＩ通信によりレジスタsh_op＝“００１”又は“０１０”（ショート検出時、ＦＥＴ駆動＝ＯＦＦ）に設定し、ＳＰＩ通信によりレジスタshul_dg＝１に設定する。レジスタshul_dg＝１で、レジスタscul＝１（ショート検出状態）となり、NDIAG＝Ｌとなり、このNDIAG＝ＬによりＭＣＵ１００からデューティ信号ＬＤ４＝Ｈを入力すると、上段ＦＥＴ１と下段ＦＥＴ４の接続点電圧を監視することによって、ＦＥＴ１及びＦＥＴ４がＯＦＦしていることを検出することができる。レジスタshul_dg＝０を再設定することで、レジスタscul＝０、NDIAG＝Ｈとなり、通常の異常検出機能が働く。
　なお、エラー論理回路１１１ではLBIST（論理自己診断）を実施しており、レジスタshul_dg＝０の場合、実際にショート検出状態であれば、NDIAG＝Ｌとなる。他の相についても同様にして動作確認を実施することができる。
　このような構成において、その動作例（実施形態１）を図１１のフローチャートを参照して説明する。
　動作が起動されると（ステップＳ１）、ＭＣＵ１００内の検出部故障診断機能を作動させ（ステップＳ２）、ＦＥＴショート検出部１１０が故障か否かを診断する（ステップＳ３）。検出部故障診断機能によってＦＥＴショート検出部１１０の故障が診断されると、ＭＣＵ１００はALARM1/ALARM2を出力し、アラーム回路１０４がゲートＯＦＦ指令ＧＦを出力し（ステップＳ４）、ゲート駆動部１３０に入力することによりインバータ３７を停止する（ステップＳ５）。
　一方、上記ステップＳ３においてＦＥＴショート検出部１１０の故障が検出されない場合には、ＦＥＴショート検出部１１０はインバータ３７のＦＥＴのショート故障を診断する（ステップＳ１０）。ＦＥＴショート検出部１１０はインバータ３７の上下段ＦＥＴの故障を表１の比較によって行い、先ず上段ＦＥＴがショート故障しているか否かを判定し（ステップＳ１１）、上段ＦＥＴがショート故障している場合には、エラー通知ＥＮによって下段ＦＥＴをＯＦＦし、更に上段ＦＥＴもＯＦＦ動作とする（ステップＳ１２）。次いで、下段ＦＥＴがショート故障しているか否かを判定し（ステップＳ１３）、下段ＦＥＴがショート故障している場合には、エラー通知ＥＮによって上段ＦＥＴをＯＦＦし、更に下段ＦＥＴをＯＦＦ動作とする（ステップＳ１４）。
　なお、上段ＦＥＴと下段ＦＥＴのショート故障の検出の順番は逆であっても良い。
　下段（Ｌ側）ＦＥＴのショート故障の検出は、上段（Ｈ側）ＦＥＴがＯＮ状態（＝下段ＦＥＴはＯＦＦ状態）で、下段ＦＥＴのドレイン電圧ＳＨＵ，ＳＨＶ，ＳＨＷを監視し、ドレイン電圧ＳＨＵ，ＳＨＶ，ＳＨＷがスレッショルドＨＲＥＦよりも小さければショート故障と判断し、ドレイン電圧ＳＨＵ，ＳＨＶ，ＳＨＷがスレッショルドＨＲＥＦ以上であればショート故障無しと判断する。ショート故障が検出された場合は、ＦＥＴショート検出部１１０からゲート駆動部１５０へエラー通知ＥＮを行い、インバータＦＥＴをＯＦＦする。具体的には、通常、ＦＥＴが故障していなければ、上段ＦＥＴがＯＮ＝下段ＦＥＴがＯＦＦの状態では、接続点電圧ＳＨＵ，ＳＨＶ，ＳＨＷは、上段ＦＥＴのＯＮ抵抗をＲＯＮ、電流をＩＯＮとして下記数３となる。
（数３）
接続点電圧＝供給電圧ＨＳ－
ＲＯＮ×ＩＯＮ
 
　下段ＦＥＴがショート故障していれば、接続点電圧ＳＨＵ，ＳＨＶ，ＳＨＷは０Ｖ相当となる。本実施形態ではＨ側設定信号vthh_Sh及びＬ側設定信号vthl_Sh　は１Ｖに設定し、誤検出を避けるため“上段ＦＥＴのＯＮ抵抗ＲＯＮ×電流ＩＯＮ”よりも十分に大きい値に設定している。
　また、ゲート駆動部１５０の入力信号であるＨＤ１～ＨＤ３，ＬＤ４～ＬＤ６は、インバータ３７のＦＥＴ１～ＦＥＴ６を駆動するためのＭＣＵ１００からのデューティ信号であり、ゲート駆動部１５０はこのデューティ信号ＨＤ１～ＨＤ３，ＬＤ４～ＬＤ６に基づいてインバータ３７のＦＥＴ１～ＦＥＴ６を駆動する。しかし、内部回路の遅延やインバータＦＥＴの容量により、デューティ信号ＨＤ１～ＨＤ３，ＬＤ４～ＬＤ６の入力に対して時間遅れでインバータＦＥＴがＯＮ／ＯＦＦする。この時の時間遅れによるＦＥＴショート故障の誤検出を防ぐため、ＦＥＴショート検出部１１０内のコンパレータ１１７の入力条件が10μｓ継続した場合にのみ、ＦＥＴショート検出と判断する。
　次に、ＭＣＵ１００が、ＦＥＴショート検出部１１０の故障を検出する動作を説明する。
　起動時に、ＭＣＵ１００内の検出部故障診断機能によりＦＥＴショート検出１１０の故障の有無を診断し、ＦＥＴショート検出１１０の故障時はＭＣＵ１００はALARM1/ALARM2を出力し、アラーム回路１０４からゲート駆動部１５０にゲートＯＦＦ指令ＧＦを出力し、インバータＦＥＴをＯＦＦする。具体的には、ゲート駆動部１５０の出力ＨＤ１ｇ～ＬＤ６ｇがＯＦＦの場合、インバータ３７の上段ＦＥＴ１～ＦＥＴ３及び下段ＦＥＴ４～ＦＥＴ６の接続点電圧ＳＨＵ，ＳＨＶ，ＳＨＷがインバータ電源電圧（≒バッテリ電圧１２Ｖ）×０．５倍≒６Ｖとなるように抵抗分圧する診断用抵抗分圧回路１２０を設けている。起動時に、ＭＣＵ１００からゲート駆動部１５０の出力ＨＤ１ｇ～ＬＤ６ｇを強制的にＯＦＦさせるゲートＯＦＦ指令ＧＦを出力し、かつ、ゲート駆動部１５０に入力されるデューティ信号ＨＤ１～ＨＤ３及びＬＤ４～ＬＤ６のいずれかに「Ｈ」信号を入力することで、上記ＦＥＴショート検出の異常条件を強制的に成立させ、NDIAGが論理出力「Ｌ」になること（ショート故障の未検出時は論理出力「Ｈ」）を監視することで、ＦＥＴショート検出が検出不可故障になっていないかを診断する。
　また、ＦＥＴショート検出部１１０がＦＥＴショート故障を検出した場合に、インバータＦＥＴがＯＦＦできることを確認するために、ＭＣＵ１００からＦＥＴショート検出部１１０のエラー通知ＥＮを強制的にＦＥＴショート検出状態に遷移させる信号（ＳＰＩ）を出力すると共に、ゲート駆動部１５０に入力されるデューティ信号ＨＤ１～ＨＤ３及びＬＤ４～ＬＤ６のいずれかに「Ｈ」信号を入力し、更にインバータ３７の上下段ＦＥＴの接続点電圧ＳＨＵ，ＳＨＶ，ＳＨＷを監視し、インバータＦＥＴのＯＦＦができていることを診断する。インバータＦＥＴをＯＦＦできていなければ、デューティ信号ＨＤ１～ＨＤ３が「Ｈ」の時には、接続点電圧ＳＨＵ，ＳＨＶ，ＳＨＷはインバータ３７の電源電圧（電圧ＶＲ）と同等となり、デューティ信号ＬＤ４～ＬＤ６が「Ｈ」の時には接続点電圧ＳＨＵ，ＳＨＶ，ＳＨＷは０Ｖ（接地）と同等となり、ＯＦＦできている場合のインバータ電源電圧（ＶＲ）×０．５にはならないので、ＯＦＦできてないことを検出することができる。
　ＦＥＴショート検出部１１０によるＦＥＴショート検出、及び、ＦＥＴショート検出時にインバータＦＥＴをＯＦＦできないことがＭＣＵ１００により診断された場合は、ＭＣＵ１００はゲート駆動部１５０へのデューティ信号ＨＤ１～ＨＤ３及びＬＤ４～ＬＤ６を「Ｌ」（＝ＯＦＦ）とし、システムとして安全状態（アシスト停止状態）を維持する。
　検出故障診断機能によりＦＥＴショート検出部１１０が正しく動作することを確認でき、ＦＥＴショート検出部１１０の故障検出時には直ちにインバータＦＥＴをＯＦＦすることで、１つ目故障のＦＥＴショート検出部１１０の検出不可故障が発生したことを検出できず、かつ、その後、インバータＦＥＴを動作させたことで、２つ目故障のインバータＦＥＴのショート故障が発生し、過電流が流れ続けることを防止でき、システムの安全を維持できる。そして、上記のように安全性が担保されたＦＥＴショート検出部１１０により、インバータＦＥＴのショート故障時に発生する過電流を遮断するための、インバータの電源ラインに配置される高価な電源リレーを削減することができる。
　次に、ＦＥＴショート検出のタイミング動作例を、図１２及び図１３のタイミングチャートに示して説明する。
　図１２は時点ｔ１に下段（Ｌ側）ＦＥＴにショート故障が発生し、時点ｔ２にそのショート故障が検出され、時点ｔ８にショート故障が解除された様子を示している。時点ｔ２にショート故障が検出されると、フィルタ出力shuho～shwhoが「Ｌ」から「Ｈ」に変化し、図１２（Ｈ）～（Ｊ）のようにＮＤＩＡＧがＬラッチされ、デューティ信号ＨＤ１ｇ～ＬＤ６ｇがＯＦＦラッチされる。
　図１３は時点ｔ１０に上段（Ｈ側）ＦＥＴにショート故障が発生して検出され、時点ｔ１７にショート故障が解除された様子を示している。時点ｔ１０にショート故障が検出されると、フィルタ出力shulo～shwloが「Ｌ」から「Ｈ」に変化し、図１３（Ｈ）～（Ｊ）のようにＮＤＩＡＧがＬラッチされ、デューティ信号ＨＤ１ｇ～ＬＤ６ｇがＯＦＦラッチされる。
　また、インバータ３７の電源（電圧ＶＲ）とＭＣＵ１００等の制御部との間に半導体スイッチ（例えばＦＥＴやトランジスタ）の暗電流抑制用スイッチ１３０を設け、ＭＣＵ１００によりＭＣＵ１００の起動後に暗電流抑制用スイッチ１３０をＯＮし、ＭＣＵ１００の動作停止（非通電）時には切換信号ＳＷ１によってＯＦＦする。これによりＥＣＵ動作停止（ＭＣＵ動作停止）中のインバータの電源（電圧ＶＲ）から、制御部へ流れる暗電流を抑制することができる（実施形態２）。
　図１４は本発明の実施形態２を図７に対応させて示しており、電源ＶＲと制御系との間には、ＦＥＴ１３１で成る暗電流抑制用スイッチ１３０が介挿されており、暗電流抑制用スイッチ１３０の出力電圧ＨＳがスレッショルド設定部１１３等に供給されている。暗電流抑制用スイッチ１３０のＦＥＴ１３１には、暗電流を遮断する機能を有する寄生ダイオード１３１Ｄが接続されている。本例ではＦＥＴを例に挙げているが、一般のトランジスタ等の半導体トランジスタ類を使用することが可能である。
　このような構成において、その動作例（実施形態２）を図１５のフローチャートを参照して説明する。
　動作が起動されると（ステップＳ２０）、ＭＣＵ１００は切換信号ＳＷ１を出力して暗電流抑制用スイッチ１３０のＦＥＴ１３１をＯＮし（ステップＳ２１）、次いでＭＣＵ１００内の検出部故障診断機能を作動させ（ステップＳ２２）、ＦＥＴショート検出部１１０が故障か否かを診断する（ステップＳ２３）。検出部故障診断機能によってＦＥＴショート検出部１１０の故障が診断されると、ＭＣＵ１００はALARM1/ALARM2を出力し、アラーム回路１０４がゲートＯＦＦ指令ＧＦを出力し（ステップＳ２４）、ゲート駆動部１３０に入力することによりインバータ３７を停止する（ステップＳ２５）。そして、切換信号ＳＷ１を出力して暗電流抑制用スイッチ１３０のＦＥＴ１３１をＯＦＦする（ステップＳ２６）。これにより、ＭＣＵ動作停止中のインバータ３７の電源ＶＲが制御系へ流れる暗電流を抑制することができるので、無駄なバッテリ消費が抑制される。
　一方、上記ステップＳ２３においてＦＥＴショート検出部１１０の故障が検出されない場合には、ＦＥＴショート検出部１１０はインバータ３７のＦＥＴのショート故障を診断する（ステップＳ３０）。ＦＥＴショート検出部１１０はインバータ３７の上下段ＦＥＴの故障を表１の比較によって行い、先ず上段ＦＥＴがショート故障しているか否かを判定し（ステップＳ３１）、上段ＦＥＴがショート故障している場合には、エラー通知ＥＮによって下段ＦＥＴをＯＦＦし、更に上段ＦＥＴもＯＦＦ動作とする（ステップＳ３２）。そして、切換信号ＳＷ１により暗電流抑制用スイッチ１３０のＦＥＴ１３１をＯＦＦする（ステップＳ３３）。これにより、ＭＣＵ動作停止中のインバータ３７の電源ＶＲが制御系へ流れる暗電流を抑制することができる。
　次いで、下段ＦＥＴがショート故障しているか否かを判定し（ステップＳ３４）、下段ＦＥＴがショート故障している場合には、エラー通知ＥＮによって上段ＦＥＴをＯＦＦし、更に下段ＦＥＴをＯＦＦ動作とする（ステップＳ３５）。そして、切換信号ＳＷ１により暗電流抑制用スイッチ１３０のＦＥＴ１３１をＯＦＦする（ステップＳ３６）。これにより、ＭＣＵ動作停止中のインバータ３７の電源ＶＲが制御系へ流れる暗電流を抑制することができる。
　上段ＦＥＴ及び下段ＦＥＴがいずれもショート故障していない場合には、上記動作を繰り返す。なお、上段ＦＥＴと下段ＦＥＴのショート故障の検出の順番は逆であっても良い。
　上述した実施形態１及び２では、ＦＥＴショート検出時に上段ＦＥＴ及び下段ＦＥＴをオフラッチしているが、これに限らず、ＦＥＴショート検出期間中だけＯＦＦする動作としても良い。また、ＯＦＦするＦＥＴを、故障が発生した相の上段ＦＥＴと下段ＦＥＴのみにしても良いし、インバータの全てのＦＥＴをＯＦＦしてもよい。
　また、上述では設定信号vthh_Sh、vthl_Shは１Ｖに設定しているが、これに限らず、誤検出を避けるため“上段ＦＥＴのＯＮ抵抗ＲＯＮ×電流ＩＯＮ”よりも十分に大きい値であれば良い。また、ショート故障検出の確定時間を10μｓとしているが、これに限られるものではなく、ゲート駆動部の時間遅れ、インバータＦＥＴのスイッチング時間を考慮して、十分に長い時間であれば良い。更に上述した論理Ｈ，Ｌは逆であっても良い。
　なお、上述の実施形態１及び２ではＭＣＵとインバータの電源（電圧ＶＲ）との間、ＦＥＴショート検出部とインバータの電源（電圧ＶＲ）との間に暗電流抑制用の半導体スイッチを配置したが、これに限らず、インバータの電源（電圧ＶＲ）から制御部に接続され、暗電流が発生する経路の全てに半導体スイッチを設ける方が良い。また、上述ではＭＣＵがＦＥＴショート検出部の故障の有無を診断する機能を具備するようになっているが、ＭＣＵの外部に配置するようにしても良い。
　更に上述では電子制御装置を電動パワーステアリング装置に適用した例を説明しているが、他のインバータを使用した装置に適用可能である。
１　　　　　　　　ハンドル（ステアリングホイール）
２　　　　　　　　コラム軸（ステアリングシャフト、ハンドル軸）
１０　　　　　　　トルクセンサ
１２　　　　　　　車速センサ
２０　　　　　　　モータ
２３　　　　　　　モータ開放スイッチ
３０　　　　　　　コントロールユニット（ＥＣＵ）
３１　　　　　　　電流指令値演算部
３５　　　　　　　ＰＩ制御部
３６　　　　　　　ＰＷＭ制御部
３７　　　　　　　インバータ
１００　　　　　　ＭＣＵ
１０１　　　　　　デューティ演算部
１１０　　　　　　ＦＥＴショート検出部
１１１　　　　　　エラー論理回路
１１２　　　　　　ＳＰＩ通信回路
１１３，１１４　　スレッショルド設定部
１１７　　　　　　コンパレータ
１２０　　　　　　診断用抵抗分圧回路
１３０　　　　　　暗電流抑制用スイッチ
１４０　　　　　　電源用抵抗分圧回路
１５０　　　　　　ゲート駆動部
１５１　　　　　　駆動論理部

Claims (14)

  1. ＭＣＵを介して、上段ＦＥＴ及び下段ＦＥＴのブリッジで成るインバータによりモータを駆動制御する電子制御装置において、
    前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴの各接続点電圧に基づき、前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴのショート故障を検出するＦＥＴショート検出部と、
    前記ＦＥＴショート検出部の故障を検出する検出部故障診断機能と、
    を備えており、
    前記検出部故障診断機能は、起動時に前記ＦＥＴショート検出部の故障を診断し、前記ＦＥＴショート検出部の故障が検出された時は、前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴをＯＦＦし、
    前記ＦＥＴショート検出部の故障が検出されない場合には、前記ＦＥＴショート検出部は、前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴのショート故障を診断することを特徴とする電子制御装置。
  2. 前記各接続点電圧を抵抗分圧回路で分圧して前記ＦＥＴショート検出部に供給する請求項１に記載の電子制御装置。
  3. 前記ショート故障が検出された時、少なくとも前記ショート故障が検出されていない方のＦＥＴをＯＦＦする請求項１又は２に記載の電子制御装置。
  4. 前記検出部故障診断機能が前記ＭＣＵに内臓されている請求項１乃至３のいずれかに記載の電子制御装置。
  5. 前記ＦＥＴショート検出部は、前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴのいずれかのショート故障を検出すると、前記ＭＣＵに対して通知端子を介してショート故障検出を通知する請求項１乃至４のいずれかに記載の電子制御装置。
  6. 前記ＦＥＴショート検出部は、前記上段ＦＥＴ用のスレッショルド１及び前記下段ＦＥＴ用のスレッショルド２に基づいて前記ショート故障を検出する請求項１乃至５のいずれかに記載の電子制御装置。
  7. 前記インバータが前記ＭＣＵで演算されたＰＷＭのデューティ信号で駆動され、前記検出部故障診断機能は、
    起動時に前記ＭＣＵから前記インバータを強制的にＯＦＦさせるゲートＯＦＦ信号を出力し、前記上段ＦＥＴの前記デューティ信号又は前記下段ＦＥＴの前記デューティ信号と演算させることで、前記ショート故障の異常条件を強制的に成立させ、前記通知端子に所定信号を出力する診断機能である請求項６に記載の電子制御装置。
  8. 前記通知端子がNDIAG端子である請求項７に記載の電子制御装置。
  9. 前記インバータが前記ＭＣＵで演算されたＰＷＭのデューティ信号で駆動され、前記検出部故障診断機能は、
    前記ＦＥＴショート検出部が前記ショート故障を検出した場合に、前記インバータをＯＦＦして停止できることを確認するために、前記ＭＣＵから前記ＦＥＴショート検出部のエラー通知を強制的にＦＥＴショート検出状態に遷移させる信号を出力し、前記上段ＦＥＴの前記デューティ信号又は前記下段ＦＥＴの前記デューティ信号と演算させると共に、前記インバータの上下接続点電圧を監視し、前記インバータの停止ができていることを診断する診断機能を有する請求項６に記載の電子制御装置。
  10. 更に制御系の回路の間に暗電流抑制用スイッチが介挿されており、
    前記ＭＣＵは、起動時に前記暗電流抑制用スイッチをＯＮし、
    前記検出部故障診断機能は、前記ショート故障が検出された時に前記上段ＦＥＴ及び前記下段ＦＥＴをＯＦＦし、
    前記ＭＣＵは、前記ＭＣＵの動作停止時に前記暗電流抑制用スイッチをＯＦＦするようになっている請求項１乃至９のいずれかに記載の電子制御装置。
  11. 前記各接続点電圧を抵抗分圧回路で分圧して前記ＦＥＴショート検出部に供給する請求項１０に記載の電子制御装置。
  12. 前記暗電流抑制用スイッチがＦＥＴを含むトラジスタ類であり、逆接保護用の寄生ダイオードが接続されている請求項１０又は１１に記載の電子制御装置。
  13. 前記制御系に少なくとも前記ＭＣＵ、前記抵抗分圧回路、前記ＦＥＴショート検出部が含まれている請求項１０乃至１２のいずれかに記載の電子制御装置。
  14. 請求項１乃至１３のいずれかの電子制御装置を搭載した電動パワーステアリング装置。
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