JPH08255789A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理液のミストによる基板及び処理容器の汚
染を防止して歩留まりの向上を図り、また、蓋体の開放
を容易にしてスループットの向上を図る。 【構成】 基板Ｇを吸着保持するスピンチャック１０の
上部及び外周部を回転カップ１２にて包囲し、この回転
カップ１２の開口部１２ａに蓋体１６を開閉可能に被着
する。スピンチャック１０の下方近傍位置にはスピンチ
ャック１０と共に昇降可能な取付部材３４を取付け、こ
の取付部材３４にＮ₂ガス供給ノズル３６を取付ける。
これにより、レジスト液供給ノズル５０から基板Ｇ上に
滴下されたレジスト液Ｂを、スピンチャック１０及び回
転カップ１２の回転により拡散し、レジスト膜を整えた
後、Ｎ2ガス供給ノズル３６から回転カップ１２内に供
給されるＮ2ガスによって飛散したレジスト液のミスト
を排除することができる。また、回転カップ１２内の減
圧状態を解除して蓋体１６の開放を容易にすることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えばレジスト膜の
ような溶剤による液状塗布膜を、ＬＣＤ基板等の基板上
やこの上に形成された層の上に形成するための処理装置
及び処理方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体技術の分野では、ＬＣＤ
基板の上に形成された半導体層、絶縁体層、電極層を選
択的に所定のパターンにエッチングする場合に、半導体
ウエハの場合と同様にパターン部のマスキングとして層
の表面にレジスト膜を形成することが行われている。

【０００３】例えば、レジスト膜の形成方法として、角
形のＬＣＤ基板（以下に基板という）を、処理容器内に
配設される載置台上に載置固定した状態で、処理容器の
開口部を蓋体で閉止して、処理容器と載置台を回転さ
せ、例えば、この基板上面の中心部に溶剤と感光性樹脂
とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液を基板
の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部に向け
て放射状に拡散させて塗布する処理方法が知られてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理方法においては、レジスト液が基板の中心
位置から周縁部に向けて拡散していく過程において、レ
ジスト液中の溶剤が蒸発し、また、基板は、中心位置よ
りも外周部で周速がはるかに増加するので、レジスト液
の飛散する量が多い。そのため、飛散したレジスト液が
基板の角部裏面等や処理容器に付着して、基板及び処理
容器を汚染するばかりか、その後乾燥してパーティクル
の発生原因となり、歩留まりの低下を招くという問題が
あった。また、回転処理により処理容器内が負圧となる
ため、処理後に蓋体の開放に大きな力を要するので、蓋
体の開放に慎重にならざるを得ず、そのためスループッ
トの低下を招くという問題もあった。

【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理工程で発生する処理液のミストによる基板及び
処理容器の汚染を防止して、歩留まりの向上を図り、ま
た、蓋体の開放を容易にしてスループットの向上を図れ
るようにした処理装置及び処理方法を提供することを目
的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の処理装置は、基板の一面を上に向
けて支持し、かつ、基板の一面に垂直な軸を中心として
基板を回転させると共に、垂直方向に移動可能な保持手
段と、 上記基板を包囲するカップ状をなし、かつ、そ
の底部側部に排気孔を有して保持手段と共に回転する処
理容器と、 上記処理容器の開口部を閉止し、処理容器
と共に回転する蓋体と、 上記処理容器内に出没可能な
不活性ガス供給手段と、 上記基板に塗布液を供給する
塗布液供給手段と、を具備することを特徴とするもので
ある（請求項１）。

【０００７】また、この発明の第２の処理装置は、基板
の一面を上に向けて支持し、かつ、基板の一面に垂直な
軸を中心として基板を回転させると共に、垂直方向に移
動可能な保持手段と、 上記基板を包囲するカップ状を
なし、かつ、その底部側部に排気孔を有して保持手段と
共に回転する処理容器と、 上記処理容器の開口部を閉
止し、処理容器と共に回転する蓋体と、 上記処理容器
内に出没可能な不活性ガス供給手段と、 上記処理容器
内に出没可能な容器洗浄手段と、 上記基板に塗布液を
供給する塗布液供給手段と、を具備することを特徴とす
るものである（請求項２）。

【０００８】この発明の処理装置において、上記不活性
ガス供給手段と容器洗浄手段とを、保持手段に垂直方向
のみ連動可能な取付部材に取付ける方が好ましい（請求
項３）。

【０００９】また、上記不活性が供給手段は、処理容器
内に出没可能なものであれば、その形態は任意であって
も差し支えないが、好ましくは不活性ガス供給手段を、
中空円環状本体の外周面に適宜間隔をおいて多数の小孔
を設けた環状ノズルにて形成する方がよい（請求項
４）。

【００１０】また、上記容器洗浄手段を、処理容器の底
面に向って洗浄液を噴射する底面洗浄ノズル体と、処理
容器の内側面に向って洗浄液を噴射する側面洗浄ノズル
体と、処理容器と蓋体の当接部及び蓋体の下面に向って
洗浄液を噴射する蓋体洗浄ノズル体とで構成する方が好
ましい（請求項５）。

【００１１】一方、この発明の第１の処理方法は、処理
容器内に収容される基板を、処理容器と共に回転させる
と共に、基板一面上に処理液を供給して、塗布膜を形成
する方法を前提とし、上記基板に、処理液を供給し、回
転させて、基板の一面に拡散させる工程と、 上記処理
容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封入する工
程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を回転
させて、塗布膜の膜厚を整える工程と、 回転が停止さ
れた上記処理容器内に不活性ガスを供給する工程と、を
有することを特徴とするものである（請求項６）。

【００１２】また、この発明の第２の処理方法は、上記
第１の処理方法と同様に、処理容器内に収容される基板
を、処理容器と共に回転させると共に、基板一面上に処
理液を供給して、塗布膜を形成する方法を前提とし、上
記基板に、処理液を供給し、回転させて、基板の一面に
拡散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、
基板を処理容器内に封入する工程と、 上記蓋体が閉止
された処理容器及び基板を回転させて、塗布膜の膜厚を
整える工程と、 回転が停止された上記処理容器内に不
活性ガスを供給する工程と、 上記蓋体を開放し、上記
処理容器から基板を搬出する工程と、 必要に応じて上
記処理容器に蓋体を閉止した状態で、処理容器の底面、
内側面かつ処理容器と蓋体の当接部及び蓋体の下面に洗
浄液を噴射する工程と、を有することを特徴とするもの
である（請求項７）。

【００１３】この発明の処理方法において、処理容器内
に不活性ガスを供給する場合、不活性ガスを中心側から
放射状に供給する方が好ましい（請求項８）。不活性ガ
スとしては、例えば窒素（Ｎ2）ガスあるいはアルゴン
（Ａｒ）ガス等を使用することができる。

【００１４】

【作用】上記技術的手段によるこの発明によれば、基板
の一面上に処理液を供給し、回転させて、基板の一面に
拡散させ、そして、処理容器に蓋体を閉止して、基板を
処理容器内に封入した後、蓋体が閉止された処理容器及
び基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整える。その後、
処理容器内に不活性ガスを供給することにより、処理容
器内に飛散する処理液のミストを排除すると共に、処理
容器内の減圧を解除することができる。これにより、処
理中に発生する処理液のミストの基板及び処理容器への
付着を抑制することができる。また、処理容器内の減圧
を解除することで、蓋体の開放を容易にすることができ
る。

【００１５】また、必要に応じて例えば定期的に蓋体を
閉止した状態で処理容器内に洗浄液を噴射することによ
り、処理容器の底面、側面、処理容器と蓋体の当接部及
び蓋体の下面に付着した処理液やパーティクル等を洗浄
除去することができる。

【００１６】

【実施例】以下にこの発明の実施例を添付図面に基いて
詳細に説明する。ここでは、この発明の処理装置及び処
理方法をＬＣＤ（液晶表示）基板（ガラス基板）のレジ
スト膜の形成装置及び形成方法に適用した場合について
説明する。

【００１７】上記塗布膜形成装置は、図１に示すよう
に、被処理体である角形状の基板、例えばＬＣＤ基板Ｇ
（以下に基板という）を水平状態に真空によって吸着保
持する保持手段例えばスピンチャック１０と、このスピ
ンチャック１０の上部及び外周部を包囲する処理室１１
を有する上方部が開口したカップ状の処理容器１２（以
下に回転カップという）と、回転カップ１２の開口部１
２ａに閉止可能に被着（着脱）される蓋体１６と、この
蓋体１６の下方に水平状に垂設され基板Ｇの外周縁より
外方へ突出する平板状の整流板１３と、処理容器１２の
外周側を包囲する上方が開口したカップ状の固定容器１
４（以下にドレンカップという）と、このドレンカップ
１４の開口部に閉止可能に被着（着脱）される固定蓋体
１５と、蓋体１６と固定蓋体１５を閉止位置と待機位置
に移動する蓋体移動手段であるロボットアーム２０と、
スピンチャック１０と回転カップ１２を回転する手段で
ある駆動モータ２１と、上記スピンチャック１０の上方
位置に移動可能に構成される処理液の溶剤（溶媒）Ａの
供給ノズル４０（溶剤供給手段）と処理液例えばレジス
ト液Ｂの供給ノズル５０（処理液供給手段）とを近接さ
せて一体に取り付けた噴頭６０と、この噴頭６０を把持
して噴頭待機位置と基板上方位置間で移動させる移動手
段であるノズル移動機構７０とを有する。

【００１８】この場合、ノズル４０，５０からの溶剤供
給路及びレジスト液供給路のそれぞれには、中を流れる
溶剤Ａ及びレジスト液Ｂを予め設定された温度（例えば
２３℃）に設定するための温度調整液Ｃを循環供給する
温度調整機構６１が設けられている。また、上記スピン
チャック１０の下方近傍位置にはスピンチャック１０と
の間にベアリング３４ａを介してスピンチャック１０と
共に昇降可能な取付部材３４が取り付けられており、こ
の取付部材３４に、回転カップ１２の洗浄ノズル３５
（容器洗浄手段）と、不活性ガス例えば窒素（Ｎ₂）ガ
スの供給ノズル３６（不活性ガス供給手段）が取り付け
られている。

【００１９】上記スピンチャック１０は例えばポリエー
テル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）製の耐熱性合成樹
脂性部材にて形成され、予め設定されたプログラムに基
いて駆動し、回転速度を可変できる駆動モータ２１の駆
動によって回転される回転軸２２を介して水平方向に回
転（自転）可能になっており、また回転軸２２に連結さ
れる昇降シリンダ２３の駆動によって上下方向に移動し
得るようになっている。この場合、回転軸２２は、固定
カラー２４の内周面にベアリング２５ａを介して回転可
能に装着される回転内筒２６ａの内周面に嵌着されるス
プライン軸受２７に摺動可能に連結されている。スプラ
イン軸受２７には従動プーリ２８ａが装着されており、
従動プーリ２８ａには駆動モータ２１の駆動軸２１ａに
装着された駆動プーリ２１ｂとの間にベルト２９ａが掛
け渡されている。したがって、駆動モータ２１の駆動に
よってベルト２９ａを介して回転軸２２が回転してスピ
ンチャック１０が回転される。また、回転軸２２の下部
側は図示しない筒体内に配設されており、筒体内におい
て回転軸２２はバキュームシール部３０を介して昇降シ
リンダ２３に連結され、昇降シリンダ２３の駆動によっ
て回転軸２２が上下方向に移動し得るように構成されて
いる。なお、上記スピンチャック１０は、図２の想像線
に示すように、支持腕部１０ａを延設し、その先端部に
係止ピン１０ｂを突設し、この各係止ピン１０ｂで基板
Ｇの各角部分を係止するように構成することもできる。

【００２０】上記回転カップ１２は例えばステンレス鋼
製部材にて形成され、上記固定カラー２４の外周面にベ
アリング２５ｂを介して装着される回転外筒２６ｂの上
端部に固定される連結筒３１を介して取付けられてお
り、回転カップ１２の底部１２ｂとスピンチャック１０
の下面との間にはシール用のＯリング３２が介在されて
スピンチャック１０が下降してＯリング３２と当接した
状態で気密が保持されるようになっている。また、回転
外筒２６ｂに装着される従動プーリ２８ｂと上記駆動モ
ータ２１に装着される駆動プーリ２１ｂに掛け渡される
ベルト２９ｂによって駆動モータ２１からの駆動が回転
カップ１２に伝達されて回転カップ１２が回転されるよ
うに構成されている。この場合、従動プーリ２８ｂの直
径は上記回転軸２２に装着された従動プーリ２８ａの直
径と同一に形成され、同一の駆動モータ２１にベルト２
９ａ，２９ｂが掛け渡されているので、回転カップ１２
とスピンチャック１０は同一回転する。なお、固定カラ
ー２４と回転内筒２６ａ及び回転外筒２６ｂとの対向面
にはラビリンスシール部３３が形成されて回転処理時に
下部の駆動系から回転カップ１２内にごみが進入するの
を防止している（図３参照）。

【００２１】また、回転カップ１２は、側壁１２ｃの内
面が上側に向って縮径されたテーパ面１２ｅを形成して
なり、下部周辺部すなわち側壁１２ｃの下部側の周方向
の適宜位置には排気孔１２ｄが穿設されている。

【００２２】回転カップ１２の開口１２ａを閉止する蓋
体１６の周辺下面には、回転カップ１２との金属同士の
接触を避けるために例えばデルリン（商品名）製の当接
リング１６ａが固着されており、また、蓋体１６の中央
部にはベアリング１６ｂを介して上記ロボットアーム２
０にて支持される支持円柱１９が取り付けられ、支持円
柱１６の中央に空気導入口１６ｃが設けられている。

【００２３】このように蓋体１６に空気導入口１６ｃを
設け、回転カップ１２に排気孔１２ｄを設けることによ
り、回転カップ１２の回転に伴って処理室１１内が負圧
となって空気導入口１６ｃから回転カップ１２内に空気
が流れ、この空気が整流板１３によって回転カップ１２
の内側壁に沿って排気孔１２ｄから排出されるので、レ
ジスト液のミストが基板Ｇに再付着するのを防止するこ
とができ、かつ、回転カップ１２の回転時に処理室１１
内が過剰な負圧になるのを防止することができる。

【００２４】なお、上記空気導入口１６ｃは支持円柱１
９に直接設けてもよく、あるいは支持円柱１９に穿設さ
れた貫通孔内に貫挿されるパイプ部材にて形成すること
もできる。特に、空気導入口１６ｃをパイプ部材にて形
成する場合には、使用する溶剤Ａあるいはレジスト液Ｂ
の種類、乾燥性，粘性等の性状によってパイプ部材の孔
径を選択して使用することができる点で好ましい。

【００２５】一方、上記ドレンカップ１４の底部の外周
側には複数の排液口１４ａが同心円上に設けられ、この
排液口１４ａの内周側の適宜箇所（例えば周方向の４箇
所）には図示しない排気装置に接続する排気口１４ｂが
設けられている。この場合、排液口１４ａは基板Ｇ及び
回転カップ１２の回転方向（例えば時計方向）の接線方
向に開口されている。このように排液口１４ａを基板Ｇ
及び回転カップ１２の回転方向の接線方向に設けた理由
は、基板Ｇ及び回転カップ１２の回転に伴って飛散され
るレジスト液のミストを速やかに外部に排出するように
したためである。

【００２６】また、固定蓋体１５は支持円柱１９に支持
されるステンレス鋼製部材にて形成されており、この固
定蓋体１５の外周下面には、ドレンカップ１４との金属
同士の接触を避けるためにデルリン（商品名）製のリン
グ状の当接部材１５ａが固着されている。また、固定蓋
体１５の中心側の同心円上には複数の空気供給孔１５ｂ
が設けられている。

【００２７】このように、固定蓋体１５の中心側の同心
円上に複数の空気供給孔１５ａを設け、ドレンカップ１
４の底部に排気口１４ｂを設けることにより、回転カッ
プ１２の回転時に空気供給孔１５ａからドレンカップ１
４内に流れた空気が回転カップ１２の外側壁に沿って流
れ、回転処理時に処理室１１内で遠心力により飛散し排
気孔１２ｄを通ってドレンカップ１４内に流れ込んだミ
ストが回転カップ１２の上部側へ舞い上がるのを防止し
て、排気口１４ｂから外部に排出することができる。

【００２８】上記蓋体１６は回転処理時には回転カップ
１２の開口部１２ａに固定されて一体に回転される必要
がある。そこで、図４に示すように当接リング１６ａの
下面に嵌合凹所１７ｂを設け、この嵌合凹所１７ｂを回
転カップ１２の上部に突出する固定ピン１７ａに嵌合さ
せて蓋体１６を回転カップ１２に固定している。この場
合、固定ピン１７ａの頂部を球面状に形成することによ
り、嵌合凹所１７ｂとの接触によって発生するごみを少
なくしている。なお、固定ピン１７ａは必ずしも回転カ
ップ側に突出する必要はなく、蓋体側に固定ピン１７ａ
を突出させ、回転カップ側に嵌合凹所１７ｂを設けても
よい。また、嵌合凹所１７ｂ内を図示しない吸引手段に
接続させて固定ピン１７ａと嵌合凹所１７ｂとの接触に
よって発生するごみを外部に排出させるようにしてもよ
い。

【００２９】上記蓋体１６を開閉する場合には、図１に
想像線で示すように、蓋体１６の上面に突設された膨隆
頭部１８の下にロボットアーム２０を挿入し、膨隆頭部
１８に設けられた係止溝１８ａにロボットアーム２０か
ら突出する係止ピン２０ａを係合させた後、ロボットア
ーム２０を上下動させることによって行うことができ
る。なお、蓋体１６を開放するときの膨隆頭部１８の係
止溝１８ａとロボットアーム２０の係止ピン２０ａとの
位置合せ、及び蓋体１６を閉じるときの固定ピン１７ａ
と嵌合凹所１７ｂの位置合せは、サーボモータ等にて形
成される駆動モータ２１の回転角を制御することによっ
て行うことができる。

【００３０】上記実施例では、蓋体１６と回転カップ１
２との固定を固定ピン１７ａと嵌合凹所１７ｂの嵌合に
より行う場合について説明したが、必ずしもこのような
構造とする必要はなく、別途押圧機構を用いて蓋体１６
を回転カップ１２に固定すれば、蓋体１６の開放時のご
みの発生や回転処理時の蓋体１６のガタツキ等を防止す
ることができる。なお、上記固定蓋体１５は蓋体１６を
回転自在に支持する支持円柱１９に固定されているの
で、蓋体１６の開閉移動に伴って上下移動してドレンカ
ップ１４の開口部を開閉することができる。

【００３１】また、上記Ｎ₂ガス供給ノズル３６は、図
５に示すように、ドーナツ状の中空円環状のパイプにて
形成されるノズル本体３６ａと、このノズル本体３６ａ
の外周面に適宜間隔をおいて穿設される多数の小孔３６
ｂとからなる環状ノズルにて形成されている。このよう
に構成されるＮ₂ガス供給ノズル３６は、上記スピンチ
ャツク１０と共に昇降する取付部材３４に取り付けら
れ、固定カラー２４を貫通するＮ₂ガス供給チューブ３
６ｃを介して図示しないＮ₂ガス供給源に接続されてい
る。そして、回転処理後のスピンチャック１０の上昇と
共に上昇して回転カップ１２の処理室１１内に位置（露
呈）した際に、Ｎ₂ガス供給源から供給されるＮ₂ガスを
処理室１１内に放射状に噴射して、処理室１１内をＮ₂
パージすると共に、処理室１１内の負圧（減圧）状態を
解除して、以後の蓋体１６の開放を容易に行えるように
してある。

【００３２】また、上記Ｎ₂ガス供給ノズル３６と共に
取付部材３４に取り付けられる洗浄ノズル３５は、図３
及び図６に示すように、回転カップ１２の底面に向って
傾斜する底面洗浄ノズル体３５ａと、回転カップ１２の
内側面に向って水平状に突出する側面洗浄ノズル体３５
ｂと、蓋体１６の下面に向って傾斜する蓋体洗浄ノズル
体３５ｃとで構成されている。これら、ノズル体３５ａ
〜３５ｃは、固定カラー２４を貫通する洗浄液供給チュ
ーブ３６ｄを介して図示しない洗浄液供給源に接続され
ている。この洗浄ノズル３５によって回転カップ１２の
洗浄を行う場合には、図６に示すように、まず、回転処
理後にスピンチャック１０の上昇と共に上昇して各ノズ
ル体３５ａ〜３５ｃを回転カップ１２の処理室１１内に
位置（露呈）させ、次に、洗浄液供給源から供給される
洗浄液を各ノズル体３５ａ〜３５ｃから回転する回転カ
ップ１２の底面、内側面及び蓋体１６の下面（具体的に
は、蓋体１６と回転カップ１２の当接部及びその付近の
蓋体下面）に向って噴射させて、回転カップ１２及び蓋
体１６に付着するレジスト液やパーティクル等を洗浄し
除去することができる。この洗浄処理は所定枚数の基板
Ｇの処理を行った後、定期的に行えばよい。

【００３３】一方、上記溶剤供給ノズル４０は溶剤供給
路である溶剤供給チューブ４１と開閉バルブ４２を介し
て溶剤タンク４３に接続されており、溶剤タンク４３内
に供給される窒素（Ｎ₂ ）ガスの加圧を制御することに
よって溶剤タンク４３内の溶剤Ａが基板Ｇ上に所定時間
中所定量の溶剤Ａの供給が可能となっている。

【００３４】レジスト液供給ノズル５０は、レジスト液
供給路であるレジスト液供給チューブ５１を介してレジ
スト液Ｂを収容するレジスト液タンク５２（処理液供給
源）に連通されている。このチューブ５１には、サック
バックバルブ５３、エアーオペレーションバルブ５４、
レジスト液Ｂ中の気泡を分離除去するための気泡除去機
構５５、フィルタ５６及びベローズポンプ５７が順次設
けられている。このベローズポンプ５７は、駆動部によ
り制御された状態で伸縮可能となっており、所定量のレ
ジスト液Ｂをレジスト液供給ノズル５０を介して基板Ｇ
の中心部に供給例えば滴下可能となっている。従来のレ
ジスト液Ｂの供給量より少量のレジスト液Ｂの供給量制
御を可能としている。この駆動部は、一端がベローズポ
ンプの一端に吸着されたねじと、このねじに螺合される
ナットとからなるボールねじ５８と、このナットを回転
させることによりねじを直線動させるステッピングモー
タ５９とにより構成されている。レジスト液供給ノズル
５０の口径は、具体的には、５００×６００ｍｍの基板
用の場合には、内径がφ０．５〜φ５ｍｍ、好ましくは
φ３ｍｍに設定されている。このように、ノズルの径を
基板の寸法に応じて設定することにより、なるべく少量
のレジスト液Ｂをなるべく長い時間をかけて供給できる
ようになっている。供給時間が短いと膜厚の均一性が良
くなく、また長すぎるとレジスト液が基板の周縁部まで
いかなくなる。ここでなるべく少量とは、上記ノズルの
口径そしてレジスト液供給圧力に依存する。

【００３５】上記のように構成されるレジスト液供給系
において、レジスト液の吐出時間はベローズポンプ５７
のステッピングモータ５９の駆動時間によって制御（制
御精度：±２ｍｓｅｃ）されるようになっている。ま
た、レジスト液の吐出量はベローズポンプ５７の駆動動
作、例えば駆動時間並びに駆動速度と、レジスト液供給
路を開閉するためのエアーオペレーションバルブ５４の
開閉動作（ＯＮ−ＯＦＦ動作）によって設定されるよう
になっている。上記ベローズポンプ５７の駆動時間の設
定及びエアーオペレーションバルブ５４のＯＮ−ＯＦＦ
動作は、予め設定されたプログラムに基いてコンピュー
タの作用で自動的に制御される。

【００３６】レジスト液Ｂの吐出時間の制御はレジスト
液供給ノズル５０に設けた可変オリフィス（図示せず）
の開閉動作によって行うことも可能である。また、ベロ
ーズポンプ５７を用いずにレジスト液タンク５２へのＮ
₂ ガスの加圧によってレジスト液Ｂの供給を行うことも
可能であり、この場合のレジスト液Ｂの吐出時間制御は
Ｎ₂ ガスの加圧量の調整によって行うことができる。

【００３７】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ５３は、レジスト液供給ノズル５０からの
レジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル５０先端内壁
部に表面張力によって残留しているレジスト液Ｂをレジ
スト液供給ノズル５０内に引き戻すためのバルブであ
り、これにより、残留レジスト液の固化を阻止するため
のものである。この場合、少量のレジスト液Ｂを吐出す
るレジスト液供給ノズル５０において、通常通りサック
バックバルブ５３の負圧作用によってレジスト液Ｂをレ
ジスト液供給ノズル５０内に引き戻すと、ノズル５０先
端付近の空気も一緒にノズル５０内に巻き込まれてしま
い、ノズル５０先端に付着したレジスト液Ｂの残滓がノ
ズル５０内に入り、ノズル５０の目詰まりを起こすばか
りか、乾燥したレジストがパーティクルとなり基板Ｇが
汚染されると共に、歩留まりの低下をきたすという虞れ
がある。

【００３８】この問題を解決するために、図７（ａ）に
示すように、レジスト液供給ノズル５０のノズル孔５０
ａに比較して、開口部近くの部分の肉厚５０ｂを厚くし
ている。すなわち、このノズル５０は、筒状の先端部
と、この筒状の先端部に続く、逆円錐台形部とを有す
る。代わって、図７（ｂ）に示すように、レジスト液供
給ノズル５０の筒状の先端部又は開口部に外フランジ５
０ｃを設けることにより、サックバックの際にノズル５
０先端付近の空気の巻き込みを防止することができる。
また、図７（ｃ）に示すように、レジスト液供給ノズル
５０の垂直に延びた円筒状の先端に横Ｓ字状に延びた細
径の屈曲部５０ｄを形成し、この屈曲部５０ｄの中央付
近までサックバックを行うことにより、同様にノズル先
端部の空気の巻き込みを防止することができる。

【００３９】上記温度調整機構６１（温度調整手段）
は、図８に示すように、溶剤供給チューブ４１及びレジ
スト供給チューブ５１の外周をそれぞれ包囲するように
設けられる温度調整液供給路６２と、この温度調整液供
給路６２の両側の端部に両端がそれぞれ接続された循環
路６３と、循環路６３のそれぞれに設けられた循環ポン
プ６４と、循環路６３の途中に接続された温度調整液Ｃ
（例えば恒温水）を一定温度に維持するサーモモジュー
ル６５とにより構成されている。このように構成された
温度調整機構６１により、溶剤供給チューブ４１内を流
れる溶剤Ａとレジスト供給チューブ５１内を流れるレジ
スト液Ｂを所定温度（例えば、約２３℃）に維持するこ
とができる。

【００４０】図８上では、溶剤供給ノズル４０と溶剤供
給チューブ４１とが、また、レジスト液供給ノズル５０
とレジスト液供給チューブ５１とが、それぞれ一体に形
成されているが、図９を参照して以下に詳述するよう
に、別体として形成することも好ましい。

【００４１】上記噴頭６０は例えばステンレス鋼あるい
はアルミニウム合金製部材にて形成されている。この噴
頭６０の上面には迂回通路６０ｂの一部をなすＵ字状の
孔がそれぞれ形成され、この孔の底部には噴頭６０の下
面まで延出した垂直貫通孔６０ｃが形成されている。各
貫通孔６０ｃは、下方に向かうに従って大径となる傾斜
中部６０ｄと、大径の下部６０ｅとを有し、この下部６
０ｅの内周面には雌ねじが形成されている。このような
構成の噴頭６０に、ノズル４０，５０を装着する場合に
は、貫通孔６０ｃ中に、円筒状のノズル４０，５０をそ
れぞれ上部並びに下部が延出するように貫挿し、ノズル
４０，５０が貫通可能な垂直貫通孔を有するほぼ円錐形
の合成樹脂でできたシール部材６６を傾斜中部６０ｄに
詰め、ノズル４０，５０が貫通可能な垂直貫通孔を有す
る取付けねじ部材６７をねじ付け下部５ｃ中に捩入する
ことにより、シール部材６６を中部６０ｄの傾斜内周面
に押圧させている。このようにして、ノズル４０，５０
は噴頭６０に液密に装着されている。この場合、中間部
５ｂの上面とシール部材６６との上面との間に図示のよ
うにＯリング６８を介在させることにより、迂回通路１
５とノズル４０，５０との間の水密維持を更に確実にす
ることができる。

【００４２】上記噴頭６０は、水平方向（Ｘ，Ｙ方向）
の回転及び垂直方向（Ｚ方向）に移動可能な移動アーム
７１の先端に装着されている。移動アーム７１は、図２
に示すように、ドレンカップ１４の外側方に配設され、
図示しないステッピングモータ等の駆動手段によって溶
剤供給ノズル４０及びレジスト液供給ノズル５０をそれ
ぞれ基板Ｇの中心部上方の作動位置とノズル待機部７２
上方の待機位置との間に選択的に移動されるようになっ
ている。すなわち、待機位置から溶剤供給ノズル４０が
基板Ｇの中心位置へ移動され、所定時間経過後、次にレ
ジスト液供給ノズル５０が基板Ｇの中心位置へ移動され
た後、両ノズル４０，５０は待機部７２へ移動されるよ
うになっている。上記噴頭６０すなわち溶剤供給ノズル
４０及びレジスト液供給ノズル５０の移動機構は必しも
上述の回転する移動アーム７１による必要はなく、例え
ばリニア式のスキャン機構を用いてもよい。

【００４３】次に、上記のように構成される塗布膜形成
装置によるレジスト膜の形成手順を、図１０のフローチ
ャートを参照して説明する。

【００４４】まず、回転カップ１２の蓋体１６及びドレ
ンカップ１４の固定蓋体１５を開放し、そして、基板Ｇ
を、図示しない搬送アームによって静止したスピンチャ
ック１０上に移動させ、基板Ｇを真空吸着によってスピ
ンチャック１０が保持し基板Ｇを支持する。次に、スピ
ンチャック１０の回転駆動により基板Ｇを処理時の定常
回転より低速に回転（回転数：例えば２００〜８００ｒ
ｐｍ，加速度：３００〜５００ｒｐｍ／ｓｅｃ）させる
と共に、回転カップ１２を同じ速度で回転させる。この
回転中に、移動機構７０の移動アーム７１が待機位置７
２から回転して基板Ｇの中心部上方に移動させられた噴
頭６０の溶剤供給ノズル４０から基板表面に処理液の溶
剤Ａとして例えばエチルセロソルブアセテート（ＥＣ
Ａ）を例えば２０秒（ｓｅｃ）間で例えば２６．７ｃｃ
供給例えば滴下する（ステップ［Ａ］）。また、基板Ｇ
を回転させずに静止した状態で溶剤Ａを滴下し、その後
回転してもよい。このようにして溶剤Ａを２０ｓｅｃ間
供給した後、スピンチャック１０及び回転カップ１２の
回転数を上記低速回転数による回転状態で溶剤Ａの供給
を停止する（ステツプ［Ｂ］）。このとき、溶剤Ａは基
板Ｇの全面に拡散され塗布される。

【００４５】次に、スピンチャック１０を、高速回転
（第１の回転数：５００から１５００ｒｐｍ程度の範囲
例えば１０００ｒｐｍ，加速度：３００〜６００ｒｐｍ
／ｓｅｃ）させると同時に、基板表面上の溶剤膜上の中
心部上方に移動されたレジスト液供給ノズル５０ａから
処理液例えばレジスト液Ｂを例えば５ｓｅｃ間供給例え
ば８ｃｃ滴下する（ステップ［Ｃ］）。このときの溶剤
Ａが乾燥する時期は、予め実験により求めることができ
る。例えば、基板Ｇの表面を目視し、光の干渉縞が見え
ている間は乾燥しておらず、乾燥したら干渉縞が見えな
くなるので、その時期を知ることができる。この場合５
ｓｅｃ間の供給時期には、上記したベローズポンプ５７
の駆動時間を制御でき、レジスト液の供給量を正確にか
つ微妙に制御できるように構成されている。このように
してレジスト液Ｂを５ｓｅｃ供給（滴下）した後、レジ
スト液Ｂの供給を停止すると同時に、スピンチャック１
０及び回転カップ１２の回転を停止する（ステップ
［Ｄ］）。この状態では、レジスト液Ｂは基板Ｇの角部
Ｇａを残した略同心円内に塗布される。このとき、レジ
スト液Ｂを基板Ｇの角部Ｇａを含む全域に供給すると、
レジスト液Ｂの無駄が生じるばかりでなく、レジスト液
Ｂのミストが飛散して回転カップ１２及び基板Ｇの裏面
に付着する虞れが生じるという問題がある。したがっ
て、レジスト液Ｂの量は、所定の膜厚で基板Ｇの全域に
供給される必要最小限の量に設定されることが望まし
い。

【００４６】次に、レジスト液Ｂの供給を停止し、レジ
スト液供給ノズル５０を待機位置に移動した後、ロボッ
トアーム２０によって固定蓋体１５及び蓋体１６をドレ
ンカップ１４及び回転カップ１２の上方開口部１２ａに
閉止し、回転カップ１２内に基板Ｇを封入する（ステッ
プ［Ｅ］）。

【００４７】このようにしてドレンカップ１４の開口部
を固定蓋体１５で閉止すると共に、回転カップ１２の開
口部１２ａを蓋体１６で閉止し密閉した状態で、スピン
チャック１０及び回転カップ１２を例えば１５ｓｅｃ
間、上記第１の回転数より高速に回転（第２の回転数：
１０００〜３０００ｒｐｍ程度の範囲例えば１４００ｒ
ｐｍ，加速度：５００ｒｐｍ／ｓｅｃ）させると、レジ
スト液Ｂは基板Ｇの全面に行き渡りレジスト膜の膜厚が
整えられる（ステップ［Ｆ］）。この時のレジスト液Ｂ
の吐出量と時間でレジスト膜の膜厚が決定する。なお、
この状態では溶剤Ａ及びレジスト膜は乾燥されていない
ウエットな状態である。

【００４８】また、上記膜厚形成工程中において、スピ
ンチャック１０及び回転カップ１２の回転に伴う負圧及
び排気口１４ｂ側で常時排気されることによって、空気
導入１６ｃから処理室１１内に空気が流れ、その空気が
整流板１３によって回転カップ１２の内側壁側に案内さ
れ、内側壁に沿って排気孔１２ｄから排出されるので、
処理室１１内に飛散されたレジスト液のミストは基板Ｇ
に再付着することなく、また回転カップ１２の開口部と
蓋体１６との当接部へのミストの付着を防止すべく外部
へ排出される。また、固定蓋体１５に設けられた空気供
給孔１５ａからドレンカップ１４内にも空気が流れ、そ
の空気は回転カップ１２の外側壁に沿って排気口１４ｂ
から排出されるので、回転カップ１２の処理室１１内か
ら排出されたミストの上方への舞い上がりを防止し、ド
レンカップ１４の内側壁へのミストの付着を防止するこ
とができる。

【００４９】塗布処理が終了した後、スピンチャック１
０及び回転カップ１２の回転を低速例えば５００ｒｐｍ
で回転して基板Ｇの姿勢を制御しながらスピンチャツク
１０を僅かに上昇させてＮ₂ガス供給ノズル３６を処理
室１１内に露呈させる（ステップ［Ｇ］，図６参照）。
そして、Ｎ₂ガス供給ノズル３６の小孔３６ｂから処理
室１１内に放射状にＮ₂ガスを噴射させて処理室１１内
をＮ₂ガスで置換すると共に、処理室１１内の負圧（減
圧）状態を解除する（ステップ［Ｈ］）。その後、スピ
ンチャック１０及び回転カップ１２の回転を停止した
後、ロボットアーム２０によって蓋体１６を待機位置に
移動させて、図示しない搬送アームによって基板Ｇを取
出して、塗布作業を完了する（ステップ［Ｉ］）。

【００５０】また、必要に応じて例えば定期的にあるい
は所定枚数の基板Ｇを塗布処理したとき、基板Ｇを搬出
した後、回転カップ１２の開口部１２ａを蓋体１６で閉
止し（ステップ［Ｊ］）、この状態で、スピンチャック
１０を上昇させて洗浄ノズル３５の各ノズル体３５ａ〜
３５ｃを処理室１１内に露呈させ（ステップ［Ｋ］）、
そして、回転カップ１２を回転させながら各ノズル体３
５ａ〜３５ｃから回転カップ１２の底部１２ｂ，側壁部
１２ｃ，蓋体１６の下面及び蓋体１６と回転カップ１２
の当接部に洗浄液を噴射して回転カップ１２を洗浄する
（ステップ［Ｌ］）。これにより、回転カップ１２の底
部１２ｂ，側壁部１２ｃ，蓋体１６の下面及び蓋体１６
と回転カップ１２の当接部に付着したレジスト液等を除
去することができるので、回転カップ１２の汚れによる
以後の処理の基板Ｇへの汚染を防止することができる。

【００５１】上記のように構成されるこの発明に係る塗
布膜形成装置はＬＣＤ基板Ｇのレジスト塗布装置として
単独で使用される他、後述するＬＣＤ基板Ｇのレジスト
塗布・現像処理システムに組み込んで使用することがで
きる。以下に、上記実施例の塗布膜形成装置を組み込ん
だレジスト塗布・現像処理システムの構造について説明
する。

【００５２】上記レジスト塗布・現像処理システムは、
図１１に示すように、基板Ｇを搬入・搬出するローダ部
９０と、基板Ｇの第１処理部９１と、中継部９３を介し
て第１処理部９１に連設される第２処理部９２とで主に
構成されている。なお、第２処理部９２には受渡し部９
４を介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光する
ための露光装置９５が連設可能になっている。

【００５３】上記ローダ部９０は、未処理の基板Ｇを収
容するカセット９６と、処理済みの基板Ｇを収容するカ
セット９７を載置するカセット載置台９８と、このカセ
ット載置台９８上のカセット９６，９７との間で基板Ｇ
の搬出入を行うべく水平（Ｘ，Ｙ）方向と垂直（Ｚ）方
向の移動及び回転（θ）可能な基板搬出入ピンセット９
９とで構成されている。

【００５４】上記第１処理部９１は、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の
移動及びθ回転可能なメインアーム８０の搬送路１０２
の一方の側に、基板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置
１２０と、基板Ｇを高圧ジェット水で洗浄するジェット
水洗浄装置１３０と、基板Ｇの表面を疎水化処理するア
ドヒージョン処理装置１０５と、基板Ｇを所定温度に冷
却する冷却処理装置１０６とを配置し、搬送路１０２の
他方の側に、この発明の塗布膜形成装置である塗布処理
装置１０７及び塗布膜除去装置１０８を配置してなる。

【００５５】一方、上記第２処理部９２は、第１処理部
９１と同様に、Ｘ，Ｙ、Ｚ方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム８０ａを有し、このメインアーム８０ａの
搬送路１０２ａの一方の側に、レジスト液塗布の前後で
基板Ｇを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加
熱処理装置１０９を配置し、搬送路１０２ａの他方の側
に、現像装置１１０を配置している。

【００５６】また、上記中継部９３は、基板Ｇを支持す
る支持ピン９３ａを立設する受渡し台９３ｂを有する箱
体９３ｃの底面にキャスタ９３ｄを具備した構造とする
ことにより、必要に応じてこの中継部９３を第１処理部
９１及び第２処理部９２から引出して、第１処理部９１
又は第２処理部９２内に作業員が入って補修や点検等を
容易に行うことができる。

【００５７】なお、上記受渡し部９４には、基板Ｇを一
時待機させるためのカセット１１１と、このカセット１
１１との間で基板Ｇの出入れを行う搬送用ピンセット１
１２と、基板Ｇの受渡し台１１３が設けられている。

【００５８】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット９６内に収容された未処理の
基板Ｇはローダ部９０の搬出入ピンセット９９によって
取出された後、第１処理部９１のメインアーム８０に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置１２０内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置１２０内にてブラシ洗浄された
基板Ｇは引続いてジェット水洗浄装置１３０内にて高圧
ジェット水により洗浄される。この後、基板Ｇは、アド
ヒージョン処理装置１０５にて疎水化処理が施され、冷
却処理装置１０６にて冷却された後、この発明に係る塗
布膜形成装置１０７にて、上述した手順によりフォトレ
ジストすなわち感光膜が塗布形成され、引続いて塗布膜
除去装置１０８によって基板Ｇの辺部の不要なレジスト
膜が除去される。したがって、この後、基板Ｇを搬出す
る際には縁部のレジスト膜は除去されているので、メイ
ンアーム８０にレジストが付着することもない。そし
て、このフォトレジストが加熱処理装置１０９にて加熱
されてベーキング処理が施された後、露光装置９５にて
所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板Ｇ
は現像装置１１０内へ搬送され、現像液により現像され
た後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完
了する。

【００５９】現像処理された処理済みの基板Ｇはローダ
部９０のカセット９７内に収容された後に、搬出されて
次の処理工程に向けて移送される。

【００６０】なお、上記実施例においては、溶剤供給ノ
ズル４０を噴頭６０にレジスト液供給ノズル５０と一体
的に備えた構成について説明したが、これに限定される
ものではなく、リンス液供給ノズルを有する噴頭と一体
的に設けて溶剤を供給してもよい。あるいは、例えばレ
ジスト液供給ノズル５０の外周にこれと同軸的に溶剤供
給ノズル４０を配置するなど適宜変更することができ
る。

【００６１】なお、上記実施例では、回転カップ１２の
蓋体１６をロボットアーム２０で移動させて開放し、溶
剤Ａの供給ノズル４０，レジスト液Ｂの供給ノズル５０
などを、移動機構７０で基板Ｇの中心部上方に移動し
て、溶剤Ａ，レジスト液Ｂを滴下する構成について説明
したが、回転カップ１２の開口部１２ａを蓋体１６で閉
止した状態で滴下するように構成してもよい。例えば、
図１２に示すように、蓋体１６の膨隆頭部１８部分を中
空状に形成し、また、この上端部を蓋１８Ａで閉止可能
に構成する。そして、蓋１８Ａを開け、移動機構７０に
より上記ノズルを膨隆頭部１８の中空上方すなわち基板
Ｇの中心部上方に移動させ、溶剤Ａ，レジスト液Ｂを滴
下するようにしてもよい。また、図１３に示すように、
膨隆頭部１８の内側にノズル取付部材１８Ｂをベアリン
グ１８Ｃなどにより、蓋体１６が回転可能に取付ける。
そして、回転カップ１２の開口部１２ａを蓋体１６で閉
止した状態で、ノズル取付部材１８Ｂに取着したノズル
４０，５０から溶剤Ａ，レジスト液Ｂを基板Ｇの中心部
に滴下するように構成してもよい。

【００６２】上記したように、蓋体１６で開口部１２ａ
を閉止した状態で溶剤Ａ，レジスト液Ｂを滴下すること
により、移動機構７０による移動式に比べて処理スルー
プットの短縮化、密閉状態下での溶剤Ａの滴下から塗布
処理終了までの処理プロセスを実現することが可能とな
る。例えば、溶剤Ａの供給後、レジスト液Ｂを供給しな
がら回転カップ１２を回転し、次にレジスト液Ｂの供給
を停止して、回転カップ１２を回転するというようなプ
ロセスも実現できる。

【００６３】上記実施例では、この発明に係る処理装置
をＬＣＤ基板のレジスト塗布装置に適用した場合につい
て説明したが、ＬＣＤ基板以外の半導体ウエハやＣＤ等
の被処理体の塗布膜形成装置にも適用でき、レジスト以
外のポリイミド系処理液（ＰＩＱ）やガラス剤を含有す
る処理液（ＳＯＧ）等にも適用できることは勿論であ
る。

【００６４】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、基板の一面上に処理液を供給し、回転させて、基板
の一面に拡散させ、そして、処理容器に蓋体を閉止し
て、基板を処理容器内に封入した後、蓋体が閉止された
処理容器及び基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整えた
後、処理容器内に不活性ガスを供給することにより、処
理容器内に飛散する処理液のミストを排除すると共に、
処理容器内の減圧を解除することができる。したがっ
て、処理中に発生する処理液のミストの基板及び処理容
器への付着を抑制することができ、基板の汚染防止及び
歩留まりの向上を図ることができる。また、処理容器内
に不活性ガスを供給することにより、処理容器内の減圧
を解除して蓋体の開放を容易にすることができるので、
スループットの向上を図ることができる。

【００６５】また、必要に応じて例えば定期的に蓋体を
閉止した状態で処理容器内に洗浄液を噴射することによ
り、処理容器の底面、側面、処理容器と蓋体の当接部及
び蓋体の下面に付着した処理液やパーティクル等を洗浄
除去することができるので、更に歩留まりの向上を図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係わる塗布膜の形成方法
を実施するための処理装置の概略図である。

【図２】図１に示す処理装置の概略平面図である。

【図３】処理装置の要部拡大断面図である。

【図４】この発明における処理容器と蓋体を示す一部断
面斜視図である。

【図５】この発明における不活性ガス供給ノズルの概略
斜視図である。

【図６】この発明における不活性ガス供給ノズル及び洗
浄ノズルの使用状態を示す断面図である。

【図７】この発明におけるレジスト液供給ノズルの先端
部のそれぞれ異なる変形例を示す断面図である。

【図８】処理装置に使用されている噴頭を拡大して示す
斜視図である。

【図９】噴頭の断面図である。

【図１０】処理装置を使用してレジスト膜を形成する工
程及びその後工程を説明するためのフローチャトであ
る。

【図１１】処理装置が適用されたレジスト塗布・現像シ
ステムの全体を概略的に示す斜視図である。

【図１２】処理液の滴下方法の他の一例を示す説明図で
ある。

【図１３】処理液の滴下方法の更に他の一例を示す構成
図である。

【符号の説明】

１０ スピンチャック（保持手段） １２ 回転カップ（処理容器） １６ 蓋体 ３４ 取付部材 ３５ 容器洗浄ノズル（容器洗浄手段） ３５ａ 下面洗浄ノズル体 ３５ｂ 側面洗浄ノズル体 ３５ｃ 蓋体洗浄ノズル体 ３６ Ｎ₂ガス供給ノズル（不活性ガス供給手段） ３６ａ 円環状本体 ３６ｂ 小孔 ４０ 溶剤供給ノズル（溶剤供給手段） ５０ レジスト液供給ノズル（処理液供給手段） ７０ 移動機構（溶剤・処理液供給手段の移動手段） Ｇ ＬＣＤ基板（基板） Ａ 溶剤 Ｂ レジスト液（処理液）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大森 伝 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の一面を上に向けて支持し、かつ、
   基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させると
   共に、垂直方向に移動可能な保持手段と、 上記基板を包囲するカップ状をなし、かつ、その底部側
   部に排気孔を有して保持手段と共に回転する処理容器
   と、 上記処理容器の開口部を閉止し、処理容器と共に回転す
   る蓋体と、 上記処理容器内に出没可能な不活性ガス供給手段と、 上記基板に塗布液を供給する塗布液供給手段と、を具備
   することを特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】 基板の一面を上に向けて支持し、かつ、
   基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させると
   共に、垂直方向に移動可能な保持手段と、 上記基板を包囲するカップ状をなし、かつ、その底部側
   部に排気孔を有して保持手段と共に回転する処理容器
   と、 上記処理容器の開口部を閉止し、処理容器と共に回転す
   る蓋体と、 上記処理容器内に出没可能な不活性ガス供給手段と、 上記処理容器内に出没可能な容器洗浄手段と、 上記基板に塗布液を供給する塗布液供給手段と、を具備
   することを特徴とする処理装置。
3. 【請求項３】 不活性ガス供給手段と容器洗浄手段と
   を、保持手段に垂直方向のみ連動可能な取付部材に取付
   けたことを特徴とする請求項１又は２記載の処理装置。
4. 【請求項４】 不活性ガス供給手段を、中空円環状本体
   の外周面に適宜間隔をおいて多数の小孔を設けた環状ノ
   ズルにて形成したことを特徴とする請求項１又は２記載
   の処理装置。
5. 【請求項５】 容器洗浄手段を、処理容器の底面に向っ
   て洗浄液を噴射する底面洗浄ノズル体と、処理容器の内
   側面に向って洗浄液を噴射する側面洗浄ノズル体と、処
   理容器と蓋体の当接部及び蓋体の下面に向って洗浄液を
   噴射する蓋体洗浄ノズル体とで構成したことを特徴とす
   る請求項２記載の処理装置。
6. 【請求項６】 処理容器内に収容される基板を、処理容
   器と共に回転させると共に、基板一面上に処理液を供給
   して、塗布膜を形成する方法において、 上記基板に、処理液を供給し、回転させて、基板の一面
   に拡散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
   入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を回転させて、
   塗布膜の膜厚を整える工程と、 回転が停止された上記処理容器内に不活性ガスを供給す
   る工程と、を有することを特徴とする処理方法。
7. 【請求項７】 処理容器内に収容される基板を、処理容
   器と共に回転させると共に、基板一面上に処理液を供給
   して、塗布膜を形成する方法において、 上記基板に、処理液を供給し、回転させて、基板の一面
   に拡散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
   入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を回転させて、
   塗布膜の膜厚を整える工程と、 回転が停止された上記処理容器内に不活性ガスを供給す
   る工程と、 上記蓋体を開放し、上記処理容器から基板を搬出する工
   程と、 必要に応じて上記処理容器に蓋体を閉止した状態で、処
   理容器の底面、内側面かつ処理容器と蓋体の当接部及び
   蓋体の下面に洗浄液を噴射する工程と、を有することを
   特徴とする処理方法。
8. 【請求項８】 不活性ガスを中心側から放射状に供給す
   ることを特徴とする請求項６又は７記載の処理方法。