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JPH08337887A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

Info

Publication number
JPH08337887A
JPH08337887A JP7144781A JP14478195A JPH08337887A JP H08337887 A JPH08337887 A JP H08337887A JP 7144781 A JP7144781 A JP 7144781A JP 14478195 A JP14478195 A JP 14478195A JP H08337887 A JPH08337887 A JP H08337887A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antenna
plasma
processing apparatus
plasma processing
microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7144781A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Doi
昭 土居
Takeshi Yoshioka
健 吉岡
Kenji Miyata
健治 宮田
Tsutomu Tetsuka
勉 手束
Yuichi Ikeda
裕一 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP7144781A priority Critical patent/JPH08337887A/ja
Publication of JPH08337887A publication Critical patent/JPH08337887A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64—Heating using microwaves
    • H05B6/70—Feed lines
    • H05B6/704—Feed lines using microwave polarisers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64—Heating using microwaves
    • H05B6/80—Apparatus for specific applications
    • H05B6/806—Apparatus for specific applications for laboratory use

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Clinical Laboratory Science (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の第１の目的は、大口径の高密度プラズ
マを生成できる小型のマイクロ波プラズマ処理装置を提
供することにある。本発明の第２の目的は、大口径プラ
ズマの密度分布を均一化できる小型のマイクロ波プラズ
マ処理装置を提供することにある。 【構成】本実施例のマイクロストリップアンテナ１は右
回り円偏波を放射する小型のアンテナモジュールを３列
×３行に配列して構成されている。アンテナモジュール
１８ａ，１８ｂ，１８ｃに給電するマイクロ波のパワー
をＰａ，Ｐｂ，Ｐｃとすると、プラズマ密度を均一にす
るためにはＰａ＜Ｐｃ＜Ｐｂとすれば良い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマを用いて基板の
エッチングや薄膜形成等の表面処理を行うプラズマ処理
装置に係り、特にマイクロ波と磁場の相互作用を利用し
てプラズマを発生させるマイクロ波プラズマ処理装置に
好適な装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波プラズマ処理装置では、マイ
クロ波で生成したプラズマを用いて半導体基板のエッチ
ングや薄膜形成などの表面処理を行う。この処理は均一
に行う必要があるので、プラズマ密度の高均一性が要求
される。また、処理速度を向上するために、プラズマの
高密度化が要求される。
【０００３】近年、半導体基板の大きさが直径６インチ
から直径８インチに移行されつつあり、今後は直径１０
インチ更に直径１２インチに移行されると考えられる。
このような基板の大口径化に伴い、その処理に用いるプ
ラズマも大口径なものが要求される。大口径のプラズマ
を生成するためには、従来用いられていたホーン型アン
テナではアンテナが大型となり、装置全体の大型化につ
ながる。また、単純にアンテナを大型にしても放射する
マイクロ波分布の制御ができないので、プラズマ密度の
制御性が悪くなってしまう。このため、小型で且つマイ
クロ波分布の制御性を有するアンテナが必要である。
【０００４】従来技術としては、特開平6−61153号公報
に記載されているように、櫛型又は放射状の形状をした
平面状アンテナを用いたものがあるが、本従来技術では
マイクロ波分布の制御性やマイクロ波の吸収効率に関し
ては特に考慮されていなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、大口径の高密度プラズマを生成できる小型のマイク
ロ波プラズマ処理装置を提供することにある。
【０００６】本発明の第２の目的は、大口径プラズマの
密度分布を均一化できる小型のマイクロ波プラズマ処理
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るための第１の発明は、アンテナから放射したマイクロ
波で生成したプラズマを用いて基板の表面処理を行うプ
ラズマ処理装置において、前記アンテナは、右回り円偏
波のマイクロ波を放射する複数のマイクロストリップア
ンテナを備えるようにしたものである。
【０００８】ここで、右回り円偏波とは一般に次のもの
を意味する。即ち、空間を伝わる平面電磁波において、
進行方向に垂直な面内を振動する電界及び磁界の方向が
波の進行に伴い右回りに回転するものを右回り偏波した
波と呼び、特に電界及び磁界の振幅が一定のものを右回
り円偏波と呼ぶ。
【０００９】また、上記第２の目的を達成するための第
２の発明は、アンテナから放射したマイクロ波で生成し
たプラズマを用いて基板の表面処理を行うプラズマ処理
装置において、前記アンテナは複数のマイクロストリッ
プアンテナを備え、該複数のマイクロストリップアンテ
ナは複数のグループにグループ分けされ、各グループ毎
に供給するマイクロ波を制御する制御手段を備えるよう
にしたものである。
【００１０】
【作用】第１の発明によれば、アンテナとしてマイクロ
ストリップアンテナを用いることにより、アンテナを大
口径化してもアンテナの厚さは１cm程度で済むので、ア
ンテナの大きさを小型にできる。これに伴い、プラズマ
処理装置も小型にできる。更に、アンテナから放射され
るマイクロ波を、電子サイクロトロン効果によりプラズ
マに吸収され易い右回り円偏波とすることによって、プ
ラズマにマイクロ波を効率良く吸収させることができる
ので、高密度プラズマを生成することが可能となる。即
ち、第１の発明により、小型のマイクロ波プラズマ処理
装置で大口径の高密度プラズマを生成することができ
る。
【００１１】また、第２の発明によれば、アンテナとし
てマイクロストリップアンテナを用いることにより、第
１の発明と同じ理由で、アンテナを大口径化してもアン
テナの大きさを小型にし、プラズマ処理装置を小型にで
きる。更に、制御手段が複数のグループ毎に供給するマ
イクロ波を制御することにより、プラズマ密度を均一化
するように、アンテナから放射するマイクロ波分布を制
御することができる。即ち、第２の発明により、小型の
マイクロ波プラズマ処理装置で大口径プラズマの密度分
布を均一化することができる。
【００１２】以下、マイクロストリップアンテナを用い
て高密度プラズマを生成できることを確認した、発明者
らの性能確認試験について説明する。図３と図４に、試
験に用いたマイクロストリップアンテナの概略構成を示
す。図３は回路パターン状のマイクロストリップアンテ
ナの上面図で、図４は図３の給電部１９付近の断面図で
ある。マイクロストリップアンテナは、アース導体２０
と誘電体２１と金属箔２２とが重ね合わされた基板によ
りできており、図３の回路パターンは金属箔２２をエッ
チングして画かれる。給電部１９では、同軸ケーブル１
７の中心導体と給電線７が接続されている。
【００１３】このマイクロストリップアンテナでは、プ
ラズマの状態によってアンテナからのマイクロ波の放射
特性が左右されにくくするために、アンテナの周波数特
性を広帯域化している。その方法としては、４つの放射
素子２３で１つのアンテナモジュールを構成し、各放射
素子２３と給電部１９とを結ぶ給電線７の距離をマイク
ロ波の波長の１／４波長ずつずらし、各放射素子からの
反射波が打ち消し合うようにした。このように構成する
ことにより、放射素子２３が１つのものに比べて広帯域
化することができる。また、基板の誘電体２１として、
比誘電率が小さく厚さが厚いものを用いることにより、
更に広帯域化を図ることができる。
【００１４】このアンテナから放射されるマイクロ波
は、電子サイクロトロン効果によりプラズマに吸収させ
る。電子サイクロトロン効果は、マイクロ波の周波数が
2.45ＧＨｚの場合、右回り円偏波のマイクロ波が磁場強
度８７５Ｇauss程度の磁場が存在する領域で吸収され易
くなる現象であるため、アンテナから放射されるマイク
ロ波を右回り円偏波とすることにより効率良くプラズマ
に吸収させることができる。こうするために、図３に示
したマイクロストリップアンテナでは、放射されるマイ
クロ波が右回り円偏波となるように、４つの放射素子２
３に給電する給電線７の方向を９０度ずつ右回りに回転
するようにしている。
【００１５】図５は、図３のマイクロストリップアンテ
ナを用いた試験装置の概略構成を示す。本装置は、マイ
クロストリップアンテナ１とプラズマ６の距離を変化で
きるように構成されている。本装置では、マイクロ波源
４で発生させたマイクロ波を導波管１５，変換器１６及
び同軸管２５を介してマイクロストリップアンテナ１に
供給し、マイクロストリップアンテナ１から周波数２.
４５ＧＨｚ のマイクロ波３を放射する。マイクロ波３
は導入窓５から真空容器８中に伝搬し、マイクロ波３で
中性ガス９を電離させてプラズマ６を発生させる。マイ
クロ波３で電子を加速する効率を高めるために、真空容
器８中には電磁石などの磁場発生装置１２により磁場を
発生させ、電子サイクロトロン効果が最大となる８７５
Ｇaussの磁場を真空容器８のほぼ中央に発生させる。本
装置を用いて発生させたプラズマ６の密度を、ラングミ
ュアープローブを用いて図５中に示したプラズマ計測位
置４０において計測した。
【００１６】図６は、マイクロストリップアンテナ１と
プラズマ６との距離Ｌと、プラズマ計測位置４０におけ
るプラズマ密度の関係を示したものである。ここで、マ
イクロストリップアンテナ１に入力したマイクロ波のパ
ワーは、約１ｋＷである。同図から、プラズマ密度は、
マイクロストリップアンテナ１をプラズマ６から４cm程
度以上離すとプラズマを高密度化できることが判った。
これは、マイクロストリップアンテナ１の１つの放射素
子２３から放射されるマイクロ波は直線偏波であるが、
マイクロストリップアンテナ１から十分離れた位置では
円偏波を形成するようになり、十分に円偏波が形成され
てからプラズマに入射することがプラズマにマイクロ波
が吸収されるためには必要であるためである。
【００１７】以上から、高密度プラズマを生成するに
は、マイクロストリップアンテナから放射されるマイク
ロ波を電子サイクロトロン効果によりプラズマに吸収さ
れ易い右回り円偏波となるようにする必要があることが
判った。また、マイクロストリップアンテナの周波数帯
域を広くしてプラズマの状態に左右されにくくするこ
と、及び右回り円偏波が十分に形成されるようにマイク
ロストリップアンテナとプラズマの距離をとることが、
高密度プラズマ生成のためにはより効果的であることが
判った。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１に、
本発明を用いたプラズマ処理装置の第１の実施例を示
す。本装置は、マイクロ波源４，マイクロ波源４から供
給されるマイクロ波３を導入窓５から真空容器８内へ放
射するマイクロストリップアンテナ１，真空容器８内に
中性ガス９を供給するガス供給装置１０，真空容器８内
のガスを排気する排気装置１１，真空容器８内のプラズ
マ発生領域に磁場を発生させる磁場発生装置１２，プラ
ズマ６を用いてエッチングや薄膜形成などの表面処理を
行う半導体基板１３を設置するホルダー１４，ホルダー
１４に高周波電界を印加する高周波電源２４などから構
成される。
【００１９】図１の構成で、マグネトロンを使ったマイ
クロ波源４で発生させたマイクロ波を導波管１５，変換
器１６及び同軸ケーブル１７を介してマイクロストリッ
プアンテナ１に供給する。マイクロストリップアンテナ
１から放射されたマイクロ波３は、導入窓５を通って真
空容器８中に伝搬し、電子を加速して中性ガス９を衝突
電離することによりプラズマ６を発生させる。中性ガス
９は、ガス供給装置１０により真空容器８中に供給され
た後に、排気装置１１により排気される。マイクロ波で
電子を加速する効率を高めるために、電磁石を用いた磁
場発生装置１２により真空容器８中に磁場を発生させる
ことで電子サイクロトロン効果を用いる。電子サイクロ
トロン効果は、周波数２.４５ＧＨｚ のマイクロ波を用
いた場合、約８７５Ｇaussの磁場強度において最大とな
り、マイクロ波のプラズマによる吸収効率が最大とな
る。そのため、真空容器８中には８７５Ｇauss程度の磁
場を発生させておく。
【００２０】従来技術でも説明したように、マイクロ波
プラズマ処理装置では半導体基板の処理を均一にするた
めにプラズマ密度分布を均一にする必要がある。プラズ
マ密度分布を均一にするために、従来の装置では中性ガ
ス９の分布，真空容器８中の磁場分布を主に制御してい
たが、本実施例では更に入射するマイクロ波３の分布も
制御してプラズマ密度を均一にする手段を設けている。
【００２１】本実施例のマイクロストリップアンテナ１
は、図２に示すように、図３に示した小型のアンテナモ
ジュールを３列×３行に配列して構成されている。図２
で、各アンテナモジュールのうち、中央のものを１８
ａ，角のものを１８ｂ、それ以外のものを１８ｃで表し
ている。尚、図２には３列×３行の計９個のアンテナモ
ジュールを配列した例を示しているが、更に大面積のプ
ラズマを生成するためには４列×４行，５列×５行とモ
ジュール数を増やすことにより、簡単に大面積のプラズ
マを生成することができる。
【００２２】図２に示した例では３台のマイクロ波源を
備えており、マイクロ波源４ａはアンテナモジュール１
８ａに、マイクロ波源４ｂはアンテナモジュール１８ｂ
に、マイクロ波源４ｃはアンテナモジュール１８ｃにそ
れぞれ同軸ケーブル１７を介して給電している。ここ
で、アンテナモジュール１８ｂ及び１８ｃは複数あるの
で、分配器２６を用いてマイクロ波源４ｂ及び４ｃから
給電されるマイクロ波のパワーを各アンテナモジュール
に均等に分配する。
【００２３】いま、アンテナモジュール１８ａに給電す
るマイクロ波のパワーをＰａ，アンテナモジュール１８
ｂに給電するマイクロ波のパワーをＰｂ，アンテナモジ
ュール１８ｃに給電するマイクロ波のパワーをＰｃとす
る。マイクロ波を均一な分布でプラズマに入射した場
合、プラズマ密度分布は中央が強くなる傾向を示すこと
から、プラズマ密度を均一にするためには中央部に近い
アンテナモジュールに給電するマイクロ波のパワーを周
辺部のアンテナモジュールに給電するマイクロ波のパワ
ーに比べて小さくすれば良いので、Ｐａ＜Ｐｃ＜Ｐｂと
すれば良い。Ｐａ，Ｐｂ及びＰｃの制御は、マイクロ波
源４ａ，４ｂ及び４ｃの出力パワーを調節することで簡
単に行える。また、アンテナモジュールに給電するパワ
−を制御する方法として、１つのマイクロ波源のパワー
を分割比が可変の分岐回路を用いてマイクロ波を分岐す
ることでも行うこともできる。
【００２４】図６で説明したように、図３に示したマイ
クロストリップアンテナを用いて高密度のプラズマを生
成するためには、アンテナとプラズマとの間に４cm以上
の距離が必要となる。そのため本実施例では、マイクロ
ストリップアンテナ１とプラズマ６の間に４cm以上の距
離Ｌを設けている。
【００２５】本実施例におけるマイクロストリップアン
テナ１は、マイクロ波源４から供給されるパワーの９５
％以上をプラズマ６に放射することができるが、５％程
度のパワーはアンテナ部で熱エネルギーに変化すること
になる。マイクロ波源４が発生するパワーは、大きい場
合には２ｋＷにもなることからアンテナ部で発生する熱
エネルギーとしては最大１００Ｗ程度に達する。この熱
を効率よく除去してやらなければ、アンテナが加熱して
壊れてしまう。よって、アンテナを冷却するために、マ
イクロストリップアンテナ１のプラズマ６と反対側に、
冷却水を流すための冷却配管４１を設けてアンテナを冷
却するようにしている。
【００２６】次に、図７を用いて、本発明を用いたプラ
ズマ処理装置の第２の実施例を説明する。本実施例の基
本的な装置構成は第１の実施例と同じであるが、第１の
実施例との違いは、アンテナの外周形状及びプラズマの
横断面（水平断面）形状が円形となっていることであ
る。その他の構成は第１の実施例と同じであるので、こ
こでは説明を省略する。
【００２７】本実施例では、装置の周方向にできるだけ
均一なマイクロ波分布とするために、図８に示すよう
に、正方形の小型の放射素子２３を周方向に並べたアン
テナパターンとする。各放射素子２３からは、円偏波を
放出することができる。この原理を図９を用いて説明す
る。図９のアンテナでは、給電部１９から給電線７を介
して、放射素子２３に２７ａ及び２７ｂの２点で給電し
ている。このとき、給電部１９から２７ａまでの距離
を、１９から２７ｂまでの距離よりもマイクロ波の波長
の１／４波長分だけ短くすることにより、２７ａに到達
するマイクロ波の位相が２７ｂに到達するマイクロ波の
位相よりも９０度早くなる。このように、正方形の放射
素子２３の隣会う２辺に位相が９０度ずれたマイクロ波
を供給することにより、１つの放射素子から右回り円偏
波を放出することができる。
【００２８】図８のアンテナでは放射素子２３を同心円
状に二重に配置し、内側と外側の放射素子２３に異なる
２つのマイクロ波源４ａと４ｂからそれぞれ給電する。
均一のマイクロ波分布でプラズマを生成すると、プラズ
マは中央部に集中する傾向があるので、これを避けるた
めに、本実施例では外側の放射素子に給電するマイクロ
波源４ｂのパワーを内側の放射素子に給電するマイクロ
波源４ａのパワーよりも強くする。尚、本実施例では放
射素子を同心円状に二重に配列しているが、更に装置を
大型化する場合には、三重や四重に配列することでマイ
クロ波分布を調整し、プラズマ分布を均一にすることが
できる。
【００２９】次に、図１０及び図１１を用いて、本発明
を用いたプラズマ処理装置の第３の実施例を説明する。
本実施例の基本的な装置構成は第２の実施例と同じであ
るが、第２の実施例との違いは、磁場発生装置として永
久磁石４２を用いていることである。その他の構成は第
２の実施例と同じであるので、ここでは説明を省略す
る。
【００３０】本実施例では、磁場発生装置として円柱型
の永久磁石４２が、マイクロストリップアンテナ１の上
に設けられている。永久磁石４２はマイクロストリップ
アンテナ１の各放射素子２３毎にその上部に置かれる。
永久磁石が作る磁場は永久磁石からの距離の３乗に概ね
反比例する。このため、通常では永久磁石とプラズマと
の距離が大きいと巨大な永久磁石が必要になる。本実施
例では、マイクロストリップアンテナを用いることによ
りアンテナの厚みを薄くできるので、永久磁石とプラズ
マとの距離を近くして、永久磁石の大きさを小さくする
ことができる。また、本実施例では永久磁石４２が発生
する磁場分布を調整してプラズマの密度分布の制御性を
向上するために、小型の補助的な電磁石４３を設けてお
り、この補助的な電磁石４３による磁場分布の制御も用
いて、プラズマ密度をより均一にできるようにしてい
る。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、マイクロストリップア
ンテナから放射されるマイクロ波を、電子サイクロトロ
ン効果によりプラズマに吸収され易い右回り円偏波とす
ることによって、小型のマイクロ波プラズマ処理装置で
大口径の高密度プラズマを生成することができる。
【００３２】また、複数のグループに分けたマイクロス
トリップアンテナに供給するマイクロ波を、制御手段が
各グループ毎に制御することによって、小型のマイクロ
波プラズマ処理装置で大口径プラズマの密度分布を均一
化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を用いたプラズマ処理装置の第１の実施
例を示す図。
【図２】図１のマイクロストリップアンテナの詳細図。
【図３】図５のマイクロストリップアンテナの上面図。
【図４】図３の給電部付近の断面図。
【図５】本発明の性能確認のための試験装置の概略構成
図。
【図６】マイクロストリップアンテナとプラズマの距離
とプラズマ密度の関係図。
【図７】本発明を用いたプラズマ処理装置の第２の実施
例を示す図。
【図８】図７のマイクロストリップアンテナの詳細図。
【図９】図８の放射素子の詳細図。
【図１０】本発明を用いたプラズマ処理装置の第３の実
施例を示す図。
【図１１】図１０のマイクロストリップアンテナの詳細
図。
【符号の説明】
１…マイクロストリップアンテナ、３…マイクロ波、４
…マイクロ波源、５…導入窓、６…プラズマ、７…給電
線、８…真空容器、９…中性ガス、１０…ガス供給装
置、１１…排気装置、１２…磁場発生装置、１３…半導
体基板、１４…ホルダー、１５…導波管、１６…変換
器、１７…同軸ケーブル、１８，１８ａ，１８ｂ，１８
ｃ…アンテナモジュール、１９…給電部、２０…アース
導体、２１…誘電体、２２…金属箔、２３…放射素子、
４０…プラズマ計測位置、４１…冷却配管、４２…永久
磁石、４３…電磁石。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 手束 勉 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 池田 裕一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】アンテナから放射したマイクロ波で生成し
    たプラズマを用いて基板の表面処理を行うプラズマ処理
    装置において、 前記アンテナは、右回り円偏波のマイクロ波を放射する
    複数のマイクロストリップアンテナを備えることを特徴
    とするプラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】請求項１において、前記マイクロストリッ
    プアンテナはマイクロ波を放射する複数の放射素子を備
    えることを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】請求項１において、前記マイクロストリッ
    プアンテナはマイクロ波を放射する１つの放射素子に複
    数の給電部を備えることを特徴とするプラズマ処理装
    置。
  4. 【請求項４】請求項１乃至３の何れかにおいて、前記ア
    ンテナと前記プラズマの間に、該アンテナから放射され
    たマイクロ波が右回り円偏波を形成するための空間を設
    けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】アンテナから放射したマイクロ波で生成し
    たプラズマを用いて基板の表面処理を行うプラズマ処理
    装置において、 前記アンテナは複数のマイクロストリップアンテナを備
    え、該複数のマイクロストリップアンテナは複数のグル
    ープにグループ分けされ、 各グループ毎に供給するマイクロ波を制御する制御手段
    を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
  6. 【請求項６】請求項５において、前記制御手段は前記複
    数のグループ毎に供給するマイクロ波パワーを制御する
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
  7. 【請求項７】請求項５において、前記複数のマイクロス
    トリップアンテナは実質的に２次元平面上に配置され、
    該複数のマイクロストリップアンテナは少なくとも中央
    部に位置するグループと、周辺部に位置するグループに
    グループ分けされ、 前記制御手段は、周辺部に位置するグループに供給する
    マイクロ波パワーを、中央部に位置するグループに供給
    するマイクロ波パワーよりも強くするように制御するこ
    とを特徴とするプラズマ処理装置。
  8. 【請求項８】請求項１又は５において、前記マイクロス
    トリップアンテナは、アンテナ基板の誘電体厚さを厚く
    することにより周波数帯域を広くしたことを特徴とする
    プラズマ処理装置。
  9. 【請求項９】請求項１又は５において、前記マイクロス
    トリップアンテナは、アンテナ基板の誘電体の誘電率を
    小さくすることにより周波数帯域を広くしたことを特徴
    とするプラズマ処理装置。
  10. 【請求項１０】請求項１又は５において、前記マイクロ
    ストリップアンテナは、マイクロ波の放射素子を複数備
    えることにより周波数帯域を広くしたことを特徴とする
    プラズマ処理装置。
  11. 【請求項１１】請求項１又は５において、前記マイクロ
    ストリップアンテナを冷却する手段を備えたことを特徴
    とするプラズマ処理装置。
  12. 【請求項１２】請求項１又は５において、前記マイクロ
    ストリップアンテナのプラズマと反対側に永久磁石を設
    けることによりプラズマ生成領域に磁場を発生させるこ
    とを特徴とするプラズマ処理装置。
JP7144781A 1995-06-12 1995-06-12 プラズマ処理装置 Pending JPH08337887A (ja)

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