JP3194118B2 - 半導体装置及びその半導体装置に用いられる半導体部品の製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその半導体装置に用いられる半導体部品の製造方法Info
- Publication number
- JP3194118B2 JP3194118B2 JP5730694A JP5730694A JP3194118B2 JP 3194118 B2 JP3194118 B2 JP 3194118B2 JP 5730694 A JP5730694 A JP 5730694A JP 5730694 A JP5730694 A JP 5730694A JP 3194118 B2 JP3194118 B2 JP 3194118B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- copper
- semiconductor component
- mounting substrate
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】半導体装置に関し、特に、半導体
装置に用いられる半導体部品であって、ＩＣ等の半導体
素子を搭載するための搭載基板に関するものである。
装置に用いられる半導体部品であって、ＩＣ等の半導体
素子を搭載するための搭載基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ等の半導体素子を搭載するた
めの搭載基板としてのヒートシンクが次々と提案され、
半導体チップを収容するためのパッケージに実際に使用
されている。現在、提案されている半導体素子の搭載基
板（以下、ヒートシンクと呼ぶ）の大部分は、その熱膨
張係数を、シリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）等の半導体素子を形成している半導体材料の熱膨張
係数に近づけるようにしている。これは、半導体チップ
とヒートシンクとの間の熱膨張係数の相違による半導体
チップの破壊を避けるためである。この点を考慮して、
熱膨張係数が半導体素子のそれに近いモリブデン（Ｍ
ｏ）、タングステン（Ｗ）等の高融点金属がヒートシン
クの材料として用いられている。
めの搭載基板としてのヒートシンクが次々と提案され、
半導体チップを収容するためのパッケージに実際に使用
されている。現在、提案されている半導体素子の搭載基
板（以下、ヒートシンクと呼ぶ）の大部分は、その熱膨
張係数を、シリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）等の半導体素子を形成している半導体材料の熱膨張
係数に近づけるようにしている。これは、半導体チップ
とヒートシンクとの間の熱膨張係数の相違による半導体
チップの破壊を避けるためである。この点を考慮して、
熱膨張係数が半導体素子のそれに近いモリブデン（Ｍ
ｏ）、タングステン（Ｗ）等の高融点金属がヒートシン
クの材料として用いられている。
【０００３】このような背景から、特公平２−３１８６
３号では、半導体チップとヒートシンクとの間の熱膨張
係数を一致させるため、熱膨張係数を９×１０-6／Ｋ以
下にするようにこだわったものが開示されている。
３号では、半導体チップとヒートシンクとの間の熱膨張
係数を一致させるため、熱膨張係数を９×１０-6／Ｋ以
下にするようにこだわったものが開示されている。
【０００４】一方、近年、半導体チップやヒートシンク
などを軽量化し、大量生産によって半導体装置を安価に
することが熱望されている。ところが、モリブデン、タ
ングステン等の高融点金属は一般に高密度を有してお
り、高融点金属を使用することによって、ヒートシンク
は重くなり、しかも高価である。即ち、高融点金属の使
用は、軽量化及び低価格化の要求には不適当である。特
公平３−３６３０４号公報では、軽量化及び低価格化を
図るため、高融点金属多孔質体に銅を含浸して成る方法
が開示されている。
などを軽量化し、大量生産によって半導体装置を安価に
することが熱望されている。ところが、モリブデン、タ
ングステン等の高融点金属は一般に高密度を有してお
り、高融点金属を使用することによって、ヒートシンク
は重くなり、しかも高価である。即ち、高融点金属の使
用は、軽量化及び低価格化の要求には不適当である。特
公平３−３６３０４号公報では、軽量化及び低価格化を
図るため、高融点金属多孔質体に銅を含浸して成る方法
が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、次世代
では、半導体素子を搭載するための搭載基板において、
軽量かつ機能も損わないものが熱望されており、その要
求を満足するような搭載基板の特性としては、少くとも
熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ、望ましくは２３０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上で、密度については現在最も有力視されている
銅より著しく大きくならない範囲、言い換えれば１０ｇ
／ｃｍ3 以下であることが望ましい。ところが、図６に
示すように、剛性や加工性等を考慮に入れると上記した
従来のものではそれらを満足するものはなかった。
では、半導体素子を搭載するための搭載基板において、
軽量かつ機能も損わないものが熱望されており、その要
求を満足するような搭載基板の特性としては、少くとも
熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ、望ましくは２３０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上で、密度については現在最も有力視されている
銅より著しく大きくならない範囲、言い換えれば１０ｇ
／ｃｍ3 以下であることが望ましい。ところが、図６に
示すように、剛性や加工性等を考慮に入れると上記した
従来のものではそれらを満足するものはなかった。
【０００６】ここで、密度の点においては図６に示すよ
うにアルミニウム（Ａｌ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）が優
れているが、前者は熱膨張が大きすぎる点、後者はもろ
く実用上加工に耐えられないという重大な問題がある。
うにアルミニウム（Ａｌ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）が優
れているが、前者は熱膨張が大きすぎる点、後者はもろ
く実用上加工に耐えられないという重大な問題がある。
【０００７】又、今後の技術トレンドでは、軽量化及び
低価格化を図ることができ、さらに複数の素子あるいは
複数の機能を有するものを搭載することができる搭載基
板が熱望されている。従って、従来のように例えば搭載
基板の一片が１０〜３０ｍｍ、時として４０ｍｍであっ
たものは、今後は、従来の２倍以上の面積となることが
予想される。
低価格化を図ることができ、さらに複数の素子あるいは
複数の機能を有するものを搭載することができる搭載基
板が熱望されている。従って、従来のように例えば搭載
基板の一片が１０〜３０ｍｍ、時として４０ｍｍであっ
たものは、今後は、従来の２倍以上の面積となることが
予想される。
【０００８】しかしながら、アルミニウムは、熱膨張が
大きいので基板面積が大きくなると高い熱に対する基板
のソリ等の変形が生じてしまうという問題点を生じる。
又、炭化ケイ素はもろく実用上加工に耐えられない。
大きいので基板面積が大きくなると高い熱に対する基板
のソリ等の変形が生じてしまうという問題点を生じる。
又、炭化ケイ素はもろく実用上加工に耐えられない。
【０００９】一方、銅基板は、熱伝導性が良く、高発熱
のモジュールには特に有効であるが、組立後の取り扱い
が面倒であり、全体として薄層化しにくいため、外部ピ
ンを別に設けなければならず、特にマルチチップモジュ
ールで面積が非常に大きいものである場合（例えば、大
きいもので一片１００〜２００ｍｍのものがある）、高
い熱に対する基板のソリ等の変形は免れずモジュール自
体の信頼性を損ねることとなる。従って、今後高集積化
が進む中、銅基板では対応は不充分であることが予測さ
れる。
のモジュールには特に有効であるが、組立後の取り扱い
が面倒であり、全体として薄層化しにくいため、外部ピ
ンを別に設けなければならず、特にマルチチップモジュ
ールで面積が非常に大きいものである場合（例えば、大
きいもので一片１００〜２００ｍｍのものがある）、高
い熱に対する基板のソリ等の変形は免れずモジュール自
体の信頼性を損ねることとなる。従って、今後高集積化
が進む中、銅基板では対応は不充分であることが予測さ
れる。
【００１０】本発明の課題は、面積が大きく、複数の素
子を搭載する搭載基板に高い熱が与えられてもソリ等の
変形が生じず、しかも軽量化及び低価格化を図ることが
できる半導体装置を提供することである。
子を搭載する搭載基板に高い熱が与えられてもソリ等の
変形が生じず、しかも軽量化及び低価格化を図ることが
できる半導体装置を提供することである。
【００１１】本発明の他の課題は、加工性もよく、ＩＣ
パッケージに適した特性を有する半導体装置を提供する
ことである。
パッケージに適した特性を有する半導体装置を提供する
ことである。
【００１２】本発明の更に他の課題は、上記特性を有す
る搭載基板としての半導体部品を製造する方法を提供す
ることである。
る搭載基板としての半導体部品を製造する方法を提供す
ることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
素子を搭載するための手段として、モリブデン又はタン
グステンによる第１の金属と銅による第２の金属とから
なる半導体部品を含む半導体装置において、前記第２の
金属が４０重量％以上であって、前記半導体部品が、熱
伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、密度１０ｇ／ｃｍ3 以
下、ヤング率１４，０００ｋｇ／ｍｍ2 以上の特性を有
し、その半導体部品に３００℃以上で温間プレス加工を
施すことによって、前記半導体部品が基板部と該基板部
の板面から突出する突出部とからなる段付き形状を呈す
るように形成されていることを特徴とする半導体装置が
得られる。
素子を搭載するための手段として、モリブデン又はタン
グステンによる第１の金属と銅による第２の金属とから
なる半導体部品を含む半導体装置において、前記第２の
金属が４０重量％以上であって、前記半導体部品が、熱
伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、密度１０ｇ／ｃｍ3 以
下、ヤング率１４，０００ｋｇ／ｍｍ2 以上の特性を有
し、その半導体部品に３００℃以上で温間プレス加工を
施すことによって、前記半導体部品が基板部と該基板部
の板面から突出する突出部とからなる段付き形状を呈す
るように形成されていることを特徴とする半導体装置が
得られる。
【００１４】又、本発明によれば、銅が４０重量％以上
であって、熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、密度１０ｇ
／ｃｍ3 以下、及びヤング率１４，０００ｋｇ／ｍｍ2
以上の特性を有する半導体部品の製造方法であって、モ
リブデン又はタングステンと銅とを混合すると共に有機
バインダーを混練し、押出し成形により前記半導体部品
用の焼結素材を得ることを特徴とする半導体部品の製造
方法が得られる。
であって、熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、密度１０ｇ
／ｃｍ3 以下、及びヤング率１４，０００ｋｇ／ｍｍ2
以上の特性を有する半導体部品の製造方法であって、モ
リブデン又はタングステンと銅とを混合すると共に有機
バインダーを混練し、押出し成形により前記半導体部品
用の焼結素材を得ることを特徴とする半導体部品の製造
方法が得られる。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して詳細
に説明する。図１は、本発明に係る半導体装置の一実施
例を示す断面図である。図１において、搭載基板６上に
複数の半導体素子（以下、ＩＣチップと呼ぶ）１及び複
数のリードフレーム５が搭載される。リード端子３は図
の表裏方向に複数並列に配置されており、各リード端子
３がそれぞれリード線２を介してＩＣチップ１に接続さ
れている。さらに、搭載基板６とリード端子３の間には
絶縁材料４が設けられている。尚、絶縁材料４には、例
えばポリイミドフィルム等が用いられている。
に説明する。図１は、本発明に係る半導体装置の一実施
例を示す断面図である。図１において、搭載基板６上に
複数の半導体素子（以下、ＩＣチップと呼ぶ）１及び複
数のリードフレーム５が搭載される。リード端子３は図
の表裏方向に複数並列に配置されており、各リード端子
３がそれぞれリード線２を介してＩＣチップ１に接続さ
れている。さらに、搭載基板６とリード端子３の間には
絶縁材料４が設けられている。尚、絶縁材料４には、例
えばポリイミドフィルム等が用いられている。
【００１６】このような面積の大きい搭載基板の材料と
して銅を用いた場合、銅は可撓性（柔らかくてたわみや
すい性質）であるので、そのままでは所望の特性、即
ち、基板のソリ等の変形が少なく、しかもＩＣチップと
搭載基板との間の熱膨張係数を一致させるような特性を
有さず、かつ汎用に供し得る程安価な材料としては満足
することはできない。そのため、本願発明の発明者等
は、ＩＣチップの膨張係数に近い高融点金属であるモリ
ブデン、タングステンとの複合材料をベースとして、上
記特性を有する搭載基板としての半導体部品をいかに製
造するのかをその製造方法から検討した。以下、上記特
性を有する半導体部品の製造方法を説明する。尚、以
下、半導体部品を搭載基板と呼ぶ。
して銅を用いた場合、銅は可撓性（柔らかくてたわみや
すい性質）であるので、そのままでは所望の特性、即
ち、基板のソリ等の変形が少なく、しかもＩＣチップと
搭載基板との間の熱膨張係数を一致させるような特性を
有さず、かつ汎用に供し得る程安価な材料としては満足
することはできない。そのため、本願発明の発明者等
は、ＩＣチップの膨張係数に近い高融点金属であるモリ
ブデン、タングステンとの複合材料をベースとして、上
記特性を有する搭載基板としての半導体部品をいかに製
造するのかをその製造方法から検討した。以下、上記特
性を有する半導体部品の製造方法を説明する。尚、以
下、半導体部品を搭載基板と呼ぶ。
【００１７】銅粉末とモリブデン粉末を混合し、焼結後
圧延し高精度な搭載基板を製作し得ることは本発明者等
がすでに公表しており（粉体粉末冶金協会平成５年秋季
大会）、周知の事実である。しかし、ここでは特に熱間
圧延においてが割れ易い等の理由でコスト的に問題とな
っており、耐変形性の一つの指標であるヤング率につい
て解決されていなかった。
圧延し高精度な搭載基板を製作し得ることは本発明者等
がすでに公表しており（粉体粉末冶金協会平成５年秋季
大会）、周知の事実である。しかし、ここでは特に熱間
圧延においてが割れ易い等の理由でコスト的に問題とな
っており、耐変形性の一つの指標であるヤング率につい
て解決されていなかった。
【００１８】本発明者等は、銅粉末とモリブデン粉末の
混合物を有機バインダーとともに混練し、その混練物を
高密度、高粘度のスラリーにして０．５〜４ｍｍ厚、望
ましくは１〜１．５ｍｍ厚で押出し、脱バインダーして
焼結した後、２．５ｍｍ以下の焼結体では冷間圧延のみ
を施し、２．５ｍｍ以上の焼結体では熱間圧延後冷間圧
延を施すことで、搭載基板の表面にクボミ、欠け、シワ
がなく、さらに表面粗さの優れた基板材料を、極めて容
易に、しかも従来より大幅に安価にて製造し得ることを
見出した。この方法によって得られた圧延板即ち搭載基
板は、表２に示すように、ビッカース硬度が８０Ｈｖ以
上の剛性を有し、極めて緻密で、伸びが１５％以上であ
った。さらに、熱発生等の歪により変形が生じようとし
ても、その発生局部が伸びるためその歪を吸収するので
搭載基板に搭載されるＩＣチップに影響を及ぼす程のソ
リ等の変形は生じなかった。
混合物を有機バインダーとともに混練し、その混練物を
高密度、高粘度のスラリーにして０．５〜４ｍｍ厚、望
ましくは１〜１．５ｍｍ厚で押出し、脱バインダーして
焼結した後、２．５ｍｍ以下の焼結体では冷間圧延のみ
を施し、２．５ｍｍ以上の焼結体では熱間圧延後冷間圧
延を施すことで、搭載基板の表面にクボミ、欠け、シワ
がなく、さらに表面粗さの優れた基板材料を、極めて容
易に、しかも従来より大幅に安価にて製造し得ることを
見出した。この方法によって得られた圧延板即ち搭載基
板は、表２に示すように、ビッカース硬度が８０Ｈｖ以
上の剛性を有し、極めて緻密で、伸びが１５％以上であ
った。さらに、熱発生等の歪により変形が生じようとし
ても、その発生局部が伸びるためその歪を吸収するので
搭載基板に搭載されるＩＣチップに影響を及ぼす程のソ
リ等の変形は生じなかった。
【００１９】ここで、銅が４０重量％未満の場合には、
焼結が不充分で圧延によっても充分緻密なものが得られ
なかった。又、銅が９０重量％以上の場合には、銅その
ものの利用に比べて特性上の効果はあまり期待できず、
したがってモリブデンやタングステンを含む分だけ高価
となるだけで材料上の利点が得られないため意味がな
い。
焼結が不充分で圧延によっても充分緻密なものが得られ
なかった。又、銅が９０重量％以上の場合には、銅その
ものの利用に比べて特性上の効果はあまり期待できず、
したがってモリブデンやタングステンを含む分だけ高価
となるだけで材料上の利点が得られないため意味がな
い。
【００２０】以下に、上記方法により製造された搭載基
板の特性について述べる。図４、図５、表１〜表３は、
モリブデンに対する銅の重量％を４０重量％、６０重量
％、９０重量％、１００重量％の場合に、後ほど詳細に
説明する搭載基板を製造するための一連の工程、即ち、
混合工程、焼結工程、圧延工程等における条件を統一し
た場合の種々の特性を測定した結果を示している。銅の
重量％が４０重量％、６０重量％、９０重量％の場合に
は、いずれも、図４、図５、表１に示すように、密度に
おいては１０ｇ／ｃｍ3 以下で、ヤング率においては１
４０００ｋｇ／ｍｍ 2 以上で、熱伝導率においては２３
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となる。すなわち、この特性を有すれ
ば、熱発生があっても搭載基板に搭載される素子に影響
を及ぼす程のソリ等の変形が生じないということであ
る。
板の特性について述べる。図４、図５、表１〜表３は、
モリブデンに対する銅の重量％を４０重量％、６０重量
％、９０重量％、１００重量％の場合に、後ほど詳細に
説明する搭載基板を製造するための一連の工程、即ち、
混合工程、焼結工程、圧延工程等における条件を統一し
た場合の種々の特性を測定した結果を示している。銅の
重量％が４０重量％、６０重量％、９０重量％の場合に
は、いずれも、図４、図５、表１に示すように、密度に
おいては１０ｇ／ｃｍ3 以下で、ヤング率においては１
４０００ｋｇ／ｍｍ 2 以上で、熱伝導率においては２３
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となる。すなわち、この特性を有すれ
ば、熱発生があっても搭載基板に搭載される素子に影響
を及ぼす程のソリ等の変形が生じないということであ
る。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【表３】
【００２４】搭載基板の硬度については、表２に示すよ
うに、銅とモリブデンの混合物の場合、銅が４０重量％
のときはビッカース硬度が１８２、銅が６０重量％のと
きはビッカース硬度が１３２、銅が９０重量％のときは
ビッカース硬度が８５、銅が１００重量％のときはビッ
カース硬度が５０〜７０となり、いずれも高い剛性を有
することがわかる。尚、ビッカース硬度とは搭載基板の
剛性の指標となるものである。
うに、銅とモリブデンの混合物の場合、銅が４０重量％
のときはビッカース硬度が１８２、銅が６０重量％のと
きはビッカース硬度が１３２、銅が９０重量％のときは
ビッカース硬度が８５、銅が１００重量％のときはビッ
カース硬度が５０〜７０となり、いずれも高い剛性を有
することがわかる。尚、ビッカース硬度とは搭載基板の
剛性の指標となるものである。
【００２５】又、搭載基板の伸びについても、表３に示
すように、銅が４０重量％のときは１６．１％の伸び、
銅が６０重量％のときは２７．１％の伸び、銅が９０重
量％のときは４６．５％の伸び、銅が１００重量％のと
きは５４％の伸びとなり、いずれも伸びが１５％以上で
あり、極めて緻密であることがわかる。
すように、銅が４０重量％のときは１６．１％の伸び、
銅が６０重量％のときは２７．１％の伸び、銅が９０重
量％のときは４６．５％の伸び、銅が１００重量％のと
きは５４％の伸びとなり、いずれも伸びが１５％以上で
あり、極めて緻密であることがわかる。
【００２６】以上の特性を鑑みると、上記銅とモリブデ
ンの複合材料は、モリブデンよりも熱伝導率が高く、銅
よりも剛性があるため、車載用パワー半導体装置、いわ
ゆる熱サイクルの過酷でしかも振動のあるところに用い
られる半導体装置化すべき電気部品等への利用も期待で
きる。
ンの複合材料は、モリブデンよりも熱伝導率が高く、銅
よりも剛性があるため、車載用パワー半導体装置、いわ
ゆる熱サイクルの過酷でしかも振動のあるところに用い
られる半導体装置化すべき電気部品等への利用も期待で
きる。
【００２７】ここで、上記特性を得るための製造方法に
おいて特に重要な点は、所望する板厚に近い焼結素材を
高密度、高粘度のスラリーで押出して製造し、焼結後わ
ずかの圧延で仕上げる点にある。さらに、銅とモリブデ
ンの粉末に混練するバインダーには濡れ性の良いものを
選択することが重要である。銅、モリブデン混合粉末に
対して混練するバインダーとしては、種々検討した結
果、ソフトワックスに非イオン性界面活性剤を加えたバ
インダー（有機バインダー）が最適であることが認めら
れた。ソフトワックスに非イオン性界面活性剤を加えた
バインダーを用いて銅モリブデン粉末に混練した結果、
所望の焼結素材（グリーン体）を得ることができた。
おいて特に重要な点は、所望する板厚に近い焼結素材を
高密度、高粘度のスラリーで押出して製造し、焼結後わ
ずかの圧延で仕上げる点にある。さらに、銅とモリブデ
ンの粉末に混練するバインダーには濡れ性の良いものを
選択することが重要である。銅、モリブデン混合粉末に
対して混練するバインダーとしては、種々検討した結
果、ソフトワックスに非イオン性界面活性剤を加えたバ
インダー（有機バインダー）が最適であることが認めら
れた。ソフトワックスに非イオン性界面活性剤を加えた
バインダーを用いて銅モリブデン粉末に混練した結果、
所望の焼結素材（グリーン体）を得ることができた。
【００２８】具体的には、パラフィン系のソフトワック
スに非イオン性界面活性剤のＨＬＢ（親水性−親油性バ
ランス）の４−１２の値を示すものを添加したものであ
る。この場合、パラフィン系のソフトワックスとＨＬＢ
が４〜１２の値を示す非イオン性界面活性剤の両者の総
量は１３ｗｔ％以下にする必要がある。このバインダー
を用いた場合、グリーン体においては割れが生じないの
で、割れずにしかも残留炭素量の少ない押出しが可能と
なった。したがって、高密度で高粘度のスラリー押出し
が可能となり、焼結素材に近い板厚の製造を可能にし
た。
スに非イオン性界面活性剤のＨＬＢ（親水性−親油性バ
ランス）の４−１２の値を示すものを添加したものであ
る。この場合、パラフィン系のソフトワックスとＨＬＢ
が４〜１２の値を示す非イオン性界面活性剤の両者の総
量は１３ｗｔ％以下にする必要がある。このバインダー
を用いた場合、グリーン体においては割れが生じないの
で、割れずにしかも残留炭素量の少ない押出しが可能と
なった。したがって、高密度で高粘度のスラリー押出し
が可能となり、焼結素材に近い板厚の製造を可能にし
た。
【００２９】尚、ＨＬＢの値が４以下のものはベトベト
してしまい、１２を越えると吸湿性が高く管理運用が困
難であることが確認されている。
してしまい、１２を越えると吸湿性が高く管理運用が困
難であることが確認されている。
【００３０】又、セラミックの押出しでよく用いられる
メチルセルロース／プロピレングリコール／水の系のバ
インダーでは、工業生産上は機器の安全上有利であり、
押出し可能な条件ではあるものの、前記メチルセルロー
スが溶解しにくいため、乾燥・脱バインダーの安定性が
得られにくい。
メチルセルロース／プロピレングリコール／水の系のバ
インダーでは、工業生産上は機器の安全上有利であり、
押出し可能な条件ではあるものの、前記メチルセルロー
スが溶解しにくいため、乾燥・脱バインダーの安定性が
得られにくい。
【００３１】ここで、本発明に係る搭載基板の製造方法
について第１の実施例を説明する。粒径３μｍのモリブ
デンＭｏ粉２５００ｇに電解銅粉１６７０ｇ（銅４０重
量％に相当）をボール入りアトライターにてアルコール
湿式混合を２０時間実施した。次いでアルコールを脱液
・乾燥した後スクリュー式異回転双・腕型ニーダーにソ
フトワックス（融点１２０Ｆ）を４００ｇ、界面活性剤
エマルゲン９０３（市販品）１５ｇを混ぜ１０時間混練
した。その後、全量排出して、再びその混練物をニーダ
ーに装てんし、１０時間混練しグリーン体を得た。その
後、前記グリーン体を１．５ｍｍの板厚になるよう押出
し成形した。この成形体を５体積％のＨ2 −Ｎ2 ガス雰
囲気中で４００℃で脱バインダーした後、Ｈ2 中で１２
５０℃で１時間焼結した。
について第１の実施例を説明する。粒径３μｍのモリブ
デンＭｏ粉２５００ｇに電解銅粉１６７０ｇ（銅４０重
量％に相当）をボール入りアトライターにてアルコール
湿式混合を２０時間実施した。次いでアルコールを脱液
・乾燥した後スクリュー式異回転双・腕型ニーダーにソ
フトワックス（融点１２０Ｆ）を４００ｇ、界面活性剤
エマルゲン９０３（市販品）１５ｇを混ぜ１０時間混練
した。その後、全量排出して、再びその混練物をニーダ
ーに装てんし、１０時間混練しグリーン体を得た。その
後、前記グリーン体を１．５ｍｍの板厚になるよう押出
し成形した。この成形体を５体積％のＨ2 −Ｎ2 ガス雰
囲気中で４００℃で脱バインダーした後、Ｈ2 中で１２
５０℃で１時間焼結した。
【００３２】次に、その焼結体を圧下率１０％以下で冷
間圧延をし、その後９００℃×１５分アニールした後再
び圧下率１０％以下で冷間圧延を施こし、厚さ１．０ｍ
ｍの鏡面板を得た。得られた鏡面板を打抜きプレス加工
により一片２５ｍｍに切断して加工し、搭載基板を得
た。この搭載基板は、欠けがなく良好であった。この搭
載基板の面の粗さはＲａ０．３μｍであり、密度は９．
６ｇ／ｃｍ3 だった。物性を測定したところ、ビッカー
ス硬度１７８、伸び１５．５％、熱膨張係数９．３×１
０-6／Ｋ、熱伝導率２３５Ｗ／ｍ・Ｋ、ヤング率１９５
００ｋｇ／ｍｍ2であった。
間圧延をし、その後９００℃×１５分アニールした後再
び圧下率１０％以下で冷間圧延を施こし、厚さ１．０ｍ
ｍの鏡面板を得た。得られた鏡面板を打抜きプレス加工
により一片２５ｍｍに切断して加工し、搭載基板を得
た。この搭載基板は、欠けがなく良好であった。この搭
載基板の面の粗さはＲａ０．３μｍであり、密度は９．
６ｇ／ｃｍ3 だった。物性を測定したところ、ビッカー
ス硬度１７８、伸び１５．５％、熱膨張係数９．３×１
０-6／Ｋ、熱伝導率２３５Ｗ／ｍ・Ｋ、ヤング率１９５
００ｋｇ／ｍｍ2であった。
【００３３】次に本発明に係る搭載基板の製造方法につ
いて第２の実施例を説明する。第１の実施例と同様の方
法で、モリブデン粉末１５００ｇ、銅粉末３５００ｇ
（銅７０重量％に相当）、焼結助剤としてのニッケル
（Ｎｉ）５ｇを混合し、その混合物に上記バインダーを
混練し、グリーン体を得た。その後、前記グリーン体を
２．４ｍｍの板厚になるように押出し成形した。その
後、実施例１と同様な方法で脱バインダーをし、Ｈ2 中
で１０５０℃で１時間焼結した。この焼結体を８５０℃
で１５分間熱間圧延を施し、１．９８ｍｍの板厚にした
後、さらに冷間圧延を施し、１．８６ｍｍの板厚の鏡面
板を得た。
いて第２の実施例を説明する。第１の実施例と同様の方
法で、モリブデン粉末１５００ｇ、銅粉末３５００ｇ
（銅７０重量％に相当）、焼結助剤としてのニッケル
（Ｎｉ）５ｇを混合し、その混合物に上記バインダーを
混練し、グリーン体を得た。その後、前記グリーン体を
２．４ｍｍの板厚になるように押出し成形した。その
後、実施例１と同様な方法で脱バインダーをし、Ｈ2 中
で１０５０℃で１時間焼結した。この焼結体を８５０℃
で１５分間熱間圧延を施し、１．９８ｍｍの板厚にした
後、さらに冷間圧延を施し、１．８６ｍｍの板厚の鏡面
板を得た。
【００３４】次に、温間サイジング機を３５０℃にセッ
トして０．２ｍｍの溝（四角）加工を施した結果、図２
に示すように、溝の段部に欠け、割れのない板厚が１．
８ｍｍで、良好な外観の搭載基板が得られた。最終的に
はスリッターによって搭載基板の一片が１００ｍｍとな
るように切り出して仕上げた。尚、この搭載基板を含ん
だ半導体装置は図３に示すようになる。
トして０．２ｍｍの溝（四角）加工を施した結果、図２
に示すように、溝の段部に欠け、割れのない板厚が１．
８ｍｍで、良好な外観の搭載基板が得られた。最終的に
はスリッターによって搭載基板の一片が１００ｍｍとな
るように切り出して仕上げた。尚、この搭載基板を含ん
だ半導体装置は図３に示すようになる。
【００３５】この半導体モジュール用の搭載基板の特性
は密度９．３ｇ／ｃｍ3 、ビッカース硬度１２５、伸び
２５．０％、熱膨張係数１３．８×１０-6／Ｋ、熱伝導
率２６０Ｗ／ｍ・Ｋ、ヤング率１６０００ｋｇ／ｍｍ2
であった。尚、銅とモリブデンのみの組成で板厚を１ｍ
ｍにしたものについては、ビッカース硬度１２２、熱伝
導率３００Ｗ／ｍ・Ｋであった。
は密度９．３ｇ／ｃｍ3 、ビッカース硬度１２５、伸び
２５．０％、熱膨張係数１３．８×１０-6／Ｋ、熱伝導
率２６０Ｗ／ｍ・Ｋ、ヤング率１６０００ｋｇ／ｍｍ2
であった。尚、銅とモリブデンのみの組成で板厚を１ｍ
ｍにしたものについては、ビッカース硬度１２２、熱伝
導率３００Ｗ／ｍ・Ｋであった。
【００３６】又、実際に一片１００ｍｍの長さに対する
ソリを測ったところ２０μｍであり、純銅のものと比べ
て小さく良好なものであった。
ソリを測ったところ２０μｍであり、純銅のものと比べ
て小さく良好なものであった。
【００３７】次に本発明に係る搭載基板の製造方法につ
いて第３の実施例を説明する。第１の実施例と同様の方
法で、モリブデン粉末３０００ｇ、電解銅粉末２０００
ｇ（銅４０重量％に相当）を混合し、その混合物に上記
バインダーを混練し、グリーン体を得た。その後、前記
グリーン体を２．５ｍｍの板厚になるように押出し成形
した。その後、実施例１と同様な方法で脱バインダーを
し、Ｈ2 中で１２５０℃で１時間焼結した。この焼結素
材を９００℃で１５分間加熱した後、その焼結体を圧下
率１０％以下で熱間圧延を施し、さらに加熱、圧延を繰
り返し、板厚１．０ｍｍに仕上げた。その後、還元性雰
囲気において８５０℃で２０分間アニールした後、冷間
圧延により厚み０．５ｍｍの鏡面体を得た。得られた鏡
面板を打抜きプレス加工により一片２５ｍｍに切断して
加工し、搭載基板を得た。この搭載基板は、欠けがなく
良好であった。又、この搭載基板の面の粗さはＲａ０．
３μｍであり、密度は９．６ｇ／ｃｍ3 だった。物性を
測定したところ、ビッカース硬度１８２、伸び１５％、
熱膨張係数９．１×１０-6／Ｋ、熱伝導率２３０Ｗ／ｍ
・Ｋ、ヤング率１９０００ｋｇ／ｍｍ2 であった。
いて第３の実施例を説明する。第１の実施例と同様の方
法で、モリブデン粉末３０００ｇ、電解銅粉末２０００
ｇ（銅４０重量％に相当）を混合し、その混合物に上記
バインダーを混練し、グリーン体を得た。その後、前記
グリーン体を２．５ｍｍの板厚になるように押出し成形
した。その後、実施例１と同様な方法で脱バインダーを
し、Ｈ2 中で１２５０℃で１時間焼結した。この焼結素
材を９００℃で１５分間加熱した後、その焼結体を圧下
率１０％以下で熱間圧延を施し、さらに加熱、圧延を繰
り返し、板厚１．０ｍｍに仕上げた。その後、還元性雰
囲気において８５０℃で２０分間アニールした後、冷間
圧延により厚み０．５ｍｍの鏡面体を得た。得られた鏡
面板を打抜きプレス加工により一片２５ｍｍに切断して
加工し、搭載基板を得た。この搭載基板は、欠けがなく
良好であった。又、この搭載基板の面の粗さはＲａ０．
３μｍであり、密度は９．６ｇ／ｃｍ3 だった。物性を
測定したところ、ビッカース硬度１８２、伸び１５％、
熱膨張係数９．１×１０-6／Ｋ、熱伝導率２３０Ｗ／ｍ
・Ｋ、ヤング率１９０００ｋｇ／ｍｍ2 であった。
【００３８】次に本発明に係る搭載基板の製造方法につ
いて第４の実施例を説明する。第１の実施例と同様の方
法で、モリブデン粉末１５００ｇ、電解銅粉末３５００
ｇ（銅７０重量％に相当）を混合し、その混合物に上記
バインダーを混練し、グリーン体を得た。その後、前記
グリーン体を２．５ｍｍの板厚になるように押出し成形
した。その後、実施例１と同様な方法で脱バインダーを
し、Ｈ2 中で１０７０℃で１時間焼結した。この焼結素
材を８５０℃で１５分間加熱した後、その焼結体を圧下
率１０％以下で熱間圧延を施し、さらに加熱、圧延を繰
り返し、板厚１．０ｍｍに仕上げた。その後、還元性雰
囲気において８５０℃で２０分間アニールした後、冷間
圧延により厚み０．５ｍｍの鏡面体を得た。得られた鏡
面板を打抜きプレス加工により一片６ｍｍに切断して加
工し、搭載基板を得た。この搭載基板は、欠けがなく良
好であった。又、この搭載基板の面の粗さはＲａ０．３
μｍであり、密度は９．３ｇ／ｃｍ3 だった。物性を測
定したところ、ビッカース硬度１２２、伸び２８％、熱
膨張係数１３．６×１０-6／Ｋ、熱伝導率２９８Ｗ／ｍ
・Ｋ、ヤング率１５５００ｋｇ／ｍｍ2 であった。
いて第４の実施例を説明する。第１の実施例と同様の方
法で、モリブデン粉末１５００ｇ、電解銅粉末３５００
ｇ（銅７０重量％に相当）を混合し、その混合物に上記
バインダーを混練し、グリーン体を得た。その後、前記
グリーン体を２．５ｍｍの板厚になるように押出し成形
した。その後、実施例１と同様な方法で脱バインダーを
し、Ｈ2 中で１０７０℃で１時間焼結した。この焼結素
材を８５０℃で１５分間加熱した後、その焼結体を圧下
率１０％以下で熱間圧延を施し、さらに加熱、圧延を繰
り返し、板厚１．０ｍｍに仕上げた。その後、還元性雰
囲気において８５０℃で２０分間アニールした後、冷間
圧延により厚み０．５ｍｍの鏡面体を得た。得られた鏡
面板を打抜きプレス加工により一片６ｍｍに切断して加
工し、搭載基板を得た。この搭載基板は、欠けがなく良
好であった。又、この搭載基板の面の粗さはＲａ０．３
μｍであり、密度は９．３ｇ／ｃｍ3 だった。物性を測
定したところ、ビッカース硬度１２２、伸び２８％、熱
膨張係数１３．６×１０-6／Ｋ、熱伝導率２９８Ｗ／ｍ
・Ｋ、ヤング率１５５００ｋｇ／ｍｍ2 であった。
【００３９】尚、上記実施例における焼結温度の範囲
は、１０００℃〜１４００℃、望ましくは１０５０℃〜
１３００℃である。これは、１０００℃以下では完成品
である搭載基板の緻密化が図れず、１４００℃を越える
と銅の溶出が急増し、炉内の汚染がひどくなり、上記特
性の搭載基板は得られないからである。
は、１０００℃〜１４００℃、望ましくは１０５０℃〜
１３００℃である。これは、１０００℃以下では完成品
である搭載基板の緻密化が図れず、１４００℃を越える
と銅の溶出が急増し、炉内の汚染がひどくなり、上記特
性の搭載基板は得られないからである。
【００４０】又、銅とモリブデンの湿式混合する時間は
５〜４０時間が望ましく、次の混練時間は１〜１０時間
が望ましい。
５〜４０時間が望ましく、次の混練時間は１〜１０時間
が望ましい。
【００４１】又、上記実施例は銅粉末とモリブデン粉末
との混合によるものであるが、銅粉末とタングステン粉
末との混合によるものでも上記特性に近似した特性が得
られる。
との混合によるものであるが、銅粉末とタングステン粉
末との混合によるものでも上記特性に近似した特性が得
られる。
【００４２】尚、上記実施例により得られたこの材料
は、打抜き加工が可能なため図１に示されるリード端子
３にも用いることが可能である。この場合、上記特性を
有するリード端子３は、剛性を有しているため、従来の
銅によるリード端子と比較して外部からの衝撃に対して
強い。又、搭載基板及びリード線が同質材料であるた
め、半導体モジュールの製造において、打ち抜き加工前
まで同一の工程で処理できる利点がある。
は、打抜き加工が可能なため図１に示されるリード端子
３にも用いることが可能である。この場合、上記特性を
有するリード端子３は、剛性を有しているため、従来の
銅によるリード端子と比較して外部からの衝撃に対して
強い。又、搭載基板及びリード線が同質材料であるた
め、半導体モジュールの製造において、打ち抜き加工前
まで同一の工程で処理できる利点がある。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体部品としての搭
載基板が、熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、密度１０ｇ
／ｃｍ3 以下、ヤング率１４，０００ｋｇ／ｍｍ2 以
上、伸びが１５％以上、ビッカース硬度が８０以上の特
性を有しているので、面積が非常に大きく、複数の素子
を搭載する搭載基板に高い熱が与えられてもソリ等の変
形が生じず、しかも軽量化及び低価格化を図ることがで
き、しかも加工性の向上も図ることができる。
載基板が、熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、密度１０ｇ
／ｃｍ3 以下、ヤング率１４，０００ｋｇ／ｍｍ2 以
上、伸びが１５％以上、ビッカース硬度が８０以上の特
性を有しているので、面積が非常に大きく、複数の素子
を搭載する搭載基板に高い熱が与えられてもソリ等の変
形が生じず、しかも軽量化及び低価格化を図ることがで
き、しかも加工性の向上も図ることができる。
【００４４】又、半導体部品としてのリード端子に発明
に係る製造方法によって得られた材料を用いた場合、外
部からの衝撃に対して強い剛性を有し、半導体装置の信
頼性を向上することができ、半導体装置の製造におい
て、打ち抜き加工前まで同一の工程で処理できる利点が
ある。
に係る製造方法によって得られた材料を用いた場合、外
部からの衝撃に対して強い剛性を有し、半導体装置の信
頼性を向上することができ、半導体装置の製造におい
て、打ち抜き加工前まで同一の工程で処理できる利点が
ある。
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】図２（ａ）は本発明に係る搭載基板の構造を示
す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の搭載基板の
断面図である。
す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の搭載基板の
断面図である。
【図３】図２に示した搭載基板を含む半導体装置の一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図４】本発明に係るの搭載基板の原料である銅の重量
％に対するその密度を表すグラフである。
％に対するその密度を表すグラフである。
【図５】図５（ａ）は、本発明に係る搭載基板の銅の重
量％に対するその熱膨脹係数を表すグラフであり、図５
（ｂ）は、本発明に係る搭載基板の銅の重量％に対する
その熱伝導率を表したグラフである。
量％に対するその熱膨脹係数を表すグラフであり、図５
（ｂ）は、本発明に係る搭載基板の銅の重量％に対する
その熱伝導率を表したグラフである。
【図６】図６（ａ）は、密度及び熱伝導率から見た種々
の放熱材料を示す図であり、図６（ｂ）は、密度及び熱
膨脹係数から見た種々の放熱材料を示す図である。
の放熱材料を示す図であり、図６（ｂ）は、密度及び熱
膨脹係数から見た種々の放熱材料を示す図である。
１ ＩＣチップ ２ リード線 ３ リード端子 ４ 絶縁材料 ５ リードフレーム ６ 搭載基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−180534（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−333265（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−153878（ＪＰ，Ａ) 特許2717895（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B22F 3/00 - 3/26 H01L 23/12 - 23/14 H01L 23/373
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するための手段とし
て、モリブデン又はタングステンによる第１の金属と銅
による第２の金属とからなる半導体部品を含む半導体装
置において、前記第２の金属が４０重量％以上であっ
て、前記半導体部品が、熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ以
上、密度１０ｇ／ｃｍ3 以下、ヤング率１４，０００ｋ
ｇ／ｍｍ2 以上の特性を有し、その半導体部品に３００
℃以上で温間プレス加工を施すことによって、前記半導
体部品が基板部と該基板部の板面から突出する突出部と
からなる段付き形状を呈するように形成されていること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、前
記半導体部品は、ビッカース硬度が８０以上の剛性を有
し、伸びが１５％以上を併せ持つことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項３】 前記第１の金属と前記第２の金属とを混
合すると共に有機バインダーを混練し、押出し成形によ
り前記半導体部品用の焼結素材を得ることを特徴とする
請求項１又は２記載の半導体部品の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の製造方法で焼結素材を製
造後、該焼結素材を焼結し、その焼結体に冷間圧延を施
すか又は熱間圧延及び冷間圧延を施すことにより製造さ
れることを特徴とする半導体部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5730694A JP3194118B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-28 | 半導体装置及びその半導体装置に用いられる半導体部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4581994 | 1994-03-16 | ||
| JP6-45819 | 1994-03-16 | ||
| JP5730694A JP3194118B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-28 | 半導体装置及びその半導体装置に用いられる半導体部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307422A JPH07307422A (ja) | 1995-11-21 |
| JP3194118B2 true JP3194118B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=26385901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5730694A Expired - Fee Related JP3194118B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-28 | 半導体装置及びその半導体装置に用いられる半導体部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3194118B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4579436B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2010-11-10 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換モジュール |
| JP2007223036A (ja) * | 2007-03-26 | 2007-09-06 | Allied Material Corp | Ｃｕ−Ｗパイプとその製造方法及びそれを用いた放電加工用パイプ電極とその製造方法 |
-
1994
- 1994-03-28 JP JP5730694A patent/JP3194118B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07307422A (ja) | 1995-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2377839A1 (en) | Silicon nitride substrate manufacturing method, silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate, and semiconductor module | |
| JP3115238B2 (ja) | 窒化けい素回路基板 | |
| US6271585B1 (en) | Heat sink substrate consisting essentially of copper and molybdenum and method of manufacturing the same | |
| KR100496600B1 (ko) | 소결체및그제조방법 | |
| JP4360061B2 (ja) | 半導体装置用部材およびそれを用いた半導体装置 | |
| WO2013008920A1 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH09157054A (ja) | 回路基板 | |
| JPH1093211A (ja) | 窒化けい素回路基板 | |
| JP2939444B2 (ja) | 多層窒化けい素回路基板 | |
| JP4404602B2 (ja) | セラミックス−金属複合体およびこれを用いた高熱伝導放熱用基板 | |
| JP3194118B2 (ja) | 半導体装置及びその半導体装置に用いられる半導体部品の製造方法 | |
| JP3548991B2 (ja) | 放熱基板及びその製造方法 | |
| WO2004038049A1 (ja) | 複合材料、その製造方法およびそれを用いた部材 | |
| JP2000297301A (ja) | 炭化珪素系複合材料とその粉末およびそれらの製造方法 | |
| JP2704932B2 (ja) | 放熱基板およびその製造方法ならびに半導体装置 | |
| JP2003192462A (ja) | 窒化珪素回路基板およびその製造方法 | |
| JP2000026926A (ja) | リードフレーム用複合材とそれを用いた半導体パッケージ | |
| JP4244210B2 (ja) | アルミニウム−セラミックス複合体及びその製造方法 | |
| JP3482580B2 (ja) | 高放熱性金属複合板材及びそれを用いた高放熱性金属基板 | |
| JP2677748B2 (ja) | セラミックス銅回路基板 | |
| JP2967065B2 (ja) | 半導体モジュール | |
| JPH0336305B2 (ja) | ||
| JP2810873B2 (ja) | 半導体素子の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方法 | |
| JP3180100B2 (ja) | 半導体モジュール | |
| JP2000192168A (ja) | 炭化珪素系複合材料およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010425 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |