JP2009210634A - Optical waveguide device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は光導波路デバイス、特に光変調器に関する。 The present invention relates to an optical waveguide device, and more particularly to an optical modulator.
近年、光通信システムの高速大容量化が進んで1波長当り40ギガビット/秒以上の通信速度が実用になってきており、これを受けて、基幹部品である光変調器の広帯域化が求められている。進行波型光変調器は、光導波路を進行する光波と光導波路に沿って設けた電極を進行するマイクロ波とが電気光学効果による相互作用をすることで光波を変調する光変調器であり、光波とマイクロ波との速度整合をとることにより、広帯域化を図ることができる。速度整合を実現する方法として、従来、光導波路基板上に設けた低誘電率のバッファ層の上に電極を形成した構成が用いられてきたが、この構成では、光導波路に印加される電界がバッファ層の存在によって小さくなってしまうため、駆動電圧を低電圧化できないという欠点がある。 In recent years, optical communication systems have been increased in speed and capacity, and communication speeds of 40 gigabits / second or more per wavelength have been put into practical use. ing. The traveling wave type optical modulator is an optical modulator that modulates a light wave by the interaction between the light wave traveling through the optical waveguide and the microwave traveling through the electrode provided along the optical waveguide due to the electro-optic effect, By matching the speed between the light wave and the microwave, a broad band can be achieved. As a method for realizing speed matching, a configuration in which an electrode is formed on a low dielectric constant buffer layer provided on an optical waveguide substrate has been conventionally used. In this configuration, an electric field applied to the optical waveguide is not generated. Since the buffer layer becomes small due to the presence of the buffer layer, there is a drawback that the drive voltage cannot be lowered.
この欠点を改善するために、図3のような光導波路基板を薄板化した進行波型光変調器が提案されている(例えば、特許文献1参照)。図3において、光導波路104が形成された光導波路基板101は、接着剤層103により保持基板102に固着されて保持されている。光導波路基板101の厚さは30μm程度以下であり、通常のもの(例えば厚さ0.5mm)よりも薄型である。接着剤層103としては、その誘電率が光導波路基板101よりも低いものを用い、その厚さを、電極105から印加される電界の接着剤層103への漏れが大きくなるよう十分に厚く(例えば10μm〜200μm)する。このような構成では、電極105からの電界が低誘電率の接着剤層103の内部に漏れ出すことによってマイクロ波に対する等価屈折率(その値は光波に対する等価屈折率より大きい)が光導波路基板101の厚さが厚い場合と比べて小さくなる。このように等価屈折率の値の差が小さくなるので、光波とマイクロ波の速度が整合した状態に近付き、広帯域化が実現する。それとともに、この構成では光導波路基板101上にバッファ層を設けることなく速度整合が可能なので、光導波路104に印加される電界の強度が低下してしまうことがなく、駆動電圧の低電圧化も同時に実現することができる。
しかしながら、図3の構成とした場合、接着剤層103の厚さが厚いため次のような点が問題になる。第1に、接着剤層が厚いとその接着強度が低下してしまう。第2に、接着剤の硬化時に紫外線照射や加熱によってその温度が上昇し、その後硬化して温度が下がると応力が発生するが、接着剤層が厚いと発生する応力も大きくなってしまう。第3に、接着剤層を厚く形成することは製造上難しいため、コスト高になってしまう。
However, in the case of the configuration of FIG. 3, the following points are problematic because the
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、その目的は、広帯域で動作し低電圧駆動が可能な光導波路デバイスの信頼性を向上することにある。 The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to improve the reliability of an optical waveguide device that operates in a wide band and can be driven at a low voltage.
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、厚さ30μm以下の光導波路基板と、前記光導波路基板を保持する保持基板と、を有する光導波路デバイスであって、前記光導波路基板より誘電率が低く、前記光導波路基板と前記保持基板との間に介挿された低誘電率基板と、前記光導波路基板と前記低誘電率基板とを接着する厚さ9μm以下の接着剤層と、前記低誘電率基板を前記保持基板に固定する固定手段と、を備えることを特徴とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and is an optical waveguide device having an optical waveguide substrate having a thickness of 30 μm or less and a holding substrate for holding the optical waveguide substrate, wherein the optical waveguide A low dielectric constant substrate having a dielectric constant lower than that of the substrate and interposed between the optical waveguide substrate and the holding substrate, and an adhesive having a thickness of 9 μm or less for bonding the optical waveguide substrate and the low dielectric constant substrate And a fixing means for fixing the low dielectric constant substrate to the holding substrate.
この構成によれば、低誘電率基板を光導波路基板と保持基板との間に設けたので、広帯域化と駆動電圧の低電圧化を実現することができるとともに、光導波路基板と低誘電率基板とを接着する接着剤層を厚さ9μm以下としたので、接着強度が増大するとともに硬化の際に発生する応力が低減されて、光導波路デバイスとしての信頼性を向上させることができる。また、接着剤層を薄く形成するのは容易であるため、製造コストも抑制することができる。 According to this configuration, since the low dielectric constant substrate is provided between the optical waveguide substrate and the holding substrate, it is possible to realize a wide band and a low driving voltage, and the optical waveguide substrate and the low dielectric constant substrate. Since the thickness of the adhesive layer for adhering to each other is 9 μm or less, the adhesive strength is increased and the stress generated during curing is reduced, so that the reliability as an optical waveguide device can be improved. Moreover, since it is easy to form an adhesive layer thinly, manufacturing cost can also be suppressed.
また、本発明は、上記の光導波路デバイスにおいて、前記低誘電率基板の厚さは30μm以上であることを特徴とする。 In the optical waveguide device, the present invention is characterized in that the low dielectric constant substrate has a thickness of 30 μm or more.
この構成によれば、低誘電率基板の厚さが十分に厚いので、マイクロ波に対する等価屈折率が小さくなることによって速度整合の状態に近付き、広帯域化の特性に優れる。 According to this configuration, since the thickness of the low dielectric constant substrate is sufficiently thick, the equivalent refractive index with respect to the microwave is reduced, so that the speed matching state is approached and the broadband characteristics are excellent.
また、本発明は、上記の光導波路デバイスにおいて、前記接着剤層が前記光導波路基板より高誘電率の材料である場合にその厚さを1μm以下としたことを特徴とする。 In the above optical waveguide device, the present invention is characterized in that when the adhesive layer is made of a material having a higher dielectric constant than that of the optical waveguide substrate, the thickness thereof is set to 1 μm or less.
この構成によれば、接着剤層が高誘電率の材料であってもその厚さが1μm以下であるので、マイクロ波に対する等価屈折率は接着剤層が低誘電率の材料である場合と同様に小さくなり、その結果として広帯域化が可能であるとともに、接着剤層に用いる接着剤の選定の幅が広がる(低誘電率材料だけでなく高誘電率材料も使用できる)というメリットがある。 According to this configuration, even if the adhesive layer is made of a material having a high dielectric constant, the thickness thereof is 1 μm or less. Therefore, the equivalent refractive index with respect to microwaves is the same as when the adhesive layer is made of a material having a low dielectric constant. As a result, there is an advantage that a wide band can be obtained and the selection range of the adhesive used for the adhesive layer is widened (not only a low dielectric constant material but also a high dielectric constant material can be used).
本発明によれば、広帯域で動作し低電圧駆動が可能な光導波路デバイスの信頼性を向上させることができる。 According to the present invention, it is possible to improve the reliability of an optical waveguide device that operates in a wide band and can be driven at a low voltage.
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。
図1及び図2は、本発明の一実施形態による光導波路デバイスである進行波型の光変調器10の断面構成図と平面構成図をそれぞれ示したものである。図1の断面構成図は、図2の平面構成図のA−A’線に沿って切断した様子を表している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
1 and 2 are a cross-sectional view and a plan view, respectively, of a traveling wave type
図1,図2において、光変調器10は、マッハツェンダー光導波路15が形成された光導波路基板11と、光導波路基板11を保持する保持基板13と、光導波路基板11と保持基板13との間に介挿された樹脂基板12と、光導波路基板11と樹脂基板12とを接着固定する接着剤層14と、光導波路基板11上に形成された信号電極16及び接地電極17−1,17−2と、を含んで構成されている。
1 and 2, an
光導波路基板11は、電気光学効果を有する母結晶からその主軸Pと基板表面Sとが平行になるように切り出されたXカットの基板であり、例えば、ニオブ酸リチウム(LN)基板、タンタル酸リチウム(LT)基板、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン(PLZT)基板、等を用いることができる。このXカットの光導波路基板11に、入力導波路15−3と分岐光導波路15−1及び15−2と出力導波路15−4とからなるマッハツェンダー光導波路15が、上記主軸Pと分岐光導波路15−1及び15−2とが垂直になるように(即ち図1において主軸Pが紙面内にくるように)して形成されている。光導波路基板11の厚さは、例えば30μm以下、好ましくは10μm以下の厚さとする。このように光導波路基板11を薄板化すると、電極16,17−1,17−2により励起されて光導波路基板11内を進行するマイクロ波に対する等価屈折率が小さくなって、分岐光導波路15−1及び15−2を進行する光波に対する等価屈折率との差が小さくなる。これにより、光波とマイクロ波との速度整合がとれた状態、あるいは速度整合に近い状態となり、光変調器10の広帯域化が実現される。
The
樹脂基板12は、その誘電率が光導波路基板11の誘電率よりも低い特性を持った樹脂製の基板であり、上記のようにマイクロ波に対する等価屈折率を小さくするために用いられる。このような低誘電率の樹脂材料として、例えば、アクリル樹脂(誘電率ε=2.7〜4.5)、エポキシ樹脂(誘電率ε=2.5〜6.0)、等を用いることができるが、できるだけ低誘電率の樹脂材料を用いることが望ましい。樹脂基板12の厚さは、電極16,17−1,17−2によって発生するマイクロ波の電界が樹脂基板12の内部に大きく漏れ出すように、十分に厚く、例えば10μm以上、好ましくは30μm以上の厚さとする。これにより、マイクロ波に対する等価屈折率を小さくすることができる。
The
光導波路基板11と樹脂基板12とは、接着剤層14によって接着固定されている。接着剤層14を形成する接着剤には、紫外線を照射することによって硬化する紫外線硬化型の接着剤や、加熱によって硬化する熱硬化型の接着剤を用いることができる。
The
接着剤層14は、光変調器10の信頼性を向上させる必要性から、その厚さを十分に薄く、例えば9μm以下、好ましくは1μm以下の厚さとなるように形成する。一般に接着剤層は薄く形成した方が接着強度は大きくなるので、このように接着剤層14を薄くすることにより、光導波路基板11と樹脂基板12とを信頼性の上で問題がない程度に十分な強度で接着固定することができる。また、接着剤の硬化時に、紫外線照射や加熱によってその温度が上昇しその後硬化して温度が下がり応力が発生するが、接着剤層14の厚さが薄いと発生する応力を低減することができる。
The
また、接着剤層14の厚さが熱ドリフト(測定温度−40℃〜85℃での駆動電圧の変化)に与える影響を測定したところ、次の結果を得た。
接着剤層の厚さ(μm) 熱ドリフト(V) 評価
1 0.3 ◎
5 1.5 ○
9 2.9 ○
15 4.9 ×
熱ドリフトの一般的な許容値は3.0V以下であるので、熱ドリフトが問題とならない接着剤層14の厚さは、9μm以下、更に1μm以下が好適であることが分かる。
Moreover, when the influence which the thickness of the
Adhesive layer thickness (μm) Thermal drift (V) Evaluation
1 0.3 ◎
5 1.5 ○
9 2.9 ○
15 4.9 ×
Since the general allowable value of the thermal drift is 3.0 V or less, it can be seen that the thickness of the
このように、低誘電率の厚い樹脂基板12を薄い接着剤層14によって光導波路基板11に接着固定した構成を採用しているので、光変調器10の広帯域化及び駆動電圧の低電圧化(後述)と併せて信頼性の向上も同時に実現することが可能であり、熱ドリフトも問題とならない。
As described above, the configuration in which the low dielectric constant
接着剤層14に用いる接着剤の誘電率は、接着剤層14の厚さを1μmより厚くする場合には、樹脂基板12と同様に(マイクロ波に対する等価屈折率を小さくするため)光導波路基板11の誘電率よりも低いことが必要である。これは、厚さが1μmより厚いと接着剤層14がマイクロ波の等価屈折率に与える影響が大きいからである。一方、接着剤層14の厚さを1μm以下とする場合には、接着剤層14がマイクロ波の等価屈折率に与える影響は無視できる程度となるので、接着剤層14に用いる接着剤の誘電率は光導波路基板11の誘電率より高くてもかまわない。
The dielectric constant of the adhesive used for the
保持基板13は、樹脂基板12を介して光導波路基板11を保持する基板であり、光導波路基板11をしっかりと保持できるようにするため、その厚さは十分に厚く、例えば200μm以上、好ましくは0.5〜1.0mm程度とする。保持基板13の材質には、環境温度が変動した際に光導波路基板11の内部に応力が発生しないよう、あるいは発生する応力が低減されるよう、その熱膨張係数が光導波路基板11の熱膨張係数と近い材質のものを使用する。光導波路基板11と保持基板13とが同材質であれば尚更好ましい。例えば、光導波路基板11がLN基板である場合には、保持基板13の材質として、石英やアルミナ、光導波路基板11と結晶方位の異なるLN基板を利用することができる。
The holding
樹脂基板12と保持基板13との固定方法は、本発明では特に限定されるものではなく、例えば、上記接着剤層14と同様の接着剤を用いて接着固定する方法、樹脂基板12を加熱によって粘着性が生じる材質からなるものとし、この樹脂基板12を加熱して保持基板13に固着させる方法、樹脂基板12と保持基板13を機械的に固定(例えばネジ止め)する方法、等を適用することができる。
The fixing method of the
マッハツェンダー光導波路15は、例えば、チタン(Ti)等の金属を光導波路基板11の内部に熱拡散させる方法、光導波路基板11内部の原子(LN基板の場合、リチウム(Li)原子)をプロトンと交換する方法、光導波路基板11をリッジ状に形成し、該リッジ部に光を導波させる方法、等を用いて作製することができる。
The Mach-Zehnder
光導波路基板11上に形成される各電極16,17−1,17−2は、光導波路基板11内にマイクロ波を進行させて分岐光導波路15−1及び15−2中を伝搬する光波を変調するための電極であり、信号電極16が分岐光導波路15−1と15−2の間に配置され、接地電極17−1及び17−2がそれぞれ分岐光導波路15−1,15−2を挟んで信号電極16と対向するようにして配置される。この配置により、分岐光導波路15−1及び15−2の内部では、マイクロ波の電界が主軸P方向の主成分を持つようになる。上述したとおり、光導波路基板11の下部に設けられた樹脂基板12によって速度整合をとる構成であるので、各電極16,17−1,17−2は光導波路基板11上に直接形成する構成としている。このため、分岐光導波路15−1及び15−2に印加されるマイクロ波の電界の強度が低下せず、駆動電圧を低電圧化できる。なお、各電極16,17−1,17−2へ入力する変調電圧は、外部の高周波電源20から供給される。
The
以上、図面を参照してこの発明の一実施形態について詳しく説明してきたが、具体的な構成は上述のものに限られることはなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々な設計変更等をすることが可能である。 As described above, the embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings. However, the specific configuration is not limited to the above, and various design changes and the like can be made without departing from the scope of the present invention. It is possible to
例えば、樹脂基板12を、光導波路基板11より低い誘電率を持つ樹脂以外の材質からなる基板に置き換えてもよい。一例として、アルミナ(誘電率ε=6.0〜10.0)や石英(誘電率ε=3.5〜4.5)を材料とするガラス基板などを用いることができる。
また、マッハツェンダー光導波路15や各電極16,17−1,17−2の具体的な構成は、上述したものに限られず、必要に応じて適宜、変更してもよい。
For example, the
Further, the specific configurations of the Mach-Zehnder
10…光変調器 11…光導波路基板 12…樹脂基板 13…保持基板 14…接着剤層 15…マッハツェンダー光導波路 15−1,15−2…分岐光導波路 15−3…入力導波路 15−4…出力導波路 16…信号電極 17−1,17−2…接地電極
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記光導波路基板を保持する保持基板と、
を有する光導波路デバイスであって、
前記光導波路基板より誘電率が低く、前記光導波路基板と前記保持基板との間に介挿された低誘電率基板と、
前記光導波路基板と前記低誘電率基板とを接着する厚さ9μm以下の接着剤層と、
前記低誘電率基板を前記保持基板に固定する固定手段と、
を備えることを特徴とする光導波路デバイス。 An optical waveguide substrate having a thickness of 30 μm or less;
A holding substrate for holding the optical waveguide substrate;
An optical waveguide device comprising:
A dielectric constant lower than that of the optical waveguide substrate, and a low dielectric constant substrate interposed between the optical waveguide substrate and the holding substrate;
An adhesive layer having a thickness of 9 μm or less for bonding the optical waveguide substrate and the low dielectric constant substrate;
Fixing means for fixing the low dielectric constant substrate to the holding substrate;
An optical waveguide device comprising:
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