JPH06104353A - 放熱板付樹脂封止半導体装置 - Google Patents
放熱板付樹脂封止半導体装置Info
- Publication number
- JPH06104353A JPH06104353A JP24936592A JP24936592A JPH06104353A JP H06104353 A JPH06104353 A JP H06104353A JP 24936592 A JP24936592 A JP 24936592A JP 24936592 A JP24936592 A JP 24936592A JP H06104353 A JPH06104353 A JP H06104353A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- heat sink
- sealing resin
- section
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】放熱性の向上が可能であるにもかかわらず封止
樹脂部へのストレスを低減可能な放熱板付樹脂封止半導
体装置を提供する。 【作用及び発明の効果】封止樹脂部1は半導体素子2を
含む電子回路を封止し、保護するとともに、リード端子
40を固定する。封止樹脂部1の表面に被着された金属
薄板からなる放熱板5は装置の伝熱特性を向上する。特
に本発明では、放熱板5を例えばコ字状に一体成形し
て、封止樹脂部1の上下面及び少なくとも一側面に被着
する。このように構成すると、放熱性を向上することが
でき、金属平板を曲げ加工するだけであり、封止樹脂部
の両主面間のストレス差により封止樹脂部内の電子回路
部品に加えられる曲げ力などが低減され、作業性が向上
する。
樹脂部へのストレスを低減可能な放熱板付樹脂封止半導
体装置を提供する。 【作用及び発明の効果】封止樹脂部1は半導体素子2を
含む電子回路を封止し、保護するとともに、リード端子
40を固定する。封止樹脂部1の表面に被着された金属
薄板からなる放熱板5は装置の伝熱特性を向上する。特
に本発明では、放熱板5を例えばコ字状に一体成形し
て、封止樹脂部1の上下面及び少なくとも一側面に被着
する。このように構成すると、放熱性を向上することが
でき、金属平板を曲げ加工するだけであり、封止樹脂部
の両主面間のストレス差により封止樹脂部内の電子回路
部品に加えられる曲げ力などが低減され、作業性が向上
する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱板付樹脂封止半導
体装置に関する。
体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】特開平2−58243号公報は、ICが
実装された樹脂基板を封止樹脂部により樹脂モールドす
るとともに、封止樹脂部の一面にインサート成形により
放熱板を被着した放熱板付樹脂封止半導体装置を開示し
ている。
実装された樹脂基板を封止樹脂部により樹脂モールドす
るとともに、封止樹脂部の一面にインサート成形により
放熱板を被着した放熱板付樹脂封止半導体装置を開示し
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】例えば上記した従来の
放熱板付樹脂封止半導体装置(以下、単に装置ともい
う)において、ICなどの実装回路部品に入力できる最
大電力はその発生熱量に比例する。近時、装置の大電力
化又は大集積化が要望されているが、それは発生熱量の
増大を招くので装置の放熱抵抗により制限される。上記
した公報の放熱板は簡単な構成を有し、また材料費用及
び工程増加費用の点で負担は軽いものの、放熱抵抗低減
効果は充分とはいえなかった。
放熱板付樹脂封止半導体装置(以下、単に装置ともい
う)において、ICなどの実装回路部品に入力できる最
大電力はその発生熱量に比例する。近時、装置の大電力
化又は大集積化が要望されているが、それは発生熱量の
増大を招くので装置の放熱抵抗により制限される。上記
した公報の放熱板は簡単な構成を有し、また材料費用及
び工程増加費用の点で負担は軽いものの、放熱抵抗低減
効果は充分とはいえなかった。
【0004】また、封止樹脂部の一面に放熱板を張りつ
けているため、放熱板と封止樹脂部との熱膨張率の差に
より、温度の上昇、下降につれて放熱板側の封止樹脂部
にストレスが加わり、封止樹脂部に密着するICチップ
や抵抗器などの特性が変動(例えば抵抗値の変動)する
などの問題が生じた。本発明は、以上の問題点に鑑みな
されたものであり、放熱性の向上が可能であるにもかか
わらず封止樹脂部へのストレスを低減可能な放熱板付樹
脂封止半導体装置を提供することを、その目的としてい
る。
けているため、放熱板と封止樹脂部との熱膨張率の差に
より、温度の上昇、下降につれて放熱板側の封止樹脂部
にストレスが加わり、封止樹脂部に密着するICチップ
や抵抗器などの特性が変動(例えば抵抗値の変動)する
などの問題が生じた。本発明は、以上の問題点に鑑みな
されたものであり、放熱性の向上が可能であるにもかか
わらず封止樹脂部へのストレスを低減可能な放熱板付樹
脂封止半導体装置を提供することを、その目的としてい
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の放熱板付樹脂封
止半導体装置は、半導体素子を含む電子回路が封入され
る封止樹脂部と、内端が前記電子回路の所定部位に接続
され外端が前記封止樹脂部の側面から外部に突出するリ
ード端子と、金属薄板からなり前記封止樹脂部の表面に
被着される放熱板とを備える放熱板付樹脂封止半導体装
置において、前記放熱板は、一体成形され、前記封止樹
脂部の上下面及び少なくとも一側面に被着されているこ
とを特徴としている。
止半導体装置は、半導体素子を含む電子回路が封入され
る封止樹脂部と、内端が前記電子回路の所定部位に接続
され外端が前記封止樹脂部の側面から外部に突出するリ
ード端子と、金属薄板からなり前記封止樹脂部の表面に
被着される放熱板とを備える放熱板付樹脂封止半導体装
置において、前記放熱板は、一体成形され、前記封止樹
脂部の上下面及び少なくとも一側面に被着されているこ
とを特徴としている。
【0006】
【作用及び発明の効果】封止樹脂部は半導体素子を含む
電子回路を封止し、保護するとともに、リード端子を固
定する。封止樹脂部の表面に被着された金属薄板からな
る放熱板は装置の伝熱特性を低減する。特に本発明で
は、放熱板を例えばコ字状に一体成形して、封止樹脂部
の上下面及び少なくとも一側面に被着する。このように
構成した本発明の装置は、以下の効果を一挙に奏するこ
とができるという優れた利点を有する。。
電子回路を封止し、保護するとともに、リード端子を固
定する。封止樹脂部の表面に被着された金属薄板からな
る放熱板は装置の伝熱特性を低減する。特に本発明で
は、放熱板を例えばコ字状に一体成形して、封止樹脂部
の上下面及び少なくとも一側面に被着する。このように
構成した本発明の装置は、以下の効果を一挙に奏するこ
とができるという優れた利点を有する。。
【0007】(a)放熱性を向上することができ、その
結果として、装置の大電力化、高集積化、長寿命化など
を実現できる。 (b)金属平板を曲げ加工するだけであり、従来の平板
状放熱板に代替しても作業、工程の増加は殆ど無視する
ことができる。 (c)封止樹脂部の両主面に放熱板を被着することがで
きるので、放熱板と封止樹脂部との熱膨張率の差により
封止樹脂部に加えられるストレスは、封止樹脂部の両主
面側でほぼ等しくなる。そのために、封止樹脂部の両主
面間のストレス差により封止樹脂部内の電子回路部品に
加えられる曲げ力などが低減され、封止樹脂部内の電子
回路の特性変動を低減し、信頼性を向上することができ
る。
結果として、装置の大電力化、高集積化、長寿命化など
を実現できる。 (b)金属平板を曲げ加工するだけであり、従来の平板
状放熱板に代替しても作業、工程の増加は殆ど無視する
ことができる。 (c)封止樹脂部の両主面に放熱板を被着することがで
きるので、放熱板と封止樹脂部との熱膨張率の差により
封止樹脂部に加えられるストレスは、封止樹脂部の両主
面側でほぼ等しくなる。そのために、封止樹脂部の両主
面間のストレス差により封止樹脂部内の電子回路部品に
加えられる曲げ力などが低減され、封止樹脂部内の電子
回路の特性変動を低減し、信頼性を向上することができ
る。
【0008】(d)製造において、例えば封止樹脂部の
両側に別個の2枚の放熱板を被着する場合に比べて、金
型内にインサートされた放熱板の姿勢保持が簡単とな
り、かつ、封止樹脂部形成後において、封止樹脂部と金
型との接触面積が減少するので、装置を金型から取り出
しやすくなり、作業性が向上する。
両側に別個の2枚の放熱板を被着する場合に比べて、金
型内にインサートされた放熱板の姿勢保持が簡単とな
り、かつ、封止樹脂部形成後において、封止樹脂部と金
型との接触面積が減少するので、装置を金型から取り出
しやすくなり、作業性が向上する。
【0009】
(実施例1)本発明の放熱板付樹脂封止半導体装置の一
実施例を図1〜図3に示す。なお、図1は回路部品実装
済みのリードフレームを示す平面図、図2は本実施例の
特徴をなす放熱板の側面図、図3は封止樹脂部モールド
済の装置の断面図を示す。
実施例を図1〜図3に示す。なお、図1は回路部品実装
済みのリードフレームを示す平面図、図2は本実施例の
特徴をなす放熱板の側面図、図3は封止樹脂部モールド
済の装置の断面図を示す。
【0010】この放熱板付樹脂封止半導体装置はハイブ
リッドICであって、図3に示すように、偏平直方体形
状の封止樹脂部1の内部にはパワートランジスタ2及び
厚膜基板又はプリント基板3が封止されており、封止樹
脂部1の側面11から複数のリード(リード端子)40
が突出している。また、封止樹脂部の上下面12、13
と、側面14にコ字状の放熱板5が被着されており、パ
ワートランジスタ2及び厚膜基板3の各ターミナル、及
びこれらとリードとは図示しないワイヤ6(図4参照)
により接続されている。なお図1ではワイヤの図示は省
略している。
リッドICであって、図3に示すように、偏平直方体形
状の封止樹脂部1の内部にはパワートランジスタ2及び
厚膜基板又はプリント基板3が封止されており、封止樹
脂部1の側面11から複数のリード(リード端子)40
が突出している。また、封止樹脂部の上下面12、13
と、側面14にコ字状の放熱板5が被着されており、パ
ワートランジスタ2及び厚膜基板3の各ターミナル、及
びこれらとリードとは図示しないワイヤ6(図4参照)
により接続されている。なお図1ではワイヤの図示は省
略している。
【0011】パワートランジスタ2ははんだにより、厚
膜基板3はシリコン系の接着剤によりリードフレーム4
の長方形のアイランド部41上に接着されており、厚膜
基板3上には図示しない集積回路(IC)や受動回路素
子が実装されている。リードフレーム4は薄銅板を打ち
抜き、ニッケルめっきして形成され、図1に示すよう
に、各リード40及びアイランド部41をタイバー42
で接続して一列に配設したものである。
膜基板3はシリコン系の接着剤によりリードフレーム4
の長方形のアイランド部41上に接着されており、厚膜
基板3上には図示しない集積回路(IC)や受動回路素
子が実装されている。リードフレーム4は薄銅板を打ち
抜き、ニッケルめっきして形成され、図1に示すよう
に、各リード40及びアイランド部41をタイバー42
で接続して一列に配設したものである。
【0012】以下、この装置の樹脂モールド工程の一例
を図4及び図5に基づいて説明する。なお、図4は側面
図、図5は背面図(リード40側を正面とする)を示
す。この例では、リードフレーム4は下型7の上に載置
されており、コ字状の放熱板5は図4の右方向から左方
向へ下型7の上をスライドして所定のキャビティ位置に
挿入される。リードフレーム4を図5の右方向から左方
向へ1ピッチ送り、放熱板5を挿入した後、上型8を降
下させてキャビティSを密閉し、上型8に貫孔された注
入ゲートから液状樹脂を注入し、冷却固化後、タイバー
42を切断して、この装置を取り出す。
を図4及び図5に基づいて説明する。なお、図4は側面
図、図5は背面図(リード40側を正面とする)を示
す。この例では、リードフレーム4は下型7の上に載置
されており、コ字状の放熱板5は図4の右方向から左方
向へ下型7の上をスライドして所定のキャビティ位置に
挿入される。リードフレーム4を図5の右方向から左方
向へ1ピッチ送り、放熱板5を挿入した後、上型8を降
下させてキャビティSを密閉し、上型8に貫孔された注
入ゲートから液状樹脂を注入し、冷却固化後、タイバー
42を切断して、この装置を取り出す。
【0013】次に上記のように作製した本実施例の装置
Cと、リード側の一主面にだけ放熱板を被着した従来の
放熱板付樹脂封止半導体装置Bと、放熱板無しの樹脂封
止半導体装置Aとの放熱性能を比較した。ただし、封止
樹脂部1の寸法は、33×19×7.5mmであり、放
熱板5の厚さは1.5mmである。
Cと、リード側の一主面にだけ放熱板を被着した従来の
放熱板付樹脂封止半導体装置Bと、放熱板無しの樹脂封
止半導体装置Aとの放熱性能を比較した。ただし、封止
樹脂部1の寸法は、33×19×7.5mmであり、放
熱板5の厚さは1.5mmである。
【0014】Aの熱抵抗は約40Θj−a(℃/w)で
あり、Bの熱抵抗は約25Θj−a(℃/w)であり、
Cの熱抵抗は約17Θj−a(℃/w)であった。この
結果は、放熱板面積が2倍となると熱抵抗は約0.7倍
となるという経験則によく一致した。以上説明した実施
例の他の変形態様を図6に示す。
あり、Bの熱抵抗は約25Θj−a(℃/w)であり、
Cの熱抵抗は約17Θj−a(℃/w)であった。この
結果は、放熱板面積が2倍となると熱抵抗は約0.7倍
となるという経験則によく一致した。以上説明した実施
例の他の変形態様を図6に示す。
【0015】この態様は、図2などに示すコ字状の放熱
板5をDIP式の樹脂封止半導体装置に被着したもので
あり、放熱板5は図6に示すa方向から挿入される。リ
ード40は、回路基板の一端にかしめてもよい。多数の
放熱板5をタイバーなどによりリードフレーム4と同様
に一列に連結し、樹脂モールド後、タイバーを切断して
もよい。
板5をDIP式の樹脂封止半導体装置に被着したもので
あり、放熱板5は図6に示すa方向から挿入される。リ
ード40は、回路基板の一端にかしめてもよい。多数の
放熱板5をタイバーなどによりリードフレーム4と同様
に一列に連結し、樹脂モールド後、タイバーを切断して
もよい。
【0016】金型構造はまったく自由であり、3個以上
の割り型を用いてもよい。放熱板5は少なくとも封止樹
脂部1の3面に被着されるがさらに他の面に被着されて
もよい。
の割り型を用いてもよい。放熱板5は少なくとも封止樹
脂部1の3面に被着されるがさらに他の面に被着されて
もよい。
【図1】実施例1のリードフレームを示す平面図、
【図2】実施例1の放熱板を示す背面図、
【図3】実施例1の装置の断面側面図、
【図4】樹脂モールド工程を示す側面図、
【図5】樹脂モールド工程を示す背面図、
【図6】変形態様のリードフレームを示す平面図。
1は封止樹脂部、2はパワートランジスタ(半導体素
子)、3は厚膜基板(電子回路)、4はリードフレー
ム、5は放熱板、40はリード(リード端子)。
子)、3は厚膜基板(電子回路)、4はリードフレー
ム、5は放熱板、40はリード(リード端子)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 広瀬 伸一 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】半導体素子を含む電子回路が封入される封
止樹脂部と、内端が前記電子回路の所定部位に接続され
外端が前記封止樹脂部の側面から外部に突出するリード
端子と、金属薄板からなり前記封止樹脂部の表面に被着
される放熱板とを備える放熱板付樹脂封止半導体装置に
おいて、 前記放熱板は、一体成形され、前記封止樹脂部の上下面
及び少なくとも一側面に被着されていることを特徴とす
る放熱板付樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24936592A JP3284604B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 放熱板付樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24936592A JP3284604B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 放熱板付樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06104353A true JPH06104353A (ja) | 1994-04-15 |
JP3284604B2 JP3284604B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=17191945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24936592A Expired - Fee Related JP3284604B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 放熱板付樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3284604B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7145254B2 (en) * | 2001-07-26 | 2006-12-05 | Denso Corporation | Transfer-molded power device and method for manufacturing transfer-molded power device |
US7692291B2 (en) * | 2001-04-30 | 2010-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit board having a heating means and a hermetically sealed multi-chip package |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24936592A patent/JP3284604B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7692291B2 (en) * | 2001-04-30 | 2010-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit board having a heating means and a hermetically sealed multi-chip package |
US7145254B2 (en) * | 2001-07-26 | 2006-12-05 | Denso Corporation | Transfer-molded power device and method for manufacturing transfer-molded power device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3284604B2 (ja) | 2002-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6330158B1 (en) | Semiconductor package having heat sinks and method of fabrication | |
EP1394826B1 (en) | Micro-relay and method for manufacturing the same | |
US6566164B1 (en) | Exposed copper strap in a semiconductor package | |
US5703398A (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of producing the semiconductor integrated circuit device | |
US5541446A (en) | Integrated circuit package with improved heat dissipation | |
JP4899481B2 (ja) | 外部に露出する放熱体を上部に有する樹脂封止型半導体装置の製法 | |
JP7546034B2 (ja) | 半導体装置 | |
US5299091A (en) | Packaged semiconductor device having heat dissipation/electrical connection bumps and method of manufacturing same | |
US5532905A (en) | Thermally enhanced leadframe for packages that utilize a large number of leads | |
US5395800A (en) | Method for assembling semiconductor devices with lead frame containing common lead arrangement | |
US20050110127A1 (en) | Semiconductor device | |
US5519576A (en) | Thermally enhanced leadframe | |
US6117709A (en) | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US20020100963A1 (en) | Semiconductor package and semiconductor device | |
CN114649271A (zh) | 半导体封装件及形成半导体封装件的方法 | |
JP2770947B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
US8053285B2 (en) | Thermally enhanced single inline package (SIP) | |
US10840172B2 (en) | Leadframe, semiconductor package including a leadframe and method for forming a semiconductor package | |
JPH06104353A (ja) | 放熱板付樹脂封止半導体装置 | |
CA2017080C (en) | Semiconductor device package structure | |
JP3169753B2 (ja) | 樹脂封止パッケージおよび電子回路装置 | |
US7453146B2 (en) | High power MCM package with improved planarity and heat dissipation | |
JPS6329413B2 (ja) | ||
JPH03238852A (ja) | モールド型半導体集積回路 | |
JPS6217382B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |