KR20200074112A - Method for manufacturing a film for forming a protective film, a composite sheet for forming a protective film, and a semiconductor chip - Google Patents
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Abstract
이 보호막 형성용 필름(13)은 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름이며, 상기 보호막 형성용 필름(13)과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 3N/25㎜ 이상이고, 상기 보호막 형성용 필름(13)에 자외선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 이 보호막의 전단 강도가 10.5N/3㎜□ 이상이다. The film 13 for forming a protective film is an energy ray-curable film for forming a protective film, and the adhesive force between the film 13 for forming a protective film and a silicon wafer is 3N/25 mm or more, and ultraviolet rays are formed on the film 13 for forming a protective film. When irradiated with a protective film, the shear strength of the protective film is 10.5 N/3 mm□ or more.
Description
본 발명은 보호막 형성용 필름, 보호막 형성용 복합 시트 및 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a film for forming a protective film, a composite sheet for forming a protective film, and a method for manufacturing a semiconductor chip.
본원은 2017년 10월 27일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2017-208432호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다. This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-208432 for which it applied to Japan on October 27, 2017, and uses the content here.
근래, 이른바 페이스 다운(face down) 방식으로 불리는 실장법을 적용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 상에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩이 사용되며, 상기 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에, 반도체 칩의 회로면과는 반대측의 이면은 노출될 수 있다. In recent years, manufacture of a semiconductor device to which a mounting method called a so-called face down method is applied has been performed. In the face down method, a semiconductor chip having an electrode such as a bump is used on the circuit surface, and the electrode is joined to the substrate. For this reason, the back surface on the opposite side to the circuit surface of the semiconductor chip can be exposed.
이 노출된 반도체 칩의 이면에는, 보호막으로서, 유기 재료를 함유하는 수지막이 형성되고, 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 반도체 장치에 도입될 수 있다. On the back surface of the exposed semiconductor chip, a resin film containing an organic material is formed as a protective film, and can be introduced into a semiconductor device as a semiconductor chip on which a protective film is formed.
보호막은 다이싱 공정이나 패키징 후, 반도체 칩에 있어서 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해 이용된다. The protective film is used to prevent cracking in the semiconductor chip after the dicing process or packaging.
이러한 보호막을 형성하기 위해서는 예를 들면, 지지 시트 상에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름을 구비하여 이루어지는 보호막 형성용 복합 시트가 사용된다. 보호막 형성용 필름은 경화에 의해 보호막을 형성 가능하다. 또한, 지지 시트는 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 이면에 구비한 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 분할할 때, 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해 사용할 수 있다. 추가로, 지지 시트는 다이싱 시트로서도 이용 가능하고, 보호막 형성용 복합 시트는 보호막 형성용 필름과 다이싱 시트가 일체화된 것으로서 사용하는 것도 가능하다. In order to form such a protective film, for example, a composite sheet for forming a protective film comprising a film for forming a protective film for forming a protective film on a support sheet is used. The protective film-forming film can form a protective film by curing. In addition, the support sheet can be used to fix the semiconductor wafer when the semiconductor wafer having the protective film forming film or the protective film on the back side is divided into semiconductor chips. In addition, the support sheet can also be used as a dicing sheet, and the composite sheet for forming a protective film can also be used as an integrated film for forming a protective film and a dicing sheet.
이러한 보호막 형성용 복합 시트로는 예를 들면, 가열에 의해 경화함으로써 보호막을 형성하는 열경화성 보호막 형성용 필름을 구비한 것이 지금까지 주로 이용되고 있다. 그러나, 열경화성 보호막 형성용 필름의 가열 경화에는, 통상 수 시간 정도로 장시간을 필요로 하기 때문에, 경화 시간의 단축이 요구되고 있다. 이에 대해, 자외선 등의 에너지선 조사에 의해 경화 가능한(에너지선 경화성의) 보호막 형성용 필름을 보호막 형성에 사용하는 것이 검토되고 있다.As such a composite sheet for forming a protective film, a film having a thermosetting protective film forming film that forms a protective film by curing by heating, for example, has been mainly used so far. However, since the heat curing of the film for forming a thermosetting protective film usually requires a long time of about several hours, shortening of the curing time is required. On the other hand, it has been studied to use a film for forming a protective film which is curable (energy ray curable) by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays for forming a protective film.
한편, 반도체 칩을 얻는 방법으로는, 다이싱 블레이드를 이용하여 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 방법이 널리 이용되고 있다. 이 방법에서는, 통상, 이면에 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 구비한 반도체 웨이퍼를 이들 보호막 형성용 필름 또는 보호막째 다이싱 블레이드에 의해 분할하여 개편화함으로써, 반도체 칩을 얻는다. On the other hand, as a method of obtaining a semiconductor chip, a method of dicing a semiconductor wafer using a dicing blade is widely used. In this method, a semiconductor chip is usually obtained by dividing and dividing a semiconductor film having a protective film forming film or a protective film on the back surface with these protective film forming film or protective film dicing blades.
이에 대해, 근래에는, 다이싱 블레이드를 이용하지 않는 반도체 웨이퍼의 분할 방법도 다양하게 검토되고 있다. 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 수렴하도록 레이저광을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하고, 이어서, 이 개질층이 형성되고, 또한 이면에는 수지막이 첩부된 반도체 웨이퍼를 이 수지막과 함께, 수지막의 표면 방향으로 익스팬드하여 수지막을 절단함과 함께, 개질층 부위에 있어서 반도체 웨이퍼를 분할하여 개편화함으로써, 반도체 칩을 얻는 방법이 알려져 있다. 이 방법은 다이싱 블레이드를 이용하는 방법과는 달리, 반도체 웨이퍼에 있어서, 다이싱 블레이드에 의한 절삭부의 형성을 수반하지 않고, 반도체 웨이퍼로부터 보다 많은 반도체 칩이 얻어지며, 절삭 부스러기를 발생시키지 않는다는 이점을 갖는다. 반도체 칩을 기판의 회로 형성면에 다이 본딩하기 위한 것으로, 필름형 접착제가 있으나, 상기 분할 방법은 지금까지, 상기 수지막으로서, 이 필름형 접착제를 사용하는 경우, 주로 이용되어 왔다(특허문헌 1 참조). On the other hand, in recent years, various methods of dividing a semiconductor wafer without using a dicing blade have been studied. For example, a laser beam is irradiated to converge to a focal point set inside the semiconductor wafer to form a modified layer inside the semiconductor wafer, and then, the modified layer is formed, and a semiconductor wafer with a resin film adhered to the back surface is formed. A method of obtaining a semiconductor chip is known by expanding the resin film together with the resin film, cutting the resin film, and dividing and separating the semiconductor wafer at the modified layer site. This method, unlike the method using a dicing blade, does not involve the formation of a cutting portion by a dicing blade in a semiconductor wafer, and the advantage that more semiconductor chips are obtained from the semiconductor wafer and does not generate cutting debris. Have For die-bonding a semiconductor chip to a circuit formation surface of a substrate, there is a film-like adhesive, but the division method has hitherto been mainly used when this film-like adhesive is used as the resin film (Patent Document 1). Reference).
이에, 상기 수지막으로서, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름 또는 그 경화물인 보호막을 구비한 반도체 웨이퍼에 대해, 상기와 같은 익스팬드에 의한 분할 방법을 적용할 수 있으면, 이러한 방법은 보호막을 구비한 반도체 칩의 제조 방법으로서 매우 유용성이 높다. Thus, as the resin film, if the above-described dividing method can be applied to a semiconductor wafer provided with a film for forming an energy ray-curable protective film or a protective film that is a cured product, the method is a semiconductor with a protective film. It is very useful as a method for manufacturing chips.
그러나, 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 구비한 반도체 웨이퍼를 익스팬드한 경우에는, 얻어진 반도체 칩이 절단 후의 보호막 형성용 필름 또는 보호막으로부터 박리되어 들뜰 수 있다. 그 중에서도, 이 문제점은 반도체 칩의 주연부, 특히 모서리부에 있어서 현저하다. However, when the film for forming a protective film or a semiconductor wafer provided with a protective film is expanded, the obtained semiconductor chip may peel off from the film or protective film for forming a protective film after cutting. Among them, this problem is remarkable in the peripheral portion of the semiconductor chip, especially in the corner portion.
본 발명은 이면에 보호막 형성용 필름 또는 그 경화물인 보호막을 구비하고, 내부에 개질층이 형성된 반도체 웨이퍼를 익스팬드하여, 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 절단함과 함께, 반도체 웨이퍼를 분할하여 반도체 칩으로 했을 때, 보호막 형성용 필름 또는 보호막으로부터의 반도체 칩의 들뜸을 억제할 수 있는 보호막 형성용 필름, 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트, 및 상기 반도체 칩의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention includes a protective film forming film or a cured product of the protective film on the back surface, and expands a semiconductor wafer having a modified layer formed therein, cuts the film or protective film for forming a protective film, divides the semiconductor wafer, and divides the semiconductor wafer into semiconductor chips. Provided is a film for forming a protective film or a film for forming a protective film capable of suppressing the lifting of a semiconductor chip from the film, a composite sheet for forming a protective film provided with the film for forming a protective film, and a method for manufacturing the semiconductor chip It is aimed at.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로서, 하기 방법으로 측정된 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 3N/25㎜ 이상이며, 상기 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 하기 방법으로 측정된 보호막의 전단 강도가 10.5N/3㎜□ 이상인 보호막 형성용 필름을 제공한다. In order to solve the above problems, the present invention is an energy ray-curable protective film forming film, the adhesive force between the film for forming a protective film and a silicon wafer measured by the following method is 3N/25 mm or more, and ultraviolet rays are applied to the film for forming a protective film. When irradiated and used as a protective film, a film for forming a protective film having a shear strength of 10.5 N/3 mm or more of the protective film measured by the following method is provided.
보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력: Adhesion between protective film forming film and silicon wafer:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 보호막 형성용 필름 및 실리콘 웨이퍼의 서로 접촉하고 있던 면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 박리 속도 300㎜/min으로 실리콘 웨이퍼로부터 상기 보호막 형성용 필름을 박리했을 때의 박리력(N/25㎜)을 측정하고, 이 측정값을 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력으로 한다. After affixing the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the silicon wafer at a peeling rate of 300 mm/min is formed so that an angle of 180° is formed between the film for forming a protective film and the surfaces in contact with each other of the silicon wafer. The peeling force (N/25 mm) when peeling the film for forming a protective film was measured from, and the measured value was taken as the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer.
보호막의 전단 강도: Shear strength of the protective film:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건으로, 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 크기가 3㎜×3㎜인 보호막이 형성된 실리콘 칩으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 칩 중 보호막에만, 200㎛/s의 속도로 보호막의 표면 방향으로 힘을 가하여, 보호막이 파괴될 때까지 가해지고 있던 힘의 최대치(N/3㎜□)를 보호막의 전단 강도로 한다. After attaching the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the film for forming a protective film is irradiated with ultraviolet rays under conditions of roughness 195 Pa/cm 2 and a light amount of 170 mJ/cm 2 to cure the film for forming a protective film, thereby protecting the film The silicon wafer on which the obtained protective film was formed was diced to obtain a silicon chip on which a protective film having a size of 3 mm x 3 mm was formed, and the surface of the protective film at a rate of 200 µm/s only in the protective film among the silicon chips on which the obtained protective film was formed. A force is applied in the direction, and the maximum value (N/3 mm□) of the force applied until the protective film is destroyed is taken as the shear strength of the protective film.
또한, 본 발명은 지지 시트를 구비하고, 상기 지지 시트 상에 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트를 제공한다. In addition, the present invention provides a composite sheet for forming a protective film provided with a support sheet and having the film for forming a protective film on the support sheet.
또한, 본 발명은 상기 보호막 형성용 필름 또는 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여, 보호막을 형성하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 수렴하도록, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 개재하여 레이저광을 조사하여, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정과, 상기 개질층을 형성한 상기 반도체 웨이퍼를 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름과 함께, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 표면 방향으로 익스팬드하여, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 절단함과 함께, 상기 개질층 부위에 있어서 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩을 얻는 공정을 갖는 반도체 칩의 제조 방법을 제공한다. In addition, the present invention is a process for attaching a film for forming a protective film or a film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film to a semiconductor wafer, and irradiating energy rays to the film for forming a protective film after being attached to the semiconductor wafer, A process of forming a protective film, a process of forming a modified layer inside the semiconductor wafer by irradiating laser light through the protective film or a film for forming a protective film to converge to a focus set inside the semiconductor wafer; The semiconductor wafer on which the modified layer is formed is expanded with the protective film or the film for forming a protective film in the direction of the surface of the protective film or the film for forming a protective film, and the film for forming the protective film or the protective film is cut off. Provided is a method of manufacturing a semiconductor chip having a step of dividing the semiconductor wafer in portions to obtain a plurality of semiconductor chips.
본 발명에 의하면, 이면에 보호막 형성용 필름 또는 그 경화물인 보호막을 구비하고, 내부에 개질층이 형성된 반도체 웨이퍼를 익스팬드하여, 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 절단함과 함께, 반도체 웨이퍼를 분할하여 반도체 칩으로 했을 때, 보호막 형성용 필름 또는 보호막으로부터의 반도체 칩의 들뜸을 억제할 수 있는 보호막 형성용 필름, 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트, 및 상기 반도체 칩의 제조 방법이 제공된다. According to the present invention, a protective film, which is a film for forming a protective film or a cured product, is provided on the back surface, and a semiconductor wafer having a modified layer formed therein is expanded, and the film or protective film for forming a protective film is cut, and the semiconductor wafer is divided. When a semiconductor chip is used, a film for forming a protective film or a film for forming a protective film capable of suppressing the lifting of a semiconductor chip from the film, a composite sheet for forming a protective film provided with the film for forming a protective film, and a method for manufacturing the semiconductor chip Is provided.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은 보호막 형성용 복합 시트를 구성하지 않는 보호막 형성용 필름을 사용하는 경우의, 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 보호막 형성용 복합 시트를 구성하지 않는 보호막 형성용 필름을 사용하는 경우의, 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 보호막 형성용 복합 시트를 구성하지 않는 보호막 형성용 필름을 사용하는 경우의, 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은 보호막 형성용 필름을 미리 지지 시트와 일체화시킨 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우의, 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 11은 보호막 형성용 필름을 미리 지지 시트와 일체화시킨 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우의, 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는 보호막 형성용 필름을 미리 지지 시트와 일체화시킨 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우의, 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a film for forming a protective film according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view for schematically explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor chip when a film for forming a protective film that does not constitute a composite sheet for forming a protective film is used.
8 is a cross-sectional view schematically illustrating one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor chip when a film for forming a protective film that does not constitute a composite sheet for forming a protective film is used.
9 is a cross-sectional view for schematically explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor chip in the case of using a film for forming a protective film that does not constitute a composite sheet for forming a protective film.
10 is a cross-sectional view for schematically explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor chip when a composite sheet for forming a protective film in which the film for forming a protective film is previously integrated with a support sheet is used.
11 is a cross-sectional view for schematically explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor chip when a composite sheet for forming a protective film in which a film for forming a protective film is previously integrated with a support sheet is used.
12 is a cross-sectional view for schematically explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor chip when a composite sheet for forming a protective film in which a film for forming a protective film is previously integrated with a support sheet is used.
◇ 보호막 형성용 필름◇ Protective film forming film
본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로서, 하기 방법으로 측정된 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 3N/25㎜ 이상이며, 상기 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 하기 방법으로 측정된 보호막의 전단 강도가 10.5N/3㎜□ 이상이 되는 것이다. The film for forming a protective film according to an embodiment of the present invention is a film for forming an energy ray-curable protective film, wherein the adhesion between the film for forming a protective film and a silicon wafer measured by the following method is 3N/25 mm or more, and the film for forming a protective film When the ultraviolet ray was irradiated with a protective film, the shear strength of the protective film measured by the following method was 10.5 N/3 mm□ or more.
보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력: Adhesion between protective film forming film and silicon wafer:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 보호막 형성용 필름 및 실리콘 웨이퍼의 서로 접촉하고 있던 면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 박리 속도 300㎜/min으로 실리콘 웨이퍼로부터 상기 보호막 형성용 필름을 박리했을 때의 박리력(N/25㎜)을 측정하고, 이 측정값을 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력으로 한다. After affixing the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the silicon wafer at a peeling rate of 300 mm/min is formed so that an angle of 180° is formed between the film for forming a protective film and the surfaces in contact with each other of the silicon wafer. The peeling force (N/25 mm) when peeling the film for forming a protective film was measured from, and the measured value was taken as the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer.
보호막의 전단 강도: Shear strength of the protective film:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건으로, 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 크기가 3㎜×3㎜인 보호막이 형성된 실리콘 칩으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 칩 중 보호막에만, 200㎛/s의 속도로 보호막의 표면 방향으로 힘을 가하여, 보호막이 파괴될 때까지 가해지고 있던 힘의 최대치(N/3㎜□)를 보호막의 전단 강도로 한다. After attaching the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the film for forming a protective film is irradiated with ultraviolet rays under conditions of roughness 195 Pa/cm 2 and a light amount of 170 mJ/cm 2 to cure the film for forming a protective film, thereby protecting the film The silicon wafer on which the obtained protective film was formed was diced to obtain a silicon chip on which a protective film having a size of 3 mm x 3 mm was formed, and the surface of the protective film at a rate of 200 µm/s only in the protective film among the silicon chips on which the obtained protective film was formed. A force is applied in the direction, and the maximum value (N/3 mm□) of the force applied until the protective film is destroyed is taken as the shear strength of the protective film.
다른 측면으로서, 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로서, 상기 보호막 형성용 필름이 하기 방법으로 측정되었을 때의 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 3N/25㎜ 이상이라는 특성을 갖고, 상기 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여 보호막으로 하고, 하기 방법으로 측정되었을 때의 상기 보호막의 전단 강도가 10.5N/3㎜□ 이상이라는 특성을 상기 보호막 형성용 필름이 갖는다. As another aspect, the film for forming a protective film according to an embodiment of the present invention is an energy ray-curable protective film forming film, wherein the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer when the film for forming a protective film is measured by the following method The protective film is formed by having a property of 3N/25 mm or more and irradiating ultraviolet rays on the film for forming a protective film as a protective film, and having a shear strength of 10.5 N/3 mm□ or more when measured by the following method. The dragon film has.
보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력: Adhesion between protective film forming film and silicon wafer:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 보호막 형성용 필름 및 실리콘 웨이퍼의 서로 접촉하고 있던 면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 박리 속도 300㎜/min으로 실리콘 웨이퍼로부터 상기 보호막 형성용 필름을 박리했을 때의 박리력(N/25㎜)을 측정하고, 이 측정값을 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력으로 한다. After affixing the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the silicon wafer at a peeling rate of 300 mm/min is formed so that an angle of 180° is formed between the film for forming a protective film and the surfaces in contact with each other of the silicon wafer. The peeling force (N/25 mm) when peeling the film for forming a protective film was measured from, and the measured value was taken as the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer.
보호막의 전단 강도: Shear strength of the protective film:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건으로, 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 크기가 3㎜×3㎜인 보호막이 형성된 실리콘 칩으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 칩 중 보호막에만, 200㎛/s의 속도로 보호막의 표면 방향으로 힘을 가하여, 보호막이 파괴될 때까지 가해지고 있던 힘의 최대치(N/3㎜□)를 보호막의 전단 강도로 한다. After attaching the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the film for forming a protective film is irradiated with ultraviolet rays under conditions of roughness 195 Pa/cm 2 and a light amount of 170 mJ/cm 2 to cure the film for forming a protective film, thereby protecting the film The silicon wafer on which the obtained protective film was formed was diced to obtain a silicon chip on which a protective film having a size of 3 mm x 3 mm was formed, and the surface of the protective film at a rate of 200 µm/s only in the protective film among the silicon chips on which the obtained protective film was formed. A force is applied in the direction, and the maximum value (N/3 mm□) of the force applied until the protective film is destroyed is taken as the shear strength of the protective film.
본 발명의 하나의 측면에 있어서의 보호막 형성용 필름은 상술한 방법에 의해 상기 점착력 및 전단 강도가 측정되었을 때, 상기 점착력이 3N/25㎜ 이상 및 상기 전단 강도가 10.5N/3㎜□ 이상이라는 특성을 갖는 보호막 형성용 필름의 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖는 보호막 형성용 필름이면 되고, 하기 방법으로 평가되는 보호막 형성용 필름의 두께와는 상이한 두께를 갖고 있어도 된다. In the film for forming a protective film according to one aspect of the present invention, when the adhesive strength and shear strength are measured by the above-described method, the adhesive strength is 3N/25 mm or more and the shear strength is 10.5 N/3 mm□ or more. The film for forming a protective film having the same chemical composition as the chemical composition of the film for forming a protective film having properties may be used, and may have a thickness different from the thickness of the film for forming a protective film evaluated by the following method.
여기서, 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼의 점착력이 3N/25㎜ 이상이란 폭 25㎜의 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼의 점착력이 3N인 것을 의미한다. 또한, 보호막의 전단 강도가 10.5N/3㎜□ 이상이란 가로 세로 3㎜의 보호막의 전단 강도가 10.5N인 것을 의미한다. Here, the adhesive force between the protective film forming film and the silicon wafer is 3N/25 mm or more, which means that the adhesive force between the protective film forming film having a width of 25 mm and the silicon wafer is 3N. In addition, when the shear strength of the protective film is 10.5 N/3 mm□ or more, it means that the shear strength of the protective film having a width of 3 mm is 10.5 N.
후술하는 바와 같이, 상기 보호막 형성용 필름을 지지 시트 상에 형성함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 구성할 수 있다. As will be described later, a composite sheet for forming a protective film can be formed by forming the film for forming a protective film on a support sheet.
상기 보호막 형성용 필름은 에너지선의 조사에 의해 경화되어 보호막이 된다. 이 보호막은 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면(전극 형성면과는 반대측 면)을 보호하기 위한 것이다. 보호막 형성용 필름은 연질이며, 첩부 대상물에 용이하게 첩부할 수 있다. The film for forming a protective film is cured by irradiation with energy rays to become a protective film. This protective film is for protecting the back surface of the semiconductor wafer or semiconductor chip (the side opposite to the electrode formation surface). The film for forming a protective film is soft, and can be easily attached to the object to be attached.
상기 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성임으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름보다, 단시간에서의 경화에 의해 보호막을 형성할 수 있다. Since the film for forming a protective film is energy ray curable, a protective film can be formed by curing in a shorter time than a film for forming a thermosetting protective film.
한편, 본 명세서에 있어서, 「보호막 형성용 필름」이란 경화 전의 것을 의미하며, 「보호막」이란, 보호막 형성용 필름을 경화시킨 것을 의미한다. In addition, in this specification, "the film for protective film formation" means what was before hardening, and "the protective film" means that the film for protective film formation was hardened.
본 발명에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미하며, 그 예로서 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. In the present invention, the term "energy beam" means having both energy in an electromagnetic wave or charged particle beam, and examples thereof include ultraviolet rays, radiation, and electron beams.
자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 H 램프, 크세논 램프, 블랙 라이트 또는 LED 램프 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다. Ultraviolet rays can be irradiated, for example, by using a high pressure mercury lamp, a fusion H lamp, a xenon lamp, a black light, or an LED lamp as an ultraviolet source. The electron beam generated by an electron beam accelerator or the like can be irradiated.
본 발명에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하며, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다. In the present invention, "energy ray curability" means the property of curing by irradiating energy rays, and "non-energy ray curability" means a property that does not cure even when irradiated with energy rays.
상기 보호막 형성용 필름을 사용한 경우에는, 내부에 개질층이 형성된 반도체 웨이퍼를 그 표면(예를 들면, 이면) 방향으로 익스팬드함으로써, 상기 개질층 부위에 있어서 반도체 웨이퍼를 분할하여, 반도체 칩을 제작한다. When the film for forming a protective film is used, the semiconductor wafer having the modified layer formed therein is expanded in the direction of its surface (for example, the back side), thereby dividing the semiconductor wafer in the modified layer region to produce a semiconductor chip. do.
반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하기 위해서는, 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 수렴하도록, 레이저광을 조사하면 된다. 반도체 웨이퍼의 개질층은 강도가 약해져 있기 때문에, 개질층이 형성된 반도체 웨이퍼를 반도체 웨이퍼의 표면 방향으로 익스팬드함으로써, 반도체 웨이퍼 내부의 개질층에 힘이 가해져, 이 개질층 부위에 있어서 반도체 웨이퍼가 분할되어, 복수개의 반도체 칩이 얻어진다. In order to form a modified layer inside the semiconductor wafer, laser light may be irradiated to converge to a focus set inside the semiconductor wafer. Since the strength of the modified layer of the semiconductor wafer is weak, a force is applied to the modified layer inside the semiconductor wafer by expanding the semiconductor wafer on which the modified layer is formed toward the surface of the semiconductor wafer, whereby the semiconductor wafer is divided at the modified layer region. Thus, a plurality of semiconductor chips are obtained.
반도체 웨이퍼에 상기 개질층을 형성할 때 조사하는 상기 레이저광은 적외선 영역의 레이저광인 것이 바람직하고, 파장이 1342㎚인 레이저광인 것이 보다 바람직하다. The laser light irradiated when forming the modified layer on the semiconductor wafer is preferably a laser light in the infrared region, more preferably a laser light having a wavelength of 1342 nm.
상기 방법으로 측정된 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 3N/25㎜ 이상이며, 상기 방법으로 측정된 보호막의 전단 강도가 10.5N/3㎜□ 이상이 됨으로써, 이면에 보호막을 구비한 반도체 웨이퍼(본 명세서에 있어서는, 「보호막이 형성된 반도체 웨이퍼」로 칭하는 경우가 있다)를 익스팬드하여, 보호막을 절단함과 함께, 반도체 웨이퍼를 분할하여 반도체 칩(본 명세서에 있어서는, 「보호막이 형성된 반도체 칩」으로 칭하는 경우가 있다)으로 했을 때, 보호막으로부터의 반도체 칩의 들뜸을 억제할 수 있다. 보호막 형성용 필름의 경우도 동일하며, 이면에 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 웨이퍼(본 명세서에 있어서는, 「보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 웨이퍼」로 칭하는 경우가 있다)를 익스팬드하여, 보호막 형성용 필름을 절단함과 함께, 반도체 웨이퍼를 분할하여 반도체 칩(본 명세서에 있어서는, 「보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 칩」으로 칭하는 경우가 있다)으로 했을 때, 보호막 형성용 필름으로부터의 반도체 칩의 들뜸을 억제할 수 있다. The adhesive strength between the film for forming a protective film and the silicon wafer measured by the method is 3N/25 mm or more, and the shear strength of the protective film measured by the method becomes 10.5 N/3 mm□ or more, thereby providing a semiconductor with a protective film on the back surface. A wafer (sometimes referred to as a "semiconductor wafer with a protective film" in this specification) is expanded, a protective film is cut, and a semiconductor wafer is divided into semiconductor chips (in this specification, a "semiconductor with a protective film formed") Chip” may be suppressed. The lifting of the semiconductor chip from the protective film can be suppressed. The same is true for the film for forming a protective film, and a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a "semiconductor wafer on which a film for forming a protective film is formed") is provided with a film for forming a protective film on the back surface is expanded to form a protective film. When the semiconductor film is cut and the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips (in this specification, sometimes referred to as "a semiconductor chip on which a film for forming a protective film is formed"), the semiconductor chip from the film for forming a protective film is used. Lifting can be suppressed.
상기 점착력은 3.3N/25㎜ 이상인 것이 바람직하고, 3.6N/25㎜ 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 점착력이 상기 하한값 이상임으로써, 상술한 보호막 또는 보호막 형성용 필름으로부터의 반도체 칩(실리콘 칩에 한정되지 않는다)의 들뜸을 억제하는 효과가 보다 높아진다. The adhesive force is preferably 3.3 N/25 mm or more, and more preferably 3.6 N/25 mm or more. When the said adhesive force is more than the said lower limit, the effect of suppressing the floating of a semiconductor chip (but not limited to a silicon chip) from the above-mentioned protective film or film for forming a protective film becomes higher.
한편, 상기 점착력의 상한값은 특별히 한정되지 않는다. 단, 후술하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 보호막이 형성된 반도체 칩 또는 보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 칩의 픽업이 보다 용이해지는 점에서는, 상기 점착력은 10N/25㎜ 이하인 것이 바람직하고, 9N/25㎜ 이하인 것이 보다 바람직하며, 8N/25㎜ 이하인 것이 특히 바람직하다. Meanwhile, the upper limit of the adhesive force is not particularly limited. However, in the method of manufacturing a semiconductor device described later, the adhesive force is preferably 10 N/25 mm or less, and is 9 N/25 mm or less in that the pickup of the semiconductor chip with the protective film or the semiconductor chip with the film for forming the protective film becomes easier. It is more preferably less than or equal to mm, and particularly preferably less than or equal to 8 N/25 mm.
상기 점착력은 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 점착력은 바람직하게는 3∼10N/25㎜, 보다 바람직하게는 3.3∼9N/25㎜, 특히 바람직하게는 3.6∼8N/25㎜이나, 이들은 일 예이다. The adhesive force may be appropriately adjusted within a range set by arbitrarily combining the above-described preferred lower and upper limits. For example, the adhesive force is preferably 3 to 10 N/25 mm, more preferably 3.3 to 9 N/25 mm, particularly preferably 3.6 to 8 N/25 mm, but these are examples.
상기 점착력은 예를 들면, 후술하는 보호막 형성용 필름의 함유 성분의 종류 및 그 함유량, 그리고 보호막 형성용 필름의 두께 등을 조절함으로써 조절할 수 있다. 특히, 보호막 형성용 필름에서의, 후술하는 화합물(p) 등의 함유량을 조절함으로써, 상기 점착력은 용이하게 조절할 수 있다. The adhesive force can be adjusted, for example, by controlling the type and content of the components of the protective film forming film described later, and the thickness of the protective film forming film. In particular, by adjusting the content of the compound (p), which will be described later, in the film for forming a protective film, the adhesive force can be easily adjusted.
상기 전단 강도는 10.7N/3㎜□ 이상인 것이 바람직하고, 11.0N/3㎜□ 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 전단 강도가 상기 하한값 이상임으로써, 상술한 보호막 또는 보호막 형성용 필름으로부터의 반도체 칩의 들뜸을 억제하는 효과가 보다 높아진다. The shear strength is preferably 10.7 N/3 mm□ or more, and more preferably 11.0 N/3 mm□ or more. When the shear strength is equal to or greater than the lower limit, the effect of suppressing the lifting of the semiconductor chip from the above-described protective film or film for forming a protective film is further enhanced.
한편, 상기 전단 강도의 상한값은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 30.0N/3㎜□ 이하인 것이 바람직하고, 27.5N/3㎜□ 이하인 것이 보다 바람직하며, 25.0N/3㎜□ 이하인 것이 특히 바람직하다. On the other hand, the upper limit of the shear strength is not particularly limited, for example, preferably 30.0 N/3 mm□ or less, more preferably 27.5 N/3 mm□ or less, and particularly preferably 25.0 N/3 mm□ or less. Do.
상기 전단 강도는 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 전단 강도는 바람직하게는 10.5∼30.0N/3㎜□, 보다 바람직하게는 10.7∼27.5N/3㎜□, 특히 바람직하게는 11.0∼25.0N/3㎜□이나, 이들은 일 예이다. The shear strength may be appropriately adjusted within a range set by arbitrarily combining the above-described preferred lower and upper limits. For example, the shear strength is preferably 10.5 to 30.0 N/3 mm□, more preferably 10.7 to 27.5 N/3 mm□, particularly preferably 11.0 to 25.0 N/3 mm□, but these are examples. to be.
상기 전단 강도는 예를 들면, 후술하는 보호막 형성용 필름의 함유 성분의 종류 및 그 함유량, 그리고 보호막 형성용 필름의 두께 등을 조절함으로써 조절할 수 있다. 특히, 보호막 형성용 필름에서의, 후술하는 화합물(p) 등의 함유량을 조절함으로써, 상기 전단 강도는 용이하게 조절할 수 있다. The shear strength can be adjusted, for example, by adjusting the type and content of the components of the protective film forming film described later, and the thickness of the protective film forming film. In particular, by controlling the content of the compound (p) to be described later in the film for forming a protective film, the shear strength can be easily adjusted.
상기 보호막 형성용 필름의 일 예로는, 바람직하게는, 상기 점착력이 3∼10N/25㎜이며, 상기 전단 강도가 10.5∼30.0N/3㎜□인 것; 보다 바람직하게는, 상기 점착력이 3.3∼9N/25㎜이며, 상기 전단 강도가 10.7∼27.5N/3㎜□인 것; 특히 바람직하게는, 상기 점착력이 3.6∼8N/25㎜이며, 상기 전단 강도가 11.0∼25.0N/3㎜□인 것 등을 들 수 있다. As an example of the film for forming a protective film, preferably, the adhesive strength is 3 to 10 N/25 mm, and the shear strength is 10.5 to 30.0 N/3 mm□; More preferably, the adhesive strength is 3.3 to 9 N/25 mm, and the shear strength is 10.7 to 27.5 N/3 mm□; Particularly preferably, the adhesive strength is 3.6 to 8 N/25 mm, and the shear strength is 11.0 to 25.0 N/3 mm□.
단, 여기에 나타내는 상기 점착력 및 전단 강도의 조합은 일 예이다. However, the combination of the adhesive force and shear strength shown here is an example.
상술한 점착력 및 전단 강도의 조건을 만족하는 상기 보호막 형성용 필름으로는 예를 들면, 1분자 중에 카르복시기 또는 카르복시기가 염을 형성한 기 및 중합성기를 갖는 화합물(본 명세서에 있어서는, 「화합물(p)」로 칭하는 경우가 있다)을 함유하는 것을 들 수 있고, 후술하는 에너지선 경화성 성분(a) 및 화합물(p)을 함유하는 것이 바람직하다. 화합물(p)을 함유하는 보호막 형성용 필름은 종래 알려지지 않았다. As the film for forming a protective film that satisfies the conditions of the above-mentioned adhesive strength and shear strength, for example, a compound having a group and a polymerizable group in which a carboxy group or a carboxy group forms a salt in one molecule (in this specification, "compound (p )”, and it is preferable to contain the energy ray-curable component (a) and the compound (p), which will be described later. The film for forming a protective film containing the compound (p) has not been conventionally known.
에너지선 경화성 성분(a)은 미경화인 것이 바람직하고, 점착성을 갖는 것이 바람직하고, 미경화이면서 점착성을 갖는 것이 보다 바람직하다. It is preferable that the energy ray-curable component (a) is uncured, it is preferable to have tackiness, and it is more preferable to have tackiness while being uncured.
상기 보호막 형성용 필름과, 그 경화물인 상기 보호막은 모두, 반도체 웨이퍼의 개질층의 형성에 필요한 상기 레이저광(예를 들면, 파장이 1342㎚인 레이저광 등의, 적외선 영역의 레이저광)의 투과율이 높은 것이 바람직하다. 보호막 형성용 필름과 보호막은 모두, 광의 투과율에 대해서는 통상, 동일한 경향을 나타낸다. Both the film for forming a protective film and the protective film, which is a cured product, transmittance of the laser light (for example, laser light in an infrared region, such as a laser light having a wavelength of 1342 nm) necessary for forming a modified layer of a semiconductor wafer. It is preferable that this is high. Both the protective film-forming film and the protective film usually exhibit the same tendency with respect to light transmittance.
한편, 본 명세서에 있어서, 광의 투과율은 적분구를 사용하지 않고, 분광 광도계로 측정한 값이다. Meanwhile, in the present specification, the transmittance of light is a value measured by a spectrophotometer without using an integrating sphere.
예를 들면, 상기 보호막 형성용 필름의, 파장이 1342㎚인 레이저광의 투과율(본 명세서에 있어서는, 「필름 투과율(1342㎚)」로 약기하는 경우가 있다)은 45% 이상인 것이 바람직하고, 50% 이상인 것이 보다 바람직하며, 55% 이상인 것이 특히 바람직하다. 필름 투과율(1342㎚)이 상기 하한값 이상임으로써, 후술하는 반도체 칩의 제조 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼에 개질층을 보다 용이하게 형성할 수 있다. For example, the transmittance of the laser light having a wavelength of 1342 nm (there may be abbreviated as "film transmittance (1342 nm)" in this specification) of the film for forming a protective film is preferably 45% or more, and 50% It is more preferable that it is the above, and it is especially preferable that it is 55% or more. When the film transmittance (1342 nm) is greater than or equal to the above lower limit, in the method for manufacturing a semiconductor chip to be described later, a modified layer can be more easily formed on a semiconductor wafer.
상기 필름 투과율(1342㎚)의 상한값은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 100%여도 된다. The upper limit of the film transmittance (1342 nm) is not particularly limited, and may be, for example, 100%.
상기 보호막의, 파장이 1342㎚인 레이저광의 투과율(본 명세서에 있어서는, 「보호막 투과율(1342㎚)」로 약기하는 경우가 있다)은 45% 이상인 것이 바람직하고, 50% 이상인 것이 보다 바람직하며, 55% 이상인 것이 특히 바람직하다. 보호막 투과율(1342㎚)이 상기 하한값 이상임으로써, 후술하는 반도체 칩의 제조 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼에 개질층을 보다 용이하게 형성할 수 있다. The transmittance of the laser light having a wavelength of 1342 nm of the protective film (in this specification, sometimes referred to as "protective film transmittance (1342 nm)") is preferably 45% or more, more preferably 50% or more, 55 % Or more is particularly preferred. Since the protective film transmittance (1342 nm) is greater than or equal to the above lower limit, in the method of manufacturing a semiconductor chip to be described later, a modified layer can be more easily formed on a semiconductor wafer.
상기 보호막 투과율(1342㎚)의 상한값은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 100%여도 된다. The upper limit of the protective film transmittance (1342 nm) is not particularly limited, and may be, for example, 100%.
상기 필름 투과율(1342㎚)은 예를 들면, 보호막 형성용 필름의 함유 성분의 종류 및 그 함유량, 그리고 보호막 형성용 필름의 두께 등을 조절함으로써 조절할 수 있다. The film transmittance (1342 nm) can be adjusted, for example, by controlling the type and content of the components of the film for forming a protective film, and the thickness of the film for forming a protective film.
상기 보호막 투과율(1342㎚)은 예를 들면, 보호막의 함유 성분의 종류 및 그 함유량, 그리고 보호막의 두께 등을 조절함으로써 조절할 수 있다. The transmittance of the protective film (1342 nm) can be adjusted, for example, by controlling the type and content of the components of the protective film and the thickness of the protective film.
보호막 형성용 필름은 1층(단층)만이어도 되고, 2층 이상의 복수층이어도 되며, 복수층인 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. The film for forming a protective film may be a single layer (single layer), a plurality of layers of two or more layers, and in the case of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other, and the combination of these multiple layers is not particularly limited.
한편, 본 명세서에 있어서는, 보호막 형성용 필름의 경우에 한정하지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하며, 또한 「복수층이 서로 상이하다」란, 「각 층의 구성 재료 및 두께 중 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다. On the other hand, in this specification, it is not limited to the case of the film for forming a protective film, and "the multiple layers may be the same or different from each other" means "all of the layers may be the same, all of the layers may be different, and only some of the layers" It may be the same.” Also, “the multiple layers are different from each other” means that “at least one of the constituent materials and the thickness of each layer is different from each other”.
보호막 형성용 필름의 두께는 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 3∼75㎛인 것이 보다 바람직하며, 5∼50㎛인 것이 특히 바람직하다. 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 보호능이 보다 높은 보호막을 형성할 수 있다. 또한, 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 과잉의 두께가 되는 것이 억제된다. The thickness of the film for forming a protective film is preferably 1 to 100 μm, more preferably 3 to 75 μm, and particularly preferably 5 to 50 μm. When the thickness of the film for forming a protective film is greater than or equal to the above lower limit, a protective film with a higher protective ability can be formed. Moreover, when the thickness of the film for protective film formation is below the said upper limit, it becomes suppressed that it becomes an excessive thickness.
여기서, 「보호막 형성용 필름의 두께」란, 보호막 형성용 필름 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 보호막 형성용 필름의 두께란, 보호막 형성용 필름을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다. Here, the "thickness of the film for forming a protective film" means the entire thickness of the film for forming a protective film. For example, the thickness of the film for forming a protective film composed of multiple layers is the sum of all layers constituting the film for forming a protective film. Means the thickness of
또한, 「보호막 형성용 필름의 두께」는 이하와 같이 측정할 수 있다. 보호막 형성용 필름의 임의의 5점에 대해 접촉식 두께 측정기를 이용하여 보호막 형성용 필름의 표면과 이면의 거리를 측정한다. 측정된 5점의 평균값을 보호막 형성용 필름의 두께로 한다. In addition, "the thickness of the film for forming a protective film" can be measured as follows. The distance between the surface and the back surface of the film for forming a protective film is measured using a contact-type thickness meter for any five points of the film for forming a protective film. The average value of the five measured points is taken as the thickness of the film for forming a protective film.
이후에 설명되는 박리 필름, 지지 시트, 점착제층, 반도체 웨이퍼 및 기재 등의 두께에 대해서도 상술한 방법에 의해 측정된다. The thickness of the release film, support sheet, pressure-sensitive adhesive layer, semiconductor wafer, and substrate described later is also measured by the method described above.
보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막을 형성할 때의 경화 조건은 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한 특별히 한정되지 않고, 보호막 형성용 필름의 종류에 따라, 적절히 선택하면 된다. Curing conditions for forming the protective film by curing the protective film-forming film are not particularly limited as long as the protective film is sufficiently hard to exert its function, and may be appropriately selected depending on the type of the protective film-forming film.
예를 들면, 보호막 형성용 필름의 경화시에 있어서의, 에너지선의 조도는 4∼280㎽/㎠인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 경화시에 있어서의, 에너지선의 광량은 3∼1000mJ/㎠인 것이 바람직하다. For example, when curing the film for forming a protective film, it is preferable that the illuminance of the energy ray is 4 to 280 Pa/cm 2. In addition, it is preferable that the amount of light of the energy ray during the curing is 3 to 1000 mJ/cm 2.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 한편, 이하의 설명에서 사용하는 도면은 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있고, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 동일한 것으로 한정되지는 않는다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a film for forming a protective film according to an embodiment of the present invention. On the other hand, the drawings used in the following description, in order to make the features of the present invention easier to understand, may be enlarged to show a portion that becomes a main part, and the dimensional ratio of each component is not limited to the same as the actual Does not.
여기에 나타내는 보호막 형성용 필름(13)은 그 한쪽 표면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13a) 상에 제1 박리 필름(151)을 구비하고, 상기 제1 면(13a)과는 반대측의 다른 한쪽 표면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13b) 상에 제2 박리 필름(152)을 구비하고 있다. The
이러한 보호막 형성용 필름(13)은 예를 들면, 롤 형상으로 보관하는 것에 적합하다. The
보호막 형성용 필름(13)은 후술하는 보호막 형성용 조성물 사용하여 형성할 수 있다. The
보호막 형성용 필름(13)은 에너지선 경화성이며, 상술한 점착력 및 전단 강도의 조건을 만족한다. The
제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152)은 모두 공지의 것이어도 된다. Both the
제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152)은 서로 동일한 것이어도 되고, 예를 들면, 보호막 형성용 필름(13)으로부터 박리시킬 때 필요한 박리력이 서로 상이하는 등, 서로 상이한 것이어도 된다. The
도 1에 나타내는 보호막 형성용 필름(13)은 제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152) 중 어느 한쪽이 제거되어 생긴 노출면에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부된다. 그리고, 제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152) 중 나머지 다른 한쪽이 제거되어 생긴 노출면이 지지 시트의 첩부면이 된다. In the protective
<<보호막 형성용 조성물>><<Composition for forming a protective film>>
상기 보호막 형성용 필름은 그 구성 재료를 함유하는 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 보호막 형성용 필름의 형성 대상면에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 보호막 형성용 필름을 형성할 수 있다. The film for forming a protective film can be formed using a composition for forming a protective film containing the constituent material. For example, a film for forming a protective film can be formed on a target site by coating a composition for forming a protective film on a surface to be formed of the film for forming a protective film and drying as necessary.
보호막 형성용 조성물 중의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량 비율은 통상, 보호막 형성용 필름의 상기 성분끼리의 함유량 비율과 동일해진다. 한편, 본 명세서에 있어서, 「상온」이란, 특별히 냉각하거나 가열하지 않은 온도, 즉 평상시 온도를 의미하며, 예를 들면, 15∼25℃의 온도 등을 들 수 있다. In the composition for forming a protective film, the content ratio of components that are not vaporized at normal temperature is usually the same as the content ratio of the components of the film for forming a protective film. In addition, in this specification, "normal temperature" means the temperature which does not specifically cool or heat, ie, the normal temperature, for example, the temperature of 15-25 degreeC, etc. are mentioned.
보호막 형성용 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 마이어 바 코터 및 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다. Coating of the composition for forming a protective film may be performed by a known method, for example, air knife coater, blade coater, bar coater, gravure coater, roll coater, roll knife coater, curtain coater, die coater, knife coater, screen coater, And a method of using various coaters such as a Meyer bar coater and a kiss coater.
보호막 형성용 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않으나, 보호막 형성용 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 보호막 형성용 조성물은 예를 들면, 70∼130℃에서 10초간∼5분간의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다. The drying conditions for the protective film-forming composition are not particularly limited, but when the protective film-forming composition contains a solvent to be described later, heating and drying are preferable. The composition for forming a protective film containing a solvent is desirably dried, for example, at 70 to 130° C. for 10 seconds to 5 minutes.
<보호막 형성용 조성물(IV-1)><Composition for forming a protective film (IV-1)>
보호막 형성용 조성물로는 예를 들면, 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 화합물(p)을 함유하는 보호막 형성용 조성물(IV-1) 등을 들 수 있다. 화합물(p)을 함유하는 보호막 형성용 조성물은 종래 알려지지 않았다. As a composition for forming a protective film, for example, a composition (IV-1) for forming a protective film containing the energy ray-curable component (a) and the compound (p) may be mentioned. The composition for forming a protective film containing the compound (p) has not been conventionally known.
[화합물(p)][Compound (p)]
화합물(p)은 1분자 중에 카르복시기(-C(=O)-O-H) 또는 카르복시기가 염을 형성한 기 및 중합성기를 갖는다. Compound (p) has a carboxyl group (-C(=O)-O-H) or a group in which a carboxyl group forms a salt and a polymerizable group in one molecule.
카르복시기가 염을 형성한 기로는 예를 들면, 카르복시기로부터 프로톤(H+)이 이탈하여 발생한 카르복시레이트 음이온(-C(=O)-O-)이 양이온과 함께 염을 형성한 기를 들 수 있다. Examples of the group in which the carboxy group forms a salt include, for example, a group in which a carboxylate anion (-C(=O)-O-) generated by separation of proton (H + ) from a carboxy group forms a salt together with a cation.
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 상기 보호막 형성용 필름 중의 화합물(p)에 있어서, 카르복시기는 프로톤이 미해리(환언하면, 카르복시기가 그대로인 상태)여도 되고, 프로톤이 이탈하여, 카르복시레이트 음이온이 되어 있어도 된다. In the composition (IV-1) for forming a protective film and the compound (p) in the film for forming a protective film, the proton may be undissociated (in other words, the carboxyl group is intact) as the carboxy group, and the proton is released, resulting in a carboxylate anion. It may be.
화합물(p)은 카르복시기 또는 카르복시기가 염을 형성한 기를 갖고 있음으로써, 보호막 형성용 필름 또는 보호막과, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 상호 작용을 향상시킨다고 추측된다. 그 결과, 보호막 또는 보호막 형성용 필름으로부터의 반도체 칩의 들뜸이 억제된다고 추측된다. It is presumed that the compound (p) improves the interaction between the film or protective film for forming a protective film and a semiconductor wafer or semiconductor chip by having a carboxy group or a group in which the carboxy group forms a salt. As a result, it is presumed that lifting of the semiconductor chip from the protective film or the film for forming a protective film is suppressed.
또한, 화합물(p)은 중합성기를 갖고 있음으로써, 보호막 중에서는, 어느 하나의 중합체 성분 중에 포함되어(공중합체를 형성하여), 보호막으로부터, 이 보호막에 인접하는 층(막)에 대한 이행이 억제된다고 추측된다. 보호막 형성용 필름은 최종적으로는 경화에 의해 보호막을 형성하기 때문에, 이러한 화합물(p) 유래의 공중합체가 보호막 중에 안정적으로 존재함으로써, 보호막으로부터의 반도체 칩의 들뜸을 억제하는 효과가 안정적으로 발휘된다고 추측된다. In addition, since the compound (p) has a polymerizable group, it is contained in any one of the polymer components in the protective film (by forming a copolymer), and the transition from the protective film to the layer (film) adjacent to the protective film It is presumed to be suppressed. Since the film for forming a protective film finally forms a protective film by curing, the copolymer derived from the compound (p) is stably present in the protective film, so that the effect of suppressing the lifting of the semiconductor chip from the protective film is stably exhibited. I guess.
카르복시기가 염을 형성한 기를 갖는 화합물(p)은 1개 또는 2개 이상의 음이온부와, 1개 또는 2개 이상의 양이온을 포함하여 구성된다. 상기 음이온부는 그 1개당, 1개 또는 2개 이상의 카르복시레이트 음이온을 갖는다. The compound (p) having a group in which the carboxyl group forms a salt is composed of one or two or more anion moieties and one or two or more cations. The anion portion has one or two or more carboxylate anions per one.
즉, 화합물(p) 1분자 중의 카르복시레이트 음이온의 수는 1개만이어도 되고, 2개 이상이어도 된다. That is, the number of carboxylate anions in one molecule of compound (p) may be one, or two or more.
동일하게, 화합물(p) 1분자 중의 상기 음이온부의 수는 1개만이어도 되고, 2개 이상이어도 되며, 2개 이상인 경우, 이들 음이온부는 전부 동일해도 되고, 전부 상이해도 되며, 일부만 동일해도 된다. 즉, 화합물(p) 1분자 중의 음이온부는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 특별히 한정되지 않는다. Similarly, the number of the anion moieties in one molecule of the compound (p) may be one, or two or more, and in the case of two or more, all of these anion moieties may be the same, all may be different, or a part may be the same. That is, only 1 type may be sufficient as the anion part in 1 molecule of compound (p), 2 or more types may be used, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these are not specifically limited.
화합물(p) 1분자 중의 카르복시레이트 음이온은 전부 카르복시기가 염을 형성한 기를 구성하고 있어도 되고, 일부만 카르복시기가 염을 형성한 기를 구성하고 있어도 되나, 통상은 전부 카르복시기가 염을 형성한 기를 구성하고 있는 것이 바람직하다. The carboxylate anion in one molecule of compound (p) may comprise a group in which the carboxyl group forms a salt, or a part of the carboxyl group may constitute a group in which a salt is formed, but usually all of the carboxyl groups constitute a group in which a salt is formed It is preferred.
화합물(p) 중의 양이온의 가수는 특별히 한정되지 않고, 1(1가)이어도 되고, 2(2가) 이상이어도 된다. The valence of the cation in the compound (p) is not particularly limited, and may be 1 (monovalent) or 2 (bivalent) or higher.
화합물(p) 1분자 중의 양이온의 수는 1개만이어도 되고, 2개 이상이어도 되며, 2개 이상인 경우, 이들 양이온은 전부 동일해도 되고, 전부 상이해도 되며, 일부만 동일해도 된다. 즉, 화합물(p) 1분자 중의 양이온은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 특별히 한정되지 않는다. The number of cations in one molecule of the compound (p) may be one, or two or more, and when two or more, these cations may be all the same, may be all different, or may be a part of the same. That is, only one type of cation in one molecule of the compound (p) may be used, or two or more types thereof may be used, and when two or more types are used, the combination and proportion thereof are not particularly limited.
화합물(p) 1분자 중의 양이온은 전부 카르복시기가 염을 형성한 기를 구성하고 있어도 되고, 일부만 카르복시기가 염을 형성한 기를 구성하고 있어도 되나, 통상은 전부 카르복시기가 염을 형성한 기를 구성하고 있는 것이 바람직하다. The cations in one molecule of the compound (p) may all form a group in which the carboxyl group forms a salt, or a part of the carboxyl group may form a group in which a salt forms a salt, but usually it is preferable that all the carboxyl groups constitute a group in which a salt is formed. Do.
화합물(p) 1분자 중의 카르복시기가 염을 형성한 기는 1개만이어도 되고, 2개 이상이어도 되며, 2개 이상인 경우, 이들 기는 전부 동일해도 되고, 전부 상이해도 되며, 일부만 동일해도 된다. 즉, 화합물(p) 1분자 중의 카르복시기가 염을 형성한 기는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 특별히 한정되지 않는다. The group in which the carboxyl group in one molecule of the compound (p) forms a salt may be one, or two or more, and when two or more, these groups may be all the same, all may be different, or only some may be the same. That is, the group in which the carboxyl group in one molecule of the compound (p) forms a salt may be one type, or two or more types, and when two or more types, combinations and ratios of these are not particularly limited.
카르복시기가 염을 형성한 기를 갖는 화합물(p)로는, 양이온의 종류 및 가수에 따라 다양한 형태를 들 수 있다. 이러한 화합물(p)로서, 보다 구체적으로는 예를 들면, 1개의 음이온부와 1개의 양이온으로 구성된 것; 2개 이상의 음이온부와 1개의 양이온으로 구성된 것; 1개의 음이온부와 2개 이상의 양이온으로 구성된 것; 2개 이상의 음이온부와 2개 이상의 양이온으로 구성된 것 등을 들 수 있다. As the compound (p) having a group in which the carboxyl group has a salt, various forms may be mentioned depending on the type and valence of the cation. As such a compound (p), More specifically, it consists of 1 anion part and 1 cation, for example; Consisting of two or more anion moieties and one cation; Consisting of one anion portion and two or more cations; And two or more anion parts and two or more cations.
카르복시기가 염을 형성한 기를 갖는 화합물(p)은 분자 전체로서 전기적으로 중성, 즉, 화합물(p) 1분자 중의 양이온의 가수의 합계값과 음이온의 가수의 합계값은 동일한 것이 바람직하다. It is preferable that the compound (p) having a group in which the carboxy group has a salt form is electrically neutral as a whole molecule, that is, the total value of the valence of cations in one molecule of compound (p) and the total value of the valence of anions.
상기 양이온은 특별히 한정되지 않고, 무기 양이온 및 유기 양이온 중 어느 하나여도 된다. The cation is not particularly limited, and may be either an inorganic cation or an organic cation.
상기 양이온 중, 무기 양이온으로는 예를 들면, 리튬 이온(Li+), 나트륨 이온(Na+), 칼륨 이온(K+) 등의 알칼리 금속 이온; 마그네슘 이온(Mg2+), 칼슘 이온(Ca2+), 바륨 이온(Ba2+) 등의 알칼리 토류 금속 이온; 알루미늄 이온(Al3+), 아연 이온(Zn2+), 주석 이온(Sn2+, Sn4+) 등의 전형 금속 이온; 구리 이온(Cu+, Cu2+), 철 이온(Fe2+, Fe3 +), 망간 이온, 니켈 이온 등의 천이 금속 이온; 암모늄 이온(NH4 +) 등의 비금속 이온 등을 들 수 있다. Among the cations, examples of the inorganic cations include alkali metal ions such as lithium ions (Li + ), sodium ions (Na + ), and potassium ions (K + ); Alkaline earth metal ions such as magnesium ion (Mg 2+ ), calcium ion (Ca 2+ ), and barium ion (Ba 2+ ); Typical metal ions such as aluminum ions (Al 3+ ), zinc ions (Zn 2+ ), and tin ions (Sn 2+ , Sn 4+ ); Transition metal ions such as copper ions (Cu + , Cu 2+ ), iron ions (Fe 2+ , Fe 3 + ), manganese ions, and nickel ions; And non-metal ions such as ammonium ions (NH 4 + ).
예를 들면, 양이온이 나트륨 이온인 경우의, 카르복시기가 염을 형성한 기는 식 「-C(=O)-O- Na+」로 나타낸다. For example, in the case where the cation is a sodium ion, a group in which the carboxy group forms a salt is represented by the formula "-C(=O)-O - Na + ".
상기 양이온 중, 유기 양이온으로는 예를 들면, 아민 화합물 유래의 양이온, 제4급 암모늄 양이온 등을 들 수 있다. Among the cations, examples of the organic cations include cations derived from amine compounds, quaternary ammonium cations, and the like.
상기 아민 화합물 유래의 양이온으로는 예를 들면, 제1급 아민, 제2급 아민 또는 제3급 아민이 프로톤화된 양이온을 들 수 있다. As the cation derived from the amine compound, for example, a cation obtained by protonation of a primary amine, a secondary amine, or a tertiary amine is mentioned.
상기 제4급 암모늄 양이온으로는 예를 들면, 1개의 질소 원자에 4개의 1가의 탄화수소기가 결합한 양이온을 들 수 있다. As said quaternary ammonium cation, the cation which 4 monovalent hydrocarbon groups couple|bonded with 1 nitrogen atom is mentioned, for example.
상기 양이온 중, 비금속 이온인 무기 양이온과 유기 양이온으로 바람직한 것으로는 예를 들면, 화학식 「(Z1)4N+(식 중, Z1은 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기이며, 복수개의 Z1은 서로 동일해도 상이해도 되고, 2개 이상의 Z1이 알킬기인 경우, 이들 알킬기는 상호 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다)」로 나타내는 양이온을 들 수 있다. Among the cations, preferred examples of inorganic and organic cations, which are non-metal ions, include, for example, the formula “(Z 1 ) 4 N + (where Z 1 is a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and a plurality of Z 1 is It may be the same or different from each other, and when two or more Z 1 is an alkyl group, these alkyl groups may be bonded to each other to form a ring)”.
이러한 양이온에 의해 구성된, 카르복시기가 염을 형성한 기는 화학식 「-C(=O)-O- N+(Z1)4(식 중, Z1은 상기와 동일하다)」로 나타낸다. The group in which the carboxy group formed by such a cation forms a salt is represented by the formula "-C(=O)-O - N + (Z 1 ) 4 (where Z 1 is the same as above)".
상기 화학식 중, 복수개(즉, 4개)의 Z1은 전부 동일해도 되고, 전부 상이해도 되며, 일부만 동일해도 된다. In the above formula, a plurality (i.e., four) of Z 1 may be all the same, may be all different, or may be the same.
Z1에 있어서의 상기 알킬기는 선형, 분지형 및 고리형 중 어느 하나여도 되고, 고리형인 경우, 단환형 및 다환형 중 어느 하나여도 된다. The alkyl group in Z 1 may be either linear, branched or cyclic, or in the case of cyclic, either monocyclic or polycyclic.
Z1에 있어서의 상기 아릴기는 단환형 및 다환형 중 어느 하나여도 된다. The aryl group in Z 1 may be either monocyclic or polycyclic.
Z1에 있어서의 선형 또는 분지형인 상기 알킬기는 탄소수가 1∼10인 것이 바람직하고, 이러한 알킬기로는 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기, 1,1-디메틸부틸기, 2,2-디메틸부틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2,3-디메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 3-에틸부틸기, 1-에틸-1-메틸프로필기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기, 2-메틸헥실기, 3-메틸헥실기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기, 1,1-디메틸펜틸기, 2,2-디메틸펜틸기, 2,3-디메틸펜틸기, 2,4-디메틸펜틸기, 3,3-디메틸펜틸기, 4,4-디메틸펜틸기, 1-에틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 3-에틸펜틸기, 4-에틸펜틸기, 2,2,3-트리메틸부틸기, 1-프로필부틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, 1-메틸헵틸기, 2-메틸헵틸기, 3-메틸헵틸기, 4-메틸헵틸기, 5-메틸헵틸기, 1-에틸헥실기, 2-에틸헥실기, 3-에틸헥실기, 4-에틸헥실기, 5-에틸헥실기, 1,1-디메틸헥실기, 2,2-디메틸헥실기, 3,3-디메틸헥실기, 4,4-디메틸헥실기, 5,5-디메틸헥실기, 1-프로필펜틸기, 2-프로필펜틸기, 노닐기 및 데실기 등을 들 수 있다. The linear or branched alkyl group in Z 1 preferably has 1 to 10 carbon atoms, and examples of such an alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, and iso Butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, n-hexyl group, 1- Methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2,3- Dimethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 3-ethylbutyl group, 1-ethyl-1-methylpropyl group, n-heptyl group, 1-methylhexyl group, 2-methylhexyl group, 3 -Methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5-methylhexyl group, 1,1-dimethylpentyl group, 2,2-dimethylpentyl group, 2,3-dimethylpentyl group, 2,4-dimethylpentyl group, 3 ,3-dimethylpentyl group, 4,4-dimethylpentyl group, 1-ethylpentyl group, 2-ethylpentyl group, 3-ethylpentyl group, 4-ethylpentyl group, 2,2,3-trimethylbutyl group, 1 -Propylbutyl group, n-octyl group, isooctyl group, 1-methylheptyl group, 2-methylheptyl group, 3-methylheptyl group, 4-methylheptyl group, 5-methylheptyl group, 1-ethylhexyl group, 2 -Ethylhexyl group, 3-ethylhexyl group, 4-ethylhexyl group, 5-ethylhexyl group, 1,1-dimethylhexyl group, 2,2-dimethylhexyl group, 3,3-dimethylhexyl group, 4,4 -Dimethylhexyl group, 5,5-dimethylhexyl group, 1-propylpentyl group, 2-propylpentyl group, nonyl group and decyl group.
Z1에 있어서의 선형 또는 분지형인 상기 알킬기의 탄소수는 예를 들면, 1∼8, 1∼5 및 1∼3 중 어느 하나여도 되나, 이들은 일 예이다. The linear or branched alkyl group in Z 1 may have, for example, any of 1 to 8, 1 to 5, and 1 to 3 carbon atoms, but these are examples.
Z1에 있어서의 고리형인 상기 알킬기는 탄소수가 3∼10인 것이 바람직하고, 이러한 알킬기로는 예를 들면, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 노보닐기, 이소보르닐기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기 및 트리시클로데실기 등을 들 수 있다. The cyclic alkyl group in Z 1 preferably has 3 to 10 carbon atoms, and examples of the alkyl group include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, and cycloox. And a til group, cyclononyl group, cyclodecyl group, norbornyl group, isobornyl group, 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, and tricyclodecyl group.
Z1에 있어서의 고리형인 상기 알킬기의 탄소수는 예를 들면, 3∼8 및 3∼6 중 어느 하나여도 되나, 이들은 일 예이다. The number of carbon atoms of the cyclic alkyl group in Z 1 may be, for example, any of 3 to 8 and 3 to 6, but these are examples.
2개 이상(즉, 2개, 3개 또는 4개)의 Z1이 상기 알킬기인 경우, 이들 2개 이상의 알킬기는 상호 결합하여, 이들 알킬기가 결합하고 있는 질소 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. 이 경우의 2개 이상의 알킬기의 서로의 결합 위치는 특별히 한정되지 않고, 형성되는 상기 고리는 단환형 및 다환형 중 어느 하나여도 된다. When two or more (i.e., two, three or four) Z 1 is the alkyl group, these two or more alkyl groups may be mutually bonded to form a ring together with the nitrogen atom to which these alkyl groups are bonded. . The bonding position of two or more alkyl groups in this case is not particularly limited, and the formed ring may be either monocyclic or polycyclic.
Z1에 있어서의 상기 아릴기는 탄소수가 6∼20인 것이 바람직하고, 이러한 아릴기로는 예를 들면, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기 및 자일릴기(디메틸페닐기라고도 한다) 등을 들 수 있고, 이들 아릴기의 1개 이상의 수소 원자가 추가로 이들 아릴기나, Z1에 있어서의 상기 알킬기로 치환된 것도 들 수 있다. 이들 치환기를 갖는 아릴기는 치환기도 포함하여 탄소수가 6∼20인 것이 바람직하다. The aryl group in Z 1 preferably has 6 to 20 carbon atoms, and such aryl groups include, for example, a phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, o-tolyl group, m-tolyl group, and p-. A tolyl group and a xylyl group (also called a dimethylphenyl group) and the like, and one or more hydrogen atoms of these aryl groups are further substituted with these aryl groups or the alkyl groups in Z 1 . It is preferable that the aryl group having these substituents includes 6 to 20 carbon atoms including the substituent.
화합물(p)은 그 1분자 중에, 카르복시기만을 갖고 있어도 되고, 카르복시기가 염을 형성한 기만을 갖고 있어도 되며, 카르복시기 및 카르복시기가 염을 형성한 기를 함께 갖고 있어도 된다. The compound (p) may have only a carboxy group in one molecule, may have only a group in which the carboxy group has a salt, or may have a group in which the carboxy group and the carboxy group have a salt.
화합물(p) 1분자 중의, 카르복시기 및 카르복시기가 염을 형성한 기의 수는 각각 1개만이어도 되고, 2개 이상이어도 된다. The number of the carboxyl group and the group in which the carboxyl group forms a salt in one molecule of the compound (p) may be one or two or more.
그리고, 화합물(p) 1분자 중의, 카르복시기 및 카르복시기가 염을 형성한 기의 총 수는 특별히 한정되지 않으나, 1∼3개인 것이 바람직하고, 1∼2개인 것이 보다 바람직하다. The total number of carboxyl groups and groups in which the carboxyl group forms a salt in one molecule of the compound (p) is not particularly limited, but is preferably 1 to 3, more preferably 1 to 2.
화합물(p)에 있어서, 카르복시기 및 카르복시기가 염을 형성한 기의 위치는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 사슬형 구조의 화합물(p)에 있어서, 이들 기는 주쇄의 말단부에 결합하고 있어도 되고(주쇄의 말단부여도 된다), 비말단부에 결합하고 있어도 된다. 한편, 본 명세서에 있어서, 「주쇄」란, 사슬형 골격 중, 이를 구성하는 원자 수가 최다가 되는 것을 의미한다. In the compound (p), the position of the carboxy group and the group in which the carboxy group forms a salt is not particularly limited. For example, in the compound (p) having a chain structure, these groups may be bound to the distal end of the main chain (may be the distal end of the main chain) or may be bound to the non-terminal end. On the other hand, in this specification, "main chain" means that the largest number of atoms constituting the chain skeleton.
화합물(p)에 있어서는, 하나의 원자에 결합하고 있는, 카르복시기 또는 카르복시기가 염을 형성한 기의 수는 1개만이어도 되고, 2개 이상(예를 들면, 상기 원자가 탄소 원자인 경우에는, 2∼4개)이어도 된다. In the compound (p), the number of carboxyl groups or groups in which the carboxyl group forms a salt, which is bonded to one atom, may be one, or two or more (for example, when the atom is a carbon atom, 2 to 4).
화합물(p) 중의 상기 중합성기로는 예를 들면, 중합성 불포화 결합을 갖는 기를 들 수 있고, 그 중에서도 에틸렌성 불포화 결합(이중 결합 또는 C=C라고도 한다)을 갖는 기가 바람직하다. The polymerizable group in the compound (p) includes, for example, a group having a polymerizable unsaturated bond, and among them, a group having an ethylenically unsaturated bond (also referred to as a double bond or C=C) is preferable.
화합물(p) 1분자 중의 상기 중합성기의 수는 1개만이어도 되고, 2개 이상이어도 되나, 1∼3개인 것이 바람직하고, 1∼2개인 것이 보다 바람직하다. The number of the polymerizable groups in one molecule of the compound (p) may be one or two or more, but it is preferably 1 to 3, more preferably 1 to 2.
화합물(p)에 있어서, 상기 중합성기의 위치는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 사슬형 구조의 화합물(p)에 있어서, 중합성기는 주쇄의 말단부여도 되고, 비말단부여도 된다. 단, 통상, 중합성기는 주쇄의 말단부인 것이 바람직하다. In the compound (p), the position of the polymerizable group is not particularly limited. For example, in the compound (p) having a chain structure, the polymerizable group may be a terminal end of the main chain or a non-terminal end. However, it is usually preferable that the polymerizable group is the terminal portion of the main chain.
화합물(p)은 카르복시기 또는 카르복시기가 염을 형성한 기 및 중합성기 이외에, 에스테르 결합을 갖는 것이 바람직하고, 카르복실산에스테르 결합(식 「-C(=O)-O-」로 나타내는 기 또는 카르보닐옥시기라고도 한다)을 갖는 것이 보다 바람직하다. 이러한 화합물(p)을 사용함으로써, 보호막 또는 보호막 형성용 필름으로부터의 반도체 칩의 들뜸을 억제하는 효과가 보다 높아진다. It is preferable that the compound (p) has an ester bond in addition to a carboxy group or a group in which the carboxy group forms a salt and a polymerizable group, and a carboxylic acid ester bond (a group represented by the formula "-C(=O)-O-" or a car It is more preferable to have a). By using such a compound (p), the effect of suppressing the lifting of the semiconductor chip from the protective film or the film for forming a protective film is further enhanced.
화합물(p) 1분자 중의 상기 에스테르 결합의 수는 1개만이어도 되고, 2개 이상이어도 되나, 1∼4개인 것이 바람직하고, 1∼3개인 것이 보다 바람직하다. The number of the ester bonds in one molecule of the compound (p) may be one, or two or more, but it is preferably 1 to 4, and more preferably 1 to 3.
화합물(p)로 바람직한 것으로는 예를 들면, 지방족 디카르복실산모노(메타)아크릴로일옥시알킬에스테르(즉, 지방족 디카르복실산의 1개의 카르복시기의 수소 원자가 (메타)아크릴로일옥시알킬기로 치환된 화합물); 방향족 디카르복실산모노(메타)아크릴로일옥시알킬에스테르(즉, 방향족 디카르복실산의 1개의 카르복시기의 수소 원자가 (메타)아크릴로일옥시알킬기로 치환된 화합물); 상기 지방족 디카르복실산모노(메타)아크릴로일옥시알킬에스테르의 카르복시기가, 상술한 카르복시기가 염을 형성한 기로 치환된 화합물; 및 상기 방향족 디카르복실산모노(메타)아크릴로일옥시알킬에스테르의 카르복시기가, 상술한 카르복시기가 염을 형성한 기로 치환된 화합물 등을 들 수 있다. Preferred compounds (p) are, for example, aliphatic dicarboxylic acid mono(meth)acryloyloxyalkyl esters (i.e., the hydrogen number of one carboxy group of the aliphatic dicarboxylic acid is (meth)acryloyloxyalkyl group Substituted compound); Aromatic dicarboxylic acid mono(meth)acryloyloxyalkyl ester (ie, a compound in which the hydrogen atom of one carboxy group of the aromatic dicarboxylic acid is substituted with a (meth)acryloyloxyalkyl group); A compound in which the carboxyl group of the aliphatic dicarboxylic acid mono(meth)acryloyloxyalkyl ester is substituted with a group in which the aforementioned carboxyl group forms a salt; And a compound in which the carboxyl group of the aromatic dicarboxylic acid mono(meth)acryloyloxyalkyl ester is substituted with a group in which the above-described carboxyl group forms a salt.
상기 지방족 디카르복실산은 2개의 카르복시기를 갖고, 이들 카르복시기 이외의 부위가 선형, 분지형 또는 고리형인 비방향족성 2가의 탄화수소기인 화합물을 의미한다. The aliphatic dicarboxylic acid means a compound having two carboxy groups, and non-aromatic divalent hydrocarbon groups having a portion other than these carboxy groups being linear, branched or cyclic.
상기 탄화수소기의 탄소수는 1∼10인 것이 바람직하고, 2∼8인 것이 보다 바람직하며, 2∼6인 것이 특히 바람직하고, 예를 들면, 2∼5 및 2∼4 중 어느 하나여도 된다. The hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 2 to 6 carbon atoms, for example, any one of 2 to 5 and 2 to 4 carbon atoms.
상기 탄화수소기는 알킬렌기인 것이 바람직하다. It is preferable that the said hydrocarbon group is an alkylene group.
상기 방향족 디카르복실산은 2개의 카르복시기를 갖고, 이들 카르복시기 이외의 부위가 2가의 방향족 탄화수소기(아릴렌기라고도 한다)인 화합물을 의미한다. The aromatic dicarboxylic acid means a compound having two carboxy groups, and sites other than these carboxy groups are divalent aromatic hydrocarbon groups (also called arylene groups).
상기 방향족 탄화수소기는 단환형 및 다환형 중 어느 하나여도 된다. The aromatic hydrocarbon group may be either monocyclic or polycyclic.
상기 방향족 탄화수소기로는 예를 들면, Z1에 있어서의 상기 아릴기로부터 1개의 수소 원자를 제거한 2가의 기(아릴렌기라고도 한다)를 들 수 있다. The aromatic hydrocarbon groups include for example, the removal of one hydrogen atom from the aryl group (also referred to as arylene group), a divalent group in Z 1.
상기 방향족 탄화수소기의 탄소수는 6∼20인 것이 바람직하고, 6∼15인 것이 보다 바람직하며, 6∼12인 것이 특히 바람직하다. The aromatic hydrocarbon group preferably has 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 12 carbon atoms.
지방족 디카르복실산모노(메타)아크릴로일옥시알킬에스테르와 그 카르복시기가, 상술한 카르복시기가 염을 형성한 기로 치환된 화합물에 있어서, (메타)아크릴로일옥시기와 결합하고 있는 알킬기(환언하면, (메타)아크릴로일옥시알킬기 중의 알킬렌기)는 선형, 분지형 및 고리형 중 어느 하나여도 되고, 사슬형 구조와 고리형 구조를 함께 갖고 있어도 되나, 선형 또는 분지형인 것이 바람직하다. In the compound in which the aliphatic dicarboxylic acid mono(meth)acryloyloxyalkyl ester and its carboxyl group are substituted with a group in which the above-described carboxyl group forms a salt, an alkyl group bonded to a (meth)acryloyloxy group (in other words, , (Meth)alkylene group in the acryloyloxyalkyl group) may be any one of a linear, branched and cyclic, may have a chain structure and a cyclic structure together, but is preferably linear or branched.
선형 또는 분지형의 상기 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1∼10인 것이 바람직하고, 2∼8인 것이 보다 바람직하며, 2∼6인 것이 특히 바람직하고, 예를 들면, 2∼5 및 2∼4 중 어느 하나여도 된다. The number of carbon atoms of the linear or branched alkyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 10, more preferably 2 to 8, and particularly preferably 2 to 6, for example, 2 to 5 and 2 Any of ∼4 may be used.
고리형의 상기 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 3∼10인 것이 바람직하고, 4∼8인 것이 보다 바람직하며, 5∼6인 것이 특히 바람직하다. The number of carbon atoms of the cyclic alkyl group is not particularly limited, but is preferably 3 to 10, more preferably 4 to 8, and particularly preferably 5 to 6.
화합물(p)은 사슬형 구조를 갖고, 카르복시기 또는 카르복시기가 염을 형성한 기 및 중합성기가 모두 주쇄의 말단부이며, 주쇄의 비말단부에 에스테르 결합을 갖는 것이 바람직하다. It is preferable that the compound (p) has a chain structure, and both the carboxyl group or the group in which the carboxyl group forms a salt and the polymerizable group are the terminal ends of the main chain, and have an ester bond at the non-terminal end of the main chain.
이러한 바람직한 화합물(p)로는, 지방족 디카르복실산모노(메타)아크릴로일옥시알킬에스테르; 및 상기 지방족 디카르복실산모노(메타)아크릴로일옥시알킬에스테르의 카르복시기가, 상술한 카르복시기가 염을 형성한 기로 치환된 화합물을 들 수 있다. As such a preferable compound (p), an aliphatic dicarboxylic acid mono(meth)acryloyloxyalkyl ester; And a compound wherein the carboxyl group of the aliphatic dicarboxylic acid mono(meth)acryloyloxyalkyl ester is substituted with a group in which the above-described carboxyl group forms a salt.
화합물(p)로 특히 바람직한 것으로는, 숙신산1-[2-(아크릴로일옥시)에틸](숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸)이라고도 하는, CH2=CH-C(=O)-O-CH2CH2-O-C(=O)-CH2CH2-C(=O)-OH); 숙신산1-[2-(메타크릴로일옥시)에틸](CH2=C(-CH3)-C(=O)-O-CH2CH2-O-C(=O)-CH2CH2-C(=O)-OH); 글루타르산1-[2-(아크릴로일옥시)에틸](CH2=CH-C(=O)-O-CH2CH2-O-C(=O)-CH2CH2CH2-C(=O)-OH); 숙신산1-[2-(아크릴로일옥시)에틸]의 카르복시기가, 상술한 카르복시기가 염을 형성한 기로 치환된 화합물; 숙신산1-[2-(메타크릴로일옥시)에틸]의 카르복시기가, 상술한 카르복시기가 염을 형성한 기로 치환된 화합물; 및 글루타르산1-[2-(아크릴로일옥시)에틸]의 카르복시기가, 상술한 카르복시기가 염을 형성한 기로 치환된 화합물을 들 수 있다. Particularly preferred compound (p) is 1-[2-(acryloyloxy)ethyl succinic acid] (also referred to as mono succinic acid (2-acryloyloxyethyl)) CH 2 =CH-C(=O)- O-CH 2 CH 2 -OC(=O)-CH 2 CH 2 -C(=O)-OH); Succinic acid 1-[2-(methacryloyloxy)ethyl](CH 2 =C(-CH 3 )-C(=O)-O-CH 2 CH 2 -OC(=O)-CH 2 CH 2- C(=O)-OH); 1-[2-(acryloyloxy)ethyl glutaric acid](CH 2 =CH-C(=O)-O-CH 2 CH 2 -OC(=O)-CH 2 CH 2 CH 2 -C( =O)-OH); A compound in which the carboxyl group of 1-[2-(acryloyloxy)ethyl] succinic acid is substituted with a group in which the aforementioned carboxyl group forms a salt; A compound in which the carboxyl group of 1-[2-(methacryloyloxy)ethyl] succinic acid is substituted with a group in which the aforementioned carboxyl group forms a salt; And a compound in which the carboxyl group of 1-[2-(acryloyloxy)ethyl glutaric acid] is substituted with a group in which the above-described carboxyl group forms a salt.
화합물(p)의 분자량(절대 분자량)은 특별히 한정되지 않으나, 100∼1000인 것이 바람직하고, 100∼700인 것이 보다 바람직하며, 100∼500인 것이 더욱 바람직하고, 100∼300인 것이 특히 바람직하다. The molecular weight (absolute molecular weight) of the compound (p) is not particularly limited, but is preferably 100 to 1000, more preferably 100 to 700, further preferably 100 to 500, and particularly preferably 100 to 300. .
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 화합물(p)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) for forming a protective film and the compound (p) contained in the film for forming a protective film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한, 화합물(p)의 함유량 비율(즉, 보호막 형성용 필름의 화합물(p)의 함유량, 바꾸어 말하면 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 화합물(p)의 질량)은 0.15질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.2질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.25질량% 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 함유량 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 보호막 또는 보호막 형성용 필름으로부터의 반도체 칩의 들뜸을 억제하는 효과가 보다 높아진다. In the composition for forming a protective film (IV-1), the ratio of the content of the compound (p) to the total content of components other than the solvent (that is, the content of the compound (p) in the film for forming a protective film, in other words, the film for forming a protective film) The mass of the compound (p) relative to the total mass of) is preferably 0.15 mass% or more, more preferably 0.2 mass% or more, and particularly preferably 0.25 mass% or more. When the said content ratio is more than the said lower limit, the effect of suppressing the floating of a semiconductor chip from a protective film or a film for forming a protective film becomes higher.
한편, 상기 함유량 비율(보호막 형성용 필름의 화합물(p)의 함유량)의 상한값은 특별히 한정되지 않는다. 단, 화합물(p)의 과잉 사용에 의한 영향을 피할 수 있고, 그 결과, 보호막의 경화도가 보다 높아져, 보호막의 특성이 보다 향상되는 점에서는, 상기 함유량 비율은 3질량% 이하인 것이 바람직하고, 2질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 1질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. In addition, the upper limit of the said content ratio (content of the compound (p) of the film for protective film formation) is not specifically limited. However, it is preferable that the content ratio is 3% by mass or less in view of the effect of excessive use of the compound (p), and as a result, the degree of hardening of the protective film is further enhanced and the properties of the protective film are further improved. It is more preferable that it is mass% or less, and it is especially preferable that it is 1 mass% or less.
상기 함유량 비율(보호막 형성용 필름의 화합물(p)의 함유량)은 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 함유량 비율은 바람직하게는 0.15∼3질량%, 보다 바람직하게는 0.2∼2질량%, 특히 바람직하게는 0.25∼1질량%이나, 이들은 일 예이다. The content ratio (the content of the compound (p) in the film for forming a protective film) can be appropriately adjusted within a range set by arbitrarily combining the above-described preferred lower and upper limits. For example, the content ratio is preferably 0.15 to 3% by mass, more preferably 0.2 to 2% by mass, particularly preferably 0.25 to 1% by mass, but these are examples.
[에너지선 경화성 성분(a)][Energy ray curable component (a)]
에너지선 경화성 성분(a)은 에너지선의 조사에 의해 경화하는 성분이며, 보호막 형성용 필름에 조막성이나, 가요성 등을 부여하기 위한 성분이기도 하다. The energy ray-curable component (a) is a component that is cured by irradiation with energy rays, and is also a component for imparting film forming properties, flexibility, and the like to the film for forming a protective film.
에너지선 경화성 성분(a)으로는 예를 들면, 에너지선 경화성기를 갖는, 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1), 및 에너지선 경화성기를 갖는, 절대 분자량 또는 중량 평균 분자량이 100∼80000인 화합물(a2)을 들 수 있다. 상기 중합체(a1)는 그 적어도 일부가 후술하는 가교제(f)에 의해 가교된 것이어도 되고, 가교되어 있지 않은 것이어도 된다. The energy ray-curable component (a) is, for example, a polymer (a1) having an energy ray-curable group and having a weight average molecular weight of 80000 to 2000000, and an absolute molecular weight or a weight average molecular weight having an energy ray-curable group having 100 to 80000 And compound (a2). The polymer (a1) may be at least partially crosslinked by a crosslinking agent (f) described later, or may be crosslinked.
한편, 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값을 의미한다. In addition, in this specification, a weight average molecular weight means the polystyrene conversion value measured by the gel permeation chromatography (GPC) method, unless otherwise specified.
(에너지선 경화성기를 갖는, 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1))(A polymer having an energy ray-curable group and having a weight average molecular weight of 80000 to 2000000 (a1))
에너지선 경화성기를 갖는, 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1)로는 예를 들면, 다른 화합물이 갖는 기와 반응 가능한 관능기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)와, 상기 관능기와 반응하는 기 및 에너지선 경화성 이중 결합 등의 에너지선 경화성기를 갖는 에너지선 경화성 화합물(a12)이 중합하여 이루어지는 아크릴계 수지(a1-1)를 들 수 있다. As the polymer (a1) having an energy ray-curable group and having a weight average molecular weight of 80000 to 2000000, for example, an acrylic polymer (a11) having a functional group capable of reacting with a group of another compound, and a group reacting with the functional group and energy ray-curable And an acrylic resin (a1-1) formed by polymerization of an energy ray-curable compound (a12) having an energy ray-curable group such as a double bond.
다른 화합물이 갖는 기와 반응 가능한 상기 관능기로는 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기(아미노기의 1개 또는 2개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환되어 이루어지는 기), 에폭시기 등을 들 수 있다. 단, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등의 회로의 부식을 방지한다는 점에서는, 상기 관능기는 카르복시기 이외의 기인 것이 바람직하다. Examples of the functional groups capable of reacting with groups of other compounds include hydroxyl groups, carboxyl groups, amino groups, and substituted amino groups (groups in which one or two hydrogen atoms of an amino group are substituted with groups other than hydrogen atoms), epoxy groups, and the like. . However, from the viewpoint of preventing corrosion of a circuit such as a semiconductor wafer or a semiconductor chip, the functional group is preferably a group other than a carboxy group.
이들 중에서도, 상기 관능기는 수산기인 것이 바람직하다. Among these, it is preferable that the said functional group is a hydroxyl group.
·관능기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)・Acrylic polymer having a functional group (a11)
상기 관능기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)로는 예를 들면, 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머와, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머가 공중합하여 이루어지는 것을 들 수 있고, 이들 모노머 이외에, 추가로 아크릴계 모노머 이외의 모노머(비아크릴계 모노머)가 공중합한 것이어도 된다. Examples of the acrylic polymer (a11) having the functional group include those obtained by copolymerizing an acrylic monomer having the functional group with an acrylic monomer having no functional group, and in addition to these monomers, monomers other than the acrylic monomer ( The non-acrylic monomer) may be copolymerized.
또한, 상기 아크릴계 중합체(a11)는 랜덤 공중합체여도 되고, 블록 공중합체여도 된다. Further, the acrylic polymer (a11) may be a random copolymer or a block copolymer.
상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머로는 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 치환 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. Examples of the acrylic monomer having a functional group include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer, an amino group-containing monomer, a substituted amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer.
상기 수산기 함유 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸 및 (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산히드록시알킬; 비닐알코올 및 알릴알코올 등의 비(메타)아크릴계 불포화 알코올((메타)아크릴로일 골격을 갖지 않는 불포화 알코올) 등을 들 수 있다. Examples of the hydroxyl group-containing monomer include (meth)acrylic acid hydroxymethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxypropyl, and (meth) (Meth)acrylic acid hydroxyalkyl, such as 2-hydroxybutyl acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; And non-(meth)acrylic unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol (unsaturated alcohols having no (meth)acryloyl skeleton).
한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」 및 「메타크릴산」 양쪽을 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하다. In addition, in this specification, "(meth)acrylic acid" means the concept including both "acrylic acid" and "methacrylic acid." The same applies to terms similar to (meth)acrylic acid.
상기 카르복시기 함유 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산 및 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노카르복실산); 푸마르산, 이타콘산, 말레산 및 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산(즉, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 디카르복실산); 상기 에틸렌성 불포화 디카르복실산의 무수물; 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등의 (메타)아크릴산카르복시알킬에스테르 등을 들 수 있다. Examples of the carboxyl group-containing monomers include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid (monocarboxylic acids having ethylenically unsaturated bonds); Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid (ie, dicarboxylic acids having ethylenically unsaturated bonds); Anhydride of the ethylenically unsaturated dicarboxylic acid; And (meth)acrylic acid carboxyalkyl esters such as 2-carboxyethyl methacrylate.
상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머는 수산기 함유 모노머, 또는 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다. The acrylic monomer having the functional group is preferably a hydroxyl group-containing monomer or a carboxyl group-containing monomer, and more preferably a hydroxyl group-containing monomer.
상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는, 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the acrylic monomer which comprises the said functional group which comprises the said acrylic polymer (a11), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴이라고도 한다), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸이라고도 한다), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸이라고도 한다), (메타)아크릴산헵타데실 및 (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴이라고도 한다) 등의, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수가 1∼18인 사슬형 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. Examples of the acrylic monomer having no functional group include (meth)methyl acrylate, (meth)ethyl acrylate, (meth)acrylic acid n-propyl, (meth)isopropyl acrylate, (meth)n-butyl acrylate, (meth) )Isobutyl acrylate, (meth)acrylic acid sec-butyl, (meth)acrylic acid tert-butyl, (meth)pentyl acrylate, (meth)acrylic acid hexyl, (meth)acrylic acid heptyl, (meth)acrylic acid 2-ethylhexyl, (meth) )Isooctyl acrylate, n-octyl (meth)acrylate, n-nonyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate (( (Meta) acrylic acid lauryl), (meth)acrylic acid tridecyl, (meth)acrylic acid tetradecyl (also called (meth)acrylic acid myristyl), (meth)acrylic acid pentadecyl, (meth)acrylic acid hexadecyl ((meth)) Alkyl groups constituting alkyl esters such as palmityl acrylate), (meth)acrylic acid heptadecyl and (meth)acrylic acid octadecyl (also called (meth)acrylic acid stearyl), chain structure having 1 to 18 carbon atoms And phosphorus (meth)acrylate alkyl esters.
또한, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산메톡시메틸, (메타)아크릴산메톡시에틸, (메타)아크릴산에톡시메틸 및 (메타)아크릴산에톡시에틸 등의 알콕시알킬기 함유 (메타)아크릴산에스테르; (메타)아크릴산페닐 등의 (메타)아크릴산아릴에스테르 등을 포함하는, 방향족기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르; 비가교성 (메타)아크릴아미드 및 그 유도체; (메타)아크릴산N,N-디메틸아미노에틸 및 (메타)아크릴산N,N-디메틸아미노프로필 등의 비가교성 3급 아미노기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등도 들 수 있다. Moreover, as an acrylic monomer which does not have the said functional group, For example, alkoxyalkyl groups, such as (meth)acrylic acid methoxymethyl, (meth)acrylic acid methoxyethyl, (meth)acrylic acid ethoxymethyl, and (meth)acrylic acid ethoxyethyl. Containing (meth)acrylic acid ester; (Meth)acrylic acid esters having an aromatic group, including (meth)acrylic acid aryl esters such as (meth)acrylate phenyl; Non-crosslinkable (meth)acrylamide and derivatives thereof; And (meth)acrylic acid esters having non-crosslinkable tertiary amino groups such as (meth)acrylic acid N,N-dimethylaminoethyl and (meth)acrylic acid N,N-dimethylaminopropyl.
상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. Only one type may be sufficient as the acrylic monomer which does not have the said functional group which comprises the said acrylic polymer (a11), and may be two or more types, and when it is two or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
상기 비아크릴계 모노머로는 예를 들면, 에틸렌 및 노르보르넨 등의 올레핀; 초산비닐; 스티렌 등을 들 수 있다. Examples of the non-acrylic monomer include olefins such as ethylene and norbornene; Vinyl acetate; Styrene and the like.
상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는 상기 비아크릴계 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the said non-acrylic monomer which comprises the said acrylic polymer (a11), only 1 type may be sufficient, and 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these may be arbitrarily selected.
상기 아크릴계 중합체(a11)에 있어서, 이를 구성하는 구성 단위의 전체량에 대한, 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머로부터 유도된 구성 단위의 양의 비율(함유량)은 0.1∼50질량%인 것이 바람직하고, 1∼40질량%인 것이 보다 바람직하며, 3∼30질량%인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 아크릴계 중합체(a11)와 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)의 공중합에 의해 얻어진 상기 아크릴계 수지(a1-1)에 있어서, 에너지선 경화성기의 함유량은 보호막의 경화의 정도를 바람직한 범위로 용이하게 조절 가능해진다. In the acrylic polymer (a11), the ratio (content) of the amount of the structural unit derived from the acrylic monomer having the functional group to the total amount of the structural units constituting it is preferably 0.1 to 50% by mass, 1 It is more preferable that it is-40 mass %, and it is especially preferable that it is 3-30 mass %. When the ratio is in this range, in the acrylic resin (a1-1) obtained by copolymerization of the acrylic polymer (a11) and the energy ray-curable compound (a12), the content of the energy ray-curable group is the curing of the protective film. The degree can be easily adjusted to a desired range.
상기 아크릴계 수지(a1-1)를 구성하는 상기 아크릴계 중합체(a11)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the said acrylic polymer (a11) which comprises the said acrylic resin (a1-1), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 아크릴계 수지(a1-1)의 함유량은 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 총 질량에 대해 1∼40질량%인 것이 바람직하고, 2∼30질량%인 것이 보다 바람직하며, 3∼20질량%인 것이 특히 바람직하다. In the composition for forming a protective film (IV-1), the content of the acrylic resin (a1-1) is preferably 1 to 40% by mass relative to the total mass of the composition for forming a protective film (IV-1), and 2 to 30% by mass % Is more preferable, and 3 to 20 mass% is particularly preferable.
·에너지선 경화성 화합물(a12)・Energy ray curable compound (a12)
상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 상기 아크릴계 중합체(a11)가 갖는 관능기와 반응 가능한 기로서, 이소시아네이트기, 에폭시기 및 카르복시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 갖는 것이 바람직하고, 상기 기로서 이소시아네이트기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 예를 들면, 상기 기로서 이소시아네이트기를 갖는 경우, 이 이소시아네이트기가 상기 관능기로서 수산기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)의 이 수산기와 용이하게 반응한다. The energy ray-curable compound (a12) is a group capable of reacting with a functional group of the acrylic polymer (a11), and preferably has one or two or more selected from the group consisting of isocyanate groups, epoxy groups and carboxy groups, and the groups It is more preferable to have an isocyanate group. The energy ray-curable compound (a12), for example, when having an isocyanate group as the group, readily reacts with this hydroxyl group of the acrylic polymer (a11) having the hydroxyl group as the functional group.
상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 1분자 중에 상기 에너지선 경화성기를 1∼5개 갖는 것이 바람직하고, 1∼3개 갖는 것이 보다 바람직하다. The energy ray-curable compound (a12) preferably has 1 to 5 of the energy ray-curable groups in one molecule, and more preferably 1 to 3 particles.
상기 에너지선 경화성 화합물(a12)로는 예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물; 및 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. As the energy ray-curable compound (a12), for example, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1- (Bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate; An acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction of a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound with hydroxyethyl (meth)acrylate; And an acryloyl monoisocyanate compound obtained by the reaction of a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound, a polyol compound, and hydroxyethyl (meth)acrylate.
이들 중에서도, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트인 것이 바람직하다. Among these, the energy ray-curable compound (a12) is preferably 2-methacryloyloxyethyl isocyanate.
상기 아크릴계 수지(a1-1)를 구성하는 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the said energy ray curable compound (a12) which comprises the said acrylic resin (a1-1), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
상기 아크릴계 수지(a1-1)에 있어서, 상기 아크릴계 중합체(a11)에서 유래하는 상기 관능기의 함유량 100몰%에 대한, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)에서 유래하는 에너지선 경화성기의 함유량 비율은 20∼120몰%인 것이 바람직하고, 35∼100몰%인 것이 보다 바람직하며, 50∼100몰%인 것이 특히 바람직하다. 상기 함유량 비율이 이러한 범위임으로써, 경화에 의해 형성된 보호막의 접착력이 보다 커진다. 한편, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)이 1관능(상기 기를 1분자 중에 1개 갖는) 화합물인 경우에는, 상기 함유량 비율의 상한값은 100몰%가 되나, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)이 다관능(상기 기를 1분자 중에 2개 이상 갖는) 화합물인 경우에는, 상기 함유량 비율의 상한값은 100몰%를 초과하는 경우가 있다. In the acrylic resin (a1-1), the content ratio of the energy ray-curable group derived from the energy ray-curable compound (a12) to 100 mol% of the content of the functional group derived from the acrylic polymer (a11) is 20. It is preferable that it is -120 mol%, it is more preferable that it is 35-100 mol%, and it is particularly preferable that it is 50-100 mol%. When the content ratio is within this range, the adhesive force of the protective film formed by curing becomes larger. On the other hand, when the energy ray-curable compound (a12) is a monofunctional (having one of the above groups in one molecule), the upper limit of the content ratio is 100 mol%, but the energy ray-curable compound (a12) is In the case of a functional (having two or more of the above groups in one molecule), the upper limit of the content ratio may exceed 100 mol%.
상기 중합체(a1)의 중량 평균 분자량(Mw)은 100000∼2000000인 것이 바람직하고, 300000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. The weight average molecular weight (Mw) of the polymer (a1) is preferably 100000 to 2000000, more preferably 300000 to 150,000.
상기 중합체(a1)가, 그 적어도 일부가 가교제(f)에 의해 가교된 것인 경우, 상기 중합체(a1)는 상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는 것으로서 설명한, 상술한 모노머의 어느 것에도 해당하지 않고, 또한 가교제(f)와 반응하는 기를 갖는 모노머가 중합하여, 가교제(f)와 반응하는 기에 있어서 가교된 것이어도 되며, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)에서 유래하는, 상기 관능기와 반응하는 기에 있어서 가교된 것이어도 된다. When the polymer (a1) is at least partially crosslinked by a crosslinking agent (f), the polymer (a1) does not correspond to any of the monomers described above, which are described as constituting the acrylic polymer (a11). In addition, the monomer having a group that reacts with the crosslinking agent (f) polymerizes, and may be a crosslinked group in the group that reacts with the crosslinking agent (f), and may be derived from the energy ray-curable compound (a12) to a group that reacts with the functional group. Therefore, it may be crosslinked.
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 중합체(a1)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) for forming a protective film and the polymer (a1) contained in the film for forming a protective film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
(에너지선 경화성기를 갖는, 분자량이 100∼80000인 화합물(a2))(Compound (a2) having an energy ray-curable group and having a molecular weight of 100 to 80000)
에너지선 경화성기를 갖는, 분자량이 100∼80000인 화합물(a2) 중의 상기 에너지선 경화성기로는, 에너지선 경화성 이중 결합을 포함하는 기를 들 수 있고, 바람직한 것으로는, (메타)아크릴로일기, 비닐기 등을 들 수 있다. Examples of the energy ray-curable group in the compound (a2) having an energy ray-curable group and having a molecular weight of 100 to 80000 include groups containing an energy ray-curable double bond, and preferred examples include (meth)acryloyl groups and vinyl groups. And the like.
상기 화합물(a2)은 상기 조건을 만족하는 것이며, 상기 중합체(a1)보다 분자량이 작으면, 특별히 한정되지 않으나, 에너지선 경화성기를 갖는 저분자량 화합물, 에너지선 경화성기를 갖는 에폭시 수지 및 에너지선 경화성기를 갖는 페놀 수지 등을 들 수 있다. The compound (a2) satisfies the above conditions, and the molecular weight is smaller than that of the polymer (a1), but is not particularly limited. And phenol resins.
상기 화합물(a2) 중, 에너지선 경화성기를 갖는 저분자량 화합물로는 예를 들면, 다관능의 모노머 또는 올리고머 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 화합물이 바람직하다. Among the compound (a2), examples of the low molecular weight compound having an energy ray-curable group include a polyfunctional monomer or oligomer, and an acrylate-based compound having a (meth)acryloyl group is preferable.
상기 아크릴레이트계 화합물로는 예를 들면, 2-히드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 에톡시화 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시폴리에톡시)페닐]프로판, 에톡시화 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시디에톡시)페닐]프로판, 9,9-비스[4-(2-(메타)아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시폴리프로폭시)페닐]프로판, 트리시클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트(트리시클로데칸디메틸올디(메타)아크릴레이트라고도 한다), 1,10-데칸디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리테트라메틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트 및 2-히드록시-1,3-디(메타)아크릴옥시프로판 등의 2관능(메타)아크릴레이트; Examples of the acrylate-based compound include 2-hydroxy-3-(meth)acryloyloxypropyl methacrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, and propoxylated ethoxylated bisphenol A di(meth) Acrylate, 2,2-bis[4-((meth)acryloxypolyethoxy)phenyl]propane, ethoxylated bisphenol A di(meth)acrylate, 2,2-bis[4-((meth)acryloxy Diethoxy)phenyl]propane, 9,9-bis[4-(2-(meth)acryloyloxyethoxy)phenyl]fluorene, 2,2-bis[4-((meth)acryloxypolypropoxy )Phenyl]propane, tricyclodecane dimethanol di(meth)acrylate (also called tricyclodecanedimethyloldi(meth)acrylate), 1,10-decanedioldi(meth)acrylate, 1,6-hexanediol Di(meth)acrylate, 1,9-nonanediol di(meth)acrylate, dipropylene glycol di(meth)acrylate, tripropylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, Polytetramethylene glycol di(meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, 2,2-bis[4-(( Meta)acryloxyethoxy)phenyl]propane, neopentyl glycoldi(meth)acrylate, ethoxylated polypropylene glycoldi(meth)acrylate, 2-hydroxy-1,3-di(meth)acryloxypropane, etc. Bifunctional (meth)acrylate;
트리스(2-(메타)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(2-(메타)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 에톡시화 글리세린트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 에톡시화 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리(메타)아크릴레이트 및 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 다관능(메타)아크릴레이트; Tris(2-(meth)acryloxyethyl)isocyanurate, ε-caprolactone-modified tris(2-(meth)acryloxyethyl)isocyanurate, ethoxylated glycerin tri(meth)acrylate, pentaerythritol tree (Meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ditrimethylolpropanetetra(meth)acrylate, ethoxylated pentaerythritoltetra(meth)acrylate, pentaerythritoltetra(meth)acrylate, dipentaerythritol Polyfunctional (meth)acrylates such as poly(meth)acrylate and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate;
우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머 등의 다관능(메타)아크릴레이트 올리고머 등을 들 수 있다. And polyfunctional (meth)acrylate oligomers such as urethane (meth)acrylate oligomers.
상기 화합물(a2) 중, 에너지선 경화성기를 갖는 에폭시 수지, 에너지선 경화성기를 갖는 페놀 수지로는 예를 들면, 「일본 공개특허공보 2013-194102호」의 단락 0043 등에 기재되어 있는 것을 사용할 수 있다. 이러한 수지는 후술하는 열경화성 성분(h)을 구성하는 수지에도 해당하나, 본 발명에 있어서는 상기 화합물(a2)로서 취급한다. Among the compounds (a2), epoxy resins having an energy ray-curable group and phenolic resins having an energy ray-curable group can be used, for example, those described in paragraph 0043 of JP 2013-194102 A. These resins also correspond to the resins constituting the thermosetting component (h) described later, but are treated as the compound (a2) in the present invention.
상기 화합물(a2)의 절대 분자량 또는 중량 평균 분자량은 100∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하다. The absolute molecular weight or the weight average molecular weight of the compound (a2) is preferably 100 to 30000, and more preferably 300 to 10000.
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 화합물(a2)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) for forming a protective film and the compound (a2) contained in the film for forming a protective film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
[에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)][Polymer (b) having no energy ray-curable groups]
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름은 상기 에너지선 경화성 성분(a)으로서 상기 화합물(a2)을 함유하는 경우, 추가로 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)도 함유하는 것이 바람직하다. When the composition for forming a protective film (IV-1) and the film for forming a protective film contain the compound (a2) as the energy ray-curable component (a), it is also necessary to further contain a polymer (b) having no energy ray-curable group. desirable.
상기 중합체(b)는 그 적어도 일부가 후술하는 가교제(f)에 의해 가교된 것이어도 되고, 가교되어 있지 않은 것이어도 된다. The polymer (b) may be at least partially crosslinked with a crosslinking agent (f) described later, or may be uncrosslinked.
에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는 예를 들면, 아크릴계 중합체, 페녹시 수지, 우레탄 수지, 폴리에스테르, 고무계 수지, 아크릴 우레탄 수지, 폴리비닐알코올(PVA), 부티랄 수지 및 폴리에스테르 우레탄 수지 등을 들 수 있다. Examples of the polymer (b) that does not have an energy ray-curable group include acrylic polymers, phenoxy resins, urethane resins, polyesters, rubber resins, acrylic urethane resins, polyvinyl alcohol (PVA), butyral resins, and polyester urethane resins. And the like.
이들 중에서도, 상기 중합체(b)는 아크릴계 중합체(이하, 「아크릴계 중합체(b-1)」로 약기하는 경우가 있다)인 것이 바람직하다. Among these, it is preferable that the said polymer (b) is an acryl-type polymer (it may abbreviate as "acrylic-type polymer (b-1) hereafter.").
아크릴계 중합체(b-1)는 공지의 것이어도 되고, 예를 들면, 1종의 아크릴계 모노머의 단독 중합체여도 되며, 2종 이상의 아크릴계 모노머의 공중합체여도 되고, 1종 또는 2종 이상의 아크릴계 모노머와, 1종 또는 2종 이상의 아크릴계 모노머 이외의 모노머(비아크릴계 모노머)의 공중합체여도 된다. The acrylic polymer (b-1) may be a known one, or may be, for example, a homopolymer of one acrylic monomer, a copolymer of two or more acrylic monomers, or one or more acrylic monomers, A copolymer of monomers (non-acrylic monomers) other than one or two or more acrylic monomers may be used.
아크릴계 중합체(b-1)를 구성하는 상기 아크릴계 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산알킬에스테르, 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴산에스테르, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르 및 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 여기서, 「치환 아미노기」란, 앞서 설명한 바와 같다. Examples of the acrylic monomer constituting the acrylic polymer (b-1) include (meth)acrylic acid alkyl ester, (meth)acrylic acid ester having a cyclic skeleton, glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester, and hydroxyl group ( And meta)acrylic acid esters and substituted amino group-containing (meth)acrylic acid esters. Here, the "substituted amino group" is as described above.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴이라고도 한다), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸이라고도 한다), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸이라고도 한다), (메타)아크릴산헵타데실 및 (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴이라고도 한다) 등의, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수가 1∼18의 사슬형 구조인(메타)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. Examples of the (meth)acrylic acid alkyl ester include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, (meth) )Isobutyl acrylate, (meth)acrylic acid sec-butyl, (meth)acrylic acid tert-butyl, (meth)pentyl acrylate, (meth)acrylic acid hexyl, (meth)acrylic acid heptyl, (meth)acrylic acid 2-ethylhexyl, (meth) )Isooctyl acrylate, n-octyl (meth)acrylate, n-nonyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate (( (Meta) acrylic acid lauryl), (meth)acrylic acid tridecyl, (meth)acrylic acid tetradecyl (also called (meth)acrylic acid myristyl), (meth)acrylic acid pentadecyl, (meth)acrylic acid hexadecyl ((meth)) Alkyl groups constituting alkyl esters such as palmityl acrylate), (meth)acrylic acid heptadecyl and (meth)acrylic acid octadecyl (also called (meth)acrylic acid stearyl), have a chain structure having 1 to 18 carbon atoms. And phosphorus (meth)acrylic acid alkyl esters.
상기 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산이소보르닐 및 (메타)아크릴산디시클로펜타닐 등의 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르; Examples of the (meth)acrylic acid ester having the cyclic skeleton include (meth)acrylic acid cycloalkyl esters such as (meth)acrylic acid isobornyl and (meth)acrylic acid dicyclopentanyl;
(메타)아크릴산벤질 등의 (메타)아크릴산아랄킬에스테르; (Meth)acrylic acid aralkyl esters such as benzyl (meth)acrylate;
(메타)아크릴산디시클로펜테닐에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐에스테르; (Meth)acrylic acid cycloalkenyl esters such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyl ester;
(메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐옥시알킬에스테르 등을 들 수 있다. And (meth)acrylic acid cycloalkenyloxyalkyl esters such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyloxyethyl ester.
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산글리시딜 등을 들 수 있다. As said glycidyl group containing (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic acid glycidyl etc. are mentioned, for example.
상기 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸 및 (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등을 들 수 있다. Examples of the hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid ester include (meth)acrylic acid hydroxymethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxy And propyl, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate.
상기 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산N-메틸아미노에틸 등을 들 수 있다. As said substituted amino group containing (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic acid N-methylaminoethyl etc. are mentioned, for example.
아크릴계 중합체(b-1)를 구성하는 상기 비아크릴계 모노머로는 예를 들면, 에틸렌, 노르보르넨 등의 올레핀; 초산비닐; 및 스티렌 등을 들 수 있다. Examples of the non-acrylic monomer constituting the acrylic polymer (b-1) include olefins such as ethylene and norbornene; Vinyl acetate; And styrene.
적어도 일부가 가교제(f)에 의해 가교된, 상기 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는 예를 들면, 상기 중합체(b) 중의 반응성 관능기가 가교제(f)와 반응한 것을 들 수 있다. As the polymer (b) having at least a part of the energy ray-curable group crosslinked by a crosslinking agent (f), for example, a reactive functional group in the polymer (b) is reacted with a crosslinking agent (f).
상기 반응성 관능기는 가교제(f)의 종류 등에 따라 적절히 선택하면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 가교제(f)가 폴리이소시아네이트 화합물인 경우에는, 상기 반응성 관능기로는, 수산기, 카르복시기, 아미노기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 이소시아네이트기와의 반응성이 높은 수산기가 바람직하다. 또한, 가교제(f)가 에폭시계 화합물인 경우에는, 상기 반응성 관능기로는, 카르복시기, 아미노기, 아미드기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 에폭시기와의 반응성이 높은 카르복시기가 바람직하다. 단, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩의 회로의 부식을 방지한다는 점에서는, 상기 반응성 관능기는 카르복시기 이외의 기인 것이 바람직하다. The reactive functional group may be appropriately selected depending on the type of the crosslinking agent (f) or the like, and is not particularly limited. For example, when the crosslinking agent (f) is a polyisocyanate compound, examples of the reactive functional group include a hydroxyl group, a carboxyl group, and an amino group, and among these, a hydroxyl group having high reactivity with an isocyanate group is preferable. Moreover, when a crosslinking agent (f) is an epoxy type compound, a carboxy group, an amino group, an amide group, etc. are mentioned as said reactive functional group, Among these, the carboxy group with high reactivity with an epoxy group is preferable. However, it is preferable that the reactive functional group is a group other than a carboxy group from the viewpoint of preventing corrosion of a circuit of a semiconductor wafer or a semiconductor chip.
상기 반응성 관능기를 갖는, 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는 예를 들면, 적어도 상기 반응성 관능기를 갖는 모노머를 중합시켜 얻어진 것을 들 수 있다. 아크릴계 중합체(b-1)의 경우이면, 이를 구성하는 모노머로서 든, 상기 아크릴계 모노머 및 비아크릴계 모노머 중 어느 한쪽 또는 양쪽으로서, 상기 반응성 관능기를 갖는 것을 사용하면 된다. 반응성 관능기로서 수산기를 갖는 상기 중합체(b)로는 예를 들면, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르를 중합하여 얻어진 것을 들 수 있고, 이 외에도, 앞서 든 상기 아크릴계 모노머 또는 비아크릴계 모노머에 있어서, 1개 또는 2개 이상의 수소 원자가 상기 반응성 관능기로 치환되어 이루어지는 모노머를 중합하여 얻어진 것을 들 수 있다. As a polymer (b) which has the said reactive functional group and does not have an energy ray curable group, what was obtained by superposing|polymerizing the monomer which has the said reactive functional group is mentioned, for example. In the case of the acrylic polymer (b-1), any one or both of the acrylic monomer and the non-acrylic monomer may be used as monomers constituting the monomer. Examples of the polymer (b) having a hydroxyl group as a reactive functional group include, for example, those obtained by polymerizing a hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid ester, and in addition, in the aforementioned acrylic monomer or non-acrylic monomer, one or What is obtained by superposing|polymerizing the monomer which 2 or more hydrogen atoms are substituted by the said reactive functional group is mentioned.
반응성 관능기를 갖는 상기 중합체(b)에 있어서, 이를 구성하는 구성 단위의 전체량에 대한, 반응성 관능기를 갖는 모노머로부터 유도된 구성 단위의 양의 비율(함유량)은 1∼25질량%인 것이 바람직하고, 2∼20질량%인 것이 보다 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 중합체(b)에 있어서, 가교의 정도가 보다 바람직한 범위가 된다. In the polymer (b) having a reactive functional group, the ratio (content) of the amount of the structural unit derived from the monomer having a reactive functional group to the total amount of the structural units constituting it is preferably 1 to 25% by mass , It is more preferably 2 to 20% by mass. When the ratio is such a range, the degree of crosslinking in the polymer (b) becomes a more preferable range.
에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 중량 평균 분자량(Mw)은 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 조막성이 보다 양호해지는 점에서, 10000∼2000000인 것이 바람직하고, 100000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. The weight average molecular weight (Mw) of the polymer (b) having no energy ray-curable group is preferably from 10000 to 2000000, and from 100000 to 150,000, from the viewpoint that the film forming property of the protective film-forming composition (IV-1) is better. It is more preferable.
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는, 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) for forming a protective film and the polymer (b) having no energy ray-curable group contained in the film for forming a protective film may be one type, two or more types, or combinations and ratios of two or more types Can be arbitrarily selected.
보호막 형성용 조성물(IV-1)로는, 화합물(p) 이외에, 상기 중합체(a1) 및 상기 화합물(a2) 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 함유하는 것을 들 수 있다. 그리고, 보호막 형성용 조성물(IV-1)은 상기 화합물(a2)을 함유하는 경우, 추가로 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)도 함유하는 것이 바람직하고, 이 경우, 추가로 상기 (a1)을 함유하는 것도 바람직하다. 또한, 보호막 형성용 조성물(IV-1)은 상기 화합물(a2)을 함유하지 않고, 상기 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함께 함유하고 있어도 된다. As the composition (IV-1) for forming a protective film, there may be mentioned those containing either or both of the polymer (a1) and the compound (a2) in addition to the compound (p). In addition, when the composition (IV-1) for forming a protective film contains the compound (a2), it is preferable to further contain a polymer (b) that does not have an energy ray-curable group, and in this case, the above (a1) It is also preferable to contain. Moreover, the composition (IV-1) for forming a protective film may not contain the compound (a2), and may also contain the polymer (a1) and a polymer (b) having no energy ray-curable groups.
보호막 형성용 조성물(IV-1)이 상기 중합체(a1), 상기 화합물(a2) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함유하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 상기 화합물(a2)의 함유량은 상기 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 총 함유량 100질량부에 대해, 10∼400질량부인 것이 바람직하고, 30∼350질량부인 것이 보다 바람직하다. When the composition (IV-1) for forming a protective film contains the polymer (a1), the compound (a2), and a polymer (b) having no energy ray-curable group, in the composition for forming a protective film (IV-1), the The content of the compound (a2) is preferably 10 to 400 parts by mass, more preferably 30 to 350 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total content of the polymer (a1) and the polymer (b) that does not have an energy ray-curable group. .
보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한, 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량 비율(즉, 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한, 보호막 형성용 필름의 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량)은 5∼90질량%인 것이 바람직하고, 10∼80질량%인 것이 보다 바람직하며, 15∼70질량%인 것이 특히 바람직하고, 예를 들면, 20∼60질량% 및 25∼50질량% 중 어느 하나여도 된다. 상기 합계 함유량 비율이 이러한 범위임으로써, 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화성이 보다 양호해진다. In the composition for forming a protective film (IV-1), the ratio of the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group to the total content of components other than the solvent (i.e., the formation of a protective film) The total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group in the film for forming a protective film relative to the total mass of the molten film) is preferably 5 to 90% by mass, and 10 to 80 It is more preferable that it is a mass %, and it is especially preferable that it is 15-70 mass %, For example, any one of 20-60 mass% and 25-50 mass% may be sufficient. When the said total content ratio is such a range, energy ray curability of a film for protective film formation becomes more favorable.
보호막 형성용 조성물(IV-1)이 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함유하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름에 있어서, 상기 중합체(b)의 함유량은 에너지선 경화성 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 50∼400질량부인 것이 바람직하고, 100∼350질량부인 것이 보다 바람직하며, 150∼300질량부인 것이 특히 바람직하다. 상기 중합체(b)의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써, 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화성이 보다 양호해진다. When the composition (IV-1) for forming a protective film contains the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group, in the composition for forming a protective film (IV-1) and the film for forming a protective film , The content of the polymer (b) is preferably 50 to 400 parts by mass, more preferably 100 to 350 parts by mass, particularly 150 to 300 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the content of the energy ray-curable component (a) desirable. When the content of the polymer (b) is within this range, the energy ray curability of the film for forming a protective film becomes better.
보호막 형성용 조성물(IV-1)은 목적에 따라, 에너지선 경화성 성분(a), 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b) 및 화합물(p) 이외의, 광중합 개시제(c), 충전재(d), 커플링제(e), 가교제(f), 착색제(g), 열경화성 성분(h), 경화 촉진제(i) 및 범용 첨가제(z)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 함유하고 있어도 된다. Depending on the purpose, the composition for forming a protective film (IV-1) is a photopolymerization initiator (c), a filler (d) other than the energy ray-curable component (a), a polymer (b) having no energy ray-curable group, and a compound (p). , Coupling agent (e), crosslinking agent (f), colorant (g), thermosetting component (h), curing accelerator (i) and one or more selected from the group consisting of general-purpose additives (z) do.
예를 들면, 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 열경화성 성분(h)을 함유하는 보호막 형성용 조성물(IV-1)을 사용함으로써, 형성되는 보호막 형성용 필름은 가열에 의해 피착체에 대한 접착력이 향상되고, 이 보호막 형성용 필름으로부터 형성된 보호막의 강도도 향상된다. For example, by using the composition for forming a protective film (IV-1) containing the energy ray-curable component (a) and the thermosetting component (h), the film for forming a protective film formed has an adhesive force to an adherend by heating. The strength of the protective film formed from the film for forming a protective film is also improved.
[광중합 개시제(c)][Photopolymerization initiator (c)]
광중합 개시제(c)로는 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸 및 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온 및 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 및 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설파이드 및 테트라메틸티우람모노설파이드 등의 설파이드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 벤조페논 및 2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질-1-부타논, 에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸3-일]-,1-(O-아세틸옥심) 등의 벤조페논 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논 및; 2-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다. As the photopolymerization initiator (c), for example, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoate and methyl benzoin dimethyl ketal, etc. Benzoin compounds; Acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; Acylphosphine oxide compounds such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; Sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide; Α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenylketone; Azo compounds such as azobisisobutyronitrile; Titanocene compounds such as titanocene; Thioxanthone compounds such as thioxanthone; Benzophenone and 2-(dimethylamino)-1-(4-morpholinophenyl)-2-benzyl-1-butanone, ethanone,1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H Benzophenone compounds such as -carbazol3-yl]-,1-(O-acetyloxime); Peroxide compounds; Diketone compounds such as diacetyl; benzyl; Dibenzyl; 2,4-diethyl thioxanthone; 1,2-diphenylmethane; 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone and; 2-chloroanthraquinone, etc. are mentioned.
또한, 광중합 개시제(c)로는 예를 들면, 1-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 및 아민 등의 광증감제 등을 사용할 수도 있다.Moreover, as a photoinitiator (c), For example, quinone compounds, such as 1-chloro anthraquinone; And photosensitizers such as amines.
보호막 형성용 조성물(IV-1)이 함유하는 광중합 개시제(c)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the photopolymerization initiator (c) contained in the composition for forming a protective film (IV-1), only one type may be used, or two or more types may be used. In the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
광중합 개시제(c)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 광중합 개시제(c)의 함유량은 에너지선 경화성 화합물(a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼15질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼10질량부인 것이 특히 바람직하다. When the photopolymerization initiator (c) is used, in the composition (IV-1) for forming a protective film, the content of the photopolymerization initiator (c) is 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the energy ray-curable compound (a). It is preferable, it is more preferably 0.03 to 15 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 10 parts by mass.
[충전재(d)][Filling material (d)]
보호막 형성용 필름이 충전재(d)를 함유함으로써, 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻어진 보호막은 열팽창 계수의 조정이 용이해진다. 그리고, 이 열팽창 계수를 보호막의 형성 대상물에 대해 최적화함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 보호막 형성용 필름이 충전재(d)를 함유함으로써, 보호막의 흡습율을 저감하거나 방열성을 향상시킬 수도 있다. When the film for forming a protective film contains a filler (d), the protective film obtained by curing the film for forming a protective film can easily adjust the thermal expansion coefficient. Then, by optimizing the coefficient of thermal expansion for the object to be formed of the protective film, the reliability of the package obtained using the composite sheet for forming the protective film is further improved. In addition, when the film for forming a protective film contains a filler (d), the moisture absorption rate of the protective film can be reduced or heat dissipation can be improved.
충전재(d)로는 예를 들면, 열전도성 재료로 이루어지는 것을 들 수 있다. As a filler (d), what consists of a heat conductive material is mentioned, for example.
충전재(d)는 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 하나여도 되나, 무기 충전재인 것이 바람직하다. The filler (d) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler.
바람직한 무기 충전재로는 예를 들면, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티타늄 화이트, 벵갈라, 탄화규소 및 질화붕소 등의 분말; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈; 이들 무기 충전재의 표면 개질품; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유; 및 유리 섬유 등을 들 수 있다. Preferred inorganic fillers include, for example, powders such as silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengala, silicon carbide and boron nitride; Beads in which these inorganic fillers are spheroidized; Surface modified products of these inorganic fillers; Single crystal fibers of these inorganic fillers; And glass fibers.
이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 또는 알루미나인 것이 바람직하다. Among these, it is preferable that the inorganic filler is silica or alumina.
충전재(d)의 평균 입자 직경은 특별히 한정되지 않으나, 0.01∼20㎛인 것이 바람직하고, 0.1∼15㎛인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼10㎛인 것이 특히 바람직하다. 충전재(d)의 평균 입자 직경이 이러한 범위임으로써, 보호막의 형성 대상물에 대한 접착성을 유지하면서, 보호막의 광의 투과율의 저하를 억제할 수 있다. The average particle diameter of the filler (d) is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 20 μm, more preferably 0.1 to 15 μm, and particularly preferably 0.3 to 10 μm. When the average particle diameter of the filler (d) is in this range, a decrease in the light transmittance of the protective film can be suppressed while maintaining adhesion to the object to be formed.
한편, 본 명세서에 있어서 「평균 입자 직경」이란, 특별히 언급이 없는 한, 레이저 회절 산란법에 의해 구해진 입도 분포 곡선에 있어서의, 적산치 50%에서의 입자 직경(D50)의 값을 의미한다. On the other hand, indicates the value of the "average particle diameter" means a particle diameter (D 50) of from, integrated value of 50% in the particle size distribution curve obtained by the laser diffraction scattering method in particular there is no mention in the specification .
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 충전재(d)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) for forming a protective film and the filler (d) contained in the film for forming a protective film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
충전재(d)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 충전재(d)의 함유량 비율(즉, 보호막 형성용 필름의 충전재(d)의 함유량)은 10∼85질량%인 것이 바람직하고, 20∼80질량%인 것이 보다 바람직하며, 30∼75질량%인 것이 특히 바람직하고, 예를 들면, 40∼70질량% 및 45∼65질량% 중 어느 하나여도 된다. 충전재(d)의 함유량이 이러한 범위임으로써, 상기 열팽창 계수의 조정이 보다 용이해진다. When the filler (d) is used, in the composition (IV-1) for forming a protective film, the ratio of the content of the filler (d) to the total content of all components other than the solvent (that is, the filler (d) of the film for forming a protective film) The content of) is preferably 10 to 85% by mass, more preferably 20 to 80% by mass, particularly preferably 30 to 75% by mass, for example, 40 to 70% by mass and 45 to 65% by mass % May be any one. When the content of the filler (d) is within this range, adjustment of the thermal expansion coefficient becomes easier.
[커플링제(e)][Coupling agent (e)]
커플링제(e)로서, 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는 것을 사용함으로써, 보호막 형성용 필름의 피착체에 대한 접착성 및 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 커플링제(e)를 사용함으로써, 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻어진 보호막은 내열성을 저해하지 않고, 내수성이 향상된다. As the coupling agent (e), by using a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound, adhesion and adhesion to the adherend of the film for forming a protective film can be improved. Moreover, by using the coupling agent (e), the protective film obtained by hardening the film for protective film formation does not impair heat resistance, and water resistance is improved.
커플링제(e)는 에너지선 경화성 성분(a), 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다. The coupling agent (e) is preferably a compound having a functional group capable of reacting with a functional group of the energy ray-curable component (a), a polymer (b) having no energy ray-curable group, etc., and more preferably a silane coupling agent.
바람직한 상기 실란 커플링제로는 예를 들면, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 3-글리시딜옥시메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필메틸디에톡시실란, 3-(페닐아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아닐리노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란 및 이미다졸실란 등을 들 수 있다. Preferred silane coupling agents include, for example, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-glycine Cydyloxymethyldiethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-( 2-aminoethylamino)propyltrimethoxysilane, 3-(2-aminoethylamino)propylmethyldiethoxysilane, 3-(phenylamino)propyltrimethoxysilane, 3-anilinopropyltrimethoxysilane, 3 -Ureidopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis(3-triethoxysilylpropyl)tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyltri Ethoxysilane, vinyl trimethoxysilane, vinyl triacetoxysilane, imidazole silane, etc. are mentioned.
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 커플링제(e)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) for forming a protective film and the coupling agent (e) contained in the film for forming a protective film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
커플링제(e)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름에 있어서, 커플링제(e)의 함유량은 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.03∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(d)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 보호막 형성용 필름의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(e)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다. When the coupling agent (e) is used, in the composition for forming a protective film (IV-1) and the film for forming a protective film, the content of the coupling agent (e) is a polymer having no energy ray-curable component (a) and an energy ray-curable group It is preferable that it is 0.03-20 mass parts with respect to 100 mass parts of total content of (b), it is more preferable that it is 0.05-10 mass parts, and it is especially preferable that it is 0.1-5 mass parts. When the content of the coupling agent (e) is greater than or equal to the above lower limit, the use of the coupling agent (e), such as improving the dispersibility of the filler (d) with respect to the resin or improving the adhesion of the protective film forming film to the adherend, etc. The effect is obtained more remarkably. Moreover, generation|occurrence|production of outgas is suppressed more because the said content of the coupling agent (e) is below the said upper limit.
[가교제(f)][Crosslinking system (f)]
가교제(f)를 이용하여, 상술한 에너지선 경화성 성분(a)이나 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 가교함으로써, 보호막 형성용 필름의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다. By crosslinking the above-mentioned energy ray-curable component (a) or the polymer (b) having no energy ray-curable group using the crosslinking agent (f), the initial adhesive strength and cohesive strength of the film for forming a protective film can be adjusted.
가교제(f)로는 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제) 및 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제) 등을 들 수 있다. Examples of the crosslinking agent (f) include an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyimine compound, a metal chelate-based crosslinking agent (a crosslinking agent having a metal chelate structure), an aziridine-based crosslinking agent (a crosslinking agent having an aziridinyl group), and the like.
상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로는 예를 들면, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물 및 지환족 다가 이소시아네이트 화합물(이하, 이들 화합물을 포괄하여 「방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등」으로 약기하는 경우가 있다); 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등의 삼량체, 이소시아누레이트체 및 어덕트체; 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머 등을 들 수 있다. 상기 「어덕트체」는 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물 또는 지환족 다가 이소시아네이트 화합물과, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판 또는 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물의 반응물을 의미한다. 상기 어덕트체의 예로는, 후술하는 바와 같은 트리메틸올프로판의 자일릴렌디이소시아네이트 부가물 등을 들 수 있다. 또한, 「말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머」란, 우레탄 결합을 가짐과 함께, 분자의 말단부에 이소시아네이트기를 갖는 프리폴리머를 의미한다. As said organic polyvalent isocyanate compound, For example, aromatic polyvalent isocyanate compound, aliphatic polyvalent isocyanate compound, and alicyclic polyvalent isocyanate compound (Hereinafter, these compounds may be abbreviated as "aromatic polyvalent isocyanate compound, etc."); Trimers, isocyanurates and adducts such as the aromatic polyvalent isocyanate compounds; And terminal isocyanate urethane prepolymers obtained by reacting the aromatic polyvalent isocyanate compound with a polyol compound. The "adduct" is a reactant of the aromatic polyvalent isocyanate compound, aliphatic polyisocyanate compound or alicyclic polyvalent isocyanate compound, and a low molecular weight active hydrogen-containing compound such as ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane or castor oil. Means Examples of the adducts include xylylenediisocyanate adducts of trimethylolpropane as described later. In addition, "terminal isocyanate urethane prepolymer" means a prepolymer having a urethane bond and having an isocyanate group at the terminal end of the molecule.
상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로서, 보다 구체적으로는 예를 들면, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트; 2,6-톨릴렌디이소시아네이트; 1,3-자일릴렌디이소시아네이트; 1,4-자일렌디이소시아네이트; 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트; 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트; 이소포론디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트; 트리메틸올프로판 등의 폴리올의 전부 또는 일부의 수산기에 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 및 자일릴렌디이소시아네이트 중 어느 1종 또는 2종 이상이 부가된 화합물; 및 리신디이소시아네이트 등을 들 수 있다. As said organic polyvalent isocyanate compound, More specifically, for example, 2,4-tolylene diisocyanate; 2,6-tolylene diisocyanate; 1,3-xylylenediisocyanate; 1,4-xylenediisocyanate; Diphenylmethane-4,4'-diisocyanate; Diphenylmethane-2,4'-diisocyanate; 3-methyldiphenylmethane diisocyanate; Hexamethylene diisocyanate; Isophorone diisocyanate; Dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate; Dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate; A compound in which any one or two or more of tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and xylylene diisocyanate are added to hydroxyl groups of all or part of a polyol such as trimethylolpropane; And lysine diisocyanate.
상기 유기 다가 이민 화합물로는 예를 들면, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트 및 N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다. Examples of the organic polyimine compound include N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinyl propionate, And tetramethylolmethane-tri-β-aziridinylpropionate and N,N'-toluene-2,4-bis(1-aziridinecarboxamide) triethylenemelamine.
가교제(f)로서 유기 다가 이소시아네이트 화합물을 사용하는 경우, 에너지선 경화성 성분(a) 또는 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는, 수산기 함유 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 가교제(f)가 이소시아네이트기를 갖고, 에너지선 경화성 성분(a) 또는 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)가 수산기를 갖는 경우, 가교제(f)와 에너지선 경화성 성분(a) 또는 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 반응에 의해, 보호막 형성용 필름에 가교 구조를 간편하게 도입할 수 있다. When an organic polyvalent isocyanate compound is used as the crosslinking agent (f), it is preferable to use a hydroxyl group-containing polymer as the energy ray-curable component (a) or the polymer (b) having no energy ray-curable group. When the crosslinking agent (f) has an isocyanate group and the energy ray-curable component (a) or the polymer (b) without an energy ray-curable group has a hydroxyl group, the crosslinking agent (f) and the energy ray-curable component (a) or the energy ray-curable group By the reaction of the polymer (b) not having, a crosslinked structure can be easily introduced into the film for forming a protective film.
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 가교제(f)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the composition (IV-1) for forming a protective film and the crosslinking agent (f) contained in the film for forming a protective film, only 1 type may be sufficient, and 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these may be arbitrarily selected.
가교제(f)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 가교제(f)의 함유량은 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.5∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 가교제(f)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 가교제(f)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 가교제(f)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 가교제(f)의 과잉 사용이 억제된다. When the crosslinking agent (f) is used, in the composition for forming a protective film (IV-1), the content of the crosslinking agent (f) is the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group 100 It is preferable that it is 0.01-20 mass parts with respect to mass part, it is more preferable that it is 0.1-10 mass parts, and it is especially preferable that it is 0.5-5 mass parts. When the said content of crosslinking agent (f) is more than the said lower limit, the effect by using crosslinking agent (f) is obtained more remarkably. Moreover, when the said content of crosslinking agent (f) is below the said upper limit, excessive use of crosslinking agent (f) is suppressed.
[착색제(g)][Colorant (g)]
착색제(g)로는 예를 들면, 무기계 안료, 유기계 안료 및 유기계 염료 등, 공지의 것을 들 수 있다. As a coloring agent (g), well-known things, such as an inorganic type pigment, an organic type pigment, and an organic type dye, are mentioned, for example.
상기 유기계 안료 및 유기계 염료로는 예를 들면, 아미늄계 색소, 시아닌계 색소, 메로시아닌계 색소, 크로코늄계 색소, 스쿠아릴륨계 색소, 아즈레늄계 색소, 폴리메틴계 색소, 나프토퀴논계 색소, 피릴륨계 색소, 프탈로시아닌계 색소, 나프탈로시아닌계 색소, 나프토락탐계 색소, 아조계 색소, 축합 아조계 색소, 인디고계 색소, 페리논계 색소, 페릴렌계 색소, 디옥사진계 색소, 퀴나크리돈계 색소, 이소인돌리논계 색소, 퀴노프탈론계 색소, 피롤계 색소, 티오인디고계 색소, 금속 착체계 색소(금속 착염 염료), 디티올 금속 착체계 색소, 인돌페놀계 색소, 트리아릴메탄계 색소, 안트라퀴논계 색소, 나프톨계 색소, 아조메틴계 색소, 벤즈이미다졸론계 색소, 피란트론계 색소 및 스렌계 색소 등을 들 수 있다. Examples of the organic pigments and organic dyes include, for example, aluminum-based dyes, cyanine-based dyes, merocyanine-based dyes, croconium-based dyes, squarylium-based dyes, azurenium-based dyes, polymethine-based dyes, and naphthoquinone-based dyes. , Pyryllium pigment, phthalocyanine pigment, naphthalocyanine pigment, naphtholactam pigment, azo pigment, condensed azo pigment, indigo pigment, perinone pigment, perylene pigment, dioxazine pigment, quinacridone pigment, Isoindolinone pigment, quinophthalone pigment, pyrrole pigment, thioindigo pigment, metal complex pigment (metal complex dye), dithiol metal complex pigment, indolphenol pigment, triarylmethane pigment, anthra And quinone-based dyes, naphthol-based dyes, azomethine-based dyes, benzimidazole-based dyes, pyrantrone-based dyes, and styrene-based dyes.
상기 무기계 안료로는 예를 들면, 카본 블랙, 코발트계 색소, 철계 색소, 크롬계 색소, 티타늄계 색소, 바나듐계 색소, 지르코늄계 색소, 몰리브덴계 색소, 루테늄계 색소, 백금계 색소, ITO(인듐주석옥사이드)계 색소 및 ATO(안티몬주석옥사이드)계 색소 등을 들 수 있다. Examples of the inorganic pigment include carbon black, cobalt pigment, iron pigment, chromium pigment, titanium pigment, vanadium pigment, zirconium pigment, molybdenum pigment, ruthenium pigment, platinum pigment, and ITO (Indium Tin oxide) pigments and ATO (antimony tin oxide) pigments.
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 착색제(g)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) for forming a protective film and the colorant (g) contained in the film for forming a protective film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
착색제(g)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름의 착색제(g)의 함유량은 목적에 따라 적절히 조절하면 된다. 예를 들면, 착색제(g)의 함유량을 조절해, 보호막의 광투과성을 조절함으로써, 인자 시인성을 조절하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 착색제(g)의 함유량 비율(즉, 보호막 형성용 필름의 착색제(g)의 함유량)은 0.1∼10질량%인 것이 바람직하고, 0.4∼7.5질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.8∼5질량%인 것이 특히 바람직하다. 착색제(g)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 착색제(g)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 착색제(g)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 착색제(g)의 과잉 사용이 억제된다. When the coloring agent (g) is used, the content of the protective film forming composition (IV-1) and the coloring agent (g) of the protective film forming film may be appropriately adjusted according to the purpose. For example, by controlling the content of the colorant (g) and controlling the light transmittance of the protective film to control the printing visibility, in the composition for forming a protective film (IV-1), the total content of all components other than the solvent The content ratio of the colorant (g) to (ie, the content of the colorant (g) of the film for forming a protective film) is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 0.4 to 7.5% by mass, and 0.8 to 5% by mass It is particularly preferred to be. When the said content of the coloring agent (g) is more than the said lower limit, the effect by using a coloring agent (g) is obtained more remarkably. Moreover, excessive use of the coloring agent (g) is suppressed by the said content of the coloring agent (g) being below the said upper limit.
[열경화성 성분(h)][Thermosetting component (h)]
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 열경화성 성분(h)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) for forming a protective film and the thermosetting component (h) contained in the film for forming a protective film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
열경화성 성분(h)으로는 예를 들면, 에폭시계 열경화성 수지, 열경화성 폴리이미드, 폴리우레탄, 불포화 폴리에스테르 및 실리콘 수지 등을 들 수 있고, 에폭시계 열경화성 수지가 바람직하다. Examples of the thermosetting component (h) include epoxy-based thermosetting resins, thermosetting polyimides, polyurethanes, unsaturated polyesters, and silicone resins, and epoxy-based thermosetting resins are preferred.
(에폭시계 열경화성 수지)(Epoxy watch thermosetting resin)
에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지(h1) 및 열경화제(h2)로 이루어진다. The epoxy-based thermosetting resin is composed of an epoxy resin (h1) and a thermosetting agent (h2).
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 에폭시계 열경화성 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition for forming a protective film (IV-1) and the epoxy-based thermosetting resin contained in the film for forming a protective film may be one type, or two or more types, and when two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
·에폭시 수지(h1)·Epoxy resin (h1)
에폭시 수지(h1)로는, 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르 및 그 수첨물, 오쏘크레졸노볼락 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 및 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등의, 2관능 이상의 에폭시 화합물을 들 수 있다. As an epoxy resin (h1), a well-known thing is mentioned, For example, a polyfunctional epoxy resin, a biphenyl compound, bisphenol A diglycidyl ether and its additive, orthocresol novolak epoxy resin, dicyclopenta And bifunctional or higher epoxy compounds such as diene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, and phenylene skeleton type epoxy resins.
에폭시 수지(h1)로는, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지는 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 에폭시 수지보다 아크릴계 수지와의 상용성이 높다. 이 때문에, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상된다. As the epoxy resin (h1), an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group may be used. The epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group has higher compatibility with an acrylic resin than an epoxy resin having no unsaturated hydrocarbon group. For this reason, the reliability of the package obtained using the composite sheet for forming a protective film is improved by using an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group.
불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지의 에폭시기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 변환되어 이루어지는 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은 예를 들면, 에폭시기에 (메타)아크릴산 또는 그 유도체를 부가 반응시킴으로써 얻어진다. As an epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group, the compound formed by converting a part of the epoxy group of a polyfunctional epoxy resin into a group which has an unsaturated hydrocarbon group is mentioned, for example. Such a compound is obtained, for example, by adding (meth)acrylic acid or a derivative thereof to an epoxy group.
또한, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는 예를 들면, 에폭시 수지를 구성하는 방향 고리 등에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합한 화합물 등을 들 수 있다. Moreover, as an epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group, the compound etc. which the group which has an unsaturated hydrocarbon group directly couple|bonded with the aromatic ring which comprises an epoxy resin etc. are mentioned, for example.
불포화 탄화수소기는 중합성을 갖는 불포화기이며, 그 구체적인 예로는, 에테닐기(비닐기라고도 한다), 2-프로페닐기(알릴기라고도 한다), (메타)아크릴로일기 및 (메타)아크릴아미드기 등을 들 수 있고, 아크릴로일기가 바람직하다. The unsaturated hydrocarbon group is a polymerizable unsaturated group, and specific examples thereof include an ethenyl group (also called a vinyl group), a 2-propenyl group (also called an allyl group), a (meth)acryloyl group, and a (meth)acrylamide group. And an acryloyl group.
에폭시 수지(h1)의 수평균 분자량은 특별히 한정되지 않으나, 보호막 형성용 필름의 경화성, 그리고 보호막의 강도 및 내열성의 점에서, 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하며, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다. The number average molecular weight of the epoxy resin (h1) is not particularly limited, but from the viewpoint of the curability of the film for forming a protective film and the strength and heat resistance of the protective film, it is preferably 300 to 30000, more preferably 400 to 10000, 500 It is especially preferable to be 3,000.
본 명세서에 있어서, 「수평균 분자량」은 특별히 언급하지 않는 한, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값으로 나타내는 수평균 분자량을 의미한다. In the present specification, "number average molecular weight" means a number average molecular weight represented by a standard polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC), unless otherwise specified.
에폭시 수지(h1)의 에폭시 당량은 100∼1000g/eq인 것이 바람직하고, 150∼800g/eq인 것이 보다 바람직하다. The epoxy equivalent of the epoxy resin (h1) is preferably 100 to 1000 g/eq, and more preferably 150 to 800 g/eq.
본 명세서에 있어서, 「에폭시 당량」이란 1그램 당량의 에폭시기를 포함하는 에폭시 화합물의 그램 수(g/eq)를 의미하며, JIS K 7236:2001의 방법에 따라 측정할 수 있다. In the present specification, "epoxy equivalent" means the number of grams (g/eq) of an epoxy compound containing 1 gram equivalent of an epoxy group, and can be measured according to the method of JIS K 7236:2001.
에폭시 수지(h1)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. Epoxy resin (h1) may be used alone or in combination of two or more, and when two or more are used in combination, the combination and proportion thereof may be arbitrarily selected.
·열경화제(h2)·Heat curing agent (h2)
열경화제(h2)는 에폭시 수지(h1)에 대한 경화제로서 기능한다. The thermosetting agent (h2) functions as a curing agent for the epoxy resin (h1).
열경화제(h2)로는 예를 들면, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기로는 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기 및 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하고, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다. The thermosetting agent (h2) includes, for example, a compound having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in one molecule. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group and a group in which an acid group is anhydride, and a phenolic hydroxyl group, an amino group, or an acid group in anhydride is preferred, and is preferably phenolic. It is more preferable that it is a hydroxyl group or an amino group.
열경화제(h2) 중, 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제로는 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지 및 아랄킬페놀 수지 등을 들 수 있다. Among the thermosetting agents (h2), examples of the phenolic curing agent having a phenolic hydroxyl group include polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolac-type phenolic resins, dicyclopentadiene-based phenolic resins, and aralkylphenolic resins. Can.
열경화제(h2) 중, 아미노기를 갖는 아민계 경화제로는 예를 들면, 디시안디아미드 등을 들 수 있다. Among the thermosetting agents (h2), examples of the amine-based curing agent having an amino group include dicyandiamide and the like.
열경화제(h2)는 불포화 탄화수소기를 갖는 것이어도 된다. The thermosetting agent (h2) may have an unsaturated hydrocarbon group.
불포화 탄화수소기를 갖는 열경화제(h2)로는 예를 들면, 페놀 수지의 수산기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 치환되어 이루어지는 화합물, 및 페놀 수지의 방향 고리에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합하여 이루어지는 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the thermosetting agent (h2) having an unsaturated hydrocarbon group include, for example, a compound formed by partially replacing a hydroxyl group of a phenol resin with a group having an unsaturated hydrocarbon group, and a compound formed by directly bonding a group having an unsaturated hydrocarbon group to the aromatic ring of the phenol resin. Can be lifted.
열경화제(h2)에 있어서의 상기 불포화 탄화수소기는 상술한 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지에 있어서의 불포화 탄화수소기와 동일한 것이다. The unsaturated hydrocarbon group in the thermosetting agent (h2) is the same as the unsaturated hydrocarbon group in the epoxy resin having the aforementioned unsaturated hydrocarbon group.
열경화제(h2)로서 페놀계 경화제를 사용하는 경우에는, 보호막의 지지 시트로부터의 박리성이 향상되는 점에서, 열경화제(h2)는 연화점 또는 유리 전이 온도가 높은 것이 바람직하다. When a phenolic curing agent is used as the heat curing agent (h2), it is preferable that the heat curing agent (h2) has a high softening point or a glass transition temperature, since the peelability from the support sheet of the protective film is improved.
본 명세서에 있어서 「유리 전이 온도」란, 시차 주사 열량계를 이용하여, 시료의 DSC 곡선을 측정하고, 얻어진 DSC 곡선의 변곡점의 온도로 나타낸다. In the present specification, the “glass transition temperature” refers to a DSC curve of a sample using a differential scanning calorimeter, and is represented by the temperature of the inflection point of the obtained DSC curve.
열경화제(h2) 중, 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 아랄킬페놀 수지 등의 수지 성분의 수평균 분자량은 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하며, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다. Among the thermosetting agents (h2), for example, the number average molecular weight of resin components such as polyfunctional phenol resin, novolak type phenol resin, dicyclopentadiene-based phenol resin, and aralkylphenol resin is preferably 300 to 30000 , It is more preferably 400 to 10000, and particularly preferably 500 to 3000.
열경화제(h2) 중, 예를 들면, 비페놀, 디시안디아미드 등의 비수지 성분의 분자량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 60∼500인 것이 바람직하다. In the thermosetting agent (h2), for example, the molecular weight of the non-resin component such as biphenol and dicyandiamide is not particularly limited, but is preferably 60 to 500, for example.
열경화제(h2)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As the thermosetting agent (h2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination, and when two or more types are used in combination, the combination and ratio thereof may be arbitrarily selected.
열경화성 성분(h)을 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름에 있어서, 열경화제(h2)의 함유량은 에폭시 수지(h1)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하다. When the thermosetting component (h) is used, in the composition for forming a protective film (IV-1) and the film for forming a protective film, the content of the thermosetting agent (h2) is 0.01 to 100 parts by mass of the content of the epoxy resin (h1) It is preferably 20 parts by mass.
열경화성 성분(h)을 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름에 있어서, 열경화성 성분(h)의 함유량(예를 들면, 에폭시 수지(h1) 및 열경화제(h2)의 총 함유량)은 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 함유량 100질량부에 대해, 1∼500질량부인 것이 바람직하다. When a thermosetting component (h) is used, in the composition for forming a protective film (IV-1) and the film for forming a protective film, the content of the thermosetting component (h) (for example, epoxy resin (h1) and thermosetting agent (h2) The total content of) is preferably 1 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the polymer (b) having no energy ray-curable group.
[경화 촉진제(i)][Hardening accelerator (i)]
경화 촉진제(i)는 보호막 형성용 필름의 경화 속도를 조정하기 위한 성분이다. The curing accelerator (i) is a component for adjusting the curing rate of the film for forming a protective film.
바람직한 경화 촉진제(i)로는 예를 들면, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올 및 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 및 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀 및 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류; 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트 및 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다. Preferred curing accelerators (i) include, for example, tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol and tris(dimethylaminomethyl)phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5 -Imidazoles such as hydroxymethyl imidazole; Organic phosphine such as tributylphosphine, diphenylphosphine and triphenylphosphine; And tetraphenyl boron salts such as tetraphenyl phosphonium tetraphenyl borate and triphenylphosphine tetraphenyl borate.
경화 촉진제(i)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The curing accelerator (i) may be used alone, or two or more may be used in combination, and when two or more are used in combination, the combination and proportion thereof may be arbitrarily selected.
경화 촉진제(i)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름의 경화 촉진제(i)의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 병용하는 성분에 따라 적절히 선택하면 된다. In the case of using the curing accelerator (i), the content of the curing accelerator (i) of the protective film forming composition (IV-1) and the protective film forming film is not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the components used in combination.
[범용 첨가제(z)][Universal additive (z)]
범용 첨가제(z)는 공지의 것이어도 되고, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있어 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 게터링제 등을 들 수 있다. The general-purpose additive (z) may be a known one, and may be arbitrarily selected according to the purpose, and is not particularly limited, and examples thereof include a plasticizer, an antistatic agent, an antioxidant, and a gettering agent.
보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 범용 첨가제(z)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) for forming a protective film and the general-purpose additive (z) contained in the film for forming a protective film may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
범용 첨가제(z)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물(IV-1) 및 보호막 형성용 필름의 범용 첨가제(z)의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다. When using the general-purpose additive (z), the content of the general-purpose additive (z) of the protective film-forming composition (IV-1) and the protective film-forming film is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the purpose.
[용매][menstruum]
보호막 형성용 조성물(IV-1)은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 보호막 형성용 조성물(IV-1)은 취급성이 양호해진다. It is preferable that the composition for forming a protective film (IV-1) further contains a solvent. The composition (IV-1) for forming a protective film containing a solvent has good handleability.
상기 용매는 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올) 및 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤 및 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다. The solvent is not particularly limited, and preferred examples include hydrocarbons such as toluene and xylene; Alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol) and 1-butanol; Esters such as ethyl acetate; Ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; Ethers such as tetrahydrofuran; And amides (compounds having amide bonds) such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone.
보호막 형성용 조성물(IV-1)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The solvent contained in the protective film-forming composition (IV-1) may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
보호막 형성용 조성물(IV-1)이 함유하는 용매는 보호막 형성용 조성물(IV-1) 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤, 톨루엔 또는 초산에틸 등인 것이 바람직하다. The solvent contained in the protective film-forming composition (IV-1) is preferably methyl ethyl ketone, toluene, ethyl acetate, or the like, because the components contained in the protective film-forming composition (IV-1) can be more uniformly mixed.
<<보호막 형성용 조성물의 제조 방법>><<The manufacturing method of a composition for forming a protective film>>
보호막 형성용 조성물(IV-1) 등의 보호막 형성용 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다. The composition for forming a protective film, such as the composition for forming a protective film (IV-1), is obtained by blending each component for constituting it.
각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다. The order of addition when mixing each component is not particularly limited, and two or more components may be added simultaneously.
용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외의 어느 하나의 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되고, 용매 이외의 어느 하나의 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다. In the case of using a solvent, the solvent may be mixed with any other blending component other than the solvent to dilute the blending component in advance, or may be used without diluting any blending component other than the solvent in advance. You may use it by mixing with these compounding components.
배합시 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다. The method of mixing each component when blending is not particularly limited, and a method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade or the like; A method of mixing using a mixer; You may select suitably from well-known methods, such as the method of adding and mixing ultrasonic waves.
각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도 그리고 시간은 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되나, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다. The temperature and time at the time of addition and mixing of each component are not particularly limited as long as each component is not deteriorated, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30°C.
◇보호막 형성용 필름의 제조 방법◇Method of manufacturing a film for forming a protective film
상기 보호막 형성용 필름은 박리 필름(바람직하게는, 그 박리 처리면) 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때의 제조 방법은 앞서 설명한 바와 같다. The film for forming a protective film can be prepared by coating a composition for forming a protective film on a release film (preferably, its peeling treatment surface) and drying it as necessary. The manufacturing method at this time is as described above.
한편, 보호막 형성용 필름은 예를 들면, 도 1에 나타내는 바와 같이, 통상, 그 양면에 박리 필름이 첩합된 상태로 보관된다. 이를 위해서는, 상기와 같이 박리 필름 상에 형성한 보호막 형성용 필름의 노출면(박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측 면)에 추가로 박리 필름(바람직하게는, 그 박리 처리면)을 첩합하면 된다. On the other hand, the film for forming a protective film is, for example, as shown in Fig. 1, usually stored in a state where a release film is pasted on both sides. To this end, if a peeling film (preferably, the peeling treatment surface) is added to the exposed surface of the film for forming a protective film (the side opposite to the side having the peeling film) formed on the peeling film as described above, do.
◇보호막 형성용 필름의 사용 방법◇How to use the film for forming a protective film
상기 보호막 형성용 필름은 상술한 바와 같이, 지지 시트 상에 형성함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 구성할 수 있다. 보호막 형성용 복합 시트는 그 보호막 형성용 필름에 의해, 반도체 웨이퍼의 이면(전극 형성면과는 반대측 면)에 첩부된다. 이후, 이 상태로부터, 후술하는 제조 방법에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩 및 반도체 장치를 제조할 수 있다. As described above, the film for forming a protective film can be formed on a supporting sheet to form a composite sheet for forming a protective film. The composite sheet for forming a protective film is affixed to the back surface of the semiconductor wafer (a surface opposite to the electrode forming surface) by the film for forming a protective film. Then, from this state, a target semiconductor chip and a semiconductor device can be manufactured by a manufacturing method described later.
한편, 상기 보호막 형성용 필름은 지지 시트가 아닌, 반도체 웨이퍼의 이면에 우선 형성해도 된다. 예를 들면, 우선, 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부하고, 이 보호막 형성용 필름의 노출면(반도체 웨이퍼에 첩부되어 있는 측과는 반대측 면)에 지지 시트를 첩합하거나, 또는 이 첩부한 상태의 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여, 경화시켜 보호막으로 한 후, 이 보호막의 노출면(반도체 웨이퍼에 첩부되어 있는 측과는 반대측 면)에 지지 시트를 첩합하여, 보호막 형성용 복합 시트로 한다. 이후, 이 상태로부터, 후술하는 제조 방법에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩 및 반도체 장치를 제조할 수 있다. On the other hand, the film for forming a protective film may be first formed on the back surface of the semiconductor wafer, not the support sheet. For example, first, a film for forming a protective film is affixed to the back surface of a semiconductor wafer, and a support sheet is affixed to the exposed surface of the film for forming a protective film (a side opposite to the side affixed to the semiconductor wafer), or this affix After the energy ray is irradiated to the film for forming a protective film in one state, cured to form a protective film, a supporting sheet is bonded to the exposed surface of the protective film (the side opposite to the side affixed to the semiconductor wafer) to form a protective film composite Sheet. Then, from this state, a target semiconductor chip and a semiconductor device can be manufactured by a manufacturing method described later.
◇보호막 형성용 복합 시트◇Composite sheet for protective film formation
본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트는 지지 시트를 구비하고, 상기 지지 시트 상에 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 것이다. The composite sheet for forming a protective film according to one embodiment of the present invention includes a support sheet, and is provided with the film for forming a protective film on the support sheet.
본 발명에 있어서는, 보호막 형성용 필름이 경화한 후여도, 지지 시트 및 보호막 형성용 필름의 경화물(환언하면, 지지 시트 및 보호막)의 적층 구조가 유지되어 있는 한, 이 적층 구조체를 「보호막 형성용 복합 시트」로 칭한다. In the present invention, even after the film for forming a protective film is cured, as long as the laminated structure of the cured product of the support sheet and the film for forming a protective film (in other words, the support sheet and the protective film) is maintained, this laminated structure is formed as "protective film formation. Dragon Composite Sheet”.
본 발명의 보호막 형성용 복합 시트의 사용 대상인 반도체 웨이퍼의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 후술하는 반도체 칩으로의 분할이 보다 용이해지는 점에서는, 30∼1000㎛인 것이 바람직하고, 100∼400㎛인 것이 보다 바람직하다. The thickness of the semiconductor wafer to be used for the composite sheet for forming a protective film of the present invention is not particularly limited, but is preferably 30 to 1000 µm, and 100 to 400 µm, in terms of easier division into semiconductor chips described later. It is more preferable.
이하, 보호막 형성용 복합 시트의 구성에 대해, 상세하게 설명한다. Hereinafter, the structure of the composite sheet for forming a protective film will be described in detail.
◎지지 시트◎ Support sheet
상기 지지 시트는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 지지 시트가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다. The support sheet may be composed of one layer (single layer), or may be composed of two or more layers. When a support sheet consists of multiple layers, these multiple layers may mutually be same or different, and the combination of these multiple layers is not specifically limited, unless the effect of this invention is impaired.
바람직한 지지 시트로는 예를 들면, 기재를 구비하고, 상기 기재 상에 점착제층이 직접 접촉하여 적층되어 이루어지는 것(기재 및 점착제층이 이 순서로 직접 접촉하여 적층되어 이루어지는 것); 기재, 중간층 및 점착제층이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 직접 접촉하여 적층되어 이루어지는 것; 기재만으로 이루어지는 것 등을 들 수 있다. Preferred support sheets include, for example, provided with a substrate, and the pressure-sensitive adhesive layer is directly contacted and laminated on the substrate (the base material and the pressure-sensitive adhesive layer are directly contacted and laminated in this order); A base material, an intermediate layer and a pressure-sensitive adhesive layer are laminated in this order in direct contact in their thickness direction; And things consisting of only a substrate.
본 발명의 보호막 형성용 복합 시트의 예를 이러한 지지 시트의 종류마다, 이하, 도면을 참조하면서 설명한다. Examples of the composite sheet for forming a protective film of the present invention will be described below with reference to the drawings for each type of the support sheet.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to an embodiment of the present invention.
한편, 도 2 이후의 도에 있어서, 이미 설명된 도면에 나타내는 것과 동일한 구성요소에는, 그 설명된 도면의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다. On the other hand, in the drawings after FIG. 2, the same components as those shown in the already described drawings are given the same reference numerals as in the case of the described drawings, and detailed description thereof is omitted.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)는 기재(11)를 구비하고, 기재(11) 상에 점착제층(12)을 구비하며, 점착제층(12) 상에 보호막 형성용 필름(13)을 구비하고 있다. 지지 시트(10)는 기재(11) 및 점착제층(12)의 적층체이며, 보호막 형성용 복합 시트(1A)는 환언하면, 지지 시트(10)의 한쪽 표면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(10a) 상에 보호막 형성용 필름(13)이 적층된 구성을 갖는다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트(1A)는 추가로 보호막 형성용 필름(13) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다. The
보호막 형성용 복합 시트(1A)에 있어서는, 기재(11)의 한쪽 표면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(11a)에 점착제층(12)이 적층되고, 점착제층(12)의 한쪽 표면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(12a)의 전면에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되며, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)의 일부, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a) 중 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 면과, 지그용 접착제층(16)의 표면(16a)(상면 및 측면)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. In the composite sheet for forming a
보호막 형성용 복합 시트(1A)에 있어서, 보호막 형성용 필름(13)은 에너지선 경화성이며, 상술한 점착력 및 전단 강도의 조건을 만족한다. In the
지그용 접착제층(16)은 예를 들면, 접착제 성분을 함유하는 단층 구조의 것이어도 되고, 심재가 되는 시트의 양면에 접착제 성분을 함유하는 층이 적층된 복수층 구조의 것이어도 된다. The
도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로, 지그용 접착제층(16)의 표면(16a) 중 상면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. In the
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to another embodiment of the present invention.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1B)는 지그용 접착제층(16)을 구비하지 않은 점 이외에는, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)와 동일하다. 즉, 보호막 형성용 복합 시트(1B)에 있어서는, 기재(11)의 제1 면(11a)에 점착제층(12)이 적층되고, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 전면에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되며, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)의 전면에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. The
보호막 형성용 복합 시트(1B)에 있어서, 보호막 형성용 필름(13)은 에너지선 경화성이며, 상술한 점착력 및 전단 강도의 조건을 만족한다. In the
도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1B)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a) 중, 중앙측 일부 영역에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로, 주연부 근방의 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. The
도 4는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 4 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to another embodiment of the present invention.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1C)는 점착제층(12)을 구비하지 않은 점 이외에는, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)와 동일하다. 즉, 보호막 형성용 복합 시트(1C)에 있어서는, 지지 시트(10)가 기재(11)만으로 이루어진다. 그리고, 기재(11)의 제1 면(11a)(지지 시트(10)의 제1 면(10a))에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)의 일부, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되며, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a) 중 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 영역과, 지그용 접착제층(16)의 표면(16a)(상면 및 측면)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. The
보호막 형성용 복합 시트(1C)에 있어서, 보호막 형성용 필름(13)은 에너지선 경화성이며, 상술한 점착력 및 전단 강도의 조건을 만족한다. In the
도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1C)는 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)와 동일하게, 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로, 지그용 접착제층(16)의 표면(16a) 중 상면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. The
도 5는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 5 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to another embodiment of the present invention.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1D)는 지그용 접착제층(16)을 구비하지 않은 점 이외에는, 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1C)와 동일하다. 즉, 보호막 형성용 복합 시트(1D)에 있어서는, 기재(11)의 제1 면(11a)에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)의 전면에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. The
보호막 형성용 복합 시트(1D)에 있어서, 보호막 형성용 필름(13)은 에너지선 경화성이며, 상술한 점착력 및 전단 강도의 조건을 만족한다. In the
도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1D)는 도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1B)와 동일하게, 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a) 중, 중앙측 일부 영역에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로, 주연부 근방의 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. The
도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 6 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to another embodiment of the present invention.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1E)는 보호막 형성용 필름의 형상이 상이한 점 이외에는, 도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1B)와 동일한 것이다. 즉, 보호막 형성용 복합 시트(1E)는 기재(11)를 구비하고, 기재(11) 상에 점착제층(12)을 구비하며, 점착제층(12) 상에 보호막 형성용 필름(23)을 구비하여 이루어진다. 지지 시트(10)는 기재(11) 및 점착제층(12)의 적층체이며, 보호막 형성용 복합 시트(1E)는 환언하면, 지지 시트(10)의 제1 면(10a) 상에 보호막 형성용 필름(23)이 적층된 구성을 갖는다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트(1E)는 추가로 보호막 형성용 필름(23) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다. The composite sheet for forming a
보호막 형성용 복합 시트(1E)에 있어서는, 기재(11)의 제1 면(11a)에 점착제층(12)이 적층되고, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 일부, 즉, 중앙측 영역에 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있다. 그리고, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있지 않은 영역과, 보호막 형성용 필름(23)의 표면(23a)(상면 및 측면) 상에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. In the
보호막 형성용 복합 시트(1E)를 상방으로부터 내려다 보아 평면으로 보았을 때, 보호막 형성용 필름(23)은 점착제층(12)보다 표면적이 작고, 예를 들면, 원 형상 등의 형상을 갖는다. When the
보호막 형성용 복합 시트(1E)에 있어서, 보호막 형성용 필름(23)은 에너지선 경화성이며, 상술한 점착력 및 전단 강도의 조건을 만족한다. In the
도 6에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1E)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(23)의 표면(23a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있지 않은 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. In the
한편, 도 6에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1E)에 있어서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있지 않은 영역에 도 2 및 도 4에 나타내는 것과 동일하게 지그용 접착제층이 적층되어 있어도 된다(도시 생략). 이러한 지그용 접착제층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트(1E)는 도 2 및 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트와 동일하게, 지그용 접착제층의 표면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. On the other hand, in the
이와 같이, 보호막 형성용 복합 시트는 지지 시트 및 보호막 형성용 필름이 어떠한 형태여도, 지그용 접착제층을 구비한 것이어도 된다. 단, 통상은 도 2 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 지그용 접착제층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트로는, 보호막 형성용 필름 상에 지그용 접착제층을 구비한 것이 바람직하다. In this way, the composite sheet for forming a protective film may be provided with an adhesive layer for a jig even if the support sheet and the film for forming a protective film are in any form. However, as shown in Figs. 2 and 4, as a composite sheet for forming a protective film provided with an adhesive layer for jigs, it is preferable to provide an adhesive layer for jigs on a film for forming a protective film.
본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트는 도 2∼도 6에 나타내는 것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 2∼도 6에 나타내는 것의 일부 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 지금까지 설명한 것에 또 다른 구성이 추가된 것이어도 된다. The composite sheet for forming a protective film according to one embodiment of the present invention is not limited to those shown in Figs. 2 to 6, and some configurations of those shown in Figs. 2 to 6 are changed within a range that does not impair the effects of the present invention. Alternatively, it may be deleted, or another configuration may be added to the ones described so far.
예를 들면, 도 4 및 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 기재(11)와 보호막 형성용 필름(13) 사이에 중간층이 형성되어 있어도 된다. 중간층으로는, 목적에 따라 임의의 것을 선택할 수 있다. For example, in the composite sheet for forming a protective film shown in FIGS. 4 and 5, an intermediate layer may be formed between the
또한, 도 2, 도 3 및 도 6에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 기재(11)와 점착제층(12) 사이에 중간층이 형성되어 있어도 된다. 즉, 본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 지지 시트는 기재, 중간층 및 점착제층이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 이루어지는 것이어도 된다. 여기서 중간층이란, 도 4 및 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서 형성되어 있어도 되는 중간층과 동일하다. In addition, in the composite sheet for forming a protective film shown in FIGS. 2, 3 and 6, an intermediate layer may be formed between the base 11 and the pressure-
또한, 도 2∼도 6에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 상기 중간층 이외의 층이 임의의 지점에 형성되어 있어도 된다. In addition, in the composite sheet for forming a protective film shown in FIGS. 2 to 6, layers other than the intermediate layer may be formed at any point.
또한, 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 박리 필름과, 이 박리 필름과 직접 접촉하고 있는 층 사이에 일부 간극이 생성되어 있어도 된다. In addition, in the composite sheet for forming a protective film, some gaps may be formed between the release film and the layer in direct contact with the release film.
또한, 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 각 층의 크기나 형상은 목적에 따라 임의로 조절할 수 있다. In addition, in the composite sheet for forming a protective film, the size and shape of each layer can be arbitrarily adjusted according to the purpose.
본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 후술하는 바와 같이, 점착제층 등의, 지지 시트의 보호막 형성용 필름과 직접 접촉하고 있는 층이 비에너지선 경화성인 것이 바람직하다. 이러한 보호막 형성용 복합 시트는 보호막이 형성된 반도체 칩의 보다 용이한 픽업을 가능하게 한다. In the composite sheet for forming a protective film of the present invention, as will be described later, it is preferable that a layer in direct contact with the film for forming a protective film of the support sheet, such as an adhesive layer, is non-energy ray curable. Such a composite sheet for forming a protective film enables easier pickup of a semiconductor chip on which the protective film is formed.
지지 시트는 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다. The support sheet may be transparent, opaque, or colored depending on the purpose.
그 중에서도, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 본 발명에 있어서는, 지지 시트는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. Especially, in this invention in which the film for protective film formation has energy ray curability, it is preferable that a support sheet transmits energy rays.
예를 들면, 지지 시트에 있어서, 파장 375㎚인 광의 투과율은 30% 이상인 것이 바람직하고, 50% 이상인 것이 보다 바람직하며, 70% 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 광의 투과율이 이러한 범위임으로써, 지지 시트를 개재하여 보호막 형성용 필름에 에너지선(자외선)을 조사했을 때, 보호막 형성용 필름의 경화도가 보다 향상된다. For example, in the support sheet, the transmittance of light having a wavelength of 375 nm is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 70% or more. When the transmittance of the light is in this range, when the film for forming a protective film is irradiated with energy rays (ultraviolet rays) through a support sheet, the degree of curing of the film for forming a protective film is further improved.
한편, 지지 시트에 있어서, 파장 375㎚인 광의 투과율의 상한값은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 광의 투과율은 95% 이하여도 된다. On the other hand, in the support sheet, the upper limit of the transmittance of light having a wavelength of 375 nm is not particularly limited. For example, the transmittance of the light may be 95% or less.
또한, 지지 시트에 있어서, 파장 532㎚인 광의 투과율은 30% 이상인 것이 바람직하고, 50% 이상인 것이 보다 바람직하며, 70% 이상인 것이 특히 바람직하다. Moreover, in the support sheet, the transmittance of light having a wavelength of 532 nm is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 70% or more.
상기 광의 투과율이 이러한 범위임으로써, 지지 시트를 개재하여 보호막 형성용 필름 또는 보호막에 레이저광을 조사하여 이들에 인자했을 때, 보다 명료하게 인자할 수 있다. When the transmittance of the light is in this range, when the film for protective film formation or the protective film is irradiated with laser light through the support sheet and printed thereon, printing can be performed more clearly.
한편, 지지 시트에 있어서, 파장 532㎚인 광의 투과율의 상한값은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 광의 투과율은 95% 이하여도 된다. On the other hand, in the support sheet, the upper limit of the transmittance of light having a wavelength of 532 nm is not particularly limited. For example, the transmittance of the light may be 95% or less.
또한, 지지 시트에 있어서, 파장 1064㎚인 광의 투과율은 30% 이상인 것이 바람직하고, 50% 이상인 것이 보다 바람직하며, 70% 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 광의 투과율이 이러한 범위임으로써, 지지 시트를 개재하여 보호막 형성용 필름 또는 보호막에 레이저광을 조사하여 이들에 인자했을 때, 보다 명료하게 인자할 수 있다. Moreover, in the support sheet, the transmittance of light having a wavelength of 1064 nm is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 70% or more. When the transmittance of the light is in this range, when the film for protective film formation or the protective film is irradiated with laser light through the support sheet and printed thereon, printing can be performed more clearly.
한편, 지지 시트에 있어서, 파장 1064㎚인 광의 투과율의 상한값은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 광의 투과율은 95% 이하여도 된다. On the other hand, in the support sheet, the upper limit of the transmittance of light having a wavelength of 1064 nm is not particularly limited. For example, the transmittance of the light may be 95% or less.
또한, 지지 시트에 있어서, 파장 1342㎚인 광의 투과율은 30% 이상인 것이 바람직하고, 50% 이상인 것이 보다 바람직하며, 70% 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 광의 투과율이 이러한 범위임으로써, 지지 시트와, 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 개재하여 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사하여, 반도체 웨이퍼에 개질층을 보다 용이하게 형성할 수 있다. Moreover, in the support sheet, the transmittance of light having a wavelength of 1342 nm is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 70% or more. When the transmittance of the light is in this range, the semiconductor wafer may be irradiated with laser light through a support sheet and a film or protective film for forming a protective film, and the modified layer may be more easily formed on the semiconductor wafer.
한편, 지지 시트에 있어서, 파장 1342㎚인 광의 투과율의 상한값은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 광의 투과율은 95% 이하여도 된다. On the other hand, in the support sheet, the upper limit of the transmittance of light having a wavelength of 1342 nm is not particularly limited. For example, the transmittance of the light may be 95% or less.
이어서, 지지 시트를 구성하는 각 층에 대해, 추가로 상세하게 설명한다. Next, each layer constituting the support sheet will be described in further detail.
○기재○ List
상기 기재는 시트형 또는 필름형이며, 그 구성 재료로는 예를 들면, 각종 수지를 들 수 있다. The base material is in the form of a sheet or a film, and examples of the constituent materials include various resins.
상기 수지로는 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 및 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 등의 폴리에틸렌; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐 및 노르보르넨 수지 등의 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀; 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체 및 에틸렌-노르보르넨 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체(모노머로서 에틸렌을 사용하여 얻어진 공중합체); 폴리염화비닐 및 염화비닐 공중합체 등의 염화비닐계 수지(모노머로서 염화비닐을 사용하여 얻어진 수지); 폴리스티렌; 폴리시클로올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복시레이트 및 모든 구성 단위가 방향족 고리형기를 갖는 전체 방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르; 2종 이상의 상기 폴리에스테르의 공중합체; 폴리(메타)아크릴산에스테르; 폴리우레탄; 폴리우레탄아크릴레이트; 폴리이미드; 폴리아미드; 폴리카보네이트; 불소 수지; 폴리아세탈; 변성 폴리페닐렌옥시드; 폴리페닐렌설파이드; 폴리술폰; 및 폴리에테르케톤 등을 들 수 있다. Examples of the resin include polyethylene such as low density polyethylene (LDPE), straight chain low density polyethylene (LLDPE), and high density polyethylene (HDPE); Polyolefins other than polyethylene, such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, and norbornene resins; Ethylene-based copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer, and ethylene-norbornene copolymer (copolymer obtained by using ethylene as a monomer) ; Vinyl chloride resins such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymers (resin obtained using vinyl chloride as a monomer); polystyrene; Polycycloolefin; Polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, and all aromatic polyesters in which all constituent units have aromatic cyclic groups; Copolymers of two or more of the above polyesters; Poly(meth)acrylic acid esters; Polyurethane; Polyurethane acrylate; Polyimide; Polyamide; Polycarbonate; Fluorine resin; Polyacetal; Modified polyphenylene oxide; Polyphenylene sulfide; Polysulfone; And polyether ketones.
또한, 상기 수지로는 예를 들면, 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 혼합물 등의 폴리머 알로이도 들 수 있다. 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 폴리머 알로이는 폴리에스테르 이외의 수지의 양이 비교적 소량인 것이 바람직하다. Further, examples of the resin include polymer alloys such as a mixture of the polyester and other resins. It is preferable that the polymer alloy of the above-mentioned polyester and other resins has a relatively small amount of resin other than polyester.
또한, 상기 수지로는 예를 들면, 여기까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상이 가교된 가교 수지; 여기까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상을 사용한 아이오노머 등의 변성 수지도 들 수 있다. Moreover, as said resin, For example, the 1 or 2 or more types of the crosslinked resin which the above-mentioned resin demonstrated above were bridge|crosslinked; And modified resins such as ionomers using one or two or more of the resins exemplified so far.
기재를 구성하는 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The resin constituting the base material may be one kind, or two or more kinds, and in the case of two or more kinds, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. The base material may be composed of one layer (single layer), or may be composed of a plurality of layers of two or more layers, and in the case of a plurality of layers, these multiple layers may be the same or different from each other, and the combination of these multiple layers is not particularly limited. Does not.
기재의 두께는 50∼300㎛인 것이 바람직하고, 60∼100㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재의 두께가 이러한 범위임으로써, 상기 보호막 형성용 복합 시트의 가요성과, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 첩부성이 보다 향상된다. The thickness of the substrate is preferably 50 to 300 μm, and more preferably 60 to 100 μm. When the thickness of the substrate is in this range, the flexibility of the composite sheet for forming a protective film and the adhesion to a semiconductor wafer or semiconductor chip are further improved.
여기서, 「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란, 기재를 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다. Here, "the thickness of the base material" means the thickness of the entire base material, and, for example, the thickness of the base material composed of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the base material.
기재는 두께의 정밀도가 높은 것, 즉, 부위에 상관없이 두께의 편차가 억제된 것이 바람직하다. 상술한 구성 재료 중, 이러한 두께의 정밀도가 높은 기재를 구성하는데 사용 가능한 재료로는 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에틸렌-초산비닐 공중합체 등을 들 수 있다. It is preferable that the substrate has high precision in thickness, that is, variation in thickness is suppressed regardless of the portion. Among the above-mentioned constituent materials, materials that can be used for constructing a substrate having high precision of such thickness include, for example, polyethylene, polyolefins other than polyethylene, polyethylene terephthalate, and ethylene-vinyl acetate copolymers.
기재는 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에, 충전재, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The base material may contain various known additives such as fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, organic lubricants, catalysts, and softeners (plasticizers) in addition to the main constituent materials such as the resin.
기재의 광학 특성은 앞서 설명한 지지 시트의 광학 특성을 만족하게 되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 기재는 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 되고, 다른 층이 증착되어 있어도 된다. It is preferable that the optical properties of the substrate satisfy the optical properties of the support sheet described above. For example, the substrate may be transparent, opaque, colored depending on the purpose, or another layer may be deposited.
그리고, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 본 발명에 있어서는, 기재는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. In addition, in the present invention in which the film for forming a protective film has energy ray curability, it is preferable that the substrate transmits energy rays.
기재는 그 위에 형성되는 점착제층 등의 다른 층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리나, 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리 및 열풍 처리 등의 산화 처리 등이 표면에 실시된 것이어도 된다. In order to improve the adhesion with other layers such as a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon, the substrate is subjected to an uneven treatment by sand blasting, solvent treatment, corona discharge treatment, electron beam irradiation treatment, plasma treatment, ozone/ultraviolet irradiation treatment, Oxidation treatments, such as flame treatment, chromic acid treatment, and hot air treatment, may be applied to the surface.
또한, 기재는 표면이 프라이머 처리가 실시된 것이어도 된다. Moreover, the surface of the base material may have been subjected to a primer treatment.
또한, 기재는 대전 방지 코트층; 보호막 형성용 복합 시트를 중첩시켜 보존할 때, 기재가 다른 시트에 접착되는 것이나, 기재가 흡착 테이블에 접착되는 것을 방지하는 층 등을 갖는 것이어도 된다. In addition, the base material is an antistatic coat layer; When the composite sheet for forming a protective film is superimposed and stored, the substrate may adhere to another sheet, or may have a layer or the like that prevents the substrate from adhering to the adsorption table.
기재는 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지를 함유하는 기재는 상기 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다. The base material can be produced by a known method. For example, a base material containing a resin can be produced by molding a resin composition containing the resin.
○점착제층○Adhesive layer
상기 점착제층은 시트형 또는 필름형이며, 점착제를 함유한다. The pressure-sensitive adhesive layer is in the form of a sheet or a film, and contains an adhesive.
상기 점착제로는 예를 들면, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르 및 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의 점착성 수지를 들 수 있고, 아크릴계 수지가 바람직하다. Examples of the pressure-sensitive adhesive include acrylic resins, urethane-based resins, rubber-based resins, silicone-based resins, epoxy-based resins, adhesive resins such as polyvinyl ether and polycarbonate, and ester-based resins, and acrylic resins are preferred.
한편, 본 발명에 있어서, 「점착성 수지」란, 점착성을 갖는 수지와 접착성을 갖는 수지 양쪽을 포함하는 개념이며, 예를 들면, 수지 자체가 점착성을 갖는 것뿐만 아니라, 첨가제 등의 다른 성분과의 병용에 의해 점착성을 나타내는 수지나, 열 또는 물 등의 트리거의 존재에 의해 접착성을 나타내는 수지 등도 포함한다. On the other hand, in the present invention, "adhesive resin" is a concept including both a resin having an adhesive property and a resin having an adhesive property. For example, not only the resin itself has adhesive properties, but also other components such as additives It also includes resins exhibiting tackiness by using together, resins exhibiting tackiness due to the presence of a trigger such as heat or water.
점착제층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. The pressure-sensitive adhesive layer may be composed of one layer (single layer), or may be composed of a plurality of layers of two or more layers, and in the case of a plurality of layers, these multiple layers may be the same or different from each other, and the combination of these multiple layers is particularly limited. Does not work.
점착제층의 두께는 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 1∼60㎛인 것이 보다 바람직하며, 1∼30㎛인 것이 특히 바람직하다. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 1 to 100 μm, more preferably 1 to 60 μm, and particularly preferably 1 to 30 μm.
여기서, 「점착제층의 두께」란, 점착제층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 점착제층의 두께란, 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다. Here, the "thickness of the adhesive layer" means the entire thickness of the pressure-sensitive adhesive layer, and, for example, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer composed of multiple layers means the total thickness of all the layers constituting the pressure-sensitive adhesive layer.
점착제층의 광학 특성은 앞서 설명한 지지 시트의 광학 특성을 만족하게 되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 점착제층은 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다. It is preferable that the optical properties of the pressure-sensitive adhesive layer satisfy the optical properties of the support sheet described above. For example, the pressure-sensitive adhesive layer may be transparent or opaque, and may be colored depending on the purpose.
그리고, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 본 발명에 있어서는, 점착제층은 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. Further, in the present invention in which the film for forming a protective film has energy ray curability, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer transmits energy rays.
점착제층은 에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 것이어도 되고, 비에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 것이어도 된다. 에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 점착제층은 경화 전 및 경화 후에 대한 물성을 용이하게 조절할 수 있다. The pressure-sensitive adhesive layer may be formed using an energy ray curable pressure sensitive adhesive, or may be formed using a non-energy ray curable pressure sensitive adhesive. The pressure-sensitive adhesive layer formed by using an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive can easily control physical properties before and after curing.
<<점착제 조성물>><<adhesive composition>>
점착제층은 점착제를 함유하는 점착제 조성물 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 형성 대상면에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 점착제층을 형성할 수 있다. 점착제층의 보다 구체적인 형성 방법은 다른 층의 형성 방법과 함께, 나중에 상세하게 설명한다. 점착제 조성물 중의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량 비율은 통상, 점착제층의 상기 성분끼리의 함유량 비율과 동일해진다. The pressure-sensitive adhesive layer can be formed using a pressure-sensitive adhesive composition containing a pressure-sensitive adhesive. For example, the pressure-sensitive adhesive layer can be formed on a target site by coating the pressure-sensitive adhesive composition on the surface to be formed of the pressure-sensitive adhesive layer and drying it as necessary. A more specific method of forming the pressure-sensitive adhesive layer will be described in detail later along with the method of forming another layer. In the pressure-sensitive adhesive composition, the content ratio of components that are not vaporized at room temperature is usually the same as the content ratio of the components in the pressure-sensitive adhesive layer.
점착제 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 마이어 바 코터 및 키스 코터 등의 각종 코터를 사용하는 방법을 들 수 있다. Coating of the pressure-sensitive adhesive composition may be carried out by a known method, for example, air knife coater, blade coater, bar coater, gravure coater, roll coater, roll knife coater, curtain coater, die coater, knife coater, screen coater, myer bar And a method of using various coaters such as a coater and a kiss coater.
점착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않으나, 점착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 점착제 조성물은 예를 들면, 70∼130℃에서 10초간∼5분간의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다. The drying conditions of the pressure-sensitive adhesive composition are not particularly limited, but when the pressure-sensitive adhesive composition contains a solvent described later, it is preferable to heat-dry. It is preferable to dry the pressure-sensitive adhesive composition containing a solvent, for example, at 70 to 130° C. for 10 seconds to 5 minutes.
점착제층이 에너지선 경화성인 경우, 에너지선 경화성 점착제를 함유하는 점착제 조성물, 즉, 에너지선 경화성 점착제 조성물로는 예를 들면, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)(이하, 「점착성 수지(I-1a)」로 약기하는 경우가 있다)와 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-1); 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)(이하, 「점착성 수지(I-2a)」로 약기하는 경우가 있다)를 함유하는 점착제 조성물(I-2); 상기 점착성 수지(I-2a)와 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-3) 등을 들 수 있다. When the pressure-sensitive adhesive layer is an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition containing an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, that is, as the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition, for example, non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) (hereinafter, ``adhesive resin ( I-1a)” and the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) containing an energy ray-curable compound; Contains the energy ray-curable adhesive resin (I-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a) (hereinafter sometimes abbreviated as "adhesive resin (I-2a)"). Pressure-sensitive adhesive composition (I-2); And an adhesive composition (I-3) containing the adhesive resin (I-2a) and an energy ray-curable compound.
<점착제 조성물(I-1)><Adhesive composition (I-1)>
상기 점착제 조성물(I-1)은 상술한 바와 같이, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)와 에너지선 경화성 화합물을 함유한다. As described above, the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains a non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a) and an energy ray-curable compound.
[점착성 수지(I-1a)][Adhesive resin (I-1a)]
상기 점착성 수지(I-1a)는 아크릴계 수지인 것이 바람직하다. It is preferable that the said adhesive resin (I-1a) is an acrylic resin.
상기 아크릴계 수지로는 예를 들면, 적어도 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 중합체를 들 수 있다. As said acryl-type resin, the acryl-type polymer which has a structural unit derived from (meth)acrylic-acid alkylester at least is mentioned, for example.
상기 아크릴계 수지가 갖는 구성 단위는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the structural unit which the said acrylic resin has, only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로는 예를 들면, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기의 탄소수가 1∼20인 것을 들 수 있고, 상기 알킬기는 선형 또는 분지형인 것이 바람직하다. Examples of the (meth)acrylic acid alkyl ester include those having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group constituting the alkyl ester, and the alkyl group is preferably linear or branched.
(메타)아크릴산알킬에스테르로서, 보다 구체적으로는, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴이라고도 한다), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸이라고도 한다), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸이라고도 한다), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴이라고도 한다), (메타)아크릴산노나데실 및 (메타)아크릴산이코실 등을 들 수 있다. As the (meth)acrylic acid alkyl ester, more specifically, (meth)methyl acrylate, (meth)ethyl acrylate, (meth)acrylic acid n-propyl, (meth)isopropyl acrylate, (meth)n-butyl acrylate, (meth) )Isobutyl acrylate, (meth)acrylic acid sec-butyl, (meth)acrylic acid tert-butyl, (meth)pentyl acrylate, (meth)acrylic acid hexyl, (meth)acrylic acid heptyl, (meth)acrylic acid 2-ethylhexyl, (meth) )Isooctyl acrylate, n-octyl (meth)acrylate, n-nonyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate (( (Meta) acrylic acid lauryl), (meth)acrylic acid tridecyl, (meth)acrylic acid tetradecyl (also called (meth)acrylic acid myristyl), (meth)acrylic acid pentadecyl, (meth)acrylic acid hexadecyl ((meth)) And also called palmityl acrylate), (meth)acrylic acid heptadecyl, (meth)acrylic acid octadecyl (also called (meth)acrylic acid stearyl), (meth)acrylic acid nonadecyl, and (meth)acrylic acid icosyl.
점착제층의 점착력이 향상되는 점에서, 상기 아크릴계 중합체는 상기 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. 그리고, 점착제층의 점착력이 보다 향상되는 점에서, 상기 알킬기의 탄소수는 4∼12인 것이 바람직하고, 4∼8인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메타)아크릴산알킬에스테르는 메타크릴산알킬에스테르인 것이 바람직하다. From the viewpoint of improving the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer, it is preferable that the acrylic polymer has a structural unit derived from (meth)acrylic acid alkyl ester having 4 or more carbon atoms in the alkyl group. In addition, from the viewpoint of further improving the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer, the carbon number of the alkyl group is preferably 4 to 12, and more preferably 4 to 8. In addition, it is preferable that the (meth)acrylic acid alkyl ester having 4 or more carbon atoms in the alkyl group is a methacrylic acid alkyl ester.
상기 아크릴계 중합체는 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에 추가로, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. It is preferable that the said acrylic polymer has a structural unit derived from a functional group containing monomer in addition to the structural unit derived from (meth)acrylic acid alkylester.
상기 관능기 함유 모노머로는 예를 들면, 상기 관능기가 후술하는 가교제와 반응함으로써 가교의 기점이 되거나 상기 관능기가 후술하는 불포화기 함유 화합물중의 불포화기와 반응함으로써, 아크릴계 중합체의 측쇄에 불포화기의 도입을 가능하게 하는 것을 들 수 있다. As the functional group-containing monomer, for example, introduction of an unsaturated group into the side chain of an acrylic polymer by, for example, the functional group reacting with a crosslinking agent described below to become a starting point for crosslinking or reacting with an unsaturated group in an unsaturated group-containing compound described below. And what makes it possible.
관능기 함유 모노머 중 상기 관능기로는 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 아미노기 및 에폭시기 등을 들 수 있다. Among the functional group-containing monomers, examples of the functional group include hydroxyl groups, carboxyl groups, amino groups, and epoxy groups.
즉, 관능기 함유 모노머로는 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머 및 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. That is, examples of the functional group-containing monomer include hydroxyl group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers, amino group-containing monomers, and epoxy group-containing monomers.
상기 수산기 함유 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸 및 (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산히드록시알킬; 비닐알코올 및 알릴알코올 등의 비(메타)아크릴계 불포화 알코올((메타)아크릴로일 골격을 갖지 않는 불포화 알코올) 등을 들 수 있다. Examples of the hydroxyl group-containing monomer include (meth)acrylic acid hydroxymethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxypropyl, and (meth) (Meth)acrylic acid hydroxyalkyl, such as 2-hydroxybutyl acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; And non-(meth)acrylic unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol (unsaturated alcohols having no (meth)acryloyl skeleton).
상기 카르복시기 함유 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산 및 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노카르복실산); 푸마르산, 이타콘산, 말레산 및 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 디카르복실산); 상기 에틸렌성 불포화 디카르복실산의 무수물; 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등의 (메타)아크릴산카르복시알킬에스테르 등을 들 수 있다. Examples of the carboxyl group-containing monomers include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid (monocarboxylic acids having ethylenically unsaturated bonds); Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid (dicarboxylic acids having ethylenically unsaturated bonds); Anhydride of the ethylenically unsaturated dicarboxylic acid; And (meth)acrylic acid carboxyalkyl esters such as 2-carboxyethyl methacrylate.
관능기 함유 모노머는 수산기 함유 모노머 및 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다. The functional group-containing monomer is preferably a hydroxyl group-containing monomer and a carboxyl group-containing monomer, and more preferably a hydroxyl group-containing monomer.
상기 아크릴계 중합체를 구성하는 관능기 함유 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the functional group containing monomer which comprises the said acrylic polymer, only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these may be arbitrarily selected.
상기 아크릴계 중합체에 있어서, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유량은 구성 단위의 전체량에 대해, 1∼35질량%인 것이 바람직하고, 2∼32질량%인 것이 보다 바람직하며, 3∼30질량%인 것이 특히 바람직하다. In the acrylic polymer, the content of the structural unit derived from the functional group-containing monomer is preferably 1 to 35% by mass, more preferably 2 to 32% by mass, and more preferably 3 to 30% by mass, relative to the total amount of the structural units. It is particularly preferred to be.
상기 아크릴계 중합체는 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 및 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 다른 모노머 유래의 구성 단위를 갖고 있어도 된다. The said acrylic polymer may have a structural unit derived from another monomer other than the structural unit derived from the (meth)acrylic-acid alkylester and the functional group-containing monomer.
상기 다른 모노머는 (메타)아크릴산알킬에스테르 등과 공중합 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다. The other monomer is not particularly limited as long as it is copolymerizable with (meth)acrylic acid alkyl ester and the like.
상기 다른 모노머로는 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 초산비닐, 아크릴로니트릴 및 아크릴아미드 등을 들 수 있다. Examples of the other monomers include styrene, α-methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide.
상기 아크릴계 중합체를 구성하는 상기 다른 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the said other monomer which comprises the said acrylic polymer, only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these may be arbitrarily selected.
상기 아크릴계 중합체는 상술한 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)로서 사용할 수 있다. The acrylic polymer can be used as the above-mentioned non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a).
한편, 상기 아크릴계 중합체 중의 관능기에 에너지선 중합성 불포화기(에너지선 중합성기)를 갖는 불포화기 함유 화합물을 반응시킨 것은 상술한 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)로서 사용할 수 있다. On the other hand, the reaction of the functional group in the acrylic polymer with an unsaturated group-containing compound having an energy ray polymerizable unsaturated group (energy ray polymerizable group) can be used as the above-mentioned energy ray curable adhesive resin (I-2a).
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 점착성 수지(I-1a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the adhesive resin (I-1a) contained in the adhesive composition (I-1), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-1)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한, 점착성 수지(I-1a)의 함유량은 5∼99질량%인 것이 바람직하고, 10∼95질량%인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량%인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the content of the pressure-sensitive resin (I-1a) relative to the total content of components other than the solvent is preferably 5 to 99 mass%, more preferably 10 to 95 mass%, It is particularly preferably 15 to 90% by mass.
[에너지선 경화성 화합물][Energy ray curable compound]
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다. Examples of the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) include a monomer or oligomer that has an energy ray-polymerizable unsaturated group and is curable by irradiation with energy rays.
에너지선 경화성 화합물 중, 모노머로는 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트 및 1,6-헥산디올(메타)아크릴레이트 등의 다가 (메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트; 폴리에스테르(메타)아크릴레이트; 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 및 에폭시(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Among the energy ray-curable compounds, examples of the monomer include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, Polyvalent (meth)acrylates such as 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate and 1,6-hexanediol (meth)acrylate; Urethane (meth)acrylate; Polyester (meth)acrylate; Polyether (meth)acrylate; And epoxy (meth)acrylates.
에너지선 경화성 화합물 중, 올리고머로는 예를 들면, 상기로 예시한 모노머가 중합하여 이루어지는 올리고머 등을 들 수 있다. Among the energy ray-curable compounds, for example, oligomers formed by polymerizing the monomers exemplified above are mentioned as oligomers.
에너지선 경화성 화합물은 분자량이 비교적 크고, 점착제층의 저장 탄성률을 저하시키기 어렵다는 점에서는, 우레탄(메타)아크릴레이트 및 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다. Urethane (meth)acrylates and urethane (meth)acrylate oligomers are preferred because the energy ray-curable compound has a relatively high molecular weight and is difficult to lower the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
상기 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 상기 점착제 조성물(I-1)의 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대해, 1∼95질량%인 것이 바람직하고, 5∼90질량%인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량%인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the content of the energy ray-curable compound is preferably 1 to 95% by mass, based on the total content of components other than the solvent of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), and 5 to It is more preferable that it is 90 mass %, and it is especially preferable that it is 10 to 85 mass %.
[가교제][Crosslinking system]
점착성 수지(I-1a)로서, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-1)은 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. When using the acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from the (meth)acrylic acid alkyl ester as the adhesive resin (I-1a), the adhesive composition (I-1) is additionally It is preferable to contain a crosslinking agent.
상기 가교제는 예를 들면, 상기 관능기와 반응하여, 점착성 수지(I-1a)끼리를 가교하는 것이다. The crosslinking agent, for example, reacts with the functional group to crosslink adhesive resins (I-1a).
가교제로는 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 및 이들 디이소시아네이트의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제(이소시아네이트기를 갖는 가교제); 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제(글리시딜기를 갖는 가교제); 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제); 알루미늄 킬레이트 등의 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제); 이소시아누레이트계 가교제(이소시아눌산 골격을 갖는 가교제) 등을 들 수 있다. Examples of the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents (crosslinking agents having an isocyanate group) such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, and adducts of these diisocyanates; Epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether (crosslinking agents having a glycidyl group); Aziridine-based crosslinking agents such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatrizine (crosslinking agent having an aziridinyl group); Metal chelate-based crosslinking agents such as aluminum chelate (crosslinking agents having a metal chelate structure); And isocyanurate-based crosslinking agents (crosslinking agents having an isocyanuric acid skeleton).
점착제의 응집력을 향상시켜 점착제층의 점착력을 향상시키는 점 및 입수가 용이함 등의 점에서, 가교제는 이소시아네이트계 가교제인 것이 바람직하다. It is preferable that the crosslinking agent is an isocyanate-based crosslinking agent from the viewpoint of improving the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive to improve the adhesion of the pressure-sensitive adhesive layer and ease of availability.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
상기 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼20질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼15질량부인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the content of the cross-linking agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 20 parts by mass, and more preferably 0.3 to 100 parts by mass relative to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-1a). It is especially preferable that it is -15 parts by mass.
[광중합 개시제][Photopolymerization initiator]
점착제 조성물(I-1)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-1)은 자외선 등의 비교적 저에너지인 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may further contain a photopolymerization initiator. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) containing a photopolymerization initiator sufficiently undergoes a curing reaction even when irradiated with relatively low energy energy rays such as ultraviolet rays.
상기 광중합 개시제로는 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸 및 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온 및 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 및 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설파이드 및 테트라메틸티우람모노설파이드 등의 설파이드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 및 2-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다. Examples of the photopolymerization initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, and benzoin dimethyl ketal. Phosphorus compounds; Acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; Acylphosphine oxide compounds such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; Sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide; Α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenylketone; Azo compounds such as azobisisobutyronitrile; Titanocene compounds such as titanocene; Thioxanthone compounds such as thioxanthone; Peroxide compounds; Diketone compounds such as diacetyl; benzyl; Dibenzyl; Benzophenone; 2,4-diethyl thioxanthone; 1,2-diphenylmethane; 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone; And 2-chloroanthraquinone.
또한, 상기 광중합 개시제로는 예를 들면, 1-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 아민 등의 광증감제 등을 사용할 수도 있다. Moreover, as said photoinitiator, For example, quinone compounds, such as 1-chloro anthraquinone; It is also possible to use photosensitizers such as amines.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the photoinitiator contained in the adhesive composition (I-1), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-1)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the content of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.03 to 10 parts by mass, and more preferably 0.05 to 5 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the content of the energy ray-curable compound. It is particularly preferable that it is a mass part.
[그 밖의 첨가제][Other additives]
점착제 조성물(I-1)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain other additives that do not correspond to any of the above-described components within a range that does not impair the effects of the present invention.
상기 그 밖의 첨가제로는 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전재(필러), 방청제, 착색제(안료, 염료), 증감제, 점착 부여제, 반응 지연제 및 가교 촉진제(촉매) 등의 공지의 첨가제를 들 수 있다. Examples of the other additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers (fillers), rust inhibitors, colorants (pigments, dyes), sensitizers, tackifiers, reaction retarders and crosslinking accelerators (catalysts) ) And well-known additives.
한편, 반응 지연제란, 예를 들면, 점착제 조성물(I-1) 중에 혼입되어 있는 촉매의 작용에 의해, 보존 중의 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 목적으로 하지 않는 가교 반응이 진행되는 것을 억제하는 것이다. 반응 지연제로는 예를 들면, 촉매에 대한 킬레이트에 의해 킬레이트 착체를 형성하는 것을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 1분자 중에 카르보닐기(-C(=O)-)를 2개 이상 갖는 것을 들 수 있다. On the other hand, the reaction retardant means that, for example, an undesired crosslinking reaction proceeds in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) under the action of the catalyst mixed in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1). It is to suppress. Examples of the reaction retarding agent include forming a chelate complex by chelation with respect to the catalyst, and more specifically, those having two or more carbonyl groups (-C(=O)-) in one molecule are mentioned. have.
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 그 밖의 첨가제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the other additives contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), only one type may be used, or two or more types thereof may be used, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-1)에 있어서, 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the content of other additives is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the type.
[용매][menstruum]
점착제 조성물(I-1)은 용매를 함유하고 있어도 된다. 점착제 조성물(I-1)은 용매를 함유하고 있음으로써, 도공 대상면에 대한 도공 적성이 향상된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain a solvent. Since the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains a solvent, coating suitability to a coating target surface is improved.
상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하고, 상기 유기 용매로는 예를 들면, 메틸에틸케톤 및 아세톤 등의 케톤; 초산에틸 등의 에스테르(카르복실산에스테르); 테트라히드로푸란 및 디옥산 등의 에테르; 시클로헥산 및 n-헥산 등의 지방족 탄화수소; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소; 1-프로판올 및 2-프로판올 등의 알코올 등을 들 수 있다. The solvent is preferably an organic solvent, and examples of the organic solvent include ketones such as methyl ethyl ketone and acetone; Esters such as ethyl acetate (carboxylic acid ester); Ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; Aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane and n-hexane; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; And alcohols such as 1-propanol and 2-propanol.
상기 용매로는 예를 들면, 점착성 수지(I-1a)의 제조시 사용한 것을 점착성 수지(I-1a)로부터 제거하지 않고, 그대로 점착제 조성물(I-1)에 있어서 사용해도 되고, 점착성 수지(I-1a)의 제조시 사용한 것과 동일 또는 상이한 종류의 용매를 점착제 조성물(I-1)의 제조시 별도 첨가해도 된다. As the above-mentioned solvent, for example, the one used in the production of the adhesive resin (I-1a) may not be removed from the adhesive resin (I-1a), and may be used in the adhesive composition (I-1) as it is, and the adhesive resin (I A solvent of the same or different type as that used in the preparation of -1a) may be added separately in the preparation of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
점착제 조성물(I-1)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the solvent contained in the adhesive composition (I-1), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-1)에 있어서, 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 적절히 조절하면 된다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the content of the solvent is not particularly limited and may be appropriately adjusted.
<점착제 조성물(I-2)><Adhesive composition (I-2)>
상기 점착제 조성물(I-2)은 상술한 바와 같이, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)를 함유한다. As described above, the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) contains an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a).
[점착성 수지(I-2a)][Adhesive resin (I-2a)]
상기 점착성 수지(I-2a)는 예를 들면, 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기에 에너지선 중합성 불포화기를 갖는 불포화기 함유 화합물을 반응시킴으로써 얻어진다. The said adhesive resin (I-2a) is obtained by making the functional group in the adhesive resin (I-1a) react with the unsaturated group containing compound which has an energy ray polymerizable unsaturated group, for example.
상기 불포화기 함유 화합물은 상기 에너지선 중합성 불포화기 이외에, 추가로 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 반응함으로써, 점착성 수지(I-1a)와 결합 가능한 기를 갖는 화합물이다. The unsaturated group-containing compound is a compound having a group capable of bonding with the adhesive resin (I-1a) by reacting with a functional group in the adhesive resin (I-1a) in addition to the energy ray polymerizable unsaturated group.
상기 에너지선 중합성 불포화기로는 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기(에테닐기라고도 한다) 및 알릴기(2-프로페닐기라고도 한다) 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기가 바람직하다. Examples of the energy ray polymerizable unsaturated group include (meth)acryloyl group, vinyl group (also referred to as ethenyl group) and allyl group (also referred to as 2-propenyl group), and (meth)acryloyl group. Is preferred.
점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 결합 가능한 기로는 예를 들면, 수산기 또는 아미노기와 결합 가능한 이소시아네이트기 및 글리시딜기, 그리고 카르복시기 또는 에폭시기와 결합 가능한 수산기 및 아미노기 등을 들 수 있다. Examples of the group that can be bonded to the functional group in the adhesive resin (I-1a) include, for example, an isocyanate group and a glycidyl group that can be bonded to a hydroxyl group or an amino group, and a hydroxyl group and an amino group that can be bonded to a carboxy group or an epoxy group.
상기 불포화기 함유 화합물로는 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트 및 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Examples of the unsaturated group-containing compound include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, and glycidyl (meth)acrylate.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 점착성 수지(I-2a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the adhesive resin (I-2a) contained in the adhesive composition (I-2), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-2)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 질량에 대한, 점착성 수지(I-2a)의 함유량은 5∼99질량%인 것이 바람직하고, 10∼95질량%인 것이 보다 바람직하며, 10∼90질량%인 것이 특히 바람직하다. In the adhesive composition (I-2), the content of the adhesive resin (I-2a) with respect to the total mass of components other than the solvent is preferably 5 to 99 mass%, more preferably 10 to 95 mass%, , It is particularly preferably 10 to 90% by mass.
[가교제][Crosslinking system]
점착성 수지(I-2a)로서 예를 들면, 점착성 수지(I-1a)에 있어서의 것과 동일한, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-2)은 추가로 가교제를 함유하고 있어도 된다. When using the said acrylic polymer which has the structural unit derived from the functional group containing monomer same as what is in an adhesive resin (I-1a), for example as an adhesive resin (I-2a), an adhesive composition (I-2) is You may contain a crosslinking agent further.
점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 가교제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 가교제와 동일한 것을 들 수 있다. As said crosslinking agent in an adhesive composition (I-2), the thing similar to the crosslinking agent in an adhesive composition (I-1) is mentioned.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
상기 점착제 조성물(I-2)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼20질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼15질량부인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-2), the content of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 20 parts by mass, and preferably 0.3 to 20 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the adhesive resin (I-2a). It is especially preferable that it is -15 parts by mass.
[광중합 개시제][Photopolymerization initiator]
점착제 조성물(I-2)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-2)은 자외선 등의 비교적 저에너지인 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may further contain a photopolymerization initiator. The pressure-sensitive adhesive composition (I-2) containing a photopolymerization initiator sufficiently undergoes a curing reaction even when irradiated with relatively low energy energy rays such as ultraviolet rays.
점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 광중합 개시제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다. As said photoinitiator in an adhesive composition (I-2), the thing similar to the photoinitiator in an adhesive composition (I-1) is mentioned.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the photoinitiator contained in the adhesive composition (I-2), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-2)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. In the adhesive composition (I-2), the content of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.03 to 10 parts by mass, and more preferably 0.05 to 10 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-2a). It is especially preferable that it is -5 parts by mass.
[그 밖의 첨가제][Other additives]
점착제 조성물(I-2)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may contain other additives that do not correspond to any of the above-mentioned components within a range that does not impair the effects of the present invention.
점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 그 밖의 첨가제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 밖의 첨가제와 동일한 것을 들 수 있다. As said other additive in an adhesive composition (I-2), the thing similar to the other additives in an adhesive composition (I-1) is mentioned.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 그 밖의 첨가제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the other additives contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2), only one type may be used, or two or more types thereof may be used, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-2)에 있어서, 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-2), the content of other additives is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the type.
[용매][menstruum]
점착제 조성물(I-2)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다. The adhesive composition (I-2) may contain a solvent for the same purpose as in the case of the adhesive composition (I-1).
점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 용매로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 용매와 동일한 것을 들 수 있다. As said solvent in an adhesive composition (I-2), the thing similar to the solvent in an adhesive composition (I-1) is mentioned.
점착제 조성물(I-2)이 함유하는 용매는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The solvent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios of these can be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-2)에 있어서, 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 적절히 조절하면 된다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-2), the content of the solvent is not particularly limited and may be appropriately adjusted.
<점착제 조성물(I-3)><Adhesive composition (I-3)>
상기 점착제 조성물(I-3)은 상술한 바와 같이, 상기 점착성 수지(I-2a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유한다. As described above, the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) contains the pressure-sensitive resin (I-2a) and an energy ray-curable compound.
점착제 조성물(I-3)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 질량에 대한, 점착성 수지(I-2a)의 함유량은 5∼99질량%인 것이 바람직하고, 10∼95질량%인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량%인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the content of the pressure-sensitive resin (I-2a) with respect to the total mass of components other than the solvent is preferably 5 to 99 mass%, more preferably 10 to 95 mass%, It is particularly preferably 15 to 90% by mass.
[에너지선 경화성 화합물][Energy ray curable compound]
점착제 조성물(I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 및 올리고머를 들 수 있으며, 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 에너지선 경화성 화합물과 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) include monomers and oligomers having an energy ray-polymerizable unsaturated group and curable by irradiation with energy rays, and the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is contained. The same thing as the said energy ray curable compound can be mentioned.
점착제 조성물(I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
상기 점착제 조성물(I-3)에 있어서, 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼300질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼200질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼100질량부인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the content of the energy ray-curable compound is preferably 0.01 to 300 parts by mass, more preferably 0.03 to 200 parts by mass relative to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-2a). It is preferable, and it is particularly preferably 0.05 to 100 parts by mass.
[광중합 개시제][Photopolymerization initiator]
점착제 조성물(I-3)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-3)은 자외선 등의 비교적 저에너지인 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may further contain a photopolymerization initiator. The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) containing a photopolymerization initiator sufficiently undergoes a curing reaction even when irradiated with relatively low energy energy rays such as ultraviolet rays.
점착제 조성물(I-3)에 있어서의 상기 광중합 개시제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다. As said photoinitiator in an adhesive composition (I-3), the thing similar to the photoinitiator in an adhesive composition (I-1) is mentioned.
점착제 조성물(I-3)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the photoinitiator contained in the adhesive composition (I-3), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-3)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a) 및 상기 에너지선 경화성 화합물의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the content of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 20 parts by mass, and preferably 0.03 to 10 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total content of the adhesive resin (I-2a) and the energy ray-curable compound. The denier is more preferable, and it is particularly preferably 0.05 to 5 parts by mass.
[그 밖의 첨가제][Other additives]
점착제 조성물(I-3)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may contain other additives that do not correspond to any of the components described above within a range that does not impair the effects of the present invention.
상기 그 밖의 첨가제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 밖의 첨가제와 동일한 것을 들 수 있다. As said other additive, the thing similar to the other additive in an adhesive composition (I-1) is mentioned.
점착제 조성물(I-3)이 함유하는 그 밖의 첨가제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the other additives contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3), only one kind may be used, or two or more kinds thereof may be used, and in the case of two or more kinds, combinations and ratios of these may be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-3)에 있어서, 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the content of other additives is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the type.
[용매][menstruum]
점착제 조성물(I-3)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may contain a solvent for the same purpose as in the case of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
점착제 조성물(I-3)에 있어서의 상기 용매로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 용매와 동일한 것을 들 수 있다. As said solvent in an adhesive composition (I-3), the thing similar to the solvent in an adhesive composition (I-1) is mentioned.
점착제 조성물(I-3)이 함유하는 용매는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the solvent contained in the adhesive composition (I-3), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-3)에 있어서, 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 적절히 조절하면 된다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the content of the solvent is not particularly limited and may be appropriately adjusted.
<점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물><Adhesive compositions other than adhesive composition (I-1) to (I-3)>
여기까지는 점착제 조성물(I-1), 점착제 조성물(I-2) 및 점착제 조성물(I-3)에 대해 주로 설명했으나, 이들의 함유 성분으로서 설명한 것은 이들 3종의 점착제 조성물 이외의 전반적인 점착제 조성물(본 명세서에 있어서는, 「점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물」로 칭한다)에서도, 동일하게 사용할 수 있다. So far, the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the pressure-sensitive adhesive composition (I-2), and the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) have been mainly described, but the content of the components described above is the overall pressure-sensitive adhesive composition other than these three types of pressure-sensitive adhesive composition ( In this specification, it can be used similarly also in "we call it the adhesive composition other than adhesive composition (I-1)-(I-3)").
점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물로는, 에너지선 경화성 점착제 조성물 이외에, 비에너지선 경화성 점착제 조성물도 들 수 있다. As the pressure-sensitive adhesive composition other than the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) to (I-3), in addition to the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition, a non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive composition is also exemplified.
비에너지선 경화성 점착제 조성물로는 예를 들면, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)를 함유하는 점착제 조성물(I-4)을 들 수 있고, 아크릴계 수지를 함유하는 것이 바람직하다. Examples of the non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition include non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resins (I-), such as acrylic resin, urethane resin, rubber resin, silicone resin, epoxy resin, polyvinyl ether, polycarbonate, and ester resin. The adhesive composition (I-4) containing 1a) is mentioned, and it is preferable to contain an acrylic resin.
점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물은 1종 또는 2종 이상의 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 그 함유량은 상술한 점착제 조성물(I-1) 등의 경우와 동일하게 할 수 있다. It is preferable that the pressure-sensitive adhesive composition other than the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) to (I-3) contains one or more crosslinking agents, and the content thereof is the same as in the case of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) or the like. can do.
<점착제 조성물(I-4)><Adhesive composition (I-4)>
점착제 조성물(I-4)로 바람직한 것으로는 예를 들면, 상기 점착성 수지(I-1a)와 가교제를 함유하는 것을 들 수 있다. As a preferable thing as an adhesive composition (I-4), what contains the said adhesive resin (I-1a) and a crosslinking agent is mentioned, for example.
[점착성 수지(I-1a)][Adhesive resin (I-1a)]
점착제 조성물(I-4)에 있어서의 점착성 수지(I-1a)로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 점착성 수지(I-1a)와 동일한 것을 들 수 있다. As an adhesive resin (I-1a) in an adhesive composition (I-4), the thing similar to the adhesive resin (I-1a) in an adhesive composition (I-1) is mentioned.
점착제 조성물(I-4)이 함유하는 점착성 수지(I-1a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the adhesive resin (I-1a) contained in the adhesive composition (I-4), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-4)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 질량에 대한, 점착성 수지(I-1a)의 함유량은 5∼99질량%인 것이 바람직하고, 10∼95질량%인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량%인 것이 특히 바람직하다. In the adhesive composition (I-4), the content of the adhesive resin (I-1a) with respect to the total mass of components other than the solvent is preferably 5 to 99 mass%, more preferably 10 to 95 mass%, It is particularly preferably 15 to 90% by mass.
[가교제][Crosslinking system]
점착성 수지(I-1a)로서, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-4)은 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. When using the acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from (meth)acrylic acid alkyl ester as the adhesive resin (I-1a), the adhesive composition (I-4) is additionally It is preferable to contain a crosslinking agent.
점착제 조성물(I-4)에 있어서의 가교제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 가교제와 동일한 것을 들 수 있다. As a crosslinking agent in an adhesive composition (I-4), the thing similar to the crosslinking agent in an adhesive composition (I-1) is mentioned.
점착제 조성물(I-4)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
상기 점착제 조성물(I-4)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼20질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼15질량부인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-4), the content of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 20 parts by mass, and more preferably 0.3 to 20 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-1a). It is especially preferable that it is -15 parts by mass.
[그 밖의 첨가제][Other additives]
점착제 조성물(I-4)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may contain other additives that do not correspond to any of the components described above within a range that does not impair the effects of the present invention.
상기 그 밖의 첨가제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 밖의 첨가제와 동일한 것을 들 수 있다. As said other additive, the thing similar to the other additive in an adhesive composition (I-1) is mentioned.
점착제 조성물(I-4)이 함유하는 그 밖의 첨가제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the other additives contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4), only one kind may be used, or two or more kinds thereof may be used, and in the case of two or more kinds, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-4)에 있어서, 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-4), the content of other additives is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the type.
[용매][menstruum]
점착제 조성물(I-4)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다. The adhesive composition (I-4) may contain a solvent for the same purpose as in the case of the adhesive composition (I-1).
점착제 조성물(I-4)에 있어서의 상기 용매로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 용매와 동일한 것을 들 수 있다. As said solvent in an adhesive composition (I-4), the thing similar to the solvent in an adhesive composition (I-1) is mentioned.
점착제 조성물(I-4)이 함유하는 용매는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As for the solvent contained in the adhesive composition (I-4), only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.
점착제 조성물(I-4)에 있어서, 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 적절히 조절하면 된다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-4), the content of the solvent is not particularly limited and may be appropriately adjusted.
상기 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 점착제층은 비에너지선 경화성인 것이 바람직하다. 이는 점착제층이 에너지선 경화성이면, 에너지선의 조사에 의해 보호막 형성용 필름을 경화시킬 때, 점착제층도 동시에 경화되는 것을 억제할 수 없는 경우가 있기 때문이다. 점착제층이 보호막 형성용 필름과 동시에 경화되면, 경화 후의 보호막 형성용 필름 및 점착제층이 이들의 계면에 있어서 박리 불가능할 정도로 첩부될 수 있다. 이 경우, 경화 후의 보호막 형성용 필름, 즉 보호막을 이면에 구비한 반도체 칩(보호막이 형성된 반도체 칩)을, 경화 후의 점착제층을 구비한 지지 시트로부터 박리시키는 것이 곤란해져, 보호막이 형성된 반도체 칩을 정상적으로 픽업할 수 없게 된다. 상기 지지 시트에 있어서, 점착제층을 비에너지선 경화성인 것으로 함으로써, 이러한 문제를 확실히 회피할 수 있어, 보호막이 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다. In the composite sheet for forming a protective film, the pressure-sensitive adhesive layer is preferably non-energy ray curable. This is because, if the pressure-sensitive adhesive layer is energy ray-curable, it may not be possible to suppress curing of the pressure-sensitive adhesive layer at the same time when curing the film for forming a protective film by irradiation with energy rays. When the pressure-sensitive adhesive layer is cured at the same time as the protective film-forming film, the protective film-forming film and the pressure-sensitive adhesive layer after curing may be adhered to such an extent that they cannot be peeled off at their interfaces. In this case, it is difficult to peel the film for forming a protective film after curing, that is, a semiconductor chip (a semiconductor chip with a protective film) provided on the back surface from the support sheet provided with the pressure-sensitive adhesive layer after curing, so that the semiconductor chip with the protective film formed You will not be able to pick up normally. In the said support sheet, by making a pressure-sensitive adhesive layer non-energy-ray-curable, such a problem can be reliably avoided, and a semiconductor chip with a protective film can be picked up more easily.
여기서는, 점착제층이 비에너지선 경화성인 경우의 효과에 대해 설명했으나, 지지 시트의 보호막 형성용 필름과 직접 접촉하고 있는 층이 점착제층 이외의 층 이어도, 이 층이 비에너지선 경화성이면, 동일한 효과를 나타낸다. Here, the effect in the case where the pressure-sensitive adhesive layer is non-energy ray curable has been described, but the same effect is provided if the layer directly in contact with the film for forming a protective film of the support sheet is a layer other than the pressure-sensitive adhesive layer, but this layer is non-energy ray curable. Indicates.
<<점착제 조성물의 제조 방법>><<The manufacturing method of an adhesive composition>>
점착제 조성물(I-1)∼(I-3)이나, 점착제 조성물(I-4) 등의 점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물은, 상기 점착제와, 필요에 따라 상기 점착제 이외의 성분 등의, 점착제 조성물을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다. Pressure-sensitive adhesive compositions other than pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) such as pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3), pressure-sensitive adhesive compositions (I-4), the pressure-sensitive adhesive and, if necessary It is obtained by compounding each component for constituting an adhesive composition, such as components other than the said adhesive.
각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다. The order of addition when mixing each component is not particularly limited, and two or more components may be added simultaneously.
용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외의 어느 하나의 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되고, 용매 이외의 어느 하나의 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다. In the case of using a solvent, the solvent may be mixed with any other blending component other than the solvent to dilute the blending component in advance, or may be used without diluting any blending component other than the solvent in advance. You may use it by mixing with these compounding components.
배합시 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다. The method of mixing each component when blending is not particularly limited, and a method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade or the like; A method of mixing using a mixer; You may select suitably from well-known methods, such as the method of adding and mixing ultrasonic waves.
각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도 그리고 시간은 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되나, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다. The temperature and time at the time of addition and mixing of each component are not particularly limited as long as each component is not deteriorated, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30°C.
◇보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법◇Method of manufacturing a composite sheet for forming a protective film
상기 보호막 형성용 복합 시트는 상술한 각 층을 대응되는 위치 관계가 되도록 적층함으로써 제조할 수 있다. 각 층의 형성 방법은 앞서 설명한 바와 같다. The composite sheet for forming a protective film can be produced by laminating each of the layers described above in a corresponding positional relationship. The method of forming each layer is as described above.
예를 들면, 지지 시트를 제조할 경우, 기재 상에 점착제층을 적층하는 경우에는, 기재 상에 상술한 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시키면 된다. For example, when manufacturing a support sheet, when laminating an adhesive layer on a base material, you may apply|coat the above-mentioned adhesive composition on a base material, and dry as needed.
한편, 예를 들면, 기재 상에 적층된 점착제층 상에 추가로 보호막 형성용 필름을 적층하는 경우에는, 점착제층 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하여, 보호막 형성용 필름을 직접 형성하는 것이 가능하다. 보호막 형성용 필름 이외의 층도, 이 층을 형성하기 위한 조성물을 사용하여, 동일한 방법으로, 점착제층 상에 이 층을 적층할 수 있다. 이와 같이, 어느 하나의 조성물을 사용하여, 연속하는 2층의 적층 구조를 형성하는 경우에는, 상기 조성물로부터 형성된 층 상에 추가로 조성물을 도공하여 새롭게 층을 형성하는 것이 가능하다. On the other hand, for example, in the case of further laminating the film for forming a protective film on the pressure-sensitive adhesive layer laminated on the substrate, it is possible to directly coat the protective film-forming composition on the pressure-sensitive adhesive layer, thereby forming the protective film-forming film. . Layers other than the film for forming a protective film can also be laminated on the pressure-sensitive adhesive layer by the same method using a composition for forming this layer. As described above, when using one of the compositions to form a continuous two-layer stacked structure, it is possible to form a new layer by further coating the composition on the layer formed from the composition.
단, 이들 2층 중 나중에 적층하는 층은 다른 박리 필름 상에 상기 조성물을 사용하여 미리 형성해 두고, 이 형성된 층의 상기 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측의 노출면을 이미 형성된 나머지 층의 노출면과 첩합함으로써, 연속하는 2층의 적층 구조를 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 조성물은 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다. 박리 필름은 적층 구조의 형성 후, 필요에 따라 제거하면 된다. However, the layer to be laminated later among these two layers is previously formed using the composition on another release film, and the exposed surface of the formed layer on the opposite side to the side in contact with the release film is exposed to the remaining layer already formed. It is preferable to form a laminated structure of two consecutive layers by bonding with the surface. At this time, it is preferable that the composition is coated on the release treatment surface of the release film. The release film may be removed as necessary after formation of the laminated structure.
예를 들면, 기재 상에 점착제층이 적층되고, 상기 점착제층 상에 보호막 형성용 필름이 적층되어 이루어지는 보호막 형성용 복합 시트(지지 시트가 기재 및 점착제층의 적층물인 보호막 형성용 복합 시트)를 제조하는 경우에는, 기재 상에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 기재 상에 점착제층을 적층해 두고, 별도로 박리 필름 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 보호막 형성용 필름을 형성해 둔다. 그리고, 이 보호막 형성용 필름의 노출면을 기재 상에 적층된 점착제층의 노출면과 첩합하여, 보호막 형성용 필름을 점착제층 상에 적층함으로써, 보호막 형성용 복합 시트가 얻어진다. For example, a composite sheet for forming a protective film (a composite sheet for forming a protective film in which a support sheet is a laminate of a substrate and an adhesive layer) is produced by laminating an adhesive layer on a substrate and a film for forming a protective film laminated on the adhesive layer. In the case of a peeling film, the pressure-sensitive adhesive composition is coated on a substrate, and if necessary, dried, the pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the substrate, and a protective film-forming composition is separately coated on the release film and dried as necessary. A film for forming a protective film is formed thereon. Then, the composite sheet for forming a protective film is obtained by bonding the exposed surface of the film for forming a protective film with the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer laminated on a substrate, and laminating the film for forming a protective film on the pressure-sensitive adhesive layer.
한편, 기재 상에 점착제층을 적층하는 경우에는, 상술한 바와 같이, 기재 상에 점착제 조성물을 도공하는 방법 대신에, 박리 필름 상에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 점착제층을 형성해 두고, 이 층의 노출면을 기재의 한쪽 표면과 첩합함으로써, 점착제층을 기재 상에 적층해도 된다. On the other hand, in the case of laminating the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate, instead of the method of coating the pressure-sensitive adhesive composition on the substrate, as described above, by coating the pressure-sensitive adhesive composition on a release film and drying as necessary, on the release film An adhesive layer may be laminated|stacked on a base material by forming an adhesive layer and bonding the exposed surface of this layer with one surface of a base material.
어느 방법에 있어서도, 박리 필름은 목적으로 하는 적층 구조를 형성 후 임의의 타이밍에서 제거하면 된다. In any of the methods, the release film may be removed at any timing after forming the target laminate structure.
이와 같이, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하는 기재 이외의 층은 모두, 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 목적으로 하는 층의 표면에 첩합하는 방법으로 적층할 수 있기 때문에, 필요에 따라 이러한 공정을 채용하는 층을 적절히 선택하여, 보호막 형성용 복합 시트를 제조하면 된다. In this way, all of the layers other than the base material constituting the composite sheet for forming a protective film are previously formed on the release film and can be laminated by a method of bonding to the surface of the target layer. The appropriate layer may be selected as appropriate to produce a composite sheet for forming a protective film.
한편, 보호막 형성용 복합 시트는 통상, 그 지지 시트와는 반대측의 최표층(예를 들면, 보호막 형성용 필름) 표면에 박리 필름이 첩합된 상태로 보관된다. 따라서, 이 박리 필름(바람직하게는, 그 박리 처리면) 상에 보호막 형성용 조성물 등의, 최표층을 구성하는 층을 형성하기 위한 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 최표층을 구성하는 층을 형성해 두고, 이 층의 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측의 노출면 상에 나머지 각 층을 상술한 어느 하나의 방법으로 적층하여, 박리 필름을 제거하지 않고 첩합한 상태인 채로 함으로써도, 보호막 형성용 복합 시트가 얻어진다. On the other hand, the composite sheet for forming a protective film is usually stored in a state where a release film is pasted on the surface of the outermost layer (for example, the film for forming a protective film) on the opposite side to the support sheet. Therefore, by coating a composition for forming a layer constituting the outermost layer, such as a composition for forming a protective film, on this release film (preferably, the release treatment surface), and drying it as necessary, the optimum release on the release film is performed. A layer constituting the surface layer is formed, and each remaining layer is laminated on the exposed surface opposite to the side in contact with the release film of this layer by any one of the methods described above, and bonded together without removing the release film. A composite sheet for forming a protective film can also be obtained by maintaining it.
◇반도체 칩의 제조 방법◇Semiconductor chip manufacturing method
상기 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트는 반도체 칩의 제조에 사용할 수 있다. The film for forming a protective film and the composite sheet for forming a protective film can be used for the production of semiconductor chips.
이 때의 반도체 칩의 제조 방법으로는 예를 들면, 상기 보호막 형성용 복합 시트를 구성하지 않는 보호막 형성용 필름 또는 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하는 공정(이하, 「첩부 공정」으로 약기하는 경우가 있다)과, 상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여, 보호막을 형성하는 공정(이하, 「보호막 형성 공정」으로 약기하는 경우가 있다)과, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 수렴하도록, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 개재하여 레이저광을 조사하여, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정(이하, 「개질층 형성 공정」으로 약기하는 경우가 있다)과, 상기 개질층을 형성한 상기 반도체 웨이퍼를 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름과 함께, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 표면 방향(표면에 대해 평행 방향)으로 익스팬드하여, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 절단함과 함께, 상기 개질층 부위에 있어서 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩을 얻는 공정(이하, 「분할 공정」으로 약기하는 경우가 있다)을 갖는 것을 들 수 있다. As a method for manufacturing a semiconductor chip at this time, for example, a step of attaching a film for forming a protective film which does not constitute the composite sheet for forming a protective film or a film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film to a semiconductor wafer (hereinafter, It may abbreviate as "affixation process", and the process of forming a protective film by irradiating an energy ray to the film for protective film formation after sticking to the said semiconductor wafer (hereafter abbreviated as "protective film formation process") And a process of forming a modified layer inside the semiconductor wafer by irradiating laser light through the protective film or the film for forming a protective film so as to converge to a focus set inside the semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “modified layer”). Forming process” and the semiconductor wafer on which the modified layer is formed, together with the protective film or the film for forming the protective film, in the surface direction (parallel to the surface) of the protective film or the film for forming a protective film. The process of obtaining a plurality of semiconductor chips by dividing the semiconductor wafer at the portion of the modified layer while expanding, cutting the protective film or the film for forming a protective film (hereinafter, may be abbreviated as "division process"). ).
여기서는, 반도체 웨이퍼의 익스팬드의 방향을 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 표면 방향으로 특정하고 있으나, 통상, 이 표면 방향은 반도체 웨이퍼의 표면 방향(예를 들면, 상기 이면의 방향)과 동일하다. Here, although the direction of the expansion of the semiconductor wafer is specified as the surface direction of the protective film or the film for forming a protective film, the surface direction is usually the same as the surface direction of the semiconductor wafer (for example, the direction of the back surface).
이하, 도면을 참조하면서, 상술한 제조 방법에 대해 설명한다. 도 7∼도 9는 보호막 형성용 복합 시트를 구성하지 않는 보호막 형성용 필름을 사용하는 경우의 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 또한, 도 10∼도 12는 보호막 형성용 필름을 미리 지지 시트와 일체화시킨 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우의 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. Hereinafter, the manufacturing method mentioned above is demonstrated, referring drawings. 7 to 9 are cross-sectional views schematically illustrating one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor chip in the case of using a film for forming a protective film that does not constitute a composite sheet for forming a protective film. 10 to 12 are cross-sectional views for schematically explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor chip when a composite sheet for forming a protective film in which a film for forming a protective film is previously integrated with a support sheet is used.
<<보호막 형성용 복합 시트를 구성하지 않는 보호막 형성용 필름을 사용하는 경우의 반도체 칩의 제조 방법>><<The manufacturing method of a semiconductor chip when using the film for protective film formation which does not comprise the composite sheet for protective film formation>>
우선, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하지 않는 보호막 형성용 필름을 사용하는 경우의 제조 방법의 일 실시형태에 대해, 보호막 형성용 필름이 도 1에 나타내는 것인 경우를 예로 들어 설명한다(본 실시형태를 「제조 방법 (1)-1」로 칭하는 경우가 있다). First, an embodiment of a manufacturing method in the case of using a film for forming a protective film that does not constitute a composite sheet for forming a protective film will be described taking an example where the film for forming a protective film is shown in FIG. 1 (this embodiment) May be referred to as "manufacturing method (1)-1").
제조 방법 (1)-1의 상기 첩부 공정에 있어서는, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 이면(전극 형성면과는 반대측 면)(9b)에 보호막 형성용 필름(13)을 첩부한다. In the above-mentioned attaching process of the manufacturing method (1)-1, as shown in Fig. 7(a), a film for forming a protective film on the back surface (opposite to the electrode formation surface) 9b of the semiconductor wafer 9 ( 13) is attached.
여기서는, 보호막 형성용 필름(13)으로부터 제1 박리 필름(151)을 제거하고, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)을 반도체 웨이퍼(9)의 이면(9b)에 첩합하는 경우를 나타내고 있다. 또한, 여기서는, 반도체 웨이퍼(9)에 있어서, 회로면 상의 범프 등의 도시를 생략하고 있다. Here, when the
제조 방법 (1)-1의 첩부 공정 후에는 상기 보호막 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)에 첩부한 후의 보호막 형성용 필름(13)에 에너지선을 조사하여, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)에 보호막(13')을 형성한다. 에너지선의 조사는 보호막 형성용 필름(13)으로부터 제2 박리 필름(152)을 제거한 후 행해도 된다. After the affixing step of the manufacturing method (1)-1, in the protective film forming step, the energy ray is irradiated to the
또한, 제조 방법 (1)-1의 첩부 공정 후에는 상기 개질층 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 설정된 초점에 수렴하도록, 보호막(13')을 개재하여 레이저광을 조사하여, 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 개질층(91)을 형성한다. 레이저광의 조사는 보호막(13')으로부터 제2 박리 필름(152)을 제거한 후 행한다. Further, after the affixing step of the manufacturing method (1)-1, in the above-described modified layer forming step, the laser light is irradiated through the
제조 방법 (1)-1의 개질층 형성 공정 후에는 상기 분할 공정에 앞서, 도 7의 (d)에 나타내는 바와 같이, 보호막(13')의 반도체 웨이퍼(9)가 첩부되어 있는 측의 표면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13a')과는 반대측의 표면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13b')에 지지 시트(10)를 첩부한다. 지지 시트(10)는 도 2 등에서 나타낸 것이며, 그 점착제층(12)에 의해 보호막(13')에 첩부된다. After the step of forming the modified layer in the manufacturing method (1)-1, prior to the dividing step, as shown in Fig. 7D, the surface on the side where the
이어서, 제조 방법 (1)-1의 상기 분할 공정에 있어서, 개질층(91)을 형성한 반도체 웨이퍼(9)를 보호막(13')과 함께, 보호막(13')의 표면(제1 면(13a') 또는 제2 면(13b')) 방향으로 익스팬드하여, 보호막(13')을 절단함과 함께, 개질층(91)의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 도 7의 (e)에 나타내는 바와 같이, 복수개의 반도체 칩(9')을 얻는다. 이 때, 보호막(13')은 반도체 칩(9')의 주연부를 따른 위치에서 절단(분할)된다. 이 절단 후의 보호막(13')을 부호 130'으로 나타내고 있다. Subsequently, in the above-described dividing step of the manufacturing method (1)-1, the
분할 공정에서는, 도 7의 (d) 중의 화살표 I로 나타내는 방향으로, 반도체 웨이퍼(9) 및 보호막(13')을 익스팬드(확장)함으로써, 이 방향으로 힘(인장력)이 가해져 반도체 웨이퍼(9) 및 보호막(13')이 분할된다. In the dividing step, a force (tensile force) is applied in this direction by expanding (expanding) the
이상에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩(9')이 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 얻어진다. By the above, the target semiconductor chip 9'is obtained as a semiconductor chip on which a protective film is formed.
한편, 도 7에서는, 보호막 형성 공정 및 개질층 형성 공정을 행한 후, 보호막(13')에 지지 시트(10)를 첩부하는 경우에 대해 나타내고 있다. 단, 제조 방법 (1)-1에 있어서는, 보호막 형성용 필름(13)에 지지 시트(10)를 첩부한 후, 보호막 형성 공정 및 개질층 형성 공정을 행해도 되고, 보호막 형성 공정 후, 보호막(13')에 지지 시트(10)를 첩부한 후, 개질층 형성 공정을 행해도 된다. On the other hand, Fig. 7 shows a case where the
제조 방법 (1)-1에 있어서는, 보호막 형성용 필름(13)을 사용함으로써, 상기 분할 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여 반도체 칩(9')으로 했을 때, 보호막(13') 또는 절단 후의 보호막(130')으로부터의, 반도체 칩(9')의 들뜸을 억제할 수 있다. In the manufacturing method (1)-1, by using the
제조 방법 (1)-1에 있어서는, 보호막 형성 공정 후 개질층 형성 공정을 행하나, 본 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법에 있어서는, 개질층 형성 공정 후 보호막 형성 공정을 행해도 된다(본 실시형태를 「제조 방법 (1)-2」로 칭하는 경우가 있다). In the manufacturing method (1)-1, a modified layer forming step is performed after the protective film forming step, but in the method of manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment, a protective film forming step may be performed after the modified layer forming step (this embodiment) The form may be referred to as "manufacturing method (1)-2").
도 8은 이러한 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 8 is a cross-sectional view schematically illustrating one embodiment of a method for manufacturing such a semiconductor chip.
제조 방법 (1)-2의 상기 첩부 공정에서는, 제조 방법 (1)-1의 경우와 동일하게, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 이면(9b)에 보호막 형성용 필름(13)을 첩부한다. In the pasting step of the manufacturing method (1)-2, as in the case of the manufacturing method (1)-1, as shown in Fig. 8A, a protective film is formed on the
제조 방법 (1)-2의 첩부 공정 후에는 상기 개질층 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 설정된 초점에 수렴하도록, 보호막 형성용 필름(13)을 개재하여 레이저광을 조사하여, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 개질층(91)을 형성한다. 레이저광의 조사는 보호막 형성용 필름(13)으로부터 제2 박리 필름(152)을 제거한 후 행한다. After the affixing step of the manufacturing method (1)-2, in the above-described modified layer forming step, the laser light is irradiated through the protective
또한, 제조 방법 (1)-2의 첩부 공정 후에는 상기 보호막 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)에 첩부한 후의 보호막 형성용 필름(13)에 에너지선을 조사하여, 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)에 보호막(13')을 형성한다. 본 공정을 행함으로써, 제조 방법 (1)-1의 개질층 형성 공정 종료 후, 즉, 도 7의 (c)와 동일한 상태의 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼가 얻어진다. In addition, after the affixing step of the manufacturing method (1)-2, in the protective film forming step, the energy ray is irradiated to the protective
이후는 도 8의 (d)∼도 8의 (e)에 나타내는 바와 같이, 제조 방법 (1)-1의 경우와 동일하게(도 7의 (d)∼도 7의 (e)에 나타내는 바와 같이), 보호막(13')의 제2 면(13b')에 지지 시트(10)를 첩부하고, 이어서, 상기 분할 공정을 행함으로써, 보호막(13')을 절단함과 함께, 개질층(91)의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 복수개의 반도체 칩(9')을 얻는다. Thereafter, as shown in Figs. 8(d) to 8(e), as in the case of the manufacturing method (1)-1 (as shown in Figs. 7(d) to 7(e)) ), the
이상에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩(9')이 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 얻어진다. By the above, the target semiconductor chip 9'is obtained as a semiconductor chip on which a protective film is formed.
한편, 도 8에서는, 개질층 형성 공정 및 보호막 형성 공정을 행한 후, 보호막(13')에 지지 시트(10)를 첩부하는 경우에 대해 나타내고 있다. 단, 제조 방법 (1)-2에 있어서는, 보호막 형성용 필름(13)에 지지 시트(10)를 첩부한 후, 개질층 형성 공정 및 보호막 형성 공정을 행해도 되고, 개질층 형성 공정 후, 보호막 형성용 필름(13)에 지지 시트(10)를 첩부한 후, 보호막 형성 공정을 행해도 된다. On the other hand, in FIG. 8, the case where the
제조 방법 (1)-2에 있어서도, 보호막 형성용 필름(13)을 사용함으로써, 상기 분할 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여 반도체 칩(9')으로 했을 때, 보호막(13') 또는 절단 후의 보호막(130')으로부터의, 반도체 칩(9')의 들뜸을 억제할 수 있다. Also in the manufacturing method (1)-2, by using the
제조 방법 (1)-1 및 (1)-2에 있어서는, 보호막 형성 공정 후 분할 공정을 행하나, 본 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법에 있어서는, 보호막 형성 공정을 행하지 않고 분할 공정을 행하고, 분할 공정 후 보호막 형성 공정을 행해도 된다(본 실시형태를 「제조 방법 (1)-3」으로 칭하는 경우가 있다). In the manufacturing methods (1)-1 and (1)-2, the division step is performed after the protective film forming step, but in the method of manufacturing the semiconductor chip according to the present embodiment, the division step is performed without the protective film forming step. You may perform a protective film formation process after a division process (this embodiment may be called "manufacturing method (1)-3").
도 9는 이러한 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 9 is a cross-sectional view schematically illustrating one embodiment of a method for manufacturing such a semiconductor chip.
제조 방법 (1)-3의 상기 첩부 공정 및 개질층 형성 공정은 도 9의 (a)∼도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제조 방법 (1)-2의 첩부 공정 및 개질층 형성 공정과 동일한 방법으로(도 8의 (a)∼도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이) 행할 수 있다. As shown in Figs. 9(a) to 9(b), the affixing step and the modifying layer forming step of the manufacturing method (1)-3 are the affixing step and the modifying layer forming step of the manufacturing method (1)-2. It can be carried out in the same manner as (as shown in Figs. 8A to 8B).
제조 방법 (1)-3의 개질층 형성 공정 후에는 상기 분할 공정에 앞서, 도 9의 (c)에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성용 필름(13)의 제2 면(13b)에 지지 시트(10)를 첩부한다. After the step of forming the modified layer in the manufacturing method (1)-3, prior to the division step, as shown in Fig. 9(c), the
이어서, 제조 방법 (1)-3의 상기 분할 공정에 있어서, 개질층(91)을 형성한 반도체 웨이퍼(9)를 보호막 형성용 필름(13)과 함께, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(제1 면(13a) 또는 제2 면(13b)) 방향으로 익스팬드하여, 보호막 형성용 필름(13)을 절단함과 함께, 개질층(91)의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 도 9의 (d)에 나타내는 바와 같이, 복수개의 반도체 칩(9')을 얻는다. 이 때, 보호막 형성용 필름(13)은 반도체 칩(9')의 주연부를 따른 위치에서 절단(분할)된다. 이 절단 후의 보호막 형성용 필름(13)을 부호 130으로 나타내고 있다. Subsequently, in the above-described dividing step of the manufacturing method (1)-3, the
분할 공정에서는, 도 9의 (c) 중의 화살표 I로 나타내는 방향으로 반도체 웨이퍼(9) 및 보호막 형성용 필름(13)을 익스팬드(확장)함으로써, 이 방향으로 힘(인장력)이 가해진 반도체 웨이퍼(9) 및 보호막 형성용 필름(13)이 분할된다. In the dividing step, the
이상에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩(9')이 보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 칩으로서 얻어진다. By the above, the target semiconductor chip 9'is obtained as a semiconductor chip on which a film for forming a protective film is formed.
한편, 도 9에서는, 개질층 형성 공정을 행한 후, 보호막 형성용 필름(13)에 지지 시트(10)를 첩부하는 경우에 대해 나타내고 있다. 단, 제조 방법 (1)-3에 있어서는, 보호막 형성용 필름(13)에 지지 시트(10)를 첩부한 후, 개질층 형성 공정을 행해도 된다. On the other hand, Fig. 9 shows a case in which the
제조 방법 (1)-3에 있어서는, 보호막 형성용 필름(13)을 사용함으로써, 상기 분할 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여 반도체 칩(9')으로 했을 때, 보호막 형성용 필름(13) 또는 절단 후의 보호막 형성용 필름(130)으로부터의, 반도체 칩(9')의 들뜸을 억제할 수 있다. In the manufacturing method (1)-3, by using the
제조 방법 (1)-3에 있어서는, 상기 분할 공정 후, 지지 시트(10)를 개재하여 보호막 형성용 필름(130)에 에너지선을 조사하여, 도 9의 (e)에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(9')에 보호막(130')을 형성하면 된다. In the manufacturing method (1)-3, after the dividing step, an energy ray is irradiated to the
도 9의 (e)에서는, 반도체 칩(9')의 픽업 전 보호막(130')을 형성하는 경우에 대해 나타내고 있으나, 보호막(130')의 형성은 반도체 칩(9')의 픽업 후 등, 분할 공정 후 임의의 타이밍에서 행할 수 있다. In FIG. 9(e), the case where the
<<보호막 형성용 필름을 미리 지지 시트와 일체화시킨 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우의 반도체 칩의 제조 방법>><<The manufacturing method of a semiconductor chip when using the composite sheet for protective film formation in which the film for protective film formation was previously integrated with the support sheet>
이어서, 보호막 형성용 필름을 미리 지지 시트와 일체화시킨 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우의 제조 방법의 일 실시형태에 대해, 보호막 형성용 복합 시트가 도 2에 나타내는 것인 경우를 예로 들어 설명한다(본 실시형태를 「제조 방법 (2)-1」로 칭하는 경우가 있다). Next, an embodiment of the manufacturing method in the case of using a composite sheet for forming a protective film in which the film for forming a protective film is previously integrated with a support sheet will be described as an example in which the composite sheet for forming a protective film is shown in FIG. 2 as an example. (This embodiment may be referred to as "manufacturing method (2)-1").
제조 방법 (2)-1의 상기 첩부 공정에 있어서는, 도 10의 (a)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 이면(9b)에 보호막 형성용 복합 시트(1A) 중의 보호막 형성용 필름(13)을 첩부한다. 보호막 형성용 복합 시트(1A)는 박리 필름(15)을 제거하여 사용한다. In the above-mentioned attaching process of the manufacturing method (2)-1, as shown in Fig. 10(a), a film for forming a protective film in a
제조 방법 (2)-1의 첩부 공정 후에는 상기 보호막 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)에 첩부한 후의 보호막 형성용 필름(13)에 에너지선을 조사하여, 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)에 보호막(13')을 형성한다. 이 때, 에너지선은 지지 시트(10)를 개재하여 보호막 형성용 필름(13)에 조사한다. After the affixing step of the manufacturing method (2)-1, in the protective film forming step, energy rays are irradiated to the protective
한편, 여기서는, 보호막 형성용 필름(13)이 보호막(13')이 된 후의 보호막 형성용 복합 시트를 부호 1A'로 나타내고 있다. 이는 이후의 도에 있어서도 동일하다. On the other hand, here, the composite sheet for forming a protective film after the
또한, 제조 방법 (2)-1의 첩부 공정 후에는 상기 개질층 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 설정된 초점에 수렴하도록, 보호막(13')(보호막 형성용 복합 시트(1A'))을 개재하여 레이저광을 조사하여, 도 10의 (c)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 개질층(91)을 형성한다. In addition, after the affixing step of the manufacturing method (2)-1, in the above-described modified layer forming step, a
이어서, 제조 방법 (2)-1의 상기 분할 공정에 있어서, 개질층(91)을 형성한 반도체 웨이퍼(9)를 보호막(13')과 함께, 보호막(13')의 표면(제1 면(13a') 또는 제2 면(13b')) 방향으로 익스팬드하여, 보호막(13')을 절단함과 함께, 개질층(91)의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 도 10의 (d)에 나타내는 바와 같이, 복수개의 반도체 칩(9')을 얻는다. 이 때, 보호막(13')은 반도체 칩(9')의 주연부를 따른 위치에서 절단(분할)되어 보호막(130')이 된다. Subsequently, in the above-described dividing step of the manufacturing method (2)-1, the
분할 공정에서는, 도 10의 (c) 중의 화살표 I로 나타내는 방향으로, 반도체 웨이퍼(9) 및 보호막(13')을 익스팬드(확장)함으로써, 이 방향으로 힘(인장력)이 가해져 반도체 웨이퍼(9) 및 보호막(13')이 분할된다. In the dividing step, a force (tensile force) is applied in this direction by expanding (expanding) the
이상에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩(9')이 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 얻어진다. By the above, the target semiconductor chip 9'is obtained as a semiconductor chip on which a protective film is formed.
제조 방법 (2)-1에 있어서는, 보호막 형성용 필름(13)을 사용함으로써, 상기 분할 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여 반도체 칩(9')으로 했을 때, 보호막(13') 또는 절단 후의 보호막(130')으로부터의 반도체 칩(9')의 들뜸을 억제할 수 있다. In the manufacturing method (2)-1, by using the
제조 방법 (2)-1에 있어서는, 보호막 형성 공정 후 개질층 형성 공정을 행하나, 본 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법에 있어서는, 개질층 형성 공정 후 보호막 형성 공정을 행해도 된다(본 실시형태를 「제조 방법 (2)-2」로 칭하는 경우가 있다). In the manufacturing method (2)-1, a modified layer forming step is performed after the protective film forming step, but in the method of manufacturing a semiconductor chip according to the present embodiment, a protective film forming step may be performed after the modified layer forming step (this embodiment) The form may be referred to as "manufacturing method (2)-2").
도 11은 이러한 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 11 is a cross-sectional view schematically illustrating one embodiment of a method for manufacturing such a semiconductor chip.
제조 방법 (2)-2에서는, 제조 방법 (2)-1의 경우와 동일하게, 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 이면(9b)에, 보호막 형성용 복합 시트(1A) 중의 보호막 형성용 필름(13)을 첩부한다. In the manufacturing method (2)-2, as in the case of the manufacturing method (2)-1, as shown in Fig. 11A, a composite sheet for forming a protective film is formed on the
제조 방법 (2)-2의 첩부 공정 후에는 상기 개질층 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 설정된 초점에 수렴하도록, 보호막 형성용 필름(13)(보호막 형성용 복합 시트(1A))을 개재하여 레이저광을 조사하여, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 개질층(91)을 형성한다. After the affixing step of the manufacturing method (2)-2, in the above-described modified layer forming step, a
또한, 제조 방법 (2)-2의 첩부 공정 후에는 상기 보호막 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)에 첩부한 후의 보호막 형성용 필름(13)에 에너지선을 조사하여, 도 11의 (c)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)에 보호막(13')을 형성한다. 본 공정을 행함으로써, 제조 방법 (2)-1의 개질층 형성 공정 종료 후, 즉, 도 10의 (c)와 동일한 상태의 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼가 얻어진다. In addition, after the affixing process of the manufacturing method (2)-2, in the above-mentioned protective film forming process, energy rays are irradiated to the
이후는 도 11의 (d)에 나타내는 바와 같이, 제조 방법 (2)-1의 경우와 동일하게(도 10의 (d)에 나타내는 바와 같이), 상기 분할 공정을 행함으로써, 보호막(13')을 절단함과 함께, 개질층(91)의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 복수개의 반도체 칩(9')을 얻는다. After that, as shown in Fig. 11(d), by performing the above-described dividing step in the same manner as in the manufacturing method (2)-1 (as shown in Fig. 10(d)), the
이상에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩(9')이 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 얻어진다. By the above, the target semiconductor chip 9'is obtained as a semiconductor chip on which a protective film is formed.
제조 방법 (2)-2에 있어서도, 보호막 형성용 필름(13)을 사용함으로써, 상기 분할 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여 반도체 칩(9')으로 했을 때, 보호막(13') 또는 절단 후의 보호막(130')으로부터의 반도체 칩(9')의 들뜸을 억제할 수 있다. Also in the manufacturing method (2)-2, by using the
제조 방법 (2)-1 및 (2)-2에 있어서는, 보호막 형성 공정 후 분할 공정을 행하나, 본 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법에 있어서는, 보호막 형성 공정을 행하지 않고 분할 공정을 행하고, 분할 공정 후 보호막 형성 공정을 행해도 된다(본 실시형태를 「제조 방법 (2)-3」으로 칭하는 경우가 있다). In the manufacturing methods (2)-1 and (2)-2, the division step is performed after the protective film formation step, but in the method of manufacturing the semiconductor chip according to the present embodiment, the division step is performed without the protective film formation step. You may perform a protective film formation process after a division process (this embodiment may be called "manufacturing method (2)-3").
도 12는 이러한 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 12 is a cross-sectional view for schematically explaining one embodiment of a method for manufacturing such a semiconductor chip.
제조 방법 (2)-3의 상기 첩부 공정 및 개질층 형성 공정은 도 12의 (a)∼도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제조 방법 (2)-2의 첩부 공정 및 개질층 형성 공정과 동일한 방법으로(도 11의 (a)∼도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이) 행할 수 있다. As shown in Figs. 12(a) to 12(b), the affixing step and the modifying layer forming step of the manufacturing method (2)-3 are the affixing step and the modifying layer forming step of the manufacturing method (2)-2. It can be carried out in the same manner as (shown in Figs. 11A to 11B).
이어서, 제조 방법 (2)-3의 상기 분할 공정에 있어서, 개질층(91)을 형성한 반도체 웨이퍼(9)를 보호막 형성용 필름(13)과 함께, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(제1 면(13a) 또는 제2 면(13b)) 방향으로 익스팬드하여, 보호막 형성용 필름(13)을 절단함과 함께, 개질층(91)의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 도 12의 (c)에 나타내는 바와 같이, 복수개의 반도체 칩(9')을 얻는다. 이 때, 보호막 형성용 필름(13)은 반도체 칩(9')의 주연부를 따른 위치에서 절단(분할)된다. Subsequently, in the above-described dividing step of the manufacturing method (2)-3, the
분할 공정에서는, 도 12의 (b) 중의 화살표 I로 나타내는 방향으로, 반도체 웨이퍼(9) 및 보호막 형성용 필름(13)을 익스팬드(확장)함으로써, 이 방향으로 힘(인장력)이 가해져 반도체 웨이퍼(9) 및 보호막 형성용 필름(13)이 분할된다. In the dividing step, a force (tensile force) is applied in this direction by expanding (expanding) the
이상에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩(9')이 보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 칩으로서 얻어진다. By the above, the target semiconductor chip 9'is obtained as a semiconductor chip on which a film for forming a protective film is formed.
제조 방법 (2)-3에 있어서는, 보호막 형성용 필름(13)을 사용함으로써, 상기 분할 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여 반도체 칩(9')으로 했을 때, 보호막 형성용 필름(13) 또는 절단 후의 보호막 형성용 필름(130)으로부터의 반도체 칩(9')의 들뜸을 억제할 수 있다. In the manufacturing method (2)-3, by using the
제조 방법 (2)-3에 있어서는, 상기 분할 공정 후, 보호막 형성용 필름(130)에 에너지선을 조사하여, 도 12의 (d)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)에 보호막(130')을 형성하면 된다. In the manufacturing method (2)-3, after the dividing step, the energy film is irradiated to the
도 12의 (d)에서는, 반도체 칩(9')의 픽업 전에 보호막(130')을 형성하는 경우에 대해 나타내고 있으나, 보호막(130')의 형성은 반도체 칩(9')의 픽업 후 등, 분할 공정 후 임의의 타이밍에서 행할 수 있다. In FIG. 12(d), the case where the
여기까지는 도 1에 나타내는 보호막 형성용 필름(13), 도 2에 나타내는 지지 시트(10), 및 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)를 사용한 경우의 반도체 칩의 제조 방법에 대해 설명했으나, 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법은 이들에 한정되지 않는다. Up to this point, the method of manufacturing a semiconductor chip in the case of using the
예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우에는, 도 3∼도 6에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1B)∼(1E)나, 추가로 상기 중간층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트 등, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A) 이외의 것을 사용해도, 동일하게 반도체 칩을 제조할 수 있다. For example, when a composite sheet for forming a protective film is used, the composite sheet for forming a protective film (1B) to (1E) shown in FIGS. 3 to 6, a composite sheet for forming a protective film further comprising the intermediate layer, and the like, Even if other than the
또한, 지지 시트는 앞서 설명한 바와 같은, 기재만으로 이루어지는 것이나, 중간층이 적층되어 이루어지는 것 등, 도 2에 나타내는 지지 시트(10) 외의 것을 사용해도, 동일하게 반도체 칩을 제조할 수 있다. In addition, the semiconductor chip can be manufactured in the same manner even if a
이와 같이, 다른 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트나 지지 시트를 사용하는 경우에는, 이들 시트의 구조의 차이에 기초하여, 상술한 제조 방법에 있어서, 적절히 공정의 추가, 변경, 삭제 등을 행하여, 반도체 칩을 제조하면 된다. As described above, in the case of using the composite sheet for forming a protective film or the support sheet of another embodiment, based on the difference in the structure of these sheets, in the above-described manufacturing method, the process is appropriately added, changed, deleted, etc., A semiconductor chip can be manufactured.
◇반도체 장치의 제조 방법◇Semiconductor device manufacturing method
상술한 제조 방법에 의해, 반도체 칩을 얻은 후에는 이 반도체 칩을 분할 후의 보호막이 첩부된 상태인 채(즉, 보호막이 형성된 반도체 칩으로서), 지지 시트로부터 분리하여 픽업한다(도시 생략). After the semiconductor chip is obtained by the above-described manufacturing method, the semiconductor chip is picked up from the support sheet while the protective film after division is attached (that is, as a semiconductor chip on which the protective film is formed) and is picked up (not shown).
이후는 종래의 방법과 동일한 방법으로, 얻어진 보호막이 형성된 반도체 칩의 반도체 칩을 기판의 회로 면에 플립 칩 접속한 후, 반도체 패키지로 한다. 그리고, 이 반도체 패키지를 사용하여, 목적으로 하는 반도체 장치를 제작하면 된다(도시 생략). Thereafter, the semiconductor chip of the semiconductor chip on which the obtained protective film is formed is flip-chip connected to the circuit surface of the substrate in the same manner as in the conventional method, and then a semiconductor package is obtained. Then, a target semiconductor device may be manufactured using this semiconductor package (not shown).
본 발명의 하나의 측면으로서, 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로서, 상기 보호막 형성용 필름이 하기 방법으로 측정되었을 때의 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 3.6N/25㎜ 이상 8N/25㎜ 이하라는 특성을 갖고, 상기 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여 보호막으로 하고, 하기 방법으로 측정되었을 때의 보호막의 전단 강도가 11N/3㎜□ 이상 13N/3㎜□ 이하라는 특성을 상기 보호막 형성용 필름이 갖고, 상기 보호막 형성용 필름이 카르복시기 또는 카르복시기가 염을 형성한 기 및 중합성기를 갖는 화합물을 포함한다. As one aspect of the present invention, the film for forming a protective film is an energy ray curable film for forming a protective film, and the adhesion between the film for forming a protective film and a silicon wafer when the film for forming a protective film is measured by the following method is 3.6 N/25. It has a property of ㎜ or more and 8N/25㎜ or less, and the film for forming a protective film is irradiated with ultraviolet light to form a protective film, and the shear strength of the protective film when measured by the following method is 11N/3㎜□ or more and 13N/3㎜□ or less The film for forming a protective film has the properties of, and the film for forming a protective film includes a compound having a carboxyl group or a carboxyl group forming a salt and a polymerizable group.
보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력: Adhesion between protective film forming film and silicon wafer:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 보호막 형성용 필름 및 실리콘 웨이퍼의 서로 접촉하고 있던 면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 박리 속도 300㎜/min으로 실리콘 웨이퍼로부터 상기 보호막 형성용 필름을 박리했을 때의 박리력(N/25㎜)을 측정하고, 이 측정값을 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력으로 한다. After affixing the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the silicon wafer at a peeling rate of 300 mm/min is formed so that an angle of 180° is formed between the film for forming a protective film and the surfaces in contact with each other of the silicon wafer. The peeling force (N/25 mm) when peeling the film for forming a protective film was measured from, and the measured value was taken as the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer.
보호막의 전단 강도: Shear strength of the protective film:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건으로, 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 크기가 3㎜×3㎜인 보호막이 형성된 실리콘 칩으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 칩 중 보호막에만, 200㎛/s의 속도로 보호막의 표면 방향으로 힘을 가하여, 보호막이 파괴될 때까지 가해지고 있던 힘의 최대치(N/3㎜□)를 보호막의 전단 강도로 한다. After attaching the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the film for forming a protective film is irradiated with ultraviolet rays under conditions of roughness 195 Pa/cm 2 and a light amount of 170 mJ/cm 2 to cure the film for forming a protective film, thereby protecting the film The silicon wafer on which the obtained protective film was formed was diced to obtain a silicon chip on which a protective film having a size of 3 mm x 3 mm was formed, and the surface of the protective film at a rate of 200 µm/s only in the protective film among the silicon chips on which the obtained protective film was formed. A force is applied in the direction, and the maximum value (N/3 mm□) of the force applied until the protective film is destroyed is taken as the shear strength of the protective film.
상기 화합물은 지방족 디카르복실산모노(메타)아크릴로일옥시알킬에스테르여도 된다. The compound may be an aliphatic dicarboxylic acid mono(meth)acryloyloxyalkyl ester.
상기 화합물은 숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸)이어도 된다. The compound may be mono succinate (2-acryloyloxyethyl).
본 발명의 다른 측면으로서, 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로서, 상기 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 성분(a2)으로서, ε-카프로락톤 변성 트리스(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 5∼15질량%)를; 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로서, 아크릴산메틸(85질량부) 및 아크릴산2-히드록시에틸(15질량부)을 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 25∼30질량%)를; 광중합 개시제(c)로서, 2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질-1-부타논(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 0.3∼1질량%)을; 충전재(d)로서, 실리카 필러(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 50∼65질량%)를; 커플링제(e)로서, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 0.2∼0.6질량%)을; 착색제(g)로서, 프탈로시아닌계 청색 색소, 이소인돌리논계 황색 색소 및 안트라퀴논계 적색 색소와 스티렌 아크릴 수지를 포함하는 안료(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 2∼6질량%)를; 화합물(p)로서, 카르복시기 또는 카르복시기가 염을 형성한 기 및 중합성기를 갖는 화합물(함유량: 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 0.15∼3질량%, 보다 바람직하게는 0.25∼1질량%)을 포함한다(단, 각 성분의 함유량의 합계는 보호막 형성용 조성물(IV-1)의 고형분의 총 질량에 대해 100질량%를 초과하지 않는다). As another aspect of the present invention, the film for forming a protective film is an energy ray curable protective film forming film, and the film for forming a protective film is an energy ray curable component (a2), ε-caprolactone modified tris (2-acryloxyethyl) iso Cyanurate (content: 5 to 15% by mass relative to the total mass of the solid content of the protective film-forming composition (IV-1)); As a polymer (b) that does not have an energy ray-curable group, an acrylic polymer (content: protective film forming composition (IV-1)) formed by copolymerizing methyl acrylate (85 parts by mass) and acrylic acid 2-hydroxyethyl (15 parts by mass) 25 to 30% by mass relative to the total mass of solids); As the photopolymerization initiator (c), the total mass of solid content of 2-(dimethylamino)-1-(4-morpholinophenyl)-2-benzyl-1-butanone (content: composition for forming a protective film (IV-1)) To 0.3 to 1% by mass); As a filler (d), silica filler (content: 50-65 mass% with respect to the total mass of the solid content of the composition (IV-1) for forming a protective film); As a coupling agent (e), 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane (content: 0.2-0.6 mass% with respect to the total mass of the solid content of the protective film forming composition (IV-1)); As a coloring agent (g), with respect to the total mass of the solid content of the phthalocyanine blue pigment, isoindolinone yellow pigment, and anthraquinone red pigment and styrene acrylic resin (content: the composition for forming a protective film (IV-1)) 2 to 6% by mass); As compound (p), a compound having a carboxyl group or a group in which the carboxyl group forms a salt and a polymerizable group (content: 0.15 to 3% by mass based on the total mass of the solid content of the composition for forming a protective film (IV-1), more preferably 0.25 to 1% by mass) (however, the total content of each component does not exceed 100% by mass relative to the total mass of the solid content of the protective film-forming composition (IV-1)).
상기 보호막 형성용 필름이 하기 방법으로 측정되었을 때의 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 3.6N/25㎜ 이상 8N/25㎜ 이하라는 특성을 갖고, 상기 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여 보호막으로 하고, 하기 방법으로 측정되었을 때의 보호막의 전단 강도가 11N/3㎜□ 이상 13N/3㎜□ 이하라는 특성을 상기 보호막 형성용 필름이 갖고, 상기 보호막 형성용 필름이 카르복시기 또는 카르복시기가 염을 형성한 기 및 중합성기를 갖는 화합물을 포함한다. When the film for forming a protective film is measured by the following method, the adhesive force between the film for forming a protective film and a silicon wafer has a property of 3.6 N/25 mm or more and 8 N/25 mm or less, and the protective film forming film is irradiated with ultraviolet light. The film for forming a protective film has a property that the protective film has a shear strength of 11 N/3 mm□ or more and 13 N/3 mm□ or less when measured by the following method, and the film for forming a protective film has a carboxy group or a carboxy group. It includes a compound having a group and a polymerizable group.
보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력: Adhesion between protective film forming film and silicon wafer:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 보호막 형성용 필름 및 실리콘 웨이퍼의 서로 접촉하고 있던 면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 박리 속도 300㎜/min으로 실리콘 웨이퍼로부터 상기 보호막 형성용 필름을 박리했을 때의 박리력(N/25㎜)을 측정하고, 이 측정값을 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력으로 한다. After affixing the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the silicon wafer at a peeling rate of 300 mm/min is formed so that an angle of 180° is formed between the film for forming a protective film and the surfaces in contact with each other of the silicon wafer. The peeling force (N/25 mm) when peeling the film for forming a protective film was measured from, and the measured value was taken as the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer.
보호막의 전단 강도: Shear strength of the protective film:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건으로, 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 크기가 3㎜×3㎜인 보호막이 형성된 실리콘 칩으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 칩 중 보호막에만, 200㎛/s의 속도로 보호막의 표면 방향으로 힘을 가하여, 보호막이 파괴될 때까지 가해지고 있던 힘의 최대치(N/3㎜□)를 보호막의 전단 강도로 한다. After attaching the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the film for forming a protective film is irradiated with ultraviolet rays under conditions of roughness 195 Pa/cm 2 and a light amount of 170 mJ/cm 2 to cure the film for forming a protective film, thereby protecting the film The silicon wafer on which the obtained protective film was formed was diced to obtain a silicon chip on which a protective film having a size of 3 mm x 3 mm was formed, and the surface of the protective film at a rate of 200 µm/s only in the protective film among the silicon chips on which the obtained protective film was formed. A force is applied in the direction, and the maximum value (N/3 mm□) of the force applied until the protective film is destroyed is taken as the shear strength of the protective film.
상기 화합물은 지방족 디카르복실산모노(메타)아크릴로일옥시알킬에스테르여도 된다. The compound may be an aliphatic dicarboxylic acid mono(meth)acryloyloxyalkyl ester.
상기 화합물은 숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸)이어도 된다. The compound may be mono succinate (2-acryloyloxyethyl).
본 발명의 다른 측면으로서, 보호막이 형성된 실리콘 칩은 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름의 경화물인 보호막과 상기 보호막 형성용 필름이 첩부되고, 실리콘 웨이퍼의 절단물인 실리콘 칩을 포함하며, 하기 방법으로 측정되었을 때의 경화 전 보호막 형성용 필름과 상기 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 3.6N/25㎜ 이상 8N/25㎜ 이하이며, 하기 방법으로 측정되었을 때의 보호막의 전단 강도가 11N/3㎜□ 이상 13N/3㎜□ 이하이다. As another aspect of the present invention, the silicon chip on which the protective film is formed includes a protective film that is a cured product of a film for forming an energy ray-curable protective film and a film for forming the protective film, and includes a silicon chip that is a cut product of a silicon wafer. The adhesive strength between the film for forming a protective film before curing and the silicon wafer is 3.6 N/25 mm or more and 8 N/25 mm or less, and the shear strength of the protective film when measured by the following method is 11 N/3 mm□ or more and 13 N/3 ㎜□ or less.
보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력: Adhesion between protective film forming film and silicon wafer:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 보호막 형성용 필름 및 실리콘 웨이퍼의 서로 접촉하고 있던 면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 박리 속도 300㎜/min으로 실리콘 웨이퍼로부터 상기 보호막 형성용 필름을 박리했을 때의 박리력(N/25㎜)을 측정하고, 이 측정값을 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력으로 한다. After affixing the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the silicon wafer at a peeling rate of 300 mm/min is formed so that an angle of 180° is formed between the film for forming a protective film and the surfaces in contact with each other of the silicon wafer. The peeling force (N/25 mm) when peeling the film for forming a protective film was measured from, and the measured value was taken as the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer.
보호막의 전단 강도: Shear strength of the protective film:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건으로, 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 크기가 3㎜×3㎜인 보호막이 형성된 실리콘 칩으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 칩 중 보호막에만, 200㎛/s의 속도로 보호막의 표면 방향으로 힘을 가하여, 보호막이 파괴될 때까지 가해지고 있던 힘의 최대치(N/3㎜□)를 보호막의 전단 강도로 한다. After attaching the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the film for forming a protective film is irradiated with ultraviolet rays under conditions of roughness 195 Pa/cm 2 and a light amount of 170 mJ/cm 2 to cure the film for forming a protective film, thereby protecting the film The silicon wafer on which the obtained protective film was formed was diced to obtain a silicon chip on which a protective film having a size of 3 mm x 3 mm was formed, and the surface of the protective film at a rate of 200 µm/s only in the protective film among the silicon chips on which the obtained protective film was formed. A force is applied in the direction, and the maximum value (N/3 mm□) of the force applied until the protective film is destroyed is taken as the shear strength of the protective film.
상기 보호막 형성용 필름은 카르복시기 또는 카르복시기가 염을 형성한 기 및 중합성기를 갖는 화합물을 포함한다. The film for forming a protective film includes a compound having a carboxyl group or a carboxyl group forming a salt and a polymerizable group.
상기 화합물은 지방족 디카르복실산모노(메타)아크릴로일옥시알킬에스테르여도 된다. The compound may be an aliphatic dicarboxylic acid mono(meth)acryloyloxyalkyl ester.
상기 화합물은 숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸)이어도 된다. The compound may be mono succinate (2-acryloyloxyethyl).
본 발명의 다른 측면으로서, 보호막 형성용 필름이 형성된 실리콘 웨이퍼는 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름과, 상기 보호막 형성용 필름이 첩부된 실리콘 웨이퍼를 포함하여, 하기 방법으로 측정되었을 때의 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 3.6N/25㎜ 이상 8N/25㎜ 이하이며, 상기 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여 보호막으로 하고, 하기 방법으로 측정되었을 때의 보호막의 전단 강도가 11N/3㎜□ 이상 13N/3㎜□ 이하라는 특성을 상기 보호막 형성용 필름이 갖는다. As another aspect of the present invention, a silicon wafer on which a film for forming a protective film is formed includes a film for forming an energy ray curable protective film and a silicon wafer on which the film for forming a protective film is attached, and a film for forming a protective film when measured by the following method. The adhesive strength between the wafer and the silicon wafer is 3.6 N/25 mm or more and 8 N/25 mm or less, and the film for forming a protective film is irradiated with ultraviolet light to form a protective film, and the shear strength of the protective film when measured by the following method is 11 N/3 mm. The film for forming a protective film has a property of □ or more and 13N/3㎜ or less.
보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력: Adhesion between protective film forming film and silicon wafer:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 보호막 형성용 필름 및 실리콘 웨이퍼의 서로 접촉하고 있던 면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 박리 속도 300㎜/min으로 실리콘 웨이퍼로부터 상기 보호막 형성용 필름을 박리했을 때의 박리력(N/25㎜)을 측정하고, 이 측정값을 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력으로 한다. After affixing the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the silicon wafer at a peeling rate of 300 mm/min is formed so that an angle of 180° is formed between the film for forming a protective film and the surfaces in contact with each other of the silicon wafer. The peeling force (N/25 mm) when peeling the film for forming a protective film was measured from, and the measured value was taken as the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer.
보호막의 전단 강도: Shear strength of the protective film:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건으로, 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 크기가 3㎜×3㎜인 보호막이 형성된 실리콘 칩으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 칩 중 보호막에만, 200㎛/s의 속도로 보호막의 표면 방향으로 힘을 가하여, 보호막이 파괴될 때까지 가해지고 있던 힘의 최대치(N/3㎜□)를 보호막의 전단 강도로 한다. After attaching the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the film for forming a protective film is irradiated with ultraviolet rays under conditions of roughness 195 Pa/cm 2 and a light amount of 170 mJ/cm 2 to cure the film for forming a protective film, thereby protecting the film The silicon wafer on which the obtained protective film was formed was diced to obtain a silicon chip on which a protective film having a size of 3 mm x 3 mm was formed, and the surface of the protective film at a rate of 200 µm/s only in the protective film among the silicon chips on which the obtained protective film was formed. A force is applied in the direction, and the maximum value (N/3 mm□) of the force applied until the protective film is destroyed is taken as the shear strength of the protective film.
상기 보호막 형성용 필름은 카르복시기 또는 카르복시기가 염을 형성한 기 및 중합성기를 갖는 화합물을 포함한다. The film for forming a protective film includes a compound having a carboxyl group or a carboxyl group forming a salt and a polymerizable group.
상기 화합물은 지방족 디카르복실산모노(메타)아크릴로일옥시알킬에스테르여도 된다. The compound may be an aliphatic dicarboxylic acid mono(meth)acryloyloxyalkyl ester.
상기 화합물은 숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸)이어도 된다. The compound may be mono succinate (2-acryloyloxyethyl).
실시예Example
이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 전혀 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail by specific examples. However, the present invention is not limited to the examples shown below.
<보호막 형성용 조성물의 제조 원료><Manufacturing raw material for composition for forming a protective film>
보호막 형성용 조성물의 제조에 사용한 원료를 이하에 나타낸다. The raw materials used for the preparation of the composition for forming a protective film are shown below.
[에너지선 경화성 성분(a2)][Energy ray-curable component (a2)]
(a2)-1: ε-카프로락톤 변성 트리스(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트(신나카무라 화학 공업사 제조 「A-9300-1CL」, 3관능 자외선 경화성 화합물)(a2)-1: ε-caprolactone-modified tris(2-acryloxyethyl)isocyanurate ("A-9300-1CL" manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industries, Trifunctional UV-curable compound)
[에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)][Polymer (b) having no energy ray-curable groups]
(b)-1: 아크릴산메틸(85질량부) 및 아크릴산2-히드록시에틸(이하, 「HEA」로 약기한다)(15질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 300000, 유리 전이 온도 6℃).(b)-1: Acrylic polymer (weight average molecular weight 300000, glass transition temperature) obtained by copolymerizing methyl acrylate (85 parts by mass) and 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter abbreviated as "HEA") (15 parts by mass) 6°C).
[광중합 개시제(c)][Photopolymerization initiator (c)]
(c)-1: 2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질-1-부타논(BASF사 제조 「Irgacure(등록상표) 369」)(c)-1: 2-(dimethylamino)-1-(4-morpholinophenyl)-2-benzyl-1-butanone ("Irgacure (registered trademark) 369" manufactured by BASF))
[충전재(d)][Filling material (d)]
(d)-1: 실리카 필러(용융 석영 필러, 평균 입자 직경 8㎛)(d)-1: Silica filler (melted quartz filler, average particle diameter 8 µm)
[커플링제(e)][Coupling agent (e)]
(e)-1: 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(신에츠 화학 공업사 제조 「KBM-503」, 실란 커플링제).(e)-1: 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane ("KBM-503" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., silane coupling agent).
[착색제(g)][Colorant (g)]
(g)-1: 프탈로시아닌계 청색 색소(Pigment Blue 15:3) 32질량부와, 이소인돌리논계 황색 색소(Pigment Yellow 139) 18질량부와, 안트라퀴논계 적색 색소(Pigment Red 177) 50질량부를 혼합하고, 상기 3종의 색소의 합계량/스티렌 아크릴 수지량=1/3(질량비)이 되도록 안료화하여 얻어진 안료. (g)-1: 32 parts by mass of phthalocyanine-based blue pigment (Pigment Blue 15:3), 18 parts by mass of isoindolinone yellow pigment (Pigment Yellow 139), and 50 parts by mass of anthraquinone-based red pigment (Pigment Red 177) A pigment obtained by mixing parts and pigmenting the total amount of the three kinds of dyes/amount of styrene acrylic resin = 1/3 (mass ratio).
[화합물(p)][Compound (p)]
(p)-1: 숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸). (p)-1: Mono succinate (2-acryloyloxyethyl).
[실시예 1][Example 1]
<보호막 형성용 복합 시트의 제조><Production of a composite sheet for forming a protective film>
(보호막 형성용 조성물(IV-1)의 제조)(Preparation of composition for forming a protective film (IV-1))
에너지선 경화성 성분((a2)-1), 중합체((b)-1), 광중합 개시제((c)-1), 충전재((d)-1), 커플링제((e)-1), 착색제((g)-1) 및 화합물((p)-1)을, 이들의 함유량(고형분량, 질량부)이 표 1에 나타내는 값이 되도록 메틸에틸케톤에 용해 또는 분산시키고, 23℃에서 교반함으로써, 고형분 농도가 50질량%인 보호막 형성용 조성물(IV-1)을 조제했다. 한편, 표 1 중의 함유 성분란의 「-」이라는 기재는 보호막 형성용 조성물(IV-1)이 그 성분을 함유하고 있지 않음을 의미한다. Energy ray-curable component ((a2)-1), polymer ((b)-1), photopolymerization initiator ((c)-1), filler ((d)-1), coupling agent ((e)-1), The coloring agents ((g)-1) and the compound ((p)-1) were dissolved or dispersed in methyl ethyl ketone so that their contents (solid content, parts by mass) were the values shown in Table 1, and stirred at 23°C. Thereby, the composition (IV-1) for forming a protective film having a solid content concentration of 50% by mass was prepared. On the other hand, the description of "-" in the content of a component in Table 1 means that the composition (IV-1) for forming a protective film does not contain the component.
(점착제 조성물(I-4)의 제조)(Preparation of adhesive composition (I-4))
아크릴계 중합체(100질량부, 고형분) 및 이소시아네이트계 가교제(닛폰 폴리우레탄사 제조 「코로네이트 L」, 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물)(5질량부, 고형분)를 함유하고, 추가로 용매로서 메틸에틸케톤을 함유하는, 고형분 농도가 30질량%의 비에너지선 경화성 점착제 조성물(I-4)을 조제했다. 상기 아크릴계 중합체는 메타크릴산-2-에틸헥실(80질량부) 및 HEA(20질량부)를 공중합하여 이루어지는 중량 평균 분자량이 600000인 것이다. Contains an acrylic polymer (100 parts by mass, solids) and an isocyanate-based crosslinking agent ("Coronate L" manufactured by Nippon Polyurethane, a tolylene diisocyanate trimer adduct of trimethylolpropane) (5 parts by mass, solids). A non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition (I-4) having a solid content concentration of 30% by mass containing methyl ethyl ketone as a solvent was prepared. The acrylic polymer has a weight average molecular weight of 600000 by copolymerizing 2-ethylhexyl methacrylate (80 parts by mass) and HEA (20 parts by mass).
(지지 시트의 제조)(Production of support sheet)
폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 한쪽 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)의 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 점착제 조성물(I-4)을 도공하고, 120℃에서 2분 가열 건조시킴으로써, 두께 10㎛의 비에너지선 경화성 점착제층을 형성했다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-4) obtained above was coated on the release-treated surface of a release film ("SP-PET381031" manufactured by Lintec, thickness 38 mu m) on which one side of a polyethylene terephthalate film was peeled off by a silicone treatment. Then, by heating and drying at 120° C. for 2 minutes, a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm was formed.
이어서, 이 점착제층의 노출면에 기재로서 폴리프로필렌계 필름(두께 80㎛)을 첩합함으로써, 기재, 점착제층 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 이루어지는 지지 시트를 얻었다. Subsequently, by attaching a polypropylene-based film (80 µm thick) as a base material to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer, a support sheet made of a base material, a pressure-sensitive adhesive layer, and a release film laminated in these thickness directions in this order was obtained.
(보호막 형성용 복합 시트의 제조)(Production of a composite sheet for forming a protective film)
폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 한쪽 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(제2 박리 필름, 린텍사 제조 「SP-PET382150」, 두께 38㎛)의 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 보호막 형성용 조성물(IV-1)을 도공하고, 100℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름을 제조했다. The protective film forming composition obtained above on the said peeling-treated surface of the peeling film (2nd peeling film, "SP-PET382150" by Lintec, thickness 38 micrometers) in which one surface of the polyethylene terephthalate film was peeled by silicone treatment By coating (IV-1) and drying at 100° C. for 2 minutes, a film for forming an energy ray-curable protective film having a thickness of 25 μm was prepared.
추가로, 얻어진 보호막 형성용 필름의 제2 박리 필름을 구비하지 않은 쪽의 노출면에 박리 필름(제1 박리 필름, 린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)의 박리 처리면을 첩합함으로써, 보호막 형성용 필름의 한쪽 표면에 제1 박리 필름을 구비하고, 다른 한쪽의 표면에 제2 박리 필름을 구비한 적층 필름을 얻었다. Further, by peeling the peeling treatment surface of the peeling film (first peeling film, "SP-PET381031" manufactured by Lintec, thickness: 38 µm) on the exposed surface of the obtained protective film-forming film on the side without the second peeling film , A laminated film having a first release film on one surface of the film for forming a protective film and a second release film on the other surface was obtained.
이어서, 상기에서 얻어진 지지 시트의 점착제층으로부터 박리 필름을 제거했다. 또한, 상기에서 얻어진 적층 필름으로부터 제1 박리 필름을 제거했다. 그리고, 상기 박리 필름을 제거하여 생긴 점착제층의 노출면과, 상기 제1 박리 필름을 제거하여 생긴 보호막 형성용 필름의 노출면을 첩합함으로써, 기재, 점착제층, 보호막 형성용 필름 및 제2 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 이루어지는 보호막 형성용 복합 시트를 제작했다. Next, the release film was removed from the pressure-sensitive adhesive layer of the support sheet obtained above. Moreover, the 1st peeling film was removed from the laminated film obtained above. Then, by bonding the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer formed by removing the release film and the exposed surface of the film for forming a protective film formed by removing the first release film, the base material, the pressure-sensitive adhesive layer, the film for forming a protective film, and the second release film In this order, a composite sheet for forming a protective film that was laminated in these thickness directions was produced.
<보호막 형성용 필름의 평가><Evaluation of the film for forming a protective film>
(보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력)(Adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer)
상기에서 얻어진 적층 필름으로부터 제1 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 생긴 보호막 형성용 필름의 노출면에 점착 테이프(린텍사 제조 「D-841」)를 첩부했다. 그리고, 얻어진 것을 25㎜×140㎜의 크기로 재단함으로써, 시험편을 제작했다. The 1st peeling film was removed from the laminated film obtained above, and the adhesive tape ("D-841" by Lintec) was attached to the exposed surface of the film for protective film formation thereby. Then, by cutting the obtained one to a size of 25 mm × 140 mm, a test piece was produced.
이어서, 얻어진 시험편의 보호막 형성용 필름으로부터, 제2 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 생긴 보호막 형성용 필름의 노출면을 6인치 실리콘 웨이퍼(두께 300㎛)의 #2000 연마면에 첩부하고, 30분간 정치했다. Subsequently, from the film for forming a protective film of the obtained test piece, the second release film was removed, and the exposed surface of the film for forming a protective film thus formed was affixed to a #2000 polished surface of a 6-inch silicon wafer (300 µm thick), for 30 minutes. Politics.
이어서, 23℃의 조건하에서, 정밀 만능 시험기(시마즈 제작소 제조 「오토그래프 AG-IS」)를 이용하여, 상기 실리콘 웨이퍼로부터 보호막 형성용 필름 및 점착 테이프의 적층물을 보호막 형성용 필름 및 실리콘 웨이퍼의 서로 접촉하고 있던 면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 박리 속도 300㎜/min으로 박리하는, 이른바 180°박리를 행했다. 그리고, 이 때의 박리력(하중, N/25㎜)을 측정하고, 이 측정값을 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력으로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다. Subsequently, under the condition of 23° C., a laminate of a film for forming a protective film and a pressure-sensitive adhesive tape from the silicon wafer using a precision universal testing machine ("Autograph AG-IS" manufactured by Shimadzu Corporation) The so-called 180° peeling was performed to peel at a peeling rate of 300 mm/min so that the surfaces contacting each other had an angle of 180°. Then, the peeling force (load, N/25 mm) at this time was measured, and this measurement value was taken as the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer. Table 1 shows the results.
<보호막의 평가><Evaluation of the protective film>
(반도체 칩의 들뜸의 억제)(Suppression of lifting of semiconductor chips)
상기에서 얻어진 적층 필름으로부터 제1 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 생긴 보호막 형성용 필름의 노출면을 8인치 실리콘 웨이퍼(두께 300㎛)의 #2000 연마면에 첩부했다. The first release film was removed from the laminated film obtained above, and the exposed surface of the resulting film for forming a protective film was adhered to a #2000 polished surface of an 8-inch silicon wafer (300 µm thick).
이어서, 이 보호막 형성용 필름으로부터 제2 박리 필름을 제거하고, 보호막 형성용 필름을 노출시켰다. 또한, 상기에서 얻어진 지지 시트의 점착제층으로부터 박리 필름을 제거하여, 점착제층을 노출시켰다. 그리고, 점착제층의 노출면을 보호막 형성용 필름의 노출면과 첩합함과 함께, 링 프레임에 첩부함으로써, 기재, 점착제층, 보호막 형성용 필름 및 실리콘 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 이루어지는 적층체를 링 프레임에 고정하고, 30분간 정치했다. Next, the 2nd peeling film was removed from this film for protective film formation, and the film for protective film formation was exposed. Moreover, the peeling film was removed from the adhesive layer of the support sheet obtained above, and the adhesive layer was exposed. Then, by bonding the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer to the exposed surface of the film for forming a protective film and attaching it to the ring frame, the base material, the pressure-sensitive adhesive layer, the film for forming a protective film and the silicon wafer are in this order, in their thickness direction. The stacked laminate was fixed to the ring frame and left for 30 minutes.
이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「RAD2000m/8」)를 이용하여, 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건으로, 상기 기재 및 점착제층을 개재하여 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사함으로써, 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 보호막으로 했다. 이후, 이에 의해 얻어진 것, 즉, 상기 적층체 내의 보호막 형성용 필름이 보호막이 된 것을 「경화 후 적층체」로 칭한다. Subsequently, by using an ultraviolet irradiation device ("RAD2000m/8" manufactured by Lintec) under conditions of roughness of 195 Pa/cm 2 and light intensity of 170 mJ/cm 2, the protective film forming film was irradiated with ultraviolet light through the substrate and the adhesive layer. , The film for forming a protective film was cured to obtain a protective film. Hereafter, what was obtained by this, that is, the film for protective film formation in the said laminated body became a protective film, is called "the laminated body after hardening."
이어서, 보호막을 개재하여 실리콘 웨이퍼에 레이저광을 조사할 수 있도록, 상기 경화 후 적층체 및 링 프레임을 이들의 위치를 조절하면서 레이저 쏘우(디스코사 제조 「DFL7361」)에 설치했다. Subsequently, the laminate and the ring frame after curing were installed on a laser saw ("DFL7361" manufactured by Disco Corporation) while controlling the positions of the laminate and the ring frame after curing so that the laser beam could be irradiated onto the silicon wafer through a protective film.
이어서, 실리콘 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 수렴하도록, 지지 시트 및 보호막을 개재하여, 파장이 1342㎚인 레이저광을 조사하여, 실리콘 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성했다. Subsequently, a laser beam having a wavelength of 1342 nm was irradiated through a support sheet and a protective film to converge to a focus set inside the silicon wafer, thereby forming a modified layer inside the silicon wafer.
이어서, 상기 경화 후 적층체 및 링 프레임을 다이 세퍼레이터(디스코사 제조 「DDS2300」)에 설치하고, 0℃의 조건하에서, 상기 경화 후 적층체를 상기 보호막의 표면 방향(표면을 따른 방향)으로 익스팬드함으로써, 보호막을 절단함과 함께, 상기 개질층 부위에 있어서 실리콘 웨이퍼를 분할하여, 크기가 3㎜×3㎜인 복수개의 실리콘 칩을 얻었다. Subsequently, the cured laminate and ring frame were installed on a die separator ("DDS2300" manufactured by Disco), and under the condition of 0 DEG C, the cured laminate was extruded in the surface direction (direction along the surface) of the protective film. By cutting, the protective film was cut, and a silicon wafer was divided at the modified layer site to obtain a plurality of silicon chips having a size of 3 mm x 3 mm.
이어서, 얻어진 실리콘 칩의 보호막 상에서의 분할 상태를 육안으로 관찰하여, 보호막으로부터의 들뜸이 발생되어 있는 실리콘 칩이 전혀 존재하지 않는 경우에는 「A」로 판정하고, 보호막으로부터의 들뜸이 발생되어 있는 실리콘 칩이 1개 이상 존재하고 있는 경우에는 「B」로 판정했다. 결과를 표 1에 나타낸다. Subsequently, the state of division of the obtained silicon chip on the protective film was visually observed, and when there is no silicon chip having any excitation from the protective film, it is determined as "A", and the excitation from the protective film is generated. When there is more than one chip, it was judged as "B". Table 1 shows the results.
(보호막의 전단 강도)(Shear strength of the protective film)
8인치 실리콘 웨이퍼(두께 300㎛) 대신에 6인치 실리콘 웨이퍼(두께 300㎛)를 사용한 점 이외에는, 상기 「반도체 칩의 들뜸의 억제」의 평가시와 동일한 방법으로, 기재, 점착제층, 보호막 형성용 필름 및 실리콘 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 이루어지는 적층체를 링 프레임에 고정하고, 30분간 정치했다. 한편, 보호막 형성용 필름은 6인치 실리콘 웨이퍼의 #2000 연마면에 첩부했다. Except for using a 6-inch silicon wafer (300 µm thick) instead of an 8-inch silicon wafer (300 µm thick), in the same manner as in the evaluation of “suppression of floating of semiconductor chips”, for forming a substrate, an adhesive layer, and a protective film In this order, a laminate formed of films and silicon wafers laminated in their thickness direction was fixed to a ring frame, and left standing for 30 minutes. On the other hand, the film for forming a protective film was affixed to a #2000 polished surface of a 6-inch silicon wafer.
이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「RAD2000m/8」)를 이용하여, 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건으로, 상기 기재 및 점착제층을 개재하여 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사함으로써, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 하여, 보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 얻었다. Subsequently, by using an ultraviolet irradiation device ("RAD2000m/8" manufactured by Lintec) under conditions of roughness of 195 Pa/cm 2 and light intensity of 170 mJ/cm 2, the protective film forming film was irradiated with ultraviolet light through the substrate and the adhesive layer. , The protective film-forming film was cured to obtain a protective film to obtain a silicon wafer on which the protective film was formed.
이어서, 다이싱 블레이드를 이용하여, 실리콘 웨이퍼를 보호막째 다이싱(보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 다이싱)하여 개편화하여, 크기가 3㎜×3㎜인 보호막을 구비한 실리콘 칩(보호막이 형성된 실리콘 칩)을 복수개 얻었다. Next, using a dicing blade, the silicon wafer is diced into a protective film (dicing a silicon wafer on which a protective film is formed) and reorganized to form a silicon chip (a silicon having a protective film formed thereon) having a protective film having a size of 3 mm×3 mm. Chip).
이어서, 만능형 본드 테스터(노드슨 어드밴스트 테크놀로지사 제조 「DAGE4000」)를 이용하여 23℃의 조건하에서, 쉐어 툴에 의해, 200㎛/s의 속도로 보호막이 형성된 실리콘 칩 중 보호막에만, 보호막의 표면 방향으로 힘을 가했다. 그리고, 보호막이 파괴될 때까지 가해지고 있던 힘의 최대치를 확인하여, 이를 전단 강도(N/3㎜□)로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다. Subsequently, using a universal bond tester ("DAGE4000" manufactured by Nordson Advanced Technology) under the conditions of 23 DEG C, the protective film of the protective film is formed only among the silicon chips in which the protective film was formed at a rate of 200 µm/s by a share tool. Force was applied in the direction of the surface. Then, the maximum value of the force applied until the protective film was destroyed was checked, and this was set as the shear strength (N/3 mm□). Table 1 shows the results.
<보호막 형성용 복합 시트의 제조, 그리고 보호막 형성용 필름 및 보호막의 평가><Production of a composite sheet for forming a protective film, and evaluation of the film and protective film for forming a protective film>
[실시예 2, 비교예 1][Example 2, Comparative Example 1]
보호막 형성용 조성물(IV-1)의 제조시에 있어서의 배합 성분의 양을 표 1에 나타내는 바와 같이 한 점 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트를 제조하고, 보호막 형성용 필름 및 보호막을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. In the same manner as in Example 1, a film for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film were prepared in the same manner as in Example 1, except that the amount of the blended components in the production of the protective film forming composition (IV-1) was shown in Table 1. Then, the film for protective film formation and the protective film were evaluated. Table 1 shows the results.
상기 결과로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1∼2에서는, 보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 익스팬드하여, 보호막을 절단함과 함께, 실리콘 웨이퍼를 분할하여 실리콘 칩으로 했을 때, 보호막으로부터의 실리콘 칩의 들뜸이 억제되어 있었다. 실시예 1∼2에서는, 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 3.8N/25㎜ 이상(3.8∼4.5N/25㎜)으로 높았다. 또한, 실시예 1∼2에서는, 보호막의 전단 강도가 11.3N/3㎜□ 이상(11.3∼11.4N/3㎜□)으로 컸다. As is apparent from the above results, in Examples 1 to 2, when the silicon wafer on which the protective film was formed is expanded, the protective film is cut, and when the silicon wafer is divided into a silicon chip, the silicon chip from the protective film is lifted. It was suppressed. In Examples 1 to 2, the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer was as high as 3.8 N/25 mm or more (3.8 to 4.5 N/25 mm). Further, in Examples 1 to 2, the shear strength of the protective film was greater than 11.3 N/3 mm□ or higher (11.3 to 11.4 N/3 mm□).
이에 비해, 비교예 1에서는, 보호막으로부터의 실리콘 칩의 들뜸이 억제되어 있지 않았다. 비교예 1에서는, 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 2.6N/25㎜로 실시예 1∼2보다 낮았다. 또한, 비교예 1에서는, 보호막의 전단 강도가 10.1N/3㎜□로 실시예 1∼2보다 작았다. In contrast, in Comparative Example 1, the excitation of the silicon chip from the protective film was not suppressed. In Comparative Example 1, the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer was 2.6 N/25 mm, which was lower than Examples 1-2. In Comparative Example 1, the shear strength of the protective film was 10.1 N/3 mm□, which was smaller than Examples 1 to 2.
이들 실시예 및 비교예의 결과로부터, 실리콘 칩의 들뜸의 유무는 상술한 점착력 및 전단 강도의 영향을 받는 것이 명확하게 확인되었다. From the results of these Examples and Comparative Examples, it was clearly confirmed that the presence or absence of the excitation of the silicon chip was affected by the above-described adhesive strength and shear strength.
본 발명은 반도체 장치의 제조에 이용 가능하다. The present invention can be used in the manufacture of semiconductor devices.
1A, 1A', 1B, 1C, 1D, 1E···보호막 형성용 복합 시트, 10···지지 시트, 10a···지지 시트의 표면(제1 면), 11···기재, 11a···기재의 표면(제1 면), 12···점착제층, 12a···점착제층의 표면(제1 면), 13, 23···보호막 형성용 필름, 130···절단 후의 보호막 형성용 필름, 13a, 23a···보호막 형성용 필름의 표면(제1 면), 13b···보호막 형성용 필름의 표면(제2 면), 13'···보호막, 130'···절단 후의 보호막, 15···박리 필름, 151···제1 박리 필름, 152···제2 박리 필름, 16···지그용 접착제층, 16a···지그용 접착제층의 표면, 9···반도체 웨이퍼, 9b···반도체 웨이퍼의 이면, 91···반도체 웨이퍼의 개질층, 9'···반도체 칩 1A, 1A', 1B, 1C, 1D, 1E... composite sheet for forming a protective film, 10... support sheet, 10a... surface of the support sheet (first side), 11... substrate, 11a... ··············································································································· Film for forming, 13a, 23a... surface of film for forming a protective film (first surface), 13b... surface of film for forming a protective film (second surface), 13'... protective film, 130'... Protective film after cutting, 15... peeling film, 151... 1st peeling film, 152... 2nd peeling film, 16... adhesive layer for jig, 16a... surface of adhesive layer for jig, 9 Semi-conductor wafer, 9b... Back side of semiconductor wafer, 91...Modified layer of semiconductor wafer, 9'... Semi-conductor chip
Claims (3)
하기 방법으로 측정된 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력이 3N/25㎜ 이상이며,
상기 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여 보호막으로 했을 때, 하기 방법으로 측정된 보호막의 전단 강도가 10.5N/3㎜□ 이상인 보호막 형성용 필름:
보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 보호막 형성용 필름 및 실리콘 웨이퍼의 서로 접촉하고 있던 면 사이가 180°의 각도를 이루도록, 박리 속도 300㎜/min으로 실리콘 웨이퍼로부터 상기 보호막 형성용 필름을 박리했을 때의 박리력(N/25㎜)을 측정하고, 이 측정값을 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 점착력으로 한다;
보호막의 전단 강도:
두께가 25㎛인 상기 보호막 형성용 필름을 실리콘 웨이퍼에 첩부한 후, 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건으로, 보호막 형성용 필름에 자외선을 조사하여, 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 크기가 3㎜×3㎜인 보호막이 형성된 실리콘 칩으로 하고, 얻어진 보호막이 형성된 실리콘 칩 중 보호막에만, 200㎛/s의 속도로 보호막의 표면 방향으로 힘을 가하여, 보호막이 파괴될 때까지 가해지고 있던 힘의 최대치(N/3㎜□)를 보호막의 전단 강도로 한다. As a film for forming an energy ray curable protective film,
The adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer measured by the following method is 3 N/25 mm or more,
When the protective film-forming film is irradiated with ultraviolet light to form a protective film, the protective film-forming film having a shear strength of 10.5 N/3 mm□ or more measured by the following method:
Adhesion between protective film forming film and silicon wafer:
After affixing the film for forming a protective film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the silicon wafer at a peeling rate of 300 mm/min is formed so that an angle of 180° is formed between the film for forming a protective film and the surfaces in contact with each other of the silicon wafer. The peeling force (N/25 mm) when peeling the film for forming a protective film from was measured, and the measured value was taken as the adhesive force between the film for forming a protective film and the silicon wafer;
Shear strength of the protective film:
After attaching the film for forming a protective film having a thickness of 25 µm to a silicon wafer, the film for forming a protective film is irradiated with ultraviolet light under conditions of roughness 195 Pa/cm 2 and a light amount of 170 mJ/cm 2 to cure the film for forming a protective film to protect the film The silicon wafer on which the obtained protective film was formed was diced to obtain a silicon chip on which a protective film having a size of 3 mm x 3 mm was formed, and the surface of the protective film at a rate of 200 µm/s only in the protective film among the silicon chips on which the obtained protective film was formed. A force is applied in the direction, and the maximum value (N/3 mm□) of the force applied until the protective film is destroyed is taken as the shear strength of the protective film.
상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여, 보호막을 형성하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 수렴하도록, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 개재하여 레이저광을 조사하여, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정과,
상기 개질층을 형성한 상기 반도체 웨이퍼를 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름과 함께, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 표면 방향으로 익스팬드하여, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 절단함과 함께, 상기 개질층 부위에 있어서 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩을 얻는 공정을 갖는 반도체 칩의 제조 방법.A step of attaching the film for forming a protective film in the film for forming a protective film of claim 1 or a composite sheet for forming a protective film of claim 2 to a semiconductor wafer,
A step of forming a protective film by irradiating an energy ray to the film for forming a protective film after being attached to the semiconductor wafer;
A step of forming a modified layer inside the semiconductor wafer by irradiating laser light through the protective film or the film for forming a protective film to converge to a focus set inside the semiconductor wafer;
The semiconductor wafer on which the modified layer is formed is expanded with the protective film or the film for forming a protective film in the surface direction of the protective film or the film for forming a protective film, and the film for forming the protective film or the protective film is cut, and the modified A method of manufacturing a semiconductor chip having a step of dividing the semiconductor wafer at a layer portion to obtain a plurality of semiconductor chips.
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