JP4917670B2 - 放射発生デバイス、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびその方法により製造されたデバイス - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、放射を発生させるように構成されたデバイス、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびその方法により製造されたデバイスに関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成するために、マスクといったパターニングデバイスを用いることができ、このパターンは、放射感応性材料（レジスト）層を有する基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。一般には、単一の基板が、連続的に露光される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するスキャナが挙げられる。上述したようなリソグラフィ装置において、放射を発生させるためのデバイス、すなわち、放射源が存在する。

[0003] リソグラフィ装置において、基板上に結像可能なフィーチャのサイズは、投影放射の波長によって制限されることがある。デバイス密度が高く、したがって、動作速度の高い集積回路を製造するためには、より微小なフィーチャが結像可能であることが望ましい。多くの今日のリソグラフィ投影装置が水銀ランプまたはエキシマレーザによって発生される紫外光を用いる一方で、約１３ｎｍのより短い波長の放射を用いることが提案されている。このような放射は極端紫外線と呼ばれ、ＸＵＶまたはＥＵＶ放射とも呼ばれる。この略字「ＸＵＶ」は、通常、軟ｘ線および真空ＵＶ範囲を組み合わせた数十分の一ナノメートルから数十ナノメートルの波長範囲を指し、「ＥＵＶ」の用語は、通常、リソグラフィと合わせて用いられ（ＥＵＶＬ）、約５から２０ｎｍの放射帯域、すなわち、ＸＵＶ範囲の一部を指す。

[0004] 放電生成（ＤＰＰ）源は、アノードとカソードとの間の、例えば、ガスまたは蒸気といった物質中の放電によってプラズマを発生させ、続けて、プラズマ中を流れるパルス電流によって引き起こされるオーミック加熱によって高温放電プラズマを作成する。この場合、所望の放射が高温放電プラズマによって放出される。このようなデバイスは、本出願人の名称で２００３年９月１７日に出願された欧州特許出願番号第０３２５５８２５．６号に記載される。この出願には、電磁スペクトル（すなわち、５−２０ｎｍの波長）のＥＵＶ範囲の放射を供給する放射源が記載される。この放射源は、幾つかのプラズマ放電素子を含み、各素子がカソードとアノードを含む。動作中、ＥＵＶ放射はピンチを作成することにより発生される。

[0005] 通常、プラズマは、自由に運動する電子とイオン（電子を失った原子）が集まることによって形成される。プラズマを形成すべく原子から電子を奪うために必要なエネルギーは、熱、電気、または光（紫外光またはレーザからの強力可視光）といった様々な起源であることが可能である。ピンチ、レーザトリガリング効果、および回転電極を有する放射源へのその適用に関するより詳細は、J. Pankert、G. Derra、P. Zinkによる「Status of Philips’ extreme-UV source」、ＳＰＩＥ Ｐｒｏｃ．６１５１−２５（２００６）に記載される。

[0006] 放電源は、通常、この放射に加えてデブリ粒子も生成し、これらは、原子粒子から最大１００ミクロン小滴の複合粒子までの様々なサイズのあらゆる種類のマイクロ粒子であって、帯電していてもしていなくともよい。このデブリによる、ＥＵＶ源からくる放射ビームを調整するように構成された光学系の汚染を制限することが望ましい。ＤＰＰに基づいたＥＵＶ源の問題は、電極がプラズマに非常に近接することによる電極への熱負荷である。この問題は、生産露光ツール用の仕様に合わせるようＥＵＶ源をスケーリングする際に特に関連してくる。

[0007] 一態様では、有害なデブリの生成が低減可能である放射源を提供する。この放射源は、ＥＵＶ放射を発生させるのに特に適しているが、例えば、Ｘ線といったＥＵＶ範囲外の放射を発生させるために用いてもよい。

[0008] 一実施形態では、放射を発生させるように構成されたデバイスが提供される。このデバイスは、液体浴と一対の電極を含む。この電極のうちの１つの電極の少なくとも一部は、液体浴に対して可動であるケーブル部によって形成される。このデバイスは更に、ケーブル部を液体付着位置から点火位置へ移動させるように構成されたアクチュエータと、ケーブル部が点火位置にある場合に、電極間の放電によって、ケーブル部に付着した液体から放電生成放射プラズマをトリガするように構成された点火源とを含む。液体付着位置は液体浴からの液体を電極の一部に付着させる位置である。

[0009] 一実施形態では、放射を発生させるように構成された放射発生器を含むリソグラフィ装置が提供される。この放射発生器は、液体浴と一対の電極を含む。この電極のうち少なくとも１つの電極は、液体浴に対して可動であるケーブル部によって形成される。この放射発生器は更に、電極のうち少なくとも１つの電極を液体付着位置から点火位置へ移動させるように構成されたアクチュエータと、ケーブル部が点火位置にある場合に、電極間の付着液体の放電生成プラズマをトリガするように構成された点火源とを含む。リソグラフィ装置は更に、放射発生器からの放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートとを含む。パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを付けるように構成される。リソグラフィ装置は更に、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付きビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを含む。

[0010] 一実施形態では、デバイス製造方法が提供される。この方法は、第１電極の少なくとも一部を液体に対して液体付着位置から点火位置へ移動させることを含む。液体付着位置は液体が第１電極の少なくとも一部に付着する位置である。第１電極の一部はケーブルによって形成される。この方法は更に、第１電極の少なくとも一部が点火位置にある場合に、放射ビームを発生させるべく第１電極及び第２電極に付着した液体からの放電生成プラズマをトリガすることと、放射ビームの断面にパターンを付けることと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することとを含む。

[0011] 一実施形態では、放射を発生させるように構成されたデバイスが提供される。このデバイスは、液体浴と一対の電極を含む。電極のうち少なくとも１つの電極は液体浴に対して可動であるケーブル上に設けられた可動電極である。このデバイスは更に、可動電極を、液体付着位置から点火位置へ移動させるように構成されたアクチュエータと、可動電極に付着した液体から放電をトリガするように構成された点火源とを含む。可動電極に付着した液体は液体付着位置において可動電極により受け取られ、点火源が点火位置において放電をトリガする。

[0012] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0013] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0014] 図２ａは、本発明によるデバイスの一実施形態の略正面図を示す。 [0014] 図２ｂは、本発明によるデバイスの一実施形態の略正面図を示す。 [0015] 図３は、図２のデバイスの略側面図を示す。 [0016] 図４は、本発明の一実施形態による冷却挙動を示すチャートを示す。

[0017] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折または反射投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0018] 照明および投影システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、回折型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。

[0019] サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。

[0020] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

[0021] パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームにパターンを付ける。

[0022] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、またはそれらの任意の組合せを含む任意の型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。

[0023] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。あるいは、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。

[0024] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[0025] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。

[0026] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。

[0027] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。

[0028] １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

[0029] ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

[0030] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0031] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0032] 図１における放射源ＳＯを参照すると、典型的な（Ｓｎベースの）プラズマ放電源は、２つのゆっくりと回転するホイールから構成され、これらのホイール上には、例えば、上述したPankertに記載されるように液体Ｓｎ浴内に部分的に浸漬されることにより液体Ｓｎが連続的に塗布される。これらのホイールは電極として機能し、ホイールが互いに最も近い位置において放電が確立される。ＥＵＶ露光ツールにおいてこのような型の放電源を適用する場合、例えば、回転式フォイルトラップ、反射型フォイルトラップ、指向性ガスフロー、水素ラジカルを用いた洗浄、またはこれらの組み合わせといったＳｎデブリのための適切な軽減および／または洗浄スキームが通常含まれる。Ｓｎベースのプラズマ源の代わりに、Ｘｅ、Ｌｉ、およびＳｎを含む、１３．５ｎｍの波長のＥＵＶ放射を発生させるために幾つか他の燃料源を用いてもよい。Ｓｎは、通常、その高い変換効率によって生産装置仕様に使用される。しかし、Ｓｎ源は、比較的大量のデブリも放出する。これらのデブリは、リソグラフィシステム内の光学部品の望ましい寿命を維持するために軽減および／または洗浄されるべきである。Pankertによって開示されるような従来技術のシステムでは、高速原子デブリおよび弾道マイクロ粒子が顕著な課題となっている。これは、デブリや粒子が光路に略平行に進行するため捕捉困難であることによる。

[0033] 図２ａおよび図２ｂは、図１の放射源ＳＯをより詳細ではあるが概略的に示す。本実施形態では、特に液体Ｓｎである液体を含み、互いから電気的に絶縁された２つの浴１ａ、１ｂを示す。キャパシタバンク／チャージャ２によって浴１ａ、１ｂの両端間に高電圧が印加される。本実施形態では、各浴１ａ、１ｂの中をケーブル電極３ａ、３ｂがリール４ａ、４ｂ、５ａ、５ｂによって動かされ、図２ａおよび図２ｂから明らかに分かるように、１つのリール４ａ、４ｂが浴の上方で懸架され、１つのリール５ａ、５ｂが浴中に完全に浸漬されている。本実施形態では、ケーブル電極３ａ、３ｂは共に閉ループとして形成される。あるいは、固定電極、または、特にプラズマがケーブルの付近に作成される場合に上述したPankert出版物に説明されるように低速回転する従来の電極と共に単一のケーブル電極を設けることも実現可能であってよい。

[0034] ケーブル部３’、３’’はそれぞれ図２ａおよび図２ｂにおいて、ケーブル３ａ、３ｂに垂直な線と、参照番号３’および３’’によって示される。ケーブル３ａ、３ｂに垂直な線は、ケーブル部３’、３’’を概略的に示すことを意図するに過ぎない。図示する実施形態では、液体Ｓｎは、ケーブルループのケーブル部３’、３’’が浴から出てくるに従ってケーブル部３’、３’’に付着することができる（図２ａ）。ケーブル部３’、３’’が共に通常数ミリメートルで離間される点火位置において、Ｓｎは、レーザ６から放出されるレーザビームによって一方のケーブルから蒸発する（図２ｂ）。レーザ６は、２つのケーブル電極３ａ、３ｂ間の放電によって電極に付着した流体から放電生成放射プラズマをトリガするように構成された点火源として機能する。続いて、放電がＳｎ蒸気によって確立され、それにより、ＥＵＶ放射を放出するＳｎプラズマ７がもたらされる。ケーブル電極３ａ、３ｂは、下部リール５ａ、５ｂに任意の回数で巻き付けられて所望の冷却効果を与えてよい。あるいは、幾つかのリール（図示せず）を流体中に浸漬し、ケーブルを流体中で所定の距離に亘って導いてもよい。通常、この距離は、ケーブルが液体中に十分に長い間浸漬されて適切な冷却を与えることを可能にするよう標準的なケーブル速度と関連して予め決定される。ケーブル部３’、３’’の動作は、外部の回転機構（図示せず）を介して下部および上部リールのいずれか一方を回転させることによって達成される。

[0035] 特に、ケーブルは、互いに向き合っているケーブル部３’、３’’が共に流体浴１ａ、１ｂ内へ移動するように可動である。あるいは、これらのケーブル部３’、３’’の動作は、流体浴からケーブルを出すために逆にされることも可能である。上向きと下向きの速度方向の組み合わせが可能である。下向き方向の考えられる利点は、液体浴中の液体をケーブルが通り即時に冷却されることである。上向き方向の利点は、ケーブルへの液体の付着が向上することである。

[0036] 図３は、図２に示す実施形態の側面図を示す。通常、ケーブル動作の方向は、重力の方向に略平行な方向である。プラズマ７が作成される領域におけるケーブル動作の直線の軌道によって、デブリ９の動作の主な方向が与えられ、これにより、液体浴１中でデブリ９が捕捉し易くなる。更に、動作方向には光軸Ｏに垂直な速度成分が与えられるので、光軸Ｏの方向（通常、図２では、面外の方向）に進むデブリが生じる可能性が少なくなる。

[0037] 自己インダクタンスが１５ｎＨ未満の範囲にあるためには、ピンチは許容可能な自己インダクタンスを与えるために液体表面の相当近く（〜１０ｍｍ）に配置されてよい。０．４ｍｍのワイヤ半径を有する５ｍｍ×１０ｍｍのループについて、インダクタンスはＬ＝１２．３ｎＨとなるよう計算できる。ワイヤ半径を増加すると自己インダクタンスは減少する。例えば、１ｍｍのワイヤはＬ＝６．８ｎＨを有することになる。

[0038] 提案の設定では、放電により発生された任意のデブリ９にはケーブル電極３ａ、３ｂに平行な速度成分が与えられる。これは、通常、約１０と約１００ｍ／ｓの間の弾道速度を有するデブリマイクロ粒子の効果的な軽減を可能にし得る。ケーブル電極３ａ、３ｂを、例えば、約５０ｍ／ｓといった同じオーダの速度で走行させることによって、このような粒子は、浴１に向けられた集束光学部品の集束角の外側を効果的に進むので、光軸Ｏに沿って設けられた集束光学部品（図示せず）を汚染しない。

[0039] 更に、デブリ粒子９を更に抑制するために、汚染バリアとして機能するプレートレット（図示せず）を有するフォイルトラップを採用してもよい。更に、デブリ粒子は、このとき、ワイヤ動作の方向における速度を有することによって、デブリ粒子の大部分は、集束光学部品の集束角の外側の方向に進むことになる。

[0040] 通常、Ｓｎ浴は電極（通常、最大８００℃）よりも冷たい（例えば、３００℃未満）ので、伝導によって実質的な冷却が与えられる。浴中を進む際の加熱されたケーブルの温度変化を計算するために、ケーブルの外側は浴の平均温度に継続的に維持されると仮定する。これは、ケーブルの高い速度とＳｎの比較的高い熱拡散率（〜４・１０^−４ｍ^２／ｓ）を考慮すると妥当な仮定である。

[0041] ケーブルは、温度Ｔ_ｂを有する浴に入れられる際に、その断面全体に亘って均一温度Ｔ_０を有すると仮定する場合、ラジアル位置ｒおよび時間ｔにおけるケーブル内の温度は、次式により与えられる。すなわち、
このとき、ａはケーブルの半径であり、ｋはケーブルの熱拡散率であり、Ｊ_ｎ（ｚ）は第一種のｎ次数のベッセル関数であり、αはＪ_０（ｚ）のｎ番目の正のゼロである。

[0042] 図４は、３００℃の伝導環境内への浸漬後に、直径０．５ｍｍおよび初期温度８００℃を有するモリブデンケーブルの中心における温度降下を示す。具体的には、標準的なパラメータａ＝０．２５ｍｍ、Ｔ_０＝８００℃、およびＴ_ｂ＝３００℃について時間の関数としてのモリブデンケーブルの（すなわち、ｒ＝０での）コア温度である。浸漬後１ｍｓにおいて、ケーブルコアは３１１℃の温度に達した。すなわち、ケーブルコアを浴の温度が初期温度差の２％以内になるようにした。この温度降下を、約５０ｍ／ｓの典型的なケーブル速度において達成するためには、ケーブルが浴中を進む距離は約５ｃｍのオーダであるべきである。このような距離は、下部リール５ａ、５ｂの周りにケーブルを１回、巻回することで実現できる。上述のように下部リール５ａ、５ｂの周りに更に巻回することで更なる冷却を達成することができる。

[0043] 図４は、ケーブル材料としてモリブデンの例を示すが、他のタイプの材料を用いてもよい。具体的には、繊維または繊維強化材料が、十分な熱安定性を有する場合に、非常に高い（非等方性の）弾性ひずみに耐えることができるのでケーブル材料として好適に用いてよい。更に、比較的高い温度を考慮して、モリブデンまたはタングステンといった耐熱金属もケーブル材料として考えてよい。実際には、編組金属ワイヤからなるケーブルを用いてもよく、これはケーブル内の全体の曲げ歪みを低減できる。あるいは、ケーブルは金属リンクからなるチェーンであってもよい。ケーブル直径の標準的な寸法は０．１と２ｍｍの間の範囲であってよい。

[0044] １パルスあたりのエネルギーＱは、Ｓｎ放電では約１０と１００ｍＪの間であり、Ｌｉ放電では約１と１０ｍＪの間であり、また、パルスの継続時間は約１と１００ｎｓの間であり、レーザ波長は０．２と１０μｍの間であり、周波数は約５と１００ｋＨｚの間であってよい。レーザ６は、リール４と５との間に延在するケーブル８に向けられたレーザビーム６’を生成して、液体浴１からの付着流体を点火する。ケーブル８上に付着した流体材料は、明確な位置、すなわち、レーザビーム６’がケーブル８に当たる位置において蒸発させられ且つプレイオン化（pre-ionized）される。その位置から、ケーブル８に向かう放電７が発達する。放電８の正確な位置はレーザ６によって制御できる。このことは、放射発生デバイスの安定性、すなわち、均質性には望ましく、また、放射発生デバイスの放射パワーの恒常性に影響を与える。この放電７は、ケーブル３ａとケーブル３ｂとの間に電流を発生させる。この電流は磁界を誘起する。この磁界は、ピンチ、すなわち、圧縮を発生させ、この中でイオンと自由電子とが衝突によって生成される。一部の電子は、ピンチ中の原子の伝導バンドより低いバンドに下がり、従って放射１０を生成する。流体材料がＧａ、Ｓｎ、Ｉｎ、またはＬｉ若しくはこれらの任意の組み合わせから選択される場合、放射１０は大量のＥＵＶ放射を含む。放射１０は全方向に放出されて図１のイルミネータＩＬ内の放射コレクタによって集められてよい。一実施形態ではレーザ６はパルスレーザビームを供給してよい。

[0045] 放射１０は、少なくとも、角度θ＝４５〜１０５°を有するＺ軸に対する角度において等方性である。Ｚ軸とは、ピンチと位置合わせされ且つケーブル３ａ、３ｂを通る軸を指し、角度θはＺ軸に対する角度である。放射１０は他の角度においても等方性であってよい。ケーブル３ａ、３ｂは、約０．１と約０．２ｍｍの間の直径の円形断面を有してよい。更に、片方または両方のケーブル３ａ、３ｂに、例えばリボン型といったように平面を用いることが望ましい。

[0046] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0047] 上述した実施形態では、アノードおよびカソードは共に導電性ケーブルとして与えられている。しかし、アノードは固定アノードであってもよい。ケーブル３ａと３ｂとの間の放電の点火はレーザビーム６’によってトリガされると記載した。しかし、そのような点火は、電子ビームまたは任意の他の好適な点火源によってトリガされてもよい。

[0048] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。

[0049] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (15)

1. 放射を発生させるように構成されたデバイスであって、
   液体浴と、
   一対の電極であって、前記電極のうち一方の少なくとも一部が前記液体浴に対して可動であるケーブル部によって形成される、一対の電極と、
   前記ケーブル部を液体付着位置から点火位置へ移動させるように構成されたアクチュエータと、
   前記ケーブル部が前記点火位置にある場合に、前記電極間の放電によって、前記ケーブル部に付着した前記液体から放電生成放射プラズマをトリガするように構成された点火源と
   を備え、
   前記液体付着位置は、前記液体浴からの液体を前記電極の前記一部に付着させる位置であり、
   前記一対の電極は前記点火位置において互いに平行に向き合っており、前記ケーブル部は、前記点火位置において前記液体浴に向かって直線の軌道に沿った方向に可動である、デバイス。
2. 前記直線の軌道は放射の光軸に垂直である、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記アクチュエータは、前記ケーブル部を前記液体付着位置にもってくるために前記ケーブルを前記液体浴内に移動させるように構成される、請求項１又は２に記載のデバイス。
4. 前記アクチュエータは、前記ケーブル部を前記点火位置にもってくるために前記ケーブル部を前記液体浴外に移動させるように構成される、請求項１から３のいずれかに記載のデバイス。
5. 前記ケーブル部は、前記液体中に浸漬された下部リールの周りに巻き付けられた閉ループとして形成される、請求項１から４のいずれかに記載のデバイス。
6. 前記ケーブル部は、前記下部リールに数回巻き付けられる、請求項５に記載のデバイス。
7. 前記ケーブル部は、前記液体の上方に懸架された上部リールの周りに巻き付けられる、請求項５に記載のデバイス。
8. 前記ケーブル部は、前記下部リール及び前記上部リールのうちの少なくとも１つにおける回転によって可動である、請求項７に記載のデバイス。
9. 前記ケーブル部は、複数の編組ワイヤ又は複数のリンクによって形成される、請求項１から８のいずれかに記載のデバイス。
10. 複数のプレートレットを含む汚染バリアを更に備える、請求項１から９のいずれかに記載のデバイス。
11. 前記点火源は、前記放電をトリガするためにレーザ放射ビームおよび／または電子ビームを発生させるように構成される、請求項１から１０のいずれかに記載のデバイス。
12. 前記液体は、スズ、ガリウム、インジウム、リチウム、またはこれらの任意の組み合わせを含む、請求項１から１１のいずれかに記載のデバイス。
13. 放射を発生させるように構成された放射発生器と、
    前記放射発生器からの放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
    パターニングデバイスを支持するように構成され、前記パターニングデバイスは前記放射ビームの断面にパターンを付けるように構成される、サポートと、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    前記パターン付きビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと
    を備え、
    前記放射発生器は、
    液体浴と、
    一対の電極であって、前記電極のうち少なくとも１つの電極は、前記液体浴に対して可動であるケーブル部によって形成される、一対の電極と、
    前記電極のうち前記少なくとも１つの電極を液体付着位置から点火位置へ移動させるように構成されたアクチュエータと、
    前記ケーブル部が前記点火位置にある場合に、前記電極間の付着液体の放電生成プラズマをトリガするように構成された点火源と
    を含み、
    前記一対の電極は前記点火位置において互いに平行に向き合っており、前記ケーブル部は、前記点火位置において前記液体浴に向かって直線の軌道に沿った方向に可動である、リソグラフィ装置。
14. 第１電極の少なくとも一部を液体に対して、前記液体が前記第１電極の前記少なくとも一部に付着する位置である液体付着位置から、点火位置へ移動させるステップであって、前記第１電極の前記一部はケーブルによって形成される、ステップと、
    前記第１電極の少なくとも前記一部が前記点火位置にある場合に、放射ビームを発生させるべく前記第１電極及び第２電極に付着した前記液体からの放電生成プラズマをトリガするステップと、
    前記放射ビームの断面にパターンを付けるステップと、
    前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するステップと
    を含み、
    前記第１電極及び第２電極は前記点火位置において互いに平行に向き合っており、前記ケーブルは、前記点火位置において前記液体付着位置に向かって直線の軌道に沿った方向に可動である、デバイス製造方法。
15. 放射を発生させるように構成されたデバイスであって、
    液体浴と、
    一対の電極であって、前記電極のうち少なくとも１つの電極は前記液体浴に対して可動であるケーブル上に設けられた可動電極である、一対の電極と、
    前記可動電極を液体付着位置から点火位置へ移動させるように構成されたアクチュエータと、
    前記可動電極に付着した液体から放電をトリガするように構成された点火源であって、前記可動電極に付着した液体は前記液体付着位置において前記可動電極により受け取られ、前記点火源が前記点火位置において前記放電をトリガする、点火源と
    を備え、
    前記一対の電極は前記点火位置において互いに平行に向き合っており、前記ケーブルは、前記点火位置において前記液体浴に向かって直線の軌道に沿った方向に可動である、、デバイス。