TW200947603A - Substrate mounting stand for plasma processing device, plasma processing device, and insulating coating deposition method - Google Patents

Description

200947603 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 【0001】 本發明係關於處理裝置絲域置台、f ίίί3之雷ΐ電漿處理裝置内載置半導體晶圓i之待 處土板川用5亥電製而進行例如侧處理、成膜處理等。 【先前技術】 【0002】 例如，於半導體裝置的製造領域， ’以電漿處理裝置使電漿對半導體晶圓ίίίίίί 板起作用，⑽械職理或細處 传處理基 【0003】 處理中，由於在減顧境之真空腔室内的電漿 处里至配置雜理基板，以進行電料理， 电水 吸附固持待處理基板。因此，有人使用靜電吸伽丨f用真工吸盤 作為用以吸附固持待處理基板的機構。靜電^盤=於〇=cChuck) 性構件間配設由鶴等構成靜 二、；瓷等絕緣 直流電壓，而以庫侖力等吸附固持待處理基:

又，電漿處理裝置中，載置待處理基板 I3座部必須以链等導電性的:屬G 蝴咖細雜編 【0005】 基板載置台係在由鋁等構成之基座 2電吸盤部所構成。基座部之表面形成ί絕i =陶Ϊ專構成 暴路在腐錄較高的處理氣體；_、緣核 200947603 之工々理氣體’專利文獻1中， 部供應氦氣。 緣皮膜之鳊部抵接空隙部，並對該空隙 【專利文獻1】曰本特開2004-47653號公報 【發明内容】 發明所欲解決之評顴 【0006】 產生=不设置溝槽等空隙部’不僅構造變複雜，由於 又，由“二Γ此難以控制成使溫度及高頻成為平均。 科㈣，必縣由肋蚊讀賴的厚度， 【0007】 ，此’本發明之目的為：提供電 電漿處理裝置及絕緣歧之舰方 ，置絲板载置口、 將基座部與靜電吸盤部良好地固定:吏土座頂面平坦，並可 解決課題之丰鉛 【0008】 ， ❹ 本發明係—種賴處理裝置用基 下列部分構成頂面··第i面、第j ^ .基座’由 新桕占沾贷^ $由周圍之較低既定高度之仿罟 所Φ成的第2面、及膜厚相同於既定高 位置 緣皮^靜電吸㈣，略 【0009】 藉由與第I面連接之方式而在高度 膜，可將基座頂面形成平坦狀，故能使靜2，成絕緣皮 [0010] ^賴之固定狀態良好。 較佳係包含形成於基座之第】面及第2 八 藉由在騎社__膜， 200947603 【0011】 絕緣皮膜較佳為陶瓷膜。 【0012】 、 本發明之另一態樣為—種雷难虚採获 電漿處理裝置用基板載置台。 裝置，包3上述任一項之 【0013】 面、ίΓΚϋ—ΐ樣為—種絕緣皮膜之成膜方法，在且有第1 同於既定高度並與第i面連接第== Ο Ο titbit ^ 1衣之比第1面上方的絕緣皮膜， 致於既定高度的步驟。 呎七緣皮膜之膜厚一 【0014】 【οοίΓ系包含在第1面及第2面之間形成傾斜面的步驟。 較佳係在第1面之周圍形成第2面，且包含 噴遮蔽；親緣皮膜噴敷的步驟“蔽 【0016】 較佳係包含將第丨面上之周緣、第2面 步驟。藉由進行_化，可提高謹倾之密^細粗链化的 發明之效果 【0017】 面，ϊίί日ΓΛ於ί比基座之第1面低既定高度之位置形成第2 ί皮ίνίΙΓίΐ而在第2面上形成膜厚相等於既定高度的絕 緣皮膜以構成基座之頂面，因此可使基座之頂面平坦，且 基座之頂面糊關持待處理基板之靜電健部良好地固定。 在基朗_成絕_，因此不會暴露於腐錄較高之 而且’藉由使基座頂面平坦，而容易控制使溫度、高 200947603 【實施方式] 宜施發明名A隹形態 【0018】 示本發日月之—實施雜之㈣處縣置的縱剖面 ^〇〇 θ中，電聚處理裝置1包含上部開口之有底圓筒狀的步神 而容器2係將待處理基板之—例之半導體晶圓w可送 並且接地者。處理容11 2底部設置用以载置半導 Ba °之成為基板載置台的基座3。基座3包含基座部7鱼杳·^ ❹ 理H8卜部以靜電吸附半導體晶圓w。從設^ 【0019】 對基座3供應偏麗用的高頻電力。 i笨之底部設有排氣管12,該排氣管12用以利用真* 泵專之排乳裝置„將處理容器2内的空氣排出。又^ J侧壁部5設有鏡導人部！ 二 =2 處理氣體供應職縣理㈣。H卩13用^未圖不之 【0020】 14 ΐ"處理各器2之上部開σ ’隔著用以確保氣⑦性之穷封从 而受支^如^介電材料構成的頂棚2G與基座3相對 20,於處理容器2内形0央’也可使用其他介電材料。藉由頂棚 【_1 _成處理空間s。頂棚2G之平面職為圓形。 設有圓板狀的°頂τ之上方 渦狀或同心較薄圓板構成，且多數之槽孔％呈竣 【0022】 & ° 35a 有：導波管％，同轴導波管35由内側導體 内側導體35a與槽孔天線3〇連接。内側導 6 200947603 槽孔天線3G侧具有圓錐形，可有效率地對槽孔天键如 專：^波\同轴導波管35將微波供應裝置％所^生之 .5GHz的微波，經由負載匹配器37、同軸導波 」 槽孔天線30而傳遞到頂棚2〇。然後，以盆 ^ :l、 以部13所供絲處理容器2二 :理半導體晶圓w進行既定之戰理， 【0023】 OT如上述構成之電漿處理裝置1中，進行電聚處理昧，考抑* 之ί座3上的靜電吸盤部8吸附半導體晶圓W:且一面： Ϊ人部13供應既定之處理氣體到處理容器2内，-面從排气 排氣，藉此使處理空間s内 内面3 = =對2S8:施加高頻偏壓，並以微波供以二 ί货處的種類等’可料導趙晶®w實施既定之 ^處理例如侧處理、灰化處理、成膜處理等各種之電裝處 【0024】 ❹ 靜電以說關1所示基座3包含之基座部7、與 静罨及盤部8之製造方法的剖面圖。 【0025】 座4發之錢處財置用基域置纟，包含基 1面之鬥==盤^8。基座部7由下列部分構成頂面：成為第 之m部72周圍之較低既定高度的位置所形成 膜=皮膜％鳴座部7之頂面固定著用以 【0026^ 土板，即半導體晶圓W的靜電吸盤部8 〇 更具體說明之，如圖2⑷所示，基座部7由銘冷卻板構成， 7 200947603 外形形狀為ί»板狀。於基座部7,巾央形成有高度較高之_ =72，凸部72顺之比凸部72低既定高度的位置形成有外周面 、卜凸部72用以在最後完成使基座部7之頂面成為平坦面 為削除量而形成。從基座部7之外周面71到凸部72形成 ^斜面73 ’凸部72之中央部上形成姐顯低陷的平 ^之此種形態藉由將圓形的鋁板切削加工而可得。 如圖2(B)所示，將基座部7之外周面71上、盥凸 喷？處理而_化。又，圖2(C)所示，除經粗糙化之Ϊ

構件75舰。雜，__化之相面71上與1邻72 之周緣上喊倾越76。讀賴76以相#於 D 選二用者差的厚度而疊層’例如為低電阻喊膜等，膜壓 【0028】 去除如圖2(C)所示之遮罩構件75後，將嘖 ;。之凸部72 了 1面射敷皮膜76頂面連接之方式而完成之部 〇 【_] 靜電平㈣74上塗佈雜劑9，並於其上載置 电及以8 ’以將靜電吸盤部8固定 屬面^:敷 【0030】 敷皮膜84疊層，而形成靜電吸盤部8。 靜電吸盤部8除上述方式以外，士·^〇 # 以衝壓加工進行一體化。 卜也了在2片基板間插入電極， 【0031】 δ 200947603 如上所述，依本發明之一實施形態，藉由將基座部7之上部 的外周面71、與傾斜面73粗糙化，再於其上形成噴敷皮膜76， 可形成平坦的基座部7。並且，由於喷敷皮膜76之端部不會露出， 故可使贺敷皮膜76不容易從外周面71與傾斜面73剝落。進而， 由於將喷敷皮膜76及平坦部74的分界附近覆蓋而以黏接劑9使 靜電吸盤部8固定，因此喷敷皮膜76及平坦部74的分界附近不 會在電漿處理中與包含腐蝕性較高之氟自由基等的處理氣體 觸，能使喷敷皮膜76更不容易剝落。 、 【0032】 又，從外周面71到凸部72形成傾斜面73，但並不限於此， 亦可為垂直面。 ' 【0033】 以上已參照圖式說明本發明之實施形態，但本發明不限於 圖示之實施形態。針對所圖示之實施形態，在與本發明相之 圍或者均專之範圍内’可施加各種之修正或變更。 【產業上利用性】 【0034】 本發明之㈣處理裝置躲板·台可· ❹ 置之處理室内載置半導體晶圓基板。 电策慝理裝 【圖式簡單說明】 【0035】 圖1係顯不本發明之一實施形態之電漿處理裝置 圖2⑷〜2(E)係用以說明圖！所示基座3包含座=圖° 靜電吸盤8之製造方法的剖面圖。 厘。卩7、及 【主要元件符號說明】 【0036】 1〜電漿處理裝置 200947603 2〜處理容器 3〜基座 4〜交流電源 5〜側壁部 7〜基座(基座部） 8〜靜電吸盤(靜電吸盤部） 9〜黏接劑 11〜排氣裝置 12〜排氣管 13〜氣體導入部 〇 14〜密封材 20〜頂棚 30〜槽孔天線 31〜慢波板 32〜天線蓋 33〜槽孔 35〜同軸導波管 35a〜内側導體 3 5b〜外管 〇 36〜微波供應裝置 37〜負載匹配器 71〜外周面 72〜凸部 73〜傾斜面 74〜平坦部 75〜遮罩構件 76〜喷敷皮膜 81〜絕緣性基板(絕緣性構件） 82〜金屬膜(電極） 83〜低電阻陶瓷喷敷皮膜(絕緣性構件) 10 200947603 84〜高電阻陶瓷喷敷皮膜(絕緣性構件) S〜處理空間 W〜半導體晶圓

Claims (1)

1. 200947603 ' 七、申請專利範圍： 1.一種電漿處理裝置用基板載置台，包含： 基座，由下列部分構成頂面：第！面、哕 ΐί 2 φ 該第1面連接而形成於該第2面上的絕緣皮膜· 靜電吸盤部’固縣紅觸簡持贿理基板。 2人如申請專利範圍帛丨項之電漿處理裝置用基板 含形成於該基座之該fl面及該第2面之分界的傾斜口面:、中I ❹ 3.如申請專利範圍第i或2項之電漿處理裝 a 中，該絕緣皮膜為陶瓷膜。 土板載置口，其 4·一種電漿處理裝置，其特徵為： 板載ΪΓ請專利顧第1至3項中任―項之錄處理裝置用基 5.-種絕緣皮膜之成膜方法，在具有第1面 之第2面的基座，將膜厚相同 ❹與糾i面連接而形成於該第2面上之該絕緣皮膜成膜；门又亚 包含. 、 ，該表面上將該絕緣皮膜噴敷的步驟； 藉由去除位於該表面上之比該第i面上方的 該絕緣皮膜之膜厚一致於該既定高度的步驟。、、、、，l使 二膜方法’其中，包含在該 7.如申請專利範 2面位在該第1 圍第5或6項之絕緣皮膜之成瞑方法，其中， 面之周圍’且包含將除該第1面之周緣以外，於該 12 200947603 第1面上以遮蔽構件遮蔽之步驟； 該將絕緣皮膜噴敷的步驟，將除該遮蔽構件上以外的部分噴 敷該絕緣皮膜。 8.如申請專利範圍第7項之絕緣皮膜之成膜方法，其中，包含將該 第1面上之周緣、該第2面、及該傾斜面粗糙化的步驟。 八、圖式·

   13