JPH1050595A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPH1050595A JPH1050595A JP22171096A JP22171096A JPH1050595A JP H1050595 A JPH1050595 A JP H1050595A JP 22171096 A JP22171096 A JP 22171096A JP 22171096 A JP22171096 A JP 22171096A JP H1050595 A JPH1050595 A JP H1050595A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holder
- processing apparatus
- solvent
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感光性樹脂塗布後の基板を段差のない均一な
表面にする。 【構成】 感光性樹脂が塗布された基板Ａは保持具１上
に載置され、加熱板４により所定温度に調節され、回転
駆動源２により所定の速度で回転される。溶剤蒸気は濃
度管理、流量管理が行われて、溶剤蒸気ノズル５から基
板Ａの表面に吐出され、処理後の残留溶剤蒸気は窒素ガ
スにより置換されて外部へ排出される。
表面にする。 【構成】 感光性樹脂が塗布された基板Ａは保持具１上
に載置され、加熱板４により所定温度に調節され、回転
駆動源２により所定の速度で回転される。溶剤蒸気は濃
度管理、流量管理が行われて、溶剤蒸気ノズル５から基
板Ａの表面に吐出され、処理後の残留溶剤蒸気は窒素ガ
スにより置換されて外部へ排出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造におい
て感光性樹脂塗布後の基板表面の平坦化のために使用さ
れる処理装置に関するものである。
て感光性樹脂塗布後の基板表面の平坦化のために使用さ
れる処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造工程においては、基板
に感光性樹脂を塗布した際に生ずる段差部を平坦化する
ために、感光性樹脂の塗布を行うカップ内を溶剤雰囲気
とする方式が、特開昭４９−１４０１７７号公報、特開
昭５１−６５８８２号公報に開示されている。
に感光性樹脂を塗布した際に生ずる段差部を平坦化する
ために、感光性樹脂の塗布を行うカップ内を溶剤雰囲気
とする方式が、特開昭４９−１４０１７７号公報、特開
昭５１−６５８８２号公報に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の従
来例のように、カップ内を溶剤雰囲気として平坦化を行
う方式では、実際上高精度で塗布を行うことは困難であ
り、特に温度や湿度の制御によってカップ内の溶剤雰囲
気を安定化することは非常に難しい。
来例のように、カップ内を溶剤雰囲気として平坦化を行
う方式では、実際上高精度で塗布を行うことは困難であ
り、特に温度や湿度の制御によってカップ内の溶剤雰囲
気を安定化することは非常に難しい。
【０００４】更に、基板自体に段差が存在し、その段差
が基板の法線方向と直角に位置する場合には、その段差
前後で感光性樹脂の塗布厚さに差が生じ、塗布膜厚さの
差が後工程で使用する露光機の重ね合わせ精度に影響を
与え、スピン塗布によっても解決することはできない。
また、感光性樹脂の塗布工程後に行うベーク処理工程前
に、基板を有機溶剤の雰囲気下に放置することによって
段差の改善を行っているが、このような放置するだけの
方式では、雰囲気管理、時間管理、温度管理等を定量的
に設定することは困難である。
が基板の法線方向と直角に位置する場合には、その段差
前後で感光性樹脂の塗布厚さに差が生じ、塗布膜厚さの
差が後工程で使用する露光機の重ね合わせ精度に影響を
与え、スピン塗布によっても解決することはできない。
また、感光性樹脂の塗布工程後に行うベーク処理工程前
に、基板を有機溶剤の雰囲気下に放置することによって
段差の改善を行っているが、このような放置するだけの
方式では、雰囲気管理、時間管理、温度管理等を定量的
に設定することは困難である。
【０００５】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
感光性樹脂塗布後の基板を段差のない均一な表面とする
処理装置を提供することにある。
感光性樹脂塗布後の基板を段差のない均一な表面とする
処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る処理装置は、基板に対する感光性樹脂塗
布処理工程とベーク処理工程との間に行う基板表面の不
均一性を改善する処理装置であって、前記基板に近接し
て配置すると共に温度制御した加熱板と、前記基板を所
定速度で回転する駆動手段と、前記基板の半径以上の長
さの吐出幅を有し前記基板の表面に向けて溶剤蒸気を吐
出する吐出ノズルと、吐出処理を行う周囲を溶剤雰囲気
とするカバーを備えたことを特徴とする。
の本発明に係る処理装置は、基板に対する感光性樹脂塗
布処理工程とベーク処理工程との間に行う基板表面の不
均一性を改善する処理装置であって、前記基板に近接し
て配置すると共に温度制御した加熱板と、前記基板を所
定速度で回転する駆動手段と、前記基板の半径以上の長
さの吐出幅を有し前記基板の表面に向けて溶剤蒸気を吐
出する吐出ノズルと、吐出処理を行う周囲を溶剤雰囲気
とするカバーを備えたことを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明を図示の実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は実施例の処理装置の斜視図を示
し、基板Ａを保持する保持具１の周囲は歯車状とされ、
回転駆動源２に連結した歯車３に噛合されている。保持
具１の下側には加熱板４が設けられ、保持具１の上方に
は回転中の基板Ａに一様に蒸気を吐出するために基板Ａ
の半径以上の吐出幅を有し、短冊状又は直線多孔状を持
つ溶剤蒸気ノズル５が配置され、この溶剤蒸気ノズル５
には溶剤蒸気供給管６が連結されている。
詳細に説明する。図１は実施例の処理装置の斜視図を示
し、基板Ａを保持する保持具１の周囲は歯車状とされ、
回転駆動源２に連結した歯車３に噛合されている。保持
具１の下側には加熱板４が設けられ、保持具１の上方に
は回転中の基板Ａに一様に蒸気を吐出するために基板Ａ
の半径以上の吐出幅を有し、短冊状又は直線多孔状を持
つ溶剤蒸気ノズル５が配置され、この溶剤蒸気ノズル５
には溶剤蒸気供給管６が連結されている。
【０００８】図２は処理装置の配管接続を表す構成図を
示し、供給管６は三方弁７を介して、一方は窒素ガス供
給管８に接続され、他方は流量制御器９を介して溶剤飽
和蒸気発生源１０に接続されており、溶剤飽和蒸気発生
源１０には濃度制御器１１が接続されている。そして、
加熱板４、溶剤蒸気ノズル５などはカバー１２内に収納
され、カバー１２の下部には排気管１３が取り付けられ
ている。
示し、供給管６は三方弁７を介して、一方は窒素ガス供
給管８に接続され、他方は流量制御器９を介して溶剤飽
和蒸気発生源１０に接続されており、溶剤飽和蒸気発生
源１０には濃度制御器１１が接続されている。そして、
加熱板４、溶剤蒸気ノズル５などはカバー１２内に収納
され、カバー１２の下部には排気管１３が取り付けられ
ている。
【０００９】図３は操作中の処理装置の斜視図を示し、
感光性樹脂が塗布された基板Ａは保持具１上に載置さ
れ、温度制御された加熱板４により下方から所定温度に
調節され、回転駆動源２により所定の速度で回転され
る。
感光性樹脂が塗布された基板Ａは保持具１上に載置さ
れ、温度制御された加熱板４により下方から所定温度に
調節され、回転駆動源２により所定の速度で回転され
る。
【００１０】溶剤蒸気は溶剤飽和蒸気発生源１０におい
て濃度制御器１１により濃度管理が行われた上で、流量
制御器９において使用流量が管理され、三方弁７を介し
て溶剤蒸気供給管６を通り、基板Ａの上部に近接した蒸
気ノズル５から基板Ａの上面に吐出される。そして、基
板Ａは予め規定された所定時間経過後に取り出され、ま
た溶剤蒸気ノズル５内の残留溶剤は、三方弁７の切換え
によって窒素ガス供給管８から供給された窒素ガスによ
って排気され、カバー１２に接続された排気管１３から
外部へ排出される。
て濃度制御器１１により濃度管理が行われた上で、流量
制御器９において使用流量が管理され、三方弁７を介し
て溶剤蒸気供給管６を通り、基板Ａの上部に近接した蒸
気ノズル５から基板Ａの上面に吐出される。そして、基
板Ａは予め規定された所定時間経過後に取り出され、ま
た溶剤蒸気ノズル５内の残留溶剤は、三方弁７の切換え
によって窒素ガス供給管８から供給された窒素ガスによ
って排気され、カバー１２に接続された排気管１３から
外部へ排出される。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る処理装
置は、溶剤濃度を被処理基板上で一定にすることによ
り、基板各葉毎の処理の変動を抑え、温度及び濃度管理
を行うことにより、溶剤蒸気処理に必要な時間を基板各
葉毎に一定にすることができるので、高品質の基板を計
画的に生産することができる。
置は、溶剤濃度を被処理基板上で一定にすることによ
り、基板各葉毎の処理の変動を抑え、温度及び濃度管理
を行うことにより、溶剤蒸気処理に必要な時間を基板各
葉毎に一定にすることができるので、高品質の基板を計
画的に生産することができる。
【図１】実施例の斜視図である。
【図２】蒸気吐出部及びその配管の構成図である。
【図３】処理操作中の蒸気吐出部の斜視図である。
【符号の説明】 １ 保持具 ２ 回転駆動源 ４ 加熱板 ５ 溶剤蒸気ノズル ７ 三方弁 ８ 窒素供給管 ９ 流量制御器 １０ 溶剤飽和蒸気発生源 １１ 濃度制御器 １２ カバー １３ 排気管
Claims (4)
- 【請求項１】 基板に対する感光性樹脂塗布処理工程と
ベーク処理工程との間に行う基板表面の不均一性を改善
する処理装置であって、前記基板に近接して配置すると
共に温度制御した加熱板と、前記基板を所定速度で回転
する駆動手段と、前記基板の半径以上の長さの吐出幅を
有し前記基板の表面に向けて溶剤蒸気を吐出する吐出ノ
ズルと、吐出処理を行う周囲を溶剤雰囲気とするカバー
を備えたことを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 前記吐出ノズルは短冊状又は直線多孔状
とした請求項１に記載の処理装置。 - 【請求項３】 前記基板は保持具上に載置して処理を行
う請求項１に記載の処理装置。 - 【請求項４】 前記カバーには排気管を接続した請求項
１に記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22171096A JPH1050595A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22171096A JPH1050595A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050595A true JPH1050595A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16771062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22171096A Pending JPH1050595A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050595A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004109779A1 (ja) | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Tokyo Electron Limited | 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置 |
| WO2010053125A1 (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 株式会社 東芝 | 成膜装置、成膜方法及び半導体装置 |
| JP2010186929A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US7819076B2 (en) | 2004-04-20 | 2010-10-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
-
1996
- 1996-08-05 JP JP22171096A patent/JPH1050595A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004109779A1 (ja) | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Tokyo Electron Limited | 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置 |
| EP1632992A1 (en) * | 2003-06-06 | 2006-03-08 | Tokyo Electron Limited | Method for improving surface roughness of processed film of substrate and apparatus for processing substrate |
| EP1632992A4 (en) * | 2003-06-06 | 2008-02-27 | Tokyo Electron Ltd | METHOD FOR IMPROVING THE SURFACE WEIGHT OF PROCESSED SUBSTRATE FILM AND DEVICE FOR PROCESSING A SUBSTRATE |
| US7875420B2 (en) | 2003-06-06 | 2011-01-25 | Tokyo Electron Limited | Method for improving surface roughness of processed film of substrate and apparatus for processing substrate |
| US8646403B2 (en) | 2003-06-06 | 2014-02-11 | Tokyo Electron Limited | Method for improving surface roughness of processed film of substrate and apparatus for processing substrate |
| US7819076B2 (en) | 2004-04-20 | 2010-10-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
| US7989156B2 (en) | 2004-04-20 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
| WO2010053125A1 (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 株式会社 東芝 | 成膜装置、成膜方法及び半導体装置 |
| JP5132781B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US8614500B2 (en) | 2008-11-05 | 2013-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming apparatus, film forming method, and semiconductor device |
| JP2010186929A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP4748742B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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