JP4574139B2 - 光偏向素子 - Google Patents
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Description
まず、図1〜図2を参照しながら光偏向動作原理及び光偏向素子の基本構成について説明する。
上述した散布方法により、鋸歯形状基板面にスペーサー粒子をランダムに配置して光偏向素子を作成した場合には、図3に示すようにギャップ制御に寄与するスペーサー粒子は、鋸歯形状基板の凸部近傍(図3に示す斜線部のスペーサー粒子)に偶然配置されたものとなる。なお、セルギャップ精度を上げるには、鋸歯形状基板の凸部近傍に配置するスペーサー粒子(図3に示す斜線部のスペーサー粒子)を増やすことが必要となる。
第2の実施例は、帯電したスペーサー粒子を保持するスペーサー粒子担持体の表面と鋸歯形状基板の鋸歯面とを対向配置して電位差を印可させ、鋸歯形状基板の段差部近傍と鋸歯形状基板の段差部近傍以外の部分とに電界強度差を生じさせることで、スペーサー粒子担持体上に帯電したスペーサー粒子を鋸歯形状基板の段差部近傍に静電的な力により選択的に配置させる方法である。以下に、図9を参照しながら、第2の実施例について説明する。
図9に示すスペーサー粒子配置装置は、スペーサー粒子担持体(10)と、スペーサー粒子供給手段(11)と、スペーサー薄層化手段(12)と、スペーサー帯電手段(13)と、電界印可手段(14)と、スペーサー配置部(15)と、を有して構成される。
第3の実施例は、第2の実施例におけるスペーサー粒子担持体上に均一帯電したスペーサー粒子を単層粒子層としてより均一に形成する方法について説明する。
第4の実施例は、図12に示すように電子写真装置の一成分現像装置のトナー粒子をスペーサー粒子に置換えてスペーサー粒子を摩擦帯電させ、その帯電したスペーサー粒子を導電性あるいは半導体表面を有する一成分現像装置の現像ローラー(20)上にスペーサー粒子の薄層を形成させ、現像ローラー(20)の表面と鋸歯形状基板(16)の鋸歯表面とを対向して配置し、両表面間に電位差を印加して、鋸歯形状基板(16)の段差部近傍と段差部近傍以外の部分とに電界強度差を生じさせ、電界強度の大きな部分のみで現像ローラー(20)上の帯電したスペーサー粒子を鋸歯形状基板(16)側に静電力により転写させることで、鋸歯形状基板(16)の段差凸部のみにスペーサー粒子を配置することを特徴とするものである。以下、図12を参照しながら、第4の実施例について説明する。
上記の第2から第4の実施例では、鋸歯形状基板の表面に電気的に1つの透明電極層が形成されているため、同じ電位差で鋸歯形状基板の段差凸部と鋸歯形状基板の段差凸部以外の部分とに電界強度差を与えるためにはスペーサー粒子担持体(10)表面、あるいは、現像ローラー(20)表面と、鋸歯形状基板(16)と、の距離をスペーサー粒子の粒径程度からその数倍程度の範囲内まで近接させる必要がある。これにより図10に示すように鋸歯形状基板の段差凸部におけるギャップd1と鋸歯形状基板の段差凸部以外の部分におけるギャップとの比が大きくなり電界強度差を大きくすることが可能となる。しかし、スペーサー粒子の帯電量分布や付着力分布が広い場合には、比較的小さな電界強度でもスペーサー粒子が転写してしまい、鋸歯形状基板の傾斜部にもスペーサー粒子が付着する虞がある。
第6の実施例は、液晶層を挟む基板の一方は平面の表面であり(以後、平面基板と呼ぶ)、平面基板上の透明電極が、鋸歯形状基板の段差部近傍領域と傾斜部領域とのそれぞれに対向する位置で、2つの領域に電気的に絶縁されて形成される。2つの領域は互いに独立して電圧印加、あるいは、接地が可能であり、2つの領域に印加する電位差により、帯電したスペーサー粒子を保持するスペーサー粒子担持体表面と2つの領域とに電界強度差を生じさせ、帯電したスペーサー粒子を平面基板上の段差部近傍に対応した領域に静電的な力により選択的に配置し、平面基板上のスペーサー粒子が付着した領域と鋸歯形状基板の段差部近傍とを対向させて液晶層を挟むように配置する。
次に、上記第1の実施例から第6の実施例における具体例(以下、実施例とする)と比較例とを挙げて具体的に説明する。
大きさが40mm×30mm、基板厚さ1mmの石英ガラス基板上に、図16に示すような鋸歯状アレイに加工した。その加工した鋸歯形状を測定したところ凹凸の段差は3ミクロンであった。なお、鋸歯形状面積は10mm×10mmである。次に、鋸歯形状面に透明電極としてITO(膜厚1400Å)を形成した。次に、ポリイミド系の配向材料(AL3046R31、JSR社)をスピンコートして、約0.06μmの配向膜を形成し、鋸歯形状に対して直角方向にラビング処理を行った。
(対向基板)
大きさが40mm×30mm、厚さ1mmの石英ガラス平板を用いて、鋸歯形状基板と同様にITOを形成した後に配向膜の形成とラビング処理を行った。
まず、実施例1について説明する。
鋸歯形状基板の凸部分に対応させてライン状の穴をあけたスクリーン印刷マスクを、鋸歯形状基板の上にのせて、マスクの穴位置が鋸歯形状基板の凸部にくるように顕微鏡で位置を合わせて、治具で固定した。次に0.2重量%の濃度でイソプロピルアルコールに分散した3ミクロンメートル粒径のスペーサー粒子SW3.0(触媒化成・真絲球)を刷毛で数回塗布し、スクリーンマスクをはずして鋸歯形状の凸部にスペーサー粒子があるのを顕微鏡で確認した。そして、溶媒を乾燥した後に、鋸歯形状基板の周囲の平面部にUV硬化接着剤(3052スリーボンド製)を塗布して、ラビング方向が平行方向となるように対向基板を合わせて加圧しながらUVを照射し空セルを作製した。
次に、比較例1について説明する。
0.2重量%の濃度でイソプロピルアルコールに分散した3ミクロンメートル粒径のスペーサー粒子SW3.0(触媒化成・真絲球)を鋸歯形状基板に1500rpmでスピンコート塗布し、90度のホットプレート上で1分間溶媒を乾燥させた。スペーサー粒子の数は1平方ミリメートル当たり200個程度であった。次に、鋸歯形状基板の周囲の平面部にUV硬化接着剤(3052スリーボンド製)を塗布して、ラビング方向が平行方向となるように対向基板を合わせて加圧しながらUVを照射し空セルを作製した。
次に、比較例2について説明する。
鋸歯形状基板にはスペーサー粒子は塗布せずに、UV硬化接着剤に3ミクロンメートル粒径のスペーサー粒子SW3.0を1重量%混入して鋸歯形状周囲の平面部に塗布し、比較例1と同様に対向基板を合わせて空きセルを作製した。
実施例1、比較例1および比較例2の空セルに強誘電性液晶R5002(クラリアントジャパン社)を注入してUV硬化接着材(3052スリーボンド製)で封止し、光偏向素子を作製した。この光偏向素子の対向基板面に垂直にレーザー光を入射して1メートル先のスクリーンに投影して散乱の発生程度を比較した。この結果は、図17に示すように、実施例1の光偏向素子は、最も散乱光が少なかった。また、比較例1は、スペーサー粒子の散乱光が発生し、比較例2は、ギャップ制御が不充分で、液晶分子の配向が揃っていないため散乱が発生したと推測できる。
次に、実施例2について説明する。
大きさが40mm×30mm、厚さ1mmのガラス基板面に1.0重量%の濃度でイソプロピルアルコールに分散した3ミクロンメートル粒径のスペーサー粒子SW3.0(触媒化成・真絲球)を1500rpmでスピンコート塗布し、90度のホットプレート上で1分間乾燥させた。次に、この基板面に実施例1で使用した鋸歯形状基板を対向接触させ、100g/cm2 で外圧を印加させ、ゆっくり剥離した。顕微鏡で観察すると、鋸歯形状基板の凸部にスペーサー粒子が転写されていた。その後、鋸歯形状基板と実施例1と同様の石英の対向基板を用いて光偏向素子を作製した。そして、レーザー光を入射して散乱の発生程度を確認したところ実施例1と同程度であることが判明した。
次に、比較例3について説明する。
実施例2と同様の方法で鋸歯形状基板にスペーサー粒子を転写し、対向基板を用いて空セルを作製した。次に、液晶R5002(クラリアントジャパン社)を注入し光偏向素子を作製した。
次に、実施例3について説明する。
比較例3で用いるスペーサー粒子の表面に接着剤層がコーティングされたものAW3.0(触媒化成・真絲球)にした以外は同様の方法で、鋸歯形状基板にスペーサー粒子を転写し、鋸歯形状基板をホットプレート上で100度5分間加熱し、スペーサー粒子を鋸歯形状基板に接着させた。次に、対向基板を用いて空セルを作製し、液晶R5002(クラリアントジャパン社)を注入し光偏向素子を作製した。
次に、実施例4について説明する。
実施例2で用いるスペーサー粒子を黒色スペーサーにした以外は、実施例2と同様な方法で光偏向素子を作製した。レーザー光を入れて散乱程度をみたところ実施例2よりも散乱の程度は良かった。
次に、実施例5について説明する。
(スペーサー粒子)
粒径3μmのスペーサー粒子SW3.0(触媒化成・真絲球)の帯電性を向上させるために、スペーサー粒子とマイナス帯電トナー用の帯電制御剤をハイブリダイザー(奈良機械製作所)を用いて混合し、スペーサー粒子表面に帯電制御剤層を付着させた。粒子の比重は2.2g/cm3 程度で、スペーサー1個の重量は約3.1×10-11g、1g中に約3.2×1010個が含まれることになる。
(スペーサー配置)
電子写真感光体用のアルミ素管(直径80mm)をスペーサー粒子担持体とし、厚さ0.5mmのアルミブレードをスペーサー薄層化手段として図9に示すスペーサー粒子配置装置を作成した。スペーサー粒子供給手段(11)は、電子写真装置のトナー補給機構部を用いた。スペーサー粒子の付着部分の幅は約10mmとなるように幅方向の規制板を設けた。線速5mm/secの速度でアルミ素管を回転させ、アルミブレードの先端に20g/cm程度の線圧で押しつけ、アルミブレードから漏れ出たスペーサー粒子を単一層に薄層化した。スペーサー帯電手段(13)には、マイナス帯電のOPC感光体用のスコロトロンチャージャーを用いた。放電ワイヤーには−4kVの高電圧を印加し、アルミ素管に対向するグリッド電極には−200V程度の電圧を印加した。帯電部を通過した後のスペーサー粒子の帯電量(Q/M)と付着量(M/A)を吸引式のファラデーケージ法で測定したところ、帯電量は−65μC/g、付着量は0.03mg/cm2 程度であった。鋸歯形状基板の鋸歯部周囲の平坦部に図18に示すように厚み約5μmのスペーサーシートを貼り付け、図示しない搬送ステージ上に固定して線速5mm/secの速度でアルミ素管の下側に搬送した。スペーサー配置部(15)ではアルミ素管表面と鋸歯形状基板(16)上のスペーサーシート面が接触して鋸歯形状部の凸部では5μm、凹部では8μmのギャップが形成されることになる。そして、アルミ素管表面を接地し、鋸歯形状基板表面の透明電極層に+25Vの直流電圧を印加した。鋸歯形状の凸部には5×106 V/m、凹部には3×106 V/mの電界が印加されることになる。上記帯電量からスペーサー粒子1個の電荷量は約2×10-15Cと計算される。そして、スペーサー粒子を理想的な点電荷と仮定すると、凸部に正対したスペーサー粒子にはF=qEから約1×108 Nの静電力が働き、凹部に正対したスペーサー粒子にはF=qEから約6×109 Nの静電力が働くことになる。ここで、スペーサー粒子とアルミ素管の表面性とを制御してアルミ素管表面とスペーサー粒子とのファンデルワールス力を約9×108 N程度に設定しているので、凸部に正対したスペーサー粒子のみが鋸歯形状基板側に飛翔し、段差凸部近傍に約50μm幅の範囲内に選択的に付着することになる。鋸歯ピッチ1000μmに対して50μm幅の十分狭い領域にのみスペーサーが付着している。
(空セル作成)
次に、鋸歯形状基板上のスペーサーシートを取り外し、鋸歯基板周囲の平面部にUV硬化接着剤(3052スリーボンド製)を塗布して、ラビング方向が平行方向となるように対向基板を合わせて加圧しながらUVを照射し空セルを作製した。
(光偏向素子の作成と評価)
実施例5、比較例1および比較例2の空セルに強誘電性液晶R5002(クラリアントジャパン社)を注入してUV硬化接着材(3052スリーボンド製)で封止し、光偏向素子を作製した。この光偏向素子の対向基板面に垂直にレーザー光を入射して1メートル先のスクリーンに投影して散乱の発生程度を比較した。この結果は、図19に示すように、実施例5の光偏向素子は最も散乱光が少なかった。比較例1はスペーサー粒子の散乱光が発生し、比較例2はギャップ制御が不充分で、液晶分子の配向が揃っていないため散乱が発生したと推測できる。
次に、実施例6について説明する。
二成分現像剤用のフェライトキャリヤ中に実施例5と同様のスペーサー粒子を10重量%の濃度で混合攪拌した。これを二成分現像装置に投入し、図11に示すようなスペーサー配置装置を作成した。そして、アルミ素管を接地し、現像スリーブ(直径30mm)に−100Vの現像バイアス電圧を印加してスペーサー粒子を付着させた。スペーサー粒子の帯電量(Q/M)と付着量(M/A)とを吸引式のファラデーケージ法で測定したところ、帯電量は−65μC/g、付着量は0.1mg/cm2 程度であった。これにより、実施例5に比べて均一で付着量が多いスペーサー層を形成することができた。そして、実施例5と同様な条件で鋸歯形状基板上にスペーサー粒子を静電力により配置した。スペーサー粒子は凸部近傍の約50μmの範囲内に比較的多く付着していた。この鋸歯形状基板と対向基板とを貼り合せて光偏向素子を作製したところ、セルギャップの均一性が更に良く、光散乱も少ない光偏向素子が得られた。これは、アルミ素管上に付着させたスペーサー粒子の密度が大きいために、鋸歯形状基板の凸部に配列したスペーサーの量も多くなり、セルギャップの規制精度が向上したためと考えられる。
次に、実施例7について説明する。実施例5と同様のスペーサー粒子を一成分現像装置に投入した。現像ローラーは直径20mmの物を適用し、図12に示すような小型のスペーサー配置装置を作成した。現像ローラー表面上のスペーサー粒子の付着量が0.3mg/cm2、帯電量が−65μC/g、となるように薄層化ブレードの材質と加圧量を設定した。現像ローラーの表面と鋸歯形状基板周囲とのギャップが5μmとなるようにスペーサーシートを配置して接触させ、実施例5と同様に現像ローラーに約25Vを印加し、鋸歯形状基板上にスペーサー粒子を静電力により配置した。スペーサー粒子は凸部近傍の約50μmの範囲内に比較的多く付着していた。この鋸歯基板と対向基板を貼り合せて光偏向素子を作製したところ、セルギャップの均一性が更に良く、光散乱も少ない光偏向素子が得られた。これは、現像ローラー上に付着させたスペーサー粒子の密度が大きいために、鋸歯形状基板の凸部に配列したスペーサーの量も多くなり、セルギャップの規制精度が向上したためと考えられる。
次に、実施例8について説明する。
実施例5と同様の鋸歯形状基板のITO電極をパターニングした。鋸歯形状基板面にフォトレジスト層をスピンコートし、クロムマスクを密着露光してフォトレジストパターンを形成し、ウェットエッチングによりライン状にITO膜を除去した。凹凸がある基板上でのフォトレジスト層の厚みが比較的不均一になりパターニングの解像度が低下したが、約20μm幅で解像させることができた。ITOパターンは図13に示すように凸部近傍に約20μm幅の凸部電極群と約20μm幅の電極除去部と約9960μm幅の傾斜部電極群とからなる。凸部電極群と傾斜部電極群とはそれぞれ端部で電気的に接続されている。傾斜電極群を接地し、凸部電極群にV1=+100Vを印加して鋸歯基板表面に静電パターンを形成した。そして、実施例7と同様の一成分現像装置を用いて鋸歯形状基板上の静電パターンをスペーサー粒子で現像した。この時、現像ローラー表面と鋸歯形状基板の表面とは接触させ、現像ローラーには傾斜電極部へのスペーサーの付着を防止するための現像バイアスとしてV2=−50Vを印加した。現像後、鋸歯形状基板の凸部近傍の幅約20μmの領域のみにスペーサー粒子が付着していた。この鋸歯形状基板と実施例5と同様の対向基板とを貼り合せて光偏向素子を作製したところ、セルギャップの均一性が更に良く、光散乱も更に少ない光偏向素子が得られた。これは、鋸歯形状基板の凸部に配列したスペーサー幅が狭くなったため、セルギャップの規制精度は維持したまま光透過率が向上したためと考えられる。
次に、実施例9について説明する。
実施例5と同様の平面状の対向基板のITO電極をパターニングした。平面状の対向基板面に実施例8と同様にフォトレジスト層をスピンコートし、クロムマスクを密着露光してフォトレジストパターンを形成し、ウェットエッチングによりライン状にITO膜を除去した。実施例8に比べて平面基板上でのフォトレジスト層の厚みは比較的均一であり、パターニングの解像度が向上したため、約10μm幅で解像させることができた。ITOパターンは図13に示すように凸部近傍に対応する位置に約10μm幅の細い電極群と約10μm幅の電極除去部と約9980μm幅の広い電極群とからなる。電極群はそれぞれ端部で電気的に接続されている。広い電極群を接地し、細い電極群にV1=+100Vを印加して鋸歯基板表面に静電パターンを形成した。そして、実施例8と同様の一成分現像装置を用いて鋸歯形状基板上の静電パターンをスペーサー粒子で現像した。この時、現像ローラー表面と鋸歯形状基板の表面とは接触させ、現像ローラーには傾斜電極部へのスペーサーの付着を防止するための現像バイアスとしてV2=−50Vを印加した。現像後、平面基板の細い電極上の幅約10μmの領域内のみにスペーサー粒子が付着していた。この平面基板と実施例5と同様の鋸歯形状基板を対向させて、スペーサー付着部と鋸歯凸部近傍とが一致するように精密に位置を制御して貼り合せて光偏向素子を作製したところ、セルギャップの均一性が更に良く、光散乱も更に少ない光偏向素子が得られた。これは、鋸歯形状基板の凸部に配列したスペーサー幅が狭くなったため、セルギャップの規制精度は維持したまま光透過率が向上したためと考えられる。実施例9は、実施例6よりも散乱の程度は良いことが判明した。
2 対向基板
3 液晶層
4 透明電極
5 液晶分子
10 スペーサー粒子担持体
11 スペーサー粒子供給手段
12 スペーサー薄層化手段
13 スペーサー帯電手段
14 電界印加手段
15 スペーサー配置部
17 二成分現像装置
18 攪拌部
19 現像スリーブ
20 現像ローラー
Claims (1)
- 一対の透明基板と、前記透明基板上の透明電極と、前記透明基板の間に挟まれた電圧印加により配向の制御が可能な液晶層と、前記液晶層に対して電圧を印可する電圧制御手段と、を有し、前記液晶層を挟む前記両透明基板の少なくとも一方の透明基板が、光偏向方向に対応して傾斜している鋸歯状の表面を形成してなる鋸歯形状基板である光偏向素子であって、
前記鋸歯形状基板の鋸歯状を形成する2つの面は、第1の傾斜面と、前記第1の傾斜面の勾配よりも急な第2の傾斜面と、で構成し、
前記鋸歯形状基板は、前記鋸歯状の周期構造で構成し、
前記液晶層のギャップを制御するためのスペーサー粒子が前記鋸歯形状基板の第1の鋸歯状を形成する前記第1の傾斜面と、前記第1の傾斜面と隣接する第2の鋸歯状を形成する前記第2の傾斜面と、の両方に接して配置されていることを特徴とする光偏向素子。
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