JPS62197487A - 蛍光体の製造方法 - Google Patents
蛍光体の製造方法Info
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カラーディスプレイ管用の長残光性の青色蛍
光体に関するものである。
光体に関するものである。
コンピュータの普及に伴い、入出力端末として精細度が
高いカラーディスプレイ管の需要が急速に増加しつつあ
る。しかし、上記のようなディスプレイ管に通常の短残
光蛍光体を用い、商用周波数でリフレッシュして走査線
の本数だけを増したのでは、画面のちらつきが大きくな
り、端末利用者の疲労が増加する。したがって、画面の
フレーム周波数を増さずに長残光蛍光体を使用する方法
と、短残光蛍光体を用いてフレーム周波数を高くする方
法とが採用されている。後者の場合には、回路、半導体
素子および偏光ヨーク等の部品を必要とし非常にコスト
高になり、その上に技術的な困難さを伴うことになる。
高いカラーディスプレイ管の需要が急速に増加しつつあ
る。しかし、上記のようなディスプレイ管に通常の短残
光蛍光体を用い、商用周波数でリフレッシュして走査線
の本数だけを増したのでは、画面のちらつきが大きくな
り、端末利用者の疲労が増加する。したがって、画面の
フレーム周波数を増さずに長残光蛍光体を使用する方法
と、短残光蛍光体を用いてフレーム周波数を高くする方
法とが採用されている。後者の場合には、回路、半導体
素子および偏光ヨーク等の部品を必要とし非常にコスト
高になり、その上に技術的な困難さを伴うことになる。
そのため、前者の方法がより好ましいとされている。
現在、カラーディスプレイ管においては、３原色の蛍光
体のうち、緑色にはｂ （Ｐ３９．長残光）、赤色にはＺｎ５（ＰＯａ ）２
： Ｍｎ（Ｐ２７．長残光）、青色にはＺｎＳ ： Ａ
ｇ、 Ｃｌ （Ｐ ２２Ｂ、短残光）、あるいはＺｎＳ
： Ａｇ、 Ｍ、 Ｘ （ただしＭ＝Ｇａまたは■Ω
、Ｘ＝ハロゲンまたはＡｊ’）が使われている（特開昭
５８−８３０８４．特開昭５８−８３０８５ 、長谷、
吉田、三上：第２０５回蛍光体同学会講演予稿、９頁〜
１０頁）。また、実用に供されていないが、青色蛍光体
としてＳｒ Ｓｂ、 Ｏ，： Ｍｎが知られティる（
Ｍ、−Ｌ、 Ｙｕ、 Ａ１１ｓａｌｕ：イズヴエスチア
・アカジエミイ・ナウカ・ニス・ニス・ニス−ｘル（Ｉ
ｚｖｅｓｔ、 Ａｋａｄ、 Ｎａｕｋ、 ５ＳＳＲ）２
３ （１９５９）１３４６〜１３４８）。
体のうち、緑色にはｂ （Ｐ３９．長残光）、赤色にはＺｎ５（ＰＯａ ）２
： Ｍｎ（Ｐ２７．長残光）、青色にはＺｎＳ ： Ａ
ｇ、 Ｃｌ （Ｐ ２２Ｂ、短残光）、あるいはＺｎＳ
： Ａｇ、 Ｍ、 Ｘ （ただしＭ＝Ｇａまたは■Ω
、Ｘ＝ハロゲンまたはＡｊ’）が使われている（特開昭
５８−８３０８４．特開昭５８−８３０８５ 、長谷、
吉田、三上：第２０５回蛍光体同学会講演予稿、９頁〜
１０頁）。また、実用に供されていないが、青色蛍光体
としてＳｒ Ｓｂ、 Ｏ，： Ｍｎが知られティる（
Ｍ、−Ｌ、 Ｙｕ、 Ａ１１ｓａｌｕ：イズヴエスチア
・アカジエミイ・ナウカ・ニス・ニス・ニス−ｘル（Ｉ
ｚｖｅｓｔ、 Ａｋａｄ、 Ｎａｕｋ、 ５ＳＳＲ）２
３ （１９５９）１３４６〜１３４８）。
青色蛍光体としてＺｎＳ ： Ａｇ、 Ｃｌを用いた場
合は、上記蛍光体が短残光であるため、他の色との残光
特性の相違により残光の途中で画面の色が側割変化し、
かつ、ちらつき低減効果も少なくなる。
合は、上記蛍光体が短残光であるため、他の色との残光
特性の相違により残光の途中で画面の色が側割変化し、
かつ、ちらつき低減効果も少なくなる。
また、ＺｎＳ ： Ａｇ、 Ｍ、 Ｘを用いた場合には
、上記蛍光体が電流密度の高い所で顕著な輝度飽和を示
すこと、残光特性が輝度レベルの低い長残光成分をもつ
「尾引型」であること、発光色が電流密度によって変化
すること、というような欠点がある。
、上記蛍光体が電流密度の高い所で顕著な輝度飽和を示
すこと、残光特性が輝度レベルの低い長残光成分をもつ
「尾引型」であること、発光色が電流密度によって変化
すること、というような欠点がある。
さらに、５ｒＳｂ２０． ： Ｍｎについては、結晶構
造および発光スペクトルは明らかにされているが、その
他の特性については不明であるため、上記蛍光体を通常
の方法で合成して発光特性を調べてみた。
造および発光スペクトルは明らかにされているが、その
他の特性については不明であるため、上記蛍光体を通常
の方法で合成して発光特性を調べてみた。
その結果、上記蛍光体の発光が指数関数型の長い減衰を
示し、かつその減衰特性が電流密度によって変化しない
こと、色度座標Ｘ ＝ ０．１０． Ｙ＝０．１２５で
飽和度が高い青色であること、輝度飽和現象が比較的少
ないことが明らかになった。しかし、唯一の欠点は輝度
が低いことである。本発明は、上記によりカラーディス
プレイ管用に好適な青色蛍光体の製造方法を得ることを
目的とする。
示し、かつその減衰特性が電流密度によって変化しない
こと、色度座標Ｘ ＝ ０．１０． Ｙ＝０．１２５で
飽和度が高い青色であること、輝度飽和現象が比較的少
ないことが明らかになった。しかし、唯一の欠点は輝度
が低いことである。本発明は、上記によりカラーディス
プレイ管用に好適な青色蛍光体の製造方法を得ることを
目的とする。
上記目的は、（Ｓｒ１−ｕＣａｕ）１．、−ｖＭｎｖＳ
ｂ２０６の合成方法を工夫することによって達成される
。すなわち、Ｓｒ、 Ｃａ、 ＭｎおよびＳｂの酸化物
、もしくは加熱することにより上記各元素の酸化物とな
り得る化合物、さらにフラックースとしてに、ＳＯ４゜
Ｒｂ、ＳＯ４，ＮａｚＳＯ４およびＣｓ、ＳＯ４のうち
、少なくとも１種の化合物を原料として焼成した一般式
％式％ ただし、０ （ｕ （０，１５、０，０３＜ ｖ＜ ０
．３なる蛍光体を得る製造方法において、上記製造方法
は、Ｓｒ化合物、Ｃａ化合物およびＳｂ化合物を混合し
、８００℃ないし１０００℃の空気中で焼成する第１工
程と、上記焼成物を粉砕してＭｎ化合物と７ラツクスと
を加え、１０００°Ｃないし１１００℃の酸化雰囲気中
で焼成する第２工程と、上記焼成物を粉砕後、１１５０
℃ないし１２５０℃の酸化雰囲気中で焼成する第３工程
とを経ることによって達成できる。
ｂ２０６の合成方法を工夫することによって達成される
。すなわち、Ｓｒ、 Ｃａ、 ＭｎおよびＳｂの酸化物
、もしくは加熱することにより上記各元素の酸化物とな
り得る化合物、さらにフラックースとしてに、ＳＯ４゜
Ｒｂ、ＳＯ４，ＮａｚＳＯ４およびＣｓ、ＳＯ４のうち
、少なくとも１種の化合物を原料として焼成した一般式
％式％ ただし、０ （ｕ （０，１５、０，０３＜ ｖ＜ ０
．３なる蛍光体を得る製造方法において、上記製造方法
は、Ｓｒ化合物、Ｃａ化合物およびＳｂ化合物を混合し
、８００℃ないし１０００℃の空気中で焼成する第１工
程と、上記焼成物を粉砕してＭｎ化合物と７ラツクスと
を加え、１０００°Ｃないし１１００℃の酸化雰囲気中
で焼成する第２工程と、上記焼成物を粉砕後、１１５０
℃ないし１２５０℃の酸化雰囲気中で焼成する第３工程
とを経ることによって達成できる。
上記第１工程は、Ｍｎがなイ（Ｓｒ１−ｕＣａｕ）Ｓｂ
２０６を作る工程である。この工程で２価のＭｎ化合物
−エ←（消−１−−Ｌ Ｌ λｌｎ２＋ 講イ
λＪｒ＋４” ｌ−基ムＩし 七 も ユＩ＋が
着色する。そこで、まずＭｎ無添加の母体を合成する。
２０６を作る工程である。この工程で２価のＭｎ化合物
−エ←（消−１−−Ｌ Ｌ λｌｎ２＋ 講イ
λＪｒ＋４” ｌ−基ムＩし 七 も ユＩ＋が
着色する。そこで、まずＭｎ無添加の母体を合成する。
ここでは第２工程以降でＭｎ２＋をドープしやすくする
ために、結晶性が悪い（Ｓｒ１−ｕＣａｕ）Ｓｂ２ｏ、
を作る必要がある。（５ｒ１−ｕＣａｕ）ＳｂｚＯｓは
８００℃以上で生成し始めること、および１０００℃を
こえると結晶性が良くなることから焼成温度範囲を８０
０〜１ｏｏｏ℃に限定した。
ために、結晶性が悪い（Ｓｒ１−ｕＣａｕ）Ｓｂ２ｏ、
を作る必要がある。（５ｒ１−ｕＣａｕ）ＳｂｚＯｓは
８００℃以上で生成し始めること、および１０００℃を
こえると結晶性が良くなることから焼成温度範囲を８０
０〜１ｏｏｏ℃に限定した。
第２工程はＭｎ２＋をドープする工程であるが、１２０
０℃付近で焼成するとＭｎ２＋が酸化されてＭｎ”にな
り着色し効率の低下をきたすので１１００℃より低い温
度で焼成することが望ましい。また１０００”Ｃより低
い温度ではＭｎ２＋の拡散が不十分になる。
０℃付近で焼成するとＭｎ２＋が酸化されてＭｎ”にな
り着色し効率の低下をきたすので１１００℃より低い温
度で焼成することが望ましい。また１０００”Ｃより低
い温度ではＭｎ２＋の拡散が不十分になる。
このことから、第２工程の焼成温度範囲を１０００〜１
１００℃に限定した。上記焼成は酸化雰囲気中で行う。
１００℃に限定した。上記焼成は酸化雰囲気中で行う。
空気中でも焼成可能であるが、酸素を補った空気中にお
いて焼成するのが好ましい。また、フラックスはＭ ｎ
２＋の酸化を防ぎ、かつ拡散を容易にし、加えて母体
の結晶化も促進する。
いて焼成するのが好ましい。また、フラックスはＭ ｎ
２＋の酸化を防ぎ、かつ拡散を容易にし、加えて母体
の結晶化も促進する。
第３工程は結晶化促進の工程である。上記第２工Ｐｌで
枯晶巾１ｒ Ｍｎ計か脛ｔどド−プ六わアいスｆ−め、
１２００℃付近で焼成してもＭｎ の酸化による着色
は生じない。１１５０〜１２５０℃の範囲で焼成するこ
とにより、従来のＺｎＳ二Ａｇｌ Ｇａ、 ｃｌ！より
も輝度の高いものが得られるだめ、上記温度範囲に限定
した。焼成は酸化雰囲気中で行い、第２工程における焼
成と同様に、酸素を補った空気中で行うのがよい。各工
程における焼成時間は３０分前後が適当である。用いる
試薬のうち、特にＭｎ化合物はＭｎ 、 Ｐ２Ｏ，の形
で用いることにより、輝度が高い蛍光体を得ることがで
きる。上記フラックス添加量の最適量は、その代置の４
０〜５０重量％である。
枯晶巾１ｒ Ｍｎ計か脛ｔどド−プ六わアいスｆ−め、
１２００℃付近で焼成してもＭｎ の酸化による着色
は生じない。１１５０〜１２５０℃の範囲で焼成するこ
とにより、従来のＺｎＳ二Ａｇｌ Ｇａ、 ｃｌ！より
も輝度の高いものが得られるだめ、上記温度範囲に限定
した。焼成は酸化雰囲気中で行い、第２工程における焼
成と同様に、酸素を補った空気中で行うのがよい。各工
程における焼成時間は３０分前後が適当である。用いる
試薬のうち、特にＭｎ化合物はＭｎ 、 Ｐ２Ｏ，の形
で用いることにより、輝度が高い蛍光体を得ることがで
きる。上記フラックス添加量の最適量は、その代置の４
０〜５０重量％である。
上記３工程を経た焼成物はフラックスと未反応の微量の
Ｍｎ化合物を含んでいるため、水洗後に稀塩酸、酒石酸
あるいはエチレンジアミン四酢酸で洗滌処理することが
必要である。
Ｍｎ化合物を含んでいるため、水洗後に稀塩酸、酒石酸
あるいはエチレンジアミン四酢酸で洗滌処理することが
必要である。
上記のようにして得られた蛍光体は、例えば（ＳｒＯ，
ｇＭｎｏｌ） Ｓｂ、Ｏｓおよび（ｓｒＯ，８５ｃａＯ
，１５）０．９７ Ｍｎ０ｆ１３Ｓｂｚ○６の電子線励
起（２５ＫＶ、 ０．１５μＡ／ｃ＋（）による輝度は
、ＺｎＳ ： Ａｇ、 Ｇａ、 Ｃ１に較べそれぞれ１
６％および６０チ高かった。
ｇＭｎｏｌ） Ｓｂ、Ｏｓおよび（ｓｒＯ，８５ｃａＯ
，１５）０．９７ Ｍｎ０ｆ１３Ｓｂｚ○６の電子線励
起（２５ＫＶ、 ０．１５μＡ／ｃ＋（）による輝度は
、ＺｎＳ ： Ａｇ、 Ｇａ、 Ｃ１に較べそれぞれ１
６％および６０チ高かった。
上記青色長残光蛍光体と、ＩｎＢＯ３二Ｅｕ、 ＣａＳ
：Ｍｎ、 （Ｃａ、 Ｍｇ） Ｓ ： ＭｎまたはＺ
ｎ３（ＰＯ４）２ ： Ｍｎのうち、いずれかの長残光
性−黄〜赤色蛍光体と組合わせることにより、ちらつき
が少ない白色ディスプレイ管用蛍光体を得ることができ
る。
：Ｍｎ、 （Ｃａ、 Ｍｇ） Ｓ ： ＭｎまたはＺ
ｎ３（ＰＯ４）２ ： Ｍｎのうち、いずれかの長残光
性−黄〜赤色蛍光体と組合わせることにより、ちらつき
が少ない白色ディスプレイ管用蛍光体を得ることができ
る。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明による蛍光体の製造方法により製造した
青色長残光蛍光体Ｓｒｏ、ｇ ＭｎＯ，Ｉ ５ｂ２０６
の残光特性を示す図、第２図は実施例に記載した蛍光体
およびブラウン管の発光色度座標図、第３図はＳｒｌ−
ｖＭｎｖＳｂ２０６における輝度のＭｎ濃度（Ｖ）依存
性を示す図である。
青色長残光蛍光体Ｓｒｏ、ｇ ＭｎＯ，Ｉ ５ｂ２０６
の残光特性を示す図、第２図は実施例に記載した蛍光体
およびブラウン管の発光色度座標図、第３図はＳｒｌ−
ｖＭｎｖＳｂ２０６における輝度のＭｎ濃度（Ｖ）依存
性を示す図である。
実施例Ｉ
Ｓｒ ＣＯ３１，３２８ｇと５ｂ２０Ｓ ３．２３５ｇ
をよく混合し、これをアルミナボートに薄く詰め、空気
中において１０００℃で３０分間焼成する。上記焼成物
にＭｎ２Ｐ２０７−３ ＨｚＯヲ０．１６８８ｇ トに
２ＳＯ４ヲ１８９２ｇ加え、めのう乳鉢で混合し、これ
を１０ｒｒ＋Ｉ！のアルミするつぼに詰め、酸化雰囲気
中において１１００℃で３０分間焼成する。つぎに、上
記焼成物を粉砕してアルミするつぼに詰め、さらに酸化
雰囲気中において１２００℃で３０分間焼成する。上記
焼成物をＫｚ Ｓ Ｏａを除くために水洗し、さらに未
反応であった微量のＭｎ化合物を除去するために、０．
２Ｎの塩酸で処理したのち水洗した。このようにして得
られた蛍光体は、ＳｒＯ，ｇ Ｍｎｏｌ ５ｂ２ｏ６の
組成を有し、電子線励起（２５ＫＶ、 ０．１５μＡ／
ａｊ ’）による輝度は、ＺｎＳ ：Ａｇ、 Ｇａ、
Ｃｌに較べて１６％高かった。従来の長残光青色蛍光体
と残光特性を比較した図を第１図に示す。図におけるｌ
は本実施例によるＳ ｒＱ、９ Ｍ ｎｏ、Ｉ Ｓ ｂ
２０６で、２は従来蛍光体の特性である。なお、第２図
に示す色度座標の３が本実施例の長残光青色蛍光体であ
る。また、Ｓｒｌ−ｖＭｎｖＳｂ２０６における輝度が
Ｍｎ濃度に依存する状態を第３図に示す。
をよく混合し、これをアルミナボートに薄く詰め、空気
中において１０００℃で３０分間焼成する。上記焼成物
にＭｎ２Ｐ２０７−３ ＨｚＯヲ０．１６８８ｇ トに
２ＳＯ４ヲ１８９２ｇ加え、めのう乳鉢で混合し、これ
を１０ｒｒ＋Ｉ！のアルミするつぼに詰め、酸化雰囲気
中において１１００℃で３０分間焼成する。つぎに、上
記焼成物を粉砕してアルミするつぼに詰め、さらに酸化
雰囲気中において１２００℃で３０分間焼成する。上記
焼成物をＫｚ Ｓ Ｏａを除くために水洗し、さらに未
反応であった微量のＭｎ化合物を除去するために、０．
２Ｎの塩酸で処理したのち水洗した。このようにして得
られた蛍光体は、ＳｒＯ，ｇ Ｍｎｏｌ ５ｂ２ｏ６の
組成を有し、電子線励起（２５ＫＶ、 ０．１５μＡ／
ａｊ ’）による輝度は、ＺｎＳ ：Ａｇ、 Ｇａ、
Ｃｌに較べて１６％高かった。従来の長残光青色蛍光体
と残光特性を比較した図を第１図に示す。図におけるｌ
は本実施例によるＳ ｒＱ、９ Ｍ ｎｏ、Ｉ Ｓ ｂ
２０６で、２は従来蛍光体の特性である。なお、第２図
に示す色度座標の３が本実施例の長残光青色蛍光体であ
る。また、Ｓｒｌ−ｖＭｎｖＳｂ２０６における輝度が
Ｍｎ濃度に依存する状態を第３図に示す。
実施例２
ＳｒＣＯｓ １．２１７ｇ、 ＣａＣＯ５０，１４６ｇ
およびＳｂ、０５３．２３５ｇをよく混合し、該混合物
をアルミナボー焼成する。上記焼成物にＭｎ２Ｐ２Ｏ７
・３Ｈ，Ｏを０．０５１ｇとに、 Ｓｏ、を１．８６０
ｇとを加え、めのう乳鉢で混合したのち１０ｍ／のアル
ミするつぼに詰めて、酸化雰囲気中で１１００ ’Ｃ−
３０分間焼成する。ついで上記焼成物を粉砕しアルミす
るつぼに詰め、さらに酸化雰囲気中において１２００℃
で３０分間焼成する。その後の工程を実施例１と同様に
行って得られた蛍光体は（ｓｒｏ、８５ ｃａＯ，１５
）０．９７ Ｍｎ０．０３５ｂ２０６の組成を有し、電
子線励起（２５ＫＶ、 ０．１５μＡ／ｃｙｌ！ ）に
よる輝度はＺｎＳ ： Ａｇ、 Ｇａ、 Ｃｌに較へ６
０係高かった。
およびＳｂ、０５３．２３５ｇをよく混合し、該混合物
をアルミナボー焼成する。上記焼成物にＭｎ２Ｐ２Ｏ７
・３Ｈ，Ｏを０．０５１ｇとに、 Ｓｏ、を１．８６０
ｇとを加え、めのう乳鉢で混合したのち１０ｍ／のアル
ミするつぼに詰めて、酸化雰囲気中で１１００ ’Ｃ−
３０分間焼成する。ついで上記焼成物を粉砕しアルミす
るつぼに詰め、さらに酸化雰囲気中において１２００℃
で３０分間焼成する。その後の工程を実施例１と同様に
行って得られた蛍光体は（ｓｒｏ、８５ ｃａＯ，１５
）０．９７ Ｍｎ０．０３５ｂ２０６の組成を有し、電
子線励起（２５ＫＶ、 ０．１５μＡ／ｃｙｌ！ ）に
よる輝度はＺｎＳ ： Ａｇ、 Ｇａ、 Ｃｌに較へ６
０係高かった。
実施例３
上記実施例同様の手順によって作製された組成が（Ｓｒ
０．８７ Ｃａ Ｏ，＋３ ）０．９ Ｍｎｏ、＋ Ｓ
ｂ２０ｓ テある長残光青色蛍光体（第２図中４）とＣ
ａ０．９９８ ＭｎＯ，ＱＯ３Ｓ （第２図中８）とを
、９：１の重量比で秤取し、十分よく混合したのち、よ
く知られた水ガラス懸濁液中における沈降法によって９
インチ単色ディスプレイ管を作成した。上記ディスプレ
イ管の発光色は色麻古ｖ＝ｎ′２Ｔ；、 Ｖ＝Ｉ”ｌ
ＱＱ （笛９ＰＡ由＋’） ）ｍｎ郭４’ｈＸ白色（Ｐ
ａｐｅｒ Ｗｈｉｔｅ ）で、１０％残光時間は２５ｍ
５であった。ＺｎＳ ： Ａｇ、 Ｃｌ （Ｐ２２Ｂ、
第２図中１１）を青成分として用いた同じ色調の長残光
型ディスプレイ管は、残光の途中で色調が変化したが、
本実施例のディスプレイ管では、発光のピークからその
ｌ／１０に減衰するまでの時間域では色調変化が認めら
れなかった。
０．８７ Ｃａ Ｏ，＋３ ）０．９ Ｍｎｏ、＋ Ｓ
ｂ２０ｓ テある長残光青色蛍光体（第２図中４）とＣ
ａ０．９９８ ＭｎＯ，ＱＯ３Ｓ （第２図中８）とを
、９：１の重量比で秤取し、十分よく混合したのち、よ
く知られた水ガラス懸濁液中における沈降法によって９
インチ単色ディスプレイ管を作成した。上記ディスプレ
イ管の発光色は色麻古ｖ＝ｎ′２Ｔ；、 Ｖ＝Ｉ”ｌ
ＱＱ （笛９ＰＡ由＋’） ）ｍｎ郭４’ｈＸ白色（Ｐ
ａｐｅｒ Ｗｈｉｔｅ ）で、１０％残光時間は２５ｍ
５であった。ＺｎＳ ： Ａｇ、 Ｃｌ （Ｐ２２Ｂ、
第２図中１１）を青成分として用いた同じ色調の長残光
型ディスプレイ管は、残光の途中で色調が変化したが、
本実施例のディスプレイ管では、発光のピークからその
ｌ／１０に減衰するまでの時間域では色調変化が認めら
れなかった。
実施例４
（Ｓ ｒｏ９ｓ Ｃａ Ｏ，０５）０．９ ＭｎＯ，ｌ
Ｓ ｂ２０６ （Ｄ組成を有する長残光青色蛍光体（
第２図中４）とＩｎ０．９６ ＥｕＯ，０４ＢＯ３（第
２図中９）とを重量比１７：１の割合にとってよく混合
した。上記混合物の発光色度座標はＸ＝０．２３ 、
ｙ ＝ ０．２４でライトブルー（第２図中１４）であ
った。この色調はＺｎＳ ： Ａｇ、 Ｃｌ ＣＰ２２
Ｂ ） （７）色調よりも視感度が高（、ディスプレイ
用として需要がある。１０％残光時間は約３５ｍ５で、
残光途中の色調変化は認められなかった。
Ｓ ｂ２０６ （Ｄ組成を有する長残光青色蛍光体（
第２図中４）とＩｎ０．９６ ＥｕＯ，０４ＢＯ３（第
２図中９）とを重量比１７：１の割合にとってよく混合
した。上記混合物の発光色度座標はＸ＝０．２３ 、
ｙ ＝ ０．２４でライトブルー（第２図中１４）であ
った。この色調はＺｎＳ ： Ａｇ、 Ｃｌ ＣＰ２２
Ｂ ） （７）色調よりも視感度が高（、ディスプレイ
用として需要がある。１０％残光時間は約３５ｍ５で、
残光途中の色調変化は認められなかった。
実施例５
（ｓｒｏ、７３ Ｃａ０．２７ ）０．９ ＭｎＯ，ｌ
Ｓｂ２０ｓ （第２図中６）と（Ｚｎ５（Ｐ ０４）
２ ： Ｍｎ ） （Ｐ ２７．第２図中１０）とを１
．５：■の重量比に取り、混合し水ガラス懸濁液中にお
ける沈降法によって９インチ単色ディスプレイ管を作製
した。上記ディスプレイ管の発光色は” Ｐａｐｅｒ
Ｗｈｉｔｅ”（第２図中１２）である。ＩＯ％残光時間
は１００ ｍｓであった。Ｐ２２Ｂを用いた同じ色調の
長残光型ディスプレイ管に較ベルト、本実施例のディス
プレイ管は残光が長く、かつ残光の途中における色調変
化が僅かであった。
Ｓｂ２０ｓ （第２図中６）と（Ｚｎ５（Ｐ ０４）
２ ： Ｍｎ ） （Ｐ ２７．第２図中１０）とを１
．５：■の重量比に取り、混合し水ガラス懸濁液中にお
ける沈降法によって９インチ単色ディスプレイ管を作製
した。上記ディスプレイ管の発光色は” Ｐａｐｅｒ
Ｗｈｉｔｅ”（第２図中１２）である。ＩＯ％残光時間
は１００ ｍｓであった。Ｐ２２Ｂを用いた同じ色調の
長残光型ディスプレイ管に較ベルト、本実施例のディス
プレイ管は残光が長く、かつ残光の途中における色調変
化が僅かであった。
実施例６
（ＳｒＯ，９５Ｃａ０．０５ ） ０．９５ Ｍｎｏ、
ｏｓ Ｓｂ２０６（第２図中４）とｃａｏ、９９９ Ｍ
ｎＯ，ｏｏｌ Ｓ （第２図中８）とを３０＝１の重量
比に取って十分混合し、水ガラス懸濁液中における沈降
塗布法により９インチ単色ディスプレイ管を作製した。
ｏｓ Ｓｂ２０６（第２図中４）とｃａｏ、９９９ Ｍ
ｎＯ，ｏｏｌ Ｓ （第２図中８）とを３０＝１の重量
比に取って十分混合し、水ガラス懸濁液中における沈降
塗布法により９インチ単色ディスプレイ管を作製した。
上記ディスプレイ管の発光色はＸ＝０．２５． ｙ＝０
．２９で表わされる青白色（第２図中１３）であり、１
０係残光時間は３Ｑｍｓであった。従来の同色長残光デ
ィスプレイ管は、青色成分としてＰ２２Ｂを用いており
、色調変化が顕著であるのに対し、本実施例では色調変
化が認められなかった。
．２９で表わされる青白色（第２図中１３）であり、１
０係残光時間は３Ｑｍｓであった。従来の同色長残光デ
ィスプレイ管は、青色成分としてＰ２２Ｂを用いており
、色調変化が顕著であるのに対し、本実施例では色調変
化が認められなかった。
上記のように本発明による蛍光体の製造方法は、Ｓｒ、
Ｃａ、 ＭｎおよびＳｂの酸化物、もしくは加熱によ
り上記元素の酸化物になりうる化合物と、さらにフラッ
クスとしてに２ＳＯ４，Ｒｂ２ＳＯ４，Ｎａ、ＳＯ４お
よびＣ３ｚＳｏ４のうちの少な（とも１種の化合物とを
原料として焼成し、一般式 ％式％ ただし、０ ＜ ｕ ＜ ０．１５．０．０３ ＜ Ｖ
＜ ０．３なる蛍光体の製造方法において、上記製造
方法は、Ｓｒ化合物、Ｃａ化合物およびＳｂ化合物を混
合し、８００℃ないし１０００℃の空気中で焼成する第
１工程と、上記焼成物を粉砕してＭｎ化合物と７ラツク
スとを加え、１０００℃ないし１１００℃の酸化雰囲気
中で焼成する第２工程と、上記焼成物を粉砕後、１１５
０℃ないし１２５０℃の酸化雰囲気中で焼成する第３工
程とからなることにより、上記（Ｓｒ、−ｕＣａｕ）＋
−ｖＭｎｖＳｂ２０ｇ蛍光体の輝度を大きく向上し、
上記蛍光体を用いることにより、ちらつきが少なく、し
かも青色輝度が従来より高いカラーディスプレイ残光性
の赤〜黄色蛍光体と組合わせて、ちらつきが少ない白色
ディスプレイ管用蛍光体を得ることができる。
Ｃａ、 ＭｎおよびＳｂの酸化物、もしくは加熱によ
り上記元素の酸化物になりうる化合物と、さらにフラッ
クスとしてに２ＳＯ４，Ｒｂ２ＳＯ４，Ｎａ、ＳＯ４お
よびＣ３ｚＳｏ４のうちの少な（とも１種の化合物とを
原料として焼成し、一般式 ％式％ ただし、０ ＜ ｕ ＜ ０．１５．０．０３ ＜ Ｖ
＜ ０．３なる蛍光体の製造方法において、上記製造
方法は、Ｓｒ化合物、Ｃａ化合物およびＳｂ化合物を混
合し、８００℃ないし１０００℃の空気中で焼成する第
１工程と、上記焼成物を粉砕してＭｎ化合物と７ラツク
スとを加え、１０００℃ないし１１００℃の酸化雰囲気
中で焼成する第２工程と、上記焼成物を粉砕後、１１５
０℃ないし１２５０℃の酸化雰囲気中で焼成する第３工
程とからなることにより、上記（Ｓｒ、−ｕＣａｕ）＋
−ｖＭｎｖＳｂ２０ｇ蛍光体の輝度を大きく向上し、
上記蛍光体を用いることにより、ちらつきが少なく、し
かも青色輝度が従来より高いカラーディスプレイ残光性
の赤〜黄色蛍光体と組合わせて、ちらつきが少ない白色
ディスプレイ管用蛍光体を得ることができる。
第１図は本発明による蛍光体の製造方法により製造した
青色長残光蛍光体の残光特性を示す図、第２図は実施例
に記載した蛍光体およびディスプレイ管の発光色度座標
図、第３図は上記青色長残光蛍光体における輝度のＭｎ
濃度（ｖ）依存性を示す図である。 代理人弁理士 中 村 純 之 助 第１図 第２図 Ｘ 値 第３図 Ｍｎ ３度（Ｖ）
青色長残光蛍光体の残光特性を示す図、第２図は実施例
に記載した蛍光体およびディスプレイ管の発光色度座標
図、第３図は上記青色長残光蛍光体における輝度のＭｎ
濃度（ｖ）依存性を示す図である。 代理人弁理士 中 村 純 之 助 第１図 第２図 Ｘ 値 第３図 Ｍｎ ３度（Ｖ）
Claims (2)
- １．Ｓｒ，Ｃａ，ＭｎおよびＳｂの酸化物、もしくは加
熱により上記元素の酸化物になりうる化合物と、さらに
フラックスとしてＫ＿２ＳＯ＿４，Ｒｂ＿２ＳＯ＿４，
Ｎａ＿２ＳＯ＿４およびＣｓ＿２ＳＯ＿４のうちの少な
くとも１種の化合物とを原料として焼成した一般式 （Ｓｒ＿１＿−＿ｕＣａ＿ｕ）＿１＿−＿ｖＭｎ＿ｖＳ
ｂ＿２Ｏ＿６ただし、０≦ｕ≦０．１５，０．０３≦ｖ
≦０．３なる蛍光体の製造方法において、上記製造方法
は、Ｓｒ化合物、Ｃａ化合物およびＳｂ化合物を混合し
、８００℃ないし１０００℃の空気中で焼成する第１工
程と、上記焼成物を粉砕してＭｎ化合物とフラックスと
を加え、１０００℃ないし１１００℃の酸化雰囲気中で
焼成する第２工程と、上記焼成物を粉砕後、１１５０℃
ないし１２５０℃の酸化雰囲気中で焼成する第３工程と
からなることを特徴とする蛍光体の製造方法。 - ２．上記Ｍｎ化合物は、Ｍｎ＿２Ｐ＿２Ｏ＿７であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載した蛍光体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3821986A JPS62197487A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3821986A JPS62197487A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 蛍光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62197487A true JPS62197487A (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=12519192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3821986A Pending JPS62197487A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62197487A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554129B2 (en) | 2004-06-10 | 2009-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8070984B2 (en) | 2004-06-10 | 2011-12-06 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Luminescent material |
| US9209162B2 (en) | 2004-05-13 | 2015-12-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor |
| US11322484B2 (en) | 2006-03-31 | 2022-05-03 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
-
1986
- 1986-02-25 JP JP3821986A patent/JPS62197487A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9209162B2 (en) | 2004-05-13 | 2015-12-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor |
| US10186642B2 (en) | 2004-05-13 | 2019-01-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor |
| US10672956B2 (en) | 2004-05-13 | 2020-06-02 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor |
| US10916684B2 (en) | 2004-05-13 | 2021-02-09 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor |
| US11605762B2 (en) | 2004-05-13 | 2023-03-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor |
| US7554129B2 (en) | 2004-06-10 | 2009-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8066909B2 (en) | 2004-06-10 | 2011-11-29 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8070984B2 (en) | 2004-06-10 | 2011-12-06 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Luminescent material |
| US8070983B2 (en) | 2004-06-10 | 2011-12-06 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Luminescent material |
| US11322484B2 (en) | 2006-03-31 | 2022-05-03 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
| US12009348B2 (en) | 2006-03-31 | 2024-06-11 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
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