JP2010016122A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は半導体集積回路に関し、特に不良救済手段や故障に備えた冗長回路の形成などに関するものである。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to formation of a fault relief means and a redundant circuit in preparation for a failure.
半導体チップ上に回路を構成した半導体集積回路では不良チップの発生はウェハ当たりの歩留まりに直接影響し、半導体集積回路のコストを引き上げる原因となっている。不良チップの救済方法の一つとして、特許文献1に示されるようなチップ上の不良となった機能ブロックに、該当する機能ブロックの良品チップを重ねて電気的に接続する方法などが提案されている。
In a semiconductor integrated circuit in which a circuit is formed on a semiconductor chip, the occurrence of a defective chip directly affects the yield per wafer, which increases the cost of the semiconductor integrated circuit. As one method for relieving defective chips, a method has been proposed in which a non-defective functional block on a corresponding functional block is overlaid and electrically connected to a defective functional block on the chip as disclosed in
一方で大規模な半導体集積回路が、自動車や航空機、宇宙産業等の安定して正常動作することを求められる分野で使用されることが求められている。このような分野では半導体集積回路の故障がフィールドにおいて確実に検出され誤動作が起こらないことが求められ、クロックスキューの小さいクロックツリー回路を構成するためにクロック配線とバッファを、バッファや配線距離が一定なパネルの組合せで構成する方法(例えば、特許文献1)などが提案されている。 On the other hand, large-scale semiconductor integrated circuits are required to be used in fields that require stable and normal operation, such as automobiles, aircraft, and the space industry. In these fields, it is required that failures in semiconductor integrated circuits are reliably detected in the field and no malfunction occurs. To configure a clock tree circuit with a small clock skew, the clock wiring and the buffer are fixed, and the buffer and wiring distance are constant. A method of forming a combination of various panels (for example, Patent Document 1) has been proposed.
従来の半導体集積回路の不良救済手段として提案されている方法は、機能ブロックの良品チップの切出しや、配線の切断などの多くのチップ加工工程が必要で、チップ加工コストが嵩むという理由により普及していない。 A method proposed as a conventional means for repairing a defect in a semiconductor integrated circuit is widely used because it requires many chip processing steps such as cutting out non-defective chips of functional blocks and cutting of wiring, and the chip processing cost increases. Not.
さらに従来の半導体集積回路で、故障に備えた冗長回路構成にしようとした場合には、同一チップ内に冗長回路を形成する方法や同一機能のチップを実装基板上に並べて構成する方法などが用いられるが、いずれもチップ面積の増大による歩留まりの悪化や実装基板の面積増大により製品の小型化が阻害されるなどの問題点があった。 Furthermore, when trying to make a redundant circuit configuration for failure in a conventional semiconductor integrated circuit, a method of forming a redundant circuit in the same chip, a method of arranging chips of the same function on the mounting substrate, etc. are used. However, there are problems such as deterioration in yield due to increase in chip area and reduction in product size due to increase in area of the mounting substrate.
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、半導体集積回路の歩留まりを効果的に改善するとともに、同一の手段を用いて冗長回路構成を低コストに実現することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to effectively improve the yield of a semiconductor integrated circuit and realize a redundant circuit configuration at a low cost by using the same means. And
この発明に係る半導体集積回路は、
チップ内に配設された複数の機能ブロックと、この機能ブロックへ信号授受をするブロック間信号配線と、チップ表面に配設され、信号配線に電気的に接続された外部接続用のバンプとを備えた第1の半導体チップと、
同じく、チップ内に配設された複数の機能ブロックと、この機能ブロックへ信号授受をするブロック間信号配線と、チップ表面に配設され、信号配線と電気的に接続され、かつ第1の半導体チップにおけるバンプの配置と鏡面対称となるように配設された外部接続用パッドとが設けられた第2の半導体チップとを備え、
第1の半導体チップと第2の半導体チップそれぞれの表面を向かい合わせにしてバンプとパッドが接触するように結合し、バンプとパッドに電気的に接続された第1の半導体チップと第2の半導体チップそれぞれに属するブロック間信号配線がバンプとパッドの接触部で電気的に接続される構成にされる。
A semiconductor integrated circuit according to the present invention includes:
A plurality of functional blocks arranged in the chip, inter-block signal wiring for transmitting / receiving signals to the functional block, and external connection bumps arranged on the chip surface and electrically connected to the signal wiring A first semiconductor chip comprising:
Similarly, a plurality of functional blocks disposed in the chip, inter-block signal wiring for transmitting / receiving signals to the functional block, disposed on the chip surface, electrically connected to the signal wiring, and the first semiconductor A second semiconductor chip provided with an external connection pad disposed so as to be mirror-symmetrical with the arrangement of bumps in the chip,
The first and second semiconductor chips and the second semiconductor are electrically connected to the bump and the pad, with the surfaces of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip facing each other so that the bump and the pad are in contact with each other. The inter-block signal wiring belonging to each chip is electrically connected at the contact portion between the bump and the pad.
この発明に係る半導体集積回路によれば、
2つの鏡面対称に構成された半導体チップの不良品を不良ブロックを補完するような組合せで張り合わせて一つの半導体集積回路を構成することにより、不良チップを救済し2つの不良チップから一つの良品半導体集積回路を得ることが出来る。
また、他の発明においては、半導体集積回路を構成するに当たり、あらかじめ半導体チップ内部に、ブロック間信号配線への機能ブロックからの出力信号の制御を機能ブロック外部からの信号で行う出力信号制御素子や、機能ブロックの入力側に複数のブロック間信号配線から信号を入力する複数の信号入力素子と、この複数の信号入力素子の出力側に機能ブロック外部からどの信号入力素子の出力を入力するか選択できる選択回路や、複数の機能ブロックの出力信号を比較し、比較結果を内部信号として保持、または機能ブロック外部に信号出力する比較回路等の所望の構成を行っておけば、半導体チップ上の配線の機能ブロックの切出しや配線の切断といった物理的な加工は必要ない。
According to the semiconductor integrated circuit of the present invention,
A defective semiconductor chip composed of two mirrors is bonded together in a combination that complements a defective block to form a single semiconductor integrated circuit, thereby repairing the defective chip and converting the defective chip into a good semiconductor. An integrated circuit can be obtained.
In another invention, when configuring a semiconductor integrated circuit, an output signal control element for controlling an output signal from the functional block to the inter-block signal wiring by a signal from the outside of the functional block in advance in the semiconductor chip, , Select multiple signal input elements that input signals from multiple inter-block signal wires on the input side of the functional block, and select which signal input elements to input from outside the functional block to the output side of the multiple signal input elements If the desired configuration such as a selection circuit that can be used and a comparison circuit that compares the output signals of a plurality of functional blocks and holds the comparison result as an internal signal or outputs the signal to the outside of the functional block is used There is no need for physical processing such as cutting out functional blocks or cutting wires.
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による半導体集積回路を構成する半導体チップの表面から見た概略の構成を示す構成図である。
図1において、半導体チップ1はチップ内部に機能ブロック2、機能ブロック3、機能ブロック4を持つ。機能ブロックと機能ブロックの間はブロック間信号配線5によって電気的に接続される。半導体チップ1はブロック間信号配線5の上に接触して形成され、ブロック間信号配線5と電気的に接続された外部接続用のバンプ6を持つ。外部接続用のバンプ6の形成箇所はブロック間信号配線5の上とは限らず、ブロック間信号配線5と電気的に接続されていればよい。
半導体チップ101は半導体チップ1と全く同一の構成要素を持っている。つまり機能ブロック102、機能ブロック103、機能ブロック104、ブロック間信号配線105、外部接続用のパッド106を持つ。半導体チップ101は半導体チップ1を製造するためのマスクを裏表逆に使用することによって製造される。このため半導体チップ101の配線配置は半導体チップ1の配線配置の鏡面対称の関係となっている。
1 is a block diagram showing a schematic configuration viewed from the surface of a semiconductor chip constituting a semiconductor integrated circuit according to
In FIG. 1, a
The
バンプとは半導体チップ表面に形成されて別の半導体チップあるいは接続基板などと直接信号をやり取りする突起状の端子のことを言い、蒸着、めっき、印刷などのプロセスで形成される。ここではバンプの材質や形成方法については特に限定しない。 A bump is a protruding terminal formed on the surface of a semiconductor chip and directly exchanges signals with another semiconductor chip or a connection substrate, and is formed by processes such as vapor deposition, plating, and printing. Here, the material and forming method of the bump are not particularly limited.
この発明の実施の形態1による半導体集積回路は半導体チップ1と半導体チップ101の表面を向かい合わせに張り合わせて構成される。図2はこの発明の実施の形態1による半導体集積回路の概略の構成を示す垂直断面図である。
半導体チップ1の表面に形成される外部接続用のバンプ6と半導体チップ101の表面に形成される外部接続用のパッド106はこれまで説明したようにチップ上の鏡面対称の位置に配置されるので、図2のように向かい合わせにチップ上に多数配置されるバンプ6とパッド106が対応するもの同士が接触するように張り合わせることが出来る。このように構成した半導体集積回路201においてはバンプ6とパッド106の接触により、ブロック間信号配線5とブロック間信号配線105が電気的に接続される。
The semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention is configured by bonding the surfaces of the
Since the
図3はバンプ6とパッド106が接触することで半導体チップ1と半導体チップ101の間で電気的に接続されて構成される機能ブロック間の接続部分の電気回路の回路図を示したものである。
図3では半導体チップ1上に配置される機能ブロック3から信号が出力され機能ブロック4に入力されるブロック間信号配線の回路を示している。出力側の機能ブロック3は、出力側に出力信号制御素子としての出力バッファ10および同じく出力信号制御素子としての出力バッファ11を備え、この出力バッファ10および出力バッファ11は入力側が機能ブロック3の出力信号端子17に接続される。
FIG. 3 shows a circuit diagram of an electric circuit of a connection portion between functional blocks configured by being electrically connected between the
FIG. 3 shows an inter-block signal wiring circuit in which a signal is output from the functional block 3 arranged on the
入力側の機能ブロック4は出力バッファ10の信号を受信する信号入力素子としての入力バッファ12および出力バッファ11の信号を受信する信号入力素子としての入力バッファ13を備え、入力バッファ12および入力バッファ13の出力信号を比較する比較回路14と、入力バッファ12および入力バッファ13の出力信号をいずれかを選択して出力する選択回路15を備える。
The
さらに半導体チップ1上には出力バッファ10,11の出力状態の切り替え、および比較回路14の比較結果による選択回路15への切り替え指示を行う制御観測部16を備える。
Furthermore, the
半導体チップ1と鏡面対称に構成された半導体チップ101も半導体チップ1と同一構成であり、出力信号制御素子としての出力バッファ110および出力信号制御素子としての出力バッファ111、信号入力素子としての入力バッファ112および同じく信号入力素子としての入力バッファ113を備え、比較回路114、選択回路115、さらに制御観測部116を備える。また、出力バッファ110および出力バッファ111の入力側が機能ブロック103の出力信号端子117に接続される。
半導体チップ1および半導体チップ101のそれぞれ対応する配線や機能ブロックを構成する素子は、鏡面対称で配置される以外は全く同一の設計・製造過程で製作されるため、その特性に有意な違いはない。
A
Since the elements constituting the corresponding wiring and functional block of the
次に動作について説明する。
半導体チップ1および半導体チップ101はそれぞれシリコンウェハー表面に回路形成する一般的な半導体プロセスにより製造される。どちらのチップにおいてもチップ単体として良品が得られた場合はチップ単体でパッケージ化し出荷することが可能である。
ここで半導体チップ1および半導体チップ101において一部に不良があった場合を考える。スキャンテストなどの不良検出および診断の手段を使い半導体チップ1は機能ブロック3のみに不良が存在していたとする。一方、半導体チップ101においては同様の不良検出および診断手段で機能ブロック104の不良が検出されたとした場合の例を元に動作を説明する。この場合、機能ブロック103および機能ブロック4は正常な機能を持つためこれらの機能ブロックを組み合わせることで正常な半導体チップ1あるいは半導体チップ101と同じ機能をもつ半導体集積回路を得ることが出来る。
Next, the operation will be described.
Each of the
Here, consider a case where there is a defect in part of the
具体的には、半導体チップ1の出力バッファ11をオフにし、選択回路15を入力バッファ13側を選択するように制御観測部16から制御し、半導体チップ101の出力バッファ111をオンにするように制御観測部116から設定する。これにより正常動作可能な機能ブロック103と機能ブロック4の間の信号接続が確保される。半導体チップ1および半導体チップ101それぞれの機能ブロック間を上記のように適切に設定することで半導体チップの不良を救済することが出来る。
なお、図3においては、説明を簡単にするため、出力バッファ11からのブロック間信号配線5上の外部接続用のバンプ6と出力バッファ111からのブロック間信号配線105上の外部接続用パッド106とが接続されている例を示したが、図1に示す全ての外部接続用のバンプ6と外部接続用パッド106とが接続されていてもよい。その場合は比較回路14・114、選択回路15・115、および制御観測部16・116が適切な動作をする。
Specifically, the
In FIG. 3, for simplicity of explanation, the
このようにして得られた半導体集積回路201は適当なパッケージ等に封止され、あるいはボードに直接実装された後に封止されるなどして様々な電子機器の構成部品として使用される。
The semiconductor integrated
以上のように2つの鏡面対称に構成された半導体チップの不良品を不良ブロックを補完するような組合せで張り合わせて一つの半導体集積回路を構成することにより、不良チップを救済し2つの不良チップから一つの良品半導体集積回路を得ることが出来る。半導体集積回路を構成するに当たり、あらかじめ半導体チップ内部に所望の構成を行っておけば、半導体チップ上の配線の機能ブロックの切出しや配線の切断といった物理的な加工は必要ない。 As described above, defective products of two mirror-symmetrical semiconductor chips are bonded together in a combination that complements the defective block to constitute one semiconductor integrated circuit, so that the defective chip can be relieved and the two defective chips can be recovered. One good semiconductor integrated circuit can be obtained. When a semiconductor integrated circuit is configured, if a desired configuration is made in the semiconductor chip in advance, physical processing such as cutting out a functional block of wiring on the semiconductor chip or cutting of the wiring is not necessary.
実施の形態2.
以上の実施の形態1は2つの半導体チップ両方の一部分の機能ブロックが不良チップである場合の実施例を示したが、同じ構成で良品半導体チップを組合わせて半導体集積回路を構成することも可能である。
このようにした場合は同一回路が2つ構成された冗長半導体集積回路として使用する。図3において、出力バッファ10をオンし選択回路15を入力バッファ12側に切替えることで、半導体チップ1は接続されている半導体101とは独立して動作することができる。
Although the first embodiment has shown an example in which a part of the functional blocks of both of the two semiconductor chips is a defective chip, it is also possible to configure a semiconductor integrated circuit by combining non-defective semiconductor chips with the same configuration. It is.
In this case, it is used as a redundant semiconductor integrated circuit in which two identical circuits are configured. In FIG. 3, by turning on the
半導体101についても同様に出力バッファ110と選択回路115を制御することで独立して動作することが可能である。この動作中に適当なタイミングで出力バッファ111をオンに制御すると、半導体チップ1内部の比較回路14では、半導体チップ1上の信号値と対応する半導体チップ101上の信号値を比較し、制御観測部16で比較結果を読み取ることが可能となる。半導体チップ1と半導体チップ101が同一入力に対して独立に正常動作している場合は、比較結果は常に一致するはずである。比較結果が一致しない場合を検出することにより2つの半導体チップのどちらかに異常が発生したことを検知することができる。異常が検出された場合、ビルトインセルフテストなどのテスト手段と組合わせてどちらのチップに故障があるかを判別することにより、実施の形態1で説明した不良ブロックの分離手段を使用して片方の半導体チップの不良ブロックのみの機能を使用しないように構成し、その他の機能ブロックについては冗長構成を保ち、比較回路14や比較回路114のチップ相互比較を有効にしたまま半導体集積回路の搭載された装置を使用し続けることができる。
Similarly, the
なお、以上の実施の形態の説明では説明が煩雑にならないように半導体チップ表面のバンプのあるひとつに着目した動作を記述しているが、実際は半導体チップ上の別のバンプにも同様の製造工程を適用することにより効果が得られるものである。また説明に使用した図にはバンプの数がごく小数しか記載していないが、本発明の主旨はバンプの数による所はなく、バンプは比較回路、選択回路および制御観測部の動作との兼ね合いにより多数でも小数でも構成することが可能である。 In the above description of the embodiment, the operation focusing on one of the bumps on the surface of the semiconductor chip is described so that the description is not complicated, but actually the same manufacturing process is applied to another bump on the semiconductor chip. The effect can be obtained by applying. The figures used in the description show only a very small number of bumps, but the gist of the present invention does not depend on the number of bumps, and the bumps balance the operation of the comparison circuit, selection circuit and control observation unit. Therefore, it can be configured by a large number or a small number.
自動車や航空機、宇宙産業等の安定して正常動作することを求められる分野で使用される半導体集積回路に利用可能性であり、特に大規模な半導体集積回路においては利便性が高い。 The present invention is applicable to semiconductor integrated circuits used in fields that require stable and normal operation such as automobiles, aircraft, and space industries, and is particularly convenient for large-scale semiconductor integrated circuits.
1 第1の半導体チップ、2・3・4・102・103・104 機能ブロック、5・105 ブロック間信号配線、6 バンプ、106 パッド、10・11・110・111 出力バッファ、12・13・112・113 入力バッファ、14・114 比較回路、15・115 選択回路、16・116 制御観測部、101 第2の半導体チップ、201 半導体集積回路。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
同じく、チップ内に配設された複数の機能ブロックと、この機能ブロックへ信号授受をするブロック間信号配線と、チップ表面に配設され、信号配線と電気的に接続され、かつ第1の半導体チップにおけるバンプの配置と鏡面対称となるように配設された外部接続用パッドとが設けられた第2の半導体チップとを備え、
第1の半導体チップと第2の半導体チップそれぞれの表面を向かい合わせにしてバンプとパッドが接触するように結合し、バンプとパッドに電気的に接続された第1の半導体チップと第2の半導体チップそれぞれに属するブロック間信号配線がバンプとパッドの接触部で電気的に接続される構成にされることを特徴とする半導体集積回路。 A plurality of functional blocks arranged in the chip, inter-block signal wiring for transmitting / receiving signals to the functional block, and external connection bumps arranged on the chip surface and electrically connected to the signal wiring A first semiconductor chip comprising:
Similarly, a plurality of functional blocks disposed in the chip, inter-block signal wiring for transmitting / receiving signals to the functional block, disposed on the chip surface, electrically connected to the signal wiring, and the first semiconductor A second semiconductor chip provided with an external connection pad disposed so as to be mirror-symmetrical with the arrangement of bumps in the chip,
The first and second semiconductor chips and the second semiconductor are electrically connected to the bump and the pad, with the surfaces of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip facing each other so that the bump and the pad are in contact with each other. A semiconductor integrated circuit characterized in that inter-block signal wiring belonging to each chip is electrically connected at a contact portion between a bump and a pad.
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