JP2011057793A - Adhesive composition, and sheet for forming semiconductor protective film using the same - Google Patents
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Abstract
【課題】平坦性、切断特性に優れ、硬化後に色ムラ発生の無い保護膜を形成することができる半導体ウエハ保護膜形成用シート、並びに、かかる保護膜およびシートを実現することができる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)フェノキシ樹脂、(B)骨格内に芳香族環を有するエピクロルヒドリン共重合型のエポキシ樹脂、(C)骨格内に芳香族環を含有しないエポキシ樹脂、(D)エポキシ樹脂硬化触媒、(E)無機充填剤、および(F)沸点が70℃〜180℃、25℃における表面張力が20〜30dyne/cmである極性溶媒をそれぞれ所定量含有する接着組成物。
【選択図】なしA semiconductor wafer protective film forming sheet that can form a protective film having excellent flatness and cutting characteristics and free from color unevenness after curing, and an adhesive composition that can realize such a protective film and sheet. Offer things.
SOLUTION: (A) Phenoxy resin, (B) Epichlorohydrin copolymer type epoxy resin having aromatic ring in skeleton, (C) Epoxy resin not containing aromatic ring in skeleton, (D) Curing of epoxy resin An adhesive composition containing a predetermined amount of a catalyst, (E) an inorganic filler, and (F) a polar solvent having a boiling point of 70 to 180 ° C. and a surface tension of 20 to 30 dyne / cm at 25 ° C.
[Selection figure] None
Description
本発明は、半導体ウエハをダイシングする際に、ウエハ裏面を保護する膜(フィルム)を形成するための半導体ウエハ用保護シートに関し、特に平坦性に優れ、ダイサーによる切断特性に優れ、また外観不良となる硬化物表面にムラ発生の無い保護膜を形成可能な半導体保護膜形成用シートに関する。 The present invention relates to a protective sheet for a semiconductor wafer for forming a film (film) that protects the back surface of a wafer when dicing a semiconductor wafer, and particularly has excellent flatness, excellent cutting characteristics with a dicer, and poor appearance. It is related with the sheet | seat for semiconductor protective film formation which can form the protective film which does not generate | occur | produce unevenness on the cured | curing material surface.
半導体チップの実装面積を小さくするために、フリップチップ接続法が用いられている。該接続法では、通常、(1)半導体ウエハの表面に回路および接続用バンプを形成し、(2)半導体ウエハの裏面を所定の厚さまで研磨し、(3)半導体ウエハをダイシングして半導体チップを得、(4)該チップの回路形成面を基板側に向けて基板に接続した後、(5)半導体チップを保護するために樹脂封止等行なう、という手順がとられる。 In order to reduce the mounting area of the semiconductor chip, a flip chip connection method is used. In this connection method, usually, (1) a circuit and connection bumps are formed on the surface of a semiconductor wafer, (2) the back surface of the semiconductor wafer is polished to a predetermined thickness, and (3) the semiconductor wafer is diced to form a semiconductor chip. (4) After the chip is connected to the substrate with the circuit formation surface facing the substrate side, (5) resin sealing or the like is performed to protect the semiconductor chip.
ところが、(2)の研磨工程でチップ裏面に微小な筋状の傷が形成され、それがダイシング工程やパッケージングの後にクラック発生の原因になることがある。そこで、このような筋状の傷が研磨工程で生じてもその後の工程に悪影響を及ぼさないように、(2)の研磨工程の後で裏面に保護膜(チップ用保護膜)を形成することが提案され、さらに、このような保護膜を形成するためにシートとして、剥離シートとその剥離面上に形成された保護膜形成層とからなるものが提案されている(特許文献1、特許文献2)。 However, in the polishing step (2), minute streak-like scratches are formed on the back surface of the chip, which may cause cracks after the dicing step or packaging. Therefore, a protective film (a protective film for a chip) is formed on the back surface after the polishing step (2) so that even if such a streak is generated in the polishing step, the subsequent steps are not adversely affected. Furthermore, as a sheet for forming such a protective film, a sheet comprising a release sheet and a protective film forming layer formed on the release surface is proposed (Patent Document 1, Patent Document). 2).
一方、上記ダイシング工程においては、回転刃の振動などによりウエハが損傷する(以下「チッピング」という)ことがあることが知られている。 On the other hand, in the dicing process, it is known that the wafer may be damaged (hereinafter referred to as “chipping”) due to vibration of the rotary blade or the like.
上記チップ用保護膜にはダイシング工程におけるチッピングの防止も期待されるところであるが、該保護膜が平坦で無い場合には、ダイシングフィルムとチップ用保護膜の間に隙間が生じてしまい、ダイシングフィルムと保護膜とが接していない部分が発生する。この保護膜の非平坦性に起因して、空気層がチップ用保護膜とダイシングフィルムとの間に不均一に乗じる結果、ウエハの切断時に回転刃を振動させ、ウエハを一層損傷させるという問題がある。 The chip protective film is also expected to prevent chipping in the dicing process. However, if the protective film is not flat, a gap is formed between the dicing film and the chip protective film, and the dicing film And a portion where the protective film is not in contact with each other occurs. Due to this non-flatness of the protective film, the air layer is unevenly applied between the chip protective film and the dicing film, resulting in a problem that the rotary blade is vibrated when the wafer is cut and the wafer is further damaged. is there.
上記チップ用保護膜はレーザーマークなどで識別用の記号を書き込むが、硬化物表面に色ムラが発生した場合、表面光沢に差が発生して画像処理をして記号を読み込む際に、認識エラーが発生して、ライン停止を引き起こす問題がある。 The above protective film for chips writes a symbol for identification with a laser mark or the like. However, if color unevenness occurs on the surface of the cured product, a difference in surface gloss will occur, causing a recognition error when reading the symbol after image processing. Occurs, causing the line to stop.
そこで、本発明は斯かる問題を解決し、平坦性、切断特性および接着性に優れ、また硬化後の色ムラ発生のない保護膜を形成することができる半導体ウエハ保護膜形成用シートを提供すること、並びに、かかる保護膜およびシートを実現することができる接着剤組成物を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention provides a semiconductor wafer protective film forming sheet that can solve such problems and can form a protective film that is excellent in flatness, cutting characteristics, and adhesiveness, and that is free from color unevenness after curing. In addition, an object of the present invention is to provide an adhesive composition capable of realizing such a protective film and sheet.
本発明は、上記の目的を達成するために、下記接着剤組成物および半導体ウエハ保護膜形成用シートを提供する。
[1](A)フェノキシ樹脂 100質量部
(B)樹脂骨格内に芳香族環を有するエピクロルヒドリン共重合型のエポキシ樹脂 4〜150質量部
(C)樹脂骨格内に芳香族環が存在しないエポキシ樹脂 1〜50質量部
(D)エポキシ樹脂硬化触媒 有効量、および
(E)無機充填剤 前記(A)、(B)、(C)および(D)成分の合計量100質量部に対して5〜900質量部
(F)沸点が70℃〜180℃、25℃における表面張力が20〜30dyne/cmである極性溶媒 前記(A)、(B)、(C)、(D)および(E)成分の合計量100質量部に対して10〜300質量部含有する接着剤組成物。
[2](C)成分の樹脂骨格内に芳香族環が存在しないエポキシ樹脂が、エポキシ基を2個以上有し、重量平均分子量が3000以下の脂環式エポキシ樹脂である[1]に記載の接着剤組成物。
[3](D)成分のエポキシ樹脂硬化触媒がジシアンジアミドである[1]又は[2]に記載の接着剤組成物。
[4](F)成分の溶媒がシクロヘキサノン、酢酸ブチル、メチルエチルケトンから選ばれる少なくとも1種である[1]〜[3]のいずれかに記載の接着剤組成物。
[5]基材フィルムと、[1]〜[4]のいずれかに記載の接着剤組成物から(F)成分の溶媒を除去した組成物からなり、該基材フィルムの片面に形成された被膜と、を有する半導体ウエハ保護膜形成用シート。
In order to achieve the above object, the present invention provides the following adhesive composition and semiconductor wafer protective film forming sheet.
[1] (A) Phenoxy resin 100 parts by mass (B) Epichlorohydrin copolymer type epoxy resin having an aromatic ring in the resin skeleton 4 to 150 parts by mass (C) Epoxy resin having no aromatic ring in the resin skeleton 1 to 50 parts by mass (D) epoxy resin curing catalyst effective amount, and (E) inorganic filler 5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (A), (B), (C) and (D). 900 parts by mass (F) Polar solvent having a boiling point of 70 to 180 ° C. and a surface tension of 20 to 30 dyne / cm at 25 ° C. The components (A), (B), (C), (D) and (E) An adhesive composition containing 10 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount.
[2] The epoxy resin having no aromatic ring in the resin skeleton of the component (C) is an alicyclic epoxy resin having two or more epoxy groups and a weight average molecular weight of 3000 or less. Adhesive composition.
[3] The adhesive composition according to [1] or [2], wherein the epoxy resin curing catalyst of component (D) is dicyandiamide.
[4] The adhesive composition according to any one of [1] to [3], wherein the solvent of the component (F) is at least one selected from cyclohexanone, butyl acetate, and methyl ethyl ketone.
[5] A base film and a composition obtained by removing the solvent of the component (F) from the adhesive composition according to any one of [1] to [4], and formed on one side of the base film A semiconductor wafer protective film-forming sheet having a coating.
本発明の接着剤組成物によれば上記目的を達成できる半導体ウエハ保護膜形成用シートを製造することができる。 According to the adhesive composition of the present invention, a semiconductor wafer protective film forming sheet capable of achieving the above object can be produced.
本発明の保護膜形成用シートによれば、半導体ウエハの非回路面に平坦性の優れる保護膜を容易に形成することができる。その結果、ダイシングフィルムと保護膜の間に隙間が発生し難く、ダイシングの際に回転刃に不均一な振動を発生することがない。そのため、チッピングが起こり難く、信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで得ることができる。また硬化後の表面色むらが少ないためにレーザーマーク後の画像識別が容易で、高い生産性を得ることができる。 According to the protective film-forming sheet of the present invention, a protective film having excellent flatness can be easily formed on the non-circuit surface of the semiconductor wafer. As a result, a gap is hardly generated between the dicing film and the protective film, and non-uniform vibration is not generated in the rotary blade during dicing. Therefore, chipping is unlikely to occur and a highly reliable semiconductor device can be obtained with high yield. Further, since there is little unevenness of the surface color after curing, image identification after laser marking is easy, and high productivity can be obtained.
以下、本発明をより詳細に説明する。本明細書において「重量平均分子量」(Mwと略すこともある)とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量を意味する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail. In this specification, “weight average molecular weight” (sometimes abbreviated as Mw) means a polystyrene-reduced weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography.
<接着剤組成物>
−(A)フェノキシ樹脂−
本発明で(A)成分として用いられるフェノキシ樹脂(以下、「(A)成分」とも略記する)は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂の高分子量のものであり、重量平均分子量が通常10000以上、好ましくは10000〜200000、特に好ましくは12000〜100000である。
<Adhesive composition>
-(A) Phenoxy resin-
The phenoxy resin used as the component (A) in the present invention (hereinafter also abbreviated as “component (A)”) is a high molecular weight bisphenol A type epoxy resin or bisphenol F type epoxy resin, and has a weight average molecular weight. Usually 10,000 or more, preferably 10,000 to 200,000, particularly preferably 12,000 to 100,000.
フェノキシ樹脂としては、例えばエピクロルヒドリンとビスフェノールAもしくはビスフェノールF等から誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。このようなフェノキシ樹脂としては商品名PKHC、PKHH、PKHJ(いずれも巴化学社製)、ビスフェノールA、ビスフェノールF混合タイプの商品名エピコート4250、エピコート4275、エピコート1255HX30、臭素化エポキシを用いたエピコート5580BPX40(いずれも日本化薬社製)、ビスフェノールAタイプの商品名YP-50、YP-50S、YP-55、YP-70(いずれも東都化成社製)、JER E1256、E4250、E4275、YX6954BH30、YL7290BH30(いずれもジャパンエポキシレジン社製)などがあげられる。 Examples of phenoxy resins include bisphenol type epoxy resins derived from epichlorohydrin and bisphenol A or bisphenol F. As such phenoxy resins, trade names PKHC, PKHH, PKHJ (all manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.), bisphenol A, bisphenol F mixed type trade names Epicoat 4250, Epicoat 4275, Epicoat 1255HX30, Epicoat 5580BPX40 using brominated epoxy (All manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), bisphenol A type trade names YP-50, YP-50S, YP-55, YP-70 (all manufactured by Toto Kasei), JER E1256, E4250, E4275, YX6954BH30, YL7290BH30 (Both manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.).
フェノキシ樹脂として好ましいものは、PKHH、YP−50、YP−50S、YP−55、YP−70、JER E1256等のビスフェノールAタイプである。 Preferable phenoxy resins are bisphenol A types such as PKHH, YP-50, YP-50S, YP-55, YP-70, and JER E1256.
これらのフェノキシ樹脂は一種単独でも二種以上の組み合わせとしても使用することができる。 These phenoxy resins can be used singly or in combination of two or more.
−(B)樹脂骨格内に芳香族環を有するエピクロルヒドリン共重合型のエポキシ樹脂−
本発明で(B)成分として用いられるエピクロルヒドリン共重合型のエポキシ樹脂(以下、「(B)成分」とも略記する)は、分子中に少なくとも2個のエポキシ基を有する化合物である。特に、エポキシ当量が50〜5000g/eqであることが好ましく、より好ましくは100〜500g/eqである。また、骨格内の芳香族環は、単環でも多環でもよい。
-(B) Epichlorohydrin copolymer type epoxy resin having an aromatic ring in the resin skeleton-
The epichlorohydrin copolymer type epoxy resin (hereinafter also abbreviated as “component (B)”) used as the component (B) in the present invention is a compound having at least two epoxy groups in the molecule. In particular, the epoxy equivalent is preferably 50 to 5000 g / eq, more preferably 100 to 500 g / eq. Further, the aromatic ring in the skeleton may be monocyclic or polycyclic.
該エポキシ樹脂は重量平均分子量が通常10000未満、好ましくは400〜9000、より好ましくは500〜8000である。 The epoxy resin has a weight average molecular weight of usually less than 10,000, preferably 400 to 9000, more preferably 500 to 8000.
このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、またはこれらのハロゲン化物のジグリシジルエーテル;並びに、これらの化合物の縮重合物(いわゆるビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等);レゾルシンのジグリシジルエーテル;1,4−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ベンゼン;4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ジフェニルエーテル;ビス(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル)アジペート;1,2−ジヒドロキシベンゼン、レゾルシノール等の多価フェノールとエピクロルヒドリンとを縮合させて得られるエポキシグリシジルエーテル或いはポリグリシジルエステル;フェノールノボラック、クレゾールノボラック等のノボラック型フェノール樹脂(或いはハロゲン化ノボラック型フェノール樹脂)とエピクロルヒドリンとを縮合させて得られるエポキシノボラック(即ち、ノボラック型エポキシ樹脂);ナフタレン環含有エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;フェノールアラルキル型エポキシ樹脂;ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂;シクロペンタジエン型エポキシ樹脂などが挙げられる。 Such epoxy resins include, for example, bis (4-hydroxyphenyl) methane, 2,2′-bis (4-hydroxyphenyl) propane, or diglycidyl ethers of these halides; Polymers (so-called bisphenol F type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, etc.); resorcin diglycidyl ether; 1,4-bis (2,3-epoxypropoxy) benzene; 4,4′-bis (2,3- Epoxypropoxy) diphenyl ether; bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl) adipate; epoxy glycidyl ether or polyglycidyl ester obtained by condensation of polychlorophenol such as 1,2-dihydroxybenzene, resorcinol and epichlorohydrin ; Epoxy novolaks obtained by condensing novolak type phenolic resins (or halogenated novolak type phenolic resins) such as enolic novolaks and cresol novolaks with epichlorohydrin (ie novolac type epoxy resins); naphthalene ring-containing epoxy resins; biphenyl type epoxy resins Phenol aralkyl type epoxy resin; biphenyl aralkyl type epoxy resin; cyclopentadiene type epoxy resin and the like.
これらの中でも(B)成分として好ましいものは、室温で液状であるビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂である。 Among these, bisphenol F type epoxy resin and bisphenol A type epoxy resin that are liquid at room temperature are preferable as the component (B).
これらのエポキシ樹脂は1種単独でも2種以上の組み合わせとしても使用することができる。 These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.
(B)成分のエポキシ樹脂の配合量は、(A)成分のフェノキシ樹脂100質量部に対して4〜150質量部、好ましくは8〜120質量部、特に好ましくは10〜100質量部である。エポキシ樹脂の配合量が少なすぎると接着剤組成物の接着力が劣る場合があり、多すぎると接着剤層の柔軟性が不足する場合がある。 (B) The compounding quantity of the epoxy resin of a component is 4-150 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component phenoxy resin, Preferably it is 8-120 mass parts, Most preferably, it is 10-100 mass parts. If the amount of the epoxy resin is too small, the adhesive strength of the adhesive composition may be inferior, and if it is too large, the flexibility of the adhesive layer may be insufficient.
−(C)樹脂骨格内に芳香族環が存在しないエポキシ樹脂−
本発明で(C)成分として用いられる樹脂骨格内に芳香族環が存在しないエポキシ樹脂(以下「(C)成分」とも略記する)としては、脂肪族エポキシ樹脂であり、例えば、脂環式エポキシ樹脂、水添型エポキシ樹脂、脂肪族多価アルコールのエピクロルヒドリン縮合型エポキシ樹脂が上げられる。
-(C) Epoxy resin having no aromatic ring in the resin skeleton-
An epoxy resin having no aromatic ring in the resin skeleton used as the component (C) in the present invention (hereinafter also abbreviated as “component (C)”) is an aliphatic epoxy resin, such as an alicyclic epoxy. Examples thereof include resins, hydrogenated epoxy resins, and aliphatic polyhydric alcohol epichlorohydrin condensation type epoxy resins.
本発明で(C)成分として用いられる樹脂骨格内に芳香族環が存在しないエポキシ樹脂は、分子中に少なくとも2個のエポキシ基を有し、重量平均分子量が3000以下であることが好ましく、より好ましくは2000以下である。エポキシ基が分子中に2個以上ないと、ガラス転移点が低下して耐湿信頼性に劣る組成物となる。また、重量平均分子量が3000より大きい場合では、フィルム状組成物が粘度上昇してしまい、貼り付け時に高温を必要として、貼り付け後のウエハが反る原因となる。 The epoxy resin having no aromatic ring in the resin skeleton used as the component (C) in the present invention preferably has at least two epoxy groups in the molecule and has a weight average molecular weight of 3000 or less. Preferably it is 2000 or less. If there are no two or more epoxy groups in the molecule, the glass transition point is lowered and the composition is inferior in moisture resistance reliability. On the other hand, when the weight average molecular weight is greater than 3000, the viscosity of the film-like composition increases, and a high temperature is required at the time of bonding, which causes warping of the wafer after bonding.
このような脂環式エポキシ樹脂としては、例えばダイセル化学社製のセロキサイド2021P、セロキサイド3000、セロキサイド2080、セロキサイド2081、セロキサイド2083、セロキサイド2085、エポリードGT300、EHPE3150が挙げられる。 Examples of such alicyclic epoxy resins include Celoxide 2021P, Celoxide 3000, Celoxide 2080, Celoxide 2081, Celoxide 2083, Celoxide 2085, Epolide GT300, and EHPE3150 manufactured by Daicel Chemical Industries.
水添型エポキシ樹脂としては、例えば東都化成社製のST-3000、ST−4000D、ジャパンエポキシレジン社製 YX-8000、YX8034、YL7170、YL6800が挙げられる。 Examples of the hydrogenated epoxy resin include ST-3000 and ST-4000D manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., and YX-8000, YX8034, YL7170, and YL6800 manufactured by Japan Epoxy Resins.
脂肪族多価アルコールのエピクロルヒドリン縮合型エポキシ樹脂としては日本化薬社製 AK−601、DIC株式会社製 エピクロンU−125−60BTが挙げられる。 Examples of the aliphatic polyhydric alcohol epichlorohydrin condensation type epoxy resin include AK-601 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. and Epicron U-125-60BT manufactured by DIC Corporation.
(C)成分の配合量は、(A)成分のフェノキシ樹脂100質量部に対して1〜50質量部、特に2〜25質量部であることが好ましい。(C)成分の配合量が少なすぎると硬化後の表面にムラが発生したり、塗工後の組成物皮膜の平坦性が劣る場合がある。また多すぎると耐湿信頼性前後の接着力が不足する場合がある。
これらの(C)成分のエポキシ樹脂は一種単独でも二種以上の組み合わせとしても使用することができる。
(C) The compounding quantity of a component is 1-50 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component phenoxy resin, It is preferable that it is especially 2-25 mass parts. If the amount of component (C) is too small, unevenness may occur on the surface after curing, or the flatness of the composition film after coating may be inferior. Moreover, when too large, the adhesive force before and after moisture-resistant reliability may be insufficient.
These (C) component epoxy resins can be used singly or in combination of two or more.
−(D)エポキシ樹脂硬化触媒−
(D)成分であるエポキシ樹脂硬化触媒(以下「(D)成分」とも略記する)としては、リン系触媒、アミン系触媒等が例示される。
-(D) Epoxy resin curing catalyst-
Examples of the epoxy resin curing catalyst (D) component (hereinafter also abbreviated as “component (D)”) include phosphorus-based catalysts and amine-based catalysts.
リン系触媒としては、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスホニウムトリフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、および下記式で示される化合物が挙げられる。 Examples of the phosphorus catalyst include triphenylphosphine, triphenylphosphonium triphenylborate, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, and a compound represented by the following formula.
(式中、R8〜R15は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素、臭素、よう素などのハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素原子数1〜8のアルキル基、ビニル基、アリル基等の炭素原子数2〜8のアルケニル基、プロピニル基、ブテニル基等の炭素原子数2〜8のアルキニル基、炭素原子数6〜8のフェニル基、トルイル基等のアリール基などの一価の非置換の炭化水素基、これらの炭化水素基の水素原子の少なくとも1部がフッ素、臭素、よう素などのハロゲン原子で置換された例えばトリフルオロメチル基などの一価の置換炭化水素基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素原子数1〜8のアルコキシ基が挙げられる。置換一価炭化水素基においては総ての置換基が同一でもおのおの異なっていても構わない。 (Wherein R 8 to R 15 are each independently a halogen atom such as a hydrogen atom, fluorine, bromine or iodine, or an alkyl having 1 to 8 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group. Alkenyl groups having 2 to 8 carbon atoms such as groups, vinyl groups and allyl groups, alkynyl groups having 2 to 8 carbon atoms such as propynyl groups and butenyl groups, phenyl groups having 6 to 8 carbon atoms, and toluyl groups. A monovalent unsubstituted hydrocarbon group such as an aryl group, or a monovalent group such as a trifluoromethyl group in which at least a part of hydrogen atoms of these hydrocarbon groups is substituted with a halogen atom such as fluorine, bromine or iodine; Of the substituted hydrocarbon group, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc. In the substituted monovalent hydrocarbon group, all the substituents are the same. It may be not.
リン系触媒で特に好ましい具体例は、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスホニウムトリフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等である。 Specific preferred examples of the phosphorus catalyst include triphenylphosphine, triphenylphosphonium triphenylborate, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and the like.
アミン系触媒としては、例えば、ジシアンジアミド、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体などが挙げられる。これらの中で好ましいものは、ジシアンジアミド、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾールであり、特に好ましくは、ジシアンジアミドである。 Examples of the amine catalyst include imidazole derivatives such as dicyandiamide, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, and 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole. Can be mentioned. Among these, dicyandiamide and 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole are preferable, and dicyandiamide is particularly preferable.
(D)成分の触媒としては、上述した触媒を1種単独でまたは2種以上を混合して用いることができる。保存安定性、接着性、生産性の観点より特に好ましくはジシアンジアミドが使用される。 (D) As a catalyst of a component, the catalyst mentioned above can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. Dicyandiamide is particularly preferably used from the viewpoints of storage stability, adhesiveness, and productivity.
(D)成分のエポキシ樹脂硬化触媒の配合量は、有効量であり、好ましくは(A)成分100質量部に対して5〜50質量部である。 (D) The compounding quantity of the epoxy resin curing catalyst of a component is an effective amount, Preferably it is 5-50 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component.
−(E)無機充填剤−
本発明(E)成分として用いられる無機充填剤(以下「(E)成分」とも略記する)としては、シリカ、アルミナ、酸化チタン等の金属酸化物やカーボンブラック、銀粒子等の導電性粒子を使用することができる。シリカとしては溶融シリカ、結晶シリカが好ましい。これらの中でも、特にシリカ、アルミナ、酸化チタン等の金属酸化物が好ましい。
-(E) Inorganic filler-
Examples of the inorganic filler used as the component (E) of the present invention (hereinafter also abbreviated as “component (E)”) include metal oxides such as silica, alumina and titanium oxide, and conductive particles such as carbon black and silver particles. Can be used. Silica is preferably fused silica or crystalline silica. Among these, metal oxides such as silica, alumina, and titanium oxide are particularly preferable.
無機充填剤の平均粒径は、0.1〜10μmが好ましく、さらに好ましくは0.5〜7μmである。無機充填剤の平均粒径がこの範囲内にあると、保護膜形成用シートの被膜としても半導体ウエハ上に設けた保護膜としても被膜表面の性状を良好に保ちやすく、均一な被膜を得やすい。また、近年、接着剤層として被膜に求められる厚みは15〜50μmであるが、無機充填剤の平均粒径が上記範囲内にあると、凝集した2次粒子が存在しても、所望の厚みを支障なく達成することができる。 The average particle size of the inorganic filler is preferably from 0.1 to 10 μm, more preferably from 0.5 to 7 μm. When the average particle size of the inorganic filler is within this range, it is easy to maintain the surface property of the coating film as a coating film of the protective film forming sheet or a protective film provided on the semiconductor wafer, and to obtain a uniform coating film. . Further, in recent years, the thickness required of the coating as the adhesive layer is 15 to 50 μm. However, if the average particle size of the inorganic filler is within the above range, the desired thickness can be obtained even when aggregated secondary particles are present. Can be achieved without hindrance.
該無機充填剤の配合量は、(A)、(B)、(C)、(D)成分の合計量100質量部に対して5〜900質量部、より好ましくは10〜700質量部、最も好ましくは100〜500質量部である。該配合量が、5質量部未満では、無機充填剤の配合目的を十分に達成することが難しく、高吸水率、高線膨張係数、低強度となり、一方、900質量部を超えると組成物の粘度が高くなり、取り扱い性が悪くなる。 The blending amount of the inorganic filler is 5 to 900 parts by weight, more preferably 10 to 700 parts by weight, most preferably 100 parts by weight of the total amount of the components (A), (B), (C) and (D). Preferably it is 100-500 mass parts. If the blending amount is less than 5 parts by mass, it is difficult to sufficiently achieve the purpose of blending the inorganic filler, resulting in high water absorption, high linear expansion coefficient, and low strength. Viscosity increases and handling becomes worse.
−(F)溶媒−
(F)成分の溶媒(以下「(F)成分」とも略記する)としては、沸点が70℃〜180℃、25℃における表面張力が20〜30dyne/cmである極性溶媒が使用される。
-(F) Solvent-
As the solvent of the component (F) (hereinafter also abbreviated as “component (F)”), a polar solvent having a boiling point of 70 ° C. to 180 ° C. and a surface tension of 20 to 30 dyne / cm at 25 ° C. is used.
該溶媒の沸点は好ましくは70〜160℃であり、より好ましくは80〜160℃である。沸点が低過ぎると塗工中に溶媒が塗工液(組成物)から揮散し、塗工液にゲル状物を生成して平坦な塗膜の形成が困難になる。沸点が高過ぎると、塗工後に塗膜から溶媒を除去するのにより高温で処理する必要が生じ、組成物中で反応が進行し、接着膜として機能低下を引き起こす。 The boiling point of the solvent is preferably 70 to 160 ° C, more preferably 80 to 160 ° C. If the boiling point is too low, the solvent volatilizes from the coating liquid (composition) during coating, and a gel-like material is generated in the coating liquid, making it difficult to form a flat coating film. When the boiling point is too high, it is necessary to remove the solvent from the coating film after coating, and it is necessary to carry out the treatment at a high temperature, and the reaction proceeds in the composition, causing a functional deterioration as an adhesive film.
該溶媒は25℃における表面張力は20〜30dyne/cmである。表面張力が20dyne/cm未満であると、塗工した際の塗膜端部ひいては乾燥後の被膜端部の形状維持が困難となったり、縦筋が発生し易くなる。30dyne/cmを超えると、基材フィルムに対して塗工性が低下し、塗工抜けが発生し易くなる。 The solvent has a surface tension at 20 ° C. of 20 to 30 dyne / cm. When the surface tension is less than 20 dyne / cm, it is difficult to maintain the shape of the coating film end portion after coating, and thus the coating film end portion after drying, and vertical stripes are likely to occur. When it exceeds 30 dyne / cm, the coating property with respect to the base film is lowered, and coating omission is likely to occur.
該溶媒の配合量としては、(A)、(B)、(C)、(D)および(E)成分の合計量100質量部に対して10〜300質量部を含有することが好ましく、より好ましくは25〜200質量部である。配合量が10質量部より少ないと、高粘度の組成物となり塗工時に縦筋などが発生して、フィルムの平坦性に問題が生じる。また配合量が300質量部より多いと粘度低下が著しく、塗工時に基材フィルムに対してハジキ易くなり、この場合も平滑なフィルム表面が得られなくなる。 As a compounding quantity of this solvent, it is preferable to contain 10-300 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A), (B), (C), (D) and (E) component, Preferably it is 25-200 mass parts. If the blending amount is less than 10 parts by mass, the composition becomes a highly viscous composition, and vertical stripes are generated during coating, resulting in a problem in the flatness of the film. On the other hand, when the blending amount is more than 300 parts by mass, the viscosity is remarkably lowered and the substrate film is easily repelled during coating, and in this case, a smooth film surface cannot be obtained.
(F)成分の極性溶媒の好ましい具体例としては、キシレン、エチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、スチレン等の芳香族炭化水素系溶媒;パーフルオロベンゼン、パーフルオロトルエン等のパーフルオロ芳香族炭化水素系溶媒;四塩化炭素、エチルクロライド、1,1,1-トリクロロエタン、イソブチルクロライド、t−ブチルクロライド、ビニルクロライド、ブロモエチル等のハロゲン化炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒;シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジブチルケトン、メチル・n−プロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル・n−ブチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルヘキシルケトン、ジイソプロピルケトン、ジイソブチルケトン等のケトン系溶媒;酢酸n-プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸ブチル、等の酢酸アルキル系溶媒、シクロヘキサノンなどが挙げられる。中でも、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、メチルエチルケトンが好ましい。 Preferable specific examples of the polar solvent of component (F) include aromatic hydrocarbon solvents such as xylene, ethylbenzene, n-propylbenzene, isopropylbenzene, and styrene; perfluoroaromatic carbonization such as perfluorobenzene and perfluorotoluene. Hydrogen solvents: Carbon tetrachloride, ethyl chloride, 1,1,1-trichloroethane, isobutyl chloride, t-butyl chloride, vinyl chloride, bromoethyl and other halogenated hydrocarbon solvents; diethyl ether, diisopropyl ether and other ether solvents Cyclohexanone, methyl ethyl ketone, dibutyl ketone, methyl n-propyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl n-butyl ketone, methyl isoamyl ketone, methyl hexyl ketone, diisopropyl ketone, diisobutyl ketone Ketone solvents such emissions; acetate n- propyl, isopropyl acetate, n- butyl, butyl acetate, alkyl acetate solvents etc., and cyclohexanone. Of these, cyclohexanone, butyl acetate, and methyl ethyl ketone are preferable.
これらの極性溶媒は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することが出来る。しかし、2種以上を組合わせて使用することが好ましい。2種以上、特に2種を併用することにより、沸点や組成物の溶解性に差を生じさせて、平滑な塗膜を形成することができる。2種以上を使用する場合には、各溶媒は少なくとも25質量%であることが好ましい。 These polar solvents can be used singly or in combination of two or more. However, it is preferable to use a combination of two or more. By using two or more kinds, particularly two kinds in combination, a difference in boiling point and solubility of the composition can be caused to form a smooth coating film. When using 2 or more types, it is preferable that each solvent is at least 25 mass%.
−その他の任意成分−
本発明の接着剤組成物は上述した成分に加えて、必要に応じて、その他の成分および各種の添加剤を含むことができる。
-Other optional components-
The adhesive composition of the present invention can contain other components and various additives as necessary in addition to the components described above.
・エポキシ樹脂の硬化剤:
硬化剤は必須ではないが、これを添加することにより樹脂マトリックスの制御が可能となり、低線膨張率化、高Tg化、低弾性率化等の効果を期待することができる。
・ Epoxy resin curing agent:
Although the curing agent is not essential, the addition of the curing agent makes it possible to control the resin matrix, and can expect effects such as a low linear expansion coefficient, a high Tg, and a low elastic modulus.
この硬化剤としては、従来から知られているエポキシ樹脂用の種々の硬化剤を使用することができる。例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、N−アミノエチルピペラジン、ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)メタン、メタキシリレンジアミン、メンタンジアミン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカンなどのアミン系化合物;エポキシ樹脂−ジエチレントリアミンアダクト、アミン−エチレンオキサイドアダクト、シアノエチル化ポリアミンなどの変性脂肪族ポリアミン;ビスフェノールA、トリメチロールアリルオキシフェノール、低重合度のフェノールノボラック樹脂、エポキシ化もしくはブチル化フェノール樹脂、“Super Beckcite”1001[日本ライヒホールド化学工業(株)製]、“Hitanol”4010[(株)日立製作所製]、Scado form L.9(オランダScado Zwoll社製)、Methylon 75108(米国ゼネラルエレクトリック社製)などの商品名で知られている分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基を含有するフェノール樹脂;“Beckamine”P.138[日本ライヒホールド化学工業(株)製]、“メラン”[(株)日立製作所製]、“U−Van”10R[東洋高圧工業(株)製]などの商品名で知られている炭素樹脂;メラミン樹脂、アニリン樹脂などのアミノ樹脂;式HS(C2H4OCH2OC2H4SS)nC2H4OCH2OC2H4SH(n=1〜10の整数)で示されるような1分子中にメルカプト基を少なくとも2個有するポリスルフィド樹脂;無水フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水ピロメリット酸、メチルナジック酸、ドデシル無水コハク酸、無水クロレンディック酸などの有機酸もしくはその無水物(酸無水物)などが挙げられる。 As this curing agent, conventionally known various curing agents for epoxy resins can be used. For example, diethylenetriamine, triethylenetetramine, diethylaminopropylamine, N-aminoethylpiperazine, bis (4-amino-3-methylcyclohexyl) methane, metaxylylenediamine, menthanediamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -Amine compounds such as 2,4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane; epoxy resins-modified aliphatic polyamines such as diethylenetriamine adduct, amine-ethylene oxide adduct, cyanoethylated polyamine; bisphenol A, tri Methylol allyloxyphenol, low polymerization degree phenol novolac resin, epoxidized or butylated phenol resin, “Super Becksite” 1001 [manufactured by Nippon Reichhold Chemical Co., Ltd.], “ Hitanol "4010 (manufactured by Hitachi, Ltd.), Scadoform L. Phenol resin containing at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule known under the trade name such as 9 (manufactured by Scado Zwoll, The Netherlands), Methylon 75108 (manufactured by General Electric, USA); “Beckamine” P. 138 [manufactured by Nippon Reichhold Chemical Co., Ltd.], “Melan” [manufactured by Hitachi, Ltd.], “U-Van” 10R [manufactured by Toyo Kodan Kogyo Co., Ltd.], etc. resin; formula HS (C 2 H 4 OCH 2 OC 2 H 4 SS) n C 2 H 4 OCH 2 OC 2 H 4 SH (n = 1~10 integer); melamine resins, amino resins such as aniline resins Polysulfide resin having at least two mercapto groups in one molecule; phthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, pyromellitic anhydride, methyl nadic acid, dodecyl succinic anhydride, chlorendic anhydride Examples thereof include organic acids such as acids or anhydrides (acid anhydrides) thereof.
上記した硬化剤のうちでもフェノール系樹脂(特に、フェノールノボラック樹脂)が、本発明の組成物に良好な成形作業性を与えるとともに、優れた耐湿性を与え、また毒性がなく、比較的安価であるので望ましい。 Among the curing agents described above, phenolic resins (particularly phenol novolak resins) give good molding workability to the composition of the present invention, give excellent moisture resistance, are non-toxic and relatively inexpensive. This is desirable.
上記した硬化剤は、1種単独で用いてもよいが、各硬化剤の硬化性能などに応じて2種以上を併用してもよい。 The above-mentioned curing agents may be used alone or in combination of two or more according to the curing performance of each curing agent.
この硬化剤の量は、(A)成分のフェノキシ樹脂と(B)と(C)成分のエポキシ樹脂との反応を妨げない範囲で、その種類に応じて適宜調整される。一般には前記エポキシ樹脂100質量部に対して好ましくは1〜100質量部、より好ましくは5〜50質量部の範囲で使用される。硬化剤の使用量が1質量部未満では、通常硬化剤の添加効果を期待することは困難である。逆に100質量部を超えると、経済的に不利となるほか、エポキシ樹脂が希釈されて硬化に長時間を要するようになり、更には硬化物の物性が低下するという不利が生じる場合がある。 The amount of the curing agent is appropriately adjusted according to the type of the curing agent as long as the reaction between the (A) component phenoxy resin, the (B) component, and the (C) component epoxy resin is not hindered. Generally, it is used in the range of preferably 1 to 100 parts by mass, more preferably 5 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin. If the amount of the curing agent used is less than 1 part by mass, it is usually difficult to expect the effect of adding the curing agent. On the other hand, when the amount exceeds 100 parts by mass, it is economically disadvantageous, and the epoxy resin is diluted to require a long time for curing, and further, there may be a disadvantage that the physical properties of the cured product are lowered.
・その他の添加剤:
本発明の組成物には、本発明の効果を損なわない範囲内で、無機系または有機系の顔料、染料等の着色剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、難燃剤、帯電防止剤、熱安定剤等を添加することができる。例えば、顔料、染料等を配合して保護膜を着色しておくと、レーザーマークなどの刻印した場合、視認性や光学機器認識性能が向上する。
・ Other additives:
The composition of the present invention includes colorants such as inorganic or organic pigments and dyes, silane coupling agents, antioxidants, flame retardants, antistatic agents, heat, and the like within the range not impairing the effects of the present invention. Stabilizers and the like can be added. For example, when a protective film is colored by blending pigments, dyes, etc., visibility and optical device recognition performance are improved when a laser mark or the like is engraved.
<半導体ウエハ保護膜形成用シート>
−基材フィルム−
本発明に係る半導体ウエハ保護膜形成用シートにおける基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム等の合成樹脂フィルムが用いられ、特に、チッピング防止保護膜を硬化後に基材を該保護膜から剥離する場合には、耐熱性に優れたポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルムが好ましく用いられる。また基材フィルムの表面にシリコーン樹脂、フッ素樹脂等を塗布して離型処理を施して離型性被膜を形成してもよい。
<Semiconductor wafer protective film forming sheet>
-Base film-
As the base film in the semiconductor wafer protective film forming sheet according to the present invention, for example, a synthetic resin film such as a polyethylene film, a polypropylene film, a polyvinyl chloride film, a polyethylene terephthalate film, and a polyimide film is used. When the substrate is peeled from the protective film after the protective film is cured, a polyethylene terephthalate film or a polyimide film excellent in heat resistance is preferably used. Alternatively, a release film may be formed by applying a silicone resin, a fluorine resin, or the like to the surface of the base film and performing a release treatment.
基材フィルムの膜厚は、通常は5〜200μm、好ましくは10〜150μm、特に好ましくは20〜100μm程度である。 The film thickness of the base film is usually about 5 to 200 μm, preferably about 10 to 150 μm, and particularly preferably about 20 to 100 μm.
−保護膜−
保護膜は、上記基材フィルム上に前述した本発明の組成物を、通常、塗布乾燥後に通常5〜100μm、好ましくは10〜60μmになるように、グラビアコーター等公知の方法で施与することにより得ることができる。
-Protective film-
The protective film is applied to the base film by the known method such as a gravure coater so that the composition of the present invention is usually 5 to 100 μm, preferably 10 to 60 μm after coating and drying. Can be obtained.
上記組成物中の溶媒の乾燥条件は、通常、室温で2時間以上、または40〜130℃で1〜20分間程度であり、好ましくは50〜120℃で1〜20分間である。場合により付加反応と同時に進行させてもよいが、有機過酸化物硬化が起きないような温度範囲にする必要がある。 The drying conditions of the solvent in the composition are usually at room temperature for 2 hours or more, or at 40 to 130 ° C. for about 1 to 20 minutes, preferably at 50 to 120 ° C. for 1 to 20 minutes. In some cases, the reaction may proceed simultaneously with the addition reaction, but it is necessary to set the temperature within such a range that organic peroxide curing does not occur.
上記本発明の半導体ウエハ保護膜形成用シートは、以下工程を有する方法により使用することができる。
(1)本発明の半導体ウエハ保護膜形成用シートの保護膜上に、回路が形成された半導体ウエハの裏面を貼付する工程、
(2)保護膜から基材フィルムを剥離する工程、
(3)加熱により保護膜を硬化する工程、
(4)硬化させた保護膜上にダイシングフィルムを貼付する工程、
(5)半導体ウエハおよび保護膜をダイシングする工程。
ここで、工程(2)と(3)が逆順であってもよい。
The semiconductor wafer protective film forming sheet of the present invention can be used by a method having the following steps.
(1) A step of affixing the back surface of a semiconductor wafer on which a circuit is formed on the protective film of the semiconductor wafer protective film forming sheet of the present invention
(2) a step of peeling the base film from the protective film,
(3) a step of curing the protective film by heating,
(4) A step of attaching a dicing film on the cured protective film,
(5) A step of dicing the semiconductor wafer and the protective film.
Here, steps (2) and (3) may be in reverse order.
工程(3)における加熱は、硬化剤が有効に硬化性能を発揮する条件であって、通常、120〜200℃で10〜120分間、特に好ましくは130〜190℃で15〜60分間である。 The heating in the step (3) is a condition that the curing agent effectively exhibits the curing performance, and is usually 120 to 200 ° C. for 10 to 120 minutes, particularly preferably 130 to 190 ° C. for 15 to 60 minutes.
工程(5)におけるウエハのダイシングは、ダイシングシートを用いた常法により行われる。本発明の保護膜形成用シートを用いることによって、チップ切断面に微小な割れや欠け(チッピング)が発生し難くなる。ダイシングにより、裏面に保護膜を有する半導体チップが得られる。該チップは、コレット等の汎用手段によりピックアップする。これにより、均一性の高い保護膜を、チップ裏面に簡便に形成でき、しかもダイシング時に発生するチッピングが軽減されるために、回路面に対する損傷が少ない歩留まりが高い半導体装置となる。 The wafer dicing in step (5) is performed by a conventional method using a dicing sheet. By using the protective film-forming sheet of the present invention, it becomes difficult for micro-cracks and chips (chipping) to occur on the chip cut surface. A semiconductor chip having a protective film on the back surface is obtained by dicing. The chip is picked up by general-purpose means such as a collet. As a result, a highly uniform protective film can be easily formed on the back surface of the chip, and chipping that occurs during dicing is reduced, resulting in a semiconductor device with a high yield with little damage to the circuit surface.
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not restrict | limited to the following Example.
・接着剤組成物の調製方法
表1に示す量で下記成分を混合して、固形分50重量%の組成物を得た。表1に示す成分(A)〜(E)は以下のとおりである。
-Preparation method of adhesive composition The following components were mixed in the amounts shown in Table 1 to obtain a composition having a solid content of 50% by weight. Components (A) to (E) shown in Table 1 are as follows.
(A)成分
フェノキシ樹脂系ポリマー:Mw60000、JER1256(ジャパンエポキシレジン社製)
(B)骨格内に芳香族環を有するエピクロルヒドリン共重合型のエポキシ樹脂成分
RE310S(日本化薬社製)、25℃の粘度15Pa・s
(C)樹脂骨格内に芳香族環が存在しないエポキシ樹脂成分
セロキサイド2021P(2官能性脂環式エポキシ樹脂) Mw252 ダイセル化学(株)社製
YX−8000(2官能性水添型エポキシ樹脂) Mw360 ジャパンエポキシレジン(株)社製
AK−601(ポリオール型エポキシ樹脂) Mw252 日本化薬(株)社製
(D)成分
ジシアンジアミド(DICY−7):ジャパンエポキシレジン社製
(E)成分
シリカ:SE2050 平均粒径0.5μm 最大粒径5μm KBM−403処理品、(株)アドマテックス社製
(A) component Phenoxy resin polymer: Mw 60000, JER1256 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)
(B) Epichlorohydrin copolymer type epoxy resin component RE310S (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) having an aromatic ring in the skeleton, viscosity of 15 Pa · s at 25 ° C.
(C) Epoxy resin component having no aromatic ring in the resin skeleton Celoxide 2021P (bifunctional alicyclic epoxy resin) Mw252 YX-8000 (bifunctional hydrogenated epoxy resin) manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. Mw360 AK-601 (polyol type epoxy resin) manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. Mw252 (D) component manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. Dicyandiamide (DICY-7): (E) component manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. Silica: SE2050 average Particle size 0.5μm Maximum particle size 5μm KBM-403 treated product, manufactured by Admatechs
・保護膜の作成
接着剤組成物を、表面がシリコーン離型剤で被覆された厚さ38μmのPETフィルム上に塗布し、110℃で10分間加熱乾燥をして、厚さ25μmの保護膜を形成した。
-Preparation of protective film The adhesive composition was coated on a 38 μm thick PET film whose surface was coated with a silicone release agent, and was heated and dried at 110 ° C. for 10 minutes to form a protective film having a thickness of 25 μm. Formed.
・平坦性試験
・・表面凸状欠陥
キーエンス社製 レーザー顕微鏡(商品名:VK−8710)にてPETフィルム上に形成した保護膜を観察し、直径100μm以上で且つ高さ5μm以上の突起を凸状欠陥として数を数えた。観察単位面積は1m2である。
・・表面凹状欠陥
キーエンス社製 レーザー顕微鏡(商品名:VK−8710)にてPETフィルム上に形成した保護膜を観察し、直径300μm以上で且つ深さ15μm以上の凹部を凹状欠陥として数を数えた。観察単位面積は1m2である。
・ Flatness test ・ ・ Surface convex defect A protective film formed on a PET film was observed with a laser microscope (trade name: VK-8710) manufactured by Keyence Corporation, and a protrusion having a diameter of 100 μm or more and a height of 5 μm or more was projected. The number was counted as a defect. The observation unit area is 1 m 2 .
· · Surface concave defects Observe the protective film formed on the PET film with a laser microscope (trade name: VK-8710) manufactured by KEYENCE, and count the number of concaves with a diameter of 300 µm or more and a depth of 15 µm or more as concave defects. It was. The observation unit area is 1 m 2 .
・色むら試験
ガラス板上に保護膜を転写し、熱風循環式乾燥機において175℃/4時間で硬化した。目視認識で色むらの位置特定を行い、色むら部分と非色むら部分の保護膜をキーエンス社製 レーザー顕微鏡(商品名:VK−8710)にて観察し、断面のプロファイル観察を行い100umの測定範囲で0.05から0.1um以内の凹凸の個数差を観察した。色むら部分と非色むら部分を比較して、0.05から0.1um以内の凹凸の個数差が30個以内の場合は色むら無しと記載し、30個より多い場合は色むら有りとした。
Color unevenness test A protective film was transferred onto a glass plate and cured at 175 ° C for 4 hours in a hot air circulation dryer. The position of the color unevenness is identified by visual recognition, the protective film of the color unevenness portion and the non-color unevenness portion is observed with a laser microscope (product name: VK-8710) manufactured by Keyence, and the profile of the cross section is observed to measure 100 μm. The difference in the number of irregularities within 0.05 to 0.1 μm was observed in the range. Comparing the uneven color part and the non-color uneven part, if the difference in the number of irregularities within 0.05 to 0.1 μm is within 30, the color unevenness is described. did.
・チッピング試験
PETフィルム上に形成した保護膜を、接着フィルム貼り付け装置(テクノビジョン社製、商品名:FM−114)を用いて70℃で厚み220μmのシリコンウエハ(8インチの未研磨ウエハをディスコ社製 DAG−810を用いて#2000研磨して、220μm厚としたウエハ)の表面に貼り付けた後、該保護膜からPETフィルムを剥がした。該シリコンウエハを回路形成面側から下記条件で10mm×10mm角のチップにダイシングした。得られたチップ8個の顕微鏡断面写真を撮り、断面方向に長さ25μm以上の大きさの割れや欠けがある場合にチッピング「有り」と評価した。結果を表1に示す。
Chipping test A protective film formed on a PET film was bonded to a silicon wafer (8-inch unpolished wafer) having a thickness of 220 μm at 70 ° C. using an adhesive film attaching device (trade name: FM-114, manufactured by Technovision). After being attached to the surface of a wafer having a thickness of 220 μm by polishing # 2000 using DAG-810 manufactured by Disco Corporation, the PET film was peeled off from the protective film. The silicon wafer was diced into 10 mm × 10 mm square chips from the circuit forming surface side under the following conditions. Microscopic cross-sectional photographs of the 8 chips obtained were taken, and when there was a crack or chip having a length of 25 μm or more in the cross-sectional direction, the chipping was evaluated as “present”. The results are shown in Table 1.
[ダイシング条件]
装置:DISCOダイサー DAD−341
カット方法:シングル
刃回転数:40000rpm
刃速度:50mm/sec
ダイシングフィルムの厚み85μm
ダイシングフィルムへの切り込み:15μm
[Dicing condition]
Device: DISCO Dicer DAD-341
Cutting method: Single Blade rotation speed: 40000 rpm
Blade speed: 50 mm / sec
Dicing film thickness 85μm
Cutting into dicing film: 15 μm
・せん断接着力試験
上述と同様の方法で、保護膜形成用シートの保護膜面を直径8インチのシリコンウエハの裏面に貼り付けた後基材フィルムを剥離した。保護膜が貼付されたウエハを保護膜ごと3mm×3mm角のチップに切断した。その後、チップをピックアップして10mm×10mmのシリコンウエハの中央部に、170℃で、0.63MPaの加圧下で1秒間熱圧着をして積層体を得た。得られた積層体を175℃で4時間加熱処理をし、保護膜を硬化させて試験片を作成した。この試験片をDAGE社製 DAGE4000を用いて、速度200μm/sec、高さ50μmでせん断接着力を測定した。
結果を表1と表2に示す。
-Shear adhesive strength test The protective film surface of the protective film forming sheet was attached to the back surface of a silicon wafer having a diameter of 8 inches by the same method as described above, and then the base film was peeled off. The wafer to which the protective film was attached was cut into 3 mm × 3 mm square chips together with the protective film. Thereafter, the chip was picked up and thermocompression bonded at 170 ° C. under a pressure of 0.63 MPa for 1 second to the center of a 10 mm × 10 mm silicon wafer to obtain a laminate. The obtained laminate was heat-treated at 175 ° C. for 4 hours to cure the protective film and prepare a test piece. This test piece was measured for shear adhesion at a speed of 200 μm / sec and a height of 50 μm using a DAGE 4000 manufactured by DAGE.
The results are shown in Tables 1 and 2.
実施例1〜8はいずれも良好なフィルム特性を示した。一方、(C)成分を含まない比較例1〜2および6、(C)成分の配合量が本願発明の範囲を逸脱する比較例3〜5、(F)成分の溶媒が本願発明の範囲を逸脱する比較例6〜8はいずれも、接着フィルム性能、特に色むらやチッピング性能において好ましくない結果となった。 Examples 1-8 all showed good film properties. On the other hand, Comparative Examples 1-2 and 6 not containing the component (C), Comparative Examples 3-5 in which the blending amount of the component (C) deviates from the scope of the present invention, and the solvent of the component (F) is within the scope of the present invention. Comparative Examples 6 to 8 that deviate all showed undesirable results in adhesive film performance, particularly color unevenness and chipping performance.
本発明の接着剤組成物および半導体ウエハ保護膜形成用シートは、信頼性の高い半導体装置の製造に有用である。 The adhesive composition and the semiconductor wafer protective film forming sheet of the present invention are useful for manufacturing a highly reliable semiconductor device.
Claims (5)
(B)樹脂骨格内に芳香族環を有するエピクロルヒドリン共重合型のエポキシ樹脂 4〜150質量部
(C)樹脂骨格内に芳香族環が存在しないエポキシ樹脂 1〜50質量部
(D)エポキシ樹脂硬化触媒 有効量、および
(E)無機充填剤 前記(A)、(B)、(C)および(D)成分の合計量100質量部に対して5〜900質量部
(F)沸点が70℃〜180℃、25℃における表面張力が20〜30dyne/cmである極性溶媒 前記(A)、(B)、(C)、(D)および(E)成分の合計量100質量部に対して10〜300質量部含有する接着剤組成物。 (A) Phenoxy resin 100 parts by mass (B) Epichlorohydrin copolymer type epoxy resin having an aromatic ring in the resin skeleton 4 to 150 parts by mass (C) Epoxy resin having no aromatic ring in the resin skeleton 1 to 50 Mass part (D) Epoxy resin curing catalyst Effective amount, and (E) Inorganic filler 5 to 900 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (A), (B), (C) and (D) (F) A polar solvent having a boiling point of 70 ° C. to 180 ° C. and a surface tension of 20 to 30 dyne / cm at 25 ° C. The total amount of the components (A), (B), (C), (D) and (E) The adhesive composition which contains 10-300 mass parts with respect to 100 mass parts.
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