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KR100643684B1 - 폴리머 또는 레지스트 패턴 및 이를 이용한 금속 박막패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드 및 이들의 형성방법 - Google Patents

폴리머 또는 레지스트 패턴 및 이를 이용한 금속 박막패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드 및 이들의 형성방법 Download PDF

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KR100643684B1
KR100643684B1 KR1020050105551A KR20050105551A KR100643684B1 KR 100643684 B1 KR100643684 B1 KR 100643684B1 KR 1020050105551 A KR1020050105551 A KR 1020050105551A KR 20050105551 A KR20050105551 A KR 20050105551A KR 100643684 B1 KR100643684 B1 KR 100643684B1
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KR
South Korea
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polymer
pattern
resist
film
forming
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English (en)
Inventor
전진완
윤준보
임굉수
Original Assignee
한국과학기술원
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Publication date
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Priority to US11/911,897 priority patent/US7989154B2/en
Priority to CNB2006800123575A priority patent/CN100536072C/zh
Priority to JP2008503975A priority patent/JP5154403B2/ja
Priority to PCT/KR2006/004591 priority patent/WO2007052978A1/en
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Abstract

본 발명은 리소그래피 공정 시 입사광의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 방법으로 다양한 경사 및 모양을 가지는 폴리머 또는 레지스트 패턴 및 이를 이용한 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드 및 이들의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법은 기판 위에 소정의 형상으로 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 있어서, (a) 상기 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계; (b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 포토 마스크를 위치시켜 노광 부분을 결정하는 단계; (c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계; 및 (d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법에 의하면 다양한 경사 및 모양의 3차원 구조의 폴리머 또는 레지스트 패턴, 금속 박막 패턴, 금속 패턴 구조, 플라스틱 몰드를 간편하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
둥근 단면, 폴리머 패턴, 레지스트 패턴, 금속 박막 패턴, 금속 패턴 구조, 플라스틱 몰드, 고분자 분산형 액정(polymer dispersed liquid crystal-PDLC), 마 이크로렌즈(microlens), 마이크로 플루이틱 채널(micro fluidic channel), 표면요철구조

Description

폴리머 또는 레지스트 패턴 및 이를 이용한 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드 및 이들의 형성방법 {Polymer or resist pattern, and Metal film pattern, Metal pattern, and Plastic mold using thereof, and Methods of forming the sames}
도 1은 종래의 리소그래피 공정을 이용한 양성 감광성 폴리머 패턴 형성방법을 순차적으로 나타낸 도면
도 2는 종래의 폴리머 패턴을 이용하여 제작된 금속 패턴의 단면도.
도 3은 종래의 레지스트 패턴의 모양을 경사지게 하기 위한 방법을 나타낸 도면
도 4는 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면
도 5는 본 발명에 따른 또 다른 실시예로 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면
도 6a는 본 발명의 고분자 분산형 액정막을 설명하기 위한 도면
도 6b는 고분자 분산형 액정막의 투과도를 나타낸 도면
도 7은 본 발명에 따른 고분자 분산형 액정막을 이용한 폴리머 또는 레지스 트 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면.
도 8a는 도 7에 도시된 고분자 분산형 액정막에 인가되는 전압 세기 변화에 따른 패턴 변화를 설명하기 위한 패턴 형상의 전자현미경 사진
도 8b는 도 7에 도시된 고분자 분산형 액정막에 인가되는 전압 세기별 노광 시간의 변화에 따른 패턴 변화를 설명하기 위한 패턴 형상의 전자현미경 사진
도 9a는 도 7에 도시된 고분자 분산형 액정막에 인가되는 전압을 두 번 변화시킨 경우의 패턴 변화를 설명하기 위한 도면
도 9b는 도 9a에 도시된 방법에 의해 형성된 다양한 형상의 레지스트 패턴의 전자 현미경 사진
도 9c는 도 7에 도시된 고분자 분산형 액정막에 인가되는 전압을 순차적으로 변화시킨 경우의 패턴 변화를 설명하기 위한 도면.
도 10은 본 발명의 고분자 분산형 액정막의 부분별 산란 강도 및 투과량을 별도 조절하는 경우의 한 번의 노광 과정으로 다양한 모양의 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면
도 11은 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법에 의한 폴리머 혹은 레지스트 패턴의 경사를 조절하는 방법을 설명한 도면
도 12는 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법을 이용한 패턴 전사 방법을 설명하기 위한 도면.
도 13은 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법을 이용한 플라스틱 몰드 형성 방법을 설명하기 위한 도면
도 14는 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법을 이용한 금속 박막 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면
도 15는 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법을 이용한 금속 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면
**** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *****
100, 200, 300, 400: 기판
110, 210, 310, 410: 감광성 폴리머 혹은 레지스트(resist)
120, 220, 320: 포토마스크(photomask)
130, 230: 광 조사(radiation)
140, 240: 광원(radiation source)
250: 렌즈 260: 산란재료(scattering element : diffuser)
270: 기판 위에 형성된 막
340: 빛 조절막
350: 빛에 노출된 부분 351: 빛에 노출되지 않은 부분
355, 450, 451: 폴리머 또는 레지스트 패턴
360, 503: 고분자 분산형 액정막 370, 501: 유리기판
380: 투명전극 385: 패터닝된 전극
420: 전사막 425: 전사된 패턴
440: 포토마스크 패턴
460: 폴리머 혹은 플라스틱 몰딩
470 475 금속막 505: 액정
476 금속 패턴 구조
본 발명은 폴리머 또는 레지스트 패턴 및 이를 이용한 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드, 및 이들의 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 리소그래피 공정 시 입사광의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 방법으로 다양한 경사 및 모양을 가지는 폴리머 또는 레지스트 패턴 및 이를 이용한 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드 및 이들의 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 등과 같은 회로소자에 금속 배선을 형성하기 위해서는 먼저, 소정의 형상을 갖는 폴리머 패턴을 형성하게 되는데, 이러한 폴리머 패턴은 감광액 도포 공정, 노광 공정 및 현상 공정을 포함한 포토리소그래피 공정(photolithography)을 거쳐 형성된다.
도 1은 종래의 리소그래피 공정을 이용한 감광성 폴리머 패턴 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 먼저 기판(100) 상에 폴리머인 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트 막(110)을 형성한 후, 포토마스크(120)를 상기 포토레지스트 막(110) 상부에 배치하고, 포토레지스트 막(110)이 형성된 기판상에 빛(130)을 조사하여 노광 공정을 수행한다. 이 과정 후, 노광된 포토레지스트 막(110)에 현상 공정을 수행하여 빛에 반응한 포토레지스트 막(110)의 일부를 제거함으로써 폴리머 패턴을 형성한다.
이와 같이 일반적인 반도체 리소그래피 공정에서 기판 위에 형성된 감광성 폴리머 혹은 레지스트 막을 기하학적인 도형의 패턴을 가지는 포토마스크를 통과한 자외선(Ultraviolet-UV) 혹은 그 외의 광 조사에 의해 노출시켜, 그 노출된 부분을 현상하는 과정을 통해 원하는 패턴을 형성한다. 양성 감광성 레지스트(positive resist)를 사용한 경우에는 빛에 노출된 부분이 현상용액에 용해되어 없어져 패턴이 형성되고, 음성 감광성 레지스트(negative resist)를 사용한 경우에는 빛에 노출되지 않은 부분이 현상용액에 용해되어 없어져 패턴을 형성한다.
도 2는 종래의 리소그래피 공정으로 형성된 감광성 폴리머 또는 레지스트 패턴 및 금속 패턴의 단면도를 나타낸 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 광 감광성 폴리머 또는 레지스트 패턴의 단면은 기판상에 빛을 조사하는 노광 공정 시 기판에 수직인 빛을 조사하므로 폴리머 또는 레지스트 패턴이 장방형의 수직 구조를 이루게 된다(S. Wolf and R. N. Tauber, "Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 1 - Process Technology", Lattice Press, pp. 408, 1986).
따라서, 단면이 장방형을 갖는 폴리머 패턴을 이용한 고집적 회로 소자 등에 배선된 금속 역시 폴리머 패턴 위에 형성되므로 단면이 장방형 형상을 갖는 금속 패턴을 형성하게 된다 (R. C. Jaeger, "Introduction to Microelectronic Fabrication", Prentice Hall, pp. 167, 2002).
그런데 종래의 장방형 형상을 갖는 폴리머 패턴 또는 금속 패턴만으로는 갈수록 다양해지고 있는 반도체 공정 및 3차원 구조체에 대한 수요를 만족시킬 수가 없다. 다양한 반도체 기술이 발전되고, 다양한 응용이 필요해짐에 따라, 마이크로렌즈, 곡면의 금속 박막을 가지는 마이크로 스위치, 마이크로 플루이딕 채널 등 곡면의 폴리머 패턴 혹은 금속층을 형성시키는 기술 또한 그 필요성이 증가되고 있다.
이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 레지스트에 경사진 패턴을 형성하는 리소그래피 방법이 Urquihart에 의해 발명되었다. (Andy Urguhart, Kam-Shui Chan, and Gregory D. Anderson, "Method for sloping the profile of an opening in resist", US Patent 4,912,022, 1990)
종래의 레지스트에 경사진 패턴을 형성하는 방법에 관한 특허(미국특허 제4,912,022)를 도 3을 참조하여 살펴보면, 그 방법은 일반적인 리소그래피 장치에서 빛의 진행 경로 중에 광원(240)으로부터의 빛(230)을 산란(scattering)시키는 개체(260), 즉 유리 디퓨져(ground glass diffuser)를 놓음으로써, 노광 되는 빛을 산란시켜 레지스트(210)의 패턴의 경사를 형성한다. 이러한 광 산란 개체, 즉 디퓨져의 종류에 따라 빛의 산란 정도를 바꿀 수 있어 다양한 경사를 형성할 수 있는 것을 그 특징으로 한다. 이때, 미설명된 도면 부호 250은 렌즈를, 그리고 도면 부호 220은 포토 마스크를 나타낸 것이다.
그러나 이렇게 디퓨져를 이용하여 경사진 패턴을 형성하는 리소그래피 방법은 오직 디퓨져에 의해 정해진 빛의 산란 정도를 사용하여야 하므로 다양한 곡률을 가지는 패턴을 형성하는 데 제약이 있다. 즉, 다양한 산란 정도를 가지는 디퓨져를 다수 개 구비해야만 여러 경사 패턴을 제작할 수 있는 기술이다. 따라서, 제작된 디퓨져를 사용해서는 다양한 경사 및 모양을 원하는 대로 자유롭게 형성하기가 매우 어렵다. 또한, 한 번의 리소그래피 공정에서는 사용되는 디퓨져에 의해 빛의 산란 정도가 전 영역에 똑같이 결정되므로 전체 레지스트 패턴에 모두 똑같은 한가지 경사만을 가지는 패턴을 형성할 수 있기 때문에 다양한 응용이 불가능한 단점이 있었다.
상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 리소그래피 공정 시 입사하는 광의 진행 방향 및 투과도를 전체 또는 부분별로 조절하여 다양한 경사 및 모양을 가지는 폴리머 또는 레지스트 패턴 및 그 형성 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 본 발명에 의한 다양한 경사 및 모양을 가지는 폴리머 또는 레지스트 패턴을 이용하여 형성되는 금속 박막 패턴 및 그 형성 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 본 발명에 의한 다양한 경사 및 모양을 가지는 폴리머 또는 레지스트 패턴을 이용하여 형성되는 금속 패턴 및 그 형성 방법 을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 본 발명에 의한 다양한 경사 및 모양을 가지는 폴리머 또는 레지스트 패턴을 이용하여 형성되는 플라스틱 몰드 및 그 형성 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법은 기판 위에 소정의 형상으로 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 있어서, (a) 상기 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계; (b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 포토 마스크를 위치시켜 노광 부분을 결정하는 단계; (c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계; 및 (d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 (b)단계에서, 상기 포토마스크를 위치하는 대신에 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하거나 또는 마이크로미러 어레이를 동작시켜 노광 부분을 결정하도록 할 수 있다.
또한, 상기 빛 조절막은 상기 포토 마스크의 위 또는 아래에 위치시키는 것이 바람직하다.
또한, 필요에 따라 상기 빛 조절막의 빛의 진행 방향 및 투과도를 순차적으 로 변화시키거나 또는 부분별로 조절하여 보다 다양한 경사 및 모양의 패턴 형성이 가능하다.
특히, 상기 빛 조절막으로는 고분자 분산형 액정막을 이용하는 것이 바람직하며, 상기 고분자 분산형 액정막의 양 단면에 인가되는 직류 전압 및 그 인가 시간을 조절하는 것에 의해 투과되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절할 수 있으며, 또한, 교류 전압의 정방향 전압 및 역방항 전압의 크기, 인가 시간 및 그 주기를 조절하는 것에 의해서도 동일한 효과를 기대할 수 있다. 특히, 상기 고분자 분산형 액정막의 양 단면 또는 어느 한 면 상에 패터닝된 전극을 이용하면 부분별로 서로 다른 빛의 진행 방향 및 투과도를 가지도록 조절할 수 있으며, 패터닝된 전극을 패시브 매트릭스 구동하거나 또는 스위칭 소자를 통해 액티브 매트릭스 구동하는 것이 가능하다.
이때, 상기 고분자 분산형 액정막의 빛의 진행 방향은 산란 강도 조절에 의해 결정된다.
추가적으로, (e) 상기 (a) 단계 전에 소정 패턴의 전사하기 위한 전사막을 상기 기판상에 형성하는 단계; 및 (f) 상기 (d) 단계 후에 형성된 패턴을 전면 식각하는 단계를 더 포함하면 표면 요철 구조의 패턴 전사가 가능하다.
또한, 상기 (d) 단계에서 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막의 바닥까지 노광시켜 다양한 경사의 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
이와 같은 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법에 의하면, 상기 기판과 수직 또는 수평 방향으로 하나 이상의 경사 및 모양의 패턴을 가지는, 폴리머 또는 레지스트 패턴의 형성이 가능하다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 금속 박막 패턴 형성 방법은
기판 위에 소정의 형상으로 금속 박막 패턴을 형성하는 방법에 있어서, (a) 상기 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계; (b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 포토 마스크를 위치시켜 노광 부분을 결정하는 단계; (c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계; 및 (d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계; (e) 빛이 조사된 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막을 현상하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계; (f) 현상된 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 금속 박막을 증착하는 단계; 및 (g) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 (f) 단계의 금속 증착은 스퍼터링을 포함한 박막 증착법 또는 도금법을 포함한 후막 형성법에 의해 형성할 수 있다.
또한, 상기 (b)단계에서, 상기 포토마스크를 위치하는 대신에 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하거나 또는 마이크로미러 어레이를 동작시켜 노광 부분을 결정할 수 있다.
이러한 금속 박막 패턴 형성 방법에 의하면, 깊이 방향으로 하나 이상의 경사 및 모양을 가지는 금속 박막 패턴을 형성할 수 있다.
상술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라스틱 몰드 형성 방법은 소정의 형상으로 플라스틱 몰드를 형성하는 방법에 있어서, (a) 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계; (b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 포토 마스크를 위치시켜 노광 부분을 결정하는 단계; (c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계; 및 (d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계; (e) 빛이 조사된 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막을 현상하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계; (f) 현상된 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 플라스틱을 도포하여 고화시키는 단계; 및 (g) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴으로부터 고화된 플라스틱을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 (f) 내지 (g) 단계에서 상기 플라스틱 대신에 폴리머를 이용하는 것도 가능하다.
또한, 상기 (b)단계에서, 상기 포토마스크를 위치하는 대신에 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하거나 또는 마이크로미러 어레이를 동작시켜 노광 부분을 결정하도록 할 수 있다.
이러한 플라스틱 몰드 형성 방법에 의하면, 수직 또는 수평 방향의 하나 이상의 경사 및 모양을 가지는 플라스틱 몰드 형성이 가능하며, 상기 플라스틱 몰드 내부는 빈 공간으로 형성하거나 또는 상기 빈 공간은 마이크로 스케일의 유체 경로로 사용되는 마이크로 플루이딕 채널(Micro Fluidic Channel)인, 플라스틱 몰드 구 조도 가능하다. 또한, 플라스틱 몰드의 둥근 면을 가지는 돌출부를 이용하여 형성하면 마이크로렌즈 구조도 가능하다.
상술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 금속 패턴 형성 방법은 소정의 형상으로 금속 패턴을 형성하는 방법에 있어서, (a) 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계; (b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 포토 마스크를 위치시켜 노광 부분을 결정하는 단계; (c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계; (d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계; (e) 빛이 조사된 상기 폴리머 또는 레지스트 막을 현상하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계; (f) 현상된 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 금속 박막을 증착하는 단계; (g) 상기 금속 박막 상에 도금법에 의해 금속 패턴을 형성하는 단계; 및 (h) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴으로부터 형성된 금속 패턴을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 (b)단계에서, 상기 포토마스크를 위치하는 대신에 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하거나 또는 마이크로미러 어레이를 동작시켜 노광 부분을 결정하도록 할 수 있다.
이러한 금속 패턴 형성 방법에 의하면, 수직 또는/및 수평 방향의 하나 이상의 경사 및 모양을 가지는, 금속 패턴의 형성이 가능하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설 명하고자 한다.
먼저, 설명의 편의를 위하여 첨부된 도면의 동일 구성 요소는 동일 도면 부호를 이용하고자 한다.
도 4는 본 발명에 따른 폴리머 혹은 레지스트 패턴 형성 방법의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 기판(300) 위에 감광성 폴리머 혹은 레지스트를 도포하여 감광성 폴리머 또는 레지스트 막(310)을 형성한 후, 폴리머 또는 레지스트 막(310) 상에 포토마스크(320)를 위치시키거나 상기 폴리머 또는 레지스트 막 표면에 임베디드 마스크(embedded mask)를 형성한다. 이어서, 노광 작업을 위한 광의 투사 경로(예: 포토마스크 위나 아래) 중에, 입사된 빛의 진행 방향 및 투과 정도를 선택적으로 조절할 수 있는 빛 조절막(340)을 위치시킨다. 이어서, 빛 조절막(340)을 조절하여 입사된 빛의 진행 방향이나 투과 정도를 조절한 후, 이를 폴리머 혹은 레지스트 막(310)에 조사하여, 둥근 단면부터 사각 단면의 패턴까지 다양한 모양 및 경사 각도의 패턴을 형성한다. 이때, 빛 조절막(340)은 광 경로 상에 어느 곳에 놓여 있어도 상기한 효과를 기대할 수 있다.
이때, 포토 마스크(320)는 일반적인 리소그래피 공정에 사용되는 투명한 석영기판 상층에 크롬 박막이 도포된 형태, 혹은 직접 폴리머 또는 레지스트의 표면에 금속을 증착한 후 패터닝하여 임베디드 마스크(embedded mask)를 형성하여 사용할 수도 있다. 포토 마스크(320) 아래에 놓여있는 감광성 폴리머 혹은 레지스트 막(310)은 포토 마스크(320)를 투과하는 빛에 노출된 부분(350)과 그렇지 않은 부분 (351)으로 나누어진다. 이러한 노광 공정 후 현상액에 넣게 되면 양성(positive) 감광성 폴리머 또는 레지스트인 경우는 빛에 노출되지 않은 부분(351)이 남게 되고, 반대로 음성(negative) 감광성 폴리머 또는 레지스트인 경우에는 빛에 노출된 부분(350)이 남게 된다.
상기한 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법은 일반적인 리소그래피 공정에서 감광성 폴리머 또는 레지스트에 노광하기 위한 광 투사 경로 상에 빛 조절막(340)을 이용하여 노광하는 빛의 진행 방향 및 투과 정도를 전체적으로 동일하게 또는 부분별로 다르게 조절함으로써, 감광성 폴리머 또는 레지스트 막(310)에 자유롭게 다양한 경사 및 모양을 가지는 폴리머 또는 레지스트 패턴(355)을 형성할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법을 또 다른 실시예로 설명하기 위한 도면이다.
마스크리스(maskless) 리소그래피는, 마이크로미러 어레이(321)의 동작 각도에 따라 폴리머 또는 레지스트 위로 입사되는 빛(322)과 입사되지 않는 빛(323)을 조절되므로, 이렇게 마이크로미러 어레이를 선택적으로 동작시키면 노광 시킬 부분과 노광시키지 않을 부분을 선택할 수 있어 상기한 포토마스크 없이 리소그래피를 할 수 있는 공정 방법이다. 이렇게 상기한 일반적인 포토 마스크나 임베디드 마스크 대신에 마이크로미러 어레이(321)를 사용하여 노광될 부분과 노광 되지 않는 부분을 선택하는 마스크리스(maskless) 리소그래피 공정에서 역시 빛의 노광 경로 상에 빛 조절막(340)을 위치시켜 빛의 진행 방향 및 투과 정도를 조절하여 폴리머 또 는 레지스트 막(310)에 자유롭게 다양한 경사 및 모양을 가지는 폴리머 또는 레지스트 패턴(355)을 형성할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 도 4에 도시된 빛 조절막(340)의 일 실시예로서 이용되는 고분자 분산형 액정막을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a에 있어서, 고분자 분산형 액정막(502)은 한 쪽면에 투명 전도막이 증착된 두 개의 유리기판(501) 사이에 놓여진다. 이때, 고분자 분산형 액정막(502)은 내부의 고분자 분산형 액정(503)의 빛의 산란 강도에 따라 빛의 투과도가 결정되며, 또한 네마틱(nematic) 액정과는 달리 편광판이 필요하지 않다. 이때, 고분자 중에는 액정 분자립이 다수 분산되어 있는 것, 또는 그물 모양의 고분자 중에 액정이 포함되어 있는 것 등의 몇 가지 구조가 있다. 이러한 고분자 분산형 액정막(502)은 양단의 투명 전도막에 전압이 가해지지 않으면 액정(503)이 불규칙한 방향이 되고 매체와의 굴절률이 다른 계면에서 산란을 일으킨다. 그러나 양단의 투명 전도막에 전압이 가해지면 액정(503)의 방향이 전기장의 방향으로 정렬되고 빛이 완전히 투과되는 상태가 된다. (G. Spruce and R. D. Pringle, Electronics & Communication Engineering Journal, pp. 91-100, 1992)
도 6b는 투명 전도막에 가해지는 전압(V)의 크기에 따른 빛 투과도(%)를 나타낸 도면으로, 고분자 분산형 액정막은 전압(V)의 크기가 증가할수록 빛의 투과도(%)가 증가함을 알 수 있다. (G. Spruce and R. D. Pringle, Electronics & Communication Engineering Journal, pp. 91-100, 1992)
도 7은 고분자 분산형 액정막을 이용한 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방 법을 설명하기 위한 도면으로, 도 4에 도시된 빛 조절막(340)으로써, 고분자 분산형 액정막을 이용한 일 실시예이다.
먼저, 노광 시 빛의 경로 상에 빛 조절막으로써, 한 쪽면에 투명 전도막(380)이 증착된 두 개의 유리 기판(370) 사이에 고분자 분산형 액정막(360)을 위치시킨다. 이때, 고분자 분산형 액정막(360)은 포토 마스크(320) 상부에 놓는 것이 일반적인 리소그래피 장비를 사용하는 데 있어 간편하고 바람직하나, 광 경로 상에 어느 곳에 놓여 있어도 동일한 효과를 기대할 수 있다.
여기서, 상술한 바와 같이, 고분자 분산형 액정막(360) 사이에 인가되는 전압의 세기 및 그 인가 시간을 적절히 조절하면 고분자 분산형 액정막(360)의 빛의 산란 강도와 투과도를 연속적으로 조절 가능하며, 산란 강도에 따라 빛의 진행 방향이 결정된다. 따라서, 감광성 폴리머 또는 레지스트에 투사되는 빛의 양과 반응하는 영역의 모양이 고분자 분산형 액정막(360) 사이에 인가되는 전압과 그 인가 시간에 따라 변하게 되므로 다양한 경사 및 모양을 가지는 패턴을 형성할 수 있다.
이때, 고분자 분산형 액정막(360)에 인가되는 전압은 직류 전압(DC voltage) 또는 교류전압(AC voltage) 어느 쪽이나 가능하다. 직류 전압을 인가하는 경우에는 전압의 크기에 따라 산란 강도 및 투과되는 빛의 양이 조절된다. 반면에, 교류전압을 인가하는 경우에는 각각 정전압과 역전압의 크기 및 비율, 그 주기를 조절하여 교류전압의 RMS(Root-Mean-Square) 값의 크기를 변화시키는 것에 의해 산란 강도 및 투과되는 빛의 양이 조절된다. 또한, 유리기판(370) 위에 형성되는 투명전도막(380)은 패터닝되지 않은 공통전극이 사용되어도 좋고, 패시브 매트릭스(passive matrix) 혹은 액티브 매트릭스(active matrix) 방식 어느 쪽이나 사용 가능하다. 이러한 고분자 분산형 액정막(360)은 유리기판이나 투명전도막뿐만이 아니라, 휘어질 수 있는 폴리머 기판이나 전도성 폴리머 등 다양한 형태의 구성이 가능하다. 또한, 포토 마스크(320)에 부착된 형태로 제작하는 것도 가능하다.
이어서, 도 8a 및 도 8b를 참조하여 고분자 분산형 액정막(360)에 인가되는 전압의 세기 및 그 인가 시간에 따른 패턴 변화를 설명하고자 한다.
먼저, 도 8a는 일정한 노광 시간(40초)을 유지하면서 고분자 분산형 액정막(360)에 인가되는 전압 세기의 변화에 따라 패턴 변화를 설명하기 위한 양성 감광성 포토 레지스트의 패턴 형상 사진들이다.
도 8a에 있어서, 노광 시간을 40초로 일정하게 유지하면서 전압의 세기를 각각 0V, 4V, 5V, 7V, 10V, 15V로 변화시키는 경우에 그 전압 변화에 따라 산란 강도 및 투과도가 조절되므로 수직 높이가 낮고 옆으로 많이 퍼진 둥근 모양에서부터 점차 수직높이가 높아지며 옆으로 약간 퍼진 둥근 모양, 그리고 일반적인 리소그래피 공정으로 얻어지는 장방형의 사각 패턴까지 다양한 모양의 패턴을 얻을 수 있다.
이어서, 도 8b는 고분자 분산형 액정막(360)에 인가되는 전압의 세기를 일정하게 유지하면서 그 인가 시간(즉, 노광 시간)의 변화에 따른 패턴 변화를 설명하기 위한 양성 포토 레지스트의 패턴 형상 사진들이다.
도 8b에 있어서, 인가 전압을 각각 4V 및 7V일 때 그 인가 시간을 각각 10, 20 및 40초로 변화시킨 경우에 도면에 나타난 바와 같이 다양한 패턴 변화를 보여준다. 즉, 고분자 분산형 액정막(360)에 인가되는 전압 세기의 변화뿐만 아니라 노 광 시간을 조절하는 것에 의해서도 다양한 형태의 패턴 모양을 얻을 수 있음을 알 수 있다.
상기한 예는 양성 감광성 레지스트 패턴에 대한 설명이나, 음성 감광성 레지스트 패턴의 경우에도 앞서 살펴본 도면의 열린 부분과 남아있는 부분이 반대로 된 다양한 패턴 형상이 얻어짐은 자명하다.
이어서, 첨부된 도 9a 내지 도 9c를 참조하여 노광 과정 중에 고분자 분산형 액정막(360)에 인가되는 전압의 세기 및 그 인가 시간을 동시에 변화시키는 경우의 패턴 변화를 설명하고자 한다.
먼저, 도 9a는 한 번의 노광 과정 중에 고분자 분산형 액정막(360)에 인가되는 전압을 변화시키고 동시에 각 인가 전압별 인가 시간을 조절하는 경우의 일 실시예 도면이고, 도 9b는 이러한 전압의 세기 및 그 인가 시간의 동시 변화에 따른 추가적인 패턴예이다.
도 9a 및 도 9b에 나타난 바와 같이, 노광 과정 중에 고분자 분산형 액정막(360)에 인가되는 전압의 세기 및 그 인가 시간을 동시에 조절하면, 패턴의 수직 깊이에 따라 서로 다른 모양의 패턴을 얻을 수 있으며, 그 조절 내용에 따라 보다 다양하고 복잡한 패턴의 형상도 제작할 수 있음을 알 수 있다.
이어서, 도 9c는 고분자 분산형 액정막(360)에 인가되는 전압의 세기 및 그 인가 시간을 다양하게 변화시킨 경우를 설명하기 위한 도면이다.
도 9c에 있어서, 한 번의 노광 과정 중에 고분자 분산형 액정막(360)에 인가되는 전압의 세기를 각각 V1~Vn까지 그리고 그 전압에 해당하는 각각의 인가 시간 을 각각 T1~Tn까지 다양한 변화를 준 경우에 패턴의 수직 깊이에 따라 다양한 경사면을 가지는 패턴을 제작할 수 있으며, 또한 이러한 형성 방법을 이용하여 비구면 렌즈 등의 제작에도 이용할 수 있다.
상기한 대로 직류 전압의 경우에는 그 전압의 크기 및 그 인가 시간에 조합하여 다양한 모양의 패턴을 형성할 수 있으며, 교류 전압을 이용하는 경우에는 각각 정전압 및 역전압의 크기 및 비율, 주기의 조합으로써 동일한 조절이 가능함은 자명하다.
이어서, 첨부된 도 9를 참조하여 패터닝된 투명 전도막을 이용한 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법의 다른 일 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 10에 있어서, 패터닝된 투명 전도막(385)을 이용하여 부분별 인가되는 전압의 세기 및 그 인가 시간을 각각 조절하여 부분별 서로 다른 다양한 패턴 형상을 한 번의 노광 과정으로 형성시킬 수 있다. 즉, 어드레싱 방법을 통해 투명 전도막(385)의 인가되는 전압의 세기 및 그 인가 시간을 부분별로 조절하면 빛 조절막(340)의 각 투명 전도막 부분별로 각각 빛의 투과 정도 또는 진행방향이 별도로 조절된다. 따라서, 모든 부분이 동일한 모양의 패턴이 형성되지 않고 어드레싱 방법을 통해 부분별로 서로 다른 다양한 패턴 형상이 가능하다. 이때, 이렇게 선택적으로 전압을 인가하기 위해 어드레싱하는 방법은 기존에 일반적인 액정을 어드레싱하는 방법으로 알려진 대로 패시브 어드레싱, 액티브 어드레싱 방법 어느 쪽이든 사용 가능하다. 또한, 간단하게 한쪽 면의 전극을 공통 전극으로 사용하고 다른 쪽 면의 전극을 열 단위로 패터닝하여 조절하거나 액티브 어드레싱하는 방법을 사용할 수도 있다.
이어서, 도 11은 상술한 폴리머 또는 레지스트 형성 방법에 의한 폴리머 또는 레지스트 패턴의 경사를 조절하는 방법을 설명한 도면이다.
상기한 설명들은 모두 폴리머 또는 레지스트 패턴의 중간까지 노광한 예를 도시하여 설명하였다. 그러나 두께가 매우 얇은 폴리머 또는 레지스트 패턴을 사용하거나, 폴리머 또는 레지스트 바닥까지 노광시키면 도시한 대로 패턴의 경사를 다양하게 조절할 수 있다.
이어서, 도 12는 상술한 폴리머 또는 레지스트 형성 방법을 이용한 응용 실시예로서, 패턴 전사 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 먼저 전사하기 위한 전사막(420)을 기판(400) 위에 형성해 놓고 폴리머 또는 레지스트 막(410)을 도포하여 형성한다. 상술한 폴리머 또는 레지스트 형성 방법을 이용하여 폴리머 또는 레지스트 막(410)을 원하는 모양의 패턴 형상을 만든다. 이어서, 이렇게 형성된 패턴을 이용하여 전면을 밀링(milling) 등의 반도체 공정 중 식각 방법을 이용하여 전면을 식각하면 폴리머 또는 레지스트 막(410)에 형성된 패턴이 그대로 전사막(420)에 그대로 동일한 패턴(425)으로 전사된다. 이때, 전사막(420)과 폴리머 또는 레지스트 막(410)의 식각비를 조절하면 경사 혹은 표면 형상의 크기 차이가 늘어나거나 줄어드는 등의 조절 역시 가능하다.
이어서, 도 13은 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법을 이용한 다른 응용 일 실시예로서, 플라스틱 몰드 형성 방법을 설명하기 위한 도면이 다.
도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법에 의해 형성된 다양한 경사 및 모양의 폴리머 또는 레지스트 패턴(450, 451) 위에 다른 폴리머 또는 플라스틱(460)을 붓고 굳히는 방법에 의해 몰드를 만든다. 그 후, 원래의 폴리머 또는 레지스트 패턴 몰드를 식각액에 넣어 제거하거나, 뜯어내는 방법에 의해 원래의 패턴을 전사시킨 새로운 폴리머 또는 플라스틱 몰드를 만든다. 이런 방법에 의해 여러 번 패턴을 찍어내기 위한 스탬프(stamp) 원형을 제작하거나 마이크로플루이딕 채널 등에 응용할 수 있다.
이어서, 도 14는 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법을 이용한 또 다른 응용 실시예로서, 금속 박막 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 금속 박막 패턴 형성 방법은 상기한 다양한 경사 및 모양의 폴리머 또는 레지스트 패턴, 전사된 패턴 구조를 이용하여 다양한 곡면의 금속 박막을 제작하는 방법이다. 즉, 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형상 방법에 의해 형성된 다양한 경사 및 모양의 폴리머 또는 레지스트 패턴(355) 또는 전사된 패턴 구조 위에 스퍼터링(sputtering) 등의 다양한 박막 증착법이나 도금법 등을 이용하여 패턴 위에 금속 박막(470)을 형성시킬 수 있다. 이후 제거액 처리(wet etching)를 하거나 건식 식각(dry etching)에 의해서 폴리머 또는 레지스트 몰드를 제거하면 다양한 경사 및 모양의 금속 박막을 형성할 수 있다.
이어서, 도 15는 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법을 이 용한 또 다른 응용 실시예로서, 금속 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 15에 도시한 바와 같이, 금속 패턴 형성 방법은 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법에 의해 형성된 다양한 경사 및 모양의 폴리머 또는 레지스트 패턴(355) 위에 금속 박막(475)을 증착한 후, 그 위에 도금법에 의해 금속 패턴(476)을 추가 형성한다. 원래의 폴리머 또는 레지스트 패턴 몰드는 식각액에 넣어 제거하거나, 뜯어내는 방법에 의해 원래의 패턴을 전사시킨 새로운 금속 패턴(476)을 만든다. 이런 방법에 의해 여러 번 패턴을 찍어내기 위한 역상의 스탬프(stamp) 원형을 제작할 수 있다.
이상에서 보는 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 종래의 리소그래피 공정 시 사용되는 수단 및 방법을 달리하여 다양한 경사와 모양의 3차원 구조의 폴리머 혹은 레지스트 패턴을 간편하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의해 폴리머 또는 레지스트에 패턴을 제작할 경우 리소그래피 공정 중 노광 과정에서 폴리머 또는 레지스트에 반응하기 위한 빛의 산란 강도 및 투과도 또는 빛의 진행방향을 조절하는 것에 의해 둥근 모양에서부터 장방형 모양까지 다양한 경사 및 모양의 패턴 형성이 가능하며, 산란 강도 및 투과도 또는 빛의 진행방향을 노광 시간 중에 다양하게 변화시킬 수 있어 한 패턴 내에 미리 계획한 여러 가지 곡률이나 경사 모양을 형성할 수 있다. 또한, 위치별로 빛의 산란 강도 및 투과도 또는 빛의 진행방향을 각각 다르게 선택적으로 조절하는 것에 의해, 수평/수직 방향으로 하나 이상의 다양한 경사 및 모양을 형성할 수 있다. 이러한 패턴들은 간편하게 플라스틱 몰딩이나 식각 등의 다양한 방법에 의해 다른 막에 전사가 가능하다. 또한, 이들을 응용하면, 구면 혹은 비구면 마이크로렌즈를 아주 쉽게 제작할 수 있으며, 매우 다양하고 복잡한 구조도 제작할 수 있다.
또한, 본 발명에 의해 제작된 폴리머 또는 레지스트 패턴을 이용한 플라스틱 몰드 구조는 종래의 기술보다 더 다양하고 복잡한 구조를 오히려 매우 간단한 제조 공정에 의해, 기타 재료비를 절감하여 형성할 수 있다. 따라서 그 응용사례 중에 종래 마이크로 스케일의 유체 경로 장치에 비하여 그 활용도가 매우 높다.
또한, 본 발명의 폴리머 혹은 레지스트 패턴을 이용하여 금속 막을 증착하면, 종래의 반도체 공정 기술로는 제작할 수 없는 다양한 모양의 금속 막과 금속 패턴 구조들을 형성할 수 있다,
이상과 같이, 본 발명에 의해 기존의 반도체 공정 기술 및 리소그래피 방법에 의해서는 제작할 수 없는 다양한 형태의 패턴이 아주 쉽게 제작 가능하다. 이러 한 기술들은 마이크로렌즈 제작, 금속 막 증착, 플라스틱 몰드 제작, 표면 요철 구조 제작 등에 폭넓게 활용할 수 있으며, 그 외에도 여러 가지 응용이 가능하다는 효과가 있다.

Claims (39)

  1. 기판 위에 소정의 형상으로 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광 부분을 결정하는 단계;
    (c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계; 및
    (d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 포토마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 위치시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하여 결정하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 마이크로미러 어레이를 동작시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 빛 조절막은 상기 포토마스크의 위 또는 아래에 위치시키는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 빛 조절막의 빛의 진행 방향 및 투과도를 순차적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 빛 조절막의 빛의 진행 방향 및 투과도를 부분별로 조절하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 빛 조절막으로 고분자 분산형 액정막을 이용하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 고분자 분산형 액정막의 양 단면에 인가되는 직류 전압 및 그 인가 시간을 조절하는 것에 의해 투과되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 고분자 분산형 액정막의 양 단면 또는 어느 한 면 상에 패터닝된 전극을 이용하여 부분별로 다른 빛의 진행 방향 및 투과도를 가지도록 조절하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 고분자 분산형 액정막에 인가되는 교류전압의 정방향 전압 및 역방향 전압의 크기, 각각 인가되는 시간 및 주기를 조절하는 것에 의해 투과되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 고분자 분산형 액정막에 인가되는 전압 및 그 인가 시간을 노광 중에 순차적으로 변화시켜 투과되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 순차적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 고분자 분산형 액정막 양 단면에 위치하는 전극 중 하나 이상을 패터닝하여 패시브 매트릭스 구동하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 고분자 분산형 액정막 양 단면에 위치하는 전극 중 하나 이상을 패터닝하고 스위칭 소자를 통해 액티브 매트릭스 구동하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 고분자 분산형 액정막의 빛의 진행 방향은 산란 강도 조절에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  16. 제1항에 있어서,
    (e) 상기 (a) 단계 전에 소정 패턴의 전사하기 위한 전사막을 상기 기판상에 형성하는 단계; 및
    (f) 상기 (d) 단계 후에 형성된 패턴을 전면 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 (d) 단계에서 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막의 바닥까지 노광시켜 다양한 경사의 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
  18. 제1항에 의한 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법에 의해 형성되며, 상기 기판과 수직 방향으로 하나 이상의 경사 및 모양의 패턴을 가지는, 폴리머 또는 레지스트 패턴.
  19. 제1항에 의한 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법에 의해 형성되며, 상기 기판과
    수직 및 수평 방향으로 각각 하나 이상의 경사 및 모양의 패턴을 가지는, 폴리머 또는 레지스트 패턴.
  20. 기판 위에 소정의 형상으로 금속 박막 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광 부분을 결정하는 단계;
    (c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계; 및
    (d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계;
    (e) 빛이 조사된 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막을 현상하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    (f) 현상된 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 금속 박막을 증착하는 단계; 및
    (g) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴 형성 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 (f) 단계의 금속 증착은 스퍼터링을 포함한 박막 증착법 또는 도금법을 포함한 후막 형성법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴 형성 방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 포토마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 위치시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴 형성 방법.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하여 결정하는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴 형성 방법.
  24. 제20항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 마이크로미러 어레이를 동작시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴 형성 방법.
  25. 제20항에 의한 금속 박막 패턴 형성 방법에 의해 형성되고, 깊이 방향으로 하나 이상의 곡률 및 경사를 가지는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴.
  26. 소정의 형상으로 플라스틱 몰드를 형성하는 방법에 있어서,
    (a) 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광 부분을 결정하는 단계;
    (c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계; 및
    (d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계;
    (e) 빛이 조사된 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막을 현상하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    (f) 현상된 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 플라스틱을 도포하여 고화시키는 단계; 및
    (g) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴으로부터 고화된 플라스틱을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 몰드 형성 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 (f) 내지 (g) 단계에서 상기 플라스틱 대신에 폴리머를 이용하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 몰드 형성 방법.
  28. 제26항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 포토마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 위치시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 몰드 형성 방법.
  29. 제26항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하여 결정하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 몰드 형성 방법.
  30. 제26항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 마이크로미러 어레이를 동작시켜 결정 하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 몰드 형성 방법.
  31. 제26항의 플라스틱 몰드 형성 방법에 의해 형성되고, 수직 또는 수평 방향의 하나 이상의 경사 및 모양을 가지는, 플라스틱 몰드 구조.
  32. 제26항에 있어서,
    상기 플라스틱 몰드 내부는 빈 공간으로 형성되는, 플라스틱 몰드 구조.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 빈 공간은 마이크로 스케일의 유체 경로로 사용되는 마이크로 플루이딕 채널(Micro Fluidic Channel)인, 플라스틱 몰드 구조.
  34. 제26항의 플라스틱 몰드 형성방법에 의해 형성되는 플라스틱 몰드의 둥근 면을 가지는 돌출부를 이용하여 형성된, 마이크로렌즈 구조.
  35. 소정의 형상으로 금속 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    (a) 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광 부분을 결정하는 단계;
    (c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계;
    (d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계;
    (e) 빛이 조사된 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막을 현상하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    (f) 현상된 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 금속 박막을 증착하는 단계;
    (g) 상기 금속 박막 상에 도금법에 의해 금속 패턴을 형성하는 단계; 및
    (h) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴으로부터 형성된 금속 패턴을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 금속 패턴 형성 방법
  36. 제35항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 포토마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 위치시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 금속 패턴 형성 방법.
  37. 제35항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하여 결정하는 것을 특징으로 하는, 금속 패턴 형성 방법.
  38. 제35항에 있어서,
    상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 마이크로미러 어레이를 동작시켜 결정 하는 것을 특징으로 하는, 금속 패턴 형성 방법.
  39. 제35항의 금속 패턴 형성 방법에 의해 형성되고, 수직 또는/및 수평 방향의 하나 이상의 경사 및 모양을 가지는, 금속 패턴.
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EP06812428A EP1943667A4 (en) 2005-11-04 2006-11-06 POLYMER OR RESERVE PATTERN, METALLIC FILM PATTERN, METAL PATTERN, AND PLASTIC MOLD USING SUCH PATTERNS, METHODS OF MANUFACTURING SAME
US11/911,897 US7989154B2 (en) 2005-11-04 2006-11-06 Polymer or resist pattern, and metal film pattern, metal pattern and plastic mold using the same, and fabrication methods thereof
CNB2006800123575A CN100536072C (zh) 2005-11-04 2006-11-06 聚合物或抗蚀剂图案、以及金属膜图案、金属图案和使用图案的塑料模具及其制造方法
JP2008503975A JP5154403B2 (ja) 2005-11-04 2006-11-06 ポリマー又はレジストパターンの形成方法、金属薄膜パターンの形成方法、ポリマーモールドの形成方法、及び金属パターンの形成方法
PCT/KR2006/004591 WO2007052978A1 (en) 2005-11-04 2006-11-06 Polymer or resist pattern, and metal film pattern, metal pattern and plastic mold using the same, and fabrication methods thereof

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100797778B1 (ko) 2006-08-04 2008-01-24 한국과학기술원 폴리머 패턴, 금속 스탬퍼 및 마이크로렌즈 어레이 형성방법
US20080248264A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 Jin-Wan Jeon Material pattern, and mold, metal thin-film pattern, metal pattern using thereof, and methods of forming the same
KR101056992B1 (ko) 2009-08-20 2011-08-16 한국기계연구원 마이크로 구조물 제조방법
US8287792B2 (en) 2009-01-29 2012-10-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming fine patterns using a nanoimprint lithography
KR101251344B1 (ko) 2011-08-02 2013-04-05 한국과학기술원 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법
WO2014031432A1 (en) * 2012-08-22 2014-02-27 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for creating topographical patterns in polymers via surface energy patterned films and the marangoni effect
WO2015016678A1 (ko) * 2013-08-01 2015-02-05 주식회사 엘지화학 3차원 구조의 금속 패턴 제조 방법
US9807886B2 (en) 2012-09-24 2017-10-31 Electronics And Telecommunications Research Institute Electronic circuit and method of fabricating the same
WO2018004822A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Intel Corporation High resolution solder resist material for silicon bridge application
KR20210005430A (ko) * 2019-07-05 2021-01-14 한국생산기술연구원 마이크로 제품 제작용 맨드렐 제작 방법, 마이크로 제품 제작용 몰드 제작 방법 및 마이크로 제품 제작용 몰드
WO2024253220A1 (ko) * 2023-06-08 2024-12-12 경북대학교 산학협력단 포아송 효과를 이용한 3d 미세구조 복제방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100634315B1 (ko) * 2004-02-12 2006-10-16 한국과학기술원 폴리머 패턴
JP2007219303A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Hitachi Ltd マイクロレンズ用型の製造方法
JP5574802B2 (ja) * 2009-06-03 2014-08-20 キヤノン株式会社 構造体の製造方法
KR20120025156A (ko) * 2010-09-07 2012-03-15 삼성전자주식회사 사출물의 외관 표면 처리 방법
WO2013116811A1 (en) 2012-02-03 2013-08-08 The Board Of Regents Of The University Of Texas System Improved processability of polymeric substrates and related methods
CN102910575B (zh) * 2012-11-09 2015-04-08 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种聚合物纳米通道的制作方法
CN103488046B (zh) * 2013-09-26 2019-10-22 上海集成电路研发中心有限公司 一种纳米压印光刻装置及其方法
WO2015109137A1 (en) * 2014-01-16 2015-07-23 The University Of Akron Conductive film and method of making same
EP3558505A4 (en) * 2016-12-21 2020-08-19 Ncc Nano, Llc PROCESS FOR DEPOSITING A FUNCTIONAL MATERIAL ON A SUBSTRATE
CN108916688B (zh) * 2017-04-24 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 光源和照明装置
US10861710B2 (en) * 2018-06-29 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of manufacturing semiconductor devices
CN110589756B (zh) * 2019-08-02 2020-11-10 南方科技大学 曲面纳米结构的制备方法
CN115698858A (zh) * 2020-07-06 2023-02-03 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 曝光光敏涂层之方法及装置
TWI781618B (zh) * 2021-05-13 2022-10-21 深腦科技有限公司 3d列印神經探針及其製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05234851A (ja) * 1991-12-25 1993-09-10 Sharp Corp レジストパターンの形成方法
JPH07122474A (ja) * 1993-10-21 1995-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
KR19980079489A (ko) * 1997-03-12 1998-11-25 포맨 제프리 엘 비대칭 레지스트 패턴을 제조하기 위한 포토 마스크 및 사용방법
KR20050103057A (ko) * 2004-04-24 2005-10-27 삼성전자주식회사 반도체 기판 노광 장치

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3728509A (en) 1970-09-26 1973-04-17 Alps Electric Co Ltd Push-button switch with resilient conductive contact member with downwardly projecting ridges
JPS5945218B2 (ja) * 1977-05-04 1984-11-05 松下電器産業株式会社 ホトマスク
JPS58114430A (ja) * 1981-12-26 1983-07-07 Fujitsu Ltd レジスト膜のパタ−ン形成方法
US4912022A (en) * 1988-12-27 1990-03-27 Motorola, Inc. Method for sloping the profile of an opening in resist
JP2516087B2 (ja) * 1990-05-17 1996-07-10 日本ビクター株式会社 製版装置
CA2071598C (en) * 1991-06-21 1999-01-19 Akira Eda Optical device and method of manufacturing the same
JP2001242632A (ja) * 1991-06-21 2001-09-07 Mitsui Chemicals Inc 光学デバイスの製造方法
JP3131019B2 (ja) * 1992-04-06 2001-01-31 株式会社クラレ 光学部品の製造法
JP2961677B2 (ja) * 1992-12-25 1999-10-12 富士写真フイルム株式会社 感光材料露光装置
JP3167821B2 (ja) * 1993-02-26 2001-05-21 帝人製機株式会社 光造形装置
US6727975B1 (en) * 1999-06-14 2004-04-27 Micron Technology, Inc. Device and method of correcting exposure defects in photolithography
JP2001033629A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Nippon Columbia Co Ltd ガラス原盤の製造方法、スタンパの製造方法及びガラス原盤
BR0109069A (pt) * 2000-03-08 2004-12-07 Ntu Ventures Pte Ltd Processo para fabricar um circuito integrado fotÈnico
JP2001255660A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Ricoh Opt Ind Co Ltd 特殊表面形状の創成方法及び光学素子
JP2002117756A (ja) 2000-10-05 2002-04-19 Fujitsu Ltd 隔壁転写用元型の作製方法及び隔壁形成方法
JP2002278079A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Ricoh Co Ltd レジストパターン形成方法とそれを用いた露光装置およびそれにより作製したレジストパターンとマイクロレンズ
US6544698B1 (en) * 2001-06-27 2003-04-08 University Of South Florida Maskless 2-D and 3-D pattern generation photolithography
JP2003043698A (ja) * 2001-08-03 2003-02-13 Seiko Epson Corp 微細構造体の製造方法、レーザ描画装置、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置
JP4302343B2 (ja) * 2001-11-06 2009-07-22 浜松ホトニクス株式会社 配線パターン露光装置
JP4097508B2 (ja) * 2002-11-19 2008-06-11 シャープ株式会社 マイクロレンズ基板の作製方法およびマイクロレンズ露光光学系
US7064880B2 (en) * 2003-09-25 2006-06-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Projector and projection method
JP2007065543A (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Dainippon Printing Co Ltd 可変光学素子およびそれを用いた光学装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05234851A (ja) * 1991-12-25 1993-09-10 Sharp Corp レジストパターンの形成方法
JPH07122474A (ja) * 1993-10-21 1995-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
KR19980079489A (ko) * 1997-03-12 1998-11-25 포맨 제프리 엘 비대칭 레지스트 패턴을 제조하기 위한 포토 마스크 및 사용방법
KR20050103057A (ko) * 2004-04-24 2005-10-27 삼성전자주식회사 반도체 기판 노광 장치

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100797778B1 (ko) 2006-08-04 2008-01-24 한국과학기술원 폴리머 패턴, 금속 스탬퍼 및 마이크로렌즈 어레이 형성방법
US20080248264A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 Jin-Wan Jeon Material pattern, and mold, metal thin-film pattern, metal pattern using thereof, and methods of forming the same
US8278028B2 (en) * 2007-04-04 2012-10-02 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Material pattern, and mold, metal thin-film pattern, metal pattern using thereof, and methods of forming the same
US8287792B2 (en) 2009-01-29 2012-10-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming fine patterns using a nanoimprint lithography
KR101056992B1 (ko) 2009-08-20 2011-08-16 한국기계연구원 마이크로 구조물 제조방법
KR101251344B1 (ko) 2011-08-02 2013-04-05 한국과학기술원 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법
US9804494B2 (en) 2012-08-22 2017-10-31 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for creating topographical patterns in polymers via surface energy patterned films and the marangoni effect
WO2014031432A1 (en) * 2012-08-22 2014-02-27 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for creating topographical patterns in polymers via surface energy patterned films and the marangoni effect
US9807886B2 (en) 2012-09-24 2017-10-31 Electronics And Telecommunications Research Institute Electronic circuit and method of fabricating the same
WO2015016678A1 (ko) * 2013-08-01 2015-02-05 주식회사 엘지화학 3차원 구조의 금속 패턴 제조 방법
US10034385B2 (en) 2013-08-01 2018-07-24 Lg Chem, Ltd. Method of preparing metal pattern having 3D structure
WO2018004822A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Intel Corporation High resolution solder resist material for silicon bridge application
US10020262B2 (en) 2016-06-30 2018-07-10 Intel Corporation High resolution solder resist material for silicon bridge application
KR20210005430A (ko) * 2019-07-05 2021-01-14 한국생산기술연구원 마이크로 제품 제작용 맨드렐 제작 방법, 마이크로 제품 제작용 몰드 제작 방법 및 마이크로 제품 제작용 몰드
KR102318018B1 (ko) 2019-07-05 2021-10-28 한국생산기술연구원 마이크로 제품 제작용 맨드렐 제작 방법, 마이크로 제품 제작용 몰드 제작 방법 및 마이크로 제품 제작용 몰드
WO2024253220A1 (ko) * 2023-06-08 2024-12-12 경북대학교 산학협력단 포아송 효과를 이용한 3d 미세구조 복제방법

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