JP2010028065A - Method for manufacturing silicon wafer - Google Patents
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Abstract
Description
この発明はシリコンウェーハの製造方法、詳しくは窒素ガスの雰囲気下、シリコンウェーハをＲＴＡ炉により急熱急冷することで、シリコンウェーハの内部に金属不純物のゲッタリングサイトとなる空孔を形成するシリコンウェーハの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a silicon wafer, and more particularly, a silicon wafer in which a void serving as a gettering site for metal impurities is formed inside the silicon wafer by rapidly heating and quenching the silicon wafer in an RTA furnace in an atmosphere of nitrogen gas. It relates to the manufacturing method.
シリコンウェーハへのデバイス形成においては、熱処理による成膜工程やドライ洗浄など相当数のプロセスを繰り返して最終デバイス製品となる。このようなプロセスでは、シリコンウェーハ中に様々な金属不純物を取り込んでしまい、デバイス特性の劣化につながることは周知である。
そこで、デバイスプロセスでの金属汚染をデバイス活性層から除去するため、シリコンウェーハの内部に酸素析出物を成長させ、酸素析出物により金属不純物を捕獲するイントリンシック・ゲッタリング法が提案されている（例えば特許文献１）。
In forming a device on a silicon wafer, a considerable number of processes such as a film forming process by heat treatment and dry cleaning are repeated to obtain a final device product. It is well known that such a process introduces various metal impurities into the silicon wafer, leading to deterioration of device characteristics.
Therefore, in order to remove metal contamination in the device process from the device active layer, an intrinsic gettering method has been proposed in which oxygen precipitates are grown inside a silicon wafer and metal impurities are captured by the oxygen precipitates ( For example, Patent Document 1).
特許文献１には、１００ｐｐｍ未満の酸素が混入された窒素ガスの雰囲気下、シリコンウェーハにＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）炉を用いた急速加熱急速冷却を施し、シリコンウェーハ表面にシリコン窒化酸化膜を形成するシリコンウェーハの製造方法が開示されている。このように、ＲＴＡ時、窒素ガスに１００ｐｐｍ未満の微量の酸素を混入するため、雰囲気ガスに窒素ガスのみを使用して得られたシリコン窒化膜の場合に比べて、これを酸化したシリコン窒化酸化膜の膜厚を厚くすることができる。その結果、窒素と反応するシリコン原子数が増加し、ウェーハ内部に注入可能な空孔量が増加する。よって、比較的低温でも効率的にウェーハ内部に空孔を注入することができ、その後の熱処理において、シリコンウェーハの表層に高品質のＤＺ層と、ウェーハ内部に適度に高いＢＭＤ密度を有したシリコンウェーハを製造することができる。 In Patent Document 1, a silicon oxynitride film is formed on the surface of a silicon wafer by performing rapid heating and rapid cooling using an RTA (Rapid Thermal Annealing) furnace on the silicon wafer in an atmosphere of nitrogen gas mixed with oxygen of less than 100 ppm. A method for manufacturing a silicon wafer is disclosed. In this way, since a very small amount of oxygen of less than 100 ppm is mixed in nitrogen gas at the time of RTA, silicon oxynitride oxide obtained by oxidizing this is compared with the case of silicon nitride film obtained by using only nitrogen gas as atmosphere gas. The film thickness can be increased. As a result, the number of silicon atoms that react with nitrogen increases, and the amount of holes that can be injected into the wafer increases. Therefore, vacancies can be efficiently injected into the wafer even at a relatively low temperature. In the subsequent heat treatment, a high-quality DZ layer is formed on the surface layer of the silicon wafer, and silicon having a moderately high BMD density inside the wafer. Wafers can be manufactured.
しかしながら、特許文献１のシリコンウェーハの製造方法では、雰囲気ガスに窒素ガスのみを使用した場合に比べて、シリコン窒化膜（シリコン窒化酸化膜）を厚くすることは可能である。しかしながら、酸素の混入量が非常に微量であるので、この酸素混入によるシリコン窒化膜の膜厚の増加はわずかしかなく、その膜厚の制御が難しかった。その結果、空孔濃度のバラつきが大きく、シリコンウェーハのイントリンシック・ゲッタリング能力を十分に得ることができなかった。 However, in the method for manufacturing a silicon wafer of Patent Document 1, it is possible to make the silicon nitride film (silicon oxynitride film) thicker than when only nitrogen gas is used as the atmospheric gas. However, since the amount of mixed oxygen is very small, the film thickness of the silicon nitride film is only slightly increased due to the mixed oxygen, and it is difficult to control the film thickness. As a result, the vacancy concentration varied greatly, and the intrinsic gettering ability of the silicon wafer could not be obtained sufficiently.
そこで、発明者は、鋭意研究の結果、ＲＴＡ炉を用い、自然酸化膜より厚い酸化膜が形成されたシリコンウェーハを、窒素ガスの雰囲気下で熱処理することにより、酸化膜を窒化して窒化酸化膜とし、シリコンウェーハの表面からシリコンウェーハの内部に空孔を注入すれば、シリコンウェーハの内部における空孔濃度のバラつきを抑制し、シリコンウェーハのイントリンシック・ゲッタリング能力を高めることができることを知見し、この発明を完成させた。酸化膜の厚さを自然酸化膜より厚くしたのは、シリコンウェーハ表面の窒化による空孔形成の効果を十分に得るためである。
この発明は、ウェーハ内部における空孔濃度のバラつきを抑制し、イントリンシック・ゲッタリング能力を高めることができるシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的としている。
Therefore, as a result of diligent research, the inventor used an RTA furnace to heat-treat a silicon wafer having an oxide film thicker than a natural oxide film in a nitrogen gas atmosphere, thereby nitriding and oxidizing the oxide film. It is found that if a film is formed and holes are injected into the silicon wafer from the surface of the silicon wafer, the variation in the concentration of holes in the silicon wafer can be suppressed and the intrinsic gettering ability of the silicon wafer can be increased. The present invention was completed. The reason why the thickness of the oxide film is made thicker than that of the natural oxide film is to sufficiently obtain the effect of hole formation by nitriding of the silicon wafer surface.
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a silicon wafer that can suppress the variation of the vacancy concentration inside the wafer and enhance the intrinsic gettering capability.
請求項１に記載の発明は、厚さ３０Å〜１００Åの酸化膜が形成されたシリコンウェーハを、急熱急冷が可能なＲＴＡ炉を用い、窒素ガスの雰囲気下で熱処理することで、前記酸化膜を窒化して窒化酸化膜とし、前記シリコンウェーハの表面から該シリコンウェーハの内部に空孔および窒素を注入するシリコンウェーハの製造方法である。 The invention according to claim 1 is characterized in that the oxide film is formed by heat-treating a silicon wafer on which an oxide film having a thickness of 30 to 100 mm is formed in an atmosphere of nitrogen gas using an RTA furnace capable of rapid heating and rapid cooling. Is a nitrided oxide film, and vacancies and nitrogen are injected into the silicon wafer from the surface of the silicon wafer.
請求項１に記載の発明によれば、まず、ＲＴＡ炉を用い、自然酸化膜より厚い３０Å〜１００Åの酸化膜が形成されたシリコンウェーハに対して、窒素ガスの雰囲気下で熱処理する。このように、シリコンウェーハを窒化熱処理する前に、窒化酸化膜のベースとなる自然酸化膜より厚肉な酸化膜をウェーハ表面に形成するようにしたので、窒化酸化膜の十分な膜厚を確保することができる。これにより、シリコンウェーハの内部における空孔濃度のバラつきを抑制し、金属不純物に対するイントリンシック・ゲッタリング能力を高めることができる。
また、酸化膜付きのシリコンウェーハを窒素ガス雰囲気で熱処理して酸化膜を窒化するので、従来、多用されてきたアンモニア（ＮＨ３）ガス雰囲気での窒化熱処理の課題であった、アンモニア分解時に生じる水素（Ｈ）のエッチング作用を原因とした酸化膜の薄膜化現象を解消することができる。
According to the first aspect of the present invention, first, an RTA furnace is used to heat-treat a silicon wafer on which an oxide film having a thickness of 30 to 100 mm thicker than a natural oxide film is formed in an atmosphere of nitrogen gas. In this way, before the nitriding heat treatment of the silicon wafer, an oxide film thicker than the natural oxide film that becomes the base of the nitrided oxide film is formed on the wafer surface, so that a sufficient thickness of the nitrided oxide film is secured. can do. As a result, it is possible to suppress the variation in the vacancy concentration inside the silicon wafer and to increase the intrinsic gettering ability with respect to metal impurities.
In addition, since a silicon wafer with an oxide film is heat-treated in a nitrogen gas atmosphere to nitride the oxide film, it occurs at the time of ammonia decomposition, which has been a problem of conventional nitriding heat treatment in an ammonia (NH 3 ) gas atmosphere. The thinning phenomenon of the oxide film caused by the etching action of hydrogen (H) can be eliminated.
ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）炉とは、ハロゲンランプなどのランプ熱源からの熱により、加熱温度が１１００℃〜１３５０℃、加熱時間が１秒以上６０秒以下の熱処理で、短時間の急速加熱・急冷（３３℃／秒以上７０℃／秒以下の昇温または降温）を行う炉である。
窒素ガスとは、窒素１００％のガスである。
酸化膜としては、シリコン酸化膜などを採用することができる。
An RTA (Rapid Thermal Annealing) furnace is a heat treatment with a heating temperature of 1100 ° C. to 1350 ° C. and a heating time of 1 second to 60 seconds by heat from a lamp heat source such as a halogen lamp. It is a furnace for performing (temperature increase or decrease of 33 ° C./second or more and 70 ° C./second or less).
Nitrogen gas is a gas containing 100% nitrogen.
A silicon oxide film or the like can be employed as the oxide film.
酸化膜の形成方法としては、例えば常温酸化熱処理、高圧酸化熱処理、プラズマ陽極酸化処理、分圧酸化、塩酸添加酸化、ＴＣＡ（トリクロエタン）添加酸化、ＤＣＥ（ジクロルエチレン）添加酸化処理などを採用することができる。
具体的な酸化膜の形成方法としては、例えば、ＲＴＡ炉による窒化熱処理の前に、同じＲＴＡ炉を使用し、酸化性ガス（酸素など）の雰囲気下で、５００℃〜１３５０℃で１秒〜６０秒、酸化熱処理する方法を採用することができる。
For example, room temperature oxidation heat treatment, high pressure oxidation heat treatment, plasma anodization treatment, partial pressure oxidation, hydrochloric acid addition oxidation, TCA (trichloroethane) addition oxidation, DCE (dichloroethylene) addition oxidation treatment, etc. are adopted as the method of forming the oxide film. can do.
As a specific method for forming an oxide film, for example, the same RTA furnace is used before the nitriding heat treatment by the RTA furnace, and an atmosphere of an oxidizing gas (oxygen or the like) is used at 500 ° C. to 1350 ° C. for 1 second to A method of oxidizing heat treatment for 60 seconds can be employed.
酸化膜は、自然酸化膜の厚さ（１５Å程度）を超えた厚さの酸化膜をいう。酸化膜の厚さが３０Å未満では、酸化膜ひいては窒化酸化膜が薄すぎて、シリコンウェーハ表面の窒化による空孔形成の効果を十分に得ることができない。また、１００Åを超えれば、熱処理雰囲気中の窒素がウェーハへ拡散し難くなる。 The oxide film refers to an oxide film having a thickness exceeding the thickness of the natural oxide film (about 15 mm). If the thickness of the oxide film is less than 30 mm, the oxide film and thus the nitrided oxide film are too thin, and the effect of forming vacancies by nitriding on the silicon wafer surface cannot be obtained sufficiently. On the other hand, if it exceeds 100%, it becomes difficult for nitrogen in the heat treatment atmosphere to diffuse into the wafer.
請求項１に記載の発明によれば、シリコンウェーハを窒化熱処理する前に、窒化酸化膜のベースとなる自然酸化膜より厚肉な酸化膜をウェーハ表面に形成するようにしたので、窒化酸化膜の十分な膜厚を確保することができる。その結果、シリコンウェーハの内部における空孔濃度のバラつきを抑制し、金属不純物に対するイントリンシック・ゲッタリング能力を高めることができる。
また、酸化膜付きのシリコンウェーハを窒素ガス雰囲気で熱処理し、自然酸化膜より厚肉な酸化膜を窒化するので、アンモニアガス雰囲気での窒化熱処理の課題であった、ＮＨ３の分解時に生じた水素のエッチング作用による酸化膜の薄膜化現象を解消することができる。
According to the first aspect of the present invention, before the nitriding heat treatment of the silicon wafer, an oxide film thicker than a natural oxide film serving as a base of the nitrided oxide film is formed on the wafer surface. A sufficient film thickness can be ensured. As a result, variations in the vacancy concentration inside the silicon wafer can be suppressed, and the intrinsic gettering ability for metal impurities can be enhanced.
In addition, since a silicon wafer with an oxide film is heat-treated in a nitrogen gas atmosphere and an oxide film thicker than a natural oxide film is nitrided, it occurred during decomposition of NH 3 , which was a problem of nitriding heat treatment in an ammonia gas atmosphere The thinning phenomenon of the oxide film due to the etching action of hydrogen can be eliminated.
以下、この発明の実施例を具体的に説明する。 Examples of the present invention will be specifically described below.
次に、この発明の実施例１に係るシリコンウェーハの製造方法を詳しく説明する。
まず、急熱急冷が可能な赤外線ランプを光源としたＲＴＡ炉を用い、酸素ガス（酸素１００％）の雰囲気下、１０００℃（急熱速度５０℃／秒）、炉内圧力は常圧で１０秒間熱処理し、シリコンウェーハに自然酸化膜より厚い、厚さ３０Åのシリコン酸化膜を形成する。シリコンウェーハには、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶から得られた、直径３００ｍｍ、初期酸素濃度１０．０×１０１７／ｃｍ３、比抵抗１０Ω・ｃｍのものを使用する。
Next, a method for manufacturing a silicon wafer according to Embodiment 1 of the present invention will be described in detail.
First, an RTA furnace using an infrared lamp capable of rapid heating and rapid cooling as a light source is used, in an atmosphere of oxygen gas (oxygen 100%), 1000 ° C. (rapid heating rate 50 ° C./second), and the furnace pressure is 10 at normal pressure. A silicon oxide film with a thickness of 30 mm thicker than the natural oxide film is formed on the silicon wafer by heat treatment for 2 seconds. A silicon wafer having a diameter of 300 mm, an initial oxygen concentration of 10.0 × 10 17 / cm 3 , and a specific resistance of 10 Ω · cm, which is obtained from a silicon single crystal grown by the Czochralski method is used.
次いで、シリコンウェーハを炉内から取り出すことなく酸化熱処理に連続し、窒化熱処理を行う。具体的には、酸素ガスの炉外への排出後、シリコンウェーハを窒素ガス（窒素１００％）の雰囲気下、１１７５℃（急熱速度５０℃／秒）、炉内圧力は常圧で１０秒間熱処理し、ウェーハ表面からシリコンウェーハの内部に空孔および窒素を注入する。
このとき、加熱温度、加熱時間、冷却速度のパラメータとして空孔分布および窒素分布が形成される。加熱温度が高ければ空孔および窒素の濃度（形成密度）は高まり、加熱時間が長ければ空孔および窒素の拡散長は長くなり、ウェーハ内部に空孔および窒素が拡散（注入）され、冷却速度が速ければウェーハ内部に拡散した空孔および窒素が凍結される。
Next, a nitriding heat treatment is performed continuously with the oxidation heat treatment without removing the silicon wafer from the furnace. Specifically, after the oxygen gas is discharged outside the furnace, the silicon wafer is placed in an atmosphere of nitrogen gas (100% nitrogen) at 1175 ° C. (rapid heating rate 50 ° C./second), and the furnace pressure is normal pressure for 10 seconds. Heat treatment is performed, and vacancies and nitrogen are injected into the silicon wafer from the wafer surface.
At this time, pore distribution and nitrogen distribution are formed as parameters of heating temperature, heating time, and cooling rate. The higher the heating temperature, the higher the concentration of vacancies and nitrogen (formation density), and the longer the heating time, the longer the diffusion length of vacancies and nitrogen, and the diffusion and injection of vacancies and nitrogen into the wafer. If the speed is high, the vacancies and nitrogen diffused inside the wafer are frozen.
次に、この発明の実施例２に係るシリコンウェーハの製造方法を詳しく説明する。
まず、急熱急冷が可能な赤外線ランプを光源としたＲＴＡ炉を用い、酸素ガス（酸素１００％）の雰囲気下、１０５０℃（急熱速度５０℃／秒）、炉内圧力は常圧で１０秒間熱処理し、シリコンウェーハに自然酸化膜より厚い、厚さ４０Åのシリコン酸化膜を形成する。その他の条件は、実施例１と同様にして、シリコンウェーハの内部に空孔および窒素を注入する。
Next, a method for manufacturing a silicon wafer according to Embodiment 2 of the present invention will be described in detail.
First, an RTA furnace using an infrared lamp capable of rapid heating and rapid cooling as a light source, under an atmosphere of oxygen gas (oxygen 100%), 1050 ° C. (rapid heating rate 50 ° C./second), and the furnace pressure is 10 at normal pressure. A silicon oxide film having a thickness of 40 mm thicker than the natural oxide film is formed on the silicon wafer by heat treatment for 2 seconds. Other conditions are the same as in Example 1, and holes and nitrogen are injected into the silicon wafer.
次に、この発明の実施例３に係るシリコンウェーハの製造方法を詳しく説明する。
まず、急熱急冷が可能な赤外線ランプを光源としたＲＴＡ炉を用い、酸素ガス（酸素１００％）の雰囲気下、１１００℃（急熱速度５０℃／秒）、炉内圧力は常圧で１０秒間熱処理し、シリコンウェーハに自然酸化膜より厚い、厚さ５５Åのシリコン酸化膜を形成する。その他の条件は、実施例１と同様にして、シリコンウェーハの内部に空孔および窒素を注入する。
Next, a silicon wafer manufacturing method according to Embodiment 3 of the present invention will be described in detail.
First, an RTA furnace using an infrared lamp capable of rapid heating and rapid cooling as a light source, in an atmosphere of oxygen gas (oxygen 100%), 1100 ° C. (rapid heating rate 50 ° C./second), and the furnace pressure is 10 at normal pressure. Then, a silicon oxide film having a thickness of 55 mm thicker than the natural oxide film is formed on the silicon wafer. Other conditions are the same as in Example 1, and holes and nitrogen are injected into the silicon wafer.
次に、この発明の実施例４に係るシリコンウェーハの製造方法を詳しく説明する。
まず、急熱急冷が可能な赤外線ランプを光源としたＲＴＡ炉を用い、酸素ガス（酸素１００％）の雰囲気下、１１５０℃（急熱速度５０℃／秒）、炉内圧力は常圧で１０秒間熱処理し、シリコンウェーハに自然酸化膜より厚い、厚さ７５Åのシリコン酸化膜を形成する。その他の条件は、実施例１と同様にして、シリコンウェーハの内部に空孔および窒素を注入する。
Next, a silicon wafer manufacturing method according to Embodiment 4 of the present invention will be described in detail.
First, an RTA furnace using an infrared lamp capable of rapid heating and rapid cooling as a light source, in an atmosphere of oxygen gas (oxygen 100%), 1150 ° C. (rapid heating rate 50 ° C./second), and the furnace pressure is 10 at normal pressure. A silicon oxide film having a thickness of 75 mm thicker than the natural oxide film is formed on the silicon wafer by heat treatment for 2 seconds. Other conditions are the same as in Example 1, and holes and nitrogen are injected into the silicon wafer.
次に、この発明の実施例５に係るシリコンウェーハの製造方法を詳しく説明する。
まず、急熱急冷が可能な赤外線ランプを光源としたＲＴＡ炉を用い、酸素ガス（酸素１００％）の雰囲気下、１１７５℃（急熱速度５０℃／秒）、炉内圧力は常圧で１０秒間熱処理し、シリコンウェーハに自然酸化膜より厚い、厚さ９０Åのシリコン酸化膜を形成する。その他の条件は、実施例１と同様にして、シリコンウェーハの内部に空孔および窒素を注入する。
Next, a silicon wafer manufacturing method according to Embodiment 5 of the present invention will be described in detail.
First, an RTA furnace using an infrared lamp capable of rapid heating and rapid cooling as a light source, in an atmosphere of oxygen gas (oxygen 100%), 1175 ° C. (rapid heating rate 50 ° C./second), and the furnace pressure is 10 at normal pressure. A silicon oxide film having a thickness of 90 mm thicker than the natural oxide film is formed on the silicon wafer by heat treatment for 2 seconds. Other conditions are the same as in Example 1, and holes and nitrogen are injected into the silicon wafer.
窒化熱処理の加熱温度が高いほど、シリコンウェーハ内部の空孔および窒素の濃度を高くできるが、スリップが発生し易くなるので、酸化熱処理の温度は、実施例１ないし実施例４のように窒化熱処理の温度よりも低い温度に設定するか、実施例５のように窒化熱処理の温度と同じ温度に設定するのが好ましい。 The higher the heating temperature of the nitriding heat treatment, the higher the concentration of vacancies and nitrogen inside the silicon wafer, but slipping is more likely to occur, so the temperature of the oxidizing heat treatment is the nitriding heat treatment as in the first to fourth embodiments. It is preferable to set the temperature lower than the temperature of the above or set to the same temperature as that of the nitriding heat treatment as in the fifth embodiment.
このように、シリコンウェーハの窒化熱処理の前に、シリコン窒化酸化膜のベースとなる自然酸化膜より厚肉なシリコン酸化膜をウェーハ表面に形成するようにしたので、シリコン窒化酸化膜の十分な膜厚を確保することができる。その結果、シリコンウェーハの内部における空孔濃度のバラつきを抑制し、例えばデバイス形成工程の熱処理時における金属不純物に対するイントリンシック・ゲッタリング能力を高めることができる。
また、酸化膜付きのシリコンウェーハを窒素ガス雰囲気で熱処理し、自然酸化膜より厚肉な酸化膜を窒化する。これにより、従来、多用されたアンモニアガス雰囲気での窒化熱処理の課題であった、ＮＨ３の分解時に発生した水素のエッチング作用による酸化膜の薄膜化現象を解消することができる。
さらに、酸化膜として、シリコンウェーハを酸化熱処理して得られたシリコン酸化膜を採用したので、シリコンウェーハへの酸化膜形成と、この酸化膜の窒化熱処理との連続処理が可能になる。
As described above, since the silicon oxide film thicker than the natural oxide film that becomes the base of the silicon nitride oxide film is formed on the wafer surface before the nitriding heat treatment of the silicon wafer, a sufficient film of the silicon nitride oxide film is formed. Thickness can be ensured. As a result, variations in the vacancy concentration inside the silicon wafer can be suppressed, and for example, the intrinsic gettering ability for metal impurities during the heat treatment in the device forming process can be enhanced.
Further, a silicon wafer with an oxide film is heat-treated in a nitrogen gas atmosphere, and an oxide film thicker than a natural oxide film is nitrided. As a result, the thinning phenomenon of the oxide film due to the etching action of hydrogen generated at the time of decomposition of NH 3 , which has been a problem of nitriding heat treatment in an ammonia gas atmosphere that has been frequently used, can be solved.
Furthermore, since a silicon oxide film obtained by subjecting a silicon wafer to an oxidation heat treatment is employed as the oxide film, it is possible to continuously perform an oxide film formation on the silicon wafer and a nitridation heat treatment of this oxide film.
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0377330A (en) * | 1989-08-21 | 1991-04-02 | Fujitsu Ltd | Processing of silicon single-crystal wafer |
| JP2001503009A (en) * | 1997-04-09 | 2001-03-06 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | Ideal oxygen-precipitated silicon with low defect density |
| JP2003031582A (en) * | 2000-11-28 | 2003-01-31 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | Manufacturing method for silicon wafer and silicon wafer |
| JP2003100762A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | Method for manufacturing silicon wafer and the same |
| JP2008016652A (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Method of manufacturing silicon wafer |
-
2008
- 2008-07-24 JP JP2008191381A patent/JP2010028065A/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0377330A (en) * | 1989-08-21 | 1991-04-02 | Fujitsu Ltd | Processing of silicon single-crystal wafer |
| JP2001503009A (en) * | 1997-04-09 | 2001-03-06 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | Ideal oxygen-precipitated silicon with low defect density |
| JP2003031582A (en) * | 2000-11-28 | 2003-01-31 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | Manufacturing method for silicon wafer and silicon wafer |
| JP2003100762A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | Method for manufacturing silicon wafer and the same |
| JP2008016652A (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Method of manufacturing silicon wafer |
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