JP4974815B2 - 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 87
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 75
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 59
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 162
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 52
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 51
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 45
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 35
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 28
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims description 13
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims description 13
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 146
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 59
- 230000008569 process Effects 0.000 description 58
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 41
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 5
- 150000001804 chlorine Chemical class 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 3
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
本発明は、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置に関する。
半導体装置の製造工程では、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の処理により、被処理体、例えば、半導体ウエハに薄膜を形成することが広く行われている。このような薄膜形成処理では、例えば、以下のようにして半導体ウエハに薄膜が形成される。
まず、熱処理装置の反応管内をヒータにより所定のロード温度に加熱し、複数枚の半導体ウエハを収容したウエハボートをロードする。次に、反応管内をヒータにより所定の処理温度に加熱するとともに、排気管から反応管内のガスを排気し、反応管内を所定の圧力に減圧する。反応管内が所定の温度及び圧力に維持されると、処理ガス導入管から反応管内に成膜用ガスを供給する。反応管内に成膜用ガスが供給されると、例えば、成膜用ガスが熱反応を起こし、熱反応により生成された反応生成物が半導体ウエハの表面に堆積して、半導体ウエハの表面に薄膜が形成される。
ところで、薄膜形成処理によって生成される反応生成物は、半導体ウエハの表面だけでなく、例えば、反応管の内壁や各種の治具等の熱処理装置の内部にも堆積（付着）してしまう。また、副生成物、中間生成物等が発生し、これらが反応管内や排気管内に付着してしまう場合もある。このような付着物が熱処理装置内に付着した状態で薄膜形成処理を引き続き行うと、反応管を構成する石英と付着物との熱膨張率の違いにより応力が発生し、この応力によって石英や付着物が割れてしまう。このように、石英や付着物が割れたものがパーティクルとなり、生産性を低下させる原因となる。
このため、ヒータにより所定の温度に加熱した反応管内にクリーニングガスとして、ハロゲン酸性ガス、例えば、フッ化水素と、フッ素との混合ガスを供給して、反応管の内壁等の熱処理装置内に付着した反応生成物を除去（ドライエッチング）する熱処理装置の洗浄方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
特開平３−２９３７２６号公報
ところで、このような熱処理装置では、反応管内を高温かつ低圧に維持して半導体ウエハの表面に反応生成物を堆積させる薄膜形成処理を繰り返し行っている。このため、装置内部を定期的に洗浄していても、反応管の材料である石英から微量の汚染物質（メタルコンタミのような金属汚染物質を含む不純物）が放出（発生）されるおそれがある。このように発生したメタルコンタミが半導体ウエハに混入すると、製造される半導体装置の歩留りが低下してしまう。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、汚染物質の発生を抑制することができる薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、薄膜中への汚染物質の混入を抑制することができる薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、薄膜中への汚染物質の混入を抑制することができる薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる薄膜形成装置の洗浄方法は、
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを前記反応室内に供給して、前記付着物を除去する付着物除去工程と、
前記反応室内に活性化可能な塩素系ガスを供給して、当該反応室内をパージするパージ工程とを備え、
前記付着物除去工程により前記付着物を除去した後、前記パージ工程を行い、
前記パージ工程では、前記塩素系ガスを活性化させて、前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質と反応させ、前記材料中から汚染物質を除去し、
前記塩素系ガスは、ジクロロシラン、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、または、トリクロロシランであって、前記処理ガスに用いられたガスと同じガスが用いられる、ことを特徴とする。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを前記反応室内に供給して、前記付着物を除去する付着物除去工程と、
前記反応室内に活性化可能な塩素系ガスを供給して、当該反応室内をパージするパージ工程とを備え、
前記付着物除去工程により前記付着物を除去した後、前記パージ工程を行い、
前記パージ工程では、前記塩素系ガスを活性化させて、前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質と反応させ、前記材料中から汚染物質を除去し、
前記塩素系ガスは、ジクロロシラン、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、または、トリクロロシランであって、前記処理ガスに用いられたガスと同じガスが用いられる、ことを特徴とする。
前記汚染物質は、例えば、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト、ナトリウム、カルシウムの少なくとも１つである。
前記パージ工程では、例えば、前記塩素系ガスを所定の温度に昇温した反応室内に供給して活性化させる。
前記パージ工程では、例えば、前記塩素系ガスを所定の温度に昇温した反応室内に供給して活性化させる。
前記パージ工程では、例えば、前記反応室内を少なくとも２００℃に昇温する。
前記材料としては、例えば、石英がある。
前記材料としては、例えば、石英がある。
本発明の第２の観点にかかる薄膜形成方法は、
第１の観点にかかる薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
被処理体を収容する反応室内を所定の温度に昇温し、当該昇温した反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する成膜工程と、
を備える、ことを特徴とする。
第１の観点にかかる薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
被処理体を収容する反応室内を所定の温度に昇温し、当該昇温した反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する成膜工程と、
を備える、ことを特徴とする。
本発明の第３の観点にかかる薄膜形成装置は、
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを、前記反応室内に供給するクリーニングガス供給手段と、
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段と、
前記反応室内に、活性化可能な塩素系ガスを供給する塩素系ガス供給手段と、
前記塩素系ガスを活性化させる活性化手段と、
前記活性化手段を制御して前記塩素系ガスを活性化させて前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質と反応させ、前記材料中から汚染物質を除去する汚染物質除去手段と、
を備え、
前記汚染物質除去手段は、前記付着物除去手段により装置内部に付着した付着物が除去された後、前記活性化手段を制御して前記材料中から汚染物質を除去し、
前記塩素系ガスは、ジクロロシラン、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、または、トリクロロシランであって、前記処理ガスに用いられたガスと同じガスである、ことを特徴とする。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを、前記反応室内に供給するクリーニングガス供給手段と、
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段と、
前記反応室内に、活性化可能な塩素系ガスを供給する塩素系ガス供給手段と、
前記塩素系ガスを活性化させる活性化手段と、
前記活性化手段を制御して前記塩素系ガスを活性化させて前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質と反応させ、前記材料中から汚染物質を除去する汚染物質除去手段と、
を備え、
前記汚染物質除去手段は、前記付着物除去手段により装置内部に付着した付着物が除去された後、前記活性化手段を制御して前記材料中から汚染物質を除去し、
前記塩素系ガスは、ジクロロシラン、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、または、トリクロロシランであって、前記処理ガスに用いられたガスと同じガスである、ことを特徴とする。
前記汚染物質は、例えば、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト、ナトリウム、カルシウムの少なくとも１つである。
前記活性化手段は、例えば、前記反応室内を少なくとも２００℃に昇温する加熱手段である。
本発明の第４の観点にかかるプログラムは、
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを、前記反応室内に供給するクリーニングガス供給手段、
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段、
前記反応室内に、活性化可能な塩素系ガスを供給する塩素系ガス供給手段、
前記塩素系ガスを活性化させる活性化手段、
前記活性化手段を制御して前記塩素系ガスを活性化させて前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質と反応させ、前記材料中から汚染物質を除去する汚染物質除去手段、
として機能させ、
前記汚染物質除去手段は、前記付着物除去手段により装置内部に付着した付着物が除去された後、前記活性化手段を制御して前記材料中から汚染物質を除去し、
前記塩素系ガスは、ジクロロシラン、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、または、トリクロロシランであって、前記処理ガスに用いられたガスと同じガスである、ことを特徴とする。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを、前記反応室内に供給するクリーニングガス供給手段、
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段、
前記反応室内に、活性化可能な塩素系ガスを供給する塩素系ガス供給手段、
前記塩素系ガスを活性化させる活性化手段、
前記活性化手段を制御して前記塩素系ガスを活性化させて前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質と反応させ、前記材料中から汚染物質を除去する汚染物質除去手段、
として機能させ、
前記汚染物質除去手段は、前記付着物除去手段により装置内部に付着した付着物が除去された後、前記活性化手段を制御して前記材料中から汚染物質を除去し、
前記塩素系ガスは、ジクロロシラン、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、または、トリクロロシランであって、前記処理ガスに用いられたガスと同じガスである、ことを特徴とする。
本発明によれば、汚染物質の発生を抑制することができる。
以下、本発明の薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法について説明する。本実施の形態では、薄膜形成装置として、図１に示すバッチ式縦型熱処理装置１の場合を例に本発明を説明する。
図１に示すように、薄膜形成装置としての熱処理装置１は、反応室を形成する反応管２を備えている。
反応管２は、例えば、長手方向が垂直方向に向けられた略円筒状に形成されている。反応管２は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。反応管２の上端には、上端側に向かって縮径するように略円錐状に形成された頂部３が設けられている。頂部３の中央には反応管２内のガスを排気するための排気口４が設けられ、排気口４には排気管５が気密に接続されている。排気管５には、図示しないバルブ、後述する真空ポンプ１２７などの圧力調整機構が設けられ、反応管２内を所望の圧力（真空度）に制御する。
反応管２の下方には、蓋体６が配置されている。蓋体６は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。また、蓋体６は、後述するボートエレベータ１２８により上下動可能に構成されている。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体６が上昇すると、反応管２の下方側（炉口部分）が閉鎖され、ボートエレベータ１２８により蓋体６が下降すると、反応管２の下方側（炉口部分）が開口される。
蓋体６の上部には、保温筒７が設けられている。保温筒７は、反応管２の炉口部分からの放熱による反応管２内の温度低下を防止する抵抗発熱体からなる平面状のヒータ８と、このヒータ８を蓋体６の上面から所定の高さに支持する筒状の支持体９とから主に構成されている。
また、保温筒７の上方には、回転テーブル１０が設けられている。回転テーブル１０は、被処理体、例えば、半導体ウエハＷを収容するウエハボート１１を回転可能に載置する載置台として機能する。具体的には、回転テーブル１０の下部には回転支柱１２が設けられ、回転支柱１２はヒータ８の中央部を貫通して回転テーブル１０を回転させる回転機構１３に接続されている。回転機構１３は図示しないモータと、蓋体６の下面側から上面側に気密状態で貫通導入された回転軸１４を備える回転導入部１５とから主に構成されている。回転軸１４は回転テーブル１０の回転支柱１２に連結され、モータの回転力を回転支柱１２を介して回転テーブル１０に伝える。このため、回転機構１３のモータにより回転軸１４が回転すると、回転軸１４の回転力が回転支柱１２に伝えられて回転テーブル１０が回転する。
ウエハボート１１は、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚収容可能に構成されている。ウエハボート１１は、例えば、石英により形成されている。ウエハボート１１は、回転テーブル１０上に載置されている。このため、回転テーブル１０を回転させるとウエハボート１１が回転し、この回転により、ウエハボート１１内に収容された半導体ウエハＷが回転する。
また、反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように、例えば、抵抗発熱体からなる昇温用ヒータ１６が設けられている。この昇温用ヒータ１６により反応管２の内部が所定の温度に加熱され、この結果、半導体ウエハＷが所定の温度に加熱される。
反応管２の下端近傍の側面には、複数の処理ガス導入管１７が接続されている。処理ガス導入管１７は、反応管２の下端近傍の側壁に挿通され、処理ガスを反応管２内に導入する。
反応管２内に供給する処理ガスとしては、半導体ウエハＷに薄膜を形成するための成膜用ガスと、熱処理装置１の内部に付着した付着物（反応生成物等）を除去（クリーニング）するためのクリーニングガスと、熱処理装置１の内部の材料（石英）に含まれる汚染物質（メタルコンタミのような金属汚染物質を含む不純物）を塩化物にして反応管２外に排気するための塩素系ガスと、がある。
本発明の成膜用ガスとしては、薄膜を形成可能なガスであって、薄膜形成により装置内部に付着する付着物がクリーニングガスにより除去可能なガスが用いられる。例えば、半導体ウエハＷにシリコン窒化膜を形成する場合には、成膜用ガスとして、ジクロロシラン（ＤＣＳ：ＳｉＨ２Ｃｌ２）とアンモニア（ＮＨ３）や、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ：Ｓｉ２Ｃｌ６）とアンモニア（ＮＨ３）等が用いられる。本実施の形態では、成膜用ガスとして、ジクロロシランとアンモニアとを用いている。
本発明のクリーニングガスとしては、薄膜形成により装置内部に付着する付着物が除去可能なガスが用いられる。本実施の形態では、クリーニングガスとして、フッ素とフッ化水素ガスと希釈ガスとしての窒素ガスとを用いている。
本発明の塩素系ガスは、塩素を含み、かつ、励起（活性化）可能なガスであればよく、例えば、塩素（Ｃｌ２）、塩化水素（ＨＣｌ）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２：ＤＣＳ）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、三塩化硼素（ＢＣｌ３）がある。この塩素系ガスにより、熱処理装置１の内部の材料、例えば、石英に含まれる汚染物質（例えば、鉄（Ｆｅ））が塩化物（ＦｅＣｌ２）となって、反応管２外に排気される。本実施の形態では、塩素系ガスとして、ジクロロシランを用いている。
なお、図１では処理ガス導入管１７を１つだけ描いているが、本実施の形態では、図２に示すように、ガスの種類ごと、すなわち、ジクロロシランを導入するジクロロシラン導入管１７ａ、アンモニアを導入するアンモニア導入管１７ｂ、フッ素を導入するフッ素導入管１７ｃ、フッ化水素を導入するフッ化水素導入管１７ｄ、及び、窒素を導入する窒素導入管１７ｅの５つの処理ガス導入管１７が反応管２の下端近傍の側面に挿通されている。
また、図１及び図２に示すように、反応管２の下端近傍の側面には、パージガス供給管１８が挿通されている。パージガス供給管１８には、図示しないパージガス供給源が接続されており、パージガス供給源からパージガス供給管１８を介して所望量のパージガス、例えば、窒素ガスが反応管２内に供給される。
また、熱処理装置１は、装置各部の制御を行う制御部１００を備えている。図３に制御部１００の構成を示す。図３に示すように、制御部１００には、操作パネル１２１、温度センサ（群）１２２、圧力計（群）１２３、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７、ボートエレベータ１２８等が接続されている。
操作パネル１２１は、表示画面と操作ボタンとを備え、オペレータの操作指示を制御部１００に伝え、また、制御部１００からの様々な情報を表示画面に表示する。
温度センサ（群）１２２は、反応管２内、排気管５内、処理ガス導入管１７内等の各部の温度を測定し、その測定値を制御部１００に通知する。
圧力計（群）１２３は、反応管２内、排気管５内、処理ガス導入管１７内等の各部の圧力を測定し、その測定値を制御部１００に通知する。
圧力計（群）１２３は、反応管２内、排気管５内、処理ガス導入管１７内等の各部の圧力を測定し、その測定値を制御部１００に通知する。
ヒータコントローラ１２４は、ヒータ８、及び、昇温用ヒータ１６を個別に制御するためのものであり、制御部１００からの指示に応答して、これらに通電してこれらを加熱し、また、これらの消費電力を個別に測定して、制御部１００に通知する。
ＭＦＣ制御部１２５は、処理ガス導入管１７（１７ａ〜１７ｅ）、及び、パージガス供給管１８に設けられた図示しないＭＦＣを制御して、これらに流れるガスの流量を制御部１００から指示された量にするとともに、実際に流れたガスの流量を測定して、制御部１００に通知する。
バルブ制御部１２６は、各管に配置されたバルブの開度を制御部１００から指示された値に制御する。真空ポンプ１２７は、排気管５に接続され、反応管２内のガスを排気する。
ボートエレベータ１２８は、蓋体６を上昇させることにより、回転テーブル１０上に載置されたウエハボート１１（半導体ウエハＷ）を反応管２内にロードし、蓋体６を下降させることにより、回転テーブル１０上に載置されたウエハボート１１（半導体ウエハＷ）を反応管２内からアンロードする。
制御部１００は、レシピ記憶部１１１と、ＲＯＭ１１２と、ＲＡＭ１１３と、Ｉ／Ｏポート１１４と、ＣＰＵ１１５と、これらを相互に接続するバス１１６とから構成されている。
レシピ記憶部１１１には、セットアップ用レシピと複数のプロセス用レシピとが記憶されている。熱処理装置１の製造当初は、セットアップ用レシピのみが格納される。セットアップ用レシピは、各熱処理装置に応じた熱モデル等を生成する際に実行されるものである。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う熱処理（プロセス）毎に用意されるレシピであり、例えば、反応管２への半導体ウエハＷのロードから、処理済みのウエハＷをアンロードするまでの、各部の温度の変化、反応管２内の圧力変化、処理ガスの供給の開始及び停止のタイミングと供給量などを規定する。
ＲＯＭ１１２は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ１１５の動作プログラム等を記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ１１３は、ＣＰＵ１１５のワークエリアなどとして機能する。
ＲＡＭ１１３は、ＣＰＵ１１５のワークエリアなどとして機能する。
Ｉ／Ｏポート１１４は、操作パネル１２１、温度センサ１２２、圧力計１２３、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７、ボートエレベータ１２８等に接続され、データや信号の入出力を制御する。
ＣＰＵ（Central Processing Unit)１１５は、制御部１００の中枢を構成し、ＲＯＭ１１２に記憶された制御プログラムを実行し、操作パネル１２１からの指示に従って、レシピ記憶部１１１に記憶されているレシピ（プロセス用レシピ）に沿って、熱処理装置１の動作を制御する。すなわち、ＣＰＵ１１５は、温度センサ（群）１２２、圧力計（群）１２３、ＭＦＣ制御部１２５等に反応管２内、処理ガス導入管１７内、及び、排気管５内の各部の温度、圧力、流量等を測定させ、この測定データに基づいて、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７等に制御信号等を出力し、上記各部がプロセス用レシピに従うように制御する。
バス１１６は、各部の間で情報を伝達する。
バス１１６は、各部の間で情報を伝達する。
次に、以上のように構成された熱処理装置１を用いて、本発明の薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法について説明する。図４に本実施の形態の薄膜形成方法を説明するためのレシピを示す。
なお、本実施の形態では、半導体ウエハＷにＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２）及びアンモニア（ＮＨ３）を供給して、半導体ウエハＷ上に所定厚のシリコン窒化膜を形成するとともに、反応管２内にクリーニングガスを供給して熱処理装置１の内部に付着した付着物（窒化珪素）を除去した後、塩素系ガスとしてのＤＣＳを供給して反応管２の石英中に含まれる金属コンタミを除去する場合を例に本発明を説明する。なお、以下の説明において、熱処理装置１を構成する各部の動作は、制御部１００（ＣＰＵ１１５）により制御されている。また、各処理における反応管２内の温度、圧力、ガスの流量等は、前述のように、制御部１００（ＣＰＵ１１５）がヒータコントローラ１２４（ヒータ８、昇温用ヒータ１６）、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７等を制御することにより、図４に示すレシピに従った条件になる。
まず、反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、例えば、３００℃に設定する。また、図４（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から反応管２内に所定量の窒素を供給し、シリコン窒化膜を形成する被処理体としての半導体ウエハＷが収容されているウエハボート１１を蓋体６上に載置する。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体６を上昇させ、半導体ウエハＷ（ウエハボート１１）を反応管２内にロードする（ロード工程）。
次に、図４（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から反応管２内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、７６０℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図４（ｂ）に示すように、２６．５Ｐａ（０．２Ｔｏｒｒ）に減圧する。そして、反応管２内をこの温度及び圧力で安定させる（安定化工程）。
反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、パージガス供給管１８からの窒素の供給を停止する。続いて、処理ガス導入管１７（ジクロロシラン導入管１７ａ、及び、アンモニア導入管１７ｂ）から成膜用ガスを反応管２内に導入する。本実施の形態では、図４（ｄ）に示すように、アンモニアを０．７５リットル／ｍｉｎ供給するとともに、図４（ｅ）に示すように、ＤＣＳを０．０７５リットル／ｍｉｎ供給する。反応管２内に成膜用ガスが導入されると、成膜用ガスが反応管２内で加熱され、半導体ウエハＷの表面にシリコン窒化膜が形成される（成膜工程）。
半導体ウエハＷの表面に所定厚のシリコン窒化膜が形成されると、ジクロロシラン導入管１７ａ、及び、アンモニア導入管１７ｂからの成膜用ガスの導入を停止する。そして、反応管２内のガスを排出するとともに、図４（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から所定量の窒素を供給して、反応管２内のガスを排気管５に排出する（パージ工程）。なお、反応管２内のガスを確実に排出するために、反応管２内のガスの排出及び窒素ガスの供給を複数回繰り返すことが好ましい。
続いて、図４（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から反応管２内に所定量の窒素を供給して、図４（ｂ）に示すように、反応管２内の圧力を常圧に戻す。また、反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、３００℃に設定する。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体６を下降させることにより、半導体ウエハＷ（ウエハボート１１）を反応管２内からアンロードする（アンロード工程）。これにより、成膜処理が終了する。
以上のような成膜処理を、例えば、複数回行うと、成膜処理によって生成される窒化珪素が、半導体ウエハＷの表面だけでなく、反応管２の内壁等にも堆積（付着）する。このため、成膜処理を所定回数行った後、洗浄処理（本発明の薄膜形成装置の洗浄方法）を実行する。
まず、反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、例えば、３００℃に設定する。また、図４（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から反応管２内に所定量の窒素を供給し、半導体ウエハＷが収容されていない空のウエハボート１１を蓋体６上に載置する。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体６を上昇させ、ウエハボート１１を反応管２内にロードする（ロード工程）。
次に、図４（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から反応管２内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、３００℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図４（ｂ）に示すように、２００００Ｐａ（１５０Ｔｏｒｒ）に減圧する。そして、反応管２内をこの温度及び圧力で安定させる（安定化工程）。
反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、パージガス供給管１８からの窒素の供給を停止する。続いて、処理ガス導入管１７（フッ素導入管１７ｃ、フッ化水素導入管１７ｄ、及び、窒素導入管１７ｅ）からクリーニングガスを反応管２内に導入する。本実施の形態では、図４（ｆ）に示すように、フッ素（Ｆ２）を２リットル／ｍｉｎ供給し、図４（ｇ）に示すように、フッ化水素（ＨＦ）を２リットル／ｍｉｎ供給し、図４（ｃ）に示すように、希釈ガスとしての窒素を８リットル／ｍｉｎ供給する。
反応管２内にクリーニングガスが供給されると、クリーニングガスが反応管２内で加熱され、クリーニングガス中のフッ素が活性化する。活性化されたフッ素は、熱処理装置１の内部に付着した付着物（窒化珪素）に接触し、窒化珪素がエッチングされる。これにより、熱処理装置１の内部に付着した付着物が除去される（クリーニング工程）。
熱処理装置１の内部に付着した付着物が除去されると、処理ガス導入管１７からのクリーニングガスの供給を停止する。そして、図４（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から所定量の窒素を供給して、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図４（ｂ）に示すように、１３．３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）に減圧する。また、反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、４００℃に設定する。そして、反応管２の温度及び圧力操作を、反応管２が所定の圧力及び温度で安定するまで行う（安定化工程）。
反応管２内の温度は、少なくとも２００℃（２００℃以上）にすることが好ましい。２００℃より低温であると、塩素系ガス（ＤＣＳ）が液化したり、残留水分による腐食が生じるおそれがあるためである。
本実施の形態では、塩素系ガスにＤＣＳを用いているので、反応管２内の温度を７００℃以下とすることが好ましく、５００℃以下とすることがさらに好ましい。５００℃より高温、特に、７００℃より高温にすると、塩素系ガスによりＳｉ成膜が起こるおそれがあるためである。このため、塩素系ガスにＤＣＳを用いている場合には、２００℃〜７００℃とすることが好ましく、２００℃〜５００℃とすることがさらに好ましい。
反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、パージガス供給管１８からの窒素の供給を停止する。次に、処理ガス導入管１７（ジクロロシラン導入管１７ａ）から塩素系ガスを反応管２内に導入する。本実施の形態では、図４（ｅ）に示すように、ＤＣＳを０．０５リットル／ｍｉｎ供給する。所定時間経過後、反応管２内のガスを排出する。そして、このＤＣＳの供給及び反応管２内のガスの排出を複数回繰り返す（塩素パージ工程）。
このように、反応管２内にＤＣＳが供給されると、反応管２内の熱によりＤＣＳ中の塩素が励起（活性化）する。活性化された塩素は、例えば、反応管２の石英中に含まれる金属コンタミとが反応して塩化金属となり、反応管２の石英中から拡散（外方拡散）しやすくなる。このため、反応室内の材料、例えば、反応管２の石英中に含まれる金属コンタミが減少し、成膜処理中における反応管２からの金属コンタミの拡散を抑制することができる。この結果、成膜処理により形成されるシリコン窒化膜中の金属コンタミの量（濃度）を低減することができる。
塩素パージ工程が終了すると、処理ガス導入管１７からのＤＣＳの供給を停止する。続いて、図４（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から反応管２内に所定量の窒素を供給して、図４（ｂ）に示すように、反応管２内の圧力を常圧に戻す。また、反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、３００℃に設定する（安定化工程）。そして、反応管２内をこの温度及び圧力で安定させる（安定化工程）。
次に、ボートエレベータ１２８により蓋体６を下降させることにより、半導体ウエハＷ（ウエハボート１１）を反応管２内からアンロードする（アンロード工程）。これにより、パージ処理が終了する。そして、半導体ウエハＷが収容されたウエハボート１１を蓋体６上に載置することにより、再び、半導体ウエハＷ上にシリコン窒化膜を形成する成膜処理を行うことが可能になる。
このように、所定回数の成膜処理の後、クリーニング処理及びパージ処理を行う薄膜形成方法を繰り返すことにより、連続して半導体ウエハＷにシリコン窒化膜を形成することができる。
次に、本実施の形態の効果を確認するため、上記実施の形態と同一の条件で、成膜処理、クリーニング処理及びパージ処理（塩素パージ）を行った反応管２内に半導体ウエハを入れ、反応管２内を８００℃に昇温することにより半導体ウエハを加熱した後、加熱された半導体ウエハを取り出して、この半導体ウエハ表面上の鉄（Ｆｅ）濃度を測定した。また、比較のため、成膜処理及びクリーニング処理を行った後、一般的な窒素ガスを用いた窒素パージ（Ｎ２パージ）を行った場合についても、同様に、反応管２内に半導体ウエハを入れ、加熱後の半導体ウエハ表面上の鉄濃度を測定した。この結果を図５に示す。
図５に示すように、塩素パージを行うことにより、半導体ウエハ上の鉄濃度が大幅に減少することが確認できた。これは、活性化された塩素が石英（反応管２、ウエハボート１１等）中に存在した鉄と反応し、塩化鉄となって石英から排出されたためと考えられる。このため、成膜処理中に石英から鉄が排出されにくくなり、成膜処理における鉄の拡散を抑制することができる。また、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）についても同様の濃度測定を行ったところ、塩素パージを行うことにより、半導体ウエハ上のアルミニウム、ニッケル濃度が減少することが確認できた。
以上説明したように、本実施の形態によれば、塩素パージを行うことにより、成膜処理中における反応管２からの金属コンタミの発生を抑制することができる。このため、形成される薄膜中への汚染物質の混入を抑制することができる。
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
上記実施の形態では、塩素系ガスにＤＣＳを用い、反応管２内を４００℃に設定した場合を例に本発明を説明した。反応管２内の温度は、少なくとも２００℃（２００℃以上）あればよいが、ＤＣＳと同様に、Ｓｉ成膜に用いられるようなガス、例えば、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、または、トリクロロシランを塩素系ガスに用いる場合には、高温にすると、Ｓｉ成膜が起こるおそれがある。このため、塩素系ガスにこれらのガスを用いる場合には、反応管２内の温度を２００℃〜７００℃とすることが好ましく、２００℃〜５００℃とすることがさらに好ましい。
また、塩素系ガスに塩素、塩化水素、または、三塩化硼素を用いる場合には、７００℃より高温、特に１０５０℃より高温にすると、反応管２等を構成する石英がエッチングされてしまうおそれがある。このため、塩素系ガスに塩素、塩化水素、または、三塩化硼素を用いる場合には、反応管２内の温度を２００℃〜１０５０℃とすることが好ましく、２００℃〜７００℃とすることがさらに好ましい。
上記実施の形態では、クリーニング処理を行った後にパージ処理を行った場合を例に本発明を説明したが、パージ処理は、石英中の汚染物質（例えば、金属コンタミ）を除去できる状態であれば、任意に行うことが可能であり、例えば、成膜処理を行う前にパージ処理を行ってもよい。
上記実施の形態では、汚染物質として、鉄、アルミニウム、ニッケルの場合を例に本発明を説明したが、本発明により除去可能な汚染物質はこれに限定されるものではなく、例えば、コバルト（Ｃｏ）、ナトリウム（Ｎａ）、カルシウム（Ｃａ）などであってもよい。
上記実施の形態では、活性化されていない塩素系ガス（ＤＣＳ）を所定の温度（４００℃）に昇温した反応管２内に供給して活性化させる場合を例に本発明を説明したが、例えば、塩素系ガスを導入する処理ガス導入管１７に活性化手段を設け、活性化された塩素系ガスを反応管２内に供給してもよい。この場合、塩素パージ工程における反応管２内の温度を低くすることができる。また、活性化させる手段としては、加熱手段の他、プラズマ発生手段、光分解手段、触媒活性化手段等であってもよい。
上記実施の形態では、シリコン窒化膜を形成する場合を例に本発明を説明したが、本発明で被処理体に形成する薄膜は、シリコン窒化膜に限定されるものではなく、例えば、ポリシリコン膜であってもよい。また、成膜用ガスは、成膜により反応管２の内壁等に付着する付着物がクリーニングガスにより除去可能であって、薄膜を形成可能なガスであればよく、例えば、シリコン窒化膜を形成する場合には、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ）とアンモニアとの混合ガスであってもよい。
上記実施の形態では、クリーニングガスにフッ素とフッ化水素と窒素との混合ガスを用いた場合を例に本発明を説明したが、クリーニングガスは成膜処理により付着した付着物を除去可能なガスであればよい。また、クリーニングガスは、希釈ガスとしての窒素ガスを含んでいなくてもよい。
上記実施の形態では、複数回の成膜処理を行った後に、クリーニング処理及びパージ処理を行った場合を例に本発明を説明したが、成膜処理に続いてクリーニング処理及びパージ処理を毎回行ってもよい。この場合、炉内（反応管２内）が毎回清浄化され、形成される薄膜への汚染物質の混入をさらに抑制することができる。
上記実施の形態では、ガスの種類毎に処理ガス導入管１７を設けた場合を例に本発明を説明したが、例えば、成膜用ガス導入管、クリーニングガス導入管、及び、塩素パージ用ガス供給管から構成されるように、処理ガスの種類毎に処理ガス導入管１７を設けてもよい。また、複数本から同種類のガスが導入されるように、反応管２の下端近傍の側面に、多数の処理ガス導入管１７を挿通してもよい。この場合、反応管２内に処理ガスをより均一に導入することができる。
上記実施の形態では、熱処理装置として、単管構造のバッチ式熱処理装置の場合を例に本発明を説明したが、例えば、反応管２が内管と外管とから構成された二重管構造のバッチ式縦型熱処理装置に本発明を適用することも可能である。また、枚葉式の熱処理装置に本発明を適用することも可能である。
本発明の実施の形態にかかる制御部１００は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭなど）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部１００を構成することができる。
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板（ＢＢＳ）に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
１ 熱処理装置
２ 反応管
３ 頂部
４ 排気口
５ 排気管
６ 蓋体
７ 保温筒
８ ヒータ
９ 支持体
１０ 回転テーブル
１１ ウエハボート
１２ 回転支柱
１３ 回転機構
１４ 回転軸
１５ 回転導入部
１６ 昇温用ヒータ
１７ 処理ガス導入管
１８ パージガス供給管
１００ 制御部
１１１ レシピ記憶部
１１２ ＲＯＭ
１１３ ＲＡＭ
１１４ Ｉ／Ｏポート
１１５ ＣＰＵ
１１６ バス
１２１ 操作パネル
１２２ 温度センサ
１２３ 圧力計
１２４ ヒータコントローラ
１２５ ＭＦＣ制御部
１２６ バルブ制御部
１２７ 真空ポンプ
１２８ ボートエレベータ
１７ａ ジクロロシラン導入管
１７ｂ アンモニア導入管
１７ｃ フッ素導入管
１７ｄ フッ化水素導入管
１７ｅ 窒素導入管
Ｗ 半導体ウエハ
２ 反応管
３ 頂部
４ 排気口
５ 排気管
６ 蓋体
７ 保温筒
８ ヒータ
９ 支持体
１０ 回転テーブル
１１ ウエハボート
１２ 回転支柱
１３ 回転機構
１４ 回転軸
１５ 回転導入部
１６ 昇温用ヒータ
１７ 処理ガス導入管
１８ パージガス供給管
１００ 制御部
１１１ レシピ記憶部
１１２ ＲＯＭ
１１３ ＲＡＭ
１１４ Ｉ／Ｏポート
１１５ ＣＰＵ
１１６ バス
１２１ 操作パネル
１２２ 温度センサ
１２３ 圧力計
１２４ ヒータコントローラ
１２５ ＭＦＣ制御部
１２６ バルブ制御部
１２７ 真空ポンプ
１２８ ボートエレベータ
１７ａ ジクロロシラン導入管
１７ｂ アンモニア導入管
１７ｃ フッ素導入管
１７ｄ フッ化水素導入管
１７ｅ 窒素導入管
Ｗ 半導体ウエハ
Claims (10)
- 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを前記反応室内に供給して、前記付着物を除去する付着物除去工程と、
前記反応室内に活性化可能な塩素系ガスを供給して、当該反応室内をパージするパージ工程とを備え、
前記付着物除去工程により前記付着物を除去した後、前記パージ工程を行い、
前記パージ工程では、前記塩素系ガスを活性化させて、前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質と反応させ、前記材料中から汚染物質を除去し、
前記塩素系ガスは、ジクロロシラン、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、または、トリクロロシランであって、前記処理ガスに用いられたガスと同じガスが用いられる、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記汚染物質は、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト、ナトリウム、カルシウムの少なくとも１つである、ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記パージ工程では、前記塩素系ガスを所定の温度に昇温した反応室内に供給して活性化させる、ことを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記パージ工程では、前記反応室内を少なくとも２００℃に昇温する、ことを特徴とする請求項３に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記材料が石英である、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
被処理体を収容する反応室内を所定の温度に昇温し、当該昇温した反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する成膜工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを、前記反応室内に供給するクリーニングガス供給手段と、
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段と、
前記反応室内に、活性化可能な塩素系ガスを供給する塩素系ガス供給手段と、
前記塩素系ガスを活性化させる活性化手段と、
前記活性化手段を制御して前記塩素系ガスを活性化させて前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質と反応させ、前記材料中から汚染物質を除去する汚染物質除去手段と、
を備え、
前記汚染物質除去手段は、前記付着物除去手段により装置内部に付着した付着物が除去された後、前記活性化手段を制御して前記材料中から汚染物質を除去し、
前記塩素系ガスは、ジクロロシラン、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、または、トリクロロシランであって、前記処理ガスに用いられたガスと同じガスである、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記汚染物質は、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト、ナトリウム、カルシウムの少なくとも１つである、ことを特徴とする請求項７に記載の薄膜形成装置。
- 前記活性化手段は、前記反応室内を少なくとも２００℃に昇温する加熱手段である、ことを特徴とする請求項７または８に記載の薄膜形成装置。
- 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを、前記反応室内に供給するクリーニングガス供給手段、
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段、
前記反応室内に、活性化可能な塩素系ガスを供給する塩素系ガス供給手段、
前記塩素系ガスを活性化させる活性化手段、
前記活性化手段を制御して前記塩素系ガスを活性化させて前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質と反応させ、前記材料中から汚染物質を除去する汚染物質除去手段、
として機能させ、
前記汚染物質除去手段は、前記付着物除去手段により装置内部に付着した付着物が除去された後、前記活性化手段を制御して前記材料中から汚染物質を除去し、
前記塩素系ガスは、ジクロロシラン、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、または、トリクロロシランであって、前記処理ガスに用いられたガスと同じガスである、ことを特徴とするプログラム。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007225479A JP4974815B2 (ja) | 2006-10-04 | 2007-08-31 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
| CN200710192998XA CN101158032B (zh) | 2006-10-04 | 2007-09-30 | 成膜装置及其使用方法 |
| US11/905,628 US7959737B2 (en) | 2006-10-04 | 2007-10-02 | Film formation apparatus and method for using the same |
| KR1020070099213A KR101133341B1 (ko) | 2006-10-04 | 2007-10-02 | 성막 장치와 그 사용 방법 |
| TW096137331A TWI415189B (zh) | 2006-10-04 | 2007-10-04 | 膜形成裝置及其使用方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006272575 | 2006-10-04 | ||
| JP2006272575 | 2006-10-04 | ||
| JP2007225479A JP4974815B2 (ja) | 2006-10-04 | 2007-08-31 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008112973A JP2008112973A (ja) | 2008-05-15 |
| JP4974815B2 true JP4974815B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=39445307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007225479A Active JP4974815B2 (ja) | 2006-10-04 | 2007-08-31 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7959737B2 (ja) |
| JP (1) | JP4974815B2 (ja) |
| KR (1) | KR101133341B1 (ja) |
| CN (1) | CN101158032B (ja) |
| TW (1) | TWI415189B (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5155070B2 (ja) * | 2008-09-02 | 2013-02-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP5067381B2 (ja) | 2009-02-19 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の運転方法 |
| CN102400110B (zh) * | 2011-12-06 | 2013-06-05 | 山东国晶新材料有限公司 | 一种气相沉积用导流防尘控气盘及气相沉积炉内洁净生产的方法 |
| JP5869923B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2016-02-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
| CN104498903B (zh) * | 2014-12-19 | 2017-08-29 | 上海微世半导体有限公司 | 带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备 |
| DE102017208329A1 (de) * | 2017-05-17 | 2018-11-22 | Ejot Gmbh & Co. Kg | Berührungsfreie Reinigungsvorrichtung |
| KR101967529B1 (ko) * | 2017-06-12 | 2019-04-09 | 에스케이머티리얼즈 주식회사 | 실리콘 질화막의 제조 방법 |
| US10535527B2 (en) * | 2017-07-13 | 2020-01-14 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing semiconductor films |
| CN109023408A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-18 | 江航 | 高温合金氧化物还原装置 |
| JP6860537B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2021-04-14 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| CN110004484B (zh) * | 2019-04-19 | 2021-02-12 | 西安理工大学 | 一种SiC单晶等离子体电化学抛光装置及其抛光方法 |
| JP7377892B2 (ja) * | 2019-12-09 | 2023-11-10 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP7113041B2 (ja) * | 2020-03-04 | 2022-08-04 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2746448B2 (ja) | 1990-02-07 | 1998-05-06 | セントラル硝子株式会社 | 混合ガス組成物 |
| JPH07122493A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Iwatani Internatl Corp | エピタキシャル成長炉のガスクリーニング方法 |
| JP3247270B2 (ja) * | 1994-08-25 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びドライクリーニング方法 |
| TW460942B (en) * | 1999-08-31 | 2001-10-21 | Mitsubishi Material Silicon | CVD device, purging method, method for determining maintenance time for a semiconductor making device, moisture content monitoring device, and semiconductor making device with such moisture content monitoring device |
| US6503843B1 (en) * | 1999-09-21 | 2003-01-07 | Applied Materials, Inc. | Multistep chamber cleaning and film deposition process using a remote plasma that also enhances film gap fill |
| JP3990881B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2007-10-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
| US20040011380A1 (en) * | 2002-07-18 | 2004-01-22 | Bing Ji | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials |
| US7288284B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Post-cleaning chamber seasoning method |
| JP4225998B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2009-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 |
| TWI365919B (en) * | 2004-12-28 | 2012-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Film formation apparatus and method of using the same |
-
2007
- 2007-08-31 JP JP2007225479A patent/JP4974815B2/ja active Active
- 2007-09-30 CN CN200710192998XA patent/CN101158032B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-02 US US11/905,628 patent/US7959737B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-02 KR KR1020070099213A patent/KR101133341B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-04 TW TW096137331A patent/TWI415189B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101158032B (zh) | 2011-03-09 |
| CN101158032A (zh) | 2008-04-09 |
| JP2008112973A (ja) | 2008-05-15 |
| US20080132079A1 (en) | 2008-06-05 |
| TWI415189B (zh) | 2013-11-11 |
| US7959737B2 (en) | 2011-06-14 |
| TW200834727A (en) | 2008-08-16 |
| KR101133341B1 (ko) | 2012-04-06 |
| KR20080031634A (ko) | 2008-04-10 |
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Legal Events
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