KR101203010B1 - 선형성이 향상된 달링톤 증폭기의 전력증폭회로 - Google Patents
선형성이 향상된 달링톤 증폭기의 전력증폭회로 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 선형성이 향상된 달링톤 증폭기의 전력증폭회로에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 선형성이 향상된 달링톤 증폭기의 전력증폭회로는, 베이스로 RF신호를 입력받으며 에미터로 컬렉터-에미터 전류(Ice1)가 흐르게 하여 에미터로 상기 베이스에 입력된 RF신호를 증폭하여 출력하는 제 1 트랜지스터와; 상기 제 1 트랜지스터의 에미터로부터 출력되는 RF신호를 베이스로 입력받아 컬렉터로 컬렉터-에미터 전류(Ice2)가 흐르게 하여 컬렉터로 상기 제 1 트랜지스터의 에미터로부터 출력되는 RF신호를 증폭하여 출력하는 제 2 트랜지스터와; 상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 트랜지스터에 인가되는 바이어스 전압의 변화에 반대하는 역방향 전압으로 동작하여 전류변화를 방지하는 액티브 바이어스 회로부와; 상기 제 1 트랜지스터의 에미터와 상기 제 2 트랜지스터의 베이스 사이의 접속노드에 병렬연결로 결합하는 선형화기 LC공진회로부; 및 상기 제 2 트랜지스터의 에미터에 결합되어 상기 제 2 트랜지스터에 과전압이 흐르는 것을 방지하는 과전압 방지 저항소자;를 포함한다.
따라서, 본 발명은 달링톤 증폭기를 구성하는 복수개 트랜지스터 사이에 그라운드와 연결된 선형화기 LC공진회로부를 병렬로 연결시켜 상호변조왜곡신호성분을 바이패스 시킴으로써 선형성을 향상시킨 달링톤 증폭기의 전력증폭회로를 제공하는 효과가 있다.
따라서, 본 발명은 달링톤 증폭기를 구성하는 복수개 트랜지스터 사이에 그라운드와 연결된 선형화기 LC공진회로부를 병렬로 연결시켜 상호변조왜곡신호성분을 바이패스 시킴으로써 선형성을 향상시킨 달링톤 증폭기의 전력증폭회로를 제공하는 효과가 있다.
Description
본 발명은 선형성이 향상된 달링톤 증폭기의 전력증폭회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 제 1 트랜지스터의 컬렉터-에미터 전류가 제 2 트랜지스터의 베이스로 입력되는 구조를 가지며 RF신호를 증폭시키는 달링톤 증폭기를 구성하는 복수개 트랜지스터 사이에 선형화기 LC공진회로를 병렬로 연결시켜 상호변조왜곡신호성분을 바이패스 시킴으로써 선형성을 향상시킨 달링톤 증폭기의 전력증폭회로에 관한 것이다.
도 1은 종래의 달링톤 증폭기의 전력증폭회로를 나타내는 회로 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 달링톤 증폭기는 2개의 NPN형 트랜지스터(Q1,Q2)와 4개의 저항(R1~R4)을 포함한다.
보다 상세하게는, 종래의 달링톤 증폭기를 구성하는 2개의 NPN형 트랜지스터가 도 1에 도시된 바와 같이 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스에 RF신호가 입력되고 제 1 트랜지스터(Q1)의 에미터가 제 2 트랜지스터(Q2)의 베이스에 접속되며 제 2 트랜지스터(Q2)의 컬렉터가 RF신호가 출력되도록 구성된다.
또한, 저항 R1, R4는 전압 분배의 역할을 수행하여 바이어스 지점을 결정하고 임피던스 매칭과 이득 및 선형성을 결정하는 피드백 효과를 제공하도록 구성되며, 저항 R2는 NPN형 제 1 트랜지스터(Q1)과 NPN형 제 2 트랜지스터(Q2)에 흐르는 전류를 조절하며 임피던스 매칭을 수행하도록 구성되고, 저항 R3은 NPN형 제 2 트랜지스터(Q2)의 에미터에 연결되어 과전압 발생시 NPN형 트랜지스터(Q2)를 보호하며 출력임피던스 매칭을 수행하도록 구성된다.
종래의 달링톤 증폭기는 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스에 들어오는 입력RF신호를 통해 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스와 에미터 사이로 베이스-에미터 전류(Ibe1)가 흐르고, 제 1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터와 에미터 사이에는 컬렉터-에미터 전류(Ice1)가 흐른다. 이때, 상기 입력RF신호는 상기 제 1 트랜지스터(Q1)을 통해 1차로 증폭되고 1차 증폭된 RF신호는 제 1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터와 에미터로 거의 동시에 흐르게 된다.
또한, 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터와 에미터 사이에 흐르는 컬렉터-에미터 전류(Ice1)는 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 베이스로 입력되어 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 베이스와 에미터 사이로 베이스-에미터 전류(Ibe2)가 흐르게 하고 제 2 트랜지스터(Q2)의 컬렉터와 에미터 사이로 컬렉터-에미터 전류(Ice2)가 흐르게 하여 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 에미터로 흐른 1차 증폭된 RF신호가 제 2 트랜지스터의 컬렉터를 통해 2차로 증폭되어 출력된다.
그러나, 종래의 달링톤 증폭기는 상기 제 1 트랜지스터(Q1)를 통해 1차 증폭된 RF신호에 포함된 상호변조왜곡신호(IMD:Intermodulation)가 상기 제 2 트랜지스터(Q2)를 통해 2차 증폭되면서 결과적으로 종래의 달링톤 증폭기로 구성된 전력증폭회로의 선형성이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 선형성이 향상된 달링턴 증폭기의 전력증폭회로를 제공할 수 있는 현실적이고도 활용도가 높은 기술이 절실히 요구되는 실정이다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 달링톤 증폭기를 구성하는 복수개 트랜지스터 사이에 선형화기 LC공진회로부를 병렬로 연결시켜 상호변조왜곡신호성분을 바이패스 시킴으로써 선형성을 향상시킨 달링톤 증폭기의 전력증폭회로를 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일실시예에 따른 선형성이 향상된 달링톤 증폭기의 전력증폭회로는, 베이스로 RF신호를 입력받으며 에미터로 컬렉터-에미터 전류(Ice1)가 흐르게 하여 에미터로 상기 베이스에 입력된 RF신호를 증폭하여 출력하는 제 1 트랜지스터와; 상기 제 1 트랜지스터의 에미터로부터 출력되는 RF신호를 베이스로 입력받아 컬렉터로 컬렉터-에미터 전류(Ice2)가 흐르게 하여 컬렉터로 상기 제 1 트랜지스터의 에미터로부터 출력되는 RF신호를 증폭하여 출력하는 제 2 트랜지스터와; 상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 트랜지스터에 인가되는 바이어스 전압의 변화에 반대하는 역방향 전압으로 동작하여 전류변화를 방지하는 액티브 바이어스 회로부와; 상기 제 1 트랜지스터의 에미터와 상기 제 2 트랜지스터의 베이스 사이의 접속노드에 병렬연결로 결합하는 선형화기 LC공진회로부; 및 상기 제 2 트랜지스터의 에미터에 결합되어 상기 제 2 트랜지스터에 과전압이 흐르는 것을 방지하는 과전압 방지 저항소자;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 달링톤 증폭기를 구성하는 복수개 트랜지스터 사이에 그라운드와 연결된 선형화기 LC공진회로부를 병렬로 연결시켜 상호변조왜곡신호성분을 바이패스 시킴으로써 선형성을 향상시킨 달링톤 증폭기의 전력증폭회로를 제공하는 효과가 있다.
도 1은 종래의 달링톤 증폭기의 전력증폭회로를 나타내는 회로 구성도
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 달링톤 증폭기의 전력증폭회로를 나타내는 구성도
도 3은 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 IM3신호의 전력 레벨을 나타내는 도면
도 4는 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 OIP3값을 나타내는 도면
도 5는 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 AM-AM 및 AM-PM 값의 변화를 나타내는 도면
도 6은 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 출력전력, 이득, 및 전력 부가효율을 나타내는 도면
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 달링톤 증폭기의 전력증폭회로를 나타내는 구성도
도 3은 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 IM3신호의 전력 레벨을 나타내는 도면
도 4는 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 OIP3값을 나타내는 도면
도 5는 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 AM-AM 및 AM-PM 값의 변화를 나타내는 도면
도 6은 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 출력전력, 이득, 및 전력 부가효율을 나타내는 도면
본 발명에 따른 달링톤 증폭기의 전력증폭회로를 구성하는 각각의 트랜지스터는 NPN형 트랜지스터인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 달링톤 증폭기의 전력증폭회로는 RF신호가 입출력되는 입력포트와 출력포트에 직류블러킹 커패시터(2)를 구비하고, RF신호의 출력포트에 결합되는 직류블러킹 커패시터와 직류전원을 공급하는 직류전원부 사이에 노이즈 제거용 인덕터(1)를 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 달링톤 증폭기의 전력증폭회로는 RF신호의 출력포트측에 공급전압의 강하를 발생시키는 저항이 제거되는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예들을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 달링톤 증폭기의 전력증폭회로를 나타내는 구성도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 달링톤 증폭기의 전력증폭회로는 RF신호를 전력증폭 하기 위하여 구성되는 제 1 트랜지스터(10) 및 제 2 트랜지스터(20)를 포함하고, RF신호가 피드백되는 궤환회로부(60)와, 전체전압을 능동적으로 조절하는 액티브 바이어스 회로부(30), 및 상기 제 1 트랜지스터(10)의 에미터와 상기 제 2 트랜지스터(20)의 베이스 사이의 접속노드에 병렬로 연결되는 선형화기 LC공진회로부(40)를 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 제 1 트랜지스터(10)는 베이스로 RF신호를 입력받으며 에미터로 출력되는 신호가 상기 제 2 트랜지스터(20)의 베이스로 입력되도록 구성된다.
보다 상세하게는, 상기 궤환회로부(60)는 RF신호가 입력되는 입력포트와 상기 제 1 트랜지스터(10)의 컬렉터 사이에 연결되어 결합되는 구조를 가지며, 상기 제 3 트랜지스터(31)에 입력되는 전압을 조절하기 위한 전압분배용 제 1 저항(61)과 상기 제 1 내지 제 2 트랜지스터 출력측으로 부터 입력측으로 피드백 되어지는 피드백 RF 신호의 크기를 조절하는 제 2 저항(62)이 직렬로 연결되고, RF신호가 피드백되는 RF피드백 커패시터(63)가 상기 제 1 저항(61)의 양단에 병렬로 연결되도록 구성된다. 여기서, 상기 제 2 저항(62)은 상기 제 1 저항(61)과 직렬로 연결되는 구성을 가지나 실제 저항의 크기가 매우 커서 RF신호를 차단하는 역할을 수행한다. 이때, 본 발명의 일실시예에서 상기 제 2 저항(62)과 상기 RF신호가 피드백되는 RF피드백 커패시터(63)가 실질적인 궤환회로부(60)를 구성하고 상기 제 1 저항(61)은 상기 제 3 트랜지스터(31)의 바이어스 전압을 조절하는 저항소자이다.
본 발명의 일실시예에서 상기 궤환회로부(60)는 달링톤 증폭기의 안정도 및 주파수응답특성의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행하기 위한 것으로서, 주파수변화에 따른 게인의 변화를 적게한다. 즉, 제 1 저항(61)과 제 2 저항(62)이 직렬로 연결되는 구성을 가지면서 RF신호가 피드백되는 RF피드백 커패시터(63)를 포함하는 회로를 구성하여 DC전압의 주파수변화에 따른 발진을 방지하고 주파수를 안정화시키는 역할을 수행한다.
또한, 상기 액티브 바이어스 회로부(30)는 상기 제 1 저항(61)과 상기 제 2 저항(62)의 접속노드에 컬렉터가 연결되며 온도변화에 따라 전압을 능동적으로 조절함으로써 전류변화를 방지할 수 있는 제 3 트랜지스터(31)와, 상기 제 1 트랜지스터(10)의 에미터와 상기 제 3 트랜지스터(31)의 베이스 사이에 결합되어 상기 제 1 트랜지스터(10)와 상기 제 3 트랜지스터(31) 사이에 발생하는 간섭신호를 저지하여 격리도를 확보하는 제 3 저항(32)과, 상기 제 1 저항(61)에 의하여 조절되는 제 3 트랜지스터(31)의 바이어스 전압을 추가로 미세조정하기 위하여 상기 제 3 트랜지스터(31)의 에미터에 결합되는 제 4 저항(33), 및 상기 제 1 트랜지스터(10)의 에미터와 상기 제 3 저항(32)의 접속노드에 연결되어 상기 제 1 트랜지스터(10)의 바이어스 전압을 조절하는 제 5 저항(34)을 포함하여 이루어진다.
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 달링톤 증폭기의 전력증폭회로는 상기 제 2 트랜지스터(20)의 에미터에 연결 결합되어 상기 제 2 트랜지스(20)터에 과전압이 흐르는 것을 방지하는 과전압 방지 저항소자(50)를 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 액티브 바이어스 회로부(30)는 RF신호를 전력증폭하는 상기 제 1 트랜지스터(10)와 상기 제 2 트랜지스터(20)에 인가되는 바이어스 전압의 변화에 반대되는 역방향 전압으로 동작하여 전류변화를 방지하는 역할을 수행한다.
또한, 상기 선형화기 LC공진회로부(40)는 상기 제 1 트랜지스터(10)의 에미터와 상기 제 2 트랜지스터(20)의 베이스 사이의 접속노드에 병렬로 결합하는 구조를 가지며 인덕터(L2)와 커패시터(C4)의 조합으로 생성되는 공진주파수대역에서의 대역통과특성을 이용하여 상기 제 1 트랜지스터(10)를 통과하여 증폭되는 상호변조왜곡신호성분을 바이패스 시킨다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 선형화기 LC공진회로부(40)는 달링톤 증폭기의 RF신호를 전력증폭하기 위해 구성되는 상기 제 1 내지 제 2 트랜지스터(Q1,Q2) 사이에 그라운드와 연결된 채 병렬로 연결되어 상호변조왜곡신호성분을 바이패스 시킴으로써 선형성을 향상시킨다.
상기에 기재된 구성을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 선형화기 LC공진회로부(40)를 이용하여 선형성을 향상시킨 달링톤 증폭기의 전력증폭회로의 동작을 설명하면 다음과 같다.
출력단자에 전압이 인가되면 상기 액티브 바이어스 회로부(30)에 의해 일정전압이 유지되는 안정화된 상태에서 상기 제 1 트랜지스터(10)의 베이스에 들어오는 입력RF신호를 통해 제 1 트랜지스터(10)의 베이스와 에미터 사이로 베이스-에미터 전류(Ibe1)가 흐르고, 제 1 트랜지스터(10)의 컬렉터와 에미터 사이에는 컬렉터-에미터 전류(Ice1)가 흐른다. 이때, 상기 입력RF신호는 상기 제 1 트랜지스터(10)를 통해 1차로 증폭되고 1차 증폭된 RF신호는 제 1 트랜지스터(10)의 컬렉터와 에미터로 거의 동시에 출력되어 흐르게 된다.
여기서, 상기 제 1 트랜지스터(10)의 컬렉터로 출력되는 RF신호는 상기 궤환회로부(60)에 의하여 피드백되고, 상기 제 1 트랜지스터(10)의 컬렉터와 에미터 사이에 흐르는 컬렉터-에미터 전류(Ice1)는 상기 제 2 트랜지스터(20)의 베이스로 입력되어 상기 제 2 트랜지스터(20)의 베이스와 에미터 사이로 베이스-에미터 전류(Ibe2)가 흐르게 하고 제 2 트랜지스터(20)의 컬렉터와 에미터 사이로 컬렉터-에미터 전류(Ice2)가 흐르게 하여 상기 제 1 트랜지스터(10)의 에미터로 흐른 1차 증폭된 RF신호가 제 2 트랜지스터(20)의 컬렉터를 통해 2차로 증폭되어 출력된다. 한편, 상기 제 2 트랜지스터(20)의 컬렉터로 출력되는 RF신호는 상기 제 1 트랜지스터(10)의 컬렉터로 출력되는 RF신호와 마찬가지로 상기 궤환회로부(60)에 의하여 피드백 된다.
이때, 본 발명의 일실시예에 따른 달링톤 증폭기의 전력증폭회로는 상기 제 1 트랜지스터(10)를 통해 1차 증폭된 RF신호에 포함된 상호변조왜곡신호성분을 선형화기 LC공진회로부(40)를 이용하여 바이패스 시킴으로써 선형화특성을 향상시킨다.
도 3은 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 IM3신호의 전력 레벨을 나타내는 도면이다.
도 3에 도시된 IM3는 3차 IM(Intermodulation) 또는 IMD(Intermodulation Distortion: 상호변조왜곡)를 나타내며, 값이 작을수록 달링턴 증폭기의 상호변조왜곡신호성분에 관한 특성이 개선되는 것을 나타낸다.
도 3에 도시된 바와 같이, 입력전력 값이 -10dBm 일 때 선형화기의 유무에 따라 약 5dBc의 개선효과가 발생되는 것을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 OIP3값을 나타내는 도면이다.
도 4에 도시된 OIP3는 (Output Third Order Intercept Point: 3차 교차점 출력전력값) 선형성을 가늠하는 지표로 사용되는 값으로서 입력전력값이 -10dBm일 때 약 2.5dBm의 개선효과가 발생되는 것을 알 수 있다.
도 5는 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 AM-AM(진폭 대 진폭 왜곡) 및 AM-PM(진폭 대 위상 왜곡) 값의 변화를 나타내는 도면이다.
증폭기가 비선형적으로 동작하게 되면 입력전력에 따른 출력전력의 차로 계산되는 전력 이득값이 일정하게 유지하지 못하고 변화가 발생하는데 이를 AM-AM(진폭 대 진폭) 왜곡현상이라 한다.
또한, AM-AM 왜곡현상과 마찬가지로 입력신호와 증폭되어 출력되는 출력신호와의 위상변화가 일정하게 유지되어야 하나 증폭기가 비선형적으로 동작하게 되면 그 위상 변화가 일정하지 않게 되는 현상을 AM-PM(진폭 대 위상) 왜곡현상 이라고 한다.
도 5에 도시된 바와 같이 선형화기의 유무에 따라 AM-AM 왜곡현상의 정도를 알 수 있는 입력전력에 따른 증폭기 이득의 변화폭이 약 1dB정도 개선 된 것을 알 수 있으며, AM-PM왜곡 현상의 정도를 알 수 있는 위상변화를 나타낸 그래프는 약 3도 정도의 변화에서 1도 정도로 위상변화가 줄어든 것을 알 수 있기 때문에 결과적으로 선형성이 개선 된 것을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 일실시예가 적용되기 전과 적용된 이후의 입력전력에 대응되는 출력전력, 이득, 및 전력 부가효율을 나타내는 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 선형화기의 유무에 따라 출력전력, 게인, 전력부가효율의 특성이 향상된 것을 알 수 있다.
상기와 같이, 본 발명은 달링톤 증폭기를 구성하는 복수개 트랜지스터 사이에 그라운드와 연결된 선형화기 LC공진회로부를 병렬로 연결시켜 상호변조왜곡신호성분을 바이패스 시킴으로써 선형성을 향상시킨 달링톤 증폭기의 전력증폭회로를 제공하는 효과가 있다.
지금까지 본 발명에 대해서 상세히 설명하였으나, 그 과정에서 언급한 실시예는 예시적인 것일 뿐이며, 한정적인 것이 아님을 분명히 하고, 본 발명은 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상이나 분야를 벗어나지 않는 범위내에서, 균등하게 대처될 수 있는 정도의 구성요소 변경은 본 발명의 범위에 속한다 할 것이다.
1 : 노이즈 제거용 인덕터 2 : 직류 블러킹 커패시터
10 : 제 1 트랜지스터 20 : 제 2 트랜지스터
30 : 액티브 바이어스 회로부 31 : 제 3 트랜지스터
32 : 제 3 저항 33 : 제 4 저항
34 : 제 5 저항 40 : 선형화기 LC공진회로부
50 : 과전압 방지 저항소자 60 : 궤환회로부
61 : 제 1 저항 62 : 제 2 저항
63 : RF피드백 커패시터
10 : 제 1 트랜지스터 20 : 제 2 트랜지스터
30 : 액티브 바이어스 회로부 31 : 제 3 트랜지스터
32 : 제 3 저항 33 : 제 4 저항
34 : 제 5 저항 40 : 선형화기 LC공진회로부
50 : 과전압 방지 저항소자 60 : 궤환회로부
61 : 제 1 저항 62 : 제 2 저항
63 : RF피드백 커패시터
Claims (5)
- 삭제
- 삭제
- 베이스로 RF신호를 입력받으며 에미터로 컬렉터-에미터 전류(Ice1)가 흐르게 하여 에미터로 상기 베이스에 입력된 RF신호를 증폭하여 출력하는 제 1 트랜지스터와;
상기 제 1 트랜지스터의 에미터로부터 출력되는 RF신호를 베이스로 입력받아 컬렉터로 컬렉터-에미터 전류(Ice2)가 흐르게 하여 컬렉터로 상기 제 1 트랜지스터의 에미터로부터 출력되는 RF신호를 증폭하여 출력하는 제 2 트랜지스터와;
상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 트랜지스터에 인가되는 바이어스 전압의 변화에 반대하는 역방향 전압으로 동작하여 전류변화를 방지하는 액티브 바이어스 회로부와;
상기 제 1 트랜지스터의 에미터와 상기 제 2 트랜지스터의 베이스 사이의 접속노드에 병렬연결로 결합하는 선형화기 LC공진회로부와;
상기 제 2 트랜지스터의 에미터에 결합되어 상기 제 2 트랜지스터에 과전압이 흐르는 것을 방지하는 과전압 방지 저항소자; 및
주파수변화에 따른 게인의 변화를 줄이기 위하여 RF신호가 피드백 되도록 RF신호가 입력되는 입력포트와 상기 제 1 트랜지스터의 컬렉터 사이에 연결되어 결합되는 궤환회로부를 포함하며,
상기 궤환회로부는, 상기 액티브 바이어스 회로부에 구비되는 제 3 트랜지스터에 입력되는 전압을 조절하는 제 1 저항과 출력 단자와 연결되어 출력측으로 부터 입력측으로 피드백 되어지는 피드백 RF 신호의 크기를 조절하는 제 2 저항이 직렬로 연결되고, RF신호가 피드백되는 RF피드백 커패시터가 상기 제 1 저항의 양단에 병렬로 연결되어 이루어 지는 것을 특징으로 하는 선형성이 향상된 달링톤 증폭기의 전력증폭회로.
- 청구항 3에 있어서, 상기 액티브 바이어스 회로부는,
상기 제 1 저항과 상기 제 2 저항의 접속노드에 컬렉터가 연결되며 온도변화에 따라 전압을 능동적으로 조절함으로써 전류변화를 방지할 수 있는 제 3 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터의 에미터와 상기 제 3 트랜지스터의 베이스 사이에 결합되어 상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 3 트랜지스터 사이에 발생하는 간섭신호를 저지하여 격리도를 확보하는 제 3 저항과, 상기 제 1 저항에 의하여 조절되는 제 3 트랜지스터의 바이어스 전압을 추가로 미세조정하기 위하여 상기 제 3 트랜지스터의 에미터에 결합되는 제 4 저항, 및 상기 제 1 트랜지스터의 에미터와 상기 제 3 저항의 접속노드에 연결되어 상기 제 1 트랜지스터의 바이어스 전압을 조절하는 제 5 저항을 포함하여 이루어 지는 것을 특징으로 하는 선형성이 향상된 달링톤 증폭기의 전력증폭회로.
- 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 상기 선형화기 LC공진회로부는,
상기 제 1 트랜지스터의 에미터와 상기 제 2 트랜지스터의 베이스 사이의 접속노드에 병렬로 결합하는 구조를 가지며 인덕터와 커패시터의 조합으로 생성되는 공진주파수대역에서의 대역통과특성을 이용하여 상기 제 1 트랜지스터를 통과하여 증폭되는 상호변조왜곡신호성분을 바이패스 시키는 것을 특징으로 하는 선형성이 향상된 달링톤 증폭기의 전력증폭회로.
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2012
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