JP4968268B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ロールツーロール方式による有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とも言う）の製造方法に関し、更に詳しくは、ウェット成膜工程とドライ成膜工程とを有する製造工程でロールツーロール方式により製造する有機ＥＬ素子の製造方法に関する。

近年、自発光素子として有機ＥＬ素子が注目されている。有機ＥＬ素子は、基板上に形成された第１電極（陽極又は陰極）と、その上に積層された有機発光物質を含有する有機化合物層（単層部又は多層部）即ち発光層と、この発光層上に積層された第２電極（陰極又は陽極）とを有する薄膜型の素子である。この様な有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、有機化合物層に陰極から電子が注入され陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られることが知られている。

この様に、有機ＥＬ素子は薄膜型の素子であるため、１個又は複数個の有機ＥＬ素子をフィルム基材上に形成した有機ＥＬ素子をバックライト等の面光源として利用した場合には、面光源を備えた装置を容易に薄型にすることが出来る。又、画素としての有機ＥＬ素子を基板上に所定個数形成した有機ＥＬ素子をディスプレイパネルとして用いて有機ＥＬ表示装置を構成した場合には視認性が高い、視野角依存性がない等、液晶表示装置では得られない利点があることから検討が進められている。

有機ＥＬ素子は、光透過性の電極（陽極）、例えばＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）の上に少なくとも発光層を有するナノメートル単位の薄膜の有機機能層を積層し、最後に薄膜の電極（陰極）を形成して得られる。しかしながら、これらの薄膜の膜厚全てを併せても全体の膜厚は０．６ミクロンにも満たない、非常に薄い多層構造の機能性薄膜の積層体である。従って機能性薄膜を形成する前の基体には優れた平面性が必要とされ、異物や突起物、キズ、折れやヒビ割れ等があると有機ＥＬ素子とした時、電圧印加時に、ショート（所謂、リーク）により発光電流の増大や非発光となることがある。

又、発光層中で電荷が移動したり励起子を形成したりして発光に至るまでの電気化学的なプロセスを妨害する、水分、酸素等に代表される物質に対して、有機ＥＬ素子は非常に敏感である。これらの物質が、最初から不純物として存在したり、製造工程中で、混入したり、ガス拡散を防止する材料層の破損部分を越えて進入したりすると、発光の効率や駆動寿命が著しく短くなり、実用的な照明や表示のための性能を得ることが出来なくなる。

又、水分及び酸素等は電極表面や内部の電気的、化学的な特性を変化させ、電子や正孔の移動を妨害する場合もあり、その結果、実用的な特性を大きく劣化させる。

有機ＥＬ素子の詳細については、オーム社から刊行されている「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士・安達千波矢・村田英幸、共著）の各章に詳しい記載がある。

従って、有機ＥＬ素子は、例えば、乾燥剤を封入して、ガラスや金属缶で密閉した構造の中に収めたり、又、水分や酸素等のガス成分に対して、バリア性能を有する層を基材や封止材料に形成して、性能を確保したりすることが検討されている。

一方、有機ＥＬ素子を構成している有機機能層を形成する際には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ、ＰＶＤ、溶剤を用いたとウェット方式で成膜し形成する方法等の様々な方法が使用出来る。これらの方法の中で、製造工程の簡略化、製造コストの低減、加工性の改善、バックライトや照明光源等のフレキシブルな大面積素子への応用等の観点からは、大気圧環境下のウェット方式で成膜する方法が有利であることが知られている。又、第１電極、第２電極及び無機機能層を形成する際には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ、ＰＶＤ等の真空環境下のドライ方式で成膜し形成する方法が知られている。

本発明では基材上に第１電極と発光層を含む複数からなる有機化合物層と第２電極まで形成した状態及び封止部材で密着封止した状態を含め有機ＥＬ素子と言う。

有機ＥＬ素子の製造に使用する基材としては、枚葉シート基材と帯状可撓性基材とが挙げられる。帯状の可撓性基材を使用する方法は、ロール状の帯状の可撓性基材を使用し、第１電極の形成から封止部材の貼合までを帯状の可撓性基材を使用し、封止部材を貼合した後にロール状に巻き取り回収する、又は、封止部材を貼合した後に断裁し有機ＥＬ素子を製造するロールツーロール方式と言われている製造方法である。ロールツーロール方式は、生産性の点で枚葉シート基材を使用する方式に比べ優れているため検討が進められている。

例えば、陽極が形成されている帯状可撓性基材の陽極の上に、大気圧条件で有機機能層を塗布方式で有機機能層形成用塗布液を塗布・乾燥して有機機能層を形成し、一旦巻き取り保管した後、有機機能層の上に減圧条件下で陰極を形成し、封止部材で封止するロールツーロール方式による有機ＥＬ素子の製造方法が記載されている（特許文献１参照。）。

帯状可撓性基材の上に、少なくとも第１電極と、正孔輸送層と、発光層と、電子注入層と、第２電極と、封止層又は封止フィルムとの形成体をこの順番で有する有機ＥＬ素子をロールツーロール方式により作製する際、有機ＥＬ素子の膜面への傷つき防止するため、巻き取り回収する際、巻き取り補助部材を付与し巻き取り回収する方法が記載されている（特許文献２参照。）。

陽極が形成されている帯状可撓性基材の陽極の上に、大気圧条件で有機機能層を塗布方式で有機機能層形成用塗布液を塗布・乾燥して有機機能層を形成し、一旦巻き取り保管した後、有機機能層の上に減圧条件下で陰極を形成し、吸水率が１．０％以下の封止部材で封止するロールツーロール方式による有機ＥＬ素子の製造方法が記載されている（特許文献３参照。）。

特許文献１から３に記載のロールツーロール方式による有機ＥＬ素子の製造方法は、ウェット成膜工程とドライ成膜工程とが分離しているため、ロールツーロール方式の本来の高生産性の製造方法になっていない。

ウェット成膜工程とドライ成膜工程とを連続して有機ＥＬ素子を製造する場合、次の問題点が判った。
１．ドライ成膜工程が１ユニットの場合、加熱蒸発室で１回の成膜に使用する成膜原料の量は限りがあるので、成膜原料がなくなる時点で生産を中止し、ドライ成膜工程を清掃してから再度生産開始としなければならないため、製造が成膜原料の量単位となり生産性を挙げることが難しい。
２．ドライ成膜工程が複数ユニットの場合、加熱蒸発室で１回の成膜に使用する成膜原料の量はユニット分増えるが限りがあるので、成膜原料が多くなった分製造時間は長くすること出来るが、成膜原料がなくなる時点で生産を中止し、ドライ成膜工程を清掃してから再度生産開始としなければならないため、製造が成膜原料の量単位となり生産性を挙げることが難しい。
３．ドライ成膜工程を清掃している間は製造が出来ないため、１日の生産量が決められてしまう。
４．製造の途中で、成膜材料を補充する場合は、一旦成膜室及び加熱蒸発室を大気圧に戻すため、生産を再開する際には成膜室及び加熱蒸発室を再度真空にするために時間が掛かり１日の生産量が決められてしまう。又、ドライ成膜工程の前のウェット成膜工程も当然止めることになるため、ドライ成膜工程を止める前に工程ロスをなくすため、予めリーダーを繋ぎウェット成膜工程に仕掛品がない様にする煩雑な作業が必要となる。
５．成膜材料を補充する場合、成膜材料に潮解性の高い材料（例えば、電子注入層形成用の材料）の時、加熱蒸発室を大気圧に戻すことで残存している成膜材料が急速に水分を吸着し、再度、真空排気をする際に、この水分が除去し難く、高真空を達成するまでに非常に時間が掛かり１日の生産量が決められてしまう。
６．ドライ成膜工程の真空度が低いまま、電子注入層、陰極を成膜し形成すると、発光効率の低下だけでなく、寿命等の性能が劣化し、ダークスポット等の故障の原因となる。

この様な状況から、有機ＥＬ素子をウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを有する製造工程でロールツーロール方式により製造する時、ウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを分断することなく、且つ成膜原料の量に影響されることなく、ドライ成膜工程で連続して成膜することが出来る有機ＥＬ素子の製造方法の開発が望まれている。

国際公開第０６／１００８６８号パンフレット 特開２００６−２９４５３６号公報 特開２００７−７３３３２号公報

本発明は、上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は、有機ＥＬ素子をウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを有する製造工程でロールツーロール方式により製造する時、ウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを分断することなく、且つ成膜原料の量に影響されることなく、ドライ成膜工程で連続して成膜することが出来る有機ＥＬ素子の製造方法を提供することである。

本発明の上記課題は、下記の構成により達成された。

１．有機エレクトロルミネッセンス素子をウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを有する製造工程を使用し、ロールツーロール方式で製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記ドライ成膜工程は、成膜条件を独立に制御し得る成膜室と、気圧調整室と、加熱蒸発室とを有する気相成膜ユニットを使用し、
前記気相成膜ユニットは前記成膜室の真空を維持し、前記加熱蒸発室と、前記成膜室とを分離及び接合が可能であり、
連続して成膜を行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

２．前記気相成膜ユニットは、１つの成膜室と、２つ以上の加熱蒸発室と、２つ以上の気圧調整室とを有することを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

３．前記気相成膜ユニットは、１つの成膜室と、１つの加熱蒸発室と、１つの気圧調整室とを有し、該気相成膜ユニットが２つ以上、工程に直列に配置されていることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

４．前記気相成膜ユニットは１つの成膜室と、１つの加熱蒸発室と、１つの気圧調整室とを有し、該加熱蒸発室は交換用の加熱蒸発室を有することを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

５．前記気圧調整室は成膜室の内側の下部に設けた第１開口部と第２開口部とを有する分離壁と、加熱蒸発室の内側の上部に設けた第３開口部と第４開口部とを有する分離壁とから構成された空間であり、
該第１開口部を該気圧調整室側から開閉する第１遮蔽板と、該第２開口部を該気圧調整室側から開閉する第２遮蔽板と、該第３開口部を該気圧調整室側から開閉する第３遮蔽板と、該第４開口部を該気圧調整室側から開閉する第４遮蔽板と、排気管と外気導入管とを有することを特徴とする前記２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

６．前記気圧調整室は成膜室の内側の下部に設けた第１開口部を有する分離壁と、加熱蒸発室の内側の上部に設けた第２開口部を有する分離壁とから構成された空間であり、
該第１開口部を該気圧調整室側から開閉する遮蔽板と、第２開口部を該気圧調整室側から開閉する第２遮蔽板と、排気管と外気導入管とを有することを特徴とする前記２又は３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

７．前記成膜室は、排気管と、外気導入管と、マスクと、可撓性基材の有機機能層が形成された面側を実質非接触として搬送する搬送ロールとを有することを特徴とする前記１から６の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

８．前記加熱蒸発室は気相成膜装置と、排気管と、外気導入管と、不活性ガス導入管とを有することを特徴とする前記１から７の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

９．前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、ドライ成膜工程の後に、封止材貼合工程と、断裁工程とを有することを特徴とする前記１から８の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

１０．前記１から９の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
ドライ成膜工程は、成膜条件を独立に制御し得る成膜室と、気圧調整室と、加熱蒸発室とを有する気相成膜ユニットを使用し、
該ドライ成膜工程は連続してステップ毎に行う工程であり、該ステップは第１ステップと、これに続く第２ステップとからなり、
該第１ステップは、該成膜室の真空を維持した状態で、次の連続する成膜に対する調整のために、該加熱蒸発室と該成膜室とを分離し、
該第２ステップは、調整した該加熱蒸発室と該成膜室とを接合することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

１１．前記加熱蒸発室と成膜室との分離は、該成膜室及び該加熱蒸発室の真空を維持した状態で、気圧調整室を大気圧に戻した後、該加熱蒸発室と該成膜室とを分離することを特徴とする前記１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

１２．前記加熱蒸発室と成膜室との接合は、分離された加熱蒸発室を大気圧に戻し、調整後、接合した後、気圧調整室を真空にすることを特徴とする前記１０又は１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

可撓性基材の上に少なくとも、第１電極と、少なくとも１層の有機機能層と、第２電極とを有する有機ＥＬ素子をウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを有する製造工程でロールツーロール方式により製造する時、ウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを分断することなく、且つ成膜原料の量に影響されることなく、ドライ成膜工程で連続して成膜することが出来る有機ＥＬ素子の製造方法を提供することが出来た。

帯状の可撓性基材を用いたロールツーロール方式による有機ＥＬ素子の製造工程の模式図である。 図１に示す電子注入層形成工程の概略図である。 図２（ｂ）のＰで示される部分の概略図である。 図２に示す成膜室の第１開口部を遮蔽する遮蔽板を成膜室側から見た拡大概略図である。 図２（ｂ）のＱで示される部分の拡大概略図である。 図２に示す気相成膜ユニットを使用して、成膜を連続して行うフロー図である。 可撓性基材に対して直列に２つの気相成膜ユニットを配置した図１に示す電子注入層形成工程の概略斜視図である。 図７に示す第１気相成膜ユニット４ａ′１のＧ−Ｇ′に沿った拡大概略断面図である。 交換用の加熱蒸発室を有する気相成膜ユニットを使用した図１に示す電子注入層形成工程の概略図である。

本発明の実施の形態を図１から図９参照しながら説明するが本発明はこれに限定されるものではない。

図１は帯状の可撓性基材を用いたロールツーロール方式による有機ＥＬ素子の製造工程の模式図である。以下に、１例としてパターン化されて形成されている第１電極を複数有する帯状の可撓性基材（以下、可撓性基材とも言う）の上にウェット方式で成膜して形成した正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層との上に、電子注入層と、第２電極とをドライ方式で成膜して形成した後、封止部材を貼合し、断裁して有機ＥＬ素子をロールツーロール方式で製造する方法を本図で説明する。

本発明におけるロールツーロール方式とは、ロール状に巻いた可撓性基材を繰り出して、間欠的或いは連続的に搬送しながら、可撓性基材の上にサブミクロンの機能性材料層の一部又は全部を形成したりして、再び、ロールに巻き取る方式、又は、機能性材料層を形成して、引き続き断裁して最終製品を得る方式を含めて、所謂ロールツーロール方式と呼称する。

本発明は電子注入層と、第２電極とをドライ方式で成膜して形成する時、成膜室内の可撓性基材を大気開放下に曝すことなく搬送し、成膜を止めることなく連続して成膜する方法を使用したロールツーロール方式による有機ＥＬ素子の製造方法に関するものである。

図中、１は正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とをウェット方式で可撓性基材を連続搬送しながら成膜して形成し、電子注入層、第２電極をドライ方式で成膜し形成する有機ＥＬ素子の製造工程を示す。製造工程１は、供給工程２と、ウェット成膜工程３と、ドライ成膜工程４と、封止工程５、断裁工程６とを有している。

供給工程２からは巻き芯に巻き取られロール状態で供給された、ガスバリア膜と第１電極とがこの順番で既に形成された可撓性基材２０１ａが繰り出され表面処理装置（不図示）を介して正孔輸送層形成工程３ａに送られる。第１電極の形成位置は可撓性基材２０１ａに予め付けられたアライメントマーク２０１ｂ（図２参照）により判る様になっている。

ウェット成膜工程３は正孔輸送層をウェット方式で成膜し形成する正孔輸送層形成工程３ａ、発光層をウェット方式で成膜し形成する発光層形成工程３ｂと、電子輸送層をウェット方式で成膜し形成する電子輸送層形成工程３ｃとを有している。

ウェット成膜工程３は供給工程２から搬送されてくる可撓性基材２０１ａに付けられたアライメントマーク２０１ｂ（図２参照）を検出装置４ａ１６（図２参照）で読み取り、検出装置４ａ１６（図２参照）の情報に従って、可撓性基材２０１ａの上に形成されている第１電極のパターンに合わせて、第１電極の上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層を順次形成し、この後、ドライ成膜工程４に搬送する。

正孔輸送層形成工程３ａは、可撓性基材２０１ａ上に形成されている第１電極のパターンに合わせ正孔輸送層形成用塗布液を成膜装置により成膜し、塗膜中の溶媒を乾燥装置で除去し正孔輸送層を形成する。

発光層形成工程３ｂは、正孔輸送層形成工程３ａから搬送されてくる可撓性基材２０１ａの上に形成されている正孔輸送層の領域に発光層形成用塗布液を成膜装置により成膜し、塗膜中の溶媒を乾燥装置で除去し発光層を形成する。

電子輸送層形成工程３ｃは、可撓性基材２０１ａ上に形成されている発光層の領域に電子輸送層形成用塗布液を成膜装置により成膜し、塗膜中の溶媒を乾燥装置で除去し電子輸送層を形成する。

ウェット成膜工程３を構成している正孔輸送層形成工程３ａと、発光層形成工程３ｂと、電子輸送層形成工程３ｃとで使用する成膜装置としてはパターン成膜が出来れば特に限定はなく、例えば、インクジェット方式、フレキソ印刷方式、オフセット印刷方式、グラビア印刷方式、スクリーン印刷方式等に使用する各種成膜装置が挙げられる。これらの成膜装置の使用は各工程での使用塗布液の材料に応じて適宜選択することが可能となっている。又、全面に塗布後、各工程の後で不要部分を溶媒を含んだ部材で拭き取るなどの方法でパターン成膜してもよい。

本図に示される正孔輸送層形成工程３ａ、発光層形成工程３ｂ及び電子輸送層形成工程３ｃで使用する成膜装置及び乾燥装置の数は各層の構成により適宜配設することが可能となっている。

ドライ成膜工程４は、電子注入層形成工程４ａと、第２電極形成工程４ｂとを有している。ドライ成膜工程４では電子輸送層形成工程３ｃから搬送されてくる電子輸送層までが形成された可撓性基材２０１ａに付けられたアライメントマーク２０１ｂ（図２参照）を検出装置４ａ１６（図２参照）で読み取り、検出装置４ａ１６（図２参照）の情報に従って、電子輸送層の上に電子注入層と、第２電極とを形成する。

電子注入層形成工程４ａは、複数の気相成膜ユニットを有する気相成膜ユニット４ａ１と、アキュームレータ４ａ２とを使用している。気相成膜ユニット４ａ１に関しては図２で詳細に説明する。

電子注入層形成工程４ａは、電子輸送層形成工程３ｃから搬送されてくる可撓性基材２０１ａ上に形成されている電子輸送層の領域に電子注入層形成用材料を気相成膜ユニット４ａ１でマスクを使用しパターン状に成膜し電子注入層を形成する。

気相成膜ユニット４ａ１での成膜は、電子輸送層形成工程３ｃから搬送されてくる電子輸送層迄が形成された可撓性基材２０１ａに設けられたアライメントマーク２０１ｂ（図２参照）を電子注入層形成工程４ａに配設された検出装置４ａ１６（図２参照）により検出し、検出装置４ａ１６（図２参照）の情報に従って気相成膜ユニット４ａ１のマスクとアライメントマーク２０１ｂ（図２参照）との位置合わせが行われ、可撓性基材２０１ａの搬送を停止した状態で行われる。

成膜が行われている間、電子輸送層形成工程３ｃから搬送されてくる可撓性基材２０１ａはアキュームレータ４ａ２に溜められ、成膜が終了した後、成膜するに要する長さを気相成膜ユニット４ａ１に搬送する方式で行われる。

アキュームレータ４ａ２の大きさは電子輸送層形成工程３ｃの成膜速度と、電子注入層形成工程４ａの成膜速度との差により適宜設定することが可能となっている。

第２電極形成工程４ｂは、複数の気相成膜ユニットを有する気相成膜ユニット４ｂ１と、アキュームレータ４ｂ２とを使用している。アキュームレータ４ｂ２は真空状態の維持と解除とが可能な室（不図示）に設置されており、且つ、気相成膜ユニット４ａ１及び気相成膜ユニット４ｂ１とはエアーツーバキュームコネクターを介して接合されていることが好ましい。この様にすることで可撓性基材２０１ａを大気開放下に曝すことなく搬送し、電子注入層及び第２電極の形成を行うことが可能となる。

第２電極形成工程４ｂは、電子注入層形成工程４ａから搬送されてくる可撓性基材２０１ａ上に形成されている第１電極のパターンに合わせ第２電極形成用材料を気相成膜ユニット４ｂ１でマスクを使用してパターン状に成膜し第２電極を形成する。

気相成膜ユニット４ｂ１での成膜は、電子注入層形成工程４ａから搬送されてくる電子注入層迄が形成された可撓性基材２０１ａに設けられたアライメントマーク２０１ｂ（図２参照）を配設された検出装置４ａ１６（図２参照）により検出し、検出装置４ａ１６（図２参照）の情報に従って気相成膜ユニット４ｂ１のマスクとアライメントマーク２０１ｂ（図２参照）との位置合わせが行われ、可撓性基材２０１ａの搬送を停止した状態で行われる。この段階で、基材／バリア層／第１電極（陽極）／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極（陰極）の構成を有する有機ＥＬ素子が出来上がる。

成膜が行われている間、電子注入層形成工程４ａから搬送されてくる可撓性基材２０１ａはアキュームレータ４ｂ２に溜められ、成膜が終了した後、封止工程５に搬送する方式で行われる。

アキュームレータ４ｂ２の大きさは電子注入層形成工程４ａの成膜速度と、第２電極形成工程４ｂの成膜速度との差により適宜設定することが可能となっている。

第２電極形成用材料を成膜し第２電極を形成するのに使用する気相成膜装置としては、電子注入層形成工程４ａで使用している気相成膜装置４ａ１２Ｃ（図２参照）と同じであっても構わなし、第２電極形成用材料の種類により適宜選択することが可能となっている。

封止工程５では、第２電極までが形成された可撓性基材２０１ａの第２電極が形成された側の全面に接着剤を塗設し、封止部材を貼合した後、断裁工程６に搬送する。

断裁工程６ではアライメントマークを検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って断裁装置（不図示）で断裁し、個別の有機ＥＬ素子に断裁される。有機ＥＬ素子が打ち抜かれたスケルトンは巻き取り装置で巻き取られ回収される。

本発明でロールツーロール方式とは、本図に示す様にロール状に巻かれた帯状の可撓性基材を使用し、第１電極の形成から封止部材の貼合した後に断裁し有機ＥＬ素子を製造する方法、又は、封止部材を貼合した後に一旦ロール状に巻き取り保管した後に断裁し有機ＥＬ素子を製造する方法を含めて言う。

図１に示す有機ＥＬ素子の製造工程は、基材／第１電極（陽極）／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極（陰極）／接着剤／封止部材の層構成を有する有機ＥＬ素子の一例を示したものであるが、他の代表的な層構成としては次の構成が挙げられる。

（１）基材／第１電極（陽極）／発光層／第２電極（陰極）／接着剤／封止部材
（２）基材／第１電極（陽極）／発光層／電子輸送層／第２電極（陰極）／接着剤／封止部材
（３）基材／第１電極（陽極）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／第２電極（陰極）／接着剤／封止部材
（４）基材／第１電極（陽極）／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／第２電極（陰極）／接着剤／封止部材
（５）基材／第１電極（陽極）／陽極バッファ層（正孔注入層）／正孔輸送層／有機層（発光層）／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／第２電極（陰極）／接着剤／封止部材
又、発光層が多層の場合は、積層する数に合わせて成膜・乾燥部のユニットを配設する必要がある。発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性、発光に必要な電圧等を考慮し、通常２ｎｍから５μｍ、好ましくは２ｎｍから２００ｎｍの範囲で選ばれる。更に１０ｎｍから２０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。

電子輸送層の膜厚は、素材にもよるが０．１ｎｍから５μｍの範囲が好ましい。第２電極（陰極）としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍから５μｍ、好ましくは５０ｎｍから２００ｎｍの範囲で選ばれる。

図２は図１に示す電子注入層形成工程の概略図である。図２（ａ）は図１に示す電子注入層形成工程の概略斜視図である。図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ′に沿った概略断面図である。

図中、４ａ１は気相成膜ユニットを示す。気相成膜ユニット４ａ１は、一つの成膜室４ａ１１と、第１気圧調整室４ａ１９Ａと、第１加熱蒸発室４ａ１２と、第２加熱蒸発室４ａ１３と、第２気圧調整室４ａ１９Ｂと、移動用レール４ａ１４とを有している。

第１加熱蒸発室４ａ１２と、第２加熱蒸発室４ａ１３とは別々に成膜室４ａ１１から分離し移動用レール４ａ１４に沿って移動（図中の矢印方向）し、再び移動用レール４ａ１４に沿って移動（図中の矢印方向）し、成膜室４ａ１１にセットすることが可能となっている。

移動用レール４ａ１４の成膜室４ａ１１側には、第１加熱蒸発室４ａ１２と、第２加熱蒸発室４ａ１３を成膜室４ａ１１にセットする時に、第１加熱蒸発室４ａ１２と、第２加熱蒸発室４ａ１３と、成膜室４ａ１１との位置合わせを容易にするため定位置にストッパー（不図示）が配設されており、定位置で第１加熱蒸発室４ａ１２又は第２加熱蒸発室４ａ１３が停止した後、上昇手段（不図示）（例えば、オイルジャッキ、エアージャッキ等）で第１加熱蒸発室４ａ１２又は第２加熱蒸発室４ａ１３を上昇させて成膜室４ａ１１にセットすることが可能となっている。

４ａ１５は成膜室４ａ１１の可撓性基材２０１ａの入る側と出る側に配設されたエアーツーバキュームコネクターを示し、これにより可撓性基材２０１ａの搬送時の成膜室４ａ１１の真空度が維持出来る様になっている。

４ａ１６は成膜室４ａ１１に配設された検出装置を示す。検出装置４ａ１６により、可撓性基材２０１ａの上に形成されている第１電極の位置を示すアライメントマーク２０１ｂを検出し、検出装置４ａ１６の情報に基づき、成膜室４ａ１１内のマスクとの位置合わせを行い、可撓性基材２０１ａの搬送を止めて成膜する様になっている。

４ａ１７は成膜室４ａ１１内を真空にするための排気管を示し、真空ポンプ（不図示）に繋がっている。

４ａ１８は成膜室４ａ１１内の真空状態を解除するための外気導入管を示し、途中に開閉バルブ（不図示）が配設されている。

４ａ１１１は成膜室４ａ１１内に配設された第１開口部４ａ１１２と、第２開口部４ａ１１３を有し、第１加熱蒸発室４ａ１２と第２加熱蒸発室４ａ１３とを分離する分離壁を示す。４ａ１１４は第１開口部４ａ１１２の第１遮蔽板を示す。第１遮蔽板４ａ１１４はボールネジシャフト４ａ１１５に取り付けられており、ボールネジシャフト４ａ１１５の回転により第１遮蔽板４ａ１１４を移動（図中の矢印方向）させることで第１開口部４ａ１１２の開閉を可能にしている。本図は第１開口部４ａ１１２が閉じた状態を示している。４ａ１１６はボールネジシャフト４ａ１１５の回転用のモーターを示す。

４ａ１１７は第２開口部４ａ１１３の第２遮蔽板を示す。第２遮蔽板４ａ１１７はボールネジシャフト４ａ１１８に取り付けられており、ボールネジシャフト４ａ１１８の回転により第２遮蔽板４ａ１１７を移動（図中の矢印方向）させることで第２開口部４ａ１１３の開閉を可能にしている。本図は第２開口部４ａ１１３が閉じた状態を示している。４ａ１１９はボールネジシャフト４ａ１１８の回転用のモーターを示す。

４ａ１１１０は成膜室４ａ１１内に第１開口部４ａ１１２と対向する位置に配設されたマスクを示す。４ａ１１１１は成膜室４ａ１１内に第２開口部４ａ１１３と対向する位置に配設されたマスクを示す。

４ａ１２１は第１加熱蒸発室４ａ１２に配設された排気管を示し、第１加熱蒸発室４ａ１２内を真空状態にするため真空ポンプへ繋がっている。

４ａ１２２は第１加熱蒸発室４ａ１２の掃除、成膜材料の交換等の時、第１加熱蒸発室４ａ１２内の真空状態を解除するための外気導入管を示し、途中に開閉バルブ（不図示）が配設されている。

４ａ１２３は成膜原料の酸化を防止するための不活性ガス導入手段の不活性ガス導入管を示し、途中に配設した開閉バルブ（不図示）を介して不活性ガスタンクへ繋がっている。不活性ガスとしては、Ｎ２、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等が導入される。

４ａ１２Ｃは気相成膜装置を示し、成膜原料を入れ加熱するセル４ａ１２Ｃ１、載置台４ａ１２Ｃ２、セル４ａ１２Ｃ１の開口部の面積を調整する調整板４ａ１２Ｃ３とを有している。電子注入層用の成膜原料としてはストロンチウム、アルミニウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム等が挙げられる。

気相成膜装置４ａ１２Ｃとしては、特に限定はなく、抵抗加熱等による通常の蒸着法の他、例えばスパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を用いることが出来、必要に応じて選択して使用することが可能である。

４ａ１３１は第２加熱蒸発室４ａ１３に配設された排気管を示し、第２加熱蒸発室４ａ１３内を真空状態にするため真空ポンプへ繋がっている。

４ａ１３２は第２加熱蒸発室４ａ１３の掃除、電子注入層用成膜原料の交換等の時、第２加熱蒸発室４ａ１３内の真空状態を解除するための外気導入管を示し、途中に開閉バルブ（不図示）が配設されている。

４ａ１３３は成膜原料の酸化を防止するための不活性ガス導入手段の不活性ガス導入管を示し、途中に配設した開閉バルブ（不図示）を介して不活性ガスタンクへ繋がっている。

４ａ１３Ｃは気相成膜装置を示し、成膜原料を入れ加熱するセル４ａ１３Ｃ１、載置台４ａ１３Ｃ２、セル４ａ１３Ｃ１の開口部の面積を調整する調整板４ａ１３Ｃ３とを有している。

４ａ１２４は第３開口部４ａ１２５を有し、成膜室４ａ１１とを分離する分離壁を示す。４ａ１９Ａは分離壁４ａ１２４と分離壁４ａ１１１と、成膜室４ａ１１の外壁４ａ１１Ａ（図５参照）と、第１加熱蒸発室４ａ１２の外壁４ａ１２Ａ（図５参照）とから構成される第１気圧調整室を示す。

４ａ１２６は第３開口部４ａ１２５の第３遮蔽板を示す。第３遮蔽板４ａ１２６はボールネジシャフト４ａ１２７に取り付けられており、ボールネジシャフト４ａ１２７の回転により第３遮蔽板４ａ１２６を移動（図中の矢印方向）させることで第３開口部４ａ１２５の開閉を可能にしている。本図は第３開口部４ａ１２５が閉じられた状態を示している。４ａ１２８はボールネジシャフト４ａ１２７の回転用のモーターを示す。

４ａ１２９は第１気圧調整室４ａ１９Ａを真空にする排気管を示し、真空ポンプに繋がっている。

４ａ１２１０（図６を参照）は第１気圧調整室４ａ１９Ａの真空を解除するための外気導入管を示し、途中に開閉バルブ（不図示）が配設されている。

４ａ１３４は第４開口部４ａ１３５を有し、成膜室４ａ１１とを分離する分離壁を示す。４ａ１９Ｂは分離壁４ａ１３４と分離壁４ａ１１１と、成膜室４ａ１１の外壁と、第２加熱蒸発室４ａ１３の外壁とから構成される第２気圧調整室を示す。

４ａ１３６は第４開口部４ａ１３５の第４遮蔽板を示す。第４遮蔽板４ａ１３６はボールネジシャフト４ａ１３７に取り付けられており、ボールネジシャフト４ａ１３７の回転により第４遮蔽板４ａ１３６を移動（図中の矢印方向）させることで第３開口部４ａ１２５の開閉を可能にしている。本図は第４開口部４ａ１３５が閉じられた状態を示している。４ａ１３８はボールネジシャフト４ａ１３７の回転用のモーターを示す。

４ａ１３９は第２気圧調整室４ａ１９Ｂを真空にする排気管を示し、真空ポンプに繋がっている。

４ａ１３１０は第２気圧調整室４ａ１９Ｂの真空を解除するための外気導入管を示し、途中に開閉バルブ（不図示）が配設されている。

第１開口部４ａ１１２と、第２開口部４ａ１１３と、第３開口部４ａ１２５、第４開口部４ａ１３５との開閉を組み合わせることで、成膜室４ａ１１から第１加熱蒸発室４ａ１２及び第２加熱蒸発室４ａ１３を別々に分離し、再び成膜室４ａ１１にセットすることが可能となっている。

本図に示される電子注入層形成工程４ａの気相成膜ユニット４ａ１の状態は、第１加熱蒸発室４ａ１２を使用した可撓性基材２０１ａへの成膜が終了し、引き続き可撓性基材２０１ａへの成膜を続けるために第２加熱蒸発室４ａ１３を成膜室４ａ１１にセットして可撓性基材２０１ａへの成膜が続けられている状態を示す。

この後、第１加熱蒸発室４ａ１２を成膜室４ａ１１から分離するため、成膜室４ａ１１の真空度の低下を防止するために第２開口部４ａ１１３は遮蔽板４ａ１１４で閉じられ、第１加熱蒸発室４ａ１２の第３開口部４ａ１２５は第３遮蔽板４ａ１２６で閉じられる。又、第２開口部４ａ１１３は第２遮蔽板４ａ１１７が移動することで開かれ、第４開口部４ａ１３５は第４遮蔽板４ａ１３６が移動することで開かれる。

本図に示す気相成膜ユニット４ａ１を使用して、成膜を連続して行うフローは図６で説明する。

本図に示す成膜室の真空状態を維持し、第１加熱蒸発室、第２加熱蒸発室を成膜室より分離し、再び成膜室にセットすることが可能な気相成膜ユニットを使用することで次の効果が挙げられる。
１．成膜室の真空状態を維持することで有機ＥＬ素子の製造にとって、故障の原因となる水分、酸素等の分子が成膜室に入り込むことを阻止出来、可撓性基材が持ち込む残留水分や酸素ガスをより効率よく排除出来る。工程変動の要因となる成膜時の圧力を安定化させることが出来、成膜品質の安定化が可能となった。
２．第１加熱蒸発室、第２加熱蒸発室が成膜室より分離し、再び成膜室にセットすることが可能であることから、交互の使用が出来、例えば、第１加熱蒸発室を使用して成膜している間に、第２加熱蒸発室の清掃、成膜原料の補充・加熱、第２加熱蒸発室の気圧調整等の次の成膜に対しての準備が出来る。このため、第１加熱蒸発室での成膜原料が少なくなって来た時点で第１加熱蒸発室を使用した成膜を中止し、第２加熱蒸発室を使用した成膜を開始することが出来、連続した成膜が可能になる。この結果、ドライ成膜工程の生産速度が全体の生産速度で律則とならなくなるためロールツーロール方式での生産効率の向上が可能となる。
３．成膜室の真空状態が維持されているため、第２加熱蒸発室への切替えが迅速に行われタイムロスがなくなり、生産効率の向上が可能となる。
４．第１加熱蒸発室、第２加熱蒸発室の清掃が成膜室と分離した状態で行われるため、清掃に伴う異物の可撓性基材への付着がなくなり、故障発生が減少し製品の品質安定化が可能となる。

図３は図２（ｂ）のＰで示される部分の概略図である。図３（ａ）は図２（ｂ）のＰで示される部分の拡大概略斜視図である。図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ′に沿った概略断面図である。

図中、７は成膜室４ａ１１（図２参照）中の内部に配設された可撓性基材２０１ａを搬送するための搬送ロールを示す。搬送ロール７は搬送ロール７ａと、搬送ロール７ｂとの一対で構成されている。

搬送ロール７ａは、両端に径が胴部７ａ２の径よりも大きくなっている保持部７ａ１と胴部７ａ２とから構成されており、軸方向の断面形状が凹型の形状となっている。搬送ロール７ｂは、径が一定の円筒状となっている。

成膜室４ａ１１（図２参照）内での可撓性基材２０１ａの搬送は、可撓性基材２０１ａの裏面側２０１ａ１（電子注入層を形成しない面）を搬送ロール７ｂと接触するようにし、電子注入層を形成する面を搬送ロール７ａ側にし搬送ロール７ａの両端の保持部７ａ１と搬送ロール７ｂとで可撓性基材２０１ａの両端部を挟持し行う様になっている。

搬送ロール７ａの形状は胴部７ａ２の径が保持部７ａ１の径より小さいので、両端で可撓性基材２０１ａの両端を挟持した時、第１電極から発光層までが形成されている領域が搬送ロール７ａに接触しないで搬送し可撓性基材２０１ａの上に電子注入層を成膜し形成することが可能となっている。

尚、図１に示される製造工程１で、可撓性基材２０１ａの搬送に使用する搬送ロール及びアキュームレータの可撓性基材２０１ａの成膜面側には、成膜した面へのキズ発生を防止する上から本図に示す搬送ロール７ａを使用することが好ましい。

図４は図２に示す成膜室の第１開口部を遮蔽する遮蔽板を成膜室側から見た拡大概略図である。図４（ａ）は図２に示す成膜室の第１開口部を遮蔽する遮蔽板を成膜室側から見た拡大概略斜視図である。図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ′に沿った概略断面図である。

図中、４ａ１１４１は、第１開口部４ａ１１２（図２参照）の大きさに合わせ第１遮蔽板４ａ１１４に設けられたシール部材を示す。

第１加熱蒸発室４ａ１２（図２参照）を成膜室４ａ１１（図２参照）から分離し移動する時、成膜室４ａ１１（図２参照）が真空の状態で第１開口部４ａ１１２（図２参照）を第１遮蔽板４ａ１１４で閉じた後、第１気圧調整室４ａ１９Ａ（図２参照）を大気圧に戻すことで第１遮蔽板４ａ１１４は成膜室４ａ１１（図２参照）側に引きつけられ分離壁４ａ１１１に密着する。この時、シール部材４ａ１１４１により成膜室４ａ１１（図２参照）の真空度は保持することが可能となっている。

尚、第２遮蔽板４ａ１１７（図２参照）、第３遮蔽板４ａ１２６（図２参照）、第４遮蔽板４ａ１３６（図２参照）も本図に示される第１遮蔽板４ａ１１４と同じ様にシール部材が配設されている。

図５は図２（ｂ）のＱで示される部分の拡大概略図である。

図中、４ａ１２Ａは第１加熱蒸発室４ａ１２（図２参照）の外壁を示す。４ａ１２Ｂは第１加熱蒸発室４ａ１２（図２参照）の外壁４ａ１２Ａの上部の周面に形成された凸部を示す。４ａ１１Ａは成膜室４ａ１１（図２参照）の外壁を示す。４ａ１１Ｂは成膜室４ａ１１（図２参照）の外壁４ａ１１Ａの下部の周面に形成された凹部を示す。第１加熱蒸発室４ａ１２（図２参照）を、一旦成膜室４ａ１１（図２参照）から分離し、再度成膜室４ａ１１（図２参照）にセットする時、凸部４ａ１２Ｂと凹部４ａ１１Ｂとを合わせる様にセットすることで第１気圧調整室４ａ１９Ａ（図２参照）の真空度を維持することが可能となっている。

凸部４ａ１２Ｂ及び凹部４ａ１１Ｂの形状は、第１気圧調整室４ａ１９Ａ（図２参照）の真空度を維持することが出来れば特に限定はない。本図は凸部４ａ１２Ｂ及び凹部４ａ１１Ｂの形状が半円形の場合を示している。

凸部４ａ１２Ｂの作製方法としては特に限定はなく、例えば断面形状が円形のシール部材を外壁４ａ１２Ａの上部周面に溝を作り埋め込む方法、断面形状が半円形のシール部材を外壁４ａ１２Ａの上部周面に接着する方法、外壁４ａ１２Ａの上部周面を凸型に加工し表面をシール部材で加工する方法等が挙げられる。

凹部４ａ１１Ｂの作製方法としては特に限定はなく、凸部４ａ１２Ｂの形状に合わせた凹部を有するシール部材を外壁４ａ１１Ａの下部の周面に接着し形成する方法、外壁４ａ１１Ａの下部の周面を凸部４ａ１２Ｂの形状に合わせ凹型に加工し表面をシール部材で加工する方法等が挙げられる。

図６は図２に示す気相成膜ユニットを使用して、成膜を連続して行うフロー図である。図１に示す製造工程で可撓性基材２０１ａの上に形成された発光層の上に電子注入層形成工程で気相成膜ユニット４ａ１を使用して、発光層の上に連続して電子注入層を形成する方法に付き説明する。

Ｓｔｅｐ１は、気相成膜ユニット４ａ１の第２加熱蒸発室４ａ１３を使用し、可撓性基材２０１ａの上に形成された発光層の上に電子注入層を形成している状態を示す。この時、成膜室４ａ１１の第１開口部４ａ１１２は第１遮蔽板４ａ１１４で閉じられた状態となっている。第１加熱蒸発室４ａ１２の成膜室４ａ１１からの分離は、第１開口部４ａ１１２が第１遮蔽板４ａ１１４で閉じられた状態にした後、外気導入管４ａ１２１０の弁を開き第１気圧調整室４ａ１９Ａの気圧を大気圧に戻した後、第１加熱蒸発室４ａ１２を支えているオイルジャツキ（不図示）を下げ成膜室４ａ１１から分離し、移動用レール４ａ１４に沿って移動する。分離した第１加熱蒸発室４ａ１２では、以下に示す手順で次ぎの電子注入層の成膜の準備が行われる。
１）排気管４ａ１２１（図２参照）に繋げられている真空ポンプ及び不活性ガス導入管４ａ１２３（図２参照）からの不活性ガスの導入を停止し、外気導入管４ａ１２２（図２参照）のバルブを開き第１加熱蒸発室４ａ１２の真空を解除する。
２）真空を解除した後、セル４ａ１２Ｃ１の掃除と電子注入層形成用の成膜原料の追加、第１加熱蒸発室４ａ１２内の掃除を行う。この後、第３開口部４ａ１２５を第３遮蔽板４ａ１２６で閉じ、排気管４ａ１２１（図２参照）に繋げられている真空ポンプを稼動して成膜室４ａ１１の真空度に合わせ、不活性ガス導入管４ａ１２３（図２参照）からの不活性ガスの導入を行う。
３）セル４ａ１２Ｃ１に入っている成膜原料の加熱が行われる。セル４ａ１２Ｃ１の開口部は調整板４ａ１２Ｃ３を移動し閉じた状態とする。

気相成膜ユニット４ａ１では、第２加熱蒸発室４ａ１３と、第２気圧調整室４ａ１９Ｂと、成膜室４ａ１１との真空度を維持し、第２加熱蒸発室４ａ１３では第４開口部４ａ１３５及び成膜室４ａ１１の第２開口部４ａ１１３が開いた状態でマスク４ａ１１１１を介して発光層の上にパターン状に成膜され電子注入層が形成される。

尚、電子注入層の成膜は可撓性基材２０１ａに付けられたアライメントマーク２０１ｂを検出装置４ａ１６で検出し、マスク４ａ１１１１とアライメントマーク２０１ｂとの位置合わせを行った後、可撓性基材２０１ａの搬送を一旦停止し行われる。

Ｓｔｅｐ２は、気相成膜ユニット４ａ１の第２加熱蒸発室４ａ１３の電子注入層用の成膜原料の残量が少なくなり、Ｓｔｅｐ１で準備された第１加熱蒸発室４ａ１２が成膜室４ａ１１の第１開口部４ａ１１２側にセットされた状態を示す。第１加熱蒸発室４ａ１２の成膜室４ａ１１の第１開口部４ａ１１２側へのセットは以下の手順で行うことが可能となっている。
１）Ｓｔｅｐ１で準備された第１加熱蒸発室４ａ１２を移動用レール４ａ１４に沿ってストッパーに当接する位置まで移動する。
２）ストッパーに当接した位置で、配設してあるオイルジャツキ（不図示）で第１加熱蒸発室４ａ１２を成膜室の外壁４ａ１１Ａ（図５参照）と、第１加熱蒸発室４ａ１２の外壁４ａ１２Ａ（図５参照）とが当接する位置まで上昇させる。この段階で第１気圧調整室４ａ１９Ａが形成される。
３）第１気圧調整室４ａ１９Ａを真空にするため外気導入管４ａ１２１０のバルブを閉じる。
４）真空ポンプを稼動し排気管４ａ１２９を介して第１気圧調整室４ａ１９Ａを成膜室４ａ１１の真空度に合わせる。

一方、第２加熱蒸発室４ａ１３の分離は次の手順で行われる。
１）セル４ａ１３Ｃ１に入っている電子注入層用の成膜原料の残量が１回分の成膜量に不足する量に近づいた時点で成膜室４ａ１１の第２開口部４ａ１１３が第２遮蔽板４ａ１１７を移動して閉じられる。
２）第２加熱蒸発室４ａ１３の第４開口部４ａ１３５が第４遮蔽板４ａ１３６を移動して閉じられる。合わせてセル４ａ１３Ｃ１の開口部が調整板４ａ１３Ｃ３により閉じられる。
３）排気管４ａ１３９に繋がっている真空ポンプの稼動を停止するのに合わせ、外気導入管４ａ１３１０のバルブを開き第２気圧調整室４ａ１９Ｂを大気圧に戻す。
４）第２加熱蒸発室４ａ１３を支えているオイルジャツキを下げ成膜室４ａ１１から分離し、移動用レール４ａ１４に沿って移動する。

第２開口部４ａ１１３が閉じられた段階で、可撓性基材２０１ａは第１加熱蒸発室４ａ１２で電子注入層を成膜するために搬送され、可撓性基材２０１ａに付けられたアライメントマーク２０１ｂを検出装置４ａ１６で検出し、マスク４ａ１１１０とアライメントマーク２０１ｂとの位置合わせが行なわれる。

Ｓｔｅｐ３は、第２加熱蒸発室４ａ１３の成膜室４ａ１１の分離と移動が終了し、第１加熱蒸発室４ａ１２を使用して可撓性基材２０１ａの上に形成された発光層の上に電子注入層が形成されている状態を示している。電子注入層の形成は次の手順で行われる。
１）第１加熱蒸発室４ａ１２の気相成膜装置４ａ１２Ｃのセル４ａ１２Ｃ１の開口部を調整板４ａ１２Ｃ３を移動し解放する。
２）第１遮蔽板４ａ１１４を移動させて第１開口部４ａ１１２を開く。
３）第３遮蔽板４ａ１２６を移動させて第３開口部４ａ１２５を開く。
３）が終了した段階で発光層の上に電子注入層形成用の成膜がマスク４ａ１１０を介して開始される。

一方、分離された第２加熱蒸発室４ａ１３は、次の電子注入層の成膜に備えるために、Ｓｔｅｐ１で示した第１加熱蒸発室４ａ１２の手順と同じ手順で準備が行われる。図中の他の符号は図２と同義である。

以下、Ｓｔｅｐ１からＳｔｅｐ３を繰り返し続けることで、発光層の上に電子注入層形成用の成膜が止めることなく、連続して行うことが可能となる。

図１に示す第２電極形成工程４ｂの気相成膜ユニット４ｂ１は、図２から図６に示す電子注入層形成工程４ａに使用した気相成膜ユニット４ａ１と同じ気相成膜ユニットであり、第２電極を連続して成膜し形成する方法も図６に示すＳｔｅｐ１からＳｔｅｐ３の繰り返しで可能である。

図７は可撓性基材に対して直列に２つの気相成膜ユニットを配置した図１に示す電子注入層形成工程の概略斜視図である。図２に示す電子注入層形成工程との違いは次のとおりである。図２に示す電子注入層形成工程は、１つの成膜室に第１加熱蒸発室と、第２加熱蒸発室とで構成され、第１加熱蒸発室と、第２加熱蒸発室とが、成膜室の真空を維持した状態で分離して移動し、再び成膜室にセットすることが可能な気相成膜ユニットを使用している。これに対して、本図に示す電子注入層形成工程は、成膜室と加熱蒸発室とが一対で構成され、成膜室の真空を維持した状態で加熱蒸発室を成膜室から分離して移動し、再び成膜室にセットすることが可能な気相成膜ユニットを可撓性基材に対して直列に２つ配置し使用していることである。

図中、４ａ′は電子注入層形成工程を示す。電子注入層形成工程４ａ′は、可撓性基材２０１ａの搬送方向（図中の矢印方向）に直列に配設されている第１気相成膜ユニット４ａ′１と、第２気相成膜ユニット４ａ′２を使用している。第１気相成膜ユニット４ａ′１と、第２気相成膜ユニット４ａ′２とを交互に使用することで図２に示す気相成膜ユニットと同様に連続して成膜することが可能となっている。

気相成膜ユニット４ａ′１は、成膜室４ａ′１１と、加熱蒸発室４ａ′１２と、気圧調整室４ａ′１９（図８参照）と移動用レール４ａ′１３とを有している。

加熱蒸発室４ａ′１２は成膜室４ａ′１１から分離し、移動用レール４ａ′１３に沿って移動（図中の矢印方向）し、再び移動用レール４ａ′１３に沿って移動（図中の矢印方向）し成膜室４ａ′１１にセットすることが可能となっている。

移動用レール４ａ′１３の成膜室４ａ′１１側には、加熱蒸発室４ａ′１２を成膜室４ａ′１１にセットする時に、加熱蒸発室４ａ′１２と、成膜室４ａ′１１との位置合わせを容易にするため定位置にストッパー（不図示）が配設されており、定位置で加熱蒸発室４ａ′１２が停止した後、上昇手段（不図示）（例えば、オイルジャッキ、エアージャッキ等）で加熱蒸発室４ａ′１２を上昇させて成膜室４ａ′１１にセットすることが可能となっている。

４ａ′１４は成膜室４ａ′１１の可撓性基材２０１ａの入る側と出る側に配設されたエアーツーバキュームコネクターを示し、これにより可撓性基材２０１ａの搬送時の成膜室４ａ′１１の真空度が維持出来る様になっている。

４ａ′１５は成膜室４ａ′１１に配設された検出装置を示す。検出装置４ａ′１５により、可撓性基材２０１ａの上に形成されている第１電極の位置を示すアライメントマーク２０１ｂを検出し、検出装置４ａ′１５の情報に基づき、成膜室４ａ′１１内のマスクとの位置合わせを行い、可撓性基材２０１ａの搬送を止めて成膜する様になっている。

４ａ′１６は成膜室４ａ′１１内を真空にするための排気管を示し、真空ポンプ（不図示）に繋がっている。

４ａ′１７は成膜室４ａ′１１内の真空状態を解除するための外気導入管を示し、途中に開閉バルブ（不図示）が配設されている。

４ａ′１２１は加熱蒸発室４ａ′１２に配設された排気管を示し、加熱蒸発室４ａ′１２内を真空状態にするため真空ポンプへ繋がっている。

４ａ′１２２は加熱蒸発室４ａ′１２の掃除、成膜原料の交換等の時、加熱蒸発室４ａ′１２内の真空状態を解除するための外気導入管を示し、途中に開閉バルブ（不図示）が配設されている。

４ａ′１２３は成膜原料の酸化を防止するための不活性ガス導入手段の不活性ガス導入管を示し、途中に配設した開閉バルブ（不図示）を介して不活性ガスタンクへ繋がっている。不活性ガスとしては、図２に示す気相成膜ユニット４ａ１に使用する不活性ガスと同じである。

４ａ′１２９は気圧調整室４ａ′１９（図８参照）を真空にする排気管を示し、真空ポンプに繋がっている。

４ａ′１２１０は気圧調整室４ａ′１９（図８参照）を大気圧に戻すための外気導入管を示し、途中に開閉バルブ（不図示）が配設されている。

第２気相成膜ユニット４ａ′２の構成は第１気相成膜ユニット４ａ′１と同じであるため説明は省略する。

図７に示す第１気相成膜ユニット４ａ′１、第２気相成膜ユニット４ａ′２で可撓性基材２０１ａの搬送には図３に示される搬送ロールが使用されている。

図８は図７に示す第１気相成膜ユニット４ａ′１のＧ−Ｇ′に沿った拡大概略断面図である。尚、第２気相成膜ユニット４ａ′２の内部の構成は本図に示す第１気相成膜ユニット４ａ′１の内部の構成と同じであるため省略する。

図中、４ａ′１１１は第１開口部４ａ′１１２を有し、成膜室４ａ′１１と加熱蒸発室４ａ′１２とを分離する分離壁を示す。４ａ′１１３は第１開口部４ａ′１１２の第１遮蔽板を示す。第１遮蔽板４ａ′１１３はボールネジシャフト４ａ′１１４に取り付けられており、ボールネジシャフト４ａ′１１４の回転により第１遮蔽板４ａ′１１３を移動（図中の矢印方向）させることで第１開口部４ａ′１１２の開閉を可能にしている。第１遮蔽板４ａ′１１３の構造は図４に示す遮蔽板と同じ構造となっている。本図は第１開口部４ａ′１１２が閉じた状態を示している。４ａ′１１５はボールネジシャフト４ａ′１１４の回転用のモーターを示す。

４ａ′１１６は成膜室４ａ′１１内に、第１開口部４ａ′１１２と対向する位置に配設されたマスクを示す。

４ａ′１２Ｃは気相成膜装置を示し、成膜原料を入れ加熱するセル４ａ′１２Ｃ１と、載置台４ａ′１２Ｃ２と、セル４ａ′１２Ｃ１の開口部の面積を調整する調整板４ａ′１２Ｃ３とを有している。セル４ａ１２Ｃ１の加熱手段としては図２（ｂ）に示すセル４ａ１２Ｃ１の加熱手段と同じである。

４ａ′１２４は第２開口部４ａ′１２５を有し、加熱蒸発室４ａ′１２と成膜室４ａ′１１とを分離する分離壁を示す。４ａ′１９は分離壁４ａ′１２４と、分離壁４ａ′１１１と、成膜室４ａ′１１の外壁４ａ′１１７と、加熱蒸発室４ａ′１２の外壁４ａ′１２１１とから構成された気圧調整室を示す。外壁４ａ′１１７と外壁４ａ′１２１１との接合面は図５に示す様になっている。

４ａ′１２６は第２開口部４ａ′１２５の第２遮蔽板を示す。第２遮蔽板４ａ′１２６はボールネジシャフト４ａ′１２７に取り付けられており、ボールネジシャフト４ａ′１２７の回転により第２遮蔽板４ａ′１２６を移動（図中の矢印方向）させることで第２開口部４ａ′１２５の開閉を可能にしている。本図は第２開口部４ａ′１２５が閉じられた状態を示している。４ａ′１２８はボールネジシャフト４ａ′１２７の回転用のモーターを示す。

第１遮蔽板４ａ′１１３及び第２遮蔽板４ａ′１２６の構造は図４に示す第１遮蔽板４ａ１１４の構造と同じになっている。

次に図７に示す電子注入層形成工程４ａ′で第１気相成膜ユニット４ａ′１により可撓性基体の上に形成されている発光層の上にマスクを介して電子注入層の成膜が行われている状態から、図８に示す第１気相成膜ユニット４ａ′１と、第２気相成膜ユニット４ａ′２を使用して連続して電子注入層を成膜する手順に付き説明する。
Ｓｔｅｐ１：第２気相成膜ユニット４ａ′２で成膜室の真空を維持した状態で加熱蒸発室が分離され、加熱蒸発室の清掃と電子注入層用成膜原料の補充が行われる。
Ｓｔｅｐ２：第２気相成膜ユニット４ａ′２の加熱蒸発室を移動し成膜室にセットし、加熱蒸発室の気圧調整、電子注入層用成膜原料の加熱、気圧調整室の気圧調整を行う。
Ｓｔｅｐ３：第１気相成膜ユニット４ａ′１での成膜が中止され、加熱蒸発室４ａ′１２が成膜室４ａ′１１の真空を維持した状態で成膜室４ａ′１１から分離される。
Ｓｔｅｐ４：第１気相成膜ユニット４ａ′１の成膜が中止した時点で、準備された第２気相成膜ユニット４ａ′２の成膜室の開口部、加熱蒸発室の開口部、セルの開口部が開けられ電子注入層の成膜がマスクを介して開始される。

以降、Ｓｔｅｐ１からＳｔｅｐ４を繰り返すことで連続して成膜を行うことが可能となる。

加熱蒸発室の分離、分離した加熱蒸発室の成膜の準備、加熱蒸発室の成膜室へのセット、及び電子注入層の成膜の具体的な手順を以下に示す。

（加熱蒸発室４ａ′１２の分離）
１）セル４ａ′１２Ｃ１に入っている電子注入層用の成膜原料の残量が１回分の成膜量に不足する量に近づいた時点で第１開口部４ａ′１１２が第１遮蔽板４ａ′１１３を移動して閉じられる。第１開口部４ａ′１１２が第１遮蔽板４ａ′１１３で閉じることで成膜室４ａ′１１は真空を維持する状態となっている。
２）加熱蒸発室４ａ′１２の第２開口部４ａ′１２５が第２遮蔽板４ａ′１２６を移動して閉じられる。合わせてセル４ａ′１２Ｃ１の開口部が調整板４ａ′１２Ｃ３により閉じられる。
３）気圧調整室４ａ′１９の排気管４ａ′１２９に繋がっている真空ポンプの稼動を停止するのに合わせ、外気導入管４ａ′１２１０のバルブを開き気圧調整室４ａ′１９を大気圧に戻す。
４）加熱蒸発室４ａ′１２を支えているオイルジャツキ（不図示）を下げ、加熱蒸発室４ａ′１２を成膜室４ａ′１１から分離し、移動用レール４ａ′１３に沿って移動する。

（分離した加熱蒸発室４ａ′１２の成膜の準備）
１）加熱蒸発室４ａ′１２の排気管４ａ′１２１（図７参照）に繋げられている真空ポンプ及び不活性ガス導入管４ａ′１２３（図７参照）からの不活性ガスの導入を停止し、外気導入管４ａ１２２（図７参照）のバルブを開き加熱蒸発室４ａ′１２を大気圧に戻す。
２）大気圧に戻した後、セル４ａ′１２Ｃ１の掃除と電子注入層用の成膜原料の補充、加熱蒸発室４ａ′１２内の掃除を行う。この後、第２開口部４ａ′１２５を第２遮蔽板４ａ′１２６で閉じ、排気管４ａ′１２１（図７参照）に繋げられている真空ポンプを稼動して成膜室４ａ′１１の真空度に合わせ、不活性ガス導入管４ａ′１２３（図７参照）からの不活性ガスの導入を行う。
３）セル４ａ′１２Ｃ１に入っている電子注入層用の成膜原料の加熱が行われる。セル４ａ′１２Ｃ１の開口部は調整板４ａ′１２Ｃ３を移動し閉じた状態とする。この後、第２気相成膜ユニット４ａ′２の成膜状況に応じて加熱蒸発室４ａ′１２を成膜室４ａ′１１にセットするため移動用レール４ａ′１３に沿って移動する。

（加熱蒸発室４ａ′１２の成膜室４ａ′１１へのセット）
１）加熱蒸発室４ａ′１２の清掃、セル４ａ′１２Ｃ１への電子注入層用の成膜原料の補充が終了し真空状態に保たれた加熱蒸発室４ａ′１２を移動用レール４ａ′１３に沿ってストッパーに当接する位置まで移動する。
２）ストッパーに当接した位置で、配設してあるオイルジャツキで加熱蒸発室４ａ′１２を、成膜室の外壁４ａ′１１７と、第１加熱蒸発室４ａ′１２の外壁４ａ′１２１１とが当接する位置まで上昇させる（図５参照）。この段階で気圧調整室４ａ′１９が形成される。
３）気圧調整室４ａ′１９を真空にするため外気導入管４ａ′１２１０のバルブを閉じる。
４）真空ポンプを稼動し排気管４ａ′１２９を介して排気し気圧調整室４ａ′１９を成膜室４ａ′１１の真空度に合わせる。この後、第２気相成膜ユニット４ａ′２での電子注入層の成膜が終了し、可撓性基材２０１ａとマスクとの位置合わせが終了した時点で第１気相成膜ユニット４ａ′１での電子注入層の成膜が開始される。

（電子注入層の成膜）
１）可撓性基材２０１ａとマスクとの位置合わせ
第１開口部４ａ′１１２が閉じられた段階で、可撓性基材２０１ａは第２気相成膜ユニット４ａ′２で電子注入層を成膜するために第２気相成膜ユニット４ａ′２に搬送する。搬送に伴い、可撓性基材２０１ａに付けられたアライメントマーク２０１ｂを第２気相成膜ユニット４ａ′２に配設されている検出装置で検出し、第２気相成膜ユニット４ａ′２の成膜室に配設されているマスクとアライメントマーク２０１ｂとの位置合わせが行なわれる。
２）加熱蒸発室４ａ′１２のセル４ａ′１２Ｃ１の開口部を調整板４ａ′１２Ｃ３を移動し解放する。
３）第１遮蔽板４ａ′１１３を移動させて第１開口部４ａ′１１２を開く。
４）第２遮蔽板４ａ′１２６を移動させて第２開口部４ａ′１２５を開く。
４）が終了した段階で発光層の上に電子注入層形成用の成膜がマスク４ａ′１１６を介して開始される。

図１に示す第２電極形成工程４ｂの気相成膜ユニット４ｂ１は、図７、図８に示す電子注入層形成工程４ａ′に使用した第１気相成膜ユニット４ａ′１と同じ気相成膜ユニットが使用することが可能である。又、第２電極を連続して成膜し形成する方法も電子注入層の成膜と同じ方法で可能である。

図９は交換用の加熱蒸発室を有する気相成膜ユニットを使用した図１に示す電子注入層形成工程の概略図である。図９（ａ）は交換用の加熱蒸発室を有する気相成膜ユニットを使用した図１に示す電子注入層形成工程の概略斜視図である。図９（ｂ）は図９（ａ）の概略平面図である。

図２に示す電子注入層形成工程との違いは次のとおりである。図２に示す電子注入層形成工程は、１つの成膜室に第１加熱蒸発室と、第２加熱蒸発室とで構成され、第１加熱蒸発室と、第２加熱蒸発室とが、成膜室の真空を維持した状態で分離して移動し、再び成膜室にセットすることが可能な気相成膜ユニットを使用している。これに対して、本図に示す電子注入層形成工程４ａ″は、成膜室と加熱蒸発室とが一対で構成され、成膜室の真空を維持した状態で加熱蒸発室を成膜室から分離して移動し、交換用の加熱蒸発室を成膜室にセットすることが可能な気相成膜ユニットを使用していることである。

図中、４ａ″１は気相成膜ユニットを示す。気相成膜ユニット４ａ″１は、成膜室４ａ″１１と、加熱蒸発室４ａ″１２と、交換用の加熱蒸発室４ａ″１３と気圧調整室４ａ′１９（図８参照）と移動用レール４ａ″１４とを有している。加熱蒸発室４ａ″１２と、交換用の加熱蒸発室４ａ″１３とは移動用レール４ａ″１４に沿って移動（図中の矢印方向）することが可能となっており、加熱蒸発室４ａ″１２と、交換用の加熱蒸発室４ａ″１３とを交互に使用することで図２に示す気相成膜ユニットと同様に連続して成膜することが可能となっている。

本図に示す気相成膜ユニット４ａ″１の構成は図７に示す気相成膜ユニット４ａ′１と同じであるため詳細な報告は省略する。

次に図９に示す気相成膜ユニット４ａ″１により可撓性基体の上に形成されている発光層の上にマスクを介して電子注入層の成膜が行われている状態から、加熱蒸発室４ａ″１２と、交換用の加熱蒸発室４ａ″１３を使用して連続して電子注入層を成膜する手順に付き説明する。
Ｓｔｅｐ１：気相成膜ユニット４ａ″１で成膜室の真空を維持した状態で加熱蒸発室４ａ″１２が分離され、加熱蒸発室４ａ″１２の清掃と電子注入層用成膜原料の補充が行われる。
Ｓｔｅｐ２：加熱蒸発室４ａ″１２の分離に合わせ、予め、清掃、電子注入層用成膜原料の補充、加熱、気圧調整を行った交換用の加熱蒸発室４ａ″１３を移動し成膜室にセットし、気圧調整室の気圧調整を行う。
Ｓｔｅｐ３：加熱蒸発室４ａ″１２の分離に合わせ、可撓性基体を次の成膜を行う位置とマスクの位置とを合わせ可撓性基体の搬送を停止する。
Ｓｔｅｐ４：成膜室の開口部、加熱蒸発室の開口部、セルの開口部が開けられ電子注入層の成膜がマスクを介して開始される。

以降、Ｓｔｅｐ１からＳｔｅｐ４を繰り返すことで連続して成膜を行うことが可能となる。尚、加熱蒸発室の分離、分離した加熱蒸発室の成膜の準備、加熱蒸発室の成膜室へのセット、及び電子注入層の成膜の具体的な手順は図８に示す第１気相成膜ユニット４ａ′１の場合と同じである。

尚、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に使用する材料は、国際公開第０６／１００８６８号パンフレット、特開２００６−２９４５３６号公報、特開２００７−７３３３２公報等に記載されている公知の材料を使用することが可能である。

可撓性基材の上に少なくとも、第１電極と、少なくとも１層の有機機能層と、第２電極とを有する有機ＥＬ素子をウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを有する製造工程でロールツーロール方式により製造する時、ドライ成膜工程に図２から図９に示す気相成膜ユニットを使用し、成膜を連続して行うことで次の効果が挙げられる。
１．従来、ロールツーロール方式による生産効率の向上は、成膜原料の補充に伴うドライ成膜工程での停滞が律速であったが、成膜原料の補充に伴うドライ成膜工程での成膜室、加熱蒸発室全体の大気開放による停滞がなくなることで成膜室を常に真空下に置くことが出来、ロールツーロール方式による生産効率の向上が可能となった。
２．成膜原料の補充に伴うドライ成膜工程での停滞がなくなり、ウェット成膜工程とドライ成膜工程とが分断することなく、アキュームレータやリーダーベースの連結によるわずかな加熱蒸着室の切替え時間を付与するだけで連続して成膜が行うことが出来、ロールツーロール方式による本来の一貫生産が可能となり、生産効率の向上が可能となった。
３．成膜原料の量に影響されることなく、且つ加熱蒸発室の汚れも成膜原料の補充の時に清掃されるため加熱蒸発室からの異物の付着がなくなり安定した成膜が連続して行うことが可能となり、安定した性能の有機ＥＬ素子の製造が可能となった。
４．成膜中の加熱蒸発室の緊急のトラブルに対してもアキュームレータを活用して予備の加熱蒸着室に切替えることが出来るため、他の材料種の加熱蒸着室と停止したり、他の材料種の成膜室を大気開放する必要がなく、生産再開までの時間を大幅に短縮することが可能となり、工程の安定的な稼動が可能となった。

１ 製造工程
２ 供給工程
２０１ａ 可撓性基材
２０１ｂ アライメントマーク
３ ウェット成膜工程
４ ドライ成膜工程
４ａ、４ａ′、４ａ″ 電子注入層形成工程
４ａ１、４ｂ１、４ａ″１ 気相成膜ユニット
４ａ′１ 第１気相成膜ユニット
４ａ′２ 第２気相成膜ユニット
４ａ１１、４ａ′１１、４ａ″１１ 成膜室
４ａ１２、４ａ′１２ 第１加熱蒸発室
４ａ′１２、４ａ″１２、４ａ″１３ 加熱蒸発室
４ａ１３ 第２加熱蒸発室
４ａ１４、４ａ′１３、４ａ″１４ 移動用レール
４ａ１５、４ａ′１４ エアーツーバキュームコネクター
４ａ１６、４ａ′１５ 検出装置
４ａ１７、４ａ１２１、４ａ１２９、４ａ１３９、４ａ１３１、４ａ′１６、４ａ′１２１、４ａ′１２９ 排気管
４ａ１８、４ａ１２２、４ａ１３２、４ａ１２１０、４ａ１３１０、４ａ′１７、４ａ′１２２、４ａ′１２１０ 外気導入管
４ａ１２３、４ａ１３３、４ａ′１２３ 不活性ガス導入管
４ａ１２５ 第３開口部
４ａ１９Ａ 第１気圧調整室
４ａ１９Ｂ 第２気圧調整室
４ａ′１９ 気圧調整室
４ａ１１１、４ａ１２４、４ａ１３４、４ａ′１１１、４ａ′１２４ 分離壁
４ａ１１２、４ａ′１１２ 第１開口部
４ａ１１３、４ａ′１２５ 第２開口部
４ａ１１４、４ａ′１１３ 第１遮蔽板
４ａ１１４１ シール部材
４ａ１１７、４ａ′１２６ 第２遮蔽板
４ａ１２Ｃ、４ａ１３Ｃ、４ａ′１２Ｃ 気相成膜装置
４ａ１２５ 第３開口部
４ａ１２６ 第３遮蔽板
４ａ１３６ 第４遮蔽板
４ａ１１Ａ、４ａ１２Ａ、４ａ′１１７、４ａ′１２１１ 外壁
４ａ１２Ｂ 凸部
４ａ１１Ｂ 凹部
４ａ１３５ 第４開口部
４ａ２、４ｂ２ アキュームレータ
４ｂ 第２電極形成工程
５ 封止工程
６ 断裁工程
７ａ、７ｂ 搬送ロール

Claims (12)

1. 有機エレクトロルミネッセンス素子をウェット成膜工程と、ドライ成膜工程とを有する製造工程を使用し、ロールツーロール方式で製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
   前記ドライ成膜工程は、成膜条件を独立に制御し得る成膜室と、気圧調整室と、加熱蒸発室とを有する気相成膜ユニットを使用し、
   前記気相成膜ユニットは前記成膜室の真空を維持し、前記加熱蒸発室と、前記成膜室とを分離及び接合が可能であり、
   連続して成膜を行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
2. 前記気相成膜ユニットは、１つの成膜室と、２つ以上の加熱蒸発室と、２つ以上の気圧調整室とを有することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
3. 前記気相成膜ユニットは、１つの成膜室と、１つの加熱蒸発室と、１つの気圧調整室とを有し、該気相成膜ユニットが２つ以上、工程に直列に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
4. 前記気相成膜ユニットは１つの成膜室と、１つの加熱蒸発室と、１つの気圧調整室とを有し、該加熱蒸発室は交換用の加熱蒸発室を有することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
5. 前記気圧調整室は成膜室の内側の下部に設けた第１開口部と第２開口部とを有する分離壁と、加熱蒸発室の内側の上部に設けた第３開口部と第４開口部とを有する分離壁とから構成された空間であり、
   該第１開口部を該気圧調整室側から開閉する第１遮蔽板と、該第２開口部を該気圧調整室側から開閉する第２遮蔽板と、該第３開口部を該気圧調整室側から開閉する第３遮蔽板と、該第４開口部を該気圧調整室側から開閉する第４遮蔽板と、排気管と外気導入管とを有することを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
6. 前記気圧調整室は成膜室の内側の下部に設けた第１開口部を有する分離壁と、加熱蒸発室の内側の上部に設けた第２開口部を有する分離壁とから構成された空間であり、
   該第１開口部を該気圧調整室側から開閉する遮蔽板と、第２開口部を該気圧調整室側から開閉する第２遮蔽板と、排気管と外気導入管とを有することを特徴とする請求項２又は３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
7. 前記成膜室は、排気管と、外気導入管と、マスクと、可撓性基材の有機機能層が形成された面側を実質非接触として搬送する搬送ロールとを有することを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
8. 前記加熱蒸発室は気相成膜装置と、排気管と、外気導入管と、不活性ガス導入管とを有することを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
9. 請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、ドライ成膜工程の後に、封止材貼合工程と、断裁工程とを有することを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
10. 請求項１から９の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
    ドライ成膜工程は、成膜条件を独立に制御し得る成膜室と、気圧調整室と、加熱蒸発室とを有する気相成膜ユニットを使用し、
    該ドライ成膜工程は連続してステップ毎に行う工程であり、該ステップは第１ステップと、これに続く第２ステップとからなり、
    該第１ステップは、該成膜室の真空を維持した状態で、次の連続する成膜に対する調整のために、該加熱蒸発室と該成膜室とを分離し、
    該第２ステップは、調整した該加熱蒸発室と該成膜室とを接合することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
11. 前記加熱蒸発室と成膜室との分離は、該成膜室及び該加熱蒸発室の真空を維持した状態で、気圧調整室を大気圧に戻した後、該加熱蒸発室と該成膜室とを分離することを特徴とする請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
12. 前記加熱蒸発室と成膜室との接合は、分離された加熱蒸発室を大気圧に戻し、調整後、接合した後、気圧調整室を真空にすることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

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