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JPH04310266A - Rotary substrate treatment apparatus - Google Patents

Rotary substrate treatment apparatus

Info

Publication number
JPH04310266A
JPH04310266A JP10186791A JP10186791A JPH04310266A JP H04310266 A JPH04310266 A JP H04310266A JP 10186791 A JP10186791 A JP 10186791A JP 10186791 A JP10186791 A JP 10186791A JP H04310266 A JPH04310266 A JP H04310266A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
substrate
parameter
heat treatment
parameters
Prior art date
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Granted
Application number
JP10186791A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2739144B2 (en
Inventor
Masahiro Himoto
樋本 政弘
Kensho Yokono
憲昭 横野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=14311941&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH04310266(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP10186791A priority Critical patent/JP2739144B2/en
Publication of JPH04310266A publication Critical patent/JPH04310266A/en
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the labor required when new substrate treatment procedure is formed. CONSTITUTION:When a processing step (heat treatment step) for setting a process parameter (variable parameter) is indicated, a parameter setting screen for urging the setting of all of the process parameters related to the heat treatment step is displayed. When the parameter values of all of process parameters (heat treatment temp., a heat treatment time, heat treatment-related non- treatment time, a heat treatment-related treatment time, substrate temp. promising correction quantity) to be set are inputted by an input key, the data input of the heat treatment step is completed. Thereafter, new substrate treatment procedure for the setting input of the parameter values of process parameters and the reading of an initial parameter is formed with respect to the remaining treatment step in the same way to be stored.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハや液晶パ
ネル用のガラス板といった基板を複数の処理機器へ搬送
し、搬送された基板に所要の処理液を供給して基板洗浄
,薄膜形成等の回転処理を基板に施す回転式基板処理装
置に関する。
[Industrial Application Field] The present invention transports substrates such as semiconductor wafers and glass plates for liquid crystal panels to a plurality of processing equipment, supplies the required processing liquid to the transported substrates, performs substrate cleaning, thin film formation, etc. The present invention relates to a rotary substrate processing apparatus that performs rotational processing on a substrate.

【0002】0002

【従来の技術】この種の回転式基板処理装置は、基板処
理手順に基づき駆動されて基板を処理する複数の処理機
器のほか、各処理機器に基板を搬送するための基板搬送
機器を備える。この複数の処理機器としては、例えば、
フォトレジストや現像液或いは超純水等の各種処理液を
回転させた基板に供給し、基板に対して種々の回転処理
を施す回転処理機器や、ホットプレートやクールプレー
トといった基板に熱処理を施す熱処理機器等が挙げられ
る。また、各処理機器への基板搬送順序や各処理機器に
おける基板処理条件や各処理機器の制御条件である種々
の制御パラメータ(基板回転数,処理温度,使用する処
理液の指定,処理液吐出量等)を特定するための基板処
理手順は、所望する基板品質に応じて個別に作成され予
め回転式基板処理装置の記憶機器に複数記憶されている
2. Description of the Related Art A rotary substrate processing apparatus of this type includes a plurality of processing devices that are driven based on a substrate processing procedure to process a substrate, as well as a substrate transport device for transporting the substrate to each processing device. These multiple processing devices include, for example,
Rotary processing equipment that supplies various processing solutions such as photoresist, developer, or ultrapure water to a rotating substrate and performs various rotational treatments on the substrate, and heat treatment such as hot plates and cool plates that perform heat treatment on the substrate. Examples include equipment. In addition, the order of substrate transfer to each processing device, the substrate processing conditions in each processing device, and various control parameters that are the control conditions of each processing device (substrate rotation speed, processing temperature, specification of processing liquid to be used, processing liquid discharge amount A plurality of substrate processing procedures for specifying (e.g.) are created individually depending on the desired substrate quality and stored in advance in the storage device of the rotary substrate processing apparatus.

【0003】そして、ある基板処理手順が指定されると
、回転式基板処理装置は、この指定された基板処理手順
における基板搬送順序に基づいて、該当する処理機器に
基板を順次搬送し、搬送された各処理機器において、基
板処理手順における制御パラメータに基づいて処理機器
を駆動し、基板を回転処理する。
[0003] When a certain substrate processing procedure is designated, the rotary substrate processing apparatus sequentially transports the substrates to the corresponding processing equipment based on the substrate transport order in the designated substrate processing procedure. In each processing device, the processing device is driven based on the control parameters in the substrate processing procedure, and the substrate is rotated.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】ところで、所望する新
規の基板品質に応じた新たな基板処理手順の作成に際し
ては、基板処理手順に含まれる各制御パラメータ、例え
ば熱処理温度,処理液吐出量,基板回転数や、いわゆる
PID制御を行なう際の目標値との偏差及びその積分量
,微分量等をもれなく入力しているのが現状である。
[Problems to be Solved by the Invention] By the way, when creating a new substrate processing procedure in accordance with the desired new substrate quality, it is necessary to check each control parameter included in the substrate processing procedure, such as heat processing temperature, processing liquid discharge amount, substrate Currently, the rotational speed, the deviation from the target value when performing so-called PID control, the integral amount, the differential amount, etc. are all inputted.

【0005】しかしながら、基板処理手順には上記した
制御パラメータだけにとどまらず多岐にわたる種々の制
御パラメータが含まれているため、新たな基板処理手順
の作成作業には多大な労力を必要とする。
However, since a substrate processing procedure includes not only the above-mentioned control parameters but also a wide variety of other control parameters, creating a new substrate processing procedure requires a great deal of effort.

【0006】本発明は、上記問題点を解決するためにな
され、新たな基板処理手順を作成する際の労力を軽減す
ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to reduce the labor involved in creating a new substrate processing procedure.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに本発明の採用した手段は、所要の処理液を用いて基
板に回転処理を施す回転処理機器を始めとする複数の処
理機器と、該複数の処理機器における制御パラメータを
含む基板処理手順を複数記憶する記憶手段とを有し、該
記憶した複数の基板処理手順のうちから随時指定された
基板処理手順に基づいて前記複数の処理機器を制御し基
板を処理する回転式基板処理装置であって、前記処理機
器の制御パラメータを、前記複数の基板処理手順に共通
する制御パラメータとしての共通パラメータと、前記複
数の基板処理手順毎に変更可能な制御パラメータとして
の可変パラメータとに区別するパラメータ区別手段と、
該区別された可変パラメータを入力するパラメータ入力
手段と、該入力された可変パラメータと前記共通パラメ
ータとを含む基板処理手順を作成する基板処理手順作成
手段と、該作成した基板処理手順を前記記憶手段に追加
して記憶させる基板処理手順追加手段とを備えることを
その要旨とする。
[Means for Solving the Problems] The means adopted by the present invention to achieve the above object includes a plurality of processing equipment including a rotational processing equipment that performs rotational processing on a substrate using a required processing liquid; storage means for storing a plurality of substrate processing procedures including control parameters for the plurality of processing apparatuses, and a storage means for storing a plurality of substrate processing procedures including control parameters for the plurality of processing apparatuses, based on a substrate processing procedure specified from among the plurality of stored substrate processing procedures. A rotary substrate processing apparatus for controlling and processing a substrate, wherein control parameters of the processing equipment are changed to a common parameter as a control parameter common to the plurality of substrate processing procedures, and a common parameter as a control parameter common to the plurality of substrate processing procedures. parameter distinguishing means for distinguishing between a variable parameter and a variable parameter as a possible control parameter;
parameter input means for inputting the differentiated variable parameters; substrate processing procedure creation means for creating a substrate processing procedure including the input variable parameters and the common parameter; and storage means for storing the created substrate processing procedure. The gist thereof is to include a substrate processing procedure adding means for adding and storing substrate processing procedures.

【0008】ここで、制御パラメータを共通パラメータ
と可変パラメータとに区別するに当たっては、基板品質
に直接影響する各処理機器における基板処理条件に関す
る制御パラメータ(基板回転数,処理温度,使用する処
理液の指定,処理液吐出量等)を、所望する基板品質毎
に変更する頻度の高い可変パラメータとし、各処理機器
の制御条件に関する制御パラメータ(PID制御を行な
う際の目標値との偏差及びその積分量,微分量や、温度
制御を行なう際の制御範囲上限値,下限値等)を、所望
する基板品質毎に変更する頻度が極めて低いために複数
の基板処理手順に共通する共通パラメータとしたりする
Here, in distinguishing control parameters into common parameters and variable parameters, control parameters related to substrate processing conditions in each processing equipment (substrate rotation speed, processing temperature, processing liquid used, etc.) that directly affect substrate quality should be considered. designation, processing liquid discharge amount, etc.) are variable parameters that are frequently changed depending on the desired substrate quality, and control parameters related to the control conditions of each processing equipment (deviation from the target value when performing PID control and its integral amount) , differential quantity, control range upper limit value, lower limit value when performing temperature control, etc.) are set as common parameters common to multiple substrate processing procedures because they are rarely changed for each desired substrate quality.

【0009】また、基板品質に直接影響する各処理機器
における基板処理条件に関する制御パラメータであって
も、所望する基板品質毎に変更する頻度が低ければ、複
数の基板処理手順に共通する共通パラメータとしてもよ
い。つまり、共通パラメータと可変パラメータとの区別
は、制御パラメータの基板品質に及ぼす影響や変更を要
する頻度等に応じて、適宜行なえばよい。
Furthermore, even if the control parameters are related to the substrate processing conditions in each processing equipment that directly affect the substrate quality, if they are changed infrequently for each desired substrate quality, they can be used as common parameters common to multiple substrate processing procedures. Good too. In other words, the common parameters and variable parameters may be distinguished as appropriate depending on the influence of the control parameters on the substrate quality, the frequency at which changes are required, and the like.

【0010】0010

【作用】上記構成を有する本発明の回転式基板処理装置
は、パラメータ区別手段が区別した共通パラメータと可
変パラメータのうちの可変パラメータがパラメータ入力
手段から入力されると、この入力された可変パラメータ
と前記共通パラメータとを含む基板処理手順を基板処理
手順作成手段により新たに作成する。そして、新たに作
成された基板処理手順を、基板処理手順追加手段により
記憶手段に追加して記憶させる。
[Operation] The rotary substrate processing apparatus of the present invention having the above-mentioned configuration is configured such that when a variable parameter among the common parameters and variable parameters distinguished by the parameter distinguishing means is inputted from the parameter inputting means, the inputted variable parameter and A new substrate processing procedure including the common parameters is created by a substrate processing procedure creation means. Then, the newly created substrate processing procedure is added to and stored in the storage means by the substrate processing procedure adding means.

【0011】つまり、新たな基板処理手順を作成するに
当たって必要な制御パラメータの入力を可変パラメータ
の入力だけで賄う。
[0011] In other words, input of control parameters necessary for creating a new substrate processing procedure can be accomplished only by inputting variable parameters.

【0012】0012

【実施例】次に、本発明に係る回転式基板処理装置の好
適な実施例について、図面に基づき説明する。まず、本
実施例の回転式基板処理装置の概要について、当該装置
の概略斜視図である図1を用いて簡単に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, a preferred embodiment of the rotary substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. First, the outline of the rotary substrate processing apparatus of this embodiment will be briefly explained using FIG. 1, which is a schematic perspective view of the apparatus.

【0013】回転式基板処理装置1は、半導体ウエハ等
の基板を回転させ、この基板表面にフォトレジスト等を
回転塗布して熱処理するための装置であり、図1に示す
ように、基板供給部2と基板処理部3とに大別される。 なお、以下の説明に当たっては、この両者を呼称上明確
に区別するために、前者の基板供給部2を基板授受ユニ
ット2と称し、基板処理部3をプロセス処理ユニット3
と称することとする。
The rotary substrate processing apparatus 1 is an apparatus for rotating a substrate such as a semiconductor wafer, and applying a photoresist or the like onto the surface of the substrate and subjecting it to heat treatment.As shown in FIG. 2 and a substrate processing section 3. In the following description, in order to clearly distinguish between the two, the former substrate supply section 2 will be referred to as the substrate transfer unit 2, and the substrate processing section 3 will be referred to as the process processing unit 3.
It will be called.

【0014】基板授受ユニット2は、基板Wを多段に収
納したカセットC1ないしC4から基板Wを取り出して
基板受け渡し位置である基板授受位置Pまで移送したり
、この基板授受位置Pから基板Wを移送して基板の収納
が可能ないずれかのカセット内へ基板Wを収納する。 プロセス処理ユニット3は、後述するように基板に所要
の処理液を供給して回転処理を施す回転処理機器を含む
複数の各種処理機器等を備え、これら各処理機器等を駆
動して基板を処理する。
The substrate transfer unit 2 takes out the substrates W from the cassettes C1 to C4 storing the substrates W in multiple stages and transfers them to the substrate transfer position P, which is a substrate transfer position, and transfers the substrates W from the substrate transfer position P. Then, the substrate W is stored in any cassette that can accommodate the substrate. The process processing unit 3 includes a plurality of various types of processing equipment, including a rotational processing equipment that supplies the required processing liquid to the substrate and performs the rotational processing, as will be described later, and processes the substrate by driving each of these processing equipment, etc. do.

【0015】次に、上記各ユニットについて説明する。 基板授受ユニット2は、図1に示すように、カセット設
置台4の上面に、基板Wを多段に収納した2基のカセッ
トC1,C2と基板未収納の2基のカセットC3,C4
を備える。また、各カセットから基板Wを取り出したり
各カセット内に基板Wを収納したりするための基板移送
機器6を、カセットC1ないしC4の並びに沿った図中
矢印D方向に水平移動自在に備える。
Next, each of the above units will be explained. As shown in FIG. 1, the substrate transfer unit 2 has two cassettes C1 and C2 storing substrates W in multiple stages and two cassettes C3 and C4 not storing substrates on the upper surface of the cassette installation stand 4.
Equipped with Further, a substrate transfer device 6 for taking out the substrate W from each cassette and storing the substrate W in each cassette is provided so as to be horizontally movable in the direction of arrow D in the figure along the arrangement of the cassettes C1 to C4.

【0016】そして、カセット設置台4の前面には、こ
の基板授受ユニット2や後述するプロセス処理ユニット
3に種々の指示を与えるための主操作パネル5が組み込
まれている。この主操作パネル5は、種々の設定や数値
入力を行なうためのキーボード5a(図2参照)と、こ
のキーボード5aからの指示に基づき種々の画面を表示
するディスプレイ5b(図2参照)と、タッチスイッチ
とを備える。
A main operation panel 5 is built into the front of the cassette installation stand 4 for giving various instructions to the substrate transfer unit 2 and the process processing unit 3, which will be described later. The main operation panel 5 includes a keyboard 5a (see FIG. 2) for making various settings and numerical inputs, a display 5b (see FIG. 2) for displaying various screens based on instructions from the keyboard 5a, and a touch screen. and a switch.

【0017】基板移送機器6は、図1に示すように、基
板Wをその下面で吸引・吸着する基板吸着アーム7を、
カセットにおける基板Wの積み重ね方向に沿って昇降可
能で、且つ、図示するカセット手前の待機位置とカセッ
ト内に進入した取り出し位置との間に渡って図中矢印E
方向に前後動可能に備える。
As shown in FIG. 1, the substrate transfer device 6 includes a substrate suction arm 7 that sucks and adsorbs the substrate W on its lower surface.
It is movable up and down along the direction in which the substrates W are stacked in the cassette, and the arrow E in the figure extends between the standby position in front of the cassette and the take-out position shown in the cassette.
It is equipped to be able to move forward and backward in the direction.

【0018】このため、基板移送機器6を図中矢印D方
向に水平移動させて所望のカセットの正面まで移動し、
その後、当該カセットにおける所望段の基板収納溝に対
応する高さまでの基板吸着アーム7の上昇,カセット内
への基板吸着アーム7の進入,基板吸着アーム7の僅か
な再上昇,基板吸着アーム7の後退,基板吸着アーム7
の降下を順次行なえば、カセットからの基板Wの取り出
しが完了する。また、この逆の手順で基板吸着アーム7
を移動させれば、カセット内への基板Wの収納が完了す
る。
For this purpose, the substrate transfer device 6 is moved horizontally in the direction of arrow D in the figure to the front of the desired cassette, and
After that, the substrate suction arm 7 rises to a height corresponding to the substrate storage groove of the desired stage in the cassette, the substrate suction arm 7 enters into the cassette, the substrate suction arm 7 rises slightly again, and the substrate suction arm 7 rises again. Retract, substrate suction arm 7
By sequentially lowering the substrates W, the removal of the substrates W from the cassette is completed. Also, by reversing this procedure, remove the substrate suction arm 7.
By moving the substrate W, storage of the substrate W into the cassette is completed.

【0019】こうして、カセット内から取り出された基
板は、この基板移送機器6により基板授受位置Pに移送
された後、後述するプロセス処理ユニット3付属の基板
搬送機器37に受け渡され、当該ユニットにおける回転
塗布機器等に、順次、搬送されて処理される。また、処
理が完了した処理済み基板は、基板搬送機器37により
基板授受位置Pに返却された後、基板移送機器6により
所定のカセット内に収納される。
In this way, the substrate taken out from the cassette is transferred to the substrate transfer position P by the substrate transfer device 6, and then transferred to the substrate transfer device 37 attached to the process processing unit 3, which will be described later. It is sequentially conveyed to a spin coating device and processed. Further, the processed substrate that has been processed is returned to the substrate transfer position P by the substrate transfer device 37, and then stored in a predetermined cassette by the substrate transfer device 6.

【0020】基板移送機器6は、上記基板吸着アーム7
のほか、基板吸着アーム7でカセットから取り出した基
板Wを水平に支持するために、図示しない3本の支持ピ
ンをその基台9に昇降自在に備える。また、これら各支
持ピンに支持された基板Wの中心位置合わせを行なうた
めに、基板Wの外径と略同一の曲率となるような配列で
それぞれ突設させた4本の案内ピンを有する位置合わせ
板10を、基台9の両側に水平往復動自在に備える。よ
って、基台9から上昇した各支持ピンにより基板Wが支
持された状態で、各位置合わせ板10を水平往復動させ
ると、各案内ピンが基板Wの外周に当接・離間するため
、基板Wの中心位置合わせが完了する。
The substrate transfer device 6 includes the substrate suction arm 7
In addition, in order to horizontally support the substrate W taken out from the cassette by the substrate suction arm 7, three support pins (not shown) are provided on the base 9 so as to be movable up and down. In addition, in order to align the center of the substrate W supported by each of these support pins, a position is provided with four guide pins protruding from each other in an arrangement that has approximately the same curvature as the outer diameter of the substrate W. A mating plate 10 is provided on both sides of the base 9 so as to be horizontally reciprocatable. Therefore, when each alignment plate 10 is horizontally reciprocated with the substrate W supported by each support pin raised from the base 9, each guide pin comes into contact with and separates from the outer periphery of the substrate W, so that the substrate The center alignment of W is completed.

【0021】また、カセット設置台4上面には、処理す
べき基板を収納したカセットであることや基板処理手順
を特定するのに必要な手順番号数値コードやカセット単
位の処理順序等を入力するためカセットコントロールパ
ネル18(図2参照)が備え付けられている。更に、各
カセット内に収納されている基板Wの有無を検出するた
めの基板検出用の光センサ24(図2参照)が備え付け
られている。この光センサ24は、光センサ昇降機構2
5(図2参照)によりカセットに沿って上昇する間にお
いて、カセット内における基板有無をカセットにおける
基板収納溝の段数に対応付けて一括して検出する。なお
、基板収納溝の段数との対応付けは、カセットの基板収
納溝と同ピッチのスリットの移動状態に基づいてタイミ
ング検出センサ42(図2参照)が生成するパルスを用
いて行なわれる。
Further, on the top surface of the cassette installation table 4, there is a cassette for inputting the procedure number numeric code necessary to identify the cassette containing the substrate to be processed, the substrate processing procedure, the processing order for each cassette, etc. A cassette control panel 18 (see FIG. 2) is provided. Further, a substrate detection optical sensor 24 (see FIG. 2) is provided to detect the presence or absence of a substrate W housed in each cassette. This optical sensor 24 is connected to the optical sensor elevating mechanism 2
5 (see FIG. 2), the presence or absence of substrates in the cassette is detected all at once in correspondence with the number of stages of substrate storage grooves in the cassette. Note that the correspondence with the number of stages of the substrate storage grooves is performed using pulses generated by the timing detection sensor 42 (see FIG. 2) based on the movement state of the slits having the same pitch as the substrate storage grooves of the cassette.

【0022】上記した基板授受ユニット2から基板を受
け取りこれを処理するプロセス処理ユニット3は、図1
に示すように、回転する基板表面に処理液を滴下して処
理液薄膜を形成する回転塗布機器31,32や、回転塗
布機器で処理を行なう前後に基板を熱処理(加熱・冷却
)する熱処理機器33,34,35を備える。更に、各
回転塗布機器31,32及び熱処理機器33,34,3
5の並びに沿った図中矢印A方向に水平移動自在な基板
搬送機器37を備える。なお、図示するように、各熱処
理機器は、それぞれ上段に加熱用熱処理機器を、下段に
冷却用熱処理機器をそれぞれ備える。
The process processing unit 3 that receives the substrate from the substrate transfer unit 2 and processes it is shown in FIG.
As shown in , there are spin coating devices 31 and 32 that drop a processing liquid onto the surface of a rotating substrate to form a thin film of the processing liquid, and heat treatment devices that heat treat (heat and cool) the substrate before and after processing with the spin coating device. 33, 34, and 35. Furthermore, each spin coating device 31, 32 and heat treatment device 33, 34, 3
A substrate transport device 37 is provided which is horizontally movable in the direction of arrow A in the figure along the line 5. Note that, as shown in the figure, each heat treatment device includes a heating heat treatment device in the upper stage and a cooling heat treatment device in the lower stage.

【0023】これら各回転塗布機器及び熱処理機器は、
後述するメインコントローラ50(図2参照)から基板
処理手順における種々の制御パラメータのロードを受け
る個別の後述するコントローラと、図示しない回転数セ
ンサ,温度センサ等を備える。そして、各回転塗布機器
及び熱処理機器は、これらセンサの検出信号とロードを
受けた後述する基板処理手順における処理条件に関する
制御パラメータ(制御指令値)とに基づき、各処理機器
付属のコントローラにより、フィードバック制御されて
いる。
[0023] These spin coating equipment and heat treatment equipment are as follows:
It is provided with a separate controller (described later) that receives loads of various control parameters in a substrate processing procedure from a main controller 50 (see FIG. 2), which will be described later, and a rotation speed sensor, a temperature sensor, etc. (not shown). Then, each spin coating equipment and heat treatment equipment receives feedback from the controller attached to each processing equipment based on the detection signals of these sensors and the control parameters (control command values) related to the processing conditions in the loaded substrate processing procedure, which will be described later. controlled.

【0024】基板搬送機器37は、図示しない駆動系に
より図中矢印A方向に水平移動自在なステージ38上面
に図中矢印B方向に旋回自在なヘッド39を備え、この
ヘッド39には、Uの字状の基板支持アーム37a,3
7bを上下2段に備えて構成される。また、この各基板
支持アーム37a,37bは、ヘッド39から出入り自
在に構成されている。
The substrate transfer device 37 is equipped with a head 39 that is rotatable in the direction of arrow B in the figure on the upper surface of a stage 38 that is horizontally movable in the direction of arrow A in the figure by a drive system (not shown). Letter-shaped board support arms 37a, 3
7b in two stages, upper and lower. Further, each substrate support arm 37a, 37b is configured to be able to move in and out from the head 39.

【0025】上記構成のプロセス処理ユニット3は、所
定の基板処理手順における搬送プロセスに基づいて、基
板搬送機器37を駆動制御して、基板授受ユニット2に
おける基板授受位置Pから、上記回転塗布機器といった
複数の処理機器のうちの必要な処理機器に、順次、基板
を搬送する。そして、基板が搬送された回転塗布機器等
にて、当該基板処理手順における処理条件に基づいて基
板を処理し、搬送された各処理機器における処理が完了
した処理済み基板を基板授受位置Pに返却する。
The process processing unit 3 configured as described above controls the drive of the substrate transfer device 37 based on the transfer process in a predetermined substrate processing procedure, and moves the substrate transfer device 37 from the substrate transfer position P in the substrate transfer unit 2, such as the above-mentioned spin coating device. The substrates are sequentially transported to the necessary processing equipment among the plurality of processing equipment. Then, the substrate is processed by the spin coating equipment, etc. to which the substrate was transported, based on the processing conditions of the substrate processing procedure, and the processed substrate, which has been processed in each processing equipment, is returned to the substrate transfer position P. do.

【0026】次に、上記した回転式基板処理装置1にお
ける制御系について、図2に示すブロック図を用いて説
明する。本実施例におけるこの制御系は、回転式基板処
理装置1の全体を統括制御するメインコントローラ50
のほか、そのサブコントローラとして、基板授受ユニッ
ト2を制御する基板授受ユニットコントローラ60と、
プロセス処理ユニット3を構成する各処理機器ごとのコ
ントローラである基板搬送機器コントローラ37Aと、
各回転塗布機器用の回転塗布機器コントローラ31A,
32Aと、各熱処理機器用の熱処理機器コントローラ3
3A,34A,35Aとを備える。
Next, the control system in the above-mentioned rotary substrate processing apparatus 1 will be explained using the block diagram shown in FIG. This control system in this embodiment includes a main controller 50 that centrally controls the entire rotary substrate processing apparatus 1.
In addition, as a sub-controller, a board transfer unit controller 60 that controls the board transfer unit 2,
A substrate transport equipment controller 37A, which is a controller for each processing equipment constituting the process processing unit 3;
Spin coating device controller 31A for each spin coating device,
32A and heat treatment equipment controller 3 for each heat treatment equipment
3A, 34A, and 35A.

【0027】メインコントローラ50は、論理演算を実
行する周知のCPU51,CPUを制御する種々のプロ
グラム等を予め記憶するROM52,種々のデータを一
時的に記憶するRAM53等を中心に論理演算回路とし
て構成され、データの書き込み及びデータの保持が随時
可能で後述する多量のデータを予め記憶する記憶ディス
ク54を内蔵している。
The main controller 50 is configured as a logic operation circuit mainly including a well-known CPU 51 that executes logic operations, a ROM 52 that pre-stores various programs for controlling the CPU, and a RAM 53 that temporarily stores various data. It has a built-in storage disk 54 on which data can be written and data can be held at any time, and which stores a large amount of data in advance, which will be described later.

【0028】そして、このメインコントローラ50は、
上記CPU等とコモンバス55を介して相互に接続され
た入出力ポート56により、外部との入出力、例えば、
既述した主操作パネル5や、前記基板授受ユニットコン
トローラ60,基板搬送機器コントローラ37A,各処
理機器ごとの各コントローラ31Aないし35A等との
間でデータの転送を行なう。
[0028] This main controller 50 is
An input/output port 56 interconnected with the CPU, etc. via a common bus 55 allows input/output with the outside, e.g.
Data is transferred between the main operation panel 5 described above, the substrate transfer unit controller 60, the substrate transfer equipment controller 37A, and the controllers 31A to 35A for each processing equipment.

【0029】基板授受ユニットコントローラ60は、光
センサ24及びタイミング検出センサ42のほか、基板
移送機器6,カセットコントロールパネル18,光セン
サ昇降機構25等と接続されている。そして、これら各
センサやカセットコントロールパネル18からの信号を
始め、当該コントローラで求めた算術演算データをメイ
ンコントローラ50に出力する。なお、カセットコント
ロールパネル18,光センサ24,タイミング検出セン
サ42,光センサ昇降機構25等は、カセット設置台4
の上面における4基のカセットC1ないしC4のそれぞ
れに備えられており、各々基板授受ユニットコントロー
ラ60に接続されている。
The substrate transfer unit controller 60 is connected not only to the optical sensor 24 and the timing detection sensor 42, but also to the substrate transfer device 6, the cassette control panel 18, the optical sensor lifting mechanism 25, and the like. Then, signals from each of these sensors and the cassette control panel 18, as well as arithmetic operation data obtained by the controller, are output to the main controller 50. The cassette control panel 18, optical sensor 24, timing detection sensor 42, optical sensor lifting mechanism 25, etc. are mounted on the cassette installation stand 4.
Each of the four cassettes C1 to C4 is provided on the upper surface of the cassette, and each is connected to the board transfer unit controller 60.

【0030】次に、上記各処理機器を駆動制御するため
の基板処理手順について説明する。基板処理手順は複数
種類存在し、図3に示すように、その各々が、各基板処
理手順を特定するための手順番号数値コードと各処理機
器における処理条件又は制御条件に関する制御パラメー
タ等とを対応付けて、予め記憶ディスク54に書き込み
記憶されている。
Next, a substrate processing procedure for driving and controlling each of the above-mentioned processing equipment will be explained. There are multiple types of substrate processing procedures, and as shown in Figure 3, each of them corresponds to a procedure number numerical code for specifying each substrate processing procedure and control parameters related to processing conditions or control conditions in each processing equipment. The information is written and stored in the storage disk 54 in advance.

【0031】より詳細に説明すると、図3に示すように
、各手順番号数値コードのそれぞれに関して、必要な処
理ステップごとに、各処理ステップにおける工程を表す
工程記号と、その工程を行なう処理機器と、その工程に
おける制御パラメータとに関するデータが書き込まれて
いる。
To explain in more detail, as shown in FIG. 3, for each procedure number numerical code, for each necessary processing step, the process symbol representing the process in each process step, and the processing equipment that performs the process. , and control parameters in that process are written.

【0032】つまり、各処理ステップにおける工程記号
の欄の記号は、それぞれの工程名称に相当し、工程記号
ADは処理液塗布前の加熱工程を、ACは処理液塗布前
の冷却工程を、SCは処理液塗布工程を、SBは処理液
塗布後の加熱工程をそれぞれ表す。また、同一の処理ス
テップにおいて複数の処理機器(処理機器1,2…)が
書き込まれている場合(手順番号数値コード01におけ
る処理ステップ1の加熱用熱処理機器33a,34a)
は、いずれかの処理機器で処理すれば良いことを示す。 ただし、処理機器の数値が小さいほど優先的に使用され
る。例えば、手順番号数値コード01の場合には、処理
機器1の欄の加熱用熱処理機器33aが優先して使用さ
れ、この加熱用熱処理機器33aが処理中であるとして
使用できなければ、処理機器2の欄の加熱用熱処理機器
34aが使用される。
In other words, the symbols in the column of process symbols for each treatment step correspond to the respective process names, with the process symbol AD representing the heating step before applying the treatment liquid, AC representing the cooling step before applying the treatment liquid, and SC representing the cooling step before applying the treatment liquid. SB represents a treatment liquid application step, and SB represents a heating step after application of the treatment liquid. Also, when multiple processing devices (processing devices 1, 2, etc.) are written in the same processing step (heating heat processing devices 33a, 34a of processing step 1 in procedure number numerical code 01)
indicates that processing can be performed with any processing device. However, the smaller the numerical value of the processing device, the more preferentially it will be used. For example, in the case of the procedure number numerical code 01, the heating heat treatment equipment 33a in the processing equipment 1 column is used with priority, and if the heating heat treatment equipment 33a is currently being processed and cannot be used, the processing equipment 2 The heating heat treatment equipment 34a in the column is used.

【0033】処理ステップ3以外の処理ステップは、工
程記号AD,AC,SB等から判るように処理液塗布前
後の熱処理工程であり、その処理条件欄に記載されてい
るように、該当する処理機器を制御する際の処理温度や
処理時間等の種々の制御パラメータ(制御指令値)を表
す数値データを備える。
[0033] Processing steps other than processing step 3 are heat treatment steps before and after applying the processing liquid, as indicated by the process symbols AD, AC, SB, etc., and as described in the processing conditions column, the corresponding processing equipment is used. It includes numerical data representing various control parameters (control command values) such as processing temperature and processing time when controlling the process.

【0034】各処理ステップのうち処理ステップ3は、
工程記号SCから判るように回転処理機器を用いた処理
液塗布工程であり、処理液塗布を繰り返し行なうことか
ら、当該処理ステップを更に第1ステップ部分,第2ス
テップ部分…第iステップ部分等に区分したデータを有
する。
Processing step 3 of each processing step is as follows:
As can be seen from the process symbol SC, this is a processing liquid application process using a rotary processing device, and since the processing liquid application is repeated, the processing step is further divided into the first step part, second step part, etc. It has separate data.

【0035】つまり、処理液塗布工程である処理ステッ
プ3は、基板を回転させつつ処理液を塗布するため、使
用する複数種類の処理液の指定,処理回転数,回転加速
度,処理液吐出時間(吐出量)といった数多くの制御パ
ラメータ(制御指令値)に基づき実行される上に、異な
った処理液(薬液)を使用する回転処理を繰り返し行な
う。このため、処理ステップ3は他の処理ステップより
格段に多くの条件データを幾種類も備えるが、これらを
総て支障なく記憶できるように配慮されている。
That is, in processing step 3, which is a processing liquid application process, the processing liquid is applied while rotating the substrate, so the designation of multiple types of processing liquids, processing rotation speed, rotational acceleration, processing liquid discharge time ( In addition to being executed based on a large number of control parameters (control command values) such as discharge amount), rotation processing using different processing liquids (chemical liquids) is repeatedly performed. For this reason, processing step 3 includes many types of condition data, much more than other processing steps, but care has been taken to ensure that all of this can be stored without any trouble.

【0036】このように記憶ディスク54には、複数種
類の基板処理手順条件データが、膨大な処理条件のデー
タを含んで記録されている。そして、ある手順番号数値
コード、例えば00の手順番号数値コードが指定される
と、この時の基板処理手順は、まず処理液塗布前に加熱
用熱処理機器33aにて加熱処理を行ない(処理ステッ
プ1)、次に冷却用熱処理機器33bにて冷却処理を行
ない(処理ステップ2)、引続いて回転塗布機器32に
て処理液塗布処理を行ない(処理ステップ3)、処理液
塗布後の加熱処理を加熱用熱処理機器35aにて行なう
(処理ステップ4)ことになる。処理ステップ5以下に
ついてもデータが作成・記憶されていればそれに従って
処理されることは勿論である。
As described above, the storage disk 54 records a plurality of types of substrate processing procedure condition data including a huge amount of processing condition data. Then, when a certain procedure number numerical code, for example, a procedure number numerical code of 00, is specified, the substrate processing procedure at this time is to first perform heat treatment in the heating heat treatment equipment 33a before applying the treatment liquid (processing step 1). ), then a cooling treatment is performed using the cooling heat treatment equipment 33b (processing step 2), followed by a treatment liquid application process using the rotary coating equipment 32 (processing step 3), and a heat treatment is performed after applying the treatment liquid. This is carried out using the heating heat treatment equipment 35a (processing step 4). Of course, if data is created and stored for processing step 5 and subsequent steps, processing will be performed accordingly.

【0037】上記した基板回転数,処理温度等の基板品
質に直接影響する制御パラメータ(以下、この制御パラ
メータをプロセスパラメータという)は、基板処理手順
毎に必要に応じて変更可能である。また、処理ステップ
1,2,4等の熱処理ステップにおいては、設定処理温
度のほか、熱処理機器を構成しているプレートの温度と
実際の基板表面温度との差を見込んで基板表面温度を設
定処理温度にするための補正量(基板温度見込補正量)
も、制御パラメータとして記憶されている。
The control parameters (hereinafter referred to as process parameters) that directly affect substrate quality, such as the substrate rotation speed and processing temperature, can be changed as necessary for each substrate processing procedure. In addition, in heat treatment steps such as processing steps 1, 2, and 4, in addition to the set processing temperature, the substrate surface temperature is set in consideration of the difference between the temperature of the plate making up the heat treatment equipment and the actual substrate surface temperature. Correction amount for temperature (estimated board temperature correction amount)
are also stored as control parameters.

【0038】各処理機器の制御状態を上記プロセスパラ
メータで示された制御状態に維持するための制御条件等
に関する制御パラメータ(以下、この制御パラメータを
イニシャルパラメータという)は、所望する基板品質毎
に変更する必要性が極めて低く複数の基板処理手順に共
通するが、上記プロセスパラメータと同様、変更可能で
ある。
Control parameters related to control conditions for maintaining the control state of each processing device in the control state indicated by the above process parameters (hereinafter, these control parameters are referred to as initial parameters) are changed for each desired substrate quality. Although there is very little need to do this and it is common to multiple substrate processing procedures, it can be changed like the process parameters described above.

【0039】このイニシャルパラメータとしては、処理
機器をPID制御する際の目標値との偏差及びその積分
量,微分量や、基板処理を行なう際の制御範囲上限値,
下限値等といった制御条件に関するもののほか、各処理
機器における異常事態、例えば温度異常,回転異常等の
発生有無を報知したりして装置の保守等に寄与するパラ
メータ(警報上下限温度,警報上下限回転数等)が含ま
れる。
The initial parameters include the deviation from the target value when performing PID control of the processing equipment, its integral amount, and differential amount, the upper limit of the control range when performing substrate processing,
In addition to those related to control conditions such as lower limits, parameters that contribute to equipment maintenance by notifying the presence or absence of abnormal situations in each processing equipment, such as temperature abnormalities and rotation abnormalities (alarm upper and lower limits, alarm upper and lower limits) rotation speed, etc.).

【0040】そして、記憶ディスク54には、既述した
複数種類の基板処理手順に関するデータのほか、各基板
処理手順における処理内容毎の工程、例えば熱処理工程
,処理液塗布工程等の各工程毎に、上記イニシャルパラ
メータとそのパラメータ値とを対応付けた、図4に示す
ようなイニシャルパラメータマップが記憶されている。 このイニシャルパラメータは、熱処理工程,処理液塗布
工程等の各工程毎に記憶されているとともに、基板処理
手順における各処理ステップ毎に、プロセスパラメータ
と共に含まれている。
In addition to the data regarding the plurality of types of substrate processing procedures described above, the storage disk 54 stores data for each process in each substrate processing procedure, such as a heat treatment process, a treatment liquid coating process, etc. , an initial parameter map as shown in FIG. 4, in which the above-mentioned initial parameters and their parameter values are associated with each other, is stored. These initial parameters are stored for each process such as a heat treatment process, a treatment liquid application process, etc., and are included together with process parameters for each process step in the substrate processing procedure.

【0041】なお、イニシャルパラメータを基板処理手
順における各処理ステップと関連付けることなく熱処理
工程,処理液塗布工程等の各工程毎に記憶してもよい。 この場合には、図3の基板処理手順における各処理ステ
ップのデータ欄に、イニシャルパラメータを読み出すた
めのデータを記入しておき、基板処理に当たってその都
度当該データに基づきイニシャルデータを読み込めばよ
い。
Note that the initial parameters may be stored for each process such as a heat treatment process, a treatment liquid application process, etc. without being associated with each process step in the substrate processing procedure. In this case, data for reading the initial parameters may be entered in the data column of each processing step in the substrate processing procedure shown in FIG. 3, and the initial data may be read based on the data each time the substrate is processed.

【0042】図4に示すように、熱処理工程におけるイ
ニシャルパラメータとしては、熱処理機器のPID制御
を行なう際の温調パラメータP(偏差),温調パラメー
タI(積分量),温調パラメータD(微分量)のほか、
設定処理温度を中心とした適正処理温度制御範囲の上下
限パラメータと、温度異常(過剰な昇温状態や設定処理
温度への未昇温状態)の発生有無を判断しこれを報知す
るための異常報知温度上下限パラメータとが含まれてい
る。これら各イニシャルパラメータには、予め初期パラ
メータ値(a0 ,b0 等)が設定されている。また
、処理液塗布工程におけるイニシャルパラメータとして
は、回転塗布機器のPID制御を行なう際の各パラメー
タのほか、設定処理液温度,設定基板回転数を中心とし
た適正制御範囲の上下限パラメータや、処理液温度異常
及び基板回転異常を報知するための異常報知上下限パラ
メータ等が挙げられる。
As shown in FIG. 4, the initial parameters in the heat treatment process include temperature control parameter P (deviation), temperature control parameter I (integral amount), and temperature control parameter D (differential) when performing PID control of heat treatment equipment. quantity), as well as
The upper and lower limit parameters of the appropriate processing temperature control range centered on the set processing temperature, and the abnormality for determining and reporting the occurrence of temperature abnormalities (excessive temperature rise state or state of temperature not rising to the set processing temperature) The upper and lower limit parameters of the notification temperature are included. Initial parameter values (a0, b0, etc.) are set in advance for each of these initial parameters. In addition, the initial parameters in the processing liquid coating process include each parameter when performing PID control of the spin coating equipment, as well as the upper and lower limit parameters of the appropriate control range centered on the set processing liquid temperature and the set substrate rotation speed, and the processing Examples include abnormality notification upper and lower limit parameters for reporting abnormality in liquid temperature and abnormality in substrate rotation.

【0043】記憶ディスク54へのデータの書き込みは
、後述するように、主操作パネル5からのデータ入力に
より行なわれる。また、磁気テープ,フレキシブルディ
スク等の記憶媒体にデータの書き込み・記憶を行なう外
部記憶装置70(図2参照)において、予め上記データ
入力を行ない、その後この外部記憶装置70からの入出
力ポート56を介したデータ転送等により記憶ディスク
54へのデータの書き込みを行なってもよい。
Data is written to the storage disk 54 by inputting data from the main operation panel 5, as will be described later. In addition, the above data is input in advance to an external storage device 70 (see FIG. 2) that writes and stores data on a storage medium such as a magnetic tape or a flexible disk, and then the input/output port 56 from this external storage device 70 is connected. Data may also be written to the storage disk 54 by data transfer via a computer.

【0044】このように記憶された複数の基板処理手順
のうちからの所望の基板処理手順の選択指示は、カセッ
トコントロールパネル18や主操作パネル5等において
、手順番号数値コードの数値のキー入力操作により実行
される。
[0044] Selection of a desired substrate processing procedure from among the plurality of substrate processing procedures stored in this manner is performed by key inputting the numerical value of the procedure number numeric code on the cassette control panel 18, main operation panel 5, etc. Executed by

【0045】そして、基板処理を開始するに当たって手
順番号数値コードが指定されると、該当する基板処理手
順の各処理ステップにおける各パラメータ(プロセスパ
ラメータ及びイニシャルパラメータ)は、メインコント
ローラ50から該当する処理機器付属のコントローラに
ロードされる。例えば00の手順番号数値コードが指定
されると、処理ステップ1及び処理ステップ2における
各パラメータは加熱用熱処理機器33a,冷却用熱処理
機器33bを有する熱処理機器33付属の熱処理機器コ
ントローラ33Aにロードされる。同様に、処理ステッ
プ3における各パラメータは回転塗布機器31付属の回
転塗布機器コントローラ31Aにロードされ、処理ステ
ップ4における各パラメータは加熱用熱処理機器35a
を有する熱処理機器35付属の熱処理機器コントローラ
35Aにロードされる。
[0045] When the procedure number numerical code is specified when starting substrate processing, each parameter (process parameter and initial parameter) in each processing step of the corresponding substrate processing procedure is transmitted from the main controller 50 to the corresponding processing equipment. Loaded into the included controller. For example, when a procedure number numerical code of 00 is specified, each parameter in processing step 1 and processing step 2 is loaded into the heat processing equipment controller 33A attached to the heat processing equipment 33, which has the heating heat processing equipment 33a and the cooling heat processing equipment 33b. . Similarly, each parameter in processing step 3 is loaded into the spin coating device controller 31A attached to the spin coating device 31, and each parameter in processing step 4 is loaded into the heating heat treatment device 35a.
is loaded into the heat treatment equipment controller 35A attached to the heat treatment equipment 35 having the following.

【0046】こうして制御パラメータのロードを受けた
各コントローラ37A,31Aないし35Aは、ロード
を受けた制御パラメータとセンサからの検出信号とに基
づき、各処理機器をフィードバック制御しつつ基板処理
を行なう。なお、各処理機器付属のコントローラは、上
記メインコントローラ50と同様、周知のCPU,RO
M,RAM等を中心に論理演算回路として構成されてい
るが、その詳細については説明を省略する。
Each of the controllers 37A, 31A to 35A that has received the control parameters loaded in this manner performs substrate processing while performing feedback control on each processing device based on the loaded control parameters and detection signals from the sensors. Note that, like the main controller 50, the controller attached to each processing device is a well-known CPU, RO
Although it is configured as a logical operation circuit mainly including M, RAM, etc., detailed explanation thereof will be omitted.

【0047】次に、上記した構成を備える本実施例の回
転式基板処理装置1が行なう基板処理手順作成制御につ
いて、図5,図6のフローチャートに基づき説明する。 図5のフローチャートは、イニシャルパラメータを設定
するためのキーボード5aの所定キー操作又は主操作パ
ネル5におけるタッチスイッチ等の操作(イニシャルパ
ラメータ設定オン操作)がなされる度に割り込み実行さ
れるイニシャルパラメータ設定ルーチンを表わす。また
、図6のフローチャートは、上記タッチスイッチ等によ
り新規基板処理手順作成オン操作がなされる度に割り込
み実行される新規基板処理手順作成ルーチンを表わす。
Next, substrate processing procedure creation control performed by the rotary substrate processing apparatus 1 of this embodiment having the above-described configuration will be explained based on the flowcharts of FIGS. 5 and 6. The flowchart in FIG. 5 is an initial parameter setting routine that is executed interruptively every time a predetermined key operation on the keyboard 5a or a touch switch or the like operation on the main operation panel 5 (initial parameter setting ON operation) is performed to set the initial parameters. represents. Further, the flowchart in FIG. 6 represents a new substrate processing procedure creation routine that is interruptedly executed every time a new substrate processing procedure creation ON operation is performed using the touch switch or the like.

【0048】イニシャルパラメータ設定ルーチンは、図
5のフローチャートに示すように、上記イニシャルパラ
メータ設定オン操作がなされると、まず、イニシャルパ
ラメータの編集を行なう処理内容毎の工程、例えば熱処
理工程,処理液塗布工程等の工程が指定されたか否かを
、キーボード5aの所定キー操作又は主操作パネル5に
おけるタッチスイッチ等の操作の有無により判断する(
ステップ100,以下単にステップをSと表記する)。 そして、処理工程が指定されるまで待機する。なお、以
下のイニシャルパラメータ設定ルーチンの説明に当たっ
ては、このS100にて熱処理工程が指定された場合に
ついて説明する。
As shown in the flowchart of FIG. 5, the initial parameter setting routine, when the above-mentioned initial parameter setting ON operation is performed, first performs a process for each process content in which initial parameters are edited, such as a heat treatment process, a treatment liquid coating process, etc. Whether or not a process such as a process has been designated is determined based on whether or not a predetermined key on the keyboard 5a or a touch switch on the main operation panel 5 is operated (
Step 100 (hereinafter step will simply be referred to as S). Then, it waits until a processing step is specified. In the following description of the initial parameter setting routine, a case will be described in which a heat treatment process is designated in S100.

【0049】その後、指示された工程(熱処理工程)に
関するイニシャルパラメータを図4に示すイニシャルパ
ラメータマップから読み込み(S110)、図7に示す
ようにディスプレイ5bに表示する(S120)。なお
、表示に当たってはイニシャルパラメータの変更入力を
順次促すよう、初期画面において最上段の文字列(温調
パラメータ  P)は反転表示されている。
Thereafter, the initial parameters regarding the instructed process (heat treatment process) are read from the initial parameter map shown in FIG. 4 (S110), and are displayed on the display 5b as shown in FIG. 7 (S120). In addition, when displaying, the character string at the top of the initial screen (temperature control parameter P) is displayed in reverse video so as to prompt the user to input changes to the initial parameters one after another.

【0050】この初期画面表示後には、S100で指定
された処理工程(熱処理工程)における各イニシャルパ
ラメータのパラメータ値の変更を要するか否かを、キー
ボード5aにおけるテンキーからの数値キー入力の有無
と主操作パネル5におけるタッチスイッチ(次画面,ト
ップメニュー,編集作業終了)の押圧操作有無とに基づ
いて判断する(S130)。ここで、数値キー入力が有
れば、イニシャルパラメータのパラメータ値の変更を要
すると判断して次のS140に移行する。なお、上記各
タッチスイッチが押圧された場合の処理については後述
する。
After this initial screen is displayed, whether or not it is necessary to change the parameter value of each initial parameter in the processing step (heat treatment step) specified in S100 is determined based on the presence or absence of numerical key input from the numeric keypad on the keyboard 5a and the main The determination is made based on whether or not a touch switch (next screen, top menu, end of editing work) is pressed on the operation panel 5 (S130). Here, if there is a numerical key input, it is determined that the parameter value of the initial parameter needs to be changed, and the process moves to the next step S140. Note that processing when each of the touch switches is pressed will be described later.

【0051】S130で数値キー入力があれば、反転表
示された文字列におけるパラメータ値を変更すると判断
して、当該入力された数値を反転表示された文字列にお
ける新たなパラメータ値として更新しこれを記憶する(
S140)。つまり、図4におけるイニシャルパラメー
タマップを書き換える。その後、S130に移行する。
[0051] If there is a numerical key input in S130, it is determined that the parameter value in the highlighted character string is to be changed, and the input numerical value is updated as a new parameter value in the highlighted character string. Remember(
S140). That is, the initial parameter map in FIG. 4 is rewritten. After that, the process moves to S130.

【0052】例えば、最上段の文字列が反転表示されて
いる状態(初期画面)でa1 の数値入力が有れば、パ
ラメータ値a0 を当該入力した数値a1 に変更する
と判断し、温調パラメータPのパラメータ値としてa1
 に更新しこれを記憶する(S140)。このようにそ
れまで反転表示していた最上段の文字列においてパラメ
ータ値の変更がなされれば、次の段の文字列(温調パラ
メータI)におけるイニシャルパラメータの変更入力を
促すよう、反転表示列は当該次の段の文字列(温調パラ
メータI)となる。そして、移行したS130にて再度
数値キー入力があれば、反転表示された次の段の文字列
(温調パラメータI)におけるパラメータ値を、入力さ
れた数値に変更してこれを記憶する。
For example, if a numerical value a1 is input while the character string on the top row is highlighted (initial screen), it is determined that the parameter value a0 is to be changed to the input numerical value a1, and the temperature control parameter P a1 as the parameter value of
and stores it (S140). In this way, when a parameter value is changed in the character string in the top row that was previously highlighted, the inverted display column is becomes the character string (temperature control parameter I) of the next stage. Then, if there is a numeric key input again in S130, the parameter value in the highlighted character string (temperature control parameter I) in the next row is changed to the input numeric value and stored.

【0053】なお、数値キー入力の前に主操作パネル5
における下向きの図示しない矢印キーが押圧されると、
その反転文字列におけるパラメータ値の変更は要しない
と判断して反転文字列を次の段の文字列とし、当該次の
段におけるイニシャルパラメータの変更入力を促す。
[0053] Before inputting the numerical keys, the main operation panel 5
When the down arrow key (not shown) is pressed,
It is determined that it is not necessary to change the parameter value in the inverted character string, and the inverted character string is set as the character string in the next stage, and prompting to input a change in the initial parameter in the next stage.

【0054】つまり、S130,140の処理を繰り返
すことにより、S100で指定された処理工程(熱処理
工程)における全イニシャルパラメータについてのパラ
メータ値の設定が完了する。具体的には、表示した6種
類のイニシャルパラメータについてパラメータ値の設定
が完了する。なお、パラメータ値の設定とは、該当する
パラメータ値の変更又は保持の何れかがなされることを
いう。
That is, by repeating the processing in S130 and S140, the setting of parameter values for all initial parameters in the processing step (heat treatment step) specified in S100 is completed. Specifically, parameter value settings for the six types of initial parameters displayed are completed. Note that setting a parameter value means that the corresponding parameter value is either changed or maintained.

【0055】一方、S130において、数値入力に代わ
って主操作パネル5におけるタッチスイッチ(次画面,
トップメニュー,編集作業終了のいずれか)が押圧操作
されると、S100で指定された処理工程(熱処理工程
)における全イニシャルパラメータについてのパラメー
タ値の設定が完了したと判断し、各スイッチに基づいて
処理を行なう。
On the other hand, in S130, instead of inputting numerical values, touch switches on the main operation panel 5 (next screen,
When either the top menu or the end of editing work is pressed, it is determined that parameter values have been set for all initial parameters in the processing step (heat treatment step) specified in S100, and processing is performed based on each switch. Do the following.

【0056】つまり、S130において、数値入力に代
わってタッチスイッチが押圧操作されると、S131へ
移行し、S131では、押圧操作されたタッチスイッチ
が次画面であるかを判断し、次画面であれば本ルーチン
の処理において次の処理工程におけるイニシャルパラメ
ータの設定のための画面表示を行なう旨の制御信号を出
力する。このため、この次画面スイッチが押圧されると
、次の処理工程、例えば処理液塗布工程等におけるイニ
シャルパラメータのパラメータ値の設定を行なうと判断
して、S100に移行しそれ以降の既述した各処理を行
なう。
In other words, in S130, when a touch switch is pressed instead of inputting a numerical value, the process moves to S131. In S131, it is determined whether the pressed touch switch is for the next screen, and whether it is the next screen, For example, in the processing of this routine, a control signal is output for displaying a screen for setting initial parameters in the next processing step. Therefore, when the next screen switch is pressed, it is determined that the parameter values of the initial parameters in the next processing step, such as the processing liquid application step, are to be set, and the process moves to S100, and the subsequent steps described above are performed. Process.

【0057】また、S131において、押圧操作された
タッチスイッチが次画面でなければ、即ち、トップメニ
ューや編集作業終了のタッチスイッチが押圧操作された
のであれば、図5に示すイニシャルパラメータ設定ルー
チンを終了する。なお、トップメニュースイッチは現在
行なっているルーチンを終了し本ルーチンや図示しない
他のルーチンを選択するための画面表示を行なう旨の制
御信号を出力し、編集作業終了スイッチは現在行なって
いるルーチンにおけるデータの編集作業が終了した旨の
制御信号を出力する。このため、これら二つのスイッチ
が押圧されると、S100で指定された処理工程(熱処
理工程)を始めとする総ての処理工程における全イニシ
ャルパラメータについてのパラメータ値の設定が完了し
たとして、本ルーチンを終了する。
In addition, in S131, if the pressed touch switch is not for the next screen, that is, if the touch switch for the top menu or end of editing work was pressed, the initial parameter setting routine shown in FIG. 5 is terminated. do. The top menu switch outputs a control signal to end the currently executed routine and display a screen for selecting this routine or another routine not shown, and the editing work end switch outputs a control signal to display the screen for selecting this routine or another routine not shown. A control signal indicating that the editing work has been completed is output. Therefore, when these two switches are pressed, it is assumed that parameter value settings for all initial parameters in all processing steps, including the processing step (heat treatment step) specified in S100, have been completed, and this routine starts. end.

【0058】次に、新規基板処理手順作成ルーチンにつ
いて、図6のフローチャートに基づき説明する。この新
規基板処理手順作成ルーチンは、図6のフローチャート
に示すように、上記新規基板処理手順作成オン操作がな
されると、まず、プロセスパラメータ(可変パラメータ
)の設定を行なう処理ステップ、具体的には図3におけ
る処理ステップ1,処理ステップ2等の処理ステップが
指定されたか否かを、キーボード5aの所定キー操作又
は主操作パネル5におけるタッチスイッチ等の操作の有
無により判断する(S200)。そして、処理ステップ
が指定されるまで待機する。なお、以下の新規基板処理
手順作成ルーチンの説明に当たっては、このS200に
て熱処理工程の一つである熱処理ステップ(図3におけ
る処理ステップ1,2,4等の何れか)が指定された場
合について説明する。
Next, the new substrate processing procedure creation routine will be explained based on the flowchart of FIG. As shown in the flowchart of FIG. 6, this new substrate processing procedure creation routine starts with a processing step of setting process parameters (variable parameters) when the above-mentioned new substrate processing procedure creation ON operation is performed. Whether a processing step such as processing step 1 or processing step 2 in FIG. 3 has been designated is determined based on the presence or absence of a predetermined key operation on the keyboard 5a or an operation of a touch switch or the like on the main operation panel 5 (S200). Then, it waits until a processing step is specified. In the following description of the new substrate processing procedure creation routine, we will explain the case where a heat treatment step (any of processing steps 1, 2, 4, etc. in FIG. 3), which is one of the heat treatment steps, is specified in S200. explain.

【0059】その後、指示された処理ステップ(熱処理
ステップ)に関する総てのプロセスパラメータを設定を
促すためのパラメータ設定画面を、図8に示すようにデ
ィスプレイ5bに表示する(S210)。この表示画面
は、図示するように既述したイニシャルパラメータ設定
ルーチンにおいてこの熱処理ステップに関する工程であ
る熱処理工程について設定したイニシャルパラメータと
、設定すべきプロセスパラメータ(熱処理温度,熱処理
時間,熱処理関連無処理時間,熱処理関連処理時間,基
板温度見込補正量)とを含んだ画面として表示される。
Thereafter, a parameter setting screen for prompting setting of all process parameters related to the instructed processing step (heat treatment step) is displayed on the display 5b as shown in FIG. 8 (S210). As shown in the figure, this display screen displays the initial parameters set for the heat treatment step, which is a process related to this heat treatment step, in the initial parameter setting routine described above, and the process parameters to be set (heat treatment temperature, heat treatment time, heat treatment-related non-treatment time). , heat treatment-related processing time, and estimated substrate temperature correction amount).

【0060】また、その初期画面においては、上記各プ
ロセスパラメータのパラメータ値には、初期値0が表示
されている。なお、ここで、熱処理関連処理時間とは、
熱処理と並行して他の処理を行なう場合、例えば熱処理
を行ないつつ処理液を基板表面に塗布したり、紫外線等
を照射する場合には、これら並行処理(処理液塗布,紫
外線照射等)を行なう時間である。熱処理関連無処理時
間とは、これら並行処理の開始タイミングを定めるもの
である。つまり、熱処理を開始してからこの熱処理関連
無処理時間で規定される時間の経過後に、上記熱処理関
連処理時間で規定された時間だけ並行処理を実施するこ
とになる。基板温度見込補正量とは、既述したように、
雰囲気温度と実際の基板表面温度との差を見込んで基板
表面温度を設定処理温度にするための補正量(補正温度
)である。
[0060] Also, on the initial screen, the initial value 0 is displayed as the parameter value of each of the above-mentioned process parameters. Note that here, the heat treatment-related processing time is
When performing other treatments in parallel with heat treatment, for example, when applying a treatment liquid to the substrate surface or irradiating ultraviolet rays, etc. while performing heat treatment, these treatments (treatment liquid application, ultraviolet irradiation, etc.) should be performed in parallel. It's time. The heat treatment-related non-processing time determines the start timing of these parallel processes. That is, after the time specified by the heat treatment-related non-processing time has elapsed from the start of the heat treatment, parallel processing is performed for the time specified by the heat treatment-related processing time. As mentioned above, the estimated substrate temperature correction amount is
This is a correction amount (correction temperature) for adjusting the substrate surface temperature to the set processing temperature in consideration of the difference between the ambient temperature and the actual substrate surface temperature.

【0061】この画面表示後には、S200で指定され
た処理ステップ(熱処理ステップ)における各プロセス
パラメータのパラメータ値に所望する数値を設定するた
めに、キーボード5aにおけるテンキーからの数値キー
入力の有無を判断し(S220)、数値キー入力が有る
まで待機する。
[0061] After this screen is displayed, in order to set a desired numerical value to the parameter value of each process parameter in the processing step (heat treatment step) specified in S200, it is determined whether or not there is a numerical key input from the numeric keypad on the keyboard 5a. (S220) and waits until there is a numerical key input.

【0062】ここで、数値キー入力があれば、最上段の
プロセスパラメータ(熱処理時間)のパラメータ値を当
該入力された数値に書き換えてこれを記憶する(S23
0)。この際、表示画面においても、入力された数値を
表示する。
[0062] If there is a numerical key input here, the parameter value of the process parameter (heat treatment time) at the top row is rewritten to the input numerical value and this is stored (S23).
0). At this time, the input numerical value is also displayed on the display screen.

【0063】その後、S200で指定された処理ステッ
プ(熱処理ステップ)における総てのプロセスパラメー
タについて、パラメータ値が設定されたか否かを判断し
(S240)、否定判断すれば、即ち総てのプロセスパ
ラメータについてのパラメータ値設定が未完であれば上
記S220に移行する。
[0063] Thereafter, it is determined whether parameter values have been set for all process parameters in the processing step (heat treatment step) specified in S200 (S240), and if a negative determination is made, that is, all process parameters have been set. If the parameter value setting for is not completed, the process moves to the above S220.

【0064】つまり、S220,230の処理を繰り返
すことにより、S200で指定された処理ステップ(熱
処理ステップ)における全プロセスパラメータについて
パラメータ値の設定が完了する。具体的には、表示した
5種類のプロセスパラメータについてパラメータ値の設
定が完了する。
That is, by repeating the processing in S220 and S230, the setting of parameter values for all process parameters in the processing step (heat treatment step) specified in S200 is completed. Specifically, parameter value settings for the five types of process parameters displayed are completed.

【0065】こうしてS240にて全プロセスパラメー
タについてパラメータ値の設定が完了したと判断すると
、S200で指定された処理ステップ(熱処理ステップ
)を始めとする総ての処理ステップについて、プロセス
パラメータのパラメータ値設定が完了したか否かを判断
する(S250)。この判断は、既述した次画面スイッ
チ又は編集作業終了スイッチの押圧操作により下される
。つまり、次画面スイッチが押圧されると、次の処理ス
テップ、例えば図3における処理ステップ3(処理液塗
布ステップ)等におけるプロセスパラメータのパラメー
タ値の設定を行なうと判断して、S200に移行しそれ
以降の既述した各処理を行なう。
[0065] When it is determined in S240 that parameter value settings for all process parameters have been completed, parameter value settings for process parameters are completed for all processing steps including the processing step (heat treatment step) specified in S200. It is determined whether or not the process has been completed (S250). This judgment is made by pressing the next screen switch or the editing work end switch described above. In other words, when the next screen switch is pressed, it is determined that the parameter values of the process parameters in the next processing step, such as processing step 3 (processing liquid application step) in FIG. 3, are to be set, and the process moves to S200. The following processes described above are performed.

【0066】一方、編集作業終了スイッチが押圧される
と、図3に示す総ての処理ステップにおける全プロセス
パラメータについてのパラメータ値の設定作業が完了し
たとしてS250で肯定判断がなされる。なお、図8に
おける総てのプロセスパラメータ(5種類)についての
パラメータ値の設定入力が完了する前に編集作業終了ス
イッチが押圧されても、S250では肯定判断されず操
作エラーとして処理される。
On the other hand, when the editing end switch is pressed, an affirmative determination is made in S250, assuming that the parameter value setting work for all process parameters in all processing steps shown in FIG. 3 has been completed. Note that even if the editing work end switch is pressed before the setting input of parameter values for all process parameters (5 types) in FIG. 8 is completed, an affirmative determination is not made in S250 and it is processed as an operation error.

【0067】こうして図3に示す総ての処理ステップに
おける全プロセスパラメータについてのパラメータ値の
設定作業が完了すると、手順番号数値コードの入力が有
るか否かを、キーボード5aにおけるテンキーからの数
値キー入力の有無に基づき判断し(S260)、当該数
値キー入力が有るまで待機する。そして、数値キー入力
が有れば、入力された数値を手順番号数値コードとして
記憶した後、既述したイニシャルパラメータ設定ルーチ
ンにおいて更新して記憶された各工程毎のイニシャルパ
ラメータのデータ(図4)を読み込む(S270)。
When the parameter value setting work for all the process parameters in all the process steps shown in FIG. (S260), and waits until the corresponding numeric key input is made. If there is a numeric key input, the input numeric value is stored as a procedure number numeric code, and then initial parameter data for each process is updated and stored in the initial parameter setting routine described above (Figure 4). (S270).

【0068】その後、読み込んだイニシャルパラメータ
のパラメータ値と上記のようにして各処理ステップ毎に
設定したプロセスパラメータとに基づいて、各処理ステ
ップ毎にデータ構築を行なって新たな基板処理手順を作
成し、これをS270で入力した手順番号数値コードと
対応付けて記憶ディスク54に追加して記憶する(S2
80)。つまり、図4に示す基板処理手順データに、1
レコード分のデータ(新たな基板処理手順に関する全デ
ータ)が追加される。その後、本ルーチンの処理を終了
する。
After that, data is constructed for each processing step based on the parameter values of the read initial parameters and the process parameters set for each processing step as described above to create a new substrate processing procedure. , this is added to the storage disk 54 and stored in association with the procedure number numerical code input in S270 (S2
80). In other words, in the substrate processing procedure data shown in FIG.
Records worth of data (all data related to new substrate processing procedures) are added. Thereafter, the processing of this routine ends.

【0069】以上説明したように本実施例の回転式基板
処理装置1によれば、プロセスパラメータの設定を新た
な基板処理に必要な各処理ステップ毎に行なうだけで、
基板処理手順を新規に作成することができるので、その
労力は著しく軽減される。
As explained above, according to the rotary substrate processing apparatus 1 of this embodiment, the process parameters can be set for each processing step necessary for new substrate processing.
Since a new substrate processing procedure can be created, the labor involved is significantly reduced.

【0070】しかも、本実施例では、基板処理手順に共
通するイニシャルパラメータの設定をも行なうよう構成
したので、多種多様な基板処理に対して処理機器をきめ
細かく制御することができる。この結果、例えば、設定
処理温度を中心とした適正処理温度制御範囲の上下限温
度に広狭を設けることによって、基板品質の安定性を向
上させることができる。
Moreover, in this embodiment, since initial parameters common to substrate processing procedures are also set, processing equipment can be precisely controlled for a wide variety of substrate processing. As a result, the stability of substrate quality can be improved, for example, by providing upper and lower temperature limits of the appropriate processing temperature control range around the set processing temperature.

【0071】以上本発明の一実施例について説明したが
、本発明はこの様な実施例になんら限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々なる
態様で実施し得ることは勿論である。例えば、上記実施
例では、雰囲気温度と実際の基板表面温度との差を見込
んで基板表面温度を設定処理温度にするための補正量を
プロセスパラメータとしたが、このパラメータをイニシ
ャルパラメータとして設定してもよい。また、イニシャ
ルパラメータの設定をも行なうよう構成したが、イニシ
ャルパラメータについては固定したまま変更しないよう
構成してもよいことは勿論である。
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this embodiment in any way, and can be implemented in various ways without departing from the gist of the present invention. Of course. For example, in the above embodiment, the process parameter is the amount of correction for adjusting the substrate surface temperature to the set processing temperature by taking into account the difference between the ambient temperature and the actual substrate surface temperature, but this parameter is set as the initial parameter. Good too. Furthermore, although the configuration is such that initial parameters are also set, it is of course possible to configure the initial parameters to remain fixed and not change.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上説明したように本発明の回転式基板
処理装置によれば、基板処理に必要な各処理ステップに
ついての総ての制御パラメータのうち、基板処理を決定
する基板処理手順に共通するパラメータ以外のパラメー
タの設定入力だけを行なえば、新たな基板処理手順を作
成することができる。この結果、各処理ステップについ
て上記共通パラメータの設定入力が不要となり、新たな
基板処理手順の作成労力の軽減を図ることができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the rotary substrate processing apparatus of the present invention, among all the control parameters for each processing step necessary for substrate processing, the control parameters that are common to the substrate processing procedure that determines the substrate processing are A new substrate processing procedure can be created by simply inputting settings for parameters other than the parameters to be used. As a result, it is not necessary to input the settings of the common parameters for each processing step, and it is possible to reduce the effort required to create a new substrate processing procedure.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】実施例の回転式基板処理装置1の概略斜視図。FIG. 1 is a schematic perspective view of a rotary substrate processing apparatus 1 according to an embodiment.

【図2】回転式基板処理装置1におけるメインコントロ
ーラ50を中心とした制御系のブロック図。
FIG. 2 is a block diagram of a control system centered on a main controller 50 in the rotary substrate processing apparatus 1.

【図3】プロセス処理ユニット3にて基板を回転処理す
る際の基板処理手順を説明するための説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining a substrate processing procedure when rotating a substrate in the process processing unit 3.

【図4】上記基板処理手順とイニシャルパラメータ設定
ルーチンにおける処理を説明するための説明図。
FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the substrate processing procedure and processing in the initial parameter setting routine.

【図5】イニシャルパラメータ設定ルーチンを示すフロ
ーチャート。
FIG. 5 is a flowchart showing an initial parameter setting routine.

【図6】新規基板処理手順作成ルーチンを示すフローチ
ャート。
FIG. 6 is a flowchart showing a new substrate processing procedure creation routine.

【図7】新規基板処理手順作成ルーチンにおける処理を
説明するための説明図。
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining processing in a new substrate processing procedure creation routine.

【図8】新規基板処理手順作成ルーチンにおける処理を
説明するための説明図。
FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining processing in a new substrate processing procedure creation routine.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  回転式基板処理装置 2  基板授受ユニット 3  プロセス処理ユニット 4  カセット設置台 5  主操作パネル 5b  ディスプレイ 50  メインコントローラ 60  基板授受ユニットコントローラC1,C2,C
3,C4  カセット W  基板
1 Rotary substrate processing device 2 Substrate transfer unit 3 Process processing unit 4 Cassette installation stand 5 Main operation panel 5b Display 50 Main controller 60 Substrate transfer unit controller C1, C2, C
3, C4 cassette W board

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  所要の処理液を用いて基板に回転処理
を施す回転処理機器を始めとする複数の処理機器と、該
複数の処理機器における制御パラメータを含む基板処理
手順を複数記憶する記憶手段とを有し、該記憶した複数
の基板処理手順のうちから随時指定された基板処理手順
に基づいて前記複数の処理機器を制御し基板を処理する
回転式基板処理装置であって、前記処理機器の制御パラ
メータを、前記複数の基板処理手順に共通する制御パラ
メータとしての共通パラメータと、前記複数の基板処理
手順毎に変更可能な制御パラメータとしての可変パラメ
ータとに区別するパラメータ区別手段と、該区別された
可変パラメータを入力するパラメータ入力手段と、該入
力された可変パラメータと前記共通パラメータとを含む
基板処理手順を作成する基板処理手順作成手段と、該作
成した基板処理手順を前記記憶手段に追加して記憶させ
る基板処理手順追加手段とを備えたことを特徴とする回
転式基板処理装置。
1. Storage means for storing a plurality of processing devices, including a rotational processing device that performs rotational processing on a substrate using a required processing liquid, and a plurality of substrate processing procedures including control parameters for the plurality of processing devices. A rotary substrate processing apparatus that processes a substrate by controlling the plurality of processing equipment based on a substrate processing procedure specified from among the plurality of stored substrate processing procedures, the processing equipment parameter distinguishing means for distinguishing the control parameters into common parameters as control parameters common to the plurality of substrate processing procedures and variable parameters as control parameters changeable for each of the plurality of substrate processing procedures; parameter input means for inputting the input variable parameters; substrate processing procedure creation means for creating a substrate processing procedure including the input variable parameters and the common parameter; and adding the created substrate processing procedure to the storage means. 1. A rotary substrate processing apparatus, comprising: a substrate processing procedure addition means for adding and storing substrate processing procedures.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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