201230119 4〇895pif 六、發明說明： 【"fx明所屬之技術領域】 本毛明疋有關於一種檢測交流漏電及直流漏電且阻 對負載供給父流電力及直流電力以保護人體等的漏電檢 測斷路器。 【先前技術】 ^先别眾所周知的是檢測交流漏電及直流漏電且阻斷 對蓄電部供給交流電力的技術（例如參照專利文獻〇。 又’另一方面’近年來隨著生態意識的提高及太陽光 ，電的普及’正研究將藉由太陽電池板（solar panel)(太 陽光發電展置）發電而得的直流電力供給至例如混合動力 車（hybrid car)的電池等負載的技術。用以供給該直流電 力的構成是以如下方式構成，即附加設置於先前的商用交 流，源中用以供給交流電力的構成，且根據連接直流電力 及父流電力的負載而選擇性地進行切換。 專利文獻1 :日本專利特開2000 —270463號公報 於上述專利文獻1的段落（0020)等所示的中， 若於電動汽車的蓄電部附近（或直流侧）通過人體而發生 接地’則直錢電電流將流經下_徑：f電部的正極 —人體電阻—大地—漏電斷路器的開關部的歸路方雷 ^ (caMe)—蓄電部的負極。。此時，藉由直流漏電檢測部 檢測直流漏電，漏電斷路為根據其檢測輪出 部，從而阻斷電力供給。 打開開關 電池）設為負 然而，在應用於將電動汽車的蓄電部 201230119 40895pif 載’且藉由利用太陽能電池板發電所得的直流電力對蓄電 部充電的構成的情況下’會產生以下問題。即，當作為直 流電源的太陽能電池板至負載的路徑中產生直流電流的漏 電的情況下’無法檢測該漏電而阻斷來自太陽能電池板的 直流電力的供給。 【發明内容】 本發明是為解決上述課題而完成者。即，其目的在於 提供-種漏電檢崎路H，該漏電制斷路器不僅檢測在 連接於交流電源的路徑中產生的漏電，亦檢測在連接於直 j電源的路控中產生的漏電而阻斷來自產生漏 電源的電力供給。 本發明的漏電檢測斷路器包括：變流H tanner)，檢測漏電電流；漏電判斷部，基於自上述變 "，⑺輸出的信號而判斷直流及交流的漏電；以及電力供仏 SI:電述漏電判斷部判斷出漏電時阻斷直流或 流及=二=變流器藉由單-的構成對直 本&明中’祕為進而包括輸人電壓類型判別部， 所連接的電力線（ele她P。肅㈣施加的電壓 別部漏電判斷部根據藉由上述輸人電壓類型判 出的輸人輕的_而判斷直流或交流的漏電。 产發明中’ 1讀為上述漏電判斷部基於對自上述變 4輸出的錢精平方所得的錢而_直敍/或交 2〇123〇ij9 4〇895pif 流的漏電。 於本發明中，較佳為進而包括顯示部，於 電判斷部判斷出滿雷拄, L 、错由上it/属 判別屮^ 時由上述輸人電壓類型判別部 出的輸入電壓的類型。 交、、發8种，較料進而包括輸人麵檢測部，檢測 電2以二Ϊ壓，且於上述輸入電壓檢測部檢測出達預定 電力供於輸人電壓時，上述f力供給阻斷部阻斷交流的 關半，触為上料力供給崎部包括雙向開 於本發明中，難為上述雙向開關半導體元件藉由反 向連接2個單向電晶體而構成。 於本發明中，較佳為上述雙向開關半導體元件包括具 有2個控制端子的橫式的雙向電晶體。 於本發明中’較佳為上述電力供給阻斷部包括串聯連 接具有2健綱子的橫式的雙向電晶體與具有接點的開 關元件的結構。 於本發明中，較佳為上述電力供給阻斷部包括並聯連 接具有2個控制端子的橫式的雙向電晶體與具有接點的開 關元件的結構。 [發明之效果] 根據本發明的漏電檢測斷路器，漏電判斷部基於自變 流器輸出的信號而判斷直流及交流的漏電，電力供仏阻斷 部阻斷直流歧流的電力供給。II此，残可檢測出°在連 2〇123〇i19 4〇895pif 接於交流電源的路徑中產生的漏電，亦可檢測出在連接於 直流電源的路徑中產生的漏電，從而可阻斷來自產生漏電 的路徑的電源的電力供給。 【實施方式】 以下，參照構成本說明書的一部分的隨附圖式對本發 明的實施形態更詳細地進行說明。於所有圖式中對同一或 類似的部分附上同一參照符號並省略其說明。 參照圖式對本發明的一實施形態的漏電檢測斷路器 進行說明。圖1表示漏電檢測斷路器的概略構成。漏電檢 測斷路器包括交流漏電電流檢測部（變流器）la、直流漏 電電流檢測部（變流器）lb、交流漏電判斷部2a、直流漏 電判斷部2b、電力供給阻斷部3、控制部4、電源電路5、 輸入端子40及輸出端子41等。漏電檢測斷路器連接於商 用交流電源51及太陽電池板等直流電源52與負載53之 間，對交流或直流的漏電進行檢測而阻斷自商用交流電源 51或直流電源52供給至負載53的電力。 “、 交流漏電電流檢測部1 a包括零相變流( Current Transf0rmer，ZCT)等，且檢測交流的漏電電 直流漏電電流檢測部lb包括零相變流器等，且檢測直^ 漏電電流。交流漏電判斷部2a基於自交流漏電‘流:二 h輸出的㈣關斷交流㈣電。直流漏電蘭部 於自直流漏電電流檢測部lb輪出的信鱿而判 土 電。電力供給阻斷部3根據自控制部4輪出的二，漏 阻斷自商用交流電源51或直流電源52供給至負载=而 7 201230119 40895pif 力。作為電力供給阻斷部3的一例，可例如為具有電磁控 制的機械接點的繼電器（Relay )。 控制部4基於自交流漏電判斷部2a及直流漏電判斷 部2b輸出的信號而對電力供給阻斷部3輸出控制信號。 即，於藉由交流漏電判斷部2a判斷出產生交流的漏電時， 控制部4對電力供給阻斷部3輸出控制信號而阻斷自商用 交流電源51供給至負載53的電力。又，於藉由直流漏電 判斷部2b判斷出產生直流的漏電時，控制部4對電力供給 阻斷部3輸出控制信號而阻斷自直流電源52供給至負載 53的電力。電源電路5對漏電檢測斷路器的各部分供給電 力。 輸入端子40連接商用交流電源51及直流電源52中 的任一者。如圖1中以實線所示般連接著商用交流電源 51。於連接需要直流電源的負載作為負載53的情況下，如 虛線所示般連接直流電源52。輸出端子41連接負載53。 圖2表示漏電檢測斷路器中的交流漏電判斷部2a的 構成。交流漏電判斷部2a包括電流電壓轉換電路21a、濾 波器電路（filter circuit) 22a及波形圖案（pattern )閾值判 定電路23a等。電流電壓轉換電路21a將自交流漏電電流 檢測部la輸出的電流信號轉換為電壓信號。濾波器電路 22a將自電流電壓轉換電路21a輸出的電壓信號的雜訊 (noise)成分除去。波形圖案閾值判定電路23a基於自濾 波器電路22a輸出的電壓信號的波形圖案且參照閾值而判 定交流的漏電。 201230119 40895pif 例如於父替地檢測出絕對值的值超過預定閾值的正 (Plus)成分及負（minus)成分的電壓信號時，判定為 生交流的漏電。 圖3是表示漏電檢測斷路器中的直流漏電判斷部沘 的構成。又，圖4表示自直流漏電判斷部2b的各部分及直 流漏電檢測部lb輸出的信號的波形。直流漏電判斷部2b 包括激磁彳§號電路21b、電流電壓轉換電路22b、濾波器電 路23b、整流電路24b、積分電路25b及閾值判定電路2邰 等。 激磁信號電路21b產生輸入至直流漏電電流檢測部比 的脈衝信號（電壓信號）。輸入有脈衝信號的直流漏電電流 檢測部lb將圖4所示的電流信號輸出至電流電壓轉換電路 22b。電流電壓轉換電路22b將自直流漏電電流檢測部比 輸入的電流信號轉換為電壓信號。於該狀態下與激磁電流 相應的輸出可自電流電壓轉換電路22b獲得。濾波器電路 23b將自電流電壓轉換電路22b輸入的電壓信號的雜訊成 分除去。整流電路24b對自濾波器電路23b輸入的電壓信 號進行整流。積分電路25b使自整流電路24b輸入的電壓 信號平滑化。即’於通常的狀態下與激磁電流相應的輸出 電壓作為經平滑化的電壓信號而自積分電路25b輸出。若 於該狀態下產生漏電，則藉由直流漏電檢測部1 b依據該電 流而使激磁狀態發生變化’結果使得激磁電流發生變化。 對應於該變化，自積分電路25b輸出的電壓亦發生變化。 即’於自積分電路25b輸出電壓信號的變化幅度大於閾值 201230119 40895pif 的情況下，判定為產生直流的漏電，而於自積分電路25b 輸入的電壓信號小於閾值的情況下，判定為未產生直流的 漏電。 如上所述，根據本實施形態的漏電檢測斷路器，交流 漏電判斷部2a基於自交流漏電電流檢測部la輸出的信號 而判斷交流的漏電的有無，電力供給阻斷部3阻斷自商用 交流電源51供給至負載53的電力。又，直流漏電判斷部 2b基於自直流漏電電流檢測部lb輸出的信號而判斷直流 的漏電的有無，電力供給阻斷部3阻斷自直流電源52供給 至負載53的電力。藉此，不僅可檢測出在連接於商用交流 電源51的路徑中產生的漏電，亦可檢測出在連接於直流電 源52的路徑中產生的漏電，從而可阻斷來自產生漏電的路 徑的電源的電力供給。 (變形例） 圖5表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的變形例。 於該變形例中，藉由單一的漏電電流檢測部1檢測直流及 交流的漏電電流，且藉由單一的漏電判斷部2判斷直流及 交流的漏電的有無。 漏電判斷部2包括激磁信號電路21、電流電壓轉換電 路22、交流用濾波器電路23c、直流用濾波器電路23d、 交流用整流電路24c、直流用整流電路24d、交流用積分電 路25c、直流用積分電路25d、及閾值判定電路26等。其 中5判斷直流漏電的有無的構成’即激磁信號電路21、電 流電壓轉換電路22、直流用濾波器電路23d、直流用整流 201230119 40895pif 電路24d、直流用積分電路25d、閾值判定電路26及其動 作與圖4等相同，故省略其說明。 圖6表示對漏電的有無進行判斷時的自漏電判斷部2 的各部分及漏電檢測部1輸出的信號的波形。於該變形例 中’於判斷父流的漏電時’亦自激磁信號電路21對漏電電 流檢測部1輸入脈衝信號。而且，若自漏電電流檢測部1 將電流信號輸入至電流電壓轉換電路2 2，則電流電壓轉換 電路22將該電流信號轉換為電壓信號並輸出至交流用濾 波器電路23c。交流用濾波器電路23c將自電流電壓轉換 電路22輸入的電壓信號的雜訊成分除去。交流用整流電路 24c對自交流用濾波器電路23c輸入的電壓信號進行整 流。交流用積分電路25c使自交流用整流電路24c輸入的 電壓信號平滑化。閾值判定電路26b對自交流用積分電路 25c輸入的電壓信號與預定閾值進行比較而判定交流的漏 電的有無。即，於自交流用積分電路25c輸入的電壓信號 大於閾值的情況下，判定為產生交流的漏電，而於自交流 用積分電路25c輸入的電壓信號小於閾值的情況下，判定 為未產生交流的漏電。另外，由於直流漏電的有無的判斷 與圖4相同，故省略其說明。 根據本變形例的漏電檢測斷路器，由於藉由單一的漏 電電流檢測部1檢測直流及交流的漏電電流，且藉由漏電 判斷部2判斷直流及交流的漏電的有無，故可使裝置構成 簡單且成本低。 (變形例） 11 2〇123〇ii9 40895pif 圖7表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的其他變形 例。於該變形例中，藉由單一的漏電電流檢測部檢測^ 流及交流的漏電電流，並且判別輸入至漏電檢測斷路器的 電壓的類型而選擇性地切換交流漏電判斷部2a或直流漏 電判斷部2b並使之動作。 π/ 即，漏電檢測斷路器包括輸入電壓類型判別部6及切 換部7。輸入電壓類型判別部6判別輸入至漏電檢測斷路 器的電壓的類型（對連接著負载53的電力線施加的電壓的 類型）並通知控制部4。控制部4基於來自輸入電壓類型 判別部6的通知而將用以控制切換部7的控制信號輸出至 切換部7。切換部7根據自控制部4輸入的控制信號而選 擇性地切換交流漏電判斷部2a或直流漏電判斷部2b。 根據本變形例的漏電檢測斷路器，由於根據對連接著 負載53的電力線施加的電壓而自動地切換為交流漏電判 斷部2a或直流漏電判斷部2b來對直流或交流的漏電進行 判斷’故可削減漏電檢測斷路器的設定所花費的工時。 (變形例） 圖8表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的其他變形 例。於該變形例中，於交流用整流電路24c與交^用積分 電路25c之間更包括交流用平方運算電路27c，且於直流 用整流電路24d與直流用積分電路25d之間更包括直流用 平方運算電路27d。 圖9表示對漏電的有無進行判斷時的自漏電判斷部2 的各部分及漏電電流檢測部1輸出的信號的波形。交流用 12 201230119 40895pif 平方運算電路27e對自交流用整流電路24e輸出的信號的 進行平方運算並將運算結果輸出至交流用積分電路25c。 同樣地1：机用平方運算電路27d對自直流用整流電路2如 輸出的信號進行平转算並料算結果輸丨至錢用積分 電路25j。交如平方運算電路及直流用平方運算電 路27d藉由對經整流的電壓信號進行平方而計算出相當於 電壓信號的能量的物理量。 於，整流的電壓信號伴有變形的情況下，若直接進行 積分運算，則經平均化後會有計算出較本來的值還要低的 值的虞慮。若藉由本變形例的漏電檢測斷路器，即便於此 種情況下，亦可根據電壓信號的能量高精度地判定漏電。 (變形例） 圖10表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的其他變 形例。於該變形例中，相對於圖7所示的變形例而更包括 顯示部8。顯示部8例如藉由使發光二極體（Light Emitting
Diode ’ LED)點燈等而顯示由輸入電壓類型判別部6判別 出的輸入電壓的類型。 根據本變形例的漏電檢測斷路器，藉由確認顯示部8 可得知於交流或直流的哪一電力線中產生漏電。藉此，可 減輕於產生漏電時進行應對的使用者及管理者的負擔。 (變形例） ' ° 圖11表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的其他變 形例。該變形例對應於使用中性線（neutral line) 1〇的單 相3線式的配電方式，且連接著100 v的負载53a、53b 13 201230119 40895pif 及2〇〇V的負載说。於該變形例中 變形例而更包括輸入電壓檢測部％、％ /於圖1〇所示的 況下而導致中性線1時動的情 電壓而造成购之虞。因此，於本變 ^大的 壓檢測部9a檢測對負載❿施加帽=輪入電 =部％檢測對負載53b施加的電壓。而且:於壓 =:=電壓檢測部％檢測出預定SC 1：金的If况下，電力供給阻斷部3崎交 根=變形例的漏電檢測斷路器，於使用中性線二 生:二配電方式中，於對負載施加的交流電壓產 生失衡時可阻斷電力供給以保護負載。 埜產 (變形例） ' 形例圖:變=十形態的漏電檢測_ ^ 1 。亥k形例疋應用雙向開關半導體元件31作兔圓1Λ 所示的變形例中的電力供給阻斷部3而構成。W圖1〇 雖可制具有韻接關繼t||#作為電 ^ 3 ’但因於控制直流電力的阻斷時需要用以^ (啦）的產生的構成，故存在電路的規模變 』3 本變形例中，由於應用雙向開關半導體元件31作 給阻斷部3，故於㈣直流電力的阻斷時可防止電= 生’從而可謀求電路的小型化。 、產 (變形例） 圖13表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的其他變 201230119 4〇895pif 例反向連接的2個單㈣晶體 接^^^中的雙向開關半導體元件Η。所謂反向連 寄生二極^ 的方式串聯連接單向電晶體32的 H開關交流電路的元件的—例，〜 又向可控叫關it件㈤ae)的構成為 便用一知 ;中無法開關直流電路。於人=二= 流電源Λ 更於以簡單的構成連接著商用交 關電路。3直級電源52中的任—電源的情況下，亦可開 (變形例） 形例圖=表不上述實施形態的漏電檢測斷路11的其他變 的雙向有2個控制端子（雙閘極）的橫式 導體元件3曰丨 為圖12所不的變形例中的雙向開關半 端子ΐΐί變形例的漏電檢測斷路器，可—面於2個控制 求漏電電塵，且一面謀求電力供給阻斷部，進而謀 电才双剛斷路器的小型化。 (變形例） is 士_ 形例。封*表不上述實施形態的漏電檢測斷路器的其他變 具有機=形例包含雙向關半導體元件、及串聯連接的 電力點的開關元件’以作為圖1G所示的變形例中的 例如為=斷部3。作為雙向開關半導體元件的一例，可 &式的雙向電晶體33,作為開關元件的一例可例如 15 201230119 4〇895pif 為機械式繼電器3〇。 •於本變形例中，於關閉電力供給阻斷部3時，先關閉 機械式繼電器30之後再關閉雙向電晶體33。另一方面， 於打開電力供給阻斷部3時，先打開雙向電晶體33之真 打開機械式繼電器3〇。 _根據本變形例的漏電檢測斷路器，藉由併用機械式繼 電器30及雙向電晶體33作為電力供給阻斷部3且適當控 制開㈣序（timing) ’從而可抑制開關時的電弧的產= 又’可提高電力供給阻斷時的電力供給阻斷部3的絕緣性。 (變形例） 圖16表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的其他變 形例。該變形例包含雙向開關半導體元件、及並聯連接的 具有機械接點的開關元件作為圖10所示的變形例中的電 力供給阻斷部3。於本變形例中’於關閉電力供給阻斷部3 時’先關閉雙向電晶體33之後再關閉機械式繼電器3〇。 另一方面，於打開電力供給阻斷部3時，先打開機械式繼 電器30之後再打開雙向電晶體33。 (橫式單閘極電晶體（single gate transistor)結構的 開關元件） 圖17是表示可用作圖14至圖16中的雙向電晶體33 的橫式的單閘極電晶體結構的開關元件101的構成的俯視 圖，圖18是其XVIII-XVIII剖面圖。如圖18所示，開關 元件101的基板120包括基材層101a、以及積層於基材層 l〇la上的GaN層l〇lb及AlGaN層101c。於該開關元件 2〇123〇i19 4〇895pif 吻中，利用AlGaN/GaN異質界面（heter〇interface)上產 $的一維電子氣體層作為通道（channel)層。如圖17所 示’於基板120的表面i2〇d形成著與電源6或負載7連接 的第1電極D1及第2電極D2、以及相對於第i電極m 的電位及第2電極D2的電位而為中間電位的中間電位部 此外，於中間電位部S上積層形成著閘極（gate)電極 。使用例如蕭特基電極（Sch〇ttky electrode )作為閘極電 =G。第1電極m及第2電極D2分別為具有相互平行地 排列的複數個電極部m、112、U3…及m、122、123 =梳齒狀，且梳齒狀地排列的電極部彼此以相互對向的方 =配置。中間電位部s及閘極電極g分別配置於梳齒狀地 排列的電極部⑴、112、113...與12卜122、123·..之間， ，具有與形成在電極部之_空間的平面形狀相似 狀。 如圖17所不，第1電極D1的電極部111及第2電極 2的電極部112㈣等的寬度方向上的中心線位於同一 :上的方式排列。X，中間電位部s的對應部分及閘極電 ° G的對應部分分別相對於第1電極 D1的電極部111及 2電極D2的電極部121的排列而平行地設置。上述寬 又，向上的第i電極Dl的電極部⑴及第2電極的電 =112與中間電位部s的對應部分及_電極〇的對應 =的距離設定為可維持預定的耐電壓的距離。於與上述 垂广方向正交的方向g卩第1電極D1的電極部111及第2 虽D2的電極部112的長度方向上亦相同。又，該等關 17 201230119 40895pif 係對其他電極 同。即，中η* 、以及113...及123·..而言亦和 及第2電極4立。p s及間極電極G相對於第1電極D] 相對於第^配置於可維持預定的耐電壓的位置。 為中間電位的中=二的電位及第2電極D2的電位而 且用以對中門發電位# 以及連接於該中間電位部S 第1電極D1進行控制㈣極電極G，皆相對於 的位置。_第 2而配置於可維持預㈣对電塵 二為例如於第1電極D1為高電娜^ Η極電極ί 情況下，當開關元件101斷開，即對 :電極G及：加"的信號時，至少於第1電極D1與閘 ° ° 中間電位部s之間電流確實被阻斷。即，於閘 電的正下方電流受到阻止。另-方面，於開關元件 |〇1接通時即對閘極電極〇施加預定閾值以上的電壓的信 號時’如圖17中以箭頭所示般，於第1電極〇卜中間電 位部S、帛2電極D2的路徑中流過電流。相反的情況下 亦相同。 如此，因相對於第1電極D1及第2電極D2而於可 維持預㈣耐電壓的位置形射間電位部s，故即便使施 加至閘極電極G的#號的閾值電壓降低至所需最低限度的 位準（level) ’亦可使開關元件101確實地接通/斷開。其 結果，可實現開關元件的低導通電阻。而且，藉由使用該 開關元件1 〇 1構成雙向電晶體3 3，使控制信號的基準與中 間電位部s為同電位l從而可藉由以數v的控制信號驅動 的控制部4直接控制尚電壓的電源。又，於利用異質界面 ⑧ 18 2〇l23〇ii9 4〇895pif 中產生的二維電子氣體層作為通道層的橫式的電晶體元件 中’不使元件導通的閾值電Μ的高電位化與導通時的導通 電阳·存在相反關係。因此，可使閾值電壓降低與可較低地 維持導通電阻相關聯，從而可實現電力供給阻斷部3的小 - 型高容量化。 (橫式雙閘極電晶體（dual gate transistor )結構的開 關元件） 圖19是表示作為開關元件的GaN/AlGaN橫式雙閘極 電晶體結構的雙向開關元件300的構成的俯視圖，該開關 元件具有可用作圖14至圖16中的雙向電晶體33的電晶體 結構’圖20是該雙向開關元件300的ΧΧ-Χχ剖面圖。 如圖20所示’雙向開關元件300包括形成於基板表 面上的第1電極D1及第2電極D2、以及第1閘極電極 G1及第2閘極電極G2，該些第1閘極電極G1及第2閘 極電極G2至少一部分形成於基板表面上且分別被輸入獨 立的控制信號。又，第1閘極電極G1及第2閘極電極G2 配置於可維持預定的财電壓的位置。由於維持耐壓的部位 為第1閘極電極G1與第2閘極電極G2之間的1個部位， 故可貫現損失較少的雙向開關元件。該構成的雙向開關元 件3 〇〇必須將没極（drain )電極D1、D2的電壓設為基準 進^亍控制’且必須對2個閘極電極Gl、G2分別輸入不同 的驅動彳s號（故稱為雙閘極電晶體結構）。該雙向開關元件 300的等效電路與如圖13所示將2個金屬氧化物半導體場 效應電晶體（Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect 19 201230119 4〇895pif ，si敝，M〇SFET )以寄生二極體的朝向相互相反的方 式串聯連接而成者大致相同。 根據本飾例㈣電檢輯路器，藉由個機械式繼 電益30及雙向電晶體33作為電力供給阻斷部3且適當控 制開關時序，可抑制開關時的電孤的產生。又，可對^ 53流通大電流。 、 ,另外，本發明並不限於上述實施形態的構成，只要至 >、包括父"IL漏電電流檢測部丨a及直流漏電電流檢測部 比、父流漏電判斷部2a及直流漏電判斷部2b、以及電力 供給阻斷部3而構成即可。又，亦可適當組合上述變形例 的特徵而構成。 、以上對本發明的較佳實施形態進行了說明，但本發明 並不限疋於該等特定的實施形態，可於後續的申請專利範 圍的範疇内進行多種變更及修正，可說該些變更及修正亦 屬於本發明的範轉。 【圖式簡單說明】 — 本發明的目的及特徵藉由如下的隨附圖式及較佳的 實施例的說明而變得明確。 圖1是表示本發明的一實施形態的漏電檢測斷路器的 概略構成的電路圖。
圖2是表示該漏電檢測斷路器的尤其是用以檢測交流 漏電而進行阻斷的構成的電路圖。 L 圖3是表示該漏電檢測斷路器的尤其是用以檢測直流 漏電而進行阻斷的構成的電路圖。 1 201230119 wey^pxf 波形=是絲自直細電觸轉各部錢_信號的 的概==施形態的漏電檢測斷路器的變形例 圖6是表示該變形例中的自交流漏電判斷 輸出的信號的波形的圖。 1刀 圖7是表示上述實施形態的漏電檢測斷路 形例的概略構成的電路圖。 更 圖8是表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的其 形例的概略構成的電路圖。 圖9是表示該變形例中的自交流漏電判斷部等八 輸出的信號的波形的圖。 口 73 圖10是表示上述實施形態的漏電檢測斷路器 變形例的概略構成的電路圖。 〃 圖11是表示上述實施形態的漏電檢測斷路器 變形例的概略構成的電路圖。 ° 圖12是表示上述實施形態的漏電檢測斷路器 變形例的概略構成的電路圖。 ° 他 圖13是表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的盆 變形例的概略構成的電路圖。 圖14是表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的盆 變形例的概略構成的電路圖。 圖15是表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的其 變形例的概略構成的電路圖。 ° ^ 21 201230119 4u»yspif 圖16是表示上述實施形態的漏電檢測斷路器的其他 變形例的概略構成的電路圖。 圖17是表示GaN/AlGaN橫式電晶體結構的開關元件 的構成的俯視圖。 圖18是圖17的xvm-xvm剖面圖。 圖19是表示GaN/AlGaN橫式電晶體結構的雙向開關 元件的構成的俯視圖。 圖20是圖19的XX-XX剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :漏電電流檢測部 la:交流漏電電流檢測部（變流器） lb :直流漏電電流檢測部（變流器） 10 :中立線 101 :開關元件 101a :基材層 101b : GaN 層 101c : AlGaN 層 111、112、113、121、122、123 :電極部 120 :基板 120d :表面 2:漏電判斷部 2a :交流漏電判斷部 2b :直流漏電判斷部 21、21b :激磁信號電路 ⑧ 201230119 4U8y^pif 21a、22、22b :電流電壓轉換電路 22a、23b :濾波器電路 23a :波形圖案閾值判定電路 23c :交流用濾波器電路 23d :直流用濾波器電路 24b :整流電路 24c :交流用整流電路 24d :直流用整流電路 25b :積分電路 25c :交流用積分電路 25d :直流用積分電路 26、26b :閾值判定電路 27c :交流用平方運算電路 27d :直流用平方運算電路 3:電力供給阻斷部 30 :機械式繼電器 31 :雙向開關半導體元件 32 :單向電晶體 33 :雙向電晶體 300 :雙向開關元件 4 :控制部 40 :輸入端子 41 :輸出端子 5 :電源電路 23 201230119 40895pif 5 1 :商用交流電源 52 :直流電源 53、53a、53b、53c :負載 6:輸入電壓類型判別部 7 :切換部 8 :顯示部 9a、9b :輸入電壓檢測部 D1 :第1電極 D2 :第2電極 G :閘極電極 G1 :第1閘極電極 G2 :第2閘極電極 S :中間電位部 24 ⑧