JPWO2010087003A1 - 発熱装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 44
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 78
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 52
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 35
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims abstract description 22
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- -1 silicon halide compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N chloro(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(Cl)C1=CC=CC=C1 MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910001055 inconels 600 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/40—Heating elements having the shape of rods or tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/022—Heaters specially adapted for heating gaseous material
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Abstract
Description
SiCl4+H2 → SiHCl3+HCl ・・・(1)
この反応は、カーボン製の反応容器においてガス化したテトラクロロシランと水素からなる原料ガスを約800℃〜約1300℃に加熱して行われる。そして、トリクロロシランへの転換率を向上させるため、反応式(1)の生成ガスの急冷が行われる。
SiHCl3+H2 → Si+3HCl ・・・(2)
4SiHCl3 → Si+3SiCl4+2H2 ・・・(3)
この文献では、反応室の下部に設けられた熱交換器を介して、反応室の下方から水素とテトラクロロシランとの供給ガスを供給すると共に、反応室の下方から反応後の生成ガスを排出する反応容器が提案されている。
しかし、このような構成とした場合、発熱部は約800℃〜約1300℃もの高温になるため、金属製端子部とカーボン製発熱体との連結部において、熱膨張率の相違による応力が生じ、当該連結部に破損を生じる場合があった。
2:発熱体
3:金属端子
4:カーボン端子
5:発熱部
6:通水路
7:連結部
8:雄ネジ部
9:雌ネジ部
10:流入口
11:排出口
12:通水路の底部
13:注入管
14:反応塔
15:反応容器
16:外筒容器
17:ガス導入口
18:反応生成ガス抜き出し口
先ず、本実施形態に係る発熱装置1は、図1〜3に示すように、テトラクロロシランと水素とを含むガスが内部に供給されトリクロロシランと塩化水素とを含むガスが生成される反応容器を加熱するための発熱装置1であって、上記発熱装置1は一対の発熱体2からなり、上記発熱体2は略円柱状の金属端子3と略円柱状のカーボン端子4と略円柱状の発熱部5とを有し、上記金属端子3の下端部と上記カーボン端子4の上端部が連結され、上記カーボン端子4の下端部と上記発熱部5の上端部が連結され、上記金属端子3がその内部に通水路6を有することを特徴とする。
金属端子3は、従来用いられたものと同様に、図2又は図3に示すように、耐熱性の面から、典型的には略円柱状の外径を有する。金属端子3の形状は、特に限定されず、例えば、直方体形状等であってもよい。
このような材料としては、例えば、インコネル600等の耐SCC性の高い合金が好ましい。
金属端子3の下端部は、後述するカーボン端子4の上端部に連結される。このため、金属端子3の下端部には、カーボン端子4を連結するための連結手段(連結部7)が設けられている。
例えば、連結手段としては、図2又は図3のように、上記金属端子3が雄ネジ部8を有し、上記カーボン端子4が雌ネジ部9を有し、上記金属端子3と上記カーボン端子4が、上記雄ネジ部8及び上記雌ネジ部9において互いに螺合する構造とすることが好ましい。
このような構成とすることにより、必要に応じて、金属端子3及びカーボン端子4の取り外し・交換を容易に行うことができる。
上記金属端子3は、その内部に通水路6が設けられている。
該通水路6は、金属端子3を冷却するための冷却水を循環させるためのものであり、図2又は図3に示すように、略円柱状の金属端子3の内部を、その軸方向に沿って形成された空洞部と、当該空洞部に続く冷却水用の流入口10と排出口11とを備えている。
通水路6の形状は特に限定されないが、効率的に冷却水が循環できるような、円柱状の空洞状であることが好ましい。
このような構造とした場合、冷却水は該注入管13を通じて通水路6の下端へ流入し、上端の排出口11から排出される。このような構造からなる通水路6では、冷却水が効率よく循環し、効果的に冷却を行うことができる。
通水路6の深さ、即ち金属端子3下端部の通水路6の形成位置としては、通水路6の通水路の底部12が、図2に示すように、金属端子3部の下端部の雄ネジ部8に達する位置にあることが好ましい。
通水路6の深さをこのようにすることにより、特に、上記連結部を効率的に冷却することができるので、上記金属端子3と上記カーボン端子4との連結部の腐食を効果的に抑制することができる。
通水路6の径は、金属端子3が充分な強度を保つことができるように設計されていれば、特に制限はないが、金属端子3の径の20%〜70%の範囲であることが好ましい。特に、通水路6の径が金属端子3の径の30%〜50%であれば、通水流速が速くなり、総括熱伝達係数が上昇するという効果を得ることができる。
また、通水路6の径は、図2に示すように、金属端子3部の下端部の雄ネジ部8では、その径に合わせて、小さくなることが好ましい。このように、金属端子3の外径に合わせて通水路6の径を規定することにより、より効果的に冷却を行うことができる。
カーボン端子4は、図1に示すように、その上端部において上記金属端子3の下端部に連結され、また、その下端部において後述する発熱部5の上端部に連結される。
このようなカーボン端子4を金属端子3と発熱部5との間に介在させ、金属端子3及びカーボン端子4を冷却することにより、金属端子に直接カーボン製の発熱体を接続した場合に生じる破損を防ぐことができる。
該カーボン端子4の径は、上記金属端子3又は発熱部5の径よりも大きいことが好ましい。これにより、発熱量を小さくするという効果を得ることができる。
具体的には、カーボン端子4の径は、金属端子3や発熱部5の1〜2倍であることが好ましい。カーボン端子4の径が金属端子3や発熱部5の1〜2倍であることにより、発熱量を小さくするという効果を得ることができる。
発熱部5は、図1に示すように、その上端部において上記カーボン端子4の下端部に連結される。該発熱部5とカーボン端子4とは、例えば、ネジ山によって螺合されていることが好ましい。
黒鉛であることにより、耐熱性を向上させるという効果を得ることができる。
カーボン端子4及び発熱部5の表面に炭化ケイ素被膜を形成することが好ましい。
上記カーボン端子4及び発熱部5は、カーボンを主材料とするため、高温となった空気中の水等によって、組織の減肉または脆化を受けてしまう。炭化ケイ素被膜はこのような化学的分解に対して極めて耐性が高いため、カーボン組織の化学的浸食を防止できる。
CVD法によりカーボン端子4及び発熱部5の表面に炭化ケイ素被膜を形成するには、例えば、テトラクロロシラン又はトリクロロシランのようなハロゲン化珪素化合物とメタンやプロパンなどの炭化水素化合物との混合ガスを用いる方法、またはメチルトリクロロシラン、トリフェニルクロロシラン、メチルジクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシランのような炭化水素基を有するハロゲン化珪素化合物を水素で熱分解しながら、加熱されたカーボン端子4及び発熱部5の表面に炭化ケイ素を堆積させる方法を用いることができる。
炭化ケイ素被膜の厚みが10μm以上であれば、高温となった空気中の水等によるカーボン端子4及び発熱部5の腐食を十分に抑制でき、また、500μm以下であれば、炭化ケイ素被膜のひび割れやカーボン端子4及び発熱部5の割れが助長されることもない。
次に、本実施形態に係る発熱装置1を備える反応塔14について説明する。
反応塔14は、図4に示すように、テトラクロロシランと水素とを含むガスが内部に供給され、トリクロロシランと塩化水素とを含むガスが生成される反応容器15と、該反応容器を加熱するための発熱装置1と、反応容器15及び発熱装置1を囲むように配された外筒容器16とから主に構成される。
なお、本実施形態では、ガス導入口17を反応容器の底部に設け、反応生成ガス抜き出し口18を反応容器15の上方に設けた構成としているが、これらの位置については、これに限定されるものではない。
しかし、発熱装置の設置方法は上記のような吊り下げ式に制限されるものではなく、例えば、電極を下側として、反応塔の底部に略垂直に設置するようにしてもよい。
以下、上記実施形態に係る発熱装置1の作用効果について説明する。
上記構成からなる発熱装置1によれば、上記金属端子3が通水路6を有しているので、金属端子3及びカーボン端子4からなる端子部を効率よく冷却することができ、構成部品の熱膨張による破損を抑制することができる。
図3に示すような、通水路が設けられた金属端子を用いた発熱装置を作成した。
該発熱装置は、図1に示すように、金属端子(直径30mm)、カーボン端子(直径30mm)及び発熱部(直径20mm)から構成される発熱体を2本組み合わせて一対とした。通水路の径は、金属端子の径の50%とした。
各部材の連結部には螺合連結手段が設けられ、互いに連結されている。
実施例2では、カーボン端子及び発熱部は実施例1のものと同様であるが、図2に示すように、通水路の深さのみを深くして連結部まで達するようにした金属端子を用いた以外は実施例1と同様の発熱装置を作成した。
そして、実施例1と同様の実験を行い、装置を解体して端子部の破損を調べたところ、端子部の破損は少なく、さらに2000時間の運転が3回可能であった。
実施例3では、カーボン端子及び発熱部は実施例1のものと同様であるが、通水路の径を実施例1の1.5倍とした金属端子を用いた以外は実施例1と同様の発熱装置を作成した。
そして、実施例1と同様の実験を行い、装置を解体して端子部の破損を調べたところ、端子部の破損は少なく、さらに2000時間の運転が3回可能であった。
実施例4では、実施例2の金属端子及び発熱部と、該金属端子よりも径が太いカーボン端子(直径40mm)を用いて発熱装置を作成した。
そして、実施例1と同様の実験を行い、装置を解体して端子部の破損を調べたところ、端子部の破損は少なく、さらに2000時間の運転が5回可能であった。
通水路が無い金属端子を用いた以外は、実施例1と同様の発熱装置を作成した。しかし、運転を行ったところ、2000時間経過しない時点で発熱装置が破損した。解体したところ、カーボン端子と金属端子の接続部付近で分断していた。
以上の実験結果のように、本願発明の実施例に係る発熱装置においては、端子部の破損がほとんど無く、耐久性に優れるものであった。特に、実施例2ないし実施例4に係る発熱装置においては、複数回の使用にも耐えうることがわかった。
Claims (8)
- 一対の発熱体からなり、
発熱体は略円柱状の金属端子と略円柱状のカーボン端子と略円柱状の発熱部とを有し、
金属端子の下端部とカーボン端子の上端部が連結し、
カーボン端子の下端部と発熱部の上端部が連結し、
金属端子がその内部に通水路を有し、
テトラクロロシランと水素とを含むガスが内部に供給されトリクロロシランと塩化水素とを含むガスが生成される反応容器を加熱するための発熱装置。 - 金属端子の下端部とカーボン端子の上端部が連結する連結部において、
金属端子が雄ネジ部を有し、
カーボン端子が雌ネジ部を有し、
金属端子とカーボン端子が、雄ネジ部及び雌ネジ部において互いに螺合することを特徴とする請求項1に記載の発熱装置。 - 通水路の底部が金属端子の雄ネジ部まで達していることを特徴とする請求項2に記載の発熱装置。
- カーボン端子の径が金属端子部又は発熱部の1〜2倍であることを特徴とする請求項1に記載の発熱装置。
- カーボン端子及び/又は発熱部には炭化ケイ素被膜を施してなることを特徴とする請求項1に記載の発熱装置。
- 炭化ケイ素被膜が、CVD法により形成された、厚さ10μm〜500μmの炭化ケイ素被膜であることを特徴とする請求項5に記載の発熱装置。
- カーボン端子部及び/又は発熱部のカーボンが黒鉛であることを特徴とする請求項1に記載の発熱装置。
- テトラクロロシランと水素とを含むガスが内部に供給され、トリクロロシランと塩化水素とを含むガスが生成される反応容器と、
反応容器を囲むように配置された請求項1に記載の発熱装置と、
反応容器及び発熱装置を囲むように配置された外筒容器とを備えることを特徴とする反応塔。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2009/051613 WO2010087003A1 (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 発熱装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010087003A1 true JPWO2010087003A1 (ja) | 2012-07-26 |
JP5436454B2 JP5436454B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=42395273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010548331A Active JP5436454B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 発熱装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5436454B2 (ja) |
TW (1) | TW201034955A (ja) |
WO (1) | WO2010087003A1 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5422088A (en) * | 1994-01-28 | 1995-06-06 | Hemlock Semiconductor Corporation | Process for hydrogenation of tetrachlorosilane |
JP4103997B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2008-06-18 | コバレントマテリアル株式会社 | 昇降温ユニット及びこのユニットを用いた昇降温装置 |
JP5205910B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-06-05 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
-
2009
- 2009-01-30 WO PCT/JP2009/051613 patent/WO2010087003A1/ja active Application Filing
- 2009-01-30 JP JP2010548331A patent/JP5436454B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-28 TW TW099102346A patent/TW201034955A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5436454B2 (ja) | 2014-03-05 |
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WO2010087003A1 (ja) | 2010-08-05 |
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