JP2003106197A - 内燃機関の空燃比制御装置 - Google Patents
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Abstract
比を最適化して排気浄化性能の向上を図ることのできる
内燃機関の空燃比制御装置を提供すること。 【解決手段】 本発明の内燃機関の空燃比制御装置は、
触媒18と、触媒18の下流側に配置されたHC吸着型排
気浄化触媒19と、触媒18に流入する排気ガスの排気
空燃比を検出する上流側空燃比検出手段20と、HC吸着
型排気浄化触媒19から流出する排気ガスの排気空燃比
を検出する下流側空燃比検出手段25と、上流側空燃比
検出手段20によって検出される排気空燃比に基づいて
メインフィードバック制御を行う空燃比メインフィード
バック制御手段22と、吸着されたHCが脱離している間
は下流側空燃比検出手段25によって検出された排気空
燃比に基づいてサブフィードバック制御を行う空燃比サ
ブフィードバック制御手段22とを備えている。
Description
化触媒を用いた内燃機関の空燃比制御装置に関する。
x、一酸化炭素CO、炭化水素HCなどの有害物質は、排気
通路上に配設された三元触媒によって浄化されている
(ディーゼルエンジンでは、上述した物質に加えて粒子
状物質も浄化する四元触媒も用いられる)。しかし、こ
のような三元触媒は、所定の活性化温度とならないとそ
の浄化性能を発揮できない。また、冷間始動直後には、
多量のHCが排出される傾向がある。このため、冷間始動
直後にHCを吸着する性質を有するHC吸着部材を排気通路
上に配置しておくことが行われている。
る程度高温となったときに吸着したHCを脱離させるもの
である。HCが脱離する際には、三元触媒が活性化温度に
達しており、脱離したHCを浄化することができる。この
ようにすることによって、冷間始動直後に大気に放出さ
れるHCを低減することができる。なお、HC吸着部材を三
元触媒上に担持させたHC吸着型排気浄化触媒も実用化さ
れている。このようなHC吸着型排気浄化触媒を用いた内
燃機関としては、特開平11-82111号公報に記載のものな
どが知られている。
着材の性質と排気浄化触媒の性質とを併有している。HC
吸着型排気浄化触媒も、内燃機関の冷間始動直後は活性
化温度に達していないので、冷間始動直後に多量に排出
されるHCを十分に浄化することができない。そこで、HC
吸着型排気浄化触媒の場合は、冷間始動直後にHCを一旦
吸着させ、それ自身の温度上昇に伴ってHCを脱離させ、
それ自身の排気浄化機能を用いてこの脱離したHCを酸化
させて浄化する。HCが脱離する時点ではHC吸着型排気浄
化触媒は活性化温度に達している。
の温度で早期に活性化温度にまで昇温されるように排気
通路の上流側に配置された始動時触媒(排気浄化触媒)
と、始動時触媒の下流側に配置されたHC吸着型排気浄化
触媒とを有している。そして、HC吸着型排気浄化触媒か
らHCが脱離している間は、脱離したHCを酸化させやすい
ように、HC吸着型排気浄化触媒の下流側に設置された空
燃比センサの出力に基づいてフィードバック制御(HCを
酸化させやすくするため、リーン制御)が行われる。HC
吸着型排気浄化触媒からHCが脱離していないときは、通
常のように始動時触媒の上流側に設置された空燃比セン
サに基づくフィードバック制御に切り替えられる。
吸着型排気浄化触媒のさらに下流側に配設された空燃比
センサに基づいてフィードバック制御を行うので、内燃
機関の負荷変化や外乱(パージガスなどによる)などが
下流側の空燃比センサの出力に反映されるまでに時間が
かかる。そして、下流側の空燃比センサの出力に基づい
てフィードバック制御が行われるので、始動時触媒及び
HC吸着型排気浄化触媒の各酸素吸蔵作用などの影響も含
め目標空燃比に戻すまでに時間がかかり、制御が遅れが
ちとなる。この結果、排気浄化率が悪化する可能性があ
り、外乱などに対する制御性が悪いことが懸念される。
がHC吸着型排気浄化触媒から脱離している間も空燃比を
最適化でき、排気浄化性能の悪化を抑制することのでき
る内燃機関の空燃比制御装置を提供することにある。
燃比制御装置は、排気通路上の上流寄りに配置された触
媒と、触媒の下流側に配置され、低温時に炭化水素HCを
吸着し、温度上昇に伴って吸着した炭化水素HCを放出す
る機能を有する排気浄化触媒であるHC吸着型排気浄化触
媒と、触媒の上流側に配設され、触媒に流入する排気ガ
スの排気空燃比を検出する上流側空燃比検出手段と、HC
吸着型排気浄化触媒の下流側に配設され、HC吸着型排気
浄化触媒から流出する排気ガスの排気空燃比を検出する
下流側空燃比検出手段と、上流側空燃比検出手段によっ
て検出される排気空燃比が所定のメインフィードバック
目標空燃比となるようにメインフィードバック制御を行
う空燃比メインフィードバック制御手段と、吸着された
HCがHC吸着型排気浄化触媒から脱離している間は下流側
空燃比検出手段によって検出された排気空燃比が所定の
サブフィードバック目標空燃比となるようにサブフィー
ドバック制御を行う空燃比サブフィードバック制御手段
とを備えていることを特徴としている。
バック制御が上流側空燃比検出手段の検出結果に基づい
て行なわれる。そして、吸着されたHCがHC吸着型排気浄
化触媒から脱離している間は、空燃比サブフィードバッ
ク制御が、HC吸着型排気浄化触媒下流側の下流側空燃比
検出手段の検出結果に基づいて行なわれる。サブフィー
ドバック制御とは、メインフィードバック制御に対して
補助的に行われるフィードバック制御であり、制御全体
に対してはメインフィードバック制御が支配的である。
サブフィードバック制御は、そのフィードバック制御対
象が目標値となるように、メインフィードバック制御に
対して微小な補正を加える。ここでは、メインフィード
バック制御の対象が触媒に流入する排気ガスの排気空燃
比であり、サブフィードバック制御の対象がHC吸着型排
気浄化触媒から流出する排気ガスの排気空燃比である。
いる間、即ち、噴射された燃料に含まれているHC以外の
脱離したHCも酸化して浄化させなくてはならない状況下
において、HC吸着型排気浄化触媒から流出する排気ガス
の最終的な排気空燃比に基づいてサブフィードバック制
御を行うので的確な排気浄化を行うことができる。な
お、このとき、始動時触媒に流入する排気ガスの排気空
燃比に基づくメインフィードバック制御が行われてお
り、サブフィードバック制御分に関して時間がかかった
としても空燃比制御全体としては的確な制御が行われる
ので、空燃比が荒れるなどして排気浄化性能が悪化する
ようなことがない。
吸着型排気浄化触媒の上流側に配設され、HC吸着型排気
浄化触媒に流入する排気ガスの排気空燃比を検出する中
間部空燃比検出手段をさらに備えており、空燃比サブフ
ィードバック制御手段が、吸着されたHCがHC吸着型排気
浄化触媒から脱離した後は中間部空燃比検出手段によっ
て検出された排気空燃比が所定のサブフィードバック目
標空燃比となるようにサブフィードバック制御を行うこ
とが好ましい。
着型排気浄化触媒から脱離した後は、中間部空燃比検出
手段によって検出されるHC吸着型排気浄化触媒に流入す
る排気ガスの排気空燃比に基づいてサブフィードバック
制御を行うことになる。吸着されたHCがHC吸着型排気浄
化触媒から脱離した後は、HC吸着型排気浄化触媒から離
脱するHCはないので、HC吸着型排気浄化触媒に流入する
排気ガスの排気空燃比に基づいてサブフィードバック制
御を行うことによって、排気浄化を効果的に行うことが
できる。なお、触媒に流入する排気ガスの排気空燃比に
基づくメインフィードバック制御が行われているのは既
に述べたとおりであり、サブフィードバック制御分に関
して時間がかかったとしても空燃比制御全体としては的
確な制御が行われるので、空燃比が荒れるなどして排気
浄化性能が悪化するようなことがない。
排気浄化触媒から脱離している間の下流側空燃比検出手
段のサブフィードバック目標空燃比に対して、吸着され
たHCがHC吸着型排気浄化触媒から脱離した後の中間部空
燃比検出手段のサブフィードバック目標空燃比を変更す
ることが好ましい。このようにすれば、HC吸着型排気浄
化触媒からのHCの脱離の有無によって最適なサブフィー
ドバック目標空燃比が異なるので、各状況に応じた的確
な空燃比サブフィードバック制御を行うことができる。
排気浄化触媒から脱離している間の下流側空燃比検出手
段のサブフィードバック目標空燃比を、吸着されたHCが
HC吸着型排気浄化触媒から脱離した後の中間部空燃比検
出手段のサブフィードバック目標空燃比よりもリーン側
に設定することが好ましい。このようにすれば、HC吸着
型排気浄化触媒からHCが脱離している間は、内燃機関の
燃焼後に排気ガス中に含まれるHCに加えて、HC吸着型排
気浄化触媒から脱離するHCをも酸化して浄化する必要が
生じるが、HC吸着型排気浄化触媒の下流側の排気空燃比
の目標をリーン寄りに設定することで、このHC吸着型排
気浄化触媒から脱離する分のHCをも確実に酸化でき、排
気浄化性能の悪化を抑制することができる。
は、触媒と、触媒の下流側に配置され、低温時に炭化水
素HCを吸着し、温度上昇に伴って吸着した炭化水素HCを
脱離させる機能を有する排気浄化触媒であるHC吸着型排
気浄化触媒とを備え、HC吸着型排気浄化触媒からの炭化
水素HCの脱離中は、触媒上流の空燃比センサにより空燃
比メインフィードバック制御を行うと共に、HC吸着型排
気浄化触媒下流側の空燃比センサ出力を目標出力にする
ように空燃比メインフィードバック制御の目標空燃比を
補正する空燃比サブフィードバック制御を行うことを特
徴としている。
する触媒上流の酸素センサにより空燃比メインフィード
バック制御を行うので、燃料噴射量制御へのフィードバ
ックは早い。また、HC吸着型排気浄化触媒下流側の空燃
比センサ出力を目標出力にするように空燃比メインフィ
ードバック制御の目標空燃比を補正する空燃比サブフィ
ードバック制御が行われるので、排気浄化性能を向上さ
せることもできる。この結果、HC吸着型排気浄化触媒か
らのHC脱離中に機関負荷や外乱があっても、空燃比荒れ
に対して燃料噴射量をフィードバックするタイミングが
遅れるのを抑制しつつ、良好な排気浄化性能を得ること
ができる。なお、ここでの空燃比センサとは、排気空燃
比がリッチ側にあるかリーン側にあるかでその出力を急
変させる、いわゆる酸素センサであっても良いし、排気
空燃比をリッチ側からリーン側にかけてリニアに検出す
る、いわゆるリニア空燃比センサであっても良い。
化水素HCの脱離後は、触媒とHC吸着型排気浄化触媒との
間の空燃比センサ出力を目標出力にするように空燃比メ
インフィードバック制御の目標空燃比を補正する空燃比
サブフィードバック制御を行うことが好ましい。このよ
うにすれば、HC吸着型排気浄化触媒からのHC脱離後は、
HC吸着型排気浄化触媒から離脱するHCはないので、HC吸
着型排気浄化触媒に流入する排気ガスの排気空燃比に基
づいて空燃比サブフィードバック制御を行うことによっ
て、排気浄化を効果的に行うことができる。
からの炭化水素HCの脱離中と脱離後とで、空燃比センサ
出力の目標出力を変更することが好ましい。このように
することで、HC吸着型排気浄化触媒からのHCの脱離の有
無に応じた的確な空燃比サブフィードバック制御を行う
ことができる。特に、ここで、HC吸着型排気浄化触媒か
らの炭化水素HCの脱離中に脱離後よりも、空燃比センサ
出力の目標出力をリーン側に変更することが好ましい。
このようにすることで、HC吸着型排気浄化触媒から脱離
する分のHCをも確実に酸化でき、特にHC脱離中の排気浄
化性能を向上させることができる。
形態について、図面を参照しつつ以下に説明する。図1
に、本実施形態の空燃比制御装置を有する内燃機関の構
成図を示す。
関であるエンジン1の排気ガスの浄化を行うものであ
る。エンジン1の構成図を図1に示す。エンジン1は直
列四気筒エンジンであり、ここではそのうちの一気筒の
みが断面図として示されている。エンジン1は、点火プ
ラグ2によって各シリンダ3内の混合気に対して点火を
行うことによって駆動力を発生する。エンジン1の燃焼
に際して、外部から吸入した空気は吸気通路4を通り、
インジェクタ5から噴射された燃料と混合され、混合気
としてシリンダ3内に吸気される。
は、吸気バルブ6によって開閉される。シリンダ3の内
部で燃焼された混合気は、排気ガスとして排気通路7に
排気される。シリンダ3の内部と排気通路7との間は、
排気バルブ8によって開閉される。吸気通路4上には、
シリンダ3内に吸入される吸入空気量Gaを調節するスロ
ットルバルブ9が配設されている。
を検出するスロットルポジションセンサ10が接続され
ている。スロットルバルブ9は電子制御によって開度が
制御されており、その開閉はスロットルモータ11によ
って行なわれている。また、アクセルペダルの開度を検
出するアクセル開度センサ12も配設されている。ま
た、吸気通路4上には、吸入空気量Gaを検出するための
エアフローメーター13も取り付けられている。
は、クランクシャフトの位置を検出するクランクポジシ
ョンセンサ14が取り付けられている。クランクポジシ
ョンセンサ14の出力からは、シリンダ3内のピストン
15の位置や、エンジン回転数NEを求めることもでき
る。また、エンジン1には、エンジン1のノッキングを
検出するノックセンサ16や冷却水温度を検出する水温
センサ17も取り付けられている。
aと下流側排気通路7bとからなっている。上流側排気
通路7aは二つあり、並列して設けられている。本実施
形態のエンジン1は四気筒エンジンであり、ある二気筒
からの排気管がまとめられて一方の上流側排気通路7a
を形成し、残りの二気筒からの排気管がまとめられて他
方の上流側排気通路7aを形成している。
排気浄化触媒として始動時触媒(触媒)18が配設され
ている。各始動時触媒18は三元触媒であり、酸素吸蔵
機能も有している。酸素吸蔵機能とは、排気ガスの排気
空燃比がリーンなときに排気ガス中の酸素を吸蔵し、排
気ガスの排気空燃比がストイキ又はリッチなときに吸蔵
した酸素を放出する性質のことである。この酸素吸蔵機
能を利用することによって、排気ガス中の浄化すべき成
分をより効果的に浄化させることができる。なお、始動
時触媒18は、エンジン1の燃焼室(シリンダ3)に近
いので排気ガスによって昇温されやすく、エンジン始動
直後により早期に触媒活性温度にまで上昇して排気ガス
中の有害物質をより早期に浄化できるように配設されて
いる。
の上流側に、各始動時触媒18に流入する排気ガスの排
気空燃比を検出する上流側空燃比センサ(上流側空燃比
検出手段)20がそれぞれ配設されている。始動時触媒
18の下流側では排気管が一つにまとめられて下流側排
気通路7bに移行している。下流側排気通路7b上に
は、HC吸着型排気浄化触媒19が配設されている。HC吸
着型排気浄化触媒19の上流側(即ち、始動時触媒18
とHC吸着型排気浄化触媒19との中間部)には、HC吸着
型排気浄化触媒19に流入する排気ガスの排気空燃比を
検出する中間部空燃比センサ(中間部空燃比検出手段)
21が配設されている。
流側には、HC吸着型排気浄化触媒19から流出した排気
ガスの排気空燃比を検出する下流側空燃比センサ25が
配設されている。また、HC吸着型排気浄化触媒19に
は、その温度を検出する触媒温度センサ26が取り付け
られている。なお、センサを用いずに、HC吸着型排気浄
化触媒19の温度を推定することもできる。
5、スロットルポジションセンサ10、スロットルモー
タ11、アクセル開度センサ12、エアフローメーター
13、クランクポジションセンサ14、ノックセンサ1
6、水温センサ17、各空燃比センサ20,21,2
5、触媒温度センサ26やその他のアクチュエータ類・
センサ類は、エンジン1を総合的に制御する電子制御ユ
ニット(ECU)22と接続されており、ECU22か
らの信号に基づいて制御され、あるいは、検出結果をE
CU22に対して送出している。ECU22には、チャ
コールキャニスタ23によって捕集された燃料タンク内
での蒸発燃料を吸気通路4上にパージさせるパージコン
トロールバルブ24なども接続されている。
CPUや演算結果などの各種情報量を記憶するRAMや
バッテリによってその記憶内容が保持されるバックアッ
プRAM等を有している。そして、これらによって、E
CU22は、上流側空燃比センサ20によって検出され
る排気空燃比が所定の目標値となるようにメインフィー
ドバック制御する空燃比メインフィードバック制御手段
として機能する。また、ECU22は、中間部空燃比セ
ンサ21又は下流側空燃比センサ25によって検出され
る排気空燃比が所定の目標値となるようにサブフィード
バック制御する空燃比サブフィードバック制御手段とし
ても機能する。
ドバック制御については、既に述べたとおりであり、空
燃比制御においては空燃比メインフィードバック制御の
方が空燃比サブフィードバック制御よりも支配的であ
る。空燃比サブフィードバック制御は、空燃比メインフ
ィードバック制御に対して補助的な補正を加えて行われ
る制御である。なお、ECU22は、各空燃比制御手段
として、インジェクタ5から噴射する燃料量の制御を行
っている。
と空燃比サブフィードバック制御の関係について、簡単
に説明する。空燃比メインフィードバック制御は、始動
時触媒18の上流側に配置された上流側空燃比センサ2
0の検出結果に基づいて燃料噴射量(空燃比)をフィー
ドバック制御するものである。空燃比メインフィードバ
ック制御によって、目標とする制御空燃比に対して現状
の空燃比のズレを逐次フィードバック(PI制御)し、
目標とする空燃比に制御する。
御は、HC吸着型排気浄化触媒19の下流側に配置された
下流側空燃比センサ25、あるいは、始動時触媒18と
HC吸着側排気浄化触媒19との間に配置された中間部空
燃比センサ21によって検出される排気空燃比(酸素濃
度)に関する出力を目標出力とするために、上述した空
燃比メインフィードバック制御の目標空燃比に対して補
正を行うものである。空燃比サブフィードバック制御に
よって、目標とするセンサ出力と現状のセンサ出力との
差に応じて適正な補正を行う。
メインフィードバック量edfiは次式(i)に基づいて算出
される。 edfi=EGMFBP×ekmfbp×edfckm+EGMFBI×ekm
fbi×esdfc …(i) EGMFBP:メインフィードバ
ック比例ゲイン ekmfbp:メインフィードバック
比例負荷係数 edfckm:実筒内燃料量と目標燃料
量との偏差(変数) EGMFBI:メインフィードバ
ック積分ゲイン ekmfbi:メインフィードバック比例負荷係数 es
dfc :実筒内燃料量と目標燃料量との偏差の積算値(変
数)
制御(比例−積分制御)なので、(i)式には比例制御
(P制御)分と積分制御(I制御)分の項がある。な
お、メインフィードバック量edfiは、メインフィードバ
ック制御の結果として基本燃料噴射量に対して反映され
る(基本燃料噴射量を増減させる)燃料噴射量である。
edfiは、燃料噴射量として直接算出されてもよいし、燃
料噴射量や燃料噴射弁の開弁時間などに変換される元と
なる値として算出されてもよい。
ついては次式(ii)によって得られる。 edcfkm=emc/eab
yf−efcr …(ii) emc :吸入空気量(エアフ
ロセンサ13によって検出) eabyf :吸入空燃比(上流側空燃比センサ20による検
出結果を補正したもの) efcr :目標筒内燃料
量 即ち、emc/eabyfの項が実筒内燃料量に相当する。
て得られる。 esdfc=Σedcfkm …(iii) 即ち、esdfcは上述したよう
にedcfkmの積算値である。 このようにして、空燃比メ
インフィードバック制御のメインフィードバック量が算
出される。空燃比サブフィードバック制御は、上述した
eabyfをに対してサブフィードバック量を反映させて、e
abyfを補正することによってメインフィードバック制御
に補正を加える。
サブフィードバック量の算出について説明する。空燃比
サブフィードバック制御もPI制御である。サブフィー
ドバック量evafsfbは次式(iv)に基づいて算出される。
ここで説明する空燃比サブフィードバック制御は、空燃
比センサの電圧値に基づいて演算を行っている。 evaf
sfb=EGSFBP×edvos+EGSFBI×esdvos …(iv) E
GSFBP:サブフィードバック比例ゲイン edvos
:サブフィードバック制御に用いる空燃比センサの出
力電圧と目標電圧との差 EGSFBI:サブフィード
バック積分ゲイン esdvos:サブフィードバック
制御に用いる空燃比センサの出力電圧と目標電圧との差
の積算
を、上述したメインフィードバック量edfiに対して反映
させるのであるが、これは既に述べたようにeabyfを介
して反映される。eabyfの空燃比センサの出力電圧相当
値をevabyfとすれば、evabyfは次式(v)によって求めら
れる。 evabyf=evafbse+evafsfbg+evafstg+evafsfb
…(v) evafbse :吸入空燃比(上流側空燃比
センサ20の出力電圧値) evafsfbg:サブフィ
ードバック制御学習値(電圧相当値) evafstg :空燃比センサストイキ電圧学習値(電圧相当
値)
力電圧値そのままである。evafsfbgはサブフィードバッ
ク制御の履歴から求められる学習値であり、サブフィー
ドバック制御の精度を向上させるために用いられるもの
である。evafstgは、上流側空燃比センサ20の冷間時
出力(ストイキ相当出力)に基づいて、上流側空燃比セ
ンサ20の基準出力(ストイキ出力)のズレを学習して
補正するものである。そして、ここに上述したサブフィ
ードバック制御量が加算(サブフィードバック制御量画
布の値であれば、実際は減算になる)される。
力が、見かけ上、リッチ側かリーン側にあるように設定
される。これに基づいて、上流空燃比センサ20によっ
て検出される空燃比出力(出力電圧)を所定のメインフ
ィードバック目標空燃比(目標電圧値)となるようにメ
インフィードバック制御が行われることによって、サブ
フィードバック制御量が制御に反映される。即ち、空燃
比サブフィードバック制御が行われない場合を考える
と、evabyfはevafbse+evafsfbg+evafstgとして得ら
れ、センサ出力を精度向上のために補正しただけの値と
なる。しかし、ここでは、このセンサ出力値をサブフィ
ードバック制御量を用いて見かけ上ずらすことによっ
て、空燃比サブフィードバック制御の補正を空燃比メイ
ンフィードバック制御に反映させている。
て、フローチャートを用いて説明する。なお、上述した
ように、本実施形態においては基本的に上流側空燃比セ
ンサ20に基づく空燃比メインフィードバック制御が行
われている(内燃機関が空燃比メインフィードバック制
御を行えないような状況にあるときなどは行われない場
合もある)。
を何れの空燃比センサ(中間部空燃比センサ21又は下
流側空燃比センサ25)に基づいて行うかを判断する際
のフローチャートを示す。上述したように、本実施形態
では、HC吸着型排気浄化触媒19に吸着されたHCがHC吸
着型排気浄化触媒19の温度上昇に伴って脱離を始めて
から吸着されたHCの脱離が完了するまでの間は、下流側
空燃比センサ25の出力に基づいて空燃比サブフィード
バック制御を行う。これに対して、吸着されたHCの脱離
が完了した後(及びHC吸着型排気浄化触媒19がHCを吸
着している間)は、中間部空燃比センサ21の出力に基
づいて空燃比サブフィードバック制御を行う。
は、空燃比サブフィードバック制御に用いる空燃比セン
サの選択に関するものであり、所定時間毎に繰り返し実
行される。まず、中間部空燃比センサ21及び下流側空
燃比センサ25の双方が活性化温度に達して活性化して
いるか否かを判断する(ステップ200)。各空燃比セ
ンサ21,25が活性化していなければ、正確な排気空
燃比を検出できないので、ステップ200が否定される
ような場合は、図2に示されるフローチャートを一旦抜
け、サブフィードバック制御は行われない。このとき、
空燃比メインフィードバック制御を行い得る状況であれ
ば、空燃比メインフィードバック制御のみが行われる。
空燃比メインフィードバック制御を行い得ない状況(例
えば、上流側空燃比センサ20が活性化していない状況
など)であれば、空燃比メインフィードバック制御は当
然行われない。
に、空燃比サブフィードバック制御を行うための実行条
件が成立しているか否かを判断する(ステップ21
0)。この実行条件とは、例えば、冷間時に燃料噴射量
が増量されているか否か、空燃比メインフィードバック
制御を実行中か否かなどである。ステップ210が否定
されるようであれば、図2に示されるフローチャートを
一旦抜ける。この場合は、空燃比サブフィードバック制
御は行われない。このときも、空燃比メインフィードバ
ック制御を行い得る状況であれば、空燃比メインフィー
ドバック制御のみが行われるのは上述したとおりであ
る。
は、次に、HC脱離開始フラグがオフか否かを判定する
(ステップ220)。ここで、HC脱離開始フラグ及びHC
脱離終了フラグについて図3を参照しつつ説明する。上
述したように、HC吸着型排気浄化触媒19は、その温度
が低いときにHCを吸着し、その温度が高くなると吸着し
たHCを脱離させる。本実施形態のHC吸着型排気浄化触媒
19は、HC吸着型排気浄化触媒19の温度が80度まで
はHCを吸着し、80度からHCを脱離させ始める。
離開始フラグは、HC吸着型排気浄化触媒19の温度が8
0度未満のときはオフとされ、80度以上のときにオン
とされる。即ち、HC脱離開始フラグがオフのときは、HC
吸着型排気浄化触媒19からのHCの脱離はまだ開始され
ていないと判断できる。一方、HC脱離開始フラグがオン
のときは、HC吸着型排気浄化触媒19からのHCの脱離は
開始されており、脱離中であるか、HCの脱離が既に終了
しているかであると判断できる。
離終了フラグも用いられる。本実施形態のHC吸着型排気
浄化触媒19では、HC吸着型排気浄化触媒19の温度が
250度以上となれば、吸着していたHCをすべて脱離さ
せたと判断できる。このため、図3に示されるように、
HC脱離終了フラグは、HC吸着型排気浄化触媒19の温度
が250度未満のときはオフとされ、250度以上のと
きにオンとされる。即ち、HC脱離終了フラグがオフのと
きは、HC吸着型排気浄化触媒19からのHCの脱離はまだ
開始されていないか、脱離中であると判断できる。一
方、HC脱離終了フラグがオンのときは、HC吸着型排気浄
化触媒19からのHCの脱離が既に終了しているかである
と判断できる。
フラグの双方を同時に参照することによって、HC吸着型
排気浄化触媒19の状況を知ることができる。HC脱離開
始フラグ・オフ+HC脱離終了フラグ・オフであれば(HC
脱離開始フラグがオフであればHC脱離終了フラグは必ず
オフ)、HC吸着型排気浄化触媒はHCを吸着中である。HC
脱離開始フラグ・オン+HC脱離終了フラグ・オフであれ
ば、HC吸着型排気浄化触媒はHCを脱離させている状態で
ある。HC脱離開始フラグ・オン+HC脱離終了フラグ・オ
ンであれば、HC吸着型排気浄化触媒はHCを既に脱離させ
てしまった状態である。
は、HC吸着型排気浄化触媒はHCを吸着中であるから、中
間部空燃比センサ21の出力に基づいて、即ち、HC吸着
型排気浄化触媒19に流入する排気ガスの排気空燃比に
基づいて空燃比サブフィードバック制御が実行される
(ステップ230)。一方、上述したステップ220が
否定される場合は、次に、HC脱離終了フラグがオフか否
かを判定する(ステップ240)。ステップ240が肯
定される場合は、HC吸着型排気浄化触媒はHCを脱離させ
ている間であるから、下流側空燃比センサ25の出力に
基づいて、即ち、HC吸着型排気浄化触媒19から流出す
る排気ガスの排気空燃比に基づいて空燃比サブフィード
バック制御が実行される(ステップ250)。
着型排気浄化触媒はHCを全て脱離させた後であるから、
中間部空燃比センサ21の出力に基づいて、即ち、HC吸
着型排気浄化触媒19に流入する排気ガスの排気空燃比
に基づいて空燃比サブフィードバック制御が実行される
(ステップ260)。なお、空燃比サブフィードバック
制御においても、上述した空燃比メインフィードバック
制御と同様に、実際には、中間部空燃比センサ21(又
は下流側空燃比センサ25)の出力電圧と排気空燃比と
の間の整合性が予め実験などによって検証されており、
中間部空燃比センサ21(又は下流側空燃比センサ2
5)の出力電圧が所定の目標電圧となるように制御が行
われる。
からHCが脱離している間のみ下流側空燃比センサ25に
基づく空燃比サブフィードバックを行うことによって、
制御遅れや空燃比が荒れるのを防止し、的確な空燃比制
御を行うことができる。また、このとき、上述したよう
に、中間部空燃比センサ21に基づく空燃比サブフィー
ドバック制御のときのサブフィードバック目標空燃比
と、下流側空燃比センサ25に基づく空燃比サブフィー
ドバック制御のときのサブフィードバック目標空燃比と
を、各状況に合わせて設定する(一方のサブフィードバ
ック目標空燃比に対して他方を変更する)ことによっ
て、排気浄化をより的確に行うことができる。
気浄化触媒19からHCが脱離している間における下流側
空燃比センサ25に基づく空燃比サブフィードバック制
御のときのサブフィードバック目標空燃比を、中間部空
燃比センサ21に基づく空燃比サブフィードバック制御
のときのサブフィードバック目標空燃比よりもリーン側
に設定することによって、排気浄化性能の向上を図って
いる。図4に、サブフィードバック目標空燃比(空燃比
センサの目標出力電圧)の設定に関する制御のフローチ
ャートを示すものであり、所定時間毎に繰り返し実行さ
れる。サブフィードバック目標空燃比の切替制御につい
て、図4を参照しつつ説明する。
実行条件が成立しているか否かを判断する(ステップ4
00)。このステップは、図2に示されるフローチャー
トのステップ210と同一である。ステップ400が否
定される場合は、空燃比サブフィードバック制御は行わ
れない状況であるため、サブフィードバック目標空燃比
は設定されることなく、図4に示されるフローチャート
を一旦抜ける。一方、ステップ400が肯定される場合
は、次に、HC脱離開始フラグがオフか否かを判定する
(ステップ410)。このステップは、図2に示される
フローチャートのステップ220と同一である。
吸着型排気浄化触媒はHCを吸着中であるから、中間部空
燃比センサ21の出力に基づく、即ち、HC吸着型排気浄
化触媒19に流入する排気ガスの排気空燃比に基づく空
燃比サブフィードバック制御のためのサブフィードバッ
ク目標空燃比(ストイキ)が設定される(ステップ44
0)。一方、上述したステップ410が否定される場合
は、次に、HC脱離終了フラグがオフか否かを判定する
(ステップ420)。
吸着型排気浄化触媒はHCを脱離させている間であるか
ら、下流側空燃比センサ25の出力に基づく、即ち、HC
吸着型排気浄化触媒19から流出する排気ガスの排気空
燃比に基づく空燃比サブフィードバック制御のためのサ
ブフィードバック目標空燃比(弱リーン側)が設定され
る(ステップ430)。ステップ420が否定される場
合は、HC吸着型排気浄化触媒はHCを全て脱離させた後で
あるから、中間部空燃比センサ21の出力に基づく、即
ち、HC吸着型排気浄化触媒19に流入する排気ガスの排
気空燃比に基づく空燃比サブフィードバック制御のため
のサブフィードバック目標空燃比(ストイキ)が設定さ
れる(ステップ440)。
らHCが脱離している間は排気ガス中に含まれるHCに加え
てHC吸着型排気浄化触媒19から脱離するHCをも酸化し
て浄化する必要が生じるが、HC吸着型排気浄化触媒19
の下流側の排気空燃比の目標をリーン寄りに設定するこ
とで、このHC吸着型排気浄化触媒19から脱離する分の
HCをも確実に酸化でき、排気浄化性能の悪化を抑制する
ことができる。
が脱離しているような状況では、HC吸着型排気浄化触媒
19の酸素吸蔵機能は十分に発揮されていないので、HC
吸着型排気浄化触媒19内で消費される(吸蔵される)
酸素量は少ない。このような状況のときに下流側空燃比
センサ25の出力に基づいて空燃比サブフィードバック
制御を行うことで、脱離するHCに応じた空燃比制御が可
能となり、脱離したHCを浄化するのに必要な酸素をHC吸
着型排気浄化触媒19の内部に供給することができ、NO
x排出量の増加を抑止しつつHCの排出量を低減すること
ができる。
施形態のものに限定されない。例えば、上述した実施形
態においては、始動時触媒18は通常の三元触媒であっ
たが、NOx吸蔵還元型触媒であってもよい。また、空燃
比センサ20,21,25は、排気空燃比がリッチであ
るかリーンであるかでその出力をオンーオフ的に変化さ
せる、いわゆるO2センサであってもよいし、排気空燃
比をリッチからリーンにかけて比較的リニアに検出でき
る、いわゆるリニア空燃比センサであってもよい。もち
ろん、これらの任意の組み合わせであってもよい。
気筒エンジン1の各二気筒で一つの上流側排気通路7a
を形成していたが、本発明はこの形態に限定されるもの
ではない。例えばエンジンがV型エンジンなどの場合
は、各バンク毎に一つずつ上流側排気通路(上流側排気
浄化触媒)を配設することが自然である。
上述したように、触媒と、HC吸着型排気浄化触媒と、上
流側空燃比検出手段と、下流側空燃比検出手段と、上流
側空燃比検出手段によって検出される排気空燃比が所定
のメインフィードバック目標空燃比となるようにメイン
フィードバック制御を行う空燃比メインフィードバック
制御手段と、吸着されたHCがHC吸着型排気浄化触媒から
脱離している間は下流側空燃比検出手段によって検出さ
れた排気空燃比が所定のサブフィードバック目標空燃比
となるようにサブフィードバック制御を行う空燃比サブ
フィードバック制御手段とを備えている。
ら脱離している間は、下流側空燃比検出手段の検出結果
に基づいて空燃比サブフィードバック制御が行なわれ
る。HCがHC吸着型排気浄化触媒から脱離している間は、
噴射された燃料に含まれているHCに加えてHC吸着型排気
浄化触媒から脱離したHCも酸化して浄化させなくてはな
らない。本発明によれば、このような状況下において、
HC吸着型排気浄化触媒から流出する排気ガスの最終的な
排気空燃比に基づいてサブフィードバック制御を行うの
で的確な排気浄化を行うことができる。なお、このと
き、触媒に流入する排気ガスの排気空燃比に基づくメイ
ンフィードバック制御が行われており、サブフィードバ
ック制御分に関して時間がかかったとしても空燃比制御
全体としては的確な制御が行われるので、空燃比が荒れ
るなどして排気浄化性能が悪化するようなことがない。
る内燃機関を示す断面図である。
空燃比センサ(中間部空燃比センサ又は下流側空燃比セ
ンサ)を用いるかを決定するためのフローチャートであ
る。
を示すタイミングチャートである。
フィードバック目標空燃比を決定するためのフローチャ
ートである。
ンダ、4…吸気通路、5…インジェクタ、6…吸気バル
ブ、7…排気通路、7a…上流側排気通路、7b…下流
側排気通路、8…排気バルブ、9…スロットルバルブ、
10…スロットルポジションセンサ、11…スロットル
モータ、12…アクセル開度センサ、13…エアフロー
メーター、14…クランクポジションセンサ、15…ピ
ストン、16…ノックセンサ、17…水温センサ、18
…始動時触媒(触媒)、19…HC吸着型排気浄化触媒、
20…上流側空燃比センサ、21…中間部空燃比セン
サ、22…ECU(空燃比制御手段)、23…チャコー
ルキャニスタ、24…パージコントロールバルブ、25
…下流側空燃比センサ(下流側空燃比検出手段)、26
…触媒温度センサ。
3)
触媒を用いた内燃機関の空燃比制御装置に関する。
x、一酸化炭素CO、炭化水素HCなどの有害物質は、排気
通路上に配設された三元触媒によって浄化されている
(ディーゼルエンジンでは、上述した物質に加えて粒子
状物質も浄化する四元触媒も用いられる)。しかし、こ
のような三元触媒は、所定の活性化温度とならないとそ
の浄化性能を発揮できない。また、冷間始動直後には、
多量のHCが排出される傾向がある。このため、冷間始動
直後にHCを吸着する性質を有するHC吸着部材を排気通路
上に配置しておくことが行われている。
程度高温となったときに吸着したHCを脱離させるもので
ある。HCが脱離する際には、三元触媒が活性化温度に達
しており、脱離したHCを浄化することができる。このよ
うにすることによって、冷間始動直後に大気に放出され
るHCを低減することができる。なお、HC吸着部材を三元
触媒上に担持させたHC吸着型排気浄化触媒も実用化され
ている。このようなHC吸着型排気浄化触媒を用いた内燃
機関としては、特開平11-82111号公報に記載のものなど
が知られている。
材の性質と排気浄化触媒の性質とを併有している。HC吸
着型排気浄化触媒も、内燃機関の冷間始動直後は活性化
温度に達していないので、冷間始動直後に多量に排出さ
れるHCを十分に浄化することができない。そこで、HC吸
着型排気浄化触媒の場合は、冷間始動直後にHCを一旦吸
着させ、それ自身の温度上昇に伴ってHCを脱離させ、そ
れ自身の排気浄化機能を用いてこの脱離したHCを酸化さ
せて浄化する。HCが脱離する時点ではHC吸着型排気浄化
触媒は活性化温度に達している。
温度で早期に活性化温度にまで昇温されるように排気通
路の上流側に配置された始動時触媒(排気浄化触媒)
と、始動時触媒の下流側に配置されたHC吸着型排気浄化
触媒とを有している。そして、HC吸着型排気浄化触媒か
らHCが脱離している間は、脱離したHCを酸化させやすい
ように、HC吸着型排気浄化触媒の下流側に設置された空
燃比センサの出力に基づいてフィードバック制御(HCを
酸化させやすくするため、リーン制御)が行われる。HC
吸着型排気浄化触媒からHCが脱離していないときは、通
常のように始動時触媒の上流側に設置された空燃比セン
サに基づくフィードバック制御に切り替えられる。
着型排気浄化触媒のさらに下流側に配設された空燃比セ
ンサに基づいてフィードバック制御を行うので、内燃機
関の負荷変化や外乱(パージガスなどによる)などが下
流側の空燃比センサの出力に反映されるまでに時間がか
かる。そして、下流側の空燃比センサの出力に基づいて
フィードバック制御が行われるので、始動時触媒及びHC
吸着型排気浄化触媒の各酸素吸蔵作用などの影響も含め
目標空燃比に戻すまでに時間がかかり、制御が遅れがち
となる。この結果、排気浄化率が悪化する可能性があ
り、外乱などに対する制御性が悪いことが懸念される。
HC吸着型排気浄化触媒から脱離している間も空燃比を最
適化でき、排気浄化性能の悪化を抑制することのできる
内燃機関の空燃比制御装置を提供することにある。
比制御装置は、排気通路上の上流寄りに配置された触媒
と、触媒の下流側に配置され、低温時に炭化水素HCを吸
着し、温度上昇に伴って吸着した炭化水素HCを放出する
機能を有する排気浄化触媒であるHC吸着型排気浄化触媒
と、触媒の上流側に配設され、触媒に流入する排気ガス
の排気空燃比を検出する上流側空燃比検出手段と、HC吸
着型排気浄化触媒の下流側に配設され、HC吸着型排気浄
化触媒から流出する排気ガスの排気空燃比を検出する下
流側空燃比検出手段と、上流側空燃比検出手段によって
検出される排気空燃比が所定のメインフィードバック目
標空燃比となるようにメインフィードバック制御を行う
空燃比メインフィードバック制御手段と、吸着されたHC
がHC吸着型排気浄化触媒から脱離している間は下流側空
燃比検出手段によって検出された排気空燃比が所定のサ
ブフィードバック目標空燃比となるようにサブフィード
バック制御を行う空燃比サブフィードバック制御手段と
を備えていることを特徴としている。
ック制御が上流側空燃比検出手段の検出結果に基づいて
行なわれる。そして、吸着されたHCがHC吸着型排気浄化
触媒から脱離している間は、空燃比サブフィードバック
制御が、HC吸着型排気浄化触媒下流側の下流側空燃比検
出手段の検出結果に基づいて行なわれる。サブフィード
バック制御とは、メインフィードバック制御に対して補
助的に行われるフィードバック制御であり、制御全体に
対してはメインフィードバック制御が支配的である。サ
ブフィードバック制御は、そのフィードバック制御対象
が目標値となるように、メインフィードバック制御に対
して微小な補正を加える。ここでは、メインフィードバ
ック制御の対象が触媒に流入する排気ガスの排気空燃比
であり、サブフィードバック制御の対象がHC吸着型排気
浄化触媒から流出する排気ガスの排気空燃比である。
る間、即ち、噴射された燃料に含まれているHC以外の脱
離したHCも酸化して浄化させなくてはならない状況下に
おいて、HC吸着型排気浄化触媒から流出する排気ガスの
最終的な排気空燃比に基づいてサブフィードバック制御
を行うので的確な排気浄化を行うことができる。なお、
このとき、始動時触媒に流入する排気ガスの排気空燃比
に基づくメインフィードバック制御が行われており、サ
ブフィードバック制御分に関して時間がかかったとして
も空燃比制御全体としては的確な制御が行われるので、
空燃比が荒れるなどして排気浄化性能が悪化するような
ことがない。
着型排気浄化触媒の上流側に配設され、HC吸着型排気浄
化触媒に流入する排気ガスの排気空燃比を検出する中間
部空燃比検出手段をさらに備えており、空燃比サブフィ
ードバック制御手段が、吸着されたHCがHC吸着型排気浄
化触媒から脱離した後は中間部空燃比検出手段によって
検出された排気空燃比が所定のサブフィードバック目標
空燃比となるようにサブフィードバック制御を行うこと
が好ましい。
型排気浄化触媒から脱離した後は、中間部空燃比検出手
段によって検出されるHC吸着型排気浄化触媒に流入する
排気ガスの排気空燃比に基づいてサブフィードバック制
御を行うことになる。吸着されたHCがHC吸着型排気浄化
触媒から脱離した後は、HC吸着型排気浄化触媒から離脱
するHCはないので、HC吸着型排気浄化触媒に流入する排
気ガスの排気空燃比に基づいてサブフィードバック制御
を行うことによって、排気浄化を効果的に行うことがで
きる。なお、触媒に流入する排気ガスの排気空燃比に基
づくメインフィードバック制御が行われているのは既に
述べたとおりであり、サブフィードバック制御分に関し
て時間がかかったとしても空燃比制御全体としては的確
な制御が行われるので、空燃比が荒れるなどして排気浄
化性能が悪化するようなことがない。
気浄化触媒から脱離している間の下流側空燃比検出手段
のサブフィードバック目標空燃比に対して、吸着された
HCがHC吸着型排気浄化触媒から脱離した後の中間部空燃
比検出手段のサブフィードバック目標空燃比を変更する
ことが好ましい。このようにすれば、HC吸着型排気浄化
触媒からのHCの脱離の有無によって最適なサブフィード
バック目標空燃比が異なるので、各状況に応じた的確な
空燃比サブフィードバック制御を行うことができる。
気浄化触媒から脱離している間の下流側空燃比検出手段
のサブフィードバック目標空燃比を、吸着されたHCがHC
吸着型排気浄化触媒から脱離した後の中間部空燃比検出
手段のサブフィードバック目標空燃比よりもリーン側に
設定することが好ましい。このようにすれば、HC吸着型
排気浄化触媒からHCが脱離している間は、内燃機関の燃
焼後に排気ガス中に含まれるHCに加えて、HC吸着型排気
浄化触媒から脱離するHCをも酸化して浄化する必要が生
じるが、HC吸着型排気浄化触媒の下流側の排気空燃比の
目標をリーン寄りに設定することで、このHC吸着型排気
浄化触媒から脱離する分のHCをも確実に酸化でき、排気
浄化性能の悪化を抑制することができる。
は、触媒と、触媒の下流側に配置され、低温時に炭化水
素HCを吸着し、温度上昇に伴って吸着した炭化水素HCを
脱離させる機能を有する排気浄化触媒であるHC吸着型排
気浄化触媒とを備え、HC吸着型排気浄化触媒からの炭化
水素HCの脱離中は、触媒上流の空燃比センサにより空燃
比メインフィードバック制御を行うと共に、HC吸着型排
気浄化触媒下流側の空燃比センサ出力を目標出力にする
ように空燃比メインフィードバック制御の目標空燃比を
補正する空燃比サブフィードバック制御を行うことを特
徴としている。
る触媒上流の酸素センサにより空燃比メインフィードバ
ック制御を行うので、燃料噴射量制御へのフィードバッ
クは早い。また、HC吸着型排気浄化触媒下流側の空燃比
センサ出力を目標出力にするように空燃比メインフィー
ドバック制御の目標空燃比を補正する空燃比サブフィー
ドバック制御が行われるので、排気浄化性能を向上させ
ることもできる。この結果、HC吸着型排気浄化触媒から
のHC脱離中に機関負荷や外乱があっても、空燃比荒れに
対して燃料噴射量をフィードバックするタイミングが遅
れるのを抑制しつつ、良好な排気浄化性能を得ることが
できる。なお、ここでの空燃比センサとは、排気空燃比
がリッチ側にあるかリーン側にあるかでその出力を急変
させる、いわゆる酸素センサであっても良いし、排気空
燃比をリッチ側からリーン側にかけてリニアに検出す
る、いわゆるリニア空燃比センサであっても良い。
水素HCの脱離後は、触媒とHC吸着型排気浄化触媒との間
の空燃比センサ出力を目標出力にするように空燃比メイ
ンフィードバック制御の目標空燃比を補正する空燃比サ
ブフィードバック制御を行うことが好ましい。このよう
にすれば、HC吸着型排気浄化触媒からのHC脱離後は、HC
吸着型排気浄化触媒から離脱するHCはないので、HC吸着
型排気浄化触媒に流入する排気ガスの排気空燃比に基づ
いて空燃比サブフィードバック制御を行うことによっ
て、排気浄化を効果的に行うことができる。
らの炭化水素HCの脱離中と脱離後とで、空燃比センサ出
力の目標出力を変更することが好ましい。このようにす
ることで、HC吸着型排気浄化触媒からのHCの脱離の有無
に応じた的確な空燃比サブフィードバック制御を行うこ
とができる。特に、ここで、HC吸着型排気浄化触媒から
の炭化水素HCの脱離中に脱離後よりも、空燃比センサ出
力の目標出力をリーン側に変更することが好ましい。こ
のようにすることで、HC吸着型排気浄化触媒から脱離す
る分のHCをも確実に酸化でき、特にHC脱離中の排気浄化
性能を向上させることができる。
態について、図面を参照しつつ以下に説明する。図1
に、本実施形態の空燃比制御装置を有する内燃機関の構
成図を示す。
であるエンジン1の排気ガスの浄化を行うものである。
エンジン1の構成図を図1に示す。エンジン1は直列四
気筒エンジンであり、ここではそのうちの一気筒のみが
断面図として示されている。エンジン1は、点火プラグ
2によって各シリンダ3内の混合気に対して点火を行う
ことによって駆動力を発生する。エンジン1の燃焼に際
して、外部から吸入した空気は吸気通路4を通り、イン
ジェクタ5から噴射された燃料と混合され、混合気とし
てシリンダ3内に吸気される。
吸気バルブ6によって開閉される。シリンダ3の内部で
燃焼された混合気は、排気ガスとして排気通路7に排気
される。シリンダ3の内部と排気通路7との間は、排気
バルブ8によって開閉される。吸気通路4上には、シリ
ンダ3内に吸入される吸入空気量Gaを調節するスロット
ルバルブ9が配設されている。
検出するスロットルポジションセンサ10が接続されて
いる。スロットルバルブ9は電子制御によって開度が制
御されており、その開閉はスロットルモータ11によっ
て行なわれている。また、アクセルペダルの開度を検出
するアクセル開度センサ12も配設されている。また、
吸気通路4上には、吸入空気量Gaを検出するためのエア
フローメーター13も取り付けられている。
クランクシャフトの位置を検出するクランクポジション
センサ14が取り付けられている。クランクポジション
センサ14の出力からは、シリンダ3内のピストン15
の位置や、エンジン回転数NEを求めることもできる。ま
た、エンジン1には、エンジン1のノッキングを検出す
るノックセンサ16や冷却水温度を検出する水温センサ
17も取り付けられている。
と下流側排気通路7bとからなっている。上流側排気通
路7aは二つあり、並列して設けられている。本実施形
態のエンジン1は四気筒エンジンであり、ある二気筒か
らの排気管がまとめられて一方の上流側排気通路7aを
形成し、残りの二気筒からの排気管がまとめられて他方
の上流側排気通路7aを形成している。
気浄化触媒として始動時触媒(触媒)18が配設されて
いる。各始動時触媒18は三元触媒であり、酸素吸蔵機
能も有している。酸素吸蔵機能とは、排気ガスの排気空
燃比がリーンなときに排気ガス中の酸素を吸蔵し、排気
ガスの排気空燃比がストイキ又はリッチなときに吸蔵し
た酸素を放出する性質のことである。この酸素吸蔵機能
を利用することによって、排気ガス中の浄化すべき成分
をより効果的に浄化させることができる。なお、始動時
触媒18は、エンジン1の燃焼室(シリンダ3)に近い
ので排気ガスによって昇温されやすく、エンジン始動直
後により早期に触媒活性温度にまで上昇して排気ガス中
の有害物質をより早期に浄化できるように配設されてい
る。
の上流側に、各始動時触媒18に流入する排気ガスの排
気空燃比を検出する上流側空燃比センサ(上流側空燃比
検出手段)20がそれぞれ配設されている。始動時触媒
18の下流側では排気管が一つにまとめられて下流側排
気通路7bに移行している。下流側排気通路7b上に
は、HC吸着型排気浄化触媒19が配設されている。HC吸
着型排気浄化触媒19の上流側(即ち、始動時触媒18
とHC吸着型排気浄化触媒19との中間部)には、HC吸着
型排気浄化触媒19に流入する排気ガスの排気空燃比を
検出する中間部空燃比センサ(中間部空燃比検出手段)
21が配設されている。
側には、HC吸着型排気浄化触媒19から流出した排気ガ
スの排気空燃比を検出する下流側空燃比センサ25が配
設されている。また、HC吸着型排気浄化触媒19には、
その温度を検出する触媒温度センサ26が取り付けられ
ている。なお、センサを用いずに、HC吸着型排気浄化触
媒19の温度を推定することもできる。
スロットルポジションセンサ10、スロットルモータ1
1、アクセル開度センサ12、エアフローメーター1
3、クランクポジションセンサ14、ノックセンサ1
6、水温センサ17、各空燃比センサ20,21,2
5、触媒温度センサ26やその他のアクチュエータ類・
センサ類は、エンジン1を総合的に制御する電子制御ユ
ニット(ECU)22と接続されており、ECU22か
らの信号に基づいて制御され、あるいは、検出結果をE
CU22に対して送出している。ECU22には、チャ
コールキャニスタ23によって捕集された燃料タンク内
での蒸発燃料を吸気通路4上にパージさせるパージコン
トロールバルブ24なども接続されている。
CPUや演算結果などの各種情報量を記憶するRAMや
バッテリによってその記憶内容が保持されるバックアッ
プRAM等を有している。そして、これらによって、E
CU22は、上流側空燃比センサ20によって検出され
る排気空燃比が所定の目標値となるようにメインフィー
ドバック制御する空燃比メインフィードバック制御手段
として機能する。また、ECU22は、中間部空燃比セ
ンサ21又は下流側空燃比センサ25によって検出され
る排気空燃比が所定の目標値となるようにサブフィード
バック制御する空燃比サブフィードバック制御手段とし
ても機能する。
ドバック制御については、既に述べたとおりであり、空
燃比制御においては空燃比メインフィードバック制御の
方が空燃比サブフィードバック制御よりも支配的であ
る。空燃比サブフィードバック制御は、空燃比メインフ
ィードバック制御に対して補助的な補正を加えて行われ
る制御である。なお、ECU22は、各空燃比制御手段
として、インジェクタ5から噴射する燃料量の制御を行
っている。
と空燃比サブフィードバック制御の関係について、簡単
に説明する。空燃比メインフィードバック制御は、始動
時触媒18の上流側に配置された上流側空燃比センサ2
0の検出結果に基づいて燃料噴射量(空燃比)をフィー
ドバック制御するものである。空燃比メインフィードバ
ック制御によって、目標とする制御空燃比に対して現状
の空燃比のズレを逐次フィードバック(PI制御)し、
目標とする空燃比に制御する。
御は、HC吸着型排気浄化触媒19の下流側に配置された
下流側空燃比センサ25、あるいは、始動時触媒18と
HC吸着側排気浄化触媒19との間に配置された中間部空
燃比センサ21によって検出される排気空燃比(酸素濃
度)に関する出力を目標出力とするために、上述した空
燃比メインフィードバック制御の目標空燃比に対して補
正を行うものである。空燃比サブフィードバック制御に
よって、目標とするセンサ出力と現状のセンサ出力との
差に応じて適正な補正を行う。
メインフィードバック量edfiは次式(i)に基づいて算出
される。 edfi=EGMFBP×ekmfbp×edfckm+EGMFBI×ekmfbi×esdfc …(i) EGMFBP:メインフィードバック比例ゲイン ekmfbp:メインフィードバック比例負荷係数 edfckm:実筒内燃料量と目標燃料量との偏差(変数) EGMFBI:メインフィードバック積分ゲイン ekmfbi:メインフィードバック比例負荷係数 esdfc :実筒内燃料量と目標燃料量との偏差の積算値
(変数)
御(比例−積分制御)なので、(i)式には比例制御(P
制御)分と積分制御(I制御)分の項がある。なお、メ
インフィードバック量edfiは、メインフィードバック制
御の結果として基本燃料噴射量に対して反映される(基
本燃料噴射量を増減させる)燃料噴射量である。edfi
は、燃料噴射量として直接算出されてもよいし、燃料噴
射量や燃料噴射弁の開弁時間などに変換される元となる
値として算出されてもよい。
いては次式(ii)によって得られる。 edcfkm=emc/eabyf−efcr …(ii) emc :吸入空気量(エアフロセンサ13によって検
出) eabyf :吸入空燃比(上流側空燃比センサ20による検
出結果を補正したもの) efcr :目標筒内燃料量 即ち、emc/eabyfの項が実筒内燃料量に相当する。
得られる。 esdfc=Σedcfkm …(iii) 即ち、esdfcは上述したようにedcfkmの積算値である。
このようにして、空燃比メインフィードバック制御のメ
インフィードバック量が算出される。空燃比サブフィー
ドバック制御は、上述したeabyfをに対してサブフィー
ドバック量を反映させて、eabyfを補正することによっ
てメインフィードバック制御に補正を加える。
ブフィードバック量の算出について説明する。空燃比サ
ブフィードバック制御もPI制御である。サブフィード
バック量evafsfbは次式(iv)に基づいて算出される。こ
こで説明する空燃比サブフィードバック制御は、空燃比
センサの電圧値に基づいて演算を行っている。 evafsfb=EGSFBP×edvos+EGSFBI×esdvos …(iv) EGSFBP:サブフィードバック比例ゲイン edvos :サブフィードバック制御に用いる空燃比センサ
の出力電圧と目標電圧との差 EGSFBI:サブフィードバック積分ゲイン esdvos:サブフィードバック制御に用いる空燃比センサ
の出力電圧と目標電圧との差の積算
を、上述したメインフィードバック量edfiに対して反映
させるのであるが、これは既に述べたようにeabyfを介
して反映される。eabyfの空燃比センサの出力電圧相当
値をevabyfとすれば、evabyfは次式(v)によって求めら
れる。 evabyf=evafbse+evafsfbg+evafstg+evafsfb …(v) evafbse :吸入空燃比(上流側空燃比センサ20の出力
電圧値) evafsfbg:サブフィードバック制御学習値(電圧相当
値) evafstg :空燃比センサストイキ電圧学習値(電圧相当
値)
電圧値そのままである。evafsfbgはサブフィードバック
制御の履歴から求められる学習値であり、サブフィード
バック制御の精度を向上させるために用いられるもので
ある。evafstgは、上流側空燃比センサ20の冷間時出
力(ストイキ相当出力)に基づいて、上流側空燃比セン
サ20の基準出力(ストイキ出力)のズレを学習して補
正するものである。そして、ここに上述したサブフィー
ドバック制御量が加算(サブフィードバック制御量画布
の値であれば、実際は減算になる)される。
が、見かけ上、リッチ側かリーン側にあるように設定さ
れる。これに基づいて、上流空燃比センサ20によって
検出される空燃比出力(出力電圧)を所定のメインフィ
ードバック目標空燃比(目標電圧値)となるようにメイ
ンフィードバック制御が行われることによって、サブフ
ィードバック制御量が制御に反映される。即ち、空燃比
サブフィードバック制御が行われない場合を考えると、
evabyfはevafbse+evafsfbg+evafstgとして得られ、セ
ンサ出力を精度向上のために補正しただけの値となる。
しかし、ここでは、このセンサ出力値をサブフィードバ
ック制御量を用いて見かけ上ずらすことによって、空燃
比サブフィードバック制御の補正を空燃比メインフィー
ドバック制御に反映させている。
フローチャートを用いて説明する。なお、上述したよう
に、本実施形態においては基本的に上流側空燃比センサ
20に基づく空燃比メインフィードバック制御が行われ
ている(内燃機関が空燃比メインフィードバック制御を
行えないような状況にあるときなどは行われない場合も
ある)。
何れの空燃比センサ(中間部空燃比センサ21又は下流
側空燃比センサ25)に基づいて行うかを判断する際の
フローチャートを示す。上述したように、本実施形態で
は、HC吸着型排気浄化触媒19に吸着されたHCがHC吸着
型排気浄化触媒19の温度上昇に伴って脱離を始めてか
ら吸着されたHCの脱離が完了するまでの間は、下流側空
燃比センサ25の出力に基づいて空燃比サブフィードバ
ック制御を行う。これに対して、吸着されたHCの脱離が
完了した後(及びHC吸着型排気浄化触媒19がHCを吸着
している間)は、中間部空燃比センサ21の出力に基づ
いて空燃比サブフィードバック制御を行う。
空燃比サブフィードバック制御に用いる空燃比センサの
選択に関するものであり、所定時間毎に繰り返し実行さ
れる。まず、中間部空燃比センサ21及び下流側空燃比
センサ25の双方が活性化温度に達して活性化している
か否かを判断する(ステップ200)。各空燃比センサ
21,25が活性化していなければ、正確な排気空燃比
を検出できないので、ステップ200が否定されるよう
な場合は、図2に示されるフローチャートを一旦抜け、
サブフィードバック制御は行われない。このとき、空燃
比メインフィードバック制御を行い得る状況であれば、
空燃比メインフィードバック制御のみが行われる。空燃
比メインフィードバック制御を行い得ない状況(例え
ば、上流側空燃比センサ20が活性化していない状況な
ど)であれば、空燃比メインフィードバック制御は当然
行われない。
に、空燃比サブフィードバック制御を行うための実行条
件が成立しているか否かを判断する(ステップ21
0)。この実行条件とは、例えば、冷間時に燃料噴射量
が増量されているか否か、空燃比メインフィードバック
制御を実行中か否かなどである。ステップ210が否定
されるようであれば、図2に示されるフローチャートを
一旦抜ける。この場合は、空燃比サブフィードバック制
御は行われない。このときも、空燃比メインフィードバ
ック制御を行い得る状況であれば、空燃比メインフィー
ドバック制御のみが行われるのは上述したとおりであ
る。
は、次に、HC脱離開始フラグがオフか否かを判定する
(ステップ220)。ここで、HC脱離開始フラグ及びHC
脱離終了フラグについて図3を参照しつつ説明する。上
述したように、HC吸着型排気浄化触媒19は、その温度
が低いときにHCを吸着し、その温度が高くなると吸着し
たHCを脱離させる。本実施形態のHC吸着型排気浄化触媒
19は、HC吸着型排気浄化触媒19の温度が80度まで
はHCを吸着し、80度からHCを脱離させ始める。
開始フラグは、HC吸着型排気浄化触媒19の温度が80
度未満のときはオフとされ、80度以上のときにオンと
される。即ち、HC脱離開始フラグがオフのときは、HC吸
着型排気浄化触媒19からのHCの脱離はまだ開始されて
いないと判断できる。一方、HC脱離開始フラグがオンの
ときは、HC吸着型排気浄化触媒19からのHCの脱離は開
始されており、脱離中であるか、HCの脱離が既に終了し
ているかであると判断できる。
終了フラグも用いられる。本実施形態のHC吸着型排気浄
化触媒19では、HC吸着型排気浄化触媒19の温度が2
50度以上となれば、吸着していたHCをすべて脱離させ
たと判断できる。このため、図3に示されるように、HC
脱離終了フラグは、HC吸着型排気浄化触媒19の温度が
250度未満のときはオフとされ、250度以上のとき
にオンとされる。即ち、HC脱離終了フラグがオフのとき
は、HC吸着型排気浄化触媒19からのHCの脱離はまだ開
始されていないか、脱離中であると判断できる。一方、
HC脱離終了フラグがオンのときは、HC吸着型排気浄化触
媒19からのHCの脱離が既に終了しているかであると判
断できる。
ラグの双方を同時に参照することによって、HC吸着型排
気浄化触媒19の状況を知ることができる。HC脱離開始
フラグ・オフ+HC脱離終了フラグ・オフであれば(HC脱
離開始フラグがオフであればHC脱離終了フラグは必ずオ
フ)、HC吸着型排気浄化触媒はHCを吸着中である。HC脱
離開始フラグ・オン+HC脱離終了フラグ・オフであれ
ば、HC吸着型排気浄化触媒はHCを脱離させている状態で
ある。HC脱離開始フラグ・オン+HC脱離終了フラグ・オ
ンであれば、HC吸着型排気浄化触媒はHCを既に脱離させ
てしまった状態である。
は、HC吸着型排気浄化触媒はHCを吸着中であるから、中
間部空燃比センサ21の出力に基づいて、即ち、HC吸着
型排気浄化触媒19に流入する排気ガスの排気空燃比に
基づいて空燃比サブフィードバック制御が実行される
(ステップ230)。一方、上述したステップ220が
否定される場合は、次に、HC脱離終了フラグがオフか否
かを判定する(ステップ240)。ステップ240が肯
定される場合は、HC吸着型排気浄化触媒はHCを脱離させ
ている間であるから、下流側空燃比センサ25の出力に
基づいて、即ち、HC吸着型排気浄化触媒19から流出す
る排気ガスの排気空燃比に基づいて空燃比サブフィード
バック制御が実行される(ステップ250)。
着型排気浄化触媒はHCを全て脱離させた後であるから、
中間部空燃比センサ21の出力に基づいて、即ち、HC吸
着型排気浄化触媒19に流入する排気ガスの排気空燃比
に基づいて空燃比サブフィードバック制御が実行される
(ステップ260)。なお、空燃比サブフィードバック
制御においても、上述した空燃比メインフィードバック
制御と同様に、実際には、中間部空燃比センサ21(又
は下流側空燃比センサ25)の出力電圧と排気空燃比と
の間の整合性が予め実験などによって検証されており、
中間部空燃比センサ21(又は下流側空燃比センサ2
5)の出力電圧が所定の目標電圧となるように制御が行
われる。
らHCが脱離している間のみ下流側空燃比センサ25に基
づく空燃比サブフィードバックを行うことによって、制
御遅れや空燃比が荒れるのを防止し、的確な空燃比制御
を行うことができる。また、このとき、上述したよう
に、中間部空燃比センサ21に基づく空燃比サブフィー
ドバック制御のときのサブフィードバック目標空燃比
と、下流側空燃比センサ25に基づく空燃比サブフィー
ドバック制御のときのサブフィードバック目標空燃比と
を、各状況に合わせて設定する(一方のサブフィードバ
ック目標空燃比に対して他方を変更する)ことによっ
て、排気浄化をより的確に行うことができる。
気浄化触媒19からHCが脱離している間における下流側
空燃比センサ25に基づく空燃比サブフィードバック制
御のときのサブフィードバック目標空燃比を、中間部空
燃比センサ21に基づく空燃比サブフィードバック制御
のときのサブフィードバック目標空燃比よりもリーン側
に設定することによって、排気浄化性能の向上を図って
いる。図4に、サブフィードバック目標空燃比(空燃比
センサの目標出力電圧)の設定に関する制御のフローチ
ャートを示すものであり、所定時間毎に繰り返し実行さ
れる。サブフィードバック目標空燃比の切替制御につい
て、図4を参照しつつ説明する。
行条件が成立しているか否かを判断する(ステップ40
0)。このステップは、図2に示されるフローチャート
のステップ210と同一である。ステップ400が否定
される場合は、空燃比サブフィードバック制御は行われ
ない状況であるため、サブフィードバック目標空燃比は
設定されることなく、図4に示されるフローチャートを
一旦抜ける。一方、ステップ400が肯定される場合
は、次に、HC脱離開始フラグがオフか否かを判定する
(ステップ410)。このステップは、図2に示される
フローチャートのステップ220と同一である。
着型排気浄化触媒はHCを吸着中であるから、中間部空燃
比センサ21の出力に基づく、即ち、HC吸着型排気浄化
触媒19に流入する排気ガスの排気空燃比に基づく空燃
比サブフィードバック制御のためのサブフィードバック
目標空燃比(ストイキ)が設定される(ステップ44
0)。一方、上述したステップ410が否定される場合
は、次に、HC脱離終了フラグがオフか否かを判定する
(ステップ420)。
着型排気浄化触媒はHCを脱離させている間であるから、
下流側空燃比センサ25の出力に基づく、即ち、HC吸着
型排気浄化触媒19から流出する排気ガスの排気空燃比
に基づく空燃比サブフィードバック制御のためのサブフ
ィードバック目標空燃比(弱リーン側)が設定される
(ステップ430)。ステップ420が否定される場合
は、HC吸着型排気浄化触媒はHCを全て脱離させた後であ
るから、中間部空燃比センサ21の出力に基づく、即
ち、HC吸着型排気浄化触媒19に流入する排気ガスの排
気空燃比に基づく空燃比サブフィードバック制御のため
のサブフィードバック目標空燃比(ストイキ)が設定さ
れる(ステップ440)。
HCが脱離している間は排気ガス中に含まれるHCに加えて
HC吸着型排気浄化触媒19から脱離するHCをも酸化して
浄化する必要が生じるが、HC吸着型排気浄化触媒19の
下流側の排気空燃比の目標をリーン寄りに設定すること
で、このHC吸着型排気浄化触媒19から脱離する分のHC
をも確実に酸化でき、排気浄化性能の悪化を抑制するこ
とができる。
脱離しているような状況では、HC吸着型排気浄化触媒1
9の酸素吸蔵機能は十分に発揮されていないので、HC吸
着型排気浄化触媒19内で消費される(吸蔵される)酸
素量は少ない。このような状況のときに下流側空燃比セ
ンサ25の出力に基づいて空燃比サブフィードバック制
御を行うことで、脱離するHCに応じた空燃比制御が可能
となり、脱離したHCを浄化するのに必要な酸素をHC吸着
型排気浄化触媒19の内部に供給することができ、NOx
排出量の増加を抑止しつつHCの排出量を低減することが
できる。
形態のものに限定されない。例えば、上述した実施形態
においては、始動時触媒18は通常の三元触媒であった
が、NOx吸蔵還元型触媒であってもよい。また、空燃比
センサ20,21,25は、排気空燃比がリッチである
かリーンであるかでその出力をオンーオフ的に変化させ
る、いわゆるO2センサであってもよいし、排気空燃比
をリッチからリーンにかけて比較的リニアに検出でき
る、いわゆるリニア空燃比センサであってもよい。もち
ろん、これらの任意の組み合わせであってもよい。
気筒エンジン1の各二気筒で一つの上流側排気通路7a
を形成していたが、本発明はこの形態に限定されるもの
ではない。例えばエンジンがV型エンジンなどの場合
は、各バンク毎に一つずつ上流側排気通路(上流側排気
浄化触媒)を配設することが自然である。
上述したように、触媒と、HC吸着型排気浄化触媒と、上
流側空燃比検出手段と、下流側空燃比検出手段と、上流
側空燃比検出手段によって検出される排気空燃比が所定
のメインフィードバック目標空燃比となるようにメイン
フィードバック制御を行う空燃比メインフィードバック
制御手段と、吸着されたHCがHC吸着型排気浄化触媒から
脱離している間は下流側空燃比検出手段によって検出さ
れた排気空燃比が所定のサブフィードバック目標空燃比
となるようにサブフィードバック制御を行う空燃比サブ
フィードバック制御手段とを備えている。
脱離している間は、下流側空燃比検出手段の検出結果に
基づいて空燃比サブフィードバック制御が行なわれる。
HCがHC吸着型排気浄化触媒から脱離している間は、噴射
された燃料に含まれているHCに加えてHC吸着型排気浄化
触媒から脱離したHCも酸化して浄化させなくてはならな
い。本発明によれば、このような状況下において、HC吸
着型排気浄化触媒から流出する排気ガスの最終的な排気
空燃比に基づいてサブフィードバック制御を行うので的
確な排気浄化を行うことができる。なお、このとき、触
媒に流入する排気ガスの排気空燃比に基づくメインフィ
ードバック制御が行われており、サブフィードバック制
御分に関して時間がかかったとしても空燃比制御全体と
しては的確な制御が行われるので、空燃比が荒れるなど
して排気浄化性能が悪化するようなことがない。
内燃機関を示す断面図である。
空燃比センサ(中間部空燃比センサ又は下流側空燃比セ
ンサ)を用いるかを決定するためのフローチャートであ
る。
を示すタイミングチャートである。
ィードバック目標空燃比を決定するためのフローチャー
トである。
ンダ、4…吸気通路、5…インジェクタ、6…吸気バル
ブ、7…排気通路、7a…上流側排気通路、7b…下流
側排気通路、8…排気バルブ、9…スロットルバルブ、
10…スロットルポジションセンサ、11…スロットル
モータ、12…アクセル開度センサ、13…エアフロー
メーター、14…クランクポジションセンサ、15…ピ
ストン、16…ノックセンサ、17…水温センサ、18
…始動時触媒(触媒)、19…HC吸着型排気浄化触媒、
20…上流側空燃比センサ、21…中間部空燃比セン
サ、22…ECU(空燃比制御手段)、23…チャコー
ルキャニスタ、24…パージコントロールバルブ、25
…下流側空燃比センサ(下流側空燃比検出手段)、26
…触媒温度センサ。
Claims (8)
- 【請求項1】 排気通路上の上流寄りに配置された触媒
と、 前記触媒の下流側に配置され、低温時に炭化水素HCを吸
着し、温度上昇に伴って吸着した炭化水素HCを放出する
機能を有する排気浄化触媒であるHC吸着型排気浄化触媒
と、 前記触媒の上流側に配設され、前記触媒に流入す
る排気ガスの排気空燃比を検出する上流側空燃比検出手
段と、 前記HC吸着型排気浄化触媒の下流側に配設さ
れ、前記HC吸着型排気浄化触媒から流出する排気ガスの
排気空燃比を検出する下流側空燃比検出手段と、 前記
上流側空燃比検出手段によって検出される排気空燃比が
所定のメインフィードバック目標空燃比となるようにメ
インフィードバック制御を行う空燃比メインフィードバ
ック制御手段と、 吸着されたHCが前記HC吸着型排気浄
化触媒から脱離している間は前記下流側空燃比検出手段
によって検出された排気空燃比が所定のサブフィードバ
ック目標空燃比となるようにサブフィードバック制御を
行う空燃比サブフィードバック制御手段とを備えている
ことを特徴とする内燃機関の空燃比制御装置。 - 【請求項2】 前記触媒の下流側、かつ、前記HC吸着型
排気浄化触媒の上流側に配設され、前記HC吸着型排気浄
化触媒に流入する排気ガスの排気空燃比を検出する中間
部空燃比検出手段をさらに備えており、 前記空燃比サ
ブフィードバック制御手段が、吸着されたHCが前記HC吸
着型排気浄化触媒から脱離した後は前記中間部空燃比検
出手段によって検出された排気空燃比が所定のサブフィ
ードバック目標空燃比となるようにサブフィードバック
制御を行うことを特徴とする請求項1に記載の内燃機関
の空燃比制御装置。 - 【請求項3】 吸着されたHCが前記HC吸着型排気浄化触
媒から脱離している間の前記下流側空燃比検出手段のサ
ブフィードバック目標空燃比に対して、吸着されたHCが
前記HC吸着型排気浄化触媒から脱離した後の前記中間部
空燃比検出手段のサブフィードバック目標空燃比を変更
することを特徴とする請求項2に記載の内燃機関の空燃
比制御装置。 - 【請求項4】 吸着されたHCが前記HC吸着型排気浄化触
媒から脱離している間の前記下流側空燃比検出手段のサ
ブフィードバック目標空燃比を、吸着されたHCが前記HC
吸着型排気浄化触媒から脱離した後の前記中間部空燃比
検出手段のサブフィードバック目標空燃比よりもリーン
側に設定することを特徴とする請求項3に記載の内燃機
関の空燃比制御装置。 - 【請求項5】 触媒と、前記触媒の下流側に配置され、
低温時に炭化水素HCを吸着し、温度上昇に伴って吸着し
た炭化水素HCを脱離させる機能を有する排気浄化触媒で
あるHC吸着型排気浄化触媒とを備え、 前記HC吸着型排
気浄化触媒からの炭化水素HCの脱離中は、前記触媒上流
の空燃比センサにより空燃比メインフィードバック制御
を行うと共に、前記HC吸着型排気浄化触媒下流側の空燃
比センサ出力を目標出力にするように前記空燃比メイン
フィードバック制御の目標空燃比を補正する空燃比サブ
フィードバック制御を行うことを特徴とする内燃機関の
空燃比制御装置。 - 【請求項6】 前記HC吸着型排気浄化触媒からの炭化水
素HCの脱離後は、前記触媒と前記HC吸着型排気浄化触媒
との間の空燃比センサ出力を目標出力にするように前記
空燃比メインフィードバック制御の目標空燃比を補正す
る空燃比サブフィードバック制御を行うことを特徴とす
る請求項5に記載の内燃機関の空燃比制御装置。 - 【請求項7】 前記HC吸着型排気浄化触媒からの炭化水
素HCの脱離中と脱離後とで、前記空燃比センサ出力の目
標出力を変更したことを特徴とする請求項6に記載の内
燃機関の空燃比制御装置。 - 【請求項8】 前記HC吸着型排気浄化触媒からの炭化水
素HCの脱離中に脱離後よりも、前記空燃比センサ出力の
目標出力をリーン側に変更したことを特徴とする請求項
7に記載の内燃機関の空燃比制御装置。
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