[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3579740B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3579740B2
JP3579740B2 JP12418498A JP12418498A JP3579740B2 JP 3579740 B2 JP3579740 B2 JP 3579740B2 JP 12418498 A JP12418498 A JP 12418498A JP 12418498 A JP12418498 A JP 12418498A JP 3579740 B2 JP3579740 B2 JP 3579740B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mounting
intermediate substrate
resin
lid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP12418498A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11307659A (ja
Inventor
真史 後藤
實雄 金澤
賢司 本田
修一郎 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP12418498A priority Critical patent/JP3579740B2/ja
Priority to US09/292,735 priority patent/US6320739B1/en
Priority to EP99107680A priority patent/EP0951062A3/en
Publication of JPH11307659A publication Critical patent/JPH11307659A/ja
Priority to US09/955,965 priority patent/US20020014687A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3579740B2 publication Critical patent/JP3579740B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ素子を樹脂容器の空洞の内部に封止して構成される電子部品の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話やパソコン等、各種の電子機器の小型化と高性能化が進んでいる。それに伴って、電子部品にも、プリント基板上に多数の裸チップ素子(ベアチップ)を直接実装するチップオンボード実装方式等のさまざまな高密度実装に柔軟に対応できる小型化と高信頼性の実現、低廉化等が要求されている。
【0003】
同時に、電子機器に使用される電子部品も、従来のような抵抗やコンデンサ、コイル、あるいは半導体素子だけでなく、例えば、強誘電性の圧電単結晶基板等のような機械的に脆弱な素材を用いる電気光学素子や表面弾性波素子等も包含して多様化している。そして、このような電子部品の多様化の中にあって、電子部品には、共通して標準化への対応を配慮しながら最適なパッケージングを行って表面保護を実現することが極めて重要になっている。特に、上記のように最近では電子部品に用いられる素材も多様化しているので、従来の受動素子やトランジスタ等のようにシリコーン系の樹脂やエポキシ系の樹脂で表面を直接に覆って封止するような粗っぽい方法では、熱応力や機械的衝撃に耐えられず、十分な信頼性が確保できない状況にある。
【0004】
このため、機械的に脆弱な素材を用いる電気光学素子や表面弾性波素子等を包含する電子部品では、例えば樹脂容器の内部に空洞を設け、空洞の内部にチップを実装する方法が採られている。
【0005】
図6は表面弾性波素子を例として従来の電子部品の構造を示す斜視図である。最初に樹脂基板31上にチップ素子32を実装する。その後、樹脂基板31の上面の周辺部に接着剤を塗布または接着シート層を挟み、チップ素子32の周囲に枠33を正確に位置合わせをして重ね、そのうえで加圧しながら第一回目の加熱接着を行って樹脂基板31上に枠33を接着する{図6(A)}。ついで、枠33の上端から接着剤の流れだしや接着剤の塗り漏れがないように細心の注意を払いながら枠33の上面に接着剤等を設け、蓋34を枠33に載せ、再度加圧しながら第二回目の加熱接着を行う{図6(B)}。このように、二度の加圧と加熱を加える接着工程を経て、空洞35の内部にチップ素子32を収める樹脂容器30を形成して電子部品を製造していた。
【0006】
なお、上記の例で平板状の樹脂基板をサンドイッチ状に数層も重ねるようにするのは、製造コストの低廉化を図るためであり、このような例は特開平2−179018号公報にも見ることができる。また、上記の従来技術では、樹脂基板31上にチップ素子32を実装した後、枠33を接着する例を示したが、樹脂基板31上に枠33を接着して凹部を形成した後、その凹部にチップ素子32を実装する例もある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来技術によれば、樹脂基板を重ねる都度、それぞれの接着位置を正確に合わせなければならない。このため、更なる電子部品の小型化を図る場合には、基板を重ねる毎に基板同士の相対位置や接着剤や接着層の位置等を高精度に位置決めすることが必要になり、生産性が悪く、作業コストが高くなるという問題があった。
【0008】
また、一般に樹脂基板は加熱したり加圧すると塑性変形を生じ易く、樹脂基板を加圧しながら加熱する接着工程を重ねると、変形量が累積して高精度な位置合わせが困難になるばかりでなく、封止特性が悪くなり、リークを生じ易くなって信頼性が低下する。とりわけ、樹脂基板同士の接着にプリプレグや接着樹脂を用いる場合には、一旦接着したプリプレグや接着樹脂であっても、その後に再び押圧と熱を加えることにより軟化したり変形するので、既に樹脂成分が滲み出したり樹脂容器が変形して歪む。あるいは、樹脂成分の一部がガス化して樹脂容器の内部に篭もり、チップ素子の表面に付着して汚染する等の問題があった。
【0009】
本発明は、上記の従来の技術が有していた問題点を解決し、小型化が容易で低廉性を備え、しかも信頼性に優れた電子部品の製造方法を提供することを目的としている。
【0010】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願第1発明に係る電子部品の製造方法は、バンプ電極が設けられたチップ素子を樹脂容器の空洞内に封止する場合において、
(1) 樹脂基材の少なくとも片面に導体パターンが設けられた実装基板の該導体パターンに前記チップ素子をバンプ実装する第一のステップと、
(2) 前記実装基板上に第一の接着層を挟んで前記チップ素子と所定の間隔を隔てた内壁を形成する窓が開設された枠状樹脂基材からなる中間基板を重ねる第二のステップと、
(3) 前記中間基板上に第二の接着層を挟んで前記窓を覆う樹脂基材からなる蓋基板を重ねる第三のステップと、
(4) 前記中間基板を間に挟んだ前記実装基板と前記蓋基板の厚み方向に外側から加圧しかつ一度に加熱して、これらの実装基板、中間基板及び蓋基板を密着して内部に前記窓の内壁で画成された空洞を封止形成する第四のステップとを有し、
前記中間基板を間に挟んだ前記実装基板と前記蓋基板の厚み方向の加圧を、前記窓を設けた領域に圧力が加わらないように行うことを特徴としている。
【0013】
また、本願第2発明に係る電子部品の製造方法は、バンプ電極が設けられたチップ素子を樹脂容器の空洞内に封止する場合において、
(1)樹脂基材の少なくとも片面に導体パターンが設けられた実装基板の該導体パターンに前記チップ素子をバンプ実装する第一のステップと、
(2)前記実装基板上に第一の接着層を挟んで前記チップ素子と所定の間隔を隔てた内壁を形成する窓が開設された枠状樹脂基材からなる中間基板を重ねる第二のステップと、
(3)前記中間基板上に第二の接着層を挟んで前記窓を覆う樹脂基材からなる蓋基板を重ねる第三のステップと、
(4)前記中間基板を間に挟んだ前記実装基板と前記蓋基板の厚み方向に外側から加圧しかつ一度に加熱して、これらの実装基板、中間基板及び蓋基板を密着して内部に前記窓の内壁で画成された空洞を封止形成する第四のステップとを有し、
前記中間基板を間に挟んだ前記実装基板と前記蓋基板の厚み方向の加圧を、前記中間基板の枠状部分に対応する桟が表面に突設された押当板を用いて行うことを特徴としている。
【0014】
上記発明方法によれば、第一のステップでは実装基板上には他に接着された基板等の障害がないのでチップ素子の実装位置決めとフェースダウンボンディングが容易になり、第二乃至第三のステップでは実装基板と中間基板、蓋基板及びこれらの間に挟まれる第一と第二の接着層は何れもが未だ固着していないので容易かつ高精度な相互の位置決め調整ができ、第四のステップでは樹脂だけでなくチップ素子に対しても、熱履歴やストレスを最小限に抑えることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る電子部品の製造方法の実施の形態を図面に従って説明する。
【0017】
図1乃至図4で本発明に係る電子部品の製造方法の実施の形態を説明する。図1は表面弾性波素子を例とした電子部品の構造を示す斜視図、図2は同じく断面図であり、図3は製造工程図、図4は製造過程で用いる押当板を示す斜視図である。なお、以下の図1、図2の説明では電子部品一個の構造を図示するが、その中間工程では左右前後に連続した親基板状態で製造され、最終的に切断分離されて一個の電子部品が形成されるものである。
【0018】
図1及び図2において、エポキシ樹脂やBT樹脂等からなる実装基板1の片面には、チップ素子としての表面弾性波素子チップ(SAWチップ)2がバンプ3を介してフェースダウンボンディングによって実装される導体パターン4が設けられている。導体パターン4は、銅箔パターンの一部または全部の表面が半田やニッケル、金等のメッキ層で覆われている。さらに、実装基板1に重なって、中間基板5が設けられており、中間基板5には、チップ2から所定の間隔を隔てた内壁15を形成する窓6が開設されている。そして、中間基板5の窓6を覆うように蓋基板7が設けられている。しかして、これらの基板1,5,7が下記の接着層により接着されて樹脂容器10が形成され、樹脂容器10の内部には表面弾性波チップ2を収容する空洞14が形成されている。
【0019】
これらの実装基板1、中間基板5及び蓋基板7はいずれもが実質的に同じ熱膨張係数を有する樹脂基材から形成されており、同一の樹脂基板から形成されているのが望ましい。そして、実装基板1と中間基板5の間には、第一の接着層8が挟まれており、中間基板5と蓋基板7の間には第二の接着層9が挟まれている。これらの第一の接着層8と前記第二の接着層9は、中間基板5を間に挟んで実装基板1と蓋基板7の厚み方向に一度に加熱圧着されている。これらの第一の接着層8と第二の接着層9は、いずれもが実装基板1と中間基板5と蓋基板7と、基本的には同じ材質であり、しかも実装基板1と中間基板5と蓋基板7に対して良好な接着性を持つ接着性樹脂から選ばれることが望ましい。
【0020】
なお、接着層8、9が接着する基板1,5,7の接着面は、必要最小限の導体パターンを除いて、導体等で覆われずに露出した樹脂基材の樹脂面であることが好ましい。特に中間基板5と蓋基板7の接着面は、導体パターンにより覆われずに樹脂面が露出し、接着層により両基材が接着される。これは、空洞の樹脂封止を完全にする上でも必要である。
【0021】
また、導体パターン4の表面に接着層が接着して重なる場合には、銅箔パターンを形成する銅箔の表面や銅やニッケル等のメッキの上面を粗化することにより、接着層がこれらの粗面化された接着界面に対してアンカー効果を発揮しやすくすることにより、接着強度の向上を図っても良い。この場合、上記の粗化の方法や粗化された表面の形状によっては、導体パターンにより覆われずに露出した樹脂面に接着層を接着させるよりも、導体パターンの表面に接着層を接着させる方が高強度の接着が期待できる場合もある。
【0022】
次に、この発明の製造方法を図3及び図4を参照して説明する。図3は図1及び図2に示した電子部品の製造工程を示すフローチャートである。まず、第一のステップ#1では、実装基板1の片面の導体パターン4にチップ素子としての表面弾性波素子チップ2をバンプ実装する。次いで、第二のステップ#2では、実装基板1上に第一の接着層8を挟んで中間基板5を重ねる。さらに、第三のステップ#3では、中間基板5上に第二の接着層9を挟んで窓6を覆う蓋基板7を重ねる。その後、第四のステップ#4では、中間基板5を間に挟んだ実装基板1と蓋基板7の厚み方向の外側から押圧を加えて一度に加熱し、これらの実装基板1と中間基板5、中間基板5と蓋基板7を接着層によって同時に接着し、樹脂容器の内部に空洞を封止形成する。
【0023】
図4は、第四のステップ#4において、実装基板1、中間基板5、蓋基板7(但し、各基板はいずれも切断前の親基板状態)を厚み方向に押圧しながら加熱して樹脂容器を接着するために用いられる押当板20の構造を示す斜視図である。中間基板5を間に挟んだ実装基板1と蓋基板7との厚み方向の押圧は、中間基板5の窓6を除いた枠部分に対応する桟21が表面に突設された押当板20を用いて行う。これによれば、接着層を用いて実装基板1と中間基板5と蓋基板7とを積層接着する際に、中間基板5の窓部分には余分な押圧力が加わらない。つまり、空洞内のチップ2のバンプ実装領域及びその周辺には圧力が加わらない。その結果、実装基板1上に固着実装されたバンプ3が接着時の押圧により離れてしまう等の問題が起こることを防ぐことができる。
【0024】
なお、図4では押当板20を上下に用いたが、いずれか一方のみとすることもできる。また図4では、樹脂容器の接着に用いる押当板20は中間基板の窓を除いた枠部分に対応するように表面に凹凸形状が加工され、桟が形成された平板状のものとして示したが、これに限られず、単に穴加工した板でもよいし、あるいは平板全体に多少の曲面を持たせることによって最適な押圧ができるようにした板でも良い。
【0025】
いずれにせよ、この押当板を用いる目的は、中間基板5の窓を設けた領域(チップのバンプ実装領域及びその周辺部)に余分な押圧力が加わらないようにすることによって実装基板を変形させない様にすることであり、窓を設けた領域に余分な押圧力が加わらない手段であるならば、必ずしも押当板が実装基板1や蓋7に直接接触しなくても良い。例えば、接着剤が滲み出して押当板と接着剤が接着してしまうような場合には、離型フィルムを間に挟んでも良いことはもちろんである。また、押当板の圧力をより均一化するために、紙クッション等を挟んでも良い。つまり、押当板と実装基板1や蓋基板7との間に挟んだ材料が加熱と加圧で変形することによって、窓部分に余分な押圧力が加わるような材料、または構造でなければ、どのような手段を用いても良い。
【0026】
【実施例】
次に、本発明に係る電子部品を図5の実施例を用いて更に具体的に説明する。本実施例の実装基板1はチップ素子としてのSAWチップ2をフェースダウン実装する基板として用いられている。すなわち、実装基板1上の導体パターン4の一部分にはメッキ層によってパッド41が形成され、パッド41上にはチップ2が実装されている。実装基板1上には第一の接着層としてのプリプレグ8によって中間基板5が接着されており、さらに、チップ2を覆うように蓋基板7が第二の接着層としてのプリプレグ9によって中間基板5上に接着され、樹脂容器の内部空間として形成された空洞にはチップ2が封止されている。なお、導体パターン4に接続している外部接続用電極42が実装基板1の側面等に設けられている。
【0027】
実装基板1、中間基板5及び蓋基板7の樹脂基材としては、三菱ガス化学(株)製のBT樹脂基材(CCL−HL830)が使われている。実装基板1の上面には、厚さが18μmの銅箔からなる導体パターン4が積層されている。パッド41を形成するメッキ層は厚さが10μmの銅メッキ層、厚さが5μmのニッケルメッキ層、厚さが1μmの金メッキ層を順次に積層した多層メッキからなっている。チップ2の裏面には、径が100μmの金製のバンプ3が取り付けられており、バンプ3を用いて超音波ボンディングによりチップ2がパッド41上にフェースダウンボンディングされている。
【0028】
窓6を持つ中間基板5の上端面は樹脂基材が露出しており、プリプレグ9によって厚さが0.2mmのBT樹脂(三菱ガス化学(株)製;CCL−HL830)からなる蓋基板7が接着されている。蓋基板7は平面状の樹脂基板であり、裏面は樹脂基材が露出してプリプレグ9との接着性を高めている。なお、蓋基板7の上面に導体層を設けてシールド作用をもたせることも可能である。
【0029】
また、上記のプリプレグ8、9には、樹脂基材と同様な特性を有する厚さが60μmの三菱ガス化学(株)製のBT樹脂GHPL−830NFを用いた。プリプレグと実装基板1、中間基板5、蓋基板7の接着硬化は、30kg/cmの加圧を加えながら20Torr程度の減圧雰囲気下で200℃/2時間加熱することによった。これによれば、プリプレグから流れ出す流動性の高い成分の粗面上での広がりは約300μmの範囲内に収めることができた。
【0030】
SAWチップは圧電材料の表面弾性波特性を利用するため、流れ出したプリプレグ等がSAWチップに触れると、素子特性が極端に悪くなる。本発明の上記の実施例によれば、一度の押圧と加熱によって樹脂基板、中間基板、蓋基板を同時に接着し、内部に空洞を封止した樹脂容器を形成できる。しかも、本発明の上記実施例に比べ、実装基板と中間基板を先に接着してからチップを実装する場合には、プリプレグの流れ出し量を十分に考慮した大きなクリアランスを必要とするので電子部品の形状の小型化には適さない。この面からも本発明は小型化に有利である。
【0031】
また、本発明は実装基板、中間基板、蓋基板を一度の接着工程で同時に接着することを特徴にしている。このため、本発明によれば、別々に接着した場合(即ち、蓋基板と中間基板あるいは中間基板と実装基板を別々に順次の接着工程で接着する)に比べて、接着のときに発生する硬化ガス等が、中間基板表面に付着することで汚染が生じてその後の接着性が低下するといった問題も無くなるという優れた効果がある。
【0032】
さらに、加熱接着する際には、空洞内部の膨張する空気が、積層されたこれらの基板の上下の突き合わせ面から同時に逃すことができるので、蓋基板と中間基板あるいは中間基板と実装基板を別々に接着した後に最終的に接着して空洞を密封シールする場合に比べて、接着後の気密性も良くなる。
【0033】
さらにまた、熱ショックに敏感な半導体素子や圧電材料、イオン結晶性基板等に加わる熱履歴も1回の加熱・冷却で済むために、素子や接合部、樹脂基板に与える悪影響が小さくできる。特に圧電材料等を用いる場合には焦電による静電破壊等の予期せぬトラブルを防止できるという顕著な効果がある。
【0034】
なお、上記実施例の説明では、樹脂容器の底部に実装基板が置かれ、上部に蓋基板が置かれるようにして図示したが、それに限られず、蓋基板を底部に置いてもよいことはもちろんである。また、積層接着した樹脂容器の端面を含むいずれの外面にも、外部への接続電極を設けることもできる。
【0035】
また、上記実施例の説明では樹脂基材としてBT樹脂を例として取り上げたが、本発明の技術的思想は、これに限られないことはもちろんであり、しかも、実装基板、中間基板及び蓋基板の樹脂材質を異なるようにすることもできる。例えば透光性の樹脂基材を部分的であれ用いることによって光信号を容器の外部から空洞内部に導入させるようにすることもできる。さらに、基板毎に樹脂材質を適宜に選択し、熱膨張率を最適に設定したり整合させることも可能である。
【0036】
以上本発明の実施の形態及び実施例について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、チップ素子を空洞の内部に収容する樹脂容器を三層の樹脂基板を重ねて一度の加熱圧着により接着する構成にしたので、生産性を向上させるとともに、電子部品の外形を小型化でき、低廉かつ信頼性に優れた電子部品を提供できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電子部品の製造方法の実施の形態を説明するための一部を切り欠いた斜視図である。
【図2】同じく正断面図である。
【図3】本発明の実施の形態における製造工程を示すフローチャートである。
【図4】前記製造工程で用いる治具(押当板)の例を示した斜視図である。
【図5】本発明の詳細な実施例の構造を示す一部を切り欠いた斜視図である。
【図6】従来の電子部品の構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 実装基板
2 チップ
3 バンプ
4 導体パターン
5 中間基板
6 窓
7 蓋基板
8 第一の接着層
9 第二の接着層
10 樹脂容器
20 押当板

Claims (2)

  1. バンプ電極が設けられたチップ素子を樹脂容器の空洞内に封止する電子部品の製造方法において、
    (1)樹脂基材の少なくとも片面に導体パターンが設けられた実装基板の該導体パターンに前記チップ素子をバンプ実装する第一のステップと、
    (2)前記実装基板上に第一の接着層を挟んで前記チップ素子と所定の間隔を隔てた内壁を形成する窓が開設された枠状樹脂基材からなる中間基板を重ねる第二のステップと、
    (3)前記中間基板上に第二の接着層を挟んで前記窓を覆う樹脂基材からなる蓋基板を重ねる第三のステップと、
    (4)前記中間基板を間に挟んだ前記実装基板と前記蓋基板の厚み方向に外側から加圧しかつ一度に加熱して、これらの実装基板、中間基板及び蓋基板を密着して内部に前記窓の内壁で画成された空洞を封止形成する第四のステップとを有し、
    前記中間基板を間に挟んだ前記実装基板と前記蓋基板の厚み方向の加圧を、前記窓を設けた領域に圧力が加わらないように行うことを特徴とする電子部品の製造方法。
  2. バンプ電極が設けられたチップ素子を樹脂容器の空洞内に封止する電子部品の製造方法において、
    (1)樹脂基材の少なくとも片面に導体パターンが設けられた実装基板の該導体パターンに前記チップ素子をバンプ実装する第一のステップと、
    (2)前記実装基板上に第一の接着層を挟んで前記チップ素子と所定の間隔を隔てた内壁を形成する窓が開設された枠状樹脂基材からなる中間基板を重ねる第二のステップと、
    (3)前記中間基板上に第二の接着層を挟んで前記窓を覆う樹脂基材からなる蓋基板を重ねる第三のステップと、
    (4)前記中間基板を間に挟んだ前記実装基板と前記蓋基板の厚み方向に外側から加圧しかつ一度に加熱して、これらの実装基板、中間基板及び蓋基板を密着して内部に前記窓の内壁で画成された空洞を封止形成する第四のステップとを有し、
    前記中間基板を間に挟んだ前記実装基板と前記蓋基板の厚み方向の加圧を、前記中間基板の枠状部分に対応する桟が表面に突設された押当板を用いて行うことを特徴とする電子部品の製造方法。
JP12418498A 1998-04-18 1998-04-18 電子部品の製造方法 Expired - Fee Related JP3579740B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12418498A JP3579740B2 (ja) 1998-04-18 1998-04-18 電子部品の製造方法
US09/292,735 US6320739B1 (en) 1998-04-18 1999-04-16 Electronic part and manufacturing method therefor
EP99107680A EP0951062A3 (en) 1998-04-18 1999-04-16 Electronic part and manufacturing method therefor
US09/955,965 US20020014687A1 (en) 1998-04-18 2001-09-20 Electronic part and manufacturing method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12418498A JP3579740B2 (ja) 1998-04-18 1998-04-18 電子部品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11307659A JPH11307659A (ja) 1999-11-05
JP3579740B2 true JP3579740B2 (ja) 2004-10-20

Family

ID=14879069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12418498A Expired - Fee Related JP3579740B2 (ja) 1998-04-18 1998-04-18 電子部品の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6320739B1 (ja)
EP (1) EP0951062A3 (ja)
JP (1) JP3579740B2 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6500528B1 (en) * 1999-04-27 2002-12-31 Tessera, Inc. Enhancements in sheet processing and lead formation
IL133453A0 (en) * 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
JP4049239B2 (ja) * 2000-08-30 2008-02-20 Tdk株式会社 表面弾性波素子を含む高周波モジュール部品の製造方法
JP2002094204A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波モジュールとその製造方法
US6660562B2 (en) * 2001-12-03 2003-12-09 Azimuth Industrial Co., Inc. Method and apparatus for a lead-frame air-cavity package
US7566587B2 (en) 2001-12-03 2009-07-28 Azimuth Industrial Co., Inc. Method and apparatus for packaging electronic components
KR100444231B1 (ko) * 2002-05-28 2004-08-16 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 절연층 형성방법
AU2003267690A1 (en) * 2002-09-25 2004-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Connector for chip-card
DE102004010703B4 (de) * 2004-03-04 2015-03-12 Epcos Ag Bauelement mit WLP-fähiger Verkapselung und Herstellverfahren
US20060131710A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Advanced cavity structure for wafer level chip scale package
USD559803S1 (en) * 2005-11-08 2008-01-15 Lg Innotek Co., Ltd Light-emitting diode (LED)
USD559802S1 (en) * 2006-04-11 2008-01-15 Tekcore Co., Ltd. Light-emitting diode
USD585850S1 (en) * 2007-07-20 2009-02-03 Lg Innotek Co., Ltd Light-emitting diode (LED)
US7863722B2 (en) * 2008-10-20 2011-01-04 Micron Technology, Inc. Stackable semiconductor assemblies and methods of manufacturing such assemblies

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1389542A (en) * 1971-06-17 1975-04-03 Mullard Ltd Methods of securing a semiconductor body to a support
US4109818A (en) * 1975-06-03 1978-08-29 Semi-Alloys, Inc. Hermetic sealing cover for a container for semiconductor devices
US4630172A (en) * 1983-03-09 1986-12-16 Printed Circuits International Semiconductor chip carrier package with a heat sink
US4680613A (en) * 1983-12-01 1987-07-14 Fairchild Semiconductor Corporation Low impedance package for integrated circuit die
JPS60113665U (ja) * 1984-01-05 1985-08-01 昭和電工株式会社 混成集積回路用基板
US4644643A (en) * 1984-02-22 1987-02-24 Kangyo Denkikiki Kabushiki Kaisha Method of electrically interconnecting a laminated printed circuit by use of a compressed, solder-plated connector pin
US4680617A (en) * 1984-05-23 1987-07-14 Ross Milton I Encapsulated electronic circuit device, and method and apparatus for making same
US4872825A (en) * 1984-05-23 1989-10-10 Ross Milton I Method and apparatus for making encapsulated electronic circuit devices
JPH02179018A (ja) 1988-12-28 1990-07-12 Murata Mfg Co Ltd 表面実装型表面波デバイス
US4965702A (en) * 1989-06-19 1990-10-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chip carrier package and method of manufacture
JPH05160574A (ja) 1991-12-02 1993-06-25 Y K C:Kk 多層プリント配線基板およびその製造方法
JP2827684B2 (ja) * 1992-03-17 1998-11-25 日本電気株式会社 半導体装置
WO1995028740A1 (en) * 1994-04-14 1995-10-26 Olin Corporation Electronic package having improved wire bonding capability
JP3034180B2 (ja) * 1994-04-28 2000-04-17 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法及び基板
JPH08148602A (ja) 1994-11-21 1996-06-07 Hitachi Chem Co Ltd 半導体搭載用多層配線板の製造方法
JPH08181243A (ja) 1994-12-22 1996-07-12 Hitachi Chem Co Ltd 半導体搭載用多層配線板の製造方法
JP3546506B2 (ja) * 1995-02-03 2004-07-28 松下電器産業株式会社 電子部品およびその製造方法
JP3748967B2 (ja) 1996-12-02 2006-02-22 Tdk株式会社 電子部品の封止構造
JP3652488B2 (ja) * 1997-12-18 2005-05-25 Tdk株式会社 樹脂パッケージの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0951062A2 (en) 1999-10-20
US6320739B1 (en) 2001-11-20
US20020014687A1 (en) 2002-02-07
EP0951062A3 (en) 2003-10-22
JPH11307659A (ja) 1999-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3579740B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP3540281B2 (ja) 撮像装置
CN101604669B (zh) 半导体器件及其制造方法
US8358514B2 (en) Electronic control device
JP5045769B2 (ja) センサ装置の製造方法
JPH10270975A (ja) 電子部品とその製造方法
JP5198265B2 (ja) 薄型可撓性基板の平坦な表面を形成する装置及び方法
JPH10223699A (ja) 半導体装置とその製造方法および実装方法
JP4361567B2 (ja) 液晶高分子を使用したmemsデバイスの封止
KR19980063532A (ko) 반도체 장치와 그의 제조방법 및 필름 캐리어 테이프와 그의 제조방법
JP4551461B2 (ja) 半導体装置とこれを備えた通信機器及び電子機器
JP3438711B2 (ja) 圧電デバイス及びその製造方法
KR101142150B1 (ko) 표면 실장형 반도체 패키지, 표면 실장형 반도체 패키지 생산 시스템 및 방법
KR20070080324A (ko) 접착력이 있는 폴리이미드층을 이용한 반도체 칩의 접착 및적층 방법
JP2006005019A (ja) 電子デバイスの製造方法
US20120103666A1 (en) Electronic device and method of manufacturing the same
CN116455351A (zh) 高空腔强度的封装结构、封装方法、模组及其电子设备
JP2006102845A (ja) 機能素子パッケージ及びその製造方法、機能素子パッケージを有する回路モジュール及びその製造方法
JPH0951062A (ja) 半導体チップの実装方法,半導体チップ,半導体チップの製造方法,tabテープ,フリップチップ実装方法,フリップチップ実装基板,マイクロ波装置の製造方法及びマイクロ波装置
JPS63117451A (ja) 半導体装置
JP2008235839A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2596387B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2001189553A (ja) 基板の接合装置及びその装置を用いた基板の接合方法
JP4473668B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4141941B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20031226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040120

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040322

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040622

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040702

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090730

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090730

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100730

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110730

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120730

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees