JPH0294911A

JPH0294911A - 弾性表面波素子の製造方法

Info

Publication number: JPH0294911A
Application number: JP24685688A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Shikayama; 鹿山　博; Hisako Honma; 本間　久子
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Device Engineering Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Development and Engineering Corp
Priority date: 1988-09-30
Filing date: 1988-09-30
Publication date: 1990-04-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、発振器等に用いられる弾性表面波素子の製造
方法に関する。

（従来の技術）発振器、フィルタ等に用いられる弾性表面波素子のくし
形等の電極は、一般的に、回路基板等のそれと同様に、
フォトリソグラフィ技術により形成される。

第８図はこのような電極を形成する工程を示す図である
。

同図に示すように、まず、圧電基板１上にＡ℃薄膜２を
形成しくａ）、続いて、この上にフォトレジスト３を塗
布する（ｂ）。この後、電極パターンに対応するマスク
（図示せず）を介してフォトレジスト３上を露光しくＣ
）、現像する（ｄ）。

そして、露出したＡβ薄膜２をリン酸、酢酸および硝酸
を混合してなるエツチング液により除去しくｅ）、続け
て、残存するフォトレジスト３をアセトン等の有機溶剤
あるいは酸素プラズマによる灰化（アッシング）により
除去する（ｆ）。

上述したエツチング法はいわゆるウェットプロセスと呼
ばれるものであるが、近年の電極パターンの微細化の要
望に伴い、いわゆるドライプロセスと呼ばれるエツチン
グ法が採用されることが多くなり、今後はこの方が主流
になると考えられる。

ここで、ドライプロセスとは、第８図（ｅ）に示したエ
ツチングの工程を例えばプラズマエツチングによる工程
とするものである。このプラズマエツチングとは、例え
ばＣＣβ９、ＢＣＪ２３、Ｃ，９２、Ｈｅ等の反応ガス
をプラズマ中で解離させ、Ａ℃薄膜２と化学反応を生じ
させ、これを除去するものである。

ところで、このようなドライプロセスでは、反応ガスの
選択、エツチングパラメータ（温度、ガス圧、時間等）
等の条件設定が一般的に難しく、また、化学的反応と物
理的反応の両面を利用しているので、僅かな条件の不都
合により、エツチング中の化学反応により生じた化合物
が基板表面上およびフォトレジスト剥離後の電極上に残
渣となって残り易い。

このような化合物の残渣は、第８図（ｆ）に示したフォ
トレジスト除去の工程により完全に除去することは極め
て困難であり、この結果、基板上で表面波の伝搬速度の
ばらつきを生じさせ、周波数特性のばらつきを生じさせ
る。

このような事態を回避するため、エツチング時間を必要
以上に長くしプラズマの物理作用であるスパッタ効果に
より残渣を除去することが考えられるが、この場合、圧
電基板を損傷する虞れがある。即ち、この場合、圧電基
板自体もエツチングされ、電極パターンの膜厚に加え、
圧電基板自体のエツチング量により表面波伝搬の膜厚が
決定され、制御が困難となる。更に、圧電基板自体を物
理的に損傷させることにより、圧電基板自体での表面波
の伝搬速度のばらつきを生じさせ、この場合も周波数特
性のばらつきを生じさせる。

（発明が解決しようとする課題）このように従来のドライプロセスによる弾性表面波素子
の製造方法では、ドライエツチング後の化合物の残渣を
この後のフォトレジスト除去の工程により除去すること
は非常に困難となる。そして、これを敢えてこのフォト
レジスト除去の工程により除去しようとしたときには、
圧電基板に悪影響を及ぼす。

このため、現状では、歩留りの低下という問題を抱えて
いる。

本発明はこのような事情を背景に創出されたもので、ド
ライプロセスによって生じる化合物の残渣を圧電基板等
に悪影響を与えることなく除去でき、この結果、歩留り
を向上させることができる弾性表面波素子の製造方法を
提供することを目的としている。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）即ち、本発明方法は、圧電基板上に金属薄膜を形成し、
この金属薄膜上にフォトレジスト膜を形成し、所望とす
る形状にこのフォトレジスト膜を除去し、露出した金属
薄膜をドライエツチングにより除去した後、圧電基板上
を酸洗浄し、しかる後に、残存するフォトレジスト膜を
除去するものである。

（作用）本発明では、ドライエツチング後に、圧電基板上を酸洗
浄しているので、ドライエツチングによって生じた化合
物の残渣はこの工程により除去される。したがって、こ
の後のフォトレジスト除去の工程は単にフォトレジスト
を除去することを目的とするものでよく、この工程が圧
電基板に悪影響を及ぼすことは小さくなり、歩留りは向
上する。

更に、酸洗浄によりレジストの剥離性が向上するので、
上記フォトレジスト除去の工程を、圧電基板に及ぼす影
響が極めて小さい工程とすることができる。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面に基づき説明する。

第１図は本発明の一実施例に係る弾性表面波素子の製造
方法を示す工程図である。

同図に示すように、まず、５ｉ０２からなる圧型基板１
１上にＡβ薄膜１２を形成しくａ）、続いて、この上に
フォトレジスト１３を塗布する（ｂ）。尚、フォトレジ
スト１３としては、光分解剤としてナフトキノンジアジ
ド、スルホエステルとノボラック系樹脂から構成される
一般的なポジ型レジストを使用した。

この後、電極パターンに対応するマスク（図示せず）を
介してフォトレジスト１３上を露光しくＣ）、現像する
（ｄ）。

そして、プラズマエツチングにより、即ち、ＣＣ，９４
、ＢＣ，９３、ＣＪ２２　、Ｈｅ等の反応ガスをプラズ
マ中で解離させ、Ａ　、Ｑ薄膜１２と化学反応を生じさ
せることにより、露出したＡ℃薄膜１２を除去する（ｅ
）。

このプラズマエツチングの後、酸洗浄を行う。

これは、例えば濃度が３０〜７０％程度の硝酸１４溶液
中に浸漬することにより行う（ｆ）。

続けて、残存するフォトレジスト１３をアセトン等の有
機溶剤により除去する（ｇ）。

しかして本実施例では、第１図（ｅ）に示すプラズマエ
ツチングの工程の後に、第１図（ｆ）に示す硝酸１４溶
液中での浸漬処理を行っているので、プラズマエツチン
グによって生じた化合物の残渣はこの工程により除去さ
れる。即ち、上記プラズマエツチングの工程においては
、Ａ℃、レジスト、エツチングガス等の化合物であるＡ
℃Ｃβｘ（ｘ−１〜３）、Ａ、ｇ２０３、ＣＣＪ２　　
　（ｘ−ｙｙ不定）等が生成され、これらがエツチング終了時に圧電
基板上、Ａで電極側面、レジスト表面上に残存し、これ
らの残渣はフォトレジストの剥離性を阻害するのである
が、本実施例においては、これらの残渣を硝酸１４溶液
中での浸漬処理により除去しているので、この後のフォ
トレジスト除去の工程においては残渣による影響はなく
なる。

したがって、この後のフォトレジスト除去の工程は単に
フォトレジストを除去することを目的とするものでよく
、この工程が圧電基板に悪影舌を及ぼすことは小さくな
る。

また、二次的な効果として、上記浸漬処理によりレジス
トの剥離性が向上するので、上記フォトレジスト除去の
工程を、圧電基板に及ぼす影響が極めて小さい工程とす
ることができる。

更に、圧電基板を構成する５ｉ０２等は酸素プラズマに
よる灰化（アッシング）等の影響により、表面波の伝搬
速度のばらつきを生じさせ、周波数特性のばらつきを生
じさせる。このため、有機溶剤によるレジスト剥離が望
まれる場合が多いが、本実施例においては、上述したよ
うに、フォトレジスト除去の工程は有機溶剤による剥離
の工程で充分なものとなるため、こうした不具合は回避
される。

かくして本実施例方法では、所望とする周波数特性を有
する弾性表面波素子を高い歩留りにより製造することが
できる。

尚、本実施例において、酸洗浄の工程における酸として
硝酸を用いたことは、例えば特開昭４７−１８４７３号
公報の記載にもあるように、硝酸がＡβに対し低ダメー
ジ性（酸化作用）であって、レジストに対し劣化性を持
つからである。即ち、レジスト表面上に付着した化合物
も含めて一層剥ぐ結果になるからである。加えて、酸化
作用の効果と思われる塩素系化合物（Ａ１６℃　（Ｘ＝
１〜３）、ＣＣβ　等）を効果的に除去してくれるから
でｙある。

次に、本発明の効果を確認するために行った６００Ｍ１
ｌｚ帯の４弾性表面波共振子の試作結果を示す。

第２図（ｂ）は上述した実施例の工程どおりに製造した
もの、第２図（ａ）は上記工程のうち硝酸による浸漬処
理を行わなかったものの共振周波数分布特性を示してい
る。

これら結果から明らかなように、本発明により、共振周
波数の標準偏差（σ）が約１／４となり、周波数分布特
性が向上していることが分かる。また他の試験結果にお
いても共振周波数の標準偏差（σ）が従来例の１７３〜
ｌ／８程度となり周波数分布特性が向上していることが
確認された。

第３図（ｂ）は上述した実施例の工程どおりに製造した
もの、第３図（ａ）は上記工程のうち硝酸による浸漬処
理を行わずかつエツチング後に有機溶剤（アセトン）に
よりレジスト２＋１離したちののＳＥＭ（走査形電子顕
＠鏡）写真を示している。

また、第４図（ｂ）は上述した実施例の工程のうちレジ
スト除去を酸素プラズマ（０２アツシング）により製造
したもの、第４図（ａ）は上記工程のうち硝酸による浸
漬処理を行わずかつレジスト除去を酸素プラズマ（０２
アツシング）により行ったもののＳＥＭ（走査形電子顕
微鏡）写真を示している。

これら結果から明らかなように、本発明により、剥離性
が向上し、レジストの剥離が充分行われていることが分
かる。

ここで、本発明の応用例として、レジストパターンの形
状は保持したままでの、追加エツチングを可能とするた
めの硝酸濃度の依存性を第５図乃至第７図に示す。

第５図（ａ）は７０％硝酸処理後のもので、同図（ｂ）
はアセトンによるレジスト剥離後のものである。第６図
（ａ）は５０％硝酸処理後のもので、同図（ｂ）はアセ
トンによるレジスト剥離後のものである。第７図（ａ）
は３０％硝酸処理後のちので、同図（ｂ）はアセトンに
よるレジスト剥離後のものである。

この結果から明らかなように、硝酸濃度３０％〜５０％
にてレジストの形状は保持可能であることがわかる。し
たがってその後追加のエツチングにて、Ａｎ電極線幅の
オーバーエツチングが再度可能となり、線幅による弾性
表面波素子の周波数調整も可能となる。

［発明の効果］以上説明したように本発明の製造方法によれば、ドライ
エツチング後に、圧電基板上を酸洗浄しているので、ド
ライエツチングによって生じた化合物の残渣はこの工程
により除去され、この後のフォトレジスト除去の工程は
単にフォトレジストを除去することを目的とするもので
よく、この工程が圧電基板に悪影響を及ぼすことは小さ
くなり、歩留りは向上する。

更に、酸洗浄によりレジストの剥離性が向上するので、
上記フォトレジスト除去の工程を、圧電基板に及ぼす影
響が極めて小さい工程とすることがてきる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る弾性表面波素子の製造
方法を示す工程図、第２図乃至第７図は本発明の効果を
確認するために行った８００ＭＩＩｚ帯の弾性表面波共
振子の試作結果を示す図、第８図は従来の弾性表面波素
子の製造方法を示す工程図である。１１・・・圧電基板、１２・・・Ａβ薄膜、１３・・・
フォトレジスト、１４・・・硝酸。出願人　　　　　　株式会社　東芝同　　　　　　　東芝電子デバイスエンジニアリング株式会社

Claims

【特許請求の範囲】　圧電基板上に金属薄膜を形成する工程と、前記金属薄
膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、所望とする形状に前記フォトレジスト膜を除去する工程
と、前記フォトレジスト膜が除去されることにより露出した
前記金属薄膜をドライエッチングにより除去する工程と
、前記金属薄膜の除去された圧電基板上を酸洗浄する工程
と、この酸洗浄のなされた圧電基板上に残存する前記フォト
レジスト膜を除去する工程とを経ることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。