TW200832074A - Exposure apparatus and method for manufacturing device - Google Patents

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200832074 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一曝光裝置及一用於製造該曝光裝置之方 法。 【先前技術】 用於製造半導體積體電路之傳統曝光裝置使用各種波 長之光線供曝光。以下被用於曝光：具有365奈米之波長 的深紫外線（I-line)、具有248奈米波長之KrF準分子雷 射光束、具有193奈米波長之ArF準分子雷射光束、及X 射線。由一光源所放射之光線通過一投射光學系統，其包 含投射透鏡，用於將在一原件上所形成之圖案投射至一基 板上。這在該基板上形成圖案。因爲該圖案直線的寬度中 之縮減，該等傳統曝光裝置需要具有高通量及高解析度。 因此，被要求高能量曝光來源，且具有一較短波長之光線 係亦被要求供曝光。 具有一短波長之曝光光線係已知在氧氣及存在於該曝 光裝置中之雜質之間造成該光化學反應。該光化學反應之 產物、亦即化學汙染物黏著至光學元件，諸如包含設置在 該曝光裝置中之光學系統中的透鏡及反射鏡。這造成一問 題，即在該曝光光線中造成感光過度。雜質之範例包含源 自抗蝕劑及諸如矽氧烷之有機矽化合物、源自用於該等光 學元件之黏接劑的基本氣體。該等雜質包括氣體物質及固 體物質、譬如懸浮微粒物質。 -4- 200832074 一曝光裝置通常被放置於一室中。該室包含 度控制單元、一超低滲透空氣（ULPA)過濾器、： 過濾器。供給至該室之氣體被維持在一恆定溫度 一非常低之雜質含量。 在此於該曝光裝置中有很多雜質來源。譬如 劑被用於固定光學元件，以支撐設置在一透鏡筒 件。該黏接劑通常係一彈性黏接劑，其通常包/ 院。該砂氧焼能造成該等光學元件感光過度。因 鏡筒體中之雜質的濃度需要爲低的。 爲了解決該問題，日本專利特許公開申請 1 45 05 3號提出一顯示於圖20中之透鏡筒體220 筒體220包含透鏡230及具有開口 232之支撐構 用於支撐該等透鏡23 0。此組構允許氣體流經藉 鏡23 0及該支撐構件231所分割之空間。該透鏡 係連接至一供給單元206及一回復單元207 ;因 鏡筒體220中之大氣能以一淨化氣體替換。 曰本專利特許公開申請案第2005-183624 ί 21所示之透鏡筒體123。該等透鏡筒體123包含 件125，用於將一淨化氣體G導引至透鏡118， 具有一間隙L1。在由該透鏡筒體123有效率地 中，此組構係有效的。 於日本專利特許公開申請案第1 1 - 1 45053號 之透鏡筒體220中，雖然該開口 232係如圖20 圍繞每一透鏡23 0，該淨化氣體幾乎不在該透鏡 一氣體溫 之一化學 ，且具有 ’ 一^黏接 體中之構 含一砍氧 此，該透 案第 11- 。該透鏡 件 23 1， 由該等透 筒體220 此，該透 痛提出圖 氣體導引 而在其間 移去雜質 中所揭示 所示配置 23 0上流 200832074 動。因此，如果造成感光過度之雜質係在該透 中產生，存在於該透鏡23 0上之雜質的濃度係 爲高的，且不能充分地減少。於日本專利特許 第2005-183624號中所揭示之透鏡筒體12 3中 體G如圖21所示流動在該等透鏡1 1 8上。流 鏡118上之淨化氣體G的數量中之增加造成 的數量中之增加。因此，於日本專利特許公 2005- 1 83 624號中所揭示之透鏡筒體 123在 1 1 8之感光過度中係無效的。 透鏡通常具有一軸對稱的圓表面或軸對稱 面。因此，雖然該等透鏡中之溫度分佈或其扭 系統之光學性質惡化，當該溫度分佈或該扭曲 時，藉由該溫度分佈或該扭曲所造成之光學象 地校正。然而，於日本專利特許公開申請 1 83624號中所揭示之透鏡筒體123中，如果 G於一方向中流動在每一透鏡1 1 8上，該透鏡 度分佈係非軸對稱的；因此，其係難以校正藉 佈所造成之光學象差。 【發明內容】 本發明提供一曝光裝置，其中可防止光學 惡化。 本發明的一態樣提供一用於曝光基板之曝 曝光裝置包含一光學系統，該光學系統包含二 鏡筒體220 因爲擴散而 公開申請案 ，該淨化氣 動在每一透 化學汙染物 開申請案第 防止該透鏡 的非球面表 曲可使光學 係軸對稱的 差可被輕易 案第 2005-該淨化氣體 1 1 8中之溫 由該溫度分 元件之性質 光裝置。此 光學元件， -6 - 200832074 且係架構成將由一光源所放射之光線導引至該基板；氣體 供給區段，其組構成將氣體供給至該等光學元件間之空 間；及氣體排氣區段，其組構成由該空間排出該氣體。該 氣體係供給至該空間，使得一渦漩流動係形成在該空間 中〇 本發明之進一步特色及態樣將參考所附圖面由示範具 體實施例之以下敘述變得明顯。 【實施方式】 將參考所附圖面敘述本發明之各種具體實施例。圖1 槪要地顯示一根據本發明之具體實施例的曝光裝置。 該曝光裝置通常被放置於一未示出之室中。該室包含 一氣體溫度控制單元、一 ULPA過濾器、及一化學過濾 器。該室中之大氣被維持在一恆定溫度，且具有一非常低 之雜質含量。 參考圖1，該曝光裝置包含一照明光學系統7、一用 於支撐原件5之原件架台6、一用於投射之透鏡筒體1、 一用於支撐基板3之基板架台4、一本體基座2、及一支 撐機架8。該基板架台4、該透鏡筒體1、及該支撐機架8 係設置在本體基座2上。該原件架台6係設置在該支撐機 架8上。 該照明光學系統7以由一光源所放射之光線1 2照明 該原件5。該透鏡筒體1包含一投射光學系統及經過該原 件5將一圖案投射於該基板3上。該基板3係一晶圓或一 200832074 玻璃板，且被塗以一光敏劑。 該原件5係一光罩或一罩幕，且具有一用於曝光該基 板3之電路圖案。 在此有管子，提供該等管子，其延伸經過該透鏡筒體 1之壁面，並包含用作氣體供給區段之氣體供給管9，用 於將氣體導入該透鏡筒體1 ;及用作氣體排氣區段之氣體 排出管10，用於由該透鏡筒體1排出氣體。 一氣體PG經過該氣體供給管9被導入該透鏡筒體 1，且接著由該透鏡筒體1經過該氣體排出管1 0排氣，藉 此該透鏡筒體1中之大氣被該氣體PG替換。 一氣體供給單元係位於該氣體供給管9之上游，且控 制該氣體PG之溫度及溼氣及該氣體PG中之雜質的含 量。該氣體PG之範例包含諸如氦、氖、氬、及氪之稀有 氣體及諸如氮之非活性氣體。 如果使用一昂貴之氣體，一用於淨化由該透鏡筒體1 排出的流出氣體OG之氣體淨化單元可被提供在該氣體排 出管1 〇之下游，使得該流出氣體〇、G被再循環。 該氣體PG可被供給至該透鏡筒體1的一部份，以便 充塡該透鏡筒體1與接著如圖1所示由該透鏡筒體1之另 一部份排出，或可被供給至如圖2所示透鏡筒體單元13 之特定部份。 第一示範具體實施例 圖3係該透鏡筒體單元1 3的一放大視圖。該透鏡筒 -8- 200832074 體單元13係包含在該透鏡筒體1中。於此範例中，該投 射光學系統之光軸係界定爲一圓柱形坐標系之Z坐標’設 置在該透鏡筒體單元13中之光學元件11的徑向被界定爲 R方向，且該等光學元件11之圓周方向被界定爲0方 向，如圖3所示。該等光學元件1 1之每一個係以一黏接 劑1 6固定於一支撐構件1 5中。該支撐構件1 5之每一個 係裝入一透鏡管1 7中。 該等光學元件1 1之範例包含透鏡、反射鏡、及繞射 光學元件。 因爲溫度變化，該等光學元件1 1及該等支撐構件1 5 能被扭曲（例如膨脹或收縮）。因此，如果每一光學元件1 1 及支撐構件15被無可改變地固定在一起，該等光學元件 11之光學性質係惡化，因爲藉由該光學元件11及該支撐 構件1 5之扭曲所造成的應力係施加至該光學元件1 1。爲 了減少施加至該光學元件1 1之應力，該黏接劑1 6較佳地 係一彈性黏接劑。 此一彈性黏接劑包含一低分子重量有機化合物，諸如 一溶劑、用作一主要成份的經修改之矽酮樹脂、及一環氧 基樹脂，且因此放出氣體、或雜質。該流出之氣體已是化 學污染之成因。 圖4係取自圖3之透鏡筒體單元13沿著剖線VI-VI 之一剖視圖。該透鏡筒體單元1 3具有藉由該等光學元件 11、該等支撐構件15、及該等透鏡管17所圍繞之封閉空 間1 8。該封閉空間1 8之尺寸大體上係藉由該等透鏡管i 7 -9- 200832074 之內徑D及配置在該Z方向中的二支撐構件15間之距離 Η所界定。視該等光學元件1 1之表面曲率而定，每一封 閉空間1 8之中心部份的高度可爲少於或大於二支撐構件 1 5間之距離Η。既然該黏接劑1 6放出該等封閉空間1 8 中之雜質，縱使一充分數量之時間已經消逝，該等雜質之 分子1 9係存在於該等封閉空間1 8中。 圖5係取自沿著一包含圖3所示氣體供給管9之平面 的透鏡筒體單元1 3之水平剖視圖。 參考圖5，參考數字23指示每一氣體供給管9之中 心軸21與每一透鏡管17之內部壁面的相交點。一軸22 於該透鏡管17之徑向中由該Ζ坐標延伸至該相交點23。 該中心軸2 1及該軸2 2形成一角度α。經過該氣體供給管 9供給至每一封閉空間1 8之氣體P G形成一集中在該Ζ坐 標之渦漩流動2 0。該渦漩流動2 0具有一流速向量，該流 速向量具有一圓周之向量分量。該等雜質分子19在一角 速度ω隨同該渦漩流動20繞著該Ζ坐標運動。在一段距 離r由該Ζ坐標隔開之雜質分子19承接一力量f。 圖6係取自沿著一包含圖3所示氣體排出管1〇之平 面的透鏡筒體單元1 3之水平剖視圖。 參考圖6，參考數字26指示每一氣體排出管10之中 心軸24與每一透鏡管17之內部壁面的相交點。一軸25 於該透鏡管1 7之徑向中由該Z坐標延伸至該相交點26。 該中心軸24及該軸25形成一角度冷。 當圖5所示之角度α係大於0度及少於9 0度時，供 -10 - 200832074 給至該封閉空間18之氣體pg具有一圓 成該渦漩流動20。爲了允許該氣體PG在 地形成該渦漩流動2 0，該角度α較佳地存 更佳地是大於4 5度及少於9 0度。 爲了於該透鏡管17之圓周方向中 2 0，使得該渦漩流動2 0具有一大體上恆 氣體供給管9及該氣體排出管1 〇較佳地 Ζ坐標旋轉地對稱。 既然該渦漩流動2 0係形成在該封閉 該Ζ坐標的旋轉地對稱之圓周流動係形成 1 1及該等支撐構件1 5上。 這允許該封閉空間18中之氣體PG 於每一光學元件1 1之光軸旋轉地對稱； 件1 1之溫度分佈係非關於其光軸旋轉地 防止造成不對稱之象差。 當由該Ζ坐標在一段距離r隔開之亲 一角速度w隨同該渦漩流動20移動環繞 該雜質分子19如圖5所示承接該力量f。 以下之公式所代表： (σ _ p) X r ω 2 (1 ) 其中σ係該等雜質之密度，p係該氣 係該Z坐標及該等雜質分子19間之距離 周向量分量及形 —小流量有效率 Η妾近90度，且 形成該渦漩流動 定之角速度，該 是配置成關於該 空間中，集中在 在該等光學元件 的溫度分佈係關 因此，該光學元 對稱，且因此能 隹質分子19正在 著該Ζ坐標時， 該力量f係藉由 體P G之密度，r ，且ω係該等雜 -11 - 200832074 質分子19之角速度19。該Γω2 —詞代表該離心加速度。 當（cj-P)>〇時，該等雜質分子19在該透鏡管17之 徑向中承接一正向力。因此，該等雜質分子19在其徑向 中移動。這增加該等雜質在該封閉空間1 8的周邊部份中 之濃度，並因此減少該等雜質存在於該光學元件11上之 濃度。 既然該封閉空間1 8的周邊部份中之雜質濃度係高 的，該等雜質可如圖6所示經過該氣體排出管1〇有效率 地排出。 由分析之結果，造成上面之感光過度的物質係已知爲 包含矽之氣態矽氧烷、三甲矽基（TMS)、及六甲基二矽氮 烷（HMDS)。該等雜質在常溫及常壓下具有大於3公斤/立 方米之密度。因此，供給至該封閉空間18之氣體PG較 佳地係氮、氖、氬、或氮，因爲在常溫及常壓，氨具有 0.16公斤/立方米之密度，氖具有0.82公斤/立方米之密 度，氬具有1.6公斤/立方米之密度，及氮具有1.1公斤/ 立方米之密度。 公式（1)顯示爲了有效率地減少存在於該光學元件1 1 上之雜質的濃度，該氣體PG之密度p較佳地係少於該等 雜質之密度σ，且該等雜質分子19之角速度ω較佳地係 大的。 於此具體實施例中，該封閉空間18具有大約24 0毫 米之內徑D，該等光學元件1 1間之距離Η係大約20毫 米，該氣體PG係氮，該等角度α及0係大約70度，該 -12- 200832074 等氣體供給管9及該等氣體排出管具有大約1〇()平方 笔米之內部橫截面積，該氣體供給管9之數目係四條，且 該氣體排出管10之數目係四條。 當該氣體PG係經過該氣體供給管9在大約5米/秒之 速度供給至該封閉空間18時，在該封閉空間18之圓周方 向中’該氣體PG在該封閉空間18之周邊部份中於大約 3.5米/秒之速度流動。該氣體Pg之流量係大約841公升/ 分。 於此狀態中，該等雜質分子1 9之角速度ω係大約3 5 弧度/秒。如果該等雜質分子1 9在該封閉空間1 8之徑向 中移位，其角速度ω係幾乎不會改變。存在於該Ζ坐標上 之雜質分子1 9未承接離心加速度，但由該Ζ坐標分開之 雜質分子1 9承接一離心加速度。通常，氣體及懸浮微粒 物質之分子係於熱運動中，且因此不會停留在固定之位 置。如上面所述爲該雜質之來源的黏接劑1 6係由該Ζ坐 標隔開；因此，該封閉空間1 8中所放射之雜質馬上承接 一離心力。這減少該等光學元件1 1上之雜質的濃度。 現在將敘述該等支撐構件1 5之修改。視該氣體PG 之黏度係數及/或該氣體排出管1 0之，組構而定’該封閉 空間1 8中之渦漩流動20的存在能於該封閉空間1 8中建 立一壓差，使得該周邊部份中之壓力係高於該封閉空間 1 8的中心部份中之壓力。既然位於很接近每一支撐構件 15的渦漩流動20之速度係接近零’該等雜質因爲該壓差 於該-R方向中在該支撐構件15的一表面上移動。這被稱 -13- 200832074 爲二次流。 爲了應付該二次流，可使用圖7 A所示支撐構件1 5 a 代替該支撐構件1 5。該等支撐構件1 5 a具有支撐部份用 於支撐該等光學元件Η，且亦具有由該等支撐部份朝外 延伸之溝槽150。當在其縱長方向中觀看時，該等溝槽 1 50可具有長方形、錐形、或梯形之橫截面，分別如圖 7A、7B或7C所示。另一選擇係，該等溝槽150可具有 另一形狀之橫截面。 另一選擇係，可使用圖8所示支撐構件15b代替該等 支撐構件1 5。該等支撐構件1 5b具有用於支撐該等光學 元件1 1之支撐部份及由該等支撐部份朝外延伸之背脊 1 5 1。該等背脊1 5 1以及該等溝槽1 5 0可具有長方形、錐 形、梯形、或另一形狀之橫截面。 圖9係一支撐構件15a之俯視圖。該等溝槽150之每 一個具有一軸27。參考數字28指示該軸27及每一支撐 構件15a之內部邊緣的相交點。一軸29由該Z坐標延伸 朝向該相交點28。該等軸27及29形成一角度7。 該渦漩流動20係施加至該等溝槽150的壁面之一， 藉此接近該支撐構件15a之表面形成一平行於該軸27之 次流。當該角度T係大於0度及少於90度時，平行於該 軸27之次流具有一在該+R方向中引導之向量分量。這防 止該二次流朝外移動該等雜質。此優點能使用該等支撐構 件15b所達成。 現在將敘述該等氣體供給區段之修改。以該等氣體供 -14- 200832074 給管9係相通地連接至每一透鏡管1 7之方式形成該渦漩 流動20，使得該角度α係大於零度及少於90度。其可爲 難以相通地連接該等氣體供給管9至該透鏡管丨7，使得 該角度α係在上面之範圍內，視用於形成該透鏡管1 7之 材料而定。於此案例中，該等氣體供給管9可爲相通地連 接至該透鏡管1 7，使得該等氣體供給管9之中心軸30延 伸於該透鏡管17之徑向中。再者，噴嘴31可被提供於該 透鏡管17中，使得該等噴嘴3 1之開口係如圖1 〇所示連 接至該等氣體供給管9。依據此組構，穿透孔可垂直於其 壁面被形成在該透鏡管17之壁面中。因此，該等氣體供 給管9可被輕易地連接至該透鏡管17。該氣體PG係經過 該等噴嘴31供給至該封閉空間18，以便具有一'圓周之向 量分量，藉此形成該渦漩流動2 0。於此組構中，如果沒 有噴嘴被連接至該等氣體排出管1 0，能形成該渦漩流動 20 〇 第二示範具體實施例 圖11係圖1所示透鏡筒體單元14之局部放大視圖。 以與上述參考圖3相同之方式界定一圓柱形坐標系。光學 元件之徑向被界定爲一 R方向，且該等光學元件之圓周方 向被界定爲一Θ方向。 此具體實施例係與第一具體實施例不同，其中每一支 撐構件32具有穿透孔33。該等穿透孔33具有氣體供給 區段之作用’用於供給氣體至一位在其上面之封閉空間， -15- 200832074 或具有氣體排氣區段之作用，用於由一位於其下方之封閉 空間排出氣體。 圖12係取自圖1 1沿著剖線XII-XII的透鏡筒體單元 1 4之剖視圖。圖1 3係該等支撐構件之一的俯視圖。參考 數字3 5代表每一穿透孔3 3之中心軸。 圖14係取自圖13沿著剖線XIV-XIV的支撐構件32 之剖視圖。該穿透孔3 3之中心軸3 5係傾斜抵靠著該Z坐 標，且該中心軸35及該Z坐標形成一角度5。當該角度 δ係大於零度及少於90度時，供給至每一封閉空間1 8之 氣體PG具有一圓周向量分量，且因此能形成一渦漩流 動。爲了使用一小量之氣體PG有效率地形成該渦漩流 動，該角度5較佳地係接近90度，且更佳地是大於45度 及少於90度。 於此具體實施例中，該封閉空間1 8具有大約240毫 米之內徑D，該等光學元件間之距離Η係大約20毫米， 該氣體PG係氮，該等穿透孔33具有大約71平方毫米之 橫截面積，配置在每一支撐構件32中之穿透孔33的數目 係八個，且該氣體PG係在大約5米/秒之速度供給至該封 閉空間18。這允許該氣體PG在大約3.7米/秒之速度於該 封閉空間1 8之圓周方向中，在該封閉空間1 8的一周邊部 份中流動。該氣體PG之流量係大約1 30公升/分。雜質之 分子的角速度ω係大約37弧度/秒。如果該等雜質分子係 在該封閉空間18之徑向中移位，其角速度ω係幾乎不會 改變。 -16- 200832074 於此具體實施例中，該封閉空間1 8係與配置在該等 支撐構件32中之穿透孔33相通地彼此連接。該氣體pg 係由一透鏡筒體1之外面供給至該等封閉空間1 8之一， 且係接者由該透鏡筒體1經過該等封閉空間1 8的位於最 下游之一排出。因此，當該氣體PG接近最下游之封閉空 間18時，該氣體pg中之雜質的濃度變高。 該渦漩流動係存在於每一封閉空間1 8中，且因此存 在於每一光學元件i〗上之雜質的濃度係維持低的。爲了 進一步減少該光學元件1 1上之雜質的濃度，雜質吸收構 件36可如圖15所示被配置在該透鏡筒體1之內部表面 上。特別地是，該雜質吸收構件3 6可被配置在位於下游 的封閉空間18之一或更多。該等雜質吸收構件36可爲由 一能夠吸收氣態矽氧烷之材料、諸如活性碳、多小孔陶瓷 材料、或多小孔金屬所製成。 當該等雜質吸收構件36係配置在該雜質濃度爲高的 部份上，該雜質濃度可有效率地減少。雖然該等封閉空間 1 8係相通地彼此連接，該等光學元件〗1上之雜質的濃度 能被維持爲低的。 於此具體實施例中，該渦漩流動係以該等穿透孔33 被配置於每一支撐構件32中之方式形成，使得該角度δ 係大於零度及少於9 0度。視用於形成該支撐構件3 2之材 料而定，其可爲難以於該支撐構件32中配置該等穿透孔 3 3，使得該角度6係如上面所述。於此案例中，該等穿透 孔3 3係配置在該支撐構件32中，使得每一穿透孔3 3之 -17- 200832074 中心軸3 5係如圖1 6所示平行於該Z坐標。再者，具有引 導在該支撐構件32的圓周方向中之開口的噴嘴37可如圖 1 7所示被連接至該等穿透孔3 3。依據此組構，該等穿透 孔33可被輕易地提供於該支撐構件32中，且該等噴嘴 3 7允許被供給至每一封閉空間〗8之氣體PG具有一圓周 的向量分量。這於形成該渦漩流動中係有效的。 應注意的是該第一具體實施例中所敘述之修改可被應 用至此具體實施例。亦於上面之具體實施例中，本發明係 應用至該投射光學系統；然而，亦應注意的是本發明亦可 應用至包含照明光學系統之透鏡筒體。 第三示範具體實施例 現在將參考圖18及19敘述一用於製造裝置、諸如半 導體裝置或液晶裝置之方法範例。該方法使用上面之曝光 裝置。圖1 8係一說明該方法之流程圖。於此具體實施例 中，敘述半導體裝置之製造。於步驟S1中，設計用於該 等半導體裝置之電路。於步驟S2中，製備一光罩，其具 有一用於形成該等電路之圖案。於步驟S3中，由諸如砂 之半導體材料製成一晶圓。於步驟S4中，其被稱爲一前 端步驟，該等電路係藉由微影術使用該光罩形成在該晶圓 上。於步驟S 5中，其被稱爲一後端步驟，於步驟S 4中處 理之晶圓被處理成半導體晶片。步驟S 5包含一組裝子步 驟，其包含一切丁操作與一接合操作；及一封裝子步驟， 其包含一晶片密封操作。於步驟S6中，在步驟S5中所獲 -18- 200832074 得之半導體裝置被檢查操作、耐用性等。經過這些步驟完 成該等半導體裝置。於步驟S7中，該半導體裝置被運 送。 圖1 9係一說明步驟S4之流程圖。於子步驟s 1 1中， 該晶圓係表面氧化。於子步驟S 1 2中，一絕緣層係藉由化 學蒸氣沈積形成在該晶圓上。於子步驟S 1 3中，電極係藉 由蒸氣沈積寺形成在該晶圓上。於子步驟S14中，離子係 植入該晶圓。於子步驟S 1 5中，一抗蝕劑及一光敏劑係施 加至該晶圓。於子步驟S 1 6中，該晶圓係以該曝光裝置曝 光，使得該電路圖案被轉移至該晶圓。於子步驟S 1 7中， 使已曝光之晶圓顯影。於子步驟S 1 8中，藉由鈾刻法移去 異於一藉由使該抗蝕劑顯影所形成之影像的部份。於子步 驟S19中，已被蝕刻及不需要之抗触劑被移去。與該電路 圖案相同之圖案係藉由重複這些子步驟形成在該晶圓上。 如與傳統方法作比較，於製造較高品質之裝置中’此具體 實施例之方法係有效的。 雖然本發明已參考示範具體實施例作敘述’將了解本 發明不限於所揭示之示範具體實施例。以下申請專利之範 圍將被給與該最寬闊之解釋’以便涵括所有修改、同等結 構及功能。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明之具體實施例的曝光裝置範例之槪 要視圖。 -19- 200832074 圖2係一透鏡筒體範例之槪要視圖。 圖3係圖1所示曝光裝置中所包含之透鏡筒體單元的 一放大視圖。 圖4係該透鏡筒體單元13取自圖3沿著剖線VI-VI 之一剖視圖。 圖5係取自沿著一包含圖3所示氣體供給管之平面的 透鏡筒體單元之水平剖視圖。 圖6係取自沿著一包含圖3所示氣體排出管之平面的 透鏡筒體單元之水平剖視圖。 圖7A係一具有溝槽的支撐構件之說明圖，該溝槽之 橫截面爲長方形，圖7B係一具有溝槽的支撐構件之說明 圖，該溝槽之橫截面爲錐形，圖7C係一具有溝槽的支撐 構件之說明圖，該溝槽之橫截面爲梯形。 圖8係一具有背脊的支撐構件之說明圖。 圖9係圖7A所示支撐構件的一俯視圖。 圖1〇係一顯示噴嘴之說明圖。 圖11係圖1所示透鏡筒體單元14之放大視圖。 圖12係取自圖11沿著剖線XII-ΧΠ的透鏡筒體單元 之剖視圖。 圖13係一設置於圖12所示透鏡筒體單元中之支撐構 件的俯視圖。 圖14係取自圖13沿著剖線XIV-XIV的支撐構件之 剖視圖。 圖1 5係一顯示雜質吸收構件之說明圖。 -20 - 200832074 圖1 6係一支撐構件之透視圖。 圖1 7係一顯示噴嘴之說明圖。 例的流程圖。 程圖。 1 1 - 1 4 5 0 5 3 號中 圖1 8係一說明用於製造裝置之方法彳 圖1 9係一說明圖1 8所示步驟S 4之: 圖20係日本專利特許公開申請案第 所揭示之透鏡筒體的剖視圖。 圖2 1係一顯示傳統透鏡筒體之說明| 【主要元件符號說明】 1 :透鏡筒體 2 :本體基座 3 :基板 4 :基板架台 5 :原件 6 :原件架台 7 :照明光學系統 8 :支撐機架 9 :氣體供給管 I 〇 :氣體排出管 II :光學元件 1 2 :光線 1 3 :透鏡筒體單元 1 4 :透鏡筒體單元 1 5 :支撐構件 -21 · 200832074 :支撐構件 :支撐構件 黏接劑 透鏡管 空間 分子 渦漩流動 中心軸 軸 相交點 中心軸 軸 相交點 軸 相交點 軸 中心軸 噴嘴 支撐構件 穿透孔 中心軸 雜質吸收構件 噴嘴 :透鏡 -22- 200832074 :透鏡筒體 :氣體導引件 :溝槽 :背脊 :供給單元 :回復單元 :透鏡筒體 =透鏡 =支撐構件 :開口

Claims (1)

1. 200832074 十、申請專利範圍 1. 一種曝光裝置，其架構成可使一基板曝光，包含： 一光學系統，其包含二光學元件，且係架構成將由一 光源所放射之光線導引至該基板； 氣體供給區段，其組構成將氣體供給至該等光學元件 間之空間；及 氣體排氣區段，其組構成由該空間排出該氣體， 其中該氣體係供給至該空間，使得一渦漩流動係形成 在該空間中， 其中組構該等氣體供給區段，使得供給至該空間的氣 體之流速向量具有一指向該等光學元件的圓周方向中之向 量分量，及 其中組構該等氣體排氣區段，使得由該空間排出的氣 體之流速向量具有一指向其圓周方向中之向量分量。 2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，另包含一容納 該等光學元件之筒體，其中該空間被該筒體及該等光學元 件所圍繞，且該筒體包含一吸收構件，該吸收構件被放置 在該筒體之內部表面上及吸收存在於該空間中之雜質。 3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，另包含支撐該 等光學元件之支撐構件，其中該等支撐構件具有支撐部份 及由該等支撐部份朝外延伸之溝槽或背脊，且該等溝槽或 背脊之縱向係關於該等光學元件之徑向在該渦漩流動之方 向中傾斜。 4. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，另包含一容納 -24 - 200832074 該等光學元件之筒體，其中該空間被該筒體及該等光學元 件所圍繞，且該等氣體供給區段包含配置於該筒體中之穿 透孔。 5. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其中該等穿透 孔在該等光學元件之圓周方向中延伸，該等氣體供給區段 包含組構成可經過該等穿透孔將該氣體供給至該空間之噴 嘴，並組構該等噴嘴，使得供給至該空間的氣體之流速向 量具有一指向該等光學元件的圓周方向中之向量分量。 6. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，另包含支撐該 等光學元件之支撐構件，其中該等氣體供給區段包含配置 於該等支撐構件中之穿透孔。 7. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中該等穿透 孔在平行於每一光學元件之光軸中延伸，該等氣體供給區 段具有組構成可經過該等穿透孔將該氣體供給至該空間之 噴嘴，並組構該等噴嘴，使得供給至該空間的氣體之流速 向量具有一指向該等光學元件的圓周方向中之向量分量。 8. —種製造裝置的方法，包含： 以如申請專利範圍第1至7項任一項之曝光裝置曝光 一基板；及 使該已曝光之基板顯影。 -25-