[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

TWI804064B - 磁陣列及磁陣列的製造方法 - Google Patents

磁陣列及磁陣列的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI804064B
TWI804064B TW110143740A TW110143740A TWI804064B TW I804064 B TWI804064 B TW I804064B TW 110143740 A TW110143740 A TW 110143740A TW 110143740 A TW110143740 A TW 110143740A TW I804064 B TWI804064 B TW I804064B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
aforementioned
unit
switching element
wiring
electrode
Prior art date
Application number
TW110143740A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202224196A (zh
Inventor
佐佐木智生
塩川陽平
Original Assignee
日商Ｔｄｋ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2020199587A external-priority patent/JP7586694B2/ja
Application filed by 日商Ｔｄｋ股份有限公司 filed Critical 日商Ｔｄｋ股份有限公司
Publication of TW202224196A publication Critical patent/TW202224196A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI804064B publication Critical patent/TWI804064B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1659—Cell access
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)

Abstract

這個磁陣列具有：基板、第1單元、第2單元、字元線、第1讀出線、第2讀出線、第1閘極線、第2閘極線、和源極線，各個單元分別具有：磁阻效應元件、第1切換元件、和第2切換元件；前述磁阻效應元件具有積層體與位於前述積層體上的配線；前述第1切換元件連接到積層體的參考層；前述第2切換元件連接到前述配線；各個讀出線連接到前述第1切換元件；前述字元線連接到前述第2切換元件；各個閘極線連接到不同的單元的前述第1切換元件及前述第2切換元件；前述源極線連接到前述配線。

Description

磁陣列及磁陣列的製造方法
本發明是有關於磁陣列及磁陣列的製造方法。 本案主張基於2020年12月1日在日本申請的特願2020-199587號的優先權，其內容援用於此。
替代已見到微縮化的極限的快閃記憶體等的非揮發性記憶體已受到注目。舉例而言，MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）、ReRAM（Resistance Randome Access Memory）、PCRAM（Phase Change Random Access Memory）等作為次世代的非揮發性記憶體所習知。
MRAM是使用磁阻效應元件的記憶體元件。磁阻效應元件的電阻值根據夾住非磁性層的兩個磁性膜的磁化的方向的相對角度的差異而變化。MRAM將磁阻效應元件的電阻值記錄為數據。
在利用磁阻變化的自旋元件當中，利用自旋軌道轉矩（SOT）的自旋軌道轉矩型磁阻效應元件（例如專利文獻1）、利用磁壁的移動的磁壁移動型磁記錄元件（例如專利文獻2）等已受到注目。
3端子型的自旋元件之寫入數據時的電流路徑與讀取數據時的電流路徑不同。這些自旋元件為了分別控制讀取電流與寫入電流，需要複數個電晶體。也就是，為了使一個自旋元件運作，需要確保複數個電晶體份的面積。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017－216286號公報 [專利文獻2]日本專利特許第5441005號公報
本發明是有鑑於上述問題，以提供能夠提高集成性的磁陣列以及磁陣列的製造方法為目的。
（1）根據第1態樣的磁陣列，具有：基板、第1單元、第2單元、字元線、第1讀出線、第2讀出線、第1閘極線、第2閘極線、和源極線，其中前述第1單元與前述第2單元分別具有：磁阻效應元件、第1切換元件、和第2切換元件；前述磁阻效應元件具有積層體與位於前述積層體上的配線；前述積層體從靠近前述基板的一側起依序至少具有參考層與非磁性層；前述第1切換元件連接到前述參考層；前述第2切換元件連接到前述配線；前述第1讀出線連接到前述第1單元的前述第1切換元件；前述第2讀出線連接到前述第2單元的前述第1切換元件；前述字元線連接到前述第1單元及前述第2單元的前述第2切換元件；前述第1閘極線連接到前述第1單元的前述第1切換元件的閘極、和前述第2單元的前述第2切換元件的閘極；前述第2閘極線連接到前述第1單元的前述第2切換元件的閘極、和前述第2單元的前述第1切換元件的閘極；前述源極線連接到前述第1單元的前述配線及前述第2單元的前述配線
（2）根據上述態樣的磁陣列，也可以更具備：比較部，連接到前述第1讀出線及前述第2讀出線。
（3）在根據上述態樣的磁陣列中，前述第1切換元件的前述閘極的寬度也可以比前述第2切換元件的前述閘極的寬度更窄。
（4）在根據上述態樣的磁陣列中，也可以前述第1單元的第1切換元件與前述第2單元的第2切換元件鄰接，前述第1單元的第2切換元件與前述第2單元的第1切換元件鄰接。
（5）根據上述態樣的磁陣列，也可以更具備：覆蓋前述積層體的側面的絕緣層、和位於前述絕緣層上的第1電極與第2電極，其中前述第1電極與前述第2電極透過前述配線電性連接。
（6）在根據上述態樣的磁陣列中，前述第1電極及前述第2電極也可以具備與前述配線接觸的底層。
（7）在根據上述態樣的磁陣列中，前述底層也可以包含與前述配線相同的材料。
（8）根據上述態樣的磁陣列，也可以更具有：連接到前述第1電極的第1導孔配線、和連接到前述第2電極的第2導孔配線，其中前述第1導孔配線位於前述第1電極的內側或接觸前述第1電極的側面；前述第2導孔配線位於前述第2電極的內側或接觸前述第2電極的側面。
（9）在根據上述態樣的磁陣列中，前述積層體也可以從靠近前述基板的一側起依序具有自由層、非磁性層、和參考層。
（10）根據上述態樣的磁陣列，也可以前述配線包含在內部具有磁壁的磁性層，前述積層體從靠近前述基板的一側起依序由非磁性層與參考層所構成。
（11）根據上述態樣的磁陣列的製造方法，具有下列步驟：在從靠近基板的一側起依序至少具有參考層與非磁性層的積層體上積層配線；在前述配線上形成無機物的遮罩，且透過前述遮罩加工前述配線；除去前述遮罩以露出前述配線，形成絕緣層以露出前述配線的相異2點；和在前述配線的露出的相異2點的其中一點形成第1電極，在另一點形成第2電極。
根據上述態樣的磁陣列之集成性優良。此外根據上述態樣的磁陣列的製造方法能夠以較少的步驟製作集成性優良的磁陣列。
[用以實施發明之形態]
以下，適當參照圖式以詳細說明本實施形態。在以下的說明中使用的圖式為了容易理解特徵且為了方便起見，有時放大作為特徵的部分來顯示，有時各元件的尺寸比率等與實際不同。以下的說明所例示的材料、尺寸等為一範例，本發明並非限定於此，且能夠在發揮本發明的效果的範圍內適當變更並實施。
首先定義方向。後述的基板Sub(參照第3圖)的一面的一方向設為x方向，與x方向垂直的方向設為y方向。x方向為例如字元線WL延伸的方向。y方向為例如第1閘極線GL1及第2閘極線GL2延伸的方向。z方向為與x方向及y方向垂直的方向。z方向中從基板Sub到積層體10、30的方向稱為+z方向。以下，有時將+z方向表現為「上」、將-z方向表現為「下」。上下不一定與重力施加的方向一致。
此外本說明書的「連接」並不限於2個物體直接接觸的情況。舉例而言，中間透過其他的結構體以間接連接的情況、2個物體電性連接的情況也包含在「連接」中。此外「在x方向延伸」是x方向的長度比其他方向的長度更長的意思。
「第1實施形態」
第1圖為根據第1實施形態之磁陣列200的方塊圖。磁陣列200具有集成區域IA與周邊區域PA。
集成區域IA具有例如第1區域R1與第2區域R2。第1區域R1是集成記錄數據的記錄單元的區域。第2區域R2是集成用於與記錄單元比較的參考單元的區域。記錄單元是記錄、保持數據的單元。參考單元是作為判斷記錄單元是否記錄適當的數據的指標的單元。如果集成區域IA內的集成性提高，則磁陣列200的記錄密度提高。
周邊區域PA是安裝控制集成區域IA內的單元的動作的控制單元的區域。周邊區域PA位於例如集成區域IA的外側。周邊區域PA具有例如電源PS、控制部CT、比較部CP、和演算部OP。
電源PS輸出施加到單元的電壓或電流。控制部CT指定施加電壓或電流的單元的位址（address）。比較部CP比較記錄單元與參考單元。記錄單元與參考單元為同樣的構成，原則上記錄同樣的數據。比較部CP在這些數據之間有較大的偏差時判斷在記錄單元產生某種故障。比較部CP連接到後述的第1讀出線RL1及第2讀出線RL2。演算部OP基於在比較部CP比較並輸出的結果，輸入輸出數據。
第2圖為根據第1實施形態之磁陣列200的一部分的回路圖。第2圖為例如集成複數個記錄單元的第1區域R1的回路圖。第2區域R2的回路圖也與第1區域R1的回路圖是同樣的。
磁陣列200具有例如第1單元U1、第2單元U2、字元線WL、第1讀出線RL1、第2讀出線RL2、第1閘極線GL1、第2閘極線GL2、源極線SL、第3切換元件Sw3、和第4切換元件Sw4。
第1單元U1、第2單元U2分別為具有磁阻效應元件100、第1切換元件Sw1、和第2切換元件Sw2的單元。這些單元是以例如矩陣形狀來排列。單元的數量並未特別拘束。第1單元U1與第2單元U2係例如在列方向鄰接，且共有字元線WL。
第1切換元件Sw1、第2切換元件Sw2、第3切換元件Sw3及第4切換元件Sw4分別為控制電流的流動的元件，例如場效電晶體。切換元件也可以是例如以下元件：如同雙向定限開關（Ovonic Threshold Switch，OTS）之利用結晶層的相變化的元件、如同金屬絕緣體轉移（MIT）開關之利用能帶結構的變化的元件、如同齊納二極體（Zener diode）及雪崩二極體（avalanche diode）之利用崩潰電壓的元件、傳導性伴隨原子位置的變化而變化的元件。
字元線WL連接到例如第1單元U1及第2單元U2的第2切換元件Sw2。字元線WL是在向磁阻效應元件100寫入數據時流過寫入電流的配線。
第1讀出線RL1連接到例如屬於第1單元U1的第1切換元件Sw1。第1讀出線RL1是在從屬於第1單元U1的磁阻效應元件100讀取時流過讀取電流的配線。第2讀出線RL2連接到例如屬於第2單元U2的第1切換元件Sw1。第2讀出線RL2是在從屬於第2單元U2的磁阻效應元件100讀取數據時流過讀取電流的配線。
第一閘極線GL1連接到第1單元U1的第1切換元件Sw1以及第2單元U2的第2切換元件Sw2。第2閘極線GL2連接到第1單元U1的第2切換元件Sw2以及第2單元U2的第1切換元件Sw1。第1閘極線GL1及第2閘極線GL2連接到控制第1切換元件Sw1及第2切換元件Sw2的ON/OFF運作的閘極G。
源極線SL是寫入電流及讀取電流流過的配線，且連接到基準電位。基準電位為例如接地（ground）。源極線SL連接到第1單元U1及第2單元U2的後述的配線20。寫入電流的流動方向根據相對於源極線SL的基準電位的電位而改變。
在對磁阻效應元件100寫入數據時，將以控制部CT指定的位址的單元的第1切換元件Sw1設為OFF，將第2切換元件Sw2設為ON。第1切換元件Sw1及第2切換元件Sw2的ON/OFF運作係例如改變第1閘極線GL1與第2閘極線GL2的電位來控制。於是，如果將第3切換元件Sw3設為ON，寫入電流在連結到指定的位址的磁阻效應元件100的字元線WL與源極線SL之間流過。磁阻效應元件100的電阻值根據寫入電流來變化。磁阻效應元件100是將數據作為電阻值來記錄。根據寫入電流的流動方向，能夠進行磁阻效應元件100的數據的改寫。
從磁阻效應元件100讀取數據時，將在控制部CT指定的位址的單元的第1切換元件Sw1設為ON，將第2切換元件Sw2設為OFF。於是，如果將第4切換元件Sw4設為ON，讀取電流在連結到指定的位址的磁阻效應元件100的第1讀出線RL1或第2讀出線RL2與源極線SL之間流過。從源極線SL輸出的讀取電流的大小根據磁阻效應元件100的電阻值來變化。也就是，記錄在磁阻效應元件100的數據（電阻值）被換算為讀取電流來讀取。
第3圖為根據第1實施形態之磁陣列200的一部分的斜視圖。在第3圖中，為了容易見到內部結構，以虛線顯示源極線SL。第4圖為根據第1實施形態之磁陣列200的一部分的俯視圖。在第4圖中，為了容易理解，省略源極線SL、第1讀出線RL1及第2讀出線RL2。第5圖及第6圖為根據第1實施形態之磁陣列200的一部分的剖面圖。第5圖為沿著第4圖的A－A線的剖面，第6圖為沿著第4圖的B－B線的剖面。在第3圖～第6圖中，將第1切換元件Sw1及第2切換元件Sw2設為場效電晶體。
字元線WL、第1讀出線RL1、第2讀出線RL2、第1閘極線GL1、第2閘極線GL2、源極線SL及磁阻效應元件100係三維地積層在基板Sub上。這些元件間除了在z方向延伸的導孔配線V1、V2、V3、V4、V5以外，藉由絕緣層90、92、93、94、95電性分離。
絕緣層90、92、93、94、95是在多層配線的配線間、元件間等絕緣的絕緣層。絕緣層90、92、93、94、95為氧化矽（SiO x）、氮化矽（SiN x）、碳化矽（SiC）、氮化鉻、碳氮化矽（SiCN）、氮氧化矽（SiON）、氧化鋁（Al 2O 3）、氧化鋯（ZrO x）等。
所謂第1切換元件Sw1與第2切換元件Sw2形成於基板Sub。舉例而言，第1切換元件Sw1及第2切換元件Sw2分別具有源極S、汲極D、閘極G。源極S與汲極D是根據電流的流動方向來定義，其為相同的區域。在第3~6圖中僅顯示一範例，也可以分別反轉源極S與汲極D的位置關係。此外說明書中的源極S可以替換為汲極D，汲極D可以替換為源極S。閘極G是負責第1切換元件Sw1及第2切換元件Sw2的ON/OFF運作的部分。閘極G是例如位於第1閘極線GL1或第2閘極線GL2與基板Sub之間的絕緣層。
第1切換元件Sw1的源極S是例如透過導孔配線V1，連接到第1讀出線RL1或第2讀出線RL2。第1切換元件Sw1的汲極D是例如透過導孔配線V2及電極E，連接到積層體10。第1切換元件Sw1的閘極G連接到第1閘極線GL1。如果將電壓施加到第1閘極線GL1，在源極S與汲極D之間形成通道，第1切換元件Sw1成為ON。
第2切換元件Sw2的源極S是例如透過導孔配線V4，連接到字元線WL。第2切換元件Sw2的汲極D是例如透過導孔配線V3及第1電極E1，連接到配線20的第1端。配線20的第2端透過第2電極E2及導孔配線V5，連接到源極線SL。第2切換元件Sw2的閘極G連接到第2閘極線GL2。如果將電壓施加到第2閘極線GL2，在源極S與汲極D之間形成通道，第2切換元件Sw2成為ON。
第1切換元件Sw1，舉例而言，比第2切換元件Sw2更小。因為控制第1切換元件Sw1的讀取電流比控制第2切換元件Sw2的寫入電流更小。也就是，可以是流過第1切換元件Sw1的最大電流量比流過第2切換元件Sw2的最大電流量更小的設計。第1切換元件Sw1的寬度，舉例而言，比第2切換元件Sw2的寬度更窄。切換元件的寬度是與連接源極S與汲極D的直線垂直的方向的寬度，例如閘極G的y方向的寬度。流過切換元件的最大電流量的調整能夠以閘極G的寬度來設計。此外，藉由並列設置複數個切換元件以加寬實質上的閘極寬度也可以得到同樣的效果。舉例而言，在FinFET中藉由在通道層的側壁施加閘極電壓，能夠使通道層的反轉區域較大，且形成電流較大的電流流過的結構。由於在將FinFET用作切換元件時並列地排列切換元件能夠得到較大的電流，實質上可以得到與擴大閘極寬度同樣的效果。
所謂第1切換元件Sw1與第2切換元件Sw2，舉例而言，在基板Sub上交互配列。第1單元U1及第2單元U2在例如y方向上鄰接。第1單元U1及第2單元U2分別位於覆蓋第1切換元件Sw1及第2切換元件Sw2的外周的區域內。第1單元U1的第1切換元件Sw1與第2單元U2的第2切換元件Sw2在例如y方向鄰接。此外第1單元U1的第2切換元件Sw2與第2單元U2的第1切換元件Sw1在例如y方向鄰接。第1單元U1與第2單元U2的第1切換元件Sw1與第2切換元件Sw2的位置關係相反，第1單元U1與第2單元U2為點對稱的關係。藉由在第1單元U1的y方向的寬度狹窄的部分嵌入第2單元U2的y方向的寬度較寬的部分，提高第1單元U1及第2單元U2的集成性。
導孔配線V1、V2、V3、V4、V5在由絕緣層90、92、93、94、95在z方向上劃分的不同階層的元件間連接。導孔配線V1連接第1讀出線RL1或第2讀出線RL2與第1切換元件Sw1。導孔配線V2連接第1切換元件Sw1與磁阻效應元件100。導孔配線V3連接第2切換元件Sw2與磁阻效應元件100。導孔配線V4連接第2切換元件Sw2與字元線WL。導孔配線V5連接源極線SL與磁阻效應元件100。
第7圖為根據第1實施形態之磁陣列200的磁阻效應元件100的附近的剖面圖。第7圖為沿著第4圖的A－A線的剖面。磁阻效應元件100具有積層體10與配線20。磁阻效應元件100是利用自旋軌道轉矩（SOT）的自旋元件，有時被稱為自旋軌道轉矩型磁阻效應元件、自旋注入型磁阻效應元件、自旋流磁阻效應元件。此外配線20有時被稱為自旋軌道轉矩配線。
積層體10為柱狀體。積層體10的從z方向的俯視形狀為例如圓形、橢圓形、四邊形。積層體10位於例如電極E上。在積層體10上有例如配線20。
積層體10從靠近基板Sub的一側起依序具有第1強磁性層1、非磁性層3、第2強磁性層2。第1強磁性層1與第2強磁性層2在z方向夾住非磁性層3。第1強磁性層1透過電極E連接到第1切換元件Sw1的汲極D。
第1強磁性層1及第2強磁性層2分別具有磁化。第1強磁化層1的磁化在施加預定的外力時，配向方向比第2強磁性層2的磁化更難變化。第1強磁性層1被稱為固定層、參照層，第2強磁性層2被稱為自由層。積層體10依據夾住非磁性層3的第1強磁性層1與第2強磁性層2的磁化的相對角的差異以變化電阻值。磁阻效應元件100將此電阻值作為數據以記憶、輸出。
第1強磁性層1及第2強磁性層2包含強磁性體。強磁性體為例如選自由Cr、Mn、Co、Fe及Ni所組成之群的金屬、包含1種以上這些金屬的合金、包含這些金屬與B、C、及N的至少1種以上的元素的合金等。強磁性體為例如Co-Fe、Co-Fe-B、Ni-Fe、Co-Ho合金、Sm-Fe合金、Fe-Pt合金、Co-Pt合金、CoCrPt合金。
第1強磁性層1及第2強磁性層2也可以包含惠斯勒（Heusler）合金。惠斯勒合金包含擁有XYZ或X 2YZ的化學組成的金屬間化合物。X為在周期表上的Co、Fe、Ni、或Cu族的過渡金屬元素或貴金屬元素，Y為Mn、V、Cr或Ti族的過渡金屬或X的元素種類，Z為III族到V族的典型元素。惠斯勒合金為例如Co 2FeSi、Co 2FeGe、Co 2FeGa、Co 2MnSi、Co 2Mn 1−aFe aAl bSi 1−b、Co 2FeGe 1−cGa c等。惠斯勒合金具有較高的自旋極化率。
積層體10在第1強磁性層1與電極E之間透過間隔層以具有反強磁性層。第1強磁性層1、間隔層、反強磁性層成為合成反強磁性（synthetic antiferromagnetic）結構（SAF結構）。合成反強磁性結構係由夾住非磁性層的兩個磁性層所構成。第1強磁性層1與反強磁性層藉由反強磁性耦合，第1強磁性層1的保磁力變得比沒有反強磁性層的情況更大。反強磁性層為例如IrMn、PtMn等。間隔層包含選自由Ru、Ir、Rh所組成之群的至少一個。
積層體10也可以具有第1強磁性層1、第2強磁性層2及非磁性層3以外的層。舉例而言，積層體10也可以在第1強磁性層1之下具有底層。底層提高了構成積層體10的各層的結晶性。此外舉例而言，積層體10也可以在第2強磁性層2之上具有蓋層。
配線20位於積層體10上。配線20連接到例如積層體10的第2強磁性層2。配線20藉由電流在第1電極E1與第2電極E2之間流動時產生的自旋霍爾效應使自旋流產生，將自旋注入第2強磁性層2。配線20將例如足以反轉第2強磁性層2的磁化的自旋軌道轉矩（SOT）提供給第2強磁性層2的磁化。
自旋霍爾效應是在電流流動時基於自旋軌道相互作用，在與電流的流動方向垂直的方向感應出自旋流的現象。自旋霍爾效應在運動（移動）的電荷（電子）可以彎曲運動（移動）方向這點與通常的霍爾效應共通。通常的霍爾效應，在磁場中運動的荷電粒子的運動方向可以依勞倫茲力彎曲。對此，自旋霍爾效應即使不存在磁場，自旋的移動方向也可以只因為電子移動（電流流動）而彎曲。
舉例而言，如果電流在配線20的x方向流動，配向於−y方向的第1自旋往+z方向彎曲，配向於+y方向的第2自旋往−z方向彎曲。非磁性體（並非強磁性體的材料）由自旋霍爾效應產生的第1自旋的電子數與第2自旋的電子數相等。也就是，往+z方向的第1自旋的電子數與往−z方向的第2自旋的電子數相等。第1自旋與第2自旋在消除自旋的分布不均的方向上流動。在第1自旋及第2自旋的往z方向的移動，由於電荷的流動相互抵銷，電流量變成零。不伴隨電流的自旋流特別被稱為純自旋流。
如果將第1自旋的電子的流動表示為J ↑，將第2自旋的電子的流動表示為J ↓，將自旋流表示為J S，則定義為J S=J ↑−J ↓。自旋流J S產生於z方向。第1自旋從配線20注入第2強磁性層2。
配線20包含任何金屬、合金、金屬間化合物、金屬硼化物、金屬碳化物、金屬矽化物、金屬磷化物，其具有藉由電流在第1電極E1與第2電極E2之間流動時產生的自旋霍爾效應以產生自旋流的功能。
配線20包含例如非磁性的重金屬以作為主元素。主元素為構成配線20的元素當中比例最高的元素。配線20包含例如具有釔（Y）以上的比重的重金屬。非磁性的重金屬由於原子序39以上的原子序較大且在最外殼具有d電子或f電子，因此強烈地產生自旋軌道相互作用。自旋霍爾效應因自旋軌道相互作用產生，自旋容易在配線20內分布不均，容易產生自旋流J S。配線20包含例如選自由Au、Hf、Mo、Pt、W、Ta所構成之群的任何元素。
配線20也可以包含磁性元素。磁性元素為強磁性金屬或反強磁性金屬。包含非磁性體的微量磁性金屬成為了自旋的散射因子。所謂的微量，舉例而言，是構成配線20的元素的總莫耳比的3%以下。如果自旋因為磁性金屬而散射，則自旋軌道相互作用增強，且自旋流相對電流的生成效率變高。
配線20也可以包含拓樸絕緣體。拓樸絕緣體係雖然物質內部為絕緣體或高電阻體，但在其表面產生自旋偏極的金屬狀態的物質。拓樸絕緣體藉由自旋軌道相互作用產生內部磁場。拓樸絕緣體即使沒有外部磁場也因為自旋軌道相互作用而發現了新的拓樸相。拓樸絕緣體藉由強烈的自旋軌道相互作用與邊緣的反轉對稱性的破壞，能夠高效率地生成純自旋流。
拓樸絕緣體為例如SnTe、Bi 1.5Sb 0.5Te 1.7Se 1.3、TlBiSe 2、Bi 2Te 3、Bi 1−xSb x、(Bi 1−xSb x) 2Te 3等。拓樸絕緣體能夠高效率地生成自旋流。
配線20的第1端，舉例而言，透過第1電極E1及導孔配線V3，連接到第2切換元件Sw2的汲極D。配線20的第2端，舉例而言，透過第2電極E2及導孔配線V5，連接到源極線SL。
第1電極E1及第2電極E2分別連接到配線20。第1電極E1與第2電極E2之間有柱狀體P，第1電極E1與第2電極E2並未直接連接。柱狀體P係積層在配線20上的一部分。配線20至少不同的2處並未被柱狀體P覆蓋且露出。第1電極E1連接到配線20的一個露出的部分，第2電極E2連接到配線20的另一個露出的部分。第1電極E1與第2電極E2透過配線20電性連接。柱狀體P為絕緣體。柱狀體P是例如與絕緣體90、92、93、94、95由同樣的材料所構成。第1電極E1及第2電極E2是由導電性優良的材料所構成。第1電極E1及第2電極E2包含例如選自由Ag、Cu、Co、Al、Au所組成之群的任何一個。
第1電極E1及第2電極E2也可以具有例如與配線20接觸的底層UL。底層UL提高了第1電極E1及第2電極與配線20的黏著性。此外底層UL抑制了加工時的加熱處理等造成的相互的元素遷移。底層UL包含例如與配線20相同的材料。底層UL為例如鎢。
在第1電極E1及第2電極E2與積層體10之間有絕緣層91。絕緣層91電性分離積層體10與第1電極E1及第2電極E2。絕緣層91係由例如與絕緣層90、92、93、94、95同樣的材料所構成。絕緣層91覆蓋積層體10的側面。第1電極E1及第2電極E2位於例如絕緣層91上。
第1電極E1及第2電極E2的x方向的寬度，舉例而言，比配線20的從柱狀體P露出的部分的寬度更寬。雖然難以在配線20的從柱狀體P露出的部分連接導孔配線，由於第1電極E1及第2電極E2的x方向的寬度較寬，第1電極E1與導孔配線V3的電性連接、以及第2電極E2與導孔配線V5的電性連接變得容易。
第1電極E1連接到例如導孔配線V3，第2電極E2連接到例如導孔配線V5（參照第5圖）。導孔配線V3是第1導孔配線的一範例，導孔配線V5是第2導孔配線的一範例。導孔配線V3接觸第1電極E1的側面。導孔配線V5位於第2電極E2的內側。如果導孔配線V3與第1電極E1以及導孔配線V5與第2電極E2的接觸面較廣，位於這些界面的電性連接會變強。
接著，說明有關根據第1實施形態的磁陣列200的集成區域IA的製造方法的一範例。集成區域IA係藉由各層的積層步驟、和將各層的一部分加工為預定的形狀的加工步驟所形成。各層的積層能夠使用濺鍍法、化學氣相沉積（CVD）法、電子束蒸鍍法（EB蒸鍍法）、原子雷射沉積法等。各層的加工能夠使用光微影等來進行。第8圖～第13圖為用於說明根據第1實施形態之磁陣列的製造方法的剖面圖。第8圖～第13圖為沿著第4圖的A－A線的剖面。
首先如第8圖所示。在基板Sub的預定的位置製作第1切換元件Sw1及第2切換元件Sw2。第1切換元件Sw1及第2切換元件Sw2能夠以習知的方法製作。此外也可以購入形成有第1切換元件Sw1及第2切換元件Sw2的基板Sub。
接著，在基板Sub上積層絕緣層90。然後在與絕緣層90的第1切換元件Sw1的汲極D重疊的位置形成開口。開口內以導電體填充，成為導孔配線V2。之後，藉由依序積層電極E、第1強磁性層1、非磁性層3、第2強磁性層2，且加工為預訂的形狀，形成積層體10。積層體10的周圍是以例如絕緣層90覆蓋。
接著，以例如化學機械研磨（CMP）平坦化絕緣層90與第2強磁性層2的表面，在其上積層配線21。接著在配線21上的預定的位置形成遮罩M。遮罩M由無機物構成。遮罩M為例如矽。遮罩M是在後處理中除去。
接著，如第9圖所示，透過遮罩M，蝕刻配線21及積層體10的一部分。蝕刻是例如以離子束進行蝕刻。積層體10的側面因為蝕刻而對z方向傾斜。配線21因為蝕刻而成為配線20。然後，將絕緣層91成膜以覆蓋積層體10、配線20及遮罩M。絕緣層91覆蓋例如積層體10及配線20的側面。接著，剝離（lift-off）遮罩M，且除去遮罩M及在遮罩M上形成的絕緣層91。如果剝離遮罩M，則配線20的上表面露出。
接著，如第10圖所示，形成柱狀體P，使得配線20的相異2點露出。接著，積層底層UL、導電層以覆蓋絕緣層91、配線20的露出部分、柱狀體P。之後，藉由除去積層在比柱狀體P的上表面更上方的底層UL及導電層，形成第1電極E1及第2電極E2。
接著，如第11圖所示，除去第1電極E1及第2電極E2的不需要的部分，以絕緣層92覆蓋除去的部分。然後在與絕緣層92的第2切換元件Sw2的汲極D重疊的位置形成開口。開口內以導電體填充，成為導孔配線V3。導孔配線V3與例如第1電極E1的側面接觸。也可以將導孔配線V3形成為將第1電極E1內貫通。
接著，如第12圖所示，在第1電極E1、第2電極E2及絕緣層92上積層絕緣層93。然後，在與絕緣層93的第2電極E2重疊的位置形成開口。開口形成到例如第2電極E2內。開口內以導電體填充，成為配線V5。如果將開口形成到第2電極E2內，則導孔配線V5形成於第2電極E2的內側。
接著，如第13圖所示，在絕緣層93及導孔配線V5上積層絕緣層94。然後，除去絕緣層94的一部分，在除去的部分形成源極線SL。
接著，在絕緣層94及源極線SL上積層絕緣層95。然後在與絕緣層95的第1切換元件Sw1的源極S重疊的位置形成開口。開口內以導電體填充，成為導孔配線V1。然後在與絕緣層95及導孔配線V1上的導孔配線V1重疊的位置形成第1讀出線RL1及第2讀出線RL2。藉由經過上述過程，形成顯示於第5圖的磁陣列200。
根據本實施形態的磁陣列200，由於積層體10的第1強磁性層1位於基板Sub側，能夠僅以在z方向延伸的導孔配線V2與切換元件連接，簡化配線的路徑。此外由於配線20位於積層體10的上方，能夠容易地確保配線20與第1電極E1及第2電極E2的電性連接。再者，藉由將第1電極E1及第2電極E2形成為比配線20從柱狀體P露出的部分更寬，導孔配線V3、V5的製作變得容易。
此外藉由交互配列第1單元U1及第2單元U2，能夠提高在集成區域IA內的單元的集成性。
儘管以上揭示了第1實施形態的一範例，本發明並非限定於這個範例。舉例而言，第14圖為根據第1變形例之磁陣列的一部分的俯視圖。根據第1變形例之磁陣列與第1單元U1與第2單元U2的配置不同。在根據第1變形例之磁陣列中，與第4圖同樣的構成標記同樣的符號。
根據第1變形例之磁陣列在第1單元U1的第1切換元件Sw1側有第2單元U2的第2切換元件Sw2。第1單元U1與第2單元U2的第1切換元件Sw1與第2切換元件Sw2的位置關係相同。字元線WL，舉例而言，與第1閘極線GL1及第2閘極線GL2交叉而不與其垂直。在第1單元U1的y方向的寬度較窄的部分，藉由嵌入第2單元U2的y方向的寬度較寬的部分，提高第1單元U1及第2單元U2的集成性。
「第2實施形態」 第15圖為根據第2實施形態之磁陣列201的一部分的斜視圖。在第15圖中，為了容易見到內部構造，以虛線顯示源極線SL。第16圖為根據第1實施形態之磁陣列201的一部分的剖面圖。在第15、16圖中，將第1切換元件Sw1及第2切換元件Sw2設為場效電晶體。
根據第2實施形態之磁陣列201，磁阻效應元件101的構成與根據第1實施形態之磁阻效應元件100不同。在第15、16圖中，有關與第1實施形態同樣的構成係以同樣的符號標記並省略說明。
磁阻效應元件101具備積層體30與配線40。積層體30從靠近基板Sub的一側起依序具有第1強磁性層31、非磁性層32。磁阻效應元件101係藉由磁壁的移動而變化電阻值的元件，有時被稱為磁壁移動元件、磁壁移動型磁阻效應元件。
配線40為磁性層。配線40包含強磁性體。構成配線40的磁性體能夠使用選自由Cr、Mn、Co、Fe、及Ni所組成之群的金屬、包含1種以上這些金屬的合金、包含這些金屬與B、C、及N的至少1種以上的元素的合金等。具體而言，可以列舉出Co-Fe、Co-Fe-B、Ni-Fe。
配線40是能夠藉由內部磁狀態的變化來磁記錄資訊的層。配線40在x方向具有第1磁區與第2磁區。第1磁區的磁化與第2磁區的磁化是例如配向為相反方向。第1磁區與第2磁區的x方向的邊界為磁壁。配線40可以在內部具有磁壁。
磁阻效應元件101藉由配線40的磁壁的位置，能夠多值或連續地記錄數據。記錄在配線40的數據在施加讀取電流時，係作為磁阻效應元件101的電阻值變化來讀取。
磁壁藉由在配線40的x方向流過寫入電流、或施加外部磁場來移動。舉例而言，如果往配線40的+x方向施加寫入電流（例如，電流脈衝），由於電子往與電流相反的−x方向流動，磁壁往−x方向移動。電流從第1磁區往第2磁區流動時，在第2磁區自旋偏極的電子使第1磁區的磁化進行磁化反轉。由於第1磁區的磁化進行磁化反轉，磁壁往−x方向移動。
第1強磁性層31與非磁性層32分別與根據第1實施形態之第1強磁性層1與非磁性層3是同樣的。
根據第2實施形態之磁陣列201僅是磁阻效應元件101的構成不同，且能夠得到與根據第1實施形態之磁陣列200同樣的效果。根據第2實施形態之磁陣列201能夠應用於類神經形態裝置（neuromorphic device）。類神經形態裝置係藉由類神經網路以模仿人類的腦的元件。類神經形態裝置係人工地模仿在人類的腦中的神經與突觸（synapse）的關係。
類神經形態裝置具有例如被配置為階層狀的晶片（腦中的神經）、和連結它們之間的傳遞手段（腦中的突觸）。類神經形態裝置藉由學習傳遞手段（突觸），提高問題的正解率。學習是從資訊中尋找將來可以使用的知識，且在類神經形態裝置對輸入的數據進行加權。
各個突觸在數學上進行乘積和演算。根據第2實施形態之磁陣列201，由於磁阻效應元件101是配列為陣列狀，能夠進行乘積和演算。舉例而言，如果在磁阻效應元件的讀取路徑流過電流，將輸入的電流與磁阻效應元件的電阻的乘積輸出，進行乘積演算。如果以共通配線連結複數個磁阻效應元件，乘積演算藉由共通配線進行相加並進行總和演算。因此，根據第2實施形態之磁陣列作為乘積和演算器，能夠應用於類神經形態裝置。
1,31:第1強磁性體 2:第2強磁性層 3,32:非磁性層 10,30:積層體 20,21,40:配線 90,91,92,93,94,95:絕緣層 100,101:磁阻效應元件 200,201:磁陣列 CP:比較部 CT:控制部 D:汲極 E:電極 E1:第1電極 E2:第2電極 G:閘極 GL1:第1閘極線 GL2:第2閘極線 IA:集成區域 M:遮罩 OP:演算部 P:柱狀體 PA:周邊區域 PS:電源 R1:第1區域 R2:第2區域 RL1:第1讀出線 RL2:第2讀出線 S:源極 SL:源極線 Sw1:第1切換元件 Sw2:第2切換元件 Sw3:第3切換元件 Sw4:第4切換元件 U1:第1單元 U2:第2單元 UL:底層 V1,V2,V3,V4,V5:導孔配線 WL:字元線
第1圖為根據第1實施形態之磁陣列的方塊圖。
第2圖為根據第1實施形態之磁陣列的一部分的回路圖。
第3圖為根據第1實施形態之磁陣列的一部分的斜視圖。
第4圖為根據第1實施形態之磁陣列的一部分的俯視圖。
第5圖為根據第1實施形態之磁陣列的一部分的剖面圖。
第6圖為根據第1實施形態之磁陣列的一部分的另外的剖面圖。
第7圖為根據第1實施形態之磁陣列的磁阻效應元件的附近的剖面圖。
第8圖為用於說明根據第1實施形態之磁陣列的製造方法的剖面圖。
第9圖為用於說明根據第1實施形態之磁陣列的製造方法的剖面圖。
第10圖為用於說明根據第1實施形態之磁陣列的製造方法的剖面圖。
第11圖為用於說明根據第1實施形態之磁陣列的製造方法的剖面圖。
第12圖為用於說明根據第1實施形態之磁陣列的製造方法的剖面圖。
第13圖為用於說明根據第1實施形態之磁陣列的製造方法的剖面圖。
第14圖為根據第1變形例之磁陣列的一部分的俯視圖。
第15圖為根據第2實施形態之磁陣列的一部分的斜視圖。
第16圖為根據第2實施形態之磁陣列的一部分的剖面圖。
10:積層體
20:配線
100:磁阻效應元件
200:磁陣列
D:汲極
E:電極
E1:第1電極
E2:第2電極
G:閘極
GL1:第1閘極線
GL2:第2閘極線
RL1:第1讀出線
RL2:第2讀出線
S:源極
SL:源極線
Sw1:第1切換元件
Sw2:第2切換元件
V1,V2,V3,V4,V5:導孔配線
WL:字元線

Claims (11)

  1. 一種磁陣列，具有：基板、第1單元、第2單元、字元線、第1讀出線、第2讀出線、第1閘極線、第2閘極線、和源極線，其中前述第1單元與前述第2單元分別具有：磁阻效應元件、第1切換元件、和第2切換元件；前述磁阻效應元件具有積層體與位於前述積層體上的配線；前述積層體從靠近前述基板的一側起依序至少具有參考層與非磁性層；前述第1切換元件連接到前述參考層；前述第2切換元件連接到前述配線；前述第1讀出線連接到前述第1單元的前述第1切換元件；前述第2讀出線連接到前述第2單元的前述第1切換元件；前述字元線連接到前述第1單元及前述第2單元的前述第2切換元件；前述第1閘極線連接到前述第1單元的前述第1切換元件的閘極、和前述第2單元的前述第2切換元件的閘極；前述第2閘極線連接到前述第1單元的前述第2切換元件的閘極、和前述第2單元的前述第1切換元件的閘極；前述源極線連接到前述第1單元的前述配線及前述第2單元的前述配線，其中前述第1單元的第1切換元件與前述第2單元的第2切換元件鄰接，前述第1單元的第2切換元件與前述第2單元的第1切換元件鄰接。
  2. 一種磁陣列，具有：基板、第1單元、第2單元、字元線、第1讀出線、第2讀出線、第1閘極線、第2閘極線、和源極線，其中前述第1單元與前述第2單元分別具有：磁阻效應元件、第1切換元件、和第2切換元件；前述磁阻效應元件具有積層體與位於前述積層體上的配線； 前述積層體從靠近前述基板的一側起依序至少具有參考層與非磁性層；前述第1切換元件連接到前述參考層；前述第2切換元件連接到前述配線；前述第1讀出線連接到前述第1單元的前述第1切換元件；前述第2讀出線連接到前述第2單元的前述第1切換元件；前述字元線連接到前述第1單元及前述第2單元的前述第2切換元件；前述第1閘極線連接到前述第1單元的前述第1切換元件的閘極、和前述第2單元的前述第2切換元件的閘極；前述第2閘極線連接到前述第1單元的前述第2切換元件的閘極、和前述第2單元的前述第1切換元件的閘極；前述源極線連接到前述第1單元的前述配線及前述第2單元的前述配線，其中前述磁陣列更具備：覆蓋前述積層體的側面的絕緣層、和位於前述絕緣層上的第1電極與第2電極，其中前述第1電極與前述第2電極透過前述配線電性連接。
  3. 如請求項1或2之磁陣列，更具備：比較部，連接到前述第1讀出線及前述第2讀出線。
  4. 如請求項1或2之磁陣列，其中前述第1切換元件的前述閘極的寬度比前述第2切換元件的前述閘極的寬度更窄。
  5. 如請求項1之磁陣列，更具備：覆蓋前述積層體的側面的絕緣層、和位於前述絕緣層上的第1電極與第2電極，其中前述第1電極與前述第2電極透過前述配線電性連接。
  6. 如請求項2或5之磁陣列，其中前述第1電極及前述第2電極具備與前述配線接觸的底層。
  7. 如請求項6之磁陣列，其中前述底層包含與前述配線相同的 材料。
  8. 如請求項2或5之磁陣列，更具有：連接到前述第1電極的第1導孔配線、和連接到前述第2電極的第2導孔配線，其中前述第1導孔配線位於前述第1電極的內側或接觸前述第1電極的側面；前述第2導孔配線位於前述第2電極的內側或接觸前述第2電極的側面。
  9. 如請求項1或2之磁陣列，其中前述積層體從靠近前述基板的一側起依序具有自由層、非磁性層、和參考層。
  10. 如請求項1或2之磁陣列，其中前述配線包含在內部具有磁壁的磁性層，前述積層體從靠近前述基板的一側起依序由非磁性層與參考層所構成。
  11. 一種磁陣列的製造方法，具有下列步驟：在從靠近基板的一側起依序至少具有參考層與非磁性層的積層體上積層配線；在前述配線上形成無機物的遮罩，且透過前述遮罩加工前述配線；除去前述遮罩以露出前述配線，形成絕緣層以露出前述配線的相異2點；和在前述配線的露出的相異2點的其中一點形成第1電極，在另一點形成第2電極。
TW110143740A 2020-12-01 2021-11-24 磁陣列及磁陣列的製造方法 TWI804064B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-199587 2020-12-01
JP2020199587A JP7586694B2 (ja) 2020-12-01 磁気アレイ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202224196A TW202224196A (zh) 2022-06-16
TWI804064B true TWI804064B (zh) 2023-06-01

Family

ID=81751991

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110143740A TWI804064B (zh) 2020-12-01 2021-11-24 磁陣列及磁陣列的製造方法
TW112116430A TW202337039A (zh) 2020-12-01 2021-11-24 磁陣列及磁陣列的製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112116430A TW202337039A (zh) 2020-12-01 2021-11-24 磁陣列及磁陣列的製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220173162A1 (zh)
TW (2) TWI804064B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010008289A1 (en) * 2000-01-13 2001-07-19 Seok-Hyun Hahn Dynamic random access memory device with shaped storage nodes
US10490735B2 (en) * 2016-03-14 2019-11-26 Tdk Corporation Magnetic memory

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150102526A (ko) * 2014-02-28 2015-09-07 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치
US11257862B2 (en) * 2015-01-30 2022-02-22 Yimin Guo MRAM having spin hall effect writing and method of making the same
JP6200471B2 (ja) * 2015-09-14 2017-09-20 株式会社東芝 磁気メモリ
JP6679455B2 (ja) * 2016-09-20 2020-04-15 キオクシア株式会社 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
KR101825318B1 (ko) * 2017-01-03 2018-02-05 고려대학교 산학협력단 스핀필터 구조체를 포함하는 자기 터널 접합 소자
US10756259B2 (en) * 2018-11-20 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Spin orbit torque MRAM and manufacture thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010008289A1 (en) * 2000-01-13 2001-07-19 Seok-Hyun Hahn Dynamic random access memory device with shaped storage nodes
US10490735B2 (en) * 2016-03-14 2019-11-26 Tdk Corporation Magnetic memory

Also Published As

Publication number Publication date
TW202337039A (zh) 2023-09-16
JP2022087584A (ja) 2022-06-13
TW202224196A (zh) 2022-06-16
US20220173162A1 (en) 2022-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7176578B2 (ja) 磁気メモリ
JP4555780B2 (ja) 高密度及び高プログラミング効率のｍｒａｍ設計
US20210383853A1 (en) Magnetic recording array, product-sum calculator, and neuromorphic device
TW202137593A (zh) 磁化旋轉元件、磁阻效應元件、半導體元件、磁記錄陣列及磁阻效應元件的製造方法
US12058872B2 (en) Integrated device and neuromorphic device
US11495739B2 (en) Magnetoresistance effect element and magnetic recording array
JP7140294B2 (ja) 磁気記録アレイ及びリザボア素子
WO2021176656A1 (ja) 磁気記録アレイ、ニューロモルフィックデバイスおよび磁気記録アレイの制御方法
TWI804064B (zh) 磁陣列及磁陣列的製造方法
US11676751B2 (en) Magnetic device
JP7586694B2 (ja) 磁気アレイ
JP6750770B1 (ja) スピン素子及びリザボア素子
WO2021245768A1 (ja) 磁気抵抗効果素子及び磁気記録アレイ
CN114373780A (zh) 磁畴壁移动元件及磁阵列
WO2022190346A1 (ja) 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
WO2023162121A1 (ja) 磁化回転素子、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
US11948615B2 (en) Magnetic recording array
WO2023112087A1 (ja) 磁化回転素子、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
WO2024195091A1 (ja) 磁気抵抗デバイス及び磁気メモリ
JP7028372B2 (ja) 磁気記録アレイ及び磁気抵抗効果ユニット
WO2024004125A1 (ja) 磁化回転素子、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
WO2024171324A1 (ja) 磁性素子、磁気アレイ及び磁性素子の製造方法
WO2024009417A1 (ja) 磁化回転素子、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁化回転素子の製造方法
WO2024176280A1 (ja) 集積装置
JP2023165050A (ja) 磁気素子及び集積装置