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JP3219696B2 - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

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Publication number
JP3219696B2
JP3219696B2 JP18758796A JP18758796A JP3219696B2 JP 3219696 B2 JP3219696 B2 JP 3219696B2 JP 18758796 A JP18758796 A JP 18758796A JP 18758796 A JP18758796 A JP 18758796A JP 3219696 B2 JP3219696 B2 JP 3219696B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hard carbon
magneto
recording medium
layer
substrate
Prior art date
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Application number
JP18758796A
Other languages
Japanese (ja)
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JPH1031849A (en
Inventor
均 平野
慶一 蔵本
洋一 堂本
聡 鷲見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP18758796A priority Critical patent/JP3219696B2/en
Publication of JPH1031849A publication Critical patent/JPH1031849A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3219696B2 publication Critical patent/JP3219696B2/en
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Expired - Fee Related legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスクな
どの光磁気記録媒体に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium such as a magneto-optical disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】光磁気ディスクは、レーザー光を用いて
光熱磁気効果により情報を記録し、磁気カー効果やファ
ラデー効果により再生を行う記録媒体であり、記録情報
の消去及び再生を繰り返し行うことができ、高密度な記
録が可能な記録媒体である。
2. Description of the Related Art A magneto-optical disk is a recording medium on which information is recorded by a photo-thermomagnetic effect using a laser beam and reproduced by a magnetic Kerr effect or a Faraday effect, and it is possible to repeatedly erase and reproduce recorded information. It is a recording medium capable of high-density recording.

【0003】このような光磁気記録媒体においては、基
板上に、TbFe、TbFeCo、GdFeなどの希土
類−遷移金属合金のアモルファス垂直磁化膜からなる記
録層が設けられている。また、一般には、耐熱性、耐湿
度性、耐光性、耐摩耗性等を向上させるため、その表面
に保護層が設けられている。特に、記録層側の表面に、
傷が形成されたり、あるいはゴミ、ほこり等が付着する
と、再生信号のノイズとなるため、このような記録層側
の表面には耐摩耗性等に優れた保護層が設けられてい
る。このような保護層としては、一般に紫外線硬化樹脂
などからなる保護層が設けられている。
In such a magneto-optical recording medium, a recording layer made of an amorphous perpendicular magnetization film of a rare earth-transition metal alloy such as TbFe, TbFeCo, GdFe, etc. is provided on a substrate. In general, a protective layer is provided on the surface to improve heat resistance, humidity resistance, light resistance, wear resistance, and the like. In particular, on the surface on the recording layer side,
If a scratch is formed or dust or dust adheres to the recording layer, the reproduced signal becomes noise. Therefore, a protective layer having excellent wear resistance and the like is provided on the surface on the recording layer side. As such a protective layer, a protective layer generally made of an ultraviolet curable resin or the like is provided.

【0004】また、このような保護層として、ダイヤモ
ンド状炭素被膜のような硬質炭素被膜を用いることが提
案されている(例えば、特開昭62−195744号公
報、特開昭63−239633号公報)。
Further, it has been proposed to use a hard carbon coating such as a diamond-like carbon coating as such a protective layer (for example, JP-A-62-195744 and JP-A-63-239633). ).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな保護層として硬質炭素被膜を用いると、密着性が悪
く、剥離し易いという問題があった。また、剥離が生じ
ない場合には基板に反り等の変形が生じるという問題が
あった。
However, when a hard carbon film is used as such a protective layer, there has been a problem that the adhesion is poor and the film is easily peeled off. In addition, when peeling does not occur, there is a problem that the substrate is deformed such as warpage.

【0006】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、硬質炭素被膜を保護層として用いた場合に
も、剥離が生じにくく、かつ基板の反り等の変形を生じ
にくい光磁気記録媒体を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve such a conventional problem, and to prevent the occurrence of deformation such as warpage of a substrate even when a hard carbon film is used as a protective layer. It is to provide a recording medium.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、膜厚方向に水素濃度が変化した傾斜構造を有する硬
質炭素被膜が保護層として設けられていることを特徴と
している。
The magneto-optical recording medium of the present invention is characterized in that a hard carbon film having a gradient structure in which the hydrogen concentration changes in the film thickness direction is provided as a protective layer.

【0008】本発明において、「傾斜構造」は、硬質炭
素被膜の膜厚方向の一方端部で水素濃度が高く、他方端
部で水素濃度が低い構造であればよく、必ずしも膜厚方
向に連続的に水素濃度が変化している必要はない。従っ
て、段階的に膜厚方向に水素濃度が変化するようなもの
も含まれる。
In the present invention, the “graded structure” may be a structure in which the hydrogen concentration is high at one end in the film thickness direction of the hard carbon coating and the hydrogen concentration is low at the other end, and is not necessarily continuous in the film thickness direction. It is not necessary that the hydrogen concentration be changed. Therefore, the case where the hydrogen concentration changes stepwise in the film thickness direction is also included.

【0009】本発明において、硬質炭素被膜とは、いわ
ゆるダイヤモンド状炭素被膜と呼ばれる非晶質の炭素被
膜及び結晶性の炭素被膜を含むものであり、水素が含有
される硬質の炭素被膜であればよい。硬質炭素被膜の膜
厚としては、特に限定されるものではないが、100Å
〜2000Å程度が一般的である。
In the present invention, the term "hard carbon coating" includes an amorphous carbon coating and a crystalline carbon coating called a so-called diamond-like carbon coating. Good. The thickness of the hard carbon film is not particularly limited, but is
Approximately Å2000 ° is common.

【0010】本発明において、硬質炭素被膜の水素濃度
は、膜厚方向の両端部間で10%以上異なることが好ま
しい。さらに好ましくは、膜厚方向の一方端部で60〜
40%であり、他方端部で30〜10%である。水素濃
度の%は原子%を示しており、例えば、2次イオン質量
分析(SIMS)により測定することができる。
In the present invention, it is preferable that the hydrogen concentration of the hard carbon film differs by 10% or more between both ends in the film thickness direction. More preferably, at one end in the film thickness direction, 60 to
40% and 30-10% at the other end. The percentage of hydrogen concentration indicates atomic%, and can be measured by, for example, secondary ion mass spectrometry (SIMS).

【0011】硬質炭素被膜中の水素濃度が相対的に高く
なると、硬度が相対的に低くなり、内部応力も相対的に
低くなる。これに対し、硬質炭素被膜中の水素濃度が相
対的に低くなると、硬度が相対的に高くなり、内部応力
も相対的に高くなる。
When the hydrogen concentration in the hard carbon coating becomes relatively high, the hardness becomes relatively low and the internal stress becomes relatively low. On the other hand, when the hydrogen concentration in the hard carbon film becomes relatively low, the hardness becomes relatively high, and the internal stress also becomes relatively high.

【0012】本発明においては、膜厚方向に水素濃度を
変化させた傾斜構造とすることにより、硬質炭素被膜の
一方端部において水素濃度を低くし、硬度及び内部応力
の高い炭素被膜組成とし、他方端部において水素濃度を
相対的に高くして硬度及び内部応力の低い炭素被膜組成
としている。従って、水素濃度の低い一方端部において
は、硬度が高く、耐摩耗性、耐湿度性、耐食性等に優れ
た炭素被膜組成とすることができ、また水素濃度の高い
他方端部では、内部応力の低い炭素被膜組成とすること
ができる。従って、耐摩耗性、耐湿度性、耐食性等に優
れ、かつ全体として内部応力が低く、密着性に優れた硬
質炭素被膜とすることができる。
In the present invention, the hydrogen concentration is reduced at one end of the hard carbon film by forming an inclined structure in which the hydrogen concentration is changed in the film thickness direction, and a carbon film composition having high hardness and internal stress is obtained. At the other end, the hydrogen concentration is relatively increased to provide a carbon coating composition having low hardness and low internal stress. Therefore, at one end having a low hydrogen concentration, a carbon coating composition having high hardness and excellent wear resistance, humidity resistance, corrosion resistance, etc. can be obtained, and at the other end having a high hydrogen concentration, internal stress can be reduced. Low carbon coating composition. Therefore, a hard carbon film having excellent wear resistance, humidity resistance, corrosion resistance, etc., low internal stress as a whole, and excellent adhesion can be obtained.

【0013】本発明においては、さらに中間層を介して
硬質炭素被膜を設けてもよい。このように中間層を介し
て硬質炭素被膜を設けることにより、さらに硬質炭素被
膜の密着性が高められ、剥離の発生を防止することがで
き、基板の反り等の変形を防止することができる。この
ような中間層としては、Si、Zr、Ti及びGeの金
属並びにこれらの金属の酸化物及び窒化物から選ばれる
少なくとも1種を用いることができる。中間層の膜厚と
しては、10〜500Å程度が好ましい。
In the present invention, a hard carbon coating may be further provided via an intermediate layer. By providing the hard carbon coating via the intermediate layer in this manner, the adhesion of the hard carbon coating is further enhanced, the occurrence of peeling can be prevented, and the deformation such as warpage of the substrate can be prevented. As such an intermediate layer, at least one selected from metals of Si, Zr, Ti, and Ge and oxides and nitrides of these metals can be used. The thickness of the intermediate layer is preferably about 10 to 500 °.

【0014】本発明において、硬質炭素被膜からなる保
護層は、記録層側の最表面層として設けられてもよく、
また基板側の最表面層として設けられてもよい。さらに
は、記録層側の最表面層及び基板側の最表面層の両方に
設けられてもよい。このような場合、硬質炭素被膜の水
素濃度は、膜厚方向の基板に近い側の端部において相対
的に高く、基板から遠い側の端部において相対的に低く
なるように設定されることが一般に好ましい。このよう
な水素濃度勾配とすることにより、基板側に内部応力が
低く、最表面側に硬度等に優れた被膜組成を形成するこ
とができ、耐摩耗性等に優れ、かつ基板に反り等の生じ
にくい光磁気記録媒体とすることができる。
In the present invention, the protective layer comprising a hard carbon film may be provided as the outermost layer on the recording layer side.
Also, it may be provided as the outermost layer on the substrate side. Furthermore, it may be provided on both the outermost layer on the recording layer side and the outermost layer on the substrate side. In such a case, the hydrogen concentration of the hard carbon coating may be set so as to be relatively high at the end near the substrate in the thickness direction and relatively low at the end far from the substrate. Generally preferred. By using such a hydrogen concentration gradient, the internal stress is low on the substrate side, and a coating composition having excellent hardness and the like can be formed on the outermost surface side. A magneto-optical recording medium that does not easily occur can be provided.

【0015】さらに、本発明においては、硬質炭素被膜
からなる保護層を、最表面層より内側に設けてもよい。
例えば、記録層を挟む両側に硬質炭素被膜からなる保護
層を設けてもよい。
Further, in the present invention, a protective layer made of a hard carbon coating may be provided inside the outermost surface layer.
For example, a protective layer made of a hard carbon film may be provided on both sides of the recording layer.

【0016】本発明において、硬質炭素被膜の形成方法
は、特に限定されるものではないが、例えば、CVD法
により形成することができる。例えば、プラズマCVD
法を用い、基板ホルダに高周波電圧を印加し、これによ
って基板ホルダに自己バイアス電圧を発生させ、被膜の
形成の進行と共にこの自己バイアス電圧を変化させるこ
とにより、硬質炭素被膜中の水素濃度を膜厚方向に変化
させることができる。プラズマCVD法におけるプラズ
マ発生手段としては、例えば、電子サイクロトロン共鳴
(ECR)プラズマCVD装置等を用いることができ
る。このような装置を用いることにより、プラズマの密
度をさらに上げることができ、低温で高品質の硬質炭素
被膜を形成することができる。
In the present invention, the method of forming the hard carbon film is not particularly limited, but can be formed by, for example, a CVD method. For example, plasma CVD
By applying a high-frequency voltage to the substrate holder using the method, a self-bias voltage is generated in the substrate holder, and the self-bias voltage is changed with the progress of the film formation, thereby reducing the hydrogen concentration in the hard carbon film. It can be varied in the thickness direction. As a plasma generating means in the plasma CVD method, for example, an electron cyclotron resonance (ECR) plasma CVD apparatus or the like can be used. By using such an apparatus, the density of the plasma can be further increased, and a high-quality hard carbon film can be formed at a low temperature.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】実施例1 図1は、本発明に従う一実施例の光磁気ディスクを示す
断面図である。図1を参照して、PC(ポリカーボネー
ト)及びPMMA(ポリメチルメタクリレート)または
ガラスなどからなる透明性を有する基板1の上には、一
対の誘電体層2及び4により挟まれた記録層3が設けら
れている。記録層3としては、光磁気ディスクの記録層
に用いることができる光磁気材料が用いられ、例えばT
bFeCo、TbFe、GdFeなどの希土類−遷移金
属合金膜、あるいは磁性ガーネット、Coフェライト、
MnBiやMnPtSbなどの多結晶膜などの光磁気材
料から形成される。誘電体層2及び4は、シリコン窒化
膜(SiN)などからなる透明な誘電体膜から形成され
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 is a sectional view showing a magneto-optical disk according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a recording layer 3 sandwiched between a pair of dielectric layers 2 and 4 is provided on a transparent substrate 1 made of PC (polycarbonate) and PMMA (polymethyl methacrylate) or glass. Is provided. As the recording layer 3, a magneto-optical material that can be used for a recording layer of a magneto-optical disk is used.
rare earth-transition metal alloy films such as bFeCo, TbFe, GdFe, or magnetic garnet, Co ferrite,
It is formed from a magneto-optical material such as a polycrystalline film such as MnBi or MnPtSb. The dielectric layers 2 and 4 are formed of a transparent dielectric film made of a silicon nitride film (SiN) or the like.

【0018】誘電体層4の上には、Alなどからなる放
熱層5が設けられており、放熱層5の上には、紫外線硬
化樹脂を塗布し、これに紫外線照射することにより硬化
したUV保護層6が設けられている。
A heat radiating layer 5 made of Al or the like is provided on the dielectric layer 4, and an ultraviolet curable resin is applied on the heat radiating layer 5, and the UV curable resin is cured by irradiating ultraviolet rays. A protective layer 6 is provided.

【0019】UV保護層6の上には、硬質炭素被膜7が
設けられている。硬質炭素被膜7は、基板1側の水素濃
度が高く、基板1側とは反対側の表面側の水素濃度が低
くなるように形成されている。このような硬質炭素被膜
7は、例えば、図7に示すようなECRプラズマCVD
装置により形成することができる。
On the UV protection layer 6, a hard carbon coating 7 is provided. The hard carbon film 7 is formed such that the hydrogen concentration on the substrate 1 side is high and the hydrogen concentration on the surface side opposite to the substrate 1 side is low. Such a hard carbon film 7 is formed, for example, by ECR plasma CVD as shown in FIG.
It can be formed by a device.

【0020】図7は、ECRプラズマCVD装置の一例
を示す概略断面図である。図7を参照して、真空チャン
バ108の内部には、プラズマ発生室104と、基板1
13が設置される反応室が設けられている。プラズマ発
生室104には、導波管102の一端が取り付けられて
おり、導波管102の他端には、マイクロ波供給手段1
01が設けられている。マイクロ波供給手段101で発
生したマイクロ波は、導波管102及びマイクロ波導入
窓103を通って、プラズマ発生室104に導かれる。
プラズマ発生室104には、プラズマ発生室104内に
アルゴン(Ar)ガス等の放電ガスを導入させるための
放電ガス導入管105が設けられている。また、プラズ
マ発生室104の周囲には、プラズマを反応室に導くた
めのプラズマ磁界発生装置106が設けられている。
FIG. 7 is a schematic sectional view showing an example of an ECR plasma CVD apparatus. Referring to FIG. 7, inside of vacuum chamber 108, plasma generation chamber 104 and substrate 1 are provided.
There is provided a reaction chamber in which 13 is installed. One end of the waveguide 102 is attached to the plasma generation chamber 104, and the other end of the waveguide 102 is connected to the microwave supply unit 1.
01 is provided. Microwaves generated by the microwave supply means 101 are guided to the plasma generation chamber 104 through the waveguide 102 and the microwave introduction window 103.
The plasma generation chamber 104 is provided with a discharge gas introduction pipe 105 for introducing a discharge gas such as an argon (Ar) gas into the plasma generation chamber 104. A plasma magnetic field generator 106 for guiding plasma to the reaction chamber is provided around the plasma generation chamber 104.

【0021】真空チャンバ108内の反応室には、ドラ
ム状の基板ホルダー112が、図7の紙面に垂直な回転
軸のまわりを回転自在となるように設置されており、該
基板ホルダー112には、図示省略するモーターが連結
されている。基板ホルダー112の外周面には、複数
(本実施例では6個)の基板113が等しい間隔で装着
されている。基板ホルダー112には、高周波電源11
0が接続されている。
In the reaction chamber in the vacuum chamber 108, a drum-shaped substrate holder 112 is installed so as to be rotatable around a rotation axis perpendicular to the paper surface of FIG. , A motor not shown is connected. A plurality (six in this embodiment) of substrates 113 are mounted on the outer peripheral surface of the substrate holder 112 at equal intervals. The substrate holder 112 has a high-frequency power supply 11
0 is connected.

【0022】基板ホルダー112の周囲には、金属製の
筒状のシールドカバー114が基板ホルダー112から
約5mmの距離隔てて設けられている。このシールドカ
バー114は、接地電極に接続されている。このシール
ドカバー114は、被膜を形成するときに、基板ホルダ
ー112に印加される高周波(RF)電圧によって被膜
形成箇所以外の基板ホルダー112と真空チャンバ10
8との間の放電が発生するのを防止するために設けられ
ている。
Around the substrate holder 112, a metal cylindrical shield cover 114 is provided at a distance of about 5 mm from the substrate holder 112. This shield cover 114 is connected to a ground electrode. When a film is formed, the shield cover 114 is connected to the substrate holder 112 and the vacuum chamber 10 other than where the film is formed by a high frequency (RF) voltage applied to the substrate holder 112.
8 is provided to prevent the occurrence of a discharge between them.

【0023】シールドカバー114には、開口部115
が形成されている。この開口部115を通って、プラズ
マ発生室104から引き出されたプラズマが、基板ホル
ダー112に装着された基板113に放射されるように
なっている。真空チャンバ108内には、反応ガス導入
管116が設けられている。この反応ガス導入管116
の先端は、開口部115の上方に位置する。
The shield cover 114 has an opening 115
Are formed. The plasma drawn from the plasma generation chamber 104 passes through the opening 115 and is emitted to the substrate 113 mounted on the substrate holder 112. In the vacuum chamber 108, a reaction gas introduction pipe 116 is provided. This reaction gas introduction pipe 116
Is located above the opening 115.

【0024】図8は、この反応ガス導入管116の先端
部分近傍を示す平面図である。図8を参照して、反応ガ
ス導入管116は、外部から真空チャンバ内にCH4
スを導入するガス導入部116aと、このガス導入部1
16aに対し垂直方向に接続されたガス放出部116b
とから構成されている。ガス放出部116bは、基板ホ
ルダー112の回転方向Aに対して垂直方向に配置さ
れ、かつ開口部115の上方の回転方向の上流側に位置
するように設けられている。ガス放出部116bには、
下方に向けて約45度の方向に複数の孔117が形成さ
れている。本実施例では、8個の孔117が形成されて
いる。孔117の間隔は、中央から両側に向かうに従い
徐々に狭くなるように形成されている。このような間隔
で孔117を形成することにより、ガス導入部116a
から導入されたCH4 ガスがそれぞれ孔117からほぼ
均等に放出される。
FIG. 8 is a plan view showing the vicinity of the tip of the reaction gas introduction pipe 116. Referring to FIG. 8, a reaction gas introduction pipe 116 has a gas introduction section 116a for introducing CH 4 gas from the outside into the vacuum chamber, and a gas introduction section 1a.
Outgassing portion 116b connected vertically to 16a
It is composed of The gas discharge section 116b is arranged perpendicular to the rotation direction A of the substrate holder 112 and is provided above the opening 115 and upstream of the rotation direction in the rotation direction. In the gas discharge part 116b,
A plurality of holes 117 are formed in a direction of about 45 degrees downward. In this embodiment, eight holes 117 are formed. The interval between the holes 117 is formed so as to gradually decrease from the center toward both sides. By forming the holes 117 at such intervals, the gas introduction portions 116a
CH 4 gas introduced from the holes 117 is almost uniformly released from the holes 117, respectively.

【0025】上記の被膜形成装置を用いて基板(図1に
示すUV保護層6)上に、硬質炭素被膜を形成する実施
例について以下具体的に説明する。まず、真空チャンバ
108内を10-5〜10-7Torrに排気して、基板ホ
ルダー112を約10rpmの速度で回転させる。次
に、放電ガス導入管105からArガスを5.7×10
-4Torrで供給するとともに、マイクロ波供給手段1
01から2.45GHz、100Wのマイクロ波を供給
して、プラズマ発生室104内に形成されたArプラズ
マを基板113の表面に放射する。これと同時に、反応
ガス管116からCH4 ガスを1.3×10-3Torr
で供給しながら、高周波電源110から13.56MH
zのRF電力を基板ホルダー112に印加する。この基
板ホルダー112へのRF電力の印加を、図9に示すよ
うに、基板に発生する自己バイアス電圧が成膜初期にお
いて0Vであり、成膜終了時の15分後において−15
0VとなるようにRF電力を調整して印加した。以上の
工程により、基板上に、膜厚1000Åの硬質炭素被膜
を形成した。
An embodiment in which a hard carbon film is formed on a substrate (UV protective layer 6 shown in FIG. 1) using the above film forming apparatus will be specifically described below. First, the inside of the vacuum chamber 108 is evacuated to 10 -5 to 10 -7 Torr, and the substrate holder 112 is rotated at a speed of about 10 rpm. Next, 5.7 × 10 10 Ar gas was supplied from the discharge gas introduction pipe 105.
-4 Torr and microwave supply means 1
A microwave of 01 to 2.45 GHz and 100 W is supplied to radiate the Ar plasma formed in the plasma generation chamber 104 to the surface of the substrate 113. At the same time, CH 4 gas is supplied from the reaction gas pipe 116 to 1.3 × 10 −3 Torr.
13.56 MHz from the high frequency power supply 110
z RF power is applied to the substrate holder 112. As shown in FIG. 9, the application of the RF power to the substrate holder 112 is such that the self-bias voltage generated on the substrate is 0 V at the initial stage of the film formation, and −15 minutes after the completion of the film formation.
The RF power was adjusted to be 0 V and applied. Through the above steps, a hard carbon film having a thickness of 1000 ° was formed on the substrate.

【0026】図10は、基板ホルダーに発生する自己バ
イアス電圧と、該自己バイアス電圧のときに形成される
硬質炭素被膜の硬度、内部応力、及び水素濃度との関係
を示す図である。これらの測定値は、図7に示す装置を
用いて、基板ホルダーに発生する自己バイアス電圧を一
定にした条件で硬質炭素被膜を形成し、得られた硬質炭
素被膜の各特性を測定することにより得た数値であり、
図10は、このようにして求めた自己バイアス電圧と各
特性値との関係を示している。
FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the self-bias voltage generated in the substrate holder and the hardness, internal stress, and hydrogen concentration of the hard carbon film formed at the self-bias voltage. These measured values are obtained by forming a hard carbon coating under the condition that the self-bias voltage generated in the substrate holder is kept constant using the apparatus shown in FIG. 7 and measuring each characteristic of the obtained hard carbon coating. Is the obtained number,
FIG. 10 shows the relationship between the self-bias voltage thus obtained and each characteristic value.

【0027】図10から明らかなように、自己バイアス
電圧が0Vのとき、硬度は850Hv程度であり、内部
応力は5GPa程度であり、水素濃度は60%程度であ
ることがわかる。また自己バイアス電圧が−150Vの
ときには、硬度は3400Hv程度であり、内部応力は
8GPa程度であり、水素濃度は10%程度であること
がわかる。
As is apparent from FIG. 10, when the self-bias voltage is 0 V, the hardness is about 850 Hv, the internal stress is about 5 GPa, and the hydrogen concentration is about 60%. When the self-bias voltage is -150 V, the hardness is about 3400 Hv, the internal stress is about 8 GPa, and the hydrogen concentration is about 10%.

【0028】従って、被膜形成の進行とともに、自己バ
イアス電圧を0から−150Vに変化させた上記実施例
の硬質炭素被膜においては、図10に示すような各特性
の変化がその厚み方向で生じているものと考えられ、基
板側での水素濃度は約60%であり、表面側での水素濃
度は約10%である。以上のようにして、図1に示すよ
うな、硬質炭素被膜7を基板1と反対側の最表面の保護
層として有する光磁気ディスクを作製した。
Therefore, in the hard carbon coating of the above embodiment in which the self-bias voltage was changed from 0 to -150 V with the progress of the coating formation, each characteristic change as shown in FIG. 10 occurred in the thickness direction. The hydrogen concentration on the substrate side is about 60%, and the hydrogen concentration on the surface side is about 10%. As described above, a magneto-optical disk having the hard carbon coating 7 as the outermost protective layer on the side opposite to the substrate 1 as shown in FIG. 1 was produced.

【0029】実施例2 図2は、本発明に従う他の実施例の光磁気ディスクを示
す断面図である。本実施例では、UV保護層6の上に中
間層8を介して硬質炭素被膜7が設けられている。本実
施例では、Siからなる膜厚50Åの中間層8を、スパ
ッタリング法により形成し、この中間層8の上に上記実
施例1と同様にして膜厚1000Åの硬質炭素被膜7を
形成した。
Embodiment 2 FIG. 2 is a sectional view showing a magneto-optical disk of another embodiment according to the present invention. In this embodiment, a hard carbon coating 7 is provided on the UV protection layer 6 with an intermediate layer 8 interposed therebetween. In this embodiment, an intermediate layer 8 made of Si and having a thickness of 50 ° was formed by a sputtering method, and a hard carbon film 7 having a thickness of 1000 ° was formed on the intermediate layer 8 in the same manner as in the first embodiment.

【0030】実施例3 本実施例では、図2に示す光磁気ディスク構造におい
て、中間層8としてSiO2 からなる膜厚50Åの中間
層を、スパッタリング法により形成し、この中間層8の
上に、上記実施例1と同様にして膜厚1000Åの硬質
炭素被膜7を形成した。
Embodiment 3 In this embodiment, in the magneto-optical disk structure shown in FIG. 2, an intermediate layer made of SiO 2 and having a thickness of 50 ° is formed as the intermediate layer 8 by a sputtering method. Then, a hard carbon film 7 having a thickness of 1000 ° was formed in the same manner as in Example 1 above.

【0031】比較例1 比較として、己バイアス電圧を被膜形成の間−150V
と一定にし、それ以外は上記実施例1と同様にして硬質
炭素被膜を形成し、図1に示すようなUV保護層6の上
に硬質炭素被膜7を有する比較の光磁気ディスクを作製
した。
COMPARATIVE EXAMPLE 1 As a comparison, the self-bias voltage was set to -150 V during film formation.
A hard carbon film was formed in the same manner as in Example 1 except for the above, and a comparative magneto-optical disk having a hard carbon film 7 on a UV protective layer 6 as shown in FIG. 1 was produced.

【0032】比較例2 比較として、自己バイアス電圧を被膜形成の間0Vと一
定にし、それ以外は上記実施例1と同様にして硬質炭素
被膜を形成し、図1に示すようなUV保護層6の上に硬
質炭素被膜7を有する比較の光磁気ディスクを作製し
た。
Comparative Example 2 As a comparison, a hard carbon film was formed in the same manner as in Example 1 except that the self-bias voltage was kept constant at 0 V during film formation, and the UV protective layer 6 as shown in FIG. A comparative magneto-optical disk having a hard carbon film 7 on the disk was prepared.

【0033】以上のようにして得られた実施例1〜3並
びに比較例1及び2の硬質炭素被膜について、密着性の
評価試験を行った。密着性の評価は、ビッカース圧子を
用いた一定荷重(荷重=1kg)の押し込み試験により
行った。サンプル数を50個とし、硬質炭素被膜に剥離
が発生した個数を数えて評価した。評価結果を表1に示
す。
The hard carbon coatings of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 obtained as described above were subjected to an adhesion evaluation test. The evaluation of the adhesion was performed by an indentation test with a constant load (load = 1 kg) using a Vickers indenter. The number of samples was set to 50, and the number of the hard carbon coatings where peeling occurred was counted and evaluated. Table 1 shows the evaluation results.

【0034】[0034]

【表1】 [Table 1]

【0035】表1から明らかなように、本発明に従う実
施例1〜3の硬質炭素被膜は、比較例1の硬質炭素被膜
よりも大幅に剥離発生数が減少していることがわかる。
従って、本発明に従うことにより、密着性に優れた硬質
炭素被膜からなる保護層とすることができる。
As is evident from Table 1, the hard carbon coatings of Examples 1 to 3 according to the present invention have a significantly reduced number of peelings than the hard carbon coating of Comparative Example 1.
Therefore, according to the present invention, a protective layer made of a hard carbon film having excellent adhesion can be obtained.

【0036】次に、上記実施例1〜3並びに比較例1及
び2の硬質炭素被膜の硬度を測定し、その結果を表2に
示した。
Next, the hardness of the hard carbon coatings of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 were measured, and the results are shown in Table 2.

【0037】[0037]

【表2】 [Table 2]

【0038】表2から明らかなように、本発明に従う実
施例1〜3の硬質炭素被膜は、比較例1と同等の高い硬
度を有していることがわかる。比較例2の硬質炭素被膜
は、上記の表1に示されるように剥離発生数が少なく密
着性には優れているが、膜硬度が非常に低いことがわか
る。
As is clear from Table 2, the hard carbon coatings of Examples 1 to 3 according to the present invention have the same high hardness as Comparative Example 1. As shown in Table 1 above, the hard carbon coating of Comparative Example 2 has a small number of occurrences of peeling and is excellent in adhesion, but has a very low film hardness.

【0039】次に、上記実施例1〜3並びに比較例1及
び2の硬質炭素被膜の耐摩耗性を一般的な方法により評
価し、その結果を表3に示した。耐摩耗性は、直径3m
mのアルミナボールを圧子として用い、荷重200g
で、摺動速度660mm/分、摺動距離5mm、摺動回
数2000回で行った。
Next, the abrasion resistance of the hard carbon coatings of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 was evaluated by a general method, and the results are shown in Table 3. Wear resistance is 3m in diameter
m alumina ball as indenter, load 200g
The sliding speed was 660 mm / min, the sliding distance was 5 mm, and the number of times of sliding was 2,000.

【0040】[0040]

【表3】 [Table 3]

【0041】表3から明らかなように、本発明に従う実
施例1〜3の硬質炭素被膜は、比較例1と同等の耐摩耗
性を有していることがわかる。また、比較例2の硬質炭
素被膜は、膜硬度と同様に、耐摩耗性においても劣るこ
とがわかる。
As is apparent from Table 3, the hard carbon coatings of Examples 1 to 3 according to the present invention have the same abrasion resistance as Comparative Example 1. Further, it can be seen that the hard carbon coating of Comparative Example 2 was inferior in abrasion resistance as well as the film hardness.

【0042】以上の結果、本発明に従う硬質炭素被膜を
保護層として有する光磁気ディスクは、保護層の密着性
が優れ、かつ表面の膜硬度が十分に高く、耐摩耗性に優
れた光磁気ディスクとすることができる。
As a result, a magneto-optical disk having a hard carbon film according to the present invention as a protective layer has excellent adhesion to the protective layer, a sufficiently high surface film hardness, and excellent wear resistance. It can be.

【0043】図1及び図2に示す実施例では、UV保護
層6の上に硬質炭素被膜7が直接に、あるいは中間層8
を介して設けられている。上記のように耐摩耗性に優れ
た硬質炭素被膜7を保護層として設けることにより、磁
気ヘッド等との接触による摩耗を少なくすることができ
る。
In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the hard carbon coating 7 is applied directly on the UV protection layer 6 or on the intermediate layer 8.
Is provided via By providing the hard carbon film 7 having excellent wear resistance as a protective layer as described above, wear due to contact with a magnetic head or the like can be reduced.

【0044】図3は、本発明の光磁気ディスクと磁気ヘ
ッドとの位置関係を示す概略構成図である。図3に示す
ように、光磁気ディスク21の上方の最表面には硬質炭
素被膜からなる保護層22が設けられている。磁気ヘッ
ド23は、このような保護層22の上方に位置し、情報
を記録する際、磁場を印加する。ここでは、磁気ヘッド
23の表面にも保護層24が設けられている。このよう
な保護層24を、本発明のような水素濃度が膜厚方向に
変化した硬質炭素被膜から形成してもよい。この場合、
表面に向かうにつれて水素濃度が低くなるよう形成され
ることが好ましい。図3に示すように、磁気ヘッド23
が光磁気ディスク21と近接して、磁気ヘッド23が光
磁気ディスク21上を相対的に移動するので、磁気ヘッ
ド23との接触により光磁気ディスク21の表面が摩耗
する。本発明に従えば、保護層22の表面側で水素濃度
が相対的に低く、硬度が高く、耐摩耗性に優れた組成と
なっているので、良好な耐摩耗性を発揮することができ
る。また、保護層22の基板側では水素濃度が相対的に
高く、内部応力の低い組成となっているので、密着性が
よく、剥離防止することができ、また基板に反り等の変
形が生じるのを防止することができる。
FIG. 3 is a schematic diagram showing the positional relationship between the magneto-optical disk of the present invention and the magnetic head. As shown in FIG. 3, a protective layer 22 made of a hard carbon coating is provided on the uppermost surface of the magneto-optical disk 21. The magnetic head 23 is located above such a protective layer 22, and applies a magnetic field when recording information. Here, a protective layer 24 is also provided on the surface of the magnetic head 23. Such a protective layer 24 may be formed from a hard carbon film in which the hydrogen concentration changes in the thickness direction as in the present invention. in this case,
It is preferable that the hydrogen concentration be lower toward the surface. As shown in FIG.
Comes close to the magneto-optical disk 21, and the magnetic head 23 moves relatively on the magneto-optical disk 21, so that the surface of the magneto-optical disk 21 is worn by contact with the magnetic head 23. According to the present invention, the surface of the protective layer 22 has a relatively low hydrogen concentration, a high hardness, and a composition having excellent wear resistance, so that good wear resistance can be exhibited. Further, since the protective layer 22 has a composition in which the hydrogen concentration is relatively high and the internal stress is low on the substrate side, the adhesion is good, the peeling can be prevented, and the substrate is warped or deformed. Can be prevented.

【0045】図1及び図2に示す実施例では、UV保護
層6の上に硬質炭素被膜7が設けられている。硬質炭素
被膜7は、上述のように耐摩耗性に優れているが、一般
に形成される膜厚は薄いので、引っ掻き傷等の大きな傷
が生じる場合には、図1及び図2に示す実施例のように
UV保護層6を設けて、このUV保護層により、このよ
うな大きな傷が内部に到達するのを防止することができ
る。
In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, a hard carbon coating 7 is provided on the UV protection layer 6. The hard carbon coating 7 is excellent in abrasion resistance as described above, but is generally formed with a small thickness. Therefore, when a large scratch such as a scratch is generated, the hard carbon coating 7 is not shown in FIGS. The UV protection layer 6 is provided as described above, and this UV protection layer can prevent such a large scratch from reaching the inside.

【0046】図4は、本発明に従うさらに他の実施例を
示す断面図である。本実施例では、基板1側にも硬質炭
素被膜9からなる保護層が設けられている。硬質炭素被
膜9も膜厚方向に水素濃度の傾斜構造を有しており、基
板1側での水素濃度が高く、表面側での水素濃度が低く
なっている。従って、表面は硬度が高く、耐摩耗性に優
れた組成であり、基板側は内部応力が低く、密着性の良
好な組成となっている。このような硬質炭素被膜9を形
成することにより、基板1側の最表面の硬度を高め、耐
摩耗性を向上させることができるとともに、耐湿度性な
どの耐食性も改善することができる。特に、基板1がP
Cなどのプラスチック基板等から形成される場合には、
このような耐食性の向上が要望される。
FIG. 4 is a sectional view showing still another embodiment according to the present invention. In this embodiment, a protective layer made of the hard carbon coating 9 is also provided on the substrate 1 side. The hard carbon coating 9 also has a gradient structure of hydrogen concentration in the film thickness direction, and the hydrogen concentration on the substrate 1 side is high and the hydrogen concentration on the surface side is low. Accordingly, the surface has a composition having high hardness and excellent wear resistance, and the substrate side has a composition having low internal stress and good adhesion. By forming such a hard carbon coating 9, the hardness of the outermost surface on the substrate 1 side can be increased, the wear resistance can be improved, and corrosion resistance such as humidity resistance can be improved. In particular, if the substrate 1 is P
When formed from a plastic substrate such as C,
Such improvement in corrosion resistance is required.

【0047】図5は、本発明に従うさらに他の実施例の
光磁気ディスクを示す断面図である。本実施例では、基
板1側の硬質炭素被膜9が、中間層10を介して設けら
れている。中間層10は、中間層8と同様の組成及び膜
厚範囲で形成することができる。このような中間層10
を形成することにより、さらに基板1に対する密着性を
向上させることができ、また基板1の反り等の変形を防
止することができる。
FIG. 5 is a sectional view showing a magneto-optical disk according to still another embodiment of the present invention. In the present embodiment, the hard carbon coating 9 on the substrate 1 side is provided via the intermediate layer 10. The intermediate layer 10 can be formed with the same composition and thickness range as the intermediate layer 8. Such an intermediate layer 10
Is formed, the adhesion to the substrate 1 can be further improved, and deformation such as warpage of the substrate 1 can be prevented.

【0048】また、図5に示す実施例において、基板1
側で中間層10を省略し、直接基板1上に硬質炭素被膜
9を形成してもよい。同様に、表面側で中間層8を省略
し、硬質炭素被膜7をUV保護層6の上に直接形成して
もよい。
In the embodiment shown in FIG.
The hard carbon coating 9 may be formed directly on the substrate 1 by omitting the intermediate layer 10 on the side. Similarly, the hard carbon coating 7 may be formed directly on the UV protection layer 6 by omitting the intermediate layer 8 on the surface side.

【0049】図11は、上記実施例の硬質炭素被膜のよ
うに、膜厚方向に水素濃度が実質的に連続的に変化した
傾斜構造を有する炭素被膜121を示している。炭素被
膜121は、下地層120の上に形成されている。この
ような硬質炭素被膜121において、下地層120に近
い端部121aは、水素濃度が相対的に高く、表面側端
部121bは相対的に水素濃度が低くなるように傾斜構
造が形成されている。
FIG. 11 shows a carbon film 121 having a gradient structure in which the hydrogen concentration changes substantially continuously in the film thickness direction, like the hard carbon film of the above embodiment. The carbon coating 121 is formed on the underlayer 120. In such a hard carbon coating 121, an inclined structure is formed such that an end portion 121a close to the base layer 120 has a relatively high hydrogen concentration and a front-side end portion 121b has a relatively low hydrogen concentration. .

【0050】図12は、本発明における硬質炭素被膜の
他の構造例を示す断面図である。硬質炭素被膜122は
2層構造を有しており、下地層120に近い側の第1の
層122aは相対的に水素含有濃度が高く、表面側の第
2の層122bは相対的に水素含有濃度が低くなるよう
に形成されている。このように、本発明における水素濃
度の傾斜構造は、必ずしも連続的である必要はなく、2
層以上の多層構造からなる段階的な傾斜構造であっても
よい。
FIG. 12 is a sectional view showing another example of the structure of the hard carbon film according to the present invention. The hard carbon film 122 has a two-layer structure. The first layer 122a on the side close to the underlayer 120 has a relatively high hydrogen content, and the second layer 122b on the surface side has a relatively high hydrogen content. It is formed so that the concentration becomes low. Thus, the gradient structure of the hydrogen concentration in the present invention does not necessarily have to be continuous,
It may be a stepwise graded structure composed of a multi-layer structure having more than two layers.

【0051】図12に示すような傾斜構造の硬質炭素被
膜を形成する場合には、図13に示すように、自己バイ
アス電圧を段階的に変化させることにより2層以上の複
数層の構造とすることができる。
When a hard carbon film having a gradient structure as shown in FIG. 12 is formed, as shown in FIG. 13, a structure of two or more layers is formed by changing the self-bias voltage stepwise. be able to.

【0052】[0052]

【発明の効果】本発明に従えば、耐摩耗性及び耐食性等
に優れ、かつ保護膜の剥離が生じにくく、基板に反り等
の変形を生じにくい光磁気記録媒体とすることができ
る。
According to the present invention, it is possible to obtain a magneto-optical recording medium which is excellent in abrasion resistance, corrosion resistance and the like, hardly causes peeling of the protective film, and hardly deforms the substrate such as warpage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に従う一実施例の光磁気ディスクを示す
断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing a magneto-optical disk of one embodiment according to the present invention.

【図2】本発明に従う他の実施例の光磁気ディスクを示
す断面図。
FIG. 2 is a sectional view showing a magneto-optical disk of another embodiment according to the present invention.

【図3】本発明に従う実施例の光磁気ディスクと磁気ヘ
ッドとの位置関係を示す側面図。
FIG. 3 is a side view showing the positional relationship between the magneto-optical disk and the magnetic head of the embodiment according to the present invention.

【図4】本発明に従うさらに他の実施例の光磁気ディス
クを示す断面図。
FIG. 4 is a sectional view showing a magneto-optical disk according to still another embodiment according to the present invention.

【図5】本発明に従うさらに他の実施例の光磁気ディス
クを示す断面図。
FIG. 5 is a sectional view showing a magneto-optical disk according to still another embodiment according to the present invention.

【図6】図4及び図5に示す両側に保護層を有する光磁
気ディスクを示す側面図。
FIG. 6 is a side view showing the magneto-optical disk having the protective layers on both sides shown in FIGS. 4 and 5;

【図7】本発明における硬質炭素被膜を形成するための
ECRプラズマCVD装置の一例を示す概略構成図。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing one example of an ECR plasma CVD apparatus for forming a hard carbon film in the present invention.

【図8】図7に示すECRプラズマCVD装置の開口部
近傍を示す平面図。
8 is a plan view showing the vicinity of an opening of the ECR plasma CVD apparatus shown in FIG.

【図9】本発明に従う実施例における成膜時間と自己バ
イアス電圧との関係を示す図。
FIG. 9 is a diagram showing a relationship between a film forming time and a self-bias voltage in an example according to the present invention.

【図10】自己バイアス電圧と、硬度、内部応力、及び
水素濃度との関係を示す図。
FIG. 10 is a diagram showing a relationship between a self-bias voltage, hardness, internal stress, and hydrogen concentration.

【図11】本発明における硬質炭素被膜の一例を示す断
面図。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an example of a hard carbon film according to the present invention.

【図12】本発明における硬質炭素被膜の他の例を示す
断面図。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing another example of the hard carbon film in the present invention.

【図13】図12に示す硬質炭素被膜を形成する際の成
膜時間と自己バイアス電圧との関係を示す図。
FIG. 13 is a view showing the relationship between the film forming time and the self-bias voltage when forming the hard carbon film shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板 2…誘電体層 3…記録層 4…誘電体層 5…Al放熱層 6…UV保護層 7…硬質炭素被膜 8…中間層 9…硬質炭素被膜 10…中間層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Dielectric layer 3 ... Recording layer 4 ... Dielectric layer 5 ... Al heat dissipation layer 6 ... UV protection layer 7 ... Hard carbon coating 8 ... Intermediate layer 9 ... Hard carbon coating 10 ... Intermediate layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鷲見 聡 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−258369(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 11/105 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Satoshi Sumi 2-5-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (56) References JP-A-5-258369 (JP, A) (58 ) Surveyed field (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 11/105

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板及び記録層を備える光磁気記録媒体
において、 膜厚方向に水素濃度が変化した傾斜構造を有する硬質炭
素被膜が保護層として設けられていることを特徴とする
光磁気記録媒体。
1. A magneto-optical recording medium comprising a substrate and a recording layer, wherein a hard carbon film having a gradient structure in which the hydrogen concentration changes in the film thickness direction is provided as a protective layer. .
【請求項2】 前記硬質炭素被膜の水素濃度が膜厚方向
の両端部間で10%以上異なることを特徴とする請求項
1に記載の光磁気記録媒体。
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the hydrogen concentration of the hard carbon film differs by 10% or more between both ends in the film thickness direction.
【請求項3】 前記硬質炭素被膜の水素濃度が膜厚方向
の一方端部で60〜40%であり、他方端部で30〜1
0%である請求項1または2に記載の光磁気記録媒体。
3. The hydrogen concentration of the hard carbon coating is 60 to 40% at one end in the film thickness direction and 30 to 1 at the other end in the thickness direction.
3. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the content is 0%.
【請求項4】 前記硬質炭素被膜が中間層を介して設け
られる請求項1〜3のいずれか1項に記載の光磁気記録
媒体。
4. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the hard carbon film is provided with an intermediate layer interposed therebetween.
【請求項5】 前記中間層がSi、Zr、Ti及びGe
の金属並びにこれらの金属の酸化物及び窒化物から選ば
れる少なくとも1種から形成されている請求項4に記載
の光磁気記録媒体。
5. The method according to claim 1, wherein the intermediate layer is made of Si, Zr, Ti and Ge.
5. The magneto-optical recording medium according to claim 4, wherein the magneto-optical recording medium is formed of at least one selected from the group consisting of metals and oxides and nitrides of these metals.
【請求項6】 前記硬質炭素被膜が前記記録層側の最表
面層及び前記基板側の最表面層のうちの少なくとも一方
の最表面層に位置する保護層として設けられている請求
項1〜5のいずれか1項に記載の光磁気記録媒体。
6. The hard carbon coating is provided as a protective layer located on at least one of the outermost surface layer on the recording layer side and the outermost surface layer on the substrate side. 7. The magneto-optical recording medium according to claim 1.
【請求項7】 前記硬質炭素被膜の水素濃度が、膜厚方
向の基板に近い側の端部において相対的に高く、基板か
ら遠い側の端部において相対的に低い請求項6に記載の
光磁気記録媒体。
7. The light according to claim 6, wherein the hydrogen concentration of the hard carbon coating is relatively high at an end near the substrate in the thickness direction and relatively low at an end far from the substrate. Magnetic recording medium.
【請求項8】 前記硬質炭素被膜が最表面層より内側に
保護層として設けられている請求項1〜5のいずれか1
項に記載の光磁気記録媒体。
8. The method according to claim 1, wherein the hard carbon coating is provided as a protective layer inside the outermost surface layer.
Item 13. A magneto-optical recording medium according to item 1.
【請求項9】 前記硬質炭素被膜が前記記録層を挟む両
側に保護層として設けられている請求項8に記載の光磁
気記録媒体。
9. The magneto-optical recording medium according to claim 8, wherein said hard carbon coating is provided as a protective layer on both sides of said recording layer.
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