JP2004119304A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 44
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 237
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- -1 tert-butyl-substituted dinaphthyl anthracene Chemical class 0.000 description 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N aluminum quinoline Chemical compound [Al+3].N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- JNBXWZGMEVQJTH-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenylaniline;3-methyl-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC=CC=2)=C1.C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JNBXWZGMEVQJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
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Abstract
【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子の位置合わせ精度が緩和されることにより歩留まりが向上されるとともに有効発光面積の低下が防止され、発光均一性が確保された有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘの発光層２２，２４，２６および電子輸送層２８は、列方向に沿ってストライプ状に形成される。Ｒ画素Ｒｐｉｘにおける赤色発光層２２および電子輸送層２８は、第１の蒸着室内で共通のマスク２を用いて連続的に形成され、Ｇ画素Ｇｐｉｘにおける緑色発光層２４および電子輸送層２８は、第２の蒸着室内で共通のマスク２を用いて連続的に形成され、Ｂ画素Ｂｐｉｘにおける青白発光層２６および電子輸送層２８は、第３の蒸着室内で共通のマスク２を用いて連続的に形成される。
【選択図】 図４
【解決手段】Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘの発光層２２，２４，２６および電子輸送層２８は、列方向に沿ってストライプ状に形成される。Ｒ画素Ｒｐｉｘにおける赤色発光層２２および電子輸送層２８は、第１の蒸着室内で共通のマスク２を用いて連続的に形成され、Ｇ画素Ｇｐｉｘにおける緑色発光層２４および電子輸送層２８は、第２の蒸着室内で共通のマスク２を用いて連続的に形成され、Ｂ画素Ｂｐｉｘにおける青白発光層２６および電子輸送層２８は、第３の蒸着室内で共通のマスク２を用いて連続的に形成される。
【選択図】 図４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と略記する）は、現在広く普及している液晶表示装置に代わる表示装置として期待されており、実用化開発が進んでいる。特に、各画素ごとに薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）をスイッチング素子として備えるアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置は、各画素ごとに表示データを保持できるため、大画面化および高精細化が可能であり、次世代平面表示装置の主役として考えられている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略記する）を含み、各有機ＥＬ素子が画素を構成する。各有機ＥＬ素子では、電子注入電極およびホール注入電極からそれぞれ電子およびホールが発光層に注入され、それらが発光層とホール輸送層との界面または界面付近の発光層内部で再結合する。それにより、有機分子が励起状態になり、この有機分子が励起状態から基底状態に戻るときに蛍光が発生される。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置されている。カラーの有機ＥＬ表示装置は、赤色に発光する有機ＥＬ素子からなる画素（以下、Ｒ画素と呼ぶ）、緑色に発光する有機ＥＬ素子からなる画素（以下、Ｇ画素と呼ぶ）および青色に発光する画素（以下、Ｂ画素と呼ぶ）により構成される。
【０００５】
複数のＲ画素、複数のＧ画素および複数のＢ画素が互いに直交する一方向および他方向に沿って配列される。ここで、一方向を行方向と呼び、他方向を列方向と呼ぶ。例えば、複数組のＲ画素、Ｇ画素およびＢ画素が周期的に行方向に沿って配列され、複数のＲ画素、複数のＧ画素および複数のＢ画素がそれぞれ列方向に沿って配列される。
【０００６】
各有機ＥＬ素子は、ホール注入電極（陽極）と電子注入電極（陰極）との間にホール輸送層、発光層および電子輸送層が順次形成された積層構造を有する。Ｒ画素、Ｇ画素およびＢ画素ごとに発光層の材料が異なる。
【０００７】
一般に、有機ＥＬ素子の形成には真空蒸着法が用いられる（例えば、特許文献１参照）。各画素ごとに有機ＥＬ素子を形成するためには、基板上のホール注入電極上に各画素に対応した開口部を有するマスクを設け、蒸着源から蒸発した有機材料をマスクの開口部を通してＲ画素、Ｇ画素およびＢ画素ごとに基板上に選択的に蒸着する。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−９３６６７号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、各画素に対応した開口部を有するマスクを用いて有機材料層を蒸着する際に、マスクの位置ずれが発生することがある。そのマスクの位置ずれにより、発光層等の有機材料層がずれて形成されてしまい、その結果、有効発光領域が狭くなり、製品の歩留まりの低下を招くことがある。
【００１０】
また、マスクの開口部の端部におけるシャドウイングにより有機材料層の厚さにむらが生じる。この場合、有機材料層の膜厚は、中央部ではほぼ均一であるものの、開口部の端部で中央部より小さくなる。それにより、均一な発光特性が得られず、有効発光面積の減少を招く。
【００１１】
本発明の目的は、有機エレクトロルミネッセンス素子の位置合わせ精度が緩和されることにより歩留まりが向上されるとともに有効発光面積の低下が防止され、発光均一性が確保された有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、異なる色の複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備え、各有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１の電極と第２の電極との間に発光層および第１のキャリア輸送層をこの順に含み、同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子における発光層および第１のキャリア輸送層がそれぞれ連続するように形成されたものである。
【００１３】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子における発光層および第１のキャリア輸送層がそれぞれ連続するように形成されているので、連続する方向において発光層および第１のキャリア輸送層の位置合わせ精度が緩和される。それにより、歩留まりが向上されるとともに、有効発光面積の低下が防止される。また、発光層および第１のキャリア輸送層をマスクを用いて形成する際に、少なくとも連続する方向においてマスクの開口部の端部でのシャドウイングにより発光層および第１のキャリア輸送層の厚さにむらが生じることがない。したがって、均一な発光特性が確保される。
【００１４】
複数の画素は、同じ色の画素が列方向に沿って並びかつ異なる色の画素が行方向に沿って周期的に並ぶようにマトリクス状に配列され、各列における複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層および第１のキャリア輸送層がそれぞれストライプ状に形成されてもよい。
【００１５】
この場合、列方向において発光層および第１のキャリア輸送層の位置合わせ精度が緩和される。それにより、歩留まりが向上されるとともに、有効発光面積の低下が防止される。また、発光層および第１のキャリア輸送層をマスクを用いて形成する際に、少なくとも列方向においてマスクの開口部の端部でのシャドウイングにより発光層および第１のキャリア輸送層の厚さにむらが生じることがない。したがって、均一な発光特性が確保される。
【００１６】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、第１の電極と発光層との間に第２のキャリア輸送層をさらに備え、各画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１の電極はそれぞれ独立に形成され、複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第２のキャリア輸送層は共通に形成されてもよい。
【００１７】
この場合、各第１の電極上に位置する発光層の領域が発光領域となる。複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第２のキャリア輸送層が共通に形成されるので、第２のキャリア輸送層に位置合わせ精度が要求されない。したがって、均一な発光特性が確保されるとともに歩留まりが向上する。
【００１８】
行方向に隣接する画素間を分離する領域が設けられ、行方向に隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層間の境界および第１のキャリア輸送層間の境界が前記領域上に位置してもよい。ここで、画素間を分離する領域とは、隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域間の非発光領域を意味し、隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１の電極間の領域に相当する。
【００１９】
この場合、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層および第１のキャリア輸送層が行方向に多少位置ずれしても有効発光面積が減少しない。したがって、十分な有効発光面積が確保されるとともに、均一な発光特性が確保される。
【００２０】
少なくとも２色の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層および第１のキャリア輸送層が共通の有機材料を含んでもよい。
【００２１】
この場合、少なくとも２色の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層および第１のキャリア輸送層の形成の際に、各色の画素ごとに同一の形成室内で有機材料源を切り換えることなく、発光層および第１のキャリア輸送層を連続的に形成することができる。したがって、製造時間の短縮および製造コストの低減が可能となる。
【００２２】
少なくとも２色の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１のキャリア輸送層が互いに異なる厚さを有してもよい。この場合、各色の画素ごとに最適な発光効率を得ることができる。
【００２３】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、異なる色の複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、各有機エレクトロルミネッセンス素子の第１の電極を形成する工程と、同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層を連続するように形成する工程と、同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程と、各有機エレクトロルミネッセンス素子の第２の電極を形成する工程とをこの順に備えたものである。
【００２４】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法によれば、同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子における発光層および第１のキャリア輸送層がそれぞれ連続するように形成されるので、連続する方向において発光層および第１のキャリア輸送層の位置合わせ精度が緩和される。それにより、歩留まりが向上されるとともに、有効発光面積の低下が防止される。また、発光層および第１のキャリア輸送層をマスクを用いて形成する際に、少なくとも連続する方向においてマスクの開口部の端部でのシャドウイングにより発光層および第１のキャリア輸送層の厚さにむらが生じることがない。したがって、均一な発光特性が確保される。
【００２５】
複数の画素は、同じ色の画素が列方向に沿って並びかつ異なる色の画素が行方向に沿って周期的に並ぶようにマトリクス状に配列され、発光層を連続するように形成する工程は、各列における複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層をそれぞれストライプ状に形成する工程を含み、第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、各列における複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第１のキャリア輸送層をそれぞれストライプ状に形成する工程を含んでもよい。
【００２６】
この場合、発光層および第１のキャリア輸送層がストライプ状に形成されるので、列方向において発光層および第１のキャリア輸送層の位置合わせ精度が緩和される。それにより、歩留まりが向上されるとともに、有効発光面積の低下が防止される。また、発光層および第１のキャリア輸送層が形成されるので、少なくとも列方向においてマスクの開口部の端部でのシャドウイングにより発光層および第１のキャリア輸送層の厚さにむらが生じることがない。したがって、均一な発光特性が確保される。さらに、同じ色の画素ごとに発光層および第１のキャリア輸送層を共通のマスクを用いて連続的に形成することができるので、製造時間の短縮および製造コストの低減が可能となる。
【００２７】
第１の電極を形成する工程は、各画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１の電極をそれぞれ独立に形成する工程を含み、複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第２のキャリア輸送層を複数の第１の電極上に共通に形成する工程をさらに備えてもよい。
【００２８】
この場合、各第１の電極上に位置する発光層の領域が発光領域となる。複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第２のキャリア輸送層が共通に形成されるので、第２のキャリア輸送層に位置合わせ精度が要求されない。したがって、均一な発光特性が確保されるとともに歩留まりが向上する。
【００２９】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は行方向に隣接する画素間を分離する領域を備え、発光層を連続するように形成する工程は、行方向に隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層間の境界が領域上に位置するように発光層を形成する工程を含み、第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、行方向に隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１のキャリア輸送層間の境界が領域上に位置するように第１のキャリア輸送層を形成する工程を含んでもよい。
【００３０】
この場合、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層および第１のキャリア輸送層が行方向に多少位置ずれしても有効発光面積が減少しない。したがって、十分な有効発光面積が確保されるとともに、均一な発光特性が確保される。発光層を連続するように形成する工程および第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、各色の画素ごとに同一の形成室内で発光層および第１のキャリア輸送層を連続的に形成する工程を含んでもよい。これにより、製造時間の短縮および製造コストの低減が可能となる。
【００３１】
第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、少なくとも２色の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１のキャリア輸送層を互いに異なる厚さに形成する工程を含んでもよい。この場合、各色の画素ごとに最適な発光効率を得ることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と呼ぶ）について説明する。
【００３３】
図１は本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の配置を示す模式的平面図である。有機ＥＬ表示装置は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と呼ぶ）により構成される。
【００３４】
図１の有機ＥＬ表示装置においては、赤色に発光する画素（以下、Ｒ画素と呼ぶ）Ｒｐｉｘ、緑色に発光する画素（以下、Ｇ画素と呼ぶ）Ｇｐｉｘおよび青色に発光する画素（以下、Ｂ画素と呼ぶ）Ｂｐｉｘがマトリクス状に配置されている。
【００３５】
Ｒ画素Ｒｐｉｘは赤色に発光する有機ＥＬ素子からなり、Ｇ画素Ｇｐｉｘは緑色に発光する有機ＥＬ素子からなら、Ｂ画素Ｂｐｉｘは青色に発光する有機ＥＬ素子からなる。
【００３６】
ここで、互いに直交する一方向および他方向をそれぞれ行方向および列方向と呼ぶ。複数組のＲ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘが周期的に行方向に沿って配列され、複数のＲ画素Ｒｐｉｘ、複数のＧ画素Ｇｐｉｘおよび複数のＢ画素Ｂｐｉｘがそれぞれ列方向に沿って配列される。すなわち、列方向には、同一色の画素が配列されている。
【００３７】
行方向において、Ｒ画素ＲｐｉｘのピッチはＰＩであり、同様にＧ画素ＧｐｉｘのピッチもＰＩであり、Ｂ画素ＢｐｉｘのピッチもＰＩである。
【００３８】
なお、以下の説明において、行方向における画素の寸法を画素の幅といい、列方向における画素の寸法を画素の長さと呼ぶ。後述するように、Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘは、行方向において異なる幅を有する。
【００３９】
次に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子の発光層および電子輸送層の形成時に用いられるマスクについて説明する。上記のように、Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘは行方向において異なる幅を有するので、Ｒ画素Ｒｐｉｘ用のマスク、Ｇ画素ＧｐｉｘのマスクおよびＢ画素Ｂｐｉｘ用のマスクがそれぞれ用意される。
【００４０】
従来の有機ＥＬ表示装置の製造時には、各画素に対応した離散的な開口部を有するマスクが用いられる。これに対して、マスクは、列方向に隣接する複数の画素間で共通する複数の開口部を有している。開口部のピッチは、行方向における同色の画素間のピッチＰＩに等しい。
【００４１】
例えば、列方向に隣接する複数のＲ画素Ｒｐｉｘで開口部が共通化されている。同様に、列方向に隣接する複数のＧ画素Ｇｐｉｘで開口部が共通化され、列方向に隣接する複数のＢ画素Ｂｐｉｘで開口部が共通化されている。
【００４２】
開口部の幅は１つの画素幅に対応する。Ｒ画素Ｒｐｉｘ用のマスクでは、開口部の幅は１つのＲ画素Ｒｐｉｘの幅に対応する。Ｇ画素Ｇｐｉｘ用のマスクでは、開口部の幅は１つのＧ画素Ｇｐｉｘの幅に対応する。Ｂ画素Ｂｐｉｘ用のマスクでは、開口部の幅は１つのＢ画素Ｂｐｉｘの幅に対応する。
【００４３】
また、開口部の長さは共通化する画素数に応じて決定される。すなわち、隣接する２つの画素の発光層および電子輸送層を共通化する場合には、開口部の長さを画素の長さ×２に設定する。隣接するｎ個（ｎは２以上の任意の整数）の画素の発光層および電子輸送層を共通化する場合には、開口部の長さを画素の長さ×ｎに設定する。本実施の形態では、列方向の全画素数をｋとした場合には、列方向に配列されたすべての画素の発光層および電子輸送層を共通化するように開口部の長さを画素の長さ×ｋに設定している。
【００４４】
Ｒ画素Ｒｐｉｘ用、Ｇ画素Ｇｐｉｘ用およびＢ画素Ｂｐｉｘ用のマスクの厚さは、例えば５０μｍである。
【００４５】
このようなマスクを用いて有機材料を蒸着することにより、Ｒ画素Ｒｐｉｘの発光層および電子輸送層、Ｇ画素Ｇｐｉｘの発光層および電子輸送層、Ｂ画素Ｂｐｉｘの発光層および電子輸送層をそれぞれ列方向に延びるストライプ状に形成することができる。
【００４６】
図２は本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の１組のＲ画素、Ｇ画素およびＢ画素をそれぞれ構成する有機ＥＬ素子の平面図である。図３は図２の有機ＥＬ表示装置のＡ−Ａ線断面図である。
【００４７】
図２において、左から順に赤色発光層を備えるＲ画素Ｒｐｉｘ、緑色発光層を備えるＧ画素Ｇｐｉｘおよび青色発光層を備えるＢ画素Ｂｐｉｘが設けられている。
【００４８】
各画素の構成は平面図では同一である。一画素は行方向に延びる２つのゲート信号線５１と列方向に延びる２つのドレイン信号線（データ線）５２とに囲まれた領域に形成される。各画素の領域内において、ゲート信号線５１とドレイン信号線５２との交点付近にはスイッチング素子であるｎチャネル型の第１のＴＦＴ１３０が形成され、中央付近には有機ＥＬ素子を駆動するｐチャネル型の第２のＴＦＴ１４０が形成される。また、各画素の領域内に補助電極７０、およびインジウム酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）からなるホール注入電極１２が形成される。ホール注入電極１２の領域に有機ＥＬ素子が島状に形成される。
【００４９】
第１のＴＦＴ１３０のドレインはドレイン電極１３ｄ介してドレイン信号線５２に接続され、第１のＴＦＴ１３０のソースはソ−ス電極１３ｓを介して電極５５に接続される。第１のＴＦＴ１３０のゲート電極１１は、ゲート信号線５１から延びる。
【００５０】
補助容量７０は、電源電圧Ｖｓｃを受けるＳＣ線５４と、能動層１１（図４参照）と一体の電極５５とから構成される。
【００５１】
第２のＴＦＴ１４０のドレインはドレイン電極４３ｄ介して有機ＥＬ素子のホール注入電極１２に接続され、第２のＴＦＴ１４０のソースはソ−ス電極４３ｓを介して列方向に延びる電源線５３に接続される。第２のＴＦＴ１４０のゲート電極４１は電極５５に接続される。
【００５２】
Ｒ画素Ｒｐｉｘの幅ＬＲ、Ｇ画素Ｇｐｉｘの幅ＬＧおよびＢ画素Ｂｐｉｘの幅ＬＢは、各有機ＥＬ素子の発光効率を考慮してＲ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘの光量が等しくなるようにそれぞれ設定される。本実施の形態では、Ｒ画素Ｒｐｉｘの幅ＬＲは７５．５μｍであり、Ｇ画素Ｇｐｉｘの幅ＬＧは５６．５μｍであり、およびＢ画素Ｂｐｉｘの幅ＬＢは６６μｍである。
【００５３】
図３に示されるように、ガラス基板１０上に多結晶シリコン等からなる能動層１１が形成され、その能動層１１の一部が有機ＥＬ素子を駆動するための第２のＴＦＴ１４０となる。能動層１１上にゲート酸化膜（図示せず）を介してダブルゲート構造のゲート電極４１が形成され、ゲート電極４１を覆うように能動層１１上に層間絶縁膜１３および第１の平坦化層１５が形成される。第１の平坦化層１５の材料としては、例えばアクリル樹脂を用いることができる。第１の平坦化層１５上に透明なホール注入電極１２が各画素ごとに形成され、ホール注入電極１２を覆うように第１の平坦化層１５上に絶縁性の第２の平坦化層１８が形成される。
【００５４】
第２のＴＦＴ１４０は第２の平坦化層１８の下に形成されている。ここで、第２の平坦化層１８はホール注入電極１２の全面に形成されるのではなく、第２のＴＦＴ１４０が形成される領域を覆うようにかつ第２の平坦化層１８の形状でホール注入電極１２または後述の各有機材料層が断線しないように局所的に形成される。
【００５５】
ホール注入電極１２および第２の平坦化層１８を覆うようにホール輸送層１６が全体の領域上に形成される。
【００５６】
Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘのホール輸送層１６上には、それぞれ列方向に延びるストライプ状の赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６が形成される。
【００５７】
ストライプ状の赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６の間の境界は第２の平坦化層１８上の表面でガラス基板１０と平行となっている領域に設けられる。
【００５８】
Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘの赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６上には、列方向に延びるストライプ状の電子輸送層２８がそれぞれ形成される。
【００５９】
Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘの発光層２２，２４，２６および電子輸送層２８は、複数の蒸着室を備えたマルチチャンバー型有機ＥＬ製造装置において色ごとに連続的に形成される。すなわち、Ｒ画素Ｒｐｉｘにおける赤色発光層２２および電子輸送層２８は、第１の蒸着室内で共通のマスクを用いて連続的に形成される。また、Ｇ画素Ｇｐｉｘにおける緑色発光層２４および電子輸送層２８は、第２の蒸着室内で共通のマスクを用いて連続的に形成される。さらに、Ｂ画素Ｂｐｉｘにおける青白発光層２６および電子輸送層２８は、第３の蒸着室内で共通のマスクを用いて連続的に形成される。したがって、電子輸送層２８間の境界は、赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６の間の境界上に重なるように設けられる。
【００６０】
このように、各色ごとに発光層２２，２４，２６および電子輸送層２８を異なる蒸着室内でそれぞれ形成することにより、３種類の発光層２２，２４，２６および電子輸送層２８を同一の蒸着室で形成する場合に発生するドーパントのクロスコンタミネーションが回避される。
【００６１】
さらに、各電子輸送層２８上には共通にフッ化リチウム層３０および電子注入電極３２が順次形成される。
【００６２】
このような有機ＥＬ表示装置において、ゲート信号線５１に選択信号が出力されると第１のＴＦＴ１３０がオンし、そのときにドレイン信号線５２に与えられる電圧値（データ信号）に応じて補助容量７０が充電される。第２のＴＦＴ１４０のゲート電極４１は補助容量７０に充電された電荷に応じた電圧を受ける。それにより、電源線５３から有機ＥＬ素子に供給される電流が制御され、有機ＥＬ素子は供給された電流に応じた輝度で発光する。
【００６３】
ホール注入電極１２の材料としては、例えば、ＩＴＯ、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）等を用いることができる。
【００６４】
ホール輸送層１６の材料としては、例えば、下記式（１）で示される分子構造を有するＮ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：以下、ＮＰＢと称する）が用いられる。
【００６５】
【化１】
【００６６】
また、ホール輸送層１６の材料として、下記式（２）で示される分子構造を有する４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＭＴＤＡＴＡ）を用いてもよい。
【００６７】
【化２】
【００６８】
さらに、ホール輸送層１６の材料として、下記式（３）で示されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：ＴＰＤ）を用いてもよい。
【００６９】
赤色発光層２２および緑色発光層２４のホスト材料としては、例えば、下記式（４）で示される分子構造を有するアルミキノリン錯体（Ａｌｑ３）、下記式（５）で示される分子構造を有するビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ２）等の１つの金属イオンに複数の配位子が配位されたキレート金属錯体を用いることができる。
【００７０】
【化３】
【００７１】
【化４】
【００７２】
【化５】
【００７３】
一般に、キレート金属錯体を発光層のホスト材料として用いて形成される有機ＥＬ素子は、短い波長の色、つまり青色の発光に課題がある。そのため、青色発光層２６のホスト材料としては、下記式（６）で示される分子構造を有するｔｅｒｔ−ブチル置換ジナフチルアントラセン（以下、ＴＢＡＤＮと称する）等のようなアセトンおよびその誘導体、ジスチルベンゼンおよびその誘導体等の縮合多環芳香族が用いられる。
【００７４】
【化６】
【００７５】
また、上述のキレート金属錯体または縮合多環芳香族をホスト材料として下記式（７）で示される分子構造を有するルブレン（Ｒｕｂｒｅｎｅ）、下記式（８）で示される分子構造を有する２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−ｌＩＩ，５ＩＩ−ベンゾ〔ｉｊ〕キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（２−（１，１−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｙｌ）−６−（２−（２，３，６，７−ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−１，１，７，７−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−ｌＩＩ，５ＩＩ−ｂｅｎｚｏ〔ｉｊ〕ｑｕｉｎｏｌｉｚｉｎ−９−ｙｌ）ｅｔｈｅｎｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ−４−ｙｌｉｄｅｎｅ）ｐｒｏｐａｎｅｄｉｎｉｔｒｉｌｅ：以下、ＤＣＪＴＢと称する）、下記式（９）で示される分子構造を有するキナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体、上記のＴＢＡＤＮ等のドーパントをドープすることにより所望の発光特性が得られる。
【００７６】
【化７】
【００７７】
【化８】
【００７８】
【化９】
【００７９】
電子輸送層２８の材料としては、例えば、Ａｌｑ３、ＢｅＢｑ２等のキレート金属錯体が用いられる。
【００８０】
電子注入電極３２の材料としては、例えば、アルミニウム、リチウムを微量に含むアルミニウム合金、マグネシウムインジウム合金、マグネシウム銀合金等が用いられる。また、電子輸送層２８上にフッ化リチウム層３０および電子注入電極３２からなる２層構造の電極が形成されてもよい。
【００８１】
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置においては、各色の画素のホール輸送層１６上にそれぞれ列方向に延びるストライプ状の赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６が形成され、赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６上に列方向に延びるストライプ状の電子輸送層２８がそれぞれ形成される。したがって、少なくとも列方向において各発光層２２，２４，２６および各電子輸送層２８の位置合わせ精度が緩和される。また、各色ごとに、同一のマスクを用いて各発光層２２，２４，２６および各電子輸送層２８を同一の蒸着室内で連続形成することができる。
【００８２】
さらに、ストライプ状の各色の発光層２２，２４，２６の間の境界およびストライプ状の電子輸送層２８の間の境界が表示に影響のない領域に設けられるので、各色の発光層２２，２４，２６および各電子輸送層２８の位置が行方向に多少ずれても実際の発光領域が狭くならない。
【００８３】
図４は本実施の形態の有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子の断面構造および従来の構造を有する有機ＥＬ素子の断面構造を比較して示す模式図である。図４には、代表例として赤色発光層２２を備える有機ＥＬ素子が示されており、説明を簡便にするために図３に示した構造の一部を省略している。
【００８４】
図４（ａ）は本実施の形態に係る有機ＥＬ素子において赤色発光層２２の境界が第２の平坦化層１８上に形成された構造を示している。図４（ｂ）は赤色発光層２２が発光領域とほぼ等しい領域に形成された従来の構造を示している。図４（ｃ）は、従来の構造において有機ＥＬ素子を形成する際にマスクの位置ずれにより赤色発光層２２の位置ずれが生じた例を示している。
【００８５】
図４（ａ）に示すように、本実施の形態においては、実際の発光領域より広範囲に赤色発光層２２および電子輸送層２８が形成されている。通常、ホール注入電極１２が設けられていない第２の平坦化層１８上の領域では有機ＥＬ素子はほとんど発光しない。そのため、赤色発光層２２および電子輸送層２８の位置が行方向に多少ずれても実際の発光領域が狭くなることはない。したがって、発光層２２，２４，２６および電子輸送層２８の位置ずれによる製品の歩留まりの低下が生じない。
【００８６】
これに対して、従来の構造では、図４（ｂ）に示すように、実際の発光領域内に赤色発光層２２および電子輸送層２８が形成されているため、図４（ｃ）に示すように、赤色発光層２２の位置が行方向に少しずれただけでも発光領域が狭くなる。このずれは、マスクの位置ずれに起因しているため、有機ＥＬ表示装置の全体にわたり赤色の輝度が小さくなり、有機ＥＬ表示装置により表示される映像のホワイトバランスが崩れることになる。したがって、この有機ＥＬ表示装置は製品として不良となり、製品の歩留まりが低下する。
【００８７】
次に、Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘにおける電子輸送層２８の最適な膜厚について説明する。
【００８８】
有機ＥＬ素子では、発光層を含む有機材料層、下地層（ＳｉＯ２およびＳｉＮ）およびガラス基板の全光路長が次式を満たす場合に発光層から発生された光が増強される。
【００８９】
４π／λ（ｎ１ｄ１＋ｎ２ｄ２＋ｎ３ｄ３＋…＋ｎｋｄｋ）＝２ｍπ …（Ａ１）
または
４π／λ（ｎ１ｄ１＋ｎ２ｄ２＋ｎ３ｄ３＋…＋ｎｋｄｋ）＝（２ｍ−１）π …（Ａ２）
【００９０】
ｍは整数、ｎ１〜ｎｋは各層の屈折率、ｄ１〜ｄｋは各層の膜厚である。また、λはエレクトロルミネッセンスの極大波長であり、各色の発光において次の範囲とする。
【００９１】
赤色発光の有機ＥＬ素子：λ＝６００〜６４０［ｎｍ］
緑色発光の有機ＥＬ素子：λ＝５１０〜５５０［ｎｍ］
青色発光の有機ＥＬ素子：λ＝４３０〜４８０［ｎｍ］
【００９２】
ここで、上記式（Ａ１）または（Ａ２）に基づいて次に示す有機ＥＬ表示装置のＲ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘにおける電子輸送層２８の最適な膜厚を求める。
【００９３】
本例では、ホール注入電極１２はＩＴＯからなり、ホール輸送層１６は膜厚１９００ÅのＮＰＢからなる。また、ホール注入電極１２とホール輸送層１６との間に膜厚１００ÅのＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）からなるホール注入層およびプラズマＣＶＤ法（プラズマ化学的気相成長法）により形成される膜厚約１０ÅのＣＦＸ（フッ化炭素）薄膜が設けられる。
【００９４】
Ｒ画素Ｒｐｉｘにおいて、赤色発光層２２は、下記式（１０）で示される分子構造を有するトリス（８−ヒドリキシキノリナト）アルミニウム（Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ：以下、Ａｌｑと称する）をホスト材料としてを含み、ＤＣＪＴＢが１．７％およびルブレンが２０％ドープされている。赤色発光層２２の膜厚は３５０Åである。
【００９５】
【化１０】
【００９６】
Ｇ画素Ｇｐｉｘにおいて、緑色発光層２４は、Ａｌｑをホスト材料として含み、下記式（１１）で表される３，４−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ’−ジメチル−キナクリドン（３，４−Ｄｉｆｕｌｕｏｒｏ−Ｎ，Ｎ’−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ：以下、ＣＦＤＭＱＡと称する）が０．７％およびＴＢＡＤＮが２０％ドープされている。緑色発光層２４の膜厚は３５０Åである。
【００９７】
【化１１】
【００９８】
Ｂ画素Ｂｐｉｘにおいて、青色発光層２６は、ＴＢＡＤＮをホスト材料として含み、ｔｅｒｔ−ブチル置換ペリレン（以下、ＴＢＰと称する）が１．５％のドープされている。青色発光層２６の膜厚は４００Åである。
【００９９】
また、電子輸送層２８は、上記のＡｌｑからなる。さらに、フッ化リチウム層３０の膜厚は１０Åである。電子注入電極３２はＡｌからなり、膜厚は４０００Åである。
【０１００】
上記式（Ａ１）または（Ａ２）から、Ｒ画素Ｒｐｉｘにおける電子輸送層２８の最適な膜厚は２５０Å、Ｇ画素Ｇｐｉｘにおける電子輸送層２８の最適な膜厚は３５０Å、Ｂ画素Ｂｐｉｘにおける電子輸送層２８の最適な膜厚は１００Åとなる。
【０１０１】
このように、Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘごとに電子輸送層２８の膜厚を最適に設定することにより、各色ごとに最適な発光効率を得ることが可能となる。
【０１０２】
また、本例では、Ｒ画素ＲｐｉｘおよびＧ画素Ｇｐｉｘにおいて、発光層２２，２４および電子輸送層２８に共通のホスト材料Ａｌｑが用いられるので、第１の蒸着室および第２の蒸着室において蒸着源の切り替えが不要となる。
【０１０３】
本実施の形態では、ホール注入電極１２が第１の電極に相当し、電子注入電極３２が第２の電極に相当し、電子輸送層２８が第１のキャリア輸送層に相当し、ホール輸送層１６が第２のキャリア輸送層に相当する。
【０１０４】
なお、本発明に係る有機ＥＬ素子の構造は、上記の構造に限定されず、種々の構造を用いることができる。例えば、電子輸送層２８と電子注入電極３２との間に電子注入層を設けてもよい。
【０１０５】
また、発光層２２，２４，２６の材料としては、種々の公知の高分子材料を用いることができる。その場合には、ホール輸送層１６は設けられなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の配置を示す模式的平面図である。
【図２】本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の１組のＲ画素、Ｇ画素およびＢ画素をそれぞれ構成する有機ＥＬ素子の平面図である。
【図３】図２の有機ＥＬ素子のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】本実施の形態の有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子の断面構造および従来の構造を有する有機ＥＬ素子の断面構造を比較して示す模式図である。
【符号の説明】
１０ ガラス基板
１２ ホール注入電極
１５ 第１の平坦化層
１６ ホール輸送層
１８ 第２の平坦化層
２２ 赤色発光層
２４ 緑色発光層
２６ 青色発光層
２８ 電子輸送層
３２ 電子注入電極
１３０ 第１のＴＦＴ
１４０ 第２のＴＦＴ
Ｒｐｉｘ Ｒ画素
Ｒｐｉｘ Ｇ画素
Ｒｐｉｘ Ｂ画素
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と略記する）は、現在広く普及している液晶表示装置に代わる表示装置として期待されており、実用化開発が進んでいる。特に、各画素ごとに薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）をスイッチング素子として備えるアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置は、各画素ごとに表示データを保持できるため、大画面化および高精細化が可能であり、次世代平面表示装置の主役として考えられている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略記する）を含み、各有機ＥＬ素子が画素を構成する。各有機ＥＬ素子では、電子注入電極およびホール注入電極からそれぞれ電子およびホールが発光層に注入され、それらが発光層とホール輸送層との界面または界面付近の発光層内部で再結合する。それにより、有機分子が励起状態になり、この有機分子が励起状態から基底状態に戻るときに蛍光が発生される。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置されている。カラーの有機ＥＬ表示装置は、赤色に発光する有機ＥＬ素子からなる画素（以下、Ｒ画素と呼ぶ）、緑色に発光する有機ＥＬ素子からなる画素（以下、Ｇ画素と呼ぶ）および青色に発光する画素（以下、Ｂ画素と呼ぶ）により構成される。
【０００５】
複数のＲ画素、複数のＧ画素および複数のＢ画素が互いに直交する一方向および他方向に沿って配列される。ここで、一方向を行方向と呼び、他方向を列方向と呼ぶ。例えば、複数組のＲ画素、Ｇ画素およびＢ画素が周期的に行方向に沿って配列され、複数のＲ画素、複数のＧ画素および複数のＢ画素がそれぞれ列方向に沿って配列される。
【０００６】
各有機ＥＬ素子は、ホール注入電極（陽極）と電子注入電極（陰極）との間にホール輸送層、発光層および電子輸送層が順次形成された積層構造を有する。Ｒ画素、Ｇ画素およびＢ画素ごとに発光層の材料が異なる。
【０００７】
一般に、有機ＥＬ素子の形成には真空蒸着法が用いられる（例えば、特許文献１参照）。各画素ごとに有機ＥＬ素子を形成するためには、基板上のホール注入電極上に各画素に対応した開口部を有するマスクを設け、蒸着源から蒸発した有機材料をマスクの開口部を通してＲ画素、Ｇ画素およびＢ画素ごとに基板上に選択的に蒸着する。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−９３６６７号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、各画素に対応した開口部を有するマスクを用いて有機材料層を蒸着する際に、マスクの位置ずれが発生することがある。そのマスクの位置ずれにより、発光層等の有機材料層がずれて形成されてしまい、その結果、有効発光領域が狭くなり、製品の歩留まりの低下を招くことがある。
【００１０】
また、マスクの開口部の端部におけるシャドウイングにより有機材料層の厚さにむらが生じる。この場合、有機材料層の膜厚は、中央部ではほぼ均一であるものの、開口部の端部で中央部より小さくなる。それにより、均一な発光特性が得られず、有効発光面積の減少を招く。
【００１１】
本発明の目的は、有機エレクトロルミネッセンス素子の位置合わせ精度が緩和されることにより歩留まりが向上されるとともに有効発光面積の低下が防止され、発光均一性が確保された有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、異なる色の複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備え、各有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１の電極と第２の電極との間に発光層および第１のキャリア輸送層をこの順に含み、同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子における発光層および第１のキャリア輸送層がそれぞれ連続するように形成されたものである。
【００１３】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子における発光層および第１のキャリア輸送層がそれぞれ連続するように形成されているので、連続する方向において発光層および第１のキャリア輸送層の位置合わせ精度が緩和される。それにより、歩留まりが向上されるとともに、有効発光面積の低下が防止される。また、発光層および第１のキャリア輸送層をマスクを用いて形成する際に、少なくとも連続する方向においてマスクの開口部の端部でのシャドウイングにより発光層および第１のキャリア輸送層の厚さにむらが生じることがない。したがって、均一な発光特性が確保される。
【００１４】
複数の画素は、同じ色の画素が列方向に沿って並びかつ異なる色の画素が行方向に沿って周期的に並ぶようにマトリクス状に配列され、各列における複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層および第１のキャリア輸送層がそれぞれストライプ状に形成されてもよい。
【００１５】
この場合、列方向において発光層および第１のキャリア輸送層の位置合わせ精度が緩和される。それにより、歩留まりが向上されるとともに、有効発光面積の低下が防止される。また、発光層および第１のキャリア輸送層をマスクを用いて形成する際に、少なくとも列方向においてマスクの開口部の端部でのシャドウイングにより発光層および第１のキャリア輸送層の厚さにむらが生じることがない。したがって、均一な発光特性が確保される。
【００１６】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、第１の電極と発光層との間に第２のキャリア輸送層をさらに備え、各画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１の電極はそれぞれ独立に形成され、複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第２のキャリア輸送層は共通に形成されてもよい。
【００１７】
この場合、各第１の電極上に位置する発光層の領域が発光領域となる。複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第２のキャリア輸送層が共通に形成されるので、第２のキャリア輸送層に位置合わせ精度が要求されない。したがって、均一な発光特性が確保されるとともに歩留まりが向上する。
【００１８】
行方向に隣接する画素間を分離する領域が設けられ、行方向に隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層間の境界および第１のキャリア輸送層間の境界が前記領域上に位置してもよい。ここで、画素間を分離する領域とは、隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域間の非発光領域を意味し、隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１の電極間の領域に相当する。
【００１９】
この場合、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層および第１のキャリア輸送層が行方向に多少位置ずれしても有効発光面積が減少しない。したがって、十分な有効発光面積が確保されるとともに、均一な発光特性が確保される。
【００２０】
少なくとも２色の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層および第１のキャリア輸送層が共通の有機材料を含んでもよい。
【００２１】
この場合、少なくとも２色の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層および第１のキャリア輸送層の形成の際に、各色の画素ごとに同一の形成室内で有機材料源を切り換えることなく、発光層および第１のキャリア輸送層を連続的に形成することができる。したがって、製造時間の短縮および製造コストの低減が可能となる。
【００２２】
少なくとも２色の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１のキャリア輸送層が互いに異なる厚さを有してもよい。この場合、各色の画素ごとに最適な発光効率を得ることができる。
【００２３】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、異なる色の複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、各有機エレクトロルミネッセンス素子の第１の電極を形成する工程と、同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層を連続するように形成する工程と、同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程と、各有機エレクトロルミネッセンス素子の第２の電極を形成する工程とをこの順に備えたものである。
【００２４】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法によれば、同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子における発光層および第１のキャリア輸送層がそれぞれ連続するように形成されるので、連続する方向において発光層および第１のキャリア輸送層の位置合わせ精度が緩和される。それにより、歩留まりが向上されるとともに、有効発光面積の低下が防止される。また、発光層および第１のキャリア輸送層をマスクを用いて形成する際に、少なくとも連続する方向においてマスクの開口部の端部でのシャドウイングにより発光層および第１のキャリア輸送層の厚さにむらが生じることがない。したがって、均一な発光特性が確保される。
【００２５】
複数の画素は、同じ色の画素が列方向に沿って並びかつ異なる色の画素が行方向に沿って周期的に並ぶようにマトリクス状に配列され、発光層を連続するように形成する工程は、各列における複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層をそれぞれストライプ状に形成する工程を含み、第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、各列における複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第１のキャリア輸送層をそれぞれストライプ状に形成する工程を含んでもよい。
【００２６】
この場合、発光層および第１のキャリア輸送層がストライプ状に形成されるので、列方向において発光層および第１のキャリア輸送層の位置合わせ精度が緩和される。それにより、歩留まりが向上されるとともに、有効発光面積の低下が防止される。また、発光層および第１のキャリア輸送層が形成されるので、少なくとも列方向においてマスクの開口部の端部でのシャドウイングにより発光層および第１のキャリア輸送層の厚さにむらが生じることがない。したがって、均一な発光特性が確保される。さらに、同じ色の画素ごとに発光層および第１のキャリア輸送層を共通のマスクを用いて連続的に形成することができるので、製造時間の短縮および製造コストの低減が可能となる。
【００２７】
第１の電極を形成する工程は、各画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１の電極をそれぞれ独立に形成する工程を含み、複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第２のキャリア輸送層を複数の第１の電極上に共通に形成する工程をさらに備えてもよい。
【００２８】
この場合、各第１の電極上に位置する発光層の領域が発光領域となる。複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第２のキャリア輸送層が共通に形成されるので、第２のキャリア輸送層に位置合わせ精度が要求されない。したがって、均一な発光特性が確保されるとともに歩留まりが向上する。
【００２９】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は行方向に隣接する画素間を分離する領域を備え、発光層を連続するように形成する工程は、行方向に隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層間の境界が領域上に位置するように発光層を形成する工程を含み、第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、行方向に隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１のキャリア輸送層間の境界が領域上に位置するように第１のキャリア輸送層を形成する工程を含んでもよい。
【００３０】
この場合、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層および第１のキャリア輸送層が行方向に多少位置ずれしても有効発光面積が減少しない。したがって、十分な有効発光面積が確保されるとともに、均一な発光特性が確保される。発光層を連続するように形成する工程および第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、各色の画素ごとに同一の形成室内で発光層および第１のキャリア輸送層を連続的に形成する工程を含んでもよい。これにより、製造時間の短縮および製造コストの低減が可能となる。
【００３１】
第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、少なくとも２色の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の第１のキャリア輸送層を互いに異なる厚さに形成する工程を含んでもよい。この場合、各色の画素ごとに最適な発光効率を得ることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と呼ぶ）について説明する。
【００３３】
図１は本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の配置を示す模式的平面図である。有機ＥＬ表示装置は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と呼ぶ）により構成される。
【００３４】
図１の有機ＥＬ表示装置においては、赤色に発光する画素（以下、Ｒ画素と呼ぶ）Ｒｐｉｘ、緑色に発光する画素（以下、Ｇ画素と呼ぶ）Ｇｐｉｘおよび青色に発光する画素（以下、Ｂ画素と呼ぶ）Ｂｐｉｘがマトリクス状に配置されている。
【００３５】
Ｒ画素Ｒｐｉｘは赤色に発光する有機ＥＬ素子からなり、Ｇ画素Ｇｐｉｘは緑色に発光する有機ＥＬ素子からなら、Ｂ画素Ｂｐｉｘは青色に発光する有機ＥＬ素子からなる。
【００３６】
ここで、互いに直交する一方向および他方向をそれぞれ行方向および列方向と呼ぶ。複数組のＲ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘが周期的に行方向に沿って配列され、複数のＲ画素Ｒｐｉｘ、複数のＧ画素Ｇｐｉｘおよび複数のＢ画素Ｂｐｉｘがそれぞれ列方向に沿って配列される。すなわち、列方向には、同一色の画素が配列されている。
【００３７】
行方向において、Ｒ画素ＲｐｉｘのピッチはＰＩであり、同様にＧ画素ＧｐｉｘのピッチもＰＩであり、Ｂ画素ＢｐｉｘのピッチもＰＩである。
【００３８】
なお、以下の説明において、行方向における画素の寸法を画素の幅といい、列方向における画素の寸法を画素の長さと呼ぶ。後述するように、Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘは、行方向において異なる幅を有する。
【００３９】
次に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子の発光層および電子輸送層の形成時に用いられるマスクについて説明する。上記のように、Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘは行方向において異なる幅を有するので、Ｒ画素Ｒｐｉｘ用のマスク、Ｇ画素ＧｐｉｘのマスクおよびＢ画素Ｂｐｉｘ用のマスクがそれぞれ用意される。
【００４０】
従来の有機ＥＬ表示装置の製造時には、各画素に対応した離散的な開口部を有するマスクが用いられる。これに対して、マスクは、列方向に隣接する複数の画素間で共通する複数の開口部を有している。開口部のピッチは、行方向における同色の画素間のピッチＰＩに等しい。
【００４１】
例えば、列方向に隣接する複数のＲ画素Ｒｐｉｘで開口部が共通化されている。同様に、列方向に隣接する複数のＧ画素Ｇｐｉｘで開口部が共通化され、列方向に隣接する複数のＢ画素Ｂｐｉｘで開口部が共通化されている。
【００４２】
開口部の幅は１つの画素幅に対応する。Ｒ画素Ｒｐｉｘ用のマスクでは、開口部の幅は１つのＲ画素Ｒｐｉｘの幅に対応する。Ｇ画素Ｇｐｉｘ用のマスクでは、開口部の幅は１つのＧ画素Ｇｐｉｘの幅に対応する。Ｂ画素Ｂｐｉｘ用のマスクでは、開口部の幅は１つのＢ画素Ｂｐｉｘの幅に対応する。
【００４３】
また、開口部の長さは共通化する画素数に応じて決定される。すなわち、隣接する２つの画素の発光層および電子輸送層を共通化する場合には、開口部の長さを画素の長さ×２に設定する。隣接するｎ個（ｎは２以上の任意の整数）の画素の発光層および電子輸送層を共通化する場合には、開口部の長さを画素の長さ×ｎに設定する。本実施の形態では、列方向の全画素数をｋとした場合には、列方向に配列されたすべての画素の発光層および電子輸送層を共通化するように開口部の長さを画素の長さ×ｋに設定している。
【００４４】
Ｒ画素Ｒｐｉｘ用、Ｇ画素Ｇｐｉｘ用およびＢ画素Ｂｐｉｘ用のマスクの厚さは、例えば５０μｍである。
【００４５】
このようなマスクを用いて有機材料を蒸着することにより、Ｒ画素Ｒｐｉｘの発光層および電子輸送層、Ｇ画素Ｇｐｉｘの発光層および電子輸送層、Ｂ画素Ｂｐｉｘの発光層および電子輸送層をそれぞれ列方向に延びるストライプ状に形成することができる。
【００４６】
図２は本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の１組のＲ画素、Ｇ画素およびＢ画素をそれぞれ構成する有機ＥＬ素子の平面図である。図３は図２の有機ＥＬ表示装置のＡ−Ａ線断面図である。
【００４７】
図２において、左から順に赤色発光層を備えるＲ画素Ｒｐｉｘ、緑色発光層を備えるＧ画素Ｇｐｉｘおよび青色発光層を備えるＢ画素Ｂｐｉｘが設けられている。
【００４８】
各画素の構成は平面図では同一である。一画素は行方向に延びる２つのゲート信号線５１と列方向に延びる２つのドレイン信号線（データ線）５２とに囲まれた領域に形成される。各画素の領域内において、ゲート信号線５１とドレイン信号線５２との交点付近にはスイッチング素子であるｎチャネル型の第１のＴＦＴ１３０が形成され、中央付近には有機ＥＬ素子を駆動するｐチャネル型の第２のＴＦＴ１４０が形成される。また、各画素の領域内に補助電極７０、およびインジウム酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）からなるホール注入電極１２が形成される。ホール注入電極１２の領域に有機ＥＬ素子が島状に形成される。
【００４９】
第１のＴＦＴ１３０のドレインはドレイン電極１３ｄ介してドレイン信号線５２に接続され、第１のＴＦＴ１３０のソースはソ−ス電極１３ｓを介して電極５５に接続される。第１のＴＦＴ１３０のゲート電極１１は、ゲート信号線５１から延びる。
【００５０】
補助容量７０は、電源電圧Ｖｓｃを受けるＳＣ線５４と、能動層１１（図４参照）と一体の電極５５とから構成される。
【００５１】
第２のＴＦＴ１４０のドレインはドレイン電極４３ｄ介して有機ＥＬ素子のホール注入電極１２に接続され、第２のＴＦＴ１４０のソースはソ−ス電極４３ｓを介して列方向に延びる電源線５３に接続される。第２のＴＦＴ１４０のゲート電極４１は電極５５に接続される。
【００５２】
Ｒ画素Ｒｐｉｘの幅ＬＲ、Ｇ画素Ｇｐｉｘの幅ＬＧおよびＢ画素Ｂｐｉｘの幅ＬＢは、各有機ＥＬ素子の発光効率を考慮してＲ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘの光量が等しくなるようにそれぞれ設定される。本実施の形態では、Ｒ画素Ｒｐｉｘの幅ＬＲは７５．５μｍであり、Ｇ画素Ｇｐｉｘの幅ＬＧは５６．５μｍであり、およびＢ画素Ｂｐｉｘの幅ＬＢは６６μｍである。
【００５３】
図３に示されるように、ガラス基板１０上に多結晶シリコン等からなる能動層１１が形成され、その能動層１１の一部が有機ＥＬ素子を駆動するための第２のＴＦＴ１４０となる。能動層１１上にゲート酸化膜（図示せず）を介してダブルゲート構造のゲート電極４１が形成され、ゲート電極４１を覆うように能動層１１上に層間絶縁膜１３および第１の平坦化層１５が形成される。第１の平坦化層１５の材料としては、例えばアクリル樹脂を用いることができる。第１の平坦化層１５上に透明なホール注入電極１２が各画素ごとに形成され、ホール注入電極１２を覆うように第１の平坦化層１５上に絶縁性の第２の平坦化層１８が形成される。
【００５４】
第２のＴＦＴ１４０は第２の平坦化層１８の下に形成されている。ここで、第２の平坦化層１８はホール注入電極１２の全面に形成されるのではなく、第２のＴＦＴ１４０が形成される領域を覆うようにかつ第２の平坦化層１８の形状でホール注入電極１２または後述の各有機材料層が断線しないように局所的に形成される。
【００５５】
ホール注入電極１２および第２の平坦化層１８を覆うようにホール輸送層１６が全体の領域上に形成される。
【００５６】
Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘのホール輸送層１６上には、それぞれ列方向に延びるストライプ状の赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６が形成される。
【００５７】
ストライプ状の赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６の間の境界は第２の平坦化層１８上の表面でガラス基板１０と平行となっている領域に設けられる。
【００５８】
Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘの赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６上には、列方向に延びるストライプ状の電子輸送層２８がそれぞれ形成される。
【００５９】
Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘの発光層２２，２４，２６および電子輸送層２８は、複数の蒸着室を備えたマルチチャンバー型有機ＥＬ製造装置において色ごとに連続的に形成される。すなわち、Ｒ画素Ｒｐｉｘにおける赤色発光層２２および電子輸送層２８は、第１の蒸着室内で共通のマスクを用いて連続的に形成される。また、Ｇ画素Ｇｐｉｘにおける緑色発光層２４および電子輸送層２８は、第２の蒸着室内で共通のマスクを用いて連続的に形成される。さらに、Ｂ画素Ｂｐｉｘにおける青白発光層２６および電子輸送層２８は、第３の蒸着室内で共通のマスクを用いて連続的に形成される。したがって、電子輸送層２８間の境界は、赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６の間の境界上に重なるように設けられる。
【００６０】
このように、各色ごとに発光層２２，２４，２６および電子輸送層２８を異なる蒸着室内でそれぞれ形成することにより、３種類の発光層２２，２４，２６および電子輸送層２８を同一の蒸着室で形成する場合に発生するドーパントのクロスコンタミネーションが回避される。
【００６１】
さらに、各電子輸送層２８上には共通にフッ化リチウム層３０および電子注入電極３２が順次形成される。
【００６２】
このような有機ＥＬ表示装置において、ゲート信号線５１に選択信号が出力されると第１のＴＦＴ１３０がオンし、そのときにドレイン信号線５２に与えられる電圧値（データ信号）に応じて補助容量７０が充電される。第２のＴＦＴ１４０のゲート電極４１は補助容量７０に充電された電荷に応じた電圧を受ける。それにより、電源線５３から有機ＥＬ素子に供給される電流が制御され、有機ＥＬ素子は供給された電流に応じた輝度で発光する。
【００６３】
ホール注入電極１２の材料としては、例えば、ＩＴＯ、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）等を用いることができる。
【００６４】
ホール輸送層１６の材料としては、例えば、下記式（１）で示される分子構造を有するＮ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：以下、ＮＰＢと称する）が用いられる。
【００６５】
【化１】
また、ホール輸送層１６の材料として、下記式（２）で示される分子構造を有する４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＭＴＤＡＴＡ）を用いてもよい。
【００６７】
【化２】
さらに、ホール輸送層１６の材料として、下記式（３）で示されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：ＴＰＤ）を用いてもよい。
【００６９】
赤色発光層２２および緑色発光層２４のホスト材料としては、例えば、下記式（４）で示される分子構造を有するアルミキノリン錯体（Ａｌｑ３）、下記式（５）で示される分子構造を有するビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ２）等の１つの金属イオンに複数の配位子が配位されたキレート金属錯体を用いることができる。
【００７０】
【化３】
【化４】
【化５】
一般に、キレート金属錯体を発光層のホスト材料として用いて形成される有機ＥＬ素子は、短い波長の色、つまり青色の発光に課題がある。そのため、青色発光層２６のホスト材料としては、下記式（６）で示される分子構造を有するｔｅｒｔ−ブチル置換ジナフチルアントラセン（以下、ＴＢＡＤＮと称する）等のようなアセトンおよびその誘導体、ジスチルベンゼンおよびその誘導体等の縮合多環芳香族が用いられる。
【００７４】
【化６】
また、上述のキレート金属錯体または縮合多環芳香族をホスト材料として下記式（７）で示される分子構造を有するルブレン（Ｒｕｂｒｅｎｅ）、下記式（８）で示される分子構造を有する２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−ｌＩＩ，５ＩＩ−ベンゾ〔ｉｊ〕キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（２−（１，１−Ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｙｌ）−６−（２−（２，３，６，７−ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−１，１，７，７−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−ｌＩＩ，５ＩＩ−ｂｅｎｚｏ〔ｉｊ〕ｑｕｉｎｏｌｉｚｉｎ−９−ｙｌ）ｅｔｈｅｎｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ−４−ｙｌｉｄｅｎｅ）ｐｒｏｐａｎｅｄｉｎｉｔｒｉｌｅ：以下、ＤＣＪＴＢと称する）、下記式（９）で示される分子構造を有するキナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体、上記のＴＢＡＤＮ等のドーパントをドープすることにより所望の発光特性が得られる。
【００７６】
【化７】
【化８】
【化９】
電子輸送層２８の材料としては、例えば、Ａｌｑ３、ＢｅＢｑ２等のキレート金属錯体が用いられる。
【００８０】
電子注入電極３２の材料としては、例えば、アルミニウム、リチウムを微量に含むアルミニウム合金、マグネシウムインジウム合金、マグネシウム銀合金等が用いられる。また、電子輸送層２８上にフッ化リチウム層３０および電子注入電極３２からなる２層構造の電極が形成されてもよい。
【００８１】
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置においては、各色の画素のホール輸送層１６上にそれぞれ列方向に延びるストライプ状の赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６が形成され、赤色発光層２２、緑色発光層２４および青色発光層２６上に列方向に延びるストライプ状の電子輸送層２８がそれぞれ形成される。したがって、少なくとも列方向において各発光層２２，２４，２６および各電子輸送層２８の位置合わせ精度が緩和される。また、各色ごとに、同一のマスクを用いて各発光層２２，２４，２６および各電子輸送層２８を同一の蒸着室内で連続形成することができる。
【００８２】
さらに、ストライプ状の各色の発光層２２，２４，２６の間の境界およびストライプ状の電子輸送層２８の間の境界が表示に影響のない領域に設けられるので、各色の発光層２２，２４，２６および各電子輸送層２８の位置が行方向に多少ずれても実際の発光領域が狭くならない。
【００８３】
図４は本実施の形態の有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子の断面構造および従来の構造を有する有機ＥＬ素子の断面構造を比較して示す模式図である。図４には、代表例として赤色発光層２２を備える有機ＥＬ素子が示されており、説明を簡便にするために図３に示した構造の一部を省略している。
【００８４】
図４（ａ）は本実施の形態に係る有機ＥＬ素子において赤色発光層２２の境界が第２の平坦化層１８上に形成された構造を示している。図４（ｂ）は赤色発光層２２が発光領域とほぼ等しい領域に形成された従来の構造を示している。図４（ｃ）は、従来の構造において有機ＥＬ素子を形成する際にマスクの位置ずれにより赤色発光層２２の位置ずれが生じた例を示している。
【００８５】
図４（ａ）に示すように、本実施の形態においては、実際の発光領域より広範囲に赤色発光層２２および電子輸送層２８が形成されている。通常、ホール注入電極１２が設けられていない第２の平坦化層１８上の領域では有機ＥＬ素子はほとんど発光しない。そのため、赤色発光層２２および電子輸送層２８の位置が行方向に多少ずれても実際の発光領域が狭くなることはない。したがって、発光層２２，２４，２６および電子輸送層２８の位置ずれによる製品の歩留まりの低下が生じない。
【００８６】
これに対して、従来の構造では、図４（ｂ）に示すように、実際の発光領域内に赤色発光層２２および電子輸送層２８が形成されているため、図４（ｃ）に示すように、赤色発光層２２の位置が行方向に少しずれただけでも発光領域が狭くなる。このずれは、マスクの位置ずれに起因しているため、有機ＥＬ表示装置の全体にわたり赤色の輝度が小さくなり、有機ＥＬ表示装置により表示される映像のホワイトバランスが崩れることになる。したがって、この有機ＥＬ表示装置は製品として不良となり、製品の歩留まりが低下する。
【００８７】
次に、Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘにおける電子輸送層２８の最適な膜厚について説明する。
【００８８】
有機ＥＬ素子では、発光層を含む有機材料層、下地層（ＳｉＯ２およびＳｉＮ）およびガラス基板の全光路長が次式を満たす場合に発光層から発生された光が増強される。
【００８９】
４π／λ（ｎ１ｄ１＋ｎ２ｄ２＋ｎ３ｄ３＋…＋ｎｋｄｋ）＝２ｍπ …（Ａ１）
または
４π／λ（ｎ１ｄ１＋ｎ２ｄ２＋ｎ３ｄ３＋…＋ｎｋｄｋ）＝（２ｍ−１）π …（Ａ２）
【００９０】
ｍは整数、ｎ１〜ｎｋは各層の屈折率、ｄ１〜ｄｋは各層の膜厚である。また、λはエレクトロルミネッセンスの極大波長であり、各色の発光において次の範囲とする。
【００９１】
赤色発光の有機ＥＬ素子：λ＝６００〜６４０［ｎｍ］
緑色発光の有機ＥＬ素子：λ＝５１０〜５５０［ｎｍ］
青色発光の有機ＥＬ素子：λ＝４３０〜４８０［ｎｍ］
【００９２】
ここで、上記式（Ａ１）または（Ａ２）に基づいて次に示す有機ＥＬ表示装置のＲ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘにおける電子輸送層２８の最適な膜厚を求める。
【００９３】
本例では、ホール注入電極１２はＩＴＯからなり、ホール輸送層１６は膜厚１９００ÅのＮＰＢからなる。また、ホール注入電極１２とホール輸送層１６との間に膜厚１００ÅのＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）からなるホール注入層およびプラズマＣＶＤ法（プラズマ化学的気相成長法）により形成される膜厚約１０ÅのＣＦＸ（フッ化炭素）薄膜が設けられる。
【００９４】
Ｒ画素Ｒｐｉｘにおいて、赤色発光層２２は、下記式（１０）で示される分子構造を有するトリス（８−ヒドリキシキノリナト）アルミニウム（Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ：以下、Ａｌｑと称する）をホスト材料としてを含み、ＤＣＪＴＢが１．７％およびルブレンが２０％ドープされている。赤色発光層２２の膜厚は３５０Åである。
【００９５】
【化１０】
Ｇ画素Ｇｐｉｘにおいて、緑色発光層２４は、Ａｌｑをホスト材料として含み、下記式（１１）で表される３，４−ジフルオロ−Ｎ，Ｎ’−ジメチル−キナクリドン（３，４−Ｄｉｆｕｌｕｏｒｏ−Ｎ，Ｎ’−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ：以下、ＣＦＤＭＱＡと称する）が０．７％およびＴＢＡＤＮが２０％ドープされている。緑色発光層２４の膜厚は３５０Åである。
【００９７】
【化１１】
Ｂ画素Ｂｐｉｘにおいて、青色発光層２６は、ＴＢＡＤＮをホスト材料として含み、ｔｅｒｔ−ブチル置換ペリレン（以下、ＴＢＰと称する）が１．５％のドープされている。青色発光層２６の膜厚は４００Åである。
【００９９】
また、電子輸送層２８は、上記のＡｌｑからなる。さらに、フッ化リチウム層３０の膜厚は１０Åである。電子注入電極３２はＡｌからなり、膜厚は４０００Åである。
【０１００】
上記式（Ａ１）または（Ａ２）から、Ｒ画素Ｒｐｉｘにおける電子輸送層２８の最適な膜厚は２５０Å、Ｇ画素Ｇｐｉｘにおける電子輸送層２８の最適な膜厚は３５０Å、Ｂ画素Ｂｐｉｘにおける電子輸送層２８の最適な膜厚は１００Åとなる。
【０１０１】
このように、Ｒ画素Ｒｐｉｘ、Ｇ画素ＧｐｉｘおよびＢ画素Ｂｐｉｘごとに電子輸送層２８の膜厚を最適に設定することにより、各色ごとに最適な発光効率を得ることが可能となる。
【０１０２】
また、本例では、Ｒ画素ＲｐｉｘおよびＧ画素Ｇｐｉｘにおいて、発光層２２，２４および電子輸送層２８に共通のホスト材料Ａｌｑが用いられるので、第１の蒸着室および第２の蒸着室において蒸着源の切り替えが不要となる。
【０１０３】
本実施の形態では、ホール注入電極１２が第１の電極に相当し、電子注入電極３２が第２の電極に相当し、電子輸送層２８が第１のキャリア輸送層に相当し、ホール輸送層１６が第２のキャリア輸送層に相当する。
【０１０４】
なお、本発明に係る有機ＥＬ素子の構造は、上記の構造に限定されず、種々の構造を用いることができる。例えば、電子輸送層２８と電子注入電極３２との間に電子注入層を設けてもよい。
【０１０５】
また、発光層２２，２４，２６の材料としては、種々の公知の高分子材料を用いることができる。その場合には、ホール輸送層１６は設けられなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の配置を示す模式的平面図である。
【図２】本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の１組のＲ画素、Ｇ画素およびＢ画素をそれぞれ構成する有機ＥＬ素子の平面図である。
【図３】図２の有機ＥＬ素子のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】本実施の形態の有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子の断面構造および従来の構造を有する有機ＥＬ素子の断面構造を比較して示す模式図である。
【符号の説明】
１０ ガラス基板
１２ ホール注入電極
１５ 第１の平坦化層
１６ ホール輸送層
１８ 第２の平坦化層
２２ 赤色発光層
２４ 緑色発光層
２６ 青色発光層
２８ 電子輸送層
３２ 電子注入電極
１３０ 第１のＴＦＴ
１４０ 第２のＴＦＴ
Ｒｐｉｘ Ｒ画素
Ｒｐｉｘ Ｇ画素
Ｒｐｉｘ Ｂ画素
Claims (12)
- 異なる色の複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備え、
各有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１の電極と第２の電極との間に発光層および第１のキャリア輸送層をこの順に含み、
同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子における前記発光層および前記第１のキャリア輸送層がそれぞれ連続するように形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 前記複数の画素は、同じ色の画素が列方向に沿って並びかつ異なる色の画素が行方向に沿って周期的に並ぶようにマトリクス状に配列され、各列における複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記発光層および前記第１のキャリア輸送層がそれぞれストライプ状に形成されたことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記第１の電極と前記発光層との間に第２のキャリア輸送層をさらに備え、
各画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１の電極はそれぞれ独立に形成され、
前記複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第２のキャリア輸送層は共通に形成されたことを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 行方向に隣接する画素間を分離する領域が設けられ、
行方向に隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の前記発光層間の境界および前記第１のキャリア輸送層間の境界が前記領域上に位置することを特徴とする請求項２または３記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 少なくとも２色の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の前記発光層および前記第１のキャリア輸送層が共通の有機材料を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 少なくとも２色の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１のキャリア輸送層が互いに異なる厚さを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 異なる色の複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
各有機エレクトロルミネッセンス素子の第１の電極を形成する工程と、
同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層を連続するように形成する工程と、
同じ色の画素を構成する隣接する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程と、
各有機エレクトロルミネッセンス素子の第２の電極を形成する工程とをこの順に備えたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記複数の画素は、同じ色の画素が列方向に沿って並びかつ異なる色の画素が行方向に沿って周期的に並ぶようにマトリクス状に配列され、前記発光層を連続するように形成する工程は、各列における複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記発光層をそれぞれストライプ状に形成する工程を含み、
前記第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、各列における複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１のキャリア輸送層をそれぞれストライプ状に形成する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記第１の電極を形成する工程は、各画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１の電極をそれぞれ独立に形成する工程を含み、
前記複数の画素を構成する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第２のキャリア輸送層を複数の第１の電極上に共通に形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置は行方向に隣接する画素間を分離する領域を備え、
前記発光層を連続するように形成する工程は、行方向に隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の前記発光層間の境界が前記領域上に位置するように前記発光層を形成する工程を含み、
前記第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、行方向に隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１のキャリア輸送層間の境界が前記領域上に位置するように前記第１のキャリア輸送層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８または９記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記発光層を連続するように形成する工程および前記第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、各色の画素ごとに同一の形成室内で前記発光層および前記第１のキャリア輸送層を連続的に形成する工程を含むことを特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記第１のキャリア輸送層を連続するように形成する工程は、少なくとも２色の画素を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１のキャリア輸送層を互いに異なる厚さに形成する工程を含むことを特徴とする請求項７〜１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002284195A JP2004119304A (ja) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
| KR1020030034034A KR100944861B1 (ko) | 2002-09-27 | 2003-05-28 | 유기 일렉트로 루미네센스 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US10/669,639 US7279834B2 (en) | 2002-09-27 | 2003-09-25 | Organic electroluminescent display apparatus and method of fabricating the same |
| CN031601553A CN1501753B (zh) | 2002-09-27 | 2003-09-26 | 有机电致发光显示装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002284195A JP2004119304A (ja) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004119304A true JP2004119304A (ja) | 2004-04-15 |
Family
ID=32277835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002284195A Pending JP2004119304A (ja) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7279834B2 (ja) |
| JP (1) | JP2004119304A (ja) |
| KR (1) | KR100944861B1 (ja) |
| CN (1) | CN1501753B (ja) |
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|---|---|
| KR100944861B1 (ko) | 2010-03-04 |
| US7279834B2 (en) | 2007-10-09 |
| US20060170339A1 (en) | 2006-08-03 |
| CN1501753A (zh) | 2004-06-02 |
| KR20040027286A (ko) | 2004-04-01 |
| CN1501753B (zh) | 2010-04-28 |
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Legal Events
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|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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