WO2008018552A1

WO2008018552A1 - Dispositif d'affichage à cristaux liquides

Info

Publication number: WO2008018552A1
Application number: PCT/JP2007/065635
Authority: WO
Inventors: Fumikazu Shimoshikiryoh; Kentaroh Irie; Masanori Takeuchi; Nobuyoshi Nagashima; Toshihide Tsubata
Original assignee: Sharp Kabushiki Kaisha
Priority date: 2006-08-10
Filing date: 2007-08-09
Publication date: 2008-02-14
Also published as: JP5148494B2; US8674919B2; CN101501561A; US20100182345A1; JPWO2008018552A1; EP2051136A4; CN101501561B; US20120281168A1; EP2051136A1

Description

明細書

液晶表示装置

技術分野

[0001] 本発明は、液晶表示装置に関し、特に視野角特性に優れる液晶表示装置に関す背景技術

[0002] 近年、液晶表示装置は、テレビジョン受像機（以下、「テレビ」と!/、う。 )など大型の表示装置として広く普及しつつある。

[0003] テレビなどの大型の表示装置に用いられている液晶表示装置の 1つに垂直配向型液晶層を用いた、いわゆる VAモードの液晶表示装置がある（例えば、特許文献 1)。

[0004] 従来の VAモードの液晶表示装置にお!/、ては、正面視角（表示面法線方向から）と斜め視角（極角が 0より大）においてガンマカーブ（階調一輝度特性）が異なり、斜め視角にお!/、ては正面視角よりも透過率が高くなるため、斜め視角にお!/、て画像が白っぽく（明るく）見える（「白浮き」と呼ばれること力 Sある）。この斜め視角における白浮きを低減するための技術の 1つとして、「マルチ絵素」技術がある。「マルチ絵素」技術とは、 1つの絵素を互いに異なる輝度を呈する 2以上の副絵素に分割し、 2以上の副絵素で、ある階調を表現するという技術である。「マルチ絵素」技術は、「絵素分割」技術、「面積階調」技術などと呼ばれることもある。マルチ絵素技術は、例えば、特許文献 2および特許文献 3に記載されている。参考のために特許文献 2および特許文献 3 の開示内容の全てを本明細書に援用する。

特許文献 1 :特開平 11 242225号公報

特許文献 2 :特開 2004— 062146号公報 (米国特許第 6958791号明細書）特許文献 3：特開 2005— 55896号公幸

特許文献 4 :特開 2003— 270614号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] しかしながら、本発明者が検討したところ、特許文献 2および特許文献 3に記載されて!/、るマルチ絵素構造を有する液晶表示装置にお!/、て下記の問題があることが分かつた。

[0006] マルチ絵素構造を有する液晶表示装置を試作し、視角特性を詳細に検討したところ、斜め視角において、中間階調付近 (例えば 145/255階調付近）において、色バランスがずれる（黄色にシフトする）という問題が発生した。この問題は、 VAモードに限らず他の表示モードにおいても大なり小なり発生する問題である。

[0007] 一方、特許文献 3に記載のマルチ絵素技術では、特許文献 3の図 5に示されているように、副絵素の液晶容量 Clcaと Clcbとを結合容量 Ccpで容量結合している。結合容量 Ccpの大きさは製造ばらつきの影響を受ける。従って、結合容量 Ccpの大きさを色ごとに異ならせても、結合容量 Ccpの大きさが製造ばらつきの影響を受けるので、色バランスに優れた液晶表示装置を高い歩留まりで製造することが難しい。

[0008] なお、特許文献 4には、ヨウ素系偏光板を用いた場合のホワイトバランスのずれを補正する方法として、入力映像信号に合わせてバックライトを制御する方法や信号処理補正する方法が開示されてレ、る力上述の問題は開示も示唆もされて!/、なレ、。

[0009] 本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、高い歩留まりで製造することが可能な、斜め視角における色バランスのずれの発生を抑制できる液晶表示装置を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0010] 本発明の液晶表示装置は、それぞれが液晶層と前記液晶層に電圧を印加する複数の電極とを有し、行および列を有するマトリクス状に配列された複数の絵素を備え、前記複数の絵素のそれぞれは、それぞれの前記液晶層に互いに異なる電圧を印加することができる第 1副絵素および第 2副絵素であって、ある階調において前記第 1副絵素が前記第 2副絵素よりも高い輝度を呈する第 1副絵素および第 2副絵素を有し、前記第 1副絵素および前記第 2副絵素のそれぞれは、対向電極と前記液晶層を介して前記対向電極に対向する副絵素電極とによって形成された液晶容量と、それぞれが、前記副絵素電極に電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層と、前記絶縁層を介して前記補助容量電極と対向する補助容量対向電極とによって形成された、少なくとも 1つの補助容量とを有し、前記第 1副絵素および前記第 2副絵素のそれぞれの前記副絵素電極にある階調に対応する表示電圧が供給された後に、それぞれ対応する前記少なくとも 1つの補助容量を介して、前記第 1副絵素の前記液晶容量に印加される電圧と前記第 2副絵素の前記液晶容量に印加される電圧との間に電圧差 Δν «を生じさせる液晶表示装置であって、前記複数の絵素は前記電圧差 Δν aの値が異なる絵素を含むことを特徴とする。

[0011] ある実施形態において、前記複数の絵素は、互いに異なる色を呈する複数の色絵素を含み、前記複数の色絵素は青色絵素および/またはシアン色絵素を含み、前記複数の色絵素の内で前記青色絵素および/または前記シアン色絵素における Δ V a値が最も小さい。

[0012] ある実施形態において、前記少なくとも 1つの補助容量は 1つの補助容量であって、前記対向電極は、前記第 1副絵素および前記第 2副絵素に対して共通の単一の電極であり、前記補助容量対向電極は、前記第 1副絵素と前記第 2副絵素とで電気的に独立であって、前記補助容量対向電極に対応する補助容量配線を介して供給される補助容量対向電圧の波形は、前記第 1副絵素と前記第 2副絵素との間で異なつており、前記複数の絵素は前記補助容量の容量値が異なる絵素を含む。ここで、「ある絵素の補助容量の容量値が異なる」とは、第 1副絵素および第 2副絵素のそれぞれの補助容量の内の少なくとも一方の補助容量値が異なっていればよい。一般には、各絵素が有する 2以上の補助容量の容量値は互いに等しく設定される。

[0013] ある実施形態において、前記複数の絵素は、互いに異なる色を呈する複数の色絵素を含み、前記複数の色絵素は青色絵素および/またはシアン色絵素を含み、前記複数の色絵素の内で前記青色絵素および/または前記シアン色絵素が有する前記補助容量の容量値が最も小さレ、。

[0014] ある実施形態において、前記複数の色絵素は、赤色絵素および緑色絵素をさらに含み、前記青色絵素および/または前記シアン色絵素、前記緑色絵素、および前記赤色絵素が有するそれぞれの前記補助容量の容量値を C 、 C 、 C および C

CS-B CS-C CS-G とすると、 c ≤c <c ≤c の関係を満足する。

CS-R CS-B CS-C CS-G CS- R

[0015] ある実施形態において、前記少なくとも 1つの補助容量は 1つの補助容量であって、前記対向電極は、前記第 1副絵素および前記第 2副絵素に対して共通の単一の電極であり、前記補助容量対向電極は、前記第 1副絵素と前記第 2副絵素とで電気的に独立であって、前記補助容量対向電極に対応する補助容量配線を介して供給される補助容量対向電圧の波形は、前記第 1副絵素と前記第 2副絵素との間で異なつており、前記複数の絵素は前記液晶容量の容量値が異なる絵素を含む。

[0016] ある実施形態において、ゲートバスラインと、ソースバスラインと、 TFTとを更に有し、前記第 1副絵素および前記第 2副絵素のそれぞれは、前記副絵素電極に接続された TFTを有し、前記複数の絵素の内で前記電圧差 Δν «の値が最も小さい絵素は、当該絵素が属する行に隣接する行のゲートバスラインとの間に形成された補助容量をさらに有する。

[0017] ある実施形態において、ゲートバスラインと、ソースバスラインと、 TFTとを更に有し、前記第 1副絵素および前記第 2副絵素のそれぞれは、前記副絵素電極に接続された TFTを有し、前記複数の絵素の内で前記電圧差 Δν «の値が最も小さい絵素の TFTのゲート'ドレイン間容量 Cgdの値は、他の絵素の TFTのゲート'ドレイン間容量 Cgdの値よりも小さい。

[0018] ある実施形態において、前記液晶層は、垂直配向型液晶層であって、ノーマリーブラックモードで表示を行う。

[0019] ある実施形態において、前記少なくとも 1つの補助容量は 2つの補助容量を含み、前記対向電極は、前記第 1副絵素および前記第 2副絵素に対して共通の単一の電極であり、前記第 1副絵素が有する前記 2つの補助容量の補助容量対向電極は互いに電気的に独立であり、かつ、前記第 2副絵素が有する前記 2つの補助容量の補助容量対向電極は互いに電気的に独立である。

[0020] ある実施形態において、前記第 1副絵素が有する前記 2つの補助容量は補助容量 CS 1 Aおよび補助容量 CS 1Bであり、前記第 2副絵素が有する前記 2つの補助容量は補助容量 CS2Aおよび補助容量 CS2Bであり、補助容量 CS 1 Aおよび補助容量 C S2Bの補助容量対向電極は同一の第 1補助容量配線に電気的に接続されており、補助容量 CS 1Bおよび補助容量 CS2Aの補助容量対向電極は同一の第 2補助容量配線に電気的に接続されており、前記第 1補助容量配線と前記第 2補助容量配線とは互いに電気的に独立である。 [0021] ある実施形態において、前記補助容量 CS1A、 CS1B、 CS2Aおよび CS2Bの有する容量値をそれぞれ CcslA、 CcslB、 Ccs2Aおよび Ccs2Bとし、 Ccsl a =Ccs lA— CcslBおよび Ccs2 a =Ccs2A—Ccs2Bとするとき、前記複数の,絵素は、 Cc si aまたは Ccs2 aが異なる絵素を含む。

[0022] ある実施形態において、前記複数の絵素は、互いに異なる色を呈する複数の色絵素を含み、前記複数の色絵素は青色絵素および/またはシアン色絵素を含み、前記複数の色絵素の内で前記青色絵素および/または前記シアン色絵素の前記 Ccs 1 aおよび Ccs2 aの値が最も小さい。

[0023] ある実施形態において、 Ccsl β =CcslA+ CcslBおよび Ccs2 β =Ccs2A+ C cs2Bとするとき、 Ccsl 0および Ccs2 0は前記複数の絵素の全てについて同一であ

[0024] 本発明の他の液晶表示装置は、それぞれが液晶層と前記液晶層に電圧を印加する複数の電極とを有し、行および列を有するマトリクス状に配列された複数の絵素を備える液晶表示装置であって、前記複数の絵素のそれぞれは、それぞれの前記液晶層に互いに異なる電圧を印加することができる第 1副絵素および第 2副絵素であつて、ある階調において前記第 1副絵素が前記第 2副絵素よりも高い輝度を呈する第 1 副絵素および第 2副絵素を有し、前記第 1副絵素および前記第 2副絵素のそれぞれは、対向電極と、前記液晶層を介して前記対向電極に対向する副絵素電極とによつて形成された液晶容量と、それぞれが、前記副絵素電極に電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層と、前記絶縁層を介して前記補助容量電極と対向する補助容量対向電極とによって形成された、少なくとも 2つの補助容量とを有し、前記対向電極は、前記第 1副絵素および前記第 2副絵素に対して共通の単一の電極であり、前記第 1副絵素が有する前記少なくとも 2つの補助容量の補助容量対向電極は互いに電気的に独立であり、かつ、前記第 2副絵素が有する前記少なくとも 2つの補助容量の補助容量対向電極は互いに電気的に独立である。

[0025] ある実施形態において、前記第 1副絵素は、補助容量 CS 1Aおよび補助容量 CS 1 Bを有し、前記第 2副絵素は補助容量 CS2Aおよび補助容量 CS2Bを有し、補助容量 CS 1Aおよび補助容量 CS2Bの補助容量対向電極は同一の第 1補助容量配線に電気的に接続されており、補助容量 CS1Bおよび補助容量 CS2Aの補助容量対向電極は同一の第 2補助容量配線に電気的に接続されており、前記第 1補助容量配線と前記第 2補助容量配線とは互いに電気的に独立である。

発明の効果

[0026] 本発明によると、高い歩留まりで製造することが可能な、斜め視角における色バランスのずれ (特に、黄色へのシフト）の発生を抑制できる液晶表示装置が提供される。また、本発明によると、そのような液晶表示装置として好適に用いられる新規な構成を有する液晶表示装置が提供される。

図面の簡単な説明

[0027] [図 1]マルチ絵素構造の例を示す模式図である。

[図 2] (a)および (b)は、図 1に示したマルチ絵素構造を有する液晶表示装置の視角による色度変化を示す図であり、正面視角と斜め視角（方位： 9時方向、極角： 45度）における階調に対する u' v色度系の色度変化を示すグラフである。

[図3] (&)ぉょび0?)は、4501 111(青）、 550nm (緑）、 650nm (赤）のそれぞれの色光の、 VAモードの液晶表示装置における液晶層への印加電圧と透過率との関係を表す図であり、（a)は正面視角、（b)は斜め視角（方位： 9時方向、極角： 45度）における印加電圧と透過率を示すグラフである。

[図 4]マルチ絵素構造を有する液晶表示装置における正面視角における階調一透過率特性を示すグラフである。

[図 5]マルチ絵素構造を有する液晶表示装置の絵素を斜め視角（方位：9時方向、極角： 45度）から観測したときの、赤 (R)、緑 (G)および青（B)の三原色のそれぞれの階調一透過率特性を示すグラフである。

[図 6]マルチ絵素構造を有する液晶表示装置の明副絵素と喑副絵素の電圧一透過率曲線 (V—Tカーブ）を示すグラフである。

[図 7]マルチ絵素構造の他の例を示す模式図である。

[図 8]マルチ絵素構造を有する絵素の等価回路図である。

[図 9] (a)〜（f)は図 8に示したマルチ絵素構造を有する液晶表示装置を駆動する際の各電圧の波形およびタイミングを模式的に示す図である。園 10] (a)〜（d)は本発明による実施形態の液晶表示装置の正面視角と斜め視角（方位： 9時方向、極角： 45度）における、階調に対する u' v'色度系の色度変化を示すグラフである。

園 11]他のマルチ絵素構造を有する絵素の等価回路図である。

園 12]本発明による実施形態の液晶表示装置 200Aの絵素構造を示す模式図であ園 13]本発明による実施形態の液晶表示装置 300における 2つの副絵素の内の一方の副絵素の等価回路図である。

園 14]本発明による実施形態の液晶表示装置 300Aの絵素構造を示す模式図であ園 15]本発明による実施形態の液晶表示装置 400Aの絵素構造を示す模式図であ園 16]本発明による実施形態の液晶表示装置 500Aの絵素構造を示す模式図であ園 17]本発明による実施形態の液晶表示装置 600Aの絵素構造を示す模式図であ

[図 18A]液晶表示装置 600Aの図 17中の 18A— 18A'線に沿った模式的な断面図である。

[図 18B]液晶表示装置 600Aの図 17中の 18B— 18B '線に沿った模式的な断面図である。

[図 18C]図 18Bにおいて SOG膜抜き部を設けない構成を示す参考図である。

園 19] (a)〜（g)は、本発明による実施形態の液晶表示装置に用いられる TFT部分の構造を示す平面図である。

園 20]本発明による実施形態の液晶表示装置 700Aの絵素構造を示す模式図であ

[図 21]本発明による実施形態の液晶表示装置における色絵素毎の AVdの階調依符号の説明 [0028] TFT1、 TFT2 薄膜

CS1、 CS2 ネ甫助

Clcl、 Clc2 欲 ί¾容重

111 - 1、 111 —2、 111 2a、 111 2b 副絵素電極

112 ゲートノスライン

113 csバクライン

114 ソースノべスライン

116 - 1、 116 - 2 TFT

117- 1、 117 2 ドレイン引出し配線

119- 1、 119 —2、 119— 2a、 119— 2b コンタクト部

発明を実施するための最良の形態

[0029] 以下、図面を参照して本発明による実施形態の液晶表示装置の構成と動作を説明する。以下の説明では、本発明の効果が顕著に得られる、誘電異方性が負の液晶材料を用いた垂直配向型液晶表示装置 (VAモードの液晶表示装置）を例示するが、本発明はこれに限定されず、例えば TNモードの液晶表示装置にも適用できる。

[0030] また、本実施形態では、マルチ絵素構造を有する VAモードの液晶表示装置として特許文献 2に記載されている液晶表示装置を例示するが、これに限られず、他のマルチ絵素構造を有する液晶表示装置に適用することができる。

[0031] まず、本発明者が見出した、特許文献 2に記載されているマルチ絵素構造を有する液晶表示装置が有する問題点を説明する。

[0032] マルチ絵素構造を有する液晶表示装置を試作し、視角特性を詳細に検討したところ、斜め視角において、中間階調付近 (例えば 145/255階調付近）において、色味が黄色にシフトするという問題が発生した。

[0033] ここでは、図 1に示すように 1つの絵素を等面積に分割（1 ： 1分割）し、明副絵素の面積と喑副絵素の面積とが等しいマルチ絵素構造を例に、色度変化の結果を説明する。正面視角と斜め視角（方位： 9時方向、極角： 45度）における階調に対する u' v '色度系の色度変化を図 2 (a)および（b)に示す。ここで、 u'および v'は、 CIE1976 UCS色度座標である。 [0034] 図 2 (a)および (b)からわかるように、正面視角では階調変化に対する u'および v' の変化は小さいのに対し、斜め視角においては、 u'および v'ともに 145階調付近で u'および v'の値が大きくなり、その結果、 145階調付近においては他の階調に比べて黄色に色付いて見える。

[0035] 本発明者による検討の結果、上記斜め視角において中間階調の表示が黄色に色付くという現象が起きる理由は以下のように説明される。ここでは、青色絵素、緑色絵素および赤色絵素の 3つの絵素（3原色絵素）によって、 1つのカラー表示画素が構成されている場合を説明する。もちろん、これに限られず、 4以上の色絵素（多原色絵素）によって 1つのカラー表示画素を構成している場合も、青色絵素を含む限り、同じこと力 S言える。また、青色絵素とともに/または青色絵素の代わりにシアン色絵素を含む場合には、シアン色絵素を青色絵素と同様に扱えばよい。

[0036] 図3 (&)ぉょび0?)は、4501 111(青）、 550nm (緑）、 650nm (赤）のそれぞれの色光の、ノーマリーブラックモードの VAモードの液晶表示装置における液晶層に印加する電圧と透過率との関係を表すグラフであり、図 3 (a)は正面視角、図 3 (b)は斜め視角（方位： 9時方向、極角： 45度）における印加電圧と透過率を示すグラフである。

[0037] VAモードの液晶表示装置は、液晶層の複屈折効果を利用しており、液晶層のリタデーシヨンが波長分散を持っため、光の波長によって透過率変化が異なる。また、ノ一マリーブラックモードでは、図 3 (a)からわ力、るように、液晶層に印加する電圧が大きくなると各色光の透過率が大きくなる。また、青色光の透過率が最大となる印加電圧は他の色光の透過率が最大となる印加電圧よりも小さぐさらに、青色光の透過率が最大となった後も、他の色光は印加電圧の上昇に伴って透過率も増大する。従つて、各色光の透過率をそれぞれの最大透過率で規格化した規格化透過率を考えると、印加電圧がある値を超えて大きくなると、青色光の規格化透過率だけが小さくなる。白表示において、他の色光の透過率に比して青色光の透過率が低下すると、白色が黄色にシフトすることになる。また、液晶層のリタデーシヨンは正面視角よりも斜め視角にお!/、て見掛け上大きくなるので、図 3 (a)と図 3 (b)との比較から明らかなように、斜め視角では正面視角に比べて青色光の透過率の低下の割合が大きい。その結果、斜め視角では正面視角よりも顕著に黄色に着色する。 [0038] 次に、図 4に上記マルチ絵素構造を有する液晶表示装置における正面視角における階調一透過率特性を示す。絵素全体の特性とともに、明副絵素と喑副絵素のそれぞれの特性を示している。但し、絵素全体の透過率で規格化している。すなわち、絵素全体の透過率は明副絵素の透過率と喑副絵素の透過率との和で表される。

[0039] 図 4に示すように、上記マルチ絵素構造を有する液晶表示装置においては、低階調では実質的に明副絵素のみが点灯しており、中間調のある階調から喑副絵素の透過率が立ち上がり始めるように各副絵素の液晶層に電圧が印加される。

[0040] この絵素を斜め視角（方位： 9時方向、極角： 45度）から観測すると、赤 (R)、緑 (G) および青（B)の三原色のそれぞれの階調一透過率特性は、図 5に示すような曲線になる。図 5中の矢印で示すある中間調は、 B絵素の明副絵素（簡単のために明副絵素 Bと表記する。）の透過率が階調の増大に対して飽和している点を示している。この明副絵素 Bの透過率の飽和は、先に説明したように、斜め視角において液晶層のリタデーシヨンが大きくなつたためである。このように、斜め視角において、矢印で示したある中間調で B絵素の透過率が他の R絵素や G絵素に比べ低下するため、上記中間調付近の表示（グレー表示）が黄色に着色するのである。

[0041] 上述のことから明らかなように、上記の色付きの問題を解決するためには、青色光の透過率カ^タデーシヨンに対して他の色光よりも早く飽和する（図 3 (a)参照）と!/、う現象の発生を抑制する必要がある。すなわち、ある階調において、明副絵素の液晶層に印加される電圧と喑副絵素の液晶層に印加される電圧との差（「 Δ V α」という。 )を特定の絵素に対して異ならせることができる構成として、複数の色絵素の内で青色絵素にぉレ、て最も小さくなるようにすればよ!/、。

[0042] 本実施形態のマルチ絵素構造を有する液晶表示装置においては、青色絵素の補助容量を緑色絵素および赤色絵素の補助容量よりも容量値を小さくすることによって、青色絵素における AV aの値を他の色絵素における AV aの値よりも小さくすればよい。すなわち、カラー表示画素を構成する複数の色絵素（原色絵素）の内で青色絵素が有する補助容量の容量値が最も小さレ、構成とすればょレ、。ここで例示して!/、るように、カラー表示画素が、青色、緑色および赤色絵素で構成されている場合は、青色絵素、緑色絵素、および赤色絵素が有するそれぞれの補助容量の容量値を C 、 c および c とすると、 c <c ≤c の関係を満足するように設定すれば

CS-G CS-R CS-B CS-G CS- R

よい。なお、 c =c となる構成を採用すれば、構造を単純にできる。なお、ここ

CS-G CS-R

では、絵素内の副絵素が有する 2つの補助容量の容量値は互いに等しい場合を例に説明する力、少なくとも一方の補助容量の値が上記関係を満足すればよい。

[0043] 次に、 C < C ≤C の関係を満足することによって、青色光の透過率の飽和

CS-B CS-G CS-R

が抑制される理由を説明する。

[0044] 特許文献 2に記載されているマルチ絵素技術 (各絵素が図 8の等価回路で表され、各容量値も全絵素で同じ。）では、マルチ絵素技術を適用しない従来の絵素の液晶層に印加される電圧 Vに対して、明副絵素の液晶層には Vmだけ高い電圧 (V+Vm )を印加し、喑副絵素の液晶層には Vmだけ低!/、電圧 (V— Vm)を印加することにより明副絵素と喑副絵素とを実現している。

[0045] ここで、 Vmは、 Vadを補助容量対向電極に補助容量配線を介して供給される補助容量電圧（CS電圧）の振動波形のピーク toピーク (振幅）とし、 Ccsを各副絵素の補助容量の容量値、 Clcを各副絵素の液晶容量の容量値とすると、

Vm= (1/2) -Vad- Ccs/ CClc + Ccs)

で表される。なお、この Vadは特許文献 2に記載されている Vadの 2倍である。

[0046] 従って、上述の明副絵素と喑副絵素の電圧一透過率曲線 (V— Tカーブ）は、図 6 に模式的に示すように、マルチ絵素構造を有しない従来の絵素の V— Tカーブ（中央）に対して、明副絵素の V—Tは Vmだけ低電圧側にシフトし、喑副絵素の V—Tは Vmだけ高電圧側にシフトすることになる。

[0047] 青色絵素、緑色絵素、および赤色絵素が有するそれぞれの補助容量の容量値を C

、 C および C とすると、 C < C ≤C の関係を満足するように設定す

CS-B CS-G CS-R CS-B CS- G CS- R

れば、青色絵素について上記 Vmが他の色絵素よりも小さくなるので、青色絵素の明副絵素の透過率の飽和、さらには透過率の減少を低減することができ、その結果、上述の斜め視角における中間階調付近の表示が黄色に色付くという現象の発生を抑制すること力 Sでさる。

[0048] なお、シアン色絵素を更に含む場合、シアン色絵素が有する補助容量の容量値を C とすると、 c ≤c <c ≤c の関係を満足するように設定すればよい。

CS-C CS-B CS-C CS-G CS-R 青色絵素を含まず、シアン色絵素を含む場合には、シアン色絵素が有する補助容量の容量値 c を他の色絵素（緑色絵素、赤色絵素以外の色絵素、例えば、マゼンタ

cs-c

色絵素、イェロー色絵素を含んでもよい。）が有する補助容量の容量値よりも小さくすればよい。このとき、シアン色絵素以外の色絵素が有する補助容量の容量値は同じにしてもよい。すなわち、複数の色絵素の内、青色絵素またはシアン色絵素が有する補助容量の容量値を他の色絵素（赤色絵素、緑色絵素に限られない）が有する補助容量の容量値よりも小さくすればよぐ青色絵素とシアン色絵素の両方を含む場合は

、 c ≤c の関係を満足するように設定すれば良い。

CS-B CS-C

[0049] 以下に、具体例をあげて本発明による実施形態の液晶表示装置を説明する。ここでは、 1絵素を明副絵素と喑副絵素の面積比を 1 : 1に分割したものを例示する。本実施形態の液晶表示装置が有するマルチ絵素構造のパターンは例えば図 1に示した構成であり、あるいは図 7に示した構成であってもよい。図 1に示した絵素は上下に副絵素 1と副絵素 2とを有する。図 7に示した絵素は中央に配置された副絵素 1とその上下に分割して配置された副絵素 2とを有している力 S、副絵素 2の 2つの部分は電気的には等価（1つの副絵素）である。従って、図 1および図 7に示した何れのマルチ絵素構造も図 8に示す等価回路で表され、図 8に示す等価回路で表されるマルチ絵素構造を有する液晶表示装置 100は、図 9に示す各種電圧によって駆動される。詳細は特許文献 2に記載されているので、ここでは概略だけを説明する。

[0050] 図 8に示した液晶表示装置 100の 1絵素は、副絵素 1および副絵素 2を有している。

副絵素 1および副絵素 2はそれぞれ、液晶層と、液晶層に電圧を印加する対向電極と副絵素電極とによって形成された液晶容量 Clclおよび Clc2を有している。対向電極は、副絵素 1および副絵素 2に対して共通の単一の電極であり、典型的には全ての絵素に対して共通である。液晶容量 Clclおよび Clc2には、それぞれ電気的に並列に補助容量 CS1 (容量値 Ccsl)および CS2 (容量値 Ccs2)が接続されている。補助容量 CS 1および CS2は、それぞれ、絶縁層（例えばゲート絶縁層）と、当該絶縁層を介して補助容量電極と対向する補助容量対向電極とによって形成されている。補助容量電極は、副絵素電極と同じ TFTのドレイン電極に接続されており、補助容量対向電極は補助容量配線 (CSバスライン）に接続されている。ここで、副絵素 1の補助容量に接続されている CSバスライン 1と副絵素 2の補助容量に接続されている CS ノラスライン 2とは電気的に独立である。また、各絵素に対して CSバスライン 1および CSバラスライン 2を電気的に独立に設けても良いし、特許文献 2に記載されているように、一定の位相関係を有する振動電圧を供給する複数の CSバスラインを 1組 (CS 幹線）として電気的に独立な CSバスラインの数を減らしてもよい。いずれの場合においても、 1つの絵素に含まれる 2以上の副絵素の補助容量に供給される CSバスライン電圧（CS電圧または補助容量対向電圧ともいう。）の波形は互いに異なる。

[0051] 各液晶容量 Clclおよび Clc2の副絵素電極および各補助容量の補助容量電極は、それぞれ対応する TFT1または TFT2のドレイン電極に接続されている。 TFT1および TFT2のゲート電極は共通のゲートバスラインに接続されており、 TFT1および T FT2のソース電極は共通のソースバスラインに接続されている。

[0052] このような比較的単純な構成のマルチ絵素構造の副絵素の補助容量に、電気的に独立な CSバスラインから下記に説明する補助容量対向電圧を供給することによって、各副絵素の液晶容量 Clclおよび Clc2に供給される実効電圧を Vmだけ上昇または下降させること力 Sでさる。

[0053] 図 9 (a)〜（f)に図 8に示したマルチ絵素構造を有する液晶表示装置を駆動する際の各電圧の波形およびタイミングを模式的に示す。

[0054] 図 9 (a)は、ソースバスライン (信号線)から供給される信号電圧の電圧波形 Vs、図 9

(b)は CSバスライン 1から供給される補助容量電圧の電圧波形 Vcsl、図 9 (c CS バスライン 2の電圧波形 Vcs2、図 9 (d)はゲートバスラインの電圧波形 Vg、図 9 (e)は副絵素 1の副絵素電極の電圧波形 Vlcl、図 9 (f)は、副絵素 2の副絵素電極の電圧波形 Vlc2をそれぞれ示している。また、図中の破線は、対向電極の電圧波形 COM MON (Vcom)を示して!/、る。

[0055] 以下、図 9 (a)〜（f)を用いて図 8の等価回路の動作を説明する。

[0056] 時刻 T1のとき Vgの電圧が VgL (ロー）から VgH (ノ、ィ）に変化することにより、 TFT 1と TFT2が同時に導通状態 (オン状態）となり、副絵素 1および副絵素 2の副絵素電極にソースバスラインの電圧 Vsが伝達され、副絵素 1および副絵素 2に充電される。同様にそれぞれの副絵素の補助容量 CS 1、 CS2にもソースバスラインからの充電がなされる。ソースバスラインの電圧 Vsは当該絵素において表示すべき階調に対応する表示電圧であり、 TFTがオン状態の間（「選択期間」ということもある。）に、対応する絵素に書き込まれる。

[0057] 次に、時刻 T2のときゲートバスラインの電圧 Vgが VgHから VgLに変化することにより、 TFT1と TFT2が同時に非導通状態 (オフ状態）となり、副絵素 1、副絵素 2、補助容量 CS 1、および補助容量 CS2はすべてソースバスラインと電気的に絶縁される（この状態にある期間を「非選択期間」ということがある。）。なお、 TFTがオン状態からォフ状態に切り替わった直後、 TFT1、 TFT2の有する寄生容量等の影響による引き込み現象のために、それぞれの副絵素電極の電圧 Vlclおよび Vlc2は概ね同一の電圧 Vdだけ低下し、

Vlcl =Vs-Vd

Vlc2=Vs-Vd

となる。また、このとき、それぞれの CSバスラインの電圧 Vcsl、 Vcs2は

Vcsl =Vcom- (1/2) Vad

Vcs2=Vcom+ (l/2)Vad

である。すなわち、ここで例示する CSバスラインの電圧 Vcslおよび Vcs2の波形は振幅 (全幅）が Vadで、位相が互いに逆相（180° 異なる）矩形波（デューティ比は 1 : 1)である。

[0058] 時刻 T3で、補助容量 CS1に接続された CSバスライン 1の電圧 Vcslが Vcom— (1 /2)Vadから Vcom+ (1/2) Vadに変化し、補助容量 CS2に接続された CSバスライン 2の電圧 Vcs2が Vcom+ (1/2) Vadから Vcom—（1/2) Vadに Vadだけ変化する。 CSバスライン 1および CSバスライン 2のこの電圧変化に伴い、それぞれの副絵素電極の電圧 Vlcl、 Vlc2は

Vlcl =Vs-Vd + K X Vad

Vlc2=Vs-Vd-K XVad

へ変化する。但し、 K = Ccs/ (Clc (V) + Ccs)である。

[0059] 時刻 T4では、 Vcslが Vcom+ (1/2) Vadから Vcom—（1/2) Vadへ、 Vcs2が Vcom- (l/2)Vadから Vcom+ (l/2)Vadへ、 Vadだけ変化し、 Vlcl、 Vlc2もまた、

Vlcl =Vs-Vd + K XVad

Vlc2=Vs-Vd-K XVad

から、

Vlcl =Vs-Vd

Vlc2=Vs-Vd

へ変化する。

[0060] 時刻 T5では、 Vcslが Vcom— (1/2) Vadから Vcom+ (1/2) Vadへ、 Vcs2が Vcom+ (l/2)Vadから Vcom— (l/2)Vadへ、 Vadだけ変化し、 Vlcl、 Vlc2もまた、

Vlcl =Vs-Vd

Vlc2=Vs-Vd

から、

Vlcl =Vs-Vd + K XVad

Vlc2=Vs-Vd-K XVad

へ変化する。

[0061] Vcsl , Vcs2、 Vlcl、および Vlc2は、水平書き込み時間 1Hの整数倍の間隔ごとに上記 T4、 Τ5における変化を交互に繰り返す。上記 Τ4、 Τ5の繰り返し間隔を 1H の 1倍とする力、、 2倍とするか、 3倍とするかあるいはそれ以上とするかは液晶表示装置の駆動方法 (極性反転方法等)や表示状態（ちらつき、表示のざらつき感等）を鑑みて適宜設定すればよい。この繰り返しは次に絵素が書き換えられるとき、すなわち T1に等価な時間になるまで継続される。従って、それぞれの副絵素電極の電圧 Vic 1、 Vlc2の実効的な値は、

Vlcl =Vs-Vd + K X (l/2)Vad

Vlc2=Vs-Vd-K X (l/2)Vad

となる。

[0062] よって、副絵素 1および副絵素 2のそれぞれの液晶層に印加される実効電圧 VIおよび V2は、 Vl=Vlcl-Vcom

V2=Vlc2-Vcom

すなわち、

Vl=Vs-Vd + KX (l/2)Vad-Vcom

V2=Vs-Vd-KX (l/2)Vad-Vcom

となる。

[0063] 従って、副絵素 1および副絵素 2のそれぞれの液晶層に印加される実効電圧の差

AV12(=V1-V2,「AVa」ということもある。）は、

AV12 = KXVad (但し、 K = Ccs/(Clc + Ccs))

となる。なお、ここでは、 Clcが電圧に依存することを無視している。

[0064] このような本実施形態の液晶表示装置において、 Ccs/Clcを 0. 85、 Vadを 2· 5V に設定した例を説明する。

[0065] 赤色絵素の補助容量の容量値を C 、緑色絵素の補助容量の容量値を C 、青

CS-R CS-G 色絵素の補助容量の容量値を c とする。ここで、

CS-B c CS-R =c とし、青色絵素の補

CS-G

助容量の容量値の他の色絵素の補助容量の容量値に対する比を表すパラメータ X を x=c /C =C / とする。

CS-B CS-G CS-B CS-R

[0066] 上記 Xを、 X=l.00、 0. 68、 0. 56、 0.45と設定したときの正面視角と斜め視角（方位： 9時方向、極角： 45度）における、階調に対する u'v'色度系の色度変化を図 1 0(a)〜（d)に示す。図 10 (a)および (b)は、正面視角における u'および v'の階調依存性を示すグラフであり、図 10(c)および（d)は、斜め視角における u および v'の階調依存性を示すグラフである。

[0067] 図 10 (a)および（b)からわかるように、正面視角においては、 u'および v'とも Xの値に拘わらず、階調依存性は一致している。これに対し、図 10(c)および (d)からわかるように、斜め視角においては、 Xが小さいほど 140/255階調付近の u'および v'が減少する。特に v'の変化が顕著であり、 Xの値を小さくする (Xく 1)ことによって、効果的に斜め視角における黄色シフトを抑制することができた。ここで例示した液晶表示装置に最適な Xの値は図 10の結果力も Χ = 0· 56であると言える。

[0068] ここで例示した液晶表示装置では、最適な Xは 0. 56であったが、 CS振動電圧 Va d、補助容量 Ccs、液晶容量 Clcが変われば、最適な X直も変化するため、適宜最適な X^tを設定すればよい。また、ここでは、 C =C の例を示したが、 C < C

CS-G CS-R CS-G CS - とすることによって、図 3 (a)および (b)に示した印加電圧と透過率との関係において

R

緑色光が赤色光よりも早く飽和する傾向による色ずれをも抑制することができる。

[0069] また、特許文献 2に記載のマルチ絵素構造を採用すると、特許文献 4に記載のマルチ絵素構造とは異なり、 Vadの値を調整することにより、個々の液晶表示装置の製造ばらつきに拘わらず、副絵素に所定の実効電圧の差を与えることが出来る。なお、上記の説明では 2つの CSバスラインの電圧 Vcslおよび Vcs2の振幅をいずれも Vadとした例を示した力 S、それぞれの振幅は独立に設定され得る。

[0070] TFTを用いた液晶表示装置では、図 9に示すようにゲート電圧 Vgが VgHから VgL に変化する際に副絵素電極の電圧が AVdだけ低下するといつた特性を有している。ここで、 AVdの値は、 TFT素子のゲート電極とドレイン電極間の寄生容量 Cgdと、ドレイン電極に接続されている全ての容量 (液晶容量 Clc、補助容量 Ccsおよび他の寄生容量）の比に依存する。一般に、 Cgd、 Clcおよび Ccsが支配的であり、 AVd = Cg d/ (Clc + Ccs)で表される。従って、色絵素ごとに所望の AV aを得るために上述したように単純に Ccsだけを異ならせると、 AVdの値も色絵素毎に異なることになる。色絵素毎に AVdの値が異なると、色絵素毎に液晶層に印加される電圧の平均値 (D Cレベル）がばらつくことなり、対向電極が全ての絵素に共通に設けられている典型的な構成においては、対向電圧の調整を行っても全ての色絵素について液晶層に印加される直流電圧成分を充分に小さく出来ないことがある。液晶層に印加される直流電圧成分が大きいと、表示品位や信頼性が低下するという問題が発生する。

[0071] この問題の発生は、例えば、同一色の色絵素の群に対応して個別に対向電極を設け、各色絵素群に対応する対向電極に供給する対向電圧を独立に調整することによつて回避できる。もちろん、青色絵素（および/またはシアン色絵素）の電気的な構成だけを他の色絵素と異ならせる場合には、青色絵素（および/またはシアン色絵素）の群に対応する第 1の対向電極と、その他の色絵素の群に対応する第 2の対向電極とを設け、第 1の対向電極および第 2の対向電極にそれぞれ独立に AVdを補償するように対向電圧を調整すれば良い。 [0072] しかしながら、このような対策では、対向電極を少なくとも 2つに分割する、および、それぞれの対向電極に独立に所定の電圧（対向電圧）を供給する必要が生じ、液晶表示装置の構成が複雑化し、コストアップを招く。

[0073] 以下では、上述したようなコストアップの原因となるような構造の複雑化を招かずに、全ての色絵素に対して液晶層に印加される直流電圧成分を充分に小さくできる、本発明による他の実施形態の液晶表示装置を説明する。

[0074] 図 1 1は、本発明による他の実施形態の液晶表示装置 200のマルチ絵素構造を有する絵素の等価回路図である。図 1 1に示した絵素は、副絵素 1および副絵素 2のそれぞれが補助容量を 2つずつ有する点において、図 8に示した絵素と異なっている。副絵素 1が有する 2つの補助容量の補助容量対向電極は互いに電気的に独立であり、かつ、副絵素 2が有する 2つの補助容量の補助容量対向電極は互いに電気的に独立である。

[0075] 図 1 1に示すように、副絵素 1は補助容量 CS 1Aおよび補助容量 CS 1Bを有し、畐 ij 絵素 2は補助容量 CS2Aおよび補助容量 CS2Bを有する。補助容量 CS 1Aおよび補助容量 CS 2Bの補助容量対向電極は同一の CSバスライン 1に電気的に接続されており、補助容量 CS 1Bおよび補助容量 CS 2Aの補助容量対向電極は同一の CSバスライン 2に電気的に接続されており、 CSバスライン 1と CSバスライン 2とは互いに電気的に独立である。ここでは、 CS電圧として、図 9に示したように、互いに位相が 180 ° 異なり、振幅が Vadの矩形波を用いる例を示す。

[0076] 補助容量 CS 1A、 CS 1B、 CS2Aおよび CS2Bの有する容量値をそれぞれ Ccs lA 、 Ccs lB、 Ccs2Aおよび Ccs2Bとすると、 CSバスライン 1と CSバスライン 2とから供給される CS電圧の位相は互いに逆相なので、副絵素 1に対する実効的な補助容量の値 Ccs l aは Ccs lA— Ccs lBとなり、副絵素 2に対する実効的な補助容量の値 C cs2 aは Ccs2A— Ccs2Bとなる。従って、上述したのと同様に、カラー表示画素を構成する複数の色絵素（原色絵素）の内で青色絵素および/またはシアン色絵素の C cs l aまたは Ccs2 aを他の色,絵素の Ccs l aまたは Ccs2 aよりも小さくすることによつて、青色絵素および/またはシアン色絵素における A V aの値を他の色絵素における Δ Υ αの値よりも小さくできる。 [0077] ここで、 Ccsl β =CcslA+CcslBおよび Ccs2 β =Ccs2A+Ccs2Bとするとき、 Ccsl βおよび Ccs2 βは全ての絵素について略同一である構成とすることによって、上述した AVdが色絵素毎に異なることによる問題の発生を回避することができる。すなわち、 Ccsl βおよび Ccs2 βの値を全ての絵素で略同一とすることによって、全ての絵素で TFT1及び TFT2を同一の設計とすることが出来るので、 AVdの値を全ての絵素について略同一にすることができる。この構成では、対向電極をパターユングする工程の追加や、複数の対向電圧を生成させる必要が無ぐ TFT基板の製造プロセスにおけるフォトマスクのパターンを変更するだけで実現できるので、コストアップも抑制できる。

[0078] 上述したように一般に AVd = Cgd/(Clc + Ccs)で表される力（誘電異方性を有する液晶分子の配向変化に伴い液晶層の誘電率が変化するので） Clcは液晶層に印加される電圧に依存して変化する。従って、全ての絵素について、全ての階調で AVdを略同一とするためには、 Clcに対する Ccsの比（以下、単に「Ccs比」ということがある）を全ての絵素で略一定することが好ましレ、。

[0079] さらに、図 11に示した液晶表示装置 200は、図 8に示した液晶表示装置 100に比ベ、設計の自由度が高いという利点を有する。

[0080] 図 8に示した構成では、 Ccslの値に比例して AVaの値が変化する。例えば Δν aの値を 1/10とするためには、図 8の液晶表示装置 100では Ccslの値を 1/10にする必要がある。補助容量の容量値は電極面積に依存するため、 Ccslの値を 1/1 0とする場合には電極面積を 1/10としなければならず、電極の加工精度及び製造歩留まりの観点から好ましくない。即ち、図 8の液晶表示装置 100で青色絵素の Δν a値を小さくする場合の変化量 (他の色絵素の Δ V αとの差）には加工精度ある!/、は歩留まり上の制約を受ける（設計自由度が低下する）ことになる。無論、この制約を回避するために他の色絵素の AVaの値を大きく設定することが考えられる力 AVa の値は本来的に視野角特性の観点から決定される値であるので、この方法は採れない。これに対して、図 11に示す液晶表示装置 200では補助容量 CS1 Αと CS1Bとの差によって AVaの値が決まる。すなわち、 AVaの値は補助容量 CS1Aおよび CS 1Bの容量値そのものには直接依存しないので、前述のような加工精度あるいは歩留まり上の制約がない。例えば青色絵素の Δν αの値を 1/10とする場合、例えば青色絵素以外の色絵素について CSlA= 100pF、 CS lB = 50pF (CS lA-CSlB = 50pF)と設定し、青色絵素については CS lA= 55pF、 CS lB = 50pF (CSlA— C S lB = 5pF)とすればよぐ補助容量 CS1 Aおよび CS IBの容量値を他の色絵素と同等の値とすることが出来、色別に Δν αの値を自由に設定することが出来る。さらに、上述したように、 Ccsl βおよび Ccs2 βを全ての絵素で略同一にすることが更に好ましぐ青色絵素について CS1A= 77. 5pF、 CS 1B = 72. 5pFとし、全ての絵素において補助容量 CS1Aと CS 1Bとの容量値の合計（ = 150pF)とすることが更に好ましい。

[0081] 図 11に示した液晶表示装置 200は、上述したように、斜め視角における色バランスのずれの発生を抑制した液晶表示装置に好適に用いられるだけでなぐ AV a値の設定精度を高めることができるという利点も得られる。

[0082] AV aの値は補助容量の容量値と外部回路から入力する CS電圧の振幅との積に依存している。ここで、図 8に示した液晶表示装置 100について考えると、補助容量値の設定精度を高めるためには補助容量値を大きい値に設定する必要がある力この場合外部回路から入力する CS電圧の振幅が小さくなり、 CS電圧の振幅の設定の精度が低下する。逆に、外部回路から入力する CS電圧の振幅を大きく設定し CS電圧の振幅の設定精度を高める場合には、補助容量値を小さレ、値に設定する必要があるので、補助容量の容量値の設定精度が低下する。これに対して、図 11に示す構成では、外部回路から入力する電圧振幅を大きく設定しつつ、補助容量値を大きな値に設定することが出来るので、 AV aの値の設定精度を高めることが出来る。

[0083] さらに、図 11に示したように、補助容量 CS1Aおよび補助容量 CS2Bの補助容量対向電極を同一の CSバスライン 1に電気的に接続し、且つ、補助容量 CS 1Bおよび補助容量 CS2Aの補助容量対向電極を同一の CSバスライン 2 (CSバスライン 1と電気的に独立）に電気的に接続することによって、電気的に独立な CSバスラインの数を削減することが出来るという利点が得られる。

[0084] 図 12に本発明による実施形態の液晶表示装置 200Αの絵素構造を示す。液晶表示装置 200Αの等価回路は図 11に示した液晶表示装置 200と同じである。図 12には、行列状に配列された絵素のうち、 m行 n列および m行 n+ 1列の 2つの絵素の TF T基板上の構造を模式的に示している。 m行 n列の絵素は、赤色絵素または緑色絵素であり、 m行 n+ 1列の絵素は青色絵素である。以下の図面において、共通する構成要素は共通の参照符号で説明を省略することがある。

[0085] 液晶表示装置 200Aの各絵素 Pは、それぞれの液晶層に互いに異なる電圧を印加することができる第 1副絵素 SP1および第 2副絵素（SP2aおよび SP2b)を有し、ある階調において第 1副絵素は第 2副絵素よりも高い輝度を呈する。第 2副絵素は、第 2 副絵素 SP2aと第 2副絵素 SP2bとを含み、これらは第 1副絵素 SP1を間にはさむように配置されている。すなわち、液晶表示装置 200Aは、図 7に示したマルチ絵素構造を有している。但し、第 2副絵素の面積（SP2aおよび SP2bの合計の面積）は第 1副絵素 SP1の約 3倍である。ここで、第 2副絵素 SP2aと第 2副絵素 SP2bとは区間的に離れた位置に配置されている力電気的には等価であり、液晶層に印加される電圧は互いに等しぐ電気光学特性 (V—T特性)も互いに等しい。従って、 V— T特性の観点からは、第 2副絵素 SP2aと第 2副絵素 SP2bとが 1つの副絵素（すなわち第 2副絵素）を構成している。すなわち、絵素 Pにおいて発現される V—T特性は 2種類であり、絵素 Pは第 1副絵素 SP1と第 2副絵素 SP2とに 2分割された構成を有している。以下、説明の簡単のために、第 2副絵素 SP2aと第 2副絵素 SP2bとの全体を第 2副絵素 SP2と呼ぶことがある。

[0086] 図 12に示すように、第 1副絵素 SP1は第 1副絵素電極 111— 1によって規定される領域に対応して形成され、第 2副絵素 SP2aおよび SP2bはそれぞれ第 2副絵素電極 11 1 - 2aおよび 11 1 2bによって規定される領域に対応して形成される。

[0087] m行 n列（以下 (m、n)と表記する）の絵素 Pに注目する。（m、 n)絵素はゲートバスライン 112 (m)とソースバスライン 114 (n)に接続された TFT116— 1および 116— 2 によって駆動される。 TFT116— 1のドレインはドレイン引出し配線 117— 1を介してコンタクト部 119 - 1にお!/、て第 1副絵素電極 111 - 1に接続されて!/、る。一方、 TFT 116 - 2のドレインはドレイン引出し配泉 117 - 2を介して、コンタクト部 119 - 2aにお V、て第 2副絵素電極 111 2aに接続されており、コンタクト部 119 2bにお!/、て第 2 畐 IJ絵素電極 11 1 2bに接続されている。畐 IJ絵素電極 111 1、 111 2aおよび 111 2bは、液晶層（不図示）と、液晶層を介して対向するように配置されている対向電極（不図示）とによって、液晶容量を構成する。すなわち、副絵素電極 111— 1は図 1 1中の Clclを構成し、副絵素電極 111― 2aおよび 111— 2bは図 11中の Clc2を構成する。

[0088] ここで、ソースバスライン 114 (n)は列方向に延びる 2本の主配線と、 2本の主配線を互いに接続するブリッジ部とを有しており、ソースバスライン 114 (n)の 2本の主配線の内の一本は n列の副絵素電極 111— 1、 111 2aおよび 111 2bと重なり、他方は n—l列の副絵素電極と重なっている。このとき、ソースバスライン 114 (n)と副絵素電極との間の寄生容量 (Csd)を十分に小さくできるように、これらの間には樹脂で形成された層間絶縁膜が設けられている。言い換えると、層間絶縁膜を設けることによって、副絵素電極をソースバスライン 114 (n)と重なるように設けることが可能となり、画素開口率を向上させることができる。

[0089] TFT116— 1および 116— 2はボトムゲート構造を有しており、それぞれ、ゲートバスライン 112 (m)の延設部として形成されたゲート電極と、その上に形成された半導体層（不図示）と、半導体層のソース領域に形成されたソース電極およびドレイン電極とを有している。ソース電極はソースバスライン 114 (n)の延設部として形成されている。 TFT116— 1および 116— 2のドレイン電極はそれぞれドレイン引出し配線 11 7— 1および 117— 2と一体に形成されて!/、る。これら全てを覆うように層間絶縁膜が設けられており、層間絶縁膜上に副絵素電極 111— 1、 111 2aおよび 111 2b力 S 形成されている。層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内にコンタクト部 119— 1 、 119 2aおよび 119 2bにおいて、それぞれドレイン引出し配線 117— 1および 1 17— 2と、畐 IJ絵素電極 111一、 111 2aおよび 111 2bと力接続されている。

[0090] 次に、（m、 n)絵素における補助容量の構成を説明する。ここでは、（m、 n)絵素は赤色絵素または緑色絵素である。

[0091] m行の絵素内には、 2本の CSバスライン（=補助容量配線） 113— 1および 113— 2が通っている。 CSバスライン 113— 1は図 11中の CSバスライン 1に対応し、 CSバスライン 113— 2は図 11中の CSバスライン 2に対応する。

[0092] 畐 ij絵素 SP1は、 2つの補助容量 CS1Aおよび CS1Bを有している。補助容量 CS 1 Aはドレイン引出し配泉 117- 1と CSバスライン 113 - 1との交差部に形成されてレヽる。補助容量 CS 1Bは、ドレイン引出し配線 117— 1の拡張部 117— 1Eと CSバスライン 113— 1の広幅部とが互いに重なる領域に形成されて!/、る。 CSバスライン 113— 1 および 113— 2はいずれもゲートバスライン 112 (m)と同じ導電層で形成されており、ゲート絶縁膜（不図示）によって覆われている。補助容量 CS1Aおよび CS 1Bの誘電体層はいずれもゲート絶縁膜であり、補助容量 CS1 Aおよび CS1Bの容量値はそれぞれ電極の面積に比例する。ここでは図 12に示すように、補助容量 CS 1Aの容量値は補助容量 CS1Bの容量値に比べて小さい。

[0093] 畐 ij絵素 SP2は、 2つの補助容量 CS2Aおよび CS2Bを有している。補助容量 CS2 Aはドレイン引出し配泉 117 - 2と CSバスライン 113 - 2との交差部に形成されて!/ヽる。補助容量 CS2Bは、ドレイン引出し配線 117— 2の拡張部 117— 2Eと CSバスライン 113— 1の広幅部とが互いに重なる領域に形成されている。補助容量 CS2Aおよび CS2Bの誘電体層はいずれもゲート絶縁膜であり、補助容量 CS2Aおよび CS2B の容量値はそれぞれ電極の面積に比例する。ここでは図 12に示すように、補助容量 CS2Aの容量値は補助容量 CS2Bの容量値に比べて小さい。

[0094] 次に、（m、n+ l)絵素、すなわち青色絵素における補助容量の構成を説明する。

[0095] 青色絵素の副絵素 SP1は、 2つの補助容量 CS1Aおよび CS 1Bを有している。補助容量 CS 1Aはドレイン引出し配線 117— 1の第 1拡張部 117— 1E1と CSバスライン 113— 1の広幅部とが互いに重なる領域に形成されている。補助容量 CS1Bは、ドレイン引出し配線 117— 1の第 2拡張部 117— 1E2と CSバスライン 113— 2の広幅部とが互いに重なる領域と、ドレイン引出し配線 117— 1と CSバスライン 113— 2との交差部に形成されている。ここでは図 12に示すように、補助容量 CS 1 Aの容量値は補助容量 CS 1Bの容量値に比べて大き!/、。

[0096] 青色絵素の副絵素 SP2は、 2つの補助容量 CS2Aおよび CS2Bを有している。補助容量 CS2Aはドレイン引出し配線 117— 2の拡張部 117— 2E1と CSバスライン 11 3— 2の広幅部とが互いに重なる領域に形成されている。補助容量 CS2Bは、ドレイン引出し配線 117— 2の第 2拡張部 117— 2E2と CSバスライン 113— 1の広幅部とが互いに重なる領域と、ドレイン引出し配線 117— 2と CSバスライン 113— 1との交差部に形成されている。ここでは図 12に示すように、補助容量 CS2Aの容量値は補助容量 CS2Bの容量値に比べて大き!/、。

[0097] このように、補助容量 CS1Aおよび CS 1Bとそれぞれが接続されている CSバスラインとの対応関係および補助容量 CS 1Aと CS 1Bとの間の容量の大小関係力（m、 n)絵素と、（m、n+ l)絵素とで逆になつているのは、（m、 n)絵素と（m、 n+ 1)絵素とで書き込み電圧の極性（対向電圧に基準にしたソースバスライン 114から供給される電圧（表示信号電圧）の極性）が互いに逆となる駆動（ドット反転駆動と呼ばれることもある）を想定して!/、るからである。

[0098] (m、 n)絵素および（m、 n+ 1)絵素のいずれにおいても、補助容量 CS1Aおよび補助容量 CS2Bの補助容量対向電極は同一の CSバスライン 113— 1に電気的に接続されており、補助容量 CS1Bおよび補助容量 CS2Aの補助容量対向電極は同一の CSバスライン 113— 2に電気的に接続されている。上述と同様に、 CSバスライン 1 13— 1および CSノスライン 113— 2に、 CS電圧として図 9に示したように、互いに位相が 180° 異なり、振幅力 SVadの矩形波を用いる場合を考える。補助容量 CS 1A、 C S 1B、 CS2Aおよび CS2Bの有する容量値をそれぞれ CcslA、 CcslB、 Ccs2Aおよび Ccs2Bとすると、 CSバスライン 113— 1と CSバスライン 113— 2とから供給される CS電圧の位相は互いに逆相なので、副絵素 SP1に対する実効的な補助容量の値 Ccsl aは CcslA— CcslBとなり、副絵素 SP2に対する実効的な補助容量の値 Ccs 2 αは Ccs2A— Ccs2Bとなる。従って、図 11を参照して説明したように、カラー表示画素を構成する複数の色絵素（ここでは、 R, G、および Bの三原色絵素）の内で青色 ,絵素の Ccsl aまたは Ccs2 aを他の色,絵素の Ccsl aまたは Ccs2 aよりも小さくすることによって、青色絵素における AV aの値を他の色絵素における AV aの値よりも小さくできる。図 12に示した例では、青色絵素、すなわち（m、 n+ 1)絵素において、 CcslBおよび Ccs2Bを大きくすることで、 Ccsl αおよび Ccs2 aを小さくしている。

[0099] また、図 12に示すように、 Ccsl β =CcslA+ CcslBおよび Ccs2 β =Ccs2A+ Ccs2Bとするとき、 Ccsl 0および Ccs2 0が全ての色絵素について略同一としているので、上述した AVdが色絵素毎に異なることによる問題の発生を回避することができる。具体的には、（m、 n)絵素および (m、 n+ 1)絵素の双方の Ccsl βおよび Ccs 2 /3は同じ値となっている。

[0100] さらに、図 12に示した例では、副絵素 SP1における液晶容量 Clclと補助容量 Ccs

β 1との比と、副絵素 SP2における液晶容量 Clc2と補助容量 Ccs β 2との比とを略同一としている。副絵素 SP1および SP2の液晶層の厚さは同じであるので、各副絵素の液晶容量は副絵素電極の面積に比例する。副絵素 SP2の面積は副絵素 SP1の約 3倍であるので、液晶容量も約 3倍である。従って、副絵素 SP2の補助容量の容量値 Ccs2 βを副絵素 SPlの補助容量の容量値 Ccsl βの約 3倍となるように設定することによって、副絵素 SP1における液晶容量 Clclと補助容量 Ccs /3 1との比と、副絵素 SP2における液晶容量 Clc2と補助容量 Ccs β 2との比とを略同一としている。

[0101] さらに、図 12に示した例では、青色絵素以外の絵素（ここでは (m、 n)絵素）と青色絵素（ここでは (m、 n+ 1)絵素）における開口部（光が透過する領域）の形状が略同一になるように、ドレイン引出し配線 117— 1および 117— 2ならびにドレイン引出し配線の拡張部 117— 1E、 117- 2E, 117- 1E1 , 117- 1E2, 117- 2E1 , 117- 2 E2を配置している。このように、全ての絵素内の開口部の形状を略同一とすることによって、表示の均一性を高めることができる。

[0102] 次に、図 13および図 14を参照して、本発明によるさらに他の実施形態の液晶表示装置を説明する。

[0103] 図 13は、 2分割絵素構造を有する液晶表示装置 300における一方の副絵素の等価回路を示す。

[0104] 図 8を参照して上述したように、青色絵素における AV a値が最も小さくなるように青色絵素の補助容量の容量値を小さくすると、青色絵素の AVdが他の色絵素の Δ Vdと異なる。そこで、液晶表示装置 300においては、青色絵素における補助容量の容量値の低下分を補償するために、隣接行のゲートバスラインを利用して、ゲート'ドレイン間容量 CGD— 1を形成している。ここでは、 m行に属する青色絵素について、 (m—l)行のゲートバスラインとの間に CGD— 1を形成している力 S、これに限らず、（ m+ 1)行のゲートバスラインとの間に CGD— 1を形成してもよい。このように、オフ電位にあるゲートバスラインとの間に補償用ゲート'ドレイン間容量 CGD— 1 (容量値は C と表す）を形成すると、 AVd = Cgd/ (Clc + Ccs + C )となる。従って、 C を調整することにより、すなわち、青色絵素の補助容量の容量値と他の色絵素の

GD-1

補助容量の容量値との差と等しくすることによって、 AVdの値を全ての色絵素について等しくすること力 Sでさる。

[0105] 図 14に本発明による実施形態の液晶表示装置 300Aの絵素構造を示す。液晶表示装置 300Aの等価回路は図 13に示した液晶表示装置 300と同じである。図 14には、行列状に配列された絵素のうち、 m行 n列および m行 n+1列の 2つの絵素の TF T基板上の構造を模式的に示している。 m行 n列の絵素は、赤色絵素または緑色絵素であり、 m行 n+1列の絵素は青色絵素である。液晶表示装置 300Aの各絵素 Pは、第 1副絵素 SP1および第 2副絵素 SP2を有する。液晶表示装置 300Aは、図 1に示したマルチ絵素構造を有しており、第 1副絵素 SP1と第 2副絵素 SP2との面積比は 1 ： 1でめる。

[0106] 液晶表示装置 300Aは図 12に示した液晶表示装置 200Aと異なり、各副絵素は 1 つの補助容量だけを有している。すなわち、畐 ij絵素 SP1は、 CSバスライン 113— 1とドレイン引出し配線 117— 1の拡張部 117— 1Eとの間に形成された補助容量 CS1A だけを有し、 CSバスライン 113— 2との間には補助容量を有していない。また、副絵素 SP2は、 CSバスライン 113— 2とドレイン引出し配線 117— 2の拡張部 117— 2Eとの間に形成された補助容量 CS2Aだけを有し、 CSバスライン 113— 1との間には補助容量を有していない。この点において、液晶表示装置 300Aは液晶表示装置 200 Aよりも単純な構成を有して!/、る。

[0107] 液晶表示装置 300Aでは、青色絵素（すなわち、（m、 n+ 1)絵素）の補助容量 CS 1Aおよび CS2Aの容量値（面積）を他の色絵素（すなわち、（m、 n)絵素）の補助容量 CS1Aおよび CS2Aの容量値（面積）よりも小さくすることによって、青色絵素の Δ V aを他の色絵素の Δ V αよりも小さくして!/、る。

[0108] 青色絵素（すなわち（m、 n+1)絵素）に注目する。ドレイン引出し配線 117— 1は、副絵素 SP1の補助容量 CS1Aを形成する第 1拡張部 117— 1E1を有するとともに、ゲートバスライン 112 (m— 1)と重なる第 2拡張部 117 - 1E2を有して!/、る。第 2拡張部 117— 1E2とゲートバスライン 112 (m— 1)とが重なる領域に、補償用ゲート'ドレイン間容量 CGD— laが形成される。一方、ドレイン引出し配線 117— 2は、副絵素 SP 2の補助容量 CS2Aを形成する第 1拡張部 117— 2E1を有するとともに、ゲートバスライン 112 (m+ l)と重なる第 2拡張部 117— 2E2を有している。第 2拡張部 117— 2 E2とゲートバスライン 112 (m+ 1)とが重なる領域に、補償用ゲート'ドレイン間容量 CGD— 2aが形成される。

[0109] 青色絵素以外の色絵素（すなわち（m、 n)絵素）と、青色絵素（すなわち（m、 n+ 1) 絵素）とを比較すると、補助容量 CS 1Aの容量値（図面中の面積）は (m、 n+ 1)絵素よりも（m、 n)絵素において大きいのに対し、補償用ゲート'ドレイン間容量 CGD— la および CGD— 2aは (m、 n+ 1)絵素にのみ設けられている。すなわち、補償用ゲート •ドレイン間容量 CGD— laおよび CGD— 2aによって、（m、 n+ 1)絵素の補助容量 CS 1 Aの容量値が（m、 n)絵素よりも小さ!/、分を補償して!/、る。

[0110] なお、（m、 n)絵素および (m、 n+ 1)絵素のいずれにも、ゲート'ドレイン間容量 CG D— lbおよび CGD— 2bが形成されている。これは、（m、 n)絵素を駆動するためのゲートバスライン (m)の拡張部とドレイン引出し配線（117— 1または 117— 2)との間に形成される容量であるので、この容量は AVdを表す上記式の分子の Cgdに含まれるものであり、 Cgdの値を調整するために設けられている。

[0111] 液晶表示装置 300Aの構成を採用すると、液晶表示装置 200Aよりも単純な構成で AVdの値を全ての色絵素について等しくすることができる。

[0112] また、図 14に示した例では、青色絵素以外の絵素（ここでは (m、 n)絵素）と青色絵素（ここでは (m、 n+ 1)絵素）における開口部（光が透過する領域）の形状が略同一になるように、ドレイン引出し配線 117—1および 117— 2ならびにゲートバスライン 11 2 (m)の拡張部を配置している。このように、全ての絵素内の開口部の形状を略同一とすることによって、表示の均一性を高めることができる。なお、液晶表示装置 300A も、液晶表示装置 200Aと同様に、層間絶縁膜を介して副絵素電極 111— 1および 1 11 - 2をソースバスライン 114 (n)と重ねることによって、画素開口率を向上させた構造を有している。

[0113] 図 15に本発明による実施形態の液晶表示装置 400Aの絵素構造を示す。液晶表示装置 400Aの等価回路は図 8に示した液晶表示装置 100と同じである。図 15には、行列状に配列された絵素のうち、 m行 n列および m行 n+ 1列の 2つの絵素の TFT 基板上の構造を模式的に示している。 m行 n列の絵素は、赤色絵素または緑色絵素であり、 m行 n+ 1列の絵素は青色絵素である。液晶表示装置 400Aの各絵素 Pは、第 1副絵素 SP1および第 2副絵素 SP2を有する。液晶表示装置 400Aは、図 1に示したマルチ絵素構造を有しており、第 1副絵素 SP1と第 2副絵素 SP2との面積比は 1： 1 である。

[0114] 液晶表示装置 400Aでは、青色絵素（すなわち、（m、 n+ 1)絵素）の補助容量 CS 1および CS2の容量値（面積）を他の色絵素（すなわち、（m、 n)絵素）の補助容量 C S 1および CS2の容量値（面積）よりも小さくすることによって、青色絵素の AV aを他の色絵素の Δν αよりも小さくしている。

[0115] AVdの調整は、 TFTの Cgd ( AVdを与える式の分子）を調整することによって行つている。

[0116] 図 15に示したように、 TFT116— 1において、ドレイン電極 116— IDaおよび 116 — lDbが、それぞれゲート電極 116— 1Gと重なる面積力（m、 n)絵素の方が（m、 n+ 1)絵素においてよりも大きい。同様に、 TFT116— 2において、ドレイン電極 116 2Daおよび 116— 2Db力それぞれゲート電極 116— 2Gと重なる面積が、（m、 n )絵素の方が（m、 n+ 1)絵素においてよりも大きい。従って、（m、n)絵素の TFT16 6—1の Cgdの容量値は、このドレイン電極がゲート電極と重なる面積が大きい分（C GD— laおよび CGD— lb)だけ、（m、 n+ 1)絵素の TFT166— 1の Cgdの容量値よりも大きい。同様に、（m、 n)絵素の TFT166— 2の Cgdの容量値は、このドレイン電極がゲート電極と重なる面積が大きい分（CGD— 2aおよび CGD— 2b)だけ、（m 、 n+ 1)絵素の TFT166— 2の Cgdの容量値よりも大きい。この Cgdの容量値の違いを調整することによって、補助容量の容量値の違レ、を補償して!/、る。

[0117] この構成を採用すると、 TFT部分以外の構成は全ての絵素について同じでよいので、全ての絵素内の開口部の形状は同一であり、表示の均一性が高い。なお、液晶表示装置 400Aも、液晶表示装置 200Aおよび 300Aと同様に、層間絶縁膜を介して副絵素電極 111— 1および 111 - 2をソースバスライン 114 (n)と重ねることによつて、画素開口率を向上させた構造を有している。

[0118] 図 16に本発明による実施形態の液晶表示装置 500Aの絵素構造を示す。液晶表示装置 500Aの等価回路は図 8に示した液晶表示装置 100と同じである。図 16には、行列状に配列された絵素のうち、 m行 n列および m行 n+ 1列の 2つの絵素の TFT 基板上の構造とともに、対向基板側に設けられるリブの配置を模式的に示している。 m行 n列の絵素は、赤色絵素または緑色絵素であり、 m行 n+ 1列の絵素は青色絵素である。液晶表示装置 500Aの各絵素 Pは、第 1副絵素 SP1および第 2副絵素 SP2 を有する。液晶表示装置 500Aは、図 1に示したマルチ絵素構造を有しており、第 1 畐 IJ絵素 SP1と第 2畐 IJ絵素 SP2との面積比は 1： 1である。

[0119] 液晶表示装置 500Aは、 MVAモードの液晶表示装置であり、副絵素電極 111 1 および 111—2はそれぞれ図示したようにスリットを有し、スリットの近傍に生成される斜め電界と、対向基板の液晶層側に形成されたリブによる配向規制力とによって、液晶分子を所定の方向に配向させる。副絵素 SP1および SP2のそれぞれにおいて、電圧印加時に液晶分子が倒れる方向が 90° ずつ異なる 4つの液晶ドメインが形成されるように、スリットおよびリブが配置されている。なお、スリットおよびリブの配置はこれに限られないが、視角特性の観点から、副絵素ごとに 4つの液晶ドメインが形成されることが好ましい。

[0120] 液晶表示装置 500Aでは、青色絵素（すなわち、（m、 n+ 1)絵素）の副絵素電極 1 11 1および 111 2の面積を他の色絵素（すなわち、（m、 n)絵素）の副絵素電極 111 - 1および 111 2の面積よりも小さくすることによって、青色絵素の液晶容量 C1 clおよび Clc2ならびに補助容量 Ccslおよび Ccs2 (図 8参照）を他の色絵素よりも小さくしている。

[0121] この構造は層間絶縁膜の膜厚が比較的薄!/、場合であり、副絵素電極 111 1および 111— 2はソースバスライン 114 (n)と重ならな!/、ように配置されて!/、る。また補助容量 CS 1および CS2は、 CSバスライン 113— 1および 113— 2にソースバスライン 11 4 (n)と平行な延設部 113— IEおよび 113— 2Eを設け、延設部 113— IEおよび 11 3— 2Eの一部を含む CSバスライン 113—1および 113— 2と、各副絵素電極 111— 1および 111 2とを層間絶縁膜 (不図示）を介して重ねることによって、補助容量のほとんどを形成している。ここでは、 CSバスライン 113— 1および 113— 2の延設部 1 13— 1Eおよび 113— 2Eはそれぞれ対応する副絵素電極 111 1および 111 2の両側のエッジと重なる様に一対ずつ設けられているがこれに限られない。また、層間絶縁膜の厚さは、その比誘電率および面積に応じて適宜設定され得る。なお、ドレイン引出し配線 117—1および 117— 2の拡張部 117— 1Eおよび 117— 2Eと CSバスライン 113— 1および 113— 2とが重なる部分も補助容量に寄与する。

[0122] 前述の液晶表示装置 200A等では、青色絵素の AV aを異ならせるために補助容量 CSの容量のみを調節していたのに対し、液晶表示装置 500Αでは液晶容量 C1 cおよび補助容量 CSの容量値を調節している点が異なる。副絵素電極を小さくすると、液晶容量 Clcおよび補助容量 CSの容量値がともに小さくなるが、補助容量 CSの容量値の減少の割合が大きいため、結果的に青色絵素の Δν αを小さく設定できる

〇

[0123] 液晶表示装置 500Αにおいて、 AVdの調整は、前述の液晶表示装置 400Αと同様に TFTの Cgd ( AVdを与える式の分子）を調整することによって行っている。なお、図 16に示したように、液晶表示装置 500Aにおいては、 TFT116— 1および 116— 2のドレイン電極 116— 1Dおよび 116— 2Dの面積を（m、 n)絵素において、（m、 n + 1)絵素においてよりも相対的に大きくするとともに、ソース電極 116Sの面積も大きくしている。このような構成を採用することによって、（111、 1 )絵素のじ_§(1の容量値を相対的に大きくするとともに、 TFTのチャネル幅を効果的に大きくできる。

[0124] 図 17に本発明による実施形態の液晶表示装置 600Aの絵素構造を示す。液晶表示装置 600Aの等価回路は図 8に示した液晶表示装置 100と同じである。図 17には、行列状に配列された絵素のうち、 m行 n列および m行 n+ 1列の 2つの絵素の TFT 基板上の構造とともに、対向基板側に設けられるリブの配置を模式的に示している。また、図 18Aに図 17中の 18A— 18A'線に沿った断面図を示し、図 18Bに、図 17 中の 18B— 18B '線に沿った断面図を示す。

[0125] 液晶表示装置 600Aは、液晶表示装置 500Aと同様の配向分割構造を有する MV Aモードの液晶表示装置である。 m行 n列の絵素は、赤色絵素または緑色絵素であり、 m行 n+ 1列の絵素は青色絵素である。液晶表示装置 600Aの各絵素 Pは、第 1副絵素 SP1および第 2副絵素 SP2を有する。液晶表示装置 600Aは、図 1に示したマルチ絵素構造を有しており、第 1副絵素 SP1と第 2副絵素 SP2との面積比は 1： 1であ [0126] 液晶表示装置 600Aは、前述の液晶表示装置 500Aと同様に、ソースバスライン 11 4 (n)と副絵素電極 111— 1および 111—2との間に比較的薄!/、層間絶縁膜 126を有している（図 18Aおよび図 18B参照）。そのため、副絵素電極 111—1および 111 —2はソースバスライン 114 (n)と重ならないように配置されている。また、液晶表示装置 600Aは、前述の液晶表示装置 200A等におけるゲート絶縁膜 122に加えて、ゲート絶縁膜 122上に形成された SOG (スピンオンガラス）膜 121を有して!/、る。 SOG 膜の材料としては、有機成分を含むスピンオンガラス材料 (レ、わゆる有機 SOG材料）を好適に用いることができ、特に、 Si— O— C結合を骨格とする SOG材料や、 Si— C 結合を骨格とする SOG材料を好適に用いることができる。 SOG材料とは、スピンコート法などの塗布法によってガラス膜 (シリカ系皮膜)を形成し得る材料である。

[0127] SOG膜 121は比較的厚いので、 TFTの半導体層 123 (図 18A参照）とゲート電極

112 (m)との間に存在すると、 TFTが正常に動作しないため、 TFT116— 1および 1 16— 2においてゲート絶縁膜 122がゲート絶縁膜として機能する領域には形成されない。この領域を図 17および図 18A中では、 SOG膜除去領域 118Tとして示してい

[0128] また、 SOG121膜は比誘電率が低い（例えば 4以下）なので、電極間に SOG膜 12 1を設けると、形成される容量の値は小さいものとなる。例えば、図 18Cに示した構成では、 C Sノスライン 113 と畐 IJ'絵素電極 111一および 111 2との間に SOG膜 21が存在しているため、これらの電極間に形成される容量の容量は小さぐ補助容量に対する寄与は小さい。

[0129] 液晶表示装置 600Aでは、図 17および図 18Bに示すように、ドレイン引出し配線の拡張き 17— 1Eおよび 117— 2Eと CSノスライン 113— 1および 113— 2との間に、 SOG膜除去領域 118C1および 118C2を設けることによって、補助容量を形成している。すなわち、 SOG膜除去領域 118C1に補助容量 CS1が形成され、 SOG膜除去領域 118C2に補助容量 CS2が形成されている。

[0130] 液晶表示装置 600Aにおいては、青色絵素（すなわち、（m、 n+ 1)絵素）の補助容量 CS 1および CS 2の容量値を他の色絵素（すなわち、（m、 n)絵素）の補助容量 CS 1および CS2の容量値よりも小さくすることによって、青色絵素の AV aを他の色絵素よりあ/ J、さくしている。

[0131] AVdの調整は、前述の液晶表示装置 400Aおよび 500Aと同様に TFTの Cgd ( A Vdを与える式の分子）を調整することによって行っている。また、液晶表示装置 500 Aと同様に、 TFT116— 1および 116— 2のドレイン電極 116— 1Dおよび 116— 2D の面積を (m、 n)絵素において、（m、 n+ 1)絵素においてよりも相対的に大きくするとともに、ソース電極 116Sの面積も大きくしている。このような構成を採用することによって、（m、 n)絵素の Cgdの容量値を相対的に大きくするとともに、 TFTのチャネル幅を効果的に大きくできる。

[0132] AVdの調整を、 Cgdを調整することによって行う方法には種々のバリエーションがあり得る。 TFTの構成に応じて、適宜、方法を選択すれば良ぐ 2種類以上の方法を組み合わせても良い。 TFTの Cgdを調整するための方法のバリエーションの例を図 1 9 (a)〜（g)に示す。

[0133] 図 19 (&)に示す丁？丁部70八では、ドレイン電極 116— IDおよびドレイン電極 116

2Dを拡大することによって、青色絵素以外の色絵素の Cgdを増大させている。

[0134] 図 19 (b)に示す TFT部 70Bでは、ドレイン電極 116— 1Dおよびドレイン電極 116 — 2Dとともにソース電極 116Sを拡大することによって、青色絵素以外の色絵素の C gdを増大させるとともに、 TFTのチャネル幅を効果的に大きくしている。

[0135] これらについては上述したとおりである。さらに、図 19 (c)〜（g)に示す方法を利用すること力 Sでさる。

[0136] 図 19 (c)に示す TFT部 70Cでは、ドレイン電極 116— 1Dを拡大することによって、青色絵素以外の色絵素の Cgdを増大させて!/、る。ドレイン電極の拡大方向をゲートバスラインと同方向にすることで開口率の低下を最小限にしている。

[0137] 図 19 (d)に示す TFT部 70Dでは、ドレイン電極 116— 1Dとともにソース電極 116S を拡大することによって、青色絵素以外の色絵素の Cgdを増大させるとともに、 TFT のチャネル幅を効果的に大きくしている。 TFTのチャネル幅の拡大方向をゲートバスラインと同方向にすることで開口率の低下を最小限にしている。

[0138] 図 19 (e)に示す TFT部 70Eでは、ドレイン電極 116Dの先端部を拡大し CGD— 1 を形成することによって、青色絵素以外の色絵素の Cgdを増大させるとともに、 TFT の縦方向のチャネル幅を大きくしている。ソース電極 116Sの形状を変更することが無!/、ため、ソースバスライン 114の負荷の増加はほとんど無!/、。

[0139] 図 19 (f)に示す TFT部 70Fでは、ドレイン電極 116— 1D、 116— 2Dを拡大することによって、青色絵素以外の色絵素の Cgdを増大させるとともに、 TFTのチャネル幅を効果的に大きくしている。ソース電極 116Sの形状を変更することが無いため、ソースバスライン 114の負荷の増加はほとんど無!/、。

[0140] 図 19 (g)に示す TFT部 70Gでは、ドレイン電極 116— 1D、 116— 2Dとともにソース電極 116S1、 116S2を拡大することによって、青色絵素以外の色絵素の Cgdを増大させるとともに、 TFTのチャネル幅を 70Fに比べより効果的に大きくしている。

[0141] このほかに、図 20に示す液晶表示装置 700Aの構成を採用することもできる。

[0142] 液晶表示装置 700Aは、図 12に示した液晶表示装置 200Aと基本的な構成は同じである。液晶表示装置 200Aにおいては、各副絵素に対応して 2つの補助容量 (例えば、副絵素 SP1に対して補助容量 CS 1Aおよび CS 1B)を設け、これらの容量値を青色絵素と他の色絵素との間で異ならせることによって、 AV aを異ならせていた。これに対し、液晶表示装置 700Αにおいては、各副絵素が 2つの補助容量 (例えば、副絵素 SP1に対して補助容量 CS 1Aおよび CS1B)を有する力各補助容量の容量値は全ての色絵素について同じに設定してある。液晶表示装置 700Αにおいては、青色絵素（すなわち、（m、n+ l)絵素）の第 1副画素 SP1用のドレイン引出し配線 11 7— 1と第 2副画素 SP2用のドレイン引出し配線 117— 2とをドレイン短絡線 117— 3 によって短絡させ、青色絵素における AV aを実質的にゼロにしている。すなわち、青色絵素だけマルチ絵素構造をとらな!/、ことになるので、青色の階調特性の視角依存性が劣ることになる力 S、色づきや AVdのばらつきに起因する問題は発生しない。

[0143] 図 20に示した構成を除いて、図 12〜図 19を参照して説明した構成はそれぞれ前述したように単独で用いても良!/、し、他の構成と組み合わせて用いても良レ、。

[0144] 図 21に本発明による実施形態の液晶表示装置における色絵素毎の AVdの階調依存性を示す。図 21に示すグラフは、図 10を参照して説明した液晶表示装置について、斜め視角における黄色シフトを抑制するために、青色絵素の補助容量の容量値の他の色絵素の補助容量の容量値に対する比 Xを最適である 0· 56とした場合の各色絵素の A Vdを示している。曲線 L (B)は青色絵素の A Vdを示し、曲線し'（R, G)は補助容量値の違いを補償していない、他の色絵素の A Vdを示し、曲線 L (R, G)は Cgdを調整することによって、他の色絵素の Δ Vdを青色絵素の Δ Vdと略同じにしたものである。

[0145] 図 21から明らかなように、 Χ= 0· 56とし、補助容量の違いを全く補償しないと、青色絵素と他の色絵素との間の A Vdの違いは 0. 5V (500mV)を超える。本発明者の検討によると、 A Vdの違いが 150mVを越えるとフリッカーが生じるとともに信頼性が低下する。 A Vdの違いが 50mVを越えると表示品位の低下として視認されることがある。これらのことから、製品レベルで A Vdの違いによる問題を回避するためには、少なくともある 1つの階調において A Vdを 50mV以下に抑制すればよい。本明細書において、 A Vdが略同一ということは、 A Vdの差が 50mV以下であることを意味する。図 21に示した例では、 140階調における曲線 L (B)と曲線 L (R, G)との差は 4mVと、非常に低いことが分かる。

[0146] 上記の実施形態では、各絵素を 2つの副絵素に分割したマルチ絵素構造を例示したが、これに限られず各絵素を 3以上の副絵素に分割しても良い。

産業上の利用可能性

[0147] 本発明の液晶表示装置は、液晶テレビなどの高い視野角特性が要求される用途に好適に用いられる。

Claims

請求の範囲

[1] それぞれが液晶層と前記液晶層に電圧を印加する複数の電極とを有し、行および歹 IJを有するマトリクス状に配列された複数の絵素を備え、

前記複数の絵素のそれぞれは、それぞれの前記液晶層に互いに異なる電圧を印加することができる第 1副絵素および第 2副絵素であって、ある階調において前記第 1副絵素が前記第 2副絵素よりも高い輝度を呈する第 1副絵素および第 2副絵素を有し、

前記第 1副絵素および前記第 2副絵素のそれぞれは、

対向電極と、前記液晶層を介して前記対向電極に対向する副絵素電極とによつて形成された液晶容量と、

それぞれが、前記副絵素電極に電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層と、前記絶縁層を介して前記補助容量電極と対向する補助容量対向電極とによって形成された、少なくとも 1つの補助容量と、

を有し、

前記第 1副絵素および前記第 2副絵素のそれぞれの前記副絵素電極にある階調に対応する表示電圧が供給された後に、それぞれ対応する前記少なくとも 1つの補助容量を介して、前記第 1副絵素の前記液晶容量に印加される電圧と前記第 2副絵素の前記液晶容量に印加される電圧との間に電圧差 AV aを生じさせる液晶表示装置であって、

前記複数の絵素は前記電圧差 Δ ν «の値が異なる絵素を含む、液晶表示装置。

[2] 前記複数の絵素は、互いに異なる色を呈する複数の色絵素を含み、前記複数の色絵素は青色絵素および/またはシアン色絵素を含み、

前記複数の色絵素の内で前記青色絵素および/または前記シアン色絵素における Δ V α値が最も小さい、請求項 1に記載の液晶表示装置。

[3] 前記少なくとも 1つの補助容量は 1つの補助容量であって、

前記対向電極は、前記第 1副絵素および前記第 2副絵素に対して共通の単一の電極であり、前記補助容量対向電極は、前記第 1副絵素と前記第 2副絵素とで電気的に独立であって、前記補助容量対向電極に対応する補助容量配線を介して供給される補助容量対向電圧の波形は、前記第 1副絵素と前記第 2副絵素との間で異なつており、

前記複数の絵素は前記補助容量の容量値が異なる絵素を含む、請求項 1に記載の液晶表示装置。

[4] 前記複数の絵素は、互いに異なる色を呈する複数の色絵素を含み、前記複数の色絵素は青色絵素および/またはシアン色絵素を含み、

前記複数の色絵素の内で前記青色絵素および/または前記シアン色絵素が有する前記補助容量の容量が最も小さい、請求項 3に記載の液晶表示装置。

[5] 前記複数の色絵素は、赤色絵素および緑色絵素をさらに含み、前記青色絵素およまたは前記シアン色絵素、前記緑色絵素、および前記赤色絵素が有するそれぞれの前記補助容量の容量を C 、 C 、 C および C とすると、 C ≤C

CS-B CS-C CS-G CS-R CS- B CS

< C ≤C の関係を満足する、請求項 4に記載の液晶表示装置。

-C CS-G CS-R

[6] 前記少なくとも 1つの補助容量は 1つの補助容量であって、

前記複数の絵素は前記液晶容量の容量値が異なる絵素を含む、請求項 2に記載の液晶表示装置。

[7] ゲートバスラインと、ソースバスラインと、 TFTとを更に有し、

前記第 1副絵素および前記第 2副絵素のそれぞれは、前記副絵素電極に接続された TFTを有し、

前記複数の絵素の内で前記電圧差 Δν «の値が最も小さい絵素は、当該絵素が属する行に隣接する行のゲートバスラインとの間に形成された補助容量をさらに有する、請求項 1から 6のいずれかに記載の液晶表示装置。

[8] ゲートバスラインと、ソースバスラインと、 TFTとを更に有し、

前記複数の絵素の内で前記電圧差 Δ V αの値が最も小さ!/、絵素の TFTのゲート' ドレイン間容量 Cgdの値は、他の絵素の TFTのゲート'ドレイン間容量 Cgdの値よりも小さい、請求項 1から 7の!/、ずれかに記載の液晶表示装置。

[9] 前記液晶層は、垂直配向型液晶層であって、ノーマリーブラックモードで表示を行う、請求項 1から 8のいずれかに記載の液晶表示装置。

[10] 前記少なくとも 1つの補助容量は 2つの補助容量を含み、

前記対向電極は、前記第 1副絵素および前記第 2副絵素に対して共通の単一の電極であり、

前記第 1副絵素が有する前記 2つの補助容量の補助容量対向電極は互いに電気的に独立であり、かつ、前記第 2副絵素が有する前記 2つの補助容量の補助容量対向電極は互いに電気的に独立である、請求項 1または 2に記載の液晶表示装置。

[11] 前記第 1副絵素が有する前記 2つの補助容量は補助容量 CS 1Aおよび補助容量 CS 1Bであり、前記第 2副絵素が有する前記 2つの補助容量は補助容量 CS2Aおよび補助容量 CS 2Bであり、

補助容量 CS 1Aおよび補助容量 CS2Bの補助容量対向電極は同一の第 1補助容量配線に電気的に接続されており、

補助容量 CS 1Bおよび補助容量 CS2Aの補助容量対向電極は同一の第 2補助容量配線に電気的に接続されており、

前記第 1補助容量配線と前記第 2補助容量配線とは互いに電気的に独立である、請求項 10に記載の液晶表示装置。

[12] 前記補助容量 CS 1A、 CS 1B、 CS2Aおよび CS2Bの有する容量値をそれぞれ Cc s lA、 Ccs lB、 Ccs2Aおよび Ccs2Bとし、 Ccs l a = Ccs lA— Ccs lBおよび Ccs2 a = Ccs2A— Ccs2Bとするとき、

前記複数の絵素は、 Ccs l aまたは Ccs2 aが異なる絵素を含む、請求項 1 1に記載の液晶表示装置。

[13] 前記複数の絵素は、互いに異なる色を呈する複数の色絵素を含み、前記複数の色絵素は青色絵素および/またはシアン色絵素を含み、前記複数の色絵素の内で前記青色絵素および/または前記シアン色絵素の前記 Ccsl aおよび Ccs2 aの値が最も小さい、請求項 12に記載の液晶表示装置。

Ccsl β =CcslA+CcslBおよび Ccs2 β =Ccs2A+Ccs2Bとするとき、

Ccsl βおよび Ccs2 βは前記複数の絵素の全てについて同一である、請求項 12 または 13に記載の液晶表示装置。