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KR100752547B1 - 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 및 그의 형성방법 - Google Patents

액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 및 그의 형성방법 Download PDF

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KR100752547B1
KR100752547B1 KR1020000086338A KR20000086338A KR100752547B1 KR 100752547 B1 KR100752547 B1 KR 100752547B1 KR 1020000086338 A KR1020000086338 A KR 1020000086338A KR 20000086338 A KR20000086338 A KR 20000086338A KR 100752547 B1 KR100752547 B1 KR 100752547B1
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South Korea
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semiconductor layer
array
liquid crystal
forming
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김현배
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명에서는, 투명기판과; 상기 투명기판 상에 형성되어 표시영역과 비표시 영역을 가지고 있으며, 상기 비표시 영역에 제 1 아이디 마크가 형성된 어레이 셀과; 상기 어레이 셀과 이격되고, 상기 투명기판 상에 투명한 순수 반도체층과, 그 상부에 불투명한 불순물 반도체층을 포함하고, 상기 불순물 반도체층과 그 하부의 순수 반도체층의 일부를 식각하여 아이디를 표시하기 위한 제 2 아이디마크가 형성된 반도체층을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판을 제공하므로써, 건식식각공정이 가능한 반도체층 상에 아이디 마크를 형성하므로써, 과도식각에 따른 아이디 마킹의 손상을 방지할 수 있어 공정의 효율성을 높여 생산성을 향상시킬 수 있는 장점을 가진다.

Description

액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 및 그의 형성방법{Identity Mark and method for the same in Array Panel for Liquid Crystal Display Device}
도 1은 종래의 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법을 공정단계별로 나타낸 흐름도.
도 2는 종래의 액정표시장치용 어레이 기판에 대하여 개략적으로 도시한 평면도.
도 3은 상기 도 3의 어레이 셀의 표시 영역과 글래스 아이디 마크 형성영역을 개략적으로 도시한 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판에 대하여 개략적으로 도시한 평면도.
도 5a 내지 5b는 상기 도 4의 절단선 VII-VII에 따라 자른 단면을 공정단계별로 도시한 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법을 공정단계별로 도시한 흐름도.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 투명기판 104 : 어레이 셀
106 : 글래스 아이디 마크 108 : 기판 아이디 마크
III : 표시 영역 IV : 비표시 영역
V : 아이디 형성 영역
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법에 관한 것이다.
최근에, 액정표시장치는 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술집약적 제품으로 부가가치가 높은 차세대 첨단 디스플레이(display)소자로 각광받고 있다.
일반적으로, 상기 액정표시장치는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor ; TFT)를 포함하는 어레이 기판과 컬러 필터(color filter) 기판 사이에 액정을 주입하여, 그 특성을 이용해 영상효과를 얻는 비발광 소자인 박막 트랜지스터 액정표시장치(이하, 액정표시장치로 약칭함)를 뜻한다.
현재의 평판 디스플레이 분야에서는 능동구동 액정표시 소자(AMLCD : Active Matrix Liquid Crystal Display)가 주류를 이루고 있다. AMLCD에서는 박막 트랜지스터 하나가 화소 한 개의 액정에 걸리는 전압을 조절하여 화소의 투과도를 변화시 키는 스위칭 소자로 사용되는 것으로, 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
이하, 설명의 편의상 이러한 AMLCD를 액정표시장치로 부른다
상기 액정표시장치용 어레이 기판에는 주사(scan) 신호 및 데이터 신호를 인가하는 다수 개의 게이트 및 데이터 배선이 서로 교차하며 형성되고, 이 교차된 영역을 하나의 서브 픽셀(sub pixel)로 하여, 이 서브 픽셀단위로 액정에 전압을 인가하는 한쪽 전극역할을 하는 화소전극이 형성되고, 이 화소전극과 연결되어 상기 게이트 및 데이터 배선의 교차점 근방에 박막 트랜지스터가 형성된다.
상기 액정표시장치용 컬러필터 기판에는 상기 어레이 기판의 서브 픽셀과 대응하여 특정색의 파장만을 투과시키는 R,G,B 컬러필터의 서브 컬러필터가 형성되고, 상기 서브 컬러필터간 색구분 및 상기 화소전극 이외의 영역 상의 빛의 차단 및 상기 박막 트랜지스터상에 빛이 조사되는 것을 방지하는 역할을 하는 블랙 매트릭스가 형성되며, 또한, 상기 액정에 전압을 인가하는 또 하나의 전극 역할을 하는 공통전극이 형성된다.
상기 액정표시장치에서 액정 셀(Cell)의 간략한 제조공정과 그 동작을 살펴보면 다음과 같다.
상기 컬러필터 기판 및 어레이 기판의 마주보는 각 내측면에는 각각 공통전극과 화소전극을 서로 대향하도록 형성한 후, 상기 컬러필터 기판 및 어레이 기판사이에 액정을 주입시키고 주입구를 봉합한다. 그리고 상기 컬러필터 기판 및 어레이 기판의 외측면에 각각 편광판을 붙임으로써, 액정 셀은 완성되게 된다.
상기 액정 셀의 광 투과량은 각 전극(화소전극, 공통전극)에 인가하는 전압으로 제어하고, 광 셔터(Shutter) 효과에 의해 문자/화상을 표시하게 된다.
액정 셀 공정은 박막 트랜지스터 공정이나 컬러 필터 공정에 비해 상대적으로 반복되는 공정이 거의 없는 것이 특징이라고 할 수 있다. 전체 공정은 액정 분자의 배향을 위한 배향막 형성공정과 셀 갭(cell gap) 형성공정, 액정주입 공정, 셀 컷팅(cell) 공정, 검사 공정으로 크게 나눌 수 있다.
이때, 상기 액정표시장치 전 공정의 자동화에 따른 공정의 효율을 위해 액정표시장치용 어레이 기판 상에 아이디 마크를 형성하는 타이틀링(titling)공정이 수반된다.
도 1은 종래의 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법을 공정 단계별로 나타낸 흐름도이다.
ST1은 어레이 공정에서 금속층 상에 글래스 아이디 마크를 형성하는 단계이다.
이 단계에서는 투명기판 상에 어레이 셀을 형성하는 공정중 게이트 배선 또는 데이터 배선을 형성하는 단계에서 글래스 아이디 마크를 형성한다.
이때, 글래스 아이디 마크는 추후 광학적 문자 판독기(Optical Character Reader ; OCR)를 통해 빛이 반사/투과되는 차이를 이용하여 아이디를 인식한다.
한편, 어레이 공정 중에 마스크 공정의 추가없이 아이디 마크를 형성하기 위해, 어레이 셀 별로 서로 다른 아이디를 가지는 기판 아이디 마크는 추후 액정 셀 공정에서 이루어진다.
ST2는 상기 ST1과정을 거쳐 액정 셀 공정중에 단위 셀별로 기판 아이디 마크를 형성하는 단계이다.
상기 기판 아이디 마크는 어레이 공정을 통해 형성된 글래스 아이디 마크의 판독공정을 거쳐 형성되는 것으로, 액정 셀 공정의 배향막 처리 공정과 셀 갭 형성공정사이에 이루어진다.
참고로, 컬러필터 기판인 상부 기판은 하부 기판을 이루는 어레이 기판을 기준으로 합착되므로, 별도의 아이디 마킹작업이 포함되지 않는다.
즉, 기판 아이디 마크는 글래스 아이디 마크의 판독에 의존하여 형성되므로, 이 글래스 아이디 마크을 형성하는 공정은 전공정의 효율성을 좌우하는 매우 중요한 공정이 된다.
이하, 상기 액정표시장치용 어레이 기판의 글래스 아이디 마크에 대해서 상세히 설명한다.
도 2는 종래의 액정표시장치용 어레이 기판에 대하여 개략적으로 도시한 평면도로서, 하나의 투명기판에 2개의 어레이 셀을 제작하는 경우를 일예로 하여 나타내었다.
도시한 바와 같이, 투명기판(1) 상에 표시 영역(I)과 비표시 영역(II)을 가지는 어레이 셀(12)이 형성되어 있다.
이 비표시 영역(II)에는 기판 아이디 마크(16)가 형성되어 있고, 상기 어레이 셀(12)과 이격된 기판의 일측에는 글래스 아이디 마크(14)가 형성되어 있다.
이 글래스 아이디 마크(14)는 어레이 셀(12)의 미도시한 게이트 배선 또는 데이터 배선을 형성하는 공정에서 이루어져, 금속층으로 이루어진다.
상기 원안의 확대도면은, 도시한 바와 같이, 상기 글래스 아이디 마크(14)에 "001-A"라는 아이디(10)가 음각방식으로 형성되어 있다.
즉, 상기 글래스 아이디 마크(14)에서 아이디(10)가 새겨진 부분은 금속층을 제거하고, 투명성을 띠는 물질로 이루어져, 이 아이디(10)의 주변부(18)만 불투명성을 띠는 금속층을 이룸으로써, 추후 광학적 문자 판독공정에서 빛이 아이디(10)가 새겨진 부분에서만 투과되므로써, 아이디를 판독하게 된다.
도 3은 상기 도 2의 어레이 셀의 표시영역(I)과 글래스 아이디 마크 형성영역(m)을 개략적으로 도시한 단면도로서, 상기 표시 영역에서는 게이트 배선이 형성된 영역을 일 예로 들었다.
도시한 바와 같이, 상기 투명기판(1)에는 게이트 배선(20)이 형성되어 있고, 이 게이트 배선(20)이 형성단계에서, 상기 게이트 배선(20)과 같은 금속층으로 이루어진 글래스 아이디 마크(14)가 음각으로 새겨져 오목형상을 띠는 아이디(10) 형성 영역을 포함하며 형성되어 있다.
이 게이트 배선(20) 및 글래스 아이디 마크(14) 상부에는 투명성을 가지는 게이트 절연막(22), 보호층(24)이 형성되어 있다.
즉, 상기 글래스 아이디 마크(14)를 기준으로 상기 글래스 아이디 마크(14)의 상부층과 하부층이 모두 투명성을 띠므로, 화살표로 방향으로 빛을 조사(L)시, 투명성을 띠는 물질로 이루어진 아이디 형성 영역(10)만이 빛이 투과되므로 아이디 판독이 가능해진다.
이때, 이 글래스 아이디 마크(14)의 아이디(10)를 이루는 문자를 새기기 위해서는 별도의 노광기를 이용하고, 노광된 부분의 식각공정은 해당 어레이 소자의 식각공정에서 동시에 행해진다.
상기 식각공정은, 기판을 화학용액이나 플라즈마 가스를 이용하여 포토 레지스트(photo resist)가 없는 부분의 박막을 제거하는 공정으로, 전자를 습식 식각, 후자를 건식식각이라고 한다.
습식식각은 장비가격이 저렴하고 생산성이 우수하고, 건식식각은 습식식각과 비교시 반응속도가 빠르고 미세 형상을 식각할 수 있으며 진공챔버(chamber)내에서 반응이 이루어지므로 안전한 장점을 가지지만, 금속층의 식각시에는 금속층 식각시 금속이물질이 발생으로, 금속층의 식각은 습식식각이 주로 이용된다.
그러나, 습식식각은 과도식각이 되기 쉬워 미세한 패턴을 형성하기가 어려우므로, 아이디 마크와 같이 기판의 고유번호가 새겨진 부분이 마모되면, 판독하는 공정에서 오류를 가져올 수 있어 생산성을 떨어뜨리는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 글래스 아이디 마크를 건식식각이 가능하면서, 불투명한 재질로 이루어진 층상에 형성하므로써, 아이디 마크의 과도식각을 방지하여, 아이디 판독공정의 원활한 진행으로 공정의 효율성 및 생산성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
상기 건식식각이 가능한 불투명층으로는 반도체층을 들 수 있다.
현재 반도체층을 이루는 대표적인 물질은 비정질 실리콘(amorphous Silicon ; a-Si)은 금속층과의 접촉저항을 낮추기 위해 중간층에 이 비정질 실리콘을 이온도핑(ion doping)하여 전자이동도를 높인 불순물 비정질 실리콘(n+ a-Si 이하, n+층으로 칭함)을 사용한다.
이 n+층은 이온도핑 과정을 통해 빛의 투과율이 20%미만으로 떨어지게 되어 불투명성을 띠게 된다.
그리고, 이 n+층과 비정질 실리콘은 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 좌우하는 채널이 형성되는 물질이므로, 미세한 패턴을 형성할 수 있는 건식식각으로 패턴을 형성하므로, 이 반도체층 형성공정에 아이디 마크를 형성하면 상술한 과도식각으로 인해 아이디 마크가 마모되는 문제점을 해결할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는, 투명기판과; 상기 투명기판 상에 형성되어 표시영역과 비표시 영역을 가지고 있으며, 상기 비표시 영역에 다수의 제 1 아이디 마크가 형성되는 다수의 어레이 셀과; 상기 투명기판 상에 상기 다수의 어레이 셀과 이격되어 투명한 순수 반도체층과 상기 순수 반도체층 상에 불투명한 불순물 반도체층을 포함하는 반도체층으로 이루어지고, 상기 투명기판의 아이디를 표시하기 위한 제 2 아이디마크;을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판의 아이디 마크를 제공한다.
상기 반도체층은 상기 투명기판의 가장자리에 위치하며, 상기 투명기판과 상기 순수 반도체층 사이에 제 1 투명층을 포함하며, 상기 제 2 아이디 마크가 형성된 상기 반도체층 상에 제 2 투명층을 포함함을 특징으로 한다.
또한, 상기 어레이 셀은 하나 이상이다.
본 발명의 또 하나의 특징에서는, 투명기판을 구비하는 단계와; 상기 투명기판 상에 게이트 배선, 게이트 절연막, 순수 반도체층, 불순물 반도체층, 데이터 배선을 포함하고 표시 영역과 비표시 영역을 가지는 다수의 어레이 셀을 형성하는 단계와; 상기 투명기판 상에 상기 어레이 셀과 이격되고, 상기 다수의 어레이 셀의 형성공정에서 사용되는 상기 순수 반도체층과 상기 불순물 반도체층을 적층하고 상기 순수 반도체층을 패터닝하여 상기 투명기판의 아이디를 표시하기 위한 제 1 아이디 마크를 형성하는 단계와; 상기 제 1 아이디 마크를 판독하는 단계와; 상기 제 1 아이디 마크 판독 후 상기 다수의 어레이 셀의 각각의 비표시 영역에 제 2 아이디 마크를 형성하는 단계;를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법을 제공한다.
상기 제 1 아이디 마크가 형성된 상기 순수 반도체층의 하부에는 상기 다수의 어레이 셀 형성공정에서 사용되는 게이트 절연막이 위치하며, 상기 다수의 어레이 셀과 상기 제 1 아이디 마크가 형성된 상부에 투명재질의 보호층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제 1 아이디 마크는 상기 불순물 반도체층과 상기 순수 반도체층을 건식식각하여 형성한 것이다.
또한, 상기 게이트 절연막, 상기 순수 반도체층, 상기 불순물 반도체층을 하나의 장비에서 연속으로 증착하는 것이며, 상기 장비는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)장비이다.
상기 제 1 아이디를 판독하는 단계는 광학적 문자 판독기(OCR)로 상기 아이디를 판독하는 단계이다. 상기 제 2 아이디 마크는 레이저를 이용하여 형성하는 것임을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판에 대하여 개략적으로 도시한 평면도로서, 단위 셀로 절단하기 전 단계의 어레이 기판에 대하여 도시하였다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판(120)은 투명기판(100) 상에 표시 영역(III)과 비표시 영역(IV)를 가지는 어레이 셀(104)이 형성되어 있고, 이 어레이 셀(104)과 이격된 기판의 일측에는 글래스 아이디 마크(106)가 형성되어 있다.
상기 어레이 셀(104)의 비표시 영역(IV) 상에는 기판 아이디 마크(108)가 형성되어 있는데, 이 기판 아이디 마크(108)는 어레이 셀(104)별로 다른 아이디를 가진다.
또한, 상기 글래스 아이디 마크(106)는 어레이 공정중의 포토 레지스트를 사진식각 공정을 통해 이루어지고, 상기 기판 아이디 마크(108)는 어레이 공정 후 상기 글래스 아이디 마크(106)의 판독과정을 통해 상기 글래스 아이디 마크(106)를 기초로 하여, 액정 셀의 검사공정 및 어레이 셀 내의 정전기를 방지하는 역할을 하는 비표시 영역의 쇼팅바(shorting circuit bar) 상에 레이저 조사를 통한 열에너지를 이용해 형성된다.
원안의 확대도면은 글래스 아이디 마크(106) 영역을 나타낸 것으로, 이 마크(106)에는 "001-AA"로 표시된 아이디가 형성된 영역(V)과, 그 주변영역(VI)으로 나눌 수 있으며, 상기 도면에서는 음각 방식으로 형성된 아이디를 일예로 하여 나타내었다.
상기 글래스 아이디 마크(106)는 투명한 순수 반도체인 비정질 실리콘과 불투명한 불순물 반도체층인 n+층이 이루어진다.
이때, 상기 V영역이 비정질 실리콘층으로 이루어지고, 상기 VI영역이 n+층으로 이루어짐을 특징으로 한다.
그러나, 아이디를 양각방식으로 형성한 경우에는 반대경우가 적용된다.
이러한 상기 글래스 아이디 마크(106)는 반도체층의 식각에 적합한 건식식각을 통해 이루어지므로, 아이디 패턴의 과도식각을 최소화할 수 있는 장점이 있다.
이하, 상기 액정표시장치용 어레이 기판에 글래스 아이디 마크의 형성방법을 좀 더 상세히 설명한다.
도 5a 내지 5b는 상기 도 4의 절단선 VII-VII에 따라 자른 단면을 공정단계별로 도시한 단면도이다.
도 5a는 투명기판(100)상에 게이트 배선(122)을 형성하는 사진식각 공정에 관한 것이다.
이때, 사진식각 공정에 이용되는 마스크(124)는 광차단층(126)과 광투과층(128)으로 이루어지며, 사진식각 공정용 포토 레지스트는 빛에 감응하는 성질에 따라 포지티브(positive)형과 네가티브(negative)형으로 나뉜다.
이때, 포지티브 포토 레지스트는 빛의 조사에 의해 제거되어, 식각공정에서 그 부분의 박막이 제거되는 것이고, 네가티브형은 이와 반대로 작용한다.
이때, 상기 도면에서는 포지티브 포토 레지스트를 사용한 경우를 일예로 들었다.
즉, 광차단층(126)과 대응하는 영역의 박막층만이 노광, 현상공정을 통해 패턴이 형성된다.
이 단계에서는, 게이트 배선(122)이 형성하는 영역에서는 상기 마스크(124)의 광차단층(126)과 대응되도록 하고, 글래스 아이디 마크 형성부(M)는 상기 광투과층(128)과 대응되도록 하여, 게이트 배선(122)을 형성하는 단계에서 이 글래스 아이디 마크 형성부(M)에서는 금속층패턴이 생략되도록 한다.
도 5b는 상기 도 5a를 거쳐 게이트 배선이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 비정질 실리콘, n+층을 차례대로 적층한 후, 사진 식각 공정을 통해, 액티브층 및 글래스 아이디 마크를 형성하는 단계이다.
이 단계에서는 상기 게이트 패턴이 형성되지 않은 글래스 아이디 마크 형성부(M)상에 비정질 실리콘층으로 이루어진 투명층(106a) 및 n+층으로 이루어진 불투명층(106b)으로 이루어진 글래스 아이디 마크(106)를 형성함에 있어서, 이 글래스 아이디 마크(106)의 아이디 형성 영역(V)에는 불투명층(106b)이 식각되도록 한다.
이 식각공정은 어레이 셀(도 5의 104)의 박막 트랜지스터부(T)의 채널(ch) 형성공정에서 같이 이루어진다.
단, 상기 글래스 아이디 마크 형성부(M)에 아이디를 형성하는 단계에서는 상 기 글래스 아이디 마크 형성부(M)와 대응하는 부분에는 타이틀러(미도시)라는 별도의 노광장치를 통해 원하는 아이디 문자가 형성되도록 한다.
이 공정 이후의 어레이 공정중 불투명층에 대한 패턴을 형성하는 단계에서는 상기 도 5a의 방법과 같이 상기 글래스 아이디 마크 형성부(M)와 대응하는 마스크는 광투과층이 오도록 하여 불투명층의 패턴을 포함하지 않으며, 상기 글래스 아이디 마크(106) 상부에는 어레이 공정중에 사용되는 보호층이나 투명도전성 물질과 같은 투명층이 형성되도록 한다.
도 6은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법을 공정단계별로 나타낸 흐름도이다.
ST11은 어레이 공정에서 반도체층상에 글래스 아이디 마크를 형성하는 단계이다.
이 단계에서는 투명기판을 구비하는 단계와, 상기 투명기판 상에 게이트 배선, 게이트 절연막, 순수 반도체층, 불순물 반도체층, 데이터 배선을 포함하고 표시 영역과 비표시 영역을 가지는 적어도 하나의 어레이 셀을 형성하는 단계와, 이 어레이 셀과 이격된 기판 상에 이 어레이 셀 형성공정에서 사용되는 순수 반도체층인 비정질 실리콘과 불순물 반도체층인 n+층을 적층한 후 상기 비정질 실리콘층까지 식각하여 글래스 아이디 마크를 형성하는 단계이다.
이때, 상기 어레이 셀과 글래스 아이디 마크가 형성된 상부에 투명재질의 보호층을 형성하는 단계를 더욱 포함되며, 이 글래스 아이디 마크는 상기 n+층과 비정질 실리콘층을 건식식각하여 형성한 것임을 특징으로 한다.
또한, 상기 게이트 절연막, 순수 반도체층, 불순물 반도체층은 하나의 장비에서 연속으로 증착하는 것으로, 이 장비는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비가 주로 이용된다.
ST22는 액정 셀 공정에서 단위 어레이 셀별로 기판 아이디 마크를 형성하는 단계이다.
이 단계에서는, 상기 글래스 아이디 마크를 판독하는 단계와, 이 글래스 아이디 마크 판독 후 상기 각 어레이 셀의 비표시 영역에 기판 아이디 마크를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제 1 아이디를 판독하는 단계는 광학적 문자 판독기(OCR)로 상기 아이디를 판독하는 단계이며, 상기 기판 아이디 마크는 레이저를 이용하여 금속층 또는 반도체층에 형성하는 것이다.
이와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법에서는, 이 아이디 마크를 건식식각공정이 가능한 반도체층으로 함으로써, 과도식각을 최소화하여 아이디 판독공정에 효율성을 가져와 생산력을 향상시키는 장점을 가진다.

Claims (13)

  1. 투명기판과;
    상기 투명기판 상에 형성되어 표시영역과 비표시 영역을 가지고 있으며, 상기 비표시 영역에 다수의 제 1 아이디 마크가 형성되는 다수의 어레이 셀과;
    상기 투명기판 상에 상기 다수의 어레이 셀과 이격되어 투명한 순수 반도체층과 상기 순수 반도체층 상에 불투명한 불순물 반도체층을 포함하는 반도체층으로 이루어지고, 상기 투명기판의 아이디를 표시하기 위한 제 2 아이디마크;
    을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판의 아이디 마크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 투명기판의 가장자리에 위치하는 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명기판과 상기 순수 반도체층 사이에 제 1 투명층을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 아이디 마크가 형성된 상기 반도체층 상에 제 2 투명층을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크.
  5. 삭제
  6. 투명기판을 구비하는 단계와;
    상기 투명기판 상에 게이트 배선, 게이트 절연막, 순수 반도체층, 불순물 반도체층, 데이터 배선을 포함하고 표시 영역과 비표시 영역을 가지는 다수의 어레이 셀을 형성하는 단계와;
    상기 투명기판 상에 상기 어레이 셀과 이격되고, 상기 다수의 어레이 셀의 형성공정에서 사용되는 상기 순수 반도체층과 상기 불순물 반도체층을 적층하고 상기 순수 반도체층을 패터닝하여 상기 투명기판의 아이디를 표시하기 위한 제 1 아이디 마크를 형성하는 단계와;
    상기 제 1 아이디 마크를 판독하는 단계와;
    상기 제 1 아이디 마크 판독 후 상기 다수의 어레이 셀의 각각의 비표시 영역에 제 2 아이디 마크를 형성하는 단계;
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 아이디 마크의 상기 순수 반도체층의 하부에는 상기 다수의 어레이 셀의 형성공정에서 사용되는 상기 게이트 절연막이 위치하는 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 다수의 어레이 셀과 상기 제 1 아이디 마크의 상부에 투명재질의 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 아이디 마크는 상기 불순물 반도체층과 상기 순수 반도체층을 건식식각하여 형성하는 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 게이트 절연막, 상기 순수 반도체층, 및 상기 불순물 반도체층을 하나의 장비에서 연속으로 증착하는 것인 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 장비는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)장비인 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 아이디를 판독하는 단계는 광학적 문자 판독기(OCR)로 상기 제 1 아이디를 판독하는 단계인 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법.
  13. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 아이디 마크는 레이저를 이용하여 형성하는 액정표시장치용 어레이 기판의 아이디 마크 형성방법.
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