JP2009206041A - 有機発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機層から放出された光のうち、電極間に沿う方向に放出された光の少なくとも一部を、観察者または照明対象の物体の方へ取り出すことを可能とする。
【解決手段】第１基板１１と、前記第１基板１１に対向して形成された透明な第２基板１２と、前記第１基板１１と前記第２基板１２との間で前記第１基板１１側に形成された第１電極１３と、前記第１基板１１と前記第２基板１２との間で前記第２基板１２側に形成された透明な第２電極１４と、前記第１電極１１と前記第２電極１２との間に設けられた有機層１５と有する有機発光装置１において、前記第１電極１３上に形成されていて前記第２電極１４側に向いた傾斜した反射面を側面に有する反射部１６を有することを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】第１基板１１と、前記第１基板１１に対向して形成された透明な第２基板１２と、前記第１基板１１と前記第２基板１２との間で前記第１基板１１側に形成された第１電極１３と、前記第１基板１１と前記第２基板１２との間で前記第２基板１２側に形成された透明な第２電極１４と、前記第１電極１１と前記第２電極１２との間に設けられた有機層１５と有する有機発光装置１において、前記第１電極１３上に形成されていて前記第２電極１４側に向いた傾斜した反射面を側面に有する反射部１６を有することを特徴とする。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機発光装置およびその製造方法に関するものである。
有機電場発光（ＥＬ）デバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスとも称され、現在、市場に出ている他のフラットパネルディスプレイより有利な周知の点がいくつかある。これらの利点としては、発光が明るいこと、比較的視野角が広いこと、そして、例えば背面照明を用いた液晶ディスプレイと比べ、電力消費量が少ないこと、が挙げられる。
有機発光ダイオードデバイスの応用としては、アクティブマトリックス式画像表示装置、パッシブマトリックス式画像表示装置、および、例えば選択式デスクトップ型照明のような面照明装置が挙げられる。これらの広範な応用分野に対して個別具体的に適用される有機発光ダイオードデバイス構成とは無関係に、すべての有機発光ダイオードが同一の一般原理で機能する。有機電場発光（ＥＬ）媒体の構造物（以下、有機層という）は２つの電極間に挟み込まれる。これらの電極のうち少なくとも一方は透光性を持っている。
これらの電極は、従来型ダイオードの電極との相似性によりアノードおよびカソードと通称されている。これらの電極間に、アノードを電源の正側端子に接続し、かつ、カソードを負側端子に接続するように電位を印加した時、有機発光ダイオードは順方向バイアスされたと言われる。アノードから正電荷キャリヤ（正孔）が有機層中の発光層に注入され、かつ、カソードから負電荷キャリヤ（電子）が注入される。
このような電荷キャリヤ注入により、電極から有機層を通る電流が発生する。有機層中の帯域内で正孔と電子が再結合する結果、発光帯域または界面と呼ばれる帯域から光が放出される。
放出された光は、透明電極を通して、観察者の方へ、または照明対象の物体の方へ、向けられる。
透明電極を有機発光ダイオードデバイスの基板と発光要素の間に配置した場合、当該デバイスは底面発光型有機発光ダイオードデバイスと称され、反対に、透明電極を基板と発光要素の間に配置しない場合、当該デバイスは上面発光型有機発光ダイオードデバイスと称される。
放出された光は、透明電極を通して、観察者の方へ、または照明対象の物体の方へ、向けられる。
透明電極を有機発光ダイオードデバイスの基板と発光要素の間に配置した場合、当該デバイスは底面発光型有機発光ダイオードデバイスと称され、反対に、透明電極を基板と発光要素の間に配置しない場合、当該デバイスは上面発光型有機発光ダイオードデバイスと称される。
光は電極を通して放出されるので、放出光が通る電極は、放出光が吸収されないように十分な光透過性を有することが重要である。このような電極に典型的に用いられる従来型材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）および極薄金属層があげられる。
インジウム錫酸化物の比抵抗は例えば１．４×１０-8Ω・ｃｍ程度と高いものである。そのため、必要な電流が各画素に印加されず、配線長の長いところ、すなわち端子部から遠い位置にある画素では、特に輝度が不足することとなり、輝度の不均一性が生じ、表示品位を落としてしまう。
例えば、照明等に代表されるような全面一括発光型の有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）パネルを、液晶パネル用バックライトに適用する場合、面内輝度分布の要求が厳しくなってくる。
しかし、有機ＥＬパネルでは、透明電極の抵抗値は透過率を確保するために薄膜化すると高くなり、面内で均一な輝度を得ることが難しい。
この解決方法として、補助配線を形成する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、有機層の発光帯域または界面と呼ばれる帯域から放出された光は四方八方に発光されるため、観察者の方、または照明対象の物体の方へ、取り出すことができる光は極一部である。これは光の取り出し効率と呼ばれ、発光した光のうち、正面へ取り出せるのは約２０％程度と報告されている。
インジウム錫酸化物の比抵抗は例えば１．４×１０-8Ω・ｃｍ程度と高いものである。そのため、必要な電流が各画素に印加されず、配線長の長いところ、すなわち端子部から遠い位置にある画素では、特に輝度が不足することとなり、輝度の不均一性が生じ、表示品位を落としてしまう。
例えば、照明等に代表されるような全面一括発光型の有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）パネルを、液晶パネル用バックライトに適用する場合、面内輝度分布の要求が厳しくなってくる。
しかし、有機ＥＬパネルでは、透明電極の抵抗値は透過率を確保するために薄膜化すると高くなり、面内で均一な輝度を得ることが難しい。
この解決方法として、補助配線を形成する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、有機層の発光帯域または界面と呼ばれる帯域から放出された光は四方八方に発光されるため、観察者の方、または照明対象の物体の方へ、取り出すことができる光は極一部である。これは光の取り出し効率と呼ばれ、発光した光のうち、正面へ取り出せるのは約２０％程度と報告されている。
解決しようとする問題点は、有機層の発光帯域または界面と呼ばれる帯域から放出された光は四方八方に発光されるため、発光した光のうちの極一部しか観察者または照明対象の物体の方へ取り出せない点である。
本発明は、有機層から放出された光のうち、電極間に沿う方向に放出された光の少なくとも一部を、観察者または照明対象の物体の方へ取り出すことを可能にする。
本発明の有機発光装置は、第１基板と、前記第１基板に対向して形成された透明な第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間で前記第１基板側に形成された第１電極と、前記第１基板と前記第２基板との間で前記第２基板側に形成された透明な第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた有機層と有する有機発光装置において、前記第１電極上に形成されていて前記第２電極側に向いた傾斜した反射面を側面に有する反射部を有することを特徴とする。
本発明の有機発光装置では、第１電極上に形成されていて側面に第２電極側に向いた傾斜した反射面を有する反射部を有することから、有機層から放出された光のうち、第１電極と第２電極との間に沿う方向に放出された光の少なくとも一部が第２電極方向に放出されるようになる。
本発明の有機発光装置の製造方法は、第１基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に前記第２電極側に向いた傾斜した反射面を有する反射部を形成する工程と、前記絶縁膜パターン間に有機層を形成する工程と、前記有機層を前記第１電極との間に挟み、かつ前記反射部に接続する透明な第２電極と、前記第２電極上に透明な第２基板を形成する工程とを順に有することを特徴とする。
本発明の有機発光装置の製造方法では、第１電極上に第２電極側に向いた傾斜した反射面を有する反射部を形成することから、有機層から放出された光のうち、第１電極と第２電極との間に沿う方向に放出された光の少なくとも一部が第２電極方向に放出されるようになる。
本発明の有機発光装置は、有機層から放出された光のうち、第１電極と第２電極との間に沿う方向に放出された光の少なくとも一部が第２電極方向に放出されるため、光の取り出し効率を高めることができるので、輝度を向上させることができるという利点がある。
本発明の有機発光装置の製造方法は、有機層から放出された光のうち、第１電極と第２電極との間に沿う方向に放出された光の少なくとも一部が第２電極方向に放出されるため、光の取り出し効率を高めることができるので、輝度を向上させることができるという利点がある。
本発明の有機発光装置に係る一実施の形態（第１実施例）を、図１の概略構成断面図によって説明する。図１はパネルの一断面の一例を示したものである。また、図１では、照明等に用いる全面一括発光型のものとして第１電極を金属単層膜で示した。一方、図示はしていないが、ディスプレイ等に用いるものでは、第１基板上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の素子、配線等が配置され、それらを被覆する絶縁層が形成され、この絶縁層上に第１電極が形成された構造となる。以下、一例として、全面一括発光型の構造を説明する。
図１に示すように、第１基板１１と、この第１基板１１に対向して透明な第２基板１２が設けられている。
上記第１基板１１には、例えばガラス基板を用いる。また、有機発光装置を駆動するＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の素子、配線等を搭載した基板（例えばガラス基板）上に絶縁層が形成されているものであってもよい。
上記第２基板１２には、例えばガラス基板を用いる。
上記第１基板１１には、例えばガラス基板を用いる。また、有機発光装置を駆動するＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の素子、配線等を搭載した基板（例えばガラス基板）上に絶縁層が形成されているものであってもよい。
上記第２基板１２には、例えばガラス基板を用いる。
上記第１基板１１と上記第２基板１２との間で上記第１基板１１側には第１電極１３が形成され、上記第２基板１２側には透明な第２電極１４が形成されている。
上記第１電極１３には、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の光反射性の高い金属膜を用いる。また、上記第１電極１２を陽極として用いる場合、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、ニッケル、銀、金、白金、パラジウム、セレン、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、レニウム、タングステン、モリブデン、クロム、タンタル、ニオブやこれらの合金、酸化物、もしくは、酸化錫、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等が好ましい。
なお、有機発光装置１がディスプレイ用途の場合、上記第１電極１３は陽極となり、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて、画素形状に対応させたパターニングがなされる。
なお、有機発光装置１がディスプレイ用途の場合、上記第１電極１３は陽極となり、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて、画素形状に対応させたパターニングがなされる。
上記第２電極１４は、例えば透明電極で形成される。この透明電極には、一例として、インジウムスズ酸化（ＩＴＯ）膜、インジウム亜鉛酸化膜、酸化亜鉛膜等を用いる。
また、上記第２電極１４を陰極として用いる場合には、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜を、次に説明する有機層１５から発光される光が透過する厚さの膜厚に、上記透明電極と有機層１５との間に形成することが好ましい。
また、上記第２電極１４を陰極として用いる場合には、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜を、次に説明する有機層１５から発光される光が透過する厚さの膜厚に、上記透明電極と有機層１５との間に形成することが好ましい。
上記第１電極１３と上記第２電極１４との間には有機層１５が形成されている。この有機層１５は、実際には電子輸送層、発光層、正孔輸送層の積層となっている。また上記有機層１５は、その膜厚を厚膜化することにより、高輝度化、長寿命化することができ、また色ムラも改善することができる。
さらに、上記第１電極１３上には上記第２電極１４側に向いた傾斜した反射面を側面に有する反射部１６が形成されている。
上記反射部１６は、上記第１電極１３上に形成されていて、上記第２電極１４側に向いた傾斜面を側面に有する絶縁膜パターン１７と、上記第１電極１３と離間されていて上記絶縁膜パターン１７の傾斜面に形成された反射膜１８を有する。
上記絶縁膜パターン１７は、例えば有機レジストやポリイミドなどで形成されている。有機物で形成される上記絶縁膜パターン１７は、一般的には熱処理等を行うことで、パターン側面をテーパー形状に作製することができる。その傾斜角は、第１電極１２表面に対して、例えば３０度から６０度程度とする。要するに、上記有機層１５で発光される光を、上記第２電極１４方向（図面上方向）に反射できる角度であればよい。
なお、傾斜角が小さすぎると、例えば３０度よりも小さすぎると、発光面積（有機層１５の形成面積）がすくなくなり、発光効率を低下させることになる。一方、傾斜角が大きすぎると、例えば６０度を超えると、後に説明する反射膜１８で反射した反射光が第２電極１４の有機層１５側の面で反射され、第２電極１４の外側へ取り出すことが困難になる。
また、上記絶縁膜パターン１７の膜厚は上記有機層１５の膜厚にも依存するが、数μｍ〜数十μｍとする。また、上記絶縁膜パターン１７の幅は、その高さと傾斜面の傾斜角によるが、できうる限り狭い幅とし、また上記絶縁膜パターン１７の間隔は、画素サイズにもよるが、例えば数十μｍ〜数百μｍとする。
なお、傾斜角が小さすぎると、例えば３０度よりも小さすぎると、発光面積（有機層１５の形成面積）がすくなくなり、発光効率を低下させることになる。一方、傾斜角が大きすぎると、例えば６０度を超えると、後に説明する反射膜１８で反射した反射光が第２電極１４の有機層１５側の面で反射され、第２電極１４の外側へ取り出すことが困難になる。
また、上記絶縁膜パターン１７の膜厚は上記有機層１５の膜厚にも依存するが、数μｍ〜数十μｍとする。また、上記絶縁膜パターン１７の幅は、その高さと傾斜面の傾斜角によるが、できうる限り狭い幅とし、また上記絶縁膜パターン１７の間隔は、画素サイズにもよるが、例えば数十μｍ〜数百μｍとする。
上記反射膜１８は、導電膜で形成されていて、例えば、光反射性の高い金属膜、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の膜で形成されている。そして、上記絶縁膜パターン１７の傾斜面に、上記第１電極１３と離間して形成されている。少なくとも、第１電極１３と反射膜１８とは、電気的に絶縁される距離だけ離す必要がある。また、反射光率を考慮して、反射膜１８は、少なくとも上記絶縁膜パターン１７の傾斜面の半分以上に形成されることが好ましい。
さらに、上記反射膜１８は上記第２電極１４に接続されている。
このように、上記第１電極１３上に、上記絶縁膜パターン１７と上記反射膜１８からなる反射部１６が形成されている。したがって、この反射部１６の反射膜１８は、上記第２電極１４側（図面上側）に向いた傾斜した反射面を有する。
さらに、上記反射膜１８は上記第２電極１４に接続されている。
このように、上記第１電極１３上に、上記絶縁膜パターン１７と上記反射膜１８からなる反射部１６が形成されている。したがって、この反射部１６の反射膜１８は、上記第２電極１４側（図面上側）に向いた傾斜した反射面を有する。
なお、上記第２電極１４上に透明な封着膜１９を形成して上記第２基板１２が形成されていてもよい。
上記説明では、上記第１電極１３を陽極とし、第２電極１４を陰極とした場合を説明したが、第１電極１３を陰極、第２電極１４を陽極としてもよい。
この場合、第１電極１３を、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜で形成することが好ましい。
また、第２電極１４を、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、酸化スズ、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等の透明電極材料が好ましい。
この場合、第１電極１３を、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜で形成することが好ましい。
また、第２電極１４を、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、酸化スズ、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等の透明電極材料が好ましい。
また、上記反射部１６は、あまり微細な間隔や大きな幅を持つ形状に形成されると、いわゆる開口率が低下するため、輝度低下を招き、好ましくない。したがって、上記説明したように、上記絶縁膜パターン１７の幅は、その高さと傾斜面の傾斜角によるが、できうる限り狭い幅とし、また上記絶縁膜パターン１７の間隔は、例えば数十μｍ〜数百μｍとしている。
上記有機発光装置１では、図２に示すように、有機層１５から放出された光のうち、第１電極１３と第２電極１４との間に沿う方向に放出された光Ｌｒの少なくとも一部が上記絶縁膜パターン１７の第２電極１４側に向いた傾斜面に形成された上記反射膜１８によって第２電極１４方向に放出されるため、光の取り出し効率を高めることができるので、輝度を向上させることができるという利点がある。
さらに、上記第１電極１３を光反射性の高い金属膜で形成することで、第１電極１３側に発光される光を第２電極１４側に反射することができる。これによっても、光の取り出し効率をさらに高めることができるので、輝度をさらに向上させることができる
さらに、上記第１電極１３を光反射性の高い金属膜で形成することで、第１電極１３側に発光される光を第２電極１４側に反射することができる。これによっても、光の取り出し効率をさらに高めることができるので、輝度をさらに向上させることができる
また、上記有機層１５が複数の発光画素のそれぞれに設けられていて、上記各有機層１５の一方側を挟む上記第２電極１４は、この複数の発光画素の共通電極として用いられている場合、上記第２電極１４に接続されている上記反射膜１８は、第２電極１４の補助電極としての機能を果たす。このように第２電極１４に上記反射膜１８からなる補助電極が接続されることにより、透明電極を用いた第２電極１４による電圧降下を抑制し、均一な輝度を得ることができる。
次に、本発明の有機発光装置に係る一実施の形態（第２実施例）を、図３の概略構成断面図によって説明する。図３はパネルの一断面の一例を示したものである。また、図３では、照明等に用いる全面一括発光型のものとして第１電極を金属単層膜で示した。一方、図示はしていないが、ディスプレイ等に用いるものでは、第１基板上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の素子、配線等が配置され、それらを被覆する絶縁層が形成され、この絶縁層上に第１電極が形成された構造となる。以下、一例として、全面一括発光型の構造を説明する。
図３に示すように、第１基板１１と、この第１基板１１に対向して透明な第２基板１２が設けられている。
上記第１基板１１には、例えばガラス基板を用いる。また、有機発光装置を駆動するＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の素子、配線等を搭載した基板（例えばガラス基板）上に絶縁層が形成されているものであってもよい。
上記第２基板１２には、例えばガラス基板を用いる。
上記第１基板１１には、例えばガラス基板を用いる。また、有機発光装置を駆動するＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の素子、配線等を搭載した基板（例えばガラス基板）上に絶縁層が形成されているものであってもよい。
上記第２基板１２には、例えばガラス基板を用いる。
上記第１基板１１と上記第２基板１２との間で上記第１基板１１側には第１電極１３が形成され、上記第２基板１２側には透明な第２電極１４が形成されている。
上記第１電極１３には、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の光反射性の高い金属膜を用いる。また、上記第１電極１２を陽極として用いる場合、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、ニッケル、銀、金、白金、パラジウム、セレン、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、レニウム、タングステン、モリブデン、クロム、タンタル、ニオブやこれらの合金、酸化物、もしくは、酸化錫、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等が好ましい。
なお、有機発光装置２がディスプレイ用途の場合、上記第１電極１３は陽極となり、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて、画素形状に対応させたパターニングがなされる。
なお、有機発光装置２がディスプレイ用途の場合、上記第１電極１３は陽極となり、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて、画素形状に対応させたパターニングがなされる。
上記第２電極１４は、例えば透明電極で形成される。この透明電極には、一例として、インジウムスズ酸化（ＩＴＯ）膜、インジウム亜鉛酸化膜、酸化亜鉛膜等を用いる。
また、上記第２電極１４を陰極として用いる場合には、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜を、次に説明する有機層１５から発光される光が透過する厚さの膜厚に、上記透明電極と有機層１５との間に形成することが好ましい。
また、上記第２電極１４を陰極として用いる場合には、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜を、次に説明する有機層１５から発光される光が透過する厚さの膜厚に、上記透明電極と有機層１５との間に形成することが好ましい。
上記第１電極１３と上記第２電極１４との間には有機層１５が形成されている。この有機層１５は、実際には電子輸送層、発光層、正孔輸送層の積層となっている。また上記有機層１５は、その膜厚を厚膜化することにより、高輝度化、長寿命化することができ、また色ムラも改善することができる。
さらに、上記第１電極１３上には上記第２電極１４側に向いた傾斜した反射面を側面に有する反射部２１が形成されている。
上記反射部２１は、上記第１電極１３上に形成された絶縁膜パターン２２と、この絶縁膜パターン２２上に形成されていて上記第２電極１４側に向いた傾斜面を側面に有する反射部本体２３とを有する。この反射部本体２３は、導電膜で形成されていて上記第２電極１４に接続されている。
上記絶縁膜パターン２２は、例えば有機レジストやポリイミドなどで形成されている。
また、上記絶縁膜パターン２２の膜厚は、上記第１電極１３と上記反射部本体２３との絶縁が保たれる膜厚とし、例えば少なくとも１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚さに形成される。また上記絶縁膜パターン２２は、あまり微細な間隔や大きな幅を持つ形状に形成されると、いわゆる開口率が低下するため、輝度低下を招き、好ましくないので、上記反射部本体２３の高さと傾斜面の傾斜角にもよるが、できうる限り狭い幅とし、また上記絶縁膜パターン２２の間隔は、例えば数十μｍ〜数百μｍとすることが好ましい。
また、上記絶縁膜パターン２２の膜厚は、上記第１電極１３と上記反射部本体２３との絶縁が保たれる膜厚とし、例えば少なくとも１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚さに形成される。また上記絶縁膜パターン２２は、あまり微細な間隔や大きな幅を持つ形状に形成されると、いわゆる開口率が低下するため、輝度低下を招き、好ましくないので、上記反射部本体２３の高さと傾斜面の傾斜角にもよるが、できうる限り狭い幅とし、また上記絶縁膜パターン２２の間隔は、例えば数十μｍ〜数百μｍとすることが好ましい。
また、上記反射部本体２３は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の光反射性の高い金属膜で形成されている。また、上記第２電極１４の補助配線の機能も持たせるため、厚く形成されることが好ましい。しかし、厚膜化した場合に膜自体の応力によって上記絶縁膜パターン２２から剥がれない程度の膜厚にする必要があり、また、上記有機膜１５の膜厚にも依存する。これらのことを鑑み、上記絶縁膜パターン２２と上記有機膜１５とを合わせた膜厚が数μｍ〜数十μｍとなるように、上記反射部本体２３の膜厚を決定する。
例えば、上記反射部本体２３がアルミニウム（Ａｌ）系の金属膜で形成されている場合には、ウエットエッチングによって傾斜面を形成することができる。このエッチングのエッチング液には、例えば、リン酸、硝酸、酢酸などの混合液を用いる。その混合体積比率は、例えば、リン酸：５０％〜７０％、硝酸：２０％、酢酸：２０％、水：１０％〜３０％などで、処理条件としては、膜厚にも依存するが、例えば３０℃、２５０秒程度のディッピング方式やシャワー方式がとられる。このアルミニウム（Ａｌ）のテーパエッチングに関しては、［online］、２００７年７月２４日、三洋半導体株式会社、林純薬工業株式会社、［平成２０年１月２３日検索］インターネット＜URL：www.hpc-j.co.jp/news/img/eching.pdf＞等に開示されている。また、上記反射部本体２３が銀（Ａｇ）系の金属膜で形成されている場合には、上記エッチング液には、例えば、硝酸、硫酸などのエッチング液を用いることで、上記アルミニウム系金属膜と同様に、所望の傾斜面を得ることができる。
上記反射部本体２３の側面に形成される傾斜面の傾斜角は、例えば上記第１電極１３表面に対して例えば３０度から６０度程度を有する。要するに、後に形成される有機層１５で発光される光を、上記第２電極１４方向（図面上方向）に反射できる角度であればよい。
なお、傾斜角が小さすぎると、例えば３０度よりも小さすぎると、発光面積がすくなくなり、発光効率を低下させることになる。一方、傾斜角が大きすぎると、例えば６０度を超えると、反射部本体２３の側面で反射した反射光が第２電極１４の有機層１５側の面で反射され、第２電極１４の外側へ取り出すことが困難になる。
なお、傾斜角が小さすぎると、例えば３０度よりも小さすぎると、発光面積がすくなくなり、発光効率を低下させることになる。一方、傾斜角が大きすぎると、例えば６０度を超えると、反射部本体２３の側面で反射した反射光が第２電極１４の有機層１５側の面で反射され、第２電極１４の外側へ取り出すことが困難になる。
さらに、上記反射部本体２３は上記第２電極１４に接続されている。
このように、上記第１電極１３上に、上記絶縁膜パターン２２と上記反射部本体２３からなる反射部２１が形成されている。したがって、この反射部２１の反射部本体２３は、上記第２電極１４側（図面上側）に向いた傾斜した反射面を有する。
このように、上記第１電極１３上に、上記絶縁膜パターン２２と上記反射部本体２３からなる反射部２１が形成されている。したがって、この反射部２１の反射部本体２３は、上記第２電極１４側（図面上側）に向いた傾斜した反射面を有する。
なお、上記第２電極１４上に透明な封着膜１９を形成して上記第２基板１２が形成されていてもよい。
上記説明では、上記第１電極１３を陽極とし、第２電極１４を陰極とした場合を説明したが、第１電極１３を陰極、第２電極１４を陽極としてもよい。
この場合、第１電極１３を、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜で形成することが好ましい。
また、第２電極１４を、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、酸化スズ、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等の透明電極材料が好ましい。
この場合、第１電極１３を、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜で形成することが好ましい。
また、第２電極１４を、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、酸化スズ、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等の透明電極材料が好ましい。
また、上記反射部１６は、あまり微細な間隔や大きな幅を持つ形状に形成されると、いわゆる開口率が低下するため、輝度低下を招き、好ましくない。したがって、上記説明したように、上記絶縁膜パターン１７の幅は、その高さと傾斜面の傾斜角によるが、できうる限り狭い幅とし、また上記絶縁膜パターン１７の間隔は、例えば数十μｍ〜数百μｍとしている。
上記有機発光装置２では、図４に示すように、有機層１５から放出された光のうち、第１電極１３と第２電極１４との間に沿う方向に放出された光Ｌｒの少なくとも一部が上記第２電極１４側に向いた傾斜面を有する上記反射部本体２３によって第２電極１４方向に放出されるため、光の取り出し効率を高めることができるので、輝度を向上させることができるという利点がある。
さらに、上記第１電極１３を光反射性の高い金属膜で形成することで、第１電極１３側に発光される光を第２電極１４側に反射することができる。これによっても、光の取り出し効率をさらに高めることができるので、輝度をさらに向上させることができる
さらに、上記第１電極１３を光反射性の高い金属膜で形成することで、第１電極１３側に発光される光を第２電極１４側に反射することができる。これによっても、光の取り出し効率をさらに高めることができるので、輝度をさらに向上させることができる
また、上記有機層１５が複数の発光画素のそれぞれに設けられていて、上記各有機層１５の一方側を挟む上記第２電極１４は、この複数の発光画素の共通電極として用いられている場合、上記第２電極１４に接続されている上記反射部本体２３は、第２電極１４の補助電極としての機能を果たす。しかも、比較的厚膜にすることができるため、低抵抗の補助配線となる。このように第２電極１４に上記反射部本体２３からなる補助電極が接続されることにより、透明電極を用いた第２電極１４による電圧降下を抑制し、均一な輝度を得ることができる。
次に、本発明の有機発光装置に係る一実施の形態（第３実施例）を、図５の概略斜視図によって説明する。
図５に示すように、全面一括発光型の有機発光装置では、ディスプレイ用途の有機発光パネルのようなＲＧＢの各画素を分離する必要はなく、各画素を分離するような構造物も必要ない。本発明では、全面一括発光型の有機発光装置に適用した場合、上記有機発光装置１の反射部１６は、例えばストライプ状に形成することができる。
図面では、有機発光装置１の反射部１６を示したが、有機発光装置２の反射部２１も同様に格子状に形成することができる。
図面では、有機発光装置１の反射部１６を示したが、有機発光装置２の反射部２１も同様に格子状に形成することができる。
次に、本発明の有機発光装置に係る一実施の形態（第２実施例）を、図６の概略斜視図によって説明する。
図６に示すように、全面一括発光型の有機発光装置では、ディスプレイ用途の有機発光パネルのようなＲＧＢの各画素を分離する必要はなく、各画素を分離するような構造物も必要ない。本発明では、全面一括発光型の有機発光装置に適用した場合、上記有機発光装置１の反射部１６は、例えば格子状に形成することができる。
図面では、有機発光装置１の反射部１６を示したが、有機発光装置２の反射部２１も同様に格子状に形成することができる。
図面では、有機発光装置１の反射部１６を示したが、有機発光装置２の反射部２１も同様に格子状に形成することができる。
次に、本発明の有機発光装置の製造方法に係る一実施の形態（第１実施例）を、図７および図８の製造工程断面図によって説明する。この製造方法は、前記有機発光装置の第１実施例の構成を製造する一例であり、前記説明した構成部品と同一のものには同一の符号を付与した。
図７（１）に示すように、第１基板１１上に第１電極１３を形成する。
上記第１基板１１には、例えばガラス基板を用いる。また、有機発光装置を駆動するＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の素子、配線等を搭載した基板（例えばガラス基板）上に絶縁層が形成されているものであってもよい。
上記第１電極１３には、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の光反射性の高い金属膜を用いる。また、上記第１電極１３を陽極として用いる場合、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、ニッケル、銀、金、白金、パラジウム、セレン、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、レニウム、タングステン、モリブデン、クロム、タンタル、ニオブやこれらの合金、酸化物、もしくは、酸化錫、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等が好ましい。
上記第１電極１３の成膜には、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の一般に有機発光装置の金属膜、金属化合物膜の成膜に用いられている成膜技術を用いることができる。
本有機発光装置がディスプレイ用途の場合、上記第１電極１３は陽極となり、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて、画素形状に対応させたパターニングがなされる。
上記第１基板１１には、例えばガラス基板を用いる。また、有機発光装置を駆動するＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の素子、配線等を搭載した基板（例えばガラス基板）上に絶縁層が形成されているものであってもよい。
上記第１電極１３には、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の光反射性の高い金属膜を用いる。また、上記第１電極１３を陽極として用いる場合、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、ニッケル、銀、金、白金、パラジウム、セレン、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、レニウム、タングステン、モリブデン、クロム、タンタル、ニオブやこれらの合金、酸化物、もしくは、酸化錫、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等が好ましい。
上記第１電極１３の成膜には、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の一般に有機発光装置の金属膜、金属化合物膜の成膜に用いられている成膜技術を用いることができる。
本有機発光装置がディスプレイ用途の場合、上記第１電極１３は陽極となり、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて、画素形状に対応させたパターニングがなされる。
次に、上記第１電極１３上に後に形成される第２電極側に向いた傾斜した反射面を有する反射部を形成する。この反射部の形成は、まず、図７（２）に示すように、上記第１電極１３上に絶縁膜を形成した後、通常のリソグラフィー技術とエッチング技術によって、上記絶縁膜をパターニングして、後に形成される第２電極側（図面上側）に向いた傾斜面を側面に有する絶縁膜パターン１７を形成する。
上記絶縁膜パターン１７は、例えば有機レジストやポリイミドなどで形成される。有機物で形成される上記絶縁膜パターン１７は、一般的には熱処理等を行うことで、パターン側面をテーパー形状に作製することができる。その傾斜角は、第１電極１３表面に対して、例えば３０度から６０度程度とする。要するに、後に形成される有機層で発光される光を、後に形成される第２電極方向（図面上方向）に反射できる角度であればよい。
なお、傾斜角が小さすぎると、例えば３０度よりも小さすぎると、発光面積（有機層の形成面積）がすくなくなり、発光効率を低下させることになる。一方、傾斜角が大きすぎると、例えば６０度を超えると、後に形成される反射膜で反射した反射光が第２電極の有機層側の面で反射され、第２電極の外側へ取り出すことが困難になる。
また、上記絶縁膜パターン１７の膜厚は後に形成される有機層の膜厚にも依存するが、数μｍ〜数十μｍとする。また、上記絶縁膜パターン１７の間隔は、画素サイズにもよるが、例えば数十μｍ〜数百μｍとする。
上記絶縁膜パターン１７は、例えば有機レジストやポリイミドなどで形成される。有機物で形成される上記絶縁膜パターン１７は、一般的には熱処理等を行うことで、パターン側面をテーパー形状に作製することができる。その傾斜角は、第１電極１３表面に対して、例えば３０度から６０度程度とする。要するに、後に形成される有機層で発光される光を、後に形成される第２電極方向（図面上方向）に反射できる角度であればよい。
なお、傾斜角が小さすぎると、例えば３０度よりも小さすぎると、発光面積（有機層の形成面積）がすくなくなり、発光効率を低下させることになる。一方、傾斜角が大きすぎると、例えば６０度を超えると、後に形成される反射膜で反射した反射光が第２電極の有機層側の面で反射され、第２電極の外側へ取り出すことが困難になる。
また、上記絶縁膜パターン１７の膜厚は後に形成される有機層の膜厚にも依存するが、数μｍ〜数十μｍとする。また、上記絶縁膜パターン１７の間隔は、画素サイズにもよるが、例えば数十μｍ〜数百μｍとする。
次に、図７（３）に示すように、上記第１電極１３と離間して上記絶縁膜パターン１７の傾斜面（側面）に反射膜１８を形成する。この反射膜１８は導電膜で形成される。例えば、光反射性の高い金属膜、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の膜で形成される。
なお、上記反射膜１８は、例えば図示したように、第１電極１３とは離間して絶縁膜パターン１７の側面から上面にかけて形成されることが好ましい。
このようにして、上記第１電極１３上に、上記絶縁膜パターン１７と上記反射膜１８からなる反射部１６が形成される。したがって、この反射部１６の反射膜１８は、後に形成される第２電極側（図面上側）に向いた傾斜した反射面を有する。
上記反射膜１８の形成方法は、例えば斜め蒸着法を用いることができる。
もしくは、全面に反射膜１８となる金属膜をスパッタリング法、蒸着法、有機金属気相成長法等の一般に用いられている金属成膜技術によって成膜し、通常のリソグラフィー技術とエッチングを行うことで、絶縁膜パターン１７の傾斜面の途中まで金属膜を残すようにパターニングを行って形成することができる。
先の斜め蒸着法を用いることができれば、フォトリソグラフィーを行うための高価な露光装置やリソグラフィー工程およびエッチング工程の長い製造工程が不要になるため、低コストで反射膜１８を形成することができる。
なお、上記反射膜１８は、例えば図示したように、第１電極１３とは離間して絶縁膜パターン１７の側面から上面にかけて形成されることが好ましい。
このようにして、上記第１電極１３上に、上記絶縁膜パターン１７と上記反射膜１８からなる反射部１６が形成される。したがって、この反射部１６の反射膜１８は、後に形成される第２電極側（図面上側）に向いた傾斜した反射面を有する。
上記反射膜１８の形成方法は、例えば斜め蒸着法を用いることができる。
もしくは、全面に反射膜１８となる金属膜をスパッタリング法、蒸着法、有機金属気相成長法等の一般に用いられている金属成膜技術によって成膜し、通常のリソグラフィー技術とエッチングを行うことで、絶縁膜パターン１７の傾斜面の途中まで金属膜を残すようにパターニングを行って形成することができる。
先の斜め蒸着法を用いることができれば、フォトリソグラフィーを行うための高価な露光装置やリソグラフィー工程およびエッチング工程の長い製造工程が不要になるため、低コストで反射膜１８を形成することができる。
また、上記反射部１６は、前記図５によって説明したように、ストライプ状に形成される。
もしくは、上記反射部１６は、前記図６によって説明したように、格子状に形成される。
もしくは、上記反射部１６は、前記図６によって説明したように、格子状に形成される。
次に、図８（４）に示すように、上記反射部１６間の上記第１電極１３上に有機層１５を形成する。この有機層１５は、実際には電子輸送層、発光層、正孔輸送層の積層となっている。また上記有機層１５は、その膜厚を厚膜化することにより、高輝度化、長寿命化することができ、また色ムラも改善することができる。
次に、図８（５）に示すように、上記有機層１５を上記第１電極１３との間に挟み、かつ上記反射部１６の反射膜１８に接続する透明な第２電極１４を形成する。
上記第２電極１４は、例えば透明電極で形成される。この透明電極には、一例として、インジウムスズ酸化（ＩＴＯ）膜、インジウム亜鉛酸化膜、酸化亜鉛膜等を用いる。
また、上記第２電極１４を陰極として用いる場合には、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜を、上記有機層１５から発光される光が透過する厚さの膜厚に、上記透明電極と有機層１５との間に形成することが好ましい。
上記第２電極１４の成膜方法は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の一般に用いられている金属化合物の成膜技術を用いることができる。
上記第２電極１４は、例えば透明電極で形成される。この透明電極には、一例として、インジウムスズ酸化（ＩＴＯ）膜、インジウム亜鉛酸化膜、酸化亜鉛膜等を用いる。
また、上記第２電極１４を陰極として用いる場合には、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜を、上記有機層１５から発光される光が透過する厚さの膜厚に、上記透明電極と有機層１５との間に形成することが好ましい。
上記第２電極１４の成膜方法は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の一般に用いられている金属化合物の成膜技術を用いることができる。
次に、図８（６）に示すように、上記第２電極１４上に透明な封着膜１９を形成し、さらに透明な第２基板１２を形成する。上記第２基板１２には、例えばガラス基板を用いる。
このようにして、有機発光装置１を形成する。
このようにして、有機発光装置１を形成する。
上記有機発光装置１の製造方法では、有機層１５から放出された光のうち、第１電極１３と第２電極１４との間に沿う方向に放出された光の少なくとも一部が上記絶縁膜パターン１７の第２電極１３側に向いた傾斜面に形成された上記反射膜１８によって第２電極１４方向に放出されるため、光の取り出し効率を高めることができるので、輝度を向上させることができるという利点がある。
また、上記有機層１５が複数の発光画素のそれぞれに設けられていて、上記各有機層１５の一方側を挟む上記第２電極１４は、この複数の発光画素の共通電極として用いられ、上記反射膜１８に接続させて透明な第２電極１４を形成することにより、上記反射膜１８は上記第２電極１４の補助電極としての機能を果たす。このように第２電極１４に上記反射膜１８からなる補助電極が接続されることにより、透明電極を用いた第２電極１４による電圧降下を抑制し、均一な輝度を得ることができる。
上記説明では、上記第１電極１３を陽極とし、第２電極１４を陰極とした場合を説明したが、第１電極１３を陰極、第２電極１４を陽極としてもよい。
この場合、第１電極１３を、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜で形成することが好ましい。
また、第２電極１４を、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、酸化スズ、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等の透明電極材料が好ましい。
この場合、第１電極１３を、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜で形成することが好ましい。
また、第２電極１４を、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、酸化スズ、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等の透明電極材料が好ましい。
次に、本発明の有機発光装置の製造方法に係る一実施の形態（第２実施例）を、図９および図１０の製造工程断面図によって説明する。
図９（１）に示すように、第１基板１１上に第１電極１３を形成する。
上記第１基板１１には、例えばガラス基板を用いる。また、有機発光装置を駆動するＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の素子、配線等を搭載した基板（例えばガラス基板）上に絶縁層が形成されているものであってもよい。
上記第１電極１３には、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の光反射性の高い金属膜を用いる。また、上記第１電極１３を陽極として用いる場合、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、ニッケル、銀、金、白金、パラジウム、セレン、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、レニウム、タングステン、モリブデン、クロム、タンタル、ニオブやこれらの合金、酸化物、もしくは、酸化錫、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等が好ましい。
上記第１電極１３の成膜には、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の一般に有機発光装置の金属膜、金属化合物膜の成膜に用いられている成膜技術を用いることができる。
本有機発光装置がディスプレイ用途の場合、上記第１電極１３は例えば陽極となり、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて、画素形状に対応させたパターニングがなされる。
上記第１基板１１には、例えばガラス基板を用いる。また、有機発光装置を駆動するＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の素子、配線等を搭載した基板（例えばガラス基板）上に絶縁層が形成されているものであってもよい。
上記第１電極１３には、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の光反射性の高い金属膜を用いる。また、上記第１電極１３を陽極として用いる場合、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、ニッケル、銀、金、白金、パラジウム、セレン、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、レニウム、タングステン、モリブデン、クロム、タンタル、ニオブやこれらの合金、酸化物、もしくは、酸化錫、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等が好ましい。
上記第１電極１３の成膜には、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の一般に有機発光装置の金属膜、金属化合物膜の成膜に用いられている成膜技術を用いることができる。
本有機発光装置がディスプレイ用途の場合、上記第１電極１３は例えば陽極となり、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて、画素形状に対応させたパターニングがなされる。
次に、上記第１電極１３上に後に形成される第２電極側に向いた傾斜した反射面を有する反射部を形成する。この反射部の形成は、まず、図９（２）に示すように、上記第１電極１３上に絶縁膜２４を形成する。
上記絶縁膜２４は、例えば有機レジストやポリイミドなど形成される。その成膜方法は、例えば、スピンコートやスリットコートなどの塗布法を用い、その後、焼成（ベーキング）を行う。
さらに、上記絶縁膜２４上に反射部本体を形成するための導電膜２５を形成する。
上記導電膜２４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の光反射性の高い金属膜を用いる。上記導電膜２４は、例えばスパッタリング法、蒸着法、有機金属気相成長法等の一般に用いられている金属成膜技術によって成膜される。
上記絶縁膜２４の膜厚は、上記第１電極１３と上記導電膜２５との絶縁が保たれる膜厚とし、例えば少なくとも１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚さに形成される。また、上記導電膜２５には、後に形成される第２電極の補助配線の機能も持たせるため、厚く形成することが好ましい。しかし、厚膜化した場合に膜自体の応力によって上記絶縁膜２４から剥がれない程度の膜厚にする必要があり、また、後に形成される有機膜の膜厚にも依存する。これらのことを鑑み、上記絶縁膜２４と上記有機膜１６とを合わせた膜厚が数μｍ〜数十μｍとなるように、上記導電膜２５の膜厚を決定する。
上記絶縁膜２４は、例えば有機レジストやポリイミドなど形成される。その成膜方法は、例えば、スピンコートやスリットコートなどの塗布法を用い、その後、焼成（ベーキング）を行う。
さらに、上記絶縁膜２４上に反射部本体を形成するための導電膜２５を形成する。
上記導電膜２４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の光反射性の高い金属膜を用いる。上記導電膜２４は、例えばスパッタリング法、蒸着法、有機金属気相成長法等の一般に用いられている金属成膜技術によって成膜される。
上記絶縁膜２４の膜厚は、上記第１電極１３と上記導電膜２５との絶縁が保たれる膜厚とし、例えば少なくとも１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚さに形成される。また、上記導電膜２５には、後に形成される第２電極の補助配線の機能も持たせるため、厚く形成することが好ましい。しかし、厚膜化した場合に膜自体の応力によって上記絶縁膜２４から剥がれない程度の膜厚にする必要があり、また、後に形成される有機膜の膜厚にも依存する。これらのことを鑑み、上記絶縁膜２４と上記有機膜１６とを合わせた膜厚が数μｍ〜数十μｍとなるように、上記導電膜２５の膜厚を決定する。
次に、図９（３）に示すように、通常のレジスト塗布技術を用いて、上記導電膜２５上にレジスト膜を形成する。
次いで、リソグラフィー技術によって、上記レジスト膜をパターニングして、反射部を形成するためのレジストパターン３１を形成する。
その後、上記レジストパターン３１をエッチングマスクに用いたエッチング技術によって、上記導電膜２５をパターニングし、上記絶縁膜２４上に後に形成される第２電極側（図面上方側）に向いた傾斜面を側面に有する反射部本体２３を形成する。
例えば、上記導電膜２５がアルミニウム（Ａｌ）系の金属膜で形成されている場合には、上記エッチングはウエットエッチングによって行う。このエッチングのエッチング液には、例えば、リン酸、硝酸、酢酸などの混合液を用いる。その混合体積比率は、例えば、リン酸：５０％〜７０％、硝酸：２０％、酢酸：２０％、水：１０％〜３０％などで、処理条件としては、膜厚にも依存するが、例えば３０℃、２５０秒程度のディッピング方式やシャワー方式がとられる。このアルミニウム（Ａｌ）のテーパエッチングに関しては、［online］、２００７年７月２４日、三洋半導体株式会社、林純薬工業株式会社、［平成２０年１月２３日検索］インターネット＜URL：www.hpc-j.co.jp/news/img/eching.pdf＞等に開示されている。また、上記導電膜２５が銀（Ａｇ）系の金属膜で形成されている場合には、上記エッチング液には、例えば、硝酸、硫酸などのエッチング液を用いることで、上記アルミニウム系金属膜と同様に、所望の傾斜面を得ることができる。
上記ウエットエッチングによって、上記導電膜２５で傾斜面を側面に有する反射部本体２３が形成される。
上記反射部本体２３の側面に形成される傾斜面の傾斜角は、例えば上記第１電極１３表面に対して例えば３０度から６０度程度を有する。要するに、後に形成される有機層で発光される光を、後に形成される第２電極方向（図面上方向）に反射できる角度であればよい。
なお、傾斜角が小さすぎると、例えば３０度よりも小さすぎると、発光面積がすくなくなり、発光効率を低下させることになる。一方、傾斜角が大きすぎると、例えば６０度を超えると、反射部本体２３の側面で反射した反射光が後に形成される第２電極の有機層側の面で反射され、第２電極の外側へ取り出すことが困難になる。
次いで、リソグラフィー技術によって、上記レジスト膜をパターニングして、反射部を形成するためのレジストパターン３１を形成する。
その後、上記レジストパターン３１をエッチングマスクに用いたエッチング技術によって、上記導電膜２５をパターニングし、上記絶縁膜２４上に後に形成される第２電極側（図面上方側）に向いた傾斜面を側面に有する反射部本体２３を形成する。
例えば、上記導電膜２５がアルミニウム（Ａｌ）系の金属膜で形成されている場合には、上記エッチングはウエットエッチングによって行う。このエッチングのエッチング液には、例えば、リン酸、硝酸、酢酸などの混合液を用いる。その混合体積比率は、例えば、リン酸：５０％〜７０％、硝酸：２０％、酢酸：２０％、水：１０％〜３０％などで、処理条件としては、膜厚にも依存するが、例えば３０℃、２５０秒程度のディッピング方式やシャワー方式がとられる。このアルミニウム（Ａｌ）のテーパエッチングに関しては、［online］、２００７年７月２４日、三洋半導体株式会社、林純薬工業株式会社、［平成２０年１月２３日検索］インターネット＜URL：www.hpc-j.co.jp/news/img/eching.pdf＞等に開示されている。また、上記導電膜２５が銀（Ａｇ）系の金属膜で形成されている場合には、上記エッチング液には、例えば、硝酸、硫酸などのエッチング液を用いることで、上記アルミニウム系金属膜と同様に、所望の傾斜面を得ることができる。
上記ウエットエッチングによって、上記導電膜２５で傾斜面を側面に有する反射部本体２３が形成される。
上記反射部本体２３の側面に形成される傾斜面の傾斜角は、例えば上記第１電極１３表面に対して例えば３０度から６０度程度を有する。要するに、後に形成される有機層で発光される光を、後に形成される第２電極方向（図面上方向）に反射できる角度であればよい。
なお、傾斜角が小さすぎると、例えば３０度よりも小さすぎると、発光面積がすくなくなり、発光効率を低下させることになる。一方、傾斜角が大きすぎると、例えば６０度を超えると、反射部本体２３の側面で反射した反射光が後に形成される第２電極の有機層側の面で反射され、第２電極の外側へ取り出すことが困難になる。
次いで、図１０（４）に示すように、上記レジストパターン３１をエッチングマスクに用いたエッチング技術によって、上記絶縁膜２４をパターニングし、上記反射部本体２３の下部に上記絶縁膜２４で絶縁膜パターン２２を形成する。このエッチングは、指向性の強いドライエッチングを用いる。例えば反応性イオンエッチングを用いる。
なお、上記エッチングをウエットエッチングで行うと、横方向にもエッチングが進み、反射部本体２３の下面がオーバハング上に形成され、後に有機膜を形成したときに、オーバハング部分に空洞を生じる可能性がある。
その後、上記レジストパターン３１を除去する。
なお、絶縁膜２２のエッチングの前に上記レジストパターン３１を除去し、上記反射部本体２３をエッチングマスクにして絶縁膜２２をエッチングすることもできる。
このようにして、上記第１電極１３上に絶縁膜パターン２２と反射部本体２３とを有する反射部２１が形成される。
なお、上記エッチングをウエットエッチングで行うと、横方向にもエッチングが進み、反射部本体２３の下面がオーバハング上に形成され、後に有機膜を形成したときに、オーバハング部分に空洞を生じる可能性がある。
その後、上記レジストパターン３１を除去する。
なお、絶縁膜２２のエッチングの前に上記レジストパターン３１を除去し、上記反射部本体２３をエッチングマスクにして絶縁膜２２をエッチングすることもできる。
このようにして、上記第１電極１３上に絶縁膜パターン２２と反射部本体２３とを有する反射部２１が形成される。
また、上記反射部２１は、前記図５によって説明したように、ストライプ状に形成される。
もしくは、上記反射部２１は、前記図６によって説明したように、格子状に形成される。
もしくは、上記反射部２１は、前記図６によって説明したように、格子状に形成される。
次に、図１０（５）に示すように、上記反射部２１間の上記第１電極１３上に有機層１５を形成する。この有機層１５は、実際には電子輸送層、発光層、正孔輸送層の積層となっている。また上記有機層１５は、その膜厚を厚膜化することにより、高輝度化、長寿命化することができ、また色ムラも改善することができる。
次いで、上記有機層１５を上記第１電極１３との間に挟み、かつ上記反射部２１の反射部本体２３に接続する透明な第２電極１４を形成する。
上記第２電極１４は、例えば透明電極で形成される。この透明電極には、一例として、インジウムスズ酸化（ＩＴＯ）膜、インジウム亜鉛酸化膜、酸化亜鉛膜等を用いる。
また、上記第２電極１４を陰極として用いる場合には、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜を、上記有機層１５から発光される光が透過する厚さの膜厚に、上記透明電極と有機層１５との間に形成することが好ましい。
上記第２電極１４の成膜方法は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の一般に用いられている金属化合物の成膜技術を用いることができる。
次いで、上記有機層１５を上記第１電極１３との間に挟み、かつ上記反射部２１の反射部本体２３に接続する透明な第２電極１４を形成する。
上記第２電極１４は、例えば透明電極で形成される。この透明電極には、一例として、インジウムスズ酸化（ＩＴＯ）膜、インジウム亜鉛酸化膜、酸化亜鉛膜等を用いる。
また、上記第２電極１４を陰極として用いる場合には、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜を、上記有機層１５から発光される光が透過する厚さの膜厚に、上記透明電極と有機層１５との間に形成することが好ましい。
上記第２電極１４の成膜方法は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の一般に用いられている金属化合物の成膜技術を用いることができる。
次に、図１０（６）に示すように、上記第２電極１４上に透明な封着膜１９を形成し、さらに透明な第２基板１２を形成する。上記第２基板１２には、例えばガラス基板を用いる。
このようにして、有機発光装置２を形成する。
このようにして、有機発光装置２を形成する。
上記有機発光装置２の製造方法（第２実施例）では、有機層１５から放出された光のうち、第１電極１３と第２電極１４との間に沿う方向に放出された光の少なくとも一部が上記反射部本体２３の側面（傾斜面）よって第２電極１４方向に放出されるため、光の取り出し効率を高めることができるので、輝度を向上させることができるという利点がある。
また、上記有機層１５が複数の発光画素のそれぞれに設けられていて、上記各有機層１５の一方側を挟む上記第２電極１４は、この複数の発光画素の共通電極として用いられ、上記反射部本体２３に接続させて透明な第２電極１４を形成することにより、上記反射部本体２３は上記第２電極１４の補助電極としての機能を果たす。このように第２電極１４に上記反射部本体２３からなる補助電極が接続されることにより、透明電極を用いた第２電極１４による電圧降下を抑制し、均一な輝度を得ることができる。
また、上記反射部本体２３は、膜応力等により剥がれが発生しない程度に、容易に厚く形成することができるので、第１実施例で説明した反射膜と比較して、補助電極としてより低抵抗なものとなる。
また、上記反射部本体２３は、膜応力等により剥がれが発生しない程度に、容易に厚く形成することができるので、第１実施例で説明した反射膜と比較して、補助電極としてより低抵抗なものとなる。
上記説明では、上記第１電極１３を陽極とし、第２電極１４を陰極とした場合を説明したが、第１電極１３を陰極、第２電極１４を陽極としてもよい。
この場合、第１電極１３を、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜で形成することが好ましい。
また、第２電極１４を、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、酸化スズ、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等の透明電極材料が好ましい。
この場合、第１電極１３を、仕事関数がなるべく小さな陰極材料膜として、例えば、マグネシウム、カルシウム、インジウム、リチウム、アルミニウム、銀やこれらの合金の膜で形成することが好ましい。
また、第２電極１４を、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、酸化スズ、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化チタン等の透明電極材料が好ましい。
１…有機発光装置、１１…第１基板、１２…第２基板、１３…第１電極、１４…第２電極、１５…有機層、１６…反射部
Claims (14)
- 第１基板と、
前記第１基板に対向して形成された透明な第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間で前記第１基板側に形成された第１電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間で前記第２基板側に形成された透明な第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた有機層と
有する有機発光装置において、
前記第１電極上に形成されていて前記第２電極側に向いた傾斜した反射面を側面に有する反射部を有する
ことを特徴とする有機発光装置。 - 前記反射部は、
前記第１電極上に形成されていて前記第２電極側に向いた傾斜面を側面に有する絶縁膜パターンと、
前記第１電極と離間されて前記絶縁膜パターンの傾斜面に形成された反射膜
を有することを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。 - 前記反射膜は導電膜で形成されていて前記第２電極に接続されている
ことを特徴とする請求項２記載の有機発光装置。 - 前記反射部は、
前記第１電極上に形成された絶縁膜パターンと、
前記絶縁膜パターン上に形成されていて前記第２電極側に向いた傾斜面を側面に有する反射部本体と
を有することを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。 - 前記反射部本体は導電体で形成されていて前記第２電極に接続されている
ことを特徴とする請求項４記載の有機発光装置。 - 前記反射部はストライプ状に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。 - 前記反射部は格子状に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光装置。 - 第１基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に前記第２電極側に向いた傾斜した反射面を有する反射部を形成する工程と、
前記絶縁膜パターン間に有機層を形成する工程と、
前記有機層を前記第１電極との間に挟み、かつ前記反射部に接続する透明な第２電極と、
前記第２電極上に透明な第２基板を形成する工程と
を順に有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。 - 前記反射部を形成する工程は、
前記第１電極上に側面が前記第２電極側に向いた傾斜面を有する絶縁膜パターンを形成する工程と、
前記第１電極と離間して前記絶縁膜パターンの傾斜面に反射膜を形成する工程と
を有することを特徴とする請求項８記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記反射膜を導電膜で形成して該反射膜に前記第２電極を接続する
ことを特徴とする請求項９記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記反射部を形成する工程は、
前記第１電極上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記第２電極側に向いた傾斜面を側面に有する反射部本体を形成する工程と、
前記反射部本体の下部に前記絶縁膜で絶縁膜パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする請求項８記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記反射部本体を導電膜で形成して該反射部本体に前記第２電極を接続する
ことを特徴とする請求項１１記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記反射部をストライプ状に形成する
ことを特徴とする請求項８記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記反射部を格子状に形成する
ことを特徴とする請求項８記載の有機発光装置の製造方法。
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