JPH11195563A - 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法 - Google Patents
試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法Info
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- JPH11195563A JPH11195563A JP36101697A JP36101697A JPH11195563A JP H11195563 A JPH11195563 A JP H11195563A JP 36101697 A JP36101697 A JP 36101697A JP 36101697 A JP36101697 A JP 36101697A JP H11195563 A JPH11195563 A JP H11195563A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多孔質層を有する基板を該多孔質層で分離する
装置を提供する。 【解決手段】多孔質層１０１ｂを有する貼り合わせ基板
１０１を基板保持部１２０及び１５０により回転させな
がら支持する。ノズル１０２から高速、高圧の水（ジェ
ット）を噴射し、そのジェットを貼り合わせ基板１０１
に挟入させる。基板保持部１２０，１５０は、貼り合わ
せ基板１０１が中心部付近が、内部に注入される水の圧
力により反ることを許容する一方で、その反り量を制限
するように該貼り合わせ基板１０１を保持する。これに
より、貼り合わせ基板１０１に対して内側から外側に向
かう力（分離力）を効率的に作用させると共に貼り合せ
基板１０１が割れることを防止する。
装置を提供する。 【解決手段】多孔質層１０１ｂを有する貼り合わせ基板
１０１を基板保持部１２０及び１５０により回転させな
がら支持する。ノズル１０２から高速、高圧の水（ジェ
ット）を噴射し、そのジェットを貼り合わせ基板１０１
に挟入させる。基板保持部１２０，１５０は、貼り合わ
せ基板１０１が中心部付近が、内部に注入される水の圧
力により反ることを許容する一方で、その反り量を制限
するように該貼り合わせ基板１０１を保持する。これに
より、貼り合わせ基板１０１に対して内側から外側に向
かう力（分離力）を効率的に作用させると共に貼り合せ
基板１０１が割れることを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料の分離装置及
びその方法並びに基板の製造方法に係り、特に、内部に
脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分
離装置及びその方法、該装置において使用する試料の支
持装置、並びに、該分離装置を使用した基板の製造方法
に関する。
びその方法並びに基板の製造方法に係り、特に、内部に
脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分
離装置及びその方法、該装置において使用する試料の支
持装置、並びに、該分離装置を使用した基板の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁層上に単結晶Ｓｉ層を有する基板と
して、ＳＯＩ（silicon on insulator）構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では達成し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 （１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。 （２）放射線耐性に優れている。 （３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 （４）ウェル工程が不要である。 （５）ラッチアップを防止できる。 （６）薄膜化による完全な空乏型電解効果トランジスタ
の形成が可能である。
して、ＳＯＩ（silicon on insulator）構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では達成し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 （１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。 （２）放射線耐性に優れている。 （３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 （４）ウェル工程が不要である。 （５）ラッチアップを防止できる。 （６）薄膜化による完全な空乏型電解効果トランジスタ
の形成が可能である。
【０００３】ＳＯＩ構造は、上記のような様々な優位点
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められてきた。
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められてきた。
【０００４】ＳＯＩ技術としては、古くは、単結晶サフ
ァイア基板上にＳｉをＣＶＤ（化学気層成長）法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するＳＯＳ（silicon on s
apphire）技術が知られている。このＳＯＳ技術は、最
も成熟したＳＯＩ技術として一応の評価を得たものの、
Ｓｉ層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニウムのＳｉ層への混入、基板の価格、大
面積化への遅れ等の理由により実用化が進んでいない。
ァイア基板上にＳｉをＣＶＤ（化学気層成長）法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するＳＯＳ（silicon on s
apphire）技術が知られている。このＳＯＳ技術は、最
も成熟したＳＯＩ技術として一応の評価を得たものの、
Ｓｉ層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニウムのＳｉ層への混入、基板の価格、大
面積化への遅れ等の理由により実用化が進んでいない。
【０００５】ＳＯＳ技術に次いで、ＳＩＭＯＸ（separa
tion by ion implanted oxygen）技術が登場した。この
ＳＩＭＯＸ技術に関して、結晶欠陥の低減や製造コスト
の低減等を目指して様々な方法が試みられてきた。この
方法としては、基板に酸素イオンを注入して埋め込み酸
化層を形成する方法、酸化膜を挟んで２枚のウェハを貼
り合わせて一方のウェハを研磨又はエッチングして、薄
い単結晶Ｓｉ層を酸化膜上に残す方法、更には、酸化膜
が形成されたＳｉ基板の表面から所定の深さに水素イオ
ンを打ち込み、他方の基板と貼り合わせた後に、加熱処
理等により該酸化膜上に薄い単結晶Ｓｉ層を残して、貼
り合わせた基板（他方の基板）を剥離する方法等が挙げ
られる。
tion by ion implanted oxygen）技術が登場した。この
ＳＩＭＯＸ技術に関して、結晶欠陥の低減や製造コスト
の低減等を目指して様々な方法が試みられてきた。この
方法としては、基板に酸素イオンを注入して埋め込み酸
化層を形成する方法、酸化膜を挟んで２枚のウェハを貼
り合わせて一方のウェハを研磨又はエッチングして、薄
い単結晶Ｓｉ層を酸化膜上に残す方法、更には、酸化膜
が形成されたＳｉ基板の表面から所定の深さに水素イオ
ンを打ち込み、他方の基板と貼り合わせた後に、加熱処
理等により該酸化膜上に薄い単結晶Ｓｉ層を残して、貼
り合わせた基板（他方の基板）を剥離する方法等が挙げ
られる。
【０００６】本出願人は、特開平５−２１３３８号にお
いて、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、多孔
質層が形成された単結晶半導体基板上に非多孔質単結晶
層（ＳｉＯ2）を形成した第１の基板を、絶縁層（Ｓｉ
Ｏ2）を介して第２の基板に貼り合わせ、その後、多孔
質層で両基板を分離し、第２の基板に非多孔質単結晶層
を移し取るものである。この技術は、ＳＯＩ層の膜厚均
一性が優れていること、ＳＯＩ層の結晶欠陥密度を低減
し得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が良好であること、
高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数１００
Å〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を有するＳＯＩ基板
を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れてい
る。
いて、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、多孔
質層が形成された単結晶半導体基板上に非多孔質単結晶
層（ＳｉＯ2）を形成した第１の基板を、絶縁層（Ｓｉ
Ｏ2）を介して第２の基板に貼り合わせ、その後、多孔
質層で両基板を分離し、第２の基板に非多孔質単結晶層
を移し取るものである。この技術は、ＳＯＩ層の膜厚均
一性が優れていること、ＳＯＩ層の結晶欠陥密度を低減
し得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が良好であること、
高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数１００
Å〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を有するＳＯＩ基板
を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れてい
る。
【０００７】更に、本出願人は、特開平７−３０２８８
９号において、上記の第１の基板と第２の基板とを貼り
合わせた後に、第１の基板を破壊することなく第２の基
板から分離し、その後、分離した第１の基板の表面を平
滑にして再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術
を開示した。この技術は、第１の基板を無駄なく使用で
きるため、製造コストを大幅に低減することができ、製
造工程も単純であるという優れた利点を有する。
９号において、上記の第１の基板と第２の基板とを貼り
合わせた後に、第１の基板を破壊することなく第２の基
板から分離し、その後、分離した第１の基板の表面を平
滑にして再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術
を開示した。この技術は、第１の基板を無駄なく使用で
きるため、製造コストを大幅に低減することができ、製
造工程も単純であるという優れた利点を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記の技術において
は、貼り合わせた２枚の基板を分離する際に、両基板の
破損がなく、また、パーティクルの発生による基板や製
造装置等の汚染が少ないことが要求される。
は、貼り合わせた２枚の基板を分離する際に、両基板の
破損がなく、また、パーティクルの発生による基板や製
造装置等の汚染が少ないことが要求される。
【０００９】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、基板等の試料の分離に好適な分離装置及びそ
の方法、該分離装置において使用する試料の支持装置、
並びに、該分離装置を使用した基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。
のであり、基板等の試料の分離に好適な分離装置及びそ
の方法、該分離装置において使用する試料の支持装置、
並びに、該分離装置を使用した基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る試料の分離
装置は、内部に脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な
層で分離する分離装置であって、試料に向けて流体を噴
射する噴射部と、試料を両側から挟むようにして保持す
る一対の保持部とを備え、前記一対の保持部は、前記噴
射部から噴射され試料内部に注入された流体の圧力によ
り該試料が２枚に分かれるようにして反ることを許容す
る一方で、その反り量を制限することを特徴とする。
装置は、内部に脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な
層で分離する分離装置であって、試料に向けて流体を噴
射する噴射部と、試料を両側から挟むようにして保持す
る一対の保持部とを備え、前記一対の保持部は、前記噴
射部から噴射され試料内部に注入された流体の圧力によ
り該試料が２枚に分かれるようにして反ることを許容す
る一方で、その反り量を制限することを特徴とする。
【００１１】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、滑らかな凸状の支持面
を有し、該支持面により試料を保持することが好まし
い。
部の少なくとも一方は、例えば、滑らかな凸状の支持面
を有し、該支持面により試料を保持することが好まし
い。
【００１２】上記の分離装置において、前記支持面は、
例えば、実質的に球面の一部であることが好ましい。
例えば、実質的に球面の一部であることが好ましい。
【００１３】上記の分離装置において、前記支持面は、
例えば、頂上部を凸面で構成した円錐がなす面であるこ
とが好ましい。
例えば、頂上部を凸面で構成した円錐がなす面であるこ
とが好ましい。
【００１４】上記の分離装置において、前記支持面は、
例えば、実質的に円錐台状の面で構成した面であること
が好ましい。
例えば、実質的に円錐台状の面で構成した面であること
が好ましい。
【００１５】上記の分離装置において、前記支持面は、
例えば、円錐台が数段重なって全体として滑らかな凸形
状を構成する面であることが好ましい。
例えば、円錐台が数段重なって全体として滑らかな凸形
状を構成する面であることが好ましい。
【００１６】上記の分離装置において、前記支持面は、
例えば、円柱が数段重なって全体として凸形状を構成す
る面であることが好ましい。
例えば、円柱が数段重なって全体として凸形状を構成す
る面であることが好ましい。
【００１７】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体を含み、試料か
ら受ける力により変形することが好ましい。
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体を含み、試料か
ら受ける力により変形することが好ましい。
【００１８】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、少なくとも一部が弾性
体で構成された支持部を有し、該支持部により試料を保
持することが好ましい。
部の少なくとも一方は、例えば、少なくとも一部が弾性
体で構成された支持部を有し、該支持部により試料を保
持することが好ましい。
【００１９】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、試料と接触し得る部分
が弾性体で構成されていることが好ましい。
部の少なくとも一方は、例えば、試料と接触し得る部分
が弾性体で構成されていることが好ましい。
【００２０】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体からなる環状の
支持部を有することが好ましい。
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体からなる環状の
支持部を有することが好ましい。
【００２１】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、その本体に弾性体を介
して連結された支持部を有することが好ましい。
部の少なくとも一方は、例えば、その本体に弾性体を介
して連結された支持部を有することが好ましい。
【００２２】上記の分離装置に、試料の面と直交する方
向に設けられた軸を中心にして前記保持部を回転させる
回転機構を更に備えることが好ましい。
向に設けられた軸を中心にして前記保持部を回転させる
回転機構を更に備えることが好ましい。
【００２３】上記の分離装置に、前記一対の保持部の間
隔を調整する調整機構を更に備えることが好ましい。
隔を調整する調整機構を更に備えることが好ましい。
【００２４】上記の分離装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、試料を押
圧するように前記一対の保持部の間隔を調整することが
好ましい。
は、流体により試料を分離する際に、例えば、試料を押
圧するように前記一対の保持部の間隔を調整することが
好ましい。
【００２５】上記の分離装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、前記一対
の保持部の間隔を略一定に維持することが好ましい。
は、流体により試料を分離する際に、例えば、前記一対
の保持部の間隔を略一定に維持することが好ましい。
【００２６】上記の分離装置において、前記一対の保持
部は、試料を真空吸着する吸着機構を有することが好ま
しい。
部は、試料を真空吸着する吸着機構を有することが好ま
しい。
【００２７】上記の分離装置は、脆弱な層として多孔質
層を有する基板を分離する処理に好適である。
層を有する基板を分離する処理に好適である。
【００２８】本発明に係る試料の保持装置は、内部に脆
弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分離
装置において使用する試料の支持装置であって、試料を
両側から挟むようにして保持する一対の保持部を備え、
前記一対の保持部は、前記分離装置に設けられた噴射部
から噴射され試料内部に注入された流体の圧力により該
試料が２枚に分かれるようにして反ることを許容する一
方で、その反り量を制限することを特徴とする。
弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分離
装置において使用する試料の支持装置であって、試料を
両側から挟むようにして保持する一対の保持部を備え、
前記一対の保持部は、前記分離装置に設けられた噴射部
から噴射され試料内部に注入された流体の圧力により該
試料が２枚に分かれるようにして反ることを許容する一
方で、その反り量を制限することを特徴とする。
【００２９】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、滑らかな凸状の支持面
を有し、該支持面により試料を保持することが好まし
い。
部の少なくとも一方は、例えば、滑らかな凸状の支持面
を有し、該支持面により試料を保持することが好まし
い。
【００３０】上記の支持装置において、前記支持面は、
例えば、実質的に球面の一部であることが好ましい。
例えば、実質的に球面の一部であることが好ましい。
【００３１】上記の支持装置において、前記支持面は、
例えば、頂上部を凸面で構成した円錐がなす面であるこ
とが好ましい。
例えば、頂上部を凸面で構成した円錐がなす面であるこ
とが好ましい。
【００３２】上記の支持装置において、前記支持面は、
例えば、実質的に円錐台状の面で構成した面であること
が好ましい。
例えば、実質的に円錐台状の面で構成した面であること
が好ましい。
【００３３】上記の支持装置において、前記支持面は、
例えば、円錐台が数段重なって全体として滑らかな凸形
状を構成する面であることが好ましい。
例えば、円錐台が数段重なって全体として滑らかな凸形
状を構成する面であることが好ましい。
【００３４】上記の支持装置において、前記支持面は、
例えば、円柱が数段重なって全体として凸形状を構成す
る面であることが好ましい。
例えば、円柱が数段重なって全体として凸形状を構成す
る面であることが好ましい。
【００３５】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体を含み、試料か
ら受ける力により変形することが好ましい。
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体を含み、試料か
ら受ける力により変形することが好ましい。
【００３６】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、少なくとも一部が弾性
体で構成された支持部を有し、該支持部により試料を保
持することが好ましい。
部の少なくとも一方は、例えば、少なくとも一部が弾性
体で構成された支持部を有し、該支持部により試料を保
持することが好ましい。
【００３７】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、試料と接触し得る部分
が弾性体で構成されていることが好ましい。
部の少なくとも一方は、例えば、試料と接触し得る部分
が弾性体で構成されていることが好ましい。
【００３８】上記に支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体からなる環状の
支持部を有することが好ましい。
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体からなる環状の
支持部を有することが好ましい。
【００３９】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、その本体に弾性体を介
して連結された支持部を有することが好ましい。
部の少なくとも一方は、例えば、その本体に弾性体を介
して連結された支持部を有することが好ましい。
【００４０】上記の支持装置に、試料の面と直交する方
向に設けられた軸を中心にして前記保持部を回転させる
回転機構を更に備えることが好ましい。
向に設けられた軸を中心にして前記保持部を回転させる
回転機構を更に備えることが好ましい。
【００４１】上記の支持装置に、前記一対の保持部の間
隔を調整する調整機構を更に備えることが好ましい。
隔を調整する調整機構を更に備えることが好ましい。
【００４２】上記の支持装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、試料を押
圧するように前記一対の保持部の間隔を調整することが
好ましい。
は、流体により試料を分離する際に、例えば、試料を押
圧するように前記一対の保持部の間隔を調整することが
好ましい。
【００４３】上記の支持装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、前記一対
の保持部の間隔を略一定に維持することが好ましい。
は、流体により試料を分離する際に、例えば、前記一対
の保持部の間隔を略一定に維持することが好ましい。
【００４４】上記の支持装置に、前記一対の保持部は、
試料を真空吸着する吸着機構を有することが好ましい。
試料を真空吸着する吸着機構を有することが好ましい。
【００４５】上記の支持装置は、脆弱な層として多孔質
層を有する基板を支持して、分離処理に供する支持装置
として好適である。
層を有する基板を支持して、分離処理に供する支持装置
として好適である。
【００４６】本発明に係る試料の分離方法は、上記の分
離装置を使用して脆弱な層を有する試料を分離すること
を特徴とする。
離装置を使用して脆弱な層を有する試料を分離すること
を特徴とする。
【００４７】上記の分離方法において、前記噴射部から
噴射させる流体として、例えば水を使用することが好ま
しい。
噴射させる流体として、例えば水を使用することが好ま
しい。
【００４８】本発明に係る他の分離方法は、一方の面に
多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の前
記非多孔質層側を第２の基板に貼り合わせてなる基板を
前記多孔質層で分離する分離方法であって、その分離に
際して、上記の分離装置を使用することを特徴とする。
多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の前
記非多孔質層側を第２の基板に貼り合わせてなる基板を
前記多孔質層で分離する分離方法であって、その分離に
際して、上記の分離装置を使用することを特徴とする。
【００４９】本発明に係る基板の製造方法は、一方の面
に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の
前記非多孔質層側を第２の基板に貼り合せる工程と、貼
り合わせた基板を前記多孔質層で分離する分離工程とを
含む基板の製造方法であって、前記分離工程において、
上記の分離装置を使用することを特徴とする。
に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の
前記非多孔質層側を第２の基板に貼り合せる工程と、貼
り合わせた基板を前記多孔質層で分離する分離工程とを
含む基板の製造方法であって、前記分離工程において、
上記の分離装置を使用することを特徴とする。
【００５０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。
発明の好適な実施の形態を説明する。
【００５１】図１４は、本発明の好適な実施の形態に係
るＳＯＩ基板の製造を方法を工程順に説明する図であ
る。
るＳＯＩ基板の製造を方法を工程順に説明する図であ
る。
【００５２】図１４（ａ）に示す工程では、単結晶Ｓｉ
基板１１を準備して、その表面に陽極化成等により多孔
質Ｓｉ層１２を形成する。次いで、図１４（ｂ）に示す
工程では、多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質単結晶Ｓｉ層
１３をエピタキシャル成長法により形成する。これによ
り、第１の基板（）が形成される。
基板１１を準備して、その表面に陽極化成等により多孔
質Ｓｉ層１２を形成する。次いで、図１４（ｂ）に示す
工程では、多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質単結晶Ｓｉ層
１３をエピタキシャル成長法により形成する。これによ
り、第１の基板（）が形成される。
【００５３】図１４（ｃ）に示す工程では、先ず、単結
晶Ｓｉ基板１４の表面に絶縁層（例えば、ＳｉＯ2層）
１５を形成した第２の基板（）を準備し、第１の基板
（）と第２の基板（）とを、非多孔質単結晶Ｓｉ層
１３と絶縁層１５とが面するように室温で密着させる。
その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組
合わせた処理により第１の基板（）と第２の基板
（）とを貼り合わせる。この処理により、非多孔質単
結晶Ｓｉ層１３と絶縁層１５が強固に結合される。な
お、絶縁層１５は、上記のように単結晶Ｓｉ基板１４側
に形成しても良いし、非多孔質単結晶Ｓｉ層１３上に形
成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、第
１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１４（ｃ）
に示す状態になれば良い。
晶Ｓｉ基板１４の表面に絶縁層（例えば、ＳｉＯ2層）
１５を形成した第２の基板（）を準備し、第１の基板
（）と第２の基板（）とを、非多孔質単結晶Ｓｉ層
１３と絶縁層１５とが面するように室温で密着させる。
その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組
合わせた処理により第１の基板（）と第２の基板
（）とを貼り合わせる。この処理により、非多孔質単
結晶Ｓｉ層１３と絶縁層１５が強固に結合される。な
お、絶縁層１５は、上記のように単結晶Ｓｉ基板１４側
に形成しても良いし、非多孔質単結晶Ｓｉ層１３上に形
成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、第
１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１４（ｃ）
に示す状態になれば良い。
【００５４】図１４（ｄ）に示す工程では、貼り合わせ
た２枚の基板を、多孔質Ｓｉ層１２の部分で分離する。
これにより、第２の基板側（''＋）は、多孔質Ｓｉ
層１２''／単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ
基板１４の積層構造となる。一方、第１の基板側
（'）は、単結晶Ｓｉ基板１１上に多孔質Ｓｉ層１
２’を有する構造となる。
た２枚の基板を、多孔質Ｓｉ層１２の部分で分離する。
これにより、第２の基板側（''＋）は、多孔質Ｓｉ
層１２''／単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ
基板１４の積層構造となる。一方、第１の基板側
（'）は、単結晶Ｓｉ基板１１上に多孔質Ｓｉ層１
２’を有する構造となる。
【００５５】分離後の基板（’）は、残留した多孔質
Ｓｉ層１２’を除去し、必要に応じて、その表面を平坦
化することにより、再び第１の基板（）を形成するた
めの単結晶Ｓｉ基板１１として使用される。
Ｓｉ層１２’を除去し、必要に応じて、その表面を平坦
化することにより、再び第１の基板（）を形成するた
めの単結晶Ｓｉ基板１１として使用される。
【００５６】貼り合わせた基板を分離した後、図１４
（ｅ）に示す工程では、第２の基板側（''＋）の表
面の多孔質層１２''を選択的に除去する。これにより、
単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基板１４の
積層構造、すなわち、ＳＯＩ構造を有する基板が得られ
る。
（ｅ）に示す工程では、第２の基板側（''＋）の表
面の多孔質層１２''を選択的に除去する。これにより、
単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基板１４の
積層構造、すなわち、ＳＯＩ構造を有する基板が得られ
る。
【００５７】この実施の形態においては、図１４（ｄ）
に示す工程、すなわち、貼り合わせた２枚の基板（以
下、貼り合わせ基板）を分離する工程において、分離領
域である多孔質Ｓｉ層に対して、選択的に高圧の液体又
は気体（流体）を噴射することにより該分離領域で基板
を２枚に分離する分離装置を使用する。
に示す工程、すなわち、貼り合わせた２枚の基板（以
下、貼り合わせ基板）を分離する工程において、分離領
域である多孔質Ｓｉ層に対して、選択的に高圧の液体又
は気体（流体）を噴射することにより該分離領域で基板
を２枚に分離する分離装置を使用する。
【００５８】［分離装置の基本構成］この分離装置は、
ウォータージェット法を適用したものである。一般に、
ウォータジェット法は、水（固い材料を切断する場合に
は研磨材を加える）を高速、高圧の束状の流れにして対
象物に対して噴射して、セラミックス、金属、コンクリ
ート、樹脂、ゴム、木材等の切断、加工、表面の塗膜の
除去、表面の洗浄等を行う方法である（ウォータージェ
ット第１巻１号第４ページ参照）。従来、ウォータージ
ェット法は、主に材料の一部を除去することにより、上
記のような切断、加工、塗膜の除去、表面の洗浄を行う
ことに利用されていた。
ウォータージェット法を適用したものである。一般に、
ウォータジェット法は、水（固い材料を切断する場合に
は研磨材を加える）を高速、高圧の束状の流れにして対
象物に対して噴射して、セラミックス、金属、コンクリ
ート、樹脂、ゴム、木材等の切断、加工、表面の塗膜の
除去、表面の洗浄等を行う方法である（ウォータージェ
ット第１巻１号第４ページ参照）。従来、ウォータージ
ェット法は、主に材料の一部を除去することにより、上
記のような切断、加工、塗膜の除去、表面の洗浄を行う
ことに利用されていた。
【００５９】この分離装置は、脆弱な構造部分である貼
り合わせ基板の多孔質層（分離領域）に対して、基板の
面方向に、高速、高圧の流体を束状の流れにして噴射し
て、多孔質層を選択的に崩壊させることにより、多孔質
層の部分で基板を分離するものである。以下では、この
束状の流れを「ジェット」という。また、ジェットを構
成する流体を「ジェット構成媒体」という。ジェット構
成媒体としては、水、アルコール等の有機溶媒、弗酸、
硝酸その他の酸、水酸化カリウムその他のアルカリ、空
気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガス、エッチングガスその
他の気体、プラズマ等を使用し得る。
り合わせ基板の多孔質層（分離領域）に対して、基板の
面方向に、高速、高圧の流体を束状の流れにして噴射し
て、多孔質層を選択的に崩壊させることにより、多孔質
層の部分で基板を分離するものである。以下では、この
束状の流れを「ジェット」という。また、ジェットを構
成する流体を「ジェット構成媒体」という。ジェット構
成媒体としては、水、アルコール等の有機溶媒、弗酸、
硝酸その他の酸、水酸化カリウムその他のアルカリ、空
気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガス、エッチングガスその
他の気体、プラズマ等を使用し得る。
【００６０】この分離装置を半導体装置の製造工程、例
えば貼り合わせ基板の分離工程に適用する場合、ジェッ
ト構成媒体としては、不純物金属やパーティクル等を極
力除去した純水を使用することが好ましい。ただし、こ
の分離工程は完全低温プロセスであるため、必ずしもジ
ェット構成媒体として高純度の水を使用する必要はな
く、分離工程の終了後に基板を洗浄することもできる。
えば貼り合わせ基板の分離工程に適用する場合、ジェッ
ト構成媒体としては、不純物金属やパーティクル等を極
力除去した純水を使用することが好ましい。ただし、こ
の分離工程は完全低温プロセスであるため、必ずしもジ
ェット構成媒体として高純度の水を使用する必要はな
く、分離工程の終了後に基板を洗浄することもできる。
【００６１】この分離装置は、貼り合せ基板の側面に表
出した多孔質層（分離領域）に向けてジェットを噴射す
ることにより、多孔質層を外周部分から中心部分に向か
って除去する。これにより、貼り合わせ基板は、その本
体部分に損傷を受けることなく、機械的な強度が脆弱な
分離領域のみが除去され、２枚の基板に分離される。な
お、貼り合わせ基板の側面が何等かの薄い層で覆われ
て、多孔質層が表出していない場合においても、ジェッ
トにより当該層を除去することにより、その後は、前述
と同様にして、貼り合わせ基板を分離することができ
る。
出した多孔質層（分離領域）に向けてジェットを噴射す
ることにより、多孔質層を外周部分から中心部分に向か
って除去する。これにより、貼り合わせ基板は、その本
体部分に損傷を受けることなく、機械的な強度が脆弱な
分離領域のみが除去され、２枚の基板に分離される。な
お、貼り合わせ基板の側面が何等かの薄い層で覆われ
て、多孔質層が表出していない場合においても、ジェッ
トにより当該層を除去することにより、その後は、前述
と同様にして、貼り合わせ基板を分離することができ
る。
【００６２】主にジェットによる切削力のみによって貼
り合わせ基板を分離するには、例えば１平方ｃｍ当たり
数千ｋｇｆ以上の高圧をジェット構成媒体に加える必要
がある。この場合、貼り合わせ基板の外周部が損傷を受
けることや、分離両域内の内圧が高くなることにより、
貼り合わせ基板が割れることが懸念される。
り合わせ基板を分離するには、例えば１平方ｃｍ当たり
数千ｋｇｆ以上の高圧をジェット構成媒体に加える必要
がある。この場合、貼り合わせ基板の外周部が損傷を受
けることや、分離両域内の内圧が高くなることにより、
貼り合わせ基板が割れることが懸念される。
【００６３】そこで、この懸念を避けるため、ジェット
構成媒体に加える圧力を例えば１平方ｃｍ当たり５００
ｋｇｆ程度の低圧にするが好ましい。このように低圧の
ジェットを採用した場合、ジェットを多孔質層に衝突さ
せて、その衝撃により当該多孔質層を切断するというよ
りも、むしろ内部に注入されたジェット構成媒体により
貼り合わせ基板を膨張させて２枚の基板に引き離すこと
により、貼り合わせ基板が分離されることになる。した
がって、切断屑が殆ど発生しない他、基板に与える損傷
も少ない。更に、ジェット構成媒体に研磨材を混ぜる必
要もない。
構成媒体に加える圧力を例えば１平方ｃｍ当たり５００
ｋｇｆ程度の低圧にするが好ましい。このように低圧の
ジェットを採用した場合、ジェットを多孔質層に衝突さ
せて、その衝撃により当該多孔質層を切断するというよ
りも、むしろ内部に注入されたジェット構成媒体により
貼り合わせ基板を膨張させて２枚の基板に引き離すこと
により、貼り合わせ基板が分離されることになる。した
がって、切断屑が殆ど発生しない他、基板に与える損傷
も少ない。更に、ジェット構成媒体に研磨材を混ぜる必
要もない。
【００６４】貼り合わせ基板の周辺部においては、上記
の如き貼り合わせ基板を２枚の基板に引き離す効果は、
貼り合わせ基板の外周部に円周方向に沿ってＶ（凹）型
の溝がある場合に極めて有効に作用する。図１５は、Ｖ
型の溝の有無による貼り合わせ基板に作用する力を概念
的に示す図である。図１５（ａ）は、Ｖ型の溝２２を有
する貼り合わせ基板、図１５（ｂ）は、Ｖ型の溝を有し
ない貼り合わせ基板を示す。
の如き貼り合わせ基板を２枚の基板に引き離す効果は、
貼り合わせ基板の外周部に円周方向に沿ってＶ（凹）型
の溝がある場合に極めて有効に作用する。図１５は、Ｖ
型の溝の有無による貼り合わせ基板に作用する力を概念
的に示す図である。図１５（ａ）は、Ｖ型の溝２２を有
する貼り合わせ基板、図１５（ｂ）は、Ｖ型の溝を有し
ない貼り合わせ基板を示す。
【００６５】図１５（ａ）に示すように、Ｖ型の溝２２
を有する貼り合わせ基板においては、矢印２３のよう
に、貼り合わせ基板の内側から外側に向かって力（以
下、分離力）が加わる。一方、図１５（ｂ）に示すよう
に、外周部が凸形状をなす貼り合わせ基板においては、
矢印２４に示すように、貼り合わせ基板の外側から内側
に向かって力が加わる。したがって、外周部が凸形状を
なす貼り合わせ基板においては、分離領域である多孔質
層１２の外周部がジェット２１により除去されない限
り、分離力が作用しない。
を有する貼り合わせ基板においては、矢印２３のよう
に、貼り合わせ基板の内側から外側に向かって力（以
下、分離力）が加わる。一方、図１５（ｂ）に示すよう
に、外周部が凸形状をなす貼り合わせ基板においては、
矢印２４に示すように、貼り合わせ基板の外側から内側
に向かって力が加わる。したがって、外周部が凸形状を
なす貼り合わせ基板においては、分離領域である多孔質
層１２の外周部がジェット２１により除去されない限
り、分離力が作用しない。
【００６６】また、貼り合わせ基板の外周部の表面に薄
い層が形成されている場合であっても、図１５（ａ）に
示すように、Ｖ型の溝２２を有する場合には、貼り合わ
せ基板に分離力が作用するため、当該層を容易に破壊す
ることができる。
い層が形成されている場合であっても、図１５（ａ）に
示すように、Ｖ型の溝２２を有する場合には、貼り合わ
せ基板に分離力が作用するため、当該層を容易に破壊す
ることができる。
【００６７】貼り合わせ基板に加わる軸方向への分離力
は、基板の破損等を防ぐため、例えば１平方ｃｍ当たり
数百ｇｆ程度にすることが好ましい。
は、基板の破損等を防ぐため、例えば１平方ｃｍ当たり
数百ｇｆ程度にすることが好ましい。
【００６８】ジェットを有効に利用するためには、Ｖ型
の溝２２の開口部の幅Ｗ１が、ジェット２１の直径ｄと
同程度又は同程度以上であることが好ましい。例えば、
第１の基板(）及び第２の基板(）が夫々１ｍｍ厚程
度で、貼り合わせ基板が２ｍｍ厚程度の場合を考える。
通常Ｖ型溝２２の開口部の幅Ｗ１は１ｍｍ程度であるの
で、ジェットの直径は１ｍｍ以下であることが好まし
い。一般的なウォータージェット装置では、直径０．１
〜０．５ｍｍ程度のジェットが使用されているため、こ
のような一般的なウォータージェット装置（例えば、ウ
ォータージェットノズル）を流用することが可能であ
る。
の溝２２の開口部の幅Ｗ１が、ジェット２１の直径ｄと
同程度又は同程度以上であることが好ましい。例えば、
第１の基板(）及び第２の基板(）が夫々１ｍｍ厚程
度で、貼り合わせ基板が２ｍｍ厚程度の場合を考える。
通常Ｖ型溝２２の開口部の幅Ｗ１は１ｍｍ程度であるの
で、ジェットの直径は１ｍｍ以下であることが好まし
い。一般的なウォータージェット装置では、直径０．１
〜０．５ｍｍ程度のジェットが使用されているため、こ
のような一般的なウォータージェット装置（例えば、ウ
ォータージェットノズル）を流用することが可能であ
る。
【００６９】ここで、ジェットを噴射するノズルの形状
としては、円形の他、種々の形状を採用し得る。例え
ば、スリット状のノズルを採用し、細長い矩形断面のジ
ェットを噴射することにより、ジェットを分離領域に効
率的に挟入（２枚の基板間に差し込むようにして入れ
る）することができる。
としては、円形の他、種々の形状を採用し得る。例え
ば、スリット状のノズルを採用し、細長い矩形断面のジ
ェットを噴射することにより、ジェットを分離領域に効
率的に挟入（２枚の基板間に差し込むようにして入れ
る）することができる。
【００７０】ジェットの噴射条件は、例えば、分離領域
（例えば、多孔質層）の種類、貼り合わせ基板の外周部
の形状等に応じて決定すればよい。ジェットの噴射条件
として、例えば、ジェット構成媒体に加える圧力、ジェ
ットの走査速度、ノズルの幅又は径（ジェットの径と略
同一）、ノズル形状、ノズルと分離領域との距離、ジェ
ット構成媒体の流量等は、重要なパラメータとなる。
（例えば、多孔質層）の種類、貼り合わせ基板の外周部
の形状等に応じて決定すればよい。ジェットの噴射条件
として、例えば、ジェット構成媒体に加える圧力、ジェ
ットの走査速度、ノズルの幅又は径（ジェットの径と略
同一）、ノズル形状、ノズルと分離領域との距離、ジェ
ット構成媒体の流量等は、重要なパラメータとなる。
【００７１】貼り合わせ基板の分離方法には、例えば、
１）貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行に
ジェットを挟入すると共にノズルを該貼り合わせ面に沿
って走査する方法、２）貼り合わせ面付近に対して該貼
り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共に貼り合わ
せ基板を走査する方法、３）貼り合わせ面付近に対して
該貼り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共にノズ
ル付近を腰として扇状にジェットを走査する方法、４）
貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行にジェ
ットを挟入すると共に該貼り合わせ基板の略中心を軸と
して該貼り合わせ基板を回転させる方法（貼り合わせ基
板が円盤状の場合に特に有効）等がある。なお、ジェッ
トは、必ずしも貼り合わせ面に対して完全に平行に噴射
する必要はない。
１）貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行に
ジェットを挟入すると共にノズルを該貼り合わせ面に沿
って走査する方法、２）貼り合わせ面付近に対して該貼
り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共に貼り合わ
せ基板を走査する方法、３）貼り合わせ面付近に対して
該貼り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共にノズ
ル付近を腰として扇状にジェットを走査する方法、４）
貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行にジェ
ットを挟入すると共に該貼り合わせ基板の略中心を軸と
して該貼り合わせ基板を回転させる方法（貼り合わせ基
板が円盤状の場合に特に有効）等がある。なお、ジェッ
トは、必ずしも貼り合わせ面に対して完全に平行に噴射
する必要はない。
【００７２】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る
分離装置の概略構成を示す図である。この分離装置１０
０では、低圧のジェットにより貼り合わせ基板を分離す
べく、貼り合わせ基板に効率的に分離力を作用させる一
方で、その分離力により該貼り合わせ基板が割れること
を防止するようにして該貼り合わせ基板を支持する。具
体的な例を挙げると、この分離装置１００は、分離処理
の際に、貼り合わせ基板が、その内部に注入されたジェ
ット構成媒体の圧力により反ることができるようにする
一方で、その反り量を制限するようにして、該貼り合せ
基板を支持する。
分離装置の概略構成を示す図である。この分離装置１０
０では、低圧のジェットにより貼り合わせ基板を分離す
べく、貼り合わせ基板に効率的に分離力を作用させる一
方で、その分離力により該貼り合わせ基板が割れること
を防止するようにして該貼り合わせ基板を支持する。具
体的な例を挙げると、この分離装置１００は、分離処理
の際に、貼り合わせ基板が、その内部に注入されたジェ
ット構成媒体の圧力により反ることができるようにする
一方で、その反り量を制限するようにして、該貼り合せ
基板を支持する。
【００７３】この分離装置１００は、真空吸着機構を備
えた基板保持部１２０，１５０を有し、この基板保持部
１２０，１５０により貼り合わせ基板１０１を両側から
挟むようにして保持する。貼り合わせ基板１０１は、内
部に脆弱な構成部である多孔質層１０１ｂを有し、この
分離装置１００により、この多孔質層１０１ｂの部分で
２つの基板１０１ａ，１０１ｃに分離される。この分離
装置１００においては、例えば、基板１０１ａが図１に
おける第１の基板側（’）、基板１０１ｃが図１にお
ける第２の基板側（''＋）になるようにセットす
る。
えた基板保持部１２０，１５０を有し、この基板保持部
１２０，１５０により貼り合わせ基板１０１を両側から
挟むようにして保持する。貼り合わせ基板１０１は、内
部に脆弱な構成部である多孔質層１０１ｂを有し、この
分離装置１００により、この多孔質層１０１ｂの部分で
２つの基板１０１ａ，１０１ｃに分離される。この分離
装置１００においては、例えば、基板１０１ａが図１に
おける第１の基板側（’）、基板１０１ｃが図１にお
ける第２の基板側（''＋）になるようにセットす
る。
【００７４】基板保持部１２０，１５０は、同一の回転
軸上に存在する。基板保持部１２０は、ベアリング１０
８を介して支持台１０９に回転可能に軸支された回転軸
１０４の一端に連結され、この回転軸１０４の他端はモ
ータ１１０の回転軸に連結されている。したがって、モ
ータ１１０が発生する回転力により、基板保持部１２０
に真空吸着された貼り合わせ基板１０１が回転すること
になる。このモータ１１０は、貼り合わせ基板１０１の
分離の際に、不図示の制御器からの命令に従って、指定
された回転速度で回転軸１０４を回転させる。
軸上に存在する。基板保持部１２０は、ベアリング１０
８を介して支持台１０９に回転可能に軸支された回転軸
１０４の一端に連結され、この回転軸１０４の他端はモ
ータ１１０の回転軸に連結されている。したがって、モ
ータ１１０が発生する回転力により、基板保持部１２０
に真空吸着された貼り合わせ基板１０１が回転すること
になる。このモータ１１０は、貼り合わせ基板１０１の
分離の際に、不図示の制御器からの命令に従って、指定
された回転速度で回転軸１０４を回転させる。
【００７５】基板保持部１５０は、ベアリング１１１を
介して支持台１０９に摺動可能かつ回転可能に軸支され
た回転軸１０３の一端に連結され、この回転軸１０３の
他端は、支持台１０９に固定されたエアシリンダ１１２
に連結されている。エアシリンダ１１２が回転軸１０３
を押し出すことにより、貼り合わせ基板１０１は、基板
保持部１５０によって押圧される。
介して支持台１０９に摺動可能かつ回転可能に軸支され
た回転軸１０３の一端に連結され、この回転軸１０３の
他端は、支持台１０９に固定されたエアシリンダ１１２
に連結されている。エアシリンダ１１２が回転軸１０３
を押し出すことにより、貼り合わせ基板１０１は、基板
保持部１５０によって押圧される。
【００７６】基板支持部１２０，１５０は、夫々回転軸
１０４，１０３から取り外すことができる。また、基板
支持部１２０，１５０には、真空吸着機構として、夫々
１又は複数の吸引部（例えば、環状溝）１８１，１８２
が設けられており、この吸引部１８１，１８２は、夫々
回転軸１０４，１０３中を通して回転シール部１０４
ａ，１０３ａに通じている。回転シール部１０４ａ，１
０３ａには、夫々真空ライン１０４ｂ，１０３ｂが連結
されている。これらの真空ライン１０４ｂ，１０３ｂに
は電磁弁が取り付けられており、この電磁弁を制御する
ことにより貼り合わせ基板１０１の着脱を制御すること
ができる。
１０４，１０３から取り外すことができる。また、基板
支持部１２０，１５０には、真空吸着機構として、夫々
１又は複数の吸引部（例えば、環状溝）１８１，１８２
が設けられており、この吸引部１８１，１８２は、夫々
回転軸１０４，１０３中を通して回転シール部１０４
ａ，１０３ａに通じている。回転シール部１０４ａ，１
０３ａには、夫々真空ライン１０４ｂ，１０３ｂが連結
されている。これらの真空ライン１０４ｂ，１０３ｂに
は電磁弁が取り付けられており、この電磁弁を制御する
ことにより貼り合わせ基板１０１の着脱を制御すること
ができる。
【００７７】基板支持部１２０，１５０は、分離処理の
際に分離力が貼り合わせ基板１０１に効率的に作用する
ように貼り合わせ基板１０１を保持する。基板保持部１
２０，１５０の具体的な構成例に関しては後述する。
際に分離力が貼り合わせ基板１０１に効率的に作用する
ように貼り合わせ基板１０１を保持する。基板保持部１
２０，１５０の具体的な構成例に関しては後述する。
【００７８】以下、この分離装置１００による基板分離
処理に関して説明する。
処理に関して説明する。
【００７９】この分離装置１００に貼り合わせ基板１０
１をセットするには、まず、エアシリンダ１１２に回転
軸１０３を収容させることにより、基板保持部１２０及
び１５０の夫々の吸着面の間に相応の距離を設ける。次
いで、貼り合せ基板１０１を位置合せ軸１１３に貼り合
わせ基板１０１を載せた後、エアシリンダ１１２に回転
軸１０３を押し出させることにより、貼り合わせ基板１
０１を押圧して保持する（図１に示す状態）。なお、位
置合せ軸１１３は、ベアリング１０５，１０７を介して
支持台１０９に回転可能に軸支されている。
１をセットするには、まず、エアシリンダ１１２に回転
軸１０３を収容させることにより、基板保持部１２０及
び１５０の夫々の吸着面の間に相応の距離を設ける。次
いで、貼り合せ基板１０１を位置合せ軸１１３に貼り合
わせ基板１０１を載せた後、エアシリンダ１１２に回転
軸１０３を押し出させることにより、貼り合わせ基板１
０１を押圧して保持する（図１に示す状態）。なお、位
置合せ軸１１３は、ベアリング１０５，１０７を介して
支持台１０９に回転可能に軸支されている。
【００８０】この実施の形態では、貼り合わせ基板１０
１は、真空吸着ではなく、エアシリンダ１１２による応
圧力により保持される。例えば、その応圧力は、例え
ば、３Ｋｇｆ程度が好適である。ただし、貼り合せ基板
１０１を真空吸着により保持することも勿論可能であ
る。ここで、分離処理の際、基板保持部１２０と基板保
持部１５０との間隔が略一定に維持されるようにエアシ
リンダ１１２を制御することが好ましい。
１は、真空吸着ではなく、エアシリンダ１１２による応
圧力により保持される。例えば、その応圧力は、例え
ば、３Ｋｇｆ程度が好適である。ただし、貼り合せ基板
１０１を真空吸着により保持することも勿論可能であ
る。ここで、分離処理の際、基板保持部１２０と基板保
持部１５０との間隔が略一定に維持されるようにエアシ
リンダ１１２を制御することが好ましい。
【００８１】次に、ポンプ１１４からノズル１０２にジ
ェット構成媒体（例えば、水）を送り込み、ノズル１０
２から噴射されるジェットが安定するまで待つ。ジェッ
トが安定したら、シャッタ１０６を開いて、貼り合わせ
基板１０１の分離領域付近にジェットを挟入させる。こ
の時、モータ１１０により貼り合わせ基板１０１を回転
させる。この際、回転軸１０４、基板保持部１２０、貼
り合わせ基板１０１、基板保持部１５０及び回転軸１０
３は一体化して回転する。
ェット構成媒体（例えば、水）を送り込み、ノズル１０
２から噴射されるジェットが安定するまで待つ。ジェッ
トが安定したら、シャッタ１０６を開いて、貼り合わせ
基板１０１の分離領域付近にジェットを挟入させる。こ
の時、モータ１１０により貼り合わせ基板１０１を回転
させる。この際、回転軸１０４、基板保持部１２０、貼
り合わせ基板１０１、基板保持部１５０及び回転軸１０
３は一体化して回転する。
【００８２】ジェットが挟入されると、貼り合わせ基板
１０１には、脆弱な構造部である多孔質層１０１ｂに連
続的に注入されるジェット構成媒体の圧力による分離力
が作用し、これにより基板１０１ａ及び１０１ｃを連結
している多孔質層１０１ｂが破壊される。この処理によ
り、貼り合わせ基板１０１は、例えば約２分程で２枚の
基板に分離される。
１０１には、脆弱な構造部である多孔質層１０１ｂに連
続的に注入されるジェット構成媒体の圧力による分離力
が作用し、これにより基板１０１ａ及び１０１ｃを連結
している多孔質層１０１ｂが破壊される。この処理によ
り、貼り合わせ基板１０１は、例えば約２分程で２枚の
基板に分離される。
【００８３】貼り合わせ基板１０１が２枚の基板に分離
されたら、シャッタ１０６を閉じると共にポンプ１１４
の動作を停止する。また、モータ１１０の回転を停止
し、前述の電磁弁を制御することにより、基板保持部１
２０、１５０に夫々分離された基板を真空吸着させる。
されたら、シャッタ１０６を閉じると共にポンプ１１４
の動作を停止する。また、モータ１１０の回転を停止
し、前述の電磁弁を制御することにより、基板保持部１
２０、１５０に夫々分離された基板を真空吸着させる。
【００８４】次に、エアシリンダ１１２に回転軸１０３
を収容させると、物理的に分離されていた２枚の基板
は、ジェット構成媒体（例えば、水）の表面張力を断っ
て２体に引き離される。
を収容させると、物理的に分離されていた２枚の基板
は、ジェット構成媒体（例えば、水）の表面張力を断っ
て２体に引き離される。
【００８５】貼り合わせ基板１０１が割れることを防止
しつつ、該貼り合せ基板に分離力を効率的に作用させる
ためには、基板保持部１２０及び１５０の構造を工夫す
る必要がある。この実施の形態では、分離処理の際に、
貼り合わせ基板１０１が反るための空間を確保すること
により分離力を効率的に作用させる一方で、その反り量
を制限することにより貼り合せ基板１０１の割れを防止
する。
しつつ、該貼り合せ基板に分離力を効率的に作用させる
ためには、基板保持部１２０及び１５０の構造を工夫す
る必要がある。この実施の形態では、分離処理の際に、
貼り合わせ基板１０１が反るための空間を確保すること
により分離力を効率的に作用させる一方で、その反り量
を制限することにより貼り合せ基板１０１の割れを防止
する。
【００８６】以下、好適な基板保持部の構成例を列挙す
る。なお、以下の構成例では、対向する一対の基板保持
部を対称な構造としているが、両者を別個の構造にする
ことも可能である。
る。なお、以下の構成例では、対向する一対の基板保持
部を対称な構造としているが、両者を別個の構造にする
ことも可能である。
【００８７】［基板保持部の第１の構成例］図２乃至図
４は、本発明の第１の構成例に係る基板保持部１２０，
１５０の構成を示す図である。図２は斜視図、図３は分
離処理の前の状態を示す断面図、図４は分処理中の状態
を示す断面図である。
４は、本発明の第１の構成例に係る基板保持部１２０，
１５０の構成を示す図である。図２は斜視図、図３は分
離処理の前の状態を示す断面図、図４は分処理中の状態
を示す断面図である。
【００８８】この構成例に係る基板保持部１２０，１５
０は、夫々球面の一部で構成された凸面からなる支持面
１２０ａ，１５０ａを有する。この支持面１２０ａ，１
５０ａは、貼り合せ基板１０１が反ることが可能な状態
で該貼り合せ基板１０１を支持する面であると共に、分
離処理の際に過度に貼り合せ基板１０１が反ることを制
限する面でもある。ここで、反り量ｈは、例えば０．１
〜０．５ｍｍ程度にすることが好ましい。
０は、夫々球面の一部で構成された凸面からなる支持面
１２０ａ，１５０ａを有する。この支持面１２０ａ，１
５０ａは、貼り合せ基板１０１が反ることが可能な状態
で該貼り合せ基板１０１を支持する面であると共に、分
離処理の際に過度に貼り合せ基板１０１が反ることを制
限する面でもある。ここで、反り量ｈは、例えば０．１
〜０．５ｍｍ程度にすることが好ましい。
【００８９】このような基板保持部１２０，１５０を備
えた分離装置１００を用いると、貼り合わせ基板１０１
に対するジェットの挟入（分離処理）を開始した後、約
３０秒で、貼り合わせ基板１０１の外周から支持面１２
０ａ，１５０ａの中心付近まで分離が進行する。この
時、貼り合せ基板１０１のうち２枚に分離された部分
は、貼り合せ基板１０１の内部に注入されたジェット構
成媒体の圧力（分離力）により、図４に示すように、夫
々支持面１２０ａ，１５０ａに押し付けられる。そし
て、更に分離処理を進めることにより、分離処理の開始
後、約２分で、貼り合せ基板１０１が完全に分離され
る。
えた分離装置１００を用いると、貼り合わせ基板１０１
に対するジェットの挟入（分離処理）を開始した後、約
３０秒で、貼り合わせ基板１０１の外周から支持面１２
０ａ，１５０ａの中心付近まで分離が進行する。この
時、貼り合せ基板１０１のうち２枚に分離された部分
は、貼り合せ基板１０１の内部に注入されたジェット構
成媒体の圧力（分離力）により、図４に示すように、夫
々支持面１２０ａ，１５０ａに押し付けられる。そし
て、更に分離処理を進めることにより、分離処理の開始
後、約２分で、貼り合せ基板１０１が完全に分離され
る。
【００９０】このように、貼り合せ基板１０１が反るこ
とが可能な状態で該貼り合せ基板１０１を保持すること
により分離力を効率的に作用させることができ、分離処
理を効率的に行うことができる。一方、貼り合せ基板１
０１の反り量を制限することにより、分離された基板が
過度に反ることを避け、貼り合せ基板１０１が割れるこ
とを抑制することができる。
とが可能な状態で該貼り合せ基板１０１を保持すること
により分離力を効率的に作用させることができ、分離処
理を効率的に行うことができる。一方、貼り合せ基板１
０１の反り量を制限することにより、分離された基板が
過度に反ることを避け、貼り合せ基板１０１が割れるこ
とを抑制することができる。
【００９１】上記のように、貼り合せ基板１０１に作用
する応力を分散するには、支持面１２０ａ，１５０ａが
球面であることが好ましいが、必ずしも接触面を球面で
構成する必要はない。以下、この構成例に係る基板保持
部１２０，１５０の変形例として、滑らかな凸状の面で
構成した基板保持部の構成例を挙げる。
する応力を分散するには、支持面１２０ａ，１５０ａが
球面であることが好ましいが、必ずしも接触面を球面で
構成する必要はない。以下、この構成例に係る基板保持
部１２０，１５０の変形例として、滑らかな凸状の面で
構成した基板保持部の構成例を挙げる。
【００９２】図５乃至図８は、夫々基板保持部１２０，
１５０の変形例を示す断面図である。図５に示す基板保
持部１２１，１５１は、円錐の頂上部を凸面で構成した
支持面１２１ａ，１５１ａを有する。図６に示す基板保
持部１２２，１５２は、円錐台の面により構成した支持
面１２２ａ，１５２ａを有する。図７に示す基板保持部
１２３，１５３は、円錐台を数段重ねて全体として凸状
の面とした支持面１２３ａ，１５３ａを有する。図８に
示す基板保持部１２４，１５は、円柱を数段重ねて全体
として凸状の面とした支持面１２４ａ，１５４ａを有す
る。
１５０の変形例を示す断面図である。図５に示す基板保
持部１２１，１５１は、円錐の頂上部を凸面で構成した
支持面１２１ａ，１５１ａを有する。図６に示す基板保
持部１２２，１５２は、円錐台の面により構成した支持
面１２２ａ，１５２ａを有する。図７に示す基板保持部
１２３，１５３は、円錐台を数段重ねて全体として凸状
の面とした支持面１２３ａ，１５３ａを有する。図８に
示す基板保持部１２４，１５は、円柱を数段重ねて全体
として凸状の面とした支持面１２４ａ，１５４ａを有す
る。
【００９３】なお、図２乃至図８に示すように、基板保
持部は、貼り合せ基板１０１の全面を支持し得る直径を
有することが好ましいが、貼り合せ基板１０１の直径の
２分の１以上の直径とすることにより相応の効果を発揮
する。ただし、本発明は、直径が貼り合せ基板の２分の
１未満の基板保持部を排除するものではない。
持部は、貼り合せ基板１０１の全面を支持し得る直径を
有することが好ましいが、貼り合せ基板１０１の直径の
２分の１以上の直径とすることにより相応の効果を発揮
する。ただし、本発明は、直径が貼り合せ基板の２分の
１未満の基板保持部を排除するものではない。
【００９４】また、基板保持部は、円盤状であることが
好ましいが、放射状、格子状その他の構造であってもよ
い。
好ましいが、放射状、格子状その他の構造であってもよ
い。
【００９５】［基板保持部の第２の構成例］図９及び図
１０は、本発明の第２の構成例に係る基板保持部の構成
を示す断面図である。図９は分離処理の前の状態を示す
図、図１０は分離処理中の状態を示す図である。なお、
図示の基板保持部１２５，１５５は、夫々図１に示す基
板保持部１２０，１５０を置換して使用される。
１０は、本発明の第２の構成例に係る基板保持部の構成
を示す断面図である。図９は分離処理の前の状態を示す
図、図１０は分離処理中の状態を示す図である。なお、
図示の基板保持部１２５，１５５は、夫々図１に示す基
板保持部１２０，１５０を置換して使用される。
【００９６】この構成例に係る基板保持部１２５，１５
５は、夫々円盤状の本体１２５ａ，１５５ａに、弾性体
（例えば、ゴム）からなる円盤状の支持部１２５ｂ，１
５５ｂを貼り付けたものである。この支持部１２５ｂ，
１５５ｂは、貼り合せ基板１０１が反ることが可能な状
態で該貼り合せ基板１０１を支持する部材であると共
に、分離処理の際に過度に貼り合せ基板１０１が反るこ
とを制限する部材でもある。ここで、反り量ｈは、例え
ば０．１〜０．５ｍｍ程度にすることが好ましい。
５は、夫々円盤状の本体１２５ａ，１５５ａに、弾性体
（例えば、ゴム）からなる円盤状の支持部１２５ｂ，１
５５ｂを貼り付けたものである。この支持部１２５ｂ，
１５５ｂは、貼り合せ基板１０１が反ることが可能な状
態で該貼り合せ基板１０１を支持する部材であると共
に、分離処理の際に過度に貼り合せ基板１０１が反るこ
とを制限する部材でもある。ここで、反り量ｈは、例え
ば０．１〜０．５ｍｍ程度にすることが好ましい。
【００９７】このような基板保持部１２５，１５５を備
えた分離装置１００を用いると、貼り合せ基板１０１
（分離処理）を開始した後、約３０秒で、貼り合せ基板
１０１の外周から中心部付近まで分離が進行する。この
時、貼り合せ基板１０１のうち２枚に分離された部分
は、貼り合せ基板１０１の内部に注入されたジェット構
成媒体の圧力（分離力）により、図１０に示すように、
Ｖ字状に開く。この時の貼り合せ基板１０１の反り量
は、分離力と支持部１２５ｂ，１５５ｂの抗力とが釣り
合う量となる。そして、更に分離処理を進めることによ
り、分離処理の開始後、約２分で、貼り合せ基板１０１
が完全に分離される。
えた分離装置１００を用いると、貼り合せ基板１０１
（分離処理）を開始した後、約３０秒で、貼り合せ基板
１０１の外周から中心部付近まで分離が進行する。この
時、貼り合せ基板１０１のうち２枚に分離された部分
は、貼り合せ基板１０１の内部に注入されたジェット構
成媒体の圧力（分離力）により、図１０に示すように、
Ｖ字状に開く。この時の貼り合せ基板１０１の反り量
は、分離力と支持部１２５ｂ，１５５ｂの抗力とが釣り
合う量となる。そして、更に分離処理を進めることによ
り、分離処理の開始後、約２分で、貼り合せ基板１０１
が完全に分離される。
【００９８】このように貼り合せ基板１０１が反ること
が可能な状態で該貼り合せ基板１０１を保持することに
より分離力を効率的に作用させることができ、分離処理
を効率的に行うことができる。一方、貼り合せ基板１０
１の反り量を制限することにより、分離された基板が過
度に反ることを避け、貼り合せ基板１０１が割れること
を抑制することができる。
が可能な状態で該貼り合せ基板１０１を保持することに
より分離力を効率的に作用させることができ、分離処理
を効率的に行うことができる。一方、貼り合せ基板１０
１の反り量を制限することにより、分離された基板が過
度に反ることを避け、貼り合せ基板１０１が割れること
を抑制することができる。
【００９９】上記のように、貼り合せ基板１０１に作用
する応力を分散するためには、支持部１２５ｂ，１５５
ｂの全面を弾性体で構成することが好ましいが、必ずし
も支持部の全面を弾性体で構成する必要はない。また、
前述のように、基板保持部は、貼り合せ基板１０１の全
面を支持し得る直径を有する好ましいが、貼り合せ基板
１０１の直径の２分の１以上の直径とすることにより相
応の効果を発揮する。以下、この構成例に係る基板保持
部１２５ｂ，１５５ｂの変形例を挙げる。
する応力を分散するためには、支持部１２５ｂ，１５５
ｂの全面を弾性体で構成することが好ましいが、必ずし
も支持部の全面を弾性体で構成する必要はない。また、
前述のように、基板保持部は、貼り合せ基板１０１の全
面を支持し得る直径を有する好ましいが、貼り合せ基板
１０１の直径の２分の１以上の直径とすることにより相
応の効果を発揮する。以下、この構成例に係る基板保持
部１２５ｂ，１５５ｂの変形例を挙げる。
【０１００】図１１乃至図１３は、夫々基板保持部１２
５，１５５の変形例を示す断面図である。図１１に示す
基板保持部１２６，１５６は、夫々断面が凸型の円盤状
の第１支持部１２６ａ，１５６ａに、環状の弾性体（例
えば、ゴム）からなる第２支持部１２６ｂ，１５６ｂを
はめ込んでなる。図１２に示す基板保持部１２７，１５
７は、夫々断面が凸型の円盤状の第１支持部１２７ａ，
１５７ａに、弾性体（例えば、ゴム）からなるＯリング
状の第２支持部１２７ｂ，１５７ｂをはめ込んでなる。
図１３に示す基板保持部１２８，１５８は、夫々断面が
凸型の本体１２８ａ，１５８ａに、一端が本体１２８
ａ，１５８ａに連結されたコイルバネ１２８ｂ，１５８
ｂをはめ込み、コイルバネ１２８ｂ，１５８ｂの他端に
連結された環状の支持部１２８ｃ，１５８ｃをはめ込ん
でなる。
５，１５５の変形例を示す断面図である。図１１に示す
基板保持部１２６，１５６は、夫々断面が凸型の円盤状
の第１支持部１２６ａ，１５６ａに、環状の弾性体（例
えば、ゴム）からなる第２支持部１２６ｂ，１５６ｂを
はめ込んでなる。図１２に示す基板保持部１２７，１５
７は、夫々断面が凸型の円盤状の第１支持部１２７ａ，
１５７ａに、弾性体（例えば、ゴム）からなるＯリング
状の第２支持部１２７ｂ，１５７ｂをはめ込んでなる。
図１３に示す基板保持部１２８，１５８は、夫々断面が
凸型の本体１２８ａ，１５８ａに、一端が本体１２８
ａ，１５８ａに連結されたコイルバネ１２８ｂ，１５８
ｂをはめ込み、コイルバネ１２８ｂ，１５８ｂの他端に
連結された環状の支持部１２８ｃ，１５８ｃをはめ込ん
でなる。
【０１０１】なお、上記の分離装置は、貼り合せ基板そ
の他の半導体基板のみならず、種々の試料の分離に使用
することができる。
の他の半導体基板のみならず、種々の試料の分離に使用
することができる。
【０１０２】以上、特定の実施の形態を挙げて特徴的な
技術的思想を説明したが、本発明は、これらの実施の形
態に記載された事項によって限定されるものではなく、
特許請求の範囲に記載された技術的思想の範囲内におい
て様々な変形をなし得る。
技術的思想を説明したが、本発明は、これらの実施の形
態に記載された事項によって限定されるものではなく、
特許請求の範囲に記載された技術的思想の範囲内におい
て様々な変形をなし得る。
【０１０３】
【発明の効果】本発明は、分離対象の試料の損傷を抑え
ると共に分離処理を効率化することができる。
ると共に分離処理を効率化することができる。
【０１０４】また、本発明に拠れば、良好な基板を製造
することができる。
することができる。
【０１０５】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係る分離装置の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の斜視
図である。
図である。
【図３】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の断面
図である。
図である。
【図４】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の断面
図である。
図である。
【図５】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図８】本発明の第１の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図９】本発明の第２の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す断面図である。
形例を示す断面図である。
【図１１】本発明の第２の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す断面図である。
形例を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す断面図である。
形例を示す断面図である。
【図１３】本発明の第２の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す断面図である。
形例を示す断面図である。
【図１４】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板
の製造を方法を工程順に説明する図である。
の製造を方法を工程順に説明する図である。
【図１５】Ｖ型の溝の有無による貼り合わせ基板に作用
する力を概念的に示す図である。
する力を概念的に示す図である。
１１ 単結晶Ｓｉ基板 １２，１２’，１２’’ 多孔質Ｓｉ層１２ １３ 非多孔質単結晶Ｓｉ層 １４ 単結晶Ｓｉ基板 １５ 絶縁層 １００ 基板分離装置 １０１ 貼り合わせ基板 １０１ａ 基板 １０１ｂ 多孔質層 １０１ｃ 基板 １０２ ノズル １０３，１０４ 回転軸 １０３ａ，１０４ａ 回転シール部 １０３ｂ，１０４ｂ 真空ライン １０５，１０７ ベアリング １０６ シャッタ １０８，１１１ ベアリング １０９ 支持台 １１０ モータ １１２ エアシリンダ １２０〜１２８，１５０〜１５８ 基板保持部 １８１，１８２ 吸引部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米原 隆夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (40)
- 【請求項１】 内部に脆弱な層を有する板状の試料を該
脆弱な層で分離する分離装置であって、 試料に向けて流体を噴射する噴射部と、 試料を両側から挟むようにして保持する一対の保持部
と、 を備え、前記一対の保持部は、前記噴射部から噴射され
試料内部に注入された流体の圧力により該試料が２枚に
分かれるようにして反ることを許容する一方で、その反
り量を制限することを特徴とする分離装置。 - 【請求項２】 前記一対の保持部の少なくとも一方は、
滑らかな凸状の支持面を有し、該支持面により試料を保
持することを特徴とする請求項１に記載の分離装置。 - 【請求項３】 前記支持面は、実質的に球面の一部であ
ることを特徴とする請求項２に記載の分離装置。 - 【請求項４】 前記支持面は、頂上部を凸面で構成した
円錐がなす面であることを特徴とする請求項２に記載の
分離装置。 - 【請求項５】 前記支持面は、実質的に円錐台状の面で
構成した面であることを特徴とする請求項２に記載の分
離装置。 - 【請求項６】 前記支持面は、円錐台が数段重なって全
体として滑らかな凸形状を構成する面であることを特徴
とする請求項２に記載の分離装置。 - 【請求項７】 前記支持面は、円柱が数段重なって全体
として凸形状を構成する面であることを特徴とする請求
項２に記載の分離装置。 - 【請求項８】 前記一対の保持部の少なくとも一方は、
弾性体を含み、試料から受ける力により変形することを
特徴とする請求項１に記載の分離装置。 - 【請求項９】 前記一対の保持部の少なくとも一方は、
少なくとも一部が弾性体で構成された支持部を有し、該
支持部により試料を保持することを特徴とする請求項１
に記載の分離装置。 - 【請求項１０】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、試料と接触し得る部分が弾性体で構成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の分離装置。 - 【請求項１１】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、弾性体からなる環状の支持部を有することを特徴と
する請求項１に記載の分離装置。 - 【請求項１２】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、その本体に弾性体を介して連結された支持部を有す
ることを特徴とする請求項１に記載の分離装置。 - 【請求項１３】 試料の面と直交する方向に設けられた
軸を中心にして前記保持部を回転させる回転機構を更に
備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいず
れか１項に記載の分離装置。 - 【請求項１４】 前記一対の保持部の間隔を調整する調
整機構を更に備えることを特徴とする請求項１乃至請求
項１３のいずれか１項に記載の分離装置。 - 【請求項１５】 前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、試料を押圧するように前記一対の保持部の
間隔を調整することを特徴とする請求項１４に記載の分
離装置。 - 【請求項１６】 前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、前記一対の保持部の間隔を略一定に維持す
ることを特徴とする請求項１４に記載の分離装置。 - 【請求項１７】 前記一対の保持部は、試料を真空吸着
する吸着機構を有することを特徴とする請求項１乃至請
求項１６のいずれか１項に記載の分離装置。 - 【請求項１８】 前記試料は、脆弱な層として多孔質層
を有する基板であることを特徴とする請求項１乃至請求
項１７のいずれか１項に記載の分離装置。 - 【請求項１９】 内部に脆弱な層を有する板状の試料を
該脆弱な層で分離する分離装置において使用する試料の
支持装置であって、 試料を両側から挟むようにして保持する一対の保持部を
備え、前記一対の保持部は、前記分離装置に設けられた
噴射部から噴射され試料内部に注入された流体の圧力に
より該試料が２枚に分かれるようにして反ることを許容
する一方で、その反り量を制限することを特徴とする支
持装置。 - 【請求項２０】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、滑らかな凸状の支持面を有し、該支持面により試料
を保持することを特徴とする請求項１９に記載の支持装
置。 - 【請求項２１】 前記支持面は、実質的に球面の一部で
あることを特徴とする請求項２０に記載の支持装置。 - 【請求項２２】 前記支持面は、頂上部を凸面で構成し
た円錐がなす面であることを特徴とする請求項２０に記
載の支持装置。 - 【請求項２３】 前記支持面は、実質的に円錐台状の面
で構成した面であることを特徴とする請求項２０に記載
の支持装置。 - 【請求項２４】 前記支持面は、円錐台が数段重なって
全体として滑らかな凸形状を構成する面であることを特
徴とする請求項２０に記載の支持装置。 - 【請求項２５】 前記支持面は、円柱が数段重なって全
体として凸形状を構成する面であることを特徴とする請
求項２０に記載の支持装置。 - 【請求項２６】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、弾性体を含み、試料から受ける力により変形するこ
とを特徴とする請求項１９に記載の支持装置。 - 【請求項２７】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、少なくとも一部が弾性体で構成された支持部を有
し、該支持部により試料を保持することを特徴とする請
求項１９に記載の支持装置。 - 【請求項２８】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、試料と接触し得る部分が弾性体で構成されているこ
とを特徴とする請求項１９に記載の支持装置。 - 【請求項２９】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、弾性体からなる環状の支持部を有することを特徴と
する請求項１９に記載の支持装置。 - 【請求項３０】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、その本体に弾性体を介して連結された支持部を有す
ることを特徴とする請求項１９に記載の支持装置。 - 【請求項３１】 試料の面と直交する方向に設けられた
軸を中心にして前記保持部を回転させる回転機構を更に
備えることを特徴とする請求項１９乃至請求項３０のい
ずれか１項に記載の支持装置。 - 【請求項３２】 前記一対の保持部の間隔を調整する調
整機構を更に備えることを特徴とする請求項１９乃至請
求項３１のいずれか１項に記載の支持装置。 - 【請求項３３】 前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、試料を押圧するように前記一対の保持部の
間隔を調整することを特徴とする請求項３２に記載の支
持装置。 - 【請求項３４】 前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、前記一対の保持部の間隔を略一定に維持す
ることを特徴とする請求項３２に記載の支持装置。 - 【請求項３５】 前記一対の保持部は、試料を真空吸着
する吸着機構を有することを特徴とする請求項１９乃至
請求項３４のいずれか１項に記載の支持装置。 - 【請求項３６】 前記試料は、脆弱な層として多孔質層
を有する基板であることを特徴とする請求項１９乃至請
求項３５のいずれか１項に記載の分離装置。 - 【請求項３７】 請求項１乃至請求項１８のいずれか１
項に記載の分離装置を使用して脆弱な層を有する試料を
分離することを特徴とする分離方法。 - 【請求項３８】 前記噴射部から噴射させる流体として
水を使用することを特徴とする請求項３７に記載の分離
方法。 - 【請求項３９】 一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
順に形成した第１の基板の前記非多孔質層側を第２の基
板に貼り合わせてなる基板を前記多孔質層で分離する分
離方法であって、その分離に際して、請求項１乃至請求
項１８のいずれか１項に記載の分離装置を使用すること
を特徴とする分離方法。 - 【請求項４０】 一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
順に形成した第１の基板の前記非多孔質層側を第２の基
板に貼り合せる工程と、貼り合わせた基板を前記多孔質
層で分離する分離工程とを含む基板の製造方法であっ
て、前記分離工程において、請求項１乃至請求項１８の
いずれか１項に記載の分離装置を使用することを特徴と
する基板の製造方法。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36101697A JPH11195563A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法 |
| SG1998005839A SG70141A1 (en) | 1997-12-26 | 1998-12-15 | Sample separating apparatus and method and substrate manufacturing method |
| SG200100215A SG87916A1 (en) | 1997-12-26 | 1998-12-15 | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| US09/211,757 US6418999B1 (en) | 1997-12-26 | 1998-12-15 | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| TW87120972A TW429464B (en) | 1997-12-26 | 1998-12-16 | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| EP19980310462 EP0925888B1 (en) | 1997-12-26 | 1998-12-18 | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacture method |
| DE1998627459 DE69827459T2 (de) | 1997-12-26 | 1998-12-18 | Vorrichtung und Verfahren zum Spalten |
| AT98310462T ATE281909T1 (de) | 1997-12-26 | 1998-12-18 | Vorrichtung und verfahren zum spalten |
| AU98190/98A AU717785B2 (en) | 1997-12-26 | 1998-12-24 | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| KR10-1998-0058984A KR100366722B1 (ko) | 1997-12-26 | 1998-12-26 | 샘플분리장치와방법및기판제조방법 |
| US10/151,527 US6521078B2 (en) | 1997-12-26 | 2002-05-20 | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| US10/318,231 US6860963B2 (en) | 1997-12-26 | 2002-12-12 | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36101697A JPH11195563A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195563A true JPH11195563A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=18471840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36101697A Withdrawn JPH11195563A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11195563A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483909B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2005-04-18 | 캐논 가부시끼가이샤 | 부재의 분리방법 및 분리장치 |
| WO2012026261A1 (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法及びコンピュータ記憶媒体 |
| WO2013058129A1 (ja) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム及び剥離方法 |
| KR102191204B1 (ko) * | 2019-07-31 | 2020-12-15 | 삼영공업 주식회사 | 접합판 분리 장치 및 접합판 분리 방법 |
| EP4014248A4 (en) * | 2019-08-15 | 2023-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | PLANARIZATION METHOD, DEVICE AND METHOD OF MAKING AN ARTICLE |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP36101697A patent/JPH11195563A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483909B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2005-04-18 | 캐논 가부시끼가이샤 | 부재의 분리방법 및 분리장치 |
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| JP2012069914A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| WO2013058129A1 (ja) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム及び剥離方法 |
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| EP4014248A4 (en) * | 2019-08-15 | 2023-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | PLANARIZATION METHOD, DEVICE AND METHOD OF MAKING AN ARTICLE |
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