JPH08325054A - 低誘電損失体 - Google Patents
低誘電損失体Info
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- JPH08325054A JPH08325054A JP7133557A JP13355795A JPH08325054A JP H08325054 A JPH08325054 A JP H08325054A JP 7133557 A JP7133557 A JP 7133557A JP 13355795 A JP13355795 A JP 13355795A JP H08325054 A JPH08325054 A JP H08325054A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とし、０．５重量％以上の
Ｙ2 Ｏ3 を含有する焼結体であって、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相
の粒界中にＹ2 Ｏ3 もしくはＡｌ2 Ｏ3 とＹ2 Ｏ3 の化
合物を存在させて、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔ
ａｎδ）が１．０×１０-4以下であるような低誘電損失
体を得る。 【効果】高周波で使用される回路基板やマイクロ波用誘
電体等として好適に用いることができる。
Ｙ2 Ｏ3 を含有する焼結体であって、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相
の粒界中にＹ2 Ｏ3 もしくはＡｌ2 Ｏ3 とＹ2 Ｏ3 の化
合物を存在させて、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔ
ａｎδ）が１．０×１０-4以下であるような低誘電損失
体を得る。 【効果】高周波で使用される回路基板やマイクロ波用誘
電体等として好適に用いることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波で使用される回
路基板やマイクロ波用誘電体等として使用される低誘電
損失体に関する。
路基板やマイクロ波用誘電体等として使用される低誘電
損失体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、例えば自動車電話、コードレステ
レホン、パーソナル無線、衛星放送受信機の実用化に伴
い、マイクロ波領域での回路素子として誘電体磁器が広
く使用されている。
レホン、パーソナル無線、衛星放送受信機の実用化に伴
い、マイクロ波領域での回路素子として誘電体磁器が広
く使用されている。
【０００３】このようなマイクロ波用誘電体磁器は主に
共振器に用いられるが、そこに要求される特性として、
小型化の要求に対して比誘電率が大きいこと、高周波で
の誘電損失（ｔａｎδ）が小さいこと、言い換えればＱ
値が大きいことが主として挙げられる。しかし、より高
周波数域（周波数１ＧＨｚ以上）で使用する場合、用い
られる電波の波長が短波長（ミリ波）であるため、加工
精度等の点からむしろ誘電率１０〜２０程度の低い誘電
率の材料が必要となることが知られている。
共振器に用いられるが、そこに要求される特性として、
小型化の要求に対して比誘電率が大きいこと、高周波で
の誘電損失（ｔａｎδ）が小さいこと、言い換えればＱ
値が大きいことが主として挙げられる。しかし、より高
周波数域（周波数１ＧＨｚ以上）で使用する場合、用い
られる電波の波長が短波長（ミリ波）であるため、加工
精度等の点からむしろ誘電率１０〜２０程度の低い誘電
率の材料が必要となることが知られている。
【０００４】そこで、このような低誘電率の誘電体磁器
のうち、高周波電子回路の導波体としてアルミナ磁器が
注目されている。
のうち、高周波電子回路の導波体としてアルミナ磁器が
注目されている。
【０００５】しかしながら、従来のアルミナ磁器はＡｌ
2 Ｏ3 の含有率９９．９％以上の焼結体であり、誘電率
（ε）が約１０の優れた特性を有するが、このようなＡ
ｌ2Ｏ3 含有率の高いアルミナ磁器は１８００℃以上で
焼成する必要があり、量産性に乏しいという問題点があ
った（特公昭６３−６６７９５号、特公平２−１１１０
号公報等参照）。
2 Ｏ3 の含有率９９．９％以上の焼結体であり、誘電率
（ε）が約１０の優れた特性を有するが、このようなＡ
ｌ2Ｏ3 含有率の高いアルミナ磁器は１８００℃以上で
焼成する必要があり、量産性に乏しいという問題点があ
った（特公昭６３−６６７９５号、特公平２−１１１０
号公報等参照）。
【０００６】そこで、焼成温度を下げるために、アルミ
ナに種々の添加物を加えることが行われているが、焼成
温度を満足できる程度に低下させるためには添加量が多
くなり、誘電損失（ｔａｎδ）が高くなるという問題が
あった。
ナに種々の添加物を加えることが行われているが、焼成
温度を満足できる程度に低下させるためには添加量が多
くなり、誘電損失（ｔａｎδ）が高くなるという問題が
あった。
【０００７】一方、上述のアルミナ磁器においても、高
周波における誘電損失（ｔａｎδ）を低くすることが求
められているが、満足なものは得られていなかった。
周波における誘電損失（ｔａｎδ）を低くすることが求
められているが、満足なものは得られていなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の問題
について検討を重ねた結果、主成分であるＡｌ2 Ｏ3に
Ｙ2 Ｏ3 を０．５重量％以上含有させることにより、７
〜９ＧＨｚの高周波数域において誘電損失（ｔａｎδ）
を１×１０-4以下にできるとともに、焼成温度を１５０
０〜１７００℃として容易に製造できることを見出し、
本発明に至った。
について検討を重ねた結果、主成分であるＡｌ2 Ｏ3に
Ｙ2 Ｏ3 を０．５重量％以上含有させることにより、７
〜９ＧＨｚの高周波数域において誘電損失（ｔａｎδ）
を１×１０-4以下にできるとともに、焼成温度を１５０
０〜１７００℃として容易に製造できることを見出し、
本発明に至った。
【０００９】即ち、本発明の低誘電損失体はＡｌ2 Ｏ3
を主成分とし、Ｙ2 Ｏ3 を０．５重量％以上含有するア
ルミナ質焼結体であり、特にＡｌ2 Ｏ3 結晶相の粒界中
にＹ2 Ｏ3 もしくはＹ2 Ｏ3 とＡｌ2 Ｏ3 の化合物、即
ちＹ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、３
Ｙ2 Ｏ3 ・５Ａｌ2 Ｏ3 が存在することを特徴とする。
を主成分とし、Ｙ2 Ｏ3 を０．５重量％以上含有するア
ルミナ質焼結体であり、特にＡｌ2 Ｏ3 結晶相の粒界中
にＹ2 Ｏ3 もしくはＹ2 Ｏ3 とＡｌ2 Ｏ3 の化合物、即
ちＹ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、３
Ｙ2 Ｏ3 ・５Ａｌ2 Ｏ3 が存在することを特徴とする。
【００１０】ここで、Ｙ2 Ｏ3 を０．５重量％以上含有
させたのは、Ｙ2 Ｏ3 を添加することによって、不可避
不純物、特にＭｇＯ等の周期律表２ａ族元素のアルミナ
への固溶を抑制し、格子欠陥の生成を防止し、誘電損失
を低下させるためであり、また１５００〜１７００℃に
て焼成可能とするためである。ただし、Ｙ2 Ｏ3 の含有
量が多くなると比誘電率が高くなりすぎるため、Ｙ2 Ｏ
3 含有量は９０重量％以下とする。特に、Ｙ2 Ｏ3 含有
量を１〜８０重量％の範囲とすれば比誘電率を２０以下
に抑制することができ好適である。
させたのは、Ｙ2 Ｏ3 を添加することによって、不可避
不純物、特にＭｇＯ等の周期律表２ａ族元素のアルミナ
への固溶を抑制し、格子欠陥の生成を防止し、誘電損失
を低下させるためであり、また１５００〜１７００℃に
て焼成可能とするためである。ただし、Ｙ2 Ｏ3 の含有
量が多くなると比誘電率が高くなりすぎるため、Ｙ2 Ｏ
3 含有量は９０重量％以下とする。特に、Ｙ2 Ｏ3 含有
量を１〜８０重量％の範囲とすれば比誘電率を２０以下
に抑制することができ好適である。
【００１１】また、Ａｌ2 Ｏ3 結晶の粒界中にＹ2 Ｏ3
もしくはＹ2 Ｏ3 とＡｌ2 Ｏ3 の化合物、即ちＹ2 Ｏ3
・Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、３Ｙ2 Ｏ3 ・
５Ａｌ2 Ｏ3 を存在させたのは、焼結体全体の誘電損失
を低くするためである。
もしくはＹ2 Ｏ3 とＡｌ2 Ｏ3 の化合物、即ちＹ2 Ｏ3
・Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、３Ｙ2 Ｏ3 ・
５Ａｌ2 Ｏ3 を存在させたのは、焼結体全体の誘電損失
を低くするためである。
【００１２】本発明のアルミナ質焼結体には、上記以外
の成分として、ＳｉＯ2 を１×１０-6〜０．２重量％、
好適には１×１０-6〜０．０４重量％、Ｆｅ2 Ｏ3 を１
×１０-6〜０．１重量％、好適には１×１０-6〜０．０
３重量％、Ｎａ2 Ｏを１×１０-6〜０．２重量％、好適
には１×１０-6〜０．０８重量％の範囲で含有すること
が好ましい。これらの成分を上記範囲で含有することに
よって、誘電損失を低くすることができる。
の成分として、ＳｉＯ2 を１×１０-6〜０．２重量％、
好適には１×１０-6〜０．０４重量％、Ｆｅ2 Ｏ3 を１
×１０-6〜０．１重量％、好適には１×１０-6〜０．０
３重量％、Ｎａ2 Ｏを１×１０-6〜０．２重量％、好適
には１×１０-6〜０．０８重量％の範囲で含有すること
が好ましい。これらの成分を上記範囲で含有することに
よって、誘電損失を低くすることができる。
【００１３】また、本発明のアルミナ質焼結体の平均結
晶粒子径は２〜８０μｍの範囲内とすることが好まし
い。
晶粒子径は２〜８０μｍの範囲内とすることが好まし
い。
【００１４】本発明の低誘電損失体をなすアルミナ質焼
結体の製造方法は、まず純度９９．８％以上、平均粒子
径２μｍ以下のＡｌ2 Ｏ3 粉末に、純度９９．８％以
上、平均粒子径０．５〜５μｍのＹ2 Ｏ3 粉末を０．５
重量％以上添加し、これに例えばイソプロピルアルコー
ル等の有機溶媒を加え、ボールミル等で混合粉砕する。
得られたスラリーを所定温度で加熱し乾燥した後、パラ
フィンワックス等のバインダーを添加し、加熱混合して
混合粉末を得る。
結体の製造方法は、まず純度９９．８％以上、平均粒子
径２μｍ以下のＡｌ2 Ｏ3 粉末に、純度９９．８％以
上、平均粒子径０．５〜５μｍのＹ2 Ｏ3 粉末を０．５
重量％以上添加し、これに例えばイソプロピルアルコー
ル等の有機溶媒を加え、ボールミル等で混合粉砕する。
得られたスラリーを所定温度で加熱し乾燥した後、パラ
フィンワックス等のバインダーを添加し、加熱混合して
混合粉末を得る。
【００１５】得られた粉末を公知の成形方法、例えばプ
レス成形により成形し、これを例えば大気中において１
５００〜１７００℃の範囲内の焼成温度で０．５〜５時
間焼成し、アルミナ質焼結体を得ることができる。得ら
れたアルミナ質焼結体にはＡｌ2 Ｏ3 結晶相あるいはＡ
ｌ2 Ｏ3 結晶相とＹ2 Ｏ3 結晶相もしくは３Ｙ2 Ｏ3・
５Ａｌ2 Ｏ3 結晶相が存在し、その粒界中にＹ2 Ｏ3 も
しくはＹ2 Ｏ3 とＡｌ2 Ｏ3 の化合物、即ちＹ2 Ｏ3 ・
Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、３Ｙ2Ｏ3 ・５
Ａｌ2 Ｏ3 が存在する。
レス成形により成形し、これを例えば大気中において１
５００〜１７００℃の範囲内の焼成温度で０．５〜５時
間焼成し、アルミナ質焼結体を得ることができる。得ら
れたアルミナ質焼結体にはＡｌ2 Ｏ3 結晶相あるいはＡ
ｌ2 Ｏ3 結晶相とＹ2 Ｏ3 結晶相もしくは３Ｙ2 Ｏ3・
５Ａｌ2 Ｏ3 結晶相が存在し、その粒界中にＹ2 Ｏ3 も
しくはＹ2 Ｏ3 とＡｌ2 Ｏ3 の化合物、即ちＹ2 Ｏ3 ・
Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、３Ｙ2Ｏ3 ・５
Ａｌ2 Ｏ3 が存在する。
【００１６】次に、本発明者は、イットリア・アルミニ
ウム・ガーネット（ＹＡＧ）を主成分とする焼結体であ
って、その粒界中にＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、もしくはＹ
2 Ｏ3 とＡｌ2 Ｏ3 の化合物、即ちＹ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ
3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3を存在させることにより、
７〜９ＧＨｚでの誘電損失（ｔａｎδ）が１×１０-4以
下である低誘電損失体を得られることを見出した。
ウム・ガーネット（ＹＡＧ）を主成分とする焼結体であ
って、その粒界中にＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、もしくはＹ
2 Ｏ3 とＡｌ2 Ｏ3 の化合物、即ちＹ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ
3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3を存在させることにより、
７〜９ＧＨｚでの誘電損失（ｔａｎδ）が１×１０-4以
下である低誘電損失体を得られることを見出した。
【００１７】さらには、上記ＹＡＧを主成分とする焼結
体に透光性を持たせ、７〜９ＧＨｚでの誘電損失（ｔａ
ｎδ）が１×１０-4以下である低誘電損失体を得ること
ができる。
体に透光性を持たせ、７〜９ＧＨｚでの誘電損失（ｔａ
ｎδ）が１×１０-4以下である低誘電損失体を得ること
ができる。
【００１８】このような焼結体は、Ａｌ2 Ｏ3 ４２．９
％とＹ2 Ｏ3 ５７．１％とした原料粉末を成形し、１７
５０〜１９００℃の真空中または還元性雰囲気中で焼成
することにより透光性を有するＹＡＧ焼結体が得られ
る。透光性を有するほどであるから、その表面や内部に
ボイドは極めて少なく、格子欠陥が少ないために誘電損
失の低い焼結体とできるのである。
％とＹ2 Ｏ3 ５７．１％とした原料粉末を成形し、１７
５０〜１９００℃の真空中または還元性雰囲気中で焼成
することにより透光性を有するＹＡＧ焼結体が得られ
る。透光性を有するほどであるから、その表面や内部に
ボイドは極めて少なく、格子欠陥が少ないために誘電損
失の低い焼結体とできるのである。
【００１９】また、Ｙ2 Ｏ3 とＡｌ2 Ｏ3 からなるガー
ネット構造の焼結体は、ほとんどが立方晶のＹＡＧ結晶
であり、わずかに存在する粒界成分は過剰のＡｌ
2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 またはこれらの化合物であるため、前
述の不可避不純物、特にＭｇＯ等の周期律表第２ａ族元
素のアルミナへの固溶を抑制し、格子欠陥の生成を防止
して誘電損失の低下を可能としているのである。
ネット構造の焼結体は、ほとんどが立方晶のＹＡＧ結晶
であり、わずかに存在する粒界成分は過剰のＡｌ
2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 またはこれらの化合物であるため、前
述の不可避不純物、特にＭｇＯ等の周期律表第２ａ族元
素のアルミナへの固溶を抑制し、格子欠陥の生成を防止
して誘電損失の低下を可能としているのである。
【００２０】さらに、本発明のＹＡＧ焼結体は、上述し
たアルミナ質焼結体の場合と同量のＳｉＯ2 、Ｆｅ2 Ｏ
3 、Ｎａ2 Ｏを含有することが好ましく、これらの成分
を含有することによって、誘電損失を低くすることがで
きる。
たアルミナ質焼結体の場合と同量のＳｉＯ2 、Ｆｅ2 Ｏ
3 、Ｎａ2 Ｏを含有することが好ましく、これらの成分
を含有することによって、誘電損失を低くすることがで
きる。
【００２１】以上のような本発明の低誘電損失体は、高
周波で使用される回路基板やマイクロ波用誘電体等とし
て使用することができる。
周波で使用される回路基板やマイクロ波用誘電体等とし
て使用することができる。
【００２２】
【実施例】以下本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２３】実施例１ 純度９９．８％、平均粒子径０．５μｍのＡｌ2 Ｏ3 粉
末と、純度９９．９％、平均粒子径１μｍのＹ2 Ｏ3 粉
末を表１に示す割合で添加し、これをイソプロピルアル
コールからなる有機溶媒と、アルミナボール１００ｇと
ともにポリエチレン製ポットに入れ、４８時間混合粉砕
した。得られたスラリーを８０℃で加熱し乾燥した後８
０メッシュの篩いを通し、パラフィンワックスからなる
バインダーを添加し、加熱混合した後４０メッシュの篩
いを通して原料粉末を得た。
末と、純度９９．９％、平均粒子径１μｍのＹ2 Ｏ3 粉
末を表１に示す割合で添加し、これをイソプロピルアル
コールからなる有機溶媒と、アルミナボール１００ｇと
ともにポリエチレン製ポットに入れ、４８時間混合粉砕
した。得られたスラリーを８０℃で加熱し乾燥した後８
０メッシュの篩いを通し、パラフィンワックスからなる
バインダーを添加し、加熱混合した後４０メッシュの篩
いを通して原料粉末を得た。
【００２４】得られた粉末を圧力１０００ｋｇ／ｃｍ2
で成形し、直径６０ｍｍ、厚さ２ｍｍに成形し、これを
表１に示す温度で焼成した。このようにして得られた焼
結体をアセトンにて１０分間超音波洗浄した後、自然乾
燥させて試料とした。
で成形し、直径６０ｍｍ、厚さ２ｍｍに成形し、これを
表１に示す温度で焼成した。このようにして得られた焼
結体をアセトンにて１０分間超音波洗浄した後、自然乾
燥させて試料とした。
【００２５】得られた試料を空洞共振器法により、ネッ
トワクアナライザー（ＨＰ−８７５７Ｃ）、シンセサイ
ズドスイーパー（ＨＰ−８７５７Ｃ）で測定周波数８〜
９ＧＨｚにおいて誘電率および誘電損失（ｔａｎδ）を
測定した。
トワクアナライザー（ＨＰ−８７５７Ｃ）、シンセサイ
ズドスイーパー（ＨＰ−８７５７Ｃ）で測定周波数８〜
９ＧＨｚにおいて誘電率および誘電損失（ｔａｎδ）を
測定した。
【００２６】結果を表１に示すように、Ｙ2 Ｏ3 含有量
が０．５重量％未満の場合（Ｎｏ．１，２）は誘電損失
が非常に高いことが判る。これに対し、０．５重量％以
上のＹ2 Ｏ3 を含有させた本発明実施例（Ｎｏ．３〜
９）では、焼成温度が１５５０〜１７００℃と低く、誘
電率が１０〜２２で、ＧＨｚ帯における誘電損失も１．
０×１０-4以下と低いことがわかる。
が０．５重量％未満の場合（Ｎｏ．１，２）は誘電損失
が非常に高いことが判る。これに対し、０．５重量％以
上のＹ2 Ｏ3 を含有させた本発明実施例（Ｎｏ．３〜
９）では、焼成温度が１５５０〜１７００℃と低く、誘
電率が１０〜２２で、ＧＨｚ帯における誘電損失も１．
０×１０-4以下と低いことがわかる。
【００２７】また、本発明実施例の試料をＸ線回折によ
り確認し、熱リン酸でケミカルエッチングした後、波長
分散型マイクロアナライザーを用いて局所分析を行った
ところ、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相が存在し、粒界中にＹ2 Ｏ3
もしくはＡｌ2 Ｏ3 とＹ2 Ｏ3 の化合物、即ちＹ2 Ｏ3
・Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、３Ｙ2 Ｏ3・
５Ａｌ2 Ｏ3 が存在することを確認した。
り確認し、熱リン酸でケミカルエッチングした後、波長
分散型マイクロアナライザーを用いて局所分析を行った
ところ、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相が存在し、粒界中にＹ2 Ｏ3
もしくはＡｌ2 Ｏ3 とＹ2 Ｏ3 の化合物、即ちＹ2 Ｏ3
・Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、３Ｙ2 Ｏ3・
５Ａｌ2 Ｏ3 が存在することを確認した。
【００２８】
【表１】
【００２９】実施例２ 純度９９．８％、平均粒子径０．５μｍのＡｌ2 Ｏ3 粉
末を４２．９重量％と純度９９．９％、平均粒子径１μ
ｍのＹ2 Ｏ3 粉末を５７．１重量％を混合し、これにイ
ソプロピルアルコールからなる溶媒とアルミナボールを
加えてポリエチレン製ポットに入れ、４８時間混合粉砕
した。得られたスラリーを８０℃に乾燥し、１０００〜
１４００℃で仮焼してＹＡＧを生成した。この粉末をメ
ッシュパス後、イソプロピルアルコールからなる溶媒と
アルミナボールを加えてポリエチレン製ポットに入れ２
４時間粉砕した。得られたスラリーを８０℃で乾燥しメ
ッシュパス後、バインダーを加えて圧力１０００ｋｇ／
ｃｍ2 で成形し、表２のＮｏ．１０に示す温度で焼成し
て試料を得た。
末を４２．９重量％と純度９９．９％、平均粒子径１μ
ｍのＹ2 Ｏ3 粉末を５７．１重量％を混合し、これにイ
ソプロピルアルコールからなる溶媒とアルミナボールを
加えてポリエチレン製ポットに入れ、４８時間混合粉砕
した。得られたスラリーを８０℃に乾燥し、１０００〜
１４００℃で仮焼してＹＡＧを生成した。この粉末をメ
ッシュパス後、イソプロピルアルコールからなる溶媒と
アルミナボールを加えてポリエチレン製ポットに入れ２
４時間粉砕した。得られたスラリーを８０℃で乾燥しメ
ッシュパス後、バインダーを加えて圧力１０００ｋｇ／
ｃｍ2 で成形し、表２のＮｏ．１０に示す温度で焼成し
て試料を得た。
【００３０】この試料に対し、実施例１と同様にして誘
電率、誘電損失（ｔａｎδ）を測定した結果を表２に示
すように、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）
が１．０×１０-4以下であることがわかる。
電率、誘電損失（ｔａｎδ）を測定した結果を表２に示
すように、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）
が１．０×１０-4以下であることがわかる。
【００３１】また、この試料をＸ線回折により確認し、
実施例１と同様の局所分析を行ったところ、ＹＡＧ結晶
相が存在し、粒界中にＹ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3
・Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 が存在すること
を確認した。したがって、ＹＡＧ結晶を主成分とし、そ
の粒界中にＹ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、もしくはＹ2 Ｏ3と
Ａｌ2 Ｏ3 の化合物が存在することによって誘電損失を
低くできることがわかる。
実施例１と同様の局所分析を行ったところ、ＹＡＧ結晶
相が存在し、粒界中にＹ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3
・Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 が存在すること
を確認した。したがって、ＹＡＧ結晶を主成分とし、そ
の粒界中にＹ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、もしくはＹ2 Ｏ3と
Ａｌ2 Ｏ3 の化合物が存在することによって誘電損失を
低くできることがわかる。
【００３２】
【表２】
【００３３】実施例３ それぞれ純度９９．８％、ＢＥＴ比表面積５ｍ2 ／ｇ、
平均粒子径１．０μｍのＡｌ2 Ｏ3 粉末を４２．９重量
％とＹ2 Ｏ3 粉末を５７．１重量％を混合し、これにイ
ソプロピルアルコールからなる溶媒とアルミナボールを
加えてポリエチレン製ポットに入れ、回転ミルで２４時
間混合粉砕した。得られたスラリーを乾燥しメッシュパ
スした後、１０００〜１４００℃で仮焼し、その後再び
イソプロピルアルコールを加えて回転ミルで２４時間粉
砕した。得られたスラリーを乾燥しメッシュパス後、バ
インダーを加えて金型プレス及び冷間静水圧プレスを用
い、生密度２．５ｇ／ｃｍ3 以上の２５．４×２５．４
×２ｍｍの成形体を作り、真空炉にて１７５０〜１９０
０℃で真空焼成し、上記表２中のＮｏ．１１〜１３の試
料を得た。
平均粒子径１．０μｍのＡｌ2 Ｏ3 粉末を４２．９重量
％とＹ2 Ｏ3 粉末を５７．１重量％を混合し、これにイ
ソプロピルアルコールからなる溶媒とアルミナボールを
加えてポリエチレン製ポットに入れ、回転ミルで２４時
間混合粉砕した。得られたスラリーを乾燥しメッシュパ
スした後、１０００〜１４００℃で仮焼し、その後再び
イソプロピルアルコールを加えて回転ミルで２４時間粉
砕した。得られたスラリーを乾燥しメッシュパス後、バ
インダーを加えて金型プレス及び冷間静水圧プレスを用
い、生密度２．５ｇ／ｃｍ3 以上の２５．４×２５．４
×２ｍｍの成形体を作り、真空炉にて１７５０〜１９０
０℃で真空焼成し、上記表２中のＮｏ．１１〜１３の試
料を得た。
【００３４】これらの試料のうち、Ｎｏ．１３は焼成温
度が高すぎて溶融してしまった。残りのＮｏ．１１，１
２の試料を実施例１と同様の方法で誘電率、誘電損失を
測定したところ、いずれも誘電損失が０．５×１０-4以
下と極めて低くすることができた。
度が高すぎて溶融してしまった。残りのＮｏ．１１，１
２の試料を実施例１と同様の方法で誘電率、誘電損失を
測定したところ、いずれも誘電損失が０．５×１０-4以
下と極めて低くすることができた。
【００３５】また、この試料を実施例１と同様にして局
所分析したところ、ＹＡＧ結晶相が存在し、粒界中にＹ
2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ
3 ・Ａｌ2 Ｏ3 が存在することを確認した。
所分析したところ、ＹＡＧ結晶相が存在し、粒界中にＹ
2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、２Ｙ2 Ｏ
3 ・Ａｌ2 Ｏ3 が存在することを確認した。
【００３６】さらに、これらの焼結体は透光性を有して
おり、光透過性を求められるような用途に使用すること
ができる。
おり、光透過性を求められるような用途に使用すること
ができる。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ａｌ2 Ｏ
3 を主成分とし、０．５重量％以上のＹ2 Ｏ3 を含有す
る焼結体であって、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相の粒界中にＹ2 Ｏ
3 もしくはＡｌ2 Ｏ3 とＹ2 Ｏ3 の化合物を存在させる
ことによって、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａｎ
δ）が１．０×１０-4以下であるような低誘電損失体を
得ることができる。
3 を主成分とし、０．５重量％以上のＹ2 Ｏ3 を含有す
る焼結体であって、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相の粒界中にＹ2 Ｏ
3 もしくはＡｌ2 Ｏ3 とＹ2 Ｏ3 の化合物を存在させる
ことによって、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａｎ
δ）が１．０×１０-4以下であるような低誘電損失体を
得ることができる。
【００３８】また本発明によれば、イットリア・アルミ
ニウム・ガーネット（ＹＡＧ）を主成分とする焼結体で
あって、該ＹＡＧ結晶相の粒界中にＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ
3 、もしくはＡｌ2 Ｏ3 とＹ2 Ｏ3 の化合物を存在させ
ることによって、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａ
ｎδ）が１．０×１０-4以下であるような低誘電損失体
を得ることができる。
ニウム・ガーネット（ＹＡＧ）を主成分とする焼結体で
あって、該ＹＡＧ結晶相の粒界中にＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ
3 、もしくはＡｌ2 Ｏ3 とＹ2 Ｏ3 の化合物を存在させ
ることによって、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａ
ｎδ）が１．０×１０-4以下であるような低誘電損失体
を得ることができる。
【００３９】したがって、本発明の低誘電損失体は、高
周波で使用される回路基板やマイクロ波用誘電体等とし
て好適に用いることができる。
周波で使用される回路基板やマイクロ波用誘電体等とし
て好適に用いることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とし、０．５重量％以
上のＹ2 Ｏ3 を含有する焼結体であって、Ａｌ2 Ｏ3 結
晶相の粒界にＹ2 Ｏ3 もしくはＡｌ2 Ｏ3 とＹ2 Ｏ3 の
化合物が存在し、７〜９ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａ
ｎδ）が１．０×１０-4以下であることを特徴とする低
誘電損失体。 - 【請求項２】イットリア・アルミニウム・ガーネット
（ＹＡＧ）を主成分とする焼結体であって、ＹＡＧ結晶
相の粒界にＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、もしくはＡｌ2 Ｏ3
とＹ2 Ｏ3 の化合物が存在し、７〜９ＧＨｚにおける誘
電損失（ｔａｎδ）が１．０×１０-4以下であることを
特徴とする低誘電損失体。損失体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13355795A JP3339989B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 低誘電損失体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13355795A JP3339989B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 低誘電損失体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325054A true JPH08325054A (ja) | 1996-12-10 |
| JP3339989B2 JP3339989B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=15107599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13355795A Expired - Fee Related JP3339989B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 低誘電損失体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3339989B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6916559B2 (en) | 1997-02-26 | 2005-07-12 | Kyocera Corporation | Ceramic material resistant to halogen plasma and member utilizing the same |
| US7022636B2 (en) | 2001-10-03 | 2006-04-04 | Kyocera Corporation | Ceramic member for semiconductor manufacturing equipment |
| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| CN115073161A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-20 | 重庆翰博显示科技研发中心有限公司 | 一种复合陶瓷的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132765A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-16 | 株式会社デンソー | 高絶縁性高アルミナ質磁器組成物の製造方法 |
| JPS62270460A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 着色磁器組成物 |
| JPS63236213A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体磁器 |
| JPH06191929A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-12 | Kyocera Corp | アルミナ質焼結体 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP13355795A patent/JP3339989B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| CN115073161A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-20 | 重庆翰博显示科技研发中心有限公司 | 一种复合陶瓷的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3339989B2 (ja) | 2002-10-28 |
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