JP2015099857A - 剥離システム - Google Patents

Abstract

【課題】スループットの向上を図ること。
【解決手段】実施形態に係る剥離システムは、剥離装置と複数の第１洗浄装置と反転装置と第２洗浄装置と第１〜第３搬送装置とを備える。剥離装置は重合基板を第１基板と第２基板とに剥離する。第１洗浄装置は第１基板の接合面を洗浄する。反転装置は第１基板の表裏を反転する。第２洗浄装置は第１基板の非接合面を洗浄する。第１搬送装置は旋回動作および伸縮動作により、第１基板を剥離装置から取り出して第１洗浄装置へ搬送する。第２搬送装置は、旋回動作および伸縮動作により、第１基板を第１洗浄装置から取り出して反転装置へ搬送する。第３搬送装置は、旋回動作および伸縮動作により、第１基板を反転装置から取り出して第２洗浄装置へ搬送する。そして、第１搬送装置の動作範囲と第２搬送装置の動作範囲とが重複する領域に、複数の第１洗浄装置が有する第１基板の受渡位置が配置される。
【選択図】図４

Description

開示の実施形態は、剥離システムに関する。

近年、たとえば、半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、半導体基板から支持基板を剥離する処理が行われている（特許文献１参照）。

特許文献１には、半導体基板から支持基板を剥離する剥離装置の他、剥離後の半導体基板および支持基板の接合面を洗浄する洗浄装置、剥離後の半導体基板の表裏を反転させる反転装置、半導体基板の裏面である非接合面を洗浄する裏面洗浄装置などを一体的に組み込んだ剥離システムが開示されている。

特開２０１２−１４６７５６号公報

しかしながら、上述した従来の剥離システムには、スループットを向上させるという点でさらなる改善の余地があった。

実施形態の一態様は、スループットの向上を図ることのできる剥離システムを提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る剥離システムは、第１基板と第２基板とが接合された重合基板を第１基板と第２基板とに剥離する剥離システムであって、剥離装置と、複数の第１洗浄装置と、反転装置と、第２洗浄装置と、第１搬送装置と、第２搬送装置と、第３搬送装置とを備える。剥離装置は、重合基板を第１基板と第２基板とに剥離する。複数の第１洗浄装置は、第１基板の第２基板との接合面を洗浄する。反転装置は、第１基板の表裏を反転する。第２洗浄装置は、第１基板の非接合面を洗浄する。第１搬送装置は、鉛直軸を中心とする旋回動作および水平方向への伸縮動作により、第１基板を剥離装置から取り出して第１洗浄装置へ搬送する。第２搬送装置は、旋回動作および伸縮動作により、第１基板を第１洗浄装置から取り出して反転装置へ搬送する。第３搬送装置は、旋回動作および伸縮動作により、第１基板を反転装置から取り出して第２洗浄装置へ搬送する。そして、第１搬送装置の動作範囲と第２搬送装置の動作範囲とが重複する領域に、複数の第１洗浄装置が有する第１基板の受渡位置が配置される。

実施形態の一態様によれば、スループットの向上を図ることができる。

図１は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。 図２は、重合基板の模式側面図である。 図３は、第１搬送装置、第２搬送装置および第３搬送装置の構成を示す模式側面図である。 図４は、第２処理ステーション内のレイアウトを示す模式平面図である。 図５は、剥離システムが実行する基板処理の処理手順を示すフローチャートである。 図６は、剥離装置の構成を示す模式側面図である。 図７は、第１洗浄装置の構成を示す模式側面図である。 図８は、第１洗浄装置の構成を示す模式平面図である。 図９は、剥離システム内に生じる気流の説明図である。 図１０は、剥離システムの他の構成を示す模式平面図である。 図１１は、剥離システムの他の構成を示す模式平面図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する剥離システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

まず、第１の実施形態に係る剥離システムの構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図２は、重合基板の模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示す第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図２参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。なお、被処理基板Ｗは、第１基板の一例に相当し、支持基板Ｓは、第２基板の一例に相当する。

以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。

被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、たとえば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚さは、約２０〜１００μｍである。

一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜７５０μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを接合する接着剤Ｇの厚みは、約４０〜１５０μｍである。

図１に示すように、剥離システム１は、搬入出ステーション２と、第１処理ステーション３と、第２処理ステーション４と、フレーム取付装置５とが一体に接続された構成を有する。具体的には、搬入出ステーション２と第１処理ステーション３とは、Ｙ軸方向に並べて配置される。また、第２処理ステーション４は、搬入出ステーション２および第１処理ステーション３のＸ軸負方向側に配置され、フレーム取付装置５は、第２処理ステーション４のさらにＸ軸負方向側に配置される。

搬入出ステーション２では、重合基板Ｔの搬入および剥離後の支持基板Ｓの搬出が行われる。

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられる。かかるカセット載置台１０には、複数（ここでは、３つ）のカセット載置板１１がＸ軸方向に並べて配置されており、各カセット載置板１１にはカセットＣｔまたはカセットＣｓが載置される。カセットＣｔは、複数枚の重合基板Ｔを収容可能な容器であり、カセットＣｓは、複数枚の支持基板Ｓを収容可能な容器である。

なお、カセット載置板１１の個数や、カセット載置板１１に載置されるカセットの種類は、図１に示す例に限定されない。

また、カセット載置台１０のＸ軸正方向側には、重合基板Ｔの識別番号（ＩＤ）を読み取るＩＤ読取装置１２が配置される。

また、搬入出ステーション２は、カセット載置台１０と第１処理ステーション３の間に搬送領域９を有する。搬送領域９には、重合基板Ｔまたは剥離後の支持基板Ｓの搬送を行う基板搬送装置２０が配置される。

基板搬送装置２０は、水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）への移動、鉛直方向への昇降および鉛直軸を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。かかる基板搬送装置２０は、基板保持部を用いて重合基板Ｔまたは剥離後の支持基板Ｓを保持するとともに、保持した重合基板Ｔまたは剥離後の支持基板Ｓを搬送アーム部によって所望の場所まで搬送する。

第１処理ステーション３では、重合基板Ｔの剥離および剥離後の支持基板Ｓの洗浄が行われる。第１処理ステーション３には、複数（ここでは、２つ）の剥離装置３１，３２と、複数（ここでは、２つ）の支持基板洗浄装置３３，３４とが、それぞれ上下２段に積層された状態で配置される。

剥離装置３１，３２は、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。支持基板洗浄装置３３，３４は、剥離後の支持基板Ｓの接合面Ｓｊを洗浄することにより、接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇを除去する。

剥離装置３１，３２は、搬送領域９と第２処理ステーション４の後述する第１搬送装置１０１とに面する位置に配置される。また、支持基板洗浄装置３３，３４は、剥離装置３１，３２のＸ軸正方向側において搬送領域９に面して配置される。

第２処理ステーション４では、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄および洗浄後の被処理基板Ｗのフレーム取付装置５への受け渡しが行われる。

第２処理ステーション４には、複数（ここでは、３つ）の第１洗浄装置４１，４２，４３と、反転装置４４と、複数（ここでは、２つ）の第２洗浄装置４５，４６と、一時載置部４７，４８，４９とが配置される。

第１洗浄装置４１，４２，４３は、剥離後の被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄する。反転装置４４は、剥離後の被処理基板Ｗの表裏を反転する。第２洗浄装置４５，４６は、剥離後の被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを洗浄する。一時載置部４７，４８，４９は、剥離後の被処理基板Ｗを一時的に載置する。なお、一時載置部４７，４８，４９は、たとえば第１洗浄装置４１，４２，４３が故障した場合などに、剥離装置３１，３２から取り出した剥離後の被処理基板Ｗを一時的に載置しておく場所として用いられる。

第１洗浄装置４１，４２，４３は、第２処理ステーション４内の第１の場所Ｄ１と第２の場所Ｄ２とに分けて配置される。本実施形態では、第１の場所Ｄ１に１つの第１洗浄装置４１が配置され、第２の場所Ｄ２に２つの第１洗浄装置４２，４３が上下２段に積層されて配置される。また、一時載置部４７，４８，４９は、第１洗浄装置４１の上部に配置される。第２洗浄装置４５，４６も上下２段に積層されて配置される。

第２処理ステーション４には、さらに、第１搬送装置１０１、第２搬送装置１０２および第３搬送装置１０３が配置される。

第１搬送装置１０１は、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置３１，３２から取り出して第１洗浄装置４１，４２，４３へ搬送する。第２搬送装置１０２は、剥離後の被処理基板Ｗを第１洗浄装置４１，４２，４３から取り出して反転装置４４へ搬送する。第３搬送装置１０３は、剥離後の被処理基板Ｗを反転装置４４から取り出して第２洗浄装置４５，４６へ搬送する処理と、剥離後の被処理基板Ｗを第２洗浄装置４５，４６から取り出してフレーム取付装置５の後述する受渡部５１へ搬送する処理を行う。

これら第１搬送装置１０１、第２搬送装置１０２および第３搬送装置１０３は、同一構成を有する搬送装置であり、剥離後の被処理基板Ｗを非接触で吸着保持して搬送する。

ここで、第１搬送装置１０１、第２搬送装置１０２および第３搬送装置１０３の構成について図３を参照して説明する。図３は、第１搬送装置１０１、第２搬送装置１０２および第３搬送装置１０３の構成を示す模式側面図である。

図３に示すように、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３は、ベルヌーイチャック１１１を備える。ベルヌーイチャック１１１は、吸着面に設けられた複数の噴射口から被処理基板Ｗの板面へ向けて気体を噴射することによって、吸着面と被処理基板Ｗの板面との間に負圧を発生させて、剥離後の被処理基板Ｗを非接触状態で吸着保持する。

また、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３は、アーム部１１２と、第１駆動部１１３と、第２駆動部１１４とを備える。アーム部１１２は、水平方向に延在する部材であり、先端部においてベルヌーイチャック１１１を支持する。

第１駆動部１１３は、鉛直方向に延在し、先端部においてアーム部１１２の基端部を支持する。かかる第１駆動部１１３は、アーム部１１２を水平軸まわりに回転させるとともに、水平方向に伸縮させる。

第２駆動部１１４は、第１駆動部１１３の基端部を支持する。かかる第２駆動部１１４は、第１駆動部１１３を鉛直軸まわりに回転させるとともに、鉛直方向に伸縮させる。

このように、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３は、水平方向への伸縮動作、鉛直軸を中心とする旋回動作および水平軸を中心とする回転動作が可能であり、これらの動作を適宜行いながら剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う。

フレーム取付装置５は、図１に示すように、第２処理ステーション４のＸ軸負方向側に配置される。かかるフレーム取付装置５は、第３搬送装置１０３によって剥離後の被処理基板Ｗが載置される受渡部５１と、剥離後の被処理基板Ｗに対してダイシングフレームと呼ばれる補強部材を取り付ける図示しない本体部と、受渡部５１と本体部との間で剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う図示しない搬送部とを備える。なお、フレーム取付装置５によってダイシングフレームが取り付けられた被処理基板Ｗは、フレーム取付装置５の図示しない搬出部より外部へ搬出される。

また、剥離システム１は、制御装置６を備える。制御装置６は、剥離システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置６は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置６の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

本実施形態に係る剥離システム１は、第２処理ステーション４内に配置される第１〜第３搬送装置１０１〜１０３、第１洗浄装置４１，４２，４３、反転装置４４および第２洗浄装置４５，４６のレイアウトを工夫することにより、剥離後の被処理基板Ｗに対する処理のスループットを向上させている。

具体的には、図１に示すように、第１搬送装置１０１は、剥離装置３１，３２のＸ軸負方向側に配置されており、この第１搬送装置１０１のＸ軸負方向側とＹ軸負方向側とに、第１の場所Ｄ１と第２の場所Ｄ２とが配置されている。そして、第１の場所Ｄ１のＹ軸負方向側かつ第２の場所Ｄ２のＸ軸負方向側に第２搬送装置１０２が配置される。

すなわち、本実施形態に係る剥離システム１において、第１洗浄装置４１，４２，４３の配置場所である第１の場所Ｄ１および第２の場所Ｄ２は、互いに隣り合った状態から一方をＹ軸方向にずらした状態で配置されており、これにより形成される、第１の場所Ｄ１および第２の場所Ｄ２の両方に面する２つの空きスペースに、第１搬送装置１０１と第２搬送装置１０２とが配置される。

また、反転装置４４は、第２搬送装置１０２のＹ軸負方向側に配置され、かかる反転装置４４のＸ軸負方向側に第３搬送装置１０３が配置される。このため、図１に示すように、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３は、第２処理ステーション４内において斜め方向に並べられた状態で配置される。第２洗浄装置４５，４６は、第３搬送装置１０３のＹ軸正方向側に配置される。

ここで、上述した第２処理ステーション４内のレイアウトについて図４を参照してより具体的に説明する。図４は、第２処理ステーション内のレイアウトを示す模式平面図である。

図４に示すＡ１〜Ａ３は、それぞれ第１〜第３搬送装置１０１〜１０３の動作範囲を示している。第１〜第３搬送装置１０１〜１０３の動作範囲とは、具体的には、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３がアーム部１１２を最も長く伸ばした状態で旋回した場合に、ベルヌーイチャック１１１の中心位置（つまり、ベルヌーイチャック１１１に保持された被処理基板Ｗの中心位置）が届く範囲のことである。なお、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３は、旋回不可領域Ｃ１〜Ｃ３を有しており、３６０°に満たない範囲で旋回することができる。

図４に示すように、剥離装置３１，３２、第１洗浄装置４１，４２，４３、反転装置４４、第２洗浄装置４５，４６およびフレーム取付装置５の受渡部５１の内部には、それぞれ剥離後の被処理基板Ｗの受渡位置Ｐ１〜Ｐ９が設けられている。

剥離装置３１，３２の受渡位置Ｐ１，Ｐ２は、Ｘ軸に平行で且つ第１搬送装置１０１の旋回中心Ｅ１を通る直線Ｌ１上に配置される。また、第１の場所Ｄ１に配置される第１洗浄装置４１の受渡位置Ｐ３も直線Ｌ１上に配置される。したがって、受渡位置Ｐ１，Ｐ２と、受渡位置Ｐ３と、第１搬送装置１０１の旋回中心Ｅ１とは、Ｘ軸方向に沿って一直線上に配置される。

第２の場所Ｄ２に配置される第１洗浄装置４２，４３の受渡位置Ｐ４，Ｐ５は、Ｙ軸に平行で且つ第１搬送装置１０１の旋回中心Ｅ１を通る直線Ｌ２上に配置される。

このように、第２の場所Ｄ２に配置される第１洗浄装置４２，４３の受渡位置Ｐ４，Ｐ５は、第１の場所Ｄ１に配置される第１洗浄装置４１の受渡位置Ｐ３と第１搬送装置１０１の旋回中心Ｅ１との並び方向（Ｘ軸方向）と平面視において直交する方向（Ｙ軸方向）に沿って第１搬送装置１０１の旋回中心Ｅ１と並べて配置される。言い換えれば、受渡位置Ｐ４，Ｐ５は、第１搬送装置１０１の旋回中心Ｅ１に対して、受渡位置Ｐ３から９０°ずれた位置に配置される。なお、本実施形態では、Ｘ軸方向が「第１方向」の一例に相当し、Ｙ軸方向が「第２方向」の一例に相当する。

第２搬送装置１０２の旋回中心Ｅ２は、Ｙ軸に平行で且つ第１の場所Ｄ１に配置される第１洗浄装置４１の受渡位置Ｐ３を通る直線Ｌ３と、Ｘ軸に平行で且つ第２の場所Ｄ２に配置される第１洗浄装置４２，４３の受渡位置Ｐ４，Ｐ５を通る直線Ｌ４とが交わる位置に配置される。つまり、第２搬送装置１０２の旋回中心Ｅ２は、受渡位置Ｐ３とＹ軸方向に沿って並び、且つ、受渡位置Ｐ４，Ｐ５とＸ軸方向に沿って並ぶ位置に配置される。

したがって、第１搬送装置１０１の旋回中心Ｅ１を通る直線Ｌ１と、第２搬送装置１０２の旋回中心Ｅ２を通る直線Ｌ３とが交わる位置に配置されている。また、第２の場所Ｄ２に配置される第１洗浄装置４２，４３の受渡位置Ｐ４，Ｐ５は、第１搬送装置１０１の旋回中心Ｅ１を通る直線Ｌ２と、第２搬送装置１０２の旋回中心Ｅ２を通る直線Ｌ４とが交わる位置に配置されている。このため、受渡位置Ｐ３と受渡位置Ｐ４，Ｐ５とは、第２搬送装置１０２の旋回中心Ｅ２に対しても、９０°ずれた関係にある。

反転装置４４の受渡位置Ｐ６は、上述した直線Ｌ３上に配置される。すなわち、第１洗浄装置４１の受渡位置Ｐ３と、反転装置４４の受渡位置Ｐ６と、第２搬送装置１０２の旋回中心Ｅ２とは、Ｙ軸方向に沿って一直線上に配置される。

第３搬送装置１０３の旋回中心Ｅ３は、Ｘ軸に平行で且つ反転装置４４の受渡位置Ｐ６を通る直線Ｌ５上に配置される。また、第２洗浄装置４５，４６の受渡位置Ｐ７，Ｐ８は、Ｙ軸に平行で且つ第３搬送装置１０３の旋回中心Ｅ３を通る直線Ｌ６上に配置される。また、受渡部５１の受渡位置Ｐ９は、上述した直線Ｌ５上に配置される。すなわち、反転装置４４の受渡位置Ｐ６と、受渡部５１の受渡位置Ｐ９と、第３搬送装置１０３の旋回中心Ｅ３とは、Ｘ軸に沿って一直線上に配置される。なお、受渡部５１の受渡位置Ｐ９は、必ずしも直線Ｌ５上に配置されることを要しない。

これらの受渡位置Ｐ１〜Ｐ９のうち、剥離装置３１，３２の受渡位置Ｐ１，Ｐ２、第１洗浄装置４１の受渡位置Ｐ３、および、第１洗浄装置４２，４３の受渡位置Ｐ４，Ｐ５は、第１搬送装置１０１の動作範囲Ａ１内に配置される。

また、第１洗浄装置４１の受渡位置Ｐ３、第１洗浄装置４２，４３の受渡位置Ｐ４，Ｐ５、および、反転装置４４の受渡位置Ｐ６は、第２搬送装置１０２の動作範囲Ａ２内に配置される。

そして、反転装置４４の受渡位置Ｐ６、第２洗浄装置４５，４６の受渡位置Ｐ７，Ｐ８、および、受渡部５１の受渡位置Ｐ９は、第３搬送装置１０３の動作範囲Ａ３内に配置される。

このように、本実施形態に係る剥離システム１では、第１の場所Ｄ１に配置される第１洗浄装置４１の受渡位置Ｐ３と、第２の場所Ｄ２に配置される第１洗浄装置４２，４３の受渡位置Ｐ４，Ｐ５とが、第１搬送装置１０１の動作範囲Ａ１内であり且つ第２搬送装置１０２の動作範囲Ａ２内でもある領域、つまり、第１搬送装置１０１の動作範囲Ａ１と第２搬送装置１０２の動作範囲Ａ２とが重複する領域Ｂに配置される。

したがって、本実施形態に係る剥離システム１では、第１の場所Ｄ１と第２の場所Ｄ２とに分けて配置される複数の第１洗浄装置４１，４２，４３に対し、第１搬送装置１０１と第２搬送装置１０２の双方がアクセスすることが可能となる。

具体的には、第１搬送装置１０１は、第１洗浄装置４１の受渡位置Ｐ３に対してＸ軸正方向側からのアクセスが可能であるとともに、第１洗浄装置４２，４３の受渡位置Ｐ４，Ｐ５に対してＹ軸正方向側からのアクセスが可能である。また、第２搬送装置１０２は、第１洗浄装置４１の受渡位置Ｐ３に対してＹ軸負方向側からのアクセスが可能であるとともに、第１洗浄装置４２，４３の受渡位置Ｐ４，Ｐ５に対してＸ軸負方向側からアクセスが可能である。

ここで、特許文献１に記載の剥離システム（以下、「従来の剥離システム」と記載する）において、剥離後の被処理基板の搬送を行う基板搬送装置は、レールに沿って水平移動する構成を有していた。これに対し、本実施形態に係る第１〜第３搬送装置１０１〜１０３は、水平移動する構成を有していない。

これは、剥離装置３１，３２、第１洗浄装置４１，４２，４３、反転装置４４、第２洗浄装置４５，４６および受渡部５１の受渡位置Ｐ１〜Ｐ９を、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３の旋回範囲内に配置したためである。これにより、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３は、水平移動を行うことなく、剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行うことができる。このように、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３は、水平移動する必要がないため、従来の剥離システムにおける基板搬送装置と比較して、剥離後の被処理基板Ｗを短時間で搬送することができる。

また、従来の剥離システムでは、第１洗浄装置から反転装置への被処理基板の搬送と、反転装置から第２洗浄装置への被処理基板の搬送の両方を１台の基板搬送装置で行っていた。このため、従来の剥離システムにおける基板搬送装置は、反転装置への搬入前においては被処理基板の接合面を吸着保持して搬送し、反転装置からの搬出後においては非接合面を吸着保持して搬送していた。

このように、従来の剥離システムにおける基板搬送装置は、洗浄後の接合面と洗浄前の非接合面の両方を吸着保持していた。このため、仮に、被処理基板の非接合面に汚れが付着していた場合、かかる汚れが吸着面に移り、さらに、次の吸着保持した被処理基板の洗浄後の接合面にかかる汚れが移る可能性がある。

これに対し、本実施形態に係る剥離システム１では、第１洗浄装置４１，４２，４３から反転装置４４への被処理基板Ｗの搬送を第２搬送装置１０２が行い、反転装置４４から第２洗浄装置４５，４６への被処理基板Ｗの搬送を第３搬送装置１０３が行うこととした。したがって、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎの汚れが洗浄後の接合面Ｗｊに付着する可能性が少ないため、かかる洗浄後の接合面Ｗｊの清浄度を保つことができる。

また、従来の剥離システムでは、フレーム取付装置への被処理基板の搬送も上述した１台の基板搬送装置が行っていた。これに対し、本実施形態に係る剥離システム１では、第２洗浄装置４５，４６からフレーム取付装置５への被処理基板Ｗの搬送を第３搬送装置１０３が行うため、剥離後の被処理基板Ｗの搬送処理を高速化させることができる。

また、図４に示すように、第２搬送装置１０２は、第２洗浄装置４５，４６側に旋回不可領域Ｃ２が向けられた状態で配置される。第２搬送装置１０２にとって第２洗浄装置４５，４６はアクセスすることのない場所であるため、かかる場所に旋回不可領域Ｃ２を向けることで、デッドスペースを有効利用することができる。

また、第１搬送装置１０１の旋回不可領域Ｃ１は、第１洗浄装置４２，４３が配置される側とは反対側、すなわち、Ｙ軸正方向側に向けられ、第３搬送装置１０３の旋回不可領域Ｃ３は、第２洗浄装置４５，４６が配置される側とは反対側、すなわち、Ｙ軸負方向側に向けられる。

第１搬送装置１０１のＹ軸正方向側および第３搬送装置１０３のＹ軸負方向側は、それぞれ作業者等がアクセスする可能性のある領域であるため、かかる領域に旋回不可領域Ｃ１，Ｃ３を向けることで、作業者等の安全性を確保することができる。

また、図１に示すように、本実施形態に係る剥離システム１では、一時載置部４７，４８，４９が、第１の場所Ｄ１に配置される１台の第１洗浄装置４１の上部に配置される。これにより、第１洗浄装置４１の上方に存在する余剰な空間を有効利用することができる。

なお、本実施形態では、第１の場所Ｄ１に１つの第１洗浄装置４１を配置し、第２の場所Ｄ２に２つの第１洗浄装置４２，４３を配置することとしたが、３つの第１洗浄装置４１，４２，４３のうち２つを第１の場所Ｄ１に配置し、残りの１つを第２の場所Ｄ２に配置してもよい。かかる場合、第２の場所Ｄ２に配置される１つの第１洗浄装置４１，４２，４３の上部に一時載置部４７，４８，４９を配置すればよい。

次に、本実施形態に係る剥離システム１の動作について図５を参照して説明する。図５は、剥離システム１が実行する基板処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、剥離システム１は、制御装置６の制御に基づき、図５に示す各処理手順を実行する。

まず、搬入出ステーション２の搬送領域９に配置される基板搬送装置２０（図１参照）は、制御装置６の制御に基づき、重合基板ＴをカセットＣｔから取り出して搬送領域９内へ搬入する（ステップＳ１０１）。搬送領域９内へ搬入された重合基板Ｔは、基板搬送装置２０によってＩＤ読取装置１２へ搬入され、ＩＤ読取装置１２によってＩＤが読み取られる（ステップＳ１０２）。ＩＤ読取装置１２よって読み取られたＩＤは、制御装置６へ送信される。

つづいて、基板搬送装置２０は、ＩＤ読取装置１２から重合基板Ｔを取り出して、剥離装置３１，３２へ搬入する。その後、剥離装置３１，３２は、制御装置６の制御に基づいて剥離処理を行う（ステップＳ１０３）。

ここで、本実施形態に係る剥離装置３１，３２の構成および動作について図６を参照して説明する。図６は、剥離装置３１，３２の構成を示す模式側面図である。

図６に示すように、剥離装置３１，３２は、その内部に複数の機器を収容する筐体３００を有する。筐体３００は、搬送領域９側の側面と第２処理ステーション４側の側面とにそれぞれ搬入出口（図示せず）を有し、各搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。

筐体３００の底面には、内部の雰囲気を排気する排気口３０１が形成される。排気口３０１には、例えば真空ポンプなどの排気装置３０２に連通する排気管３０３が接続される。そして、排気口３０１から筐体３００内部の雰囲気を排気することにより、筐体３００内部にダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流が発生する。

筐体３００の内部には、被処理基板Ｗを下面で吸着保持する第１保持部３１０と、支持基板Ｓを上面で載置して保持する第２保持部３１１とが設けられる。第１保持部３１０は、第２保持部３１１の上方に設けられ、第２保持部３１１と対向するように配置される。すなわち、筐体３００の内部では、被処理基板Ｗを上側に配置し、且つ支持基板Ｓを下側に配置した状態で、重合基板Ｔに剥離処理が行われる。

第１保持部３１０には、例えばポーラスチャックが用いられる。第１保持部３１０は、平板状の本体部３２０を有する。本体部３２０の下面側には、多孔質体３２１が設けられる。多孔質体３２１は、例えば被処理基板Ｗとほぼ同じ径を有し、当該被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎと当接する。なお、多孔質体３２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。

また、本体部３２０の内部であって多孔質体３２１の上方には吸引空間３２２が形成される。吸引空間３２２は、例えば多孔質体３２１を覆うように形成される。吸引空間３２２には、吸引管３２３が接続される。吸引管３２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続される。そして、吸引管３２３から吸引空間３２２と多孔質体３２１を介して被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎが吸引され、当該被処理基板Ｗが第１保持部３１０に吸着保持される。

また、本体部３２０の内部であって吸引空間３２２の上方には、被処理基板Ｗを加熱する加熱機構３２４が設けられる。加熱機構３２４には、例えばヒータが用いられる。

第１保持部３１０の上面には、当該第１保持部３１０を支持する支持板３３０が設けられる。支持板３３０は、筐体３００の天井面に支持される。なお、第１保持部３１０は、筐体３００の天井面に当接して支持されてもよい。

第２保持部３１１の内部には、支持基板Ｓを吸着保持するための吸引管３４０が設けられる。吸引管３４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続される。

また、第２保持部３１１の内部には、支持基板Ｓを加熱する加熱機構３４１が設けられる。加熱機構３４１には、例えばヒータが用いられる。

第２保持部３１１の下方には、第２保持部３１１及び支持基板Ｓを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構３５０が設けられる。移動機構３５０は、第２保持部３１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部３５１と、第２保持部３１１を水平方向に移動させる水平移動部３５２とを有する。

鉛直移動部３５１は、第２保持部３１１の下面を支持する支持板３６０と、支持板３６０を昇降させる駆動部３６１と、支持板３６０を支持する支持部材３６２とを有する。駆動部３６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有する。また、支持部材３６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板３６０と後述する支持体３７１との間に例えば３箇所に設けられる。

水平移動部３５２は、水平方向に延在するレール３７０と、レール３７０に取り付けられる支持体３７１と、支持体３７１をレール３７０に沿って移動させる駆動部３７２とを有する。駆動部３７２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有する。

なお、第２保持部３１１の下方には、重合基板Ｔ又は支持基板Ｓを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられる。昇降ピンは第２保持部３１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２保持部３１１の上面から突出可能になっている。

剥離装置３１，３２は上記のように構成されており、基板搬送装置２０によって搬送された重合基板Ｔを、重合基板Ｔを加熱しながら被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合面に沿ってずらすことによって、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。

具体的には、剥離装置３１，３２に搬入された重合基板Ｔは、第２保持部３１１に吸着保持される。その後、移動機構３５０により第２保持部３１１を上昇させて、図６に示すように第１保持部３１０と第２保持部３１１で重合基板Ｔを挟み込んで保持する。このとき、第１保持部３１０に被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎが吸着保持され、第２保持部３１１に支持基板Ｓの非接合面Ｓｎが吸着保持される。

その後、加熱機構３２４、３４１によって重合基板Ｔが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合基板Ｔ中の接着剤Ｇが軟化する。

つづいて、加熱機構３２４、３４１によって重合基板Ｔを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、移動機構３５０によって第２保持部３１１と支持基板Ｓを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、第１保持部３１０に保持された被処理基板Ｗと、第２保持部３１１に保持された支持基板Ｓとが剥離される。

剥離後の被処理基板Ｗは、第２処理ステーション４の第１搬送装置１０１によって剥離装置３１，３２から取り出された後、第１の場所Ｄ１に配置される第１洗浄装置４１または第２の場所Ｄ２に配置される第１洗浄装置４２，４３の何れかに搬入される。そして、第１洗浄装置４１，４２，４３は、剥離後の被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの洗浄を行う（ステップＳ１０４）。

ここで、第１洗浄装置４１，４２，４３の構成および動作について図７および図８を参照して説明する。図７は、第１洗浄装置４１，４２，４３の構成を示す模式側面図であり、図８は同模式平面図である。

図７に示すように、第１洗浄装置４１，４２，４３は筐体１８０を有する。筐体１８０は、第１搬送装置１０１側の側面と第２搬送装置１０２側の側面とに、剥離後の被処理基板Ｗの搬入出口（図示せず）を有しており、各搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

筐体１８０内の中央部には、被処理基板Ｗを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられる。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられた多孔質体１９２とを有する。多孔質体１９２は、例えば被処理基板Ｗとほぼ同じ径を有し、当該被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎと当接する。なお、多孔質体１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管から多孔質体１９２を介して被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを吸引することにより、当該被処理基板Ｗをポーラスチャック１９０上に吸着保持することができる。

ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられる。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。

ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理基板Ｗから飛散又は落下する液体を受け止めて回収するカップ１９４が設けられる。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続される。なお、筐体１８０の内部には、ダウンフローと呼ばれる鉛直下方向に向かう気流を発生させている。そして、排気管１９６は、筐体１８０の内部の雰囲気も排気する。

図８に示すように、カップ１９４の外方には、水平方向に延在するレール２００が形成される。かかるレール２００には、アーム２０１が取り付けられる。

アーム２０１には、図７および図８に示すように剥離後の被処理基板Ｗに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０３が支持される。アーム２０１は、図８に示すノズル駆動部２０４により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０３は、カップ１９４の外方に設置された待機部２０５からカップ１９４内の被処理基板Ｗの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理基板Ｗ上を被処理基板Ｗの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０４によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０３の高さを調節できる。

洗浄液ノズル２０３には、図７に示すように当該洗浄液ノズル２０３に洗浄液を供給する供給管２１０が接続される。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられる。

なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理基板Ｗを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理基板Ｗの受け渡しが行われる。

第１洗浄装置４１，４２，４３は上記のように構成されており、制御装置６の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの洗浄処理を行う。

具体的には、第１搬送装置１０１は、ベルヌーイチャック１１１を用いて吸着保持した剥離後の被処理基板Ｗを第１洗浄装置４１，４２，４３のポーラスチャック１９０上に載置する。このとき、第１搬送装置１０１は、アーム部１１２を水平軸まわりに回転させることによってベルヌーイチャック１１１を反転させたうえで、剥離後の被処理基板Ｗをポーラスチャック１９０上に載置する。したがって、剥離後の被処理基板Ｗは、接合面Ｗｊを上方に向けた状態でポーラスチャック１９０に載置される。

第１洗浄装置４１，４２，４３は、ポーラスチャック１９０を用いて被処理基板Ｗを吸着保持した後、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。つづいて、アーム２０１によって待機部２０５の洗浄液ノズル２０３を被処理基板Ｗの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理基板Ｗを回転させながら、洗浄液ノズル２０３から被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に拡散されて、接合面Ｗｊが洗浄される。

なお、第１搬送装置１０１は、たとえば第１洗浄装置４１，４２，４３が故障した場合には、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置３１，３２から取り出した後、取り出した被処理基板Ｗを一時載置部４７，４８，４９へ搬入する。これにより、第１洗浄装置４１，４２，４３が故障した場合でも、一時載置部４７，４８，４９に収容可能な被処理基板Ｗの枚数分だけ剥離処理を実施することができる。また、剥離後の被処理基板Ｗが剥離装置３１，３２内に放置されることによって、剥離後の被処理基板Ｗが過剰に加熱されてしまうことを防止することもできる。

第１洗浄装置４１，４２，４３による接合面Ｗｊの洗浄が終了すると、第２搬送装置１０２は、第１洗浄装置４１，４２，４３から被処理基板Ｗを取り出して反転装置４４へ搬入する。

具体的には、第２搬送装置１０２は、アーム部１１２を伸ばすことによって、第１洗浄装置４１，４２，４３の図示しない搬入出口から第１洗浄装置４１，４２，４３の内部へベルヌーイチャック１１１を進入させて剥離後の被処理基板Ｗを吸着保持する。このとき、ベルヌーイチャック１１１は、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊ側を吸着保持する。その後、第２搬送装置１０２は、アーム部１１２を縮めることによってベルヌーイチャック１１１を第１洗浄装置４１，４２，４３から退出させる。

つづいて、第２搬送装置１０２は、第１駆動部１１３を鉛直軸まわりに旋回させてベルヌーイチャック１１１を反転装置４４と対向させる。そして、第２搬送装置１０２は、アーム部１１２を伸ばすことによって、反転装置４４の図示しない搬入出口から反転装置４４の内部へベルヌーイチャック１１１を進入させ、反転装置４４の受渡位置Ｐ６において剥離後の被処理基板Ｗを反転装置４４へ渡す。

このように、第２搬送装置１０２は、従来の剥離システムに設けられる基板搬送装置と異なり、水平移動を行うことなく、アーム部１１２の伸縮動作と鉛直軸を中心とする旋回動作とによって剥離後の被処理基板Ｗを第１洗浄装置４１，４２，４３から反転装置４４へ搬送する。したがって、第１洗浄装置４１，４２，４３から反転装置４４への剥離後の被処理基板Ｗの搬送処理を高速化することができる。

反転装置４４は、第２搬送装置１０２によって搬入された剥離後の被処理基板Ｗの表裏を反転させる（ステップＳ１０５）。具体的には、剥離後の被処理基板Ｗは、接合面Ｗｊが上方を向いた状態で反転装置４４の第１保持部に受け渡される。第１保持部は、たとえばベルヌーイチャックであり、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎ側を吸着保持する。そして、反転装置４４は、第１保持部を反転させることによって第１保持部に保持された被処理基板Ｗの表裏を反転させた後、反転後の被処理基板Ｗを第１保持部から第２保持部に持ち替える。第２保持部もたとえばベルヌーイチャックであり、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊ側を吸着保持する。これにより、剥離後の被処理基板Ｗは、非接合面Ｗｎが上方を向き、かつ、接合面Ｗｊ側が吸着保持された状態となる。

つづいて、第３搬送装置１０３は、反転後の被処理基板Ｗを反転装置４４から取り出して第２洗浄装置４５，４６へ搬入する。

このとき、第３搬送装置１０３は、第２搬送装置１０２と同様、水平移動を行うことなく、アーム部１１２の伸縮動作と鉛直軸を中心とする旋回動作とによって被処理基板Ｗを反転装置４４から第２洗浄装置４５，４６へ搬送する。したがって、反転装置４４から第２洗浄装置４５，４６への剥離後の被処理基板Ｗの搬送処理を高速化することができる。

第２洗浄装置４５，４６は、第３搬送装置１０３によって搬入された剥離後の被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎの洗浄を行う（ステップＳ１０６）。

なお、第２洗浄装置４５，４６の構成は、上述した第１洗浄装置４１，４２，４３の構成とほぼ同様である。第２洗浄装置４５，４６では、第１洗浄装置４１，４２，４３における洗浄液ノズル２０３を用いて有機溶剤等の洗浄液を供給する洗浄処理に代えて、たとえば回転するブラシやスポンジを基板の表面に接触させて、表面に付着した異物を除去するスクラブ洗浄処理が行われる。

つづいて、第３搬送装置１０３は、非接合面Ｗｎが洗浄された被処理基板Ｗを反転装置４４から取り出してフレーム取付装置５の受渡部５１へ搬入する。

このときも、第３搬送装置１０３は、水平移動を行うことなく、アーム部１１２の伸縮動作と鉛直軸を中心とする旋回動作とによって被処理基板Ｗを第２洗浄装置４５，４６からフレーム取付装置５の受渡部５１へ搬送する。したがって、第２洗浄装置４５，４６からフレーム取付装置５の受渡部５１への剥離後の被処理基板Ｗの搬送処理を高速化することができる。

フレーム取付装置５は、受渡部５１に載置された被処理基板Ｗに対してダイシングフレームを取り付ける処理を行う（ステップＳ１０７）。そして、フレーム取付装置５によってダイシングフレームが取り付けられた被処理基板Ｗは、フレーム取付装置５の図示しない搬出部より外部へ搬出される（ステップＳ１０８）。こうして、被処理基板Ｗについての処理が終了する。

一方、剥離システム１では、上述したステップＳ１０４〜ステップＳ１０８の処理と並行して、ステップＳ１０９およびステップＳ１１０の処理が行われる。

具体的には、搬入出ステーション２の基板搬送装置２０は、剥離装置３１，３２から剥離後の支持基板Ｓを取り出して支持基板洗浄装置３３，３４へ搬入する。そして、支持基板洗浄装置３３，３４は、剥離後の支持基板Ｓの接合面Ｓｊの洗浄を行う（ステップＳ１０９）。なお、支持基板洗浄装置３３，３４の構成および動作は、上述した第１洗浄装置４１，４２，４３と同様であるため、ここでの説明は省略する。

その後、基板搬送装置２０は、洗浄後の支持基板Ｓを支持基板洗浄装置３３，３４から取り出してカセット載置板１１に載置されたカセットＣｓに収容する。カセットＣｓに収容された支持基板Ｓは、カセット載置台１０から外部へ搬出されて回収される（ステップＳ１１０）。こうして、支持基板Ｓについての処理が終了する。

次に、剥離システム１内に生じる気流について図９に基づいて説明する。図９は、剥離システム１内に生じる気流の説明図である。図９に示す矢印は、気流の向きを示している。

図９に示すように、剥離システム１では、基板搬送装置２０や第１〜第３搬送装置１０１〜１０３といった搬送系の圧力が、剥離装置３１，３２や第１洗浄装置４１，４２，４３といった処理装置内の圧力よりも高く設定される。

具体的には、剥離システム１では、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３が設置される搬送領域内の圧力が最も高圧となる。このため、剥離装置３１，３２、第１洗浄装置４１，４２，４３、反転装置４４および第２洗浄装置４５，４６内の圧力は、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３の搬送領域内の圧力に対して陰圧となる。したがって、剥離装置３１，３２、第１洗浄装置４１，４２，４３、反転装置４４および第２洗浄装置４５，４６の図示しない開閉シャッタが開かれると、第１〜第３搬送装置１０１〜１０３の搬送領域から剥離装置３１，３２、第１洗浄装置４１，４２，４３、反転装置４４および第２洗浄装置４５，４６へ向かう気流が生じる。

また、搬送領域９内の圧力は、第１処理ステーション３内の圧力に対して陽圧となっている。これにより、剥離装置３１，３２および支持基板洗浄装置３３，３４の図示しない開閉シャッタが開かれると、搬送領域９から剥離装置３１，３２および支持基板洗浄装置３３，３４へ向かう気流が生じる。

上述してきたように、本実施形態に係る剥離システムは、第１基板と第２基板とが接合された重合基板を第１基板と第２基板とに剥離する剥離システムであって、剥離装置と、複数の第１洗浄装置と、反転装置と、第２洗浄装置と、第１搬送装置と、第２搬送装置と、第３搬送装置とを備える。剥離装置は、重合基板を第１基板と第２基板とに剥離する。複数の第１洗浄装置は、剥離後の第１基板の第２基板との接合面を洗浄する。反転装置は、剥離後の第１基板の表裏を反転する。第２洗浄装置は、剥離後の第１基板の非接合面を洗浄する。第１搬送装置は、鉛直軸を中心とする旋回動作および水平方向への伸縮動作により、剥離後の第１基板を剥離装置から取り出して第１洗浄装置へ搬送する。第２搬送装置は、旋回動作および伸縮動作により、剥離後の第１基板を第１洗浄装置から取り出して反転装置へ搬送する。第３搬送装置は、旋回動作および伸縮動作により、剥離後の第１基板を反転装置から取り出して第２洗浄装置へ搬送する。

そして、本実施形態に係る剥離システムでは、第１搬送装置の動作範囲と第２搬送装置の動作範囲とが重複する領域に、複数の第１洗浄装置が有する剥離後の第１基板の受渡位置が配置される。したがって、本実施形態に係る剥離システムによれば、スループットの向上を図ることができる。

（その他の実施形態）
剥離システムの構成は、上述してきた実施形態において示した構成に限定されない。以下では、剥離システムの他の構成例について図１０および図１１を参照して説明する。図１０および図１１は、剥離システムの他の構成例を示す模式平面図である。なお、図１０および図１１には、剥離システムのうち、搬入出ステーションおよび第１処理ステーションの部分のみを示している。

図１に示す剥離システム１には、第１処理ステーション３の支持基板洗浄装置３３，３４の隣に空きスペースが存在する。そこで、たとえば図１０に示す剥離システム１Ａが備える第１処理ステーション３Ａのように、上記空きスペースにＩＤ読取装置１２を配置してもよい。これにより、図１に示す剥離システム１と比較して、搬入出ステーション２Ａの搬送領域９Ａおよび第１処理ステーション３Ａの長さ寸法を短くすることができる。

また、図１１に示す剥離システム１Ｂが備える第１処理ステーション３Ｂのように、上記空きスペースに支持基板洗浄装置３５を配置してもよい。

なお、上述した実施形態では、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合面に沿って水平にずらすことによって剥離を行うタイプの剥離装置を例示したが、剥離装置のタイプは、上記の例に限定されない。たとえば、剥離装置は、支持基板Ｓの外周部の一部を被処理基板Ｗの接合面Ｗｊから離す方向へ鉛直向きに移動させることによって被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離するタイプのものであってもよい。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

Ｔ 重合基板
Ｗ 被処理基板
Ｓ 支持基板
Ｇ 接着剤
Ｗｊ，Ｓｊ 接合面
Ｗｎ，Ｓｎ 非接合面
Ｄ１ 第１の場所
Ｄ２ 第２の場所
Ａ１〜Ａ３ 動作範囲
Ｃ１〜Ｃ３ 旋回不可領域
Ｅ１〜Ｅ３ 旋回中心
Ｐ１〜Ｐ９ 受渡位置
１ 剥離システム
２ 搬入出ステーション
３ 第１処理ステーション
４ 第２処理ステーション
５ フレーム取付装置
３１，３２ 剥離装置
３３，３４ 支持基板洗浄装置
４１，４２，４３ 第１洗浄装置
４４ 反転装置
４５，４６ 第２洗浄装置
４７，４８，４９ 一時載置部
５１ 受渡部
１０１ 第１搬送装置
１０２ 第２搬送装置
１０３ 第３搬送装置
１１１ ベルヌーイチャック

Claims (8)

1. 第１基板と第２基板とが接合された重合基板を前記第１基板と前記第２基板とに剥離する剥離システムであって、
   前記重合基板を前記第１基板と前記第２基板とに剥離する剥離装置と、
   前記第１基板の前記第２基板との接合面を洗浄する複数の第１洗浄装置と、
   前記第１基板の表裏を反転する反転装置と、
   前記第１基板の非接合面を洗浄する第２洗浄装置と、
   鉛直軸を中心とする旋回動作および水平方向への伸縮動作により、前記第１基板を前記剥離装置から取り出して前記第１洗浄装置へ搬送する第１搬送装置と、
   前記旋回動作および前記伸縮動作により、前記第１基板を前記第１洗浄装置から取り出して前記反転装置へ搬送する第２搬送装置と、
   前記旋回動作および前記伸縮動作により、前記第１基板を前記反転装置から取り出して前記第２洗浄装置へ搬送する第３搬送装置と
   を備え、
   前記第１搬送装置の動作範囲と前記第２搬送装置の動作範囲とが重複する領域に、複数の前記第１洗浄装置が有する前記第１基板の受渡位置が配置されること
   を特徴とする剥離システム。
2. 複数の前記第１洗浄装置は、
   第１の場所と、該第１の場所とは異なる第２の場所とに分けて配置され、
   前記第１搬送装置は、
   前記剥離装置と前記第１の場所との間に配置され、
   前記第２の場所は、
   前記剥離装置、前記第１搬送装置および前記第１の場所の並び方向である第１方向と平面視において直交する第２方向に沿って前記第１搬送装置と並べて配置され、
   前記第２搬送装置は、
   前記第１の場所と前記第２方向に沿って並び且つ前記第２の場所と前記第１方向に沿って並ぶ位置に配置されること
   を特徴とする請求項１に記載の剥離システム。
3. 前記反転装置は、
   前記第２搬送装置の前記第１の場所が配置される側とは反対側において、該第２搬送装置と前記第２方向に沿って並べて配置され、
   前記第３搬送装置は、
   前記反転装置と前記第１方向に沿って並べて配置され、
   前記第２洗浄装置は、
   前記第３搬送装置と前記第２方向に沿って並べて配置されること
   を特徴とする請求項２に記載の剥離システム。
4. 前記第１の場所および前記第２の場所の一方に１つの前記第１洗浄装置が配置され、他方に２つの前記第１洗浄装置が積層して配置されること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の剥離システム。
5. 剥離後の前記第１基板を一時的に載置する一時載置部
   をさらに備え、
   前記一時載置部は、
   前記第１の場所または前記第２の場所に配置される１つの前記第１洗浄装置の上部に配置されること
   を特徴とする請求項４に記載の剥離システム。
6. 剥離後の前記第１基板にダイシングフレームを取り付けるフレーム取付装置
   をさらに備え、
   前記第３搬送装置の動作範囲内に、前記フレーム取付装置への前記第１基板の受渡位置が配置されること
   を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の剥離システム。
7. 前記第１搬送装置、前記第２搬送装置および前記第３搬送装置は、
   気体を噴出して前記第１基板との間に負圧を発生させることによって前記基板を非接触状態で保持すること
   を特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の剥離システム。
8. 前記第２搬送装置は、
   前記第２洗浄装置側に旋回不可領域を向けた状態で配置されること
   を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の剥離システム。

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