KR100643684B1 - 폴리머 또는 레지스트 패턴 및 이를 이용한 금속 박막패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드 및 이들의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (39)
- 기판 위에 소정의 형상으로 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 있어서,(a) 상기 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광 부분을 결정하는 단계;(c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계; 및(d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 포토마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 위치시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하여 결정하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 마이크로미러 어레이를 동작시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제2항에 있어서,상기 빛 조절막은 상기 포토마스크의 위 또는 아래에 위치시키는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 빛 조절막의 빛의 진행 방향 및 투과도를 순차적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 빛 조절막의 빛의 진행 방향 및 투과도를 부분별로 조절하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 빛 조절막으로 고분자 분산형 액정막을 이용하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제8항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막의 양 단면에 인가되는 직류 전압 및 그 인가 시간을 조절하는 것에 의해 투과되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제8항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막의 양 단면 또는 어느 한 면 상에 패터닝된 전극을 이용하여 부분별로 다른 빛의 진행 방향 및 투과도를 가지도록 조절하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제8항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막에 인가되는 교류전압의 정방향 전압 및 역방향 전압의 크기, 각각 인가되는 시간 및 주기를 조절하는 것에 의해 투과되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제8항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막에 인가되는 전압 및 그 인가 시간을 노광 중에 순차적으로 변화시켜 투과되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 순차적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제8항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막 양 단면에 위치하는 전극 중 하나 이상을 패터닝하여 패시브 매트릭스 구동하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제8항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막 양 단면에 위치하는 전극 중 하나 이상을 패터닝하고 스위칭 소자를 통해 액티브 매트릭스 구동하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제8항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막의 빛의 진행 방향은 산란 강도 조절에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서,(e) 상기 (a) 단계 전에 소정 패턴의 전사하기 위한 전사막을 상기 기판상에 형성하는 단계; 및(f) 상기 (d) 단계 후에 형성된 패턴을 전면 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막의 바닥까지 노광시켜 다양한 경사의 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제1항에 의한 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법에 의해 형성되며, 상기 기판과 수직 방향으로 하나 이상의 경사 및 모양의 패턴을 가지는, 폴리머 또는 레지스트 패턴.
- 제1항에 의한 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법에 의해 형성되며, 상기 기판과수직 및 수평 방향으로 각각 하나 이상의 경사 및 모양의 패턴을 가지는, 폴리머 또는 레지스트 패턴.
- 기판 위에 소정의 형상으로 금속 박막 패턴을 형성하는 방법에 있어서,(a) 상기 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광 부분을 결정하는 단계;(c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계; 및(d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계;(e) 빛이 조사된 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막을 현상하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;(f) 현상된 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 금속 박막을 증착하는 단계; 및(g) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴 형성 방법.
- 제20항에 있어서,상기 (f) 단계의 금속 증착은 스퍼터링을 포함한 박막 증착법 또는 도금법을 포함한 후막 형성법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴 형성 방법.
- 제20항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 포토마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 위치시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴 형성 방법.
- 제20항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하여 결정하는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴 형성 방법.
- 제20항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 마이크로미러 어레이를 동작시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴 형성 방법.
- 제20항에 의한 금속 박막 패턴 형성 방법에 의해 형성되고, 깊이 방향으로 하나 이상의 곡률 및 경사를 가지는 것을 특징으로 하는, 금속 박막 패턴.
- 소정의 형상으로 플라스틱 몰드를 형성하는 방법에 있어서,(a) 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광 부분을 결정하는 단계;(c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계; 및(d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계;(e) 빛이 조사된 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막을 현상하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;(f) 현상된 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 플라스틱을 도포하여 고화시키는 단계; 및(g) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴으로부터 고화된 플라스틱을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 몰드 형성 방법.
- 제26항에 있어서, 상기 (f) 내지 (g) 단계에서 상기 플라스틱 대신에 폴리머를 이용하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 몰드 형성 방법.
- 제26항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 포토마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 위치시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 몰드 형성 방법.
- 제26항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하여 결정하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 몰드 형성 방법.
- 제26항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 마이크로미러 어레이를 동작시켜 결정 하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 몰드 형성 방법.
- 제26항의 플라스틱 몰드 형성 방법에 의해 형성되고, 수직 또는 수평 방향의 하나 이상의 경사 및 모양을 가지는, 플라스틱 몰드 구조.
- 제26항에 있어서,상기 플라스틱 몰드 내부는 빈 공간으로 형성되는, 플라스틱 몰드 구조.
- 제32항에 있어서,상기 빈 공간은 마이크로 스케일의 유체 경로로 사용되는 마이크로 플루이딕 채널(Micro Fluidic Channel)인, 플라스틱 몰드 구조.
- 제26항의 플라스틱 몰드 형성방법에 의해 형성되는 플라스틱 몰드의 둥근 면을 가지는 돌출부를 이용하여 형성된, 마이크로렌즈 구조.
- 소정의 형상으로 금속 패턴을 형성하는 방법에 있어서,(a) 기판 위에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광 부분을 결정하는 단계;(c) 노광 되는 빛의 경로 상에 빛 조절막을 위치시키는 단계;(d) 상기 빛 조절막을 조절하여 상기 폴리머 또는 레지스트 막에 조사되는 빛의 진행 방향 및 투과도를 조절하는 단계;(e) 빛이 조사된 상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막을 현상하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;(f) 현상된 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 금속 박막을 증착하는 단계;(g) 상기 금속 박막 상에 도금법에 의해 금속 패턴을 형성하는 단계; 및(h) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴으로부터 형성된 금속 패턴을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 금속 패턴 형성 방법
- 제35항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 포토마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 위치시켜 결정하는 것을 특징으로 하는, 금속 패턴 형성 방법.
- 제35항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 임베디드 마스크를 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 형성하여 결정하는 것을 특징으로 하는, 금속 패턴 형성 방법.
- 제35항에 있어서,상기 (b)단계에서의 상기 노광 부분은 마이크로미러 어레이를 동작시켜 결정 하는 것을 특징으로 하는, 금속 패턴 형성 방법.
- 제35항의 금속 패턴 형성 방법에 의해 형성되고, 수직 또는/및 수평 방향의 하나 이상의 경사 및 모양을 가지는, 금속 패턴.
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