[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101675268B1 - 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더 - Google Patents

건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더 Download PDF

Info

Publication number
KR101675268B1
KR101675268B1 KR1020140162734A KR20140162734A KR101675268B1 KR 101675268 B1 KR101675268 B1 KR 101675268B1 KR 1020140162734 A KR1020140162734 A KR 1020140162734A KR 20140162734 A KR20140162734 A KR 20140162734A KR 101675268 B1 KR101675268 B1 KR 101675268B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor strip
unit
semiconductor
seating plate
workpiece
Prior art date
Application number
KR1020140162734A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160060425A (ko
Inventor
송진규
김동우
백흥현
박민규
박효선
Original Assignee
서우테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서우테크놀로지 주식회사 filed Critical 서우테크놀로지 주식회사
Priority to KR1020140162734A priority Critical patent/KR101675268B1/ko
Priority to TW104128603A priority patent/TWI575637B/zh
Publication of KR20160060425A publication Critical patent/KR20160060425A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101675268B1 publication Critical patent/KR101675268B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/3088—Process specially adapted to improve the resolution of the mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
    • H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
    • H01L29/66348—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recessed gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
    • H01L29/66613—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation
    • H01L29/66621—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation using etching to form a recess at the gate location
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
    • H01L29/812—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate
    • H01L29/8128—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate with recessed gate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

건조장치 및 그가 적용된 반도체 스트립 그라인더에 관한 것으로, 연삭 및 세정 작업이 완료된 작업 대상물이 안착되는 안착 플레이트, 상기 안착 플레이트를 미리 설정된 기준위치에서 건조위치까지 하강시키는 승강부, 회전력을 발생하는 회전모터 및 상기 회전모터의 회전력을 상기 안착 플레이트에 전달해서 안착 플레이트를 회전시키는 회전부를 포함하는 구성을 마련하여, 반도체 스트립의 단위기판 상부에 형성된 몰딩층을 제거하여 반도체 스트립의 전체 두께를 얇게 하는 연삭작업 후 표면에 남아 있는 절삭유와 세정수, 연삭 분진을 완벽하게 건조해서 제거할 수 있다는 효과가 얻어진다.

Description

건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더{SEMICONDUCTOR STRIP GRINDER WITH DRYER}
본 발명은 반도체 스트립 그라인더에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 베이스 기판의 상부면에 반도체 칩이 실장되어 패키징된 다수의 단위기판이 배열되는 반도체 스트립의 보호 몰딩 층을 연삭하고, 연삭된 반도체 스트립을 건조하는 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 패키지는 실리콘 재질로 제조된 반도체 기판 상에 트랜지스터 및 커패시터 등과 같은 고집적회로가 형성된 반도체칩을 제조한 후, 이를 리드 프레임이나 인쇄회로기판 등과 같은 스트립 자재에 부착하고, 상기 반도체칩과 스트립 자재가 서로 통전되도록 와이어 등으로 전기적으로 연결한 다음, 반도체칩을 외부 환경으로부터 보호하기 위하여 에폭시 수지로 몰딩하는 과정을 거쳐 제조된다.
이러한 반도체 패키지는 스트립 자재에 매트릭스 타입으로 배열되는 형태로 패키징되며, 스트립 자재 내의 각 패키지들은 커팅되어 개별적으로 분리되고, 이렇게 낱개로 분리된 패키지들은 미리 설정된 품질 기준에 따라 선별된 후, 트레이 등에 적재되어 후속 공정으로 보내진다.
몰딩 공정이 완성된 형태를 반도체 스트립 또는 반도체 자재라 하며, 반도체 스트립은 복수 개의 반도체 패키지들을 포함한다. 반도체 스트립 또는 반도체 자재에서 각각의 반도체 패키지를 분리하기 위해서는 절단 공정이 수행된다.
먼저, 반도체 스트립이 상기 제조장치의 척테이블 또는 절단 테이블에 안착될 수 있다. 즉, 복수 개의 반도체 패키지들이 분리되기 전의 반도체 스트립을 스트립 피커를 통해 안착시킬 수 있다.
상기 반도체 스트립은 절단장치를 통해서 단일 패키지, 즉 유닛 패키지로 절단된다. 구체적으로, 반도체 스트립은 진공척 유닛에 안착된 상태에서 절단장치와 상기 진공척 유닛 사이의 상대적인 이동을 통해서 반도체 패키지로 절단된다.
절단 공정 후, 복수 개의 반도체 패키지는 유닛 피커 또는 패키지 피커를 통해서 세척과 건조와 같은 후속 공정을 위해 이동된다.
세척과 건조가 이루어진 복수 개의 반도체 패키지는 턴 테이블 피커를 통해 턴 테이블로 이동된다. 상기 턴 테이블에서는 반도체 패키지의 비전 검사(vision inspection)가 수행될 수 있으며, 검사가 완료된 반도체 패키지는 소팅 피커를 통해 분류되게 된다.
예를 들어, 하기의 특허문헌 1 및 특허문헌 2에는 반도체 스트립과 반도체 제조장치의 흡착유닛 구성이 개시되어 있다.
특허문헌 1에는 직사각형의 베이스 기판, 베이스 기판을 구획하여 형성되는 복수의 단위기판, 베이스 기판의 장변에 위치하는 복수의 단위기판의 일부에 형성되는 몰드게이트 및 베이스 기판을 구획하여 베이스 기판의 서로 대향하는 양 단변에 형성되는 더미를 포함하는 기판 스트립의 구성이 기재되어 있다.
특허문헌 2에는 반도체 스트립 또는 복수 개의 반도체 패키지가 흡착되도록 마련된 흡착 패드와 흡착 패드를 수용하기 위한 흡착 패드 수용부를 갖는 본체를 포함하고, 흡착 패드는 흡착 패드 수용부의 테두리 사이즈에 대응되도록 형성된 후 흡착 패드 수용부에 부착되는 반도체 제조장치용 흡착유닛의 구성이 기재되어 있다.
대한민국 특허 등록공보 제10-0872129호(2008년 12월 8일 공고) 대한민국 특허 공개공보 제10-2014-0024627호(2014년 3월 3일 공개)
그러나 종래의 기술에서 반도체 스트립은 베이스 기판에 설치된 각 단위기판을 보호하기 위하여 단위기판 외부 둘레에 보호 몰딩 층을 형성하고, 상기 보호 몰딩 층이 단위기판의 좌우, 전후뿐만 아니라 상부에도 형성되기 때문에 반도체 스트립의 전체 두께가 두꺼워지게 된다는 문제점이 있었다.
즉, 종래의 기술에서는 반도체 스트립의 보호 몰딩 층을 연삭할 수 있도록 하는 반도체 스트립 그라인더가 없었기 때문에, 보호 몰딩 층으로 인해 두께가 두꺼워진 반도체 스트립을 그대로 사용해야 하는 문제점이 있었다.
또, 종래의 반도체 스트립 연삭 가공 후 절삭유와 연삭 분진을 제거하도록 세정 작업을 수행하는데, 압축 공기를 분사해서 건조함에 따라 절삭유, 세정수, 연삭 분진 등이 비산되고, 완벽하게 건조하지 못하는 문제점이 있었다.
이로 인해, 불완전하게 건조된 반도체 스트립의 비전 검사 과정에서 정확도가 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 반도체 스트립 건조 후 픽업 방식을 이용해서 다음 공정으로 공급함에 따라, 픽업 과정에서 반도체 스트립의 단위기판이 손상되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 반도체 스트립을 회전시켜 건조할 수 있는 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 건조된 반도체 스트립의 다음 공정으로 공급하는 과정에서 반도체 스트립의 손상을 방지할 수 있는 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더를 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더는 작업 대상물로 마련된 반도체 스트립을 고정하고 세정하는 진공척 유닛, 반도체 스트립을 상기 진공척 유닛에 순차적으로 로딩하는 제1 피커, 상기 진공척 유닛에 고정된 반도체 스트립의 보호 몰딩층을 연삭해서 제거하는 연삭유닛, 연삭 및 세정된 반도체 스트립을 회전시켜 건조하는 건조장치 및 상기 연삭유닛에서 연삭된 반도체 스트립을 상기 건조장치로 로딩하는 제2 피커를 포함하고, 상기 건조장치는 연삭 및 세정 작업이 완료된 반도체 스트립이 안착되는 안착 플레이트, 상기 안착 플레이트를 미리 설정된 기준위치에서 건조위치까지 하강시키는 승강부, 회전력을 발생하는 회전모터, 상기 회전모터의 회전력을 상기 안착 플레이트에 전달해서 안착 플레이트를 회전시키는 회전부, 중앙부에 상기 안착 플레이트의 형상에 대응되는 관통공이 형성되는 상부 플레이트, 상기 상부 플레이트의 하부에 설치되고 내부에 상기 안착 플레이트가 회전하는 공간이 형성되는 케이스 및 건조가 완료된 작업 대상물을 피딩 방식을 이용해서 다음 공정으로 공급하는 피딩유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.
삭제
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더에 의하면, 반도체 스트립의 단위기판 상부에 형성된 몰딩층을 제거하여 반도체 스트립의 전체 두께를 얇게 하는 연삭작업 후 표면에 남아 있는 절삭유와 세정수, 연삭 분진을 완벽하게 건조해서 제거할 수 있다는 효과가 얻어진다.
그리고 본 발명에 의하면, 건조 작업 시 고정유닛을 이용해서 반도체 스트립을 견고하게 고정한 상태에서 회전 건조함에 따라, 회전 건조 과정에서 발생할 수 있는 반도체 스트립의 손상을 방지할 수 있다는 효과가 얻어진다.
또, 본 발명에 의하면, 피딩 유닛을 이용해서 건조된 반도체 스트립을 피딩 방식을 통해 다음 공정으로 공급함에 따라, 공급과정에서 발생하는 반도체 스트립의 손상을 미연에 예방할 수 있다는 효과가 얻어진다.
또한, 본 발명에 의하면, 반도체 스트립을 짧은 시간 내에 신속하고 완벽하게 건조함으로써, 다음 공정으로 수행되는 비전 검사의 정확도를 향상시킬 수 있다는 효과가 얻어진다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더의 사시도,
도 2는 도 1에 도시된 반도체 스트립 그라인더의 하우징을 제거한 평면도,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치의 사시도,
도 4는 도 3에 도시된 건조장치의 케이스를 제거한 도면,
도 5는 고정유닛의 확대도,
도 6 및 도 7은 안착 플레이트의 승강 동작에 따른 고정유닛의 동작 상태도,
도 8은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더의 작동방법을 단계별로 설명하는 공정도.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
이하에서, "상방", "하방", "전방" 및 "후방" 및 그 외 다른 방향성 용어들은 도면에 도시된 상태를 기준으로 정의한다.
본 실시 예에서는 반도체 스트립의 상부에 형성된 보호 몰딩층을 연삭하는 반도체 스트립 그라인더에 적용되는 건조장치를 설명하기로 한다.
그러나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 스트립 그라인더 뿐만 아니라, 가공 작업 후 세정된 작업 대상물에 남아 있는 수분, 유분, 분진 등을 건조해서 제거하고자 하는 다양한 작업대상물의 건조장치에 적용되도록 변경될 수 있음에 유의하여야 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체 스트립 그라인더의 하우징을 제거한 평면도이다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 스트립 그라인더(10)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 스트립의 보호 몰딩 층을 제거하도록 반도체 스트립을 고정하고 세정하는 진공척 유닛(20), 반도체 스트립을 진공척 유닛(20)에 순차적으로 로딩하는 제1 피커(30), 진공척 유닛(20)에 로딩된 반도체 스트립의 보호 몰딩층을 연삭해서 제거하는 연삭유닛(40), 연삭유닛(40)에 의해 연삭된 반도체 스트립을 건조하는 건조장치(50) 및 연삭유닛(40)에서 연삭된 반도체 스트립을 건조장치(50)로 로딩하는 제2 피커(60)를 포함한다.
이와 함께, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 스트립 그라인더(10)는 연삭 작업이 수행될 반도체 스트립이 적재된 복수의 매거진(111)이 적재되는 적재공간이 마련되는 제1 적재부(110), 각 매거진(111)에 적재된 반도체 스트립을 하나씩 제1 피커(30)에 순차적으로 공급하는 공급모듈(120), 연삭 작업이 완료된 반도체 스트립의 정밀도를 검사하는 검사모듈(130) 및 검사가 완료된 반도체 스트립을 적재하는 제2 적재부(140)를 더 포함할 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 연삭, 세정, 건조, 검사 등 각각의 공정을 수행하는 각 장비 및 각각의 공정에 필요한 절삭유, 세정수 또는 진공압을 제공하기 위한 탱크와 펌프 등을 하나의 하우징(11) 내부에 설치할 수 있다.
하우징(11)의 전면에는 각 장비의 동작상태를 표시하는 표시패널과 각 장비의 동작을 설정하고 동작을 제어하기 위한 조작패널이 설치될 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 진공척 유닛을 중심으로 양측에 각각 제1 적재부와 건조장치, 검사모듈, 제2 적재부를 설치하고, 공급모듈과 제1 및 제2 피커를 이용해서 반도체 스트립을 하나의 직선을 따라 순차적으로 이동시키면서 각각의 공정을 수행하도록 구성된다.
이에 따라, 본 발명은 반도체 스트립의 보호 몰딩층을 제거하는 전체 과정의 이동거리를 최소화해서 작업속도를 향상시킬 수 있고, 전체 장치 내부의 구성을 가간단하게 함으로써, 공간 활용도를 극대화할 수 있다.
본 실시 예에서는 반도체 스트립이 하나의 직선(X축 방향)을 따라 순차적으로 이동하는 방향을 '반도체 스트립 이송 방향'이라 한다.
이하에서는 전체 공정의 순서에 따라 반도체 스트립 그라인더에 마련된 각 장비의 구성을 상세하게 설명한다.
제1 적재부(110)에는 반도체 스트립이 적재된 매거진(111)을 미리 설정된 위치로 이동시키고 매거진(111)에 적재된 반도체 스트립이 연삭유닛(40) 측으로 공급됨에 따라 매거진(111)을 상방 또는 하방으로 이동시키는 매거진 이동로봇(112)이 마련될 수 있다.
검사모듈(130)은 연삭 작업이 완료된 반도체 스트립의 두께를 검사하는 두께 검사로봇, 제2 피커(60)로부터 연삭 작업이 완료된 반도체 스트립을 전달받아 제2 적재부(140) 측으로 이송하는 비전레일(131)과 비전레일(131)을 따라 이송되는 반도체 스트립을 촬영하여 비전 검사를 수행하는 비전로봇(132)을 포함할 수 있다.
제2 적재부(140)에는 검사 작업까지 완료된 반도체 스트립을 적재하고자 하는 빈 매거진(111) 내부에 반도체 스트립이 적재되도록 매거진(111)을 상방 또는 하방으로 이동시키고 적재가 완료된 매거진(111)을 적재공간으로 이동시키는 적재로봇(141)이 마련될 수 있다.
진공척 유닛(20)은 반도체 스트립을 고정해서 연삭유닛(40)의 하부로 이동시켜 연삭 작업, 세정 작업 및 두께 검사 작업 시 반도체 스트립을 미리 설정된 방향 및 간격만큼 이동시키는 기능을 한다.
이를 위해, 진공척 유닛(20)은 진공을 형성해서 흡착 방식으로 반도체 스트립을 고정하는 척 테이블(21), 척 테이블(21)을 반도체 스트립의 이송 방향과 직각 방향으로 이동시키는 Y축 로봇(22), 척 테이블(21)에 연결되고 흡입력을 발생하도록 진공을 형성하는 진공펌프 및 척 테이블(21)에 세정수를 공급하는 세정수펌프(도면 미도시)를 포함할 수 있다.
다음, 도 3 및 도 4를 참조해서 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치의 구성을 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치의 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 건조장치의 케이스를 제거한 도면이다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치(50)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 세정 작업이 완료된 반도체 스트립이 안착되는 안착 플레이트(51), 안착 플레이트(51)를 미리 설정된 기준위치에서 건조위치까지 하강시키는 승강부(52), 회전력을 발생하는 회전모터(53), 회전모터(53)의 회전력을 안착 플레이트(51)에 전달해서 안착 플레이트(51)를 회전시키는 회전부(54)를 포함할 수 있다.
이와 함께, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치(50)는 중앙부에 안착 플레이트(51)의 형상에 대응되는 관통공(551)이 형성되는 상부 플레이트(55) 및 상부 플레이트(55)의 하부에 설치되고 내부에 안착 플레이트(51)가 회전하는 공간이 형성되는 케이스(56)를 더 포함할 수 있다.
안착 플레이트(51)는 대략 반도체 스트립의 형상에 대응되는 크기 및 형상으로 형성되고, 안착 플레이트(51)의 전후좌우 각 측면에는 상면에 안착된 반도체 스트립을 고정하기 위한 고정유닛(80)이 설치될 수 있다.
안착 플레이트(51)의 상면 전후 측에는 반도체 스트립이 삽입되도록 가이드하는 가이드 리브(511)가 상방을 향해 돌출 형성될 수 있다.
예를 들어, 도 5는 고정유닛의 확대도이다.
고정유닛(80)은 도 5에 도시된 바와 같이 안착 플레이트(51)의 측면에 힌지 회전 가능하게 설치되는 고정부재(81), 고정부재(81)가 힌지 결합되는 브래킷(82) 및 고정부재(81)와 대응되도록 상부 플레이트(55)에 설치되고 고정부재(81)의 승강 동작 시 고정부재(81)를 힌지 회전시키는 회전베어링(83)을 포함할 수 있다.
고정부재(81)는 대략 'L' 형상으로 형성되고 브래킷(82)의 일측에 형성된 설치공간에 힌지 회전 가능하게 설치될 수 있다.
즉, 고정부재(81)는 반도체 스트립 고정 시 상하 방향으로 배치되는 수직부(84)와 수직부(84)의 하단에 연결되고 반도체 스트립 고정 시 수평 방향으로 배치되는 수평부(85)를 포함할 수 있다.
수직부(84)의 상단에는 반도체 스트립의 측단을 고정하도록 고정턱(86)이 절곡 형성될 수 있다.
수평부(85)의 일측에는 안착 플레이트(51)의 상승 동작 시 회전베어링(83)에 접촉되어 걸리도록 오목한 곡면이 형성되고, 상기 곡면의 끝단에 걸이턱(87)이 형성될 수 있다.
한편, 고정유닛(80)은 반도체 스트립 고정 시 반도체 스트립을 견고하게 고정할 수 있도록 고정부재(81)에 탄성력을 제공하는 탄성부재(88)를 더 포함할 수 있다.
탄성부재(88)는 양단이 각각 안착 플레이트(51)와 브래킷(82)에 지지되는 코일 스프링으로 마련될 수 있다.
회전 베어링(83)은 상부 플레이트(55)의 관통공 주변에 설치되는 설치 브래킷(89)에 축 결합되고, 고정부재(81)와 접촉 시 회전하면서 고정부재(81)를 힌지 회전시킨다.
예를 들어, 도 6 및 도 7은 안착 플레이트의 승강 동작에 따른 고정유닛의 동작 상태도이다.
도 6에는 안착 플레이트의 상승 동작 시 반도체 스트립의 고정 해제된 상태가 도시되어 있고, 도 7에는 안착 플레이트의 하강 동작시 반도체 스트립의 고정 상태가 도시되어 있다.
안착 플레이트(51)의 상승 동작 시, 회전 베어링(83)은 도 6에 도시된 바와같이, 고정부재(81)의 수평부(85) 선단에 형성된 걸이턱(87)을 가압하여 수직부(84)를 시계 방향으로 힌지 회전시켜서 수평 방향으로 배치시킨다.
이에 따라, 고정유닛(80)은 안착 플레이트(51)에 반도체 스트립을 공급하거나 건조 작업이 완료된 반도체 스트립을 배출할 수 있게 한다.
안착 플레이트(51)의 하강 동작 시 회전 베어링(83)은 도 7에 도시된 바와 같이, 고정부재(81)의 수직부(86)와 걸려서 수직부(86)를 반시계 방향으로 힌지 회전시켜 수직 상태로 배치시킨다.
이때, 고정부재(81)는 탄성부재(88)의 탄성력에 의해 수직 상태를 유지하고, 수직부(84)의 선단에 형성된 고정턱(86)을 이용해서 반도체 스트립을 견고하게 고정할 수 있다.
이와 같은 건조장치(50)는 약 1500rpm으로 회전하여 반도체 스트립을 완전하게 건조할 수 있다.
승강부(52)는 유체의 압력에 따라 승강 동작하는 승강 실린더를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치(50)는 건조가 완료된 반도체 스트립을 다음 공정, 즉 비전 검사를 수행하기 위해 피딩 방식으로 공급하는 피딩유닛(90)을 더 포함할 수 있다.
피딩유닛(90)은 도 3에 도시된 바와 같이, 베이스(12)의 일측에 반도체 스트립의 이송 방향을 따라 수평하게 설치되는 가이드 레일(15)을 따라 이동 가능하게 설치되는 이동부(91) 및 이동부(91)의 상단에 Y축 방향을 따라 수평하게 설치되는 피딩부재(92)를 포함할 수 있다.
이동부(91)는 제어부의 제어신호에 따라 구동되는 모터(도면 미도시)와 상기 모터의 회전력을 전달받아 이동하는 이동 플레이트(93)를 포함할 수 있다.
가이드 레일(15)에는 이동 플레이트(93)의 위치를 감지하기 위한 위치감지센서(도면 미도시)가 설치되고, 제어부는 위치감지센서의 감지신호를 전달받아 이동 플레이트(93) 및 피딩 부재(92)의 위치를 판단해서 모터의 구동을 제어할 수 있다.
피딩부재(92)는 대략 막대 형상으로 형성되고, 피딩부재(92)의 선단부에는 반도체 스트립의 폭에 대응되는 간격만큼 이격되어 한 쌍의 가이드(94)가 돌출 형성될 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 연삭 작업 후 세정 및 건조 작업이 완료된 반도체 스트립을 피딩 로봇을 이용해서 다음 공정에 피딩 방식으로 공급함으로써, 공급과정에서 발생할 수 있는 반도체 스트립의 손상이나 파손을 방지할 수 있다.
다음, 도 8을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치 및 그가 적용된 반도체 스트립 그라인더의 작동 방법을 상세하게 설명한다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더의 작동방법을 단계별로 설명하는 공정도이다.
도 8의 S10단계에서 매거진 이동로봇(112)은 제1 적재부(110)에 적재된 매거진(111)을 미리 설정된 위치로 이송하고, 공급모듈(120)은 반도체 스트립을 이송레일을 따라 피딩 방식으로 미리 설정된 위치까지 공급한다.
그러면, 제1 피커(30)의 픽업부(31)는 진공펌프의 구동에 의해 진공압을 이용해서 흡입력을 발생하여 반도체 스트립을 흡착 방식으로 픽업하고, 진공척 유닛(20)에 마련된 척 테이블(21)로 로딩한다(S12).
이때, 공급모듈(120)의 승강유닛은 제1 피커(30)가 반도체 스트립을 용이하게 픽업할 수 있도록 미리 설정된 높이까지 반도체 스트립을 상승시킨다.
제1 피커(30)에 설치된 로드셀(35)은 픽업부(31)에서 발생한 진공압을 감지한다. 제어부는 감지된 진공압이 미리 설정된 설정압력에 도달하면, 반도체 스트립을 들어올려 척 테이블(21)로 로딩하도록 제1 피커(30)의 구동을 제어한다.
제1 피커(30)의 회전부(32)는 약 90°만큼 픽업부(31)를 회전시켜 픽업된 반도체 스트립을 반도체 스트립의 이송방향과 직각 방향으로 설치된 척 테이블(21)에 안착시킨다.
그러면 진공척 유닛(20)은 진공펌프에 의해 형성된 진공압을 이용해서 반도체 스트립을 안정적으로 흡착 고정한다.
S14단계에서 제어부는 반도체 스트립의 상부에 연삭유닛(40)에 마련된 연삭숫돌을 이동시키고, 반도체 스트립의 상부에 형성된 보호 몰딩 층을 연삭해서 제거하도록 연삭유닛의 구동을 제어한다.
이때, 연삭유닛(40)은 연삭 작업 과정에서 절삭유를 분사하고, 진공척 유닛(20)은 연삭 작업이 완료되면 세정수를 배출해서 반도체 스트립과 척 테이블(21)에 남아 있는 절삭유와 연삭 분진을 제거하여 반도체 스트립과 척 테이블(21)을 세정한다.
그러면, 제2 피커(60)는 진공압에 의한 흡입력을 이용해서 반도체 스트립을 픽업하고, 건조장치(50)의 안착 플레이트(51)에 로딩한다.
S16단계에서 건조장치(50)는 세정 작업이 완료된 반도체 스트립을 회전 건조하고, 피딩유닛(90)은 건조가 완료된 반도체 스트립을 피딩 방식으로 비전레일(131)에 공급한다.
상세하게 설명하면, 건조장치(50)의 승강부(52)는 안착 플레이트(51)를 미리 설정된 회전위치까지 하강시킨다.
이때, 안착 플레이트(51)에 설치된 고정유닛(80)의 고정부재(81)는 회전베어링(83)에 의해 가압되어 반시계방향으로 힌지 회전하고, 수직부(84)의 선단에 형성된 고정턱(86)은 탄성부재(88)의 탄성력을 이용해서 반도체 스트립을 견고하게 고정한다.
반도체 스트립이 고정되면, 제어부는 반도체 스트립을 미리 설정된 시간 동안 미리 설정된 회전속도로 회전시켜 건조하도록 회전모터(53)의 구동을 제어한다.
이와 같이, 본 발명은 건조장치의 케이스 내부에서 반도체 스트립을 회전시켜 건조함에 따라, 건조과정에서 물이나 연삭 분진이 비산되는 것을 차단할 수 있다.
그리고 본 발명은 고정유닛을 이용해서 반도체 스트립을 견고하게 고정한 상태에서 회전 건조함에 따라, 건조 과정에서 반도체 스트립의 파손이나 손상을 미연에 예방할 수 있다.
또한, 본 발명은 반도체 스트립을 짧은 시간 내에 신속하고 완벽하게 건조함으로써, 다음 공정으로 수행되는 비전 검사의 정확도를 향상시킬 수 있다.
건조작업이 완료되면, 승강부(52)는 안착 플레이트(51)를 미리 설정된 초기위치까지 상승시키고, 피딩유닛(90)의 이동부(91)는 피딩부재(92)를 반도체 스트립 이송방향을 따라 이동시켜 반도체 스트립을 피딩 방식으로 비전레일(131)에 공급한다.
이때, 고정유닛(80)의 고정부재(81)는 수평부(85)의 선단에 형성된 걸이턱(87)이 회전베어링(83)에 의해 가압되어 시계 방향으로 힌지 회전해서 고정됨에 따라 반도체 스트립의 고정 상태를 해제한다.
이와 같이, 본 발명은 반도체 스트립을 피딩 방식으로 이동시켜 비전레일에 공급함에 따라, 공급 과정에서 발생하는 반도체 스트립의 손상을 방지할 수 있다.
S18단계에서 비전로봇(132)은 비전레일(131)로 공급된 반도체 스트립을 촬영하여 비전검사를 수행하고, 비전검사가 완료되면 제2 적재부(140)에 마련된 적재로봇(141)은 빈 매거진의 높이를 조절한 후 빈 공간에 반도체 스트립을 적재한다(S20).
제어부는 연삭 작업을 수행하고자 하는 전체 반도체 스트립의 연삭 작업이 완료될 때까지 S10단계 내지 S20단계를 반복 수행하도록 제어한다.
상기한 바와 같은 과정을 통하여, 본 발명은 회전 건조 방식으로 반도체 스트립을 건조함에 따라, 연삭 및 세정하는 과정에서 반도체 스트립의 표면에 남아 있는 절삭유, 연마분진 및 수분을 완벽하게 제거할 수 있다.
이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시 예에 따라 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 예에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능한 것은 물론이다.
상기의 실시 예에서는 반도체 스트립 그라인더에 적용되는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
즉, 본 발명은 반도체 스트립 그라인더 뿐만 아니라, 가공 작업 후 세정된 작업 대상물에 남아 있는 수분, 유분, 분진 등을 건조해서 제거하고자 하는 다양한 작업대상물의 건조장치에 적용되도록 변경될 수 있다.
본 발명은 반도체 스트립의 단위기판 상부의 몰딩층을 연삭해서 제거하는 반도체 스트립 그라인더 기술에 적용된다.
10: 반도체 스트립 그라인더 11: 하우징
12: 베이스 20: 진공척 유닛
21: 척 테이블 22: Y축 로봇
30,60: 제1,제2 피커 40: 연삭유닛
50: 건조장치 51: 안착 플레이트
511: 가이드 리브 52: 승강부
53: 회전모터 54: 회전부
55: 상부 플레이트 56: 케이스
80: 고정유닛 81: 고정부재
82: 브래킷 83: 회전베어링
84: 수직부 85: 수평부
86: 고정턱 87: 걸이턱
88: 탄성부재 89: 설치브래킷
90: 피딩유닛 91: 이동부
92: 피딩부재 93: 이동 플레이트
110: 제1 적재부 111: 매거진
112: 매거진 이동로봇 120: 공급모듈
130: 검사모듈 131: 비전레일
132: 비전로봇 140: 제2 적재부
141: 적재로봇

Claims (8)

  1. 작업 대상물로 마련된 반도체 스트립을 고정하고 세정하는 진공척 유닛,
    반도체 스트립을 상기 진공척 유닛에 순차적으로 로딩하는 제1 피커,
    상기 진공척 유닛에 고정된 반도체 스트립의 보호 몰딩층을 연삭해서 제거하는 연삭유닛,
    연삭 및 세정된 반도체 스트립을 회전시켜 건조하는 건조장치 및
    상기 연삭유닛에서 연삭된 반도체 스트립을 상기 건조장치로 로딩하는 제2 피커를 포함하고,
    상기 건조장치는 연삭 및 세정 작업이 완료된 반도체 스트립이 안착되는 안착 플레이트,
    상기 안착 플레이트를 미리 설정된 기준위치에서 건조위치까지 하강시키는 승강부,
    회전력을 발생하는 회전모터,
    상기 회전모터의 회전력을 상기 안착 플레이트에 전달해서 안착 플레이트를 회전시키는 회전부,
    중앙부에 상기 안착 플레이트의 형상에 대응되는 관통공이 형성되는 상부 플레이트,
    상기 상부 플레이트의 하부에 설치되고 내부에 상기 안착 플레이트가 회전하는 공간이 형성되는 케이스 및
    건조가 완료된 작업 대상물을 피딩 방식을 이용해서 다음 공정으로 공급하는 피딩유닛을 포함하고,
    상기 안착 플레이트에는 작업 대상물을 고정하는 고정유닛이 설치되는 것을 특징으로 하는 건조장치.
    상기 피딩유닛은 작업 대상물의 이송 방향을 따라 설치되는 가이드 레일을 따라 이동 가능하게 설치되는 이동부 및
    상기 이동부의 상단에 Y축 방향을 따라 수평하게 설치되고 상기 작업 대상물의 후단을 밀어서 이동시키는 피딩부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 고정유닛은
    상기 안착 플레이트의 측면에 힌지 회전 가능하게 설치되는 고정부재,
    상기 고정부재가 힌지 결합되는 브래킷 및
    상기 고정부재와 대응되도록 상기 상부 플레이트에 설치되고 상기 고정부재의 승강 동작 시 고정부재를 힌지 회전시키는 회전베어링을 포함하는 것을 특징으로 하는 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더.
  4. 제3항에 있어서, 상기 고정부재는
    작업 대상물 고정 시 상하 방향으로 배치되는 수직부와
    상기 수직부의 하단에 연결되고 작업 대상물 고정 시 수평 방향으로 배치되는 수평부를 포함하고,
    상기 수직부의 선단에는 작업 대상물을 고정하도록 고정턱이 절곡 형성되는 것을 특징으로 하는 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 수평부의 일측에는 상기 안착 플레이트의 상승 동작 시 상기 회전베어링에 접촉되어 걸리도록 오목한 곡면이 형성되고,
    상기 곡면의 끝단에 걸이턱이 형성되는 것을 특징으로 하는 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더.
  6. 제3항에 있어서, 상기 고정유닛은
    양단이 각각 상기 안착 플레이트와 브래킷에 지지되고 작업 대상물 고정 시 상기 고정부재에 탄성력을 제공하는 탄성부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더.
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020140162734A 2014-11-20 2014-11-20 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더 KR101675268B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140162734A KR101675268B1 (ko) 2014-11-20 2014-11-20 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더
TW104128603A TWI575637B (zh) 2014-11-20 2015-08-31 乾燥裝置及其所適用的半導體條帶硏磨機

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140162734A KR101675268B1 (ko) 2014-11-20 2014-11-20 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160060425A KR20160060425A (ko) 2016-05-30
KR101675268B1 true KR101675268B1 (ko) 2016-11-14

Family

ID=57124589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140162734A KR101675268B1 (ko) 2014-11-20 2014-11-20 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101675268B1 (ko)
TW (1) TWI575637B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101896269B1 (ko) * 2017-05-18 2018-09-11 서우테크놀로지 주식회사 반도체 패키지 그라인더
KR102138003B1 (ko) * 2019-09-09 2020-07-27 제너셈(주) 컨버전 키트 자동 교환 시스템

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101955274B1 (ko) * 2017-04-24 2019-03-08 서우테크놀로지 주식회사 반도체 패키지 그라인더
KR102180244B1 (ko) * 2020-08-11 2020-11-19 주식회사 에스알 그라인더

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014038959A (ja) * 2012-08-17 2014-02-27 Pre-Tech Co Ltd スピンテーブルを用いた洗浄装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209075A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Speedfam Co Ltd ウェハエッジ研磨システム及びウェハエッジ研磨制御方法
KR100872129B1 (ko) 2007-07-04 2008-12-08 삼성전기주식회사 기판 스트립
KR101341445B1 (ko) * 2011-03-16 2013-12-13 주식회사 로보스타 버퍼 스테이지를 갖는 에지 그립식 프리-얼라이너
KR101347026B1 (ko) * 2012-03-21 2014-01-07 주식회사 케이엔제이 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
KR101415162B1 (ko) 2012-08-20 2014-07-04 한미반도체 주식회사 반도체 제조장치용 흡착유닛

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014038959A (ja) * 2012-08-17 2014-02-27 Pre-Tech Co Ltd スピンテーブルを用いた洗浄装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101896269B1 (ko) * 2017-05-18 2018-09-11 서우테크놀로지 주식회사 반도체 패키지 그라인더
KR102138003B1 (ko) * 2019-09-09 2020-07-27 제너셈(주) 컨버전 키트 자동 교환 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
TWI575637B (zh) 2017-03-21
KR20160060425A (ko) 2016-05-30
TW201637109A (zh) 2016-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101531820B1 (ko) 반도체 스트립 그라인더
KR101635113B1 (ko) 반도체 스트립 그라인더
KR101675268B1 (ko) 건조장치가 적용된 반도체 스트립 그라인더
TWI390671B (zh) 矩形基板的分割設備
KR20130029720A (ko) 분할 장치
KR100385876B1 (ko) 반도체 패키지장치 절단용 핸들러 시스템
JP6076063B2 (ja) 加工装置
CN111386598B (zh) 基板输送装置、基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质
KR102182956B1 (ko) 절단 장치 및 반도체 패키지의 반송 방법
JP2016154168A (ja) 被加工物の受け渡し方法
KR102610449B1 (ko) 반도체 스트립 연삭 장치
JP2006054388A (ja) 被加工物搬送装置，スピンナー洗浄装置，研削装置，被加工物搬送方法
KR101896269B1 (ko) 반도체 패키지 그라인더
KR101955274B1 (ko) 반도체 패키지 그라인더
JP6181799B1 (ja) 半導体ストリップグラインダー
JP6044986B2 (ja) 切削装置
KR101721833B1 (ko) 폴리싱 유닛 및 그가 적용된 반도체 스트립 그라인더
KR101635080B1 (ko) 연삭장치 및 그가 적용된 반도체 스트립 그라인더
KR100406509B1 (ko) 반도체 패키지의 디플래쉬 시스템
KR20200050643A (ko) 다이 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
JP2023160762A (ja) 半導体ストリップ研削方法及び装置
JP2023160761A (ja) 半導体ストリップ研削方法及び装置
KR100402947B1 (ko) 웨이퍼 프레임에 접착된 테이프제거기용 트랜스퍼
KR20240144273A (ko) 절단 장치, 및 절단품의 제조 방법
KR20220167993A (ko) 반도체 자재 연마시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191107

Year of fee payment: 4