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KR101444711B1 - Temperatute control system for substrate manufacturing apparatus - Google Patents

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KR101444711B1
KR101444711B1 KR1020080047984A KR20080047984A KR101444711B1 KR 101444711 B1 KR101444711 B1 KR 101444711B1 KR 1020080047984 A KR1020080047984 A KR 1020080047984A KR 20080047984 A KR20080047984 A KR 20080047984A KR 101444711 B1 KR101444711 B1 KR 101444711B1
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air
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low
substrate
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Inventor
김종식
박찬호
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

본 발명은 고온 공기 및 저온 공기를 이용하여 기판 제조 장치의 온도를 조절할 수 있도록 한 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템에 관한 것으로, 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지수단; 및 압축 공기 또는 고압의 공기(Air)를 이용해 저온 공기 및/또는 고온 공기를 생성하여 상기 챔버 및 상기 기판 지지수단 중 적어도 하나의 온도를 조절하는 온도 조절장치를 포함하여 구성되는 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 제공하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus capable of adjusting the temperature of a substrate manufacturing apparatus using hot air and low temperature air, the apparatus comprising: a chamber for providing a reaction space; Substrate holding means provided in the chamber for supporting the substrate; And a temperature regulating device for regulating the temperature of at least one of the chamber and the substrate holding means by generating cold air and / or hot air using compressed air or high-pressure air (Air) Thereby providing an adjustment system.

온도 조절, 챔버, 챔버 리드, 저온 공기, 고온 공기 Temperature control, chamber, chamber lead, cold air, hot air

Description

기판 제조 장치용 온도 조절 시스템{TEMPERATUTE CONTROL SYSTEM FOR SUBSTRATE MANUFACTURING APPARATUS}[0001] TEMPERATURE CONTROL SYSTEM FOR SUBSTRATE MANUFACTURING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 고온 공기 및 저온 공기를 이용하여 기판 제조 장치의 온도를 조절할 수 있도록 한 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus, and more particularly, to a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus capable of adjusting a temperature of a substrate manufacturing apparatus using hot air and low temperature air.

일반적으로 반도체 소자 또는 디스플레이 소자를 포함하는 반도체 제조 장비는 챔버 내에서 웨이퍼(또는 기판) 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입, 및 금속증착 등의 공정을 수행하게 된다. 이러한 공정에서는 고온 또는 저온의 온도 조절 장치를 이용하여 챔버의 내부 온도 또는 웨이퍼의 온도를 해당 공정에 상응하는 온도로 유지시키게 된다.Generally, a semiconductor manufacturing equipment including a semiconductor device or a display device performs processes such as photography, etching, diffusion, chemical vapor deposition, ion implantation, and metal deposition on a wafer (or a substrate) in a chamber. In such a process, a high or low temperature regulator is used to maintain the internal temperature of the chamber or the temperature of the wafer at a temperature corresponding to the process.

고온의 온도 조절 장치로는 히트 쟈켓(Heat Jacket)이 주로 사용되고 있으나, 히트 쟈켓의 경우 150도 이상의 온도를 유지시킬 수 없다는 문제점이 있다.A heat jacket is mainly used as a high temperature control device, but a heat jacket can not maintain a temperature of 150 degrees or more.

또한, 저온의 온도 조절 장치로는 열 교환기(Heat Exchanger) 또는 칠러(Chiller) 등이 사용되고 있다. 그러나, 열 교환기 및 칠러의 경우 고가의 냉각수를 저온으로 냉각시켜 순환시키는 방식이므로 구성이 복잡하고 유지비용이 많이 소요된다는 문제점이 있다.Also, a heat exchanger or a chiller is used as a low temperature control device. However, in the case of the heat exchanger and the chiller, since the expensive cooling water is circulated by cooling the cooling water at a low temperature, the structure is complicated and the maintenance cost is high.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 고온 공기(Hot Air) 및 저온 공기(Cold Air)를 이용하여 기판 제조 장치의 온도를 조절할 수 있도록 한 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is, therefore, an object of the present invention to provide a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus capable of controlling the temperature of a substrate manufacturing apparatus by using hot air and cold air, We will do it.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지수단; 및 압축 공기 또는 고압의 공기(Air)를 이용해 저온 공기 및/또는 고온 공기를 생성하여 상기 챔버 및 상기 기판 지지수단 중 적어도 하나의 온도를 조절하는 온도 조절장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus, including: a chamber for providing a reaction space; Substrate holding means provided in the chamber for supporting the substrate; And a temperature control device for controlling the temperature of at least one of the chamber and the substrate holding means by generating low-temperature air and / or high-temperature air using compressed air or high-pressure air.

상기 온도 조절장치는 상기 챔버 벽의 온도를 조절하는 것을 특징으로 한다.And the temperature regulating device regulates the temperature of the chamber wall.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지수단; 상기 기판을 가열하는 기판가열수단; 및 상기 기판가열수단의 열을 반사하는 반사수단을 포함하며, 압축 공기 또는 고압의 공기를 이용해 저온 공기 및/또는 고온 공기를 생성하여 상기 반사수단의 온도를 조절하는 온도 조절장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to another embodiment of the present invention, a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus includes a chamber for providing a reaction space; Substrate holding means provided in the chamber for supporting the substrate; Substrate heating means for heating the substrate; And a temperature regulating device for regulating the temperature of the reflecting means by generating cold air and / or hot air using compressed air or high-pressure air, and reflecting means for reflecting the heat of the substrate heating means .

상기 온도 조절장치는 상기 반사수단에 설치되는 온도 조절라인; 압축 공기를 생성하는 압축 공기 생성부; 상기 압축 공기의 회전을 이용하여 저온 공기를 생성하고, 상기 저온 공기를 상기 온도 조절라인으로 공급하는 저온 공기 생성부; 상기 온도 조절라인으로 공급되는 상기 저온 공기의 온도를 검출하는 온도 검출부; 및 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도에 따라 상기 압축 공기의 압력을 제어하는 온도 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Wherein the temperature regulating device comprises: a temperature regulating line installed in the reflecting means; A compressed air generating unit for generating compressed air; A low temperature air generator for generating low temperature air using rotation of the compressed air and supplying the low temperature air to the temperature adjusting line; A temperature detector for detecting the temperature of the low temperature air supplied to the temperature adjusting line; And a temperature controller for controlling the pressure of the compressed air according to the temperature detected by the temperature detector.

상기 온도 조절장치는 상기 챔버 또는 상기 기판 지지수단의 온도를 더 조절하는 것을 특징으로 한다.Wherein the temperature regulating device further regulates the temperature of the chamber or the substrate supporting means.

상기 온도 조절 시스템은 상기 챔버의 상부에 결합되어 상기 저온 공기 및/또는 고온 공기에 의해 온도가 조절되는 챔버 리드를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The temperature control system may further include a chamber lead coupled to an upper portion of the chamber and having a temperature controlled by the low temperature air and / or the hot air.

상기 온도 조절 시스템은 상기 챔버에 연결된 배기라인; 및 상기 배기라인에 설치되어 상기 온도 조절장치로부터 공급되는 상기 저온 공기를 이용하여 상기 배기라인으로 배기되는 반응가스에 포함된 불순물을 제거하는 불순물 제거장치를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The temperature regulation system comprising: an exhaust line connected to the chamber; And an impurity removing device installed in the exhaust line and removing the impurities contained in the reaction gas exhausted to the exhaust line by using the low temperature air supplied from the temperature control device.

상기 온도 조절 시스템은 상기 챔버에 연결된 가스 공급라인; 및 상기 가스 공급라인에 설치되어 상기 온도 조절장치로부터 공급되는 상기 고온 공기를 이용하여 상기 가스 공급라인으로 공급되는 공정 가스의 온도를 조절하는 가스 온도 조절장치를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The temperature regulation system comprising: a gas supply line connected to the chamber; And a gas temperature control unit installed in the gas supply line and controlling the temperature of the process gas supplied to the gas supply line using the hot air supplied from the temperature control unit.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 반응 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지수단; 상기 챔버 또는 상기 기판 지지수단에 형성된 온도 조절 라인; 및 상기 온도 조절 라인에 연결된 온도 조절장치를 포함하며; 상기 온도 조절 장치는, 압축 공기를 생성하는 압축 공기 생성부; 상기 압축 공기의 회전을 이용하여 저온 공기를 생성하고, 상기 저온 공기를 상기 온도 조절 라인으로 공급하는 저온 공기 생성부; 상기 온도 조절라인으로 공급되는 상기 저온 공기의 온도를 검출하는 온도 검출부; 및 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도에 따라 상기 압축 공기의 압력을 제어하는 온도 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to another embodiment of the present invention, a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus includes a chamber for providing a reaction space; Substrate holding means provided in the chamber for supporting the substrate; A temperature control line formed in the chamber or the substrate holding means; And a temperature control device connected to the temperature control line; The temperature regulating device includes: a compressed air generating unit for generating compressed air; A low temperature air generator for generating low temperature air using rotation of the compressed air and supplying the low temperature air to the temperature adjusting line; A temperature detector for detecting the temperature of the low temperature air supplied to the temperature adjusting line; And a temperature controller for controlling the pressure of the compressed air according to the temperature detected by the temperature detector.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지수단; 상기 챔버 또는 상기 기판 지지수단에 형성된 온도조절 라인; 및 상기 온도 조절라인에 일단에 연결된 온도 조절장치를 포함하며; 상기 온도 조절 장치는, 압축 공기를 생성하는 압축 공기 생성부; 상기 압축 공기의 회전을 이용하여 고온 공기를 생성하고, 상기 고온 공기를 상기 온도 조절라인으로 공급하는 고온 공기 생성부; 상기 온도 조절라인으로 공급되는 상기 고온 공기의 온도를 검출하는 온도 검출부; 및 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도에 따라 상기 압축 공기의 압력을 제어하는 온도 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to another embodiment of the present invention, a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus includes a chamber for providing a reaction space; Substrate holding means provided in the chamber for supporting the substrate; A temperature control line formed in the chamber or the substrate holding means; And a temperature control device connected at one end to the temperature control line; The temperature regulating device includes: a compressed air generating unit for generating compressed air; A hot air generator for generating hot air using rotation of the compressed air and supplying the hot air to the temperature control line; A temperature detector for detecting a temperature of the hot air supplied to the temperature adjusting line; And a temperature controller for controlling the pressure of the compressed air according to the temperature detected by the temperature detector.

상기 온도 조절장치는 상기 온도 조절 라인에 적어도 하나가 연결되는 것을 특징으로 한다.The temperature control device is characterized in that at least one is connected to the temperature control line.

상술한 바와 같이 본 발명은 압축 공기의 회전에 의해 생성되는 저온 공기 및/또는 고온 공기를 이용하여 챔버의 벽, 챔버 리드, 챔버의 내부, 기판 지지수단, 냉각수단, 및 불순물 제거장치 등의 온도를 조절함으로써 냉각 시스템의 구성을 단순화할 수 있으며, 온도 조절 대역을 높일 뿐만 아니라 유지비용을 감소시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, the temperature of the chamber walls, the chamber lid, the interior of the chamber, the substrate holding means, the cooling means, and the impurity removing apparatus, etc., is reduced by using the low temperature air and / It is possible to simplify the configuration of the cooling system and increase the temperature regulation band as well as reduce the maintenance cost.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 가열수단을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view for explaining the heating means shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 반응공간을 제공하는 챔버(Chamber; 10); 챔버(10) 내에 설치되어 복수의 기판(또는 웨이퍼)(22)을 지지하는 기판 지지수단(20); 챔버(10)의 상부에 결합되는 챔버 리드(Chamber Lid; 30); 기판(10) 상에 공정가스를 분사하기 위한 가스 분사장치(40); 반사수단(51)에 마련된 광학 히터(53)를 이용하여 기판 지지수단(20)을 가열하는 기판가열수단(50); 및 압축 공기를 이용한 저온 공기를 생성하여 반사수단(51)에 마련된 냉각관(59)에 공급하여 반사수단(51)의 온도를 조절하는 온도 조절장치(60)를 포함하여 구성된다.1 and 2, a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention includes a chamber 10 for providing a reaction space; Substrate holding means 20 installed in the chamber 10 to support a plurality of substrates (or wafers) 22; A chamber lid 30 coupled to an upper portion of the chamber 10; A gas injection device (40) for injecting a process gas onto the substrate (10); A substrate heating means (50) for heating the substrate holding means (20) using an optical heater (53) provided in the reflecting means (51); And a temperature control device 60 for generating low temperature air using compressed air and supplying the generated low temperature air to a cooling pipe 59 provided in the reflecting means 51 to adjust the temperature of the reflecting means 51.

챔버(10)는 일정한 반응공간을 가짐과 아울러 기판 지지수단(20) 및 기판가열수단(50)을 수납한다. 이러한, 챔버(10)의 바닥 일측면에는 챔버(10) 내부의 가 스 또는 공기를 외부로 배기시키기 위한 배기관(12)이 결합된다. 또한, 챔버(10)의 일측면에는 기판(22)을 기판 지지수단(20)에 로딩시키거나, 기판(22)을 기판 지지수단(20)에서 언로딩시키기 위한 로딩/언로딩 장치가 출입하는 게이트(14)가 설치된다.The chamber 10 has a constant reaction space and accommodates the substrate holding means 20 and the substrate heating means 50. An exhaust pipe 12 for exhausting gas or air inside the chamber 10 is coupled to one side surface of the bottom of the chamber 10. A loading / unloading device for loading the substrate 22 into the substrate holding means 20 or unloading the substrate 22 from the substrate holding means 20 is provided on one side of the chamber 10 A gate 14 is provided.

기판 지지수단(20)은 챔버(10)의 바닥면을 관통하는 구동수단(24)에 의해 상하 방향으로 수직 운동하거나 회전 운동한다. 이러한, 기판 지지수단(20)에는 챔버(10)의 게이트(14)를 출입하는 기판 반송장치(미도시)에 의해 적어도 하나의 기판(22)이 로딩된다.The substrate holding means 20 vertically moves or rotates by the driving means 24 passing through the bottom surface of the chamber 10. At least one substrate 22 is loaded on the substrate holding means 20 by a substrate transfer device (not shown) for entering and exiting the gate 14 of the chamber 10.

챔버 리드(30)는 챔버(10)의 상부에 결합되어 반응공간을 형성한다. 그리고, 챔버 리드(30)에는 가스 공급장치(미도시)로부터 공정가스가 공급되는 가스 공급관(42)이 회전가능하도록 설치된다. 이때, 가스 공급관(42)에 흐르는 공정가스를 온도를 조절하기 위하여 가스 공급관(42)에는 가스 온도 조절장치(미도시)가 설치될 수 있다.The chamber lid 30 is coupled to the top of the chamber 10 to form a reaction space. The chamber lid 30 is provided with a gas supply pipe 42 through which a process gas is supplied from a gas supply device (not shown) so as to be rotatable. At this time, a gas temperature regulator (not shown) may be installed in the gas supply pipe 42 to regulate the temperature of the process gas flowing through the gas supply pipe 42.

가스 분사장치(40)는 가스 공급관(42)에 결합되어 가스 공급관(42)을 통해 공급되는 공정가스를 기판(22) 쪽으로 분사한다. 이때, 가스 분사장치(40)는 구동장치(미도시)에 의해 회전하면서 기판 지지수단(20)에 안착된 복수의 기판(22)에 균일한 가스를 분사할 수 있다.The gas injection device 40 is coupled to the gas supply pipe 42 and injects the process gas supplied through the gas supply pipe 42 toward the substrate 22. At this time, the gas injection device 40 can inject uniform gas to the plurality of substrates 22 mounted on the substrate holding means 20 while being rotated by a driving device (not shown).

기판가열수단(50)은 기판 지지수단(20)의 배면에 배치되어 기판 지지수단(20)을 가열한다. 이를 위해, 기판가열수단(50)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 반사수단(51); 복수의 광학 히터(53); 측벽(55); 차폐수단(57); 및 냉각관(59)을 포함하여 구성된다.The substrate heating means 50 is disposed on the backside of the substrate holding means 20 to heat the substrate holding means 20. [ To this end, the substrate heating means 50, as shown in Fig. 2, comprises reflecting means 51; A plurality of optical heaters 53; Side walls 55; Shielding means 57; And a cooling pipe (59).

복수의 광학 히터(53) 각각은 기판 지지수단(20)과 마주보도록 일정한 간격으로 설치된다. 이러한, 복수의 광학 히터(53) 각각은 저항선에 흐르는 전류에 의해 발생되는 열을 이용해 기판 지지수단(20)을 가열함으로써 기판 지지수단(20)에 안착된 기판(22)을 간접적으로 가열한다. 이때, 복수의 광학 히터(53)는 기판 지지수단(20)을 100 내지 1200℃ 범위의 온도로 가열할 수 있다.Each of the plurality of optical heaters 53 is installed at regular intervals so as to face the substrate supporting means 20. Each of the plurality of optical heaters 53 indirectly heats the substrate 22 seated on the substrate holding means 20 by heating the substrate holding means 20 using heat generated by a current flowing in the resistance line. At this time, the plurality of optical heaters 53 can heat the substrate holding means 20 to a temperature in the range of 100 to 1200 ° C.

반사수단(51)은 복수의 광학 히터(53)로부터의 열을 기판 지지수단(20) 쪽으로 반사시킴으로써 복수의 광학 히터(53)에서 발생되는 열의 손실을 최소화한다. 이를 위해, 반사수단(51)은 몸체(51a); 복수의 수납홈(51b); 및 반사층(51c)을 포함하여 구성된다.The reflecting means 51 reflects the heat from the plurality of optical heaters 53 toward the substrate supporting means 20 to minimize the heat loss generated in the plurality of optical heaters 53. [ To this end, the reflecting means 51 comprises a body 51a; A plurality of receiving grooves 51b; And a reflection layer 51c.

몸체(51a)는 표면이 거친 비투열성 재질, 예를 들어, 석영(Quartz) 재질일 수 있다.The body 51a may be a non-durable material having a rough surface, for example, a quartz material.

복수의 수납홈(51b)은 기판 지지수단(20)과 마주보는 몸체(51a)의 상부로부터 일정한 깊이로 형성되어 복수의 광학 히터(53) 각각을 수납한다. 이때, 복수의 광학 히터(53) 각각은 인접한 복수의 수납홈(51b)의 경계부에 의해 열적으로 분리된다. 여기서, 복수의 수납홈(51b)은 다각형 또는/및 곡선 형태의 단면을 가지도록 형성될 수 있으며, 깊이는 반사효율에 따라 설정될 수 있다.The plurality of receiving grooves 51b are formed at a predetermined depth from the upper portion of the body 51a facing the substrate supporting means 20 to accommodate each of the plurality of optical heaters 53. [ At this time, each of the plurality of optical heaters 53 is thermally separated by the boundary of the plurality of adjacent receiving grooves 51b. Here, the plurality of receiving grooves 51b may be formed to have a polygonal or / and curved cross section, and the depth may be set according to the reflection efficiency.

반사층(51c)은 복수의 수납홈(51b)이 형성된 몸체(51a)의 표면에 형성되어 각 광학 히터(53)로부터의 열을 반사시킨다. 이때, 반사층(51c)은 50 내지 100% 범위의 반사율을 가지는 재질일 수 있다. 예를 들어, 반사층(51c)은 알루미늄(Ag) 및 금(Au) 등의 광 반사 특성이 우수한 금속성의 물질을 몸체(51a) 전면에 증착하여 형성할 수 있다.The reflective layer 51c is formed on the surface of the body 51a on which the plurality of receiving grooves 51b are formed and reflects heat from the respective optical heaters 53. [ At this time, the reflective layer 51c may be a material having a reflectivity in the range of 50 to 100%. For example, the reflection layer 51c can be formed by depositing a metallic material having excellent light reflection characteristics, such as aluminum (Ag) and gold (Au), on the entire surface of the body 51a.

측벽(55)은 반사수단(51)의 측면에 접하도록 설치되어 차폐수단(57)을 지지한다. 이때, 측벽(55)은 석영 재질의 플레이트(Plate) 형태를 가질 수 있다.The side wall 55 is provided so as to abut the side surface of the reflecting means 51 to support the shielding means 57. At this time, the side wall 55 may have a plate shape of a quartz material.

차폐수단(57)은 측벽(55)에 의해 지지되도록 반사수단(51)의 전면에 마련되어 복수의 광학 히터(53)로부터의 열을 투열시켜 기판 지지수단(20) 쪽으로 안내함과 아울러 챔버(10) 내부의 공정가스가 복수의 광학 히터(53) 쪽으로 침투하는 것을 방지한다. 이를 위해, 차폐수단(57)은 투열성 재질, 예를 들어, 석영 재질일 수 있다.The shielding means 57 is provided on the front surface of the reflecting means 51 so as to be supported by the side wall 55 and guides the heat from the plurality of optical heaters 53 toward the substrate supporting means 20, ) From penetrating into the plurality of optical heaters (53). To this end, the shielding means 57 may be made of a transparent material, for example, a quartz material.

한편, 반사수단(51)과 차폐수단(57) 사이에 마련된 공간(58)은 챔버(10) 내부의 공정가스의 침투를 방지하기 위해 챔버(10) 내부의 압력보다 높은 압력을 가질 수 있다.The space 58 provided between the reflecting means 51 and the shielding means 57 may have a pressure higher than the pressure inside the chamber 10 to prevent penetration of the process gas inside the chamber 10. [

한편, 상술한 기판가열수단(50)은 기판 지지수단(20)에 포함되어 구성될 수 있다.On the other hand, the above-described substrate heating means 50 may be included in the substrate holding means 20.

냉각관(59)은 저온 공기 공급관(67)을 통해 온도 조절장치(60)에 연결됨과 아울러 반사수단(51)의 몸체(51a) 내부에 일정한 간격으로 설치되는 온도 조절라인이다. 이러한, 냉각관(59)은 저온 공기 공급관(67)을 통해 온도 조절장치(60)로부터 제공되는 저온(또는 극저온) 공기를 이용하여 반사수단(51)의 온도를 냉각시킨다.The cooling pipe 59 is a temperature control line connected to the temperature control device 60 through the low temperature air supply pipe 67 and installed at a predetermined interval in the body 51a of the reflection means 51. The cooling pipe 59 cools the temperature of the reflecting means 51 using the low temperature (or cryogenic temperature) air supplied from the temperature regulating device 60 through the low temperature air supply pipe 67.

도 1에서, 제 1 실시 예에 따른 온도 조절장치(60)는 압축 공기를 이용하여 저온(또는 극저온) 공기를 생성하고, 생성된 저온(또는 극저온) 공기를 반사수단(51)에 마련된 냉각관(59)에 공급함으로써 반사수단(51)의 온도를 조절한다. 이를 위해, 온도 조절장치(60)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 압축 공기 생성부(62); 저온 공기 생성부(64); 온도 검출부(66); 및 온도 제어부(68)를 포함하여 구성된다.1, the temperature control device 60 according to the first embodiment generates low-temperature (or cryogenic) air using compressed air, and supplies the generated low-temperature (or cryogenic) air to a cooling tube (59) to adjust the temperature of the reflecting means (51). To this end, the temperature regulating device 60 includes, as shown in Fig. 3, a compressed air generating portion 62; A low temperature air generator (64); A temperature detector 66; And a temperature control unit 68.

압축 공기 생성부(62)는 온도 제어부(68)의 제어에 대응되는 압력을 가지는 압축 공기를 생성하여 저온 공기 생성부(64)에 공급한다. 이때, 압축 공기 생성부(62)는 압축 공기 대신에 고압의 공기를 저온 공기 생성부(64)에 공급할 수도 있다.The compressed air generating section 62 generates compressed air having a pressure corresponding to the control of the temperature control section 68 and supplies the compressed air to the low temperature air generating section 64. At this time, the compressed air generating section 62 may supply high-pressure air to the low-temperature air generating section 64 instead of compressed air.

저온 공기 생성부(64)는 압축 공기 생성부(62)로부터 공급되는 압축 공기를 이용하여 저온 공기를 생성하여 저온 공기 토출관(65) 및 저온 공기 공급관(67)을 통해 반사수단(51)에 마련된 냉각관(59)에 공급한다. 이때, 저온 공기 생성부(64)는 압축 공기 생성부(62)로부터 공급되는 압축 공기의 회전에 의해 저온 공기 및 고온 공기를 생성하고, 저온 공기 공급관(67)을 통해 저온 공기를 냉각관(59)에 공급함과 아울러 고온 공기를 외부의 배기라인(EL)으로 배출한다. 여기서, 저온 공기 생성부(64)에서 생성되는 고온 공기는 가스 공급관(62)에 설치되는 히팅블록(미도시)을 가열하는데 사용될 수도 있다.The low temperature air generator 64 generates low temperature air using the compressed air supplied from the compressed air generator 62 and supplies it to the reflecting means 51 through the low temperature air discharge pipe 65 and the low temperature air supply pipe 67 And supplies it to the cooling pipe 59 provided. At this time, the low-temperature air generating unit 64 generates low-temperature air and high-temperature air by rotation of the compressed air supplied from the compressed air generating unit 62, and supplies the low-temperature air to the cooling pipe 59 And discharges the hot air to the outside exhaust line (EL). Here, the high-temperature air generated by the low-temperature air generator 64 may be used to heat a heating block (not shown) installed in the gas supply pipe 62.

온도 검출부(66)는 저온 공기 생성부(64)로부터 저온 공기 토출관(65)으로 토출되는 저온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(68)에 공급한다.The temperature detection unit 66 detects the temperature of the low temperature air discharged from the low temperature air generation unit 64 to the low temperature air discharge pipe 65 and supplies the detected temperature to the temperature control unit 68.

온도 제어부(68)는 온도 검출부(66)에 의해 검출되는 온도에 따라 압축 공기 생성부(62)를 제어하여 압축 공기 생성부(62)로부터 저온 공기 생성부(64)로 공급되는 압축 공기의 압력을 조절함으로써 저온 공기 생성부(64)로부터 저온 공기 토출관(65)으로 토출되는 저온 공기의 온도를 일정하게 유지시킨다.The temperature control unit 68 controls the compressed air generation unit 62 in accordance with the temperature detected by the temperature detection unit 66 so that the pressure of the compressed air supplied from the compressed air generation unit 62 to the low temperature air generation unit 64 Temperature air generating unit 64 to the low-temperature air discharge pipe 65, the temperature of the low-temperature air discharged from the low-temperature air generating unit 64 is kept constant.

한편, 상술한 온도 조절장치(60)는 가스 온도 조절장치에 고온 공기를 공급하여 공정가스의 온도를 조절할 수도 있다.On the other hand, the temperature controller 60 may control the temperature of the process gas by supplying hot air to the gas temperature controller.

이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 압축 공기의 회전에 의해 생성되는 저온 공기를 이용하여 반사수단(51)의 온도를 조절함으로써 냉각 시스템의 구성을 단순화할 수 있으며, 온도 조절 대역을 높일 뿐만 아니라 유지비용을 감소시킬 수 있다.The temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention simplifies the configuration of the cooling system by controlling the temperature of the reflecting means 51 using the low temperature air generated by the rotation of the compressed air And it is possible not only to increase the temperature regulation band but also to reduce the maintenance cost.

도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 반응공간을 제공하는 챔버(10); 챔버(10) 내에 설치되어 복수의 기판(또는 웨이퍼)(22)을 지지하는 기판 지지수단(20); 챔버(10)의 상부에 결합되는 챔버 리드(30); 기판(10) 상에 공정가스를 분사하기 위한 가스 분사장치(40); 반사수단(51)에 마련된 광학 히터(53)를 이용하여 기판 지지수단(20)을 가열하는 기판가열수단(50); 배기관(12)을 통해 챔버(10) 내부를 배기하는 배기장치(170); 저온 공기를 이용하여 배기관(12)으로부터 공급되는 배기 가스를 냉각시켜 배기 가스에 포함된 불순물을 제거하는 불순물 제거장치(180); 및 압축 공기를 이용해 저온 공기를 생성하여 불순물 제거장치(180)에 저온 공기를 제공하는 온도 조절장치(160)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 4, a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention includes a chamber 10 for providing a reaction space; Substrate holding means 20 installed in the chamber 10 to support a plurality of substrates (or wafers) 22; A chamber lid 30 coupled to the top of the chamber 10; A gas injection device (40) for injecting a process gas onto the substrate (10); A substrate heating means (50) for heating the substrate holding means (20) using an optical heater (53) provided in the reflecting means (51); An exhaust device 170 for exhausting the interior of the chamber 10 through an exhaust pipe 12; An impurity removing device (180) for removing impurities contained in the exhaust gas by cooling the exhaust gas supplied from the exhaust pipe (12) using low temperature air; And a temperature control device 160 for generating low temperature air using compressed air to provide low temperature air to the impurity removing device 180.

챔버(10); 기판 지지수단(20); 챔버 리드(30); 가스 분사장치(40) 각각은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 구성을 가지므로, 이들에 대한 설명은 상술한 제 1 실시 예의 설명으로 대신하기로 한다.A chamber 10; A substrate support means (20); Chamber lid 30; Each of the gas injection devices 40 has the same configuration as that of the first embodiment of the present invention described above, and therefore, description thereof will be given instead of the description of the first embodiment.

기판가열수단(50)은 냉각수 공급장치(미도시)로부터 저온의 냉각수가 냉각관(59)에 공급되는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 구성을 가지므로, 이들에 대한 설명은 상술한 제 1 실시 예의 설명으로 대신하기로 한다.The substrate heating means 50 has the same configuration as that of the first embodiment of the present invention except that low-temperature cooling water is supplied from the cooling water supply device (not shown) to the cooling pipe 59, The description of the first embodiment will be omitted.

제 2 실시 예에 따른 온도 조절장치(160)는 압축 공기를 이용하여 저온(또는 극저온) 공기를 생성하고, 저온 공기 공급관(185)을 통해 생성된 저온 공기를 불순물 제거장치(180)에 공급한다. 이러한 제 2 실시 예에 따른 온도 조절장치(160)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 온도 조절장치(60)와 동일하게 구성을 가지므로 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 온도 조절장치(60)에 대한 설명으로 대신하기로 한다.The temperature regulating device 160 according to the second embodiment generates low-temperature (or cryogenic) air using compressed air and supplies the low-temperature air generated through the low-temperature air supply pipe 185 to the impurity removing device 180 . As shown in FIG. 3, the temperature control device 160 according to the second embodiment has the same configuration as the temperature control device 60 according to the first embodiment of the present invention. Therefore, A description of the temperature control device 60 according to the first embodiment will be given instead.

배기장치(170)는 챔버(10)에서 하나의 공정이 완료된 후, 다른 공정 또는 기판(22)의 로딩/언로딩을 위해 챔버(10)의 내부 가스를 외부로의 배기라인으로 배기한다. 여기서, 배기장치(170)에 의해 챔버(10)에서 배기되는 잔여 가스 및 공정 부산물 가스에는 염화 암모늄(NH4Cl) 등의 물질과 같은 불순물이 포함되며, 이 불순물이 배기장치(170)에 유입될 경우 배기장치(170)의 성능이 저하되게 된다.The exhaust apparatus 170 exhausts the internal gas of the chamber 10 to an exhaust line to the outside for the other process or loading / unloading of the substrate 22 after one process is completed in the chamber 10. The remaining gas and the process by-product gas exhausted from the chamber 10 by the exhaust apparatus 170 include impurities such as ammonium chloride (NH4Cl) and the like. When the impurities are introduced into the exhaust apparatus 170 The performance of the exhaust device 170 is deteriorated.

불순물 제거장치(180)는 온도 조절장치(160)로부터 공급되는 저온 공기를 이 용하여 배기관(12)으로 유입되는 챔버(10)의 배기 가스를 냉각시켜 내부 가스에 포함된 불순물을 포획하여 제거함으로써 불순물이 배기장치(170)로 유입되는 것을 방지하여 배기장치(170)를 보호한다.The impurity removing unit 180 uses the low temperature air supplied from the temperature regulating unit 160 to cool the exhaust gas of the chamber 10 flowing into the exhaust pipe 12 to capture and remove the impurities contained in the internal gas, Thereby preventing the exhaust device 170 from being introduced into the exhaust device 170.

한편, 불순물 제거장치(180)는 포획되는 불순물을 확인할 수 있는 확인창(미도시)을 포함하여 구성될 수 있다.On the other hand, the impurity removing apparatus 180 may include a confirmation window (not shown) for confirming impurities to be trapped.

이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 압축 공기의 회전에 의해 생성되는 저온 공기를 불순물 제거장치(170)에 제공함으로써 배기 가스에 포함된 불순물을 냉각시켜 제거하기 위한 냉각 시스템의 구성을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라 유지비용을 감소시킬 수 있다.The temperature control system for the substrate manufacturing apparatus according to the second embodiment of the present invention provides the low temperature air generated by the rotation of the compressed air to the impurity removing apparatus 170 to cool and remove the impurities contained in the exhaust gas It is possible to simplify the structure of the cooling system for reducing the maintenance cost as well.

도 5는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 반응공간을 제공하는 챔버(10); 챔버(10) 내에 설치되어 복수의 기판(또는 웨이퍼)(22)을 지지하는 기판 지지수단(20); 챔버(10)의 상부에 결합되는 챔버 리드(30); 기판(10) 상에 공정가스를 분사하기 위한 가스 분사장치(40); 반사수단(51)에 마련된 광학 히터(53)를 이용하여 기판 지지수단(20)을 가열하는 기판가열수단(50); 챔버(10)의 벽 내부에 마련된 제 1 냉열관(210); 챔버 리드(30)에 마련된 제 2 냉열관(230); 및 압축 공기를 이용해 저온 공기 및/또는 고온 공기를 생성하고, 생성된 저온 공기 또는 고온 공기를 제 1 냉열관(210) 및/또는 제 2 냉열관(230)에 공급하여 챔버(10)의 온도를 조절하는 온도 조절장치(260)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 5, a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a third embodiment of the present invention includes a chamber 10 for providing a reaction space; Substrate holding means 20 installed in the chamber 10 to support a plurality of substrates (or wafers) 22; A chamber lid 30 coupled to the top of the chamber 10; A gas injection device (40) for injecting a process gas onto the substrate (10); A substrate heating means (50) for heating the substrate holding means (20) using an optical heater (53) provided in the reflecting means (51); A first cooling tube 210 provided inside the wall of the chamber 10; A second coolant pipe 230 provided in the chamber lid 30; Temperature air and / or high-temperature air using the compressed air, and supplies the generated low-temperature air or high-temperature air to the first cooling pipe 210 and / or the second cooling pipe 230 to control the temperature of the chamber 10 And a temperature control unit 260 for controlling the temperature of the fluid.

챔버(10); 기판 지지수단(20); 챔버 리드(30); 가스 분사장치(40) 각각은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 구성을 가지므로, 이들에 대한 설명은 상술한 제 1 실시 예의 설명으로 대신하기로 한다.A chamber 10; A substrate support means (20); Chamber lid 30; Each of the gas injection devices 40 has the same configuration as that of the first embodiment of the present invention described above, and therefore, description thereof will be given instead of the description of the first embodiment.

기판가열수단(50)은 냉각수 공급장치(미도시)로부터 저온의 냉각수가 냉각관(59)에 공급되는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 구성을 가지므로, 이들에 대한 설명은 상술한 제 1 실시 예의 설명으로 대신하기로 한다.The substrate heating means 50 has the same configuration as that of the first embodiment of the present invention except that low-temperature cooling water is supplied from the cooling water supply device (not shown) to the cooling pipe 59, The description of the first embodiment will be omitted.

제 1 냉열관(210)은 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)을 통해 온도 조절장치(260)에 연결됨과 아울러 챔버(10)의 벽 내부에 일정한 간격으로 설치된다. 이러한, 제 1 냉열관(210)은 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)을 통해 온도 조절장치(260)로부터 공급되는 제 1 저온 공기를 이용하여 챔버(10)의 온도를 냉각시키거나 온도 조절장치(260)로부터 공급되는 제 1 고온 공기를 이용하여 챔버(10)의 온도를 가열한다.The first coolant pipe 210 is connected to the temperature control unit 260 through the first low temperature / high temperature air supply pipe 215 and is installed at a predetermined interval in the wall of the chamber 10. The first coolant pipe 210 may cool the temperature of the chamber 10 by using the first low temperature air supplied from the temperature controller 260 through the first low temperature and high temperature air supply pipe 215, The temperature of the chamber 10 is heated using the first hot air supplied from the apparatus 260.

제 2 냉열관(230)은 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)을 통해 온도 조절장치(260)에 연결됨과 아울러 챔버 리드(30)의 내부에 일정한 간격으로 설치된다. 이러한, 제 2 냉열관(230)은 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)을 통해 온도 조절장치(260)로부터 공급되는 제 2 저온 공기를 이용하여 챔버 리드(30)의 온도를 냉각시키거나 온도 조절장치(260)로부터 공급되는 제 2 고온 공기를 이용하여 챔버 리드(30)의 온도를 가열한다.The second coolant pipe 230 is connected to the temperature control device 260 through the second low temperature / high temperature air supply pipe 235 and is installed at a predetermined interval in the chamber lid 30. The second coolant pipe 230 may cool the temperature of the chamber lid 30 by using the second low temperature air supplied from the temperature controller 260 through the second low temperature and high temperature air supply pipe 235, The temperature of the chamber lid 30 is heated by using the second high temperature air supplied from the regulator 260.

제 3 실시 예에 따른 온도 조절장치(260)는 압축 공기를 이용하여 저온 공기 또는/및 고온 공기를 생성하고, 생성된 저온 공기 또는/및 고온 공기를 제 1 냉열관(210) 또는/및 제 2 냉열관(230)에 공급하여 챔버(10)의 내부 온도를 조절한다. 이를 위해, 온도 조절장치(260)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 압축 공기 생성부(262, 362); 제 1 및 제 2 저온/고온 공기 생성부(264, 364); 제 1 내지 제 4 밸브(SV1 내지 SV4); 제 1 및 제 2 T자형 연결관(267, 367); 제 1 및 제 2 온도 검출부(266, 366); 및 온도 제어부(268)를 포함하여 구성된다.The temperature regulating device 260 according to the third embodiment generates cold air and / or hot air using compressed air, and supplies the generated cold air and / or hot air to the first coolant pipe 210 and / 2 cooling pipe 230 to adjust the internal temperature of the chamber 10. To this end, the temperature regulating device 260 includes first and second compressed air generators 262 and 362, as shown in FIG. 6; First and second low temperature / high temperature air generating units 264 and 364; First to fourth valves SV1 to SV4; First and second tee connectors (267, 367); First and second temperature detectors 266 and 366; And a temperature control unit 268.

제 1 압축 공기 생성부(262)는 온도 제어부(268)의 제어에 대응되는 압력을 가지는 제 1 압축 공기를 생성하여 제 1 저온/고온 공기 생성부(264)에 공급한다.The first compressed air generator 262 generates first compressed air having a pressure corresponding to the control of the temperature controller 268 and supplies the first compressed air to the first low temperature / high temperature air generator 264.

제 2 압축 공기 생성부(362)는 온도 제어부(268)의 제어에 대응되는 압력을 가지는 제 2 압축 공기를 생성하여 제 2 저온/고온 공기 생성부(364)에 공급한다.The second compressed air generation section 362 generates second compressed air having a pressure corresponding to the control of the temperature control section 268 and supplies the second compressed air to the second low temperature / high temperature air generation section 364.

제 1 저온/고온 공기 생성부(264)는 제 1 압축 공기 생성부(262)로부터 공급되는 제 1 압축 공기를 이용하여 제 1 저온 공기 및 제 1 고온 공기를 생성하고, 제 1 저온 공기 토출관(265a)을 통해 제 1 저온 공기를 제 1 밸브(SV1)로 공급함과 동시에 제 1 고온 공기 토출관(265b)을 통해 제 1 고온 공기를 제 2 밸브(SV2)로 공급한다.The first low-temperature / high-temperature air generator 264 generates the first low-temperature air and the first high-temperature air using the first compressed air supplied from the first compressed air generator 262, Temperature air to the first valve SV1 through the first high-temperature air discharge pipe 265a and simultaneously supplies the first high-temperature air to the second valve SV2 through the first hot air discharge pipe 265b.

제 2 저온/고온 공기 생성부(364)는 제 2 압축 공기 생성부(362)로부터 공급되는 제 2 압축 공기를 이용하여 제 2 저온 공기 및 제 2 고온 공기를 생성하고, 제 2 저온 공기 토출관(365a)을 통해 제 2 저온 공기를 제 3 밸브(SV3)로 공급함과 동시에 제 2 고온 공기 토출관(365b)을 통해 제 2 고온 공기를 제 4 밸브(SV4)로 공급한다.The second low-temperature / high-temperature air generator 364 generates the second low-temperature air and the second high-temperature air using the second compressed air supplied from the second compressed air generator 362, Supplies the second low temperature air to the third valve SV3 through the second high temperature air discharge pipe 365a and simultaneously supplies the second high temperature air to the fourth valve SV4 through the second high temperature air discharge pipe 365b.

제 1 밸브(SV1)는 제 1 저온 공기 토출관(265a)에 연결되어 온도 제어부(268)의 제어에 따라 개폐되어 제 1 저온 공기를 제 1 T자형 연결관(267)으로 공급하거나 외부의 배기라인(EL)으로 배기한다. 그리고, 제 2 밸브(SV2)는 제 1 고온 공기 토출관(265b)에 연결되어 온도 제어부(268)의 제어에 따라 개폐되어 제 1 고온 공기를 제 1 T자형 연결관(267)으로 공급하거나 배기라인(EL)으로 배기한다. 이때, 제 1 및 제 2 밸브(SV1, SV2)는 적어도 3 포트를 가지는 솔레노이드 밸브(Solenoid Valve)가 될 수 있다.The first valve SV1 is connected to the first low temperature air discharge pipe 265a and is opened and closed under the control of the temperature control unit 268 to supply the first low temperature air to the first tee coupling pipe 267, And exhausted in a line (EL). The second valve SV2 is connected to the first high temperature air discharge pipe 265b and is opened and closed under the control of the temperature control unit 268 to supply the first hot air to the first tee coupling pipe 267, And exhausted in a line (EL). At this time, the first and second valves SV1 and SV2 may be a solenoid valve having at least three ports.

제 1 T자형 연결관(267)은 제 1 연결관(267a)을 통해 제 1 밸브(SV1)에 연결되는 제 1 입구; 제 2 연결관(267b)을 통해 제 2 밸브(SV2)에 연결되는 제 2 입구; 및 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)에 연결되는 출구를 포함하여 구성된다. 이러한, 제 1 T자형 연결관(267)은 제 1 밸브(SV1)로부터의 제 1 저온 공기 또는 제 2 밸브(SV2)로부터의 제 1 고온 공기를 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)으로 공급한다. 여기서, 제 1 및 제 2 연결관(267a, 267b)과 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)이 T자 형태를 가지도록 일체로 형성될 경우 제 1 T자형 연결관(267)은 생략 가능하다.The first T-shaped connection pipe 267 has a first inlet connected to the first valve SV1 through the first connection pipe 267a; A second inlet connected to the second valve SV2 via the second connection pipe 267b; And an outlet connected to the first low temperature / high temperature air supply pipe 215. The first T-shaped connecting pipe 267 supplies the first low temperature air from the first valve SV1 or the first hot air from the second valve SV2 to the first low temperature / high temperature air supply pipe 215 do. When the first and second connection pipes 267a and 267b and the first low temperature / high temperature air supply pipe 215 are integrally formed to have a T shape, the first T-shaped connection pipe 267 may be omitted .

제 3 밸브(SV3)는 제 2 저온 공기 토출관(365a)에 연결되어 온도 제어부(268)의 제어에 따라 개폐되어 제 2 저온 공기를 제 2 T자형 연결관(367)으로 공급하거나 배기라인(EL)으로 배기한다. 그리고, 제 4 밸브(SV4)는 제 2 고온 공기 토출관(365b)에 연결되어 온도 제어부(268)의 제어에 따라 개폐되어 제 2 고온 공 기를 제 2 T자형 연결관(367)으로 공급하거나 배기라인(EL)으로 배기한다. 이때, 제 3 및 제 4 밸브(SV3, SV4)는 적어도 3 포트를 가지는 솔레노이드 밸브가 될 수 있다.The third valve SV3 is connected to the second low temperature air discharge pipe 365a and is opened and closed under the control of the temperature control unit 268 to supply the second low temperature air to the second T connection pipe 367, EL). The fourth valve SV4 is connected to the second high temperature air discharge pipe 365b and is opened and closed under the control of the temperature control unit 268 to supply the second high temperature air to the second T shape coupling pipe 367, And exhausted in a line (EL). At this time, the third and fourth valves SV3 and SV4 may be solenoid valves having at least three ports.

제 2 T자형 연결관(367)은 제 3 연결관(367a)을 통해 제 3 밸브(SV3)에 연결되는 제 1 입구; 제 4 연결관(367b)을 통해 제 4 밸브(SV4)에 연결되는 제 2 입구; 및 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)에 연결되는 출구를 포함하여 구성된다. 이러한, 제 2 T자형 연결관(367)은 제 3 밸브(SV3)로부터의 제 2 저온 공기 또는 제 4 밸브(SV4)로부터의 제 2 고온 공기를 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)으로 공급한다. 여기서, 제 3 및 제 4 연결관(367a, 367b)과 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)이 T자 형태를 가지도록 일체로 형성될 경우 제 2 T자형 연결관(367)은 생략 가능하다.The second T-shaped connection pipe 367 has a first inlet connected to the third valve SV3 through the third connection pipe 367a; A second inlet connected to the fourth valve SV4 through a fourth connection pipe 367b; And an outlet connected to the second low temperature / high temperature air supply pipe 235. The second T-shaped connecting pipe 367 supplies the second low temperature air from the third valve SV3 or the second hot air from the fourth valve SV4 to the second low temperature / high temperature air supply pipe 235 do. If the third and fourth connection pipes 367a and 367b and the second low temperature / high temperature air supply pipe 235 are integrally formed to have a T shape, the second T-shaped connection pipe 367 may be omitted .

제 1 온도 검출부(266)는 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)으로부터 제 1 냉열관(210)으로 공급되는 제 1 저온 공기 또는 제 1 고온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(268)에 공급한다. 그리고, 제 2 온도 검출부(366)는 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)으로부터 제 2 냉열관(230)으로 공급되는 제 2 저온 공기 또는 제 2 고온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(268)에 공급한다.The first temperature detector 266 detects the temperature of the first low temperature air or the first high temperature air supplied from the first low temperature / high temperature air supply pipe 215 to the first heat pipe 210 and supplies the detected temperature to the temperature controller 268 do. The second temperature detector 366 detects the temperature of the second low temperature air or the second high temperature air supplied from the second low temperature / high temperature air supply pipe 235 to the second cooling pipe 230, .

온도 제어부(268)는 제 1 내지 제 4 밸브(SV1 내지 SV4) 각각의 개폐를 제어함과 아울러 제 1 및 제 2 온도 검출부(266, 366) 각각에 의해 검출된 온도에 따라 제 1 및 제 2 압축 공기 생성부(262, 362) 각각을 제어하여 챔버(10)의 벽 또는/및 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도를 조절한다.The temperature control unit 268 controls the opening and closing of each of the first to fourth valves SV1 to SV4 and controls the opening and closing of the first and second valves SV1 to SV4 according to the temperatures detected by the first and second temperature detecting units 266 and 366, Each of the compressed air generators 262 and 362 is controlled to adjust the temperature of the walls of the chamber 10 and / or the chamber lid 30 to a desired temperature.

구체적으로, 제 1 실시 예에 따른 온도 조절 방법에 있어서, 온도 제어부(268)는 챔버(10)의 공정 진행에 따라 챔버(10) 벽의 온도를 원하는 온도로 가열시킬 수 있다. 예를 들어, 온도 제어부(268)는, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제 1 고온 공기가 제 1 냉열관(210)에 공급되도록 제 2 밸브(SV2)만을 개방시킴과 아울러 제 1 온도 검출부(266)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 1 압축 공기 생성부(262)로부터 제 1 저온/고온 공기 생성부(264)로 공급되는 제 1 압축 공기의 압력을 조절하여 제 1 고온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버(10) 벽의 온도를 원하는 온도로 가열시킨다.Specifically, in the temperature control method according to the first embodiment, the temperature control unit 268 can heat the temperature of the wall of the chamber 10 to a desired temperature according to the process progress of the chamber 10. 7A, the temperature controller 268 opens only the second valve SV2 so that the first high temperature air is supplied to the first coolant pipe 210, and the first temperature detector (not shown) Temperature air generated by the first compressed-air generator 262 to the first low-temperature / high-temperature air generator 264 according to the temperature detected by the first high-temperature air generator 266, thereby controlling the temperature of the first high- Thereby heating the temperature of the wall of the chamber 10 to a desired temperature.

제 2 실시 예에 따른 온도 조절 방법에 있어서, 온도 제어부(268)는 기판 지지수단(20)에 지지된 기판(22) 전체의 온도를 균일하게 하기 위하여 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 가열시킬 수 있다. 예를 들어, 온도 제어부(268)는, 도 7b에 도시된 바와 같이, 제 2 고온 공기가 제 2 냉열관(230)에 공급되도록 제 4 밸브(SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 2 온도 검출부(366)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 2 압축 공기 생성부(362)로부터 제 2 저온/고온 공기 생성부(364)로 공급되는 제 2 압축 공기의 압력을 조절하여 제 2 고온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 가열시킨다.The temperature control unit 268 controls the temperature of the chamber lid 30 to a desired temperature to uniformize the temperature of the entire substrate 22 supported by the substrate supporting unit 20 It can be heated. For example, as shown in FIG. 7B, the temperature controller 268 may open only the fourth valve SV4 so that the second high temperature air is supplied to the second coolant pipe 230, and the second temperature detector The temperature of the second high temperature air is controlled by controlling the pressure of the second compressed air supplied from the second compressed air generator 362 to the second low temperature / Thereby heating the chamber lid 30 to a desired temperature.

제 3 실시 예에 따른 온도 조절 방법에 있어서, 온도 제어부(268)는 상술한 제 1 및 제 2 실시 예의 온도 조절 방법을 조합하여, 도 7c에 도시된 바와 같이, 제 1 고온 공기를 제 1 냉열관(210)에 공급함과 동시에 제 2 고온 공기를 제 2 냉열관(230)에 공급함으로써 챔버(10) 내부의 온도를 조절할 수 있다.In the temperature control method according to the third embodiment, the temperature control unit 268 combines the temperature control methods of the first and second embodiments described above to convert the first hot air into the first cold heat The temperature of the inside of the chamber 10 can be adjusted by supplying the second high temperature air to the second cooling tube 230 while supplying the second high temperature air to the tube 210.

제 4 실시 예에 따른 온도 조절 방법에 있어서, 챔버(10) 내부의 장비 교체 등의 유지보수 시 작업자가 챔버(10) 내부로 출입할 수 있을 때까지의 대기시간을 최소화하기 위하여, 온도 제어부(268)는 챔버(10) 벽 및 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 냉각시킬 수 있다. 예를 들어, 온도 제어부(268)는, 도 7d에 도시된 바와 같이, 제 1 저온 공기가 제 1 냉열관(215)에 공급되도록 제 1 밸브(SV1)만을 개방시킴과 아울러 제 1 온도 검출부(266)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 1 압축 공기 생성부(262)로부터 제 1 저온/고온 공기 생성부(264)로 공급되는 제 1 압축 공기의 압력을 조절하여 제 1 저온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버(10) 벽의 온도를 원하는 온도로 냉각시킨다. 이와 동시에, 온도 제어부(268)는 제 2 저온 공기가 제 2 냉열관(235)에 공급되도록 제 3 밸브(SV3)만을 개방시킴과 아울러 제 2 온도 검출부(366)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 2 압축 공기 생성부(362)로부터 제 2 저온/고온 공기 생성부(364)로 공급되는 제 2 압축 공기의 압력을 조절하여 제 2 저온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버 리드(10)의 온도를 냉각시킨다.In order to minimize the waiting time until the operator can enter and exit the chamber 10 during maintenance such as replacement of equipment in the chamber 10, the temperature control method according to the fourth embodiment 268 may cool the temperature of the chamber 10 wall and the chamber lid 30 to a desired temperature. 7D, the temperature controller 268 opens only the first valve SV1 so that the first low temperature air is supplied to the first coolant pipe 215, and the first temperature detector (not shown) The temperature of the first low-temperature air is controlled by controlling the pressure of the first compressed air supplied from the first compressed air generator 262 to the first low-temperature / high-temperature air generator 264 according to the temperature detected by the first low- Thereby cooling the temperature of the wall of the chamber 10 to a desired temperature. At the same time, the temperature control unit 268 opens only the third valve SV3 so that the second low temperature air is supplied to the second cooling pipe 235, and opens the third valve SV3 according to the temperature detected by the second temperature detection unit 366 The temperature of the second low temperature air is controlled by controlling the pressure of the second compressed air supplied from the second compressed air generating unit 362 to the second low temperature / high temperature air generating unit 364, thereby cooling the temperature of the chamber lead 10 .

한편, 상술한 제 3 실시 예에 따른 온도 조절장치(260)에서는 2개의 압축 공기 생성부(262, 264)와 2개의 저온/고온 공기 생성부(264, 364)를 포함하도록 구성되었으나, 이에 한정되지 않고, 도 8에 도시된 바와 같이, 하나의 압축 공기 생성부(262) 및 하나의 저온/고온 공기 생성부(264)를 포함하도록 구성될 수 있다.The temperature regulating device 260 according to the third embodiment includes two compressed air generators 262 and 264 and two low temperature and high temperature air generators 264 and 364, And may be configured to include one compressed air generating section 262 and one low temperature / high temperature air generating section 264, as shown in FIG.

구체적으로, 제 3 실시 예에 따른 온도 조절장치(260)는 압축 공기 생성부(262); 저온/고온 공기 생성부(264); 제 1 내지 제 4 밸브(SV1 내지 SV4); 제 1 및 제 2 온도 검출부(266a, 266b); 및 온도 제어부(268)를 포함하여 구성된다.Specifically, the temperature controller 260 according to the third embodiment includes a compressed air generator 262; A low temperature / high temperature air generating unit 264; First to fourth valves SV1 to SV4; First and second temperature detectors 266a and 266b; And a temperature control unit 268.

압축 공기 생성부(262)는 온도 제어부(268)의 제어에 대응되는 압력을 가지는 압축 공기를 생성하여 저온/고온 공기 생성부(264)에 공급한다.The compressed air generating section 262 generates compressed air having a pressure corresponding to the control of the temperature control section 268 and supplies the compressed air to the low temperature / high temperature air generating section 264.

저온/고온 공기 생성부(264)는 압축 공기 생성부(262)로부터 공급되는 압축 공기를 이용하여 저온 공기 및 고온 공기를 생성하고, 생성된 저온 공기를 저온 공기 토출관(265a)으로 토출함과 동시에 고온 공기를 고온 공기 토출관(265b)으로 토출한다. 이때, 저온/고온 공기 생성부(264)는 압축 공기 생성부(262)로부터 공급되는 압축 공기의 회전에 의해 저온 공기 및 고온 공기를 생성한다.The low temperature / high temperature air generating unit 264 generates low temperature air and high temperature air using the compressed air supplied from the compressed air generating unit 262, discharges the generated low temperature air to the low temperature air discharge pipe 265a At the same time, hot air is discharged to the hot air discharge pipe 265b. At this time, the low-temperature / high-temperature air generator 264 generates low-temperature air and high-temperature air by rotation of the compressed air supplied from the compressed air generator 262.

제 1 밸브(SV1)는 저온 공기 토출관(265a)에 연결되어 온도 제어부(268)의 제어에 따라 개폐되어 저온 공기 토출관(265a)으로부터 유입되는 저온 공기를 제 1 연결관(267a)으로 공급하거나 외부의 배기라인(EL)으로 배기한다.The first valve SV1 is connected to the low temperature air discharge pipe 265a and is opened and closed under the control of the temperature control unit 268 to supply the low temperature air flowing from the low temperature air discharge pipe 265a to the first connection pipe 267a Or exhausted by an external exhaust line (EL).

제 2 밸브(SV2)는 고온 공기 토출관(265b)에 연결되어 온도 제어부(268)의 제어에 따라 개폐되어 고온 공기 토출관(265b)으로부터 유입되는 고온 공기를 제 2 연결관(267b)으로 공급하거나 배기라인(EL)으로 배기한다.The second valve SV2 is connected to the hot air discharge pipe 265b and is opened and closed under the control of the temperature control unit 268 to supply the hot air introduced from the hot air discharge pipe 265b to the second connection pipe 267b Or the exhaust line (EL).

제 3 밸브(SV3)는 제 1 연결관(267a)으로부터 분기된 제 1 분기관(269a) 및 제 2 연결관(267b)으로부터 분기된 제 2 분기관(269b)에 연결됨과 아울러 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)에 연결된다. 이러한, 제 3 밸브(SV3)는 온도 제어부(268)의 제어에 따라 제 1 분기관(269a)으로부터 유입되는 저온 공기 또는 제 2 분기관(269b)으로부터 유입되는 고온 공기를 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)을 통해 제 1 냉열관(210)에 공급한다.The third valve SV3 is connected to the first branch pipe 269a branched from the first connection pipe 267a and the second branch pipe 269b branched from the second connection pipe 267b and the first low temperature / And is connected to the high temperature air supply pipe 215. The third valve SV3 is controlled by the temperature control unit 268 so that the low temperature air flowing from the first branch pipe 269a or the high temperature air flowing from the second branch pipe 269b flows into the first low temperature / And supplies it to the first cooling pipe 210 through the supply pipe 215.

제 4 밸브(SV4)는 제 1 연결관(267b) 및 제 2 연결관(267b) 각각에 연결됨과 아울러 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)에 연결된다. 이러한, 제 4 밸브(SV4)는 온도 제어부(268)의 제어에 따라 제 1 연결관(267a)으로부터 유입되는 저온 공기 또는 제 2 연결관(267b)으로부터 유입되는 고온 공기를 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)을 통해 제 2 냉열관(230)에 공급한다.The fourth valve SV4 is connected to the first connection pipe 267b and the second connection pipe 267b, respectively, and is connected to the second low temperature / high temperature air supply pipe 235. The fourth valve SV4 is connected to the low-temperature air flowing from the first connecting pipe 267a or the high-temperature air flowing from the second connecting pipe 267b under the control of the temperature controller 268 to the second low- And supplies it to the second cooling / heating pipe (230) through the supply pipe (235).

상기의 제 1 내지 제 4 밸브(SV1 내지 SV4) 각각은 적어도 3 포트를 가지는 솔레노이드 밸브가 될 수 있다.Each of the first to fourth valves SV1 to SV4 may be a solenoid valve having at least three ports.

제 1 온도 검출부(266a)는 제 3 밸브(SV3)를 통해 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)으로 공급되는 저온 또는 고온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(268)에 공급한다. 그리고, 제 2 온도 검출부(266b)는 제 4 밸브(SV4)를 통해 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)으로 공급되는 저온 또는 고온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(268)에 공급한다.The first temperature detector 266a detects the temperature of the low temperature or high temperature air supplied to the first low temperature / high temperature air supply pipe 215 through the third valve SV3 and supplies the detected temperature to the temperature controller 268. The second temperature detector 266b detects the temperature of the low temperature or high temperature air supplied to the second low temperature / high temperature air supply pipe 235 through the fourth valve SV4 and supplies the detected temperature to the temperature controller 268.

온도 제어부(268)는 제 1 내지 제 4 밸브(SV1 내지 SV4) 각각의 개폐를 제어함과 아울러 제 1 및 제 2 온도 검출부(266a, 266b) 각각에 의해 검출된 온도에 따라 압축 공기 생성부(262)를 제어하여 챔버(10)의 벽 또는/및 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도를 조절한다.The temperature controller 268 controls the opening and closing of each of the first to fourth valves SV1 to SV4 and controls the opening and closing of each of the first to fourth valves SV1 to SV4 according to the temperature detected by the first and second temperature detectors 266a and 266b 262 to control the temperature of the walls of the chamber 10 and / or the chamber lid 30 to a desired temperature.

구체적으로, 온도 제어부(268)는 상술한 제 1 실시 예에 따른 온도 조절 방법과 동일하게 챔버(10) 벽의 온도를 원하는 온도로 가열시킬 수 있다. 예를 들어, 온도 제어부(268)는, 도 9a에 도시된 바와 같이, 고온 공기가 제 1 냉열관(210)에 공급되도록 제 2 및 제 3 밸브(SV2, SV3)만을 개방시킴과 아울러 제 1 온도 검출부(266a)에 의해 검출되는 온도에 따라 압축 공기 생성부(262)로부터 저온/고온 공기 생성부(264)로 공급되는 압축 공기의 압력을 조절하여 고온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버(10) 벽의 온도를 원하는 온도로 가열시킨다.Specifically, the temperature control unit 268 can heat the temperature of the wall of the chamber 10 to a desired temperature in the same manner as the temperature control method according to the first embodiment. 9A, for example, the temperature controller 268 opens only the second and third valves SV2 and SV3 so that the hot air is supplied to the first coolant pipe 210, The temperature of the high temperature air is controlled by controlling the pressure of the compressed air supplied from the compressed air generating section 262 to the low temperature / high temperature air generating section 264 according to the temperature detected by the temperature detecting section 266a, Heat the wall temperature to the desired temperature.

또한, 온도 제어부(268)는 상술한 제 2 실시 예에 따른 온도 조절 방법과 동일하게 기판 지지수단(20)에 지지된 기판(22) 전체의 온도를 균일하게 하기 위하여 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 가열시킬 수 있다. 예를 들어, 온도 제어부(268)는, 도 9b에 도시된 바와 같이, 고온 공기가 제 2 냉열관(230)에 공급되도록 제 2 및 제 4 밸브(SV2, SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 2 온도 검출부(266b)에 의해 검출되는 온도에 따라 압축 공기 생성부(262)로부터 저온/고온 공기 생성부(264)로 공급되는 압축 공기의 압력을 조절하여 고온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 가열시킨다.The temperature control unit 268 controls the temperature of the chamber lid 30 such that the temperature of the entire substrate 22 supported by the substrate holding unit 20 is uniformed in the same manner as the temperature control method according to the second embodiment, Can be heated to a desired temperature. For example, as shown in FIG. 9B, the temperature control unit 268 opens only the second and fourth valves SV2 and SV4 so that the hot air is supplied to the second coolant pipe 230, The temperature of the high temperature air is controlled by controlling the pressure of the compressed air supplied from the compressed air generating section 262 to the low temperature / high temperature air generating section 264 according to the temperature detected by the temperature detecting section 266b, ) Is heated to a desired temperature.

또한, 온도 제어부(268)는 상술한 제 3 실시 예에 따른 온도 조절 방법과 동일하게 챔버(10)의 벽 및 챔버 리드(30)의 온도를 조절하여 챔버(10) 내부의 온도를 원하는 온도로 가열시킬 수 있다. 예를 들어, 온도 제어부(268)는, 도 9c에 도시된 바와 같이, 고온 공기가 제 1 및 제 2 냉열관(210, 230) 각각에 공급되도록 제 2 내지 제 4 밸브(SV2, SV3, SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 1 및 제 2 온도 검출부(266a, 266b) 중 어느 하나에 의해 검출되는 온도에 따라 압축 공기 생성부(262)로부터 저온/고온 공기 생성부(264)로 공급되는 압축 공기의 압력을 조절하여 고온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버(10) 내부의 온도를 원하는 온도로 가열시킨다.The temperature controller 268 adjusts the temperature of the chamber 10 and the chamber lid 30 to adjust the temperature of the chamber 10 to a desired temperature It can be heated. For example, the temperature controller 268 controls the second to fourth valves SV2, SV3 and SV4 so that the hot air is supplied to the first and second coolant pipes 210 and 230, respectively, Temperature compressed air supplied from the compressed air generating section 262 to the low temperature / high temperature air generating section 264 in accordance with the temperature detected by any one of the first and second temperature detecting sections 266a and 266b, The temperature of the chamber 10 is heated to a desired temperature by controlling the temperature of the hot air.

그리고, 온도 제어부(268)는 상술한 제 4 실시 예에 따른 온도 조절 방법과 동일하게 챔버(10) 내부의 장비 교체 등의 유지보수 시 작업자가 챔버(10) 내부로 출입할 수 있을 때까지의 대기시간을 최소화하기 위하여, 챔버(10) 벽 및 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 냉각시킬 수 있다. 이를 위해, 온도 제어부(268)는, 도 9d에 도시된 바와 같이, 저온 공기가 제 1 및 제 2 냉열관(210, 230) 각각에 공급되도록 제 1, 제 3 및 제 4 밸브(SV1, SV3, SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 1 및 제 2 온도 검출부(266a, 266b) 중 어느 하나에 의해 검출되는 온도에 따라 압축 공기 생성부(262)로부터 저온/고온 공기 생성부(264)로 공급되는 압축 공기의 압력을 조절하여 저온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 냉각시킨다.The temperature controller 268 controls the temperature of the chamber 10 until the operator can enter and exit the chamber 10 during maintenance such as replacement of the equipment in the chamber 10 in the same manner as the temperature control method according to the fourth embodiment. In order to minimize the waiting time, the temperature of the chamber 10 wall and the chamber lid 30 can be cooled to a desired temperature. To this end, the temperature controller 268 controls the first, third and fourth valves SV1 and SV3 so that the low temperature air is supplied to the first and second cooling tubes 210 and 230, respectively, And SV4 are supplied to the low temperature / high temperature air generation unit 264 from the compressed air generation unit 262 in accordance with the temperature detected by any one of the first and second temperature detection units 266a and 266b By controlling the pressure of the compressed air to control the temperature of the low temperature air, the temperature of the chamber lid 30 is cooled to a desired temperature.

이와 같은, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 압축 공기의 회전에 의해 생성되는 저온 공기 또는/ 및 고온 공기를 이용하여 챔버(10)의 벽 및/또는 챔버 리드(30)의 온도를 조절함으로써 챔버(10)의 온도를 조절하기 위한 냉각 시스템의 구성을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라 유지비용을 감소시킬 수 있다.Such a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the third embodiment of the present invention can be applied to the wall and / or the chamber lid (not shown) of the chamber 10 by using the low temperature air and / 30), it is possible to simplify the configuration of the cooling system for adjusting the temperature of the chamber 10, as well as to reduce the maintenance cost.

도 10은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이다.10 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 반응공간을 제공하는 챔버(10); 챔버(10) 내에 설치되어 복수의 기판(또는 웨이퍼)(22)을 지지하는 기판 지지수단(20); 챔버(10)의 상부에 결합되는 챔버 리드(30); 기판(10) 상에 공정가스를 분사하기 위한 가스 분사장치(40); 반사수단(51)에 마련된 광학 히터(53)를 이용하여 기판 지지수단(20)을 가열하는 기판가열수단(50); 배기관(12)을 통해 챔버(10) 내부를 배기하는 배기장치(170); 저온 공기를 이용하여 배기관(12)으로부터 공급되는 배기 가스를 냉각시켜 배기 가스에 포함된 불순물을 제거하는 불순물 제거장치(180); 및 압축 공기를 이용해 저온 공기를 생성하여 반사수단(51)에 마련된 냉각관(59)에 공급하여 반사수단(51)의 온도를 조절함과 아울러 불순물 제거장치(180)에 저온 공기를 제공하는 온도 조절장치(460)를 포함하여 구성된다. 이와 같은 구성을 가지는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 온도 조절장치(460)를 제외하고는 상술한 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템과 동일한 구성을 가지므로 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 10, a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention includes a chamber 10 for providing a reaction space; Substrate holding means 20 installed in the chamber 10 to support a plurality of substrates (or wafers) 22; A chamber lid 30 coupled to the top of the chamber 10; A gas injection device (40) for injecting a process gas onto the substrate (10); A substrate heating means (50) for heating the substrate holding means (20) using an optical heater (53) provided in the reflecting means (51); An exhaust device 170 for exhausting the interior of the chamber 10 through an exhaust pipe 12; An impurity removing device (180) for removing impurities contained in the exhaust gas by cooling the exhaust gas supplied from the exhaust pipe (12) using low temperature air; Temperature air is generated by using the compressed air and supplied to the cooling pipe 59 provided in the reflecting means 51 to adjust the temperature of the reflecting means 51 and to provide the low temperature air to the impurity removing device 180 And a control device 460. The temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention having such a structure is similar to the temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the first and second embodiments of the present invention The same configuration as that of the temperature control system will be described instead of the above description.

본 발명의 제 4 실시 예에 따른 온도 조절장치(460)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 압축 공기 생성부(462a, 462b); 제 1 및 제 2 저온 공기 생성부(464a, 464b); 제 1 및 제 2 온도 검출부(466a, 466b); 및 온도 제어부(468)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 11, the temperature regulating device 460 according to the fourth embodiment of the present invention includes first and second compressed air generators 462a and 462b; First and second low temperature air generating units 464a and 464b; First and second temperature detectors 466a and 466b; And a temperature control unit 468.

제 1 압축 공기 생성부(462a)는 온도 제어부(468)의 제어에 대응되는 압력을 가지는 제 1 압축 공기를 생성하여 제 1 저온 공기 생성부(464a)에 공급한다. 제 2 압축 공기 생성부(462b)는 온도 제어부(468)의 제어에 대응되는 압력을 가지는 제 2 압축 공기를 생성하여 제 2 저온 공기 생성부(464b)에 공급한다.The first compressed air generating section 462a generates the first compressed air having the pressure corresponding to the control of the temperature control section 468 and supplies it to the first low temperature air generating section 464a. The second compressed air generation section 462b generates second compressed air having a pressure corresponding to the control of the temperature control section 468 and supplies the second compressed air to the second low temperature air generation section 464b.

제 1 저온 공기 생성부(464a)는 제 1 압축 공기 생성부(462a)로부터 공급되는 제 1 압축 공기의 회전에 의해 제 1 저온 공기 및 제 1 고온 공기를 생성하고, 제 1 저온 공기를 제 1 저온 공기 토출관(465a) 및 제 1 저온 공기 공급관(67)을 통해 반사수단(51)의 냉각관(59)에 공급한다. 이때, 제 1 저온 공기 생성부(464a)에서 생성된 제 1 고온 공기는 외부의 배기라인(EL)으로 배출된다.The first low-temperature air generator 464a generates the first low-temperature air and the first high-temperature air by the rotation of the first compressed air supplied from the first compressed air generator 462a, and the first low- Temperature air supply pipe (465a) and the first low-temperature air supply pipe (67) to the cooling pipe (59) of the reflection means (51). At this time, the first high-temperature air generated by the first low-temperature air generator 464a is discharged to the external exhaust line EL.

제 2 저온 공기 생성부(464b)는 제 2 압축 공기 생성부(462b)로부터 공급되는 제 2 압축 공기의 회전에 의해 제 2 저온 공기 및 제 2 고온 공기를 생성하고, 제 2 저온 공기를 제 2 저온 공기 토출관(465b) 및 제 2 저온 공기 공급관(185)을 통해 불순물 제거장치(180)에 공급한다. 이때, 제 2 저온 공기 생성부(464b)에서 생성된 제 2 고온 공기는 배기라인(EL)으로 배출된다.The second low-temperature air generator 464b generates the second low-temperature air and the second high-temperature air by the rotation of the second compressed air supplied from the second compressed air generator 462b, and the second low- Temperature air supply pipe (465b) and the second low-temperature air supply pipe (185). At this time, the second high temperature air generated by the second low temperature air generator 464b is discharged to the exhaust line EL.

제 1 온도 검출부(466a)는 제 1 저온 공기 생성부(464a)로부터 제 1 저온 공기 토출관(465a)으로 토출되는 제 1 저온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(468)에 공급한다. 그리고, 제 2 온도 검출부(466b)는 제 2 저온 공기 생성부(464b)로부터 제 2 저온 공기 토출관(465b)으로 토출되는 제 2 저온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(468)에 공급한다.The first temperature detector 466a detects the temperature of the first low temperature air discharged from the first low temperature air generator 464a to the first low temperature air discharge pipe 465a and supplies the detected temperature to the temperature controller 468. [ The second temperature detector 466b detects the temperature of the second low temperature air discharged from the second low temperature air generator 464b to the second low temperature air discharge pipe 465b and supplies the detected temperature to the temperature controller 468. [

온도 제어부(468)는 제 1 온도 검출부(466a)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 1 압축 공기 생성부(462a)를 제어하여 제 1 압축 공기 생성부(462a)로부터 제 1 저온 공기 생성부(464a)로 공급되는 제 1 압축 공기의 압력을 조절함으로써 제 1 저온 공기의 온도를 원하는 온도로 조절한다. 또한, 온도 제어부(468)는 제 2 온도 검출부(466b)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 2 압축 공기 생성부(462b)를 제 어하여 제 2 압축 공기 생성부(462b)로부터 제 2 저온 공기 생성부(464b)로 공급되는 제 2 압축 공기의 압력을 조절함으로써 제 2 저온 공기의 온도를 원하는 온도로 조절한다.The temperature control unit 468 controls the first compressed air generation unit 462a in accordance with the temperature detected by the first temperature detection unit 466a to supply the first compressed air generation unit 462a to the first low temperature air generation unit 464a The temperature of the first low temperature air is adjusted to a desired temperature by adjusting the pressure of the first compressed air supplied to the first low temperature air. The temperature control unit 468 controls the second compressed air generation unit 462b according to the temperature detected by the second temperature detection unit 466b to generate the second low temperature air from the second compressed air generation unit 462b The temperature of the second low temperature air is regulated to a desired temperature by controlling the pressure of the second compressed air supplied to the first low temperature air portion 464b.

한편, 상술한 제 4 실시 예에 따른 온도 조절장치(460)에서는 2개의 압축 공기 생성부(462a, 462b)와 2개의 저온 공기 생성부(464a, 464b)를 포함하도록 구성되었으나, 이에 한정되지 않고, 도 12에 도시된 바와 같이, 하나의 압축 공기 생성부(462) 및 하나의 저온 공기 생성부(464)를 포함하도록 구성될 수 있다.The temperature regulating device 460 according to the fourth embodiment includes two compressed air generators 462a and 462b and two low temperature air generators 464a and 464b, , One compressed air generating unit 462 and one low temperature air generating unit 464, as shown in FIG. 12.

구체적으로, 제 4 실시 예에 따른 온도 조절장치(460)는 압축 공기 생성부(462); 저온 공기 생성부(464); T자형 연결관(467); 제 1 및 제 2 밸브(SV1, SV2); 제 1 및 제 2 온도 검출부(466a, 466b); 및 온도 제어부(468)를 포함하여 구성된다.Specifically, the temperature regulating device 460 according to the fourth embodiment includes a compressed air generating portion 462; A low temperature air generating unit 464; A T-shaped connector 467; First and second valves (SV1, SV2); First and second temperature detectors 466a and 466b; And a temperature control unit 468.

압축 공기 생성부(462)는 온도 제어부(468)의 제어에 대응되는 압력을 가지는 압축 공기를 생성하여 저온 공기 생성부(464)에 공급한다.The compressed air generation section 462 generates compressed air having a pressure corresponding to the control of the temperature control section 468 and supplies the compressed air to the low temperature air generation section 464.

저온 공기 생성부(464)는 압축 공기 생성부(462)로부터 공급되는 압축 공기의 회전에 의해 저온 공기 및 고온 공기를 생성하고, 생성된 저온 공기를 저온 공기 토출관(465)을 통해 T자형 연결관(467)에 공급한다. 이때, 저온 공기 생성부(464)에서 생성된 고온 공기는 외부의 배기라인(EL)으로 배출된다.The low temperature air generator 464 generates low temperature air and high temperature air by rotation of the compressed air supplied from the compressed air generator 462 and supplies the generated low temperature air through the low temperature air discharge pipe 465 to the T- And supplies it to the pipe 467. At this time, the high-temperature air generated by the low-temperature air generator 464 is discharged to the external exhaust line EL.

T자형 연결관(467)는 제 1 연결관(467a) 및 엘보(Elbow)(469)를 통해 저온 공기 토출관(465)에 연결되어 저온 공기 토출관(465)으로부터 공급되는 저온 공기를 제 1 및 제 2 밸브(SV1, SV2) 쪽으로 안내한다. 여기서, 제 1 내지 제 3 연결 관(467a, 467b, 467c)이 T자 형태를 가지도록 일체로 형성될 경우 T자형 연결관(467)은 생략 가능하다.The T-shaped connection pipe 467 is connected to the low temperature air discharge pipe 465 through the first connection pipe 467a and the elbow 469 so that the low temperature air supplied from the low temperature air discharge pipe 465 is supplied to the first And the second valves SV1 and SV2. Here, if the first to third connection pipes 467a, 467b, and 467c are integrally formed to have a T shape, the T-shaped connection pipe 467 may be omitted.

제 1 밸브(SV1)는 제 2 연결관(467b)을 통해 T자형 연결관(467)의 제 1 출구에 연결되어 온도 제어부(468)의 제어에 따라 개폐되어 T자형 연결관(467)의 제 1 출구로부터 유입되는 저온 공기를 제 1 저온 공기 공급관(67)으로 공급하여 반사수단(51)에 마련된 냉각관(59)에 공급되도록 한다. 그리고, 제 2 밸브(SV2)는 제 3 연결관(467c)을 통해 T자형 연결관(467)의 제 2 출구에 연결되어 온도 제어부(468)의 제어에 따라 개폐되어 T자형 연결관(467)의 제 2 출구로부터 유입되는 저온 공기를 제 2 저온 공기 공급관(185)으로 공급하여 불순물 제거장치(180)에 공급되도록 한다. 이때, 제 1 및 제 2 밸브(SV1, SV2)는 2 포트를 가지는 솔레노이드 밸브가 될 수 있다.The first valve SV1 is connected to the first outlet of the T-shaped connection pipe 467 through the second connection pipe 467b and is opened and closed under the control of the temperature control unit 468 to supply the T- Temperature air supplied from the first outlet is supplied to the first low-temperature air supply pipe 67 and supplied to the cooling pipe 59 provided in the reflection means 51. The second valve SV2 is connected to the second outlet of the T-shaped connection pipe 467 through the third connection pipe 467c and is opened and closed under the control of the temperature control unit 468 to connect the T- Temperature air supplied from the second outlet of the second low-temperature air supply pipe 185 is supplied to the impurity removing device 180. [ At this time, the first and second valves SV1 and SV2 may be solenoid valves having two ports.

제 1 온도 검출부(466a)는 제 1 밸브(SV1)를 통해 제 1 저온 공기 공급관(67)으로 공급되는 저온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(468)에 공급한다. 그리고, 제 2 온도 검출부(466b)는 제 2 밸브(SV2)를 통해 제 2 저온 공기 공급관(185)으로 공급되는 저온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(468)에 공급한다.The first temperature detection unit 466a detects the temperature of the low temperature air supplied to the first low temperature air supply pipe 67 through the first valve SV1 and supplies the detected temperature to the temperature control unit 468. [ The second temperature detector 466b detects the temperature of the low temperature air supplied to the second low temperature air supply pipe 185 through the second valve SV2 and supplies the detected temperature to the temperature controller 468. [

온도 제어부(468)는 제 1 및 제 2 밸브(SV1, SV2) 각각의 개폐를 제어한다. 또한, 온도 제어부(468)는 제 1 온도 검출부(466a) 및/또는 제 2 온도 검출부(466b) 각각에 의해 검출되는 온도에 따라 압축 공기 생성부(462)를 제어하여 압축 공기 생성부(462)로부터 저온 공기 생성부(464)로 공급되는 압축 공기의 압력을 조절함으로써 저온 공기의 온도를 조절한다.The temperature control unit 468 controls the opening and closing of the first and second valves SV1 and SV2, respectively. The temperature control unit 468 controls the compressed air generation unit 462 according to the temperature detected by the first temperature detection unit 466a and / or the second temperature detection unit 466b, Temperature air generating unit 464 to regulate the temperature of the low-temperature air.

그리고, 온도 제어부(468)는 제 1 및 제 2 밸브(SV1, SV2) 중 적어도 하나를 개방하여 저온 공기 생성부(464)에서 생성된 저온 공기를 냉각관(59) 및 불순물 제거장치(180) 중 적어도 하나로 공급한다. 예를 들어, 챔버(10) 내에서 해당 공정이 진행될 경우, 온도 제어부(468)는 저온 공기가 제 1 저온 공기 공급관(67)에 공급되도록 제 1 밸브(SV1)만을 개방시킴과 아울러 제 1 온도 검출부(466a)에 의해 검출되는 온도에 따라 냉각관(59)에 공급되는 저온 공기의 온도를 조절하여 반사수단(51)의 온도를 원하는 온도로 냉각시킬 수 있다. 다른 예로써, 챔버(10) 내에서 해당 공정이 완료되어 배기 공정이 진행될 경우, 온도 제어부(468)는 저온 공기가 불순물 제거장치(180)에 공급되도록 제 2 밸브(SV2)만을 개방시킴과 아울러 제 2 온도 검출부(466b)에 의해 검출되는 온도에 따라 불순물 제거장치(180)에 공급되는 저온 공기의 온도를 조절한다. 이 경우, 온도 제어부(468)는 제 2 밸브(SV2)와 함께 제 1 밸브(SV1)도 개방하여 제 1 저온 공기 공급관(67)을 통해 저온 공기를 냉각관(59)에 공급하여 반사수단(51)의 온도를 냉각시킬 수도 있다.The temperature control unit 468 opens at least one of the first and second valves SV1 and SV2 to supply the low temperature air generated by the low temperature air generating unit 464 to the cooling pipe 59 and the impurity removing apparatus 180, As shown in FIG. For example, when the process is performed in the chamber 10, the temperature control unit 468 opens only the first valve SV1 so that the low temperature air is supplied to the first low temperature air supply pipe 67, The temperature of the reflecting means 51 can be cooled to a desired temperature by adjusting the temperature of the low temperature air supplied to the cooling pipe 59 according to the temperature detected by the detecting unit 466a. As another example, when the process is completed in the chamber 10 and the evacuation process proceeds, the temperature control unit 468 opens only the second valve SV2 so that the low temperature air is supplied to the impurity removing apparatus 180, And adjusts the temperature of the low temperature air supplied to the impurity removing apparatus 180 according to the temperature detected by the second temperature detecting unit 466b. In this case, the temperature control unit 468 opens the first valve SV1 together with the second valve SV2 to supply the low-temperature air to the cooling pipe 59 through the first low-temperature air supply pipe 67, 51 may be cooled.

이와 같은, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 압축 공기를 공급하여 저온 공기를 생성하여 냉각관(59) 및/또는 불순물 제거장치(180)에 공급함으로써 냉각수단(51) 및 불순물 제거장치(180)의 냉각을 위한 냉각 시스템의 구성을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라 유지비용을 감소시킬 수 있다.The temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention supplies compressed air to generate cold air to the cooling tube 59 and / or the impurity removing apparatus 180, 51 and the impurity removing apparatus 180 can be simplified and the maintenance cost can be reduced.

도 13은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이다.13 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 반응공간을 제공하는 챔버(10); 챔버(10) 내에 설치되어 복수의 기판(또는 웨이퍼)(22)을 지지하는 기판 지지수단(20); 챔버(10)의 상부에 결합되는 챔버 리드(30); 기판(10) 상에 공정가스를 분사하기 위한 가스 분사장치(40); 반사수단(51)에 마련된 광학 히터(53)를 이용하여 기판 지지수단(20)을 가열하는 기판가열수단(50); 챔버(10)의 벽 내부에 마련된 제 1 냉열관(210); 챔버 리드(30)에 마련된 제 2 냉열관(230); 및 압축 공기를 이용해 저온 공기 및/또는 고온 공기를 생성하고, 생성된 저온 공기 또는 고온 공기를 제 1 냉열관(210) 및/또는 제 2 냉열관(230)에 공급하여 챔버(10)의 온도를 조절함과 아울러 생성된 저온 공기를 반사수단(51)에 마련된 냉각관(59)에 공급하여 반사수단(51)의 온도를 조절하는 온도 조절장치(560)를 포함하여 구성된다. 이와 같은 구성을 가지는 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 온도 조절장치(560)를 제외하고는 상술한 본 발명의 제 1 및 제 3 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템과 동일한 구성을 가지므로 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 13, a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention includes a chamber 10 for providing a reaction space; Substrate holding means 20 installed in the chamber 10 to support a plurality of substrates (or wafers) 22; A chamber lid 30 coupled to the top of the chamber 10; A gas injection device (40) for injecting a process gas onto the substrate (10); A substrate heating means (50) for heating the substrate holding means (20) using an optical heater (53) provided in the reflecting means (51); A first cooling tube 210 provided inside the wall of the chamber 10; A second coolant pipe 230 provided in the chamber lid 30; Temperature air and / or high-temperature air using the compressed air, and supplies the generated low-temperature air or high-temperature air to the first cooling pipe 210 and / or the second cooling pipe 230 to control the temperature of the chamber 10 And a temperature control unit 560 for controlling the temperature of the reflecting unit 51 by supplying the generated low temperature air to the cooling pipe 59 provided in the reflecting unit 51. The temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention having such a configuration is the same as the temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the first and third embodiments of the present invention The same configuration as that of the temperature control system will be described instead of the above description.

본 발명의 제 5 실시 예에 따른 온도 조절장치(560)는, 도 14에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 3 압축 공기 생성부(562, 662, 762); 제 1 및 제 2 저온/고온 공기 생성부(564, 664); 저온 공기 생성부(764); 제 1 내지 제 5 밸브(SV1 내지 SV5); 제 1 및 제 2 T자형 연결관(667, 767); 제 1 내지 제 3 온도 검출부(566, 666, 766); 및 온도 제어부(568)를 포함하여 구성된다.The temperature control device 560 according to the fifth embodiment of the present invention includes first to third compressed air generators 562, 662, and 762, as shown in FIG. 14; First and second low temperature / high temperature air generating units 564 and 664; A low temperature air generating unit 764; First to fifth valves SV1 to SV5; First and second T-shaped connectors 667 and 767; First to third temperature detectors 566, 666 and 766; And a temperature control unit 568.

제 1 압축 공기 생성부(562)는 온도 제어부(568)의 제어에 대응되는 압력을 가지는 제 1 압축 공기를 생성하여 제 1 저온/고온 공기 생성부(564)에 공급한다. 제 2 압축 공기 생성부(662)는 온도 제어부(568)의 제어에 대응되는 압력을 가지는 제 2 압축 공기를 생성하여 제 2 저온/고온 공기 생성부(664)에 공급한다. 제 3 압축 공기 생성부(762)는 온도 제어부(568)의 제어에 대응되는 압력을 가지는 제 3 압축 공기를 생성하여 저온 공기 생성부(764)에 공급한다.The first compressed air generation section 562 generates first compressed air having a pressure corresponding to the control of the temperature control section 568 and supplies the first compressed air to the first low temperature / high temperature air generation section 564. The second compressed air generator 662 generates second compressed air having a pressure corresponding to the control of the temperature controller 568 and supplies it to the second low temperature / high temperature air generator 664. The third compressed air generation unit 762 generates third compressed air having a pressure corresponding to the control of the temperature control unit 568 and supplies the compressed air to the low temperature air generation unit 764.

제 1 저온/고온 공기 생성부(564)는 제 1 압축 공기 생성부(562)로부터 공급되는 제 1 압축 공기를 이용하여 제 1 저온 공기 및 제 1 고온 공기를 생성하고, 생성된 제 1 저온 공기를 제 1 저온 공기 토출관(565a)을 통해 제 1 밸브(SV1)로 공급함과 동시에 생성된 제 1 고온 공기를 제 1 고온 공기 토출관(565b)을 통해 제 2 밸브(SV2)로 공급한다.The first low-temperature / high-temperature air generator 564 generates the first low-temperature air and the first high-temperature air using the first compressed air supplied from the first compressed air generator 562, Temperature air discharge pipe 565a to the first valve SV1 and simultaneously supplies the generated first hot air to the second valve SV2 through the first hot air discharge pipe 565b.

제 2 저온/고온 공기 생성부(664)는 제 2 압축 공기 생성부(662)로부터 공급되는 제 2 압축 공기를 이용하여 제 2 저온 공기 및 제 2 고온 공기를 생성하고, 생성된 제 2 저온 공기를 제 2 저온 공기 토출관(665a)을 통해 제 3 밸브(SV3)로 공급함과 동시에 생성된 제 2 고온 공기를 제 2 고온 공기 토출관(665b)을 통해 제 4 밸브(SV4)로 공급한다.The second low-temperature / high-temperature air generator 664 generates the second low-temperature air and the second high-temperature air using the second compressed air supplied from the second compressed air generator 662, To the third valve SV3 through the second low temperature air discharge pipe 665a and simultaneously supplies the generated second hot air to the fourth valve SV4 through the second hot air discharge pipe 665b.

저온 공기 생성부(764)는 제 3 압축 공기 생성부(762)로부터 공급되는 제 3 압축 공기를 이용하여 제 3 저온 공기 및 제 3 고온 공기를 생성하고, 생성된 제 3 저온 공기를 제 3 저온 공기 토출관(765)을 통해 제 5 밸브(SV5)로 공급함과 동시에 생성된 제 3 고온 공기를 외부의 배기라인(EL)으로 배출한다.The low temperature air generator 764 generates the third low temperature air and the third high temperature air using the third compressed air supplied from the third compressed air generator 762 and supplies the generated third low temperature air to the third low temperature And supplies the generated third high temperature air to the fifth valve SV5 through the air discharge pipe 765 and discharges the generated third hot air to the external exhaust line EL.

제 1 밸브(SV1)는 제 1 저온 공기 토출관(565a)에 연결되어 온도 제어부(568)의 제어에 따라 개폐되어 제 1 저온 공기를 제 1 T자형 연결관(567)으로 공급하거나 배기라인(EL)으로 배기한다. 그리고, 제 2 밸브(SV2)는 제 1 고온 공기 토출관(565b)에 연결되어 온도 제어부(568)의 제어에 따라 개폐되어 제 1 고온 공기를 제 1 T자형 연결관(567)으로 공급하거나 배기라인(EL)으로 배기한다. 이때, 제 1 및 제 2 밸브(SV1, SV2)는 적어도 3 포트를 가지는 솔레노이드 밸브가 될 수 있다.The first valve SV1 is connected to the first low temperature air discharge pipe 565a and is opened and closed under the control of the temperature control unit 568 to supply the first low temperature air to the first tee connection pipe 567, EL). The second valve SV2 is connected to the first hot air discharge pipe 565b and is opened and closed under the control of the temperature control unit 568 to supply the first hot air to the first T- And exhausted in a line (EL). At this time, the first and second valves SV1 and SV2 may be solenoid valves having at least three ports.

제 1 T자형 연결관(567)은 제 1 연결관(567a)을 통해 제 1 밸브(SV1)에 연결되는 제 1 입구; 제 2 연결관(567b)을 통해 제 2 밸브(SV2)에 연결되는 제 2 입구; 및 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)에 연결되는 출구를 포함하여 구성된다. 이러한, 제 1 T자형 연결관(567)은 제 1 밸브(SV1)로부터의 제 1 저온 공기 또는 제 2 밸브(SV2)로부터의 제 1 고온 공기를 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)으로 공급한다. 여기서, 제 1 및 제 2 연결관(567a, 567b)과 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)이 T자 형태를 가지도록 일체로 형성될 경우 제 1 T자형 연결관(567)은 생략 가능하다.The first T-shaped connection pipe 567 has a first inlet connected to the first valve SV1 through a first connection pipe 567a; A second inlet connected to the second valve SV2 through a second connection pipe 567b; And an outlet connected to the first low temperature / high temperature air supply pipe 215. The first T-shaped connecting pipe 567 supplies the first low temperature air from the first valve SV1 or the first hot air from the second valve SV2 to the first low temperature / high temperature air supply pipe 215 do. When the first and second connection pipes 567a and 567b and the first low temperature / high temperature air supply pipe 215 are integrally formed to have a T shape, the first T-shaped connection pipe 567 may be omitted .

제 3 밸브(SV3)는 제 2 저온 공기 토출관(665a)에 연결되어 온도 제어부(568)의 제어에 따라 개폐되어 제 2 저온 공기를 제 2 T자형 연결관(667)으로 공급하거나 배기라인(EL)으로 배기한다. 그리고, 제 4 밸브(SV4)는 제 2 고온 공기 토출관(665b)에 연결되어 온도 제어부(568)의 제어에 따라 개폐되어 제 2 고온 공기를 제 2 T자형 연결관(667)으로 공급하거나 배기라인(EL)으로 배기한다. 이때, 제 3 및 제 4 밸브(SV3, SV4)는 적어도 3 포트를 가지는 솔레노이드 밸브가 될 수 있다.The third valve SV3 is connected to the second low temperature air discharge pipe 665a and is opened and closed under the control of the temperature control unit 568 to supply the second low temperature air to the second tee connection pipe 667, EL). The fourth valve SV4 is connected to the second high temperature air discharge pipe 665b and is opened and closed under the control of the temperature control unit 568 to supply the second high temperature air to the second tee connection pipe 667, And exhausted in a line (EL). At this time, the third and fourth valves SV3 and SV4 may be solenoid valves having at least three ports.

제 2 T자형 연결관(667)은 제 3 연결관(667a)을 통해 제 3 밸브(SV3)에 연결되는 제 1 입구; 제 4 연결관(667b)을 통해 제 4 밸브(SV4)에 연결되는 제 2 입구; 및 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)에 연결되는 출구를 포함하여 구성된다. 이러한, 제 2 T자형 연결관(667)은 제 3 밸브(SV3)로부터의 제 2 저온 공기 또는 제 4 밸브(SV4)로부터의 제 2 고온 공기를 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)으로 공급한다. 여기서, 제 3 및 제 4 연결관(667a, 667b)과 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)이 T자 형태를 가지도록 일체로 형성될 경우 제 2 T자형 연결관(667)은 생략 가능하다.The second T-shaped connection pipe 667 has a first inlet connected to the third valve SV3 through the third connection pipe 667a; A second inlet connected to the fourth valve SV4 through a fourth connection pipe 667b; And an outlet connected to the second low temperature / high temperature air supply pipe 235. The second T-shaped connecting pipe 667 supplies the second low temperature air from the third valve SV3 or the second hot air from the fourth valve SV4 to the second low temperature / high temperature air supply pipe 235 do. Here, when the third and fourth connection pipes 667a and 667b and the second low temperature / high temperature air supply pipe 235 are integrally formed to have a T shape, the second T-shaped connection pipe 667 may be omitted .

제 5 밸브(SV5)는 저온 공기 토출관(765)에 연결되어 온도 제어부(568)의 제어에 따라 개방되어 제 3 저온 공기를 냉각관(59)으로 공급한다. 이때, 제 5 밸브(SV5)는 적어도 2 포트를 가지는 솔레노이드 밸브가 될 수 있다.The fifth valve SV5 is connected to the low temperature air discharge pipe 765 and is opened under the control of the temperature control unit 568 to supply the third low temperature air to the cooling pipe 59. [ At this time, the fifth valve SV5 may be a solenoid valve having at least two ports.

제 1 온도 검출부(566)는 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)으로부터 제 1 냉열관(210)으로 공급되는 제 1 저온 공기 또는 제 1 고온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(568)에 공급한다. 제 2 온도 검출부(666)는 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)으로부터 제 2 냉열관(230)으로 공급되는 제 2 저온 공기 또는 제 2 고온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(568)에 공급한다. 그리고, 제 3 온도 검출부(766)는 저온 공기 토출관(765)으로부터 냉각관(59)으로 공급되는 제 3 저온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(568)에 공급한다.The first temperature detector 566 detects the temperature of the first low temperature air or the first high temperature air supplied from the first low temperature / high temperature air supply pipe 215 to the first cold water pipe 210 and supplies the detected temperature to the temperature controller 568 do. The second temperature detection unit 666 detects the temperature of the second low temperature air or the second high temperature air supplied from the second low temperature / high temperature air supply pipe 235 to the second cooling pipe 230 and supplies the detected temperature to the temperature control unit 568 do. The third temperature detection unit 766 detects the temperature of the third low temperature air supplied from the low temperature air discharge pipe 765 to the cooling pipe 59 and supplies the detected temperature to the temperature control unit 568.

온도 제어부(568)는 제 1 내지 제 5 밸브(SV1 내지 SV5) 각각의 개폐를 제어함과 아울러 제 1 내지 제 3 온도 검출부(566, 666, 766) 각각에 의해 검출된 온도에 따라 제 1 내지 제 3 압축 공기 생성부(562, 662, 762) 각각을 제어한다.The temperature control unit 568 controls the opening and closing of each of the first to fifth valves SV1 to SV5 and the first to the third temperature detecting units 566, 666, and 766 according to the temperatures detected by the first to third temperature detecting units 566, 666, And controls the third compressed air generation units 562, 662, and 762, respectively.

구체적으로, 온도 제어부(568)는 상술한 제 1 실시 예에 따른 온도 조절 방법과 동일하게 챔버(10) 벽의 온도를 원하는 온도로 가열시킬 수 있다. 예를 들어, 온도 제어부(568)는, 제 1 고온 공기가 제 1 냉열관(210)에 공급되도록 제 2 밸브(SV2)만을 개방시킴과 아울러 제 1 온도 검출부(566)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 1 압축 공기 생성부(562)로부터 제 1 저온/고온 공기 생성부(564)로 공급되는 제 1 압축 공기의 압력을 조절하여 제 1 고온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버(10) 벽의 온도를 원하는 온도로 가열시킨다.Specifically, the temperature controller 568 can heat the temperature of the wall of the chamber 10 to a desired temperature in the same manner as the temperature control method according to the first embodiment. For example, the temperature controller 568 opens only the second valve SV2 so that the first high temperature air is supplied to the first coolant pipe 210, and at the same time the temperature detected by the first temperature detector 566 By controlling the pressure of the first compressed air supplied from the first compressed air generator 562 to the first low temperature / high temperature air generator 564 to control the temperature of the first high temperature air, the temperature of the wall of the chamber 10 Is heated to a desired temperature.

또한, 온도 제어부(568)는 상술한 제 2 실시 예에 따른 온도 조절 방법과 동일하게 기판 지지수단(20)에 지지된 기판(22) 전체의 온도를 균일하게 하기 위하여 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 가열시킬 수 있다. 예를 들어, 온도 제어부(568)는 제 2 고온 공기가 제 2 냉열관(230)에 공급되도록 제 4 밸브(SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 2 온도 검출부(666)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 2 압축 공기 생성부(662)로부터 제 2 저온/고온 공기 생성부(664)로 공급되는 제 2 압축 공기의 압력을 조절하여 제 2 고온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 가열시킨다.The temperature control unit 568 controls the temperature of the chamber lid 30 such that the temperature of the entire substrate 22 supported by the substrate holding unit 20 is uniformed in the same manner as the temperature control method according to the second embodiment. Can be heated to a desired temperature. For example, the temperature controller 568 opens only the fourth valve SV4 so that the second hot air is supplied to the second cold water pipe 230, and the temperature of the second hot water is changed according to the temperature detected by the second temperature detector 666 Temperature of the second high-temperature air is controlled by controlling the pressure of the second compressed air supplied from the second compressed air generator 662 to the second low-temperature / high-temperature air generator 664, thereby controlling the temperature of the chamber lid 30 Heat to the desired temperature.

또한, 온도 제어부(568)는 상술한 제 3 실시 예에 따른 온도 조절 방법과 동일하게 챔버(10)의 벽 및 챔버 리드(30)의 온도를 조절하여 챔버(10) 내부의 온도 를 원하는 온도로 가열시킬 수 있다. 예를 들어, 온도 제어부(568)는 제 1 고온 공기가 제 1 냉열관(210)에 공급됨과 동시에 제 2 고온 공기가 제 2 냉열관(230)에 공급되도록 제 2 및 제 4 밸브(SV2, SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 1 및 제 2 온도 검출부(566, 666) 각각에 의해 검출되는 온도에 따라 제 1 및 제 2 압축 공기 생성부(562, 662) 각각으로부터 제 1 및 제 2 저온/고온 공기 생성부(564, 664) 각각으로 공급되는 제 1 및 제 2 압축 공기의 압력을 조절하여 제 1 및 제 2 고온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버(10) 내부의 온도를 원하는 온도로 가열시킨다.The temperature control unit 568 controls the temperature of the chamber 10 and the chamber lid 30 to adjust the temperature of the chamber 10 to a desired temperature It can be heated. For example, the temperature control unit 568 controls the second and fourth valves SV2 and SV3 such that the first high temperature air is supplied to the first coolant pipe 210 and the second high temperature air is supplied to the second coolant pipe 230, And the first and second low-temperature / high-pressure air from the first and second compressed air generators 562 and 662 according to the temperatures detected by the first and second temperature detectors 566 and 666, respectively, By controlling the pressures of the first and second compressed air supplied to the hot air generating units 564 and 664, the temperature of the chamber 10 is heated to a desired temperature by controlling the temperatures of the first and second hot air .

그리고, 온도 제어부(568)는 상술한 제 4 실시 예에 따른 온도 조절 방법과 동일하게 챔버(10) 내부의 장비 교체 등의 유지보수 시 작업자가 챔버(10) 내부로 출입할 수 있을 때까지의 대기시간을 최소화하기 위하여, 챔버(10) 벽 및 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 냉각시킬 수 있다. 이를 위해, 온도 제어부(568)는 제 1 저온 공기가 제 1 냉열관(210)에 공급됨과 동시에 제 2 저온 공기가 제 2 냉열관(230)에 공급되도록 제 1 및 제 3 밸브(SV1, SV3)만을 개방시킴과 아울러 제 1 및 제 2 온도 검출부(566, 666) 각각에 의해 검출되는 온도에 따라 제 1 및 제 2 압축 공기 생성부(562, 662) 각각으로부터 제 1 및 제 2 저온/고온 공기 생성부(564, 664) 각각으로 공급되는 제 1 및 제 2 압축 공기의 압력을 조절하여 제 1 및 제 2 저온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버(10) 내부의 온도를 원하는 온도로 냉각시킨다.The temperature control unit 568 controls the temperature of the chamber 10 until the operator can enter and exit the chamber 10 during maintenance such as replacement of the equipment in the chamber 10 in the same manner as the temperature control method according to the fourth embodiment. In order to minimize the waiting time, the temperature of the chamber 10 wall and the chamber lid 30 can be cooled to a desired temperature. The temperature control unit 568 controls the temperature of the first and third valves SV1 and SV3 such that the first low temperature air is supplied to the first coolant pipe 210 and the second low temperature air is supplied to the second coolant pipe 230. [ And the first and second compressed air generating units 562 and 662 respectively generate first and second low temperature / high temperature air from the first and second compressed air generating units 562 and 662 according to the temperatures detected by the first and second temperature detecting units 566 and 666, respectively. By controlling the pressures of the first and second compressed air supplied to the air generating units 564 and 664, the temperature of the chamber 10 is cooled to a desired temperature by controlling the temperatures of the first and second low temperature air.

제 5 실시 예에 따른 온도 조절 방법에 있어서, 온도 제어부(568)는 챔버(10) 내부에 마련된 반사수단(50)의 온도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 챔 버(10) 내에서 해당 공정이 진행될 경우, 온도 제어부(568)는 제 3 저온 공기가 냉각관(59)에 공급되도록 제 5 밸브(SV5)만을 개방시킴과 아울러 제 3 온도 검출부(766)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 3 압축 공기 생성부(762)로부터 저온 공기 생성부(764)로 공급되는 제 3 압축 공기의 압력을 조절하여 제 3 저온 공기의 온도를 제어함으로써 반사수단(50)의 온도를 원하는 온도로 냉각시키거나 유지시킨다. 이때, 챔버(10) 내에서 해당 공정이 완료되어 배기 공정이 진행될 경우에도 온도 제어부(568)는 상술한 바와 동일한 동작을 수행할 수 있다.In the temperature control method according to the fifth embodiment, the temperature control unit 568 can adjust the temperature of the reflecting means 50 provided in the chamber 10. For example, when the process is performed in the chamber 10, the temperature control unit 568 opens only the fifth valve SV5 so that the third low temperature air is supplied to the cooling pipe 59, The temperature of the third low temperature air is controlled by controlling the pressure of the third compressed air supplied from the third compressed air generator 762 to the low temperature air generator 764 according to the temperature detected by the detector 766, The temperature of the means 50 is cooled or maintained at a desired temperature. At this time, even if the process is completed in the chamber 10 and the exhaust process proceeds, the temperature controller 568 can perform the same operation as described above.

상술한 제 5 실시 예에 따른 온도 조절장치(560)에서는 3개의 압축 공기 생성부(562, 662, 762); 2개의 저온/고온 공기 생성부(564, 664) 및 1개의 저온 공기 생성부(764)를 포함하도록 구성되었으나, 이에 한정되지 않고, 도 15에 도시된 바와 같이, 하나의 압축 공기 생성부(562) 및 하나의 저온/고온 공기 생성부(564)를 포함하도록 구성될 수 있다.In the temperature regulating device 560 according to the fifth embodiment described above, three compressed air generators 562, 662 and 762; Temperature air generating units 564 and 664 and one low-temperature air generating unit 764, but the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 15, one compressed air generating unit 562 And one low temperature / high temperature air generator 564.

제 5 실시 예에 따른 온도 조절장치(560)는 압축 공기 생성부(562); 저온/고온 공기 생성부(564); 제 1 내지 제 4 밸브(SV1 내지 SV4); 제 1 내지 제 3 온도 검출부(566a, 566b, 566c); 및 온도 제어부(568)를 포함하여 구성된다.The temperature regulating device 560 according to the fifth embodiment includes a compressed air generating portion 562; A low temperature / high temperature air generator 564; First to fourth valves SV1 to SV4; First to third temperature detecting portions 566a, 566b, and 566c; And a temperature control unit 568.

압축 공기 생성부(562)는 온도 제어부(568)의 제어에 대응되는 압력을 가지는 압축 공기를 생성하여 저온/고온 공기 생성부(564)에 공급한다.The compressed air generating section 562 generates compressed air having a pressure corresponding to the control of the temperature control section 568 and supplies the compressed air to the low temperature / high temperature air generating section 564.

저온/고온 공기 생성부(564)는 압축 공기 생성부(562)로부터 공급되는 압축 공기의 회전에 의해 저온 공기 및 고온 공기를 생성하고, 생성된 저온 공기를 저온 공기 토출관(565a)으로 토출함과 동시에 고온 공기를 고온 공기 토출관(565b)으로 토출한다.The low temperature / high temperature air generator 564 generates low temperature air and high temperature air by rotation of the compressed air supplied from the compressed air generator 562, and discharges the generated low temperature air to the low temperature air discharge pipe 565a And simultaneously discharges hot air to the hot air discharge pipe 565b.

제 1 밸브(SV1)는 저온 공기 토출관(565a)에 연결되어 온도 제어부(568)의 제어에 따라 개폐되어 저온 공기 토출관(565a)으로부터 유입되는 저온 공기를 제 1 연결관(567a)으로 공급하거나 외부의 배기라인(EL)으로 배기한다.The first valve SV1 is connected to the low temperature air discharge pipe 565a and is opened and closed under the control of the temperature control unit 568 to supply the low temperature air flowing from the low temperature air discharge pipe 565a to the first connection pipe 567a Or exhausted by an external exhaust line (EL).

제 2 밸브(SV2)는 고온 공기 토출관(565b)에 연결되어 온도 제어부(568)의 제어에 따라 개폐되어 고온 공기 토출관(565b)으로부터 유입되는 고온 공기를 제 2 연결관(567b)으로 공급하거나 배기라인(EL)으로 배기한다.The second valve SV2 is connected to the hot air discharge pipe 565b and is opened and closed under the control of the temperature control unit 568 to supply the hot air introduced from the hot air discharge pipe 565b to the second connection pipe 567b Or the exhaust line (EL).

제 3 밸브(SV3)는 제 1 연결관(567a)으로부터 분기된 제 1 분기관(569a) 및 제 2 연결관(567b)으로부터 분기된 제 2 분기관(569b)에 연결됨과 아울러 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)에 연결된다. 이러한, 제 3 밸브(SV3)는 온도 제어부(568)의 제어에 따라 제 1 분기관(569a)으로부터 유입되는 저온 공기 또는 제 2 분기관(569b)으로부터 유입되는 고온 공기를 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)을 통해 제 1 냉열관(210)에 공급한다.The third valve SV3 is connected to the first branch pipe 569a branched from the first connection pipe 567a and the second branch pipe 569b branched from the second connection pipe 567b and is connected to the first low temperature / And is connected to the high temperature air supply pipe 215. The third valve SV3 controls the temperature of the first low-temperature / high-temperature air 562a by the low-temperature air flowing from the first branch 569a or the high-temperature air flowing from the second branch 569b under the control of the temperature controller 568, And supplies it to the first cooling pipe 210 through the supply pipe 215.

제 4 밸브(SV4)는 제 2 연결관(567b) 및 제 1 연결관(567a)으로부터 분기된 제 3 분기관(569c)에 연결됨과 아울러 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)에 연결된다. 이러한, 제 4 밸브(SV4)는 온도 제어부(568)의 제어에 따라 제 3 분기관(569c)으로부터 유입되는 저온 공기 또는 제 2 연결관(567b)으로부터 유입되는 고온 공기를 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)을 통해 제 2 냉열관(230)에 공급한다.The fourth valve SV4 is connected to the third branch pipe 569c branched from the second connection pipe 567b and the first connection pipe 567a and to the second low temperature and high temperature air supply pipe 235. [ The fourth valve SV4 is connected to the low-temperature air introduced from the third branch pipe 569c or the high-temperature air introduced from the second connection pipe 567b under the control of the temperature control unit 568 to the second low- And supplies it to the second cooling / heating pipe (230) through the supply pipe (235).

제 5 밸브(SV5)는 제 1 연결관(567a) 및 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)으 로부터 분기된 제 4 분기관(569d)에 연결됨과 아울러 저온 공기 공급관(67)에 연결된다. 이러한, 제 5 밸브(SV5)는 온도 제어부(568)의 제어에 따라 제 1 연결관(567a)으로부터 유입되는 저온 공기를 저온 공기 공급관(67)을 통해 냉각관(59)에 공급한다. 또한, 제 5 밸브(SV5)는 온도 제어부(568)의 제어에 따라 제 4 분기관(569d)으로부터 유입되는 고온 공기를 저온 공기 공급관(67)을 통해 냉각관(59)에 공급할 수도 있다.The fifth valve SV5 is connected to the fourth branch pipe 569d branched from the first connection pipe 567a and the second low temperature / high temperature air supply pipe 235 and is connected to the low temperature air supply pipe 67. The fifth valve SV5 supplies the low temperature air introduced from the first connection pipe 567a to the cooling pipe 59 through the low temperature air supply pipe 67 under the control of the temperature control unit 568. [ The fifth valve SV5 may also supply the hot air introduced from the fourth branch pipe 569d to the cooling pipe 59 through the low temperature air supply pipe 67 under the control of the temperature control unit 568. [

상기의 제 1 내지 제 5 밸브(SV1 내지 SV5)는 적어도 3 포트를 가지는 솔레노이드 밸브가 될 수 있다.The first to fifth valves SV1 to SV5 may be solenoid valves having at least three ports.

제 1 온도 검출부(566a)는 제 5 밸브(SV5)를 통해 저온 공기 공급관(67)으로 공급되는 저온 또는 고온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(568)에 공급한다. 제 2 온도 검출부(566b)는 제 3 밸브(SV3)를 통해 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)으로 공급되는 저온 또는 고온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(568)에 공급한다. 그리고, 제 3 온도 검출부(566c)는 제 4 밸브(SV4)를 통해 제 2 저온/고온 공기 공급관(235)으로 공급되는 저온 또는 고온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(568)에 공급한다.The first temperature detection unit 566a detects the temperature of the low temperature or high temperature air supplied to the low temperature air supply pipe 67 through the fifth valve SV5 and supplies the detected temperature to the temperature control unit 568. [ The second temperature detector 566b detects the temperature of the low or high temperature air supplied to the first low / high temperature air supply pipe 215 through the third valve SV3 and supplies the detected temperature to the temperature controller 568. [ The third temperature detector 566c detects the temperature of the low or high temperature air supplied to the second low / high temperature air supply pipe 235 through the fourth valve SV4 and supplies the detected temperature to the temperature controller 568. [

온도 제어부(568)는 제 1 내지 제 5 밸브(SV1 내지 SV5) 각각의 개폐를 제어함과 아울러 제 1 내지 제 3 온도 검출부(566a, 566b, 566c) 각각에 의해 검출된 온도에 따라 압축 공기 생성부(562)를 제어함으로써 챔버(10)의 벽, 챔버 리드(30), 챔버(10)의 내부, 및 냉각수단(51) 중 적어도 하나의 온도를 조절할 수 있다.The temperature controller 568 controls the opening and closing of each of the first to fifth valves SV1 to SV5 and generates compressed air according to the temperatures detected by the first to third temperature detectors 566a, 566b, and 566c, respectively. The temperature of at least one of the walls of the chamber 10, the chamber lid 30, the interior of the chamber 10, and the cooling means 51 can be controlled by controlling the portion 562. [

일 예로써, 온도 제어부(568)는, 도 16a에 도시된 바와 같이, 고온 공기가 제 1 냉열관(210)에 공급되도록 제 2 및 제 3 밸브(SV2, SV3)만을 개방함과 아울러 제 2 온도 검출부(566b)에 의해 검출되는 온도에 따라 고온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버(10) 벽의 온도를 원하는 온도로 가열시킬 수 있다.16A, the temperature controller 568 opens only the second and third valves SV2 and SV3 so that the hot air is supplied to the first coolant pipe 210, The temperature of the wall of the chamber 10 can be heated to a desired temperature by controlling the temperature of the hot air in accordance with the temperature detected by the temperature detector 566b.

다른 예로써, 온도 제어부(568)는, 도 16b에 도시된 바와 같이, 저온 공기가 제 1 냉열관(210)에 공급되도록 제 1 및 제 3 밸브(SV1, SV3)만을 개방시킴과 아울러 제 2 온도 검출부(566b)에 의해 검출되는 온도에 따라 저온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버(10) 벽의 온도를 원하는 온도로 냉각시킬 수 있다.As another example, the temperature controller 568 may be configured to open only the first and third valves SV1 and SV3 so that the low temperature air is supplied to the first coolant pipe 210, The temperature of the wall of the chamber 10 can be cooled to a desired temperature by controlling the temperature of the low temperature air in accordance with the temperature detected by the temperature detector 566b.

다른 예로써, 온도 제어부(568)는, 도 16c에 도시된 바와 같이, 고온 공기가 제 2 냉열관(230)에 공급되도록 제 2 및 제 4 밸브(SV2, SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 3 온도 검출부(566c)에 의해 검출되는 온도에 따라 고온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 가열하여 기판 지지수단(20)에 지지된 기판(22) 전체의 온도를 균일하게 할 수 있다.As another example, the temperature control unit 568 may open only the second and fourth valves SV2 and SV4 so that the hot air is supplied to the second coolant pipe 230, as shown in FIG. 16C, The temperature of the chamber lid 30 is controlled to a desired temperature by controlling the temperature of the high temperature air in accordance with the temperature detected by the temperature detector 566c to uniformly control the temperature of the entire substrate 22 supported by the substrate holding means 20 .

다른 예로써, 온도 제어부(568)는, 도 16d에 도시된 바와 같이, 저온 공기가 제 2 냉열관(230)에 공급되도록 제 1 및 제 4 밸브(SV1, SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 3 온도 검출부(566c)에 의해 검출되는 온도에 따라 저온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버 리드(10)의 온도를 원하는 온도로 냉각시킬 수 있다.As another example, the temperature controller 568 may be configured to open only the first and fourth valves SV1 and SV4 so that the low temperature air is supplied to the second coolant pipe 230, The temperature of the chamber lid 10 can be cooled to a desired temperature by controlling the temperature of the low temperature air according to the temperature detected by the temperature detector 566c.

다른 예로써, 온도 제어부(568)는, 도 16e에 도시된 바와 같이, 고온 공기가 제 1 및 제 2 냉열관(210, 230)에 공급되도록 제 2 내지 제 4 밸브(SV2, SV3, SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 2 및 제 3 온도 검출부(566b, 566c) 중 어느 하나에 의 해 검출되는 온도에 따라 고온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버(10)의 벽 및 챔버 리드(30)의 온도를 가열하여 챔버(10) 내부의 온도를 원하는 온도로 가열시킬 수 있다.As another example, the temperature control unit 568 may control the second to fourth valves SV2, SV3, and SV4 so that the high temperature air is supplied to the first and second cooling tubes 210 and 230, The temperature of the chamber 10 and the chamber lid 30 are controlled by controlling the temperature of the hot air according to the temperature detected by either the second or the third temperature detector 566b or 566c And the inside of the chamber 10 can be heated to a desired temperature by heating.

다른 예로써, 챔버(10) 내부의 장비 교체 등의 유지보수 시 작업자가 챔버(10) 내부로 출입할 수 있을 때까지의 대기시간을 최소화하기 위하여, 온도 제어부(568)는, 도 16f에 도시된 바와 같이, 저온 공기가 제 1 및 제 2 냉열관(210, 230)에 공급되도록 제 1, 제 3 및 제 4 밸브(SV1, SV3, SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 2 및 제 3 온도 검출부(566b, 566c) 중 어느 하나에 의해 검출되는 온도에 따라 저온 공기의 온도를 제어함으로써 챔버(10)의 벽 및 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 냉각하여 챔버(10) 내부의 온도를 빠르게 냉각시킬 수 있다.As another example, in order to minimize the waiting time until the operator can enter and exit the chamber 10 during maintenance such as replacement of the equipment inside the chamber 10, Third and fourth valves SV1, SV3 and SV4 are opened so that the low temperature air is supplied to the first and second cooling tubes 210 and 230, The temperature of the chamber 10 and the chamber lid 30 are cooled to a desired temperature by controlling the temperature of the low temperature air according to the temperature detected by any one of the chambers 566b and 566c, It can be cooled rapidly.

다른 예로써, 온도 제어부(568)는, 도 16g에 도시된 바와 같이, 저온 공기가 냉각관(59)에 공급되도록 제 1 및 제 5 밸브(SV1, SV5)만을 개방시킴과 아울러 제 1 온도 검출부(566a)에 의해 검출되는 온도에 따라 저온 공기의 온도를 제어함으로써 반사수단(51)의 온도를 원하는 온도로 냉각시킬 수 있다.As another example, the temperature controller 568 opens only the first and fifth valves SV1 and SV5 so that the low temperature air is supplied to the cooling pipe 59, and the first temperature detector < RTI ID = 0.0 > The temperature of the reflecting means 51 can be cooled to a desired temperature by controlling the temperature of the low temperature air in accordance with the temperature detected by the detecting means 566a.

도 17은 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이다.17 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

도 17을 참조하면, 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 반응공간을 제공하는 챔버(10); 챔버(10) 내에 설치되어 복수의 기판(또는 웨이퍼)(22)을 지지하는 기판 지지수단(20); 챔버(10)의 상부에 결합되는 챔버 리드(30); 기판(10) 상에 공정가스를 분사하기 위한 가스 분사장치(40); 반사 수단(51)에 마련된 광학 히터(53)를 이용하여 기판 지지수단(20)을 가열하는 기판가열수단(50); 챔버(10)의 벽에 접하도록 설치되어 챔버(10) 벽의 온도를 조절하는 제 1 냉열관(210)을 포함하는 챔버 온도조절 수단(700); 챔버 리드(30)에 마련된 제 2 냉열관(230); 및 압축 공기를 이용해 저온 공기 및/또는 고온 공기를 생성하고, 생성된 저온 공기 또는 고온 공기를 제 1 냉열관(210) 및/또는 제 2 냉열관(230)에 공급하여 챔버(10)의 온도를 조절함과 아울러 생성된 저온 공기를 반사수단(51)에 마련된 냉각관(59)에 공급하여 반사수단(51)의 온도를 조절하는 온도 조절장치(560)를 포함하여 구성된다. 이와 같은 구성을 가지는 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 챔버 온도조절 수단(700)을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템과 동일한 구성을 가지므로 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 17, a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention includes a chamber 10 for providing a reaction space; Substrate holding means 20 installed in the chamber 10 to support a plurality of substrates (or wafers) 22; A chamber lid 30 coupled to the top of the chamber 10; A gas injection device (40) for injecting a process gas onto the substrate (10); A substrate heating means (50) for heating the substrate holding means (20) using an optical heater (53) provided in the reflecting means (51); A chamber temperature adjusting means (700) arranged to be in contact with a wall of the chamber (10) and including a first cooling tube (210) for adjusting the temperature of the wall of the chamber (10); A second coolant pipe 230 provided in the chamber lid 30; Temperature air and / or high-temperature air using the compressed air, and supplies the generated low-temperature air or high-temperature air to the first cooling pipe 210 and / or the second cooling pipe 230 to control the temperature of the chamber 10 And a temperature control unit 560 for controlling the temperature of the reflecting unit 51 by supplying the generated low temperature air to the cooling pipe 59 provided in the reflecting unit 51. The temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention having such a structure is similar to the temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention, System, the description of the same configuration will be replaced with the above description.

챔버 온도조절 수단(700)은 챔버(10)의 벽에 접하도록 설치되며 내부에 온도 조절장치(560)로부터 저온 공기 또는 고온 공기가 공급되는 제 1 냉열관(210)을 포함하여 구성된다.The chamber temperature adjusting means 700 includes a first cooling tube 210 installed in contact with the wall of the chamber 10 and supplied with low temperature air or high temperature air from the temperature adjusting device 560.

제 1 냉열관(210)은 제 1 저온/고온 공기 공급관(215)을 통해 온도 조절장치(560)로부터 공급되는 저온 공기를 이용하여 챔버(10)의 벽을 냉각하여 챔버(10) 내부의 온도를 냉각시키거나, 온도 조절장치(560)로부터 공급되는 고온 공기를 이용하여 챔버(10)의 벽을 가열하여 챔버(10) 내부의 온도를 가열시킨다. 예를 들어, 챔버(10) 내에서 해당 공정이 진행될 경우, 제 1 냉열관(210)에는 고온 공기가 공급된다. 또한, 챔버(10) 내부의 장비 교체 등의 유지보수 시 작업자가 챔버(10) 내부로 출입할 수 있을 때까지의 대기시간을 최소화하기 위해 제 1 냉열관(210)에는 저온 공기가 공급된다.The first coolant pipe 210 cools the walls of the chamber 10 using the low temperature air supplied from the temperature control unit 560 through the first low temperature and high temperature air supply pipe 215, Or the wall of the chamber 10 is heated by using the hot air supplied from the temperature controller 560 to heat the inside of the chamber 10. [ For example, when the process is performed in the chamber 10, the first cooling pipe 210 is supplied with hot air. In addition, low temperature air is supplied to the first cooling pipe 210 to minimize the waiting time until the operator can enter and exit the inside of the chamber 10 during maintenance such as replacement of the equipment inside the chamber 10.

이와 같은, 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 챔버(10)의 벽에 접하도록 챔버 온도조절 수단(700)을 설치하여 챔버(10)의 온도를 조절하는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템과 동일한 구성 및 동일한 효과를 제공한다.The temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention may include a chamber temperature adjusting means 700 for contacting the wall of the chamber 10 to control the temperature of the chamber 10 And provides the same configuration and the same effect as the temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention described above.

도 18은 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이다.18 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.

도 18을 참조하면, 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 반응공간을 제공하는 챔버(10); 챔버(10) 내에 설치되어 복수의 기판(또는 웨이퍼)(22)을 지지하는 기판 지지수단(20); 챔버(10)의 상부에 결합되는 챔버 리드(30); 기판(10) 상에 공정가스를 분사하기 위한 가스 분사장치(40); 반사수단(51)에 마련된 광학 히터(53)를 이용하여 기판 지지수단(20)을 가열하는 기판가열수단(50); 반사수단(51)에 마련된 냉각관(59); 배기관(12)을 통해 챔버(10) 내부를 배기하는 배기장치(170); 저온 공기를 이용하여 배기관(12)으로부터 공급되는 배기 가스를 냉각시켜 배기 가스에 포함된 불순물을 제거하는 불순물 제거장치(180); 챔버(10)의 벽 내부에 마련된 제 1 냉열관(210); 챔버 리드(30)에 마련된 제 2 냉열관(230); 및 압축 공기를 이용해 저온 공기 및/또는 고온 공기를 생성하고, 생성된 저온 공기 또는 고온 공기를 냉각관(59), 제 1 냉열관(210), 제 2 냉열 관(230), 및 불순물 제거장치(180) 중 적어도 하나에 제공하는 온도 조절장치(860)를 포함하여 구성된다. 이와 같은 구성을 가지는 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 온도 조절장치(860)를 제외하고는 상술한 본 발명의 제 1 내지 제 3 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템과 동일한 구성을 가지므로 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 18, a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a seventh embodiment of the present invention includes a chamber 10 for providing a reaction space; Substrate holding means 20 installed in the chamber 10 to support a plurality of substrates (or wafers) 22; A chamber lid 30 coupled to the top of the chamber 10; A gas injection device (40) for injecting a process gas onto the substrate (10); A substrate heating means (50) for heating the substrate holding means (20) using an optical heater (53) provided in the reflecting means (51); A cooling pipe 59 provided in the reflecting means 51; An exhaust device 170 for exhausting the interior of the chamber 10 through an exhaust pipe 12; An impurity removing device (180) for removing impurities contained in the exhaust gas by cooling the exhaust gas supplied from the exhaust pipe (12) using low temperature air; A first cooling tube 210 provided inside the wall of the chamber 10; A second coolant pipe 230 provided in the chamber lid 30; Temperature air and / or high-temperature air using compressed air, and supplies the generated low-temperature air or high-temperature air to the cooling pipe 59, the first cooling pipe 210, the second cooling pipe 230, And a temperature control device (860) for providing the temperature control signal to at least one of the temperature control device (180). The temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the seventh embodiment of the present invention having such a configuration is the same as the temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the first to third embodiments of the present invention, The same configuration as that of the temperature control system will be described instead of the above description.

본 발명의 제 6 실시 예에 따른 온도 조절장치(860)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 4 압축 공기 생성부(562, 662, 762, 862); 제 1 및 제 2 저온/고온 공기 생성부(564, 664); 제 1 및 제 2 저온 공기 생성부(764, 864); 제 1 내지 제 8 밸브(SV1 내지 SV8); 제 1 내지 제 4 온도 검출부(566, 666, 766, 866); 및 온도 제어부(868)를 포함하여 구성된다. 이러한, 온도 조절장치(860)의 구성은 상술한 제 1 내지 제 3 실시 예에서의 구성과 동일하므로 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 상술한 설명으로 대신하고 이하에서는 온도 제어부(868)에 의한 다양한 온도 조절 방법에 대해서만 설명하기로 한다.The temperature regulating device 860 according to the sixth embodiment of the present invention includes first to fourth compressed air generators 562, 662, 762 and 862 as shown in Fig. 19; First and second low temperature / high temperature air generating units 564 and 664; First and second low temperature air generating units 764 and 864; First to eighth valves SV1 to SV8; First to fourth temperature detecting portions 566, 666, 766 and 866; And a temperature control unit 868. Since the configuration of the temperature regulating device 860 is the same as that of the first to third embodiments described above, a detailed description of the same configuration is replaced with the above description, Only the adjustment method will be described.

일 예로써, 챔버(10) 벽의 온도 조절 방법에 있어서, 온도 제어부(868)는 제 1 고온 공기가 제 1 냉열관(210)에 공급되도록 제 2 밸브(SV2)만을 개방함과 아울러 제 1 온도 검출부(566)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 1 고온 공기의 온도를 제어하여 챔버(10) 벽의 온도를 원하는 온도로 가열시키거나, 제 1 저온 공기가 제 1 냉열관(210)에 공급되도록 제 1 밸브(SV1)만을 개방함과 아울러 제 1 온도 검출부(566)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 1 저온 공기의 온도를 제어하여 챔버(10) 벽의 온도를 원하는 온도로 냉각시킬 수 있다.As an example, in the method of controlling the temperature of the wall of the chamber 10, the temperature controller 868 may open only the second valve SV2 so that the first hot air is supplied to the first coolant pipe 210, The temperature of the wall of the chamber 10 is controlled to a desired temperature by controlling the temperature of the first hot air according to the temperature detected by the temperature detector 566 or the first cold air is supplied to the first cold tube 210 And the temperature of the wall of the chamber 10 can be cooled to a desired temperature by controlling the temperature of the first low temperature air according to the temperature detected by the first temperature detector 566 .

다른 예로써, 챔버 리드(30)의 온도 조절 방법에 있어서, 온도 제어부(868)는 제 2 고온 공기가 제 2 냉열관(230)에 공급되도록 제 4 밸브(SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 2 온도 검출부(666)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 2 고온 공기의 온도를 제어하여 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 가열시키거나, 제 2 저온 공기가 제 2 냉열관(230)에 공급되도록 제 3 밸브(SV3)만을 개방시킴과 아울러 제 2 온도 검출부(666)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 2 저온 공기의 온도를 제어하여 챔버 리드(30)의 온도를 원하는 온도로 냉각시킬 수 있다.As another example, in the method of adjusting the temperature of the chamber lid 30, the temperature control unit 868 opens only the fourth valve SV4 so that the second hot air is supplied to the second cold water pipe 230, The temperature of the chamber lid 30 is controlled to a desired temperature by controlling the temperature of the second hot air according to the temperature detected by the temperature detector 666 or the second low temperature air is supplied to the second coolant tube 230 And the temperature of the chamber lid 30 can be cooled to a desired temperature by controlling the temperature of the second low temperature air in accordance with the temperature detected by the second temperature detector 666 .

다른 예로써, 챔버(10)의 벽 및 챔버 리드(30)의 온도를 조절하여 챔버(10) 내부의 온도를 조절하는 방법에 있어서, 온도 제어부(868)는 제 1 및 제 2 고온 공기가 제 1 및 제 2 냉열관(210, 230) 각각에 공급되도록 제 2 및 제 4 밸브(SV2, SV4)만을 개방시킴과 아울러 제 1 및 제 2 온도 검출부(566, 666) 각각에 의해 검출되는 온도에 따라 제 1 및 제 2 고온 공기 각각의 온도를 제어하여 챔버(10)의 벽 및 챔버 리드(30)의 온도를 가열함으로써 챔버(10) 내부의 온도를 원하는 온도로 가열시킨다.As another example, in the method of controlling the temperature inside the chamber 10 by adjusting the temperature of the chamber 10 and the chamber lid 30, the temperature controller 868 controls the temperature of the chamber 10, Only the second and fourth valves SV2 and SV4 are opened so as to be supplied to the first and second coolant pipes 210 and 230 and the temperature detected by the first and second temperature detectors 566 and 666 Thereby controlling the temperature of each of the first and second hot air to heat the temperature of the chamber 10 to a desired temperature by heating the walls of the chamber 10 and the chamber lid 30. [

다른 예로써, 챔버(10) 내부의 장비 교체 등의 유지보수 시 작업자가 챔버(10) 내부로 출입할 수 있을 때까지의 대기시간을 최소화하기 위한 온도 조절 방법에 있어서, 온도 제어부(868)는 제 1 및 제 2 저온 공기가 제 1 및 제 2 냉열관(210, 230) 각각에 공급되도록 제 1 및 제 3 밸브(SV1, SV3)만을 개방시킴과 아울러 제 1 및 제 2 온도 검출부(566, 666) 각각에 의해 검출되는 온도에 따라 제 1 및 제 2 저온 공기 각각의 온도를 제어하여 챔버(10)의 벽 및 챔버 리드(30)의 온 도를 냉각함으로써 챔버(10) 내부의 온도를 원하는 온도로 냉각시킨다.As another example, in the temperature control method for minimizing the waiting time until the operator can enter and exit the chamber 10 during maintenance such as replacement of equipment in the chamber 10, the temperature control unit 868 Only the first and third valves SV1 and SV3 are opened so that the first and second low temperature air are supplied to the first and second cooling tubes 210 and 230 and the first and second temperature detectors 566, The temperature of the chamber 10 is controlled by controlling the temperature of each of the first and second low temperature air according to the temperatures detected by the respective chambers 666 and 666 to cool the temperature of the chamber 10 and the chamber lid 30, Cool to temperature.

다른 예로써, 반사수단(51)의 온도를 원하는 온도로 냉각시키기 위한 온도 조절 방법에 있어서, 온도 제어부(868)는 제 3 저온 공기가 냉각관(59)에 공급되도록 제 5 밸브(SV5)만을 개방시킴과 아울러 제 3 온도 검출부(766)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 3 저온 공기의 온도를 제어함으로써 반사수단(51)의 온도를 원하는 온도로 냉각시킨다.As another example, in the temperature control method for cooling the temperature of the reflecting means 51 to a desired temperature, the temperature control unit 868 controls the temperature of the fifth valve SV5 to be supplied to the cooling pipe 59 And controls the temperature of the third low temperature air according to the temperature detected by the third temperature detector 766 to cool the temperature of the reflecting means 51 to a desired temperature.

다른 예로써, 불순물 제거장치(180)에 저온 공기를 공급하는 방법에 있어서, 온도 제어부(868)는 제 4 저온 공기가 불순물 제거장치(180)에 공급되도록 제 7 밸브(SV7)만을 개방시킴과 아울러 제 4 온도 검출부(866)에 의해 검출되는 온도에 따라 제 4 저온 공기의 온도를 제어하여 불순물 제거장치(180)에 공급한다.As another example, in the method of supplying the low-temperature air to the impurity removing apparatus 180, the temperature control unit 868 opens only the seventh valve SV7 so that the fourth low-temperature air is supplied to the impurity removing apparatus 180 And controls the temperature of the fourth low temperature air according to the temperature detected by the fourth temperature detector 866 to supply it to the impurity removing apparatus 180. [

상술한 방법 이외에도 온도 제어부(868)는 제 1 내지 제 4 압축 공기 생성부(562, 662, 762, 862) 및 제 1 내지 제 8 밸브(SV1 내지 SV8) 각각을 필요에 따라 제어하여 챔버(10) 벽, 챔버 리드(30), 반사수단(51), 및 불순물 제거장치(180) 중 적어도 하나에 저온 공기 또는 고온 공기를 공급할 수 있다.The temperature controller 868 controls the first to fourth compressed air generators 562, 662, 762 and 862 and the first to eighth valves SV1 to SV8 as necessary to control the temperature of the chamber 10 Hot air or high temperature air can be supplied to at least one of the wall, the chamber lid 30, the reflecting means 51, and the impurity removing apparatus 180.

한편, 제 6 실시 예에 따른 온도 조절장치(860)에서는 4개의 압축 공기 생성부(562, 662, 762, 862); 제 1 및 제 2 저온/고온 공기 생성부(564, 664); 제 1 및 제 2 저온 공기 생성부(764, 864)를 포함하도록 구성되었으나, 이에 한정되지 않고, 도 20에 도시된 바와 같이, 하나의 압축 공기 생성부(862) 및 하나의 저온/고온 공기 생성부(864)를 포함하도록 구성될 수 있다.On the other hand, in the temperature regulating apparatus 860 according to the sixth embodiment, four compressed air generating units 562, 662, 762 and 862; First and second low temperature / high temperature air generating units 564 and 664; The present invention is not limited to this, but may be applied to a case where one compressed air generating portion 862 and one low-temperature / high-temperature air generating portion 862, as shown in Fig. 20, Portion 864, as shown in FIG.

구체적으로, 제 6 실시 예에 따른 온도 조절장치(860)는 압축 공기 생성부(562); 저온/고온 공기 생성부(564); 제 1 내지 제 6 밸브(SV1 내지 SV6); 제 1 내지 제 4 온도 검출부(566a, 566b, 566c, 566d); 및 온도 제어부(868)를 포함하여 구성된다. 이러한, 온도 조절장치(860)는 제 6 밸브(SV6) 및 제 4 온도 검출부(566d); 및 온도 제어부(868)를 더 포함하는 것을 제외하고는 도 15에 도시된 온도 조절장치의 구성과 동일하므로 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.Specifically, the temperature regulating device 860 according to the sixth embodiment includes a compressed air generating portion 562; A low temperature / high temperature air generator 564; First to sixth valves SV1 to SV6; First to fourth temperature detecting portions 566a, 566b, 566c, and 566d; And a temperature control unit 868. The temperature regulating device 860 includes a sixth valve SV6 and a fourth temperature detecting portion 566d; And the temperature control unit 868, the detailed description of the same configuration will be replaced with the above description.

제 6 밸브(SV6)는 제 1 연결관(567a)으로부터 분기되는 제 4 분기관(569d)에 연결되어 제 1 연결관(567a)을 통해 제 4 분기관(569d)로 유입되는 저온 공기 또는 고온 공기를 저온 공기 공급관(185)을 통해 불순물 제거장치(180)에 공급한다.The sixth valve SV6 is connected to the fourth branch pipe 569d branched from the first connection pipe 567a and is connected to the low temperature air or high temperature air flowing into the fourth branch pipe 569d through the first connection pipe 567a, And supplies the air to the impurity removing apparatus 180 through the low temperature air supply pipe 185.

제 4 온도 검출부(866d)는 저온 공기 공급관(185)을 통해 불순물 제거장치(180)에 공급되는 저온 공기 또는 고온 공기의 온도를 검출하여 온도 제어부(868)에 공급한다.The fourth temperature detection unit 866d detects the temperature of the low temperature air or the high temperature air supplied to the impurity removing apparatus 180 through the low temperature air supply pipe 185 and supplies the detected temperature to the temperature control unit 868.

온도 제어부(868)는 제 1 내지 제 6 밸브(SV1 내지 SV6) 각각의 개폐를 제어함과 아울러 제 1 내지 제 4 온도 검출부(566a, 566b, 566c, 566d) 각각에 의해 검출된 온도에 따라 압축 공기 생성부(562)를 제어함으로써 챔버(10)의 벽, 챔버 리드(30), 챔버(10)의 내부, 냉각수단(51), 불순물 제거장치(180) 중 적어도 하나의 온도를 조절할 수 있다.The temperature control unit 868 controls the opening and closing of each of the first to sixth valves SV1 to SV6 and controls the opening and closing of the first to sixth valves SV1 to SV6 according to the temperatures detected by the first to fourth temperature detecting units 566a, 566b, 566c, The temperature of at least one of the walls of the chamber 10, the chamber lid 30, the interior of the chamber 10, the cooling means 51 and the impurity removal device 180 can be controlled by controlling the air generation portion 562 .

구체적으로, 온도 제어부(868)는 제 1 내지 제 5 밸브(SV1 내지 SV5)를 필요에 따라 개폐시켜 도 16a 내지 도 16g 각각에 도시된 바와 같이 챔버(10) 벽, 챔버 리드(30), 챔버(10) 내부, 및 냉각수단(51) 중 적어도 하나의 온도를 조절한다.Specifically, the temperature control unit 868 opens and closes the first to fifth valves SV1 to SV5 as needed to open and close the chamber 10 wall, the chamber lid 30, and the chamber 100, as shown in Figs. 16A to 16G, (10), and at least one of the cooling means (51).

그리고, 온도 제어부(868)는, 도 21에 도시된 바와 같이, 저온 공기가 저온 공기 공급관(185)을 통해 불순물 제거장치(180)에 공급되도록 제 1 및 제 6 밸브(SV1, SV6)만을 개방시킴과 아울러 제 4 온도 검출부(566d)에 의해 검출되는 온도에 따라 저온 공기의 온도를 제어함으로써 불순물 제거장치(180)에 공급되는 저온 공기를 조절할 수 있다.21, only the first and sixth valves SV1 and SV6 are opened so that the low-temperature air is supplied to the impurity removing apparatus 180 through the low-temperature air supply pipe 185, Temperature air supplied to the impurity removing apparatus 180 can be adjusted by controlling the temperature of the low-temperature air according to the temperature detected by the fourth temperature detecting unit 566d.

이와 같은, 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템에서는 제 1 냉열관(210)이 챔버(10)의 벽 내부에 설치되어 구성되었지만, 이에 한정되지 않고, 도 22에 도시된 바와 같이 챔버(10)의 벽에 접하도록 설치된 챔버 온도조절 수단(700)에 설치될 수 있다. 챔버 온도조절 수단(700)은 도 17에 도시된 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템과 동일하므로 상세한 설명은 상술한 설명으로 대신한다. 즉, 도 22에 도시된 본 발명의 제 8 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 챔버(10)의 벽에 접하도록 챔버 온도조절 수단(700)을 설치하여 챔버(10)의 온도를 조절하는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템과 동일한 구성 및 동일한 효과를 제공한다.In the temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the seventh embodiment of the present invention, the first cooling tube 210 is installed inside the wall of the chamber 10, but the present invention is not limited thereto. The chamber temperature adjusting means 700 may be installed in the chamber temperature adjusting means 700 so as to be in contact with the wall of the chamber 10 as shown in FIG. The chamber temperature adjusting means 700 is the same as the temperature adjusting system for a substrate manufacturing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention shown in FIG. 17, and thus the detailed description is replaced with the above description. That is, the temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the eighth embodiment of the present invention shown in FIG. 22 is provided with a chamber temperature adjusting means 700 for contacting the wall of the chamber 10 to adjust the temperature of the chamber 10 The present invention provides the same configuration and effect as the temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to the seventh embodiment of the present invention.

한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템은 상술한 제 1 내지 제 7 실시 예 중 적어도 2개를 조합하여 구성될 수 있다.Meanwhile, the temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention may be configured by combining at least two of the first to seventh embodiments.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이고;1 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention;

도 2는 도 1에 도시된 가열수단을 설명하기 위한 도면이고;FIG. 2 is a view for explaining the heating means shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 온도 조절장치를 설명하기 위한 도면이고;FIG. 3 is a view for explaining a temperature controller according to the first and second embodiments of the present invention; FIG.

도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이고;4 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이고;5 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a third embodiment of the present invention;

도 6은 도 5에 도시된 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 온도 조절장치의 일 실시 예를 설명하기 위한 도면이고;FIG. 6 is a view for explaining an embodiment of the temperature control device according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 5; FIG.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 온도 조절장치의 일 실시 예를 이용한 온도 조절 방법을 설명하기 위한 도면이고;7A to 7D are views for explaining a temperature control method using an embodiment of the temperature control device according to the third embodiment of the present invention;

도 8은 도 5에 도시된 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 온도 조절장치의 다른 실시 예를 설명하기 위한 도면이고;FIG. 8 is a view for explaining another embodiment of the temperature control device according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 5; FIG.

도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 온도 조절장치의 다른 실시 예를 이용한 온도 조절 방법을 설명하기 위한 도면이고;9A to 9D are views for explaining a temperature control method using another embodiment of the temperature control device according to the third embodiment of the present invention;

도 10은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이고;10 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention;

도 11은 도 10에 도시된 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 온도 조절장치의 일 실시 예를 설명하기 위한 도면이고;FIG. 11 is a view for explaining an embodiment of the temperature control device according to the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 10; FIG.

도 12는 도 10에 도시된 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 온도 조절장치의 다른 실시 예를 설명하기 위한 도면이고;FIG. 12 is a view for explaining another embodiment of the temperature control device according to the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 10; FIG.

도 13은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이고;13 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention;

도 14는 도 13에 도시된 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 온도 조절장치의 일 실시 예를 설명하기 위한 도면이고;FIG. 14 is a view for explaining an embodiment of the temperature control device according to the fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 13; FIG.

도 15는 도 13에 도시된 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 온도 조절장치의 다른 실시 예를 설명하기 위한 도면이고;FIG. 15 is a view for explaining another embodiment of the temperature control device according to the fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 13; FIG.

도 16a 내지 도 16g는 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 온도 조절장치의 다른 실시 예를 이용한 온도 조절 방법을 설명하기 위한 도면이고;16A to 16G are views for explaining a temperature control method using another embodiment of the temperature control device according to the fifth embodiment of the present invention;

도 17은 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이고;17 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention;

도 18은 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이고;18 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to a seventh embodiment of the present invention;

도 19는 도 18에 도시된 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 온도 조절장치의 일 실시 예를 설명하기 위한 도면이고;FIG. 19 is a view for explaining an embodiment of the temperature control device according to the sixth embodiment of the present invention shown in FIG. 18; FIG.

도 20은 도 13에 도시된 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 온도 조절장치의 다른 실시 예를 설명하기 위한 도면이고;FIG. 20 is a view for explaining another embodiment of the temperature control device according to the sixth embodiment of the present invention shown in FIG. 13; FIG.

도 21은 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 온도 조절장치의 다른 실시 예를 이용한 온도 조절 방법을 설명하기 위한 도면이고; 및FIG. 21 is a view for explaining a temperature control method using another embodiment of the temperature control device according to the sixth embodiment of the present invention; FIG. And

도 22는 본 발명의 제 8 실시 예에 따른 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템을 설명하기 위한 도면이고;22 is a view for explaining a temperature control system for a substrate manufacturing apparatus according to an eighth embodiment of the present invention;

< 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 >Description of the Related Art [0002]

10: 챔버 20: 기판 지지수단10: chamber 20: substrate holding means

22: 기판 30: 챔버 리드22: substrate 30: chamber lead

40: 가스 분사장치 50: 가열수단40: gas injection device 50: heating means

51: 반사수단 53: 광학 히터51: Reflecting means 53: Optical heater

59: 냉각관 60: 온도 조절장치59: Cooling tube 60: Temperature control device

Claims (11)

반응공간을 제공하는 챔버;A chamber providing a reaction space; 상기 챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지수단; 및Substrate holding means provided in the chamber for supporting the substrate; And 압축 공기 또는 고압의 공기(Air)를 이용해 저온 공기 및 고온 공기를 동시에 생성하고, 생성된 저온 공기 및 고온 공기 중 적어도 하나를 이용하여 상기 챔버 및 상기 기판 지지수단 중 적어도 하나의 온도를 조절하는 온도 조절장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템.A method for simultaneously generating cold air and hot air using compressed air or high pressure air and using at least one of the generated cold air and hot air to adjust the temperature of at least one of the chamber and the substrate support means And a controller for controlling the temperature of the substrate. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 온도 조절장치는 상기 챔버 벽의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템.Wherein the temperature regulating device adjusts the temperature of the chamber wall. 반응공간을 제공하는 챔버;A chamber providing a reaction space; 상기 챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지수단;Substrate holding means provided in the chamber for supporting the substrate; 상기 기판을 가열하는 기판가열수단;Substrate heating means for heating the substrate; 상기 기판가열수단의 열을 반사하는 반사수단; 및Reflecting means for reflecting the heat of the substrate heating means; And 압축 공기 또는 고압의 공기를 이용해 저온 공기 및 고온 공기를 동시에 생성하고, 생성된 저온 공기 및 고온 공기 중 적어도 하나를 이용하여 상기 반사수단의 온도를 조절하는 온도 조절장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템.And a temperature control device for simultaneously generating low temperature air and high temperature air using compressed air or high pressure air and controlling the temperature of the reflecting means by using at least one of generated low temperature air and high temperature air. A temperature control system for a substrate manufacturing apparatus. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, 상기 온도 조절장치는;Wherein the temperature regulating device comprises: 상기 반사수단에 설치되는 온도 조절라인;A temperature control line provided on the reflecting means; 압축 공기를 생성하는 압축 공기 생성부;A compressed air generating unit for generating compressed air; 상기 압축 공기의 회전을 이용하여 저온 공기와 고온 공기를 동시에 생성하고, 상기 저온 공기를 상기 온도 조절라인으로 공급하는 저온 공기 생성부;A low temperature air generator for simultaneously generating low temperature air and high temperature air using the rotation of the compressed air and supplying the low temperature air to the temperature control line; 상기 온도 조절라인으로 공급되는 상기 저온 공기의 온도를 검출하는 온도 검출부; 및A temperature detector for detecting the temperature of the low temperature air supplied to the temperature adjusting line; And 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도에 따라 상기 압축 공기의 압력을 제어하는 온도 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템.And a temperature controller for controlling the pressure of the compressed air according to the temperature detected by the temperature detector. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, 상기 온도 조절장치는 상기 챔버 또는 상기 기판 지지수단의 온도를 더 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템.Wherein the temperature regulator further regulates the temperature of the chamber or the substrate support means. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 챔버의 상부에 결합되어 상기 저온 공기 및 고온 공기 중 적어도 하나에 의해 온도가 조절되는 챔버 리드를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템.And a chamber lid coupled to an upper portion of the chamber and having a temperature controlled by at least one of the low temperature air and the high temperature air. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 챔버에 연결된 배기라인; 및An exhaust line connected to the chamber; And 상기 배기라인에 설치되어 상기 온도 조절장치로부터 공급되는 상기 저온 공기를 이용하여 상기 배기라인으로 배기되는 반응가스에 포함된 불순물을 제거하는 불순물 제거장치를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템.Further comprising an impurity removing device installed in the exhaust line and removing impurities contained in the reaction gas exhausted to the exhaust line by using the low temperature air supplied from the temperature regulating device. Temperature control system. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 챔버에 연결된 가스 공급라인; 및A gas supply line connected to the chamber; And 상기 가스 공급라인에 설치되어 상기 온도 조절장치로부터 공급되는 상기 고온 공기를 이용하여 상기 가스 공급라인으로 공급되는 공정 가스의 온도를 조절하는 가스 온도 조절장치를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 제조 장치용 온도 조절 시스템.Further comprising a gas temperature regulating device installed in the gas supply line and regulating the temperature of the process gas supplied to the gas supply line using the hot air supplied from the temperature regulating device. Temperature control systems for devices. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160126917A (en) 2015-04-23 2016-11-02 주식회사 리빙케어 Temperature control system using a high voltage
WO2021045587A1 (en) * 2019-09-05 2021-03-11 (주)뉴영시스템 Rapid thermal processing equipment cooling system

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101718732B1 (en) * 2014-07-02 2017-03-22 (주)에이치디피 Pressure Chamber
KR101661178B1 (en) * 2014-11-18 2016-10-04 주식회사 테라세미콘 Apparatus for processing wafer

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0813026A (en) * 1994-06-24 1996-01-16 Sony Corp Rapid heat treatment device
JP2002083848A (en) * 2000-07-03 2002-03-22 Ibiden Co Ltd Semiconductor manufacturing and inspecting apparatus
KR20070021077A (en) * 2005-08-16 2007-02-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Active cooling substrate support

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0813026A (en) * 1994-06-24 1996-01-16 Sony Corp Rapid heat treatment device
JP2002083848A (en) * 2000-07-03 2002-03-22 Ibiden Co Ltd Semiconductor manufacturing and inspecting apparatus
KR20070021077A (en) * 2005-08-16 2007-02-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Active cooling substrate support

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160126917A (en) 2015-04-23 2016-11-02 주식회사 리빙케어 Temperature control system using a high voltage
WO2021045587A1 (en) * 2019-09-05 2021-03-11 (주)뉴영시스템 Rapid thermal processing equipment cooling system

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