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WO2007108459A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 Download PDF

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Publication number
WO2007108459A1
WO2007108459A1 PCT/JP2007/055608 JP2007055608W WO2007108459A1 WO 2007108459 A1 WO2007108459 A1 WO 2007108459A1 JP 2007055608 W JP2007055608 W JP 2007055608W WO 2007108459 A1 WO2007108459 A1 WO 2007108459A1
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WO
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group
organic
general formula
integer
represented
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/055608
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shinya Otsu
Eisaku Katoh
Hiroshi Kita
Original Assignee
Konica Minolta Holdings, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Holdings, Inc. filed Critical Konica Minolta Holdings, Inc.
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Priority to JP2008506301A priority patent/JP5683784B2/ja
Priority to EP07739051.6A priority patent/EP1998388B1/en
Publication of WO2007108459A1 publication Critical patent/WO2007108459A1/ja
Priority to US13/895,780 priority patent/US9692000B2/en
Priority to US13/895,801 priority patent/US9634275B2/en
Priority to US13/895,840 priority patent/US20130252028A1/en
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    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Definitions

  • Organic electoluminescence device display device and lighting device
  • an organic EL device has a structure in which a light emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode. By injecting electrons and holes into the light emitting layer and recombining them, excitons ( The device emits light using the emission of light (fluorescence 'phosphorescence) when this exciton is deactivated, and can emit light at a voltage of several volts to several tens of volts. Furthermore, since it is a self-emitting type, it has a wide viewing angle, and since it is a thin film type complete solid-state device with high visibility, it is attracting attention from the viewpoints of space saving and portability.
  • FIrpic which is a typical phosphorescent blue dopant, has been realized to shorten the wavelength by substituting fluorine for the main ligand, pyrrolidine, and using picolinic acid as a secondary ligand. .
  • the subsidiary ligand by introducing the ligand Birazaboru system, emission wavelength is known to be short-waved (e.g., see Patent Document 4.) 0
  • These dopants force carbazole
  • Highly efficient devices have been achieved by combining derivatives of triarylsilanes as host compounds, but the light emission lifetime of the devices has deteriorated significantly, and improvements in the trade-off have been demanded.
  • Patent Document 4 International Publication No.04Z085450 Pamphlet
  • Non-Patent Document 1 M. A. Baldo et al., Nature, 395 ⁇ , 151—154 (1998)
  • Non-Patent Document 3 S. Lamansky et al., J. Am. Chem. Soc., 123 ⁇ , 4304 (2001)
  • An object of the present invention is to provide an organic-electric-luminescence element that exhibits high luminous efficiency and has a long lifetime, and an illumination device and a display device using the same.
  • R represents a substituent.
  • Z represents a nonmetallic atom group necessary for forming a 5- to 7-membered ring.
  • M2 represents an integer of 0, 1 or 2 ml + m2 is 2 or 3.
  • n5 represents an integer of 0 to 4.
  • * indicates a bonding position.
  • R represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group
  • R and R are a hydrogen atom, substituted
  • nl and n2 each represents an integer of 0 to 4.
  • R and R represent a hydrogen atom and a substituent, R represents a substituent, L represents a divalent linking group, and n
  • R la represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group
  • L represents a divalent linking group
  • Ar represents an aromatic group or a heterocyclic group
  • nl, n2 represents an integer of 0 to 4
  • L represents a divalent linking group
  • Ar represents an aromatic group or a heterocyclic group
  • nl is 0-4
  • R represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group or a heterocyclic group
  • R, R and R are a hydrogen atom, la 1 2 5
  • Arl in the general formulas (3) to (6) is a carbazolyl group 8 to 1
  • a display device comprising the illumination device according to 22 and a liquid crystal element as display means.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a passive matrix type full-color display device.
  • FIG. 5 is a schematic view of a lighting device.
  • the organic electroluminescence device of the present invention the organic electroluminescence device having a high luminous efficiency and a long luminous lifetime can be obtained by adopting the configuration defined in any one of claims 1 to 23.
  • a display device and a lighting device with high brightness and long life could be obtained using the organic EL element exhibiting the above characteristics.
  • B to B represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and at least one of them
  • the aromatic nitrogen-containing heterocycle formed by these five atoms is preferably a monocycle. Examples thereof include a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, a triazole ring, a tetrazole ring, an oxazole ring, an isoxazole ring, a thiazole ring, an isothiazol ring, an oxadiazole ring, and a thiadiazole ring. Among these, a pyrazole ring and an imidazole ring are preferable, and an imidazole ring is more preferable. These rings may be further substituted with the above substituents. Preferred examples of the substituent include an alkyl group and an aryl group, and more preferred are a substituted alkyl group and an unsubstituted aryl group.
  • ml represents an integer of 1 to 3
  • m2 represents an integer of 0 to 2
  • ml + m2 is 2 or 3.
  • m2 is preferably 0.
  • the phosphorescent compound represented by the general formula (A) may or may not have a polymerizable group or a reactive group.
  • m2 represents an integer of 0, 1 or 2 ml + m2 is 2 or 3.
  • the group represented by the following general formula (C) is preferred as a substituted aryl group in which a substituted aryl group is preferred.
  • Es values are described in detail in Unger, S. H., Hansch, C., Prog. Phys. Org. Chem., 12, 91 (1976).
  • specific numerical values are described in “Structure-activity relationship of drugs” (Chemicals Special Issue 122, Nankodo) and “American Chemical Society Professional Reference Book, 'Exploring QSAR' p. 81 Table 3-3”. There is. Some of these are shown in Table 1.
  • the Es value as defined in the present specification assumes that the hydrogen atom is not defined as 0 in the methyl group, and that the methyl group is defined as 0. This is the Es value minus 1.24.
  • R represents a substituent having a steric parameter value (Es value) of ⁇ 0.5 or less.
  • It is preferably 7.0 or more and 0.6 or less, and most preferably 7.0 or more and 1.0 or less.
  • ketoeenol tautomer may exist in R.
  • any solvent capable of dissolving the compound may be used (substantially the phosphorescence wavelength of the measurement method is not limited). There is no problem because the solvent effect is negligible).
  • the phosphorescence spectrum usually has a low intensity, it may be difficult to distinguish the noise and the peak when enlarged.
  • the emission spectrum immediately after the excitation light irradiation (for convenience, this is referred to as a steady light spectrum) is enlarged, and the emission spectrum 100 ms after the excitation light irradiation (for convenience, this is referred to as a phosphorescence spectrum) is superimposed.
  • the stationary light spectrum partial force derived from the phosphorescence spectrum can also be determined by reading the peak wavelength.
  • by smoothing the phosphorescence spectrum noise and peaks can be separated and peak wavelengths can be read.
  • the smoothing method such as Savitzky & Golay can be applied as the smoothing process.
  • the glass transition point (Tg) can be determined by a method based on JIS-K-7121 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).
  • R and R represent a hydrogen atom and a substituent
  • nl and n2 represent an integer of 0 to 4.
  • xylyl group for example, pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, birazinyl group, triazolyl group (for example, 1, 2, 4-triazol-1-yl group, 1, 2 , 3-triazole-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, chelyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group,
  • heterocyclic group examples include a pyrrolidyl group, an imidazolidyl group, a morpholyl group, and an oxazolidyl group.
  • R and R represent a hydrogen atom and a substituent, R represents a substituent,
  • L represents a divalent linking group
  • nl and n2 represent an integer of 0 to 4
  • ml represents an integer of 0 to 5.
  • R and R examples include R of the phosphorescent compound represented by the general formula (A).
  • linking group represented by L include the following force L:
  • R, R and R represent a hydrogen atom and a substituent, and L represents a divalent linkage.
  • Ar represents an aromatic group or a heterocyclic group
  • nl to n3 represent an integer of 0 to 4
  • m3 represents 0.
  • the substituent is a substituent represented by R of the phosphorescent compound represented by the general formula (A).
  • the divalent linking group includes a divalent linking group represented by L of the compound represented by the general formula (2).
  • R and R represent a hydrogen atom and a substituent
  • L represents a divalent linking group
  • Ar represents an aromatic group
  • nl represents an integer of 0 to 4
  • n2 represents an integer of 0 to 3
  • m3 represents 0 or 1.
  • the aliphatic group, aromatic group and heterocyclic group have the same meanings as the la aliphatic group, aromatic group and heterocyclic group represented by R in the general formula (1).
  • the substituent is a substituent represented by R of the phosphorescent compound represented by the general formula (A).
  • the divalent linking group includes a divalent linking group represented by L of the compound represented by the general formula (2).
  • Rl, R2, and R5 represent a hydrogen atom and a substituent
  • L4 represents a divalent linking group
  • Arl represents an aromatic group or a heterocyclic group
  • nl, n4 represents an integer of 0 to 4
  • n2 Represents an integer of 0 to 3
  • m4 represents 0 or 1.
  • the aliphatic group, aromatic group and heterocyclic group have the same meanings as the la aliphatic group, aromatic group and heterocyclic group represented by R in the general formula (1).
  • the divalent linking group is a divalent linking group represented by L of the compound represented by the general formula (2). It is synonymous with.
  • X represents an integer of 0 to 4, and X represents NRb, S, O.
  • R, R, Ra substituent represented by R, R, Ra,
  • Rb represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group.
  • Rb represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group, or a heterocyclic group.
  • Ar in the general formulas (3) to (6) is preferably a carbazolyl group.
  • dopants phosphorescent dopant, fluorescent dopant, etc.
  • metal complex used as the light-emitting dopant
  • Fluorescein dyes Fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes or rare earth complex phosphors.
  • the phosphorescent dopant used in the present invention (also referred to as a phosphorescent compound, a phosphorescent compound, etc.) emits light from an excited triplet, and further has a phosphorescence quantum yield of 25 °. It is preferable that C is 0.001 or more, more preferably the phosphorescence quantum yield is 0.01 or more, and particularly preferably 0.1 or more.
  • the phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in the fourth edition of Experimental Chemistry Course 7, Spectroscopy II, page 398 (1992, Maruzen). Phosphorescence quantum yield in solution uses various solvents
  • the host compound used in the light-emitting layer according to the present invention is characterized by having a phosphorescence of 0-0 bandka of 60 nm or less and a glass transition point of 60 ° C or more.
  • the host compound used in the present invention is a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission of less than 0.01 at room temperature (25 ° C.) among the compounds contained in the light emitting layer.
  • the luminescent host used in the present invention a compound having a shorter wavelength than the phosphorescent 0-0 band of the luminescent dopant used in combination is preferably used as the luminescent dopant.
  • the phosphorescent 0-0 band is preferably 460 nm or less as the light-emitting host.
  • the host compound used in the light emitting layer according to the present invention is preferably a compound represented by the general formulas (1) to (6).
  • the light-emitting host used in the present invention is not particularly limited in terms of structure as long as the 0-0 band of phosphorescence is 460 ⁇ m or less and the glass transition point is 60 ° C or more as described above.
  • Both low molecular weight compounds and high molecular weight compounds with repeating units can be used for vinyl and epoxy groups. Even low molecular weight compounds with such polymerizable groups (evaporation polymerizable light-emitting host)! It has hole transporting and electron transporting capabilities, prevents emission of longer wavelengths, and has a high Tg (glass transition temperature).
  • Blocking layer (electron blocking layer, hole blocking layer) >>
  • the blocking layer for example, electron blocking layer, hole blocking layer
  • the blocking layer for example, electron blocking layer, hole blocking layer
  • the thickness of the blocking layer according to the present invention is preferably 3 to: LOOnm, and more preferably 5 to 30 nm.
  • the hole blocking layer has the function of an electron transport layer, which is a material force that has the function of transporting electrons while transporting holes and is extremely small, and blocks holes while transporting electrons. By doing so, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.
  • Examples of the hole blocking layer include, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 11 204258 and 11 204359, and “The Organic EL Device and the Forefront of Industrialization (November 30, 1998, NTT Corporation)
  • the hole blocking (hole blocking) layer described in page 237 of “Issuance”) is applicable as the hole blocking layer according to the present invention.
  • the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.
  • the electron blocking layer has the function of a hole transport layer in a broad sense, and is a material force that has a function of transporting holes and an extremely small capacity of transporting electrons, and transports holes while transporting holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking the children.
  • the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the compound represented by the general formula (A) according to the present invention is also preferably used for an electron blocking layer.
  • the hole transport layer includes a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
  • the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers. [0190] There are no particular restrictions on the hole transport material. Conventionally, it has been used as a charge injection and transport material for holes in photoconductive materials. Any of known materials used for the layer can be selected and used.
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-1,4'-daminophenol; N, N' —Diphenyl N, N '— Bis (3-methylphenol) 1 [1, 1' — Biphenyl] 1, 4, 4 '— Diamine (TPD); 2, 2 Bis (4 di-p-tolylaminophenol 1, 1-bis (4 di-l-tri-laminophenol) cyclohexane; N, N, N ', N'—tetra-l-tolyl-1,4,4'-diaminobiphenyl; 1 Bis (4 di-p-triaminophenol) 4 Phenol mouth hexane; Bis (4-dimethylamino 2-methylphenol) phenylmethane; Bis (4-di-p-triaminophenol) phenol; N, N ' —Diphenyl N, N '—Di (4
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials as a polymer main chain can also be used.
  • inorganic compounds such as p-type—Si and p-type—SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
  • This hole transport layer is formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. be able to. Although there is no restriction
  • the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • the electron transport layer is a material force having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be a single layer or a plurality of layers.
  • the electron transport layer may have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer! /
  • any one of conventionally known compounds may be selected and used. it can.
  • electron transport materials examples include: -substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, and heterocyclic rings such as naphthalene perylene.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group is also used as an electron transport material. It can be done.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials as a polymer main chain can also be used.
  • metal complexes of 8 quinolinol derivatives such as tris (8 quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-1-8-quinolinol) aluminum, tris (5, 7-dive mouth) 8 quinolinol) aluminum, tris (2methyl 8quinolinol) aluminum, tris (5-methyl 8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc.
  • the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replacing Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as electron transport materials.
  • metal-free or metal phthalocyanine or those having a terminal substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as an electron transporting material.
  • the distyrylvirazine derivative exemplified as the material for the light-emitting layer can also be used as an electron transport material, and in the same manner as the hole injection layer and the hole transport layer, inorganic such as n-type 1 Si and n-type 1 SiC.
  • a semiconductor can also be used as an electron transport material.
  • the electron transport layer may be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction
  • This electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • the injection layer is provided as necessary, and has an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, exists between the anode and the light emitting layer or hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or electron transport layer. Hey.
  • the injection layer is a layer provided between the electrode and the organic layer in order to lower the driving voltage and improve the luminance of light emission.
  • the organic EL element and its industrial front line June 30, 1998) 2) Chapter 2 “Electrode materials” (pages 123-166) of “T's”)
  • anode buffer layer hole injection layer
  • a phthalocyanine buffer layer typified by phthalocyanine
  • an oxide buffer layer typified by vanadium oxide
  • an amorphous carbon buffer layer typified by vanadium oxide
  • a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyarine (emeraldine) or polythiophene Etc.
  • the buffer layer (injection layer) preferably has a very thin film thickness, but the film thickness is preferably in the range of 0.1 to LOOnm.
  • an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used.
  • electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as Cul, indium tin oxide (ITO), SnO, and ZnO.
  • ITO indium tin oxide
  • SnO indium tin oxide
  • ZnO ZnO.
  • An amorphous material such as ZnO) that can produce a transparent conductive film may be used.
  • these electrode materials can be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern of a desired shape can be formed by photolithography, or when the pattern accuracy is not so high (100 m About the above), when the above electrode material is deposited or sputtered A pattern may be formed through a mask having a shape.
  • the transmittance larger than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred ⁇ or less.
  • the film thickness is a force depending on the material.
  • the cathode according to the present invention a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof is used.
  • an electron injecting metal a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy a material having a low work function (4 eV or less) metal
  • an alloy referred to as an electron injecting metal
  • an alloy referred to as an electron injecting metal
  • an alloy an electrically conductive compound
  • a mixture thereof a mixture thereof.
  • electrode materials include sodium, sodium-powered rhodium alloy, magnesium, lithium, magnesium Z copper mixture, magnesium Z silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium Z indium mixture, aluminum Z acid aluminum (Al 2 O 3) mixture, indium, lithium
  • lithium Z aluminum mixture, aluminum and the like are suitable.
  • the substrate of the organic EL device of the present invention is not particularly limited as long as it is transparent or transparent, and there are no particular restrictions on the type of glass, plastic, etc.
  • Examples of substrates that are preferably used include glass, Examples thereof include quartz and a light-transmitting resin film.
  • the substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.
  • PC cellulose triacetate
  • TAC cellulose acetate propionate
  • the external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 2% or more.
  • the external extraction quantum efficiency (%) the number of photons emitted to the outside of the organic EL element.
  • a hue improving filter such as a color filter may be used in combination.
  • a film with a rough surface such as an anti-glare film
  • a film with a rough surface can be used in combination to reduce unevenness in light emission.
  • the organic EL element When used as a multicolor display device, the organic EL element having at least two different emission maximum wavelengths will be described. A preferred example of manufacturing the organic EL element will be described.
  • anode / hole injection layer / hole transport layer Z light emitting layer Z hole blocking layer Z electron transport layer Z cathode buffer layer Z method for producing organic EL device comprising Z cathode Will be described.
  • a desired electrode material for example, a thin film having a material force for an anode is formed on a suitable substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably 10 to 200 nm.
  • a thin film containing an organic compound such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, or an electron transport layer, which is a device material, is formed thereon.
  • a method for forming a thin film containing an organic compound there are a spin coat method, a cast method, an ink jet method, a vapor deposition method, a printing method, and the like. Vacuum vapor deposition or spin coating is particularly preferred because it is difficult to form. Further, different film forming methods may be applied for each layer. When using vapor deposition for film formation, The deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally the boat heating temperature
  • a thin film that also has a material force for the cathode is formed on the layer to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably in the range of 50 to 200 nm.
  • the desired organic EL device can be obtained by forming the cathode more and forming a cathode.
  • the organic EL element is preferably manufactured from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but it may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.
  • the display device of the present invention will be described.
  • the display device of the present invention has the organic EL element.
  • the display device of the present invention may be single color or multicolor, but here, the multicolor display device will be described.
  • a shadow mask is provided only when forming a light emitting layer, and a film can be formed on one side by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, etc.
  • the method is not limited, but the vapor deposition method, the ink jet method, and the printing method are preferable. In the case of using the vapor deposition method, patterning using a shadow mask is preferable. It is also possible to reverse the production order to produce a cathode, an electron transport layer, a hole blocking layer, a light emitting layer, a hole transport layer, and an anode in this order.
  • the organic EL device having the resonator structure may be used as the organic EL device having the resonator structure in the organic EL device of the present invention.
  • Examples include, but are not limited to, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, and light sources for optical sensors. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a display device constituted by an organic EL element cover.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.
  • the display 1 also includes a display unit A having a plurality of pixels and a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information.
  • the control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside. In accordance with the signal, light is emitted in sequence, image scanning is performed, and image information is displayed on display A.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A.
  • the display unit A includes a wiring unit including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6, a plurality of pixels 3 and the like on a substrate.
  • the main members of the display unit A will be described below.
  • the pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like.
  • Full-color display can be performed by using red, green, and blue light-emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 for a plurality of pixels and arranging them on the same substrate.
  • the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal.
  • the driving transistor 12 is turned on.
  • the drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and the organic EL element is connected from the power supply line 7 according to the potential of the image data signal applied to the gate. 10 is supplied with current.
  • the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the driving of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 holds the potential of the charged image data signal, so that the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied.
  • the organic EL device 10 continues to emit light until it is seen.
  • the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
  • the organic EL element 10 emits light by providing a switching transistor 11 and a driving transistor 12 as active elements for each of the organic EL elements 10 of each of the plurality of pixels, so that each of the plurality of pixels 3 has an organic EL.
  • the device 10 emits light.
  • Such a light emission method is called an active matrix method.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a display device using a passive matrix method.
  • a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a lattice shape so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.
  • the organic EL material according to the present invention can be applied to an organic EL element that emits substantially white light as a lighting device.
  • a plurality of light emitting materials emit light of a plurality of light emission colors at the same time to obtain white light emission by color mixing.
  • the combination of multiple emission colors may include three emission maximum wavelengths of the three primary colors of blue, green, and blue, or two using the relationship of complementary colors such as blue and yellow, blue green and orange, etc. The thing containing the light emission maximum wavelength may be used.
  • a combination of light emitting materials for obtaining a plurality of emission colors includes a combination of a plurality of phosphorescent or fluorescent materials, a light emitting material that emits fluorescence or phosphorescence, and a light emitting material strength.
  • a combination of a plurality of light emitting dopants may be mixed.
  • a mask is provided only when forming a light-emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, etc., and it is only necessary to arrange them separately, such as by coating with a mask. Since other layers are common, patterning of the mask, etc. is unnecessary.
  • an electrode film can be formed by a vapor deposition method, a cast method, a spin coating method, an ink jet method, a printing method, etc., and productivity is improved. According to this method, unlike a white organic EL device in which light emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array, the elements themselves are luminescent white.
  • the light emitting material used for the light emitting layer is not particularly limited.
  • the light emitting material according to the present invention is adapted so as to conform to the wavelength range corresponding to the CF (color filter) characteristics. Select any of the metal complexes and known light-emitting materials and combine them to whiten.
  • the white light-emitting organic EL device is not only the display device and the display, but also a variety of light-emitting light sources and lighting devices, such as home lighting, interior lighting, and exposure light source. It is also useful for display devices such as lamps for liquid crystal displays and knock lights.
  • backlights for watches, signboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electronic photocopiers, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, and display devices are required. And a wide range of uses such as general household appliances.
  • a ITO substrate 100 mm X 100 mm X I. 1 mm thick ITO (Indium Toxide) filmed on lOOnm substrate ( ⁇ Techno Glass Co., Ltd. ⁇ 45) was patterned, and then this ITO transparent electrode was provided.
  • the transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
  • This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system, while 200 mg of ⁇ NPD is placed in a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of CBP as a host compound is placed in another molybdenum resistance heating boat.
  • an electron transport layer that also serves as a hole blocking function with a film thickness of lOnm was provided by energizing and heating the heating boat containing BCP and depositing on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nmZsec. .
  • the heating boat containing Alq is further energized and heated.
  • an electron injection layer having a thickness of 40 nm was formed by vapor deposition on the electron transport layer at a deposition rate of 0. InmZsec.
  • the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
  • the CBP used as the host compound in the light emitting layer was replaced with the compound shown in Table 2 or Table 3 to obtain the host compound, and the light emission.
  • the compound shown in Table 2 or Table 3 is used as a dopant compound for the layer.
  • Organic EL devices 1-2 to 1-41 were produced in the same manner except that the punt compound was used. The structure of the compound used above is shown below.
  • the fabricated organic EL devices 11 to 141 were evaluated as follows, and the results are shown in Tables 2 and 3.
  • the external extraction quantum efficiency (%) was measured when a constant current of 2.5 mA / cm 2 was applied in a dry nitrogen gas atmosphere at 23 ° C.
  • a spectral radiation luminance meter CS-1000 manufactured by Ko-Force Minolta was used.
  • the ITO transparent electrode was placed on a 100 mm X 100 mm X 1.1 mm glass substrate with ITO (indium tin oxide) deposited on a lOOnm substrate ( ⁇ Techno Glass Co., Ltd. ⁇ 45) as an anode.
  • the transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
  • This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system, while 200 mg of a-NPD is placed in a molybdenum resistance heating boat, and an example compound as an electron blocking compound in another molybdenum resistance heating boat.
  • the heating boat containing CBP and Exemplified Compound 1-1 was energized and heated, and co-deposited on the hole transport layer at a deposition rate of 0.2 nmZsec and 0.012 nmZsec, respectively, to emit light with a thickness of 40 nm.
  • a layer was provided.
  • the substrate temperature during vapor deposition was room temperature.
  • an electron transport layer that also serves as a hole blocking function with a film thickness of lOnm is formed by energizing and heating the heating boat containing BCP and depositing it on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec. Provided.
  • the heating boat containing Alq is further energized and heated for vapor deposition.
  • An electron injection layer having a thickness of 40 nm was further formed by vapor deposition on the electron transport layer at a speed of 0.1 nm / sec.
  • the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
  • the produced organic EL devices 2-1 to 2-45 were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 4 and Table 5.
  • Removable element Remarks Blocking layer compound HOMO (eV) LUM0 (eV) Compound T1 (nm) Tg (° C)
  • T 1 One phosphorescent band
  • the organic EL device 114 of Example 1 was used as a blue light emitting device.
  • a green light emitting device was produced in the same manner as in the organic EL device 1-14 of Example 1, except that the host compound was changed to CBP and the dopant was changed to Ir—l, and this was used as the green light emitting device.
  • a red light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the host compound was changed to CBP and the dopant was changed to Ir-9 in the organic EL device 1-14 of Example 1, and this was used as a red light emitting device. Using.
  • FIG. 2 shows only a schematic view of the display portion A of the display device thus manufactured. That is, on the same substrate, a wiring portion including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of juxtaposed pixels 3 (light emitting color pixels in red region, green region pixels, blue region pixels, etc.
  • the scanning line 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning line 5 and the data line 6 are orthogonal to each other in a grid shape and are connected to the pixel 3 at the orthogonal position.
  • This full-color display device has a high luminance and high durability by being driven, and a clear full-color moving image display can be obtained.
  • the electrode of the transparent electrode substrate of Example 1 was patterned to 20 mm x 20 mm, and ⁇ -NPD was deposited to a thickness of 40 nm as a hole injection Z transport layer on the same as in Example 1, and further illustrated
  • the heating boat containing Compound H-19, the boat containing Exemplified Compound 12 and the boat containing Ir 9 are energized independently, and Exemplified Compound H-19 and Luminescent Dopant as a luminescent host
  • the vapor deposition rate of Exemplified Compound 1 2 and Ir 9 was adjusted to be 100: 5: 0.6, and was deposited to a thickness of 30 nm to provide a light emitting layer.
  • a hole blocking layer was formed by depositing BCP with lOnm. Furthermore, Alq is deposited at 40nm
  • An electron transport layer was provided.
  • Example 2 Next, in the same manner as in Example 1, a square perforated mask having substantially the same shape as the transparent electrode made of stainless steel was placed on the electron injection layer, and lithium fluoride 0.5 nm and the cathode were used as a cathode buffer layer. As a film, 150 nm of aluminum was deposited. A flat lamp having a sealing structure having the same method and the same structure as that of Example 1 was fabricated for this device. When this flat lamp was energized, almost white light was obtained and it was possible to use it as a lighting device.

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Abstract

　本発明は、高い発光効率を示し、長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置、表示装置を提供する。この有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板上に電極と少なくとも１層以上の有機層を有し、該有機層の少なくとも１層は燐光性化合物とホスト化合物を含有する発光層であり、該燐光性化合物のＨＯＭＯが－５．１５～－３．５０ｅＶ、かつＬＵＭＯが－１．２５～＋１．００ｅＶであり、該ホスト化合物のリン光の０－０バンドが４６０ｎｍ以下、かつガラス転位点が６０°C以上であることを特徴とする。

Description

明 細 書
有機エレクト口ルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
技術分野
[0001] 本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス素子、及び該有機エレクト口ルミネッセンス 素子を用いた表示装置、照明装置に関する。
背景技術
[0002] 従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクト口ルミネッセンスディスプレ ィ（ELD)がある。 ELDの構成要素としては、無機エレクト口ルミネッセンス素子や有 機エレクト口ルミネッセンス素子（以下、有機 EL素子ともいう）が挙げられる。無機エレ タトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させ るためには交流の高電圧が必要である。
[0003] 一方、有機 EL素子は発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構 成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子 (ェキ シトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光'リン光)を利用し て発光する素子であり、数 V〜数十 V程度の電圧で発光が可能であり、さらに自己発 光型であるために視野角に富み、視認性が高ぐ薄膜型の完全固体素子であるため に省スペース、携帯性等の観点から注目されて 、る。
[0004] 今後の実用化に向けた有機 EL素子の開発としては、さらに低消費電力で、効率よ く高輝度に発光する有機 EL素子が望まれているわけであり、例えば、スチルベン誘 導体、ジスチリルァリーレン誘導体またはトリススチリルァリーレン誘導体に、微量の 蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成する技術 (例えば、特 許文献 1参照。）、 8—ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホストイ匕合物として、これ に微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子 (例えば、特許文献 2参照。 ) 、 8—ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホストイ匕合物として、これにキナクリドン系 色素をドープした有機発光層を有する素子 (例えば、特許文献 3参照。）等が知られ ている。
[0005] 上記特許文献に開示されている技術では、励起一重項からの発光を用いる場合、 一重項励起子と三重項励起子の生成比が 1： 3であるため発光性励起種の生成確率 が 25%であることと、光の取り出し効率が約 20%であるため、外部取り出し量子効率 ( η ext)の限界は 5%とされている。
[0006] ところが、プリンストン大より、励起三重項からのリン光発光を用いる有機 EL素子の 報告 (例えば、非特許文献 1参照。）がされて以来、室温でリン光を示す材料の研究 が活発になってきている (例えば、非特許文献 2参照。 )0励起三重項を使用すると、 内部量子効率の上限が 100%となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発 光効率が 4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用にも応用可能であり 注目されている。例えば、多くの化合物力イリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合 成検討がなされている (例えば、非特許文献 3参照。 )0
[0007] また、ドーパントとしてトリス（2—フエニルピリジン)イリジウムを用いた検討がなされ ている（例えば、非特許文献 2参照。 )0その他、ドーパントとして L Ir (acac)、例えば
2
、 (ppy) Ir(acac) (例えば、非特許文献 4参照。）を、またドーパントとして、トリス（2
2
リ 3 ^ ^
(bzq) )、 Ir(bzq) ClP (Bu)を用いた検討 (例えば、非特許文献 5参照。）、また、フ
3 2 3
ェニルビラゾールを配位子に用いたイリジウム錯体等を用いた検討 (例えば、特許文 献 4参照。）が行われている。
[0008] これら代表的なりん光青色ドーパントである FIrpicは、主配位子のフエ-ルビリジン にフッ素置換をすること、及び副配位子としてピコリン酸を用いることにより短波化が 実現されている。副配位子としてはその他にも、ビラザボール系の配位子を導入する ことにより、発光波長が短波化することが知られている（例えば、特許文献 4参照。 )0 これらのドーパントは力ルバゾール誘導体ゃトリアリールシラン類をホストイ匕合物として 組み合わせることによって高効率の素子を達成しているが、素子の発光寿命は大幅 に劣化するため、そのトレードオフの改善が求められていた。
[0009] 上記青色ドーパントは!、ずれも該ドーパント材料の最高占有軌道（以下、 HOMOと 略す)準位及び該ドーパント材料の最低空軌道（以下、 LUMOと略す)準位の低 ヽ タイプの化合物である。代表的なりん光緑色ドーパントである Ir (ppy)に比較すると、
3
HOMO, LUMO準位の値は共に約 leV程度低くなつている。青色ドーパントとして 、 HOMO, LUMO準位の低いタイプの化合物は知られている力 HOMO, LUM
O準位の高いタイプの化合物は報告例が少ない。最近、 HOMO、 LUMO準位が高 いタイプの青色ドーパントが報告されたが（特許文献 5、 6)、これらは効率と寿命の点 で不十分であり、さらなる高効率化と長寿命化が課題である。
特許文献 1：特許第 3093796号公報
特許文献 2：特開昭 63 - 264692号公報
特許文献 3 :特開平 3— 255190号公報
特許文献 4:国際公開第 04Z085450号パンフレット
特許文献 5 :米国公開特許 2004Z0048101号明細書
特許文献 6：国際公開第 04Z085450号パンフレット
非特許文献 1 : M. A. Baldo et al. , nature, 395卷、 151— 154ページ（1998 年）
非特許文献 2 : M. A. Baldo et al. , nature, 403卷、 17号、 750— 753ページ（ 2000年）
非特許文献 3 : S. Lamansky et al. , J. Am. Chem. Soc. , 123卷、 4304ぺー ジ（2001年）
非特許文献 4: M. E. Tompson et al. , The 10th International Worksho p on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL ' 00、浜松) 非特許文献 5 : Moon— Jae Youn. Og, Tetsuo Tsutsui et al. , The 10th I nternational Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescen ce (EL，00、浜松）
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0010] 本発明の目的は、高い発光効率を示し、長寿命である有機エレクト口ルミネッセンス 素子及びそれを用いた照明装置、表示装置を提供することである。
課題を解決するための手段
[0011] 本発明の上記課題は、以下の構成により達成された。
[0012] 1.基板上に電極と少なくとも 1層以上の有機層を有する有機エレクト口ルミネッセン ス素子において、該有機層の少なくとも 1層は燐光性ィ匕合物とホストイ匕合物を含有す る発光層であり、該燐光性化合物の HOMOがー 5. 15〜一 3. 50eV、かつ LUMO がー 1. 25〜+ 1. OOeVであり、該ホスト化合物のリン光の 0— 0バンド力 60nm以 下、かつガラス転位点が 60°C以上であることを特徴とする有機エレクト口ルミネッセン ス素子。
[0013] 2.前記燐光性化合物の HOMOがー 4. 80〜一 3. 50eV、かつ LUMOがー 0. 8 0〜 + 1. OOeVであることを特徴とする 1に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0014] 3.前記燐光性ィ匕合物が下記一般式 (A)で表されることを特徴とする 1または 2に記 載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0015] [化 1] 一般式 (A)
Figure imgf000005_0001
[0016] (式中、 Rは置換基を表す。 Zは 5〜7員環を形成するのに必要な非金属原子群を表
1
す。 nlは 0〜5の整数を表す。 B 〜Bは炭素原子、窒素原子、酸素原子もしくは硫
1 5
黄原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。 M
1は元素周期表における 8族〜 1
0族の金属を表す。 X及び Xは炭素原子、窒素原子もしくは酸素原子を表し、 Lは X
1 2 1 及び Xとともに 2座の配位子を形成する原子群を表す。 mlは 1〜3の整数を表し、
1 2
m2は 0〜2の整数を表す力 ml +m2は 2または 3である。 )
4.前記一般式 (A)で表される燐光性ィ匕合物において、 m2が 0であることを特徴と する 1〜3のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0017] 5.前記一般式 (A)で表される燐光性ィ匕合物において、 B 〜Bで形成される含窒
1 5
素複素環力 ミダゾール環であることを特徴とする 1〜4のいずれか 1項に記載の有 機エレクト口ルミネッセンス素子。 [0018] 6.前記一般式 (A)が、下記一般式 (B)で表されることを特徴とする 1〜5のいずれ 力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0019] [化 2] 一般式B)
Figure imgf000006_0001
[0020] 〔式中、 R、 R、 Rは置換基を表す。 Zは 5〜7員環を形成するのに必要な非金属原
1 2 3
子群を表す。 nlは 0〜5の整数を表す。 Mは元素周期表における 8族〜 10族の金
1
属を表す。 X
1および X
2は炭素原子、窒素原子もしくは酸素原子を表し、 L
1は X
1およ び Xとともに 2座の配位子を形成する原子群を表す。 mlは 1、 2または 3の整数を表
2
し、 m2は 0、 1または 2の整数を表す力 ml +m2は 2または 3である。〕
7.前記一般式 (B)において、 Rで表される置換基が下記一般式 (C)で表されるこ
2
とを特徴とする 6に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0021] [化 3] 一般式 (C)
Figure imgf000006_0002
[0022] 〔式中、 Rは立体パラメータ値 (Es値）がー 0. 5以下の置換基を表す。 Rは置換基を
4 5 表し、 n5は 0〜4の整数を表す。尚、式中 *は結合位置を示す。〕
8.前記ホストイ匕合物が下記一般式（1)で表されることを特徴とする 1〜7のいずれ 力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0023] [化 4] 一般式 ("
Figure imgf000007_0001
[0024] (R は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 R、 Rは水素原子、置換
la 1 2
基を表し、 nl、 n2は 0〜4の整数を表す。 )
9.前記ホストイ匕合物が下記一般式（2)で表されることを特徴とする 1〜7のいずれ 力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0025] [化 5] 一般式 (2)
Figure imgf000007_0002
[0026] (R、 Rは水素原子、置換基を表し、 Rは置換基を表し、 Lは 2価の連結基を表し、 n
1 2 3 1
1、 n2は 0〜4の整数を表し、 mlは 0〜5の整数を表す。）
10.前記ホストイ匕合物が下記一般式（3)で表されることを特徴とする 1〜7のいずれ 力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0027] [化 6] 一般式 (3}
Figure imgf000008_0001
[0028] (R、 R、 Rは水素原子、置換基を表し、 Lは 2価の連結基を表し、 Arは芳香族基、
1 2 4 3 1 複素環基を表し、 nl〜n3は 0〜4の整数を表し、 m3は 0または 1を表す。）
11.前記ホストイ匕合物が下記一般式 (4)で表されることを特徴とする 1〜7の 、ずれ 力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0029] [化 7]
'般式 <4》
Figure imgf000008_0002
[0030] (R
laは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 R、 R
1 2は置換基を表し、 L は 2価の連結基を表し、 Arは芳香族基、複素環基を表し、 nl、 n2は 0〜4の整数を
3 1
表し、 m3は 0または 1を表す。）
12.前記ホストイ匕合物が下記一般式（5)で表されることを特徴とする 1〜7のいずれ 力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0031] [化 8]
Figure imgf000009_0001
[0032] (R は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 R、 Rは水素原子、置換 la 1 2
基を表し、 Lは 2価の連結基を表し、 Arは芳香族基、複素環基を表し、 nlは 0〜4の
3 1
整数を表し、 n2は 0〜3の整数を表し、 m3は 0または 1を表す。）
13.前記ホストイ匕合物が下記一般式 (6)で表されることを特徴とする 1〜7のいずれ 力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0033] [化 9] 一般式 (6》
Figure imgf000009_0002
[0034] (R は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 R、 R、 Rは水素原子、 la 1 2 5
置換基を表し、 Lは 2価の連結基を表し、 Arは芳香族基、複素環基を表し、 nl、 n4
4 1
は 0〜4の整数を表し、 n2は 0〜3の整数を表し、 m4は 0または 1を表す。 )
14.前記ホストイ匕合物が下記一般式（7)で表されることを特徴とする 1〜7のいずれ 力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0035] [化 10] 一般式 (7)
Figure imgf000010_0001
[0036] (R、 R、 Raは水素原子、置換基を表し、 nl、 n2、 naは 0〜4の整数を表し、 Xは NR
1 2
b、 S、 Oを表す。 )
15.一般式（3)〜（6)における Arlが、カルバゾリル基であることを特徴とする 8〜1
3のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0037] 16.前記ホストイ匕合物のガラス転移点が 90°C以上であることを特徴とする 1〜15の いずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0038] 17.前記ホストイ匕合物のガラス転移点が 130°C以上であることを特徴とする 1〜15 のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0039] 18.前記ホストイ匕合物のガラス転移点が 160°C以上であることを特徴とする 1〜15 のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[0040] 19.電子阻止層を有することを特徴とする 1〜18のいずれか 1項に記載の有機ェ レクト口ルミネッセンス素子。
[0041] 20. 白色に発光することを特徴とする 1〜19のいずれか 1項に記載の有機エレクト ロノレミネッセンス素子。
[0042] 21. 1〜20のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を備えたこと を特徴とする表示装置。
[0043] 22. 1〜20のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を備えたこと を特徴とする照明装置。
[0044] 23. 22に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子を備えたことを特徴とする表 示装置。
発明の効果 [0045] 本発明によれば、高 、発光効率を示し、長寿命である有機エレクト口ルミネッセンス 素子及びそれを用いた照明装置、表示装置を提供することができる。
図面の簡単な説明
[0046] [図 1]有機 EL素子力 構成される表示装置の一例を示した模式図である。
[図 2]表示部の模式図である。
[図 3]画素の模式図である。
[図 4]パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。
[図 5]照明装置の概略図である。
[図 6]照明装置の断面図である。
符号の説明
[0047] 1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10 有機 EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 馬区動トランジスタ
13 コンデンサ
A 表示部
B 制御部
107 透明電極付きガラス基板
106 有機 EL層
105 陰極
102 ガラスカバー
108 窒素ガス
109 捕水剤
発明を実施するための最良の形態 [0048] 本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、
本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子においては、請求の範囲第 1項〜第 23 項のいずれか 1項に規定の構成にすることにより、発光効率が高ぐまた発光寿命の 長い有機エレクト口ルミネッセンス素子を得ることができた。さらに、前記特性を示す 有機 EL素子を用いて、高輝度、高寿命の表示装置、照明装置を得ることができた。
[0049] 以下、本発明の各構成要件について詳細に説明する。
[0050] 〔燐光性化合物〕
本発明に係る発光層に用いられる燐光性ィ匕合物は、 HOMOが— 5. 15〜一 3. 5 OeV、かつ LUMOが— 1. 25〜+ 1. OOeVであることが特徴である。好ましくは HO MO力 S— 4. 80〜一 3. 50eV、力つ: LUMO力 S— 0. 80〜+ 1. OOeVである。
[0051] 本発明にお 、て、 HOMO、 LUMOの値は、米国 Gaussian社製の分子軌道計算 用ソフトウェアである Gaussian98 (Gaussian98、 Revision A. 11. 4, M. J. Fris ch, et al, Gaussian, Inc. , Pittsburgh PA, 2002. )を用いて計算した時の値 であり、キーワードとして B3LYPZLanL2DZを用いて構造最適化を行うことにより 算出した値 (eV単位換算値)と定義する。この計算値が有効な背景には、この手法で 求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
[0052] (一般式 (A)で表される燐光性ィ匕合物）
本発明にお 、ては、前記燐光性化合物として前記一般式 (A)で表される燐光性化 合物が好ましい。
[0053] 本発明に係る一般式 (A)で表される燐光性ィ匕合物において、 Rで表される置換基
1
としては、例えばアルキル基 (例えば、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル 基、 tert—ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ォクチル基、ドデシル基、トリデシル 基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基 (例えば、シクロペンチル 基、シクロへキシル基等）、アルケニル基 (例えば、ビニル基、ァリル基等）、アルキ- ル基 (例えば、ェチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素環基 (芳香族炭素 環基、ァリール基等ともいい、例えば、フエニル基、 p—クロ口フエ二ル基、メシチル基 、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、ァズレニル基、ァセナフテュル基、 フルォレ -ル基、フエナントリル基、インデュル基、ピレ-ル基、ビフヱ-リル基等）、 芳香族複素環基 (例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾ リル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ビラジニル基、トリァゾリル基 (例えば
、 1, 2, 4—トリァゾール— 1—ィル基、 1, 2, 3—トリァゾール— 1—ィル基等）、ォキ サゾリル基、ベンゾォキサゾリル基、チアゾリル基、イソォキサゾリル基、イソチアゾリル 基、フラザ-ル基、チェ-ル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベン ゾチェ-ル基、ジベンゾチェ-ル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、 ジァザカルバゾリル基 (前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一 つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジ -ル基、トリア ジニル基、キナゾリニル基、フタラジュル基等）、複素環基 (例えば、ピロリジル基、イミ ダゾリジル基、モルホリル基、ォキサゾリジル基等）、アルコキシ基 (例えば、メトキシ基 、エトキシ基、プロピルォキシ基、ペンチルォキシ基、へキシルォキシ基、ォクチルォ キシ基、ドデシルォキシ基等）、シクロアルコキシ基 (例えば、シクロペンチルォキシ基 、シクロへキシルォキシ基等）、ァリールォキシ基 (例えば、フエノキシ基、ナフチルォ キシ基等）、アルキルチオ基 (例えば、メチルチオ基、ェチルチオ基、プロピルチオ基 、ペンチルチオ基、へキシルチオ基、ォクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロア ルキルチオ基 (例えば、シクロペンチルチオ基、シクロへキシルチオ基等）、ァリール チォ基 (例えば、フエ-ルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基 (例 えば、メチルォキシカルボ-ル基、ェチルォキシカルボ-ル基、ブチルォキシカルボ -ル基、ォクチルォキシカルボ-ル基、ドデシルォキシカルボ-ル基等）、ァリールォ キシカルボ-ル基（例えば、フエ-ルォキシカルボ-ル基、ナフチルォキシカルボ- ル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホ -ル基、メチルアミノスルホ -ル基、 ジメチルアミノスルホ -ル基、ブチルアミノスルホ -ル基、へキシルアミノスルホ -ル基 、シクロへキシルアミノスルホ -ル基、ォクチルアミノスルホ -ル基、ドデシルアミノスル ホ-ル基、フエ-ルアミノスルホ -ル基、ナフチルアミノスルホ -ル基、 2—ピリジルァ ミノスルホ -ル基等）、ァシル基 (例えば、ァセチル基、ェチルカルボ-ル基、プロピ ルカルボニル基、ペンチルカルボ-ル基、シクロへキシルカルボ-ル基、ォクチルカ ルボニル基、 2—ェチルへキシルカルボ-ル基、ドデシルカルポ-ル基、フエ二ルカ ルボニル基、ナフチルカルボ-ル基、ピリジルカルボ-ル基等）、ァシルォキシ基（例 えば、ァセチルォキシ基、ェチルカルボ-ルォキシ基、ブチルカルボ-ルォキシ基、 ォクチルカルボ-ルォキシ基、ドデシルカルボ-ルォキシ基、フエ-ルカルポ-ルォ キシ基等）、アミド基 (例えば、メチルカルボニルァミノ基、ェチルカルボニルァミノ基、 ジメチルカルボ-ルァミノ基、プロピルカルボ-ルァミノ基、ペンチルカルボ-ルァミノ 基、シクロへキシルカルボ-ルァミノ基、 2—ェチルへキシルカルボ-ルァミノ基、オタ チルカルボ-ルァミノ基、ドデシルカルポ-ルァミノ基、フエ-ルカルポ-ルァミノ基、 ナフチルカルボニルァミノ基等）、力ルバモイル基 (例えば、ァミノカルボ-ル基、メチ ルァミノカルボ-ル基、ジメチルァミノカルボ-ル基、プロピルァミノカルボ-ル基、ぺ ンチルァミノカルボ-ル基、シクロへキシルァミノカルボ-ル基、ォクチルァミノカルボ -ル基、 2—ェチルへキシルァミノカルボ-ル基、ドデシルァミノカルボ-ル基、フエ -ルァミノカルボ-ル基、ナフチルァミノカルボ-ル基、 2—ピリジルァミノカルボ-ル 基等）、ウレイド基 (例えば、メチルウレイド基、ェチルウレイド基、ペンチルゥレイド基
、シクロへキシルウレイド基、ォクチルゥレイド基、ドデシルウレイド基、フエ-ルゥレイ ド基ナフチルウレイド基、 2—ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィエル基 (例えば、メ チルスルフィ-ル基、ェチルスルフィ-ル基、ブチルスルフィ-ル基、シクロへキシル スルフィエル基、 2—ェチルへキシルスルフィエル基、ドデシルスルフィ-ル基、フエ ニルスルフィ-ル基、ナフチルスルフィ-ル基、 2—ピリジルスルフィエル基等）、アル キルスルホ -ル基（例えば、メチルスルホ -ル基、ェチルスルホ -ル基、ブチルスル ホ-ル基、シクロへキシルスルホ -ル基、 2—ェチルへキシルスルホ -ル基、ドデシ ルスルホニル基等）、ァリールスルホ -ル基またはへテロアリールスルホ -ル基（例え ば、フエ-ルスルホ-ル基、ナフチルスルホ-ル基、 2—ピリジルスルホ -ル基等）、 アミノ基 (例えば、アミノ基、ェチルァミノ基、ジメチルァミノ基、プチルァミノ基、シクロ ペンチルァミノ基、 2—ェチルへキシルァミノ基、ドデシルァミノ基、ァ-リノ基、ナフチ ルァミノ基、 2—ピリジルァミノ基等）、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、 シリル基 (例えば、トリメ
チルシリル基、トリイソプロビルシリル基、トリフ -ルシリル基、フ -ルジェチルシリ ル基等)等が挙げられる。
これらの置換基のうち、好ましいものはアルキル基もしくはァリール基である。 [0055] Zは 5〜7員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。 Zにより形成される 5〜 7員環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピロ一 ル環、チオフ ン環、ピラゾール環、イミダゾール環、ォキサゾール環及びチアゾール 環等が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、ベンゼン環である。
[0056] B〜Bは炭素原子、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を表し、少なくとも一つ
1 5
は窒素原子を表す。これら 5つの原子により形成される芳香族含窒素複素環としては 単環が好ましい。例えば、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリァゾール環 、テトラゾール環、ォキサゾール環、イソォキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾ ール環、ォキサジァゾール環及びチアジアゾ一環ル等が挙げられる。これらのうちで 好ましいものは、ピラゾール環、イミダゾール環であり、さらに好ましくはイミダゾール 環である。これらの環は上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。置換基 として好ましいものはアルキル基及びァリール基であり、さらに好ましくは、置換アル キル基及び無置換ァリール基である。
[0057] Lは X、 Xと共に 2座の配位子を形成する原子群を表す。 X— L—Xで表される 2
1 1 2 1 1 2 座の配位子の具体例としては、例えば、置換または無置換のフエ-ルビリジン、フエ -ルピラゾール、フエ-ルイミダゾール、フエ-ルトリァゾール、フエ-ルテトラゾール、 ビラザボール、ピコリン酸及びァセチルアセトン等が挙げられる。
[0058] これらの基は上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。
[0059] mlは 1〜3の整数を表し、 m2は 0〜2の整数を表す力 ml +m2は 2または 3であ る。中でも、 m2は 0である場合が好ましい。
[0060] Mで表される金属としては、元素周期表の 8族〜 10族の遷移金属元素（単に遷移
1
金属ともいう）が用いられるが、中でも、イリジウム、白金が好ましぐさらに好ましくはィ リジゥムである。
[0061] なお、一般式 (A)で表される燐光性ィ匕合物は、重合性基または反応性基を有して いてもいなくてもよい。
[0062] また、前記一般式（1)にお 、て、 B される含窒素複素環はイミダゾール
1〜Bで形成
5
環であることが好ましい。
[0063] また、 B〜Bで形成される含窒素複素環力イミダゾール環の場合、前記一般式 (A )は前記一般式 (B)で表されることがより好ま 、。
[0064] 一般式 (B)にお 、て、 R、 R、 Rは置換基を表す。 Zは 5〜7員環を形成するの
1 2 3
に必要な非金属原子群を表す。 nlは 0〜5の整数を表す。 Mは元素周期表におけ
1
る 8
族〜 10族の金属を表す。 Xおよび Xは炭素原子、窒素原子もしくは酸素原子を表し
1 2
、 Lは Xおよび Xとともに 2座の配位子を形成する原子群を表す。 mlは 1、 2または
1 1 2
3の整数を表し、 m2は 0、 1または 2の整数を表す力 ml +m2は 2または 3である。
[0065] 一般式 (B)にお 、て、 R、 R、 Rで表される置換基は前記一般式 (A)における R
1 2 3 1 で表される置換基と同義である。また、 Z、 M、 Xおよび X、 L等についても前記
1 1 2 1 一 般式 (A)におけるものと同義である。また、 ml、 m2も同義である。
[0066] また、一般式 (B)の Rで表される基として、芳香族炭化水素環基 (芳香族炭素環基
2
)が好ましぐなかでも置換ァリール基が好ましぐ置換ァリールとして下記一般式 (C) で表される基が好ましい。
[0067] [化 11] 一般式 (3)
Figure imgf000016_0001
[0068] 一般式 (C)において、 Rは、立体パラメータ値 (Es値）が— 0. 5以下の置換基を表
4
す。 Rは Rと同じで、 n5は 0〜4の整数を表す。尚、 *は結合位置を表す。
5 1
[0069] ここで、 Es値とは化学反応性より誘導された立体パラメータであり、この値が小さけ れば小さ!/、ほど立体的に嵩高 、置換基と!/、うことができる。
[0070] 以下、 Es値にっ 、て説明する。一般に、酸性条件下でのエステルの加水分解反応 にお!/、ては、置換基が反応の進行に対して及ぼす影響は立体障害だけと考えてよ いことが知られており、この事を利用して置換基の立体障害を数値ィ匕したものが Es値 である。
[0071] 例えば置換基 Xの Es値は、次の化学反応式 X-CH COOR +H 0→X— CH COOH+R OH
2 X 2 2 X
で表される、酢酸のメチル基の水素原子 1つを置換基 Xで置換した α位モノ置換酢 酸から誘導される α位モノ置換酢酸エステルを酸性条件下で加水分解する際の反 応速度定数 kXと、次の化学反応式
CH COOR +H 0→CH COOH+R OH
3 Y 2 3 Υ
(Rは Rと同じである）で表される、上記の α位モノ置換酢酸エステルに対応する酢
X Υ
酸エステルを酸性条件下で加水分解する際の反応速度定数 kHカゝら次の式で求めら れる。
[0072] Es = log (kX/kH)
置換基 Xの立体障害により反応速度は低下し、その結果 kXく kHとなるので Es値 は通常負となる。実際に Es値を求める場合には、上記の二つの反応速度定数 kXと k Hを求め、上記の式により算出する。
[0073] Es値の具体的な例は、 Unger, S. H. , Hansch, C. , Prog. Phys. Org. Che m. , 12, 91 (1976)に詳しく記載されている。また、『薬物の構造活性相関』 (化学 の領域増刊 122号、南江堂）、「American Chemical Society Professional Reference Book, ' Exploring QSAR' p. 81 Table 3— 3」にも、その具体的 な数値の記載がある。次にその一部を表 1に示す。
[0074] [表 1]
Figure imgf000018_0001
[0075] ここで、注意するのは本明細書で定義するところの Es値は、メチル基のそれを 0とし て定義したのではなぐ水素原子を 0としたものであり、メチル基を 0とした Es値から 1 . 24を差し引いたものである。
[0076] 本発明において Rは、立体パラメータ値 (Es値）がー 0. 5以下の置換基を表す。
4
好ましくは 7. 0以上 0. 6以下であり、最も好ましくは 7. 0以上 1. 0以下であ る。
[0077] また、本発明にお 、ては、 Rに、例えば、ケトーエノール互変異性体が存在し得る
4
場
合、ケト部分はェノールの異性体として Es値を換算している。他の互変異性が存在 する場合も同様の換算方法において Es値を換算する。
[0078] 以下に一般式 (A)、また一般式 (B)で表される燐光性化合物の具体的な例を挙げ る力 S、本発明はこれらに限定されるものではない。
[0079] [化 12] [ετ^ ] [0800]
Figure imgf000019_0001
Figure imgf000020_0001
809SS0/.00Zdf/X3d
Figure imgf000021_0001
[0082] [化 15]
Figure imgf000022_0001
[0083] [化 16]
Figure imgf000023_0001
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000024_0002
3S [6ΐ^ ] [9800]
Figure imgf000025_0001
z 6 80動 OAV [OZ^ [ 800]
Figure imgf000026_0001
93 6 80動 OAV
Figure imgf000027_0001
Figure imgf000027_0002
Figure imgf000027_0003
τι» [0089] これらの金属錯体は、例えば、 Organic Letter誌， vol3, No. 16, 2579〜258 1頁（2001)、 Inorganic Chemistry,第 30卷，第 8号， 1685〜1687頁（1991年
J. Am. Chem. Soc. , 123卷， 4304頁（2001年）、 Inorganic Chemistry, 第 40卷，第 7号， 1704〜1711頁（2001年）、 Inorganic Chemistry,第 41卷， 第 12号， 3055〜3066頁（2002年）、 New Journal of Chemistry,第 26卷， 1 171頁（2002年）、 European Journal of Organic Chemistry,第 4卷， 695 〜709頁（2004年）、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用する こと〖こより合成できる。
[0090] 〔ホストイ匕合物〕
本発明に係る発光層に用いられるホストイ匕合物は、併用される発光ドーパントのリン 光 0— 0バンドよりも短波長な 0— 0バンドをもつ化合物が好ましく、リン光の 0— 0バン ドが 460nm以下であることが特徴である。リン光の 0— 0バンドは、 450nm以下が好 ましぐ 440nm以下がより好ましぐ 430nm以下がさらに好ましい。
[0091] 本発明におけるリン光の 0— 0バンドの測定方法について説明する。まず、リン光ス ベクトルの測定方法につ!、て説明する。
[0092] 測定する発光ホストイ匕合物を、よく脱酸素されたエタノール Zメタノール =4Zl (vo lZvol)の混合溶媒に溶かし、リン光測定用セルに入れた後、液体窒素温度 77° K で励起光を照射し、励起光照射後 100msでの発光スペクトルを測定する。リン光は 蛍光に比べ発光寿命が長いため、 100ms後に残存する光はほぼリン光であると考え ることができる。なお、リン光寿命が 100msより短い化合物に対しては遅延時間を短 くして測定しても構わないが、蛍光と区別できなくなるほど遅延時間を短くしてしまうと 、リン光と蛍光が分離できないので問題となるため、その分離が可能な遅延時間を選 択する必要がある。
[0093] また、上記溶剤系で溶解できな 、ィ匕合物にっ 、ては、その化合物を溶解しうる任意 の溶剤を使用してもよい (実質上、上記測定法ではリン光波長の溶媒効果はごくわず かなので問題ない）。
[0094] 次に 0— 0バンドの求め方である力 本発明においては、上記測定法で得られたリ ン光スペクトルチャートの中で最も短波長側に現れる発光極大波長をもって 0— 0バ ンドと定義する。
[0095] リン光スペクトルは通常強度が弱いことが多いため、拡大するとノイズとピークの判 別が難しくなるケースがある。このような場合には励起光照射直後の発光スペクトル（ 便宜上これを定常光スペクトルと言う）を拡大し、励起光照射後 100ms後の発光スぺ タトル (便宜上これをリン光スペクトルと言う）と重ね合わせ、リン光スペクトルに由来す る定常光スペクトル部分力もピーク波長を読みとることで決定することができる。また、 リン光スペクトルをスムージング処理することでノイズとピークを分離し、ピーク波長を 読みとることもできる。なお、スムージング処理としては、 Savitzky&Golayの平滑化 法等を適用することができる。
[0096] 本発明に係る発光層に用いられるホストイ匕合物は、ガラス転位点が 60°C以上であ ることが特徴である。ガラス転位点は、 90°C以上が好ましぐ 130°C以上がより好まし く、 160°C以上がさらに好ましい。
[0097] ガラス転位点（Tg)は、 DSC (Differential Scanning Colorimetry：示差走査 熱量法)を用いて、 JIS—K— 7121に準拠した方法で求めることができる。
[0098] 本発明に係る発光層に用いられる前記ホストイ匕合物は、前記一般式（1)〜（7)で表 される化合物であることが好まし 、。
[0099] (一般式（1)で表される化合物）
前記一般式 (1)において、 R は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し la
、 R、 Rは水素原子、置換基を表し、 nl、 n2は 0〜4の整数を表す。
1 2
[0100] 脂肪族基としては、例えばアルキル基 (例えば、メチル基、ェチル基、プロピル基、 イソプロピル基、 tert—ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ォクチル基、ドデシル基 、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基 (例えば、シク 口ペンチル基、シクロへキシル基等）、ァルケ-ル基 (例えば、ビュル基、ァリル基等） 、アルキニル基 (例えば、ェチニル基、プロパルギル基等）が挙げられる。
[0101] 芳香族基としては、例えば芳香族炭化水素環基 (芳香族炭素環基、ァリール基等と もいい、例えば、フエ-ル基、 p—クロ口フエ-ル基、メシチル基、トリル基、キシリル基 、ナフチル基、アントリル基、ァズレニル基、ァセナフテュル基、フルォレニル基、フエ ナントリル基、インデュル基、ピレニル基、ビフヱ-リル基等）、芳香族複素環基 (例え ば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾ リル基、ピラゾリル基、ビラジニル基、トリァゾリル基 (例えば、 1, 2, 4—トリァゾール— 1—ィル基、 1, 2, 3—トリァゾール— 1—ィル基等）、ォキサゾリル基、ベンゾォキサゾ リル基、チアゾリル基、イソォキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チェ二 ル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチェ-ル基、ジベンゾチ ェニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジァザカルバゾリル基（前 記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わ つたものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基 、フタラジュル基等）が挙げられる。
[0102] 複素環基としては、例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、ォキサ ゾリジル基等が挙げられる。
[0103] 置換基としては、前記一般式 (A)で表される燐光性ィ匕合物の Rで表される置換基
1
と同義である。
[0104] (一般式 (2)で表される化合物）
前記一般式 (2)において、 R、 Rは水素原子、置換基を表し、 Rは置換基を表し、
1 2 3
Lは 2価の連結基を表し、 nl、 n2は 0〜4の整数を表し、 mlは 0〜5の整数を表す。
1
[0105] R、 Rで表される置換基としては、前記一般式 (A)で表される燐光性ィ匕合物の R
2 3 1 で表される置換基と同義である。
[0106] 2価の連結基としては、 C、 N、 0、 S、 Si、 Ge等で形成される連結基であり、さらに 好ましくは 2価の芳香環、 2価の芳香族複素環、炭素原子、窒素原子、ケィ素原子で ある。
[0107] 2価の連結基は置換基を有してもよぐ置換基としては前記一般式 (A)の置換基の 説明と同義のものが挙げられる。置換基として好ましくはアルキル基、アルコキシル基 、ァリール基、ヘテロァリール基である。
[0108] Lで表される連結基の具体例としては例えば、以下のものが挙げられる力 Lはこ
1 1 れらに限定されない。
[0109] [化 22]
Figure imgf000031_0001
z \ [mo]
Figure imgf000032_0001
Figure imgf000033_0001
[0112] (一般式 (3)で表される化合物）
前記一般式（3)において、 R、 R、 Rは水素原子、置換基を表し、 Lは 2価の連結
1 2 4 3
基を表し、 Arは芳香族基、複素環基を表し、 nl〜n3は 0〜4の整数を表し、 m3は 0
1
または 1を表す。
[0113] 置換基としては、前記一般式 (A)で表される燐光性化合物の Rで表される置換基
1
と同義である。
[0114] 2価の連結基としては、一般式（2)で表される化合物の Lで表される 2価の連結基
2
と同義である。
[0115] 芳香族基、複素環基としては、前記一般式（1)で表される化合物の Rで表される la 化合物の芳香族基、複素環基と同義である。
[0116] (一般式 (4)で表される化合物）
前記一般式 (4)において、 R は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し la
、 R、 Rは置換基を表し、 Lは 2価の連結基を表し、 Arは芳香族基、複素環基を表 し、 nl、 n2は 0〜4の整数を表し、 m3は 0または 1を表す。
[0117] 脂肪族基、芳香族基、複素環基としては、前記一般式（1)において、 Rで表される la 脂肪族基、芳香族基、複素環基と同義である。
[0118] 置換基としては、前記一般式 (A)で表される燐光性化合物の Rで表される置換基
1
と同義である。
[0119] 2価の連結基としては、一般式（2)で表される化合物の Lで表される 2価の連結基
2
と同義である。
[0120] (一般式 (5)で表される化合物）
前記一般式 (5)において、 R は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し la
、 R、 Rは水素原子、置換基を表し、 Lは 2価の連結基を表し、 Arは芳香族基、複
1 2 3 1
素環基を表し、 nlは 0〜4の整数を表し、 n2は 0〜3の整数を表し、 m3は 0または 1を 表す。
[0121] 脂肪族基、芳香族基、複素環基としては、前記一般式（1)において、 Rで表される la 脂肪族基、芳香族基、複素環基と同義である。
[0122] 置換基としては、前記一般式 (A)で表される燐光性ィ匕合物の Rで表される置換基
1
と同義である。
[0123] 2価の連結基としては、一般式（2)で表される化合物の Lで表される 2価の連結基
2
と同義である。
[0124] (一般式 (6)で表される化合物）
前記一般式 (6)において、 R は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し
la
、 Rl、 R2、 R5は水素原子、置換基を表し、 L4は 2価の連結基を表し、 Arlは芳香族 基、複素環基を表し、 nl、 n4は 0〜4の整数を表し、 n2は 0〜3の整数を表し、 m4は 0または 1を表す。
[0125] 脂肪族基、芳香族基、複素環基としては、前記一般式（1)において、 Rで表される la 脂肪族基、芳香族基、複素環基と同義である。
[0126] 置換基としては、前記一般式 (A)で表される燐光性化合物の Rで表される置換基
1
と同義である。
[0127] 2価の連結基としては、一般式（2)で表される化合物の Lで表される 2価の連結基 と同義である。
[0128] (一般式 (7)で表される化合物）
前記一般式（7)において、 R、 R、 Raは水素原子、置換基を表し、 nl、 n2、 naは
1 2
0〜4の整数を表し、 Xは NRb、 S、 Oを表す。 R、 R、 Raで表される置換基としては、
1 2
前記一般式 (A)で表される燐光性ィ匕合物の Rで表される置換基と同義である。
1
[0129] また、上記 Rbは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、前記一般式 (1 )において、 R
laで表される脂肪族基、芳香族基、複素環基と同義である。
[0130] 一般式（3)〜（6)における Arは、カルバゾリル基であることが好まし 、。
1
[0131] 以下に一般式（1)〜（6)で表されるホストイ匕合物の具体的な例を挙げるが、本発明 はこれらに限定されるものではない。
[0132] [化 25]
[92^] [εειο]
Figure imgf000036_0001
Figure imgf000037_0001
Figure imgf000038_0001
[0135] [化 28]
Figure imgf000039_0001
[0136] [化 29]
Figure imgf000040_0001
809SS0/Z,00∑df/I3d 6ε 6SJ-80I/Z,00r OAV
Figure imgf000041_0001
[0138] [化 31]
Figure imgf000042_0001
[0139] [化 32]
Figure imgf000043_0001
〔発光ホストと発光ドーパント〕
本発明の有機 EL素子において、発光層には発光ホストと発光ドーパントを含有す る。発光層中の主成分である発光ホストに対する発光ドーパントとの混合比は、好ま しくは 0. 1〜30質量％未満の範囲に調整することである。
[0142] ただし、発光ドーパントは複数種の化合物を混合して用いてもよぐ混合する相手 は構造を異にする、その他の金属錯体やその他の構造を有するリン光性ドーパント や蛍光性ドーパントでもよ 、。
[0143] ここで、発光ドーパントとして用いられる金属錯体と併用してもよいドーパント（リン光 性ドーパント、蛍光性ドーパント等）について述べる。
[0144] (発光ドーパント）
発光ドーパントは、大きくわけて蛍光を発光する蛍光性ドーパントとリン光を発光す るリン光性ドーパントの 2種類がある。
[0145] 前者 (蛍光性ドーパント)の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シ了ニ ン系色素、クロコニゥム系色素、スクァリウム系色素、ォキソベンツアントラセン系色素
、フルォレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチ ルベン系色素、ポリチォフェン系色素または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
[0146] 後者 (リン光性ドーパント)の代表例としては、好ましくは元素の周期表で 8属、 9属、
10属の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム、白金化合 物、ルテニウム化合物、ロジウム化合物であり、中でもより好ましいのはイリジウム化合 物、プラチナ化合物である。
[0147] 本発明に用いられるリン光性ドーパント（りん光性化合物、リン光発光性化合物等と もいう）は、励起三重項からの発光が観測されるが、さらにリン光量子収率が 25°Cに おいて 0. 001以上であることが好ましぐさらに好ましくはリン光量子収率が 0. 01以 上であり、特に好ましくは 0. 1以上である。
[0148] 上記リン光量子収率は、第 4版実験化学講座 7の分光 IIの 398頁（1992年版、丸 善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用
V、て測定できるが、任意の溶媒の 、ずれかにお 、て上記リン光量子収率が達成され ればよい。
[0149] 本発明に係る一般式 (A)で表される化合物は、リン光性ドーパントとして用いられる [0150] 一般式 (A)で表される化合物以外のリン光性ドーパントとして、以下の特許公報に 記載されて ヽる化合物も用いられる。
[0151] 国際公開第 OOZ70655号パンフレツ K特開 2002— 280178号公報、同 2001— 181616号公報、同 2002— 280179号公報、同 2001— 181617号公報、同 2002
— 280180号公報、同 2001— 247859号公報、同 2002— 299060号公報、同 20 01— 313178号公報、同 2002— 302671号公報、同 2001— 345183号公報、同 2002— 324679号公報、国際公開第 02,15645号パンフレット、特開 2002— 33 2291号公報、同 2002— 50484号公報、同 2002— 332292号公報、同 2002— 8 3684号公報、特表 2002— 540572号公報、特開 2002— 117978号公報、同 200 2— 338588号公報、同 2002— 170684号公報、同 2002— 352960号公報、国際 公開第 01Z93642号パンフレツ卜、特開 2002— 50483号公報、同 2002— 10047 6号公報、同 2002— 173674号公報、同 2002— 359082号公報、同 2002— 175 884号公報、同 2002— 363552号公報、同 2002— 184582号公報、同 2003— 7 469号公報、特表 2002— 525808号公報、特開 2003— 7471号公報、特表 2002
— 525833号公報、特開 2003— 31366号公報、同 2002— 226495号公報、同 20 02— 234894号公報、同 2002— 235076号公報、同 2002— 241751号公報、同 2001— 319779号公報、同 2001— 319780号公報、同 2002— 62824号公報、 同 2002— 100474号公報、同 2002— 203679号公報、同 2002— 343572号公報
、同 2002— 203678号公報等。
[0152] その具体例の一部を下記に示す。
[0153] [化 33]
[ ^ [ ιο]
Figure imgf000046_0001
809SS0/.00Zdf/X3d 917 6 80動 OAV
Figure imgf000047_0001
[0155] [化 35] Pt— 1 Pt-2 Pt-3
Figure imgf000048_0001
6]
Figure imgf000049_0001
[0157] (発光ホスト）
本発明に係る発光層に用いられるホストイ匕合物は、前述のようにリン光の 0— 0バン ドカ 60nm以下で、かつガラス転位点が 60°C以上であることが特徴である。
[0158] 本発明に用いられるホストイ匕合物は、発光層に含有される化合物のうちで室温（25 °C)においてリン光発光のリン光量子収率が、 0. 01未満の化合物である。
[0159] 本発明に用いられる発光ホストとしては、併用される発光ドーパントのリン光 0— 0バ ンドよりも短波長なそれをもつ化合物が好ましぐ発光ドーパントにそのリン光 0— 0バ ンドが 470nm以下である青色の発光成分を含む化合物を用いる場合には、発光ホ ストとしてはリン光 0— 0バンドが 460nm以下であることが好ましい。
[0160] 本発明に係る発光層に用いられる前記ホストイ匕合物は、前記一般式（1)〜（6)で表 される化合物であることが好まし 、。
[0161] また、本発明に用いられる発光ホストは、前述のようにリン光の 0— 0バンドが 460η m以下で、かつガラス転位点が 60°C以上であれば、構造的には特に制限はなぐ低 分子化合物でも繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよぐビニル基やエポキシ基の ような重合性基を有する低分子化合物 (蒸着重合性発光ホスト)でも! ヽ。正孔輸送 能、電子輸送能を有しつつ、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高 Tg (ガラス転 移温度)である
化合物が好ましい。
[0162] 本発明における発光ホストは、代表的には力ルバゾール誘導体、トリアリールァミン 誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフ ン誘導体、フラン誘 導体、オリゴァリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、またはカルボリン誘導体 ゃ該カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくと も一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体等が挙げられる。
[0163] 発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられるが 、本発明はこれらに限定されない。例えば、特開 2001— 257076号公報、同 2002 — 308855号公報、同 2001— 313179号公報、同 2002— 319491号公報、同 20
01— 357977号公報、同 2002— 334786号公報、同 2002— 8860号公報、同 20 02— 334787号公報、同 2002— 15871号公報、同 2002— 334788号公報、同 2
002— 43056号公報、同 2002— 334789号公報、同 2002— 75645号公報、同 2 002— 338579号公報、同 2002— 105445号公報、同 2002— 343568号公報、 同 2002— 141173号公報、同 2002— 352957号公報、同 2002— 203683号公報 、同 2002— 363227号公報、同 2002— 231453号公報、同 2003— 3165号公報 、同 2002— 234888号公報、同 2003— 27048号公報、同 2002— 255934号公 報、同 2002— 260861号公報、同 2002— 280183号公報、同 2002— 299060号 公報、同 2002— 302516号公報、同 2002— 305083号公報、同 2002— 305084 号公報、同 2002— 308837号公報等。
[0164] 次に、代表的な有機 EL素子の構成について述べる。
[0165] 《有機 EL素子の構成層》
本発明の有機 EL素子の構成層について説明する。本発明の有機 EL素子の層構 成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
[0166] (i)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極
(ii)陽極 Z正孔輸送層 Z電子阻止層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰 極
(iii)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極バッファ一層 Z陰極
(iv)陽極 Z陽極バッファ一層 Z正孔輸送層 Z中間層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電 子輸送層 Z陰極バッファ一層 Z陰極
(V)陽極 Z陽極バッファ一層 Z正孔輸送層 Z電子阻止層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極バッファ一層 Z陰極。
[0167] 《阻止層（電子阻止層、正孔阻止層）》
本発明に係る阻止層（例えば、電子阻止層、正孔阻止層）について説明する。
[0168] 本発明に係る阻止層の膜厚としては好ましくは 3〜： LOOnmであり、さらに好ましくは 5〜30nmである。
[0169] 《正孔阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有 しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料力 なり、電子を輸送しつつ正孔を阻 止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
[0170] 正孔阻止層としては、例えば、特開平 11 204258号公報、同 11 204359号公 報、及び「有機 EL素子とその工業化最前線（1998年 11月 30日 ェヌ'ティー 'エス 社発行)」の 237頁等に記載の正孔阻止（ホールブロック)層等を本発明に係る正孔 阻止層として適用可能である。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本 発明に係る正孔阻止層として用いることができる。
[0171] 以下に具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
[0172] [化 37]
Figure imgf000052_0001
[0173] [化 38]
01 §749
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Figure imgf000054_0001
[0175] [化 40]
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[0176] [化 41]
[z [zzio]
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809SS0/.00Zdf/X3d 99 6 80 OAV
[Zf^ [8ΖΪ0]
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[0179] [化 44]
[ f^ [0810]
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809SS0/.00Zdf/X3d 89 6 80動 OAV
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[0181] [化 46]
Figure imgf000061_0001
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[0183] [化 48] [6 ] 師 0]
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6Sf80l/Z.00Z OAV
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63
8459
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[0185] M匕 50
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[0186] [化 51]
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[0188] 《電子阻止層》
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機 能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料力 なり、正孔を輸送しつつ電 子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述 する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明 に係る一般式 (A)で表される化合物は、電子阻止層に用いるのも好ま 、。
[0189] 《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料を含み、広い意味で正孔注入 層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設ける ことができる。 [0190] 正孔輸送材料としては特に制限はなぐ従来、光導伝材料にお!、て、正孔の電荷 注入輸送材料として慣用されて 、るものや EL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使 用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
[0191] 正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性の!/、ずれかを有するも のであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリァゾール誘導体、ォ キサジァゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ビラゾリ ン誘導体及びピラゾロン誘導体、フ -レンジァミン誘導体、ァリールァミン誘導体、 ァミノ置換カルコン誘導体、ォキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フル ォレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ァニリン系 共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチォフェンオリゴマー等が挙げられる
[0192] 正孔輸送材料としては上記のものを使用することができる力 ボルフイリンィ匕合物、 芳香族第三級ァミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミンィ匕 合物を用いることが好まし 、。
[0193] 芳香族第三級アミンィ匕合物及びスチリルアミンィ匕合物の代表例としては、 N, N, N ' , N' —テトラフエニル一 4, 4' —ジァミノフエ-ル； N, N' —ジフエ-ル一 N, N ' —ビス（3—メチルフエ-ル）一〔1, 1' —ビフエ-ル〕一 4, 4' —ジァミン（TPD) ; 2, 2 ビス（4 ジ一 p トリルァミノフエ-ル）プロパン； 1, 1—ビス（4 ジ一 p トリ ルァミノフエ-ル）シクロへキサン； N, N, N' , N' —テトラ一 p トリル一 4, 4' - ジアミノビフエ-ル； 1 , 1 ビス（4 ジ一 p トリルァミノフエ-ル） 4 フエ-ルシク 口へキサン；ビス（4 -ジメチルァミノ 2 メチルフエ-ル）フエニルメタン；ビス（4 -ジ —p トリルァミノフエ-ル）フエ-ルメタン； N, N' —ジフエ-ル一 N, N' —ジ（4— メトキシフエ-ル） 4, 4' ージアミノビフエニル； N, N, N' , N' —テトラフエ-ル —4, 4' ージアミノジフエ-ルエーテル； 4, 4' ビス（ジフエ-ルァミノ）クオ一ドリフ ェ -ル； N, N, N トリ（p トリル）ァミン； 4— (ジ— p トリルァミノ）— 4' —〔4— (ジ —p トリルァミノ）スチリル〕スチルベン； 4— N, N ジフエ-ルァミノ—（2 ジフエ- ルビ-ル）ベンゼン； 3—メトキシ一 4' — N, N ジフエニルアミノスチルベンゼン； N フエ-ルカルバゾール、さらには米国特許第 5, 061, 569号明細書に記載されて いる 2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、 4, 4' ビス〔N—（1ーナ フチル） N フエ-ルァミノ〕ビフヱ-ル（NPD)、特開平 4 308688号公報に記 載されているトリフエ-ルァミンユニットが 3つスターバースト型に連結された 4, 4' , A" —トリス〔?^— (3—メチルフエ-ル） N フエ-ルァミノ〕トリフエ-ルァミン（MTD ATA)等が挙げられる。
[0194] さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖と した高分子材料を用いることもできる。また、 p型— Si、 p型— SiC等の無機化合物も 正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
[0195] この正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キ ヤスト法、インクジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成す ることができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5〜5000 nm程度である。この正孔輸送層は上記材料の一種または二種以上からなる一層構 造であってもよい。
[0196] 《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料力 なり、広い意味で電子注入 層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層もしくは複数層を設 けることができる。電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能 を有して!/ヽればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択 して用いることができる。
[0197] この電子輸送層に用いられる材料 (以下、電子輸送材料という）の例としては、 -ト 口置換フルオレン誘導体、ジフヱ-ルキノン誘導体、チォピランジオキシド誘導体、ナ フタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルポジイミド、フレオレニリデ ンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、ォキサジァゾール誘導体 、カルボリン誘導体、または、該カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水 素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導 体等が挙げられる。さらに、上記ォキサジァゾール誘導体において、ォキサジァゾ一 ル環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として 知られて!/ヽるキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用い ることがでさる。
[0198] さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖と した高分子材料を用いることもできる。
[0199] また 8 キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（8 キノリノール)アルミ-ゥ ム（Alq)、トリス（5, 7—ジクロロ一 8—キノリノール）アルミニウム、トリス（5, 7—ジブ口 モ一 8 キノリノール）アルミニウム、トリス（2 メチル 8 キノリノール）アルミニウム 、トリス（5—メチル 8—キノリノール）アルミニウム、ビス（8—キノリノール）亜鉛（Znq )等、及びこれらの金属錯体の中心金属が In、 Mg、 Cu、 Ca、 Sn、 Gaまたは Pbに置 き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
[0200] その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル 基ゃスルホン酸基等で置換されて ヽるものも、電子輸送材料として好ましく用いること ができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルビラジン誘導体も、電子輸送 材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に n型一 Si、 n型一 SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
[0201] この電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キ ヤスト法、インクジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成す ることができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5〜5000 nm程度である。この電子輸送層は上記材料の一種または二種以上からなる一層構 造であってもよい。
[0202] 次に、本発明の有機 EL素子の構成層として用いられる、注入層について説明する
[0203] 《注入層》:電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と 発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在 させてちょい。
[0204] 注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる 層のことで、「有機 EL素子とその工業ィ匕最前線（1998年 11月 30日 ェヌ'ティー'ェ ス社発行)」の第 2編第 2章「電極材料」（123〜166頁）に詳細に記載されており、正 孔注入層（陽極バッファ一層）と電子注入層（陰極バッファ一層）とがある。
[0205] 陽極バッファ一層（正孔注入層）は、特開平 9— 45479号公報、同 9 260062号 公報、同 8— 288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フ タロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ一層、酸ィ匕バナジウムに代表される 酸化物バッファ一層、アモルファスカーボンバッファ一層、ポリア-リン（ェメラルディ ン)やポリチォフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ一層等が挙げられる
[0206] 陰極バッファ一層（電子注入層）は、特開平 6— 325871号公報、同 9 17574号 公報、同 10— 74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロン チウムゃアルミニウム等に代表される金属バッファ一層、フッ化リチウムに代表される アルカリ金属化合物バッファ一層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金 属化合物バッファ一層、酸ィヒアルミニウムに代表される酸ィヒ物バッファ一層等が挙げ られる。
[0207] 上記バッファ一層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましぐ素材にもよるがその 膜厚は 0. 1〜： LOOnmの範囲が好ましい。
[0208] この注入層は上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インク ジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜ィ匕することにより形成することができる 。注入層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5〜5000nm程度である。こ の注入層は、上記材料の一種または二種以上力もなる一層構造であってもよい。
[0209] 《陽極》
本発明の有機 EL素子に係る陽極としては、仕事関数の大きい (4eV以上)金属、 合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用い られる。このような電極物質の具体例としては Au等の金属、 Cul、インジウムチンォキ シド (ITO)、 SnO、 ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、 IDIXO (In O -
2 2 3
ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよ!ヽ。陽極はこれらの電 極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー 法で所望の形状のパターンを形成してもよぐあるいはパターン精度をあまり必要とし ない場合は（100 m以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の 形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合に は、透過率を 10%より大きくすることが望ましぐまた陽極としてのシート抵抗は数百 Ω Ζ口以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよる力 通常 10〜： LOOOnm、好ましく は 10〜200nmの範囲で選ばれる。
[0210] 《陰極》
一方、本発明に係る陰極としては、仕事関数の小さい (4eV以下)金属 (電子注入 性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするも のが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム一力リウ ム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム Z銅混合物、マグネシウム Z銀混合物 、マグネシウム /アルミニウム混合物、マグネシウム Zインジウム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム (Al O )混合物、インジウム、リチウム
2 3 Zアルミニウム混合物、希 土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の 点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金 属との混合物、例えば、マグネシウム Z銀混合物、マグネシウム Zアルミニウム混合 物、マグネシウム Zインジウム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム (Al O )混合
2 3 物、リチウム Zアルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
[0211] 陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させる ことにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百 Ω /口以下 が好ましぐ膜厚は通常 10〜1000nm、好ましくは 50〜200nmの範囲で選ばれる。 なお、発光を透過させるため、有機 EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透 明または半透明であれば、発光輝度が向上し好都合である。
[0212] 《基体 (基板、基材、支持体等とも!ヽぅ)》
本発明の有機 EL素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に 限定はなぐまた透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板と しては、例えば、ガラス、石英、光透過性榭脂フィルムを挙げることができる。特に好 ま 、基体は、有機 EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な榭脂フィルムであ る。
[0213] 榭脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（PET)、ポリエチレンナ フタレート（PEN)、ポリエーテルスルホン（PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテル エーテルケトン、ポリフエ-レンスルフイド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート
(PC)、セルローストリアセテート (TAC)、セルロースアセテートプロピオネート（CAP
)等力 なるフィルム等が挙げられる。
[0214] 榭脂フィルムの表面には、無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイプリ ッド被膜が形成されていてもよぐ水蒸気透過率が 0. 01gZm2'dayatm以下の高 ノ リア性フィルムであることが好まし ヽ。
[0215] 本発明の有機 EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、 1%以上である ことが好ましぐより好ましくは 2%以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％) = 有機 EL素子外部に発光した光子数 Z有機 EL素子に流した電子数 X 100である。
[0216] また、カラーフィルタ一等の色相改良フィルタ一等を併用してもよい。照明用途で用 V、る場合には、発光ムラを低減させるために粗面カ卩ェしたフィルム (アンチグレアフィ ルム等）を併用することもできる。
[0217] 多色表示装置として用いる場合は少なくとも 2種類の異なる発光極大波長を有する 有機 EL素子カゝらなるが、有機 EL素子を作製する好適な例を説明する。
[0218] 《有機 EL素子の作製方法》
本発明の有機 EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極バッファ一層 Z陰極からなる有機 EL 素子の作製法について説明する。
[0219] まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質力 なる薄膜を 1 μ m 以下、好ましくは 10〜200nmの膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法によ り形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送 層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させ る。
[0220] この有機化合物を含有する薄膜の薄膜ィ匕の方法としては、スピンコート法、キャスト 法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすぐかつピ ンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好まし い。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、 その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度
50〜450°C、真空度 10一6〜 10— 2Pa、蒸着速度 0. 01〜50nmZ秒、基板温度— 50 〜300°C、膜厚 0. 1〜5 μ mの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
[0221] これらの層の形成後、その上に陰極用物質力もなる薄膜を 1 μ m以下、好ましくは 5 0〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法によ り形成させ、陰極を設けることにより所望の有機 EL素子が得られる。この有機 EL素 子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ま しいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不 活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
[0222] 《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は上記有機 EL素子を 有する。
[0223] 本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは、多色表示装置について 説明する。多色表示装置の場合は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面 に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる
[0224] 発光層のみパターユングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法 、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においては、シャドーマスクを 用いたパター-ングが好ましい。また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔 阻止層、発光層、正孔輸送層、陽極の順に作製することも可能である。
[0225] このようにして得られた多色表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を +、 陰極を—の極性として、電圧 2〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また、逆 の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに交流電圧を 印加する場合には、陽極が +、陰極が—の状態になったときのみ発光する。なお、 印加する交流の波形は任意でょ 、。
[0226] 多色表示装置は表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができ る。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の 3種の有機 EL素子を用 いることにより、フルカラーの表示が可能となる。表示デバイス、ディスプレイとしては テレビ、パソコン、モノくィル機器、 AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等 が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよぐ動 画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリックス (パッシブ マトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよ ヽ。
[0227] 発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告 、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光 センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。
[0228] 《照明装置》
本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は上記有機 EL素子を 有する。
[0229] 本発明の有機 EL素子に共振器構造を持たせた有機 EL素子として用いてもよぐこ のような共振器構造を有した有機 EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、 電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる 力 これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用し てもよい。
[0230] また、本発明の有機 EL素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用 してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクシヨン装置や、静止画像や動画像を 直接視認するタイプの表示装置 (ディスプレイ）として使用してもよい。動画再生用の 表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス (パッシブマトリクス)方式 でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発 明の有機 EL素子を 2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製すること が可能である。
[0231] 以下、本発明の有機 EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する
[0232] 図 1は有機 EL素子カゝら構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機 E L素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模 式図である。ディスプレイ 1は複数の画素を有する表示部 A、画像情報に基づいて表 示部 Aの画像走査を行う制御部 B等力もなる。 [0233] 制御部 Bは表示部 Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像 情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素 が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部 Aに 表示する。
[0234] 図 2は表示部 Aの模式図である。
[0235] 表示部 Aは基板上に、複数の走査線 5及びデータ線 6を含む配線部と、複数の画 素 3等とを有する。表示部 Aの主要な部材の説明を以下に行う。
[0236] 図においては、画素 3の発光した光が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を 示している。
[0237] 配線部の走査線 5及び複数のデータ線 6はそれぞれ導電材料力 なり、走査線 5と データ線 6は格子状に直交して、直交する位置で画素 3に接続している（詳細は図示 していない）。
[0238] 画素 3は走査線 5から走査信号が印加されると、データ線 6から画像データ信号を 受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑 領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラ 一表示が可能となる。
[0239] 次に、画素の発光プロセスを説明する。
[0240] 図 3は画素の模式図である。
[0241] 画素は有機 EL素子 10、スイッチングトランジスタ 11、駆動トランジスタ 12、コンデン サ 13等を備えている。複数の画素に有機 EL素子 10として、赤色、緑色、青色発光 の有機 EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行う ことができる。
[0242] 図 3において、制御部 B力もデータ線 6を介してスイッチングトランジスタ 11のドレイ ンに画像データ信号が印加される。そして、制御部 B力 走査線 5を介してスィッチン グトランジスタ 11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ 11の 駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ 13と駆動トランジ スタ 12のゲートに伝達される。
[0243] 画像データ信号の伝達により、コンデンサ 13が画像データ信号の電位に応じて充 電されるとともに、駆動トランジスタ 12の駆動がオンする。駆動トランジスタ 12はドレイ ンが電源ライン 7に接続され、ソースが有機 EL素子 10の電極に接続されており、ゲ 一トに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン 7から有機 EL素子 10に 電流が供給される。
[0244] 制御部 Bの順次走査により走査信号が次の走査線 5に移ると、スイッチングトランジ スタ 11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ 11の駆動がオフしてもコン デンサ 13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ 12 の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機 EL素子 1 0の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に 同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ 12が駆動して有機 E L素子 10が発光する。
[0245] 即ち、有機 EL素子 10の発光は、複数の画素それぞれの有機 EL素子 10に対して 、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ 11と駆動トランジスタ 12を設けて、複 数の画素 3それぞれの有機 EL素子 10の発光を行って 、る。このような発光方法をァ クティブマトリクス方式と呼んで 、る。
[0246] ここで、有機 EL素子 10の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号 による複数の階調の発光でもよ 、し、 2値の画像データ信号による所定の発光量の オン、オフでもよい。また、コンデンサ 13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで 継続して保持してもよ 、し、次の走査信号が印加される直前に放電させてもょ 、。
[0247] 本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査さ れたときのみデータ信号に応じて有機 EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の 発光駆動でもよい。
[0248] 図 4はパッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図 4において、複数 の走査線 5と複数の画像データ線 6が画素 3を挟んで対向して格子状に設けられて いる。
[0249] 順次走査により走査線 5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線 5に接続 して ヽる画素 3が画像データ信号に応じて発光する。
[0250] ノッシブマトリクス方式では画素 3にアクティブ素子が無ぐ製造コストの低減が計れ る。
[0251] また本発明に係る有機 EL材料は、照明装置として実質白色の発光を生じる有機 E L素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色 により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の 3 原色の 3つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等 の補色の関係を利用した 2つの発光極大波長を含有したものでもよい。
[0252] また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または 蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材 料と、発光材料力 の光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたものの いずれでもよいが、本発明に係る白色有機 EL素子においては、発光ドーパントを複 数組み合わせ混合するだけでょ 、。発光層もしくは正孔輸送層あるいは電子輸送層 等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよぐ 他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャス ト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で、例えば、電極膜を形成でき、生 産性も向上する。この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した 白色有機 EL装置と異なり、素子自体が発光白色である。
[0253] 発光層に用いる発光材料としては特に制限はなぐ例えば、液晶表示素子におけ るノ ックライトであれば、 CF (カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合する ように、本発明に係わる金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択 して組み合わせて白色化すればょ 、。
[0254] このように、本発明に係る白色発光有機 EL素子は、前記表示デバイス、ディスプレ ィに加えて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、また露光光源 のような一種のランプとして、また液晶表示装置のノ ックライト等、表示装置にも有用 に用いられる。
[0255] その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写 真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、さらには表示装置を 必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。
実施例 [0256] 以下、実施例により本発明を説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定される ものではない。
[0257] 実施例 1
《有機 EL素子 1— 1〜1— 41の作製》
陽極として 100mm X 100mm X I. 1mmのガラス基板上に ITO (インジウムチンォ キシド)を lOOnm製膜した基板 (ΝΗテクノグラス社製 ΝΑ45)にパターユングを行つ た後、この ITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波 洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVオゾン洗浄を 5分間行なった。この透明支持基 板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボ ートに α NPDを 200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物と して CBP200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに BCPを 200mg入れ、別 のモリブデン製抵抗加熱ボートに例示化合物 1 1を lOOmg入れ、さらに別のモリブ デン製抵抗加熱ボートに Alqを 200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
3
[0258] 次 、で、真空槽を 4 X 10— 4Paまで減圧した後、 a—NPDの入った前記加熱ボート に通電して加熱し、蒸着速度 0. InmZsecで透明支持基板に蒸着し、膜厚 40nm の正孔輸送層を設けた。さらに、 CBPと例示化合物 1—1の入った前記加熱ボートに 通電して加熱し、それぞれ蒸着速度 0. 2nmZsec、 0. 012nmZsecで前記正孔輸 送層上に共蒸着して、膜厚 40nmの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室 温であった。さらに、 BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度 0. 1 nmZsecで前記発光層の上に蒸着して膜厚 lOnmの正孔阻止の役割も兼ねた電子 輸送層を設けた。その上に、さらに、 Alqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し
3
、蒸着速度 0. InmZsecで前記電子輸送層の上に蒸着してさらに膜厚 40nmの電 子注入層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
[0259] 引き続きフッ化リチウム 0. 5nm及びアルミニウム 11 Onmを蒸着して陰極を形成し、 有機 EL素子 1— 1を作製した。
[0260] 有機 EL素子 1 1の作製にぉ 、て、発光層のホストイ匕合物として用いて 、る CBPを 表 2また表 3に示すィ匕合物に置き換えてホストイ匕合物とし、発光層のドーパント化合 物として用 、て 、る例示化合物 1 1を表 2また表 3に示す化合物に置き換えてドー パント化合物とした以外は同じ方法で有機 EL素子 1— 2〜1— 41を作製した。上 で使用した化合物の構造を以下に示す。
[化 53]
Figure imgf000080_0001
[0262] 《有機 EL素子 1 1〜1 41の評価》
以下のようにして、作製した有機 EL素子 1 1〜1 41の評価を行い、その結果を 表 2及び表 3に示す。
[0263] (外部取り出し量子効率）
作製した有機 EL素子について、 23°C、乾燥窒素ガス雰囲気下で 2. 5mA/cm2 定電流を印加した時の外部取り出し量子効率（％)を測定した。なお測定には分光放 射輝度計 CS— 1000 (コ-力ミノルタ製)を用いた。
[0264] 表 2及び表 3の外部取り出し量子効率は、有機 EL素子 1 1の外部取り出し量子効 率を 100とした時の相対値で表した。
[0265] (寿命）
2. 5mAZcm2の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度 (初期 輝度）の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間（ τ 0. 5)と して寿命の指標とした。なお測定には分光放射輝度計 CS— 1000 (コ-力ミノルタ製 )を用いた。 [0266] 表 2又表 3において、寿命は、有機 EL素子 1—1の寿命を 100とした時の相対値で し/こ。
[0267] [表 2]
Figure imgf000081_0001
T 1 ：燐光の 0— 0バント
[0268] [表 3]
Figure imgf000082_0001
T 1 ：燐光の 0— 0バンド
[0269] 表 2及び表 3から、本発明の有機 EL素子は、高効率、長寿命化が達成されてレヽる ことが分力つた。
[0270] 実施例 2
《有機 EL素子 2— 1〜45の作製》
陽極として 100mm X 100mm X 1. 1mmのガラス基板上に ITO (インジウムチンォ キシド）を lOOnm製膜した基板 (ΝΗテクノグラス社製 ΝΑ45)にパターユングを行つ た後、この ITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波 洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、 UVオゾン洗浄を 5分間行なった。この透明支持基 板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボ ートに a—NPDを 200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子阻止化合 物として例示化合物 H— 21を lOOmg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホス ト化合物として CBP200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに BCPを 200m g入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに例示化合物 1 1を lOOmg入れ、さらに 別のモリブデン製抵抗加熱ボートに Alqを 200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
3
[0271] 次 、で、真空槽を 4 X 10— 4Paまで減圧した後、 a—NPDの入った前記加熱ボート に通電して加熱し、蒸着速度 0. InmZsecで透明支持基板に蒸着し、膜厚 40nm の正孔輸送層を設けた。さらに、例示化合物 H— 21の入った前記加熱ボートに通電 して加熱し、蒸着速度 0. InmZsecで正孔輸送層上に蒸着し、膜厚 10nmの電子 阻止層を設けた。さらに、 CBPと例示化合物 1—1の入った前記加熱ボートに通電し て加熱し、それぞれ蒸着速度 0. 2nmZsec、 0. 012nmZsecで前記正孔輸送層上 に共蒸着して、膜厚 40nmの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であ つた。さらに、 BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度 0. lnm/s ecで前記発光層の上に蒸着して膜厚 lOnmの正孔阻止の役割も兼ねた電子輸送層 を設けた。その上に、さらに、 Alqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着
3
速度 0. lnm/secで前記電子輸送層の上に蒸着してさらに膜厚 40nmの電子注入 層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
[0272] 引き続きフッ化リチウム 0. 5nm及びアルミニウム 11 Onmを蒸着して陰極を形成し、 有機 EL素子 2— 1を作製した。
[0273] 有機 EL素子 2—1の作製において、発光層のホストイ匕合物として用いている CBPを 表 4また表 5に示すィ匕合物に置き換えてホストイ匕合物とし、発光層のドーパント化合 物として用 、て 、る例示化合物 1 1を表 4また表 5に示す化合物に置き換えてドー パント化合物とし、電子阻止層に用いた例示化合物 H— 21を表 4また表 5に示すィ匕 合物に置き換えた以外は有機 EL素子 2—1と同じ方法で有機 EL素子 2— 2〜2—4 5を作製した。
[0274] 《有機EL素子2—1〜2—45の評価》
実施例 1と同様にして、作製した有機 EL素子 2— 1〜2— 45の評価を行い、その結 果を表 4また表 5に示す。
[0275] なお、表 4また表 5の外部取り出し量子効率、寿命は、有機 EL素子 2— 2の外部取 り出し量子、寿命を 100としたときの相対値で表した。
[0276] [表 4] 有機 EL ゲスト化合物 ホスト化合物 外部
電子
素子 取り出し も卩備 考 阻止層化合物 HOMO(eV) LUM0{eV)化合物 T1 (nm) Tg(°C)
No. 量子効率
2 - 1 Η— 21 1 -1 —4.37 -0.57 CBP 465 109 111 99比較例
2 - 2 なし 1—1 -4.37 一 0.57 CBP 465 109 loo 100 比較例
2 - 3 Η— 21 1 -2 -4.53 -0.76 CBP 46S 109 105 105 比較例
2 - 4 Η— 21 1一 5 -4.18 —0.42 CBP 465 109 103 89 比較例
2 - 5 なし 1一 2 -4.53 -0.76 C6P 465 109 98 Π5 比較例
2 - 6 Η-21 ト 1 —4.37 -0.57 H- 1 411 64 ]70 120本発明
2— 7 Η-21 1 -1 -4.37 -0.57 H-20 437 92 165 146 本発明
2 - 8 Η-21 1 -1 -4.37 — 0.57 H— 19 445 130 163 168 本発明
2 - 9 Η— 21 1-1 —4.37 -0.57 H 18 446 180 169 174本発明
2 -10 H— 21 1-T -4.37 -0.57 H-21 449 80 171 122本発明
2—11 H— 21 t-1 -4.37 -0.57 H-29 449 142 172 146本発明
2 -12 Η-21 1-2 -4.53 -0.76 H— 1 411 64 170 130 本発明
2 -13 Η— 21 1-2 -4.53 一 0.76 H-20 437 92 168 155本発明
2 -14 Η-21 1 -2 — 4.53 -0.76 H— 19 445 130 169 175 本発明
2 -15 Η— 21 1 -2 -4.53 -0.76 H-18 446 180 179 171 本発明
2 -16 Η-21 1—1 -4.53 -0.76 H-21 449 80 169 ;28 本発明
2 -17 Η— 21 1 -2 -4.53 -0.76 H— 29 449 1 2 167 160 本発明
2 -18 Η-2Ι 1 -5 -4.18 -0.42 H-19 445 130 167 110 本発明
2 -19 Η— 21 1-5 -4.18 -0.42 H-20 437 92 170 Π3本発明
2一 20 Η-22 1—1 -4.37 -0.57 H-20 437 92 169 146 本発明
2 -21 Η-22 1-1 -4.37 一 0.57 H-19 445 130 171 167 本発明
2—22 Η-22 1 -1 -4.37 -0.57 H-18 446 teo 167 175 本発明
2—23 Η-22 1 -2 -4.53 — 0.76 H— 20 437 92 165 155 本発明
2 -24 Η— 22 1 -2 -4.53 -0.76 H-19 445 130 160 175本発明
2 -25 Η-22 1一 2 -4.53 -0.76 H-18 446 180 173 171 本発明
2—26 Η-28 1-2 -4.53 -0.76 CBP 465 109 105 1 比較例 なし Fi rpic -5.99 -2.36 H— 21 449 80 153 50 比較例
2 -28 Η— 21 F i rpi c -5.99 -2.36 H- 1 411 64 150 52 比較例
T1 ：燐光の 0— 0バント 5]
Figure imgf000085_0001
T 1 ：燐光の◦一◦バンド
[0278] 表 4また表 5から、本発明の有機 EL素子は、高効率、長寿命化が達成されているこ とが分かった。
[0279] 実施例 3
《フルカラー表示装置の作製》
(青色発光素子の作製）
実施例 1の有機 EL素子 1 14を青色発光素子として用いた。
[0280] (緑色発光素子の作製）
実施例 1の有機 EL素子 1— 14において、ホストイ匕合物を CBP、ドーパントを Ir—l に変更した以外は同様にして、緑色発光素子を作製し、これを緑色発光素子として 用いた。
[0281] (赤色発光素子の作製）
実施例 1の有機 EL素子 1— 14において、ホスト化合物を CBP、ドーパントを Ir— 9 に変更した以外は同様にして、赤色発光素子を作製し、これを赤色発光素子として 用いた。
[0282] 上記作製した、赤色、緑色、青色発光有機 EL素子を同一基板上に並置し、図 1に 記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。 図 2には、作製した前記表示装置の表示部 Aの模式図のみを示した。即ち、同一基 板上に、複数の走査線 5及びデータ線 6を含む配線部と、並置した複数の画素 3 (発 光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査 線 5及び複数のデータ線 6はそれぞれ導電材料からなり、走査線 5とデータ線 6は格 子状に直交して、直交する位置で画素 3に接続している（詳細は図示せず)。前記複 数画素 3は、それぞれの発光色に対応した有機 EL素子、アクティブ素子であるスイツ チングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式 で駆動されており、走査線 5から走査信号が印加されると、データ線 6から画像デー タ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように赤、緑、青の 画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。
[0283] このフルカラー表示装置は、駆動することにより、輝度が高ぐ高耐久性を有し、か つ、鮮明なフルカラー動画表示が得られることが分力つた。
[0284] 実施例 4
《白色発光素子及び白色照明装置の作製》
実施例 1の透明電極基板の電極を 20mm X 20mmにパターユングし、その上に実 施例 1と同様に正孔注入 Z輸送層として α— NPDを 40nmの厚さで成膜し、さらに 例示化合物 H— 19の入った前記加熱ボートと例示化合物 1 2の入ったボート及び I r 9の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストである例示化合物 H— 1 9と発光ドーパントである例示化合物 1 2及び Ir 9の蒸着速度が 100： 5： 0. 6にな るように調節し膜厚 30nmの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。
[0285] 次!、で、 BCPを lOnm成膜して正孔阻止層を設けた。さらに、 Alqを 40nmで成膜
3
し電子輸送層を設けた。
[0286] 次に、実施例 1と同様に、電子注入層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ 形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファ一層としてフッ化リチウム 0. 5nm 及び陰極としてアルミニウム 150nmを蒸着成膜した。 この素子を実施例 1と同様な方法及び同様な構造の封止構造を有する平面ランプ を作製した。この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置とし て使用できることが分力つた。

Claims

請求の範囲
[1] 基板上に電極と少なくとも 1層以上の有機層を有する有機エレクト口ルミネッセンス素 子において、該有機層の少なくとも 1層は燐光性ィ匕合物とホストイ匕合物を含有する発 光層であり、該燐光性化合物の HOMOがー 5. 15〜一 3. 50eV、かつ LUMOがー 1. 25〜+ 1. OOeVであり、該ホスト化合物のリン光の 0— 0バンド力 60nm以下、か つガラス転位点が 60°C以上であることを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子
[2] 前記燐光性化合物の HOMOがー 4. 80〜一 3. 50eV、かつ LUMOがー 0. 80〜
+ 1. 00eVであることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の有機エレクト口ルミネッ センス素子。
[3] 前記燐光性ィ匕合物が下記一般式 (A)で表されることを特徴とする請求の範囲第 1項 または第 2項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[化 1]
—般式 (A)
Figure imgf000088_0001
(式中、 Rは置換基を表す。 Zは 5〜7員環を形成するのに必要な非金属原子群を表
1
す。 nlは 0〜5の整数を表す。 B 〜Bは炭素原子、窒素原子、酸素原子もしくは硫
1 5
黄原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。 Mは元素周期表における 8族〜 1
1
0族の金属を表す。 X及び Xは炭素原子、窒素原子もしくは酸素原子を表し、 Lは X
1 2 1 及び Xとともに 2座の配位子を形成する原子群を表す。 mlは 1〜3の整数を表し、
1 2
m2は 0〜2の整数を表す力 ml +m2は 2または 3である。 )
前記一般式 (A)で表される燐光性ィ匕合物において、 m2が 0であることを特徴とする 請求の範囲第 1項〜第 3項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素 子。
[5] 前記一般式 (A)で表される燐光性ィ匕合物にぉ 、て、 B〜Bで形成される含窒素複
1 5
素環力 ミダゾール環であることを特徴とする請求の範囲第 1項〜第 4項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[6] 前記一般式 (A)が、下記一般式 (B)で表されることを特徴とする請求の範囲第 1項 〜第 5項のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[化 2] 一般式 (B)
Figure imgf000089_0001
〔式中、 R、 R、 Rは置換基を表す。 Zは 5〜7員環を形成するのに必要な非金属原
1 2 3
子群を表す。 nlは 0〜5の整数を表す。 Mは元素周期表における 8族〜 10族の金
1
属を表す。 X
1および X
2は炭素原子、窒素原子もしくは酸素原子を表し、 L
1は X 1およ び Xとともに 2座の配位子を形成する原子群を表す。 mlは 1、 2または 3の整数を表
2
し、
m2は 0、 1または 2の整数を表す力 ml +m2は 2または 3である。〕
[7] 前記一般式 (B)において、 Rで表される置換基が下記一般式 (C)で表されることを
2
特徴とする請求の範囲第 6項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[化 3]
—般式 (C)
Figure imgf000089_0002
〔式中、 Rは立体パラメータ値 (Es値）が— 0. 5以下の置換基を表す。 Rは置換基を
4 5
表し、 n5は 0〜4の整数を表す。尚、式中 *は結合位置を示す。〕
前記ホストイ匕合物が下記一般式（1)で表されることを特徴とする請求の範囲第 1項〜 第 7項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[化 4] 一般式 (1)
Figure imgf000090_0001
(R
laは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 R、 R
1 2は水素原子、置換 基を表し、 nl、 n2は 0〜4の整数を表す。 )
前記ホストイ匕合物が下記一般式 (2)で表されることを特徴とする請求の範囲第 1項〜 第 7項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[化 5] 一般式 (2)
Figure imgf000090_0002
(R、 Rは水素原子、置換基を表し、 Rは置換基を表し、 Lは 2価の連結基を表し、 n
1 2 3 1
1、 n2は 0〜4の整数を表し、 mlは 0〜5の整数を表す。）
前記ホストイ匕合物が下記一般式 (3)で表されることを特徴とする請求の範囲第 1項〜 第 7項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。 [化 6]
一般式 (3}
Figure imgf000091_0001
(R、 R、 Rは水素原子、置換基を表し、 Lは 2価の連結基を表し、 Arは芳香族基、
1 2 4 3 1
複素環基を表し、 nl〜n3は 0〜4の整数を表し、 m3は 0または 1を表す。） 前記ホストイ匕合物が下記一般式 (4)で表されることを特徴とする請求の範囲第 1項〜 第 7項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[化 7]
般式 <4)
Figure imgf000091_0002
(R
laは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 R、 R
1 2は置換基を表し、 L は 2価の連結基を表し、 Arは芳香族基、複素環基を表し、 nl、 n2は 0〜4の整数を
3 1
表し、 m3は 0または 1を表す。）
前記ホストイ匕合物が下記一般式 (5)で表されることを特徴とする請求の範囲第 1項〜 第 7項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[化 8]
Figure imgf000092_0001
(R
laは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 R、 R
1 2は水素原子、置換 基を表し、 Lは 2価の連結基を表し、 Arは芳香族基、複素環基を表し、 nlは 0〜4の
3 1
整数を表し、 n2は 0〜3の整数を表し、 m3は 0または 1を表す。）
前記ホストイ匕合物が下記一般式 (6)で表されることを特徴とする請求の範囲第 1項〜 第 7項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[化 9]
一般式 (6》
Figure imgf000092_0002
(R 、 R、 R
laは水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基を表し、 R
1 2 5は水素原子、 置換基を表し、 Lは 2価の連結基を表し、 Arは芳香族基、複素環基を表し、 nl、 n4
4 1
は 0〜4の整数を表し、 n2は 0〜3の整数を表し、 m4は 0または 1を表す。 ) 前記ホストイ匕合物が下記一般式 (7)で表されることを特徴とする請求の範囲第 1項〜 第 7項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[化 10] 一般式 (7)
Figure imgf000093_0001
(R、 R、 Raは水素原子、置換基を表し、 nl、 n2、 naは 0〜4の整数を表し、 Xは NR
1 2
b、 S、 Oを表す。 )
[15] 一般式（3)〜（6)における Ar力 カルバゾリル基であることを特徴とする請求の範囲 第 10項〜第 13項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[16] 前記ホストイ匕合物のガラス転移点が 90°C以上であることを特徴とする請求の範囲第 1 項〜第 15項のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[17] 前記ホストイ匕合物のガラス転移点が 130°C以上であることを特徴とする請求の範囲第
1項〜第 15項のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[18] 前記ホストイ匕合物のガラス転移点が 160°C以上であることを特徴とする請求の範囲第
1項〜第 15項のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[19] 電子阻止層を有することを特徴とする請求の範囲第 1項〜第 18項のいずれか 1項に 記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[20] 白色に発光することを特徴とする請求の範囲第 1項〜第 19項のいずれか 1項に記載 の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[21] 請求の範囲第 1項〜第 20項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素 子を備えたことを特徴とする表示装置。
[22] 請求の範囲第 1項〜第 20項のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素 子を備えたことを特徴とする照明装置。
[23] 請求の範囲第 22項に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子を備えたことを特 徴とする表示装置。
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