[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2697447B2 - Laser ablation processing method and electronic device - Google Patents

Laser ablation processing method and electronic device

Info

Publication number
JP2697447B2
JP2697447B2 JP4006106A JP610692A JP2697447B2 JP 2697447 B2 JP2697447 B2 JP 2697447B2 JP 4006106 A JP4006106 A JP 4006106A JP 610692 A JP610692 A JP 610692A JP 2697447 B2 JP2697447 B2 JP 2697447B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
soot
processing
laser
laser ablation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4006106A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH05185269A (en
Inventor
康男 山岸
俊明 成沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP4006106A priority Critical patent/JP2697447B2/en
Publication of JPH05185269A publication Critical patent/JPH05185269A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2697447B2 publication Critical patent/JP2697447B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はポリマを層間絶縁膜とす
る多層配線基板にビアを形成する際に使用するレーザア
ブレーション加工方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser ablation processing method used for forming a via in a multilayer wiring board using a polymer as an interlayer insulating film.

【0002】近年, 新しい加工技術としてエキシマレー
ザによるアブレーション(Ablation)加工が注目されてい
る。エキシマレーザとはアルゴン(Ar)やクリプトン(Kr)
などの希ガスと弗素(F)や塩素(Cl)などハロゲンとの
励起子を利用したガスレーザであって、高強度の紫外線
を発振すると云う特徴がある。
In recent years, attention has been paid to ablation processing using excimer laser as a new processing technique. Excimer laser is argon (Ar) or krypton (Kr)
Is a gas laser using an exciton of a rare gas such as fluorine and halogen such as fluorine (F) and chlorine (Cl), and has a feature of oscillating high-intensity ultraviolet light.

【0003】こゝで、通常の有機物は紫外域に強い吸収
があるためにエキシマレーザ光のような強い (〜100MW/
cm2) 光パルスを照射すると一瞬のうちに化学結合が破
壊され表面層が蒸発する。
[0003] Here, ordinary organic substances have strong absorption in the ultraviolet region, and therefore have strong intensity (~ 100 MW /
cm 2 ) Irradiation of a light pulse instantly destroys chemical bonds and evaporates the surface layer.

【0004】この現象をアブレーションと言い、レーザ
アブレーション加工はこの現象を利用したものでであ
る。こゝで、エキシマレーザを構成する希ガスとハロゲ
ンの組み合わせは多数あるが,材料加工でよく検討され
るのは弗化クリプトン(KrF, 波長248 nm) 、塩化クセノ
ン(XeCl,波長308 nm)、弗化アルゴン(ArF, 波長193 nm)
などである。
[0004] This phenomenon is called ablation, and laser ablation processing utilizes this phenomenon. Here, there are many combinations of rare gases and halogens that make up the excimer laser, but the materials that are often studied are krypton fluoride (KrF, wavelength 248 nm), xenon chloride (XeCl, wavelength 308 nm), Argon fluoride (ArF, wavelength 193 nm)
And so on.

【0005】さて、レーザ加工としては従来よりイット
ニウム・アルミニウム・ガーネットレーザ( 略称YAG レ
ーザ, 波長1.06μm ) や炭酸ガスレーザ(CO2レーザ, 波
長10.6μm )のようなレーザを用い、赤外線の熱エネル
ギーを利用した加工が行われている。
[0005] Conventionally, a laser such as an yttrium aluminum garnet laser (abbreviated as YAG laser, wavelength of 1.06 μm) or a carbon dioxide laser (CO 2 laser, wavelength of 10.6 μm) has been used for laser processing, and thermal energy of infrared rays has been used. Processing using is performed.

【0006】然し、このような加工では周囲への熱的損
傷が大きい。また、ビームを絞って加工を行うが、赤外
線であるためにスポット径を小さくすることが難しく,
また点加工であるためスループットの観点からも広い面
積に亙って微細加工を行うには適さないと云う問題があ
る。
[0006] However, in such processing, thermal damage to the surroundings is large. In addition, processing is performed by narrowing the beam, but it is difficult to reduce the spot diameter because it is infrared rays,
In addition, since the point processing is performed, there is a problem that it is not suitable for performing fine processing over a large area from the viewpoint of throughput.

【0007】これに対してエキシマレーザは光で化学結
合を分解する過程を主に利用することから加工断面の仕
上がりがシャープであり、また、10mm2 程度の比較的広
い面積を一括して加工できるため、マスク露光を行うこ
とで微細パターンを容易にうることができる。(T.A.Zno
tins他:Laser Focus, May 54,1987, 石坂: 応用機械光
学1990年 9月号 など) 。
On the other hand, since the excimer laser mainly uses the process of decomposing chemical bonds by light, the finished cross section is sharp, and a relatively large area of about 10 mm 2 can be collectively processed. Therefore, a fine pattern can be easily obtained by performing the mask exposure. (TAZno
tins et al .: Laser Focus, May 54, 1987, Ishizaka: Applied Mechanical Optics September 1990).

【0008】なお、エキシマレーザを用いて金属, セラ
ミックの加工やマーキングなども可能であるが,ポリマ
の加工に最も威力を発揮しており、ポリイミドなど難加
工性ポリマへの適用が盛んに検討されている。
[0008] It is possible to process and mark metals and ceramics using an excimer laser, but it is most effective in processing polymers, and its application to difficult-to-process polymers such as polyimide has been actively studied. ing.

【0009】[0009]

【従来の技術】エキシマレーザアブレーション加工の有
用性が注目されている分野に,多層配線基板の層間接続
用のビア(Via)形成がある。
2. Description of the Related Art Via excimer laser ablation has been attracting attention in fields where vias for interlayer connection of multilayer wiring boards are formed.

【0010】すなわち、電子部品の高密度実装を行うた
めに回路基板は配線パターンの微細化と多層化が行われ
ているが、多層化法として一層づつ配線層を積み上げて
いく薄膜法が注目されている。
[0010] That is, in order to perform high-density mounting of electronic parts, circuit boards are miniaturized and multilayered in wiring patterns. As a multilayering method, a thin film method in which wiring layers are stacked one by one attracts attention. ing.

【0011】こゝで、薄膜法が高密度実装に適すること
は以前から知られていたが、実際に適用されることが少
なかった理由としては層間の接続を行うためのビアホー
ル形成の困難さを挙げることができる。
Here, it has long been known that the thin film method is suitable for high-density mounting. However, the reason that the thin film method is rarely applied is that it is difficult to form a via hole for connection between layers. Can be mentioned.

【0012】なお、層間絶縁層の形成材料としては、半
田耐熱の必要から耐熱性が優れたポリイミドが工業的に
利用されている。然し、薄膜法と云うものゝ、多層回路
基板における絶縁膜の厚さは数10μmと半導体において
使用されている二酸化硅素膜(SiO2膜)や窒化硅素膜
(Si3N4 膜) などに較べると1桁以上厚いため,ポリイ
ミドのような難加工性の材料に対して微細な穴を確実
に、かつ簡便なプロセスで形成することが困難であっ
た。
As a material for forming the interlayer insulating layer, polyimide having excellent heat resistance is industrially used because of the need for solder heat resistance. However, the thickness of the insulating film on the multilayer circuit board is several tens of μm, which is smaller than that of the silicon dioxide film (SiO 2 film) or silicon nitride film (Si 3 N 4 film) used in semiconductors. Therefore, it is difficult to reliably form a fine hole in a difficult-to-process material such as polyimide by a simple process.

【0013】例えば,感光性ポリイミド膜に選択露光を
行った後にエッチングしてパターン形成を行うプロセス
においては、光がポリイミド膜の下部まで浸透しにくい
という問題がある。
For example, in a process in which a photosensitive polyimide film is selectively exposed to light and then etched to form a pattern, there is a problem that light hardly penetrates to a lower portion of the polyimide film.

【0014】また、溶剤を用いるウエットエッチングに
おいては膨潤による解像度の低下のためにアスペクト比
(膜厚/穴径)が1/3 程度までしか微細化できず、また
穴の断面形状も逆テーパー状になるという問題がある。
Further, in wet etching using a solvent, the aspect ratio (film thickness / hole diameter) can be reduced to only about 1/3 due to a reduction in resolution due to swelling, and the cross-sectional shape of the hole is inversely tapered. Problem.

【0015】また、膜上にレジスト層を形成し写真蝕刻
技術(フォトリソグラフィ)を用いてドライエッチング
する場合にはより微細な穴を形成できるものゝ、プロセ
スが煩雑であり、またポリイミドに適し、選択比の大き
いレジストを見出すのが困難である。
In the case where a resist layer is formed on the film and dry etching is performed using photolithography (photolithography), finer holes can be formed. The process is complicated and suitable for polyimide. It is difficult to find a resist with a high selectivity.

【0016】これに対し、エキシマレーザによるアブレ
ーション加工においては, マスクに忠実で形状の良いビ
アを露光のみのプロセスで形成できるために、このビア
形成技術は難加工性の膜に適した方法として注目されて
いる。
On the other hand, in ablation processing using an excimer laser, a via having a good shape and faithful to a mask can be formed by an exposure-only process. Therefore, this via formation technique has attracted attention as a method suitable for a film having difficulty in processing. Have been.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】エキシマレーザを用
い、ポリイミドなどのポリマにビア形成を行う場合の問
題点として加工周辺部への煤の付着がある。
A problem in forming vias in a polymer such as polyimide using an excimer laser is the adhesion of soot to the periphery of the processing.

【0018】すなわち、エキシマレーザ光により化学結
合が破壊されたポリマーは低分子量の破片となってガス
化するが、ガスの温度が下がると通常の燃焼時と同様に
一部は煤となって加工部の周辺に付着する。
That is, the polymer in which the chemical bond is broken by the excimer laser light is gasified as low-molecular-weight fragments, but when the temperature of the gas decreases, a part of the polymer becomes soot as in the case of normal combustion. Adheres around the part.

【0019】このような煤は外観を損なうだけでなく、
配線基板では表面の絶縁抵抗を低下させる。こゝで、付
着した煤の殆どはアルコールなどの低表面張力の液に漬
けて超音波洗浄することで除去できるものゝ、通常の浸
漬洗浄のみでは完全に除去することは困難であり、付着
部分の黒ずみが残ってしまうと云う問題がある。
Such soot not only impairs the appearance, but also
In a wiring board, the insulation resistance on the surface is reduced. Here, most of the soot that has adhered can be removed by immersing it in a low surface tension liquid such as alcohol and ultrasonically cleaning it. However, it is difficult to completely remove it by ordinary immersion cleaning alone. There is a problem that the darkening remains.

【0020】また、液を含ませたスポンジローラなどで
拭取った場合、加工部周辺に付着した煤は除去できるも
のゝ、煤が加工した穴に入り込むと云う問題がある。ま
た、煤を除去する代わりにヘリウム(He)ガス雰囲気中で
加工することで煤の発生を抑制する方法も知られている
(石坂: 応用機械光学1990年 9月号) 。
Further, when wiping with a sponge roller or the like impregnated with a liquid, there is a problem that soot adhering around the processed portion can be removed, but soot enters the processed hole. Also known is a method of suppressing soot generation by processing in a helium (He) gas atmosphere instead of removing soot.
(Ishizaka: Applied Mechanical Optics September 1990).

【0021】然し、煤の付着許容量は用途によって異な
るし、発生量も材料の種類や加工条件に依存するため、
Heガス中での加工により煤の問題を完全に解決するのは
困難である。
However, the allowable amount of soot adhesion varies depending on the application, and the amount generated depends on the type of material and processing conditions.
It is difficult to completely solve the soot problem by processing in He gas.

【0022】また、高価なHeガスを使用したり、ガスチ
ャンバ中で加工する必要があるなど、コストが高くなる
という問題がある。
Further, there is a problem that the cost is high, for example, an expensive He gas is used, or it is necessary to perform processing in a gas chamber.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】上記の課題は、水に不溶
な有機ポリマ膜からなる被加工材料に、水に可溶な異質
の有機ポリマ膜からなる塗膜を被覆した後アブレーショ
ン加工を行い、 次いで、前記被膜を溶解除去し、同時に
アブレーション煤を除去するレーザアブレーション加工
方法と、 水に不溶な有機ポリマ膜が、多層配線基板の層
間絶縁層であり、レーザアブレーション加工によって層
間接続用のビアホールが形成されることによって解決す
ることができる。
An object of the present invention is to solve the above problem by insoluble in water.
Water-soluble foreign materials in the processing material consisting of a simple organic polymer film
Abrasion after coating with organic polymer film
Performs down processing, then dissolve and remove the film, at the same time
Laser ablation processing to remove ablation soot
The method and the water-insoluble organic polymer film are
Inter-layer insulation layer, which is formed by laser ablation
The problem can be solved by forming via holes for connection .

【0024】[0024]

【作用】エキシマレーザアブレーションにおいては、レ
ーザ照射が行われた位置には煤は残らず,照射位置の近
傍で光の照射が無かったか、或いは照射されても強度が
弱かった位置にのみ煤が付着する。
[Function] In excimer laser ablation, soot does not remain at the position where laser irradiation is performed, and soot adheres only to a position where light irradiation was not present near the irradiation position or where the intensity was low even if irradiation was performed. I do.

【0025】図2は薄膜法による多層配線基板の製造工
程を示す断面図である。すなわち、厚膜ペーストなどを
用いて第1のビア1が形成してあるセラミック回路基板
2の上に、スピンコート法などの方法によりポリイミド
のように難加工性の第1のポリマ膜3を形成し、これに
レーザ照射によるアブレーション加工によりビアホール
を形成した後、真空蒸着法などにより配線形成用の金属
を膜形成し、写真蝕刻技術により配線4と第2のビア5
を形成する。
FIG. 2 is a sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board by a thin film method. That is, the first polymer film 3 which is difficult to process, such as polyimide, is formed on the ceramic circuit board 2 on which the first via 1 is formed using a thick film paste or the like by a method such as spin coating. After forming a via hole by ablation processing by laser irradiation, a metal for forming a wiring is formed by a vacuum deposition method or the like, and the wiring 4 and the second via 5 are formed by a photolithography technique.
To form

【0026】次に、この上にスピンコート法などにより
第2のポリマ膜6を形成して層間絶縁を行い、レーザ照
射によるアブレーション加工によりビアホール7を形成
し、先と同様な工程を繰り返すことにより多層回路基板
が形成されてゆくが、例えばアブレーション加工により
ビアホール7を形成する段階でビアホール7の上の周辺
に煤8が付着する。
Next, a second polymer film 6 is formed thereon by spin coating or the like to perform interlayer insulation, a via hole 7 is formed by ablation processing by laser irradiation, and the same steps as above are repeated. As the multilayer circuit board is formed, soot 8 adheres to the periphery of the via hole 7 at the stage of forming the via hole 7 by, for example, ablation processing.

【0027】こゝで、ビアホール7の内面や下に露出し
ている配線4に煤が付着しても、次の光パルス照射で除
去されるために煤の残留は起こらず、ビアホール7の周
囲の表面上にのみに残留する。
Here, even if soot adheres to the wiring 4 exposed inside or below the via hole 7, the soot does not remain because it is removed by the next light pulse irradiation. Remains only on the surface of

【0028】本発明は被加工材料の表面上に別種の薄膜
を形成しておき、加工終了後にこの膜を煤と共に除去す
ることにより煤のないポリマ膜を得るものである。 図
1は本発明の原理図である。
According to the present invention, a soot-free polymer film is obtained by forming another kind of thin film on the surface of a material to be processed and removing the film together with soot after the processing. FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【0029】すなわち、被処理基板10の上に難加工性の
ポリマ膜11を被覆した後、レーザアブレーション加工に
よりビアホールを形成するに当たり、先ず、ポリマ膜11
の上に別種の薄いポリマ膜12を形成する。( 以上同図
A) 次に、この別種の薄いポリマ膜12とポリマ膜11にレーザ
照射を行ってアブレーション加工を行い、ビアホール13
を形成するが、この際、別種の薄いポリマ膜12の上には
煤14が付着している。( 以上同図B) 次に、別種の薄いポリマ膜12を剥離あるいは溶解除去す
ることにより煤の付着のないポリマ膜11を得ることがで
きる。( 以上同図C) こゝで、ポリマ膜上への異種薄膜の形成と除去方法とし
ては,マスキングテープのような粘着性のフィルムを貼
ってから加工し、加工後に剥がす粘着フィルム法があ
る。
That is, after coating the difficult-to-process polymer film 11 on the substrate 10 to be processed, when forming a via hole by laser ablation processing, first, the polymer film 11 is formed.
A thin polymer film 12 of another kind is formed thereon. (A in the same figure as above) Next, the thin polymer film 12 and the polymer film 11 are irradiated with a laser to perform ablation, thereby forming a via hole 13.
At this time, soot 14 adheres to another kind of thin polymer film 12. Next, another kind of thin polymer film 12 is peeled or dissolved and removed to obtain a polymer film 11 free of soot. Here, as a method of forming and removing a different kind of thin film on the polymer film, there is an adhesive film method in which an adhesive film such as a masking tape is applied, processed, and then peeled off after the processing.

【0030】また、ポリマ膜上への異種の膜を塗布して
から加工し、その後に膜を水や溶剤で溶かす塗膜溶解法
がある。こゝで、粘着フィルム法はポリマを液体に浸漬
することなく極めて確実に煤を除去できるが、粘着フィ
ルム自体に穴を開ける時間が余計にかゝると云う問題が
ある。
Further, there is a coating film dissolving method in which a different kind of film is coated on a polymer film, processed, and then the film is dissolved with water or a solvent. Here, the adhesive film method can remove soot very surely without immersing the polymer in the liquid, but has a problem that it takes extra time to make a hole in the adhesive film itself.

【0031】また、フィルムの厚さは取扱い性や粘着層
の厚さを考慮すると20〜30μmは必要であまり薄くはで
きない。そのため、ポリマの加工深さがフィルム厚に比
較して充分深い場合は問題にならないが,加工深さが浅
い場合には加工時間の大半が別種ポリマの加工に費やさ
れるため不経済である。
The thickness of the film is required to be 20 to 30 μm in consideration of the handleability and the thickness of the adhesive layer, and cannot be made too thin. Therefore, there is no problem if the processing depth of the polymer is sufficiently deep compared to the film thickness, but if the processing depth is shallow, most of the processing time is spent on processing of another polymer, which is uneconomical.

【0032】次に、塗膜溶解法は皮膜を極めて薄くでき
ることから、皮膜の形成による加工時間のロスを非常に
小さくすることができる。また、厚い粘着フィルムの場
合はフィルム自体をアブレーションする必要があり、そ
のため、レーザ光を良く吸収する材料が必要となるが、
薄い塗膜の場合はポリマがアブレーションされる際の噴
射圧で塗膜が除去されるため、ポリビニルアルコールの
ように紫外線に対する吸収が比較的小さい材料でも使用
することができる。
Next, since the coating film dissolution method can make the film extremely thin, the loss of processing time due to the formation of the film can be extremely reduced. In the case of a thick adhesive film, it is necessary to ablate the film itself, and therefore, a material that absorbs laser light well is required,
In the case of a thin coating film, since the coating film is removed by the jet pressure at which the polymer is ablated, a material such as polyvinyl alcohol having a relatively small absorption for ultraviolet light can be used.

【0033】なお、塗膜溶解法ではアブレーション加工
するポリマに損傷を与えない溶剤に対して溶解する材料
であれば皮膜形成材料として使用することができる。こ
ゝで、どのような溶剤や塗膜材料を用いるかはアブレー
ション加工するポリマの材質によるが、一般にレーザア
ブレーションはポリイミドやフッ素樹脂, 熱硬化樹脂な
ど溶剤に溶けにくい材料に適用される場合が多いので,
水やアルコールなどに溶解するポリマーが塗膜材料とし
て使用することができる。
In the coating film dissolution method, ablation processing is performed.
Any material that dissolves in a solvent that does not damage the polymer to be formed can be used as a film-forming material. Here, the solvent and coating material to be used are determined by abrasion.
Although laser ablation is generally applied to materials that are hardly soluble in solvents, such as polyimide, fluororesin, and thermosetting resin, depending on the material of the polymer to be processed ,
A polymer soluble in water, alcohol, or the like can be used as a coating material.

【0034】すなわち、水で皮膜除去する場合には、ポ
リビニルアルコール, カルボキシメチルセルロース, ポ
リエチレングリコール, ポリビニルピロリドンなどがあ
り、また、アルコールで除去する場合には、ナイロン,
ポリエチレングリコール, ポリビニルブチラールなどを
使用することができる。
That is, when the film is removed with water, there are polyvinyl alcohol, carboxymethylcellulose, polyethylene glycol, polyvinylpyrrolidone, and the like.
Polyethylene glycol, polyvinyl butyral and the like can be used.

【0035】[0035]

【0036】なお、フッ素樹脂の場合、塗膜材料の選択
範囲は非常に広いが、塗液が弾かれ易いので、均一な塗
膜を形成するにはフッ素樹脂の表面をアルカリで処理し
たり、塗液中にフッ素系界面活性剤を添加するなどフッ
素樹脂表面を濡らす工夫が必要である。
In the case of fluororesin, the range of choice of the coating material is very wide, but the coating liquid is easily repelled, so that the surface of the fluororesin is treated with alkali to form a uniform coating. It is necessary to devise a technique for wetting the surface of the fluororesin, for example, by adding a fluorosurfactant to the coating liquid.

【0037】皮膜の厚さは煤をリフトオフにより除去す
るために、なるべく薄い方がよいが、厚さが 1μm以下
であれば数ショット照射で皮膜除去や噴射圧による除去
が可能であり、本来の材料加工の妨げとならない。
The thickness of the film is preferably as thin as possible in order to remove the soot by lift-off. However, if the thickness is 1 μm or less, the film can be removed by several shots or removed by injection pressure. Does not hinder material processing.

【0038】また、 0.1μm程度の薄い膜でも煤を除去
することができる。なお、塗膜の形成にはスピンコート
法,浸漬塗布法,スプレー塗布法,転写印刷法などが適
用でき、塗膜は溶剤浸漬や溶剤のシャワーなどによって
溶解除去することができ、この際のリフトオフにより煤
も同時に除去することができる。
Further, soot can be removed even with a thin film of about 0.1 μm. The coating film can be formed by a spin coating method, a dip coating method, a spray coating method, a transfer printing method, or the like. The coating film can be dissolved and removed by dipping in a solvent or showering with a solvent. Soot can be removed at the same time.

【0039】[0039]

【実施例】ガラス基板上に厚さが30μm のベンゾシクロ
ブテン(BCB) 系樹脂 (品名XU-13005,ダウケミカル)を形
成し、この上にポリビニルアルコール(PVA)の水溶液を
回転塗布して厚さが0.2 μm のPVA膜を形成した。
[Example] A 30 μm-thick benzocyclo film on a glass substrate
Butene (BCB) resin (product name XU-13005, Dow Chemical)
And an aqueous solution of polyvinyl alcohol (PVA)
The PVA film having a thickness of 0.2 μm was formed by spin coating.

【0040】そして、この試料に図3に示す露光系を用
いてエキシマレーザ光を照射し、アブレーションによる
穴開けを行った。加工条件は、以下のとおりである。 レーザ発振機: ルモニクス INDEX 200 発振波長: 248nm (KrF) 出力: 250mJ/パルス, (パルス幅 16ns) 露光強度: 1 パルス当たり 1.4 J/cm2 照射パルス数: 1 回当たり 200パルスその結果、BCB 樹脂に対して、マスクパターンに対応し
た直径20〜50μmの真円形の穴を正確に開けることがで
きた。穴の周囲には両者ともアブレーションによって発
生した黒い煤が付着していた。
Then, the sample was irradiated with excimer laser light using the exposure system shown in FIG. 3 to make a hole by ablation. The processing conditions are as follows. Laser oscillator: Lumonics INDEX 200 Oscillation wavelength: 248 nm (KrF) Output: 250 mJ / pulse, (pulse width 16 ns) Exposure intensity: 1.4 J / cm2 per pulse 2 Irradiation pulses: 200 pulses per time As a result, BCB resin Corresponding to the mask pattern
It is possible to accurately drill a perfect circular hole with a diameter of 20-50 μm.
Came. Around the hole both ablation
The resulting black soot was attached.

【0041】[0041]

【0042】[0042]

【0043】[0043]

【0044】[0044]

【0045】次に, 加工を行った基板を50℃の温水に浸
漬し、3分間に亙って超音波を印加しながら洗浄したの
ち,アルコールでリンスし乾燥した。この結果、BCB の
みの膜では固着した煤が完全には除去できず、穴周囲が
黒ずんでいたが、PVA 膜を塗布した膜では煤を完全に除
去でき穴周囲の黒ずみを解消することができた。
Next, the processed substrate was immersed in warm water of 50 ° C., washed while applying ultrasonic waves for 3 minutes, rinsed with alcohol, and dried. As a result, the fixed soot could not be completely removed with the BCB-only film, and the area around the hole was darkened.However, with the film coated with the PVA film, the soot could be completely removed and the darkness around the hole could be eliminated. Was.

【0046】また,穴の中への煤の残留も見られなかっ
た。
No soot remained in the holes.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明によれば,難加工性のポリマ膜の
表面に溶剤可溶性の膜を形成しておき、エキシマレーザ
を使用してアブレーション加工を行う際に、ビアホール
の周囲に発生した煤を容易にかつ完全に除去できること
から、作業性よく、また信頼性に優れた多層回路基板を
製造することができる。
According to the present invention, a solvent-soluble film is formed on the surface of a difficult-to-process polymer film, and when ablation processing is performed using an excimer laser, soot generated around a via hole is formed. Can be easily and completely removed, so that a multilayer circuit board with good workability and excellent reliability can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の原理図である。FIG. 1 is a principle diagram of the present invention.

【図2】薄膜法による多層配線基板の製造工程を示す断
面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board by a thin film method.

【図3】実施例で使用した光学系の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of an optical system used in an example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 第1のポリマ膜 4 配線 5 第2のビア 6 第2のポリマ膜 7 ビアホール 8 煤 10 被処理基板 11 ポリマ膜 12 別種の薄いポリマ膜 Reference Signs List 3 First polymer film 4 Wiring 5 Second via 6 Second polymer film 7 Via hole 8 Soot 10 Substrate to be processed 11 Polymer film 12 Another kind of thin polymer film

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 水に不溶な有機ポリマ膜からなる被加工
材料に、水に可溶な異質の有機ポリマ膜からなる塗膜を
被覆した後アブレーション加工を行い、 次いで、前記被膜を溶解除去し、同時にアブレーション
煤を除去することを特徴とするレーザアブレーション加
工方法。
An ablation process is performed after coating a material made of a water-insoluble organic polymer film with a coating film made of a water-soluble organic polymer film, and then dissolving and removing the film. And a laser ablation processing method characterized by simultaneously removing ablation soot.
【請求項2】 水に不溶な有機ポリマ膜が、多層配線基
板の層間絶縁層であり、レーザアブレーション加工によ
って層間接続用のビアホールが形成されることを特徴と
する請求項1記載のレーザアブレーション加工方法。
2. The laser ablation process according to claim 1, wherein the water-insoluble organic polymer film is an interlayer insulating layer of the multilayer wiring board, and a via hole for interlayer connection is formed by the laser ablation process. Method.
【請求項3】 請求項2記載のレーザアブレーション加
工方法によって層間接続用のビアホールが形成された
層配線基板を用いて形成されたことを特徴とする電子装
置。
3. The laser ablation method according to claim 2,
An electronic device, wherein the electronic device is formed by using a multilayer wiring board in which a via hole for interlayer connection is formed by a method .
JP4006106A 1992-01-17 1992-01-17 Laser ablation processing method and electronic device Expired - Lifetime JP2697447B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4006106A JP2697447B2 (en) 1992-01-17 1992-01-17 Laser ablation processing method and electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4006106A JP2697447B2 (en) 1992-01-17 1992-01-17 Laser ablation processing method and electronic device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05185269A JPH05185269A (en) 1993-07-27
JP2697447B2 true JP2697447B2 (en) 1998-01-14

Family

ID=11629253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4006106A Expired - Lifetime JP2697447B2 (en) 1992-01-17 1992-01-17 Laser ablation processing method and electronic device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2697447B2 (en)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2760288B2 (en) * 1993-12-28 1998-05-28 日本電気株式会社 Via hole forming method and film cutting method
US5841102A (en) * 1996-11-08 1998-11-24 W. L. Gore & Associates, Inc. Multiple pulse space processing to enhance via entrance formation at 355 nm
US6023041A (en) * 1996-11-08 2000-02-08 W.L. Gore & Associates, Inc. Method for using photoabsorptive coatings and consumable copper to control exit via redeposit as well as diameter variance
WO1999059761A1 (en) * 1998-05-21 1999-11-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser machining method
EP1633521B1 (en) * 2003-06-06 2012-04-11 Electro Scientific Industries, Inc. Laser machining using a surfactant film
JP4471632B2 (en) * 2003-11-18 2010-06-02 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP4551690B2 (en) * 2004-04-28 2010-09-29 日立造船株式会社 Dust collector in laser processing
JP4648056B2 (en) * 2005-03-31 2011-03-09 株式会社ディスコ Wafer laser processing method and laser processing apparatus
KR101038007B1 (en) * 2008-04-28 2011-05-31 박주현 Process for korean paper pattern by laser
JP2010005629A (en) * 2008-06-24 2010-01-14 Mitsubishi Electric Corp LASER BEAM MACHINING METHOD OF Si SUBSTRATE
EP2146559A1 (en) * 2008-07-15 2010-01-20 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO A method of forming a high density structure
JP2010221261A (en) * 2009-03-24 2010-10-07 Honda Motor Co Ltd Method for forming texture
WO2024005103A1 (en) * 2022-06-30 2024-01-04 太陽ホールディングス株式会社 Method for manufacturing circuit board

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51133895A (en) * 1975-05-16 1976-11-19 Toshiba Corp Laser machining
JPH0354885A (en) * 1989-07-24 1991-03-08 Canon Inc Forming method for hole in printed board
JPH03258475A (en) * 1990-03-08 1991-11-18 Olympus Optical Co Ltd Excimer laser beam machining method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05185269A (en) 1993-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2697447B2 (en) Laser ablation processing method and electronic device
US4684437A (en) Selective metal etching in metal/polymer structures
US5302547A (en) Systems for patterning dielectrics by laser ablation
JP3212405B2 (en) Excimer laser processing method and apparatus
US4842677A (en) Excimer laser patterning of a novel resist using masked and maskless process steps
US5314709A (en) Unzippable polymer mask for screening operations
US5505320A (en) Method employing laser ablating for providing a pattern on a substrate
JP2592369B2 (en) Method for manufacturing multilayer wiring circuit board and method for manufacturing dielectric mirror mask
JPH0211773A (en) Selective plating of metal base layer
JPH07283510A (en) Manufacture of printedcircuit board
US4898648A (en) Method for providing a strengthened conductive circuit pattern
EP1555863A1 (en) Method of forming a mask pattern on a substrate
JP2006513862A (en) Apparatus and method for processing an electrical circuit board using a laser
US20050069815A1 (en) Processing method and semiconductor manufacturing method
US20020102745A1 (en) Process for modifying chip assembly substrates
JP3998974B2 (en) Circuit board patterning method
JP2001168061A (en) Target for forming film on semiconductor substrate by laser irradiation and method of production
JPH10200236A (en) Manufacturing method of wiring board
JP2000202664A (en) Lasder drilling method
JPH08187588A (en) Laser beam processing method
JP3106040B2 (en) Dry cleaning system for substrate surface
JP2010005629A (en) LASER BEAM MACHINING METHOD OF Si SUBSTRATE
JP2000197987A (en) Via hole cleaning method
KR100349282B1 (en) Target for providing film on semiconductor substrate using laser emission and method of making the same
JP2004074211A (en) Laser beam machining method

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970819