JP2014220297A - Chamfering device of wafer and chamfering method of wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、回転砥石を用いてウェーハの周縁を面取り加工するウェーハの面取り加工装置及び方法に関する。 The present invention relates to a wafer chamfering apparatus and method for chamfering the periphery of a wafer using a rotating grindstone.
例えばシリコンウェーハ等のウェーハの周縁部を面取り加工する場合、ウェーハをステージに保持して回転させながら、その周縁を回転する砥石に当接させる方法が一般的である（例えば、特許文献１参照）。その際、砥石やステージ及びそれらの回転、移動機構の形状に意図しない変化が生じると、砥石とそれに当接するウェーハ周縁部の相対位置が設定されていた位置から微小に変化し、これが面取り部の断面形状を変化させ、加工精度を不安定にさせる。 For example, when chamfering a peripheral portion of a wafer such as a silicon wafer, a method of bringing the peripheral portion into contact with a rotating grindstone while holding the wafer on a stage and rotating it is common (see, for example, Patent Document 1). . At that time, if an unintentional change occurs in the shape of the grindstone, stage, and their rotation and movement mechanism, the relative position of the grindstone and the wafer peripheral edge abutting on it changes slightly from the set position. Change the cross-sectional shape to make machining accuracy unstable.
この砥石やステージ及びそれらの回転、移動機構の形状に対する意図しない変化は、面取り加工に伴う温度変化によるそれら自身の膨張、収縮によって起こる場合がある。その形状の変化量が微小であっても、加工精度に与える影響は、近年の超ＬＳＩデバイス用基板製造に求められる寸法基準に照らし合わせると無視できないものがある。また、この温度変化は主に研削発熱や可動部の摩擦熱から生じるものであり、装置始動時に最も温度変化が大きくなる。 Unintentional changes to the shapes of the grindstone and stage and their rotation and movement mechanisms may occur due to their own expansion and contraction due to temperature changes associated with chamfering. Even if the amount of change in the shape is minute, the influence on the processing accuracy cannot be ignored in light of the dimensional standards required for manufacturing a substrate for a VLSI device in recent years. Further, this temperature change is mainly caused by grinding heat generation and frictional heat of the movable part, and the temperature change becomes the largest when the apparatus is started.
面取り加工時にウェーハ周縁部の高い断面形状寸法精度を得るには、砥石とそれに当接するウェーハ周縁部の相対位置を精密に制御する必要がある。そのため、砥石の寸法、砥石回転軸の寸法、ステージ回転軸及び移動軸の寸法は厳密な制御下におく必要がある。
従来から面取り加工装置の運転休止後に運転を再開すると数バッチの間、加工されたウェーハの断面形状寸法精度が安定しないため加工精度が悪く、製品歩留まりを低下させる現象が知られていた。
In order to obtain high cross-sectional shape dimensional accuracy of the wafer peripheral edge during chamfering, it is necessary to precisely control the relative position of the grindstone and the wafer peripheral edge in contact therewith. Therefore, the dimensions of the grindstone, the grindstone rotation axis, the stage rotation axis, and the movement axis need to be under strict control.
Conventionally, when the operation is resumed after the operation of the chamfering apparatus is stopped, the sectional shape dimensional accuracy of the processed wafer is not stable for several batches, so that the processing accuracy is poor and the product yield is known to decrease.
この要因として、加工に伴う研削発熱、砥石回転軸の動作による摩擦熱、ステージ回転軸及び移動軸の動作による摩擦熱が、砥石、砥石回転軸、ステージ回転軸及び移動軸に対して温度上昇をもたらし、熱膨張による微小な体積変化を引き起こすことがある。これらの体積変化によって砥石とウェーハの相対位置が微小に変化して加工精度に大きな影響を与える。また連続加工を行うことで体積変化はより大きくなるが、温度上昇が最大値に達した時点で体積変化は安定する。 This is because the grinding heat generated by machining, the frictional heat due to the operation of the grindstone rotating shaft, the frictional heat due to the operation of the stage rotating shaft and the moving shaft increases the temperature with respect to the grindstone, the grindstone rotating shaft, the stage rotating shaft and the moving shaft. And may cause minute volume changes due to thermal expansion. Due to these volume changes, the relative position between the grindstone and the wafer changes minutely, greatly affecting the processing accuracy. Further, the volume change becomes larger by performing continuous processing, but the volume change becomes stable when the temperature rise reaches the maximum value.
温度上昇の最大値は砥石、砥石回転軸、ステージ回転軸及び移動軸の熱容量や装置の大きさ、室温等で決定される。そのため数バッチ加工を継続すると安定した加工が可能となる。そのため、従来では、面取り加工装置の運転休止後に運転再開する場合は、装置を数時間空運転させることで上記の部材の温度を上昇させて加工精度の安定化を図るのが一般的である。 The maximum value of the temperature rise is determined by the heat capacity of the grindstone, the grindstone rotating shaft, the stage rotating shaft and the moving shaft, the size of the apparatus, the room temperature, and the like. Therefore, if several batch processing is continued, stable processing becomes possible. Therefore, conventionally, when the operation is resumed after the operation of the chamfering apparatus is stopped, it is common to stabilize the machining accuracy by increasing the temperature of the above-mentioned member by operating the apparatus idle for several hours.
しかし、この従来の方法では、空運転そのものがコスト上無駄であるうえ、面取り加工中に生じる研削発熱が考慮されていないため、空運転を行っても温度上昇が最大値に達しない。従って、この加工中に生じる研削発熱により砥石とウェーハの相対位置が変化し、加工精度を悪化させるという問題が依然存在する。 However, in this conventional method, the idling operation itself is not costly, and grinding heat generated during chamfering is not taken into consideration, so that the temperature rise does not reach the maximum value even if the idling operation is performed. Accordingly, there still exists a problem that the relative position between the grindstone and the wafer changes due to the heat generated by grinding during the processing, and the processing accuracy is deteriorated.
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、ウェーハの面取り加工において、装置の温度上昇に伴う砥石とウェーハ周縁部の相対位置の変化による加工精度の悪化を抑制可能な面取り加工装置及び面取り加工方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and in chamfering of a wafer, a chamfering apparatus capable of suppressing deterioration in processing accuracy due to a change in the relative position of a grindstone and a wafer peripheral portion accompanying an increase in the temperature of the apparatus. It is another object of the present invention to provide a chamfering method.
上記目的を達成するために、本発明によれば、ウェーハを保持するための軸周りに回転可能で、かつ移動軸によりＸ−Ｙ−Ｚ方向に移動可能なステージと、該ステージに保持された前記ウェーハの周縁を面取り加工するための軸周りに回転可能な砥石を具備するウェーハの面取り加工装置であって、更に、前記砥石及び砥石の回転軸を加熱するための第１の発熱体と、該第１の発熱体による加熱温度を測定する第１の温度計と、前記第１の発熱体による加熱と前記第１の温度計による測定を自動制御するための制御装置を具備するものであることを特徴とするウェーハの面取り加工装置が提供される。 In order to achieve the above object, according to the present invention, a stage that can be rotated around an axis for holding a wafer and can be moved in the X, Y, and Z directions by a moving axis, and the stage is held by the stage. A wafer chamfering apparatus comprising a grindstone rotatable around an axis for chamfering a peripheral edge of the wafer, and further, a first heating element for heating the grindstone and the rotation axis of the grindstone, A first thermometer for measuring a heating temperature by the first heating element, and a control device for automatically controlling the heating by the first heating element and the measurement by the first thermometer. A wafer chamfering apparatus is provided.
このような面取り加工装置であれば、面取り加工開始前に砥石及び砥石の回転軸の温度を、加工中に上昇しうる最大値まで到達させておくことで、面取り加工中の砥石とウェーハ周縁部の相対位置の変化を抑制でき、面取り加工開始直後から安定した加工精度を得ることができるものとなる。 With such a chamfering device, the chamfering wheel and the peripheral edge of the wafer are chamfered by allowing the temperature of the grindstone and the rotation axis of the grindstone to reach the maximum value that can be raised during machining before chamfering is started. The relative position can be suppressed, and stable machining accuracy can be obtained immediately after the start of chamfering.
このとき、前記ステージの回転軸及び移動軸を加熱するための第２の発熱体と、該第２の発熱体による加熱温度を測定する第２の温度計を更に具備するものであることが好ましい。
このようなものであれば、砥石とウェーハ周縁部の相対位置の変化をより確実に抑制できるものとなる。
At this time, it is preferable to further include a second heating element for heating the rotating shaft and the moving shaft of the stage, and a second thermometer for measuring the heating temperature by the second heating element. .
If it is such, the change of the relative position of a grindstone and a wafer peripheral part can be suppressed more reliably.
また、本発明によれば、ウェーハをステージに保持し、該ステージを軸周りに回転させつつ移動軸により前記ステージの位置をＸ−Ｙ−Ｚ方向に調整し、砥石を軸周りに回転させながら、前記砥石を前記ウェーハの周縁に当接させて面取り加工するウェーハの面取り加工方法であって、前記ウェーハの面取り加工を開始する前に、前記砥石及び砥石の回転軸を加熱することを特徴とするウェーハの面取り加工方法が提供される。 Further, according to the present invention, the wafer is held on the stage, the position of the stage is adjusted in the X, Y, and Z directions by the moving axis while rotating the stage around the axis, and the grindstone is rotated around the axis. A method for chamfering a wafer in which the grindstone is chamfered by bringing the grindstone into contact with the peripheral edge of the wafer, wherein the grindstone and the rotating shaft of the grindstone are heated before the chamfering of the wafer is started. A method for chamfering a wafer is provided.
このような面取り加工方法であれば、面取り加工開始前に砥石及び砥石の回転軸の温度を、加工中に上昇しうる最大値まで到達させておくことで、面取り加工中の砥石とウェーハ周縁部の相対位置の変化を抑制でき、面取り加工開始直後から安定した加工精度を得ることができる。 With such a chamfering method, the temperature of the grindstone and the rotation axis of the grindstone is reached to the maximum value that can be raised during the chamfering process before starting the chamfering process, so that the grindstone and the wafer peripheral edge during the chamfering process are reached. Therefore, stable machining accuracy can be obtained immediately after the start of chamfering.
このとき、前記ウェーハの面取り加工を開始する前に、更に前記ステージの回転軸及び移動軸を加熱することが好ましい。
このようにすれば、砥石とウェーハ周縁部の相対位置の変化をより確実に抑制できる。
At this time, it is preferable to further heat the rotating shaft and moving shaft of the stage before starting the chamfering of the wafer.
In this way, the change in the relative position between the grindstone and the wafer periphery can be more reliably suppressed.
本発明では、ウェーハの面取り加工装置において、ウェーハの面取り加工を開始する前に、砥石及び砥石の回転軸を第１の発熱体で加熱するので、面取り加工開始前に砥石及び砥石の回転軸の温度を、加工中に上昇しうる最大値まで到達させておくことで、面取り加工中の砥石とウェーハ周縁部の相対位置の変化を抑制でき、面取り加工開始直後から安定した加工精度を得ることができる。そのため、従来実施していた装置の空運転を行う必要がないのでコストを削減でき、歩留まりを向上できる。この第１の発熱体による加熱は、第１の温度計と共に制御装置により自動制御できる。更に、ウェーハを保持するステージの回転軸及び移動軸も第２発熱体により加熱するようにすれば、上記効果をより一層向上させることができる。 In the present invention, in the wafer chamfering apparatus, the grindstone and the rotating shaft of the grindstone are heated by the first heating element before the chamfering processing of the wafer is started. By allowing the temperature to reach the maximum value that can be raised during machining, changes in the relative position of the grindstone and the wafer edge during chamfering can be suppressed, and stable machining accuracy can be obtained immediately after the start of chamfering. it can. Therefore, it is not necessary to perform the idling operation of the apparatus that has been conventionally performed, so that the cost can be reduced and the yield can be improved. The heating by the first heating element can be automatically controlled by the control device together with the first thermometer. Furthermore, if the rotating shaft and moving shaft of the stage holding the wafer are also heated by the second heating element, the above effect can be further improved.
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記したように、従来のウェーハの面取り加工において、運転開始前に空運転を行っても加工精度が悪化するという問題がある。そこで本発明者はこの問題について詳細に検討したところ、従来の空運転を行う方法では、面取り加工中に生じる研削熱について考慮しておらず、この研削熱の影響による加工精度の悪化を抑制できないことを見出した。更に、この研削熱による影響は、発熱体を用いて加工前に砥石付近を加熱しておくことにより排除できることに想到し、本発明を完成させた。
Hereinafter, although an embodiment is described about the present invention, the present invention is not limited to this.
As described above, in the conventional chamfering of a wafer, there is a problem that the processing accuracy deteriorates even if the idle operation is performed before the operation is started. Therefore, the present inventor has examined this problem in detail, and the conventional idle driving method does not consider the grinding heat generated during the chamfering process and cannot suppress the deterioration of the machining accuracy due to the influence of the grinding heat. I found out. Further, the inventors have conceived that the influence of this grinding heat can be eliminated by heating the vicinity of the grindstone before processing using a heating element, and the present invention has been completed.
まず、本発明のウェーハの面取り加工装置について図１を参照しながら説明する。
図１に示すように、本発明のウェーハの面取り加工装置１は、砥石２、ステージ３、第１の発熱体４、第１の温度計５、制御装置６を有している。
ステージ３はウェーハ８を保持するためのもので、駆動モータ１３ｂの駆動力により回転軸９周りに回転可能であり、移動軸１１ａ、１１ｂ、及び図示しないもう１つの移動軸によりＸ−Ｙ−Ｚ方向に移動可能である。このステージ３により、保持したウェーハ８の位置を移動軸１１ａによりＺ方向に、移動軸１１ｂによりＸ方向に、もう１つの移動軸によりＹ方向に調整可能である。
First, a wafer chamfering apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 1, the
The
砥石２は、ステージ３に保持されたウェーハ８の周縁を面取り加工するためのもので、駆動モータ１３ａの駆動力により回転軸７周りに回転可能である。
第１の発熱体４は、砥石２及び砥石２の回転軸７を加熱するためのものである。例えば、第１の発熱体４として、赤外線放射型の放射伝熱による加熱を行えるものを用いることができ、具体的には、ハロゲンランプによる赤外線放射加熱器を用いることができる。第１の温度計５は、第１の発熱体４による加熱温度を測定するものである。
The
The
この面取り加工装置１を用いて、ウェーハ８を保持したステージ３を回転軸９周りに回転させ、砥石２を回転軸７周りに回転させ、ステージ３によりウェーハの位置をＸ−Ｙ−Ｚ方向に調整しながら、砥石２をウェーハ８の周縁に当接させることでウェーハ周縁部の面取り加工を行うことができる。
Using this
このようにして面取り加工を行うと、駆動モーターからの熱、回転軸と移動軸の動作による摩擦熱、及びウェーハの研削熱が発生する。一般的なシリコンウェーハの面取り加工において一般的な加工条件で繰り返し加工した場合、これらの発生した熱による砥石やその回転軸などの温度上昇幅は５〜１０℃程度であり、具体的な温度の上限は３０〜３５℃程度である。 When the chamfering is performed in this way, heat from the drive motor, frictional heat due to the operation of the rotating shaft and the moving shaft, and heat for grinding the wafer are generated. In the case of chamfering a general silicon wafer, when it is repeatedly processed under general processing conditions, the temperature increase range of the grindstone and its rotating shaft due to the generated heat is about 5 to 10 ° C., and the specific temperature The upper limit is about 30 to 35 ° C.
従って、ウェーハ８の面取り加工を開始する前に、砥石２と砥石２の回転軸７を第１の発熱体４によって、上記上昇温度の最大値まで加熱しておけば、面取り加工中におけるウェーハ８の周縁部と砥石２の相対位置の変化を抑制できる。この第１の発熱体４による加熱は面取り加工装置１の運転停止中に行うことができるので、面取り加工開始直後から安定した加工精度を得ることができ、製品歩留まりを向上できる。また、従来行っていたコストのかかる空運転を行う必要もないので製造コストを低減できる。
Therefore, if the
また、本発明のウェーハの面取り加工装置１は、図１に示すように、第１の発熱体４による加熱と第１の温度計５による測定を自動制御するための制御装置６を有する。この制御装置６により面取り加工装置１の運転をより容易にし、製造コストをより低減することができる。
Further, as shown in FIG. 1, the
更に、面取り加工装置１内において、温度上昇によってウェーハ８の周縁部と砥石２の相対位置を変化させる可能性のあるステージ３の回転軸９及び移動軸１１ａ、１１ｂ、及びもう１つの移動軸を加熱するための第２の発熱体１０ａ、１０ｂを設けることもできる。このようなものであれば、ウェーハ８の周縁部と砥石２の相対位置の変化をより確実に抑制できるものとなる。
Further, in the
この場合、図１に示すように、第２の発熱体１０ａ、１０ｂによる加熱温度を測定する第２の温度計１２ａ、１２ｂを設け、制御装置６’によって第２の発熱体による加熱と第２の温度計による測定を自動制御するものとすることもできる。或いは、この自動制御を制御装置６で行うようにしても良い。
図１に示す面取り加工装置１の例では、第２の発熱体及び第２の温度計をそれぞれ２つづつ設けているが、ステージ３の構造や面取り加工装置１の筐体形状によって１つ又は３つ以上設ける構成とすることができる。
更に、上記では第１及び第２の発熱体を筐体の内壁に取り付けるタイプのものを例示したが、これに限定されず、砥石や回転軸、移動軸を加熱できるものであればいずれのものでも良い。
In this case, as shown in FIG. 1, second thermometers 12a and 12b for measuring the heating temperature by the second heating elements 10a and 10b are provided, and heating by the second heating element and the second temperature are controlled by the
In the example of the
Further, in the above description, the type in which the first and second heating elements are attached to the inner wall of the housing is exemplified, but the present invention is not limited to this, and any type can be used as long as it can heat the grindstone, the rotating shaft, and the moving shaft. But it ’s okay.
次に、ウェーハの面取り加工方法について、上記した本発明のウェーハの面取り加工装置１を用いた場合を例として説明する。
まず、ウェーハ８の面取り加工を開始する前の、例えば面取り加工装置１の運転停止中などで、第１の発熱体４によって砥石２及び砥石２の回転軸７を加熱する。このとき、砥石２及び砥石２の回転軸７を加熱する温度を、面取り加工中に上昇しうる最大値とすれば加工中の温度変化幅をより低減できるので好ましい。すなわち、砥石２及び砥石２の回転軸７の熱膨張による体積変化がこれ以上起こらない安定した状態で面取り加工を開始できる。
Next, a method for chamfering a wafer will be described by taking as an example the case where the above-described
First, the
面取り加工中に上昇しうる温度の最大値は、例えば、実験等により予め求めておくことができる。上記のように、シリコンウェーハの面取り加工においては、一般的な温度の最大値は３０〜３５℃程度である。
このとき、第２の発熱体１０ａ、１０ｂによって、ステージ３の回転軸９及び移動軸１１ａ、１１ｂ（及びもう１つの移動軸）も加熱することが好ましい。このようにすれば、ウェーハ８の周縁部と砥石２の相対位置の変化をより確実に抑制できる。
The maximum value of the temperature that can be raised during chamfering can be obtained in advance by experiments or the like, for example. As described above, in the chamfering process of a silicon wafer, the maximum value of a general temperature is about 30 to 35 ° C.
At this time, it is preferable to heat the
次に、ウェーハ８をステージ３に保持する。或いは、ウェーハ８を保持した状態で上記発熱体による加熱を行っても良い。ステージ３を回転軸９周りに回転させつつ砥石２を回転軸７周りに回転させる。この状態で、ステージ３によりウェーハ８の位置をＸ−Ｙ−Ｚ方向に調整しながら、砥石２をウェーハ８の周縁に当接させて面取り加工する。
このような面取り加工方法であれば、ウェーハ８の周縁部と砥石２の相対位置の変化を抑制でき、面取り加工開始直後の１バッチ目から安定した加工精度を得ることができるので、製品歩留まりを向上できる。また、空運転を行う必要もないので製造コストを低減できる。
Next, the
With such a chamfering method, a change in the relative position of the peripheral portion of the
特に、制御装置を具備しているので、面取り加工開始時のみならず、運転中常に温度計の測定値を一定に保持できるように、第１の発熱体、第２の発熱体の出力を調整すれば極めて高い精度で面取り加工をすることができる。 In particular, because it is equipped with a control device, the outputs of the first and second heating elements are adjusted so that the measured values of the thermometer can be kept constant not only when chamfering starts but also during operation. Then, chamfering can be performed with extremely high accuracy.
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples of the present invention, but the present invention is not limited to these.
（実施例１）
図１に示すような、本発明のウェーハの面取り加工装置１を用い、本発明のウェーハの面取り加工方法に従って、直径３００ｍｍのシリコンウェーハの面取り加工を行い、加工精度を評価した。第１及び第２の発熱体として、ハロゲンランプによる赤外線放射加熱器（岩崎電気製ＩＲＥ１３５−Ｍ）を用いた。
加工精度の評価は、株式会社コベルコ科研製エッジプロファイルモニターＬＥＰ２２００を用い、評価項目を加工精度の代表例である表裏面幅差の平均値（ｎ＝５）とした。
Example 1
Using a
Evaluation of processing accuracy was performed using an edge profile monitor LEP2200 manufactured by Kobelco Research Institute, Ltd., and the evaluation item was an average value (n = 5) of front and back surface width differences, which is a representative example of processing accuracy.
例えば夜間のように装置を長時間停止させた場合の効果を調べるため、通常運転後に面取り加工装置１を１６時間停止した。面取り加工開始前に第１の温度計の測定温度が５０℃となるように、第１の発熱体により砥石及び砥石の回転軸を加熱し、第２の発熱体によりステージの回転軸及び移動軸を加熱し、この状態で１時間保持した。１時間後の砥石、砥石回転軸、ステージ回転軸及び移動軸の表面温度は３０〜３５℃であった。
For example, the
その後、第１及び第２の発熱体の加熱を停止し、シリコンウェーハの面取り加工を行った。その結果、図２に示すように、１バッチ目から表裏面幅差の平均値が２０μｍ以内で安定した加工精度を得た。一方、後述する比較例１では、６バッチ目まで面幅差平均値が安定しなかった。 Thereafter, heating of the first and second heating elements was stopped, and chamfering of the silicon wafer was performed. As a result, as shown in FIG. 2, stable processing accuracy was obtained when the average value of the front and back surface width difference was within 20 μm from the first batch. On the other hand, in Comparative Example 1 described later, the average surface width difference value was not stable until the sixth batch.
（実施例２）
例えば昼休みのように装置を短時間停止させた場合の効果を調べるため、通常運転後に面取り加工装置１を１時間停止した以外、実施例１と同様の条件でシリコンウェーハの面取り加工を行い、同様に評価した。
その結果、図３に示すように、実施例１と同様、１バッチ目から表裏面幅差の平均値が２０μｍ以内で安定した加工精度を得た。
(Example 2)
For example, in order to investigate the effect when the apparatus is stopped for a short time such as a lunch break, the chamfering process of the silicon wafer is performed under the same conditions as in Example 1 except that the
As a result, as shown in FIG. 3, as in Example 1, a stable processing accuracy was obtained from the first batch when the average value of the front and back surface width difference was within 20 μm.
（比較例１）
本発明の第１及び第２の発熱体を具備しない従来の面取り加工装置を用い、面取り加工前にこれら発熱体による加熱を行わなかった以外、実施例１と同様の条件でシリコンウェーハの面取り加工を行い、同様に評価した。
面取り加工開始前の砥石、砥石回転軸、ステージ回転軸及び移動軸の表面温度は２４℃であった。表裏面幅差の平均値の結果は、図４に示すように、１バッチ目は７０μｍであり、実施例１、２と比べ大幅に悪化してしまった。その後、バッチが進むに連れて表裏面幅差が縮小したが、５バッチ目までは表裏面幅差が安定せず、６バッチ目以降から平均値２０μｍ以内に安定した。
(Comparative Example 1)
Chamfering of a silicon wafer under the same conditions as in Example 1 except that the conventional chamfering apparatus without the first and second heating elements of the present invention was used and heating by these heating elements was not performed before chamfering. And evaluated in the same manner.
The surface temperature of the grindstone, the grindstone rotating shaft, the stage rotating shaft, and the moving shaft before chamfering processing was 24 ° C. As shown in FIG. 4, the average value of the difference between the front and back surface widths was 70 μm in the first batch, which was significantly worse than in Examples 1 and 2. Thereafter, as the batch progressed, the difference in width between the front and back surfaces was reduced, but the difference in width between the front and back surfaces was not stable until the fifth batch, and the average value was stabilized within 20 μm from the sixth batch.
（比較例２）
面取り加工前に空運転を行った以外、比較例１と同様にシリコンウェーハの面取り加工を行い、同様に評価した。
面取り加工開始前の砥石、砥石回転軸、ステージ回転軸及び移動軸の表面温度は２６〜２８℃であった。表裏面幅差の平均値の結果は、図５に示すように、１バッチ目は４０μｍであり、比較例１よりは改善されたものの、実施例１、２と比べ悪化してしまった。その後、バッチが進むに連れて表裏面幅差が縮小したが、２バッチ目までは表裏面幅差が安定せず、３バッチ目以降から平均値２０μｍ以内に安定した。
(Comparative Example 2)
The silicon wafer was chamfered in the same manner as in Comparative Example 1 except that the idling operation was performed before the chamfering, and was similarly evaluated.
The surface temperatures of the grindstone, the grindstone rotating shaft, the stage rotating shaft, and the moving shaft before starting the chamfering process were 26 to 28 ° C. As shown in FIG. 5, the average value of the front and back surface width difference was 40 μm in the first batch, which was improved as compared with Comparative Example 1, but worsened compared with Examples 1 and 2. Thereafter, as the batch progressed, the front and back surface width difference decreased, but the front and back surface width difference was not stable until the second batch, and the average value was stabilized within 20 μm from the third batch.
比較例２では、空運転を行ったことにより、面取り加工開始前に砥石自体や回転軸、移動軸の熱膨張による影響を排除できたが、加工中の研削熱による影響を排除できなかったため、表裏面幅差が実施例１、２よりも悪化してしまったと考えられる。 In Comparative Example 2, since the idle operation was performed, the influence due to the thermal expansion of the grindstone itself, the rotating shaft, and the moving shaft before chamfering could be excluded, but the influence due to the grinding heat during the processing could not be excluded. It is considered that the difference in width between the front and back surfaces is worse than that in Examples 1 and 2.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.
１…面取り加工装置、 ２…砥石、 ３…ステージ、 ４…第１の発熱体、
５…第１の温度計、 ６、６’…制御装置、 ７…砥石の回転軸、 ８…ウェーハ、
９…ステージの回転軸、 １０ａ、１０ｂ…第２の発熱体、
１１ａ、１１ｂ…ステージの移動軸、 １２ａ、１２ｂ…第２の温度計、
１３ａ、１３ｂ…駆動モータ。
DESCRIPTION OF
5 ... 1st thermometer, 6, 6 '... Control device, 7 ... Rotary axis of grindstone, 8 ... Wafer,
9 ... Rotating shaft of stage, 10a, 10b ... Second heating element,
11a, 11b ... stage movement axis, 12a, 12b ... second thermometer,
13a, 13b ... Drive motors.
Claims (4)
更に、前記砥石及び砥石の回転軸を加熱するための第１の発熱体と、該第１の発熱体による加熱温度を測定する第１の温度計と、前記第１の発熱体による加熱と前記第１の温度計による測定を自動制御するための制御装置を具備するものであることを特徴とするウェーハの面取り加工装置。 A stage that can be rotated around an axis for holding a wafer and that can be moved in the X, Y, and Z directions by a moving axis, and an axis for chamfering the periphery of the wafer held on the stage. A wafer chamfering apparatus equipped with a grindstone,
Furthermore, the first heating element for heating the grindstone and the rotating shaft of the grindstone, the first thermometer for measuring the heating temperature by the first heating element, the heating by the first heating element, and the A wafer chamfering apparatus comprising a controller for automatically controlling measurement by a first thermometer.
前記ウェーハの面取り加工を開始する前に、前記砥石及び砥石の回転軸を加熱することを特徴とするウェーハの面取り加工方法。 While holding the wafer on the stage, the stage is rotated around the axis, the position of the stage is adjusted in the X, Y, and Z directions by the moving axis, and the grindstone is rotated around the axis while the grindstone is moved to the periphery of the wafer. A chamfering method for a wafer that is chamfered by contacting the wafer,
A chamfering method for a wafer comprising heating the grindstone and a rotating shaft of the grindstone before starting chamfering of the wafer.
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