KR102471507B1

KR102471507B1 - 유기발광소자

Info

Publication number: KR102471507B1
Application number: KR1020150129264A
Authority: KR
Inventors: 김영미; 허준영; 정윤섭
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-09-11
Filing date: 2015-09-11
Publication date: 2022-11-29
Anticipated expiration: 2035-09-11
Also published as: KR20170031859A

Abstract

본 발명은 기판 상에 위치하는 제1전극, 제1전극 상에 위치한 유기층, 유기층 상에 위치하는 제2전극 및 제2전극 상에 위치하는 리플성형층을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.

Description

유기발광소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 빛을 발광하는 유기발광소자에 관한 것이다.

유기발광소자는 양 전극 사이로 전류가 흐를 때, 전극 사이에 위치한 유기화합물이 발광하는 전계발광 현상을 이용하여 빛을 발산하는 소자이다. 그리고, 이러한 유기화합물로 흐르는 전류의 양을 제어하여 발산되는 빛의 양을 조절함으로써 영상을 표시하는 장치가 유기발광 표시장치이다.

유기발광 표시장치는 전극 사이의 얇은 유기화합물로 발광하기 때문에 경량화 및 박막화가 가능하다는 장점이 있다.

한편 유기발광 표시장치를 제조하는 과정에서 미세한 입자(particle)가 유기발광소자 내에 인입될 수 있다. 이러한 입자를 이물(foreign body)이라고 한다. 절연된 상태를 유지해야 하는 전극들 사이에 이물이 존재할 경우 전극들 사이에 쇼트(short)가 발생할 수 있다. 이는 특정한 화소의 불량을 야기하는 문제가 있다.

이러한 배경에서, 본 발명의 목적은 유기발광소자 내에 이물로 인한 불량을 감소시키는데 있다.

또한 본 발명의 목적은 유기발광소자 내에 이물로 인한 쇼트를 방지하는 리페어 공정의 성공률을 높이는데 있다.

또한 본 발명의 목적은 유기발광소자의 생산 수율을 향상시키는데 있다.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은, 기판 상에 위치하는 제1전극, 제1전극 상에 위치한 유기층, 유기층 상에 위치하는 제2전극 및 제2전극 상에 위치하는 리플성형층을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.

다른 측면에서, 본 발명은, 기판 상에 위치하는 제1전극, 제1전극 상에 위치한 유기층 및 유기층 상에 위치하는 제2전극을 포함하는 유기발광소자를 제공한다. 이때 제1전극 또는 상기 제2전극 중 적어도 하나는 개구를 포함하며, 이물이 제1전극과 유기층 사이, 유기층과 제2전극 사이 또는 제2전극 상에 위치한 경우, 이물이 개구 내에 위치할 수 있다.

본 발명은 유기발광소자 내에 이물로 인한 불량을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 유기발광소자 내에 이물로 인한 쇼트를 방지하는 리페어 공정의 성공률을 높이는 효과가 있다.

또한 본 발명은 유기발광소자의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광 표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2a는 일 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 AA'선 단면도이다.
도 3a는 도 2b의 유기발광소자에서 제조공정 중에 이물이 발생한 경우를 도시하고 있다.
도 3b는 이물이 발생한 경우 리페어 처리한 결과를 도시하고 있다.
도 3c는, 일 예로, 도 3b의 BB'선의 단면도이다.
도 3d는, 다른 예로, 도 3b의 BB'선 단면도이다.
도 4a는 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적 평면도이다.
도 4b는 도 4a의 CC'선 단면도이다.
도 5a는 도 4b의 유기발광소자에서 제조공정 중에 이물이 발생한 경우를 도시하고 있다.
도 5b는 이물이 발생한 경우 리페어 처리한 결과를 도시하고 있다.
도 5c는, 일 예로, 도 5b의 EE'선의 단면도이다.
도 5d는, 다른 예로, 도 5b의 EE'선 단면도이다.
도 6a는 제조공정 중에 이물이 발생한 경우, 또다른 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 6b는 이물이 발생한 경우 리페어 처리한 결과인 또다른 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적 평면도이다.
도 6c는 도 6b의 FF'선 단면도이다.
도 7a는 제조공정 중에 이물이 발생한 경우, 또다른 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 7b는 이물이 발생한 경우 리페어 처리한 결과인 또다른 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적 평면도이다.
도 7c는 도 7b의 GG'선 단면도이다.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.

또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.

도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광 표시장치의 시스템 구성도이다.

도 1을 참조하면, 유기발광 표시장치(100)는 타이밍 제어부(110), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130) 및 표시패널(140)을 포함할 수 있다.

도 1을 참조하면, 제 1 기판(110)에는 일방향으로 형성되는 다수의 데이터 라인(DL: Data Line, DL1~DLn)과 다수의 데이터 라인과 교차하는 타방향으로 형성되는 다수의 게이트 라인(GL: Gate Line, GL1~GLm)의 교차 영역마다 화소(P: Pixel)가 정의된다.

표시패널(140) 상의 각 화소는 제 1 전극, 제 2 전극 및 유기층을 포함하는 적어도 하나의 유기발광소자를 포함할 수 있다. 각 유기발광소자에 포함된 유기층은 적색, 녹색, 청색 및 백색용 유기층 중 적어도 하나 이상의 유기층 또는 백색 유기층을 포함할 수 있다. 각 화소는 유기층을 1차적으로 수분과 산소로부터 보호하는 패시베이션층을 포함할 수 있다.

이하에서는, 전술한 유기발광 표시장치에 포함되는 유기발광소자에 대하여 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.

도 2a는 일 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적 평면도이다. 도 2b는 도 2a의 AA'선 단면도이다.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 일 실시예에 따른 유기발광소자(200)는, 기판(210), 기판(210) 상에 위치하는 제1전극(221), 제1전극(221) 상에 위치한 유기층(225), 유기층(225) 상에 위치하는 제2전극(227)을 포함한다. 제1전극(221)과 유기층(225), 제2전극(227)이 유기발광다이오드(230)를 구성한다.

제1전극(231) 상에는 뱅크(223)가 배치되고, 뱅크(223)에는 제 1 전극(231)이 뱅크(223)로부터 노출되도록 개구부(223a)가 구비된다.

유기발광소자(200)는 유기발광다이오드(230) 상에 배치된 패시베이션층(passivation layer, 230)을 포함할 수 있다.

도 3a는 도 2b의 유기발광소자에서 제조공정 중에 이물이 발생한 경우를 도시하고 있다. 도 3b는 이물이 발생한 경우 리페어 처리한 결과를 도시하고 있다. 도 3c는, 일 예로, 도 3b의 BB'선의 단면도이다. 도 3d는, 다른 예로, 도 3b의 BB'선 단면도이다.

도 3a에 도시한 바와 같이, 유기발광소자(200)에서 제조공정 중에 이물이 발생할 수 있다. 예를 들어 유기발광소자(200)에서 제조공정 중에 제2전극(227) 상, 구체적으로 제2전극(227)과 패시베이션층 사이에 이물(340)이 발생할 때 제1전극(221)과 제2전극(227) 사이 물리적인 접촉 또는 접합으로 인해 쇼트(short)가 발생할 수 있다. 유기발광소자(200)에서 제조공정 중에 제1전극(221)과 유기층(225) 사이, 유기층(225)과 제2전극(227) 사이 등에도 이물(340)이 발생할 수도 있다.

이물(340)에 의한 쇼트 발생을 방지하기 위해 리페어 공정으로 이물(340)이 위치하는 주위에 레이저를 조사할 수 있다. 이물(340)이 위치하는 주위에 제2전극(227) 방향으로 레이저를 조사하면 제2전극(227)이 레이저의 에너지를 흡수하여 가공 또는 커팅되므로 도 3b 및 도 3c에 도시한 바와 같이 개구(228)가 형성된다. 즉 제1전극(221)과 제2전극(227) 간의 물리적인 접촉을 제거하여, 이물(340)에 의한 제1전극(221)과 제2전극(227) 사이 쇼트 발생을 방지할 수 있다.

제2전극(227)에서 레이저가 조사된 부위에 레이저에 의해 가공되어 개구(228)가 형성될 때 개구(228)에 제2전극(227) 하부에 위치하는 유기층(225) 방향으로 향하는 리플(229)이 레이저에 의한 가공의 흔적으로 남는다. 이때 리플(229)는 제2전극(227)의 개구(228)의 말리는 형상 또는 뭉치는 형상을 의미한다.

제2전극(227)에 조사되는 레이저의 조사량이 적당하면 도 3c에 도시한 바와 같이 리플(229)과 제1전극(221)이 이격되어 정상적인 리페어 처리가 완료된다. 그러나, 제2전극(227)에 조사되는 레이저의 조사량이 많거나 제2전극(227)의 재료가 레이저의 에너지를 많이 흡수하면 도 3d에 도시한 바와 같이 유기층(225) 방향으로 향하는 리플(229)과 제1전극(221)이 물리적으로 다시 접촉하여 리페어 처리에 실패할 수 있다. 이에 따라 리페어 성공률을 감소시킬 수 있다.

이하에서, 리페어 공정을 통해 이물(340)에 의한 제1전극(221)과 제2전극(227) 사이 쇼트 발생을 방지하고, 유기층(225) 방향으로 향하는 리플(229)과 제1전극(221)이 물리적으로 접촉하여 리페어 처리에 실패하는 것을 방지할 수 있는 실시예들을 설명한다.

도 4a는 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적 평면도이다. 도 4b는 도 4a의 CC'선 단면도이다.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 다른 실시예에 따른 유기발광소자(400)는, 기판(410), 기판(410) 상에 위치하는 제1전극(421), 제1전극(421) 상에 위치한 유기층(425), 유기층(425) 상에 위치하는 제2전극(427), 제2전극(427) 상에 위치하는 리플성형층(432)을 포함한다. 제1전극(421)과 유기층(425), 제2전극(427)이 유기발광다이오드(420)를 구성한다.

유기층(425)는 제1전극(421)과 제2전극(427) 사이에 하나 이상의 층들을 포함할 수 있다. 예를 들어 도 4b에 도시한 바와 같이 유기층(425)는 정공주입층(425a), 정공수송층(425b), 유기발광층(425c), 전자수송층(425d), 전자주입층(425c)를 포함할 수 있다. 이때 유기층(425)는 유기발광층(425c)를 반드시 포함하되 다른 층들을 포함할 수도 있고 포함하지 않을 수도 있다. 또한 유기층(425)는 정공주입층(425a), 정공수송층(425b), 유기발광층(425c), 전자수송층(425d), 전자주입층(425c) 중 둘 사이에 다른 기능성 층을 포함할 수도 있고, 제1전극(421)과 정공주입층(425a) 사이 또는 전자주입층(425e)와 제2전극(427) 사이 다른 기능성 층을 포함할 수도 있다.

리플성형층(432)는 후술하는 바와 같이 리페어 공정에서 리페어 실패를 방지하기 위해 제2전극(427) 상에 추가로 배치된다. 리플성형층(432)는 후술하는 리플의 방향을 조절하기 위해 추가된 층으로 어떠한 화합물 또는 물질, 재료라도 가능하다. 예를 들어 리플성형층(432)은 유기물이라면 어떤 종류라도 가능하다. 리플성형층(432)은 유기층(425)과 물리화학적 특성이 동일 또는 유사한 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어 유기물은 옥사디아졸(oxadiazole), 트리아졸(triazole), 페난트롤린(phenanthroline), 벤족사졸(benzoxazole) 또는 벤즈티아졸(benzthiazole) 등으로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상일 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로 리플성형층(432)은 LIF 또는 LiQ(lithium quinolate) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.

다른 예를 들어 후술하는 바와 같이 유기물은 시아닌(Cyanine)계, 디티올(Dithiol) 금속 착체계, 디이모니움(Diimmonium) 계 화합물들로 구성된 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상의 화합물인 적외선 흡수성 유기물일 수 있으나 이에 제한되지 않는다.

리플성형층(432)은 제2전극(427)과 인접한 전자주입층(425e) 및 또는 전자수송층(425d)에 사용되는 화합물들 중 하나를 포함할 수도 있다. 예를 들어 리플성형층(432)와 전자주입층(425e)은 동일한 화합물을 포함할 수 있다. 리플성형층(432)와 전자수송층층(425d)은 동일한 화합물을 포함할 수 있다.

제1전극(431) 상에는 뱅크(423)가 배치되고, 뱅크(423)에는 제 1 전극(431)이 뱅크(423)로부터 노출되도록 개구부(423a)가 구비된다.

유기발광소자(400)는 유기발광다이오드(420) 상에 배치된 패시베이션층(430)을 포함할 수 있다 패시베이션층(430)은 유기물과 무기물 중 하나일 수 있다. 또한 패시베이션층(430)은 유기물과 무기물이 교대로 위치할 수 있다. 유기물은 예를 들어 아크릴레이트(acrylate), 에폭시(epoxy) 계열의 폴리머(polymer) 및 이미드(imide) 계열의 폴리머 등의 물질로, 스크린 프린팅법 및 열증착법 등의 방법을 통해 형성될 수 있다. 무기물은 예를 들어 실리콘 산화물(SiOx) 이나 실리콘 질화물(SiNx) 등의 물질로, 유기물을 형성하는 방법을 포함한 다양한 증착법을 통해 형성될 수 있다.

전술한 일 실시예에 따른 유기발광소자(400)는 제1전극(421)을 구동하는 박막 트랜지스터를 추가로 포함할 수 있다. 이때 박막 트랜지스터는 게이트전극이 소스/드레인 전극의 하부에 형성되는 바텀게이트(bottom gate) 방식이거나, 게이트전극이 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 방식일 수 있다.

도 5a는 도 4b의 유기발광소자에서 제조공정 중에 이물이 발생한 경우를 도시하고 있다. 도 5b는 이물이 발생한 경우 리페어 처리한 결과를 도시하고 있다. 도 5c는, 일 예로, 도 5b의 EE'선의 단면도이다. 도 5d는, 다른 예로, 도 5b의 EE'선 단면도이다.

도 5a에 도시한 바와 같이, 유기발광소자(400)에서 제조공정 중에 이물이 발생할 수 있다. 예를 들어 유기발광소자(400)에서 제조공정 중에 제2전극(427) 상, 구체적으로 제2전극(427)과 리플성형층(432) 사이에 이물(540)이 발생할 때 제1전극(421)과 제2전극(427) 사이 물리적인 접촉으로 인해 쇼트(short)가 발생할 수 있다. 유기발광소자(400)에서 제조공정 중에 제1전극(421)과 유기층(425) 사이, 유기층(425)과 제2전극(427) 사이, 리플성형층(432)과 패시베이션층(430) 사이 등에도 이물(540)이 발생할 수도 있다.

이물(540)에 의한 쇼트 발생을 방지하기 위해 리페어 공정으로 이물(540)이 위치하는 주위에 레이저를 조사할 수 있다. 이물(540)이 위치하는 주위에 제2전극(227) 방향으로 레이저를 조사하면 제2전극(427)이 레이저의 에너지를 흡수하여 가공 또는 커팅되므로 도 5b 및 도 5c에 도시한 바와 같이 제1개구(428)가 형성된다. 즉 제1전극(421)과 제2전극(427) 간의 물리적인 접촉을 제거하여, 이물(540)에 의한 제1전극(421)과 제2전극(427) 사이 쇼트 발생을 방지할 수 있다.

이때 도 5b에는 이물(540)이 평면상으로 원형이고 제1개구(428)도 평면상으로 원형인 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 이물(540)과 제1개구(428)의 평면형상은 다양할 수 있다. 예를 들어 이물(540)이 평면상으로 원형이고 제1개구(428)는 이물(540)보다 넓은 크기의 사각형이나 육각형 등 다각형일 수도 있다.

제2전극(427)의 제1개구(428)에 리플성형층(432)으로 향하거나 리플성형층(432)과 유기층(425) 양쪽으로 향하는 제1리플(432)을 포함할 수 있다.

제2전극(427)에서 레이저가 조사된 부위에 레이저에 의해 가공되어 제1개구(428)가 형성될 때 제1개구(428)에 도 5b에 도시한 바와 같이 리플성형층(432)으로 향하는 제1리플(429)이 레이저에 의한 가공의 흔적으로 남을 수 있다.

구체적으로 이물(540)이 위치하는 주위에 레이저를 조사하면 제2전극(427)이 레이저의 에너지를 흡수하여 웰딩되는 동시에 레이저 조사방향과 가까운 리플성형층(432)도 유기물을 포함하므로 부분적으로 웰딩될 수 있다. 리페어 공정으로 제2전극(427)에 제1개구(428)가 가공되면서 제1개구(428) 주위에 제2전극(427)의 웰딩된 부분이 리플성형층(432)의 웰딩된 부분으로 향하여 뭉치면서 리플 성형층(432)으로 향하는 제1리플(429)이 형성될 수 있다.

또한 제2전극(427)에서 레이저가 조사된 부위에 레이저에 의해 가공되어 제1개구(428)가 형성될 때 제1개구(428)에 도 5c에 도시한 바와 같이 리플성형층(432)과 유기층(425) 양쪽으로 향하는 제1리플(429)이 레이저에 의한 가공의 흔적으로 남을 수 있다. 레이저의 조사량이 많거나 제2전극(427)의 재료가 레이저의 에너지를 많이 흡수하면 이물(540)이 위치하는 주위에 레이저를 조사하면 제2전극(427)이 레이저의 에너지를 흡수하여 웰딩되는 동시에 레이저 조사방향과 가까운 리플성형층(432)도 부분적으로 웰딩될 뿐만 아니라 유기층(425)도 부분적으로 웰딩되어, 제2전극(427)에 제1개구(428)가 가공되면서 제1개구(428) 주위에 제2전극(427)의 웰딩된 부분이 리플성형층(432)과 유기층(425)의 웰딩된 부분으로 향하여 뭉치면서 리플성형층(432)과 유기층(425) 양쪽으로 향하는 제1리플(429)이 형성될 수 있다.

이물(540) 발생에 따른 리페어 공정에서 제2전극(427)에 조사되는 레이저의 조사량이나 제2전극(427)의 재료에 무관하게 제1리플(429)과 제1전극(421)이 이격되어 정상적인 리페어 처리가 완료된다. 이에 따라 리페어 성공률을 증가시킬 수 있다.

이상 도 4a 내지 도 5c를 참조하여 이물(540) 발생에 따른 리페어 공정에서 제2전극(427)에 조사되는 레이저의 조사량이나 제2전극(427)의 재료에 무관하게 제1리플(429)과 제1전극(421)이 이격되어 정상적인 리페어 처리를 완료할 수 있는 다른 실시예에 따른 유기발광소자(400)를 설명하였다.

이하에서 리플성형층의 종류나 리페어 공정에서 레이저를 조사하는 방향에 따라 리페어 구조가 다른 또다른 실시예들을 설명한다. 이때 전술한 바와 동일한 내용을 상세한 설명을 생략한다.

도 6a는 제조공정 중에 이물이 발생한 경우, 또다른 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다. 도 6b는 이물이 발생한 경우 리페어 처리한 결과인 또다른 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적 평면도이다. 도 6c는 도 6b의 FF'선 단면도이다.

도 6a를 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 유기발광소자(600)는, 기판(610), 기판(610) 상에 위치하는 제1전극(621), 제1전극(621) 상에 위치한 유기층(625), 유기층(625) 상에 위치하는 제2전극(627), 제2전극(627) 상에 위치하는 리플성형층(632)을 포함한다. 제1전극(621)과 유기층(625), 제2전극(627)이 유기발광다이오드(630)를 구성한다.

리플성형층(432)은 유기층(425)과 물리화학적 특성이 동일 또는 유사한 유기물을 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이 다른 예를 들어 후술하는 바와 같이 유기물은 시아닌(Cyanine)계, 디티올(Dithiol) 금속 착체계, 디이모니움(Diimmonium) 계 화합물들로 구성된 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상의 화합물인 적외선 흡수성 유기물일 수 있다. 적외선 흡수성 유기물은 적외선 레이저의 에너지를 흡수하면 부분적으로 분해되는 특성을 갖은 유기물을 의미할 수 있다.

도 6b에 도시한 바와 같이 제1전극(631) 상에는 뱅크(623)가 배치되고, 뱅크(623)에는 제 1 전극(631)이 뱅크(623)로부터 노출되도록 개구부(623a)가 구비된다. 뱅크(623)과 개구부(623a)의 구조는 도 4b를 참조하여 설명한 뱅크(423)과 개구부(423a)의 구조와 동일 또는 실질적으로 동일할 수 있다.

유기발광소자(600)는 유기발광다이오드(620) 상에 배치된 패시베이션층(630)을 포함할 수 있다 패시베이션층(630)은 유기물과 무기물 중 하나일 수 있다.

도 6a에 도시한 바와 같이, 유기발광소자(600)에서 제조공정 중에 이물(640)이 발생할 수 있다. 이물(640)이 위치하는 주위에 제2전극(227) 방향으로 레이저를 조사하면 제2전극(627)이 레이저의 에너지를 흡수하여 가공 또는 커팅되므로 도 6c에 도시한 바와 같이 제1개구(628)가 형성된다. 즉 제1전극(621)과 제2전극(627) 간의 물리적인 접촉을 제거하여, 이물(640)에 의한 제1전극(621)과 제2전극(627) 사이 쇼트 발생을 방지할 수 있다.

제2전극(627)의 제1개구(628)에 리플성형층(632)으로 향하거나 리플성형층(632)과 유기층(625) 양쪽으로 향하는 제1리플(632)을 포함할 수 있다.

제2전극(627)에서 레이저가 조사된 부위에 레이저에 의해 가공되어 제1개구(628)가 형성될 때 제1개구(628)에 도 6c에 도시한 바와 같이 리플성형층(632)으로 향하는 제1리플(629)이 레이저에 의한 가공의 흔적으로 남을 수 있다.

구체적으로 이물(640)이 위치하는 주위에 레이저를 조사하면 제2전극(627)이 레이저의 에너지를 흡수하여 웰딩되는 동시에 레이저 조사방향과 가까운 리플성형층(632)도 부분적으로 웰딩될 수 있다. 리페어 공정으로 제2전극(627)에 제1개구(628)가 가공되면서 제1개구(628) 주위에 제2전극(627)의 웰딩된 부분이 리플성형층(632)의 웰딩된 부분으로 향하여 뭉치면서 리플 성형층(632)으로 향하는 제1리플(629)이 형성될 수 있다. 이때 적외선 흡수성 유기물을 포함하는 리플성형층(632)에서 레이저의 에너지를 흡수한 부위의 주변은 분해되어 제2개구(632a)가 배치된다.

제2개구(632a)는 제1개구(628)과 동심원상에 위치할 수 있다. 이때 제2개구(632a)의 반지름은 제1개구(628)의 반지름과 동일하거나 상이할 수 있다. 제2개구(632a)의 반지름은 레이저의 조사량이나 리플성형층(632)의 종류 등에 따라 다양할 수 있다. 예를 들어 제2개구(632a)의 반지름은 레이저의 에너지를 흡수하여 분해되는 리플성형층(632)의 특성을 반영하여 제1개구(628)의 반지름보다 클 수 있으나 이에 제한되지 않는다.

제2전극(627)에 조사되는 레이저의 조사량이나 제2전극(627)의 재료에 무관하게 제1리플(629)과 제1전극(621)이 이격되어 정상적인 리페어 처리가 완료된다. 이에 따라 리페어 성공률을 증가시킬 수 있다.

도 7a는 제조공정 중에 이물이 발생한 경우, 또다른 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다. 도 7b는 이물이 발생한 경우 리페어 처리한 결과인 또다른 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적 평면도이다. 도 7c는 도 7b의 GG'선 단면도이다.

도 7a를 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 유기발광소자(700)는, 기판(710), 기판(710) 상에 위치하는 제1전극(721), 제1전극(721) 상에 위치한 유기층(725), 유기층(725) 상에 위치하는 제2전극(727), 제2전극(727) 상에 위치하는 리플성형층(732)을 포함한다. 제1전극(721)과 유기층(725), 제2전극(727)이 유기발광다이오드(730)를 구성한다.

도 7b에 도시한 바와 같이 제1전극(731) 상에는 뱅크(723)가 배치되고, 뱅크(723)에는 제 1 전극(731)이 뱅크(723)로부터 노출되도록 개구부(723a)가 구비된다.

유기발광소자(600)는 유기발광다이오드(620) 상에 배치된 패시베이션층(630)을 포함할 수 있다. 도 7a에는 기판(710)과 제1전극(721) 사이에 절연층(718)을 추가로 포함하는 것으로 도시하였으나, 기판(710)과 제1전극(721) 사이에는 전술한 바와 같이 박막 트랜지스터와 하나 이상의 절연층이 위치할 수 있다.

도 7a에 도시한 바와 같이, 유기발광소자(700)에서 제조공정 중에 이물(740)이 발생할 수 있다. 이물(740)이 위치하는 주위에 기판(710) 방향에서 레이저를 조사하면 제1전극(721)이 레이저의 에너지를 흡수하여 가공 또는 커팅되므로 도 7b에 도시한 바와 같이 제1전극(721)에 제3개구(628)가 형성될 수 있다. 즉 제1전극(721)과 제2전극(727) 간의 물리적인 접촉을 제거하여, 이물(740)에 의한 제1전극(721)과 제2전극(727) 사이 쇼트 발생을 방지할 수 있다.

제1전극(721)의 제3개구(728)에 기판(710) 기판과 유기층(725) 양쪽으로 향하는 제2리플(729)을 포함할 수 있다.

제1전극(621)에서 레이저가 조사된 부위에 레이저에 의해 가공되어 제3개구(728)가 형성될 때 제3개구(728)에 도 7c에 도시한 바와 같이 리플성형층(732)으로 향하는 제2리플(729)이 레이저에 의한 가공의 흔적으로 남을 수 있다.

또한 제1전극(621)에서 레이저가 조사된 부위에 레이저에 의해 가공되어 제3개구(728)가 형성될 때 제3개구(728)에 도 7d에 도시한 바와 같이 기판(710)과 유기층(725) 양쪽으로 향하는 제2리플(729)이 레이저에 의한 가공의 흔적으로 남을 수 있다.

제1전극(721)에 조사되는 레이저의 조사량이나 제1전극(721)의 재료에 무관하게 제2리플(729)과 제2전극(727)이 이격되어 정상적인 리페어 처리가 완료된다. 이에 따라 리페어 성공률을 증가시킬 수 있다.

이물이 제1전극과 유기층 사이, 유기층과 제2전극 사이 또는 제2전극 상에 위치한 경우 리페어 공정에 따른 개구가 도 2a 내지 도 5c를 참조하여 설명한 실시예들에서는 제2전극에 배치되고, 도 7a 내지 도 7c를 참조하여 설명한 실시예에서는 제1전극에 배치되는 것으로 설명하였다.

전술한 실시예들을 종합하면, 또다른 실시예에 따른 유기발광소자는 기판 상에 위치하는 제1전극, 제1전극 상에 위치한 유기층 및 유기층 상에 위치하는 제2전극을 포함하며, 제1전극 또는 상기 제2전극 중 적어도 하나는 개구를 포함하며, 이물이 제1전극과 유기층 사이, 유기층과 상기 제2전극 사이 또는 상기 제2전극 상에 위치한 경우, 이물이 개구 내에 위치할 수 있다. 개구에 제1전극과 반대방향으로 향하거나 제1전극 방향과 반대방향으로 향하는 리플을 포함할 수 있다. 이때 전술한 실시예들과 달리 리플성형층을 포함하지 않을 수 있다.

전술한 실시예들에 따르면, 유기발광소자는 유기발광소자 내에 이물로 인한 불량을 감소시킬 수 있다

또한, 전술한 실시예들에 따르면, 유기발광소자 내에 이물로 인한 쇼트를 방지하는 리페어 공정의 성공률을 높이는 효과가 있다.

또한 전술한 실시예들에 따르면, 유기발광소자의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

이상 도면을 참조하여 실시예들을 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.

이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims

기판 상에 위치하는 제1전극;
상기 제1전극 상에 위치하며, 전자주입층과 전자수송층 중 적어도 하나와 유기발광층을 포함하는 유기층;
상기 유기층 상에 위치하는 제2전극;
상기 제2전극과 접촉하도록 상기 제2전극 상에 배치되며, 상기 제1전극과 상기 제2전극의 물리적인 접촉을 제거하는 리페어 처리의 실패를 방지하기 위한 리플성형층; 및
상기 리플성형층 상에 위치하는 패시베이션층을 포함하고,
상기 리플성형층은 상기 제2전극과 상기 패시베이션층 사이에 위치하며,
상기 리플성형층은 상기 제2전극에 인접해 있는 상기 유기층의 전자주입층 또는 전자수송층의 화합물과 동일한 화합물을 포함하는 유기발광소자.
삭제
제 1항에 있어서,
상기 제2전극은 제1개구를 포함하는 유기발광소자.
제 3항에 있어서,
상기 제2전극의 제1개구에 상기 리플성형층으로 향하거나 상기 리플성형층과 상기 유기층 양쪽으로 향하는 제1리플을 포함하는 유기발광소자.
제 4항에 있어서,
이물이 상기 제1전극과 상기 유기층 사이, 상기 유기층과 상기 제2전극 사이 또는 상기 제2전극 상에 위치한 경우, 상기 이물이 상기 제2전극의 제1개구 내에 위치하며,
상기 제1전극과 상기 제2전극의 제1리플은 물리적으로 접촉하지 않는 유기발광소자.
삭제
삭제
제 3항에 있어서,
상기 리플성형층은 상기 제2전극의 제1개구와 동심원상에 상기 제1개구보다 반지름이 큰 제2개구를 포함하는 유기발광소자.
제 8항에 있어서,
상기 제2전극의 제1개구에 상기 리플성형층으로 향하거나 상기 리플성형층과 상기 유기층 양쪽으로 향하는 제1리플을 포함하는 유기발광소자.
제 9항에 있어서,
이물이 상기 제1전극과 상기 유기층 사이, 상기 유기층과 상기 제2전극 사이 또는 상기 제2전극 상에 위치한 경우, 상기 이물이 상기 제2전극의 제1개구 내에 위치하며,
상기 제1전극과 상기 제2전극의 제1리플은 물리적으로 접촉하지 않는 유기발광소자.
제 1항에 있어서,
상기 제1전극은 제3개구를 포함하는 유기발광소자.
제 11항에 있어서,
상기 제1전극의 제3개구에 상기 기판 또는 상기 기판과 상기 유기층 양쪽으로 향하는 제2리플을 포함하는 유기발광소자.
제 12항에 있어서,
이물이 상기 제1전극과 상기 유기층 사이, 상기 유기층과 상기 제2전극 사이 또는 상기 제2전극 상에 위치한 경우, 상기 이물이 상기 제1전극의 제3개구 내에 위치하며,
상기 제1전극의 제2리플과 상기 제2전극은 물리적으로 접촉하지 않는 유기발광소자.
기판 상에 위치하는 제1전극;
상기 제1전극 상에 위치하며, 전자주입층과 전자수송층 중 적어도 하나와 유기발광층을 포함하는 유기층;
상기 유기층 상에 위치하는 제2전극;
상기 제2전극과 접촉하도록 상기 제2전극 상에 배치되며, 상기 제1전극과 상기 제2전극의 물리적인 접촉을 제거하는 리페어 처리의 실패를 방지하기 위한 리플성형층; 및
상기 리플성형층 상에 위치하는 패시베이션층을 포함하며, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 하나는 개구를 포함하며,
이물이 상기 제1전극과 상기 유기층 사이, 상기 유기층과 상기 제2전극 사이 또는 상기 제2전극 상에 위치한 경우, 상기 이물이 상기 개구 내에 위치하고,
상기 리플성형층은 상기 제2전극과 상기 패시베이션층 사이에 위치하며,
상기 리플성형층은 상기 제2전극에 인접해 있는 상기 유기층의 전자주입층 또는 전자수송층의 화합물과 동일한 화합물을 포함하는 유기발광소자.
제 14항에 있어서,
상기 개구에 상기 제1전극과 반대방향으로 향하거나 제1전극 방향과 반대방향으로 향하는 리플을 포함하는 유기발광소자.