JPH0574817B2 - - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 180
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 113
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 113
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 60
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 54
- -1 oxadiazole compound Chemical class 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 35
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 28
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- 125000001340 2-chloroethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 claims description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 226
- 239000000463 material Substances 0.000 description 74
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 58
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 37
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 36
- 235000019241 carbon black Nutrition 0.000 description 36
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 32
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 27
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 24
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 24
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 21
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 20
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 19
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 16
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 14
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 11
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical class C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 7
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 6
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 6
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- ABMKWMASVFVTMD-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2-(2-methylphenyl)benzene Chemical group CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C ABMKWMASVFVTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- XXWVEJFXXLLAIB-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(diethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n-diethyl-3-methylaniline Chemical compound CC1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(CC)CC)C)C1=CC=CC=C1 XXWVEJFXXLLAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 4
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N n-[(e)-benzylideneamino]aniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N\N=C\C1=CC=CC=C1 JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- YOBOXHGSEJBUPB-MTOQALJVSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;zirconium Chemical compound [Zr].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O YOBOXHGSEJBUPB-MTOQALJVSA-N 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- 241001561902 Chaetodon citrinellus Species 0.000 description 3
- 229920004011 Macrolon® Polymers 0.000 description 3
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 3
- YXCHNLNHMVVEHB-UHFFFAOYSA-N [Cl].[As].[Se] Chemical compound [Cl].[As].[Se] YXCHNLNHMVVEHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N [hydroxy(octoxy)phosphoryl] octyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OP(O)(=O)OCCCCCCCC UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000006163 transport media Substances 0.000 description 3
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005287 vanadyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trichloroethane Chemical compound ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTMQZVLXCLQPCT-UHFFFAOYSA-N 1,1,6-trimethyltetralin Chemical compound C1CCC(C)(C)C=2C1=CC(C)=CC=2 LTMQZVLXCLQPCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYGLETVERPVXOS-UHFFFAOYSA-N 1-bromopyrene Chemical compound C1=C2C(Br)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 HYGLETVERPVXOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPMHMYHJGDAHKX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpyrene Chemical compound C1=C2C(C=C)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 WPMHMYHJGDAHKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHQGURIJMFPBKS-UHFFFAOYSA-N 2,4,7-trinitrofluoren-9-one Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=C2C3=CC=C([N+](=O)[O-])C=C3C(=O)C2=C1 VHQGURIJMFPBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCDMJFOHIXMBOV-UHFFFAOYSA-N 3-(2,6-difluoro-3,5-dimethoxyphenyl)-1-ethyl-8-(morpholin-4-ylmethyl)-4,7-dihydropyrrolo[4,5]pyrido[1,2-d]pyrimidin-2-one Chemical compound C=1C2=C3N(CC)C(=O)N(C=4C(=C(OC)C=C(OC)C=4F)F)CC3=CN=C2NC=1CN1CCOCC1 HCDMJFOHIXMBOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 4-[(diphenylhydrazinylidene)methyl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZGVMZRBRRYLIP-UHFFFAOYSA-N 4-[5-[4-(diethylamino)phenyl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)N(CC)CC)O1 UZGVMZRBRRYLIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene Chemical compound C1=CC=C2OC2=C1 OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGOYZCQQQFAGRI-UHFFFAOYSA-N 9-ethenylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 OGOYZCQQQFAGRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRSYZHFYNDZXMU-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(N)=CC=C3NC2=C1 LRSYZHFYNDZXMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 2
- 229940051880 analgesics and antipyretics pyrazolones Drugs 0.000 description 2
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- XHWQYYPUYFYELO-UHFFFAOYSA-N ditridecyl phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP([O-])OCCCCCCCCCCCCC XHWQYYPUYFYELO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 2
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007763 reverse roll coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N titanium ethoxide Chemical compound [Ti+4].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYSXWUYLAWPLES-MTOQALJVSA-N (Z)-4-hydroxypent-3-en-2-one titanium Chemical compound [Ti].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O RYSXWUYLAWPLES-MTOQALJVSA-N 0.000 description 1
- DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N (e)-4-(6-aminopurin-9-yl)but-2-en-1-ol Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2C\C=C\CO DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- OVSGBKZKXUMMHS-VGKOASNMSA-L (z)-4-oxopent-2-en-2-olate;propan-2-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O OVSGBKZKXUMMHS-VGKOASNMSA-L 0.000 description 1
- QXFDFUYAWBJUQJ-UHFFFAOYSA-N 1-hexan-2-yl-9H-carbazole Chemical compound CCCCC(C)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12 QXFDFUYAWBJUQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEFAQJJPFPNXIG-UHFFFAOYSA-N 1-nitro-9h-fluorene Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C2=C1C([N+](=O)[O-])=CC=C2 BEFAQJJPFPNXIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDOFQFKRPWOURC-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid Chemical compound CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O XDOFQFKRPWOURC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFAPSLLQSSHRSQ-UHFFFAOYSA-N 1H-triazine-2,4-diamine Chemical class NN1NC=CC(N)=N1 OFAPSLLQSSHRSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKOHCQAVIJDYAF-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O KKOHCQAVIJDYAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTXWGMUMDPYXNN-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-] KTXWGMUMDPYXNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 2-hydroxypropanoate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNXWZWDKCBKRKK-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-[4-[4-(n-(2-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=CC=C1 QNXWZWDKCBKRKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLMZHOIDXMRYMJ-UHFFFAOYSA-J 2-methylphenolate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC1=CC=CC=C1[O-].CC1=CC=CC=C1[O-].CC1=CC=CC=C1[O-].CC1=CC=CC=C1[O-] RLMZHOIDXMRYMJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- YTOQRQCHVNXEFB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)CO YTOQRQCHVNXEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEPWMMZGWMVZOH-UHFFFAOYSA-N 2-n-trimethoxysilylpropane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)NC(C)CN MEPWMMZGWMVZOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 3,3',5,5'-tetrabromobisphenol A Chemical compound C=1C(Br)=C(O)C(Br)=CC=1C(C)(C)C1=CC(Br)=C(O)C(Br)=C1 VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HILYGPZEXFJYJQ-UHFFFAOYSA-N 3-chloro-n-[4-[4-(n-(3-chlorophenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound ClC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(Cl)C=CC=2)=C1 HILYGPZEXFJYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEPXSNUBSPTESK-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-n-[4-[4-(n-(3-ethylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CCC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(CC)C=CC=2)=C1 XEPXSNUBSPTESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(3-methylanilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNWPLOWYHIDMEB-UHFFFAOYSA-N 4-(dibutylamino)benzaldehyde Chemical compound CCCCN(CCCC)C1=CC=C(C=O)C=C1 VNWPLOWYHIDMEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPSLOHMBERQXIX-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylamino)-2-ethoxybenzaldehyde Chemical compound CCOC1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=O XPSLOHMBERQXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCZRCYBAYWJVGD-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylamino)-2-methylbenzaldehyde Chemical compound CCN(CC)C1=CC=C(C=O)C(C)=C1 KCZRCYBAYWJVGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNFZZNNFORDXSV-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylamino)benzaldehyde Chemical compound CCN(CC)C1=CC=C(C=O)C=C1 MNFZZNNFORDXSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGNGWHSBYQYVRX-UHFFFAOYSA-N 4-(dimethylamino)benzaldehyde Chemical compound CN(C)C1=CC=C(C=O)C=C1 BGNGWHSBYQYVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAYAMEKFIBYRJW-UHFFFAOYSA-N 4-(fluoren-9-ylidenemethyl)-n,n-dimethylaniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=C1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 GAYAMEKFIBYRJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLSLBUSXWBJMEC-UHFFFAOYSA-N 4-Propylphenol Chemical compound CCCC1=CC=C(O)C=C1 KLSLBUSXWBJMEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDMWUCCYWYMDBD-UHFFFAOYSA-N 4-[(diphenylhydrazinylidene)methyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C=NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IDMWUCCYWYMDBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQMFOUHFQAPSST-UHFFFAOYSA-N 4-[(diphenylhydrazinylidene)methyl]-n,n-dipropylaniline Chemical compound C1=CC(N(CCC)CCC)=CC=C1C=NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WQMFOUHFQAPSST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXHRFHBFKPROCC-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[5-[2-[4-(diethylamino)phenyl]ethenyl]-2-phenyl-1,3-dihydropyrazol-3-yl]ethenyl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=CC1N(C=2C=CC=CC=2)NC(C=CC=2C=CC(=CC=2)N(CC)CC)=C1 GXHRFHBFKPROCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJPYLFDAOCWBAZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[5-[2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-2-phenyl-1,3-dihydropyrazol-3-yl]ethenyl]-n,n-dimethylaniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1N(C=2C=CC=CC=2)NC(C=CC=2C=CC(=CC=2)N(C)C)=C1 MJPYLFDAOCWBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKWQXYUFOBOBCG-UHFFFAOYSA-J 4-aminobenzenesulfonate titanium(4+) Chemical compound NC1=CC=C(C=C1)S(=O)(=O)[O-].[Ti+4].NC1=CC=C(C=C1)S(=O)(=O)[O-].NC1=CC=C(C=C1)S(=O)(=O)[O-].NC1=CC=C(C=C1)S(=O)(=O)[O-] RKWQXYUFOBOBCG-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- GBIDVAHDYHDYFG-UHFFFAOYSA-J 4-aminobenzoate titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].Nc1ccc(cc1)C([O-])=O.Nc1ccc(cc1)C([O-])=O.Nc1ccc(cc1)C([O-])=O.Nc1ccc(cc1)C([O-])=O GBIDVAHDYHDYFG-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- SRRPHAPPCGRQKB-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid;16-methylheptadecanoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1.NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O SRRPHAPPCGRQKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYPAGHMQEIUKAO-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-n-[4-[4-(n-(4-butylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(CCCC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(CCCC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 GYPAGHMQEIUKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDEBRDFIUSEHJN-UHFFFAOYSA-N 4-ethyl-n-[4-[4-(n-(4-ethylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(CC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(CC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZDEBRDFIUSEHJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNZWWPCQEYRCMU-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 UNZWWPCQEYRCMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDRKFWRRXJDOA-UHFFFAOYSA-N 4-nitrobenzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C3=C2C1=CC=C3[N+](=O)[O-] WVDRKFWRRXJDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVFZLTNGWXSSLU-UHFFFAOYSA-N 9-[(2,4-dimethoxyphenyl)methylidene]fluorene Chemical compound COC1=CC(OC)=CC=C1C=C1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 GVFZLTNGWXSSLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKNOIHZBUJIRRY-UHFFFAOYSA-N 9-[(4-methoxyphenyl)methylidene]fluorene Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C=C1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 NKNOIHZBUJIRRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRBNIPUYAMAOGV-UHFFFAOYSA-N 9-benzylidene-2-nitrofluorene Chemical compound C12=CC([N+](=O)[O-])=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=CC1=CC=CC=C1 XRBNIPUYAMAOGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- TUEMQOXKNSNQOD-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)(O)O.C(CCCCC)(O)O.C(C)(C)O[Ti]OC(C)C Chemical compound C(CCCCC)(O)O.C(CCCCC)(O)O.C(C)(C)O[Ti]OC(C)C TUEMQOXKNSNQOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTAXRQCEXVDFES-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCC)(O)O.C(CCCCCCC)(O)O.C(C)(C)O[Ti]OC(C)C Chemical compound C(CCCCCCC)(O)O.C(CCCCCCC)(O)O.C(C)(C)O[Ti]OC(C)C CTAXRQCEXVDFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPAGIJMPHSUYSE-UHFFFAOYSA-N Magnesium peroxide Chemical compound [Mg+2].[O-][O-] SPAGIJMPHSUYSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100386054 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CYS3 gene Proteins 0.000 description 1
- 244000292604 Salvia columbariae Species 0.000 description 1
- 235000012377 Salvia columbariae var. columbariae Nutrition 0.000 description 1
- 235000001498 Salvia hispanica Nutrition 0.000 description 1
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 description 1
- 150000004753 Schiff bases Chemical class 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- MRQIXHXHHPWVIL-ISLYRVAYSA-N Sudan I Chemical compound OC1=CC=C2C=CC=CC2=C1\N=N\C1=CC=CC=C1 MRQIXHXHHPWVIL-ISLYRVAYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KYPYTERUKNKOLP-UHFFFAOYSA-N Tetrachlorobisphenol A Chemical compound C=1C(Cl)=C(O)C(Cl)=CC=1C(C)(C)C1=CC(Cl)=C(O)C(Cl)=C1 KYPYTERUKNKOLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001986 Vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer Polymers 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQRYRVCUJXRYIF-UHFFFAOYSA-N [Se].[Sb].[As] Chemical compound [Se].[Sb].[As] YQRYRVCUJXRYIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEGSECZZYGRSBS-UHFFFAOYSA-I [V+5].CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O Chemical compound [V+5].CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O.CC(C)C([O-])=O KEGSECZZYGRSBS-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004457 alkyl amino carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDASHQZXQNLNMG-UHFFFAOYSA-N butan-2-olate;di(propan-2-yloxy)alumanylium Chemical compound CCC(C)O[Al](OC(C)C)OC(C)C RDASHQZXQNLNMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSVPRYWNEODRGU-UHFFFAOYSA-J butanoate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O HSVPRYWNEODRGU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- ISWFCSGCICZNFV-UHFFFAOYSA-N butyl 2',7'-dinitro-4,6-dioxospiro[1,3-dioxane-2,9'-fluorene]-4'-carboxylate Chemical compound C1(CC(=O)OC2(C3=CC(=CC=C3C=3C(=CC(=CC2=3)[N+](=O)[O-])C(=O)OCCCC)[N+](=O)[O-])O1)=O ISWFCSGCICZNFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000005591 charge neutralization Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 235000014167 chia Nutrition 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940090961 chromium dioxide Drugs 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N chromium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Cr+4] IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N chromium(IV) oxide Inorganic materials O=[Cr]=O AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKFAZDGHFACXKY-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) bis(acetylacetonate) Chemical compound [Co+2].CC(=O)[CH-]C(C)=O.CC(=O)[CH-]C(C)=O BKFAZDGHFACXKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007799 cork Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- PGWFQHBXMJMAPN-UHFFFAOYSA-N ctk4b5078 Chemical compound [Cd].OS(=O)(=O)[Se]S(O)(=O)=O PGWFQHBXMJMAPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- XMQYIPNJVLNWOE-UHFFFAOYSA-N dioctyl hydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCC XMQYIPNJVLNWOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;iron Chemical compound [Fe].O[Fe]=O.O[Fe]=O UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZKLAOYSENRNKR-LNTINUHCSA-N iron;(z)-4-oxoniumylidenepent-2-en-2-olate Chemical compound [Fe].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O LZKLAOYSENRNKR-LNTINUHCSA-N 0.000 description 1
- 229940035429 isobutyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 description 1
- 235000020778 linoleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- QWDJLDTYWNBUKE-UHFFFAOYSA-L magnesium bicarbonate Chemical compound [Mg+2].OC([O-])=O.OC([O-])=O QWDJLDTYWNBUKE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- IZIQYHDAXYDQHR-UHFFFAOYSA-N n'-propyl-n'-trimethoxysilylethane-1,2-diamine Chemical compound CCCN(CCN)[Si](OC)(OC)OC IZIQYHDAXYDQHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHYLOHPDZABACR-UHFFFAOYSA-N n,n-diethyl-4-[(2-nitrofluoren-9-ylidene)methyl]aniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=C1C2=CC([N+]([O-])=O)=CC=C2C2=CC=CC=C21 WHYLOHPDZABACR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZNNXLWLZUHEHG-UHFFFAOYSA-N n-(4-chlorophenyl)-4-[4-(n-(4-chlorophenyl)anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(Cl)=CC=1)C1=CC=CC=C1 FZNNXLWLZUHEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLMKXMUDXBDWCH-UHFFFAOYSA-N n-[(4-methoxynaphthalen-1-yl)methylideneamino]-n-methylaniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C(OC)=CC=C1C=NN(C)C1=CC=CC=C1 LLMKXMUDXBDWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYXUHIZLHNDFJT-UHFFFAOYSA-N n-[(9-ethylcarbazol-3-yl)methylideneamino]-n-methylaniline Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=CC=1C=NN(C)C1=CC=CC=C1 QYXUHIZLHNDFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEAPHJPESODIQL-UHFFFAOYSA-N n-[(9-ethylcarbazol-3-yl)methylideneamino]-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=CC=1C=NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CEAPHJPESODIQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTZSVRIIZBBSOI-UHFFFAOYSA-N n-[(9-methylcarbazol-3-yl)methylideneamino]-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C2N(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=1C=NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YTZSVRIIZBBSOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBFCFYZHTNYBJI-UHFFFAOYSA-N n-benzyl-4-[4-(n-benzylanilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1CN(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(CC=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JBFCFYZHTNYBJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPCPWEQNRXADBE-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-[(9-ethylcarbazol-3-yl)methylideneamino]aniline Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=CC=1C=NN(CC)C1=CC=CC=C1 IPCPWEQNRXADBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XONSRLHXNRNRLZ-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-(naphthalen-1-ylmethylideneamino)aniline Chemical compound C=1C=CC2=CC=CC=C2C=1C=NN(C)C1=CC=CC=C1 XONSRLHXNRNRLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- KQJBQMSCFSJABN-UHFFFAOYSA-N octadecan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[O-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[O-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[O-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[O-] KQJBQMSCFSJABN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XQAGYOLLDSHDDY-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione;vanadium Chemical compound [V].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O XQAGYOLLDSHDDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- QIIPQYDSKRYMFG-UHFFFAOYSA-M phenyl carbonate Chemical compound [O-]C(=O)OC1=CC=CC=C1 QIIPQYDSKRYMFG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002863 poly(1,4-phenylene oxide) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002006 poly(N-vinylimidazole) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 101150035983 str1 gene Proteins 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Description
発明の背景
本発明は電子写真に関し、特に改善されたオー
バーコーテツド電子写真像形成部材およびその電
子写真像形成部材を使用する方法に関する。 一般に、電子写真像形成方法は光導電性部材の
像形成表面上の静電潜像の形成および現像を包含
する。光導電性部材への像形成は通常、暗所で像
形成表面を静電的に一様帯電しそしてその部材を
光線のような活性化電磁輻射線のパターンに露出
してその部材の照射領域の電荷を選択的に消失さ
せて像形成表面上に静電潜像を形成することによ
つて行われる。それから、その静電潜像は光導電
性部材へ像様に引きつけられるトナー粒子を含有
する現像剤組成物によつて現像される。得られた
トナー像はしばしば適切な受像部材例えばペーパ
ーに転写される。 光導電性部材は同質または異質の無機または有
機組成物からなる単一層または多層の素子等であ
る。異質組成物を含有する光導電性部材の一例は
米国特許第3121006号に記載されており、光導電
性無機化合物の微細粒子が電気絶縁性有機樹脂バ
インダー中に分散されている。商品態様は通常、
バインダー中に酸化亜鉛の粒子が均一に分散され
ている被覆層を有する紙支持体からなる。そこに
開示されている有用なバインダー材料は光導電性
粒子によつて発生した注入電荷担体を十分な距離
輸送することが不可能なものを包含している。従
つて、光導電性粒子はサイクル操作のために必要
な電荷消失を可能にするために層全体にわたつて
粒子から粒子へと実質的に連続していなければな
らない。従つて、迅速放電のために十分な光導電
性粒子対粒子接触を達成するには通常約50容量％
の光導電性粒子を必要とする。このような比較的
高い光導電体濃度は樹脂バインダーの物理的連続
性に悪影響を与えることがあり、そしてバインダ
ー層の機械的強度を有意に低下させることがあ
る。 その他の公知の光導電性組成物は無定形セレ
ン、ハロゲンドープト無定形セレン、無定形セレ
ン合金例えばセレンヒ素、セレンテルル、セレン
ヒ素アンチモン、ハロゲンドープトセレン合金、
硫化カドミウム等である。一般に、これ等無機光
導電性物質は適切な導電性基体上に比較的均質な
層として付着される。これ等無機層のいくつかは
周囲雰囲気中に時々見い出される特定の蒸気にさ
らされたときに結晶化する傾向がある。さらに、
セレン型光受容体の表面は最終コピーに刷出され
るキズを極めて受けやすい。 さらに他の公知の電子写真像形成部材はポリビ
ニルカルバゾール−２，４，７−トリニトロフル
オレノン組合わせ、フタロシアニン、キナクリド
ン、ピラゾロン等のような有機光導電体を付着さ
せた導電性基体からなる。これ等光受容体の或る
もの例えば２，４，７−トリニトロフルオレノン
を含有するものは健康または安全上問題をかかえ
ている。 最近、例えば米国特許第4265990号に記載され
ているように導電性基体上に設けられた光発生層
と輸送層からなる積層光応答性素子や、例えば米
国特許第4251612号に記載されているように正孔
注入層、正孔輸送層、光発生層および絶縁性有機
樹脂のトツプコートを有するオーバーコーテツド
光応答性材料が開示されている。それ等特許に開
示されている光発生層の例は三方晶系セレンおよ
び種々のフタロシアニンであり、そして正孔輸送
層は不活性ポリカーボネート樹脂材料中に分散さ
れた特定のジアミンを含有している。それ等特許
即ち米国特許第4265990号および第4251612号の各
開示は全体的に本願の参考になる。積層光応答性
素子を包含するその他の代表的特許は米国特許第
3041166号；第4115116号；第4047949号および第
4081274号である。これ等特許は電荷発生層が輸
送層の下にある場合の正孔輸送層に対して負帯電
を必要とする系に関するものである。正孔輸送層
の上にある光発生層は正帯電を必要とするが、十
分な感度を得るためには約１〜2μｍ以下でなけ
ればならないので急速にすり減つてしまう。 上記電子写真像形成部材はそれ等が意図した目
的には適するであろうが、改善された素子の必要
性は依然存在する。例えば、多くの光導電性部材
の像形成表面は摩耗、周囲の気体、キズおよび付
着物に感じやすく、それ等は像形成部材の電子写
真特性に悪影響を与える。 被覆されていない光受容体の望ましくない特性
を克服するためにオーバーコート層が提案されて
いる。しかしながら、オーバーコート層の多くは
電子写真像形成部材の電子写真性能に悪影響を与
える。 従来記載されているオーバーコート材料の或る
タイプは電気絶縁性である。例えば、有機高重合
体とルイス酸を含有する絶縁性オーバーコート層
は米国特許第4225648号に記載されている。この
オーバーコートは他の添加剤例えば顔料、染料お
よび硬膜剤を含有していてもよい。樹脂と有機ア
ルミニウム化合物の組合わせを含有する絶縁性オ
ーバーコートは米国特許第3966471号に記載され
ている。明らかに、有機アルミニウム化合物は樹
脂と反応してトナー像の受像部材への転写を促進
する。米国特許第4191568号には、電子受容体化
合物と共に又は無しで樹脂と特定の電子供与体化
合物を含有する絶縁性オーバーコートが言及され
ている。電気絶縁性オーバーコート層を使用する
場合、その厚さは活性化輻射線による像様露出中
の光受容体の放電を可能にするために全く薄くな
ければならない。その上、露出後に残留電荷が絶
縁性オーバーコート層の表面上に残る傾向があ
る。絶縁性コートの厚さが増大すると残留電圧レ
ベルが増す。これは最終トナー像における望まし
くない高背景部付着を起こさせる。さらに、像形
成表面上のキズはキズ領域と無キズ領域間の電気
的差異によつて刷出される傾向がある。絶縁性コ
ートをできるだけ薄くすることによつてこれ等問
題を小さくする試みがなされている。しかしなが
ら、薄い被膜は均一に付着させることが難しくそ
して急速に摩耗しやすい。オーバーコートが摩耗
して厚さが変化すると、電荷密度は厚さに依存す
るので光受容体の像形成特性も変化する。 オーバーコート層上または中に電荷を蓄積しな
いように低絶縁性のオーバーコート材料を使用す
ることによつてオーバーコート層の欠点を克服す
る試みがなされている。芳香族ジアミンを含有す
る導電性オーバーコートが開示されている。例え
ば、芳香族ジアミンは米国特許第4293630号では
遊離ハロゲンを生成可能な有機ハロゲンと組合わ
されており；K.オカの名で1980年４月21日に出
願された電子写真感光体（Electrophotographic
Photosensitive member）と題する共願中の米
国特許出願第142198号では有機プロトン酸と組合
わされ；そしてK.オカの名で1980年４月21日に
出願された電子写真感光体と題する米国特許出願
第142167号では酸化能力を有する塩と組合わされ
ている。カーボンブラツク、金属粉末、テトラア
ンモニウム塩等も含めて保護オーバーコートを導
電性にするために使用されている従来の添加剤の
例は米国特許第4191568号の導入部に言及されて
いる。樹脂と金属酸化物粒子を含有する導電性オ
ーバーコートはK.オカの名で1981年11月19日に
出願された保護層を有する電子写真部材の製造方
法（Process For Forming An
Electrophotographic Member Having ａ
Protective Layer）と題する共願中の米国特許
出願第322792号に示されている。導電性オーバコ
ート層とその下の光導電層との界面に電荷を捕獲
するためのブロツキング層を使用することはそれ
等導電性オーバコートの事例の多くに開示されて
いる。保護層は第四アンモニウム塩等のような適
切な物質をオーバーコート層に導入することによ
つて低絶縁性にされてもよい。しかしながら、か
かる物質の導電性は周囲水分の吸着によつて大き
く変動する。さらに、非常に乾燥した条件下で
は、このタイプのオーバーコート層の導電性は上
記の絶縁層に伴う悪影響をもつてオーバーコート
層の外表面上への電荷蓄積が起る程度にまで低下
する。多湿条件下では、電荷移動が起り易く、最
終的にぼやけた像を生ずる。 リノール酸とエチレンジアミンから構成された
電荷輸送層を有するオーバーコートは米国特許第
3713820号に教示されている。電荷輸送錯体を生
成することによつて被膜の導電性を増大せしめる
ために電子受容体化合物を添加してもよい。樹脂
とメタロセンを含有するオーバーコートは米国特
許第4315980号に教示されている。少なくとも一
部の樹脂がフエロセンと共に電荷輸送錯体を生成
することは明らかである。さらに、電子受容体を
オーバーコート層に添加してもよい。さらに、電
気的特性を改善するために保護層の下に薄い中間
層を設けてもよい。米国特許第3713820号および
第4315980号は帯電中に生成されたコロナ生成酸
化用化合物との反応による導電性の変化を示して
いる。 上記像形成部材のいくつかは特定の望ましい性
質例えば内側の光導電層の表面の保護を示すが、
写真用像形成部材を保護するための改善されたオ
ーバーコート層の必要性は依然存在する。 発明の概要 本発明によれば、少なくとも１層の光導電層；
および電荷輸送分子からなる絶縁性皮膜形成性連
続相とその連続相中に分散された微細な電荷注入
賦与粒子とからなるオーバーコート層；を有する
電子写真像形成部材が提供される。必要ならば、
光導電層とオーバーコート層間にバリヤ層が介在
していてもよい。この電子写真像形成部材はオー
バーコート層の外側の像形成表面を暗所で一様に
帯電し、その電子写真像形成部材を横切つて十分
な電界を印加して電荷注入賦与粒子を分極させる
ことによつて電荷注入賦与粒子が電荷担体をオー
バーコート層に注入し、電荷担体が光導電層とオ
ーバーコート層間の界面に輸送され捕獲され、そ
してオーバーコート層中の反対空間電荷が電荷注
入賦与粒子から像形成表面への電荷放出によつて
緩和されるような電子写真像形成方法に使用する
ことができる。このオーバーコート層は像形成表
面上に一様な静電荷が付着する前には本質的に絶
縁性である。 本発明の方法および素子のより完全な理解は図
面を参考にすることによつて得られる。 非常に高い絶縁耐力と良好な電気絶縁性を有す
るいずれか適する絶縁性皮膜形成性バインダーを
本発明のオーバーコートの連続電荷輸送相に使用
してもよい。バインダー自体は電荷輸送材料であ
つてもよいし又は輸送分子を固溶体で又は分子分
散物として保持できる材料であつてもよい。固溶
体は少なくとも１つの成分が別の成分中に溶解さ
れておりしかも均質固体相として存在する組成物
として定義される。分子分散物は少なくとも１つ
の成分の粒子が別の成分中に分散されておりその
粒子の分散物が分子スケールである組成物として
定義される。電荷輸送材料でない代表的な皮膜形
成性バインダー材料はポリカーボネート、ポリエ
ステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレ
ン、ポリアリールエーテル、ポリアリールスルホ
ン、ポリブタジエン、ポリスルホン、ポリエーテ
ルスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リイミド、ポリメチルペンテン、ポリフエニレン
スルフイド、ポリ酢酸ビニル、ポリシロキサン、
ポリアクリレート、ポリビニルアセタール、ポリ
アミド、ポリイミド、アミノ樹脂、フエニレンオ
キシド樹脂、テレフタル酸樹脂、エポキシ樹脂、
フエノール樹脂、ポリスチレン−アクリロニトリ
ル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、アクリレート共重合体、アルキ
ド樹脂、セルロース系皮膜形成剤、ポリ（アミド
−イミド）、スチレン−ブタジエン共重合体、塩
化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビニル
−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−アルキド
樹脂等のような熱可塑性および熱硬化性樹脂であ
る。 電荷輸送能力を有するいずれか適する皮膜形成
性重合体を本発明のオーバーコートの連続相のバ
インダーとして使用してもよい。電荷輸送能力を
有するバインダーは意図した用途のスペクトル領
域で実質的に非吸収性であるが、それ等が印加電
界中で電荷注入賦与粒子によつて注入された電荷
担体を輸送できると言うことで「活性」である。
電荷輸送バインダーは正孔輸送皮膜形成性重合体
であつても又は電子輸送皮膜形成性重合体であつ
てもよい。電荷輸送皮膜形成性重合体は周知であ
る。かかる電荷輸送皮膜形成性重合体の一部列挙
の代表例は次の通りである： ジフエニルジアミン〔例えばJ.F.ヤヌス
（Yanus）等の名で1980年12月12日に出願された
アリールアミンの製造方法（Process For
Preparing Arylamines）と題する共願中の米国
特許出願第215610号に開示されている〕やトリフ
エニルメタンポリアミン等から合成された高分子
バインダー重合体。 ポリビニルカルバゾールおよび米国特許第
4302521号に記載されているルイス酸の誘導体。 ビニル芳香族重合体例えばポリビニルアントラ
セン、ポリアセナフチレン；ホルムアルデヒドと
種々の芳香族との縮合生成物例えばホルムアルデ
ヒドと３−ブロモピレンの縮合物；２，４，７−
トリニトロフルオレノン、および３，６−ジニト
ロ−Ｎ−ｔ−ブチル−ナフタルイミド（米国特許
第3972717号に記載されている）。 その他の輸送材料例えばポリ−１−ビニルピレ
ン、ポリ−９−ビニルアントラセン、ポリ−９−
（４−ペンテニル）−カルバゾール、ポリ−９−
（５−ヘキシル）−カルバゾール、ポリメチレンピ
レン、ポリ−１−（ピレニル）−ブタジエン；アル
キル、ニトロ、アミノ、ハロゲン、およびヒドロ
キシ置換重合体例えばポリ−３−アミノカルバゾ
ール、１，３−ジブロモ−ポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾールおよび３，６−ジブロモ−ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾールおよび米国特許第3870516号に
記載されているようなその他の多数の透明な有機
重合体輸送材料。 電荷輸送能力を有するバインダーに関する上記
の特許および係属中の特許出願の各々の開示は全
体に本願の参考になる。 皮膜形成性バインダーは少なくとも約1013Ω−
cmの電気抵抗率を有すべきである。それは連続フ
イルムを形成可能であるべきであり且つ内側の光
導電層が感ずる活性化放射線に対して実質的に透
明であるべきである。云い換えると、透過された
活性化放射線は内側の光導電層（１層または多
層）中に電荷担体即ち電子−正孔対を発生させる
ことが可能であるべきである。利用される具体的
な光受容体に依存して約10％〜約100％の範囲の
透明度で満足な結果を与えることができる。もつ
と速いスピードのためには少なくとも約50％の透
明度が好ましく、最適スピードは少なくとも80％
の透明度で達成される。 フイルム形成性バインダーとして作用し得る又
はフイルム形成性バインダー中に可溶性もしくは
分子スケールで分散可能であるいずれか適する電
荷輸送分子を本発明のオーバーコートの連続相に
利用してもよい。電荷輸送分子は印加電界中で電
荷注入賦与粒子によつて注入された電荷担体を輸
送可能であるべきである。電荷担体分子は正孔輪
送分子であつても又は電子輸送分子であつてもよ
い。電荷担体分子が上記のようにフイルム形成性
バインダーとして作用し得る場合には、必要なら
ばそれを用いて電荷注入賦与粒子のための絶縁性
バインダーとしてもそして別の電荷輸送分子を固
溶体で又は分子分散として導入する必要の無い連
続電荷輸送相としても作用可能である。電荷輸送
材料は周知である。上記の電荷輸送能力を有する
フイルム形成重合体の他に、非フイルム形成性の
電荷輸送材料の一部列挙の代表例を次に挙げる： 米国特許第4306008号、第4304829号、第
4233384号、米国特許第4115116号、米国特許第
4299897号、米国特許第4265990号、および米国特
許第4081274号に記載されているタイプのジアミ
ン輸送分子。代表的なジアミン輸送分子はＮ，
N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（アルキルフエ
ニル）−〔１，1′−ビフエニル〕−４，4′−ジアミ
ン（そのアルキルは例えばメチル、エチル、プロ
ピル、ｎ−ブチル等である）、例えば、Ｎ，N′−
ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（3″−メチルフエニ
ル）−〔１，1′−ビフエニル〕−４，4′−ジアミン、
Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（４−メチ
ルフエニル）−〔１，1′−ビフエニル〕−４，4′−
ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス
（２−メチルフエニル）−〔１，1′−ビフエニル〕−
４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，
N′−ビス（３−エチルフエニル）−〔１，1′−ビフ
エニル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニ
ル−Ｎ，N′−ビス（４−エチルフエニル）−〔１，
1′−ビフエニル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−
ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（４−ｎ−ブチルフ
エニル）−〔１，1′−ビフエニル〕−４，4′−ジア
ミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３
−クロロフエニル）−〔１，1′−ビフエニル〕−４，
4′−ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−
ビス（４−クロロフエニル）−〔１，1′−ビフエニ
ル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニル−
Ｎ，N′−ビス（フエニルメチル）−〔１，1′−ビフ
エニル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，N′，N′−
テトラフエニル−〔２，2′−ジメチル−１，1′−
ビフエニル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，N′，
N′−テトラ−（４−メチルフエニル）−〔２，2′−
ジメチル−１，1′−ビフエニル〕−４，4′−ジア
ミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（４
−メチルフエニル）−〔２，2′−ジメチル−１，
1′−ビフエニル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−
ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（２−メチルフエニ
ル）−〔２，2′−ジメチル−１，1′−ビフエニル〕
−４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，
N′−ビス（３−メチルフエニル）−〔２，2′−ジメ
チル−１，1′−ビフエニル〕−４，4′−ジアミン、
Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチ
ルフエニル）−ピレニル−１，６−ジアミン等で
ある。 米国特許第4315982号、米国特許第4278746号、
および米国特許第3837851号に開示されているよ
うなピラゾリン輸送分子。代表的なピラゾリン輸
送分子は１−〔レピジル−(2)〕−(3)−（ｐ−ジエチ
ルアミノフエニル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフ
エニル）ピラゾリン、１−（キノリル−(2)〕−３−
（ｐ−ジエチルアミノフエニル）−５−（ｐ−ジエ
チルアミノフエニル）ピラゾリン、１−〔ピリジ
ル−(2)〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、
１−〔６−メトキシピリジル−(2)〕−３−（ｐ−ジ
エチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）ピラゾリン、１−フエニル−３−
〔ｐ−ジメチルアミノスチリル〕−５−（ｐ−ジメ
チルアミノスチリル）ピラゾリン、１−フエニル
−３−〔ｐ−ジエチルアミノスチリル〕−５−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等であ
る。 米国特許第4245021号に記載されているような
置換フルオレン電荷輸送分子。代表的なフルオレ
ン電荷輸送分子は９−（4′−ジメチルアミノベン
ジリデン）フルオレン、９−（4′−メトキシベン
ジリデン）フルオレン、９−（2′，4′−ジメトキ
シベンジリデン）フルオレン、２−ニトロ−９−
ベンジリデン−フルオレン、２−ニトロ−９−
（4′−ジエチルアミノベンジリデン）フルオレン
等である。 オキサジアゾール輸送分子例えば２，５−ビス
（４−ジエチルアミノフエニル）−１，３，４−オ
キサジアゾール、ピラゾリン、イミダゾール、ト
リアゾール、および西独特許第1058836号、第
1060260号および第1120875号および米国特許第
3895944号に記載されているその他。 好ましいヒドラゾンは一般式
バーコーテツド電子写真像形成部材およびその電
子写真像形成部材を使用する方法に関する。 一般に、電子写真像形成方法は光導電性部材の
像形成表面上の静電潜像の形成および現像を包含
する。光導電性部材への像形成は通常、暗所で像
形成表面を静電的に一様帯電しそしてその部材を
光線のような活性化電磁輻射線のパターンに露出
してその部材の照射領域の電荷を選択的に消失さ
せて像形成表面上に静電潜像を形成することによ
つて行われる。それから、その静電潜像は光導電
性部材へ像様に引きつけられるトナー粒子を含有
する現像剤組成物によつて現像される。得られた
トナー像はしばしば適切な受像部材例えばペーパ
ーに転写される。 光導電性部材は同質または異質の無機または有
機組成物からなる単一層または多層の素子等であ
る。異質組成物を含有する光導電性部材の一例は
米国特許第3121006号に記載されており、光導電
性無機化合物の微細粒子が電気絶縁性有機樹脂バ
インダー中に分散されている。商品態様は通常、
バインダー中に酸化亜鉛の粒子が均一に分散され
ている被覆層を有する紙支持体からなる。そこに
開示されている有用なバインダー材料は光導電性
粒子によつて発生した注入電荷担体を十分な距離
輸送することが不可能なものを包含している。従
つて、光導電性粒子はサイクル操作のために必要
な電荷消失を可能にするために層全体にわたつて
粒子から粒子へと実質的に連続していなければな
らない。従つて、迅速放電のために十分な光導電
性粒子対粒子接触を達成するには通常約50容量％
の光導電性粒子を必要とする。このような比較的
高い光導電体濃度は樹脂バインダーの物理的連続
性に悪影響を与えることがあり、そしてバインダ
ー層の機械的強度を有意に低下させることがあ
る。 その他の公知の光導電性組成物は無定形セレ
ン、ハロゲンドープト無定形セレン、無定形セレ
ン合金例えばセレンヒ素、セレンテルル、セレン
ヒ素アンチモン、ハロゲンドープトセレン合金、
硫化カドミウム等である。一般に、これ等無機光
導電性物質は適切な導電性基体上に比較的均質な
層として付着される。これ等無機層のいくつかは
周囲雰囲気中に時々見い出される特定の蒸気にさ
らされたときに結晶化する傾向がある。さらに、
セレン型光受容体の表面は最終コピーに刷出され
るキズを極めて受けやすい。 さらに他の公知の電子写真像形成部材はポリビ
ニルカルバゾール−２，４，７−トリニトロフル
オレノン組合わせ、フタロシアニン、キナクリド
ン、ピラゾロン等のような有機光導電体を付着さ
せた導電性基体からなる。これ等光受容体の或る
もの例えば２，４，７−トリニトロフルオレノン
を含有するものは健康または安全上問題をかかえ
ている。 最近、例えば米国特許第4265990号に記載され
ているように導電性基体上に設けられた光発生層
と輸送層からなる積層光応答性素子や、例えば米
国特許第4251612号に記載されているように正孔
注入層、正孔輸送層、光発生層および絶縁性有機
樹脂のトツプコートを有するオーバーコーテツド
光応答性材料が開示されている。それ等特許に開
示されている光発生層の例は三方晶系セレンおよ
び種々のフタロシアニンであり、そして正孔輸送
層は不活性ポリカーボネート樹脂材料中に分散さ
れた特定のジアミンを含有している。それ等特許
即ち米国特許第4265990号および第4251612号の各
開示は全体的に本願の参考になる。積層光応答性
素子を包含するその他の代表的特許は米国特許第
3041166号；第4115116号；第4047949号および第
4081274号である。これ等特許は電荷発生層が輸
送層の下にある場合の正孔輸送層に対して負帯電
を必要とする系に関するものである。正孔輸送層
の上にある光発生層は正帯電を必要とするが、十
分な感度を得るためには約１〜2μｍ以下でなけ
ればならないので急速にすり減つてしまう。 上記電子写真像形成部材はそれ等が意図した目
的には適するであろうが、改善された素子の必要
性は依然存在する。例えば、多くの光導電性部材
の像形成表面は摩耗、周囲の気体、キズおよび付
着物に感じやすく、それ等は像形成部材の電子写
真特性に悪影響を与える。 被覆されていない光受容体の望ましくない特性
を克服するためにオーバーコート層が提案されて
いる。しかしながら、オーバーコート層の多くは
電子写真像形成部材の電子写真性能に悪影響を与
える。 従来記載されているオーバーコート材料の或る
タイプは電気絶縁性である。例えば、有機高重合
体とルイス酸を含有する絶縁性オーバーコート層
は米国特許第4225648号に記載されている。この
オーバーコートは他の添加剤例えば顔料、染料お
よび硬膜剤を含有していてもよい。樹脂と有機ア
ルミニウム化合物の組合わせを含有する絶縁性オ
ーバーコートは米国特許第3966471号に記載され
ている。明らかに、有機アルミニウム化合物は樹
脂と反応してトナー像の受像部材への転写を促進
する。米国特許第4191568号には、電子受容体化
合物と共に又は無しで樹脂と特定の電子供与体化
合物を含有する絶縁性オーバーコートが言及され
ている。電気絶縁性オーバーコート層を使用する
場合、その厚さは活性化輻射線による像様露出中
の光受容体の放電を可能にするために全く薄くな
ければならない。その上、露出後に残留電荷が絶
縁性オーバーコート層の表面上に残る傾向があ
る。絶縁性コートの厚さが増大すると残留電圧レ
ベルが増す。これは最終トナー像における望まし
くない高背景部付着を起こさせる。さらに、像形
成表面上のキズはキズ領域と無キズ領域間の電気
的差異によつて刷出される傾向がある。絶縁性コ
ートをできるだけ薄くすることによつてこれ等問
題を小さくする試みがなされている。しかしなが
ら、薄い被膜は均一に付着させることが難しくそ
して急速に摩耗しやすい。オーバーコートが摩耗
して厚さが変化すると、電荷密度は厚さに依存す
るので光受容体の像形成特性も変化する。 オーバーコート層上または中に電荷を蓄積しな
いように低絶縁性のオーバーコート材料を使用す
ることによつてオーバーコート層の欠点を克服す
る試みがなされている。芳香族ジアミンを含有す
る導電性オーバーコートが開示されている。例え
ば、芳香族ジアミンは米国特許第4293630号では
遊離ハロゲンを生成可能な有機ハロゲンと組合わ
されており；K.オカの名で1980年４月21日に出
願された電子写真感光体（Electrophotographic
Photosensitive member）と題する共願中の米
国特許出願第142198号では有機プロトン酸と組合
わされ；そしてK.オカの名で1980年４月21日に
出願された電子写真感光体と題する米国特許出願
第142167号では酸化能力を有する塩と組合わされ
ている。カーボンブラツク、金属粉末、テトラア
ンモニウム塩等も含めて保護オーバーコートを導
電性にするために使用されている従来の添加剤の
例は米国特許第4191568号の導入部に言及されて
いる。樹脂と金属酸化物粒子を含有する導電性オ
ーバーコートはK.オカの名で1981年11月19日に
出願された保護層を有する電子写真部材の製造方
法（Process For Forming An
Electrophotographic Member Having ａ
Protective Layer）と題する共願中の米国特許
出願第322792号に示されている。導電性オーバコ
ート層とその下の光導電層との界面に電荷を捕獲
するためのブロツキング層を使用することはそれ
等導電性オーバコートの事例の多くに開示されて
いる。保護層は第四アンモニウム塩等のような適
切な物質をオーバーコート層に導入することによ
つて低絶縁性にされてもよい。しかしながら、か
かる物質の導電性は周囲水分の吸着によつて大き
く変動する。さらに、非常に乾燥した条件下で
は、このタイプのオーバーコート層の導電性は上
記の絶縁層に伴う悪影響をもつてオーバーコート
層の外表面上への電荷蓄積が起る程度にまで低下
する。多湿条件下では、電荷移動が起り易く、最
終的にぼやけた像を生ずる。 リノール酸とエチレンジアミンから構成された
電荷輸送層を有するオーバーコートは米国特許第
3713820号に教示されている。電荷輸送錯体を生
成することによつて被膜の導電性を増大せしめる
ために電子受容体化合物を添加してもよい。樹脂
とメタロセンを含有するオーバーコートは米国特
許第4315980号に教示されている。少なくとも一
部の樹脂がフエロセンと共に電荷輸送錯体を生成
することは明らかである。さらに、電子受容体を
オーバーコート層に添加してもよい。さらに、電
気的特性を改善するために保護層の下に薄い中間
層を設けてもよい。米国特許第3713820号および
第4315980号は帯電中に生成されたコロナ生成酸
化用化合物との反応による導電性の変化を示して
いる。 上記像形成部材のいくつかは特定の望ましい性
質例えば内側の光導電層の表面の保護を示すが、
写真用像形成部材を保護するための改善されたオ
ーバーコート層の必要性は依然存在する。 発明の概要 本発明によれば、少なくとも１層の光導電層；
および電荷輸送分子からなる絶縁性皮膜形成性連
続相とその連続相中に分散された微細な電荷注入
賦与粒子とからなるオーバーコート層；を有する
電子写真像形成部材が提供される。必要ならば、
光導電層とオーバーコート層間にバリヤ層が介在
していてもよい。この電子写真像形成部材はオー
バーコート層の外側の像形成表面を暗所で一様に
帯電し、その電子写真像形成部材を横切つて十分
な電界を印加して電荷注入賦与粒子を分極させる
ことによつて電荷注入賦与粒子が電荷担体をオー
バーコート層に注入し、電荷担体が光導電層とオ
ーバーコート層間の界面に輸送され捕獲され、そ
してオーバーコート層中の反対空間電荷が電荷注
入賦与粒子から像形成表面への電荷放出によつて
緩和されるような電子写真像形成方法に使用する
ことができる。このオーバーコート層は像形成表
面上に一様な静電荷が付着する前には本質的に絶
縁性である。 本発明の方法および素子のより完全な理解は図
面を参考にすることによつて得られる。 非常に高い絶縁耐力と良好な電気絶縁性を有す
るいずれか適する絶縁性皮膜形成性バインダーを
本発明のオーバーコートの連続電荷輸送相に使用
してもよい。バインダー自体は電荷輸送材料であ
つてもよいし又は輸送分子を固溶体で又は分子分
散物として保持できる材料であつてもよい。固溶
体は少なくとも１つの成分が別の成分中に溶解さ
れておりしかも均質固体相として存在する組成物
として定義される。分子分散物は少なくとも１つ
の成分の粒子が別の成分中に分散されておりその
粒子の分散物が分子スケールである組成物として
定義される。電荷輸送材料でない代表的な皮膜形
成性バインダー材料はポリカーボネート、ポリエ
ステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレ
ン、ポリアリールエーテル、ポリアリールスルホ
ン、ポリブタジエン、ポリスルホン、ポリエーテ
ルスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リイミド、ポリメチルペンテン、ポリフエニレン
スルフイド、ポリ酢酸ビニル、ポリシロキサン、
ポリアクリレート、ポリビニルアセタール、ポリ
アミド、ポリイミド、アミノ樹脂、フエニレンオ
キシド樹脂、テレフタル酸樹脂、エポキシ樹脂、
フエノール樹脂、ポリスチレン−アクリロニトリ
ル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、アクリレート共重合体、アルキ
ド樹脂、セルロース系皮膜形成剤、ポリ（アミド
−イミド）、スチレン−ブタジエン共重合体、塩
化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビニル
−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−アルキド
樹脂等のような熱可塑性および熱硬化性樹脂であ
る。 電荷輸送能力を有するいずれか適する皮膜形成
性重合体を本発明のオーバーコートの連続相のバ
インダーとして使用してもよい。電荷輸送能力を
有するバインダーは意図した用途のスペクトル領
域で実質的に非吸収性であるが、それ等が印加電
界中で電荷注入賦与粒子によつて注入された電荷
担体を輸送できると言うことで「活性」である。
電荷輸送バインダーは正孔輸送皮膜形成性重合体
であつても又は電子輸送皮膜形成性重合体であつ
てもよい。電荷輸送皮膜形成性重合体は周知であ
る。かかる電荷輸送皮膜形成性重合体の一部列挙
の代表例は次の通りである： ジフエニルジアミン〔例えばJ.F.ヤヌス
（Yanus）等の名で1980年12月12日に出願された
アリールアミンの製造方法（Process For
Preparing Arylamines）と題する共願中の米国
特許出願第215610号に開示されている〕やトリフ
エニルメタンポリアミン等から合成された高分子
バインダー重合体。 ポリビニルカルバゾールおよび米国特許第
4302521号に記載されているルイス酸の誘導体。 ビニル芳香族重合体例えばポリビニルアントラ
セン、ポリアセナフチレン；ホルムアルデヒドと
種々の芳香族との縮合生成物例えばホルムアルデ
ヒドと３−ブロモピレンの縮合物；２，４，７−
トリニトロフルオレノン、および３，６−ジニト
ロ−Ｎ−ｔ−ブチル−ナフタルイミド（米国特許
第3972717号に記載されている）。 その他の輸送材料例えばポリ−１−ビニルピレ
ン、ポリ−９−ビニルアントラセン、ポリ−９−
（４−ペンテニル）−カルバゾール、ポリ−９−
（５−ヘキシル）−カルバゾール、ポリメチレンピ
レン、ポリ−１−（ピレニル）−ブタジエン；アル
キル、ニトロ、アミノ、ハロゲン、およびヒドロ
キシ置換重合体例えばポリ−３−アミノカルバゾ
ール、１，３−ジブロモ−ポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾールおよび３，６−ジブロモ−ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾールおよび米国特許第3870516号に
記載されているようなその他の多数の透明な有機
重合体輸送材料。 電荷輸送能力を有するバインダーに関する上記
の特許および係属中の特許出願の各々の開示は全
体に本願の参考になる。 皮膜形成性バインダーは少なくとも約1013Ω−
cmの電気抵抗率を有すべきである。それは連続フ
イルムを形成可能であるべきであり且つ内側の光
導電層が感ずる活性化放射線に対して実質的に透
明であるべきである。云い換えると、透過された
活性化放射線は内側の光導電層（１層または多
層）中に電荷担体即ち電子−正孔対を発生させる
ことが可能であるべきである。利用される具体的
な光受容体に依存して約10％〜約100％の範囲の
透明度で満足な結果を与えることができる。もつ
と速いスピードのためには少なくとも約50％の透
明度が好ましく、最適スピードは少なくとも80％
の透明度で達成される。 フイルム形成性バインダーとして作用し得る又
はフイルム形成性バインダー中に可溶性もしくは
分子スケールで分散可能であるいずれか適する電
荷輸送分子を本発明のオーバーコートの連続相に
利用してもよい。電荷輸送分子は印加電界中で電
荷注入賦与粒子によつて注入された電荷担体を輸
送可能であるべきである。電荷担体分子は正孔輪
送分子であつても又は電子輸送分子であつてもよ
い。電荷担体分子が上記のようにフイルム形成性
バインダーとして作用し得る場合には、必要なら
ばそれを用いて電荷注入賦与粒子のための絶縁性
バインダーとしてもそして別の電荷輸送分子を固
溶体で又は分子分散として導入する必要の無い連
続電荷輸送相としても作用可能である。電荷輸送
材料は周知である。上記の電荷輸送能力を有する
フイルム形成重合体の他に、非フイルム形成性の
電荷輸送材料の一部列挙の代表例を次に挙げる： 米国特許第4306008号、第4304829号、第
4233384号、米国特許第4115116号、米国特許第
4299897号、米国特許第4265990号、および米国特
許第4081274号に記載されているタイプのジアミ
ン輸送分子。代表的なジアミン輸送分子はＮ，
N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（アルキルフエ
ニル）−〔１，1′−ビフエニル〕−４，4′−ジアミ
ン（そのアルキルは例えばメチル、エチル、プロ
ピル、ｎ−ブチル等である）、例えば、Ｎ，N′−
ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（3″−メチルフエニ
ル）−〔１，1′−ビフエニル〕−４，4′−ジアミン、
Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（４−メチ
ルフエニル）−〔１，1′−ビフエニル〕−４，4′−
ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス
（２−メチルフエニル）−〔１，1′−ビフエニル〕−
４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，
N′−ビス（３−エチルフエニル）−〔１，1′−ビフ
エニル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニ
ル−Ｎ，N′−ビス（４−エチルフエニル）−〔１，
1′−ビフエニル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−
ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（４−ｎ−ブチルフ
エニル）−〔１，1′−ビフエニル〕−４，4′−ジア
ミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３
−クロロフエニル）−〔１，1′−ビフエニル〕−４，
4′−ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−
ビス（４−クロロフエニル）−〔１，1′−ビフエニ
ル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニル−
Ｎ，N′−ビス（フエニルメチル）−〔１，1′−ビフ
エニル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，N′，N′−
テトラフエニル−〔２，2′−ジメチル−１，1′−
ビフエニル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，N′，
N′−テトラ−（４−メチルフエニル）−〔２，2′−
ジメチル−１，1′−ビフエニル〕−４，4′−ジア
ミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（４
−メチルフエニル）−〔２，2′−ジメチル−１，
1′−ビフエニル〕−４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−
ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（２−メチルフエニ
ル）−〔２，2′−ジメチル−１，1′−ビフエニル〕
−４，4′−ジアミン、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，
N′−ビス（３−メチルフエニル）−〔２，2′−ジメ
チル−１，1′−ビフエニル〕−４，4′−ジアミン、
Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチ
ルフエニル）−ピレニル−１，６−ジアミン等で
ある。 米国特許第4315982号、米国特許第4278746号、
および米国特許第3837851号に開示されているよ
うなピラゾリン輸送分子。代表的なピラゾリン輸
送分子は１−〔レピジル−(2)〕−(3)−（ｐ−ジエチ
ルアミノフエニル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフ
エニル）ピラゾリン、１−（キノリル−(2)〕−３−
（ｐ−ジエチルアミノフエニル）−５−（ｐ−ジエ
チルアミノフエニル）ピラゾリン、１−〔ピリジ
ル−(2)〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、
１−〔６−メトキシピリジル−(2)〕−３−（ｐ−ジ
エチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）ピラゾリン、１−フエニル−３−
〔ｐ−ジメチルアミノスチリル〕−５−（ｐ−ジメ
チルアミノスチリル）ピラゾリン、１−フエニル
−３−〔ｐ−ジエチルアミノスチリル〕−５−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等であ
る。 米国特許第4245021号に記載されているような
置換フルオレン電荷輸送分子。代表的なフルオレ
ン電荷輸送分子は９−（4′−ジメチルアミノベン
ジリデン）フルオレン、９−（4′−メトキシベン
ジリデン）フルオレン、９−（2′，4′−ジメトキ
シベンジリデン）フルオレン、２−ニトロ−９−
ベンジリデン−フルオレン、２−ニトロ−９−
（4′−ジエチルアミノベンジリデン）フルオレン
等である。 オキサジアゾール輸送分子例えば２，５−ビス
（４−ジエチルアミノフエニル）−１，３，４−オ
キサジアゾール、ピラゾリン、イミダゾール、ト
リアゾール、および西独特許第1058836号、第
1060260号および第1120875号および米国特許第
3895944号に記載されているその他。 好ましいヒドラゾンは一般式
【化】
（式中、
R1は
【式】ｘ＝０、１、
２、３または
【式】であり、
R2は−OCH2CH3、−CH3または−Ｈであり、
R3は
【式】−CH3また
は
CH2CH2CH2CH3であり、そして
R4は
【式】または−CH3である）
を有するものである。
この式によつて包囲されるヒドラゾン輸送分子
の代表例はｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
−（ジフエニルヒドラゾン）、ｏ−エトキシ−ｐ−
ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ジフエニル
ヒドラゾン）、ｏ−メチル−ｐ−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）、ｏ
−メチル−ｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド
−（ジフエニルヒドラゾン）、ｐ−ジプロピルアミ
ノベンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）、
ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ベンジ
ルフエニルヒドラゾン）、ｐ−ジブチルアミノベ
ンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）、ｐ−
ジメチルアミノベンズアルデヒド−（ジフエニル
ヒドラゾン）等であり、例えば米国特許第
4150987号に記載されている。他のヒドラゾン輸
送分子は１−ナフタレンカルバルデヒド１−メチ
ル−１−フエニルヒドラゾン、１−ナフタレンカ
ルバデヒド１，１−フエニルヒドラゾン、４−メ
トキシナフタレン−１−カルバルデヒド１−メチ
ル−１−フエニルヒドラゾンのような化合物、お
よび例えば米国特許第4385106号、米国特許第
4338388号、米国特許第4387147号、米国特許第
4399208号、および米国特許第4399207号に記載さ
れているその他のヒドラゾン輸送分子等である。 別の好ましい電荷輸送分子は一般式
の代表例はｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
−（ジフエニルヒドラゾン）、ｏ−エトキシ−ｐ−
ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ジフエニル
ヒドラゾン）、ｏ−メチル−ｐ−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）、ｏ
−メチル−ｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド
−（ジフエニルヒドラゾン）、ｐ−ジプロピルアミ
ノベンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）、
ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ベンジ
ルフエニルヒドラゾン）、ｐ−ジブチルアミノベ
ンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）、ｐ−
ジメチルアミノベンズアルデヒド−（ジフエニル
ヒドラゾン）等であり、例えば米国特許第
4150987号に記載されている。他のヒドラゾン輸
送分子は１−ナフタレンカルバルデヒド１−メチ
ル−１−フエニルヒドラゾン、１−ナフタレンカ
ルバデヒド１，１−フエニルヒドラゾン、４−メ
トキシナフタレン−１−カルバルデヒド１−メチ
ル−１−フエニルヒドラゾンのような化合物、お
よび例えば米国特許第4385106号、米国特許第
4338388号、米国特許第4387147号、米国特許第
4399208号、および米国特許第4399207号に記載さ
れているその他のヒドラゾン輸送分子等である。 別の好ましい電荷輸送分子は一般式
【化】
（式中、R1はメチル、エチル、２−ヒドロキシ
エチルまたは２−クロロエチル基を表わし、そし
てR2はメチル、エチル、ベンジルまたはフエニ
ル基を表わす） を有するカルバゾールフエニルヒドラゾンであ
る。 この式によつて包囲される輸送分子の代表例は
９−メチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−
１，１−ジフエニルヒドラゾン、９−エチルカル
バゾール−３−カルバルデヒド−１−メチル−１
−フエニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール
−３−カルバルデヒド−１−エチル−１−フエニ
ルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カ
ルバルデヒド−１−エチル−１−ベンジル−１−
フエニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−
３−カルバルデヒド−１，１−ジフエニルヒドラ
ゾン、および、例えば米国特許第4256821号に記
載されているその他の適するカルバゾールフエニ
ルヒドラゾン輸送分子である。同様のヒドラゾン
輸送分子は例えば米国特許第4297426号に記載さ
れている。 例えば米国特許第3820989号に記載されている
ようなアルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミ
ノアリールメタン）、シクロアルキル−ビス（Ｎ，
Ｎ−ジアルキルアミノアリール）メタンおよびシ
クロアルケニル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミ
ノアリール）メタンのようなトリ−置換メタン。 1983年８月８日に出願された積層光応答性素子
（Layered Photoresponsive Device）と題する
共願の米国特許出願第521198号に記載されている
ような、下記式を有する９−フルオレニリデンメ
タン誘導体：
エチルまたは２−クロロエチル基を表わし、そし
てR2はメチル、エチル、ベンジルまたはフエニ
ル基を表わす） を有するカルバゾールフエニルヒドラゾンであ
る。 この式によつて包囲される輸送分子の代表例は
９−メチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−
１，１−ジフエニルヒドラゾン、９−エチルカル
バゾール−３−カルバルデヒド−１−メチル−１
−フエニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール
−３−カルバルデヒド−１−エチル−１−フエニ
ルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カ
ルバルデヒド−１−エチル−１−ベンジル−１−
フエニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−
３−カルバルデヒド−１，１−ジフエニルヒドラ
ゾン、および、例えば米国特許第4256821号に記
載されているその他の適するカルバゾールフエニ
ルヒドラゾン輸送分子である。同様のヒドラゾン
輸送分子は例えば米国特許第4297426号に記載さ
れている。 例えば米国特許第3820989号に記載されている
ようなアルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミ
ノアリールメタン）、シクロアルキル−ビス（Ｎ，
Ｎ−ジアルキルアミノアリール）メタンおよびシ
クロアルケニル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミ
ノアリール）メタンのようなトリ−置換メタン。 1983年８月８日に出願された積層光応答性素子
（Layered Photoresponsive Device）と題する
共願の米国特許出願第521198号に記載されている
ような、下記式を有する９−フルオレニリデンメ
タン誘導体：
【式】
式中、ＸおよびＹはシアノ基またはアルコキシ
カルボニル基であり、Ａ、ＢおよびＷはアシル、
アルコキシカルボニル、ニトロ、アルキルアミノ
カルボニルおよびそれ等の誘導体からなる群から
個別に選択された電子吸引性基であり、ｍは０〜
２の数であり、そしてｎは数０または１である。
上記式によつて包囲される代表的な９−フルオレ
ニリデンメタン誘導体は（４−ｎ−ブトキシカル
ボニル−９−フルオレニリデン）マロノントリ
ル、（４−フエネトキシカルボニル−９−フルオ
レニリデン）マロノントリル、（４−カルビトキ
シ−９−フルオレニリデン）マロノントリル、
（４−ｎ−ブトキシカルボニル−２，７−ジニト
ロ−９−フルオレニリデン）マロネート等であ
る。 その他の代表的な輸送材料は米国特許第
3870516号に記載されている多数の透明有機非重
合体輸送材料、および米国特許第4346157号に記
載されている非イオン性化合物等である。 皮膜形成性バインダーに可溶性のまたは分子ス
ケールで分散可能な電荷担体分子に関する上記特
許および特許出願の各々の開示は全体に本願の参
考になる。 その他の輸送材料例えばポリ−１−ビニルピレ
ン、ポリ−９−ビニルアントラセン、ポリ−９−
（４−ペンテニル）−カルバゾール、ポリ−９−
（５−ヘキシル）−カルバゾール、ポリメチレンピ
レン、ポリ−１−（ピレニル）−ブタジエン；アル
キル、ニトロ、アミノ、ハロゲンおよびヒドロキ
シ置換ポリマーのようなポリマー例えばポリ−３
−アミノカルバゾール、１，３−ジブロモ−ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾールおよび３，６−ジブロ
モ−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール；および米国
特許第3870516号に記載されているような多数の
その他透明有機重合体または非重合体の輸送材
料。 電荷輸送分子を絶縁性皮膜形成性バインダーと
組合わせる場合、使用される電荷輸送分子の量は
具体的な電荷輸送材料およびその相溶性（例え
ば、オーバーコート層の連続絶縁性皮膜形成性バ
インダー相中への溶解性）等に依存して変動す
る。電荷輸送成分と電荷発生成分を含有する光受
容体の電荷輸送媒体を形成するために通常使用さ
れている割合を用いて満足な結果が得られてい
る。電荷輸送成分と電荷発生成分を含有する光受
容体の電荷輸送媒体を形成するために通常使用さ
れている割合は上記の列挙文献に記載されてい
る。 オーバーコート層が絶縁性皮膜形成性バインダ
ーとその皮膜形成性バインダー中の固溶体状また
は分子分散物状の電荷輸送分子だけから構成され
ている場合には、オーバーコート層は帯電後少な
くとも像露出段階まで絶縁性のままである。しか
しながら、電荷担体輸送可能な絶縁性皮膜連続相
を含有するオーバーコート層中に十分な電荷注入
賦与粒子が分散されている場合には、電荷注入賦
与粒子を分極することによつて電荷注入賦与粒子
が電荷担体をオーバーコート層の連続相に注入
し、電荷担体がオーバーコート層とその下の光導
電層との間の界面に輸送され捕獲されることを可
能にし、そしてオーバーコート層中の反対空間電
荷が電荷注入賦与粒子からオーバーコート層の像
形成外表面への電荷放出によつて緩和されるよう
に十分な電界が印加されるまではオーバーコート
層は絶縁体であると云う能力を必要とする。適す
る有機または無機電荷注入賦与粒子はいずれも本
発明のオーバーコートに利用できる。電荷注入賦
与粒子は正孔注入賦与粒子であつても又は電子注
入賦与粒子であつてもよい。粒子の濃度および全
体の電界が電荷注入賦与粒子を迅速に分極させそ
して電荷担体をオーバーコート層の連続相に注入
させるのに十分である限りどの粒子も電荷注入賦
与粒子として作用できる。一般に、電荷注入賦与
粒子は電荷注入賦与性であるために約1012Ωcmの
電気抵抗率を有する。代表的な無機の電荷注入賦
与粒子はカーボンブラツク、二硫化モリブデン、
酸化錫、酸化アンチモン、酸化クロム、酸化亜
鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム、二酸化マグ
ネシウム、酸化アルミニウム、その他金属酸化
物、コロイド状シリカ、シランで処理されたコロ
イド状シリカ、グラフアイト、錫、アルミニウ
ム、ニツケル、鋼、銀、金、その他金属、それ等
の酸化物、硫化物、ハロゲン化物およびその他塩
形態、等である。 有機の電荷注入賦与粒子の代表例はフツ素化炭
素粒子；フタロシアニン顔料粒子；キナクリドン
顔料粒子；テトラシアノキノジメタンと重合体第
四アンモニウム塩の導電性錯体、ポリ（２−ビニ
ルピリデン）、ポリ（４−ビニルピリデン）、ポリ
（Ｎ−ビニルイミダゾール）、ポリ（４−ジメチル
アミノスチレン）、およびイオンエンポリマー；
ブラツク臭素化ポリ（シクロペンタジエン）；ポ
リ（アルキルビニルケトン）と塩化ホスホリルの
重合体反応生成物；金属ポリフタロシアニン；約
200℃の金属表面に付着したテトラシアノエチレ
ン溶液相から生成されたテトラニトリル；チーグ
ラー−ナツタ触媒〔Ti（OC4H9−ｎ）4−Al
（C2H5）3〕の濃度溶液の膜にアセチレンを暴露す
ることによつて製造されたポリアセチレンのトラ
ンス異性体；ポリ（ｐ−フエニレンオキシド）；
ピロールの電解によつて生成されたポリピロー
ル；ポリ（フエニルアセチレン）の熱分解によつ
て生成された導電性ポリマー；ポリイン（200〜
600℃で熱分解された）、ポリ（アシルアセチレ
ン）（400〜870℃で熱分解された）、重合体シツフ
塩基（500℃で熱分解された）、およびポリアミノ
キノン（500℃で熱分解された）；Cu2+Ni（S2C2
（CN）2）2 2-；銅テトラシアノキノジメタン；カリ
ウムテトラシアノキノジメタン；ナトリウムテト
ラシアノキノジメタン；リチウムテトラシアノキ
ノジメタン；アントラセンとテトラシアノキノジ
メタンの錯体；ピレンとテトラシアノキノジメタ
ンの錯体；高スルホン化度のポリスチレンスルホ
ン酸（ナシヨナルスターチ＆ケミカル社から入手
できるバーサTL−２）；その他の有機顔料粒子等
である。 電荷注入賦与粒子の粒子サイズは約45μｍ未満
であるべきであるが、好ましくは約10μｍ未満で
且つ内側の光導電層を急速露光するために利用さ
れる光の波長未満であるべきである。云い換えれ
ば、粒子サイズはオーバコート層をしてその下の
光導電層（単数または複数）が感ずる光の波長に
対して実質的に透明に維持するのに十分でなけれ
ばならない。約4000Å超の波長を有する光源には
約100Å〜約500Åの粒子サイズが適することがわ
かつた。一般に、オーバーコート層はオーバーコ
ート層全重量に対して少なくとも約0.1重量％の
電荷注入賦与粒子を含有すべきである。もつと低
い濃度では、顕著な残留電荷を生ずる傾向があ
る。低レベルの残留電荷は周知のように電気バイ
アスを印加することによつて現像中に補償するこ
とができる。使用される電荷注入賦与粒子の量の
上限はオーバーコート層を通る必要な電荷の流れ
の相対量に依存するが、オーバーコートの透明度
を約10％未満の値に減少させず且つオーバーコー
トを導電性にし過ぎない量であるべきである。溶
解されたＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス
（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，
4′−ジアミン（電荷担体分子）を含有するポリカ
ーボネート樹脂中に分散されたシリカ粒子（比較
的劣つた電荷注入賦与材料）については、満足な
結果はオーバーコート層の全重量に対して50重量
％もの高濃度の電荷注入賦与粒子によつて達成さ
れた。電荷輸送分子の不在下では、ポリカーボネ
ート樹脂中に分散されたシリカ粒子がオーバーコ
ート層全重量に対して50重量％であるオーバーコ
ート層は印加電界中で絶縁性のままであつた。有
能なそして高導電性の電荷注入賦与粒子を利用す
る場合には電荷注入賦与粒子の濃度はオーバーコ
ート層の全重量に対して50重量％よりかなり低く
すべきである。例えば、溶解されたＮ，N′−ジ
フエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフエニル）
１，1′−ビフエニル−４，4′−ジアミンを含有す
るポリカーボネート樹脂中に分散された、オーバ
ーコート層の全重量に対して50重量％濃度のカー
ボンブラツク電荷注入賦与粒子でシリカ粒子を置
き換えた場合、オーバーコート層は印加電界中で
望ましくないことには導電性になる。一般に、オ
ーバーコート層と光導電層を横切つて印加された
約5V／μｍ超の電解中で電荷注入賦与粒子が暗
所で約10-12秒未満で即時に分極しそして電荷担
体を約10μ秒未満で連続相に注入する場合又はオ
ーバコート層と光導電層を横切つて印加された約
5V／μｍ未満の電界中で電荷注入賦与粒子が暗
所で約10-12秒超で分極しそして電荷担体を約10μ
秒超で連続相に注入する場合に十分な濃度の電荷
注入賦与粒子が存在する。従つて、約5V／μｍ
〜約80V／μｍの印加電界が暗所で導電性基体か
らオーバーコートの外表面まで像形成部材を横切
つて印加されそして保護オーバーコート上に約10
〜約250V／μｍ未満の残留電圧を形成する場合
に電荷注入賦与粒子は約10-12秒未満で分極しそ
して電荷担体を約10μ秒未満で連続電荷輸送相に
注入する。電界はいずれか適する帯電技術によつ
て印加される。代表的な帯電技術はコロナ帯電、
ブラシ帯電、スタイラス帯電、コンタクト帯電等
である。 オーバーコート層の成分はいずれか適する通常
の手段で混合される。代表的な混合手段は撹拌
棒、超音波バイブレーター、磁気的撹拌器、ペイ
ントシエーカー、サンドミル、ロールペブルミ
ル、ソニツクミキサー、溶融混合装器等である。
しかしながら、絶縁性皮膜形成性バインダーが電
荷輸送分子とは異なる物質である場合には、電荷
輸送分子が絶縁性皮膜形成性バインダー中に溶解
するか又は分子分散可能であるかのどちらかでな
ければならないと云うことは重要である。必要な
らば、皮膜形成性バインダーおよび電荷輸送分子
のための溶剤または混合溶剤を利用してもよい。
好ましくは、溶剤または混合溶剤は絶縁性皮膜形
成性バインダーおよび電荷輸送分子の両方を溶解
すべきである。選択される溶剤は下層の光受容体
に悪影響を与えるべきでない。例えば、選択溶剤
は下層の光受容体を溶解または結晶化すべきでな
い。 オーバーコート混合物は光導電性部材またはブ
ロツキング層を利用する場合にはそのブロツキン
グ層に適用される。オーバーコート混合物はいず
れか周知技術で適用されてもよい。代表的な被覆
技術は吹付け、ドローバー塗布、浸漬塗布、グラ
ビア塗布、シルクスクリーン、エアナイフ塗布、
リバースロール塗布、押出技術等である。オーバ
ーコートを乾燥するために適する通常の乾燥また
は硬化技術を利用してもよい。乾燥または硬化技
術は下層の光受容体を損傷しないように選択され
るべきである。例えば、無定形セレン光受容体を
用いた場合にはオーバーコート乾燥温度は無定形
セレンの結晶を起こさせるべきでない。 乾燥または硬化後のオーバーコート層の厚さは
約1μｍ〜約15μｍがよかろう。一般に、約1μｍ未
満のオーバーコート層は下層の光受容体に十分な
保護を与えそこなう。より大きな保護は少なくと
も約3μｍのオーバーコート厚によつて与えられ
る。オーバーコート厚が約15μｍを越えると、最
終トナー像の解像力が悪化し始める。より鮮明な
像解像力は約8μｍ未満のオーバーコート厚で得
られる。従つて、最適な保護および解像力のため
には3μｍ〜約8μｍのオーバーコート厚が好まし
い。 最終の乾燥または硬化されたオーバーコートは
帯電前に実質的に絶縁性であるべきである。電荷
注入賦与粒子から輸送分子への注入を本質的に行
わない十分低い電界中で最終オーバーコートが少
なくとも約1013Ω−cmの抵抗率を有する場合には
満足な結果が達成される。より明確に云うと、オ
ーバーコートは暗所で実質的に電気絶縁性であ
り、従つて電荷注入賦与粒子は約5V／μｍ未満
の印加電界が導電性基体からオーバコートの外表
面まで像形成部材を横切つて印加された場合に約
10-12秒未満で分極しそして電荷担体を約10μ秒未
満で連続電荷輸送相に注入することはない。最終
の乾燥または硬化されたオーバーコートはまたそ
の下の光導電層が感ずるスペクトル領域で実質的
に非吸収性であるべきである。表現「実質的に非
吸収性」とは下層の光導電層が感ずるスペクトル
領域における透明度約10％〜約100％として定義
される。下層の光導電層が感ずるスペクトル領域
で少なくとも約50％の透明度はより速いスピード
のために好ましく、そして最適スピードは少なく
とも80％の透明度で達成された。 必要ならば、オーバーコート層とその下の光導
電層との間にブロツキング層を利用してもよい。
ブロツキング層は電荷輸送分子が正孔輸送分子で
ある正常電電子写真像形成部材にとつては特に望
ましい。オーバーコート層を通つてオーバーコー
ト層とその下の光導電層との間の界面へ輸送され
た電荷担体を捕獲することができそしてオーバー
コート層より大きな電気抵抗率を有する適切なブ
ロツキング層はいずれも利用できる。代表的なブ
ロツキング層は有機金属塩を含有するポリビニル
ブチラール、オルガノシラン、エポキシ樹脂、ポ
リエステル、ポリアミド、ポリウレタン、塩化ビ
ニリデン樹脂、シリコーン樹脂、フルオロカーボ
ン樹脂等である。別の代表的なブロツキング層材
料は米国特許第4338387号および第4286033号に開
示されているようなセレン、セレンヒ素合金およ
びハロゲンドープトセレンヒ素合金；米国特許第
4291110号に開示されているような、含窒素シロ
キサンまたは含窒素チタン化合物例えばトリメト
キシシリルプロピレンジアミン、加水分解された
トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、
Ｎ−β−（アミノエチル）γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、イソプロピル４−アミノベン
ゼンスルホニル、ジ（ドデシルベンゼンスルホニ
ル）チタネート、イソプロピルジ（４−アミノベ
ンゾイル）イソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリ（Ｎ−エチルアミノエチルアミノ）チ
タネート、イソプロピルトリアントラニルチタネ
ート、イソプロピルウトリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルエ
チルアミノ）チタネート、チタン−４−アミノベ
ンゼンスルホネートオキシアセテート、チタン４
−アミノベンゾエートイソステアレートオキシア
セテート、〔H2N（CH2）4〕CH3Si（OCH3）2、（γ
−アミノブチル）メチルジエトキシシラン、およ
び〔H2N（CH2）3〕CH3Si（OCH3）2（γ−アミノプ
ロピル）メチルジエトキシシラン；金属アセチル
アセトネート化合物例えばチタンアセチルアセト
ネート、アルミニウムトリス（アセチルアセトネ
ート）、鉄トリス（アセチルアセトネート）、コバ
ルトビス（アセチルアセテート）、銅ビス（アセ
チルアセトネート）、マグネシウムビス（アセチ
ルアセトネート）、マンガン（）ビス（アセチ
ルアセトネート）、ニツケル（）ビスアセチル
アセトネート）、バナジウムトリス（アセチルア
セトネート）、垂鉛ビス（アセチルアセトネー
ト）、錫ビス（アセチルアセトネート）、金属アル
コラート例えばアルミニウムイソプロピラート、
モノ−sec−ブトキシアルミニウムジイソプロピ
ラート、アルミニウムsec−ブチラート、エチル
アセトアセテートアルミニウムジイソプロピラー
ト、バナジウムエチラート、バナジウムｎ−プロ
ピラート、バナジウムイソブチラート、チタンオ
ルトエステル例えばテトラメチルオルトチタネー
ト、テトラエチルオルトチタネート、テトラ−ｎ
−プロピルオルトチタネート、テトライソプロピ
ルオルトチタネート、テトラブチルオルトチタネ
ート、テトライソブチルオルトチタネート、テト
ラクレジルチタネート、テトラステアリルチタネ
ート、テトラ−２−エチルヘキシルチタネート、
テトラノニルチタネート、テトラセチルチタネー
ト、イソプロピルトリイソステアロイルチタネー
ト、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニ
ルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチル
ピロホスフエート）チタネート、チタンキレート
例えばジイソプロポキシチタンビス（オクタンジ
オール）、ジイソプロポキシチタンビス（ヘキサ
ンジオール）、ジイソプロポキシチタンビス（ア
セチルアセトネート）、チタンテトララクテート、
テトライソプロピルビス（ジオクチルホスフイツ
ト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデ
シルホスフイツト）チタネート、テトラ（２，２
−ジリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジト
リデシルホスフイツト）、ビス（ジオクチルピロ
ホスフエート）オキシアセテートチタネート、ト
リス（ジオクチルピロホスフエート）エチレンチ
タネート、および例えば1983年４月13日に公開さ
れた英国特許出願GB2106659Aに開示されている
その他の適する有機チタン化合物である。米国特
許第4338387号、第4286033号および第4291110号、
および英国特許出願GB2106659Aは全体に本願の
参考になる。チタン以外の金属の類似有機金属塩
もブロツキング層に使用できる。これ等他の金属
はF.アルバート・コツトンとゲオフレイ・ウイル
キンソンの著書「アドバンスド・インオーガニツ
ク・ケミストリー」第４版、第619〜621頁に規定
されているような第１および第２遷移系からの遷
移元素である。チタン以外の金属のこれ等有機金
属塩の例はジルコニウムアセチルアセトネート、
ジルコニウムｎ−プロポキシド、ジルコニウムｎ
−ブトキシド、ジルコニウムテトラ−ｎ−ブチレ
ート、ジルコニウムテトラキスアセチルアセトネ
ート等である。ブロツキング層は連続であり且つ
約0.2μｍ未満の厚さを有しているべきである。そ
れより大きい厚さは望ましくない高残留電圧を導
く。約0.05μｍ〜約0.15μｍのブロツキング層は露
光段階後の電荷中和を促進しそして十分な電気性
能を達成するので好ましい。 ブロツキング層は吹付け、浸漬塗布、ドローバ
ー塗布、グラビア塗布、シルクスクリーン塗布、
エアナイフ塗布、リバースロール塗布、真空蒸着
等のようないずれか適する通常の手段によつて適
用されてもよい。 薄い層を得る場合の便宜のためには、ブロツキ
ング層は好ましくは希釈溶液の形態で適用され、
その溶剤は被膜の付着後に真空、加熱等のような
通常の手段によつて除去される。一般に、吹付け
塗布のためにはブロツキング層材料と溶剤の重量
比は約0.05：100から約0.5：100までの間で満足
である。 どの適する光導電性部材が本発明のオーバーコ
ート層でオーバーコートされてもよい。一般に、
光導電性部材は光導電層１層以上と支持基体から
なる。基体は不透明であつても実質的に透明であ
つてもよく、そして必要な機械的性質を有する多
数の適切な材料から構成できる。従つて、この基
体は無機または有機組成物のような非導電性また
は導電性材料の層から構成されてもよい。基体が
非導電性材料からなる場合には、通常それは導電
性組成物で被覆される。この目的のためには、ポ
リエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポ
リウレタン等も含めて種々の公知樹脂を絶縁性非
導電性材料として使用してもよい。絶縁性または
導電性基体は可撓性であつても又は硬質であつて
もよく、例えばプレート、円筒状ドラム、スクロ
ール、無端可撓性ベルト等のような多数のさまざ
まな構造をとることができる。好ましくは、絶縁
性基体は無端可撓性ベルトの形態であり、そして
E.I.デユポンドヌムール社から入手できるマイラ
ーとして知られている市販のポリエチレンテレフ
タレートポリエステルからなる。 基体層の厚さは経済的考慮も含めて多数の因子
に左右されるので、この層は最終光導電性デバイ
スに悪影響を与えないことを条件に例えば200μ
超のかなりの厚さのものであつても又は50μ未満
の最小厚さのものであつてもよい。一態様におい
て、この層の厚さは約65μ〜約150μ、好ましくは
約75μ〜約125μの範囲にある。 基体全体を構成する又は非導電性層上の被膜と
して存在する導電性層または基板は例えばアルミ
ニウム、チタン、ニツケル、クロム、黄銅、金、
ステンレス鋼、カーボンブラツク、グラフアイト
等も含めていずれの適する材料から構成されても
よい。導電性層の厚さは光導電性部材の所望の用
途に応じてかなり広い範囲にわたつて変動可能で
ある。従つて、導電性層は一般に厚さ約50Å単位
から数cmにおよぶことがある。可撓性光応答性像
形成デバイスが必要な場合には、その厚さは約
100Å単位〜約750Å単位、より好ましくは約100
Å単位〜約200Å単位にあつてもよい。 適する光導電性層のいずれを本発明のオーバー
コート層でオーバーコートしてもよい。光導電性
層（単数または複数）は無機であつても有機であ
つてもよい。代表的な無機光導電性材料は無定形
セレン、セレン合金、ハロゲンドープトセレン合
金、例えばセレン−テルル、セレン−テルル−ヒ
素、セレン−ヒ素等、カドミウムスルホセレン化
物、カドミウムセレン化物、硫化カドミウム、酸
化亜鉛、二酸化チタン等のような周知の材料を包
含する。代表的な有機光導電体はフタロシアニ
ン、キナクリドン、ピラゾロン、ポリビニルカル
バゾール−２，４，７−トリニトロフルオレノ
ン、アントラセン等である。樹脂バインダー中に
分散された粒子として多数の有機光導電体を使用
してもよい。 適切な多層光導電体はまたどれでも本発明のオ
ーバーコート層と共に使用できる。多層光導電体
は少なくとも２層の電気作用層即ち光発生または
電荷発生層と電荷輸送層からなる。光発生層の例
は三方晶系セレン、種々のフタロシアニン顔料例
えば米国特許第3357989号に記載されているＸ型
無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン例え
ば銅フタロシアニン、デユポン社から商品名モナ
ストラルレツド、モナストラルバイオレツトおよ
びモナストラルレツドＹで入手できるキナクリド
ン、米国特許第3442781号に開示されている置換
２，４−ジアミノ−トリアジン、アライドケミカ
ルコーポレーシヨンから商品名インドフアストダ
ブルスカーレツト、インドフアストバイオレツト
レイクＢ、インドフアストブリリアントスカーレ
ツトおよびインドフアストオレンジで入手できる
多核芳香族キノンである。少なくとも２層の電気
作用層を有する感光性部材の例は米国特許第
4265990号、米国特許第4233384号、米国特許第
4306008号、米国特許第4299897号、および1983年
２月15日にレオンA.チユーシヤー、フランクY.
パンおよびアイアンD.モリスンの名で出願され
た「積層光応答性像形成デバイス（Layered
Photoresponsine Imaging Devices）」と題する
共願中の米国特許出願第466764号に開示されてい
る電荷発生層とジアミン含有輸送層の部材；米国
特許第3895944号に開示されている色素発生体層
とオキサジアゾール、ピラゾロン、イミダゾー
ル、ブロモピレン、ニトロフルオウレンおよびニ
トロナフタルイミド誘導体含有電荷輸送層の部
材；米国特許第4150987号に開示されている発生
体層とヒドラゾン含有電荷輸送層部材；米国特許
第3847851号に開示されている発生体層とトリア
リールピラゾリン化合物含有電荷輸送層部材；お
よび類似物である。これ等特許および出願の開示
は全体に本願の参考になる。 好ましい多層光導電体は光導電性材料の層から
なる電荷発生層と、分子量約20000〜約120000の
ポリカーボネート樹脂材料中に一般式
カルボニル基であり、Ａ、ＢおよびＷはアシル、
アルコキシカルボニル、ニトロ、アルキルアミノ
カルボニルおよびそれ等の誘導体からなる群から
個別に選択された電子吸引性基であり、ｍは０〜
２の数であり、そしてｎは数０または１である。
上記式によつて包囲される代表的な９−フルオレ
ニリデンメタン誘導体は（４−ｎ−ブトキシカル
ボニル−９−フルオレニリデン）マロノントリ
ル、（４−フエネトキシカルボニル−９−フルオ
レニリデン）マロノントリル、（４−カルビトキ
シ−９−フルオレニリデン）マロノントリル、
（４−ｎ−ブトキシカルボニル−２，７−ジニト
ロ−９−フルオレニリデン）マロネート等であ
る。 その他の代表的な輸送材料は米国特許第
3870516号に記載されている多数の透明有機非重
合体輸送材料、および米国特許第4346157号に記
載されている非イオン性化合物等である。 皮膜形成性バインダーに可溶性のまたは分子ス
ケールで分散可能な電荷担体分子に関する上記特
許および特許出願の各々の開示は全体に本願の参
考になる。 その他の輸送材料例えばポリ−１−ビニルピレ
ン、ポリ−９−ビニルアントラセン、ポリ−９−
（４−ペンテニル）−カルバゾール、ポリ−９−
（５−ヘキシル）−カルバゾール、ポリメチレンピ
レン、ポリ−１−（ピレニル）−ブタジエン；アル
キル、ニトロ、アミノ、ハロゲンおよびヒドロキ
シ置換ポリマーのようなポリマー例えばポリ−３
−アミノカルバゾール、１，３−ジブロモ−ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾールおよび３，６−ジブロ
モ−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール；および米国
特許第3870516号に記載されているような多数の
その他透明有機重合体または非重合体の輸送材
料。 電荷輸送分子を絶縁性皮膜形成性バインダーと
組合わせる場合、使用される電荷輸送分子の量は
具体的な電荷輸送材料およびその相溶性（例え
ば、オーバーコート層の連続絶縁性皮膜形成性バ
インダー相中への溶解性）等に依存して変動す
る。電荷輸送成分と電荷発生成分を含有する光受
容体の電荷輸送媒体を形成するために通常使用さ
れている割合を用いて満足な結果が得られてい
る。電荷輸送成分と電荷発生成分を含有する光受
容体の電荷輸送媒体を形成するために通常使用さ
れている割合は上記の列挙文献に記載されてい
る。 オーバーコート層が絶縁性皮膜形成性バインダ
ーとその皮膜形成性バインダー中の固溶体状また
は分子分散物状の電荷輸送分子だけから構成され
ている場合には、オーバーコート層は帯電後少な
くとも像露出段階まで絶縁性のままである。しか
しながら、電荷担体輸送可能な絶縁性皮膜連続相
を含有するオーバーコート層中に十分な電荷注入
賦与粒子が分散されている場合には、電荷注入賦
与粒子を分極することによつて電荷注入賦与粒子
が電荷担体をオーバーコート層の連続相に注入
し、電荷担体がオーバーコート層とその下の光導
電層との間の界面に輸送され捕獲されることを可
能にし、そしてオーバーコート層中の反対空間電
荷が電荷注入賦与粒子からオーバーコート層の像
形成外表面への電荷放出によつて緩和されるよう
に十分な電界が印加されるまではオーバーコート
層は絶縁体であると云う能力を必要とする。適す
る有機または無機電荷注入賦与粒子はいずれも本
発明のオーバーコートに利用できる。電荷注入賦
与粒子は正孔注入賦与粒子であつても又は電子注
入賦与粒子であつてもよい。粒子の濃度および全
体の電界が電荷注入賦与粒子を迅速に分極させそ
して電荷担体をオーバーコート層の連続相に注入
させるのに十分である限りどの粒子も電荷注入賦
与粒子として作用できる。一般に、電荷注入賦与
粒子は電荷注入賦与性であるために約1012Ωcmの
電気抵抗率を有する。代表的な無機の電荷注入賦
与粒子はカーボンブラツク、二硫化モリブデン、
酸化錫、酸化アンチモン、酸化クロム、酸化亜
鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム、二酸化マグ
ネシウム、酸化アルミニウム、その他金属酸化
物、コロイド状シリカ、シランで処理されたコロ
イド状シリカ、グラフアイト、錫、アルミニウ
ム、ニツケル、鋼、銀、金、その他金属、それ等
の酸化物、硫化物、ハロゲン化物およびその他塩
形態、等である。 有機の電荷注入賦与粒子の代表例はフツ素化炭
素粒子；フタロシアニン顔料粒子；キナクリドン
顔料粒子；テトラシアノキノジメタンと重合体第
四アンモニウム塩の導電性錯体、ポリ（２−ビニ
ルピリデン）、ポリ（４−ビニルピリデン）、ポリ
（Ｎ−ビニルイミダゾール）、ポリ（４−ジメチル
アミノスチレン）、およびイオンエンポリマー；
ブラツク臭素化ポリ（シクロペンタジエン）；ポ
リ（アルキルビニルケトン）と塩化ホスホリルの
重合体反応生成物；金属ポリフタロシアニン；約
200℃の金属表面に付着したテトラシアノエチレ
ン溶液相から生成されたテトラニトリル；チーグ
ラー−ナツタ触媒〔Ti（OC4H9−ｎ）4−Al
（C2H5）3〕の濃度溶液の膜にアセチレンを暴露す
ることによつて製造されたポリアセチレンのトラ
ンス異性体；ポリ（ｐ−フエニレンオキシド）；
ピロールの電解によつて生成されたポリピロー
ル；ポリ（フエニルアセチレン）の熱分解によつ
て生成された導電性ポリマー；ポリイン（200〜
600℃で熱分解された）、ポリ（アシルアセチレ
ン）（400〜870℃で熱分解された）、重合体シツフ
塩基（500℃で熱分解された）、およびポリアミノ
キノン（500℃で熱分解された）；Cu2+Ni（S2C2
（CN）2）2 2-；銅テトラシアノキノジメタン；カリ
ウムテトラシアノキノジメタン；ナトリウムテト
ラシアノキノジメタン；リチウムテトラシアノキ
ノジメタン；アントラセンとテトラシアノキノジ
メタンの錯体；ピレンとテトラシアノキノジメタ
ンの錯体；高スルホン化度のポリスチレンスルホ
ン酸（ナシヨナルスターチ＆ケミカル社から入手
できるバーサTL−２）；その他の有機顔料粒子等
である。 電荷注入賦与粒子の粒子サイズは約45μｍ未満
であるべきであるが、好ましくは約10μｍ未満で
且つ内側の光導電層を急速露光するために利用さ
れる光の波長未満であるべきである。云い換えれ
ば、粒子サイズはオーバコート層をしてその下の
光導電層（単数または複数）が感ずる光の波長に
対して実質的に透明に維持するのに十分でなけれ
ばならない。約4000Å超の波長を有する光源には
約100Å〜約500Åの粒子サイズが適することがわ
かつた。一般に、オーバーコート層はオーバーコ
ート層全重量に対して少なくとも約0.1重量％の
電荷注入賦与粒子を含有すべきである。もつと低
い濃度では、顕著な残留電荷を生ずる傾向があ
る。低レベルの残留電荷は周知のように電気バイ
アスを印加することによつて現像中に補償するこ
とができる。使用される電荷注入賦与粒子の量の
上限はオーバーコート層を通る必要な電荷の流れ
の相対量に依存するが、オーバーコートの透明度
を約10％未満の値に減少させず且つオーバーコー
トを導電性にし過ぎない量であるべきである。溶
解されたＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス
（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，
4′−ジアミン（電荷担体分子）を含有するポリカ
ーボネート樹脂中に分散されたシリカ粒子（比較
的劣つた電荷注入賦与材料）については、満足な
結果はオーバーコート層の全重量に対して50重量
％もの高濃度の電荷注入賦与粒子によつて達成さ
れた。電荷輸送分子の不在下では、ポリカーボネ
ート樹脂中に分散されたシリカ粒子がオーバーコ
ート層全重量に対して50重量％であるオーバーコ
ート層は印加電界中で絶縁性のままであつた。有
能なそして高導電性の電荷注入賦与粒子を利用す
る場合には電荷注入賦与粒子の濃度はオーバーコ
ート層の全重量に対して50重量％よりかなり低く
すべきである。例えば、溶解されたＮ，N′−ジ
フエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフエニル）
１，1′−ビフエニル−４，4′−ジアミンを含有す
るポリカーボネート樹脂中に分散された、オーバ
ーコート層の全重量に対して50重量％濃度のカー
ボンブラツク電荷注入賦与粒子でシリカ粒子を置
き換えた場合、オーバーコート層は印加電界中で
望ましくないことには導電性になる。一般に、オ
ーバーコート層と光導電層を横切つて印加された
約5V／μｍ超の電解中で電荷注入賦与粒子が暗
所で約10-12秒未満で即時に分極しそして電荷担
体を約10μ秒未満で連続相に注入する場合又はオ
ーバコート層と光導電層を横切つて印加された約
5V／μｍ未満の電界中で電荷注入賦与粒子が暗
所で約10-12秒超で分極しそして電荷担体を約10μ
秒超で連続相に注入する場合に十分な濃度の電荷
注入賦与粒子が存在する。従つて、約5V／μｍ
〜約80V／μｍの印加電界が暗所で導電性基体か
らオーバーコートの外表面まで像形成部材を横切
つて印加されそして保護オーバーコート上に約10
〜約250V／μｍ未満の残留電圧を形成する場合
に電荷注入賦与粒子は約10-12秒未満で分極しそ
して電荷担体を約10μ秒未満で連続電荷輸送相に
注入する。電界はいずれか適する帯電技術によつ
て印加される。代表的な帯電技術はコロナ帯電、
ブラシ帯電、スタイラス帯電、コンタクト帯電等
である。 オーバーコート層の成分はいずれか適する通常
の手段で混合される。代表的な混合手段は撹拌
棒、超音波バイブレーター、磁気的撹拌器、ペイ
ントシエーカー、サンドミル、ロールペブルミ
ル、ソニツクミキサー、溶融混合装器等である。
しかしながら、絶縁性皮膜形成性バインダーが電
荷輸送分子とは異なる物質である場合には、電荷
輸送分子が絶縁性皮膜形成性バインダー中に溶解
するか又は分子分散可能であるかのどちらかでな
ければならないと云うことは重要である。必要な
らば、皮膜形成性バインダーおよび電荷輸送分子
のための溶剤または混合溶剤を利用してもよい。
好ましくは、溶剤または混合溶剤は絶縁性皮膜形
成性バインダーおよび電荷輸送分子の両方を溶解
すべきである。選択される溶剤は下層の光受容体
に悪影響を与えるべきでない。例えば、選択溶剤
は下層の光受容体を溶解または結晶化すべきでな
い。 オーバーコート混合物は光導電性部材またはブ
ロツキング層を利用する場合にはそのブロツキン
グ層に適用される。オーバーコート混合物はいず
れか周知技術で適用されてもよい。代表的な被覆
技術は吹付け、ドローバー塗布、浸漬塗布、グラ
ビア塗布、シルクスクリーン、エアナイフ塗布、
リバースロール塗布、押出技術等である。オーバ
ーコートを乾燥するために適する通常の乾燥また
は硬化技術を利用してもよい。乾燥または硬化技
術は下層の光受容体を損傷しないように選択され
るべきである。例えば、無定形セレン光受容体を
用いた場合にはオーバーコート乾燥温度は無定形
セレンの結晶を起こさせるべきでない。 乾燥または硬化後のオーバーコート層の厚さは
約1μｍ〜約15μｍがよかろう。一般に、約1μｍ未
満のオーバーコート層は下層の光受容体に十分な
保護を与えそこなう。より大きな保護は少なくと
も約3μｍのオーバーコート厚によつて与えられ
る。オーバーコート厚が約15μｍを越えると、最
終トナー像の解像力が悪化し始める。より鮮明な
像解像力は約8μｍ未満のオーバーコート厚で得
られる。従つて、最適な保護および解像力のため
には3μｍ〜約8μｍのオーバーコート厚が好まし
い。 最終の乾燥または硬化されたオーバーコートは
帯電前に実質的に絶縁性であるべきである。電荷
注入賦与粒子から輸送分子への注入を本質的に行
わない十分低い電界中で最終オーバーコートが少
なくとも約1013Ω−cmの抵抗率を有する場合には
満足な結果が達成される。より明確に云うと、オ
ーバーコートは暗所で実質的に電気絶縁性であ
り、従つて電荷注入賦与粒子は約5V／μｍ未満
の印加電界が導電性基体からオーバコートの外表
面まで像形成部材を横切つて印加された場合に約
10-12秒未満で分極しそして電荷担体を約10μ秒未
満で連続電荷輸送相に注入することはない。最終
の乾燥または硬化されたオーバーコートはまたそ
の下の光導電層が感ずるスペクトル領域で実質的
に非吸収性であるべきである。表現「実質的に非
吸収性」とは下層の光導電層が感ずるスペクトル
領域における透明度約10％〜約100％として定義
される。下層の光導電層が感ずるスペクトル領域
で少なくとも約50％の透明度はより速いスピード
のために好ましく、そして最適スピードは少なく
とも80％の透明度で達成された。 必要ならば、オーバーコート層とその下の光導
電層との間にブロツキング層を利用してもよい。
ブロツキング層は電荷輸送分子が正孔輸送分子で
ある正常電電子写真像形成部材にとつては特に望
ましい。オーバーコート層を通つてオーバーコー
ト層とその下の光導電層との間の界面へ輸送され
た電荷担体を捕獲することができそしてオーバー
コート層より大きな電気抵抗率を有する適切なブ
ロツキング層はいずれも利用できる。代表的なブ
ロツキング層は有機金属塩を含有するポリビニル
ブチラール、オルガノシラン、エポキシ樹脂、ポ
リエステル、ポリアミド、ポリウレタン、塩化ビ
ニリデン樹脂、シリコーン樹脂、フルオロカーボ
ン樹脂等である。別の代表的なブロツキング層材
料は米国特許第4338387号および第4286033号に開
示されているようなセレン、セレンヒ素合金およ
びハロゲンドープトセレンヒ素合金；米国特許第
4291110号に開示されているような、含窒素シロ
キサンまたは含窒素チタン化合物例えばトリメト
キシシリルプロピレンジアミン、加水分解された
トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、
Ｎ−β−（アミノエチル）γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、イソプロピル４−アミノベン
ゼンスルホニル、ジ（ドデシルベンゼンスルホニ
ル）チタネート、イソプロピルジ（４−アミノベ
ンゾイル）イソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリ（Ｎ−エチルアミノエチルアミノ）チ
タネート、イソプロピルトリアントラニルチタネ
ート、イソプロピルウトリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルエ
チルアミノ）チタネート、チタン−４−アミノベ
ンゼンスルホネートオキシアセテート、チタン４
−アミノベンゾエートイソステアレートオキシア
セテート、〔H2N（CH2）4〕CH3Si（OCH3）2、（γ
−アミノブチル）メチルジエトキシシラン、およ
び〔H2N（CH2）3〕CH3Si（OCH3）2（γ−アミノプ
ロピル）メチルジエトキシシラン；金属アセチル
アセトネート化合物例えばチタンアセチルアセト
ネート、アルミニウムトリス（アセチルアセトネ
ート）、鉄トリス（アセチルアセトネート）、コバ
ルトビス（アセチルアセテート）、銅ビス（アセ
チルアセトネート）、マグネシウムビス（アセチ
ルアセトネート）、マンガン（）ビス（アセチ
ルアセトネート）、ニツケル（）ビスアセチル
アセトネート）、バナジウムトリス（アセチルア
セトネート）、垂鉛ビス（アセチルアセトネー
ト）、錫ビス（アセチルアセトネート）、金属アル
コラート例えばアルミニウムイソプロピラート、
モノ−sec−ブトキシアルミニウムジイソプロピ
ラート、アルミニウムsec−ブチラート、エチル
アセトアセテートアルミニウムジイソプロピラー
ト、バナジウムエチラート、バナジウムｎ−プロ
ピラート、バナジウムイソブチラート、チタンオ
ルトエステル例えばテトラメチルオルトチタネー
ト、テトラエチルオルトチタネート、テトラ−ｎ
−プロピルオルトチタネート、テトライソプロピ
ルオルトチタネート、テトラブチルオルトチタネ
ート、テトライソブチルオルトチタネート、テト
ラクレジルチタネート、テトラステアリルチタネ
ート、テトラ−２−エチルヘキシルチタネート、
テトラノニルチタネート、テトラセチルチタネー
ト、イソプロピルトリイソステアロイルチタネー
ト、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニ
ルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチル
ピロホスフエート）チタネート、チタンキレート
例えばジイソプロポキシチタンビス（オクタンジ
オール）、ジイソプロポキシチタンビス（ヘキサ
ンジオール）、ジイソプロポキシチタンビス（ア
セチルアセトネート）、チタンテトララクテート、
テトライソプロピルビス（ジオクチルホスフイツ
ト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデ
シルホスフイツト）チタネート、テトラ（２，２
−ジリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジト
リデシルホスフイツト）、ビス（ジオクチルピロ
ホスフエート）オキシアセテートチタネート、ト
リス（ジオクチルピロホスフエート）エチレンチ
タネート、および例えば1983年４月13日に公開さ
れた英国特許出願GB2106659Aに開示されている
その他の適する有機チタン化合物である。米国特
許第4338387号、第4286033号および第4291110号、
および英国特許出願GB2106659Aは全体に本願の
参考になる。チタン以外の金属の類似有機金属塩
もブロツキング層に使用できる。これ等他の金属
はF.アルバート・コツトンとゲオフレイ・ウイル
キンソンの著書「アドバンスド・インオーガニツ
ク・ケミストリー」第４版、第619〜621頁に規定
されているような第１および第２遷移系からの遷
移元素である。チタン以外の金属のこれ等有機金
属塩の例はジルコニウムアセチルアセトネート、
ジルコニウムｎ−プロポキシド、ジルコニウムｎ
−ブトキシド、ジルコニウムテトラ−ｎ−ブチレ
ート、ジルコニウムテトラキスアセチルアセトネ
ート等である。ブロツキング層は連続であり且つ
約0.2μｍ未満の厚さを有しているべきである。そ
れより大きい厚さは望ましくない高残留電圧を導
く。約0.05μｍ〜約0.15μｍのブロツキング層は露
光段階後の電荷中和を促進しそして十分な電気性
能を達成するので好ましい。 ブロツキング層は吹付け、浸漬塗布、ドローバ
ー塗布、グラビア塗布、シルクスクリーン塗布、
エアナイフ塗布、リバースロール塗布、真空蒸着
等のようないずれか適する通常の手段によつて適
用されてもよい。 薄い層を得る場合の便宜のためには、ブロツキ
ング層は好ましくは希釈溶液の形態で適用され、
その溶剤は被膜の付着後に真空、加熱等のような
通常の手段によつて除去される。一般に、吹付け
塗布のためにはブロツキング層材料と溶剤の重量
比は約0.05：100から約0.5：100までの間で満足
である。 どの適する光導電性部材が本発明のオーバーコ
ート層でオーバーコートされてもよい。一般に、
光導電性部材は光導電層１層以上と支持基体から
なる。基体は不透明であつても実質的に透明であ
つてもよく、そして必要な機械的性質を有する多
数の適切な材料から構成できる。従つて、この基
体は無機または有機組成物のような非導電性また
は導電性材料の層から構成されてもよい。基体が
非導電性材料からなる場合には、通常それは導電
性組成物で被覆される。この目的のためには、ポ
リエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポ
リウレタン等も含めて種々の公知樹脂を絶縁性非
導電性材料として使用してもよい。絶縁性または
導電性基体は可撓性であつても又は硬質であつて
もよく、例えばプレート、円筒状ドラム、スクロ
ール、無端可撓性ベルト等のような多数のさまざ
まな構造をとることができる。好ましくは、絶縁
性基体は無端可撓性ベルトの形態であり、そして
E.I.デユポンドヌムール社から入手できるマイラ
ーとして知られている市販のポリエチレンテレフ
タレートポリエステルからなる。 基体層の厚さは経済的考慮も含めて多数の因子
に左右されるので、この層は最終光導電性デバイ
スに悪影響を与えないことを条件に例えば200μ
超のかなりの厚さのものであつても又は50μ未満
の最小厚さのものであつてもよい。一態様におい
て、この層の厚さは約65μ〜約150μ、好ましくは
約75μ〜約125μの範囲にある。 基体全体を構成する又は非導電性層上の被膜と
して存在する導電性層または基板は例えばアルミ
ニウム、チタン、ニツケル、クロム、黄銅、金、
ステンレス鋼、カーボンブラツク、グラフアイト
等も含めていずれの適する材料から構成されても
よい。導電性層の厚さは光導電性部材の所望の用
途に応じてかなり広い範囲にわたつて変動可能で
ある。従つて、導電性層は一般に厚さ約50Å単位
から数cmにおよぶことがある。可撓性光応答性像
形成デバイスが必要な場合には、その厚さは約
100Å単位〜約750Å単位、より好ましくは約100
Å単位〜約200Å単位にあつてもよい。 適する光導電性層のいずれを本発明のオーバー
コート層でオーバーコートしてもよい。光導電性
層（単数または複数）は無機であつても有機であ
つてもよい。代表的な無機光導電性材料は無定形
セレン、セレン合金、ハロゲンドープトセレン合
金、例えばセレン−テルル、セレン−テルル−ヒ
素、セレン−ヒ素等、カドミウムスルホセレン化
物、カドミウムセレン化物、硫化カドミウム、酸
化亜鉛、二酸化チタン等のような周知の材料を包
含する。代表的な有機光導電体はフタロシアニ
ン、キナクリドン、ピラゾロン、ポリビニルカル
バゾール−２，４，７−トリニトロフルオレノ
ン、アントラセン等である。樹脂バインダー中に
分散された粒子として多数の有機光導電体を使用
してもよい。 適切な多層光導電体はまたどれでも本発明のオ
ーバーコート層と共に使用できる。多層光導電体
は少なくとも２層の電気作用層即ち光発生または
電荷発生層と電荷輸送層からなる。光発生層の例
は三方晶系セレン、種々のフタロシアニン顔料例
えば米国特許第3357989号に記載されているＸ型
無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン例え
ば銅フタロシアニン、デユポン社から商品名モナ
ストラルレツド、モナストラルバイオレツトおよ
びモナストラルレツドＹで入手できるキナクリド
ン、米国特許第3442781号に開示されている置換
２，４−ジアミノ−トリアジン、アライドケミカ
ルコーポレーシヨンから商品名インドフアストダ
ブルスカーレツト、インドフアストバイオレツト
レイクＢ、インドフアストブリリアントスカーレ
ツトおよびインドフアストオレンジで入手できる
多核芳香族キノンである。少なくとも２層の電気
作用層を有する感光性部材の例は米国特許第
4265990号、米国特許第4233384号、米国特許第
4306008号、米国特許第4299897号、および1983年
２月15日にレオンA.チユーシヤー、フランクY.
パンおよびアイアンD.モリスンの名で出願され
た「積層光応答性像形成デバイス（Layered
Photoresponsine Imaging Devices）」と題する
共願中の米国特許出願第466764号に開示されてい
る電荷発生層とジアミン含有輸送層の部材；米国
特許第3895944号に開示されている色素発生体層
とオキサジアゾール、ピラゾロン、イミダゾー
ル、ブロモピレン、ニトロフルオウレンおよびニ
トロナフタルイミド誘導体含有電荷輸送層の部
材；米国特許第4150987号に開示されている発生
体層とヒドラゾン含有電荷輸送層部材；米国特許
第3847851号に開示されている発生体層とトリア
リールピラゾリン化合物含有電荷輸送層部材；お
よび類似物である。これ等特許および出願の開示
は全体に本願の参考になる。 好ましい多層光導電体は光導電性材料の層から
なる電荷発生層と、分子量約20000〜約120000の
ポリカーボネート樹脂材料中に一般式
【化】
（式中、Ｘは１〜約４個の炭素原子を有するアル
キル基および塩素からなる群から選択される）を
有する１種以上の化合物約25〜約75重量％が分散
されている連続電荷輸送層からなり、該光導電層
は正孔の光発生と該正孔の注入の能力を示し、そ
して該電荷輸送層は光導電層が正孔を発生しそし
て光発生された正孔を注入するスペクトル領域で
実質的に非吸収性であるが該光導電層から光発生
された正孔の注入を補佐しそして該電荷輸送層を
通して該正孔を輸送することができる。電荷発生
層の光発生正孔の注入を補佐しそして電荷輸送層
を通して正孔を輸送することができる電荷輸送層
のその他の例は不活性樹脂バインダー中に分散さ
れたトリフエニルメタン、ビス（４−ジエチルア
ミン−２−メチルフエニル）フエニルメタン；
4′，4″−ビス（ジエチルアミノ）−2′，2″−ジメチ
ルトリフエニルメタン等である。 電荷輸送層には、例えば米国特許第3121006号
（その開示全体は本願の参考になる）に記載され
ているものも含めて多数の不活性樹脂材料が使用
できる。電荷輸送層用の樹脂バインダーは電荷発
生層に使用される樹脂バインダーと同じであつて
もよい。代表的な有機樹脂バインダーはポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレ
タン、ポリスチレン、ポリアリールエーテル、ポ
リアリールスルホン、ポリブタジエン、ポリスル
ホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリイミド、ポリメチルペンテ
ン、ポリフエニレンスルフイド、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリビ
ニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミ
ノ樹脂、フエニレンオキシド樹脂、テレフタル酸
樹脂、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリスチ
レン−アクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アクリレ
ート共重合体、アルキド樹脂、セルロース系皮膜
形成性剤、ポリ（アミド−イミド）、スチレン−
ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニ
ル共重合体、酢酸ビニル−塩化ビニリデン共重合
体、スチレン−アルキド樹脂等のような熱可塑性
および熱硬化性樹脂である。これ等重合体はブロ
ツク共重合体であつても、ランダム共重合体であ
つてもまたは交互共重合体であつてもよい。優れ
た結果は下記式のものからなる群から選択された
ポリ（ヒドロキシエーテル）材料からなる樹脂バ
インダー材料を用いて達成できる：
キル基および塩素からなる群から選択される）を
有する１種以上の化合物約25〜約75重量％が分散
されている連続電荷輸送層からなり、該光導電層
は正孔の光発生と該正孔の注入の能力を示し、そ
して該電荷輸送層は光導電層が正孔を発生しそし
て光発生された正孔を注入するスペクトル領域で
実質的に非吸収性であるが該光導電層から光発生
された正孔の注入を補佐しそして該電荷輸送層を
通して該正孔を輸送することができる。電荷発生
層の光発生正孔の注入を補佐しそして電荷輸送層
を通して正孔を輸送することができる電荷輸送層
のその他の例は不活性樹脂バインダー中に分散さ
れたトリフエニルメタン、ビス（４−ジエチルア
ミン−２−メチルフエニル）フエニルメタン；
4′，4″−ビス（ジエチルアミノ）−2′，2″−ジメチ
ルトリフエニルメタン等である。 電荷輸送層には、例えば米国特許第3121006号
（その開示全体は本願の参考になる）に記載され
ているものも含めて多数の不活性樹脂材料が使用
できる。電荷輸送層用の樹脂バインダーは電荷発
生層に使用される樹脂バインダーと同じであつて
もよい。代表的な有機樹脂バインダーはポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレ
タン、ポリスチレン、ポリアリールエーテル、ポ
リアリールスルホン、ポリブタジエン、ポリスル
ホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリイミド、ポリメチルペンテ
ン、ポリフエニレンスルフイド、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリビ
ニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミ
ノ樹脂、フエニレンオキシド樹脂、テレフタル酸
樹脂、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリスチ
レン−アクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アクリレ
ート共重合体、アルキド樹脂、セルロース系皮膜
形成性剤、ポリ（アミド−イミド）、スチレン−
ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニ
ル共重合体、酢酸ビニル−塩化ビニリデン共重合
体、スチレン−アルキド樹脂等のような熱可塑性
および熱硬化性樹脂である。これ等重合体はブロ
ツク共重合体であつても、ランダム共重合体であ
つてもまたは交互共重合体であつてもよい。優れ
た結果は下記式のものからなる群から選択された
ポリ（ヒドロキシエーテル）材料からなる樹脂バ
インダー材料を用いて達成できる：
【化】
および
【化】
式中、ＸおよびＹは脂肪族基および芳香族基か
らなる群から個別に選択され、Ｚは水素、脂肪族
基または芳香族基であり、そしてｎは約50から約
200までの数である。 これ等ポリ（ヒドロキシエーテル）（そのいく
つかはユニオンカーバイド社から市販されてい
る）は文献中では一般にフエノキシ樹脂またはエ
ポキシ樹脂として記載されている。 ポリ（ヒドロキシエーテル）のための脂肪族基
の例はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペン
チル、ヘキシル、ヘプチル、デシル、ペンタデシ
ル、エイコデシル等のような、炭素原子約１個〜
約30個を有するもの等である。好ましい脂肪族基
はメチル、エチル、プロピル、およびブチルのよ
うな、炭素原子約１個〜約６個を有するアルキル
基等である。芳香族基の具体例はフエニル、ナフ
チル、アンスリル等のような、炭素原子約６個〜
約25個を有するもの等であり、フエニルが好まし
い。脂肪族および芳香族基は例えばアルキル、ハ
ロゲン、ニトロ、スルホ等も含めて種々の既知の
置換基で置換されていてもよい。 Ｚ置換基の例は水素並びにここに規定されてい
るような脂肪族、芳香族、置換脂肪族および置換
芳香族基である。さらに、Ｚはカルボキシル、カ
ルボニル、カーボネート、およびその他の類似の
基からなる群から選択されてもよく、例えば、ポ
リ（ヒドロキシエーテル）の対応エステルやカー
ボネートをもたらす。 好ましいポリ（ヒドロキシエーテル）はＸおよ
びＹがアルキル基例えばメチルであり、Ｚが水素
またはカーボネート基であり、そしてｎは約75〜
約100の範囲の数であるものである。特に好まし
いポリ（ヒドロキシエーテル）はベークライト、
フエノキシ樹脂PKHH〔ユニオンカーバイド社か
ら市販されており、そして２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシフエニルプロパン）即ちビスフエノール
Ａとエピクロロヒドリンの反応から得られる〕；
エポキシ樹脂、アラルダイトR6097（チバ社から
市販されている）、Ｚがカーボネート基であるポ
リ（ヒドロキシエーテル）のフエニルカーボネー
ト（アライドケミカル社から市販されている）、
並びにビスフエノールＡ、テトラクロロビスフエ
ノールＡ、テトラブロモビスフエノールＡ、ビス
フエノールＦ、ビスフエノールACP、ビスフエ
ノールＬ、ビスフエノールＶ、ビスフエノールＳ
等から誘導されたポリ（ヒドロキシエーテル）、
等である。 光導電性組成物および／または顔料および樹脂
バインダー材料を含有する光発生層は一般に厚さ
約0.1μ〜約5.0μの範囲にあり、好ましくは約0.3μ
〜約1μの厚さを有する。本発明の対象物が達成
されるのであればこれ等範囲以外の厚さを選択す
ることも可能である。 光発生組成物または顔料はさまざまな量でポリ
（ヒドロキシエーテル）樹脂バインダー組成物中
に存在するが、しかしながら、一般に約10容量％
〜約60容量％の光発生顔料が約40容量％〜約90容
量％のポリ（ヒドロキシエーテル）バインダー中
に分散され、好ましくは約20容量％〜約30容量％
の光発生顔料が約70容量％〜約80容量％のポリ
（ヒドロキシエーテル）バインダー組成物中に分
散される。一態様においては、光発生顔料約25容
量％がポリ（ヒドロキシエーテル）バインダー組
成物約75容量％中に分散されている。 他の代表的な光導電層は無定形セレン、セレン
合金例えばセレン−ヒ素、セレン−テルル−ヒ
素、セレン−テルル、セレン−ヒ素−アンチモ
ン、ハロゲンドープトセレン合金、硫化カドミウ
ム等である。 一般に、輸送層の厚さは約５〜約100μである
が、この範囲以外の厚さも使用できる。電荷輸送
層は電荷輸送層上に置かれた静電荷が照明の不在
下ではその上に静電潜像を形成・保持させない程
速い速度では導通しない程度に絶縁体であるべき
である。一般に、電荷輸送層対電荷発生層の厚さ
の比は好ましくは約２：１乃至200：１場合によ
つては400：１に保たれる。 図面を参考にすると、第１図は導電性基体１６
によつて支持された光導電層１４上に電気絶縁性
オーバーコート１２を利用した従来の代表的なオ
ーバーコーテツド光受容体１０を図示している。
暗所で例えば正コロナ帯電によつて一様帯電する
と、得られた帯電されたオーバーコーテツド光受
容体１０は絶縁性オーバーコート１２の外表面１
８上に一様付着電荷を有する。対応して反対の負
電荷が導電性基体１６中に光導電層との界面近く
に形成される。 第２図には、分散された導電性粒子２４を含有
している導電性オーバーコート２２が、導電性基
体２８によつて支持された光導電層２６の上に設
けられている従来の代表的なオーバーコーテツド
光受容体２０が示されている。この電子写真像形
成部材は暗所で例えば正コロナ帯電によつて一様
帯電される。得られた帯電されたオーバーコーテ
ツド光受容体２０はオーバーコート層２２中の光
導電層２６との界面近くに正電荷を有する。対応
して反対の負電荷が導電性基体２８中に光導電層
２６との界面近くに形成される。導電性オーバー
コート層２２中の導電性粒子２４はオーバーコー
ト層を十分導電性にして光導電層２６との界面近
くの導電層中に一様電荷の形成をもたらす。第２
図に図示されている導電層２２は導電性オーバー
コート２２中に分散された導電性粒子２４を含有
するように記述されているが、導電性オーバーコ
ート２２は周知のように第四アンモニウム塩や電
子供与体と電子受容体の相互作用から生成された
電荷輸送化合物のような可溶性導電性物質を用い
て構成されてもよい。いずれの場合にも、暗所で
一様帯電した後の電荷はオーバーコート中に光導
電層との界面近くに形成される。 第３図および第４図には、新規なオーバーコー
テツド光受容体の好ましい態様が示されており、
電子写真像形成部材３０は導電性基体３６に支持
された光導電層３４上のオーバーコート層３２か
らなる。オーバーコート層３２は連続電荷輸送相
３７と電荷注入賦与層３８からなる。電子写真像
形成部材３０が暗所で例えば正コロナ帯電によつ
て一様帯電されたとき、得られた帯電された電子
写真像形成部材３０は一様な正電荷を光導電層３
４との界面近くのオーバーコート層中にそして反
対で且つ等しい負電荷を光導電層３４との界面近
くの導電性基体３６中に担持する。 電荷注入賦与粒子３８を含有させられたオーバ
コート層３２の拡大図が第４図に図示されてい
る。本発明の電子写真像形成部材が例えば正コロ
ナ帯電によつて帯電されると、オーバーコート層
３２の外表面４０と導電性基体３６との間に形成
された電界は電荷注入賦与粒子を直ちに分極させ
ると考えられる。この分極は第４図に示されてい
る各電荷注入賦与粒子３８に−と＋の符号をもつ
て抽かれている。正帯電の場合、＋電荷として図
示されている電荷は電荷輸送分子を含有するオー
バーコート層３２の連続相３７中に注入され、そ
して第５図に示されているように帯電電界によつ
てオーバーコート層３２と光導電層３４との間の
界面へ移動させられる。光受容体または（図示さ
れていない）ブロツキング層（両者ともここでは
光導電層とオーバーコート層間の界面として意味
される）による電荷捕獲によつて光導電体への注
入がなされないので電荷は界面で停止させられ
る。オーバーコート層内部の負空間電荷はオーバ
ーコート層３２の外側の像形成表面４０により近
い電荷注入賦与粒子３８からの電荷放出（正帯電
に関する本ケースにおいては正孔放出）によつて
緩和され、ついには第６図に示されているように
オーバーコート層３２の外表面の像形成表面４０
近くのそれ等粒子だけが帯電されたまま残る。像
様照射前の最終的に帯電された電子写真像形成部
材は第３図に図示されている。像様活性化照射露
出後の現像の際の現像電界はオーバーコート層３
２の電荷再分布を起こさせるほど強くない。 図面には一様正帯電が示されているが、正帯電
の代りに一様負帯電を用いてもよい。明白なこと
であるが、これ等図面は本発明を単に概略的に説
明したに過ぎず、実際の像形成部材およびそれ等
成分の相対的大きさおよび寸法を指定するもので
はない。 このように、本発明の新規なイメージング構造
物は光導電性像形成部材の優れた保護をもたらす
と同時に皮膜形成性バインダー、電荷輸送分子お
よび電荷注入賦与粒子の巾広い選択を可能にす
る。入手可能な皮膜形成性バインダーの巾広い選
択故に、オーバーコートバインダーはオーバーコ
ートの電気的性能に大きな影響を与えることなく
トナーとの摩擦帯電関係や清掃性等にも適した選
択が可能である。さらに、電荷注入賦与粒子が比
較的低濃度であるので、オーバーコート層の強度
が向上し、そしてオーバーコート層の厚さのより
大きな寛容度がオーバーコート透明度にあまりイ
ンパクトを与えずに可能となる。 次に、対照例と共に本発明の具体的な好ましい
態様について詳しく記載するが、これ等実施例は
単なる例示であつて本発明の範囲を限定するため
のものではない。部およびパーセントは別に指定
しない限り重重による。実施例に用いられたカー
ボンブラツク顔料の電気抵抗率は製造元から供給
されたデータシートに示されているように約
10-1Ω−cm〜約102Ω−cmであつた。通常、粉末の
抵抗率は電極間のガラス管内で粉末を圧縮しそし
て圧縮塊の電気抵抗を測定することによつて塊状
乾燥状態で測定される。 実施例 １〜４ ペイントシエーカー（レツド・デビル・モデル
No.5100X；レツド・デビル社、ユニオン、N.J.州
から入手できる）中で3.2mm直径のステンレス鋼
シヨツトによつて約90分間、ポリカーボネート樹
脂（マクロロン5705；モベイ・ケミカル社から入
手できる）、ポリカーボネート樹脂の重量に対し
て約94重量％の塩化メチレン、ポリカーボネート
樹脂の全重量に対して約40重量％のＮ，N′−ジ
フエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフエニル）
１，1′−ビフエニル−４，4′−ジアミンおよび
種々の量のカーボンブラツク（モナーチ1300；キ
ヤボツト社から入手できる）を混合することによ
つて種々の被覆性組成物バツチを調製した。カー
ボンブラツクの添加量はポリカーボネート樹脂と
Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチ
ルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジア
ミンを合わせた全体の重量に対するものであつ
た。このカーボンブラツクは約560m2／ｇの表面
積（N2S.A.）、約13ｍμの粒子サイズ、約90.5％
の固定炭素、およびキヤボツト社から供給された
その他のカーボンブラツクに比らべて中位の電気
抵抗率を有していた。この被覆性組成物は乾燥時
に表に列挙されている被覆厚になるような湿潤皮
膜厚を付着させるために0.002インチ間隙の塗布
バーを具備したガードナードローバーコーター
（パシフイツク・サイエンテイフイツクから入手
できる）によつてブラシ粗面化アルミニウムシー
トに適用され、そして約100℃の強制エアオーブ
ン内で約１時間乾燥されて（存在するならば）付
着被膜全体に一様に分散された種々の濃度のカー
ボンブラツク顔料と共にポリカーボネート樹脂バ
インダー中に溶解されたジアミンを含有する被膜
を形成した。被覆されたアルミニウムシートにつ
いての物理的および電気的試験の結果は以下に示
されている：
らなる群から個別に選択され、Ｚは水素、脂肪族
基または芳香族基であり、そしてｎは約50から約
200までの数である。 これ等ポリ（ヒドロキシエーテル）（そのいく
つかはユニオンカーバイド社から市販されてい
る）は文献中では一般にフエノキシ樹脂またはエ
ポキシ樹脂として記載されている。 ポリ（ヒドロキシエーテル）のための脂肪族基
の例はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペン
チル、ヘキシル、ヘプチル、デシル、ペンタデシ
ル、エイコデシル等のような、炭素原子約１個〜
約30個を有するもの等である。好ましい脂肪族基
はメチル、エチル、プロピル、およびブチルのよ
うな、炭素原子約１個〜約６個を有するアルキル
基等である。芳香族基の具体例はフエニル、ナフ
チル、アンスリル等のような、炭素原子約６個〜
約25個を有するもの等であり、フエニルが好まし
い。脂肪族および芳香族基は例えばアルキル、ハ
ロゲン、ニトロ、スルホ等も含めて種々の既知の
置換基で置換されていてもよい。 Ｚ置換基の例は水素並びにここに規定されてい
るような脂肪族、芳香族、置換脂肪族および置換
芳香族基である。さらに、Ｚはカルボキシル、カ
ルボニル、カーボネート、およびその他の類似の
基からなる群から選択されてもよく、例えば、ポ
リ（ヒドロキシエーテル）の対応エステルやカー
ボネートをもたらす。 好ましいポリ（ヒドロキシエーテル）はＸおよ
びＹがアルキル基例えばメチルであり、Ｚが水素
またはカーボネート基であり、そしてｎは約75〜
約100の範囲の数であるものである。特に好まし
いポリ（ヒドロキシエーテル）はベークライト、
フエノキシ樹脂PKHH〔ユニオンカーバイド社か
ら市販されており、そして２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシフエニルプロパン）即ちビスフエノール
Ａとエピクロロヒドリンの反応から得られる〕；
エポキシ樹脂、アラルダイトR6097（チバ社から
市販されている）、Ｚがカーボネート基であるポ
リ（ヒドロキシエーテル）のフエニルカーボネー
ト（アライドケミカル社から市販されている）、
並びにビスフエノールＡ、テトラクロロビスフエ
ノールＡ、テトラブロモビスフエノールＡ、ビス
フエノールＦ、ビスフエノールACP、ビスフエ
ノールＬ、ビスフエノールＶ、ビスフエノールＳ
等から誘導されたポリ（ヒドロキシエーテル）、
等である。 光導電性組成物および／または顔料および樹脂
バインダー材料を含有する光発生層は一般に厚さ
約0.1μ〜約5.0μの範囲にあり、好ましくは約0.3μ
〜約1μの厚さを有する。本発明の対象物が達成
されるのであればこれ等範囲以外の厚さを選択す
ることも可能である。 光発生組成物または顔料はさまざまな量でポリ
（ヒドロキシエーテル）樹脂バインダー組成物中
に存在するが、しかしながら、一般に約10容量％
〜約60容量％の光発生顔料が約40容量％〜約90容
量％のポリ（ヒドロキシエーテル）バインダー中
に分散され、好ましくは約20容量％〜約30容量％
の光発生顔料が約70容量％〜約80容量％のポリ
（ヒドロキシエーテル）バインダー組成物中に分
散される。一態様においては、光発生顔料約25容
量％がポリ（ヒドロキシエーテル）バインダー組
成物約75容量％中に分散されている。 他の代表的な光導電層は無定形セレン、セレン
合金例えばセレン−ヒ素、セレン−テルル−ヒ
素、セレン−テルル、セレン−ヒ素−アンチモ
ン、ハロゲンドープトセレン合金、硫化カドミウ
ム等である。 一般に、輸送層の厚さは約５〜約100μである
が、この範囲以外の厚さも使用できる。電荷輸送
層は電荷輸送層上に置かれた静電荷が照明の不在
下ではその上に静電潜像を形成・保持させない程
速い速度では導通しない程度に絶縁体であるべき
である。一般に、電荷輸送層対電荷発生層の厚さ
の比は好ましくは約２：１乃至200：１場合によ
つては400：１に保たれる。 図面を参考にすると、第１図は導電性基体１６
によつて支持された光導電層１４上に電気絶縁性
オーバーコート１２を利用した従来の代表的なオ
ーバーコーテツド光受容体１０を図示している。
暗所で例えば正コロナ帯電によつて一様帯電する
と、得られた帯電されたオーバーコーテツド光受
容体１０は絶縁性オーバーコート１２の外表面１
８上に一様付着電荷を有する。対応して反対の負
電荷が導電性基体１６中に光導電層との界面近く
に形成される。 第２図には、分散された導電性粒子２４を含有
している導電性オーバーコート２２が、導電性基
体２８によつて支持された光導電層２６の上に設
けられている従来の代表的なオーバーコーテツド
光受容体２０が示されている。この電子写真像形
成部材は暗所で例えば正コロナ帯電によつて一様
帯電される。得られた帯電されたオーバーコーテ
ツド光受容体２０はオーバーコート層２２中の光
導電層２６との界面近くに正電荷を有する。対応
して反対の負電荷が導電性基体２８中に光導電層
２６との界面近くに形成される。導電性オーバー
コート層２２中の導電性粒子２４はオーバーコー
ト層を十分導電性にして光導電層２６との界面近
くの導電層中に一様電荷の形成をもたらす。第２
図に図示されている導電層２２は導電性オーバー
コート２２中に分散された導電性粒子２４を含有
するように記述されているが、導電性オーバーコ
ート２２は周知のように第四アンモニウム塩や電
子供与体と電子受容体の相互作用から生成された
電荷輸送化合物のような可溶性導電性物質を用い
て構成されてもよい。いずれの場合にも、暗所で
一様帯電した後の電荷はオーバーコート中に光導
電層との界面近くに形成される。 第３図および第４図には、新規なオーバーコー
テツド光受容体の好ましい態様が示されており、
電子写真像形成部材３０は導電性基体３６に支持
された光導電層３４上のオーバーコート層３２か
らなる。オーバーコート層３２は連続電荷輸送相
３７と電荷注入賦与層３８からなる。電子写真像
形成部材３０が暗所で例えば正コロナ帯電によつ
て一様帯電されたとき、得られた帯電された電子
写真像形成部材３０は一様な正電荷を光導電層３
４との界面近くのオーバーコート層中にそして反
対で且つ等しい負電荷を光導電層３４との界面近
くの導電性基体３６中に担持する。 電荷注入賦与粒子３８を含有させられたオーバ
コート層３２の拡大図が第４図に図示されてい
る。本発明の電子写真像形成部材が例えば正コロ
ナ帯電によつて帯電されると、オーバーコート層
３２の外表面４０と導電性基体３６との間に形成
された電界は電荷注入賦与粒子を直ちに分極させ
ると考えられる。この分極は第４図に示されてい
る各電荷注入賦与粒子３８に−と＋の符号をもつ
て抽かれている。正帯電の場合、＋電荷として図
示されている電荷は電荷輸送分子を含有するオー
バーコート層３２の連続相３７中に注入され、そ
して第５図に示されているように帯電電界によつ
てオーバーコート層３２と光導電層３４との間の
界面へ移動させられる。光受容体または（図示さ
れていない）ブロツキング層（両者ともここでは
光導電層とオーバーコート層間の界面として意味
される）による電荷捕獲によつて光導電体への注
入がなされないので電荷は界面で停止させられ
る。オーバーコート層内部の負空間電荷はオーバ
ーコート層３２の外側の像形成表面４０により近
い電荷注入賦与粒子３８からの電荷放出（正帯電
に関する本ケースにおいては正孔放出）によつて
緩和され、ついには第６図に示されているように
オーバーコート層３２の外表面の像形成表面４０
近くのそれ等粒子だけが帯電されたまま残る。像
様照射前の最終的に帯電された電子写真像形成部
材は第３図に図示されている。像様活性化照射露
出後の現像の際の現像電界はオーバーコート層３
２の電荷再分布を起こさせるほど強くない。 図面には一様正帯電が示されているが、正帯電
の代りに一様負帯電を用いてもよい。明白なこと
であるが、これ等図面は本発明を単に概略的に説
明したに過ぎず、実際の像形成部材およびそれ等
成分の相対的大きさおよび寸法を指定するもので
はない。 このように、本発明の新規なイメージング構造
物は光導電性像形成部材の優れた保護をもたらす
と同時に皮膜形成性バインダー、電荷輸送分子お
よび電荷注入賦与粒子の巾広い選択を可能にす
る。入手可能な皮膜形成性バインダーの巾広い選
択故に、オーバーコートバインダーはオーバーコ
ートの電気的性能に大きな影響を与えることなく
トナーとの摩擦帯電関係や清掃性等にも適した選
択が可能である。さらに、電荷注入賦与粒子が比
較的低濃度であるので、オーバーコート層の強度
が向上し、そしてオーバーコート層の厚さのより
大きな寛容度がオーバーコート透明度にあまりイ
ンパクトを与えずに可能となる。 次に、対照例と共に本発明の具体的な好ましい
態様について詳しく記載するが、これ等実施例は
単なる例示であつて本発明の範囲を限定するため
のものではない。部およびパーセントは別に指定
しない限り重重による。実施例に用いられたカー
ボンブラツク顔料の電気抵抗率は製造元から供給
されたデータシートに示されているように約
10-1Ω−cm〜約102Ω−cmであつた。通常、粉末の
抵抗率は電極間のガラス管内で粉末を圧縮しそし
て圧縮塊の電気抵抗を測定することによつて塊状
乾燥状態で測定される。 実施例 １〜４ ペイントシエーカー（レツド・デビル・モデル
No.5100X；レツド・デビル社、ユニオン、N.J.州
から入手できる）中で3.2mm直径のステンレス鋼
シヨツトによつて約90分間、ポリカーボネート樹
脂（マクロロン5705；モベイ・ケミカル社から入
手できる）、ポリカーボネート樹脂の重量に対し
て約94重量％の塩化メチレン、ポリカーボネート
樹脂の全重量に対して約40重量％のＮ，N′−ジ
フエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフエニル）
１，1′−ビフエニル−４，4′−ジアミンおよび
種々の量のカーボンブラツク（モナーチ1300；キ
ヤボツト社から入手できる）を混合することによ
つて種々の被覆性組成物バツチを調製した。カー
ボンブラツクの添加量はポリカーボネート樹脂と
Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチ
ルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジア
ミンを合わせた全体の重量に対するものであつ
た。このカーボンブラツクは約560m2／ｇの表面
積（N2S.A.）、約13ｍμの粒子サイズ、約90.5％
の固定炭素、およびキヤボツト社から供給された
その他のカーボンブラツクに比らべて中位の電気
抵抗率を有していた。この被覆性組成物は乾燥時
に表に列挙されている被覆厚になるような湿潤皮
膜厚を付着させるために0.002インチ間隙の塗布
バーを具備したガードナードローバーコーター
（パシフイツク・サイエンテイフイツクから入手
できる）によつてブラシ粗面化アルミニウムシー
トに適用され、そして約100℃の強制エアオーブ
ン内で約１時間乾燥されて（存在するならば）付
着被膜全体に一様に分散された種々の濃度のカー
ボンブラツク顔料と共にポリカーボネート樹脂バ
インダー中に溶解されたジアミンを含有する被膜
を形成した。被覆されたアルミニウムシートにつ
いての物理的および電気的試験の結果は以下に示
されている：
【表】
実施例３および４の被膜に関する、約4000Å〜
約7000Åの波長の光の透過率はブルマツク・イン
ダストリーズ製の濃度計を用いて測定された。そ
の計器をまず写真段階表によつて校正してから透
過率を測定した。実施例３の被膜の透過率は99％
であり、そして実施例４の被膜の透過率は約88％
であつた。帯電量、暗減衰および残留電圧はモン
ローモデル152Aコロトロン電源、ケイトレイ
610C電位差計、およびヒユーレツト・パツカー
ド7402Aレコーダーからなる実験室静電走査装置
によつて測定された。オーバーコーテツドサンプ
ルは電荷を付着させるためにコロトロンの下を、
それから表面上の電荷、減衰速度および残留電圧
を測定するために電位差計プローブの下を機械的
に移動させられた。 これ等実施例は約＞1.0秒後の残留電圧がカー
ボンブラツク電荷注入賦与粒子の量の変化によつ
て劇的に変動すると云うことを明白に立証してい
る。良好な結果はカーボンブラツク約0.1重量％
で達成され、そして優れた結果は１重量％ほどの
少量のカーボンブラツクによつて達成された。 実施例 ５〜７ Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メ
チルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジ
アミンを全く使用せずに、先の実施例に記載され
ている材料および手順を繰り返して種々の濃度の
カーボンブラツクの被膜をブラシ粗面化アルミニ
ウムシート上に形成した。これ等コーテツドシー
トについての電気的測定は実施例１〜４における
上記手順および装置を用いて行われた。それ等試
験結果は下記に示されている：
約7000Åの波長の光の透過率はブルマツク・イン
ダストリーズ製の濃度計を用いて測定された。そ
の計器をまず写真段階表によつて校正してから透
過率を測定した。実施例３の被膜の透過率は99％
であり、そして実施例４の被膜の透過率は約88％
であつた。帯電量、暗減衰および残留電圧はモン
ローモデル152Aコロトロン電源、ケイトレイ
610C電位差計、およびヒユーレツト・パツカー
ド7402Aレコーダーからなる実験室静電走査装置
によつて測定された。オーバーコーテツドサンプ
ルは電荷を付着させるためにコロトロンの下を、
それから表面上の電荷、減衰速度および残留電圧
を測定するために電位差計プローブの下を機械的
に移動させられた。 これ等実施例は約＞1.0秒後の残留電圧がカー
ボンブラツク電荷注入賦与粒子の量の変化によつ
て劇的に変動すると云うことを明白に立証してい
る。良好な結果はカーボンブラツク約0.1重量％
で達成され、そして優れた結果は１重量％ほどの
少量のカーボンブラツクによつて達成された。 実施例 ５〜７ Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メ
チルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジ
アミンを全く使用せずに、先の実施例に記載され
ている材料および手順を繰り返して種々の濃度の
カーボンブラツクの被膜をブラシ粗面化アルミニ
ウムシート上に形成した。これ等コーテツドシー
トについての電気的測定は実施例１〜４における
上記手順および装置を用いて行われた。それ等試
験結果は下記に示されている：
【表】
カーボンブラツクの濃度が増大すると帯電量と
残留電圧がいくらか減少することが観察された
が、電荷輸送材料Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，
N′−ビス（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエ
ニル−４，4′−ジアミンの不在は明らかに許容で
きない高残留電圧を生ぜしめ、それは電荷輸送材
料の不在下のそれ等カーボンブラツク濃度ではオ
ーバーコートが実質的に絶縁性であると云うこと
を表わしている。 実施例 ８〜14 カーボンブラツク（カトジエンブラツクEC；
ARMAK社、シカゴ、I11.州から入手できる）で
モナーク1300カーボンブラツクを置き換えた以外
は実施例１〜７に関して記載された手順を繰り返
した。ジアミン電荷輸送材料およびカーボンブラ
ツクの濃度は次の表に示されているように変動さ
せた：
残留電圧がいくらか減少することが観察された
が、電荷輸送材料Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，
N′−ビス（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエ
ニル−４，4′−ジアミンの不在は明らかに許容で
きない高残留電圧を生ぜしめ、それは電荷輸送材
料の不在下のそれ等カーボンブラツク濃度ではオ
ーバーコートが実質的に絶縁性であると云うこと
を表わしている。 実施例 ８〜14 カーボンブラツク（カトジエンブラツクEC；
ARMAK社、シカゴ、I11.州から入手できる）で
モナーク1300カーボンブラツクを置き換えた以外
は実施例１〜７に関して記載された手順を繰り返
した。ジアミン電荷輸送材料およびカーボンブラ
ツクの濃度は次の表に示されているように変動さ
せた：
【表】
被膜が電荷輸送分子と微細電荷注入賦与粒子の
組合わせを含有した場合、特に実施例11および12
で用いられた濃度レベルでは、得られた残留電圧
は劇的に減少した。 実施例 15〜22 カーボンブラツクの代りにSn／Sb重量比85／
15のSnO2／Sb2O3顔料（三菱金属から入手でき
る）を使用し、そしてＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，
N′−ビス（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエ
ニル−４，4′−ジアミンの代りにビス−（４−ジ
エチルアミノ−２−メチルフエニル）−フエニル
メタンを使用したこと以外は実施例８〜14に記載
されている手順を繰り返した。また、先の実施例
に利用されているペイントシエーカーの代りにロ
ールミルで被覆性組成物の成分を48時間粉砕する
ことによつて分散した。材料（バインダー電荷注
入賦与粒子および電荷輸送分子）は９mmガラスビ
ーズを半分充填した４オンスガラスジヤーに入れ
てノートン・ケミカル・プロセス・プロダクツ・
デビジヨン・ロールミル上に置いた。付着被膜は
強制エアオーブン内で100℃で２時間乾燥された。
実施例15、17、19および21では被覆組成物の付着
前に、ブロツキング層がブラシ粗面化アルミニウ
ムシートに適用された。ブロツキング層はエタノ
ール混合物全重量に対して約２重量％の、ポリエ
チレンイミン（PEI）重合体（コルキヤツトＰ−
600、キヤルボナ・ケミカル社、ミシガンから入
手できる）とジルコニウムアセチルアセトネート
（ZrAc）の１：１（重量で）混合物を含有する組
成物であつた。
組合わせを含有した場合、特に実施例11および12
で用いられた濃度レベルでは、得られた残留電圧
は劇的に減少した。 実施例 15〜22 カーボンブラツクの代りにSn／Sb重量比85／
15のSnO2／Sb2O3顔料（三菱金属から入手でき
る）を使用し、そしてＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，
N′−ビス（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエ
ニル−４，4′−ジアミンの代りにビス−（４−ジ
エチルアミノ−２−メチルフエニル）−フエニル
メタンを使用したこと以外は実施例８〜14に記載
されている手順を繰り返した。また、先の実施例
に利用されているペイントシエーカーの代りにロ
ールミルで被覆性組成物の成分を48時間粉砕する
ことによつて分散した。材料（バインダー電荷注
入賦与粒子および電荷輸送分子）は９mmガラスビ
ーズを半分充填した４オンスガラスジヤーに入れ
てノートン・ケミカル・プロセス・プロダクツ・
デビジヨン・ロールミル上に置いた。付着被膜は
強制エアオーブン内で100℃で２時間乾燥された。
実施例15、17、19および21では被覆組成物の付着
前に、ブロツキング層がブラシ粗面化アルミニウ
ムシートに適用された。ブロツキング層はエタノ
ール混合物全重量に対して約２重量％の、ポリエ
チレンイミン（PEI）重合体（コルキヤツトＰ−
600、キヤルボナ・ケミカル社、ミシガンから入
手できる）とジルコニウムアセチルアセトネート
（ZrAc）の１：１（重量で）混合物を含有する組
成物であつた。
【表】
【表】
実測された残留電圧から明白なように、優れた
結果はポリカーボネート樹脂に溶解された微細電
荷注入賦与粒子と電荷輸送分子の組合わせによつ
て得られ、ブロツキング層を利用した場合にはい
くつかの試験サンプルではわずかの改善を伴つ
た。 実施例 23〜30 ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフエニ
ル）−フエニル−メタンの代りに２，５−ビス
（４−ジエチルアミノフエニル）−１，３，４−オ
キサジアゾールを使用したこと以外は実施例15〜
22の手順および材料を繰り返した。下記に示され
ているように種々の量の電荷注入賦与粒子、電荷
輸送分子およびブロツキング層を利用した：
結果はポリカーボネート樹脂に溶解された微細電
荷注入賦与粒子と電荷輸送分子の組合わせによつ
て得られ、ブロツキング層を利用した場合にはい
くつかの試験サンプルではわずかの改善を伴つ
た。 実施例 23〜30 ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフエニ
ル）−フエニル−メタンの代りに２，５−ビス
（４−ジエチルアミノフエニル）−１，３，４−オ
キサジアゾールを使用したこと以外は実施例15〜
22の手順および材料を繰り返した。下記に示され
ているように種々の量の電荷注入賦与粒子、電荷
輸送分子およびブロツキング層を利用した：
【表】
被覆に電荷注入賦与粒子と電荷輸送分子両者の
組合わせを利用したときに、実測残留電圧は顕著
に減少した。いくつかの場合には、ブロツキング
層を用いたときにやや改善が観察された。 実施例 31〜38 ２，５−ビス（４−ジエチルアミノフエニル）
−１，３，４オキサジアゾールの代りにｐ−ジエ
チルアミノベンズアルデヒド−（ジフエニルヒド
ラゾン）を使用したこと以外は実施例23〜30の手
順および材料を繰返した。下記に示されているよ
うに種々の量の電荷注入賦与粒子、電荷輸送分子
およびブロツキング層を利用した：
組合わせを利用したときに、実測残留電圧は顕著
に減少した。いくつかの場合には、ブロツキング
層を用いたときにやや改善が観察された。 実施例 31〜38 ２，５−ビス（４−ジエチルアミノフエニル）
−１，３，４オキサジアゾールの代りにｐ−ジエ
チルアミノベンズアルデヒド−（ジフエニルヒド
ラゾン）を使用したこと以外は実施例23〜30の手
順および材料を繰返した。下記に示されているよ
うに種々の量の電荷注入賦与粒子、電荷輸送分子
およびブロツキング層を利用した：
【表】
電荷注入賦与粒子と電荷輸送分子両者の組合わ
せを利用したとき、実測残留電圧は顕著に減少し
た。いくつかの場合には、ブロツキング層を用い
たプレートとブロツキング層を用いないプレート
の交錯した結果が観察された。 実施例 39〜40 Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メ
チルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジ
アミンの代りに９−エチルカルバゾール−３−カ
ルボアルデヒド−１−メチル−１−フエニルヒド
ラゾンを使用したこと以外は実施例８〜14に関連
して記載された手順および材料を繰り返した。ま
た、乾燥は室温で周囲条件で一晩中乾燥すること
によつて行われた。実施例39では電荷輸送分子を
使用しなかつた。
せを利用したとき、実測残留電圧は顕著に減少し
た。いくつかの場合には、ブロツキング層を用い
たプレートとブロツキング層を用いないプレート
の交錯した結果が観察された。 実施例 39〜40 Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メ
チルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジ
アミンの代りに９−エチルカルバゾール−３−カ
ルボアルデヒド−１−メチル−１−フエニルヒド
ラゾンを使用したこと以外は実施例８〜14に関連
して記載された手順および材料を繰り返した。ま
た、乾燥は室温で周囲条件で一晩中乾燥すること
によつて行われた。実施例39では電荷輸送分子を
使用しなかつた。
【表】
電荷注入賦与粒子と電荷輸送分子両者の組合わ
せによつて実測残留電圧は顕著に減少した。 実施例 41〜44 強制エアオーブンの代りに水銀約30インチの圧
力の真空炉内で75℃で約２時間オーバーコート層
を乾燥したこと以外は実施例８〜14に関して記載
されている手順および材料を繰返した。下記のよ
うに種々の量の電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子
が利用された：
せによつて実測残留電圧は顕著に減少した。 実施例 41〜44 強制エアオーブンの代りに水銀約30インチの圧
力の真空炉内で75℃で約２時間オーバーコート層
を乾燥したこと以外は実施例８〜14に関して記載
されている手順および材料を繰返した。下記のよ
うに種々の量の電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子
が利用された：
【表】
電荷注入賦与粒子と電荷輸送分子の組合わせを
有するオーバーコート層では、実測残留電圧の顕
著な減少が観察された。 実施例 45〜50 カーボンブラツク（モナーチ1300）の代りにカ
ーボンブラツク（ラヴエン5000、コロンビアン・
ケミカル社から入手できる）を使用し、そして室
温で周囲条件下で週末まで乾燥したこと以外は実
施例41〜44に関して記載された手順および材料を
繰返した。カーボンブラツクは約83m2／ｇの表面
積（N2S.A.）、約24ｍμの粒子サイズ、約95％の
固定炭素、およびキヤボツト社から供給されるそ
の他のカーボンブラツクに比らべて高い電気抵抗
率を有していた。電荷輸送分子を有する被膜と有
さない被膜が次のように比較されている：
有するオーバーコート層では、実測残留電圧の顕
著な減少が観察された。 実施例 45〜50 カーボンブラツク（モナーチ1300）の代りにカ
ーボンブラツク（ラヴエン5000、コロンビアン・
ケミカル社から入手できる）を使用し、そして室
温で周囲条件下で週末まで乾燥したこと以外は実
施例41〜44に関して記載された手順および材料を
繰返した。カーボンブラツクは約83m2／ｇの表面
積（N2S.A.）、約24ｍμの粒子サイズ、約95％の
固定炭素、およびキヤボツト社から供給されるそ
の他のカーボンブラツクに比らべて高い電気抵抗
率を有していた。電荷輸送分子を有する被膜と有
さない被膜が次のように比較されている：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は、特に実施例46および47に用いられている濃度
の電荷注入賦与粒子で、残留電圧の十分な減少が
観察された。また、実施例45の負帯電でも比較的
低い残留電圧が観察された。実施例47に記載され
た被膜の光透過率は実施例３および４に記載され
ている手順によつて測定されたとき約78％であつ
た。 実施例 51〜56 カーボンブラツク（モナーチ1300）の代りにグ
ラフアイト粒子（ミクログラフアイトNo.785；ア
スバリーグラフアイトミルズ社から入手できる）
を使用したこと以外は実施例39および40の手順お
よび材料を繰返した。製品カタログは0.80〜
0.90μｍA.P.D.（フイツシヤーサブシーブサイザー
で測定したとき）の粉末度を表示していたが、そ
のグラフアイトを用いて得られた分散物はグラフ
アイトの大きな粒子サイズの凝集体のために一様
でなかつた。平均粒子サイズは約2μｍ〜約5μｍ
の範囲にあつた。電荷輸送分子を有するオーバー
コート組成物と有さないオーバーコート組成物と
の比較を、グラフアイトの量を変動させながら行
つた：
は、特に実施例46および47に用いられている濃度
の電荷注入賦与粒子で、残留電圧の十分な減少が
観察された。また、実施例45の負帯電でも比較的
低い残留電圧が観察された。実施例47に記載され
た被膜の光透過率は実施例３および４に記載され
ている手順によつて測定されたとき約78％であつ
た。 実施例 51〜56 カーボンブラツク（モナーチ1300）の代りにグ
ラフアイト粒子（ミクログラフアイトNo.785；ア
スバリーグラフアイトミルズ社から入手できる）
を使用したこと以外は実施例39および40の手順お
よび材料を繰返した。製品カタログは0.80〜
0.90μｍA.P.D.（フイツシヤーサブシーブサイザー
で測定したとき）の粉末度を表示していたが、そ
のグラフアイトを用いて得られた分散物はグラフ
アイトの大きな粒子サイズの凝集体のために一様
でなかつた。平均粒子サイズは約2μｍ〜約5μｍ
の範囲にあつた。電荷輸送分子を有するオーバー
コート組成物と有さないオーバーコート組成物と
の比較を、グラフアイトの量を変動させながら行
つた：
【表】
透過率は実施例１〜４に記載されている装置お
よび方法を用いて測定された。電荷注入賦与粒子
と電荷輸送分子の組合わせを利用したときに残留
電圧の大きな減少が観察された。最良の結果は負
帯電を用いて得られた。 実施例 57〜62 グラフアイト（ミクログラフアイトNo.785）の
代りにフツ素化グラフアイト粒子（フルオログラ
フアイトRT−１−18；約1.6Ω−cmの抵抗率を有
する；ペンバルト社から入手できる）を使用した
こと以外は実施例51〜56に関して記載された手順
および材料を繰り返した。電荷輸送分子を有する
被覆性組成物と有さない被覆性組成物は、電荷注
入賦与粒子の量を変動させながら、次のように比
較された：
よび方法を用いて測定された。電荷注入賦与粒子
と電荷輸送分子の組合わせを利用したときに残留
電圧の大きな減少が観察された。最良の結果は負
帯電を用いて得られた。 実施例 57〜62 グラフアイト（ミクログラフアイトNo.785）の
代りにフツ素化グラフアイト粒子（フルオログラ
フアイトRT−１−18；約1.6Ω−cmの抵抗率を有
する；ペンバルト社から入手できる）を使用した
こと以外は実施例51〜56に関して記載された手順
および材料を繰り返した。電荷輸送分子を有する
被覆性組成物と有さない被覆性組成物は、電荷注
入賦与粒子の量を変動させながら、次のように比
較された：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。 実施例 63〜68 カーボンブラツク（ラヴエン5000）の代りにフ
ツ素化グラフアイト（フルオログラフアイトRJ
−３−131；ペンバルト社から入手でき、246Ω−
cmの抵抗率を有する）を使用したこと以外は実施
例45〜50の手順および材料を繰り返した。電荷輸
送分子を有する被覆性組成物と有さない被覆性組
成物は、グラフアイトの量を変動させながら、下
記のように比較されている：
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。 実施例 63〜68 カーボンブラツク（ラヴエン5000）の代りにフ
ツ素化グラフアイト（フルオログラフアイトRJ
−３−131；ペンバルト社から入手でき、246Ω−
cmの抵抗率を有する）を使用したこと以外は実施
例45〜50の手順および材料を繰り返した。電荷輸
送分子を有する被覆性組成物と有さない被覆性組
成物は、グラフアイトの量を変動させながら、下
記のように比較されている：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせを
含有する被膜では残留電圧の大きな減少が観察さ
れた。最良の結果は負コロナ帯電を用いて得られ
た。 実施例 69〜74 フツ素化グラフアイト（フルオログラフアイト
RJ−３−131）の代りにフツ素化グラフアイト
（フルオログラフアイトRT−４−14A；ペンバル
ト社から入手でき、９×104Ω−cmの抵抗率を有
している）を使用したこと以外は実施例63〜68の
手順および材料を繰り返した。電荷輸送分子を有
するものと有さないものとのオーバーコートは、
グラフアイトの量の変動をもつて、下記のように
比較されている：
含有する被膜では残留電圧の大きな減少が観察さ
れた。最良の結果は負コロナ帯電を用いて得られ
た。 実施例 69〜74 フツ素化グラフアイト（フルオログラフアイト
RJ−３−131）の代りにフツ素化グラフアイト
（フルオログラフアイトRT−４−14A；ペンバル
ト社から入手でき、９×104Ω−cmの抵抗率を有
している）を使用したこと以外は実施例63〜68の
手順および材料を繰り返した。電荷輸送分子を有
するものと有さないものとのオーバーコートは、
グラフアイトの量の変動をもつて、下記のように
比較されている：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせを
含有する被膜では残留電圧の大きな減少が観察さ
れた。最良の結果は負コロナ帯電を用いて得られ
た。 実施例 75〜80 フツ素化グラフアイト（フルオログラフアイト
RJ−３−131）の代りに二酸化クロム粒子（デユ
ポン社から入手できる）を使用したこと以外は実
施例63〜68の手順と材料を繰返した。電荷輸送分
子を有する被覆性組成物と有さない被覆性組成物
は、電荷注入賦与粒子の量を変動させながら、次
のように比較された：
含有する被膜では残留電圧の大きな減少が観察さ
れた。最良の結果は負コロナ帯電を用いて得られ
た。 実施例 75〜80 フツ素化グラフアイト（フルオログラフアイト
RJ−３−131）の代りに二酸化クロム粒子（デユ
ポン社から入手できる）を使用したこと以外は実
施例63〜68の手順と材料を繰返した。電荷輸送分
子を有する被覆性組成物と有さない被覆性組成物
は、電荷注入賦与粒子の量を変動させながら、次
のように比較された：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。透過率は
オーバーコートをポリエステルフイルム（マイラ
ー；E.I.デユポン社から入手できる）、に適用し
た後で実施例１〜４に記載されている装置および
方法によつて測定された。 実施例 81〜86 CrO2粒子の代りにFe3O4粒子（ウイリアムズマ
グネチツクオキシドMO−4232；チヤス・プフイ
ツツアー＆カンパニーの無機物、顔料および金属
部門から入手できる）を使用したこと以外は実施
例75〜80の手順と材料を繰り返した。電荷輸送分
子を有する被覆性組成物と有さない被覆性組成物
は、電荷注入賦与粒子の量を変動させながら、次
のように比較された：
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。透過率は
オーバーコートをポリエステルフイルム（マイラ
ー；E.I.デユポン社から入手できる）、に適用し
た後で実施例１〜４に記載されている装置および
方法によつて測定された。 実施例 81〜86 CrO2粒子の代りにFe3O4粒子（ウイリアムズマ
グネチツクオキシドMO−4232；チヤス・プフイ
ツツアー＆カンパニーの無機物、顔料および金属
部門から入手できる）を使用したこと以外は実施
例75〜80の手順と材料を繰り返した。電荷輸送分
子を有する被覆性組成物と有さない被覆性組成物
は、電荷注入賦与粒子の量を変動させながら、次
のように比較された：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。透過率は
オーバーコートをポリエステルフイルム（マイラ
ー；E.I.デユポン社から入手できる）、に適用し
た後で実施例１〜４に記載されている装置および
方法によつて測定された。 実施例 87〜92 Fe3O4粒子の代りにTiO2粒子（チタノツクス−
2081；N.L.インダストリーズ、ハイタウン、M.
J.州から入手でき、その99.99％は44μｍ未満の粒
子サイズを有する）を使用したこと以外は実施例
81〜86の手順と材料を繰り返した。電荷輸送分子
を有する被覆性租成物と有さない被覆性組成物
は、電荷注入賦与粒子の量を変動させながら、次
のように比較された：
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。透過率は
オーバーコートをポリエステルフイルム（マイラ
ー；E.I.デユポン社から入手できる）、に適用し
た後で実施例１〜４に記載されている装置および
方法によつて測定された。 実施例 87〜92 Fe3O4粒子の代りにTiO2粒子（チタノツクス−
2081；N.L.インダストリーズ、ハイタウン、M.
J.州から入手でき、その99.99％は44μｍ未満の粒
子サイズを有する）を使用したこと以外は実施例
81〜86の手順と材料を繰り返した。電荷輸送分子
を有する被覆性租成物と有さない被覆性組成物
は、電荷注入賦与粒子の量を変動させながら、次
のように比較された：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。 実施例 93〜98 TiO粒子の代りにZnO粒子（HC−238；粒子サ
イズ約0.8μｍ、ニユージヤージージンク社、ベツ
レヘム、Pa.から入手できる）を使用したこと以
外は実施例87〜92の手続および材料を繰返した。
これ等粒子は2000p.s.iで圧縮されたときに103Ω−
cmのオーダーの電気抵抗率を有している。電荷輸
送分子を有する被覆性組成物と有さない被覆性組
成物は、電荷注入賦与粒子の量を変動させなが
ら、次のように比較された：
は残留電圧のかなりの減少が観察された。 実施例 93〜98 TiO粒子の代りにZnO粒子（HC−238；粒子サ
イズ約0.8μｍ、ニユージヤージージンク社、ベツ
レヘム、Pa.から入手できる）を使用したこと以
外は実施例87〜92の手続および材料を繰返した。
これ等粒子は2000p.s.iで圧縮されたときに103Ω−
cmのオーダーの電気抵抗率を有している。電荷輸
送分子を有する被覆性組成物と有さない被覆性組
成物は、電荷注入賦与粒子の量を変動させなが
ら、次のように比較された：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。 実施例 99〜105 フツ素化グラフアイト粒子の代りにMoS2粒子
（セラツク−Ｍ−1104；約1μｍの平均粒子サイズ
を有し、セラツク社、ミルウオーキー、Wis州か
ら入手できる）を使用したこと以外は実施例57〜
62に関して記載されている手順と材料を繰り返し
た。電荷輸送分子を有する被覆性組成物と有さな
い被覆性組成物は、電荷注入賦与粒子の量を変動
させながら、次のように比較された：
は残留電圧のかなりの減少が観察された。 実施例 99〜105 フツ素化グラフアイト粒子の代りにMoS2粒子
（セラツク−Ｍ−1104；約1μｍの平均粒子サイズ
を有し、セラツク社、ミルウオーキー、Wis州か
ら入手できる）を使用したこと以外は実施例57〜
62に関して記載されている手順と材料を繰り返し
た。電荷輸送分子を有する被覆性組成物と有さな
い被覆性組成物は、電荷注入賦与粒子の量を変動
させながら、次のように比較された：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。 実施例 106〜114 グラフアイト粒子の代りにシリコン粉末を使用
したこと以外は実施例51〜56に関して記載されて
いる手順と材料を繰り返した。電荷注入賦与粒子
の量を変動させながら、電荷輸送分子を有する被
覆性組成物と有さない被覆性組成物を、さらに電
荷輸送分子も電荷注入賦与粒子も有さない被覆性
組成物を下記に比較している：
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。 実施例 106〜114 グラフアイト粒子の代りにシリコン粉末を使用
したこと以外は実施例51〜56に関して記載されて
いる手順と材料を繰り返した。電荷注入賦与粒子
の量を変動させながら、電荷輸送分子を有する被
覆性組成物と有さない被覆性組成物を、さらに電
荷輸送分子も電荷注入賦与粒子も有さない被覆性
組成物を下記に比較している：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。実施例
113において、電荷輸送分子も電荷注入賦与粒子
も有さない組成物についての帯電量と残留電圧は
かかる添加剤を有さない被膜の絶縁特性を示して
いる。最良の結果は負コロナ帯電を用いて得られ
た。 実施例 115〜117 カーボンブラツク粒子の代りに、表面の約70％
がシラン処理されているコロイド状シリカ粒子
（アエロジルＲ−972；デグサ社、テテルボロ、
N.J.州から入手できる）使用したこと以外は実施
例１〜４に関して記載されている手順と材料を繰
り返した。アエロジルＲ−972の電気抵抗率は製
造元のデータシートによれば約50〜約65Kg／m3の
充填密度で約10×1012Ω−cmであつた。ポリカー
ボネート樹脂の重量に対して約40重量％のジアミ
ンと種々の量の電荷注入賦与粒子を有する被覆性
組成物は以下に比較されている：
は残留電圧のかなりの減少が観察された。実施例
113において、電荷輸送分子も電荷注入賦与粒子
も有さない組成物についての帯電量と残留電圧は
かかる添加剤を有さない被膜の絶縁特性を示して
いる。最良の結果は負コロナ帯電を用いて得られ
た。 実施例 115〜117 カーボンブラツク粒子の代りに、表面の約70％
がシラン処理されているコロイド状シリカ粒子
（アエロジルＲ−972；デグサ社、テテルボロ、
N.J.州から入手できる）使用したこと以外は実施
例１〜４に関して記載されている手順と材料を繰
り返した。アエロジルＲ−972の電気抵抗率は製
造元のデータシートによれば約50〜約65Kg／m3の
充填密度で約10×1012Ω−cmであつた。ポリカー
ボネート樹脂の重量に対して約40重量％のジアミ
ンと種々の量の電荷注入賦与粒子を有する被覆性
組成物は以下に比較されている：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。実施例
116および117の被膜は透明ポリエステルウエブ上
の被膜として実験されたときに不透明であつた。 実施例 118〜122 実施例119と120においてはカーボンブラツク粒
子の代りに、炭素原子８個のシランで処理されて
いるコロイド状シリカ粒子（アエロジルＲ−
805；デグサ社、テテルボロ、N.J.州から入手で
きる）を使用し、そして実施例121と122において
はカーボンブラツク粒子の代りに、表面の約90〜
95％が３官能価シランで処理されているコロイド
状シリカ粒子（アエロジルＲ−812；デグサ社、
テテルボロ、N.J.州から入手できる）を使用した
こと以外は実施例１〜４に関して記載されている
手順および材料を繰り返した。ポリカーボネート
樹脂の重量に対して約40重量％のジアミンと種々
の量の電荷注入賦与粒子を有する被覆性組成物は
以下に比較されている：
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。実施例
116および117の被膜は透明ポリエステルウエブ上
の被膜として実験されたときに不透明であつた。 実施例 118〜122 実施例119と120においてはカーボンブラツク粒
子の代りに、炭素原子８個のシランで処理されて
いるコロイド状シリカ粒子（アエロジルＲ−
805；デグサ社、テテルボロ、N.J.州から入手で
きる）を使用し、そして実施例121と122において
はカーボンブラツク粒子の代りに、表面の約90〜
95％が３官能価シランで処理されているコロイド
状シリカ粒子（アエロジルＲ−812；デグサ社、
テテルボロ、N.J.州から入手できる）を使用した
こと以外は実施例１〜４に関して記載されている
手順および材料を繰り返した。ポリカーボネート
樹脂の重量に対して約40重量％のジアミンと種々
の量の電荷注入賦与粒子を有する被覆性組成物は
以下に比較されている：
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。実施例
120と122の被膜は非常に白かつた。 実施例 123〜125 電荷輸送分子を含有しない被膜に、炭素原子８
個のシランで処理されたコロイド状シリカ粒子
（アエロジルＲ−805）、表面の約70％がシランで
処理されているコロイド状シリカ粒子（アエロジ
ルＲ−972）、または表面の約90〜95％が３官能価
シランで処理されているコロイド状シリカ粒子
（アエロジルＲ−812）を約40重量％含有する被覆
性組成物を用いたこと以外は実施例118〜122に関
して記載した手順および材料を繰り返した。これ
等被覆性組成物は以下に比較されている：
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。実施例
120と122の被膜は非常に白かつた。 実施例 123〜125 電荷輸送分子を含有しない被膜に、炭素原子８
個のシランで処理されたコロイド状シリカ粒子
（アエロジルＲ−805）、表面の約70％がシランで
処理されているコロイド状シリカ粒子（アエロジ
ルＲ−972）、または表面の約90〜95％が３官能価
シランで処理されているコロイド状シリカ粒子
（アエロジルＲ−812）を約40重量％含有する被覆
性組成物を用いたこと以外は実施例118〜122に関
して記載した手順および材料を繰り返した。これ
等被覆性組成物は以下に比較されている：
【表】
元の帯電量と残留電圧との差は実施例123と124
ではわずかであり、そして実施例125では無視で
きた。これは明らかに電荷輸送分子と電荷注入賦
与粒子の組合わせの相乗効果を立証するものであ
る。 実施例 126〜131 ポリカーボネート樹脂（マクロロン5705；モベ
イ・ケミカル社から入手できる）、ポリカーボネ
ート樹脂の重量に対して約94重量％の塩化メチレ
ン、ポリカーボネート樹脂の全重量に対して約40
重量％のＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス
（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，
4′−ジアミンおよび種々の濃度の、インジウム−
錫酸化物混合物の粒子を、ロールミルで48時間混
合することによつて種々の被覆性組成物バツチを
調製した。インジウム−錫酸化物混合物の粒子の
添加量はポリカーボネート樹脂とＮ，N′−ジフ
エニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフエニル）
１，1′−ビフエニル−４，4′−ジアミンを合わせ
た全体の重量に対するものであつた。実施例126
〜128におけるインジウムと酸化錫の混合物の粒
子（タイプ5582／１）は約0.3Ω−cmの抵抗率と
約1.65μｍのAPSフイツシヤー粒子サイズを有し
ており、そして実施例129〜131におけるインジウ
ムと酸化錫の混合物の粒子（タイプ5582／２）は
約0.15Ω−cmの抵抗率と約1.92μｍのAPSフイツシ
ヤー粒子サイズを有していた。材料（バインダ
ー、電荷注入賦与粒子および電荷輸送分子）は９
mmガラスビーズを半分充填した４オンスガラスジ
ヤーに入れてノートン・ケミカル・プロセス・プ
ロダクツ・デビジヨン・ロールミル上に置いた。
この被覆性組成物は乾燥時に表に列挙されている
被覆厚になるような湿潤皮膜厚を付着させるため
に２ミル間隙の塗布バーを具備したガードナード
ローバーコーター（パシフイツク・サイエンテイ
フイツクから入手できる）によつてブラシ粗面化
アルミニウムシートに適用され、そして周囲温度
で一晩乾燥されて付着被膜全体に一様に分散され
た種々濃度のインジウム−錫酸化物粒子と共にポ
リカーボネート樹脂バインダー中に溶解されたジ
アミンを含有する被膜を形成した。
ではわずかであり、そして実施例125では無視で
きた。これは明らかに電荷輸送分子と電荷注入賦
与粒子の組合わせの相乗効果を立証するものであ
る。 実施例 126〜131 ポリカーボネート樹脂（マクロロン5705；モベ
イ・ケミカル社から入手できる）、ポリカーボネ
ート樹脂の重量に対して約94重量％の塩化メチレ
ン、ポリカーボネート樹脂の全重量に対して約40
重量％のＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス
（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，
4′−ジアミンおよび種々の濃度の、インジウム−
錫酸化物混合物の粒子を、ロールミルで48時間混
合することによつて種々の被覆性組成物バツチを
調製した。インジウム−錫酸化物混合物の粒子の
添加量はポリカーボネート樹脂とＮ，N′−ジフ
エニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフエニル）
１，1′−ビフエニル−４，4′−ジアミンを合わせ
た全体の重量に対するものであつた。実施例126
〜128におけるインジウムと酸化錫の混合物の粒
子（タイプ5582／１）は約0.3Ω−cmの抵抗率と
約1.65μｍのAPSフイツシヤー粒子サイズを有し
ており、そして実施例129〜131におけるインジウ
ムと酸化錫の混合物の粒子（タイプ5582／２）は
約0.15Ω−cmの抵抗率と約1.92μｍのAPSフイツシ
ヤー粒子サイズを有していた。材料（バインダ
ー、電荷注入賦与粒子および電荷輸送分子）は９
mmガラスビーズを半分充填した４オンスガラスジ
ヤーに入れてノートン・ケミカル・プロセス・プ
ロダクツ・デビジヨン・ロールミル上に置いた。
この被覆性組成物は乾燥時に表に列挙されている
被覆厚になるような湿潤皮膜厚を付着させるため
に２ミル間隙の塗布バーを具備したガードナード
ローバーコーター（パシフイツク・サイエンテイ
フイツクから入手できる）によつてブラシ粗面化
アルミニウムシートに適用され、そして周囲温度
で一晩乾燥されて付着被膜全体に一様に分散され
た種々濃度のインジウム−錫酸化物粒子と共にポ
リカーボネート樹脂バインダー中に溶解されたジ
アミンを含有する被膜を形成した。
【表】
【表】
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。 実施例 132〜137 被覆性組成物が電荷輸送分子を含有しないこと
以外は実施例126〜131に関して記載した手順およ
び材料を繰り返した。実施例132〜134におけるイ
ンジウム−錫酸化物混合物の粒子は約0.3Ω−cm
の抵抗率を有し、そして実施例135〜137における
インジウム−錫酸化混合物の粒子は約0.15Ω−cm
の抵抗率を有していた。これ等被覆性組成物は以
下に比較されている：
は残留電圧のかなりの減少が観察された。最良の
結果は負コロナ帯電を用いて得られた。 実施例 132〜137 被覆性組成物が電荷輸送分子を含有しないこと
以外は実施例126〜131に関して記載した手順およ
び材料を繰り返した。実施例132〜134におけるイ
ンジウム−錫酸化物混合物の粒子は約0.3Ω−cm
の抵抗率を有し、そして実施例135〜137における
インジウム−錫酸化混合物の粒子は約0.15Ω−cm
の抵抗率を有していた。これ等被覆性組成物は以
下に比較されている：
【表】
元の帯電量と残留電圧との差は実施例132〜136
ではわずかであり、そして実施例137では無視で
きた。実施例113のように電荷輸送分子と電荷注
入賦与粒子を含有しない被膜の電圧の低下は明ら
かに電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせ
の相乗効果を立証するものである。 実施例 138〜174 インジウム−錫酸化物混合物の代りにSn／Sb
重量比85／15のSnO2／Sb2O3顔料（三菱金属か
ら入手できる）を使用したこと以外は実施例126
〜131に関して記載した手順および材料を繰り返
した。ポリカーボネート樹脂の重量に対して種々
の量のジアミンを含有する被覆性組成物は、オー
バーコート厚を変動させて、以下に比較されてい
る：
ではわずかであり、そして実施例137では無視で
きた。実施例113のように電荷輸送分子と電荷注
入賦与粒子を含有しない被膜の電圧の低下は明ら
かに電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせ
の相乗効果を立証するものである。 実施例 138〜174 インジウム−錫酸化物混合物の代りにSn／Sb
重量比85／15のSnO2／Sb2O3顔料（三菱金属か
ら入手できる）を使用したこと以外は実施例126
〜131に関して記載した手順および材料を繰り返
した。ポリカーボネート樹脂の重量に対して種々
の量のジアミンを含有する被覆性組成物は、オー
バーコート厚を変動させて、以下に比較されてい
る：
【表】
【表】
【表】
実施例138〜164における電荷輸送分子と電荷注
入賦与粒子の組合わせでは、電荷輸送分子または
電荷注入賦与粒子のどちらを除いた実施例165〜
174と比らべて、帯電量と残留電圧のかなりの低
下が観察された。最良の結果は負コロナ帯電を用
いて観察された。 実施例 175〜185 キヤボツト社から入手できるカーボンブラツク
（モナーチ1300）、塩化メチレン、種々のバインダ
ー、および種々の輸送添加剤をロールミル内で48
時間混合することによつて種々の被覆性組成物バ
ツチを調製した。バインダーと輸送添加剤を合わ
せた全重量に対して約１重量％のカーボンブラツ
クが添加された。このカーボンブラツクは約560
m2／ｇの表面積（N2S.A.）、約13ｍμの粒子サイ
ズ、約90.5％の固定炭素、およびキヤボツト社か
ら供給されたその他のカーボンブラツクに比べて
中位の電気抵抗率を有していた。エルバサイト
2046はE.I.デユポンドヌムール社から入手できる
ｎ−ブチル／イソブチル／メタクリレート（50／
50重量部）共重合体であり；エチルセルロースは
ハーキユルズ社から入手できるタイプ10であり；
VYNS−３はユニオンカーバイド社から入手で
きる塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体であり；
EAB171−２はイーストマンコダツク社から入手
できる酢酪酸セルロースであり；ルストレツクス
HF−777はモンサント社から入手できるポリス
チレンであり；プリオライトSSDはグツドイヤー
タイヤ＆ラバー社から入手できるスチレンブタジ
エン共重合体であり；プリオライトAC−Ｌはグ
ツドイヤータイヤ＆ラバー社から入手できるスチ
レンアクリレート共重合体であり；プリオライト
VT−Ｌはグツドイヤータイヤ＆ラバー社から入
手できるビニルトルエンブタジエン共重合体であ
り；UDEL P1700はユニオンカーバイド社から
入手できるポリスルホンであり；プリオライト
VTAC−Ｌはグツドイヤータイヤ＆ラバー社か
ら入手できるビニルトルエンブタジエン共重合体
であり；およびアーデルＤ−100はユニオンカー
バイド社から入手できるポリアクリレートであ
る。輸送添加剤Ａは２，５−ビス（４−ジエチル
アミノフエニル）−１，３，４−オキサゾールで
あり、輸送添加剤ＢはＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，
N′−ビス（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエ
ニル−４，4′−ジアミンであり、そして輸送添加
剤Ｃはビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフ
エニル）フエニルメタンである。材料（バインダ
ー、電荷注入賦与粒子および電荷輸送分子）は９
mmガラスビーズを半分充填した４オンスガラスジ
ヤーに入れてノートン・ケミカル・プロセス・プ
ロダクツ・デビジヨン・ロールミル上に置いた。
この被覆性組成物は乾燥時に表に列挙されている
被覆厚になるような湿潤皮膜厚を付着させるため
に２ミル間隙の塗布バーを具備したガードナード
ローバーコーター（パシフイツク・サイエンテイ
フイツクから入手できる）によつてブラシ粗面化
アルミニウムシートに適用され、そして約100℃
の強制エアオーブン内で１時間乾燥されて被膜を
形成した。コーテツドアルミニウムシートについ
ての物理的および電気的試験の結果は以下に記載
されている：
入賦与粒子の組合わせでは、電荷輸送分子または
電荷注入賦与粒子のどちらを除いた実施例165〜
174と比らべて、帯電量と残留電圧のかなりの低
下が観察された。最良の結果は負コロナ帯電を用
いて観察された。 実施例 175〜185 キヤボツト社から入手できるカーボンブラツク
（モナーチ1300）、塩化メチレン、種々のバインダ
ー、および種々の輸送添加剤をロールミル内で48
時間混合することによつて種々の被覆性組成物バ
ツチを調製した。バインダーと輸送添加剤を合わ
せた全重量に対して約１重量％のカーボンブラツ
クが添加された。このカーボンブラツクは約560
m2／ｇの表面積（N2S.A.）、約13ｍμの粒子サイ
ズ、約90.5％の固定炭素、およびキヤボツト社か
ら供給されたその他のカーボンブラツクに比べて
中位の電気抵抗率を有していた。エルバサイト
2046はE.I.デユポンドヌムール社から入手できる
ｎ−ブチル／イソブチル／メタクリレート（50／
50重量部）共重合体であり；エチルセルロースは
ハーキユルズ社から入手できるタイプ10であり；
VYNS−３はユニオンカーバイド社から入手で
きる塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体であり；
EAB171−２はイーストマンコダツク社から入手
できる酢酪酸セルロースであり；ルストレツクス
HF−777はモンサント社から入手できるポリス
チレンであり；プリオライトSSDはグツドイヤー
タイヤ＆ラバー社から入手できるスチレンブタジ
エン共重合体であり；プリオライトAC−Ｌはグ
ツドイヤータイヤ＆ラバー社から入手できるスチ
レンアクリレート共重合体であり；プリオライト
VT−Ｌはグツドイヤータイヤ＆ラバー社から入
手できるビニルトルエンブタジエン共重合体であ
り；UDEL P1700はユニオンカーバイド社から
入手できるポリスルホンであり；プリオライト
VTAC−Ｌはグツドイヤータイヤ＆ラバー社か
ら入手できるビニルトルエンブタジエン共重合体
であり；およびアーデルＤ−100はユニオンカー
バイド社から入手できるポリアクリレートであ
る。輸送添加剤Ａは２，５−ビス（４−ジエチル
アミノフエニル）−１，３，４−オキサゾールで
あり、輸送添加剤ＢはＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，
N′−ビス（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエ
ニル−４，4′−ジアミンであり、そして輸送添加
剤Ｃはビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフ
エニル）フエニルメタンである。材料（バインダ
ー、電荷注入賦与粒子および電荷輸送分子）は９
mmガラスビーズを半分充填した４オンスガラスジ
ヤーに入れてノートン・ケミカル・プロセス・プ
ロダクツ・デビジヨン・ロールミル上に置いた。
この被覆性組成物は乾燥時に表に列挙されている
被覆厚になるような湿潤皮膜厚を付着させるため
に２ミル間隙の塗布バーを具備したガードナード
ローバーコーター（パシフイツク・サイエンテイ
フイツクから入手できる）によつてブラシ粗面化
アルミニウムシートに適用され、そして約100℃
の強制エアオーブン内で１時間乾燥されて被膜を
形成した。コーテツドアルミニウムシートについ
ての物理的および電気的試験の結果は以下に記載
されている：
【表】
電荷輸送分子、バインダーおよび電荷注入賦与
粒子の種々の組合わせでは残留電圧のかなりの減
少が観察された。一般に、最良の結果は負コロナ
帯電を用いて得られた。 実施例 186〜198 輸送添加剤Ａ、２，５−ビス（４−ジエチルア
ミノフエニル）−１，３，４−オキサジゾール；
輸送添加剤Ｂ、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−
ビス（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエニル
−４，4′−ジアミン；または輸送添加剤Ｃ、ビス
（４−ジエチルアミノ−２−メチルフエニル）フ
エニルメタンを含有せずに、ブラシ粗面化アルミ
ニウムシート上に被膜を形成するために、実施例
175〜185に記載されている材料および手順を繰り
返した。これ等コーテツドシートについての電気
的測定は実施例１〜４に関連して先に記載された
手順および装置を用いて行われた。これ等試験の
結果は以下に示されている： 対応実施例175〜185と比らべたときの輸送化合
物を含有しない実施例186〜196における被膜の残
留電荷量の差は、電荷輸送分子と電荷注入賦与粒
子の組合わせからもたらされる残留電圧の顕著な
低下を立証するものである。 実施例 197〜202 ペイントシエーカー（レツド・デビル・モデル
No.5100X；レツド・デビル社、ユニオン、N.J.州
から入手できる）中で3.2mm直径のステンレス鋼
シヨツトによつて約90分間、ポリアクリル樹脂
（アーデルＤ−100；ユニオンカーバイド社から入
手できる）、ポリアクリル樹脂の重量に対して約
94重量％の塩化メチレン、ポリアクリル樹脂の全
重量に対して約40重量％のＮ，N′−ジフエニル
−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフエニル）１，1′−
ビフエニル−４，4′−ジアミンおよび種々の濃度
のバナジルフタロシアニル（VPC）顔料を混合
することによつて種々の被覆性組成物バツチを調
製した。バナジルフタロシアニン顔料粒子の添加
量はポリアクリル樹脂とＮ，N′−ジフエニル−
Ｎ，N′−ビス（３−メチルフエニル）１，1′−ビ
フエニル−４，4′−ジアミンを合わせた全体の重
量に対するものであつた。この被覆性組成物は乾
燥時に表に列挙されている被覆厚になるような湿
潤膜厚を付着させるために２ミル間隙の塗布バー
を具備したガードナードローバーコーター（パシ
フイツク・サイエンテイフイツクから入手でき
る）によつてブラシ粗面化アルミニウムシートに
適用され、そして約120℃の強制エアオーブン内
で約１時間乾燥されて（存在するならば）付着被
膜全体に一様に分散された種々の濃度のバナジル
フタロシアニン顔料と共にポリアクリル樹脂バイ
ンダー中に溶解されたジアミンを含有する被膜を
形成した。被覆されたアルミニウムシートについ
ての物理的および電気的試験の結果は以下に示さ
れている：
粒子の種々の組合わせでは残留電圧のかなりの減
少が観察された。一般に、最良の結果は負コロナ
帯電を用いて得られた。 実施例 186〜198 輸送添加剤Ａ、２，５−ビス（４−ジエチルア
ミノフエニル）−１，３，４−オキサジゾール；
輸送添加剤Ｂ、Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−
ビス（３−メチルフエニル）１，1′−ビフエニル
−４，4′−ジアミン；または輸送添加剤Ｃ、ビス
（４−ジエチルアミノ−２−メチルフエニル）フ
エニルメタンを含有せずに、ブラシ粗面化アルミ
ニウムシート上に被膜を形成するために、実施例
175〜185に記載されている材料および手順を繰り
返した。これ等コーテツドシートについての電気
的測定は実施例１〜４に関連して先に記載された
手順および装置を用いて行われた。これ等試験の
結果は以下に示されている： 対応実施例175〜185と比らべたときの輸送化合
物を含有しない実施例186〜196における被膜の残
留電荷量の差は、電荷輸送分子と電荷注入賦与粒
子の組合わせからもたらされる残留電圧の顕著な
低下を立証するものである。 実施例 197〜202 ペイントシエーカー（レツド・デビル・モデル
No.5100X；レツド・デビル社、ユニオン、N.J.州
から入手できる）中で3.2mm直径のステンレス鋼
シヨツトによつて約90分間、ポリアクリル樹脂
（アーデルＤ−100；ユニオンカーバイド社から入
手できる）、ポリアクリル樹脂の重量に対して約
94重量％の塩化メチレン、ポリアクリル樹脂の全
重量に対して約40重量％のＮ，N′−ジフエニル
−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフエニル）１，1′−
ビフエニル−４，4′−ジアミンおよび種々の濃度
のバナジルフタロシアニル（VPC）顔料を混合
することによつて種々の被覆性組成物バツチを調
製した。バナジルフタロシアニン顔料粒子の添加
量はポリアクリル樹脂とＮ，N′−ジフエニル−
Ｎ，N′−ビス（３−メチルフエニル）１，1′−ビ
フエニル−４，4′−ジアミンを合わせた全体の重
量に対するものであつた。この被覆性組成物は乾
燥時に表に列挙されている被覆厚になるような湿
潤膜厚を付着させるために２ミル間隙の塗布バー
を具備したガードナードローバーコーター（パシ
フイツク・サイエンテイフイツクから入手でき
る）によつてブラシ粗面化アルミニウムシートに
適用され、そして約120℃の強制エアオーブン内
で約１時間乾燥されて（存在するならば）付着被
膜全体に一様に分散された種々の濃度のバナジル
フタロシアニン顔料と共にポリアクリル樹脂バイ
ンダー中に溶解されたジアミンを含有する被膜を
形成した。被覆されたアルミニウムシートについ
ての物理的および電気的試験の結果は以下に示さ
れている：
【表】
【表】
【表】
被膜が電荷輸送分子と微細電荷注入賦与粒子の
組合わせを含有した場合、得られる残留電圧は減
少した。 実施例 203〜208 Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メ
チルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジ
アミンを削除したこと以外は実施例８〜４に記載
されている手順を繰り返した。オーバーコーテツ
ドアルミニウムシートについての物理的および電
気的試験の結果は以下に示されている：
組合わせを含有した場合、得られる残留電圧は減
少した。 実施例 203〜208 Ｎ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メ
チルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジ
アミンを削除したこと以外は実施例８〜４に記載
されている手順を繰り返した。オーバーコーテツ
ドアルミニウムシートについての物理的および電
気的試験の結果は以下に示されている：
【表】
対応実施例199〜202と比べた時の輸送化合物を
含有しない実施例205〜208における被膜の残留電
荷量の差は電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組
合わせからもたらされる残留電圧の顕著な減少を
立証するものである。実施例197と198に対応する
実施例203と204は残留電圧が殆んど減少していな
いが、それは電荷輸送材料として機能するVPC
顔料のせいである。この顔料は可視およびIR領
域にわたる光線を吸収するので、顔料電荷輸送が
支配的になる濃度では被膜は不透明である。 実施例 209 ニツケル基体、樹脂界面、および0.33重量％ヒ
素と100ppm塩素と残余セレンのセレン合金から
なるセレン合金光受容体をビンクス吹付け塗布器
によつてブロツキング層とオーバーコート組成物
で被覆した。ブロツキング層はジルコニウムアセ
チルラクトネート約1.0ｇ、イソプロピルアルコ
ール（IPA）468ｇとイソブチルアルコール180ｇ
の混合溶剤中に溶解されたポリビニルブチラール
（ブトバルＢ−72；モンサント社から入手できる）
約1.0ｇを含有していた。IPAは約５重量％の水
を含有していた。得られた乾燥被膜厚は約0.05μ
ｍであつた。ペイントシエーカー（レツドデビル
モデルNo.5100X；レツドデビル社、ユニオン、N.
J.州から入手できる）で3.2mm直径のステンレス
鋼シヨツトを用いて約90分間混合することによつ
て調製されたオーバーコート即ち、0.28ｇブラツ
クパールＬカーボンブラツク、約0.07ｇフルオラ
ドFC−430フルオロカーボン分散剤（3M社製）
約16.6ｇポリカーボネート樹脂（マクロロン
5705；モーベイケミカル社から入手できる）、約
11.2ｇＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３
−メチルフエニル）−１，1′−ビフエニル−４，
4′−アミン、および521ｇ塩化メチレンと593ｇ
１，１，２−トリクロロエタンからなる溶液40ｇ
でブロツキング層を被覆した。乾燥された吹付け
付着オーバーコート層は約4μｍの厚さを有して
いた。 オーバーコートされた光受容体サンプルは定電
流コロナ帯電器によつて帯電され、そのサンプル
の電圧は0.5秒後にチヤート記録計で測定された。
そのサンプルはタングステンランプによつて光放
電され、そしてその残留電圧は帯電から2.5秒後、
露光から0.1秒後に測定された。元の非コーテツ
ド光受容体（対照）のサンプルもまた同じように
帯電されそして試験された。オーバコーテツト光
受容体と非オーバーコーテツド光受容体の試験デ
ータを電荷受容（DVO）および光照射後残留電圧
（DVR）について比較した。オーバーコーテツド
光受容体のVOから非オーバコーテツド光受容体
のVOを差し引いた値即ちDVOは170Vであつた。
オーバーコーテツド光受容体のVRから非オーバ
ーコーテツド光受容体のVRを差し引いた値即ち
DVRは100Vであつた。この比較はブロツキング
層が電荷注入を防止するのに有効であることを示
している。さらに、電荷受容はオーバーコートに
よつて増大されるので、そのデバイスは残留電圧
の増大よりも70V大きい値に帯電された。 実施例 210 フルオラドFC−430の代りにシルウエツトＬ−
7500（ユニオンカーバイド社から入手できる）を
分散剤として使用したこと以外は実施例209に記
載されている手順を繰り返した。対照サンプルと
比較したこのサンプルの電気的測定はDVO＝60V
およびDVR＝45Vであつた。この比較はオーバー
コーテツド光受容体が非オーバーコーテツド光受
容体の帯電量より15V大きい電荷受容を有してい
たことを示している。 実施例 211 ブロツキング層を削除したこと以外は同じ材料
を用いて実施例209に記載されている手順を繰り
返した。このサンプルと対照サンプルの電気測定
の比較はDVO＝−480VおよびDVR＝85Vであつ
た。この比較はオーバーコーテツド光受容体が光
受容体への電荷注入を意味する非オーバーコーテ
ツド光受容体の帯電量より565V小さい電荷受容
を有していたこと、およびブロツキング層がこの
光受容体に電荷を捕獲するのに必要であることを
示している。 実施例 212 ヒ素−塩素−セレン合金光受容体の代りにゼロ
ツクス2830複写機からのセレン−テルル合金光受
容体を使用したこと以外は同じ材料を用いて実施
例209に記載されている手順を繰り返した。この
サンプルと対照サンプルの電気測定の比較はDVO
＝100VおよびDVR＝60Vであつた。この比較は
オーバーコーテツド光受容体が非オーバーコーテ
ツド光受容体の帯電量より40V大きい電荷受容を
有していたことを示す。 実施例 213 実施例212で記載したオーバーコーテツドドラ
ムをゼロツクス2830複写機に装着して、50％RH
と70〓の周囲の相対湿度・温度条件で数千コピー
作製するようにサイクル操作した。得られたコピ
ーはきれいで、背景部トナー付着を有さず、７
本／mmの解像力を有していた。80％RHと80〓で
試験を繰り返しても良好な鮮映な像が得られた。
さらに、ドラム表面は全く引掻傷を有さず、そし
てワイパーブレードクリーナーで容易にクリーニ
ングされた。トナー像の転写効率も高く且つ完全
であつた。 実施例 214 ヒ素−塩素−セレン合金光受容体の代りに多層
光受容体を使用したこと以外は同じ材料を用いて
実施例209に記載されている手順を繰り返した。
多層光受容体は次のようにして製造された：ま
ず、陽極酸化されたアルミニウム基体上に、ポリ
カーボネート樹脂（メルロンＭ−39；モーベイケ
ミカル社から入手できる）の全重量に対して35重
量％のＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３
−メチルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，
4′−ジアミンがポリカーボネート樹脂中に分散さ
れている輸送層を15μｍ厚で形成した。その輸送
層上に1μｍ厚の発生層を形成した。発生層はポ
リエステル樹脂（PE−100；グツドイヤータイヤ
＆ラバー社から入手できる）中に分散されたバナ
ジルフタロシアニン顔料粒子30重量％を含有して
いた。ブロツキング層厚は約0.05μｍであり、そ
してオーバーコート厚は約6.95μｍであつた。こ
のサンプルと、非オーバーコーテツド多層光受容
体の対照サンプルとの電気測定の比較はDVO＝−
180VおよびDVR＝40Vであつた。この比較はオ
ーバーコーテツド光受容体が非オーバーコーテツ
ド光受容体の電圧より約220V低い値に帯電され
たことを示している。これはブロツキング層中の
ピンホールまたは他の欠陥に帰着する積層光受容
体上の不完全被覆によるブロツキング層からのい
くつかの電荷漏洩のせいである。 実施例 215 ブロツキング層の厚さが約0.15μｍであつたこ
と以外は同じ材料を用いて実施例214に記載され
ている手順を繰り返した。このサンプルと非オー
バーコーテツド多層光受容体の対照サンプルとの
電気的測定の比較はDVO＝95VおよびDVR＝50V
であつた。この比較は、ブロツキング層が十分な
厚さ又は被覆量で適用されるとブロツキング層が
オーバーコートから積層光受容体への電荷注入を
有効に阻止すると云うことを示している。 実施例 216 ヒ素−塩素−セレン合金光受容体の代りに多層
光受容体を使用したこと以外は同じ材料を用いて
実施例211記載の手順を繰り返した。多層光受容
体は次のように作製された：まず、陽極酸化され
たアルミニウム基体上に、ポリビニルカルバゾー
ルバインダー中に分散された三方晶系セレン粒子
20重量％を含有する1.2μｍ厚の発生層を形成し
た。ポリカーボネート樹脂中に溶解された、ポリ
カーボネート樹脂全重量に対して50重量％のＮ，
N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフ
エニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジアミン
の20μｍ厚の輸送層を発生層上に形成した。この
サンプルと多層光受容体の非コーテツド対照サン
プルとの電気的測定の比較はDVO＝−80Vおよび
DVR＝10Vであつた。この比較はオーバーコーテ
ツド光受容体が非オーバーコーテツド光受容体の
電圧より約70V低い値に帯電されると云うことを
示している。この場合、電荷受容の減少はオーバ
ーコートから多層光受容体の輸送層への注入賦与
粒子の浸透のせいであり、それによりオーバーコ
ートの厚さは有効に増大し、そして輸送層の厚さ
は減少した。 実施例 217 実施例215に記載されている手順を同じ材料で
繰り返し、そしてこのサンプルのサイクル中での
帯電および残留電圧についての電気的測定を行つ
た。サイクル中の帯電および残留電圧は次の通り
であつた：サイクル数 VO VR １ 900V 50V 10 980V 100V 100V 1000V 110V 1000 940V 110V 10000 820V 100V これ等結果は電荷輸送分子と注入賦与粒子を含
有するオーバーコートを有する光受容体のサイク
ル中の帯電および残留電圧の安定性を立証してい
る。 実施例 218 99.8％セレンと0.2％ヒ素と20ppmドープ塩素
のセレン合金の約3μ厚の層を支持するアルミニ
ウム基体を有するセレン光受容体は、ポリカーボ
ネート樹脂（マクロロン；モーベイケミカル社か
ら入手できる）中に溶解された約40重量％のＮ，
N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフ
エニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジアミン
を含有する20μｍ厚の層でオーバーコートされ
た。同じようにして同じ材料を用いて、しかしオ
ーバーコート中にさらに約１重量％のカーボンブ
ラツクモナーチ1300（キヤボツト社から入手でき
る）を含有する別のサンプルを作製した。オーバ
ーコートの上面に電荷の発生部位を設けるために
両サンプルを99％セレンと0.2％ヒ素と20ppmド
ープ塩素のセレン合金層の別の薄い層で被覆し
た。これ等サンプルはコロナ帯電によつて付着さ
せられた印加電荷の10％未満を放電させるパルス
窒素レーザーからの１ナノ秒未満のパルスで露光
された。カーボンブラツク粒子を含有しないサン
プルは高電圧に帯電されそしてデバイス全体を通
しての正孔走行はデバイス表面の電圧をレーザー
パルス後の時間の函数として測定すること（通
常、ゼログラフイツク飛翔時間と称されている手
法）によつて容易に解明できた。 オーバーコート層中にカーボンブラツクを含有
するサンプルでは同じ帯電条件下で小さな電圧の
み現出し、そして走行時間（transit time）信号
は観察できなかつた。明白な走行時間信号の欠除
は電荷が電荷注入賦与粒子から20μｍのオーバー
コート層の内部全体に注入されることを表わし、
そしてさらにここに記載されている内部輸送機構
を立証するものである。レーザー発生電荷をより
速いタイムスケールで解明することによつて最上
部の薄いセレン合金層中の輸送を測定したとき、
両サンプルにおいて同一の走行パルスが観察され
た。従つて、両サンプルにおいて上層のセレン合
金層中に現出した電界は同一であつた。このよう
に、電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせ
を含有する下層の層中に分布された電荷のために
上層のセレン合金層には外部電界は存在しない。
云い換えると、電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子
の組合わせを含有するオーバーコート中には負の
内部空間電荷が存在しなかつた。この実施例は連
続的に分極、注入および正孔輸送させて電荷注入
賦与粒子に残る負電荷を表面に「わき上が」らせ
て表面でコロナ付着電荷と再結合する輸送機構を
証明するものである。オーバーコート層内部に残
つた負電荷は最上部の合金層内に別の電界を形成
し、そして別の走行パルスを生ずる。 本開示を閲読した当業者にとつては本発明の他
の変形例が可能であろう。それ等は本発明の範囲
に包含される。
含有しない実施例205〜208における被膜の残留電
荷量の差は電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組
合わせからもたらされる残留電圧の顕著な減少を
立証するものである。実施例197と198に対応する
実施例203と204は残留電圧が殆んど減少していな
いが、それは電荷輸送材料として機能するVPC
顔料のせいである。この顔料は可視およびIR領
域にわたる光線を吸収するので、顔料電荷輸送が
支配的になる濃度では被膜は不透明である。 実施例 209 ニツケル基体、樹脂界面、および0.33重量％ヒ
素と100ppm塩素と残余セレンのセレン合金から
なるセレン合金光受容体をビンクス吹付け塗布器
によつてブロツキング層とオーバーコート組成物
で被覆した。ブロツキング層はジルコニウムアセ
チルラクトネート約1.0ｇ、イソプロピルアルコ
ール（IPA）468ｇとイソブチルアルコール180ｇ
の混合溶剤中に溶解されたポリビニルブチラール
（ブトバルＢ−72；モンサント社から入手できる）
約1.0ｇを含有していた。IPAは約５重量％の水
を含有していた。得られた乾燥被膜厚は約0.05μ
ｍであつた。ペイントシエーカー（レツドデビル
モデルNo.5100X；レツドデビル社、ユニオン、N.
J.州から入手できる）で3.2mm直径のステンレス
鋼シヨツトを用いて約90分間混合することによつ
て調製されたオーバーコート即ち、0.28ｇブラツ
クパールＬカーボンブラツク、約0.07ｇフルオラ
ドFC−430フルオロカーボン分散剤（3M社製）
約16.6ｇポリカーボネート樹脂（マクロロン
5705；モーベイケミカル社から入手できる）、約
11.2ｇＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３
−メチルフエニル）−１，1′−ビフエニル−４，
4′−アミン、および521ｇ塩化メチレンと593ｇ
１，１，２−トリクロロエタンからなる溶液40ｇ
でブロツキング層を被覆した。乾燥された吹付け
付着オーバーコート層は約4μｍの厚さを有して
いた。 オーバーコートされた光受容体サンプルは定電
流コロナ帯電器によつて帯電され、そのサンプル
の電圧は0.5秒後にチヤート記録計で測定された。
そのサンプルはタングステンランプによつて光放
電され、そしてその残留電圧は帯電から2.5秒後、
露光から0.1秒後に測定された。元の非コーテツ
ド光受容体（対照）のサンプルもまた同じように
帯電されそして試験された。オーバコーテツト光
受容体と非オーバーコーテツド光受容体の試験デ
ータを電荷受容（DVO）および光照射後残留電圧
（DVR）について比較した。オーバーコーテツド
光受容体のVOから非オーバコーテツド光受容体
のVOを差し引いた値即ちDVOは170Vであつた。
オーバーコーテツド光受容体のVRから非オーバ
ーコーテツド光受容体のVRを差し引いた値即ち
DVRは100Vであつた。この比較はブロツキング
層が電荷注入を防止するのに有効であることを示
している。さらに、電荷受容はオーバーコートに
よつて増大されるので、そのデバイスは残留電圧
の増大よりも70V大きい値に帯電された。 実施例 210 フルオラドFC−430の代りにシルウエツトＬ−
7500（ユニオンカーバイド社から入手できる）を
分散剤として使用したこと以外は実施例209に記
載されている手順を繰り返した。対照サンプルと
比較したこのサンプルの電気的測定はDVO＝60V
およびDVR＝45Vであつた。この比較はオーバー
コーテツド光受容体が非オーバーコーテツド光受
容体の帯電量より15V大きい電荷受容を有してい
たことを示している。 実施例 211 ブロツキング層を削除したこと以外は同じ材料
を用いて実施例209に記載されている手順を繰り
返した。このサンプルと対照サンプルの電気測定
の比較はDVO＝−480VおよびDVR＝85Vであつ
た。この比較はオーバーコーテツド光受容体が光
受容体への電荷注入を意味する非オーバーコーテ
ツド光受容体の帯電量より565V小さい電荷受容
を有していたこと、およびブロツキング層がこの
光受容体に電荷を捕獲するのに必要であることを
示している。 実施例 212 ヒ素−塩素−セレン合金光受容体の代りにゼロ
ツクス2830複写機からのセレン−テルル合金光受
容体を使用したこと以外は同じ材料を用いて実施
例209に記載されている手順を繰り返した。この
サンプルと対照サンプルの電気測定の比較はDVO
＝100VおよびDVR＝60Vであつた。この比較は
オーバーコーテツド光受容体が非オーバーコーテ
ツド光受容体の帯電量より40V大きい電荷受容を
有していたことを示す。 実施例 213 実施例212で記載したオーバーコーテツドドラ
ムをゼロツクス2830複写機に装着して、50％RH
と70〓の周囲の相対湿度・温度条件で数千コピー
作製するようにサイクル操作した。得られたコピ
ーはきれいで、背景部トナー付着を有さず、７
本／mmの解像力を有していた。80％RHと80〓で
試験を繰り返しても良好な鮮映な像が得られた。
さらに、ドラム表面は全く引掻傷を有さず、そし
てワイパーブレードクリーナーで容易にクリーニ
ングされた。トナー像の転写効率も高く且つ完全
であつた。 実施例 214 ヒ素−塩素−セレン合金光受容体の代りに多層
光受容体を使用したこと以外は同じ材料を用いて
実施例209に記載されている手順を繰り返した。
多層光受容体は次のようにして製造された：ま
ず、陽極酸化されたアルミニウム基体上に、ポリ
カーボネート樹脂（メルロンＭ−39；モーベイケ
ミカル社から入手できる）の全重量に対して35重
量％のＮ，N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３
−メチルフエニル）１，1′−ビフエニル−４，
4′−ジアミンがポリカーボネート樹脂中に分散さ
れている輸送層を15μｍ厚で形成した。その輸送
層上に1μｍ厚の発生層を形成した。発生層はポ
リエステル樹脂（PE−100；グツドイヤータイヤ
＆ラバー社から入手できる）中に分散されたバナ
ジルフタロシアニン顔料粒子30重量％を含有して
いた。ブロツキング層厚は約0.05μｍであり、そ
してオーバーコート厚は約6.95μｍであつた。こ
のサンプルと、非オーバーコーテツド多層光受容
体の対照サンプルとの電気測定の比較はDVO＝−
180VおよびDVR＝40Vであつた。この比較はオ
ーバーコーテツド光受容体が非オーバーコーテツ
ド光受容体の電圧より約220V低い値に帯電され
たことを示している。これはブロツキング層中の
ピンホールまたは他の欠陥に帰着する積層光受容
体上の不完全被覆によるブロツキング層からのい
くつかの電荷漏洩のせいである。 実施例 215 ブロツキング層の厚さが約0.15μｍであつたこ
と以外は同じ材料を用いて実施例214に記載され
ている手順を繰り返した。このサンプルと非オー
バーコーテツド多層光受容体の対照サンプルとの
電気的測定の比較はDVO＝95VおよびDVR＝50V
であつた。この比較は、ブロツキング層が十分な
厚さ又は被覆量で適用されるとブロツキング層が
オーバーコートから積層光受容体への電荷注入を
有効に阻止すると云うことを示している。 実施例 216 ヒ素−塩素−セレン合金光受容体の代りに多層
光受容体を使用したこと以外は同じ材料を用いて
実施例211記載の手順を繰り返した。多層光受容
体は次のように作製された：まず、陽極酸化され
たアルミニウム基体上に、ポリビニルカルバゾー
ルバインダー中に分散された三方晶系セレン粒子
20重量％を含有する1.2μｍ厚の発生層を形成し
た。ポリカーボネート樹脂中に溶解された、ポリ
カーボネート樹脂全重量に対して50重量％のＮ，
N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフ
エニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジアミン
の20μｍ厚の輸送層を発生層上に形成した。この
サンプルと多層光受容体の非コーテツド対照サン
プルとの電気的測定の比較はDVO＝−80Vおよび
DVR＝10Vであつた。この比較はオーバーコーテ
ツド光受容体が非オーバーコーテツド光受容体の
電圧より約70V低い値に帯電されると云うことを
示している。この場合、電荷受容の減少はオーバ
ーコートから多層光受容体の輸送層への注入賦与
粒子の浸透のせいであり、それによりオーバーコ
ートの厚さは有効に増大し、そして輸送層の厚さ
は減少した。 実施例 217 実施例215に記載されている手順を同じ材料で
繰り返し、そしてこのサンプルのサイクル中での
帯電および残留電圧についての電気的測定を行つ
た。サイクル中の帯電および残留電圧は次の通り
であつた：サイクル数 VO VR １ 900V 50V 10 980V 100V 100V 1000V 110V 1000 940V 110V 10000 820V 100V これ等結果は電荷輸送分子と注入賦与粒子を含
有するオーバーコートを有する光受容体のサイク
ル中の帯電および残留電圧の安定性を立証してい
る。 実施例 218 99.8％セレンと0.2％ヒ素と20ppmドープ塩素
のセレン合金の約3μ厚の層を支持するアルミニ
ウム基体を有するセレン光受容体は、ポリカーボ
ネート樹脂（マクロロン；モーベイケミカル社か
ら入手できる）中に溶解された約40重量％のＮ，
N′−ジフエニル−Ｎ，N′−ビス（３−メチルフ
エニル）１，1′−ビフエニル−４，4′−ジアミン
を含有する20μｍ厚の層でオーバーコートされ
た。同じようにして同じ材料を用いて、しかしオ
ーバーコート中にさらに約１重量％のカーボンブ
ラツクモナーチ1300（キヤボツト社から入手でき
る）を含有する別のサンプルを作製した。オーバ
ーコートの上面に電荷の発生部位を設けるために
両サンプルを99％セレンと0.2％ヒ素と20ppmド
ープ塩素のセレン合金層の別の薄い層で被覆し
た。これ等サンプルはコロナ帯電によつて付着さ
せられた印加電荷の10％未満を放電させるパルス
窒素レーザーからの１ナノ秒未満のパルスで露光
された。カーボンブラツク粒子を含有しないサン
プルは高電圧に帯電されそしてデバイス全体を通
しての正孔走行はデバイス表面の電圧をレーザー
パルス後の時間の函数として測定すること（通
常、ゼログラフイツク飛翔時間と称されている手
法）によつて容易に解明できた。 オーバーコート層中にカーボンブラツクを含有
するサンプルでは同じ帯電条件下で小さな電圧の
み現出し、そして走行時間（transit time）信号
は観察できなかつた。明白な走行時間信号の欠除
は電荷が電荷注入賦与粒子から20μｍのオーバー
コート層の内部全体に注入されることを表わし、
そしてさらにここに記載されている内部輸送機構
を立証するものである。レーザー発生電荷をより
速いタイムスケールで解明することによつて最上
部の薄いセレン合金層中の輸送を測定したとき、
両サンプルにおいて同一の走行パルスが観察され
た。従つて、両サンプルにおいて上層のセレン合
金層中に現出した電界は同一であつた。このよう
に、電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせ
を含有する下層の層中に分布された電荷のために
上層のセレン合金層には外部電界は存在しない。
云い換えると、電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子
の組合わせを含有するオーバーコート中には負の
内部空間電荷が存在しなかつた。この実施例は連
続的に分極、注入および正孔輸送させて電荷注入
賦与粒子に残る負電荷を表面に「わき上が」らせ
て表面でコロナ付着電荷と再結合する輸送機構を
証明するものである。オーバーコート層内部に残
つた負電荷は最上部の合金層内に別の電界を形成
し、そして別の走行パルスを生ずる。 本開示を閲読した当業者にとつては本発明の他
の変形例が可能であろう。それ等は本発明の範囲
に包含される。
第１図は光受容体を絶縁層でオーバーコートし
た場合の電荷分布を表わす。第２図はバインダー
中に粒子を含有する導電層によつてオーバーコー
トされた光受容体を使用した場合の電荷分布を表
わす。第３図は本発明のオーバーコート態様でオ
ーバコートされた光受容体を使用したときの電荷
分布を表わす。第４図は本発明のオーバーコート
態様における電荷注入賦与粒子の分極を表わす。
第５図は連続相輸送媒体に注入されそして電界に
よつて光受容体−オーバーコート界面に移動させ
られた電荷を表わす。第６図は電荷注入賦与粒子
からの放出によるオーバーコート内部の空間電荷
の緩和を表わす。
た場合の電荷分布を表わす。第２図はバインダー
中に粒子を含有する導電層によつてオーバーコー
トされた光受容体を使用した場合の電荷分布を表
わす。第３図は本発明のオーバーコート態様でオ
ーバコートされた光受容体を使用したときの電荷
分布を表わす。第４図は本発明のオーバーコート
態様における電荷注入賦与粒子の分極を表わす。
第５図は連続相輸送媒体に注入されそして電界に
よつて光受容体−オーバーコート界面に移動させ
られた電荷を表わす。第６図は電荷注入賦与粒子
からの放出によるオーバーコート内部の空間電荷
の緩和を表わす。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも１層の光導電層；および 電荷輸送分子からなる皮膜形成性連続相と該連
続相中に分散された微細な電荷注入賦与粒子とか
らなり、該光導電層が感ずる活性化輻射線に対し
て実質的に透明であり且つ低電界中で実質的に絶
縁性であるオーバーコート層； からなる電子写真像形成部材。 ２ 該光導電層と該オーバーコート層間に介在す
るブロツキング層を含有する、特許請求の範囲第
１項の電子写真像形成部材。 ３ 該電荷注入賦与粒子は約10μｍ未満で且つ該
光導電層が感ずる光の波長未満の粒子サイズを有
する、特許請求の範囲第１項の電子写真像形成部
材。 ４ 該連続相は該電荷輸送分子を溶解または分子
分散して有する絶縁性の皮膜形成性バインダーか
らなる、特許請求の範囲第１項の電子写真像形成
部材。 ５ 該連続相は電気絶縁性で電荷輸送性の皮膜形
成性バインダーからなる、特許請求の範囲第１項
の電子写真像形成部材。 ６ 該絶縁性オーバーコート層は暗所で約1013Ω
−cmより大きい抵抗率を有し、且つ、該オーバー
コート層と該光導電層を横切つて印加された約
5V／μｍ超の電界中では該電荷注入賦与粒子が
暗所で約10-12秒未満で分極して約10μ秒未満で電
荷担体を該連続相に注入しそして該オーバーコー
ト層と該光導電層を横切つて印加された約5V／
μｍ未満の電界中では該電荷注入賦与粒子が暗所
で約10-12秒超で分極して約10μ秒超で電荷担体を
該連続相に注入するに十分な電荷注入賦与粒子か
らなる、特許請求の範囲第１項の電子写真像形成
部材。 ７ 該電気絶縁性オーバーコート層は約1μｍ〜
約15μｍの厚さを有する、特許請求の範囲第１項
の電子写真像形成部材。 ８ 該電荷輸送分子は一般式 【化】 （式中、Ｘは１〜約４個の炭素原子を有するアル
キル基および塩素からなる群から選択される）を
有する化合物１種以上からなる、特許請求の範囲
第１項の電子写真像形成部材。 ９ 該電荷輸送分子は一般式 【化】 （式中、R1はメチル、エチル、２−ヒドロキシ
エチルおよび２−クロロエチル基からなる群から
選択され、そしてR2はメチル、エチル、ベンジ
ルおよびフエニル基からなる群から選択される）
を有する化合物１種以上からなる、特許請求の範
囲第１項の電子写真像形成部材。 １０ 該電荷輸送分子は一般式 【化】 （式中、 R1は【式】ｘ＝０、 １、２、３または 【式】であり、 R2は−OCH2CH3、−CH3または−Ｈであり、 R3は【式】【式】−CH3また は CH2CH2CH2CH3であり、そして R4は【式】または−CH3である） を有する化合物１種以上からなる、特許請求の範
囲第１項の電子写真像形成部材。 １１ 該電荷輸送分子はオキサジアゾール化合物
からなる、特許請求の範囲第１項の電子写真像形
成部材。 １２ (a)少なくとも１層の光導電層；および電荷
輸送分子からなる皮膜形成性連続相と該連続相中
に分散された微細な電荷注入賦与粒子とからな
り、該光導電層が感ずる活性化輻射線に対して実
質的に透明でありそして該光導電層から遠い方の
側に像形成表面を有するオーバーコート層；から
なる電子写真像形成部材を用意し、(b)該光導電層
の、該オーバーコート層から遠い方の側の面を導
電性基体と接触させ、(c)暗所で該像形成表面上に
実質的に一様な静電荷を付着させ、そして(d)該電
子写真像形成部材を横切つて十分な電界を印加し
て該電荷注入賦与粒子を分極させることを包含
し、それによつて該電荷注入賦与粒子は電荷担体
を該連続相に注入し、該電荷担体は暗所で該光導
電層と該オーバーコート層間の界面に輸送され捕
獲され、そして該オーバーコート層内の反対空間
電荷は該電荷注入賦与粒子から該像形成表面への
電荷放出によつて緩和される、電子写真像形成方
法。 １３ 該電荷担体は該光導電層と該オーバーコー
ト層間に介在するブロツキング層に捕獲される、
特許請求の範囲第１２項の電子写真像形成方法。 １４ 該電子写真像形成部材を横切る該電界は該
像形成表面上の該一様静電荷と該光導電層の該オ
ーバーコート層に反対側の面へ連続する電気的に
接地された導電部材との間に形成される、特許請
求の範囲第１２項の電子写真像形成方法。 １５ 該オーバーコート層は該注入賦与粒子が電
荷担体を該連続相に注入する前およびした後で電
気絶縁性であり、そして該電荷担体は暗所で該光
導電層と該オーバコート層間の界面に輸送され捕
獲される、特許請求の範囲第１２項の電子写真像
形成方法。 １６ 該絶縁性オーバーコート層は暗所で約
1013Ω−cmより大きい抵抗率を有し、且つ、該オ
ーバーコート層と該光導電層を横切つて印加され
た約5V／μｍ超の電界中では該電荷注入賦与粒
子が暗所で約10-12秒未満で分極して約10μ秒未満
で電荷担体を該連続相に注入しそして該オーバー
コート層と該光導電層を横切つて印加された約
5V／μｍ未満の電界中では該電荷注入賦与粒子
が暗所で約10-12秒超で分極して約10μ秒超で電荷
担体を該連続相に注入するに十分な電荷注入賦与
粒子からなる、特許請求の範囲第１２項の電子写
真像形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/567,840 US4515882A (en) | 1984-01-03 | 1984-01-03 | Overcoated electrophotographic imaging system |
| US567840 | 1990-08-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169856A JPS60169856A (ja) | 1985-09-03 |
| JPH0574817B2 true JPH0574817B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=24268854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59282130A Granted JPS60169856A (ja) | 1984-01-03 | 1984-12-27 | オ−バ−コ−トされた電子写真像形成部材 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4515882A (ja) |
| EP (1) | EP0149914B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60169856A (ja) |
| CA (1) | CA1256313A (ja) |
| DE (1) | DE3473361D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1984-01-03 US US06/567,840 patent/US4515882A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-18 EP EP84308867A patent/EP0149914B1/en not_active Expired
- 1984-12-18 DE DE8484308867T patent/DE3473361D1/de not_active Expired
- 1984-12-27 JP JP59282130A patent/JPS60169856A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-02 CA CA000471332A patent/CA1256313A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0149914B1 (en) | 1988-08-10 |
| JPS60169856A (ja) | 1985-09-03 |
| EP0149914A1 (en) | 1985-07-31 |
| DE3473361D1 (en) | 1988-09-15 |
| US4515882A (en) | 1985-05-07 |
| CA1256313A (en) | 1989-06-27 |
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