[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPS59175214A - Generating circuit of two-phase synchronizing signal - Google Patents

Generating circuit of two-phase synchronizing signal

Info

Publication number
JPS59175214A
JPS59175214A JP58049927A JP4992783A JPS59175214A JP S59175214 A JPS59175214 A JP S59175214A JP 58049927 A JP58049927 A JP 58049927A JP 4992783 A JP4992783 A JP 4992783A JP S59175214 A JPS59175214 A JP S59175214A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
level
circuit
mosfet
signal
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58049927A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0212412B2 (en
Inventor
Kazuo Yamaguchi
一夫 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP58049927A priority Critical patent/JPS59175214A/en
Publication of JPS59175214A publication Critical patent/JPS59175214A/en
Publication of JPH0212412B2 publication Critical patent/JPH0212412B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/15Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors
    • H03K5/151Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors with two complementary outputs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

PURPOSE:To realize small power consumption, high-speed operation, and a circuit suitable for compact IC formation and to set the period between active periods of a two-phase synchronizing signals to minimum safety length by controlling two series circuits of P channel and N channel MOSFETs by a four- phase signal generating circuit. CONSTITUTION:An input basic clock signal phi is inputted to the four-phase signal generating circuit 61 to generate the 1st or 4th four-phase control pulse, which is applied to gates of P channel MOSFETs 53 and 57, and N channel MOSFETs 55 and 58 to obtain two phase clock signals phi1 and phi2 at output terminals 52 and 56. Those MOSFETs 53 and 55, and 57 and 58 are not turned on at the same time, so the power consumption is reduced to realize the high integration and high-speed operation; and the period between periods where the two-phase clock signals phi1 and phi2 are at a level ''1'' is set to the minimum safety length without any difficulty in circuit designing.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は相補MO8型集積回路装置内に設けられる2
相同期信号発生回路に関し、特に1相の同期信号からこ
の同期信号と同一の周波数を持つ2相の基本同期信号を
発生する2相同期信号発生回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a complementary MO8 type integrated circuit device.
The present invention relates to a phase synchronization signal generation circuit, and particularly to a two-phase synchronization signal generation circuit that generates two-phase basic synchronization signals having the same frequency as a one-phase synchronization signal from a one-phase synchronization signal.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

従来、入力基本クロック信号φから、これと同一周波数
でかつ互いに能動レベル(たとえばNチャネルMO8F
ETの場合には″1#レベル、PチャネルMO8FET
の場合には“0″レベル)の期間が重ならな込様に位相
をずらせた2相のクロック信号を発生する回路として/
/′i第1図のような回路がある。
Conventionally, the input basic clock signal φ has the same frequency as the input basic clock signal φ and is at an active level (for example, an N-channel MO8F
In case of ET, ``1# level, P channel MO8FET
As a circuit that generates two-phase clock signals whose phases are shifted in such a way that the periods of "0" level overlap in the case of /
/'i There is a circuit as shown in Figure 1.

第1図に示す従来の2相同期信号発生回路は、入力基本
クロック信号φを反転するインバータ21、偶数個のイ
ンバータを縦列接続してなシ上記インバータ1ノの出方
信号を所定時間遅延する遅延回路12、この遅延回路1
2の出方信号と上記インバータ11の出方信号とが並列
的にそれぞれ入力されるNOR+″−ト13よびNAN
D f−ト14.上記NOR’i”−ト13からの出力
信号を反転して2相のうちの一方のクロック信号φlを
出力するインバータ15および上記N遍ダート14から
の出力信号を反転して2相のうちの他方のクロック信号
φ2を出力するインバータ16から構成されている。こ
の回路では第2図のタイミングチャートに示すように、
遅延回路12における信号遅延時間を利用して(i号φ
1の“O″レベル期間信号φ2の”1″レベル間と重な
らないようKしている。
The conventional two-phase synchronous signal generation circuit shown in FIG. 1 includes an inverter 21 that inverts the input basic clock signal φ, an even number of inverters connected in series, and delays the output signal of the inverter 1 by a predetermined time. Delay circuit 12, this delay circuit 1
2 and the output signal of the inverter 11 are respectively input in parallel to the NOR+''- gate 13 and NAN.
D f-t14. An inverter 15 inverts the output signal from the NOR'i'' gate 13 and outputs the clock signal φl for one of the two phases, and an inverter 15 inverts the output signal from the NOR'i'' gate 14 to output the clock signal φl for one of the two phases It consists of an inverter 16 that outputs the other clock signal φ2.In this circuit, as shown in the timing chart of FIG.
By using the signal delay time in the delay circuit 12,
K is set so that the "O" level period of 1 does not overlap with the "1" level period of the signal φ2.

ところが、この回路では信号−<’Hzφ鵞の負荷容量
の駆動能力を考慮して、遅延回路12における信号遅延
時間を十分に設定する必要があル、回路設計が容易では
ない。また、信号−石一。
However, in this circuit, it is necessary to set a sufficient signal delay time in the delay circuit 12 in consideration of the driving ability of the load capacitance of the signal -<'Hzφ, and the circuit design is not easy. Also, signal - Ishiichi.

φ冨の負荷容量に差がある場合には、この信号φl 、
φ2の0”レベル期間と″1″レベル期皿との間の期間
(両者がともに能動レベルとならない期間であり、以降
この期間をオフ・オフ期間と称する)が確実にとれなく
なるという欠点がある。
If there is a difference in the load capacitance of φ, this signal φl,
There is a drawback that the period between the 0" level period and the "1" level period of φ2 (this is a period in which both are not at the active level, and this period will be referred to as the off-off period hereinafter) cannot be secured reliably. .

第3図および第5図はそれぞれ、第1図回路の欠点であ
る回路設計の困難性およびオフ・オフ期間が確実にとれ
ないということを解消したさらに従来の2′相同期信号
発生回路の回路図である。第3図の回路は、NORゲー
ト2ノとこのNO1’l’ −ト21の出力端に縦列接
続される2個のインバータ22.23と、NORダート
24とこのNORゲート24の出力端に縦列接続される
2個のインバータ25.26とで79217121回路
11を構成し、このフリラグフロッグ回路11の一方入
力信号として入力基本クロック信号φを入力し、また他
方入力信号として信号φをインバータ28を介して入力
するようKしたものである。そして2相のクロック信号
φl 、φ2はフリラグフロッグ回路工27の出力信号
として得られる。
Figures 3 and 5 respectively show circuits of a conventional 2' phase synchronous signal generating circuit that overcomes the drawbacks of the circuit in Figure 1, namely the difficulty in circuit design and the inability to ensure off-off periods. It is a diagram. The circuit of FIG. 3 consists of two inverters 22 and 23 connected in series to the output terminals of the NOR gate 2 and the output terminal of the NOR gate 21, and two inverters 22 and 23 connected in series to the output terminal of the NOR gate 24 and the output terminal of the NOR gate 24. The two connected inverters 25 and 26 constitute a 79217121 circuit 11, and the input basic clock signal φ is input as one input signal of this free-lag frog circuit 11, and the signal φ is input as the other input signal to the inverter 28. This is the one that was set to be input via the K. Two-phase clock signals φl and φ2 are obtained as output signals of the free-lag frog circuit 27.

この回路では、信号φ1 、φ鵞の“0ルベルを互いに
確認した後に信号φ2 、φ里が@1ルベルに変わるよ
うに動作する。このため、信号φl 、φ2の負荷容量
に差があっても、N0Rr−ト21または24へ部分と
2個のイン・々−タ22,23または25.26の2段
分の計3段分のダート遅延時間がオフ・オフ期間として
自動的に確保される。したがって、回路設計の困難性を
伴なわずにオフ・オフ期間を確実にとることができる。
This circuit operates so that the signals φ2 and φ change to @1 level after mutually confirming the "0 level" of the signals φ1 and φ2. Therefore, even if there is a difference in the load capacitance of the signals φ1 and φ2, , a total of three stages of dirt delay time is automatically secured as an off-off period, including the part to the N0Rr gate 21 or 24 and the two stages of the two inverters 22, 23 or 25.26. Therefore, an off-off period can be ensured without any difficulty in circuit design.

なお、第4図に第3図回路のタイミングチャートを示す
Incidentally, FIG. 4 shows a timing chart of the circuit shown in FIG. 3.

第5図の回路は第3図回路中のNORダート21.24
(D代シにNAND ?−ト29,30をそれぞれ用い
て前記フリラグフロツノ回路υを構成したものであシ、
2相の出力クロック信号(fis、d’tの゛1″″レ
ベルを互いに確認した後に信号石、「が“O”レベルに
変わるように動作する点が異なっている。そしてこの回
路の動作は第6図のタイミングチャートに示す通シであ
る。
The circuit in Figure 5 is the NOR dart 21.24 in the circuit in Figure 3.
(The above-mentioned free-lag floating circuit υ is constructed by using NAND gates 29 and 30 in the D-side, respectively.
The difference is that after mutually confirming the "1" level of the two-phase output clock signals (fis and d't), the signal stone "changes to the "O" level.The operation of this circuit is as follows. This is the sequence shown in the timing chart of FIG.

上記のように、第3図および第5図の従来回路では第1
図回路の持つ欠点を解消し得る。ところが、この両回路
では次のような問題点がある。
As mentioned above, in the conventional circuits of FIGS. 3 and 5, the first
It is possible to eliminate the drawbacks of the diagram circuit. However, both of these circuits have the following problems.

近年、LSIの大規模化に伴ない消費電力の問題がでて
きておシ、特に低消費電力を特長とするCMO8型のL
SIが注目されている。クロック信号発生回路をCMO
8LSIに内蔵させる場合を考えた場合、クロック信号
の出力動作が停止しているときにLSIではほとんど電
力は消費されない。
In recent years, the problem of power consumption has arisen as LSIs have become larger in scale.In particular, CMO8 type L, which features low power consumption,
SI is attracting attention. CMO clock signal generation circuit
Considering the case where it is built into an 8LSI, almost no power is consumed in the LSI when the clock signal output operation is stopped.

ところが、クロック信号が出力されているときにはCM
O8LSIといえども電力は消費される。とシわけ、ク
ロック信号発生回路はLSIの中で最も高い周波数で常
時動作しているだけK、この部分における消費電力は大
きい。一方、0M08回路における消費電力は次の2つ
に大別されることがよく知られている。第1は内部容量
の充放電電流や種々のリーク電流によるものであり、第
2は直列接続されているPチャネルおよびNチャネルM
O8FETのスイッチング時に両MO8FETが共にオ
ンし、電源間に直流電流経路が生じてここに流れる電流
(貫通電流)Kよるものである。
However, when the clock signal is output, the CM
Even though it is an O8LSI, power is consumed. In particular, the clock signal generation circuit always operates at the highest frequency in the LSI, and the power consumption in this part is large. On the other hand, it is well known that the power consumption in the 0M08 circuit can be roughly divided into the following two types. The first is due to charging/discharging current of internal capacitance and various leakage currents, and the second is due to P channel and N channel M connected in series.
This is due to the fact that both MO8FETs are turned on when the O8FET is switched, a DC current path is created between the power supplies, and a current (through current) K flows there.

リーク電流によるものは別として上記各電流による消費
電力は、周波数が高い程大きくなる。
The power consumption due to each of the above-mentioned currents, apart from that due to leakage current, increases as the frequency increases.

このため、たとえばマイクロコンビーータシメテムのよ
うに高速、高周辣動作が要求されるものに使用されるC
MO8LSIでは、その消費電力が問題となpつつある
。一方、LSIが大規模化される稚内部クロックライン
の負荷容量が増大し、内部基本りpラフ信号を発生する
駆動MOSトランジスタとしては電流駆動能ガが大きく
寸法も大きなものが必要となシ、また高速動作を行なう
ためにも駆動MO8)ランジスタのl1m値(コンダク
タンス)は大きくする必要がある。このような情況にお
いて、上記第3図あるいは第5図回路中の最終段のイン
バータ23.26それぞれを構成するMOSFETの7
7m値を大きくして上記のようなLSIの大規模化、高
速化に対処しようとすると、結局、前段のインバータ2
2.25の負荷容量を増すことKなる、すると、インバ
ータ23.26の入力信号波形がなまってしまい、各イ
ンバータ23.26それぞれで前記貫通電流が流れる期
間が長くなシ、しかもインバータ23 、26内のMO
SFETの1m値も大きくされているので、この両イン
バータ23.26それぞれにおける消費電力は大きなも
のとなってしまう。
For this reason, C is used in devices that require high-speed, high-frequency operation, such as microconverter systems.
The power consumption of MO8LSI is becoming a problem. On the other hand, as the scale of LSI increases, the load capacity of internal clock lines increases, and the drive MOS transistors that generate the internal basic p rough signals need to have large current drive capacity and large dimensions. Furthermore, in order to perform high-speed operation, it is necessary to increase the l1m value (conductance) of the drive MO8) transistor. In such a situation, 7 of the MOSFETs constituting each of the final stage inverters 23 and 26 in the circuit of FIG. 3 or FIG.
If you try to increase the 7m value to cope with the increase in the scale and speed of the LSI as described above, you will end up with the inverter 2 in the previous stage.
If the load capacity of 2.25 is increased, the input signal waveform of the inverters 23 and 26 becomes dull, and the period during which the through current flows in each of the inverters 23 and 26 becomes long. MO within
Since the 1m value of the SFET is also increased, the power consumption in each of the two inverters 23 and 26 becomes large.

そこで上記両インバータ23.26への入力信号波形の
なまシを防止するために前段のインバータ22.25内
のMOSFETの1m値も大きくすれば、各2段のイン
バータ22と23および25と26それぞれのダート遅
延時間が十分に確保できない。これによって信号φ1と
φ2あるいは信号「とφ2それぞれのオフ・オフ期間が
短かくなってしまい、安全な最小のオフ・オフ期間がと
れなくなってしまう。
Therefore, in order to prevent the input signal waveforms to the two inverters 23, 26 from becoming distorted, if the 1m value of the MOSFET in the previous stage inverter 22, 25 is also increased, the inverters 22 and 23 and 25 and 26 in each of the two stages It is not possible to ensure sufficient dart delay time for each dart. As a result, the off-off periods of the signals φ1 and φ2 or the signals ``and φ2'' become shorter, making it impossible to maintain a safe minimum off-off period.

このためにさらに従来では、第7図に示すように、前記
第5図回路中のそれぞれ1個のインバータ22.25の
代シに、それぞれ偶数個のインバータを縦列接続して構
成されるグリバッファを兼ねた遅延回路31.32を設
けることによって十分な遅延時間を得るようにしている
For this purpose, conventionally, as shown in FIG. 7, in place of each inverter 22, 25 in the circuit of FIG. 5, an even number of inverters are connected in series to form a grid buffer. A sufficient delay time is obtained by providing delay circuits 31 and 32 which also serve as the two functions.

しかしながら、この回路でも本質的に最終段のインバー
タzj 、 xi;における貫通電流を解消する仁とは
できず、また各段のインバータ内のMOSFETの1m
値および遅延回路31.32内のインバータの段数等を
貫通電流や遅延時間を考慮して設計する必要があシ、回
路設計が困難である。
However, even this circuit cannot essentially eliminate the through current in the final stage inverters zz, xi;
It is necessary to design the values and the number of inverter stages in the delay circuits 31 and 32 in consideration of through current and delay time, which makes circuit design difficult.

上記第1図、第3図、第5図および第7図に示す従来回
路は、いずれの場合も入力基本クロック信号φと周波数
が等しい2相のクロック信号φ1とφ2.φ1とφ!あ
るいはφ1とφ2を発生するためのものであるが、入力
基本クロック信号φを順次分周した信号を用いて2相り
ロック信号を作シ出す方式も考えられる。この方式によ
る従来回路にはたとえば第8図に示す構成のものがある
。この回路性シフトレジスタやカウンタ等を用いた分周
回路41によ多入力基本クロック信号φを分周して2相
の信号を作シ、それぞれの信号をノリバッファ用のイン
z4−夕42.43それぞれを介して駆動用のインバー
タ44.45それぞれに供給することによって2相のク
ロック信号φ1 、φ宜を作っている。この回路で作ら
れる信号φl 、φ、のオフ・オフ期間は、第9図のタ
イミングチャートに示すように入力基本クロック信号φ
の・やルス幅あるいは周期を利用して形成されている。
In each case, the conventional circuits shown in FIGS. 1, 3, 5, and 7 have two-phase clock signals φ1 and φ2, which have the same frequency as the input basic clock signal φ. φ1 and φ! Alternatively, although it is for generating φ1 and φ2, it is also conceivable to generate a two-phase lock signal using signals obtained by sequentially frequency-dividing the input basic clock signal φ. A conventional circuit based on this system has a configuration shown in FIG. 8, for example. The multi-input basic clock signal φ is frequency-divided by the frequency dividing circuit 41 using this circuit-based shift register, counter, etc. to produce two-phase signals, and each signal is input to a Nori buffer input 42. By supplying the driving inverters 44 and 45 through the respective driving inverters 44 and 43, two-phase clock signals φ1 and φ are generated. The off-off period of the signals φl and φ generated by this circuit is as shown in the timing chart of FIG.
It is formed using the width or period of the wave.

ところがこの回路においても貫通電流が発生する。、し
かも2相のクロック信号φ1 、φ2のオフ・オフ期間
は、入力基本クロック信号φによって決定されてしまい
、必要以上に長くなってしまうおそれがある。このオフ
・オフ期間は、2相のクロック信号φl 、φ2が供給
されるCMO8回路においてたとえばシフトレノスタ等
が含まれる場合にクロックによるデータのレーシング誤
動作(データのつき抜は現象)を防止するため、あるい
はダイナミック回路におけるグリチャージやディスチャ
ージの干渉による誤動作防止のために設けられているも
のである。そしてこの両クロックイに号φX 、φ=に
基づいて動作する回路の動作速度からみれば、上記オフ
・オフ期間は上記誤動作が発生しない安全な長さでかつ
最小であることが望ましい。
However, even in this circuit, a through current occurs. Moreover, the off-off period of the two-phase clock signals φ1 and φ2 is determined by the input basic clock signal φ, and there is a possibility that it becomes longer than necessary. This off-off period is used to prevent data racing malfunction (data leakage is a phenomenon) caused by the clock when the CMO8 circuit to which the two-phase clock signals φl and φ2 are supplied includes, for example, a shift reno star, or This is provided to prevent malfunctions due to interference between grid charges and discharges in dynamic circuits. In view of the operating speed of the circuit that operates based on the signals .phi.

〔発明の目的〕 この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
、その目的は、消費電力が少なくかつ高速動作および高
集積化に適し、しかも回路峻計の困難さを伴なわずに2
相同期信号の能動期間相互の間の期間を安全な長さの最
小に設定し得る2相同期信号発生回路を提供することに
ある。
[Object of the Invention] This invention was made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to provide a method that consumes less power, is suitable for high-speed operation and high integration, and is free from the difficulty of circuit design. Zuni 2
An object of the present invention is to provide a two-phase synchronization signal generation circuit that can set the period between active periods of phase synchronization signals to the minimum safe length.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明によれば、高電位供給端子と2相りロック信号
のうちの一方が出力される第1の出力端子との間にPチ
ャネルの第1のMQSFETを挿入し、上記第1の出力
端子と低電位供給端子との間にNチャネルの第2のMQ
SFETを挿入し、上記高電位供給端子と2相りロック
信号のうちの他方が出力される第2の出力端子との間に
Pチャネルの第3のMQSFETを挿入し、上記第2の
出力端子と上記低電位供給端子との間にNチャネルの第
4のMQSFETを挿入し、1つの同期信号が入力され
上記各MO8FETのダートに供給される第1ないし第
4のMQSFETのff−)に各々供給される第1ない
し第4の4相の制御信号を発生する4相信号発生回路を
設け、上記4相檜号発生回路で発生される第1の制御信
号の0”レベルの期間が第2の制御信号の“1″レベル
の期間とは重ならず、かつ第3の制御信号の0”レベル
の期間が第4の制御信号の1”レベルの期間とは重なら
ないようにされた2相同期信号発生回路が提供されてい
る。
According to this invention, a P-channel first MQSFET is inserted between the high potential supply terminal and the first output terminal to which one of the two-phase lock signals is output, and the first output terminal an N-channel second MQ between
A third P-channel MQSFET is inserted between the high potential supply terminal and the second output terminal to which the other of the two-phase lock signals is output, and the second output terminal A fourth N-channel MQSFET is inserted between the terminal and the low potential supply terminal, and one synchronizing signal is input to the ff-) of the first to fourth MQSFETs that are supplied to the dart of each MO8FET. A 4-phase signal generation circuit is provided to generate the first to fourth four-phase control signals to be supplied, and the 0" level period of the first control signal generated by the four-phase signal generation circuit is a second period. The two-phase homologous control signal does not overlap with the "1" level period of the control signal, and the 0" level period of the third control signal does not overlap with the 1" level period of the fourth control signal. A period signal generation circuit is provided.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。第
10図はこの発明に係る2相同期信号発生回路の一実施
例の構成を示す回路図である。図において正、極性の電
源電圧vDDが供給される端子5ノ(第1の端子)と2
相りロック信号(2相同期信号)の一方の信号φ!が出
力される出力端子52(第3の端子)との間にはPチャ
ネルOMQSFET 53 (第1 OMQSFET 
)が挿入される。上記出力端子52と接地電圧V、、 
(OV)が供給される端子54(第2の端子)との間に
はNチャネルのMQSFET s s (第2のMO8
F’ET )が挿入される。上記端子51と2相りロッ
ク信号の他方の信号φ2が出力される出力端子56(第
4の端子)との間にはPチャネルのMQSFET5−’
y(第3のMO8F’ET )が挿入される。上記出力
端子56と上記端子54との間にはNチャネルのMQS
FET s s (第40MOsrgT)が挿入される
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 10 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of a two-phase synchronous signal generating circuit according to the present invention. In the figure, terminals 5 (first terminal) and 2 are supplied with a positive polarity power supply voltage vDD.
One of the phase lock signals (two-phase synchronization signals) φ! A P-channel OMQSFET 53 (first OMQSFET) is connected between the output terminal 52 (third terminal) where
) is inserted. The output terminal 52 and the ground voltage V,
An N-channel MQSFET s s (second MO8
F'ET) is inserted. A P-channel MQSFET 5-' is connected between the terminal 51 and the output terminal 56 (fourth terminal) to which the other signal φ2 of the two-phase lock signal is output.
y (third MO8F'ET) is inserted. An N-channel MQS is connected between the output terminal 56 and the terminal 54.
FET s s (40th MOsrgT) is inserted.

さらに第10図において、・4相信号発生回路(4相信
号発生手段)61は入力基本クロック信号φから第11
図のタイミングチャートに示す4相の第1ないし第4の
制御ノ4ルス(第1ないし第4の制御信号) +1’P
 1 、<” n 1 t 5 t d n 2をそれ
ぞれ発生するものであり、これらの制御・々ルス’I”
 ” n5.馬5rφn2それぞれ祉上記4個のMQS
FET 5 B 、 55 、57 、58それぞれの
ダートに供給される。
Furthermore, in FIG. 10, the four-phase signal generation circuit (four-phase signal generation means) 61 generates an
The four-phase first to fourth control signals (first to fourth control signals) shown in the timing chart in the figure +1'P
1, <"n 1 t 5 t d n 2, respectively, and these control/rus'I"
” n5. Horse 5rφn2 each of the above 4 MQS
It is supplied to each dart of FET 5B, 55, 57, and 58.

上記4相信号発生回路6ノで発生される4相の制御・や
ルスのうち、制御・ぐルス配の゛0#レヘ/’ +7)
 期間tri 制御/fルスφn1の11”レベルの期
間と互いに重ならないように設定され、また制御パルス
も5の“0”レベルの期間は制御ノ母ルスφn2の“1
”レベルの期間と互いに重ならないように設定される。
Of the 4-phase control signals generated by the 4-phase signal generation circuit 6, the control signal ``0#rehe/''+7)
The period tri is set so as not to overlap with the 11" level period of the control/f pulse φn1, and the period of the control pulse 5 "0" level is the "1" level period of the control pulse φn2.
``It is set so that the period of the level does not overlap with each other.

しかも制御パルスφn1が“0”レベルから゛1″レベ
ルに変化してこれよシも所定期間遅れてから制御・やル
ス阜が−1″レベルから0”レベルに反転され、かつ制
御ノヤルスφn2が″0#レベルから゛1″レベルに変
化してこれよシも所定期間遅れてから制御・やルス端が
°1”レベルカラ゛O”レベルに反転される。
Moreover, after the control pulse φn1 changes from the "0" level to the "1" level, and after a predetermined period of delay, the control pulse is inverted from the -1" level to the 0" level, and the control signal φn2 is changed from the -1" level to the 0" level. After changing from the "0#" level to the "1" level and after a predetermined period of delay, the control and pulse ends are inverted to the "0" level and the "0" level.

このような構成において、いま制御パルス+16.、が
10”レベルとなっている期間ではMQSFET 53
がオンされ、出力端子52における信号φlは第11図
に示すように′1″レベルに設定される。次に制御ノル
ス早が0”レベルから″′1″レベルに変化した後から
、制御・母ルスφn1がO”レベルから”l−レベルニ
変化するまでの期間では、MOSFET 53 、55
がともにオフされる。したがってこの期間では、信号φ
lは″1#レベルのまま保持される。次に制御/4’ル
スφゎ、が″1nレベルとなっている期間ではMOSF
ET 55がオンされ、出力端子52における信号φ1
は今度は“0″レベルに設定される。次に制御i4ルス
φ。、が“1#レベルから″0″レベルに変化した後か
ら、制御・やルスφp1が゛1#レベルから” o”レ
ベルK 変化t−るまでの期間では、再びMOSFET
 53 、55がともにオフされる。したがってこの期
間では、信号φlは゛O″レベルのまま保持される。
In such a configuration, the control pulse +16. , is at the 10” level, MQSFET 53
is turned on, and the signal φl at the output terminal 52 is set to the ``1'' level as shown in FIG. During the period until the mother pulse φn1 changes from the O" level to the "l-level", the MOSFETs 53, 55
Both are turned off. Therefore, in this period, the signal φ
l is held at the ``1# level.Next, during the period when the control/4' pulse φゎ is at the ``1n level, the MOSF
ET 55 is turned on and the signal φ1 at output terminal 52
is now set to the "0" level. Next, the control i4 pulse φ. , changes from the "1# level" to the "0" level and until the control pulse φp1 changes from the "1# level to the "o" level K, the MOSFET changes again.
53 and 55 are both turned off. Therefore, during this period, signal φl is maintained at the "O" level.

一方、制御・ぐルスd、、 カ“0″L/ペルトナって
いる期間ではMOSFET 57がオンされ、出力端子
56における信号φ2は第11図に示すように°゛1″
1″レベルされる。次に制御パルス呈が゛′0#レベル
から“1”レベルに変化した後から、制御パルスφn2
がII Onレベルから″1″レベルに変化するまでの
期間では、MO8FET57.58が羨もにオフにされ
る。したがってこの期間でけ、信号φ2は“1#レベル
のまま保持される。次に制御パルスφn2がパ1”レベ
ルとなっている期間ではMOSFET 5 、!?がオ
ンされ、出力端子56における信号φ2は今度は゛0#
レベルに設定される。次に制御パルスφn2が°゛1″
1″レベル0”レベルに変化した後から、制御・母ルス
りが”1″レベルから”0”レベルに変化するまでの期
間では、再びMO8FET57.58がともにオフされ
る。したがってこの期間では、信号φ2/d、 ” 0
 ”レベルの1ま保持される。
On the other hand, during the period when the control signal d,, is at "0" L/peltona, the MOSFET 57 is turned on, and the signal φ2 at the output terminal 56 is changed to "1" as shown in FIG.
1" level. Next, after the control pulse presentation changes from the "0# level to the "1" level, the control pulse φn2
MO8FETs 57 and 58 are unenviably turned off during the period until the voltage changes from the II On level to the "1" level. Therefore, during this period, the signal φ2 is held at the “1#” level.Next, during the period when the control pulse φn2 is at the “P1” level, the MOSFETs 5, ! ? is turned on, and the signal φ2 at the output terminal 56 is now ``0#''.
set to the level. Next, the control pulse φn2 is
During the period after the 1" level changes to the 0" level and until the control/main pulse changes from the "1" level to the "0" level, both MO8FETs 57 and 58 are turned off again. Therefore, in this period, the signal φ2/d, ” 0
``It will remain at level 1.

ここで、制御/4’ルスφn1がパOsレベルから″′
1#レベルに変化するタイミング(第11図中のtlの
タイミング)に対して制御・やルス阜が”1″レベルか
ら°′0″レベルに変化するタイミング(t2のタイミ
ング)は所定期間遅れておシ、かつ制御・ぐルスφn2
が゛0″レベルから゛1″レベルに変化するタイミング
(tsのタイミング)に対して制御パルスηが”1”レ
ベルからパ0”レベルに変化するタイミング(t4のタ
イミング)も所定期間遅れている。
Here, the control/4' pulse φn1 changes from the PaOs level to ''
The timing at which the control signal changes from the "1" level to the °'0" level (timing at t2) is delayed by a predetermined period with respect to the timing at which it changes to the 1# level (timing at tl in FIG. 11). Oshi, control, gurusu φn2
The timing at which the control pulse η changes from the "1" level to the PA0 level (timing at t4) is also delayed by a predetermined period with respect to the timing at which the control pulse η changes from the "0" level to the "1" level (timing at ts). .

したがってこの実施例回路の2つの出力端子52.56
からは、第11図に示すように、゛1″1″レベルが互
いに重なシ合わない2相のりo−yり信号φ1 、φ2
が出力される。しかも信号φ重 、φ2それぞれを出力
するためのMOSFET 53と55および57と58
とはそれぞれ、同時にオンされることがないので、端子
5ノと54との一間に直列挿入されたMOSFET 5
 、? 。
Therefore, the two output terminals 52, 56 of this example circuit
As shown in FIG.
is output. Furthermore, MOSFETs 53 and 55 and 57 and 58 are used to output signals φ2 and φ2, respectively.
MOSFET 5 is inserted in series between terminals 5 and 54 because they are not turned on at the same time.
,? .

55およびMOSFET 57 、58それぞれにおい
て貫通電流は発生せず、消費電力を少なくすることがで
きる。しかもMOSFET 53 、55およびMOS
FET 57 、58に貫通電流が発生しないので、こ
こでの消費電力を考慮することなしKそれぞれのMOS
FETの電流駆動能力を高めることができ、これによっ
て出力端子52.56それぞれに接続される負荷容量を
急速に充放電することができる。すなわち、これによっ
て高集積化および高速動作を可能ならしめるものである
。また、制御パルスφ。、が“1″レベルに変化した後
、次に制御・苧ルスもテが”O″レベル変化するまでの
期間(trからt2までの期間)および制御パルスφn
2がl”レベルに変化した後、次に制御・臂ルスも■が
゛0″レベルに変化するまでの期間(t3からt4まで
の期間)のそれぞれを設定することによシ、2相のクロ
ック信号φ1 、φ2がそれぞれw 1 nレベル(能
動レベル)となっている期間相互の間の期間を回路設計
の困難性を伴なわずに安全々長さの最小値にすることが
できる。
No through current occurs in MOSFET 55 and MOSFETs 57 and 58, and power consumption can be reduced. Moreover, MOSFET 53, 55 and MOS
Since no through current occurs in FETs 57 and 58, there is no need to consider the power consumption here.
The current drive capability of the FET can be increased, and thereby the load capacitance connected to each of the output terminals 52 and 56 can be rapidly charged and discharged. That is, this enables high integration and high speed operation. In addition, the control pulse φ. , changes to the "1" level, and then the control pulse φn changes to the "O" level (period from tr to t2).
By setting the period (period from t3 to t4) until the control pulse changes to the ``0'' level after 2 changes to the ``0'' level, the two-phase The period between the periods in which the clock signals φ1 and φ2 are at w 1 n level (active level) can be safely made to the minimum length without causing any difficulty in circuit design.

第12図はこの発明の他の実施例に係る2相同期信号発
生回路の構成を示す回路図である。
FIG. 12 is a circuit diagram showing the configuration of a two-phase synchronous signal generation circuit according to another embodiment of the present invention.

仁の実施例回路が上記第10図の実施例回路と異なって
いるところは、前記入力基本クロック信号φのみから4
相の制御・杓レス〒、φ。、。
The difference between Jin's embodiment circuit and the embodiment circuit shown in FIG.
Phase control/Ladleless 〒、φ. ,.

(’ p 2 + φn 2を発生する4相信号発生回
路61の代りに1新たな4相信号発生回路62が設けら
れているところにある。そしてこの4相信号発生回路6
2には入力基本クロック信号φと前記出力端子52.5
6それぞれから出力される2相のクロック信号φ1 、
φ2が入力される。そして4相信号発生回路62は上記
入力される3種のクロック信号φl 、φ2に応じて前
記4相を発生する。
(' p 2 + φn In place of the 4-phase signal generation circuit 61 that generates 2, a new 4-phase signal generation circuit 62 is provided.And this 4-phase signal generation circuit 6
2 has the input basic clock signal φ and the output terminal 52.5.
The two-phase clock signal φ1 output from each of the six
φ2 is input. The four-phase signal generating circuit 62 generates the four phases according to the three types of clock signals φl and φ2 inputted above.

さらに第12図中の4相信号発生回路62は、第13図
に示すように2つの回路ブロック62A。
Further, the four-phase signal generation circuit 62 in FIG. 12 includes two circuit blocks 62A as shown in FIG. 13.

6謔’Bで構成されている。上記一方の回路ブロック6
2には、入力基本クロック信号φと前記一方の出力端子
56から出力される一方のクロック信号φ2とから前記
2相の制御ノ4ルス91φn1を発生する。また他方の
回路ブロック62Bは、入力基本クロック信号φと前記
他方の出力端子52から出力される他方のクロック信号
φ1とから前記2相の制御パルス帖” n2を発生する
It consists of 6 songs 'B'. One of the above circuit blocks 6
2, the two-phase control pulse 91φn1 is generated from the input basic clock signal φ and one clock signal φ2 output from the one output terminal 56. Further, the other circuit block 62B generates the two-phase control pulse signal ``n2'' from the input basic clock signal φ and the other clock signal φ1 outputted from the other output terminal 52.

第14図は上記第13図中の2つの回路プロ、り62に
、62Bそれぞれを具体的に示す全体の回路図である。
FIG. 14 is an overall circuit diagram specifically showing the two circuits 62 and 62B shown in FIG. 13 above.

図示するように、一方の回路グロック62には3個のイ
ンノ々−夕71 、72 。
As shown in the figure, one circuit clock 62 includes three inverters 71 and 72.

73、それぞれ1個ずつのNORゲート74、NAND
ゲート75およびORダート76を備えている。上記N
0R)i′″−ドア4の一方入力端にはインバータ71
を介して入力基本クロック信号φが入力される。このN
ORゲート74の出力信号はインバータ72を介してN
ANDゲート75の一方入力端に入力される。このNA
NDケ゛−トysihらの出力信号はイン・々−タ73
な介して上記N0R)lA−ドア4の他方入力端に入力
される。まだORゲート76には上記イン・ぐ−タフ1
カ諷らの出力信号と前記クロ、り信号φ2が入力され、
このORゲート76からの出力信号は上記NANDデー
ト75の他方入力端に入力される。すなわち、この回路
ブロック62にでは、 NORゲート74およびインノ
々−夕72とからなる実質的な論理和型のf−ト回路7
7(第1のダート回路)と、 NANDゲート75およ
びインノぐ一タ73とd−らなる実質的な論理積型のr
−ト回路ys(第2のダート回路)とで7リツプフロツ
グ回路1Jが構成され、ダート回路L1の前段にクロッ
ク信号T、φ2を入力とするORダート76(第3のダ
ート回路)が設けられている。
73, one NOR gate each 74, NAND
It is equipped with a gate 75 and an OR dart 76. Above N
0R) i′″-Inverter 71 is installed at one input end of door 4.
An input basic clock signal φ is inputted via the input basic clock signal φ. This N
The output signal of OR gate 74 is passed through inverter 72 to N
It is input to one input terminal of AND gate 75. This NA
The output signals from the ND keys are input to the input terminal 73.
The above-mentioned N0R)lA- is inputted to the other input terminal of the door 4 through the above. The above Ingutav 1 is still in OR gate 76.
The black output signal and the black signal φ2 are input,
The output signal from this OR gate 76 is input to the other input terminal of the NAND date 75. That is, this circuit block 62 includes a substantial OR-type f-to circuit 7 consisting of a NOR gate 74 and an input gate 72.
7 (first dirt circuit), a NAND gate 75, an inverter 73, and d-.
- dart circuit ys (second dart circuit) constitutes a 7 lipfrog circuit 1J, and an OR dart 76 (third dart circuit) which inputs clock signals T and φ2 is provided at the front stage of dart circuit L1. There is.

他方の回路ブロック62Bは、一方の回路ブロック62
A内に設けられているインノぐ一タ72゜73、NOR
ゲート74 、  NANDダート75.ORゲート7
6それぞれに対応したインi4−夕82゜8 B 、 
 NORダート84、NANDゲート85、ORグ”’
−トs eそれぞれを備えている。この回路ブロック6
2Bでも上記回路ブロック62にと同様に、 NORダ
ート84およびインバータ82とからなる実質的な論理
和型のダート回路L1(第1のダート回路)と、NAN
Dダート85およびインバータ83とからなる実質的な
論理積型のf−)回路、L!(第2のダート回路)とで
7リップフロッグ回路L」が構成され、ダート回路Uの
前段にクロック信号φ、φ1を入力とするORダート8
6(第3のダート回路)が設けられている。
The other circuit block 62B is the same as the one circuit block 62B.
Innoguita 72゜73, NOR installed in A
Gate 74, NAND Dart 75. OR gate 7
In i4-E82゜8B corresponding to each of 6,
NOR dart 84, NAND gate 85, OR gate
- SE and SE respectively. This circuit block 6
Similarly to the circuit block 62 in 2B, there is a substantial OR-type dart circuit L1 (first dart circuit) consisting of a NOR dart 84 and an inverter 82, and a NAN circuit block 62.
A substantially AND type f-) circuit consisting of a D dart 85 and an inverter 83, L! (second dart circuit) constitutes a 7-rip-frog circuit L, and the OR dart circuit 8 inputs clock signals φ and φ1 at the front stage of the dart circuit U.
6 (third dirt circuit) is provided.

ンバータ72,73そねぞれの出力信号が前記制御・母
ルス<’ p 1 + +1’ n 1として出力され
、他方の回路ブロック62B内のインバータ82 、8
3それぞれの出力信号が前記制御・9ルスーヘ5.φn
2として出力される。
The output signals of the inverters 72 and 73 are outputted as the control/main pulse <'p 1 + +1' n 1, and the inverters 82 and 8 in the other circuit block 62B
3. Each output signal is connected to the control 9. φn
Output as 2.

次に第14図のように構成された回路の動作を第15図
のタイミングチャートを用いて説明する。まず始めに制
御・ぐルスT冒、φ。、がともに” o ″レベルがあ
りかつ制御/e#ス’p21φn2がともに” 1″レ
ベルであるとする。このときMOSFET 53はオン
、MOSFET 55はオフされ、出力端子52におけ
る信号φlは゛1″レベルに設定される。同様にMOS
FET 57はオフ、 MO8FET58はオフされ、
出力端子56における信号φ2は′O”レベルに設定さ
れる。さらにこのとき、回路プロ、り62B内のNAN
Dダート85には°′l″レベルとなっている制御・ク
ルス6が入力し、かつORダート86を介して、′1#
レベルとなっている信号φ!が入力しているのでその出
力信号は”0#レベルのまま固定される。しかも回路ブ
ロック62B内のNORダート84には”1#レベルと
なっている制御・ぐルスφ1□が入力しているので、信
号φにかかわらずこのNORゲート84の出力信号も′
O”レベルのまま固定される。すなわち、信号φlが“
1″レベルの期間では、回路ブロック62Bの動作は信
号φのレベル変化にかかわらず固定され制御パルス5;
φn2はそれぞれ”1#レベルのまま固定される。した
がって信号φ2は”0#レベルのままである。
Next, the operation of the circuit configured as shown in FIG. 14 will be explained using the timing chart shown in FIG. 15. First of all, control/gurus T attack, φ. , are both at the "o" level, and the control/e# pins p21φn2 are both at the "1" level. At this time, the MOSFET 53 is turned on, the MOSFET 55 is turned off, and the signal φl at the output terminal 52 is set to the "1" level.
FET 57 is off, MO8FET58 is off,
The signal φ2 at the output terminal 56 is set to the 'O' level.
The control/cruise 6 at the °'l'' level is input to the D dart 85, and '1#' is input via the OR dart 86.
The signal φ! is input, so its output signal is fixed at the "0# level. Moreover, the control signal φ1□, which is at the "1# level, is input to the NOR dart 84 in the circuit block 62B. Therefore, regardless of the signal φ, the output signal of this NOR gate 84 is also '
It is fixed at the “O” level. In other words, the signal φl is “
During the 1'' level period, the operation of the circuit block 62B is fixed regardless of the level change of the signal φ, and the control pulse 5;
Each of φn2 is fixed at the "1# level. Therefore, the signal φ2 remains at the "0# level.

次ニφ1=“1″レベル、φ2=゛0″レベルのときに
入力基本クロック信号φが“1#レベルカラー Q ’
レベルに変化する。これによシ回路ブロック62A内に
おいてインバータ71の出力信号が“O”レベルから“
1”レベルに変化する。さらに続いてNORダート74
の出力信号が”1″レベルから”0″レベルに変化し、
この後、インバータ72の出力信号も反転して制御・ヤ
ルス堅が“0#レベルから“1#レベルに変わる。する
といままでオンされていたMOSFET 53がオフさ
れる。制御・ぐルス7−が″′1#レベルに変化したと
きまでにORゲート76の出力信号はすでにクロック信
号φによって1”レベルにされているので、制御・母ル
ス戸の変化の後にNANDゲート75の出力信号が゛1
″レベルから″0″レベルに変化し、この後、インバー
タ73の出力信号も反転して制御パルスφn1が610
1ルベルカラ” 1 ”レベルに変わる。するといまま
でオフされていたMOSFET65がオンされ、信号φ
lが0”レベルに設定される。ここで入力基本クロック
信号φのレベル変化に応動した第1の回路ブロック62
kからの制御・やルス阜、φn1により、クロック信号
φ1は゛1″レベルから゛0#レベルに変化されるもの
であるが、制御・母ルス配が“0#レベルから°′1”
レベルに変化されてMOSFET53がオンするとき、
制御パルスφn1は“0”レベルに保たれtおp MO
SFET s sはオフしている。そして制御パルス配
の変化がNANDゲート75およびインバータ23から
なるダート回路7Bを通して伝達−されることによって
始めてMOSFET 55がオンされる。このだめに、
MOSFET5 、? 、 55がオン・オフそれぞれ
の状態からオフ・オンそれぞれの状態に移る際には、ダ
ート回路二による信号遅延時間に相描する期間だけ、と
もにオフの状態を経て移り、MOSFET 53 。
Next, when φ1=“1” level and φ2=“0” level, the input basic clock signal φ is “1# level color Q'
Change in level. As a result, the output signal of the inverter 71 within the circuit block 62A changes from "O" level to "
Changes to 1” level.Furthermore, NOR dirt 74
The output signal changes from “1” level to “0” level,
After this, the output signal of the inverter 72 is also inverted, and the control signal changes from the "0# level" to the "1# level." Then, MOSFET 53, which has been turned on until now, is turned off. Since the output signal of the OR gate 76 has already been set to the 1'' level by the clock signal φ by the time the control signal 7- changes to the ``1# level, the NAND gate 76 changes after the control signal 7- changes to the 1'' level. The output signal of 75 is ゛1
The output signal of the inverter 73 is also inverted and the control pulse φn1 becomes 610.
1 Ruberkara” Changes to 1” level. Then MOSFET 65, which had been off until now, is turned on and the signal φ
l is set to 0'' level. Here, the first circuit block 62 in response to the level change of the input basic clock signal φ
The clock signal φ1 is changed from the ``1'' level to the ``0# level'' by the control/routine from k and φn1, but the control/routine is changed from the ``0# level to °'1''.
When the level changes and MOSFET 53 turns on,
The control pulse φn1 is kept at “0” level.
SFET s s is off. The MOSFET 55 is turned on only when the change in control pulse distribution is transmitted through the dart circuit 7B consisting of the NAND gate 75 and the inverter 23. To this end,
MOSFET5,? , 55 go from the on/off state to the off/on state, both pass through the off state for a period corresponding to the signal delay time by the dart circuit 2, and the MOSFET 53.

55における貫通電流は発生しない。No through current occurs at 55.

次に信号φ1が10″レベルになると、第2の回路ブロ
ック62B内のO1’l’−ト86の出力信号が゛1″
レベルから”0#レベルに反転する。するとこれに続い
てNAND ff −) 85の出力信号が″′0#レ
ベルから@1#レベルに変化し、さらにこれに続いてイ
ン・9−夕83の出力信号が反転して制御・ぐルスφn
2が”1”レベルから“0#レベルに変化する。すると
いままでオンされていたMOSFET 5 Bがオフさ
れる。制御2臂ルスφn2が“0″レベルに変化した後
にNORゲート84の出力信号が′0”レベルから″″
1″1″レベルし、さらにこの後、インノ々−タ82の
出力信号も反転して制御/4’ルスφ、2が1”レベル
から″′0#レベルに変わる。これにより、いままでオ
フされていたMOSFET 57がオンされて、信号φ
2が′l”レベルに設定される。このように第2の回路
ブロック62Bから出力されるクロック信号φ2は、第
1の回路ブロック62Aから出力されるクロック信号φ
!が・“1#レベルから”0#レベルに変化した後に″
0″レベルから′”1″レベルに変化される。そしてこ
のクロック信号φ2が″0#レベルから”1″レベルに
変化するとき、すなわチMO8FF、T 57 、5 
Bがオフ・オンそれぞれの状態からオン・オフそれぞれ
の状態に移るときには、上記と同様に制御・ぐルスφn
2の変化がy −ト回路L1による信号遅延時間に相当
する期間だけMOSFET 57 、58はともにオフ
の状態を経て移る。したがって、クロック信号φ2のレ
ベル変化時にも、MOSFET 57 、58における
貫通電流は発生しない。
Next, when the signal φ1 reaches the 10" level, the output signal of the O1'l'-tote 86 in the second circuit block 62B becomes "1".
The output signal of NAND ff - ) 85 changes from the ``0# level to @1# level, and then the output signal of NAND ff - The output signal is inverted and the control/gurus φn
2 changes from the "1" level to the "0# level. Then, the MOSFET 5B, which has been turned on until now, is turned off. After the control 2 arm φn2 changes to the "0" level, the output signal of the NOR gate 84 from '0' level to '''
After that, the output signal of the inverter 82 is also inverted, and the control/4' pulse φ,2 changes from the 1" level to the "'0# level. As a result, MOSFET 57, which had been off until now, is turned on, and the signal φ
2 is set to the 'l' level. In this way, the clock signal φ2 output from the second circuit block 62B is equal to the clock signal φ2 output from the first circuit block 62A.
!・After changing from "1# level" to "0# level"
When the clock signal φ2 changes from the "0#" level to the "1" level, that is, MO8FF, T57, 5
When B moves from the off/on state to the on/off state, the control/gusus φn
Both MOSFETs 57 and 58 go through the OFF state for a period in which the change in 2 corresponds to the signal delay time by the Y-to circuit L1. Therefore, even when the level of the clock signal φ2 changes, no through current occurs in the MOSFETs 57 and 58.

クロック信号φ2が″1#レベルになるとこの期間では
、上記と同じ理廁によって第1の回路ブロック62Aの
動作は信号φのレベル変化にかかわらず固定され、制御
・ぐルス(II、φp1     nl はそれぞれ′1”レベルのまま固定される。したがって
信号φlは″0″レベルの一!まである。
During this period, when the clock signal φ2 reaches the "1#" level, the operation of the first circuit block 62A is fixed regardless of the level change of the signal φ, and the control signal (II, φp1 nl is Each is fixed at the ``1'' level. Therefore, the signal φl is at the ``0'' level.

次ニφ!=”0”レベル、φ2=11”レベルのときに
入力基本クロック信号φが0”レベルから“1″レベル
に変化する。これによシ第2の回路ブロック62B内に
おいてNORグーV”84の出力信号が”1″レベルか
ら“0″レベルに変化し、続いてイン・ぐ−夕82の出
力信号が反転して制御パルスも5が゛0″レベルから6
1#レベルに変わる。するとMO8FF、T 57がま
ずオフされる。この制御・ぐルス石5が“1″レベルに
変わるときまでに0Rr−ト86の出力信号はすでにク
ロック信号φによって”1″レベルにされているので、
制御・やルス嶌5が変化した後にNANDゲート85の
出力信号が′″l#l#レベル0″レベルに変化し、こ
の後、インバータ83の出力信号も反転して制御・母ル
スφn2が“0″レベルから“1#レベルに変わる。
Next φ! input basic clock signal φ changes from 0” level to “1” level when φ2=11” level. As a result, in the second circuit block 62B, the output signal of the NOR controller 84 changes from the "1" level to the "0" level, and then the output signal of the input controller 82 is inverted and controlled. The pulse also goes from 5 to 6 from the ``0'' level.
Change to 1# level. Then, MO8FF and T57 are first turned off. By the time the control stone 5 changes to the "1" level, the output signal of the 0Rr-to 86 has already been set to the "1" level by the clock signal φ.
After the control signal generator 5 changes, the output signal of the NAND gate 85 changes to the level ``1#l# level 0'', and after this, the output signal of the inverter 83 is also inverted and the control signal φn2 changes to ``1#1# level 0'' level. Changes from 0'' level to 1# level.

するとい童までオフされていたMOSFET s sが
オンされ、信号φ2が“1″レベルから0”レベルに反
転される。ここで、入力基本クロック信号φのレベル変
化に応動した第2の回路ブロック62Bからの制御パル
ス石■、φn2によシ、クロック信号φ2はII 1 
#lレベルから”0”レベルに変化されるものであるが
、 MOSFET 57 。
Then, the MOSFET ss, which had been turned off until then, is turned on, and the signal φ2 is inverted from the “1” level to the 0 level. The control pulse stone from 62B, φn2, and the clock signal φ2 are II 1
It is MOSFET 57 which is changed from #l level to "0" level.

58がオン・オフそれぞれの状態からオフ・オンそれぞ
れの状態に移る際には、ダート回路8Bによる信号遅延
時間に相当する期間だけ、ともにオフの状態を経て移る
ために、この場合にもMOSFET 57 、58にお
ける貫通電流は発生しない。
When the MOSFET 58 changes from the on/off state to the off/on state, the MOSFET 57 goes through the off state for a period corresponding to the signal delay time by the dart circuit 8B. , 58, no through current occurs.

次に信号φ2が゛′0″ルベルになると、第1の回路ブ
ロック62A内のORダート76の出力信号力”1′″
レベルから”0”レベルに反転する。するとこれに続い
てNANDゲート75の出力信号が”0″レベルから“
1″レベルに変化し、さらにこれに続いてインバータ7
3の出力信号が反転して制御・(ルスφ。、が″′1″
レベルから″Ω″レベルに変化する。するといままでオ
ンされていたMOSFET 55がオフされる。制御パ
ルスφ。、が0”レベルに変化した後にNORダート7
4の出力信号が”0#レベルから”1″レベルに変化し
、さらにこの後、インノミ−タフ2の出力信号も反転し
て制御パルス石劉が”1#レベルから“0″レベルに変
わる。これによシ、いままでオフされていたMOSFE
T 53がオシされて、信号φ1が”1″レベルに設定
される。このように第1の回路ブロック62Aから出力
されるクロック信号φ1は、第2の回路ブロック62B
から出力されるクロック信号φ2が゛l#レベルから″
′0#レベルに変化した後に′0#レベルから“1#レ
ベルに変化される。そしてこのクロック信号φ!が″′
0ルベルから”1#レベルに変化するとき、すなわチM
O8FET 53 、55がオフ・オンそれぞれの状態
からオン・オフそれぞれの状態に移るときには、上記と
同様に制御・ぐルスφ。、の変化がダート回路L〕によ
る信号遅延時間に相当する期間だけMOSFET 53
 、55はともにオフの状態を経て移る。したがって、
クロック信号φlの′0”レベルかう111#レベルの
レベル変化時にも、MOSFET 53 、55におけ
る貫通電流は発生しない。
Next, when the signal φ2 reaches the "0" level, the output signal power of the OR dart 76 in the first circuit block 62A is "1".
The level is reversed to "0" level. Then, following this, the output signal of the NAND gate 75 changes from the "0" level to "
1″ level, and following this, inverter 7
The output signal of 3 is inverted and controlled (Rus φ., is ″′1″
level changes to ``Ω'' level. Then, MOSFET 55, which has been turned on until now, is turned off. Control pulse φ. , changes to 0” level, then NOR dirt 7
The output signal of Inno-Tough 2 changes from the "0# level" to the "1" level, and then the output signal of the Inno-Tough 2 is also inverted, and the control pulse Shiliu changes from the "1# level" to the "0" level. Due to this, the MOSFE, which had been turned off until now,
T53 is turned on and signal φ1 is set to the "1" level. In this way, the clock signal φ1 output from the first circuit block 62A is transmitted to the second circuit block 62B.
The clock signal φ2 output from
After changing to '0# level, it is changed from '0# level to "1# level. Then, this clock signal φ!"
When changing from 0 level to 1# level, that is, CHM
When the O8FETs 53 and 55 move from the off/on state to the on/off state, the control signal φ is controlled in the same manner as described above. , for a period corresponding to the signal delay time due to the dart circuit L].
, 55 both transition through the off state. therefore,
Even when the clock signal φl changes from the '0'' level to the 111# level, no through current occurs in the MOSFETs 53 and 55.

クロック信号φlが” 1”レベルになるとこの期間で
は、上記と同じ理由によって第2の回路ブロック62B
の動作は信号φのレベル変化にかかわらず固定され、制
御・2ルスd、2 + dn2はそれぞれ′1#レベル
のまま固定される。したがって信号φ2は”0”レベル
のt′まである。
During this period, when the clock signal φl reaches the "1" level, the second circuit block 62B is activated for the same reason as above.
The operation of is fixed regardless of the level change of the signal φ, and the control/2 pulses d and 2 + dn2 are each fixed at the '1# level. Therefore, the signal φ2 is at the "0" level up to t'.

そしてこれ以降は上記と同様の動作が繰り返し行なわれ
る。
From then on, the same operations as above are repeated.

このようにこの実施例回路によれば、第15図に示すよ
うにパ1#レベル期間が互いに重なシ合わない2相のク
ロック信号φl 、φ2を得ることができる。しかも信
号φ! 、φ2それぞれを出力するだめのMOSFET
 53と55および57と58とはそれぞれ同時にオン
されることがないので、端子5ノと54との間に直列挿
入されたMOSFET 53.55およびMOSFET
 57 。
As described above, according to this embodiment circuit, it is possible to obtain two-phase clock signals φl and φ2 whose P1# level periods do not overlap with each other, as shown in FIG. 15. Moreover, the signal φ! , φ2, respectively.
Since 53 and 55 and 57 and 58 are not turned on at the same time, MOSFETs 53 and 55 are inserted in series between terminals 5 and 54.
57.

58それぞれにおいて貫通電流は発生せず、消費電力を
少なくすることができる。またクロック信号φ1 、φ
2がそれぞれ“1ルベルとなっている期間相互の間の期
間は、ダート回路77と一乙J−における信号遅延時間
の和あるいはダート回路UとLlにおける信号遅延時間
の和に相箔する期間に自動的に設定される。このため・
に特別な遅延回路を設けることなしに、しかも回路設計
上の困難性を伴なわずに、上記クロック信号φ1 、φ
2を用いる回路において前記レーシングおよびプリチャ
ージとディスチャージの干渉によるそれぞれの誤動作が
発生しない安全な長さのしかも最小値に上記期間を設定
することができる。さらに制御パルスTFとφn1、札
7とφn2それぞれとの間では、ダート回路ム7,7B
、87.88によって必らずともに能動レベルとならな
い期間が作られるために、MOSFET s s 、 
s sおよびMO8F’ET 57 、58それぞれで
貫通電流は発生せず、ここでの消費電力が最小の状態で
それぞれのMOSFETの電流駆動能力を高めることが
できる。これによって出力端子52.56それぞれに接
続される負荷容量を急速に充放電することができ、これ
によって消費電力を増加させることなしに高集積化と高
速動作性とを可能ならしめるものである。
58, no through current is generated, and power consumption can be reduced. Also, clock signals φ1, φ
The period between the periods in which 2 are each "1 level" is a period that is similar to the sum of the signal delay times in the dart circuit 77 and Iotto J- or the sum of the signal delay times in the dart circuits U and Ll. It will be set automatically.For this reason,
The above clock signals φ1, φ
The above period can be set to a safe length and a minimum value in which malfunctions due to interference between racing, precharge, and discharge do not occur in a circuit using No. 2. Further, between the control pulse TF and φn1, and between the tag 7 and φn2, dart circuits 7 and 7B are connected.
, 87.88 creates a period in which both MOSFETs s ,
No through current is generated in each of s s and MO8F'ET 57 and 58, and the current drive capability of each MOSFET can be increased while the power consumption is minimized. This allows the load capacitors connected to each of the output terminals 52 and 56 to be rapidly charged and discharged, thereby making it possible to achieve high integration and high-speed operation without increasing power consumption.

なお、第14回回路の動作を示す第15図のタイミング
チャートは、前記第11図に示すタイミングチャートと
同じであることがわかる。
It can be seen that the timing chart in FIG. 15 showing the operation of the 14th circuit is the same as the timing chart shown in FIG. 11 above.

また第14図回路と従来回路たとえば第7図回路とをそ
れぞれ集積化した場合のチラノサイズを比較した場合、
第14図回路の方が一見素子数が多いようにみえる。と
ころが・やターン面積は配線を考えても同等にでき、回
路は対称性を持つため、チラノサイズはほぼ従来と同等
にすることができる。
Also, when comparing the tyranno size when the circuit in Figure 14 and the conventional circuit, for example the circuit in Figure 7, are integrated,
At first glance, the circuit of FIG. 14 appears to have a larger number of elements. However, the turn area can be made the same considering the wiring, and since the circuit is symmetrical, the tyranno size can be made almost the same as the conventional one.

第16図および第1・7図はそれぞれ、第13図中の4
相信号発生回路62の他の例を示す回路図であシ、この
ような回路をそれぞれ用いることもできる。
Figure 16 and Figures 1 and 7 are respectively 4 in Figure 13.
This is a circuit diagram showing another example of the phase signal generation circuit 62, and such circuits can also be used.

第16図に示す4相信号発生回路62は2つの回路ブロ
ック62C,62Dで構成されている。
The four-phase signal generating circuit 62 shown in FIG. 16 is composed of two circuit blocks 62C and 62D.

一方の回路ブロック62Cは、NORゲート94および
イン・々−タ92と力λらなる実質的な論理和型のr−
ト回路97と、NANDゲート95およびインバータ9
3とからなる実質的な論理積型のダート回路すとで構成
された71ノツノフロッグ回路口、上記ダート回路L1
の前段に設′けられる、クロック信号φおよび肩を入力
とするANDf−)96を備えている。他方の回路ブロ
ック62Dは、NORケ”  ’5104およびインバ
ータ102とからなる実質的な論理牙口型のダート回路
107と、NANDダート105およびインバータ10
3とからなる実質的な論理積型のゲート回路108とで
構成されたフリッグフロッゾ回路題、入力基本クロック
信号φを反転スるイン・シータ101および上言己ゲー
ト回路107の前段に設けられ上舊己インノ9−夕10
1からの出力信号と、 <6を−を入力とするANDダ
ート106とを備えている。すなわち、この第1゜第C
の回路プ西ツク62C,62Dでは、前記制御i4ルス
T−2φ 、−φ−2φ の代シにこれらpl   n
l   p2   n2 と逆相のパルスφpi ’ rnl ’φp2 、嶌5
が出力されるため、第14図の場合とは異寿り信号φ2
 、φ1それぞれと逆相の信号φ2 、φlが前記出力
端子52.56で得られ、この両信号が第1、第2の回
路ブロック62C,62Dに制御信号として入力される
One circuit block 62C is a substantial logical OR type r-
gate circuit 97, NAND gate 95 and inverter 9
71 horn frog circuit port consisting of a substantial AND-type dirt circuit consisting of 3, the dirt circuit L1
An ANDf-) 96 is provided at the front stage of the circuit and receives the clock signal φ and the shoulder as inputs. The other circuit block 62D includes a substantial logical gate type dart circuit 107 consisting of a NOR card 5104 and an inverter 102, and a NAND dart circuit 105 and an inverter 102.
3, an in-theta circuit 101 that inverts the input basic clock signal φ, and an in-theta circuit 101 that is provided at the front stage of the above-mentioned gate circuit 107. Self Inno 9-Yu 10
It has an output signal from 1 and an AND dart 106 whose input is <6 and -. That is, this 1st degree C
In the circuit blocks 62C and 62D, these pl n are substituted for the control i4 pulses T-2φ and -φ-2φ
Pulse φpi ' rnl 'φp2 with opposite phase to l p2 n2 , 5
is output, so the lifespan signal φ2 is different from that in the case of Fig. 14.
, φ1, respectively, are obtained at the output terminals 52, 56, and these two signals are input as control signals to the first and second circuit blocks 62C, 62D.

第17図に示す4相信号発生回路62も2つの回路ブロ
ック62B、62Fで構成されている。
The four-phase signal generation circuit 62 shown in FIG. 17 is also composed of two circuit blocks 62B and 62F.

一方の回路ブロック62Eは、NORゲート114およ
びインバータ112とからなる実質的な論理和型のダー
ト回路117と、NANDダート115およびインバー
タJL3とからなる実質的な論理積型のダート回路11
Bとで構成されたフリッゾフロッノ回路119、信号φ
2を反転するインバータ111および上記ダート回路1
17の前段に設けら−れ上記イン/J−夕111からの
出力信号石と信号φとを入力とするAND ff −ト
116を備えている。他方の回路ブロック62Fは、N
0R)Ik−)124およびインバータ122とからな
る実質的な論理和型のゲート回路127と、NANDゲ
ート125およびインバータ123とからなる実質的な
論理積型のf−ト回路128とで構成されたフリッグ7
0ツブ回路129、信号nを反転するインバータ12ノ
および上記ダート回路128の前段に設けられ上記イン
バータ121からの出力信号φlと信号φとを入力とす
るORダート126を備えている。すなわち、この第1
7図回路において第1の回路ブロック62Eからは前記
制御パルス[−1φ の代シにこれらと逆相の)fルス
φ1.。
One circuit block 62E includes a substantial OR type dart circuit 117 consisting of a NOR gate 114 and an inverter 112, and a substantial AND type dart circuit 11 consisting of a NAND gate 115 and an inverter JL3.
Frizzo Fronno circuit 119 consisting of B, signal φ
Inverter 111 for inverting 2 and the dirt circuit 1
An AND gate 116 is provided in front of the input/jump 17 and inputs the output signal stone from the input/jump 111 and the signal φ. The other circuit block 62F is N
0R)Ik-) 124 and an inverter 122, and a substantial AND-type f-t circuit 128 consisting of a NAND gate 125 and an inverter 123. frig 7
The circuit includes an inverter 12 for inverting the signal n, and an OR dart 126 which is provided at the front stage of the dart circuit 128 and receives the output signal φl from the inverter 121 and the signal φ. That is, this first
In the circuit shown in FIG. 7, from the first circuit block 62E, the control pulses [f pulses φ1. .

pl    nl 扁が出力されるため、第14図の場合とは異な多信号φ
1と逆相の信号−1)−が前記出力端子52で得られ、
この信号φ重が第2の回路ブロック62Fに制御信号と
して入力される。
Since pl nl flat is output, a multi-signal φ different from the case of FIG. 14 is output.
1 and a signal −1)− having a phase opposite to that of 1 is obtained at the output terminal 52,
This signal φ is inputted to the second circuit block 62F as a control signal.

そして上記第16図および第17図に示すような構成の
4相信号発生回路62を用いても、上記と同様な効果を
得ることができる。
The same effects as described above can also be obtained by using the four-phase signal generation circuit 62 having the configuration shown in FIGS. 16 and 17.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したようにこの発明によれば、消費電力が少な
くかつ高速動作および高集積化に適し、しかも回路設計
の困離さを伴なわずに2相同期信号の能動期間相互の間
の期間を安全な長さの最小に設定し得る2相同期信号発
生回路を提供することができる。
As explained above, the present invention has low power consumption, is suitable for high-speed operation and high integration, and can safely maintain the period between the active periods of two-phase synchronization signals without the difficulty of circuit design. Therefore, it is possible to provide a two-phase synchronous signal generation circuit whose length can be set to a minimum.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

縞1図は従来回路の回路図、第2図は第1図回路のタイ
ミングチャート、第3図は従来回路の回路図、第4図は
第3図回路のタイミングチャート、第5図は従来回路の
回路図、第6図は第5図回路のタイミングチャート、第
7図および第8図はそれぞれ従来回路の回路図、第9図
は上記第8図回路のタイミングチャート、第10図はこ
の発明の一実施例の構成を示す回路図、第11図は第1
0図回路のタイミングチャート、第12図はこの発明の
他の実施例の構成を示す回路図、第13図は第12図中
の一部分が具体化された回路図、第14図は第13図中
の一部分を詳媚に示した回路図、第15図は第14図回
路のタイミングチャート、第16図および第17図はそ
れぞれ第13図中の一部回路の他の例を示す回路図であ
る。 53.57・・・PチャネルのMOSFET 、 55
 。 58・・・NチャネルのMOSFET、 61 、62
・・・4相信号発生回路、621.62B、62C,6
2D、62E62F・・・回路ブロック。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 第4図 φ2 ]−Fニー「[コ]− 第5図 第6図 第7図 第8図 1 ′第10図 第11図 !1t4
Stripe 1 is a circuit diagram of the conventional circuit, Figure 2 is a timing chart of the circuit in Figure 1, Figure 3 is a circuit diagram of the conventional circuit, Figure 4 is a timing chart of the circuit in Figure 3, and Figure 5 is a conventional circuit. 6 is a timing chart of the circuit shown in FIG. 5, FIGS. 7 and 8 are circuit diagrams of conventional circuits, FIG. 9 is a timing chart of the circuit shown in FIG. 8, and FIG. 10 is a timing chart of the circuit shown in FIG. FIG. 11 is a circuit diagram showing the configuration of one embodiment of the first embodiment.
Fig. 0 is a timing chart of the circuit, Fig. 12 is a circuit diagram showing the configuration of another embodiment of the present invention, Fig. 13 is a circuit diagram embodying a part of Fig. 12, and Fig. 14 is Fig. 13. 15 is a circuit diagram showing a part of the circuit in detail, FIG. 15 is a timing chart of the circuit in FIG. 14, and FIGS. 16 and 17 are circuit diagrams showing other examples of the partial circuit in FIG. 13. be. 53.57...P channel MOSFET, 55
. 58...N-channel MOSFET, 61, 62
...4-phase signal generation circuit, 621.62B, 62C, 6
2D, 62E62F...Circuit block. Applicant's Representative Patent Attorney Takehiko Suzue Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 11! 1t4

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (リ 第1電位が供給される第1の端子と、第2電位が
供給される第2の端子と、2相同期信号のうちの一方が
出力される第3の端子と、2相同期信号のうちの他方が
出力される第4の端4′と、上記第1の端子と第3の端
子との間に挿入される一方チャネルの第1のMOSFE
Tと、上記第3の端子と第2の端子との間に挿入される
他方チャネルの第2のMOSFETと、上記第1の端子
と第4の端子との間に挿入される一方チャネルの第3の
MOSFETと、上記第4の端子と第2の端子との間に
挿入される第4のMOSFETと、1つの同期信号が入
力され上記第1ないし第4のMOSFETの各ダートに
供給される第1ないし第4の4相の制御信号を発生する
4相信号発生手段とを具備し、上記第1のMOSFET
をオンさせるような第1の制御信号の一方レベルの期間
が第2のMOSFETをオンさせるような第2の制御信
号の一方レベルの期間とは重ならず、かつ第3のMOS
FETをオンさせるような第3の制御信号の一方レベル
の期間が第4のMOSFETをオンさせるような第4の
制御信号の一方レベルの期間とは重ならず、上記第2の
制御信号が第2のMOSFETをオンさせるレベルに変
化した後に上記第3の制御信号が第3のMOSFETを
オンさせるレベルに変化し、かつ第4の制御信号が第4
のMOSFETをオンさせるレベルに変化した後に上記
第1の制御信号が第1のMOSFETをオンさせるレベ
ルに変化するように構成したことを特徴とする2相同期
信号発生回路。 (2)第1電位が供給される第1の端子と、第2電位が
供給される第2の端子と、2相同期信号のうちの一方が
出力される第3の端子と、2相同期信号のうちの他方が
出力される第4の端子と、上記第1の端子と第3の端子
との間に挿入される一方チャネルの第1のMOSFET
と、上記第3の端子と第2の端子との間に挿入される他
方チャネルの第2のMO,5FETと、上記第1の端子
と第4の端子との間に挿入される一方チャネルの第3の
MOSFETと、上記第4の端子と第2の端子との間に
挿入される第4のMOSFETと、1つの同期信号およ
び上記第3と第4の端子から出力される2相同期信号か
ら上記第1ないし第4のuosrETの各ダートに供給
される第1ないし第4の4相の制御信号を発生する4相
信号発生手段・とを具備し、上記第1のMOSFETを
オンさせるような第1の・制御信号の一方レベルの期間
が第2のMOSFETをオンさせるような第2の制御信
号の一方レベルの期間とは重ならず、かつ第3のMOS
FETをオンさせるような第3の制御信号の一方レベル
の期間が第4のMOSFETをオンさせるような第4の
制御信号の一方レベルの期間とけ重ならず、上記第2の
制御信号が第2のMOSFETをオンさせるレベルに変
化した後に上記第3の制御信号が第3のMOSFETを
オンさせるレベルに変化し、かつ第4の制御信号が第4
のMOSFETをオンさせるレベルに変化した後に上記
第1の制御信号が第1のMOSFETをオンさせるレベ
ルに変化するように構成したことを特徴とする2相同期
信号発生回路。 (3)前記4相信号発生手段は第1.第2の回路ブロッ
クから構成され、第1の回路ブロックは前記1つの同期
信号と前記第4の端子から出力される2相同期信号のう
ちの一方とから前記第1.第2の制御信号を発生し、第
2の回路ブロックは前記1つの同期信号と前記第3の端
子から出力される2相同期信号のうちの他方とから前記
第3.第4の制御信号を発生するように構成される特許
請求の範囲第2項に記載の2相同期信号発生回路。 (4)前記第1.第2の回路ブロックは前記第4、第3
の端子それぞれから出力される22相同期信号を制御信
号とし、これら各制御信号が一方レベルのときには前記
1つの同期信号のレベル変化に応動して前記第1と第2
および第3と第4のMOSFETのそれぞれ一方がオン
、他方がオフの状態からにともにオフの状態を経て一方
がオフ、他方がオンの状態となるように前記第1ないし
第4の制御信号のレベル設定を行々い、上記2相同期の
各制御信号が他方レベルのときには前記1つの同期信号
のレベル変化にかかわらず前記第1と第2および第3と
第4のMOSFETのうちそれぞれいずれか一方のMO
SFETをオフ状態のまま固定するように前記第1ない
し第4の制御信号のレベル設定を行なうように構成され
る特許請求の範囲第3項に記載の2相同期信号発生回路
。 (5)前記第1.第2の回路ブロックのそれぞれは、2
人力論理和型の第1のダート回路と2人力論理積型の第
2のダート回路とからなるフリラグフロッグ回路と、上
記第1あるいは第2のダート回路の前段に設けられる2
人力論理積型あるいは2人力論理和型の第3のダート回
路とを備え、上記第3のダート回路には前記制御信号と
しての2相同期信号のいずれか一方と前記1つの同期信
号とを入力し、上記フリラグフロッグ回路には上記第3
のダート回路の出力信号と前記1つの同期信号とを入力
するようにした特許請求の範囲第4項に記載の2相同期
信号発生回路。
[Claims] (Li) A first terminal to which a first potential is supplied, a second terminal to which a second potential is supplied, and a third terminal to which one of the two-phase synchronous signals is output. , a fourth end 4' to which the other of the two-phase synchronous signals is output, and a first MOSFE of one channel inserted between the first terminal and the third terminal.
T, a second MOSFET of the other channel inserted between the third terminal and the second terminal, and a second MOSFET of the one channel inserted between the first terminal and the fourth terminal. 3 MOSFET, a fourth MOSFET inserted between the fourth terminal and the second terminal, and one synchronization signal is inputted and supplied to each dart of the first to fourth MOSFETs. 4-phase signal generation means for generating first to fourth four-phase control signals, the first MOSFET
The period of one level of the first control signal that turns on the second MOSFET does not overlap with the period of one level of the second control signal that turns on the second MOSFET, and
The period of one level of the third control signal that turns on the FET does not overlap with the period of one level of the fourth control signal that turns on the fourth MOSFET, and the second control signal After the third control signal changes to a level that turns on the second MOSFET, the third control signal changes to a level that turns on the third MOSFET, and the fourth control signal changes to a level that turns on the third MOSFET, and the fourth control signal changes to a level that turns on the third MOSFET.
A two-phase synchronous signal generation circuit characterized in that the first control signal changes to a level that turns on the first MOSFET after the first control signal changes to a level that turns on the first MOSFET. (2) A first terminal to which the first potential is supplied, a second terminal to which the second potential is supplied, a third terminal to which one of the two-phase synchronization signals is output, and two-phase synchronization. a fourth terminal from which the other of the signals is output; and a one-channel first MOSFET inserted between the first terminal and the third terminal.
and a second MO, 5FET of the other channel inserted between the third terminal and the second terminal, and a second MO, 5FET of the one channel inserted between the first terminal and the fourth terminal. A third MOSFET, a fourth MOSFET inserted between the fourth terminal and the second terminal, one synchronization signal, and a two-phase synchronization signal output from the third and fourth terminals. and four-phase signal generating means for generating first to fourth four-phase control signals supplied to each dart of the first to fourth uosrETs, so as to turn on the first MOSFET. The period of one level of the first control signal does not overlap with the period of one level of the second control signal that turns on the second MOSFET, and
The period of one level of the third control signal that turns on the FET does not overlap with the period of one level of the fourth control signal that turns on the fourth MOSFET, and the second control signal after the third control signal changes to a level that turns on the third MOSFET, and the fourth control signal changes to a level that turns on the third MOSFET, and the fourth control signal changes to a level that turns on the third MOSFET.
A two-phase synchronous signal generation circuit characterized in that the first control signal changes to a level that turns on the first MOSFET after the first control signal changes to a level that turns on the first MOSFET. (3) The four-phase signal generating means is the first. The first circuit block receives the one synchronization signal and one of the two-phase synchronization signals output from the fourth terminal. A second circuit block generates a second control signal from the one synchronization signal and the other of the two-phase synchronization signals output from the third terminal. The two-phase synchronous signal generation circuit according to claim 2, which is configured to generate the fourth control signal. (4) Above 1. The second circuit block is the fourth and third circuit block.
The control signals are 22-phase synchronization signals outputted from each of the terminals of the terminals, and when each of these control signals is at one level, the first and second
The first to fourth control signals are controlled so that one of the third and fourth MOSFETs is turned on and the other is turned off, and then both are turned off, and then one is turned off and the other is turned on. When the levels are set, and each control signal of the two-phase synchronization is at the other level, one of the first and second MOSFETs, and one of the third and fourth MOSFETs is selected regardless of the level change of the one synchronization signal. One MO
4. The two-phase synchronous signal generation circuit according to claim 3, wherein the level setting of the first to fourth control signals is performed so as to fix the SFET in an off state. (5) Above 1. Each of the second circuit blocks has two
A free-lag frog circuit consisting of a first dart circuit of a manual logical sum type and a second dart circuit of a two manual logical product type;
and a third dart circuit of a manual logical product type or a two-human logical sum type, and one of the two-phase synchronizing signals as the control signal and the one synchronizing signal are input to the third dart circuit. However, the above-mentioned free-lag frog circuit has the above-mentioned third
5. The two-phase synchronizing signal generating circuit according to claim 4, wherein the output signal of the dart circuit and the one synchronizing signal are input.
JP58049927A 1983-03-25 1983-03-25 Generating circuit of two-phase synchronizing signal Granted JPS59175214A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58049927A JPS59175214A (en) 1983-03-25 1983-03-25 Generating circuit of two-phase synchronizing signal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58049927A JPS59175214A (en) 1983-03-25 1983-03-25 Generating circuit of two-phase synchronizing signal

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59175214A true JPS59175214A (en) 1984-10-04
JPH0212412B2 JPH0212412B2 (en) 1990-03-20

Family

ID=12844645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58049927A Granted JPS59175214A (en) 1983-03-25 1983-03-25 Generating circuit of two-phase synchronizing signal

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59175214A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006129028A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Toshiba Corp Differential signal generating circuit and differential signal transmitting circuit
JP2009095235A (en) * 2009-02-02 2009-04-30 Toppan Printing Co Ltd Charge pump circuit
JP2009095234A (en) * 2009-02-02 2009-04-30 Toppan Printing Co Ltd Pulse voltage step-up circuit
JP2009095236A (en) * 2009-02-02 2009-04-30 Toppan Printing Co Ltd Charge pump circuit

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006129028A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Toshiba Corp Differential signal generating circuit and differential signal transmitting circuit
JP2009095235A (en) * 2009-02-02 2009-04-30 Toppan Printing Co Ltd Charge pump circuit
JP2009095234A (en) * 2009-02-02 2009-04-30 Toppan Printing Co Ltd Pulse voltage step-up circuit
JP2009095236A (en) * 2009-02-02 2009-04-30 Toppan Printing Co Ltd Charge pump circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0212412B2 (en) 1990-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8742796B2 (en) Low energy flip-flops
EP0606912B1 (en) CMOS polyphase clock generation circuits
EP1166443B1 (en) Single rail domino logic for four-phase clocking scheme
US20020084803A1 (en) Boosted multiplexer transmission gate
JP3732022B2 (en) D flip-flop
JPH05276016A (en) Dynamic ratioless circuitry for adopting random logic
JP2000357943A (en) Latch circuit and register circuit
JPH10117127A (en) Logic storage circuit and logic circuit
JPH10190416A (en) Flip-flop circuit
US6608514B1 (en) Clock signal generator circuit and semiconductor integrated circuit with the same circuit
JPS59175214A (en) Generating circuit of two-phase synchronizing signal
JPH03192915A (en) Flip-flop
US20100207677A1 (en) Low latency flop circuit
US8063685B1 (en) Pulsed flip-flop circuit
JPH09312553A (en) Logic circuit
JP2001345680A (en) Heat insulated register circuit
JPH06296130A (en) Data output circuit
JPH03222518A (en) Integrated circuit device
US6407604B1 (en) Register and latch circuits
JPH0546113A (en) Semiconductor integrated circuit
JPH09232919A (en) Latch circuit and flip-flop circuit
JP2518642B2 (en) Register circuit
JP2569750B2 (en) Synchronous driver circuit
JP2580989B2 (en) Multi-phase clock generation circuit
KR100299050B1 (en) Complementary gate-source clock driver and flip-flop driven thereby