JP2021142627A - Processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、非円形状のワークを加工する加工装置に関する。 The present invention relates to a processing apparatus for processing a non-circular workpiece.
半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ(以下、「ワーク」という)を薄膜に形成するために、ワークの裏面を研削する裏面研削が行われている。 In the field of semiconductor manufacturing, backside grinding is performed to grind the back side of a work in order to form a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “work”) such as a silicon wafer into a thin film.
ワークの裏面研削を行う加工装置として、特許文献1に示すように、下端に砥石が取り付けられたスピンドル送り機構が定圧シリンダに吊設され、ワークに切り込ませた砥石に作用する摩擦力が所定値より高い場合に、定圧シリンダが、スピンドル及びスピンドル送り機構を鉛直方向に上昇させるものが知られている。
As a processing device for grinding the back surface of the work, as shown in
このような研削盤では、砥石に作用する摩擦力が過大となる場合に、定圧シリンダが、スピンドルとスピンドル送り機構とを一時的に上昇させるため、砥石とワークとが過度に接触しない状態でワークが延性モード研削されるため、ワークにダメージを与えることなく安定して研削することができる。 In such a grinding machine, when the frictional force acting on the grindstone becomes excessive, the constant pressure cylinder temporarily raises the spindle and the spindle feed mechanism, so that the grindstone and the work do not come into excessive contact with each other. Is ground in ductile mode, so stable grinding can be performed without damaging the workpiece.
ところで、図8に示すように、シリコンウェハ等のワークWでは、結晶欠陥が少なくなるように、1〜4度程度のオフ角を付けてエピタキシャル膜を形成しており、ワークW表面は、{0001}面(基底面)に対してオフ角の角度だけ傾斜している。 By the way, as shown in FIG. 8, in a work W such as a silicon wafer, an epitaxial film is formed with an off angle of about 1 to 4 degrees so as to reduce crystal defects, and the surface of the work W is { It is tilted by the off-angle with respect to the 0001} plane (basal surface).
このようなワークWをインフィード研削する場合、すなわち、図9に示すように、砥石100及びチャック101に保持されたワークWをそれぞれ回転させた状態で砥石100をワークWに押し付けて研削する場合には、砥石100がワークW表面に対してあらゆる角度から切り込むため、砥石100がワークWのステップに滑らかに切り込む(砥石が、オフセット方向の上流側から下流側に向かって切り込む)ときの研削抵抗は、砥石がワークのステップに引っかかるように切り込む(砥石が、オフセット方向の下流側から上流側に向かって切り込む)ときの研削抵抗より小さいため、ワークW面内においてオフセット方向の上流側が下流側より薄くなりがちで、加工後のワークに厚みばらつきが生じるという問題があった。
When such a work W is in-feed ground, that is, when the
そこで、ワークを所望の厚みに加工するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。 Therefore, a technical problem to be solved arises in order to process the work to a desired thickness, and an object of the present invention is to solve this problem.
上記目的を達成するために、本発明に係る加工装置は、ワークを砥石で平面加工する加工装置であって、前記ワークを吸着保持可能な吸着体と、前記吸着体を上面に設けた回転テーブルと、を備え、前記吸着体が、前記回転テーブルの回転中心から前記ワークのオフセット方向の上流側に偏心して配置されている。 In order to achieve the above object, the processing apparatus according to the present invention is a processing apparatus for flattening a work with a grindstone, and has an adsorbent capable of adsorbing and holding the work and a rotary table provided with the adsorbent on the upper surface. And, the adsorbent is eccentrically arranged from the rotation center of the rotary table to the upstream side in the offset direction of the work.
この構成によれば、ワークが回転テーブルの回転中心からオフセット方向の上流側に偏心された状態で研削され、砥石とワークとの接触面積が変動することに起因してワークのオフセット方向の下流側が上流側に比べて大研削量で研削されることにより、ワークのオフセット方向の下流側が上流側に比べて厚くなりがちな研削量のバラつきが相殺されるため、加工後のワークの厚みバラつきを軽減することができる。 According to this configuration, the work is ground in a state of being eccentric to the upstream side in the offset direction from the rotation center of the rotary table, and the downstream side in the offset direction of the work is due to the fluctuation of the contact area between the grindstone and the work. By grinding with a larger grinding amount than the upstream side, the variation in the grinding amount, which tends to be thicker on the downstream side in the offset direction of the work than on the upstream side, is offset, so that the variation in the thickness of the work after machining is reduced. can do.
本発明は、ワークのオフセット方向の下流側が上流側に比べて厚くなりがちな研削量のバラつきが相殺されるため、加工後のワークの厚みバラつきを軽減することができる。 According to the present invention, the variation in the grinding amount, which tends to be thicker on the downstream side in the offset direction of the work than on the upstream side, is offset, so that the variation in the thickness of the work after machining can be reduced.
本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following, when referring to the number, numerical value, quantity, range, etc. of components, it is limited to the specific number unless it is clearly stated or in principle it is clearly limited to the specific number. It is not a thing, and it may be more than or less than a specific number.
また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。 In addition, when referring to the shape and positional relationship of components, etc., unless otherwise specified or when it is considered that this is not the case in principle, those that are substantially similar to or similar to the shape, etc. shall be used. include.
また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。 In addition, the drawings may be exaggerated by enlarging the characteristic parts in order to make the features easy to understand, and the dimensional ratios and the like of the components are not always the same as the actual ones.
研削装置1は、ワークWを研削して薄膜に形成するものである。研削装置1を用いて研削加工が施されるワークWは、シリコンウェハ等が好適であるが、これらに限定されるものではない。
The
研削装置1は、砥石21を備えるメインユニット2と、メインユニット2の下方に配置された搬送ユニット3と、を備えている。
The
メインユニット2は、アーチ状のコラム22と、砥石21が取り付けられた砥石スピンドル23と、砥石スピンドル23を鉛直方向Vに摺動可能に支持する3つのリニアガイド24と、砥石スピンドル23を鉛直方向Vに昇降させるスピンドル送り機構25と、を備えている。
The
砥石スピンドル23は、コラム22の前面22aに鉛直方向Vに亘って凹設された溝22b内に収容されている。砥石スピンドル23は、砥石21を下端に取り付けたサドル23aと、サドル23a内に設けられて砥石21を回転させる図示しないモータと、を備えている。
The
リニアガイド24は、鉛直方向Vに沿って昇降するサドル23aの案内レールであり、2つの前方リニアガイド24aと、1つの後方リニアガイド24bと、で構成される。
The
前方リニアガイド24aは、コラム22の前方で溝22bの縁部に配置され、鉛直方向Vに沿って互いに平行に設けられている。また、前方リニアガイド24aには、サドル23aが直接取り付けられている。
The front
後方リニアガイド24bは、溝22bの底部に鉛直方向Vに沿って互いに平行に設けられている。また、後方リニアガイド24bには、後述するナット25aを介して、サドル23aが取り付けられている。
The rear
前方リニアガイド24aと後方リニアガイド24bとは、図3に示すように、平面視で砥石スピンドル23の重心Gが前方リニアガイド24a及び後方リニアガイド24bで形成される三角形T内に配置されるように、互いに離間して配置されている。
As shown in FIG. 3, the front
スピンドル送り機構25は、サドル23aと後方リニアガイド24bとを連結するナット25aと、ナット25aを昇降させるボールネジ25bと、ボールネジ25bを回転させるモータ25cと、を備えている。
The
モータ25cが駆動してボールネジ25bが回転すると、ナット25aが鉛直方向Vと平行なボールネジ25bの送り込み方向D1にスライドすることにより、サドル23aが下降する。
When the
メインユニット2には、エアシリンダ26が設けられている。エアシリンダ26は、スピンドル送り機構25を挟んで水平方向Hの両側に1つずつ設けられている。エアシリンダ26は、図示しないシリンダ、ピストン、ピストンロッド、コンプレッサ等から成る公知の構成である。
The
エアシリンダ26の駆動圧は、砥石21がワークWの臨界切り込み深さ(Dc値)だけ切り込んだ際に砥石21に作用する摩擦力に対応した値以下に設定される。Dc値は、ワークWの材料毎に異なり、例えば、シリコンウェハで0.09μm、シリコンカーバイドウェハで0.15μmである。さらに、エアシリンダ26に供給される圧縮空気の圧力(空気圧)を加減することにより、エアシリンダ26がスピンドル送り機構25を介して砥石21をワークWに押し付ける押圧力を調整して、砥石21の鉛直方向Vにおける位置(高さ位置)を昇降できる。
The driving pressure of the
エアシリンダ26は、砥石スピンドル23及びスピンドル送り機構25を溝22b内で吊設しており、エアシリンダ26のピストンロッドが、モータ25cに連結されている。エアシリンダ26がスピンドル送り機構25を挟んで水平方向Hの両側に設けられることにより、スピンドル送り機構25が昇降する際にスピンドル送り機構25が水平方向Hに傾くことが抑制される。
In the
搬送ユニット3は、ワークWを吸着保持可能なチャック31と、チャック31を載置するスライダ32と、を備えている。
The
チャック31は、上面にアルミナ等の多孔質材料からなる吸着体33と、吸着体33を略中央に埋設する緻密体の回転テーブル34と、を備えている。チャック31は、内部を通って表面に延びる図示しない管路を備えている。管路は、図示しないロータリージョイントを介して真空源、圧縮空気源又は給水源に接続されている。真空源が起動すると、吸着体33に載置されたワークWが吸着体33に吸着保持される。また、圧縮空気源又は給水源が起動すると、ワークWと吸着体33との吸着が解除される。
The
スライダ32は、図示しないスライダ駆動機構によってレール35上を摺動可能であり、これにより、チャック31とスライダ32とは、搬送方向D2に一体になってスライドするようになっている。
The
吸着体33は、平面から視てワークWに応じた形状に形成されている。また、回転テーブル34は、平面から視て略円形状に形成されているが、回転テーブル34の形状はこれに限定されるものではない。また、チャック31は、図示しないサーボモータによってチャック31の回転中心O1を通る鉛直軸回りに回動可能である。
The adsorbent 33 is formed in a shape corresponding to the work W when viewed from a plane. Further, the rotary table 34 is formed in a substantially circular shape when viewed from a plane, but the shape of the rotary table 34 is not limited to this. Further, the
図4に示すように、吸着体33が、回転テーブル34の回転中心O1から偏心しており、すなわち、平面から視て、吸着体33の中心O2が、回転テーブル34の回転中心O1から所定距離だけオフセットして配置されている。なお、回転テーブル34の回転中心O1と吸着体33の中心O2とのオフセット量は、任意に変更可能である。 As shown in FIG. 4, the adsorbent 33 is eccentric from the rotation center O1 of the rotary table 34, that is, the center O2 of the adsorbent 33 is only a predetermined distance from the rotation center O1 of the rotary table 34 when viewed from a plane. It is arranged at an offset. The offset amount between the rotation center O1 of the rotary table 34 and the center O2 of the adsorbent 33 can be arbitrarily changed.
吸着体33が回転テーブル34の回転中心O1からオフセットされる向きは、ワークWのオフセット方向D3の上流側である。なお、「オフセット方向D3」とは、図5に示すように、ワークWの{0001}面の法線ベクトルpを平面上に投影したベクトルの先端から基端に向く向きを意味する。また、「オフセット方向D3の上流側」とは、ワークWの{0001}面の法線ベクトルpを平面上に投影した法線ベクトルpの先端が向いている側を意味する。また、以下、「オフセット方向D3の下流側」とは、ワークWの{0001}面の法線ベクトルpを平面上に投影した法線ベクトルpの先端が向いている向きとは反対向きの側を意味する。 The direction in which the adsorbent 33 is offset from the rotation center O1 of the rotary table 34 is the upstream side of the work W in the offset direction D3. As shown in FIG. 5, the “offset direction D3” means a direction in which the normal vector p of the {0001} plane of the work W is projected on a plane from the tip end to the base end. Further, the “upstream side of the offset direction D3” means the side facing the tip of the normal vector p obtained by projecting the normal vector p of the {0001} plane of the work W onto a plane. Further, hereinafter, the "downstream side of the offset direction D3" is the side opposite to the direction in which the tip of the normal vector p projected on the plane of the {0001} plane of the work W is facing. Means.
吸着体33の中心O2が、回転テーブル34の回転中心O1からオフセットして配置されていることにより、ワークW内の研削量が局所的に増減する。例えば、図6に示すように、砥石21の加工面が比較的広範囲に亘ってワークWに接触する領域S1と、砥石21の加工面が比較的小面積でワークWに接触する領域S2とを比較すると、領域S1が領域S2より広い。 Since the center O2 of the adsorbent 33 is arranged offset from the rotation center O1 of the rotary table 34, the amount of grinding in the work W is locally increased or decreased. For example, as shown in FIG. 6, a region S1 in which the machined surface of the grindstone 21 contacts the work W over a relatively wide area and a region S2 in which the machined surface of the grindstone 21 contacts the work W in a relatively small area. By comparison, the area S1 is wider than the area S2.
そして、砥石21をワークWに全面に亘って一様に接触させた場合、ワークWと砥石21との接触面積が増大するにつれて、ワークWの研削量が減少して研削加工後のワークWは厚くなる。したがって、図6に示す領域S1、S2内の厚みを比較すると、研削加工後のワークWでは、領域S1の方が領域S2より厚くなる。
When the
このようにして、チャック31上に真空吸着されたワークWは、研削加工前に、スライダ32によって砥石21の下方まで搬入され、研削加工後に、砥石21の下方からメインユニット2の後方まで搬出される。
In this way, the work W vacuum-sucked on the
研削装置1には、ワークWの厚みを計測するインプロセスゲージ4が設けられている。インプロセスゲージ4は、加工中にワークWの厚みを計測する。
The grinding
研削装置1の動作は、制御装置5によって制御される。制御装置5は、研削装置1を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御装置5は、例えば、CPU、メモリ等により構成される。なお、制御装置5の機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作することにより実現されても良い。
The operation of the grinding
次に、研削装置1を用いてワークWを研削加工する手順について説明する。
Next, a procedure for grinding the work W using the grinding
まず、公知のX線回析装置を用いて、ワークWのオフセット方向D3を測定する。 First, the offset direction D3 of the work W is measured using a known X-ray diffractometer.
次に、ワークWを回転テーブル34の回転中心O1に対してオフセット方向D3の上流側に偏心して状態でチャック31に吸着保持させる。また、ボールネジ25bを正回転させ、ナット25a及びサドル23aを送り込み方向D1にスライドさせて、砥石21をワークWの近傍まで下降させる。
Next, the work W is attracted and held by the
次に、砥石21及びチャック31をそれぞれ回転させる。例えば、砥石スピンドル23の回転速度は2000rpm、チャック31の回転速度は300rpmに設定される。砥石21の番手は、例えば#8000である。
Next, the
スピンドル送り機構25が砥石スピンドル23をワークWに接近させ、砥石21がワークWに着座した状態から研削加工を開始する。例えば、スピンドル送り機構25の送り速度は0.4μm/sに設定される。
The
研削加工は、砥石21の砥粒が研削加工中にワークWに過剰に接触しない、いわゆるフローティングした状態でワークWを延性モード研削することで行われる。
The grinding process is performed by grinding the work W in a ductile mode in a so-called floating state in which the abrasive grains of the
具体的には、砥石スピンドル23が自重(例えば、20kg)で砥石21をワークWに押し付けながら研削加工を行い、砥石21に作用する摩擦力がピストンロッドに伝わると、エアシリンダ26のシリンダ内に充填された圧縮空気を押し戻すようにピストンを上昇させる。したがって、砥石21が所望の研削量(例えば、Dc値)より深く切り込もうとして、砥石21に作用する摩擦力が過大になる場合、砥石スピンドル23及びスピンドル送り機構25が一時的に上昇する。これにより、砥石21がDc値以上に切り込むことが抑制される。
Specifically, the
ところで、砥石21及びワークWをそれぞれ回転させながら砥石21をワークWに押し付けてワークWを研削加工するインフィード研削では、ワークWの結晶構造に起因してオフセット方向D3の上流側が下流側に比べて薄くなりがちで、加工後のワークWに厚みバラつきが生じることがある。
By the way, in in-feed grinding in which the
しかしながら、ワークWが、回転テーブル34の回転中心O1に対してオフセット方向D3の上流側に偏心した状態で、回転テーブル34の回転中心O1周りに回転することにより、砥石21とワークWとの接触面積がチャック31の回転角度に応じて変化することにより、上述したワークWの厚みバラつきが軽減される。
However, the work W rotates around the rotation center O1 of the rotary table 34 in a state of being eccentric to the upstream side of the offset direction D3 with respect to the rotation center O1 of the rotary table 34, so that the
具体的には、図7(a)〜(d)に示すように、チャック31の回転角度をΘ度、(Θ+90)度、(Θ+180)度、(Θ+270)度と変化させた場合の砥石21とワークWとの接触面積(図7中の矢印で示す範囲)を比較すると、チャック31の回転角度Θ度のとき、砥石21とワークWとの接触面積が最も広いため、ワークWの研削量が最小となる。
Specifically, as shown in FIGS. 7A to 7D, the
一方、チャック31の回転角度が(Θ+180)度のとき、砥石21とワークWとの接触面積が最も狭いため、ワークWの研削量が最大となる。すなわち、ワークWの研削量が局所的に増える範囲が、ワークWのオフセット方向D3の下流側に設定されている。なお、図中の矢印(a)〜(d)は、図7(a)〜(d)における砥石21がワークWに切り込む向きを示している。
On the other hand, when the rotation angle of the
このようにして、ワークWの結晶構造に起因する研削量のバラつきを相殺するように、砥石21とワークWとの接触面積の変化に応じて研削量が増減することにより、ワークWの厚みバラつきを軽減することができる。 In this way, the thickness of the work W varies by increasing or decreasing the grinding amount according to the change in the contact area between the grindstone 21 and the work W so as to offset the variation in the grinding amount due to the crystal structure of the work W. Can be reduced.
そして、インプロセスゲージ4の測定値がワークWの仕上げ厚みに達すると、ボールネジ25bを逆回転させて、ナット25a及びサドル23aを上昇させることにより、砥石21をワークWから離間させて、研削加工を終了する。
Then, when the measured value of the in-
なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができ、そして、本発明が該改変されたものにも及ぶことは当然である。 It should be noted that the present invention can be modified in various ways as long as it does not deviate from the spirit of the present invention, and it is natural that the present invention extends to the modified ones.
1 :研削装置
2 :メインユニット
21 :砥石
22 :コラム
22a :前面
22b :溝
23 :砥石スピンドル
23a :サドル
24 :リニアガイド
24a :前方リニアガイド
24b :後方リニアガイド
25 :スピンドル送り機構
25a :ナット
25b :ボールネジ
25c :モータ
26 :エアシリンダ
3 :搬送ユニット
31 :チャック
32 :スライダ
33 :吸着体
34 :回転テーブル
35 :レール
4 :インプロセスゲージ
5 :制御装置
W :ワーク
1: Grinding device 2: Main unit 21: Grindstone 22:
Claims (1)
前記ワークを吸着保持可能な吸着体と、
前記吸着体を上面に設けた回転テーブルと、
を備え、
前記吸着体が、前記回転テーブルの回転中心から前記ワークのオフセット方向の上流側に偏心して配置されていることを特徴とする加工装置。 It is a processing device that flattens the work with a grindstone.
An adsorbent capable of adsorbing and holding the work and an adsorbent
A rotary table with the adsorbent on the upper surface and
With
A processing apparatus characterized in that the adsorbent is eccentrically arranged on the upstream side in the offset direction of the work from the rotation center of the rotary table.
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