JPS61137244A

JPS61137244A - 光カ−ド

Info

Publication number: JPS61137244A
Application number: JP60151978A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Takita; 多気田　満; Wataru Kuramochi; 倉持　渉
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1985-07-10
Filing date: 1985-07-10
Publication date: 1986-06-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は光カードに関し、さらに詳しくは、新規な光記
録材料を有し、高密度の情報を書込むことの可能なＲＯ
Ｍ　（ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ　ｍｅｍｏｒｙ）型光カード
に関する。

〔発明の技術的前頭ならびにその問題点］従来、クレジ
ットノＪ−ド、バンクカードなどのカード類に埋設され
る記録材料としては、磁気材料が主として用いられてき
た。この磁気Ｉｎは、情報の書込みならびに読出しが容
易に行なえるという利点はあるが、反面、情報の改憲が
容易に行なわれ、しかも高密度記録ができないという問
題点があった。

ところで、上記のような問題点を解決するため、感光材
にパターン露光を施こして、未露光部である光透過部と
露光部である遮光部とを形成することによって、感光材
に情報を書込み、この情報を光透過度の差異にＪ：って
読取るようなタイプの光記録材料が提案されている。こ
のＪ：うな光記録材料をカード基材に埋込んでカード用
記録材料として用いようとする場合には、以下のような
問題点がある。

（ａ）カード基材は、その表面に種々の印刷を施こす場
合が多く、このためにはカード基材は不透明であること
が好ましい。ところが上記のよう−な光記録拐オ′８１
を埋込むためには少なくとも基材の一部を光透過性にす
る必要があり、このこと【、１カードの製造上著しく不
利にしている。

（ｂ）上記のようイｆ記録４Ａ判で（ま、光透過部おＪ
：び遮光部におりる光透過性の相違を充分大ぎくＪ−る
ことがｔｌｌかしく、しかも光透過度の相違によりｔ８
込まれた情報を読出そうとする場合には、カード表面の
汚れに大ぎく左右されるという問題点があった。

このため光透過度の相違にＪｚる情報の読出しで（３１
なく、光反射率の相違ににり情報を読出そうとする試み
もある。たとえば、銀粒子をゼラヂンマ１−リックス中
に分散してなる記録層を右するカード類が提案され−Ｃ
いる。この記録層への情報の書込みは、レーリ“ビーム
を記録層に照則し−Ｃ記録ピッ１〜を形成して行なわれ
ている。この記録層は＝１−アイング法ににり連続的に
製造でき、しかも銀を用いることによって広い波長域に
わたって均一な反射室が冑られ、種々の波長のレー量ア
ビームを用いた記録再生装置への適用が可能であるとい
う利点を有している。しかしながらこの記録層に、写真
的手法で記録を行なう場合には、光反射性と解像性とを
同時に向」二ざけることは囲動であり、たとえば現像時
間を長くするど光反Ｑ４竹は向上するが、記録部（露光
部）が太る傾向が認められ解像性が低下してしまう。逆
に現像時間を短かく覆ると解像性は向上するが光反射性
が不充分になってしまうという問題点があった。

〔発明の目的〕

本発明は、これら従来技術に伴なう問題点を解決しよう
とするものであって、以下のＪ：うな目的を有する。

（ａ）高密度記録が可能で、しかも書込まれた情報の改
奈が困難である光記録材料を右Ｊる光カードを提供する
こと。

（ｂ）書込まれた情報を、光透過率の相違ではなく、光
反射率の相違に基いて読出すことができる光記録材料を
右する光カードを提供すること。

（ｃ）記録層に書込まれるべき情報の一部を、シー１ア
ビームの照（Ｊににらずパターン露光などの１１１産可
能／ｒ方法により行２Ｚうことができ、したがって製造
［稈の簡素化が可能で、しかし大ｆＦｉ生産ならびにｌ
ス１〜ダウンが可能な光記録＋Ａ利を有刃る光カードを
提供すること。

〔発明の概要）本発明に係る光カードは、カードＢ−＜　４４上に、光
記録材料が設【りられでいる光カードであって、＋１７
ｒ記光記録材斜は、（ａ）光記録月別用基材と、（ｂ）
この光記録材料用阜月下面に設（づられた、光透過部お
よび遮光部からなる記録層と、（ｃ）この記録層下面に
設置ｊられた、反射性金属薄膜層とからなり、この光記
録材１１は、カード基材−にに前記金属薄膜層が接する
Ｊｚうに設（プられていることを特徴としている。

この光カードに設【Ｊられた光記録材わ１は、記録層に
すでに情−報が出込まれており、記録層に書込まれた情
報の読出（〕は、光カードの保護層側から記録再生光を
窯口１し、反則光の強電と位相変化とを関連づけて検出
づ゛ることににつて行イ１われる。

〔発明の詳細な説明〕

以下本発明に係る光カードを、図面に示す具体例により
説明する。

本発明に係る光カード１は、その断面図が第１図に示さ
れるように、カード基材２」−に、光記録材料３が設り
られて形成されている。この光記録材料３（ま、（ａ）
光記録月別用基材１と、（ｂ）この基材下面に設（プら
れた、光透過部５および遮光部６からなる記録層７と、
（ｃ）この記録層７下面に設けられた反射性金属薄膜層
８とから構成されており、この光記録材料はカード基材
２上に金属薄膜層８が接するように設けられている。

場合によっては、光カード１０表面上に磁気記↓ 膜層９が設けられていてもよい。また、必要に９一つで
は、ＩＣメモリー、写真、彫刻画像、文字、マーク、イ
ンプリントと称する浮き出し文字などを、光カードの表
面にイノ１設してもよい。このようにすることにより、
１枚のカードで種々の再生方式に対応でき、また偽造が
より効果的に防止できる。

Ｊ、た別の具体例におりる光カード１は、その断面図が
第２図に示されるように、光記録材料用基材４の全面で
はなく一部表面−［〕に、記録層７おにび金属薄膜層８
が設【ノられている。

カードｕ　）ｊＡ−２としては、通常のカードのｌｊ％
　４４どして用いることがでさるあらゆる′４Ａ　利が
用いられつる７、具体的には、ポリ塩化ビニル、塩化ビ
ニル／酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
メタクリル酸メヂルなどのアクリル系（ｎ合体、ポリス
チレン、ポリビニルブチラール、アヒヂルセルロース、
スチレン７ブタジェン共車合体、ポリ］ニヂレン、ポリ
プロピレン、ポリエーテル−１〜などが用いられる。場
合によって（：１、鉄、ステンレス、アルミニウム、ス
ズ、銅、亜鉛などの金属シー１へ、合成紙、紙なども用
いられうる。ざらに、上記のｊ：うな材料の積層体も用
いられる。

光記録）ｒＡ　ｌ’ｉ＋　３は、（ａ）光記録材料用ｍ
　材４と、（ｂ）この基材下面に設（）られた、光透過
部５および遮光部６からなる記録層７と、（ｃ）この記
録層７の下面に設けられた、反則性金属薄膜層８とから
構成されているが、以下に各層について詳細に説明する
。

光記録材料用基材４としては、光透過性であるガラス、
セラミック、紙、プラスチックフィルム、織布、不織布
などなどあらゆるタイプの月利が用いられうるが、生産
性および平滑性の点からガラスあるいはプラスデックフ
ィルムが好ましい。プラスチックとしては、セルロース
誘導体、ボリニＵステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ビニル系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポ
リエーテル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂な
どを用いることができ、寸法安定性および平滑性の点か
らセルローストリアレテート、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリイミドなどが特に好ましい。これら基材５に
は、必要に応じて、コロナ放電処理、プラズマ処理、プ
ライマー処理などの接着性改良のための前処理をしても
よい。

記録部７は、光透過部５お」；び遮光部６から構成され
ている。この記録部７は、たとえば未露光部が光透過性
となり露光部が遮光性となる感光材をパターン露光し、
次いで現像することによって形成される。場合によって
は、未露光部が遮光性となり、露光部が光透過性どなる
感光材をパターン露光し次いで現像することによって、
記録部７を形成してもよい。

感光材は、たとえば（イ）バインダーとしての透明樹脂
、（ロ）ジアゾ基またはアジド基を右Ｊる光分解性の現
像抑制剤おＪ：び（ハ）還元されて金Ｂ坦像核どなる金
属錯化合物または金属化合物から構成されている。この
感光材においては、バインダーとしての透明樹脂１００
重量部に対して、ジアゾ基またはアジド基を有する光分
解性の現像抑制剤は１〜１００重量部好ましくは２０〜
５０重Ｍ部の吊で存在し、還元されて金属現像核となる
金属錯化合物または金属化合物は０．１〜１００重聞部
好ましくは１〜１０重量部の量で存在している。上記の
現像抑制剤、金属錯化合物または金属化、合物は、バイ
ンダーどしての透明樹脂中に溶解あるいは分散されてい
るが、好ましくは溶解されている。

透明樹脂としては、親油性あるいは親水性の透明樹脂の
いずれもが使用できる。親油性透明樹脂としては、ポリ
酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル／アクリル酸エステル共重
合樹脂、アクリルＲ／酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン
／酢酸ビニル共重合樹脂などのエステル基を有する樹脂
、酢酸１２ルロースなどの水酸基を有する樹脂、カルボ
ン酸基あるいはスルホン酸基を含む変性酢酸ビニル系樹
脂などが挙げられる。

また、光記録特性上はピー１〜モードで変形する性質を
有するニトロセルロースなどのセルロース誘導体をこれ
らの親油性透明樹脂に添加することも高感度化のために
有効である。

また、親水性の透明樹脂としては、ゼラチン、カゼイン
、グルー、アラビアゴム、セラックなどの天然高分子化
合物、カルボキシメヂルセルロース、卵白アルブミン、
ポリビニルアルコール（部分ケン化ポリ酢酸ビニル）、
ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロ
リドン、ポリエチレンオキシド、無水マレイン酸共重合
体などの合成樹脂が用いられるが、水溶＋１ないし親水
（４樹脂である限りにおいて１．ト記以外のものも使用
可能である。バインダーとしての親水性透明樹脂には、
この透明樹脂により感光８層を形成して物■〒現像液と
接触さゼる際に、物理現像液が感光月層に浸透して物理
現像が司能どなる程麻の親水ｆ１を有することが好まし
い。

また光記録特性上はヒーｉ〜モードで変形し易い１！１
−質のある、二１〜ロｔ？ルロースなどの低分子吊物を
エタノール溶解して上記の親水性透明樹脂に添＋Ｊｒｌ
　ｉ−ることも有効である。

現像抑制剤どしては、ジアゾ基またはアジド具を右Ｊる
化合物が用いられる。ジアゾ基を有する化合物どしては
、ジアゾ基を右する塩化亜鉛複塩ｂｔ、＜はホウフッ化
塩、またはこれらの化合物どバラホルムアルデヒドより
１９られる縮合生成物である化合物が好ましい。より具
体的には、Ｉ）−Ｎ。

Ｎ−ジエヂルアミノベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩
、Ｄ−Ｎ−エヂルーＮ−βヒドロキシエヂルアミノベン
Ｕンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−モルフォリノ−２
，５−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、
４−−Ｅルフォリノ−２゜５−ジブトキシベンゼンジア
ゾニウム塩化亜鉛複塩、４−ベンゾイルアミノ−２，５
−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−
（／Ｉ’−メトキシベンゾイルアミノ）−２，５−ジェ
トキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−（１）
−ｔ−ルイルメルカプト）−２，５−ツメ１〜キシベン
ゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−ジアゾ−４′　−
メトキシジフェニルアミン塩化亜１ｉｌｆｉ？Ｊｕ塩、
４−ジアゾ−３−メトキシ−ジフェニルアミン塩化亜鉛
複塩などのジアゾ基を有する塩化亜鉛複塩もしくは以上
のにうな塩化亜鉛複塩の代わりに上記のホウフッ化塩、
硫酸塩、リン酸塩イＴども使用できる。

アジド基を有する化合物としては、ｐ−アジドアセトフ
ェノン、４，４′　−ジアジドカルコン、２．６−ビス
−（４１−アジドベンザル）−アセトン、２，６−ビス
−（４′　−アジドベンザル）−シクロヘキサノン、２
．６−ビス＝（４′　−ア〜　　１１　− シトベンザル）−４−メヂルシク［１ヘキザノン、２．
６−ビス（４′−アジドスチリル）−アセ１〜ン、アジ
ドピレンなどが使用できる。ジアゾ基もしくはアジド基
を右Ｊ゛る限り上記以外の化合物ら使用することもでき
、また、上記したジアゾ基もしくはアジド基を右Ｊ−る
化合物を仔意に２種１ス上併用して使用することもでき
る。

なおジアゾ基を右づ”る化合物を用いる場合には、この
化合物を安定化さＵる安定化剤を用いるとよく、有機カ
ルボン酸や有機スルホン酸がこの安定化剤として用いる
ことができ、より実際的に（；１ｐ−トルエンスルホン
酸などを用いることが好ましい。

次に還元されて金属現像核となる金属錯化合物もしくは
金属化合物について説明する。

まず、還元されて金属現像核どなる金属錯化合物と１）
では、パラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の錯化
合物が用いられ、これらの金属に対し電子ドナーとなる
配位子としては通常知られているものを用いることがで
きる。具体的には、下記のような金属♀１１重合化が用
いられる。

ビス（エチレンジアミン）パラジウム（Ｉ［）塩、ジク
ロロエチレンジアミンパラジウム（ＩＩ）塩、ジクロロ
（エチレンジアミン）白金（Ｖ）塩、テｌ〜ラクロロジ
アンミン白金（ＴＶ）塩、ジクロロビス（エチレンジア
ミン）白金（ＩＶ）塩、テトラエヂルアンモニウム銅（
ＩＩ）ｍ、ビス（エチレンジアミン銅（ＩＩ）塩。

さらに金属の錯化合物を形成する配位子どしては、２力
所以上で配位して環状構造をとるいわゆるキレート化剤
を用いると、形成される金属錯化合物の安定性が高いた
めに好適である。キレ−１〜化剤としては第１級、第２
級もしくは第３級アミン類、オキシム類、イミン類、ケ
トン類を挙げることができ、より具体的にはジメチルグ
リオキシム、ジチゾン、オキシン、アセチルアセトン、
グリシン、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、
ウラミルニ酢酸などの化合物が用いられる。

上記のキレート化剤を用いたものとしては、ビス（２，
２’　　−ビピリジン）パラジウム（Ｉｆ）塩、ビス（
７）ｔ′！デルアセトナート）パラジウム（ＩＩ　）、
ビス（Ｎ、Ｎ−ジエチルエヂレンジアミン＞　ｉ：ｈｈ
（ＩＩ）塩、ビス（２，２’　　−ビピリジン）銅（Ｈ
）塩、ビス（１，１０−フエナン１へ［ｌリン）銅（Ｔ
Ｉ）塩、ビス（ジメチルグリオキシマー１−　）銅（Ｉ
Ｉ）、ビス（アセデルアレ１ヘナー１〜）銅（■）、ビ
ス（アセデルアレ１ヘナー１〜）白金（ＴＩ　）などが
りｆＪ：しい。

還元されて金属現像核を！ｊえる金属化合物どしては、
パラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の塩化物、硝
酸塩などの水溶性塩などの金属化合物が用いられ、具体
的には無電解メッキのアクチベーター液中に含まれる塩
化パラジウム、硝酸根、四塩化水素金などの塩が好まし
いが、このうちパラジウムの塩が特に好ましい。

上述のにうな、（イ）バインダーどしての清明樹脂、（
ロ）ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現像抑
制剤および（ハ）還元されて金属現像核となる金属錯化
合物または金属化合物は、バインダーとしての透明樹脂
に応じて選択された溶剤とともに混合されて、塗布に適
した粘度である１０〜１０００センチポイズを有する感
光ＩＪ層形成用塗布液とされる。この感光材層形成用塗
布液は、光記録材料用基材５上に通常０．１〜３０μｍ
の膜厚に塗布されて感光材層が形成される。

バインダーとしての透明樹脂を溶解する溶剤としては、
種々の溶剤が使用できるが、親水性透明樹脂を用いる場
合には、水あるいは水と低級アルコール、ケトン、エー
テルなどの水混和性溶媒との混合溶剤が用いられる。ま
た、親油性透明樹脂を用いる場合には、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロピルアルコールなどの
低級アルコール類、アセトン、メチルエチルケトンなど
のケトン類、酢酸エチル、酢酸ロブデルなどのエステル
類、メチルセロソルブなどの極性の高い溶剤が好ましく
用いられる。

なお、親水性の透明樹脂を用いる場合には、感光材層を
形成後、物理現像処理中の現像液へのバインダーなどの
溶出を抑制するため、硬膜処理を行うことが望ましい。

硬膜処理は、たとえば下記化合物を感光イオ形成用塗布
液中に透明樹脂１００部に対して０．１〜５０部の量で
予じめ混合するか、あるいは下記化合物の水溶液をすで
に形成された感光拐層上に塗布することにより行なうこ
とができる。

カリ明パン、アンモニウム明パンなどのＡｆＪ化合物；
クロム明パン、硫酸クロムなどのＯｒ化合物：ホルムア
ルデヒド、グリオキザル、グルタルアルデヒド、２−メ
チルグルタルアルデヒド、リークシナルデヒドムどのア
ルデヒド類−〇−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、シ
クロヘキサン−１，２−ジオン、シクロペンタン−１，
２−ジオン、ジアセチル、２，３−ペンタンジオン、２
゜５−ヘキセンジオン、２，５−ヘキセンジオンなどの
ジグ１〜ン：トリグリシジルイソシアヌル酸塩などのエ
ポキシド；テ１〜ラフタロイルクロリド、４．４′　−
ジフェニルメタンジスルフオニルクロリド、４．４’　
　−ジフェニルメタンジスルフオニルクロリドなどの酸
無水物；タンニン酸、没食子酸、２，４−ジクロロ−６
−ヒドロキシ−８−ト一　　１６　　− リアジン、ならびに一般式Ｒ２ＮＰＯＸ２、Ｒ−Ｎ＝Ｃ
＝Ｎ−Ｒ’　　（ここでＲは炭素２〜６のアルキル基、
Ｒ′は（ｃＩ−１’）　　Ｎ”　　（ｃＩ−１３）３Ｘ
−基、ＸはＦまたはＣ，０、ｎは１または２〉で表わさ
れるリン化合物またはカルボジイミド：スチレン／マレ
イン酸共重合体、ビニルピロリドン／マレイン酸共重合
体、ビニルメチルエーテル／マレイン酸共重合体、■チ
レンイミン／マレイン酸共重合体、メタクリル酸／メタ
クリロニトリル共重合体、ポリメタクリルアミド、メタ
クリル酸エステル共重合体などの樹脂類、グルタル酸、
コハク酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸、アスパラギン酸
、ゲルコール酸、酒石酸など。

このようにして、光記録材料用基材４上に設（プられた
感光材層をパターン露光し、次いで現像して、未露光部
である光透過部５および露光部である遮光部６とからな
る記録層６を形成づる。パターン露光は、たとえばホト
マスクなどのマスクを介して行なうことができる。

また照射光をビーム状に集光して感光材層に直接照射し
てパターン状に遮光部６を形成することもできる。

記録層７におりる光透過部５および遮光部６ににすｂた
らされる画像情報は、情報ぞのらのあるいは情報を読取
る際に、１〜ラツキングおよびプレフオーマットとして
の働きをしている。

感光材層にお【プる露光部では、ジアゾ基またはアジド
基を右Ｊ゛る光分解性の現像抑制剤は、露光量に応じて
分解されて潜像が形成される。

露光に際して使用される光源としては、ジアゾ基もしく
はアジド基を有する化合物を分解しうる光源ならば任意
に用いることができ、通常超高圧水銀灯が好ましく用い
られる。

上記のようなパターン露光ににリンアゾ基もしくはアジ
ド基を右する化合物の分解により形成された潜像を、還
元剤水溶液と接触させて金属現像核を発生させる。なお
未露光部では、ジアゾ基Ｊｊたはアジド基を右する現像
抑制剤は分解されていないため、還元剤水溶液と接触し
ても金属現像核は発生ゼずそのまま光透過部として残存
している。

この際用いられる）９元剤どしては、塩化第１スズ、硫
酸第１スズ、水素化ホウ素す１〜リウム、ジメチルアミ
ンボラン、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボ
ラザンなどのボラザン系化合物、ボラン、ジボラン、メ
チルジボランなどのボラン系化合物、ヒドラジンなどが
用いられる。このうち、酸性塩化第１スズ溶液、硫酸第
１スズ溶液（ｗｅｉｓｓ液）あるいは市販の無電解メッ
キ用のセンシタイザ−液などが特に好ましいが、一般に
は、強ノコな還元剤であればＪ−べて使用できる。

次いで、このようにして得られた金属現像核と物理現像
液とを接触させると、物理現像液中に含まれる金属が還
元されて、前記金属現像核を中心として析出し、遮光部
６が形成される。

物理現像液としては、水溶性の被）？九個金属塩および
還元剤を含む水溶液が、低温または必要に応じて加温し
た状態で使用される。

被還元性金属塩としては、たとえばニッケル、コバル１
−１鉄おＪ：びクロムなどのＶｌｔ）１１ｊ金属、銅な
どのＩｂ族金属の水溶性塩が単独でまた【、Ｌ混合して
使用される。また一旦銅塩溶液で物理現像した後、塩化
第一錫や硫酸錫で置換メッキを行い錫ないし錫・銅系の
金属層を得ることも可能である。これらの中でも安全性
、保存性を考虞するとニッケル、銅、錫が好ましい。但
し、蒸着と異なり原料の純瓜、メッキ安定化剤などから
少足の異種金属やリン、イオウなどの元素が混入づ−る
ことはあり得るが、特に光記録材料としての特性に影響
を与えるものではない。

適当な水溶性の被還元性金属塩としては、具体的には以
下のものが用いられる。

塩化第一コバルト、ヨウ化第−コバルト、臭化第一鉄、
塩化第一鉄、臭化第ニクロム、ヨウ化第ニクロム、塩化
第二銅などの重金属ハライド：硫酸ニッケル、硫酸第一
鉄、硫酸第一コパルｌ〜、硫酸第ニクロム、硫酸第二銅
などの重金属硫酸塩；硝酸ニッケル、硝酸第一鉄、硝酸
第一コパル］〜、硝酸第ニクロム、硝酸第二銅などの重
金属硝酸塩：フェラスアセテート、コバルタスアセテ−
１・、クロミックアセテート、キューブリックフォルメ
ートなどの金属の有ｉ酸塩。

これら被還元性重金属塩は物理現像液中にたどえばゴ０
〜１００ｇ／ｎの量で含まれることが好ましい。

還元剤としては、たとえば次亜リン酸、次亜リン酸ナト
リウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ホルマ
リン、ジメチルアミンボラン、ジメチルアミンボラン、
トリメチルアミンボラン、ボラン、ジボラン、メチルジ
ボラン、ジボラザン、ボラザン、ボラジン、ｔ−ブチル
アミンボラザン、ピリジンボラン、２，６−ルヂジンボ
ラン、エチレンジアミンボラン、ヒドラジンジボラン、
ジメチルホスフィンボラン、フェニルホスフィンボラン
、ジメチルアルシンボラン、フェニルアルジン小ラン、
ジメチルスヂビンボラン、ジエチルスヂビンボランイｆ
どが使用できる。

これらの〕甲九九は、物理現像液中に、たとえば０．１
へ・５０　’７　／βのｈｌで用いられることがａ了：
Ｉ：しい。

物理現像液中には、前記した被還元ｆ１重重金属！ｌｌ
ｉの溶解にＪ、り牛成覆る重金属イオンが水酸化物どじ
で沈澱するのを防止覆るために、たとえばモノカルボン
酸、ジカルボン酸、リンゴ酸、乳酸などのヒト［１キシ
カルボン酸；］ハク酸、り］ニン酸、アスパラギン酸、
グリ−」−ル酸、酒石酸、エヂレンジアミンテ］ヘラ酢
品焚、グルコン酸、枦１酸、二１ニーン酸などの有機カ
ルボン酸からなる銘塩化剤の一部又は二種以−Ｌを含ま
せることができる。これら１１１塩化剤は、物理現像液
中にたとえば１〜１００ｇ／Ｒの量で用いられることが
０７ましい。

さらに、物理現像液には、現像液の保存性および操作性
ならびに１ｑられる両像の質を改善するために、酸おに
び塩基などのρ１−１調節剤、緩衝剤、防腐剤、増白剤
、界面活性剤などが常法に従い必要に応じて添加される
。

この添加剤のうち、アンモニア系でｐ　ｌ−（を上げる
と特に感光材表面に光沢が１：′ｌやすくなるためｐｌ
−１調節剤どしてアンモニウム塩、またはアンモニウム
塩とアンモニアとからなるｐｌ−１調節剤を用いること
が特に好ましい。

また、物理川伝は、次亜リン酸ナトリウム還元剤を用い
た６５℃から９０℃の高温ニッケルメッキ浴または同メ
ッキ浴中で高速メッキ条イ４１下で行ってもよい。この
際１りられた画像を、たとえば塩酸５％または硝酸の５
％の水溶液で５分間程度処理することにより光透過部の
透明樹脂を一部選択的に除去することもできる。

また、感光材どしては、上述のような透明樹脂、現像抑
制剤、金属１ｊ１化合物なたは金属化合物からなる系の
ほかに、（イ）ハロゲン化銀、ドライシルバー（登録商
標）などの有機銀塩に代表される銀塩系ｊｆＡＦ＋、（
ロ）ジアゾニウム塩どカプラーとの組合せ系、（ハ）カ
ルバ−フィルム（登録商標）、ＰＤプロセス（０録商標
）月１′１１などに代表されるジアゾ系月利、（ニ）ア
クリル七ツマ−、ポリビニルケイ皮酸などに代表される
光重合型光橋か（）型のフＡ１−ポリマー系月ｌｉｔ、
　（ホ）１〜ナー像を形成づ゛るＣｄＳ、７ｎＱ、ポリ
ビニルカルバゾールなどの電子写真感光体あるいはその
転写体、（へ）７０ス１〜像を形成するり一−モブラス
ヂックス電子写真感光体などの電子写真感光体′」、（
１−）ロイコ染料と四臭化炭素との組合せ系、（ヂ）ダ
イラックス（登録商標）コバル１〜銘体とロイコ染料と
の組合せ系、（す）シュウ酸第二酸と鉄塩どの組合ぜ系
、（ヌ）スピロピラン、モリブデンタングステン化合物
などの顔料または色素の画像を形成づる月利などが用い
られうる。

上記の感光材のうら、ある種のものは露光部が遮光性と
なり未露光部が光透過性であるが、またある種のものは
露光部が光透過性となり未露光部が遮光性である。いず
れにしても露光した後に必要に応じて現像することによ
って゛、光透過部分ど遮光部分とからなる記録を行ない
うるにうな感光材であれば使用できる。

＝　　２４　− このような感光材への照射光としては、紫外線、可視光
線、赤外線、Ｘ線、電子線などが用いられうる。

次に、上記のようにして形成された、光透過部５および
遮光部６とからなる村記膜層７」−に、反射性金属薄膜
層８を形成する。

反射性金属簿膜層は、Ｃｒ、Ｔｉ、ｌＴｅ、　ｃｏ。

Ｎ　ｉ、　Ｃｕ、Ａｏ、Ａｕ、ＧｅＸＡＩＪ、Ｍｑ。

３ｂ、ｌｅ、ｐｌ）、ｐｄ、Ｃｄ、Ｉ３　ｉ、３ｎ、Ｓ
ｅ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｒｈなどの金属を単独もしくは２種以
上組合せて用いて形成される。

Ａｊ　、Ｎ　ｉ、Ａ（Ｊ、ＡＵなどの特に光反射性に優
れた金属あるいは合金により反則性金属薄膜層を形成す
ることが好ましい。

このような反射性金属薄膜層を記録層上に形成するには
、上記のような金属あるいは合金を準備し、これをスパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、
電気メツキ法などの従来既知の方法によって記録層上に
成膜すればにい。この反射性金属薄膜層の膜厚は、２０
０〜１０００人であることが好ましい。場合にＪ一つで
は、上記金属からなる多層膜たとえば（ｎｉｌ桑と−「
Ｃ膜との多層膜も反則性金属薄膜として用いられる。ま
た、」−記金属と有機化合物または無は酸化物との蝮合
物たどえばＴｅ−Ｃｌ−１、Ｔｅ−Ｃ８２、Ｔｅ−スヂ
レン、５ｎ−８Ｏ２、Ｇｅ５−３ｎ、３　ｎ　３−８な
どの薄膜あるいは５ｉ０２／Ｔｉ／Ｓ！０２／Ａρなど
の多層膜も反射性金属なり膜として用いられうる。

さらに、シアニンなどの色素を凝集さゼて光反則性を与
えた薄膜、二１ヘロレルロース、ポリスブレン、ポリエ
チレンなどの熱可塑性樹脂中に色素：したは銀イブどの
金属粒子を分散させたもの、あるいはこの熱可塑性樹脂
の表面に色素または金属粒子を凝集させたｂのなどが反
身・ｊ性金属薄膜として用いられうる。

さらにまた、エネルギービームの照ローにｊ：り相転移
が生じてその反０４率が変化する、Ｔｅ酸化物、Ｓｂ酸
化物、ＭＯＭ化物、Ｇｅｍ化物、■酸化物、Ｓｍ酸化物
、あるいはｌ−ｅ酸化物−Ｇｅ、Ｔｅ−８ｎなどの化合
物が、反射性金属薄膜どして用いられうる。

また、カルコーゲンあるいは発色型のＭ２Ｏ３−ＣｕＸ
ＭＯＯ３−３ｎ−Ｃｕが反射性金属薄膜どして用いられ
、場合によっては泡形成型の有機薄膜と金属薄膜との多
層体も反射性金属簿膜として用いられうる。

さらに光磁気記録材料であるＧ　ｄ　Ｇ　Ｏ。

ＴｂＣｏ、ＧｄＦｅ、ＤＶＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＦｅＢ１、ＴｂＤＶＦｅ、ＭｎＣｕＢ１なども反射
性金属薄膜として用いられうる。

上記のような各種のタイプの反射性金属薄膜を組合せて
用いることも可能である。

次に本発明に係る光カードの製造方法について説明する
。

まず上述のようにして、光記録材料用具村上に記録層お
よび金Ｂ薄膜層を設（プ光記録材別を形成する。この光
記録材料用基材は、光カードとして組立てられた場合に
、カード保護層としての役割をも果している。

次に、カード基材と光記録材料用基材とを、光記録材ｒ
１の金属薄膜層がカード累月ど接するように、熱接着剤
などの接着剤層を介して重ね合わせた後、９０〜１５０
℃程麿に加熱された熱ロールイ１とにて圧着Ｊ′ること
にＪ：り光カードを製造でさ−る。

場合によっては、以下のＪ：うにして光カードを製造す
ることもできる。すなわち光記録材料用具村上に、親水
性樹脂をバインダーとして含む記録層および金Ｂ７ｆＪ
膜層を、；Ωけた後、反則性金属薄股上に、アクリル樹
脂４Ｔどの保護膜をスクリーン印刷などにより塗布し、
この部分を耐水性とする。

この際光記録材料用基材の周辺縁部には保護膜は設【Ｊ
ｈい。次いでこの光記録材料を渇水に浸漬し、保護膜の
設置−１られていない部分の親水性樹脂を除去した後乾
燥づ−る。

一方、白色ポリ塩化ビニルフィルムなどのカード基Ｈに
は、必要に応じて、熱プレス法などにＪ：って光記録材
料の記録層および金属薄膜層を嵌込むための四部を形成
するとともに表面に接着剤層を設ける。

次に、光記録材料とカード基材とを、光記録材料の金Ｒ
薄膜層がカード基材と接するようにして重ね合わせ、熱
ロールなどにて圧着することにより光カードを製′３告
できる。

本発明に係る光カードに書込まれた情報の読出しは、反
射性金属薄膜層を溶融させない程度の低エネルギーのエ
ネルギービームあるいは白色光、タングステン光などを
レンズなどを介して光カードの保護層側から光透過部お
よび遮光部からなる記録層ならびに金属薄膜層上に集光
して照射し、反射光の強度と位相変化とを関連づけて検
出することによって行なわれる。

記録層における遮光部は、前述のように金属現像核を中
心にその付近に金属が析出して黒色に近い色調に形成さ
れているため、この遮光部に読出し用照射ビームが照射
されると、照射ビームはこの部分で吸収されて反射率は
小さくなる。一方光透過部では照射ビームにあまり吸収
されずに反射性金属薄膜層に達するため、この光透過部
における反ＯＪ率は大ぎい値どなる。

ごのようにして、記録層にＡ３４−Ｊる遮光部と光透過
部の反身・ｉ率の相違を位相変化と関連づ【ノてｉｌ”
ｉＬ出ることににつて、本発明に係る光カードに書込４
１゜れた情報を読出Ｊことができる。

〔発明の効果］本発明に係る光カードは、感光剤層からなる記録層およ
び反則性金属薄膜層を含む光記録＋Ａ利を有するので、
以下のよう４【効果を右覆る。

（ａ）磁気記録月利と比較して、【、１、るかに高密度
記録が可能で、しかし書込まれた情報の改奈が君しく困
ｖｌｌである。

（ｂ）光記録月利に書込まれた情報を、光反則率の相違
にＬ本いて読出すことかできる。

（ｃ）光記録月利の記録層への情報の書込Ｊノを、レー
ザビームの前用によらず、パターン露光などの量産可能
４Ｔ方法により行ないうる。

（ｄ）感光剤どじ−Ｃ１透明樹脂、現像抑制剤、金属層
化合物または金属化合物からなる系を用いる場合には、
明室での操作が可能となる。

実施例１光カードを形成Ｊ−る際に用いられる光記録＋Ｊ　Ｉ＋
を以下のようにして作成した。

予じめ下引ぎ処理をした膜厚３００　ｕ　ｍのポリカー
ボネートフィルム十に、３５℃に保たれた下記組成の感
光材層形成用塗布液をミ１７バー４ｔ　３６により塗布
した後、５℃に冷却レフ１−シた。次いで３０℃で乾燥
し、さらに４０℃で１２時間硬膜化処理を施して、阜拐
上に感光材層を形成した。

感光材層形成用塗布液の塗布量は、乾燥時で４ｇ／ｄで
あった。

感光材形成用塗布液相ＩＪ。

ゼラチン（Ｐ−２１５１新田ゼラチン製）８％水溶液　
　　　　　　　　　：２５．０７ＰｄＣ，０２塩酸々性
水溶液（レッドラコ−マー１０倍液　日本カニゼン製）
　　　　：１７１．０ｇ４−モル７Ａリノ−２，５−ジ
ブ１ヘキシベンゼンジアゾニウムホウフツ化塩、（大束
化学製Ｄ　Ｉ−１３００Ｂ　Ｆ　ｕ　）　　２％ＤＭＦ
溶液：３．０ｇＰ−ジアゾジフェニルアミンホウフッ化塩とバラホルム
アルデヒドとの縮合生成物　５％ＤＭＦ溶液　　　　　
　　　　　：０．７９Ｎ、Ｎ’　　−ジメチロールウレ
ア　５％水溶液：０．５ｇ次に、このようにして形成された感光材面と、巾５μｍ
のラインを１０μｍピッデス１へライブ状にネガティブ
にパターニングしたフォ１−マスクのマスク面とを密着
させ、フォ（へマスク側から超高圧水銀灯（３ＫＷ、距
離１ＴｒＬ）で６０秒間露光した。露光量は、３６５１
ｍで５０　ｍｊ／　ｃｉであった。

この際使用したフＡ１へマスクパターンは、アドレスお
よびガイドラインがレイアラ１〜されてなるデータが自
律５μｍの円形ドブ１〜列として表わされている。

次いで上記のＪ：うにしてパターン露光された感光材層
を下記組成の処理液（Ａ）、（Ｂ）に、この順序でそれ
ぞれ４０秒、１００秒浸漬したく処理温度２５℃）。

（Ａ）シバニッケル（奥野製薬製）ホウ素系還元剤　　　　　　　　：０．５９硫酸ニツケ
ル　　　　　　　　　：　　３．０！Ｊクエン酸すトリ
ウム　　　　　　：　　１．０９水　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　：９５．　５９硫酸ニ
ツケル　　　　　　　　　：９．（１次亜リン酸ナトリ
ウム　　　　　：　　７．０７ＮＨ３水溶液（２８％）
　　　　　：６．５ｇクエン酸プ川用リウム　　　　　
　　：ｉｏ、、ｏｙ水　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　：６７．　５　ｇしかる後、水洗、
乾燥して、光透過部と遮光部に相当する黒色のポジティ
ブパターンとを右づる記録層を得た。

上記のようにしてパターニングされた記録層上に、Ａｆ
Ｊを膜厚１５００Ａになるように蒸着して反射性金属薄
膜層を形成して光記録月利を得た。

この際Ａ（膜は記録層の周辺縁部には形成しなかった。

この光Ｍｅ録月別の反射性金属簿膜層には情報を書込ま
ず、記録層にＨ）込まれた情報を読出Ｊタイプのｂので
ある。

次に反射性金属薄膜層上に、アクリル樹脂（三菱レーヨ
ン、ダイ１７ナール１Ｒ９０）を保護膜どしてスクリー
ン印刷法により設（Ｊた。

次いでこのようにして１７られた光記録４Ａわ１を渇水
に浸漬し、保護＋＋！、＋の設けられていない部分のげ
ラヂン層を除去した後乾燥しで、光記録＋Ａわ１用基祠
表面の全面ではｔｒ＜中心部のみに記録層および金属薄
膜層が設（ｊられた光記録月利を作成した。

一方、カード基材としての白色ポリ塩化ビニル（厚さ／
、　ＯＯｔｌｍ　）と、上記のように作成した光記録月
利どを、光記録材料の金属薄膜層がカードＭ月と接する
ようにしで、接着剤であるエポＶシ樹脂を介して重ね合
わ氾、ロール’ｔＴどにより圧着して光カードを製造し
た。

実施例２］−記組成の感光（１層形成用塗布液を調製し、これを
膜厚３００　ｔｔ　ｍのボリアＪ−ボネー１〜フィルム
（帝人化成）にワイヤーバー甘１２を用いて塗布し、８
０℃のオーブンで乾燥し、膜厚４　ｆｔ　ｍの感光材層
を形成した。

感光材層形成用塗布液組成アクリル酸／酢酸ビニル共重合樹脂（］−ポニールＰｃ　−５０Ｍ　（１−１）　、日本合
成化学工業製）　２０％エタノール溶液：２０ｙ４−モルフォリノ−２，５−ジブ１〜キシベンゼンジア
ゾニウムボウフツ化塩、（Ｎｏ１１ＢＦｕ　　レシペケ
ミカルＭ）　　１０％ＭＥＫ溶液　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　：３．ＯｇＰｄＣｆＪ　
溶Ｈ（Ｐｄ　（１１：　ｍＪ’ＡＭ　：　エタ、／一ル
ー０．１：５：１００）　　　：１０ｙポリエチレンオ
キザイド（ＰＥＯ−３、製鉄化学製）　１％エタノール
溶液　　：２．０ｔｊＰ−トルエンスルホンＭ　５％エ
タノール溶液：：　　１．Ｏｇ次に、このにうにして形成された感光材面と、［１］５
μｍのラインを１０μｍピッチストライプ状にネガティ
ブにパターニングしたフォトマスクのマスク而とを密盾
させ、フォトマスク側から超高圧水銀灯（３Ｋ　Ｗ　、
距Ｉｔ　Ｉ　Ｔｎ、）で６０秒間露光］ノだ。

露光量は、３６５　ｎｍｒ　５０　ｍｊ／　ｃＭテあっ
た。

次いで上記のようにしてパターン露光された感光材層を
、下記組成の処理液（Ａ）、ＣＢ）にこの順序でそれぞ
れ４０秒、ｉ　ｏ　ｏ　ｓ浸漬したく処理温度２５°Ｃ
）。

（Ａ）シバニッケル（奥野製薬製）ホウ素系還元剤　　　　　　　　：０．５Ｓｌ硫酸ニツ
ケル　　　　　　　　　：３．０！７クエン酸す１〜リ
ウム　　　　　　：　　１．０ｇ水　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　：９５．　５　ｇ硫酸
ニッケル　　　　　　　　　：９．Ｏｇ次亜リン酸ナト
リウム　　　　　ニア、０ｙＮ＋−１３水溶液（２８％
）　　　　　：６．５グクエン酸す１−リウム　　　　
　　　：１０．Ｃ１水　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　：６７．　５　ｇしかる後、水洗乾
燥して、光透過部と遮光部に相当する黒色のポジティブ
パターンとを有する記録層を得た。

この際使用したフォトマスクパターンは、アドレスおよ
びガイドラインがレイアウトされてなるデータが直径５
μｍの円形ドツト列として表わされている。

上記のようにしてパターニングされた記録層上にＡ、ｌ
ｌを膜厚１５００Ａになるように蒸着して反射性金属薄
膜層を形成して光記録材料を得た。

この光記録材料の反射性金属薄膜層には情報を書込まず
、簗」記録層に書込まれた情報を読出すタイプのもので
ある。

次に、この光記録材料が埋設された光カードに、カード
保護層側から、レーザダイオード（７９００Ａ）のビー
ムを照射して１記録層の遮光部に相当する黒色層をガイ
ドラインとして円形ドツト列の反射光を読取ったところ
、マスク原版のデータ入力信号と同じであることが確認
された。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明に係る光カードの断面図
である。１・・・光カード、２・・・カード基材、３・・・光記
録材図面の１１′１古（内容に変更なし）へ　１　ｚら２　囚手続　ン市　正　１）　（方式）％式％２、発明の名称光　　カ　　−　　ド３、補正をする者事件どの関係　　特許出願人（２８９）大日本印刷株式会社４、代　理　人　（郵便番号１００）昭和６０年１１月６日（発送口　昭和６０年１１月２６日）６、補正の対象図面。７、　補正の内容図面の浄書（内容に変更なし）。

Claims

【特許請求の範囲】

１、カード基材上に、光記録材料が設けられている光カ
ードであって、前記光記録材料は、（ａ）光記録材料用
基材と、（ｂ）この光記録材料用基材下面に設けられた
、光透過部および遮光部からなる記録層と、（ｃ）この
記録層下面に設けられた、反射性金属薄膜層とからなり
、この光記録材料は、カード基材上に前記金属薄膜層が
接するように設けられていることを特徴とするＲＯＭ型
光カード。