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JPH11214425A - ワイヤボンディング用金合金線 - Google Patents

ワイヤボンディング用金合金線

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Publication number
JPH11214425A
JPH11214425A JP10010926A JP1092698A JPH11214425A JP H11214425 A JPH11214425 A JP H11214425A JP 10010926 A JP10010926 A JP 10010926A JP 1092698 A JP1092698 A JP 1092698A JP H11214425 A JPH11214425 A JP H11214425A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
wire
gold
alloy wire
gold alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10010926A
Other languages
English (en)
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JP3810200B2 (ja
Inventor
Toshitaka Mimura
利孝 三村
Shin Takaura
伸 高浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Denshi Kogyo KK filed Critical Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority to JP01092698A priority Critical patent/JP3810200B2/ja
Publication of JPH11214425A publication Critical patent/JPH11214425A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置が過酷な熱サイクルの環境に晒さ
れても断線を抑制し、また樹脂封止の際のワイヤ流れを
小さくし、さらに振動破断性能を向上させたワイヤボン
ディング用金合金線の提供。 【解決手段】 高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのう
ち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、Ｌａ，Ｅ
ｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａのうち少なくとも１種を１〜１００
重量ppm 含有させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の電極と
外部リードを接続する為に使用する半導体素子のワイヤ
ボンディング用金合金線に関し、更に詳しくは金合金線
を用いて配線された半導体装置が熱衝撃や振動を受ける
環境にさらされても金合金線の断線を効果的に防止出来
るボンディング用金合金線に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体装置に用いられるＩＣチ
ップ電極と外部リードを接続する線としては、純度９
９．９９重量％以上の高純度金に他の金属元素を微量含
有させた金合金線が信頼性に優れているとして多用され
ている。通常半導体装置は前記接続する方法として、金
合金線を用いた超音波併用熱圧着ボンディング法が主と
して用いられ、その後樹脂封止して半導体装置とされて
いる。
【０００３】ここで超音波併用熱圧着ボンディング法に
より配線し、ループを形成した状態を図１に示す。１は
ＩＣチップ、２はＩＣチップ上のＡｌ電極、３は金合金
線、４はリードフレーム、５はファースト側接合点、６
はセカンド側接合点である。最近半導体装置は外部リー
ド材料として放熱性、コストを考慮して銅合金性のリー
ドフレームを用いることが多くなってきた。銅合金性の
リードフレームを用いた場合、封止用樹脂とリードフレ
ームの熱膨張係数の差が大きく、半導体装置の作動によ
る温度上昇によってループを形成した金合金線に外部応
力が加わり、とりわけ半導体装置が過酷な熱サイクル環
境に晒された場合、断線を生じ易くなるという問題があ
る。
【０００４】又半導体装置の小型化、高密度化の要求が
高まる中で、ＩＣチップの多ピン化及びこれに伴う狭ピ
ッチ化が要求されている。多ピン化、狭ピッチ化を達成
するためには、樹脂封止する際にワイヤ流れが小さくル
ープ形状を安定させることが出来る金合金線が要求され
ている。これの対応として合金元素を大量添加すること
が考えられる。例えば特開昭５２−５１８６７号公報に
は金素材中にＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ａｇのうち少な
くとも１種を４０〜５０００重量ppm 含有させて破断強
度を向上させることが提案されている。しかしながら破
断強度を向上させるだけでは最近の前記要求に対しては
未だ不十分である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述したよう
な事情に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは銅合金製のリードフレームを用いた半導体装置が
過酷な熱サイクルの環境に晒された場合でも、断線を抑
制する効果が向上し、且つ樹脂封止する際のワイヤ流れ
を小さくすることが出来る金合金線を提供することであ
る。
【０００６】更に前記過酷な熱サイクル環境に晒された
場合の断線防止や樹脂封止する際にワイヤ流れが小さく
なるような金合金線にするために、金に合金元素を添加
すると振動破断性能が低下してくるという問題が生じて
くる。振動破断性能は半導体装置の樹脂封止前の試料運
搬時に振動による断線を防止出来る金合金線が要求され
ているものである。この為本発明においては、更に振動
破断性能に優れた金合金線を提供することをもう１つの
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等が鋭意研究を
重ねた結果、Ｚｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒ（以下「第１群」
という）のうち少なくとも１種の所定量とＬａ，Ｅｕ，
Ｂｅ，Ｙ，Ｃａ（以下「第２群」という）のうち少なく
とも１種の所定量を高純度金に含有させることにより、
前述の目的を達成しうることを知見し、本発明を完成す
るに至った。 （１）高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なく
とも１種を０．１〜３．０重量％、Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，
Ｙ，Ｃａのうち少なくとも１種を１〜１００重量ppm 含
有させたことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディ
ング用金合金線。 （２）高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なく
とも１種を０．１〜３．０重量％、Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，
Ｙのうち少なくとも１種を１〜１００重量ppm 含有させ
たことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用
金合金線。 （３）高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なく
とも１種を０．１〜３．０重量％、Ｃａを１０〜１００
重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子のワイ
ヤボンディング用金合金線。 （４）高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なく
とも１種を０．１〜３．０重量％、ＣａとＬａ，Ｅｕ，
Ｂｅ，Ｙのうち少なくとも１種とをそれぞれ１重量ppm
以上かつその合計で１〜１００重量ppm 含有させたこと
を特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金
線。 （５）Ｂｉ，Ｙｂ，Ｓｂ，Ｍｇ，Ｉｎ，Ｒｕ，Ｉｒのう
ち少なくとも１種を１〜５００重量ppm 含有させたこと
を特徴とする上記（１）〜（４）記載の半導体素子のワ
イヤボンディング用金合金線。 （６）更にＰｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇのうち少なくとも１
種を０．０１〜２．０重量％含有させたことを特徴とす
る請求項１〜５記載の半導体素子のワイヤボンディング
用金合金線。
【０００８】
【発明の実施の形態】（１）組成 原料金 原料金としては少なくとも９９．９９重量％以上に精製
した高純度金を用いることが好ましい。更に好ましくは
９９．９９５重量％以上であり、最も好ましくは９９．
９９９重量％以上である。この為合金中の不可避不純物
は０．０１重量％未満が好ましい。更に好ましくは０．
００５重量％未満であり、最も好ましくは０．００１重
量％未満である。不可避不純物が少ない程有害元素を除
去出来るため信頼性が向上して好ましい。
【０００９】 〔Ｚｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒ〕 （ａ）前記高純度金に所定量の第２群元素のうち少なく
とも１種との共存において、所定量のＺｎ，Ｃｏ，Ｍ
ｏ，Ｃｒのうち少なくとも１種を含有した組成とするこ
とにより前記課題を達成することが出来る。 （ｂ）前記共存組成において１〜１００重量ppm の第２
群元素のうち少なくとも１種と共存したＺｎ，Ｃｏ，Ｍ
ｏ，Ｃｒのうち少なくとも１種の含有量が０．１重量％
以上になると０．１重量％未満のものと対比して熱衝撃
破断率、振動破断率が大幅に低下するとともにワイヤ流
れ量も小さくなる。
【００１０】前記Ｚｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なく
とも１種の含有量が３．０重量％迄は前記効果を維持出
来るものの、３．０重量％を越えると金合金線の伸線加
工中断線が増加し伸線加工性が悪くなってきた。この為
該共存組成に於けるＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少な
くとも１種の含有量は０．１〜３．０重量％と定めた。
好ましくは０．１〜２．０重量％である。
【００１１】 〔Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａ〕 （ａ）前記高純度金に所定量の第１群元素のうち少なく
とも１種との共存において、所定量のＬａ，Ｅｕ，Ｂ
ｅ，Ｙ，Ｃａのうち少なくとも１種を含有した組成とす
ることにより前記課題を達成することが出来る。 （ｂ）前記共存組成において０．１〜３．０重量％の第
１群元素のうち少なくとも１種と共存したＬａ，Ｅｕ，
Ｂｅ，Ｙ，Ｃａのうち少なくとも１種の含有量が１重量
ppm 以上になると１重量ppm 未満のものと対比して熱衝
撃破断率、振動破断率が大幅に低下するとともにワイヤ
流れ量も小さくなる。
【００１２】又前記Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａのうち
少なくとも１種の含有量が１００重量ppm 迄は前記効果
を維持出来るものの、１００重量ppm を越えると、ボン
ディングする為のボール形成時にボールに引け巣が生じ
たり、ボール表面に酸化物が形成されたりして、ＩＣチ
ップ電極上へのボールの接合性が悪くなる。この為該共
存組成に於けるＬａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａのうち少な
くとも１種の含有量は１〜１００重量ppm と定めた。好
ましくは１〜８０重量ppm である。
【００１３】（ｃ）更に前記共存組成において所定量の
Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａのうち少なくとも１種が次
の３種類の場合は、Ｃａを単独で１重量ppm 以上１０重
量ppm 未満含有する場合と対比して振動破断率が一段と
向上してくる。この為、前記共存組成において所定量の
Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａのうち少なくとも１種が次
の３種類のうち何れか１つであることが好ましい。
【００１４】ア）Ｌａ，Ｅｕ，Ｙ，Ｂｅのうち少なくと
も１種を１〜１００重量ppm イ）Ｃａを１０〜１００重量ppm ウ）Ｃａ及びＬａ，Ｅｕ，Ｙ，Ｂｅのうち少なくとも１
種をそれぞれ１重量ppm 以上かつその合計１〜１００重
量ppm 〔Ｙｂ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｍｇ，Ｉｎ，Ｒｕ，Ｉｒ〕 （ａ）前記高純度金に所定量の第１群元素のうち少なく
とも１種と所定量の第２群元素のうち少なくとも１種と
の共存においてＹｂ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｍｇ，Ｉｎ，Ｒｕ，
Ｉｒ（以下「第３群」という）のうち少なくとも１種を
１〜５００重量ppm 含有させた場合にも熱衝撃破断率、
振動破断率が大幅に低下するとともにワイヤ流れ量も小
さくなる。好ましくは１〜３００重量ppm である。
【００１５】（ｂ）前記所定量の第２群元素のうち少な
くとも１種を前記（ｃ）ア）〜ウ）項とすることが好
ましい。この場合、Ｃａを単独で１重量ppm 以上１０重
量ppm 未満含有する場合と対比して所定量の第３群元素
のうち少なくとも１種を含有しない場合と同様に振動破
断率が一段と向上してくる。 〔Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ〕 （ａ）前記高純度金に所定量の第１群元素のうち少なく
とも１種と所定量の第２群元素のうち少なくとも１種と
の共存、又はそれに加えて所定量の第３群元素のうち少
なくとも１種との共存において、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａ
ｇ（以下「第４群」という）のうち少なくとも１種を
０．０１〜２．０重量％含有させた場合にも、熱衝撃破
断率、振動破断率が大幅に低下するとともにワイヤ流れ
量も小さくなる。好ましくは０．０５〜１．５重量％で
ある。
【００１６】（ｂ）前記所定量の第２群元素のうち少な
くとも１種を前記（ｃ）ア）〜ウ）項とすることが好
ましい。この場合、Ｃａを単独で１重量ppm 以上１０重
量ppm 未満含有する場合と対比して所定量の第４群元素
のうち少なくとも１種を含有しない場合と同様に振動破
断率が一段と向上してくる。 （２）金合金線の製造方法 本発明になる金合金線の好ましい製造方法を説明する。
【００１７】前記高純度金に所定量の元素を添加し、真
空溶解炉で溶解した後インゴットに鋳造する。インゴッ
トに溝ロール、伸線機を用いた冷間加工と中間アニール
を施し、最終冷間加工により直径１０〜１００μｍの細
線とした後最終アニールを施すものである。 （３）用途 本発明になる半導体素子のワイヤボンディング用金合金
線は、半導体装置の実装に際して、ＩＣチップ等の半導
体素子をリードフレームに接続する際、超音波併用熱圧
着ボンディング法を用いた配線材料として好ましく用い
られる。半導体装置はこの後樹脂封止をして仕上げられ
る。
【００１８】特には銅製リードフレームを用いた半導体
装置更には、ＩＣチップの狭ピッチ化に対応する際に好
ましく用いられる。
【００１９】
【実施例】表１〜９に示す実施例及び比較例について説
明する。 （実施例１）純度９９．９９９重量％の高純度金に所定
量のＺｎ，Ｌａを添加し真空溶解炉で溶解した後、鋳造
して表１に示す組成の金合金インゴットを得、これに溝
ロール、伸線機を用いた冷間加工と中間アニールを施
し、最終冷間加工により直径３０μｍとし、伸び率４％
となるように最終アニールを行い更に表面に潤滑剤を被
覆して金合金線に仕上げた。
【００２０】該金合金線を全自動ワイヤボンダ（新川株
式会社製ＵＴＣ−１００型）を用いてＩＣチップのＡｌ
電極と銅合金リードフレームを超音波併用熱圧着ボンデ
ィング法でピン数９６個の試料（この樹脂封止前の試料
を「ボンディング試料」という。）を作成した。次いで
該ボンディング試料をエポキシ樹脂で樹脂封止した半導
体試料（樹脂封止後の試料を「半導体試料」という。）
を作成した。これらの試料を用いて次の試験を行った。 〔熱サイクル試験〕前記半導体試料を熱サイクル試験機
を用いて、−６５℃×３０分と１５０℃×３０分の温度
環境下に３０００サイクル晒し、加速試験を行った。そ
の後封止用樹脂のみを硝酸液を用いて溶解して配線され
たループ状金合金線を露出させた。９６本の配線につい
て断線の有無を走査電顕を用いて測定し、断線発生本数
の割合を熱サイクル破断率（％）として表１に示した。 〔ワイヤ流れ量〕前記半導体試料を軟Ｘ線装置を用いて
ワイヤ流れ量を測定した。
【００２１】図２を用いてワイヤ流れ量の測定方法を説
明する。５はファースト側接合点、６はセカンド側接合
点、３は配線された金合金線、７は５，６を結ぶ仮想直
線、Ｌは金合金線３と仮想直線７との最大かい離量であ
り、仮想直線７を真上から観察してＬを測定した。２４
個のＬの平均値をワイヤ流れ量として表１に示した。 〔振動試験〕前記ボンディング試料を用いた振動試験方
法を図３を用いて説明する。
【００２２】１１はＩＣチップ、１２はＡｌ電極、１３
は金合金線、１４，１４′はリードフレーム、１５は鉄
製台、１６，１６′はリードフレーム固定用磁石、１７
は振動子である。リードフレーム１４，１４′をリード
フレーム固定用磁石１６，１６′で固定し、ＩＣチップ
１１を搭載した部分を振動子１７で上下方向（矢印方
向）に振動させた。
【００２３】周波数１００Hz、上下振動合計０．４mm、
振動数２００００回、振動させた後、４０倍の実体顕微
鏡を用いて金合金線１３の破断数を測定した。ボンディ
ング試料３個分（金合金線２８８本）測定し破断数の割
合を振動破断率（％）として表１に示した。 （実施例２〜８７）（比較例１〜８） 金合金線の組成を表１〜７に示すようにしたこと以外は
実施例１と同様にして金合金線に仕上げ、同様の試験を
行ってその結果を表１〜７に示した。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】
【表５】
【００２９】
【表６】
【００３０】
【表７】
【００３１】（比較例９〜１２）金合金線の組成を表８
に示すようにしたこと以外は実施例１と同様にして金合
金線に仕上げる伸線加工を行ったところ、断線回数が実
施例１〜８７、比較例１〜８のものが許容される断線回
数の範囲内であるのに対して許容される断線回数の２倍
以上であった。この状況を表８に示す。
【００３２】
【表８】
【００３３】（比較例１３〜１４）金合金線の組成を表
７に示すようにしたこと以外は実施例１と同様にして金
合金線に仕上げた。該金合金線を全自動ワイヤボンダ
（新川株式会社製ＵＴＣ−１００型）を用いてボール形
成を行ったところ、実施例１〜８７、比較例１〜８のも
のには発生がみられなかったボール引け巣が生じた。こ
の状況を表９に示す。
【００３４】
【表９】
【００３５】（試験結果） （１）高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒ（第１群）の
うち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、Ｌａ，Ｅ
ｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａ（第２群）のうち少なくとも１種を
１〜１００重量ppm 共存して含有した組成である実施例
１〜６７は、第１群、第２群の何れか一方を含有しない
比較例１〜８と対比して、加速試験に於ける熱サイクル
破断率が４７〜７２％に対して０〜４２％、ワイヤ流れ
量が２９９〜３２２μｍに対して１９１〜２５８μｍと
何れも優れた効果を示した。
【００３６】又、振動破断率は１２〜３９％に対して０
〜１４％と同等若しくはそれ以上の優れた効果を示し
た。 （２）この中でも第２群元素のうち少なくとも１種が次
の３種類のうち何れか１つである場合は、Ｃａのみを１
〜１０重量ppm 未満含有する実施例２４，２５，４６，
５５と対比して振動破断率が１１〜１４％に対して０〜
５％と優れた効果を示す様になる。この為共存元素とし
ての第２群元素のうち少なくとも１種は次の３種類のう
ち何れか１つであることが好ましい。
【００３７】ア）Ｌａ，Ｅｕ，Ｙ，Ｂｅのうち少なくと
も１種を１〜１００重量ppm イ）Ｃａを１０〜１００重量ppm ウ）Ｃａ及びＬａ，Ｅｕ，Ｙ，Ｂｅのうち少なくとも１
種をそれぞれ１重量ppm 以上、かつその合計１〜１００
重量ppm （３）更に第３群元素のうち少なくとも１種を１〜５０
０重量ppm 含有させた実施例６８〜７８においても比較
例と対比して、熱サイクル破断率が１０〜３２％、ワイ
ヤ流れ量が１９１〜２２９μｍ、振動破断率が０％と優
れた効果を示すことがわかる。 （４）前記高純度金に所定量の第１群元素のうち少なく
とも１種と所定量の第２群元素のうち少なくとも１種と
の共存、又はそれに加えて所定量の第３群元素のうち少
なくとも１種との共存において、第４群元素のうち少な
くとも１種を０．０１〜２．０重量％含有させた実施例
７９〜８７においても、比較例と対比して、熱サイクル
破断率が１２〜３０％、ワイヤ流れ量が１９７〜２２５
μｍ、振動破断率が０〜３％と優れた効果を示すことが
わかる。 （５）高純度金に所定量の第１群元素のうち少なくとも
１種を含有するものの、本発明の必須成分である所定量
の第２群元素を含有しない比較例１，３，５，７は加速
試験に於ける熱サイクル破断率が４７〜５２％、ワイヤ
流れ量が２９９〜３２２μｍであり本願の構成である実
施例１〜８７の方が優れていることがわかる。 （６）高純度金に所定量の第２群元素のうち少なくとも
１種を含有するものの、本発明の必須成分である所定量
の第１群元素を含有しない比較例２，４，６，８は加速
試験に於ける熱サイクル破断率が６５〜７２％、ワイヤ
流れ量が３０２〜３２９μｍ、振動破断率は３５〜３９
％であり本願の構成である実施例１〜８７の方が優れて
いることがわかる。
【００３８】
【発明の効果】本発明により高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍ
ｏ，Ｃｒのうち少なくとも１種を０．１〜３．０重量
％、Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａのうち少なくとも１種
を１〜１００重量ppm 含有させた組成を有する半導体素
子ボンディング用金合金線によれば、銅合金製のリード
フレームを用いた半導体装置が過酷な熱サイクルの環境
に晒された場合でも、断線を抑制する効果が向上し、樹
脂封止する際のワイヤ流れを小さくすることが出来、更
には振動破断性能が低下することなく向上させることも
出来る。前記含有成分に加えて所定量のＹｂ，Ｂｉ，Ｓ
ｂ，Ｍｇ，Ｉｎ，Ｒｕ，Ｉｒのうち少なくとも１種又は
それに加えて所定量のＰｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇのうち少
なくとも１種を含有した場合においても同様の効果を示
す。
【図面の簡単な説明】
【図１】ワイヤボンディングされた半導体素子の例を示
す。
【図２】ワイヤ流れ量の測定を説明する図。
【図３】ボンディング試料の振動試験方法を説明する
図。
【符号の説明】
３…金合金線 ５…ファースト側接合点 ６…セカンド側接合点 ７…５，６を結ぶ仮想直線

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのう
    ち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、Ｌａ，Ｅ
    ｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａのうち少なくとも１種を１〜１００
    重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子のワイ
    ヤボンディング用金合金線。
  2. 【請求項２】 高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのう
    ち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、Ｌａ，Ｅ
    ｕ，Ｂｅ，Ｙのうち少なくとも１種を１〜１００重量pp
    m 含有させたことを特徴とする半導体素子のワイヤボン
    ディング用金合金線。
  3. 【請求項３】 高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのう
    ち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、Ｃａを１０
    〜１００重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素
    子のワイヤボンディング用金合金線。
  4. 【請求項４】 高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのう
    ち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、ＣａとＬ
    ａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙのうち少なくとも１種とをそれぞれ
    １重量ppm 以上かつその合計で１〜１００重量ppm 含有
    させたことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディン
    グ用金合金線。
  5. 【請求項５】 Ｂｉ，Ｙｂ，Ｓｂ，Ｍｇ，Ｉｎ，Ｒｕ，
    Ｉｒのうち少なくとも１種を１〜５００重量ppm 含有さ
    せたことを特徴とする請求項１〜４記載の半導体素子の
    ワイヤボンディング用金合金線。
  6. 【請求項６】 更にＰｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇのうち少な
    くとも１種を０．０１〜２．０重量％含有させたことを
    特徴とする請求項１〜５記載の半導体素子のワイヤボン
    ディング用金合金線。
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