WO2007046459A1

WO2007046459A1 - 多層プリント配線基板及びその製造方法

Info

Publication number: WO2007046459A1
Application number: PCT/JP2006/320820
Authority: WO
Inventors: Shogo Hirai; Fumio Echigo; Tadashi Nakamura; Toshio Sugawa
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2005-10-20
Filing date: 2006-10-19
Publication date: 2007-04-26
Also published as: KR20070084635A; EP1814373A1; CN101112140A; EP1814373A4; JPWO2007046459A1; US20080121416A1; TW200740334A

Abstract

　従来の複数枚のフィルムを絶縁層に用いた多層回路基板の場合、フィルム同士の接続に接着剤を用いるため、接着剤が薄層化に悪影響を与える場合があった。そこで、フィルムを使った複数枚の両面基板を、プリプレグに形成された貫通孔に導電性ペーストが充填、硬化されたペースト接続層を介して張り合わせると共に、ペースト接続層に予め形成しておいた貫通孔に充填した導電性ペーストによって第２の配線同士を電気的に接続することで、接着剤を用いることなく多層基板製造を提供することができ、多層回路基板全体を薄型化できる。

Description

明細書

多層プリント配線基板及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、携帯電話や超小型携帯端末等に使われる多層プリント配線基板や、半導体チップをベアチップ実装する際に用いられるインターポーザ等に用いられる多層プリント配線基板、及びその製造方法に関するものである。

背景技術

[0002] 従来、この種の多層プリント配線基板 (以下、単に多層基板と呼ぶ）としては、任意の位置に IVH (インナービアホール： Inner Via Hole :埋め込み穴）を形成したものが知られている。このような、従来の多層基板の一例が、例えば特開 2002— 353 619号公報に開示されている。

[0003] そして市場力は多層基板の更なる薄層化が望まれて、た。以下、多層基板を薄層化するための手段としてフィルムを使った多層基板について説明する。

[0004] 図 9は従来の多層基板の一例を示す断面図であり、接着剤を用いてフィルムを積層する多層配線基板の一例である。図 9において、フィルム 10上には配線 12よりなる所定パターンが形成されている。そして複数のフィルム 10は、接着剤 14によって配線 12と共に接着されている。また必要部分に IVH8を形成することで、異なる層に形成された配線 12同士を接続している。

[0005] し力しながら、前記従来の構成では、フィルム 10同士を接続するために接着剤 14 を用いているため、薄層ィ匕に限度があった。

[0006] 例えば図 9で示した構成の場合、配線 12が片面に形成されたフィルム 10を用いて積層するため、 4層の多層基板を作製する場合、接着剤 14が 3層、フィルム 10が 4層の合計 7層分の厚みが必要となり、薄層化が難し力つた。

[0007] 一方、図 9で示した構成の応用として、配線 12を両面に形成したフィルム 10を 2枚用意し、接着剤 14で貼り付けて 4層の配線パターン層を有する多層基板とすることも考えられた。この場合、両面に配線 12が形成されたフィルム 10同士を、接着剤 14〖こよって貼り付けることになる。し力しこの張り合わせの際に、接着剤 14が軟化、流動するため、向き合った配線 12同士を短絡させる可能性がある。

[0008] 本発明は、前記従来の課題を解決するもので、フィルムの積層に接着剤の代わりにプリプレダ (prepreg：シート材)を用いた多層基板を提供する。

発明の開示

[0009] 前記従来の課題を解決するために、本発明は表裏面に配線パターンが形成された榭脂フィルムを使った両面プリント配線基板同士を、途中にプリプレダを挟んでプレス、一体化する。

[0010] 本発明の場合、例えばプリプレダとして織布が榭脂で含浸されたものを用いて、配線が両面に形成されたフィルム同士を張り合わせるため、高圧でプレスした場合でもプリプレダに含まれる織布によって配線同士の短絡が防止できる。また、予めプリプレグに貫通孔を形成し導電性ペーストを充填しておくことで、両面プリント配線基板同士の接着と同時に IVHの形成も可能となる。

[0011] このように、本発明の多層プリント配線基板及びその製造方法においては、接着剤の代わりにプリプレダを用いて積層することで、 IVHを有する多層プリント配線基板を極薄で作製することができる。

図面の簡単な説明

[0012] [図 1]図 1は実施の形態 1における多層基板の断面図である。

[図 2A]図 2Aは実施の形態 2における 4層基板の製造方法を説明する第 1の断面図である。

[図 2B]図 2Bは実施の形態 2における 4層基板の製造方法を説明する第 2の断面図である。

[図 2C]図 2Cは実施の形態 2における 4層基板の製造方法を説明する第 3の断面図である。

[図 2D]図 2Dは実施の形態 2における 4層基板の製造方法を説明する第 4の断面図である。

[図 2E]図 2Eは実施の形態 2における 4層基板の製造方法を説明する第 5の断面図である。

[図 3]図 3は実施の形態 3における多層基板の断面図である。 [図 4A]図 4Aは実施の形態 4における多層基板の製造方法を説明する第 1の断面図である。

[図 4B]図 4Bは実施の形態 4における多層基板の製造方法を説明する第 2の断面図である。

[図 4C]図 4Cは実施の形態 4における多層基板の製造方法を説明する第 3の断面図である。

[図 4D]図 4Dは実施の形態 4における多層基板の製造方法を説明する第 4の断面図である。

[図 4E]図 4Eは実施の形態 4における多層基板の製造方法を説明する第 5の断面図である。

[図 5]図 5は実施の形態 5の多層基板の断面図である。

[図 6A]図 6Aは実施の形態 6における多層基板の製造方法を説明する第 1の断面図である。

[図 6B]図 6Bは実施の形態 6における多層基板の製造方法を説明する第 2の断面図である。

[図 6C]図 6Cは実施の形態 6における多層基板の製造方法を説明する第 3の断面図である。

[図 6D]図 6Dは実施の形態 6における多層基板の製造方法を説明する第 4の断面図である。

[図 6E]図 6Eは実施の形態 6における多層基板の製造方法を説明する第 5の断面図である。

[図 6F]図 6Fは実施の形態 6における多層基板の製造方法を説明する第 6の断面図である。

[図 7A]図 7Aは実施の形態 7の多層基板の製造方法を説明する第 1の断面図である [図 7B]図 7Bは実施の形態 7の多層基板の製造方法を説明する第 2の断面図である [図 7C]図 7Cは実施の形態 7の多層基板の製造方法を説明する第 3の断面図である圆 7D]図 7Dは実施の形態 7の多層基板の製造方法を説明する第 4の断面図である圆 8A]図 8Aは実施の形態 9の多層基板の製造方法を説明する第 1の断面図である圆 8B]図 8Bは実施の形態 9の多層基板の製造方法を説明する第 2の断面図である圆 8C]図 8Cは実施の形態 9の多層基板の製造方法を説明する第 3の断面図である圆 8D]図 8Dは実施の形態 9の多層基板の製造方法を説明する第 4の断面図である

[図 9]図 9は従来の多層基板の一例を示す断面図である。

符号の説明

102a, 102b フィルム

104a, 104b 第 1の配線

106a, 106b, 106c, 106d 第 2の配線

108

110 IVH

112

114a, 114b 両面基板

116a, 116b ペースト接続層

118

120

122 プリプレダ

124 貫通孑し

126 導電性ペースト

128 ブラインドビア

130 発明を実施するための最良の形態

[0014] (実施の形態 1)

以下、本発明の実施の形態 1における多層基板について、図面を参照しながら説明する。

[0015] 図 1は本発明の実施の形態 1における多層基板の断面図である。

[0016] 図 1に示すとおり、この多層基板は、フィルム 102a, 102b、第 1の配線 104a, 104 b、第 2の配線 106a, 106b,絶縁層 108、 IVH110,層間接続部 112、両面基板 11 4a, 114b,ペースト接続層 116を、主要な構成要素として有している。

[0017] ここでフィルム 102aの片面には第 1の配線 104aが、もう片面には第 2の配線 106a が形成され、両面基板 114aを構成している。同様に両面基板 114bは、フィルム 102 bの各面に第 1の配線 104bと第 2の配線 106bが形成され、互いの配線が層間接続部 112で接続されている。またペースト接続層 116は、絶縁層 108と IVH 110から構成されて!/、る。そして両面基板 114aと両面基板 114bはペースト接続層 116で一体化される。そして同時に、両面基板 114aの第 2の配線 106aと、両面基板 114bの第 2の配線 106bは、 IVH110によって電気的に接続される。またこれら配線部の厚みに関しても、両面基板 114aに形成された第 2の配線 106aや、両面基板 114bに形成された第 2の配線 106bがペースト接続層 116に埋没されることによって、その配線厚みがペースト接続層 116によって吸収できる。

[0018] なお、図 1を用いて配線や絶縁層の数え方について説明する。図 1の上を表として、上から下に数えた場合、表層から数えて 1層目の 1層目絶縁層（これは表層に相当する）がフィルム 102aに、表層力も数えて 2層目の 2層目絶縁層が絶縁層 108に、表層から 3層目の 3層目絶縁層がフィルム 102bに、それぞれ相当する。同様に、表層力も数えて 1層目の 1層目配線 (もしくは表層の配線）が第 1の配線 104a、表層から数えて 2層目の 2層目配線が第 2の配線 106a、表層から数えて 3層目の 3層目配線が第 2の配線 106b、表層力も数えて 4層目の 4層目配線が第 1の配線 104bに相当する。なお図 1は、 4層構造 (配線力層あることを意味する）で、上下対象であるため、上から下に数えても、下を表として下力上に数えても実質的な違いは無いが、本発明の実施形態においては原則的に上を表として上から下に数えるものとする。 [0019] 図 1において、表層から数えて 2層目に形成された 2層目絶縁層である絶縁層 108 を貫通する電気的接続が、 IVH110に相当する。そして、表層から数えて 2層目に形成された 2層目配線である第 2の配線 106aと、表層から数えて 3層目に形成された 3 層目配線である第 2の配線 106bとが、前記絶縁層 108に埋設されることになる。

[0020] なお実施の形態 1において IVH110は、絶縁層 108に形成された貫通孔（後の図 2 Aにおいて、貫通孔 124を説明する）の中に導電性ペースト (後の図 2Bにおいて、導電性ペースト 126を説明する）が充填されたものである。そしてこの IVH110が両面基板 114aと 114bの間に形成され、第 2の配線 106aと 106bを接続する。実施の形態 1において、ペースト接続層 116の任意の位置に IVH 110を形成できる。このように図 1では、フィルム 102を用いた複数枚の両面基板 114a、 114bの厚みを吸収すると同時に、層間の接続を IVH110によって行う。

[0021] なお実施の形態 1にお、て、ペースト接続層 116を構成する部材として、例えばプリプレダを選ぶことができる。このプリプレダは、半硬化の榭脂からなるものである。また、 IVH110を構成する部材として、硬化型導電性ペーストを用いることができる。このように本発明において、プリプレダ及び硬化型導電性ペーストを使うことで、接着剤を使うことなぐ多層基板を形成することができるため、多層基板の総厚を大幅に薄層化できる。また、互いに向き合った配線同士を接続する場合にも、プリプレダに含まれる織布によって配線同士の接触による短絡を防止できる。

[0022] なお、多層基板の寸法は 300mm X 500mm ± 200mm程度が望まし!/、。 100mm

X 300mmより寸法が小さい場合、製品の取れ数が少なくなるためコストアップする可能性がある。また 500mm X 700mmより基板寸法が大きくなると、工程内での取り扱い性、寸法変化等への影響が現れる場合がある。

[0023] 以上のように、表層から数えて 2層目に形成された 2層目絶縁層（図 1の絶縁層 108 に相当）を貫通する電気的接続が導電性ペースト（図 1の IVH 110に相当）とする。

[0024] そして表層力も数えて 2層目に形成された 2層目配線（図 1において第 2の配線 10 6aに相当する）と、表層から数えて 3層目に形成された 3層目配線（図 1において第 2 の配線 106bに相当する）力前記ペースト接続層 116によって埋設されると共に、電気的に接続する。 [0025] このようにして、実施の形態 1では接着剤を使うことなく 4層基板 (配線が 4層のことを意味する）を構成することができ、 4層基板の薄層が可能となる。

[0026] (実施の形態 2)

以下、本発明の実施の形態 2における多層基板の製造方法について説明する。実施の形態 2は 4層基板の製造方法の一例であり、例えば実施の形態 1で説明した 4層基板の製造方法の一例に相当する。図 2A〜図 2Eは、実施の形態 2における 4層基板の製造方法を説明する断面図である。

[0027] まず、図 2Aに示すように、プリプレダ 122に貫通孔 124を形成する。この時、予めプリプレダ 122の表面にが貼り付けられた状態のまま、貫通孔 124を形成することが望ましい。貫通孔 124の形成には金型、ドリル、レーザ等を用いることができる。またプリプレダの材料には市販品の例えば、後述するガラスエポキシ、あるいはァラミドエポキシ等を使うことができる。

[0028] 次に、図 2Bに示すように、貫通孔 124の内部に導電性ペースト 126を充填する。例えば、プリプレダ 122とその上に形成された保護フィルム（図示していない）をマスクとして、スキージ等で導電性ペースト 126を擦り付ける力、もしくは充填することで、セルファライメント的（自己整合的）に、プリプレダ 122に形成された貫通孔 124だけに導電性ペースト 126を充填することができる。そして導電性ペースト 126を充填した後、前記保護フィルムを剥がすことで、図 2Bの状態を得る。

[0029] 図 2Cは、両面基板 114aの断面図である。図 2Cにおいて、両面基板 114aは、フィルム 102aの片面に第 1の配線 104aが、他面に第 2の配線 106aが形成されている。そして前記フィルム 102aを貫通するように形成された層間接続部 112が、第 1の配線 104aと第 2の配線 106aを層間接続する。

[0030] ここで、フィルム 102aの材質として、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム等の高耐熱性榭脂フィルムを使うことが望ましぐ特にァラミドフィルムが好ましい。高耐熱性の榭脂フィルムを用いることで、半田付け工程等での熱影響を抑えられる。また、フィルム 102aの厚みとしては 100 μ m以下、特に 3 μ m以上 50 μ m以下（望ましくは 30 μ m以下、更に可能なれば 25 m以下）を選ぶことが望ましい。このように極薄の耐熱性フィルムを用いることで、出来上がった多層基板の総厚を薄くできる。なお、こうした耐熱性フィルムの両面に、接着剤を使うことなく導電体層を形成した基板材料を選ぶことができる。こうした接着剤を用いることなく耐熱性フィルムと導電体層を形成した銅張りフィルムを用いることで、多層基板の耐熱性や信頼性を高められる。

[0031] 図 2Dは、図 2Bの導電性ペースト 126が充填されたプリプレダ 122と、図 2Cの両面基板 114aを互いに位置合わせする状態を示す。図 2Dに示すように、導電性ペースト 126が所定位置に充填されたプリプレダ 122の両側に、両面基板 114a、 114bをセットする。そして、プリプレダ 122側の第 2の配線 106a、 106bと、導電性ペースト 126 を位置合わせする。そして、位置合わせした状態で、真空プレスで加熱圧着させる（真空プレスは図示していない）。そして真空プレスが終了した後、プレスしたサンプルを取り出す。図 2Eは真空プレス終了後のサンプルの断面図に相当する。

[0032] なお、真空プレスによって加圧圧着させるのと同時に、所定の温度プロファイルでサンプルを加熱硬化させる。そうすると、プリプレダ 122がー且軟ィ匕したあと硬化し、絶縁層 108へと変化する。プリプレダ 122が軟ィ匕した際に、両面基板 114a、 114bに形成された第 2の配線 106a、 106bを埋没させ、その配線厚みを吸収する。そして、配線厚みを吸収した状態でプリプレダ 122が硬化し、絶縁層 108となり、両面基板 11 4a、 114bを強固に固定する。また、このときプリプレダ 122に埋め込まれた導電性べ一スト 126も同時に硬化し、 IVH110へと変化する。こうして IVH 110を有する 4層基板を構成する。そして第 2の配線 106a、 106bの厚みは低減し、配線による凹凸は平坦化する。

[0033] 次に、プリプレダにつ、て説明する。ここでプリプレダ (prepreg：事前含浸処理シート材)とは、活性榭脂を含浸させた繊維素材あるいは織布である。これはまだ完全には硬化していない状態であるため、エネルギーを加えて同時に成形できる。このようにプリプレダを使うことで、成形時での配線同士の接触による短絡を防止でき、更にプレス成型時の変形や寸法バラツキを抑えられると共に、出来上がった多層基板の強度アップも可能となる。なお含浸させる榭脂としては、熱硬化性榭脂を使うことが望ましい。熱硬化性榭脂としては、エポキシ榭脂ゃイミド榭脂を使うことができる。また繊維素材あるいは織布としては、ガラス繊維以外に、芳香族系を含むポリアミド、ァラミド等の部材を用いることができる。 [0034] なおプリプレダの硬化温度は、 85°Cから 220°Cの範囲が望ましい。温度が 230°C 以上の場合、榭脂硬化にバラツキが発生し、寸法の精度に影響を与える場合がある。また温度が 85°Cより低い場合、榭脂硬化の時間が増加し、硬化状態に影響を与える場合がある。また、フィルム 102の厚みが 50 m以下と薄い場合、 180°C以上 220 °C以下の温度範囲で、プリプレダ 122の硬化を行うことが望ましい。こうすることで、両面基板 114a、 114bの表面に形成された配線のうち、プリプレダ 122の側に形成された第 2の酉己線 106a、 106dをプジプレダ 122の中に埋没でさる。

[0035] また、圧力範囲は 2MPa (メガパスカル、圧力の単位）以上 6MPa以下が望ましい。

2MPa未満の場合、図 6Fに示す多層基板の密着性にばらつきが発生する可能性がある。また、圧力の印加時間は 1分以上 3時間未満が望ましい。圧力の印加時間が 1 分未満の場合、プレスによるバラツキが発生する場合がある。また、プレス時間が 3時間を越えると、生産性に影響を与えてしまう。このため、圧力 2MP以上 6MPa以下、特に、 4MPa以上 6Mpa以下が望ましい。一般的な多層基板の場合、 2〜3MPaで積層されることが多いが、本実施の形態の場合、フィルム 102力薄く、厚みバラツキの影響を受け易いうえに、導電性ペースト 126を用いる等のために、積層圧力は 5Mpa 程度、例えば 4MPa以上 6MPa以下と、高めにすることが望ましい。

[0036] 更に詳しく説明する。まず布状のプリプレダとしてはガラスエポキシ系の市販品、具体的には、織布としてガラス繊維を用い、これをエポキシ系の榭脂を含浸したものを選んだ。そして図 2Aに示すように、プリプレダ上に保護フィルム（図示していない）を形成し、そのままの状態で所定位置に貫通孔 124を形成した。次に、前記保護フィルムの上に導電性ペースト 126を所定量添加し、スキージ (ゴムベラ)で前記導電性ペースト 126を刷り込むようにして、プリプレダ 122に形成された貫通孔 124に充填した。その後、保護フィルムを剥離することで、図 2Bの状態とした。

[0037] 次に、両面銅張りフィルムを用意した。具体的にはポリイミドフィルム (厚み 10 μ m) の両面に接着剤を使うことなく導電体層を形成したものを用いた。次に、前記両面銅張りフィルムの導電体層を所定パターンにカ卩ェし、図 2Cの両面基板 114aとした。

[0038] 次に、図 2Dに示すように、導電性ペースト 126の充填されたプリプレダ 122の両面に、両面基板 114a、 114bを所定治具（図示していない）によって位置合わせした。その後、真空プレスで所定時間、所定温度でプレスして一体ィ匕した。この際、必要に応じて加熱、加圧することが望ましい。この一体化と同時に、導電性ペースト 126によつて両面基板 114a、 114bのプリプレダ 122側に形成された第 2の配線 106a、 106b を電気的に接続する。

[0039] こうして図 2Eに示すような、極薄の多層基板を作製した。ここで、プリプレダ 122の厚みをさらに薄ぐ例えば 40 μ m力ら 20 μ m、あるいはさらに 10 μ mへと薄くすることで、総厚が 100 m以下、あるいは 60 m以下、更には 30 m以下といった極薄の多層基板が製造できる。

[0040] 以上のようにして、 4層プリント配線基板の表層力数えて 2層目の絶縁層を貫通する部分の電気的接続が導電性ペースト 126であるペースト接続層 116を有し、表層力数えて 2層目に設けられた 2層目配線と、表層から数えて 3層目に設けられた 3層目配線とが、前記ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする 4層プリント配線基板を作製できる。

[0041] なお、 4層プリント配線基板の表層から数えて 2層目絶縁層は、図 1における絶縁層 108に相当する。 4層プリント配線基板の表層力も数えて 1層目の 1層目絶縁層は、図 1においてフィルム 102aに相当する。表層から 2層目に設けられた配線は、図 1において、両面基板 114aの下に形成された第 2の配線 106aに相当する。

[0042] また、表層から 3層目に設けられた配線は、図 1において、両面基板 114bの上に形成されペースト接続層 116 (もしくは絶縁層 108)側に埋没された第 2の配線 106b に相当する。

[0043] 以上のように、実施の形態 2にお、て、表層から数えて 2層目の配線と、表層から数えて 3層目の配線（図 1における第 2の配線 106a, 106bに相当）を、両方とも同様にペースト接続層 116に埋没することができるため、基板厚みを薄くした場合でもその配線厚みを吸収できるため、チップ部品や半導体チップ等の実装、表面平滑性が要求されるバンプ等を用いたベアチップ実装、更には CPU実装用のインターポーザも含めて、実装性能を高められる。

[0044] このように、ペースト接続層 116は、プリプレダ 122と前記プリプレダ 122に形成された貫通孔 124に充填された導電性ペースト 126とすることで、 IVH110の形成位置を自由に設計できるため、回路基板の小型化、高性能化が可能となる。

[0045] (実施の形態 3)

以下、本発明の実施の形態 3における多層基板について、図面を参照しながら説明する。実施の形態 1と実施の形態 3の違いは、多層化に用いているフィルムの枚数 (実施の形態 1では 2枚、実施の形態 3では 3枚)である。

[0046] 図 3は実施の形態 3における多層基板の断面図である。図 3では、フィルムを用いた両面基板 114a、 114b, 114cを、 2枚のペースト接続層 116a、 116bを用いて互いに貼り合わせたものを示して、る。そして両面基板 114aの下面に形成された第 2 の配線 106aと、両面基板 114bの上面に形成された第 2の配線 106bとを、 IVH110 によって電気的に接続する。同様に両面基板 114cの上面に形成された第 2の配線 106dと、両面基板 114bの下面に形成された第 2の配線 106cとを IVH110によって電気的に接続する。

[0047] このように 3枚の両面基板 114a、 114b、 114c (配線の層数を計算すると、配線 2層

3枚=6層）をぺースト接続層116&、 116bを用いて一体ィ匕することで、配線合計 6 層のうち 4層分の配線厚みを、前記ペースト接続層 116a、 116bに埋め込み吸収することができ、更なる薄層化が可能となる。

[0048] なおペースト接続層 116a、 116bは、絶縁層 108と IVH110から構成されている。

ここで IVH110とはインナービアホール (層間接続のためのビア穴）の意味であり、本実施の形態の場合、任意の位置に IVH110を形成することができる。また、ペースト接続層 116を構成する絶縁部材としてプリプレダ 122を使うことができる。また、 IVH 110を構成する導電部材として、硬化型導電性ペースト 126を用いることが望まヽ。このように本発明において、プリプレダ及び硬化型導電性ペーストを使うことで、接着剤を使うことなぐ多層基板を構成できるため、多層基板を大幅に薄層化できる。

[0049] 以上のように、絶縁層が 5層以上のプリント配線基板の、少なくとも表層から 2層目の絶縁層（図 3における上側の絶縁層 108)を貫通する電気的接続が導電性ペースト 126であるペースト接続層 116を有し、少なくとも表層から 2層目の配線（図 3において第 2の配線 106a)と表層から 3層目の配線（図 3において第 2の配線 106b)力前記導電性ペースト接続層 116に埋設することで、絶縁層が 5層以上の多層プリント配線基板を薄層に形成できる。

[0050] なおここで、表層から 2層目の絶縁層の電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層とは、図 3のペースト接続層 116a、 116bのことである。また、表層から数えて 1層目の絶縁層とは、図 3におけるフィルム 102aに相当する。表層から数えて 2層目に設けられた 2層目配線とは、図 3において、上、下から数えた場合それぞれ両面基板 114a、 114cに形成されペースト接続層 116a、 116bに埋没された第 2の配線 1 06a、 106dに相当する。また、表層から数えて 3層目に設けられた 3層目配線とは、図 3において上から下に数えた場合 (配線の場合、配線だけを数える）、両面基板 11 4bの上に形成されてペースト接続層 116aに埋没された第 2の配線 106bに相当する。また下から上に数えた場合、両面基板 114bの表面に形成された第 2の配線 106c に相当する。

[0051] (実施の形態 4)

以下、本発明の実施の形態 4における多層基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図 4A〜4Eは実施の形態 4における多層基板の製造方法を説明する断面図である。実施の形態 4は、複数枚のフィルムを用いて多層化する製造方法の一例であり、例えば実施の形態 3での多層基板の製造方法の一例を示すものである。

[0052] まず図 4Aに示すように、プリプレダ 122に貫通孔 124を形成する。この時プリプレグ 122の表面に保護フィルムが貼り付けられた状態のまま、貫通孔 124を形成することができる。また、これら貫通孔 124の形成は金型、ドリル、レーザ等を用いることができる。また、プリプレダとして、例えば布状の市販品を使うことができる。次に図 4Bに示すように、貫通孔 124の内部に導電性ペースト 126を充填する。この充填はスクリーン印刷を用いることができる。例えば、プリプレダ 122とその上に形成された保護フイルム（図示して、な、）の両方を貫通するようにして貫通孔 124を形成した後、前記保護フィルムをマスクとして、スキージ等で導電性ペーストを擦り付けることで、セルファライメント的（自己整合的）に、プリプレダ 122に形成された貫通孔 124だけに導電性ペースト 126を充填することができる。そして前記保護フィルムを剥がすことで、図 4 Bの状態を得ることがでさる。 [0053] 図 4Cは、両面基板 114aの断面図である。図 4Cにおいて、フィルム 102aの表面には第 1の配線 104aと、第 2の配線 106aが形成され、層間接続部 112を介して電気的に接続されている。フィルム 102aとしては、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム等の高強度で低熱膨張係数のフィルム部材を使うことが望ましぐ特にァラミドフィルムが好まし、。熱膨張係数の小さ、 (特にシリコンに近、熱膨張係数の)榭脂フィルム 1 02aを用いることで、半導体チップのベアチップ実装や CPU周りのインターポーザ用途にも対応できる。フィルム 102の厚みとしては 100 μ m以下、特に 3 μ m以上 50 μ m以下、望ましくは 30 /z m以下、更に可能なれば 25 m以下を選ぶことが望ましい。このように極薄の耐熱性フィルムを用いることで、出来上がった多層基板の総厚を薄くできる。なおこうした耐熱性フィルムの両面に、接着剤を使うことなく導電体層を形成した基板材料を選ぶことができる。こうした接着剤を用いることなぐ耐熱性フィルムと銅箔を張り付けた銅張りフィルムを用いることで、多層基板の耐熱性を高められるため、鉛フリー半田を用いた実装に対応しやすい。

[0054] 図 4Dは、図 4Bの導電性ペースト 126が充填されたプリプレダ 122a、 122bと、複数枚の両面基板 114a、 114b, 114cを互いに位置合わせする様子を示す断面図である。

[0055] 図 4Eは、図 4Bの導電性ペースト 126が充填されたプリプレダ 122a、 122bと、両面基板 114a、 114b, 114cを互いに一体ィ匕した後の様子を示す断面図である。具体的には、図 4Dで示した状態のサンプルを、熱盤プレス等を使って互いに密着させると共に、所定の温度プロファイルで加熱することで、プリプレダ 122a、 122bがー且軟化したあと硬化することとなり、絶縁層 108に変化する。このときプリプレダ 122a、 12 2bに埋め込まれた導電性ペースト 126も同時に加熱、硬化され IVH 110となる。

[0056] 更に詳しく説明する。まずプリプレダ 122としてはァラミドエポキシ系の市販品を使つた。そして図 4Aに示すように、プリプレダ 122上の保護フィルムとともに、所定位置に貫通孔 124を形成した。次に、前記保護フィルムの上に導電性ペースト 126を所定量添加し、スキージ (ゴムベラ）で前記導電性ペースト 126を、プリプレダ 122に形成された貫通孔 124に充填する。そして保護フィルムを剥離することで、図 4Bの状態とした。 [0057] 次に、両面銅張りフィルムを用意した。具体的には、厚み 10 mのァラミドフィルムの両面に接着剤を使うことなく導電体層を形成したものを用いた。次に、前記両面銅張りフィルムの銅箔部分を所定パターンにカ卩ェし、図 4Cの両面基板 114aとした。

[0058] 次【こ、図 4D【こ示すよう【こ、導電' 14ペースト 126の充填されたプリプレダ 122a、 122 bと、両面基板 114a、 114b, 114cを互いに交互に積み重ねて位置合わせした。その後、プレスで所定時間、所定温度で加熱しながら加圧して一体化した。この際、必要に応じて真空プレスしても良い。また、このプレス条件を、プリプレダ 122がー且軟化したあと硬化する条件とすることで、複数の両面基板 114を、中央にセットしたプリプレダ 122を用いて一体ィ匕できる。また、このプレス条件において、導電性ペースト 1 26力両面基板 114のプリプレダ側に形成された第 2の配線 106a〜dを電気的に接続させる。

[0059] こうして、図 4Eに示すような、極薄の多層基板を作製した。ここで、プリプレダ 122a 、 122bの厚みを薄く（例えば、 40 μ m、あるいは 20 μ m、より望ましくは 10 μ m)することで、総厚が 100 m以下、あるいは 60 m以下、更には 30 m以下といった極薄の多層基板が製造できる。

[0060] (実施の形態 5)

以下、本発明の実施の形態 5における多層基板について説明する。図 5は実施の形態 5の多層基板の断面図である。実施の形態 5と実施の形態 3の違いは、実施の形態 3では中央部が 2層基板、実施の形態 5では中央部が 3層以上の多層基板である。このように、実施の形態 5を用いることで、更に多様な形態で、フィルム等を用いた両面基板以外にも、様々な形態の多層基板を形成できる。

[0061] 図 5において、多層基板 118は、層間絶縁層 120によって層間絶縁された複数層の配線 104bや、層間絶縁層 120等力も構成され、層間絶縁層 120の表面には第 2 の配線 106b、 106cが形成されている。なお図 5において、多層基板 118の表面に形成された第 2の配線 106b、 106cは共にペースト接続層 116a、 116bに埋め込まれている。

[0062] 同様に、フィルム 102a、 102bの表面には第 1の配線 104a、 104cと第 2の配線 10 6a、 106dが形成され、互いに層間接続部 112で電気的に接続されることで両面基板 114a、 114b力構成されて!ヽる。

[0063] そして図 5に示すように、両面基板 114aのペースト接続層 116a側に形成した第 2 の配線 106aと、多層基板 118のペースト接続層 116a側に形成された第 2の配線 10 6bを、共にペースト接続層 116aに埋没すると共に、 IVH110によって電気的に接続する。同様に、両面基板 114b上の第 2の配線 106dと、多層基板 118表面の第 2の配線 106cを、ペースト接続層 116bを貫通する IVH110によって接続する。

[0064] このように、多層基板 118を中央にして、その両側に両面基板 114a、 114bを形成し、これらをペースト接続層 116を用いてその配線厚みを吸収すると共に一体ィ匕し、層間接続を行うことができる。また、実施の形態 5では接着剤を使っていないため、薄層化が可能となる。

[0065] (実施の形態 6)

実施の形態 6の多層基板の製造方法について、図 6A〜6Fを用いて詳しく説明する。図 6A〜6Fは実施の形態 6における多層基板の製造方法を説明する断面図であり、この多層基板の製造方法は、例えば実施の形態 5で説明した図 5の多層基板の製造方法に相当する。

[0066] まず図 6Aに示すように、プリプレダ 122に貫通孔 124を形成する。貫通孔 124の形成は金型、ドリル、レーザ等を用いることができる。またプリプレダには市販品を使うことができる。次に図 6Bに示すように、貫通孔 124の内部に導電性ペースト 126を充填する。

[0067] 図 6Cは、両面基板 114aの断面図である。図 6Cにおいて、両面基板 114aは、フィルム 102aと、その表面に形成された第 1の配線 104aと第 2の配線 106aが層間接続部 112で接続されたものから形成されている。図 6Dは、多層基板 118の断面である。多層基板 118は、層間絶縁層 120、層間接続部 112、第 1の配線 104bから構成されている。そして層間絶縁層 120に形成された層間接続部 112を介して、異なる層に形成された第 1の配線 104b同士を接続する。図 6Eは、図 6Bの導電性ペースト 12 6が充填されたプリプレダと、図 6Dの多層基板 118を互いに位置合わせする様子を示す。そして真空プレス装置（図示していない）を用いて、これらを一体化する。図 6F は、図 6Eの部材がー体ィ匕された後の様子を示す断面図である。 [0068] 次に、第 2の酉己線 106a、 106b, 106c, 106dをプリプレダ 122の中に埋没させる一例について説明する。例えば図 6Dで示した状態のサンプルを、真空プレス (あるいは真空加熱プレス）を使って互いに密着させると共に、所定の温度プロファイルでカロ熱することで、プリプレダ 122力 S軟ィ匕し、第 2の酉己線 106a、 106b, 106c, 106dをプリプレダ 122の中に埋没させる。その後、プリプレダ 122が硬化し、絶縁層 108となる。また、このときプリプレダ 122に埋め込まれた導電性ペースト 126も同時に加熱、硬化され、異なる層に形成された第 2の配線 106a、 106b同士を電気的に接続し、 IVH1 10となる。

[0069] 更に詳しく説明する。まず、プリプレダとしては市販品の厚み 30 μ mでガラスェポキシ系のものを使った。そして、図 6Aに示すように、プリプレダ上の保護フィルムとともに、所定位置に貫通孔 124を形成した。なお図 6Aに保護フィルムは図示していない。次に、前記保護フィルムの上に、導電性ペースト 126を所定量添加し、スキージ (ゴムベラ)で前記導電性ペースト 126を前記保護フィルムの孔越しに、プリプレダ 122に形成された貫通孔 124に充填させた。その後、保護フィルムを剥離することで、図 6B の状態とした。なお図 6Bにお!/、て保護フィルムは図示して!/ヽな!、。

[0070] 次に、両面銅張りフィルムを用意した。具体的には、厚さ 10 mのポリイミドフィルムの両面に接着剤を使うことなぐ導電体層を形成したものを用いた。次に、前記両面銅張りフィルムの銅箔部分を所定パターンに加工し、図 6Cの両面基板 114aとした。図 6Cより、両面基板 114aは、フィルム 102aの両面に、第 1の配線 104aと第 2の配線 106aが形成されて、ることが判る。

[0071] また図 6Dに示すような多層基板 118を用意した。図 6Dにおいて、第 1の配線 104 bは、層間絶縁層 120を介して絶縁され、層間接続部 112によって層間接続されている。そして多層基板 118の表面には、第 2の配線 106b、 106cが形成されている。

[0072] 次に図 6Eに示すように、導電性ペースト 126の充填されたプリプレダ 122の両面に、多層基板 118、両面基板 114a、 114bをセットした。その後、図 6Fに示すように、これらを所定時間、所定温度でプレスして一体ィ匕した。この際、必要に応じて真空プレスとしても良い。またこのプレス条件において、導電性ペースト 126が、両面基板 114 a、 114bのプリプレダ側に形成された第 2の配線 106a、 106dと電気的に接続される [0073] こうして図 6Fに示すような、極薄の多層基板を作製した。ここで、フィルムやプリプレグ 122、多層基板 118の厚みを薄く、例えば、 40 、あるいは 20 m、より望ましくは 10 mにすることで、多層でありながらも極薄のプリント配線基板を製造できる。

[0074] 次に、プリプレダにつ、て説明する。ここでプリプレダ (prepreg：事前含浸処理シート材)とは、活性榭脂を含浸させた繊維素材あるいは織布である。これはまだ完全には硬化していない状態であるため、エネルギーを加えて同時に成形できる。このようにプリプレダを使うことで、成形時での配線同士の接触による短絡を防止でき、更にプレス成型時の変形や寸法バラツキを抑えられると共に、出来上がった多層基板の強度アップも可能となる。なお含浸させる榭脂としては、熱硬化性榭脂を使うことが望ましい。熱硬化性榭脂としては、エポキシ榭脂ゃイミド榭脂を使うことができる。また繊維素材あるいは織布としては、ガラス繊維以外に、芳香族系を含むポリアミド、ァラミド等の部材を用いることができる。

[0075] なおプリプレダの硬化温度は、 85°Cから 220°Cの範囲が望ましい。温度が 230°C 以上の場合、榭脂硬化にバラツキが発生し、寸法の精度に影響を与える場合がある。また温度が 85°Cより低い場合、榭脂硬化の時間が増加し、硬化状態に影響を与える場合がある。また、フィルム 102の厚みが 50 m以下と薄い場合、 180°C以上 220 °C以下の温度範囲で、プリプレダ 122の硬化を行うことが望ましい。こうすることで、両面基板 114a、 114bの表面に形成された配線のうち、プリプレダ 122の側に形成された第 2の酉己線 106a、 106dをプジプレダ 122の中に埋没でさる。

[0076] また、圧力範囲は 2MPa (メガパスカル、圧力の単位）以上 6MPa以下が望ましい。

[0077] そして図 6Eのように、導電性ペースト 126が充填されてなるプリプレダ 122の両側に両面基板を位置決め、セットした後、プレス装置を用いて、加熱圧着し、一体化させた。なおプレス条件としては、最適化したプレスプログラム、具体的には、室温から 200°C前後まで段階的に温度が上がった後、自動的に室温まで温度が下がるものであり、時間と共に圧力も変化させたものを使うことで、安定した物つくりが可能となる。こうして図 6Fに示すような多層基板を作製した。

[0078] (実施の形態 7)

次に実施の形態 7について、図 7A〜7Dを用いて説明する。実施の形態 7では、表層がフィルムである多層基板を用い、めっき技術を用いて層間接続及び表層の配線を形成する場合について説明する。

[0079] 図 7A〜7Dは実施の形態 7の多層基板の製造方法を説明する断面図であり、この多層基板の製造方法は、例えば実施の形態 6で説明した多層基板の製造方法の一例であり、実施の形態 1や実施の形態 3で説明した多層基板等にも応用可能なものである。特に本実施の形態 7では、多層基板の表層の配線及びその配線に接続された層間接続部を、めっき技術を用いて一体ィ匕することに特徴があり、より高性能で微細なパターンを形成できる。

[0080] 実施の形態 7の特徴は、図 7Bに示すブラインドビア 128と、図 7Cに示す金属膜 13 0にある。まず図 7Aを用いて説明する。図 7Aは表層が榭脂フィルム 102a、 102bである多層基板の断面図である。図 7Aにおいて、中央には、層間絶縁層 120や第 1の配線 104b、層間接続部 112からなる多層基板 118が形成されている。そして多層基板 118の、絶縁層 108に面した側の第 2の配線 106b、 106cは、必要に応じて IVH1 10を介して、フィルム 102a、 102bの絶縁層 108に面した側に形成された第 2の配線 106a, 106dに接続されている。このようにして、多層基板 118の表面に形成された第 2の配線 106b、 106cと、フィルム 102aの上に形成された第 2の配線 106aや、フィルム 102bの上に形成された第 2の配線 106dが、 IVH110を介して電気的に接続する。

[0081] 図 7Aに示す多層基板の両表面は、フィルム 102a、 102bで覆われている。次に図 7B〜図 7Dを用いて、フィルム 102a、 102bの表面に配線等を形成する様子を説明する。

[0082] 図 7Bは、図 7Aで示した多層基板の両表面に形成されたフィルム 102a、 102bに孔を形成した後の断面図である。図 7Bにおいて表層のフィルム 102a、 102bにはブラインドビア 128が形成されており、ブラインドビア 128の中、もしくはブラインドビア 1 28の底には、フィルム 102a、 102bの絶縁層 108側に形成された第 2の配線 106a、 106dが露出している。

[0083] 図 7Cは、フィルム 102a、 102bの上にブラインドビア 128を埋めるように、金属膜 13 0を形成した様子を示す断面図である。図 7Cにおいて、フィルム 102a、 102bの表面には金属膜 130が形成されることで、同時にブラインドビア 128も金属膜 130で覆うことができる。なおこのような金属膜 130の形成方法としては、めっき法や薄膜法等を用いることができる。また金属膜 130の形成は、図 7Cに示すように基板の両面でも良いが、必要に応じて片面だけに形成しても良い。また図 7Cより、ブラインドビア 128を覆うように形成された金属膜 130は、フィルム 102の絶縁層 108側に形成された第 2 の配線 106a、 106dにも電気的に接続することとなる。

[0084] 図 7Dは、金属膜 130をエッチング等で、所定パターンに形成した後の断面図を示す。図 7Dに示すように、金属膜 130を所定形状にパターユングする際、ブラインドビァ 128を覆う部分の金属膜 130もビアフィル、もしくはビア埋め材をそのまま残すことで、第 1の配線 104aとなる。そして第 1の配線 104aは、ブラインドビア 128を介して、第 2の配線 106aとも電気的に接続される。

[0085] このように、表層力も数えて 1層目の配線（図 7Dにおいて配線 104aに相当）及び表層力も数えて 2層目の配線（図 7Dにおいて、配線 106aに相当する）の少なくとも一方は、めっき膜を介して、 1層目絶縁層に固定することによって、フィルム 102a、 1 02b表面への金属膜 130や第 1の配線 104a、 104b,第 2の配線 106a、 106d等を、安価でかつ高度な薄膜ィヒが可能になり、更には厚みバラツキの少ない配線とすることがでさる。

[0086] このように図 7C、図 7Dに示すように、ブラインドビア 128に金属膜 130を形成することで、表層力も数えて 1層目の絶縁層の電気的接続、つまりフィルム 102a、 102b に形成されたブラインドビア 128を介して第 1の配線 104a、 104cと第 2の配線 106a 、 106dを電気的接続することが可能となるため、信頼性が高ぐ配線抵抗の低い層間接続が可能となる。

[0087] (実施の形態 8)

実施の形態 8では、めっき法の代わりに薄膜法、あるいは薄膜法とめっき法の組合せを用いた、多層基板の製造方法について説明する。実施の形態 8と実施の形態 7 の違いは、薄膜法 (実施の形態 8)とめつき法 (実施の形態 7)の違いだけであり、共通点が多いので図 7を用いて説明する。

[0088] まず図 7Bに示すブラインドビア 128の形成としては、 YAG、 CO等のレーザ装置

2

を使うことができる。ブラインドビア 128等の表面への金属膜 130の形成方法としては、最初に NiCr等の下地層（シード層と呼ばれることもある）を 10〜50 A程度形成し、この上に銅を電気めつきしても良い。あるいはシード層無しにフィルム 102a、 102b上に銅を無電解めつきしても良い。あるいはフィルム 102上に薄膜法（電子ビーム、スパッタ他）を用いて、直接銅を析出（デポジション)しても良い。なおこれらの場合、その厚みが 10 A以上、あるいは、より望ましくは電気めつきに使える程度の導電性が得られる程度あれば、その導電性を利用してその上に銅を電気めつきし、配線として必要な厚み (例えば 5〜30 m、あるいは薄層化が必要な場合は 3〜15 m程度が望ましい）を形成できる。このようにシード層あるいは金属下地層を使うか、あるいは金属膜の形成方法を工夫することで、フィルム 102a、 102bに対する部材の密着力を高められる。

[0089] このように表層力数えて 1層目の配線及び表層力数えて 2層目に設けられた配線の少なくとも一方は、スパッタ膜を介して、表層から数えて 1層目の絶縁層に固定することで、フィルム 102a、 102b表面への金属膜 130や第 1の配線 104a、 104c, 第 2の配線 106a、 106d等の密着性を高められる。

[0090] (実施の形態 9)

次に、実施の形態 9の多層基板の製造方法について説明する。実施の形態 9では、図 8A〜8Dを用いて説明する。図 8A〜8Dは実施の形態 9を説明する断面図であり、実施の形態 9の特徴は下地電極層 132にある。実施の形態 8 (図 7A〜7Dに示す )と実施の形態 9 (図 8A〜8Dに示す）の違いは、フィルム表面における下地電極層 1 32の有無である。

[0091] まず図 8Aに示すように、フィルム 102a、 102bの少なくとも露出面に下地電極層 13 2を形成し、この下地電極層 132に銅を用いる場合、下地層（あるいはアンカー層）として薄膜法やめつき法で形成する。このように下地電極層 132を用いることで、配線 1 04a、 104c等のフィルム 102a、 102bへの密着力を更に高められる。また必要に応じて NiCrや Cr等の薄膜を下地電極層 132の更に下地層として使うこともできる。すなわち、下地電極層を単層としても良いし、複数層としても良い。この場合は NiCrや Cr等の薄膜を 10〜50A程度形成し、この上に銅を配線材として電気めつきで形成できる。なお NiCrや Cr等の厚みが 10A以上 1 μ m程度あれば、その導電性を利用してその上に銅を所定厚み、例えば 5〜30 /ζ πι程度、あるいは薄層化が必要な場合 3〜 15 m程度形成できる。このように下地電極層 132を使うことで、配線 104a、 10 4c等のフィルム 102a、 102bへの密着力を高められる。

[0092] なお、図 8Bに示すように、下地電極層 132と共に、フィルム 102a、 102bにレーザ等を用いてブラインドビア 128を形成することができる。そしてその後は、図 7A〜7D と同様にして所定の厚みで第 1の配線 104a、 104cや層間接続部 112を形成できる

[0093] そして図 8C,図 8Dに示すように、図 7C、図 7Dと同様にブラインドビア 128に金属膜 130を形成することで、表層から数えて 1層目の絶縁層の電気的接続、つまりフィルム 102a、 102bに形成されたブラインドビア 128を介して第 1の配線 104a、 104cと第 2の配線 106a、 106dを電気的接続することが可能となるため、信頼性が高ぐ配線抵抗の低!ヽ層間接続が可能となる。

[0094] (実施の形態 10)

実施の形態 10では、絶縁層に無機フィラーが添加されてなる榭脂フィルムを用いた多層基板の製造方法について説明する。実施の形態 2 (ガラスエポキシ系プリプレグを使用する）や実施の形態 6 (ァラミド入りプリプレダを使用する）と、実施の形態 10 (無機フィラー入り）との違いは、プレブリグの内容物すなわち添加物にある。なお実施の形態 10は、実施の形態 2や実施の形態 9と共通する部分が多いため、図 2や図 8を参照して説明する。

[0095] なお、プリプレダに添加する無機フイラ一としては、アルミナやシリカ等のセラミック系の絶縁粉が望ましい。このように、プリプレダに予め無機フィラーを添加しておくことで、熱プレス時にプリプレダが流動しすぎることを防止できる。プリプレダが流動しすぎると、貫通孔 124に充填された導電性ペースト 126が流れてしまったり、ずれたりする可能性があるため、これを防止することが望ましい。このように、熱プレス時のプリプレグの軟化、流動化を一定量で抑えるには、こうした無機フィラーを 10〜85wt%、より望ましくは 20〜80wt%、更に高精度が要求される場合には 40〜60wt%、添加することが望ましい。ここで無機フィラーの添加量が少なすぎる場合、第 2の配線 106a、 106b, 106c, 106dの埋没は容易である力ペースト接続層 116へ悪影響する可能性もある。また無機フィラーの添加量が多すぎる場合、熱プレス時にペースト接続層 1 16が流れなくなったり、あるいはずれたり、望ましい方向に流動しにくくなる力第 2の配線の埋没性に悪影響を与える可能性、例えば、第 2の配線の凹凸が吸収できない可能性がある。

[0096] 更にまた、無機フィラーを添カ卩しておくことで、熱プレス時に導電性ペースト 126が軟化して異常流動したり、変形したりすることを防止できる。そして IVH110における接続不良の発生の可能性を抑えられる。

[0097] 添加する無機フィラーの平均粒径は 0. 5 μ m以上 5 μ m以下が望ま U、。 0. 5 m 未満の場合、 BET (比表面積)が大きくなりすぎて、取り扱いにくい場合がある。また 5 μ mを超える場合、多層基板の薄層化に影響を与える場合がある。

[0098] (実施の形態 11)

実施の形態 11では、ペースト接続層に熱硬化性榭脂を用いる多層基板の製造方法について説明する。実施の形態 11で説明するように、ペースト接続層を構成する絶縁部材はプリプレダに限定する必要はな、。熱硬化性の榭脂フィルムでも良、が、 LCP (液晶ポリマー榭脂)等の高機能性を有した熱可塑性榭脂も使うことができる。このような高精度で高強度な熱可塑性榭脂を用いることで、高精度な多層基板を製造できる。

産業上の利用可能性以上のように、本発明の多層基板及びその製造方法は、フィルムや多層基板を組合せること〖こよって、従来に無い極薄の多層基板を作製できるため、各種電子機器、携帯機器の小型化、薄型化の用途にも適用できる。従って、その産業上の利用可能 '性は極めて高い。

Claims

請求の範囲

[1] 3層の絶縁層を有し、表層から数えて 2層目に形成された 2層目絶縁層には、それを貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層を有し、

表層から数えて 2層目に形成された 2層目配線と、表層から数えて 3層目に形成された 3層目配線とが、前記ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリン卜配線基板。

[2] 4層以上の絶縁層を有し、少なくとも一方の表層から数えて 2層目に形成された 2層目絶縁層を貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層を有し、少なくとも一方の表層から数えて 2層目に形成された 2層目配線と、表層から数えて 3 層目に形成された 3層目配線とが、前記導電性ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板。

[3] 前記ペースト接続層は、プリプレダと、前記プリプレダに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項 1に記載の多層プリント配線基板。

[4] 前記ペースト接続層は、熱硬化性榭脂と、前記熱硬化性榭脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項 1に記載の多層プリント配線基板。

[5] 前記ペースト接続層は、熱可塑性榭脂と、前記熱可塑性榭脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項 1に記載の多層プリント配線基板。

[6] 前記 3層の絶縁層のうちの少なくとも 1つの最外層の絶縁層は榭脂フィルム力もなり、前記榭脂フィルムカゝらなる最外層の絶縁層に接着剤を介することなく前記配線が形成されて!/、る、請求項 1に記載の多層プリント配線基板。

[7] 前記プリプレダはガラスエポキシもしくはァラミドエポキシである、請求項 3に記載の多層プリント配線基板。

[8] 前記榭脂中には、無機フィラーが 10wt%以上 85wt%以下の割合で充填されている請求項 4に記載の多層プリント配線基板。

[9] 前記榭脂中には、無機フィラーが 10wt%以上 85wt%以下の割合で充填されている請求項 5に記載の多層プリント配線基板。

[10] 最外層から数えて 1層目の前記配線と、最外層から数えて 2層目の前記配線との少なくとも一方は、スパッタ層を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項 1に記載の多層プリント配線基板。

[11] 最外層から数えて 1層目の前記配線と、最外層から数えて 2層目の前記配線との少なくとも一方は、めっき膜を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項 1 に記載の多層プリント配線基板。

[12] 表層から数えて 1層目に形成された 1層目絶縁層を貫通する電気的接続が、めっきで行われている請求項 1もしくは 2のいずれか一つに記載のプリント配線基板。

[13] 前記 3層の絶縁層のうちの最外層の絶縁層を貫通する電気的接続がめっきで形成されて、る、請求項 1に記載の多層プリント配線基板。

[14] 前記ペースト接続層は、プリプレダと、前記プリプレダに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項 2に記載の多層プリント配線基板。

[15] 前記ペースト接続層は、熱硬化性榭脂と、前記熱硬化性榭脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項 2に記載の多層プリント配線基板。

[16] 前記ペースト接続層は、熱可塑性榭脂と、前記熱可塑性榭脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項 2に記載の多層プリント配線基板。

[17] 前記 4層以上の絶縁層のうちの少なくとも 1つの最外層の絶縁層は榭脂フィルムからなり、

前記榭脂フィルムカゝらなる最外層の絶縁層に接着剤を介することなく前記配線が形成されて!/、る、請求項 2に記載の多層プリント配線基板。

[18] 最外層から数えて 1層目の前記配線と、最外層から数えて 2層目の前記配線との少なくとも一方は、スパッタ層を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項

2に記載の多層プリント配線基板。

[19] 最外層から数えて 1層目の前記配線と、最外層から数えて 2層目の前記配線との少なくとも一方は、めっき膜を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項 2 に記載の多層プリント配線基板。

[20] 前記 4層以上の絶縁層のうちの最外層の絶縁層を貫通する電気的接続がめっきで形成されて、る、請求項 2に記載の多層プリント配線基板。

[21] 絶縁基材に貫通孔を加工する孔加工ステップと、

前記貫通孔に導電性ペーストを充填してペースト接続層を形成するペースト接続層形成ステップと、

両面基板を作製する両面基板作製ステップと、

前記ペースト接続層に前記両面基板を積層し、積層体を作製する積層ステップと、前記積層体を熱プレス加工する熱プレスステップとを備えた、多層プリント配線基板の製造方法。

[22] 絶縁基材に貫通孔を加工する孔加工ステップと、

2層以上の層数を有する多層基板を作製する多層基板作製ステップと、

前記ペースト接続層の表裏面に前記両面基板を積層し、積層体を作製する積層ステツプと、

前記積層体を熱プレス加工する熱プレスステップとを備えた、多層プリント配線基板の製造方法。

[23] 前記両面基板の、表裏面に形成された配線が電気的に接続されていることを特徴とする、請求項 21に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[24] 前記両面基板の表裏面に形成された配線の電気的接続がめっきによることを特徴とする、請求項 21に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[25] 前記両面基板の表裏の電気的接続が導電性ペーストによることを特徴とする、請求項 21に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[26] 前記両面基板の表裏面の配線を電気的に接続する為の層間接続を形成する層間接続形成ステップを、熱プレスステップ以降にも実行する請求項 21に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[27] 前記層間接続形成ステップは、少なくともブラインドビアを形成するビア加工ステップと、ブラインドビアにめっきを施すめっきステップとからなる、請求項 26に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[28] 前記両面基板の、表裏面に形成された配線が電気的に接続されていることを特徴とする、請求項 22に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[29] 前記両面基板の表裏面に形成された配線の電気的接続がめっきによることを特徴とする、請求項 22に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[30] 前記両面基板の表裏の電気的接続が導電性ペーストによることを特徴とする、請求項 22に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[31] 前記両面基板の表裏面の配線を電気的に接続する為の層間接続を形成する層間接続形成ステップを、熱プレスステップ以降にも実行する請求項 22に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[32] 前記層間接続形成ステップは、少なくともブラインドビアを形成するビア加工ステップと、ブラインドビアにめっきを施すめっきステップとからなる、請求項 31に記載の多層プリント配線基板の製造方法。