JP2002543625A - ディスプレイアプリケーションのための最小パターンニングされた半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
薄膜トランジスタアレイは、少なくとも第1のトランジスタおよび第2のトランジスタを備える。各トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体電極と、ゲート電極と、半導体層とを備える。半導体層は、第1のトランジスタと第2のトランジスタとの間に連続している。半導体層は、好ましくは、非パターンニングされたされている。様々なディスプレイアプリケーションにおいて、トランジスタのジオメトリを選択して、許容可能なリーク電流を供給する。好適な実施形態において、トランジスタアレイは、カプセル化電気泳動ディスプレイにおいて使用される。
Description
【0001】 (関連出願) 本出眼は、1999年5月5日に出願された米国特許仮出願第USSN60/
132,642号に対する優先権を主張し、そのすべての内容は、参考として本
明細書中に援用される。
132,642号に対する優先権を主張し、そのすべての内容は、参考として本
明細書中に援用される。
【0002】 (発明の分野) 本発明は、概して電子ディスプレイおよび電子ディスプレイを製造する方法に
関し、より詳細には、電子ディスプレイアプリケーションのための半導体デバイ
スおよび半導体デバイスを製造するための方法に関する。
関し、より詳細には、電子ディスプレイアプリケーションのための半導体デバイ
スおよび半導体デバイスを製造するための方法に関する。
【0003】 (発明の背景) カプセル型粒子ベースのディスプレイは、電子ディスプレイを生成するための
有用な手段を提供する。カプセル型電気泳動ディスプレイ、カプセル型懸濁粒子
ディスプレイ、および回転ボールディスプレイを含む多くの型のカプセル型粒子
ベースのディスプレイが存在する。
有用な手段を提供する。カプセル型電気泳動ディスプレイ、カプセル型懸濁粒子
ディスプレイ、および回転ボールディスプレイを含む多くの型のカプセル型粒子
ベースのディスプレイが存在する。
【0004】 カプセル型粒子ベースのディスプレイは、高反射、双安定、および光学的かつ
電気的に効率の良い状態で製造され得る。しかし、高解像度表示を得るためには
、ディスプレイの個々のピクセルが隣接したピクセルから干渉なしにアドレス指
定可能である必要がある。この目的を達成するための1方法は、各トランジスタ
またはダイオードが各ピクセルと関連するトランジスタまたはダイオードなどの
非線形素子のアレイを提供することである。アドレス電極は、トランジスタまた
はダイオードを介して各ピクセルに接続される。
電気的に効率の良い状態で製造され得る。しかし、高解像度表示を得るためには
、ディスプレイの個々のピクセルが隣接したピクセルから干渉なしにアドレス指
定可能である必要がある。この目的を達成するための1方法は、各トランジスタ
またはダイオードが各ピクセルと関連するトランジスタまたはダイオードなどの
非線形素子のアレイを提供することである。アドレス電極は、トランジスタまた
はダイオードを介して各ピクセルに接続される。
【0005】 薄膜トランジスタおよびダイオードのアクティブマトリクスアレイを製造する
プロセスは、ディスプレイ技術において十分確立されている。例えば、薄膜トラ
ンジスタは、様々な堆積およびフォトリソグラフィ技術を使用して製造され得る
。トランジスタは、ゲート電極と、絶縁誘電体層と、半導体層とソース電極およ
びドレイン電極とを含む。ゲート電極への電圧の印加は、半導体層にわたる電界
を供給し、このことは、半導体層のソースからドレインへの導電率を劇的に増加
させる。この変化で、ソース電極とゲート電極との間の電気伝導が可能になる。
ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は通常パターンニングされる。概し
て、半導体層およびゲート誘電体層も、隣接回路素子間の漂遊伝導(すなわち、
クロストーク)を最小限にするためにパターンニングされる。これらの工程の次
に、薄膜トランジスタが、高性能を提供するために製造され得る。しかし、これ
らのプロセスは、結果として著しくコストがかかり得る。
プロセスは、ディスプレイ技術において十分確立されている。例えば、薄膜トラ
ンジスタは、様々な堆積およびフォトリソグラフィ技術を使用して製造され得る
。トランジスタは、ゲート電極と、絶縁誘電体層と、半導体層とソース電極およ
びドレイン電極とを含む。ゲート電極への電圧の印加は、半導体層にわたる電界
を供給し、このことは、半導体層のソースからドレインへの導電率を劇的に増加
させる。この変化で、ソース電極とゲート電極との間の電気伝導が可能になる。
ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は通常パターンニングされる。概し
て、半導体層およびゲート誘電体層も、隣接回路素子間の漂遊伝導(すなわち、
クロストーク)を最小限にするためにパターンニングされる。これらの工程の次
に、薄膜トランジスタが、高性能を提供するために製造され得る。しかし、これ
らのプロセスは、結果として著しくコストがかかり得る。
【0006】 薄膜トランジスタの製造における高いコストは、一部はパターンニングの工程
の結果生じる。なぜなら、この工程は、フォトリソグラフィ構成およびエッチン
グ工程における高価なマスクの使用が必要であるからである。より高性能なデバ
イスを製造することへの趨勢は、精度パターンニングをより一層重要なものにし
、製造コストをさらに大きくしている。
の結果生じる。なぜなら、この工程は、フォトリソグラフィ構成およびエッチン
グ工程における高価なマスクの使用が必要であるからである。より高性能なデバ
イスを製造することへの趨勢は、精度パターンニングをより一層重要なものにし
、製造コストをさらに大きくしている。
【0007】 しかし、幾つかの電子デバイスは、コストは依然として非常に重要であるが、
高性能を要求しない。そのようなデバイスについて、よりよい歩留まりおよび製
造コストの低減を獲得するための手段を有することが依然として望まれている。
高性能を要求しない。そのようなデバイスについて、よりよい歩留まりおよび製
造コストの低減を獲得するための手段を有することが依然として望まれている。
【0008】 (発明の要旨) 1局面において、本発明は、より低い製造コストを有する電子回路を特徴とし
、別の局面においては、本発明は、より簡単な処理工程を含む電子回路製造の方
法を特徴とする。詳細には、回路はディスプレイデバイスにおけるアプリケーシ
ョンを有する。好適な実施形態において、回路は、ソースとドレインとの間の電
流を仲介する半導体層が連続している薄膜トランジスタを含む。好適な実施形態
において、半導体層は、パターンニングされない。随意的に、回路は、パターン
ニングされていない誘電体層を含み得る。
、別の局面においては、本発明は、より簡単な処理工程を含む電子回路製造の方
法を特徴とする。詳細には、回路はディスプレイデバイスにおけるアプリケーシ
ョンを有する。好適な実施形態において、回路は、ソースとドレインとの間の電
流を仲介する半導体層が連続している薄膜トランジスタを含む。好適な実施形態
において、半導体層は、パターンニングされない。随意的に、回路は、パターン
ニングされていない誘電体層を含み得る。
【0009】 1つの別の実施形態において、トランジスタ間の間隔は、許容可能なリーク電
流を獲得するために選択される。トランジスタのジオメトリは、第一のデータ線
と第二のデータ線との間の許容可能なリーク電流を獲得するために選択され得る
。あるいは、第一のデータ線と第一のピクセル電極との間の間隔は、第一のデー
タ線と第一のピクセル電極との間の許容可能なリーク電流を提供するために選択
され得る。
流を獲得するために選択される。トランジスタのジオメトリは、第一のデータ線
と第二のデータ線との間の許容可能なリーク電流を獲得するために選択され得る
。あるいは、第一のデータ線と第一のピクセル電極との間の間隔は、第一のデー
タ線と第一のピクセル電極との間の許容可能なリーク電流を提供するために選択
され得る。
【0010】 1局面において、薄膜トランジスタのアレイは、少なくとも第一および第二の
トランジスタを含み、トランジスタの各々は、ソース電極と、ソース電極から間
隔を空けて配置されたドレイン電極と、ソース電極およびドレイン電極両方と電
気的につながる半導体層と、ソース電極とドレイン電極との間の半導体層の抵抗
が、ゲート電極の電位を変化させることによって変化され得るように半導体層に
隣接して配置されるゲート電極とを含む。半導体層は、第一のトランジスタから
第二のトランジスタに連続して広がる。
トランジスタを含み、トランジスタの各々は、ソース電極と、ソース電極から間
隔を空けて配置されたドレイン電極と、ソース電極およびドレイン電極両方と電
気的につながる半導体層と、ソース電極とドレイン電極との間の半導体層の抵抗
が、ゲート電極の電位を変化させることによって変化され得るように半導体層に
隣接して配置されるゲート電極とを含む。半導体層は、第一のトランジスタから
第二のトランジスタに連続して広がる。
【0011】 別の局面において、電子ディスプレイは、ディスプレイ媒体と、ディスプレイ
媒体に隣接して設けられた第一のピクセル電極および第二のピクセル電極と、第
一のピクセル電極と電気的につながる第一の電子デバイスおよび第二のピクセル
電極と電気的につながる第二の電子デバイスであって、第一の電極を含む第一の
電子デバイスおよび第二の電極を含む第二の電子デバイスと、第一の電極および
第二の電極と電気的につながる半導体層を含み、その半導体層は、第一の電極か
ら第二の電極へ連続的に広がる。
媒体に隣接して設けられた第一のピクセル電極および第二のピクセル電極と、第
一のピクセル電極と電気的につながる第一の電子デバイスおよび第二のピクセル
電極と電気的につながる第二の電子デバイスであって、第一の電極を含む第一の
電子デバイスおよび第二の電極を含む第二の電子デバイスと、第一の電極および
第二の電極と電気的につながる半導体層を含み、その半導体層は、第一の電極か
ら第二の電極へ連続的に広がる。
【0012】 なお別の局面において、少なくとも第一のトランジスタおよび第二のトランジ
スタを含む薄膜トランジスタのアレイは、次の工程を包含する方法によって製造
される。基板を提供する工程と、パターンニングされていない半導体層を基板に
隣接して形成する工程と、トランジスタの各々に対して少なくとも1つのパター
ンニングされたドレイン電極を形成する工程であって、そのドレイン電極は半導
体層と電気的につながる、工程と、トランジスタの各々に対して少なくとも1つ
のパターンニングされたソース電極を形成する工程であって、そのソース電極は
半導体層と電気てきにつながる、工程と、トランジスタの各々に対して少なくと
も1つのゲート電極を形成する工程であって、トランジスタの1つのソース電極
とドレイン電極との間の半導体層の抵抗が、そのゲート電極の電位を変化させる
ことによって変化され得るように、そのゲート電極は半導体層に隣接する、工程
とを包含する。
スタを含む薄膜トランジスタのアレイは、次の工程を包含する方法によって製造
される。基板を提供する工程と、パターンニングされていない半導体層を基板に
隣接して形成する工程と、トランジスタの各々に対して少なくとも1つのパター
ンニングされたドレイン電極を形成する工程であって、そのドレイン電極は半導
体層と電気的につながる、工程と、トランジスタの各々に対して少なくとも1つ
のパターンニングされたソース電極を形成する工程であって、そのソース電極は
半導体層と電気てきにつながる、工程と、トランジスタの各々に対して少なくと
も1つのゲート電極を形成する工程であって、トランジスタの1つのソース電極
とドレイン電極との間の半導体層の抵抗が、そのゲート電極の電位を変化させる
ことによって変化され得るように、そのゲート電極は半導体層に隣接する、工程
とを包含する。
【0013】 (好適な実施形態の詳細な説明) 本発明の前述ならびに他の目的、特徴および利点、ならびに本発明自体は、添
付の図面と共に読まれることにより、好適な実施形態の以下の説明からより完全
に理解される。
付の図面と共に読まれることにより、好適な実施形態の以下の説明からより完全
に理解される。
【0014】 1局面において、本発明は、ディスプレイアプリケーションのための最小限に
パターンニングされた半導体デバイスを特徴とする。好適な実施形態において、
半導体デバイスは、薄膜トランジスタのアレイである。図1を参照して、トラン
ジスタのアレイ10は、基板12と、基板12に隣接して設けられる各トランジ
スタに対するゲート電極14と、基板12およびゲート電極14に隣接して設け
られたゲート誘電体層16と、ゲート誘電体層16に隣接して設けられた半導体
層18と、半導体層18に隣接して設けられた各トランジスタに対するソース電
極20およびドレイン電極22を含む。
パターンニングされた半導体デバイスを特徴とする。好適な実施形態において、
半導体デバイスは、薄膜トランジスタのアレイである。図1を参照して、トラン
ジスタのアレイ10は、基板12と、基板12に隣接して設けられる各トランジ
スタに対するゲート電極14と、基板12およびゲート電極14に隣接して設け
られたゲート誘電体層16と、ゲート誘電体層16に隣接して設けられた半導体
層18と、半導体層18に隣接して設けられた各トランジスタに対するソース電
極20およびドレイン電極22を含む。
【0015】 薄膜トランジスタの製造のために、基板12は、例えばシリコンウェハ、ガラ
ス基板、スチール箔、またはプラスティックシートであり得る。ゲート電極14
は、例えば、金属または導電ポリマーなどの任意の導電性材料であり得る。半導
体層18として使用するための材料は、例えば、アモルハスシリコンまたはポリ
シリコンなどの無機材料であり得る。あるいは、半導体層18は、ポリチオフェ
ンおよびその誘導体、オリゴチオフェン、およびペンタセンなどの有機半導体で
形成され得る。概して、従来の薄膜トランジスタを生成する際に有用な任意の半
導体材料が、この実施形態において使用され得る。ゲート誘電体層16のための
材料は、有機または無機の材料であり得る。適切な材料の例は、ポリイミド、シ
リコン酸化物、および様々な無機のコーティングおよびガラスを含むが、これら
に限定されない。ソース電極20およびドレイン電極22は、金属または導電性
ポリマーなどの任意の導電性材料で製造され得る。
ス基板、スチール箔、またはプラスティックシートであり得る。ゲート電極14
は、例えば、金属または導電ポリマーなどの任意の導電性材料であり得る。半導
体層18として使用するための材料は、例えば、アモルハスシリコンまたはポリ
シリコンなどの無機材料であり得る。あるいは、半導体層18は、ポリチオフェ
ンおよびその誘導体、オリゴチオフェン、およびペンタセンなどの有機半導体で
形成され得る。概して、従来の薄膜トランジスタを生成する際に有用な任意の半
導体材料が、この実施形態において使用され得る。ゲート誘電体層16のための
材料は、有機または無機の材料であり得る。適切な材料の例は、ポリイミド、シ
リコン酸化物、および様々な無機のコーティングおよびガラスを含むが、これら
に限定されない。ソース電極20およびドレイン電極22は、金属または導電性
ポリマーなどの任意の導電性材料で製造され得る。
【0016】 図1に示されるトランジスタのアレイは、多くの適切な方法の任意の1つを使
用して製造され得る。例えば、蒸着またはスパッタリングなどの真空に基づいた
方法は、トランジスタを形成するために必要な材料を堆積するために使用され得
、その後堆積された材料はパターンニングされ得る。あるいは、ウェットプリン
ト方法または転写方法が、トランジスタを形成するために必要な材料を堆積する
ために使用され得る。
用して製造され得る。例えば、蒸着またはスパッタリングなどの真空に基づいた
方法は、トランジスタを形成するために必要な材料を堆積するために使用され得
、その後堆積された材料はパターンニングされ得る。あるいは、ウェットプリン
ト方法または転写方法が、トランジスタを形成するために必要な材料を堆積する
ために使用され得る。
【0017】 図1の1実施形態において、電極14、20、22(すなわち、ゲート電極、
ソース電極およびドレイン電極)がパターンニングされる一方で、半導体層18
およびゲート誘電体層16はパターンニングされず、結果として処理の手間およ
びコストの著しい削減となる。この回路設計は、隣接したトランジスタ間のいく
らかのクロストークを示し得る。しかし、クロストークの程度は、幾つかのアプ
リケーションについて許容可能なレベルに低減され得る。
ソース電極およびドレイン電極)がパターンニングされる一方で、半導体層18
およびゲート誘電体層16はパターンニングされず、結果として処理の手間およ
びコストの著しい削減となる。この回路設計は、隣接したトランジスタ間のいく
らかのクロストークを示し得る。しかし、クロストークの程度は、幾つかのアプ
リケーションについて許容可能なレベルに低減され得る。
【0018】 幾つかのアプリケーションについて、ある程度のクロストークが許容され得る
。例えば、ディスプレイのほんのわずかのグレーレベルの状態しかアドレス指定
されない場合、小漂遊電圧はディスプレイの全体の見かけに著しくは影響を及ぼ
さない。加えて、ディスプレイが並の解像度に対して、または、大きな領域にわ
たって設計される場合は、近隣の回路素子は、互いにはるかに離れ、クロストー
クの影響を軽減する。
。例えば、ディスプレイのほんのわずかのグレーレベルの状態しかアドレス指定
されない場合、小漂遊電圧はディスプレイの全体の見かけに著しくは影響を及ぼ
さない。加えて、ディスプレイが並の解像度に対して、または、大きな領域にわ
たって設計される場合は、近隣の回路素子は、互いにはるかに離れ、クロストー
クの影響を軽減する。
【0019】 概して、クロストークのエラーが、任意の1つの特定のピクセル素子を囲むピ
クセル領域において所望でない光学的変化を引き起こす場合にのみ、クロストー
クのエラーがディスプレイにおいて顕著である。詳細には、ピクセルがたった2
つの可能な切換状態、すなわち暗か明のいずれかしか有さない場合、クロストー
クに起因する電子信号におけるわずかな変動は、ピクセルの光学的みかけを実質
的には変化させない。しかし、中間的な光学状態、すなわちグレーレベルがアド
レス指定される場合、ディスプレイピクセル素子はエラーに対してより敏感であ
る。この状態において、正しくないグレーレベルがピクセルによって表示される
可能性が高くなる。
クセル領域において所望でない光学的変化を引き起こす場合にのみ、クロストー
クのエラーがディスプレイにおいて顕著である。詳細には、ピクセルがたった2
つの可能な切換状態、すなわち暗か明のいずれかしか有さない場合、クロストー
クに起因する電子信号におけるわずかな変動は、ピクセルの光学的みかけを実質
的には変化させない。しかし、中間的な光学状態、すなわちグレーレベルがアド
レス指定される場合、ディスプレイピクセル素子はエラーに対してより敏感であ
る。この状態において、正しくないグレーレベルがピクセルによって表示される
可能性が高くなる。
【0020】 特定のディスプレイタイプおよびアプリケーションに応じて、より小さなまた
はより大きなエラー許容度が好適であり得る。例えば、モノクロのディスプレイ
は、10%より多くのリーク電流を許容でき得るが、一方、256レベルのディ
スプレイは一般にかなり低いリークレベルを要求する。好適な実施形態において
、ディスプレイは、ピクセルを限定された数のグレーレベルを有するピクセルを
組み込む。この場合、所定のピクセルは、クロストークに誘導された電圧エラー
にあまり敏感でない。なぜなら、限定された数の光学的状態間に切り換えられる
からである。
はより大きなエラー許容度が好適であり得る。例えば、モノクロのディスプレイ
は、10%より多くのリーク電流を許容でき得るが、一方、256レベルのディ
スプレイは一般にかなり低いリークレベルを要求する。好適な実施形態において
、ディスプレイは、ピクセルを限定された数のグレーレベルを有するピクセルを
組み込む。この場合、所定のピクセルは、クロストークに誘導された電圧エラー
にあまり敏感でない。なぜなら、限定された数の光学的状態間に切り換えられる
からである。
【0021】 特定のディスプレイについて、許容可能なリークは、ピクセルによって見られ
る電気信号におけるエラーの程度および、そのことがピクセルの光学的状態にど
のように影響を及ぼすかに依存している。このことはディスプレイ媒体に依存し
ている。切り換えられるDC信号に依存するディスプレイ電気泳動および回転ボ
ールディスプレイ、強誘電性液晶ディスプレイを含むについて、電子信号の切り
換えは、印加される電圧の大きさおよび持続時間の両方に依存する。許容可能な
リークは、ディスプレイピクセルの光学的状態における最大許容可能エラーに相
当する。
る電気信号におけるエラーの程度および、そのことがピクセルの光学的状態にど
のように影響を及ぼすかに依存している。このことはディスプレイ媒体に依存し
ている。切り換えられるDC信号に依存するディスプレイ電気泳動および回転ボ
ールディスプレイ、強誘電性液晶ディスプレイを含むについて、電子信号の切り
換えは、印加される電圧の大きさおよび持続時間の両方に依存する。許容可能な
リークは、ディスプレイピクセルの光学的状態における最大許容可能エラーに相
当する。
【0022】 図1を参照して説明したトランジスタのアレイは、電子ディスプレイをアドレ
ス指定するために使用され得る。この実施形態は、次のものを含む様々な電子デ
ィスプレイに適用可能である。電気泳動ディスプレイ、液晶ディスプレイ、(有
機光発光材料を含む)放射ディスプレイ、および回転ボールディスプレイ。液晶
ディスプレイについて、エラー限定は、ピクセルにわたる電圧の時間平均平方を
要求する。電流駆動放射ディスプレイについて、電圧変動における許容可能な許
容度は、放射がピクセルを通る電流でどのように変化するかに依存する。概して
、光学状態において徐々に変化するのではなく、切換に関連してしきい値を有す
る切換要素を有するディスプレイタイプは、エラーをより許容する。
ス指定するために使用され得る。この実施形態は、次のものを含む様々な電子デ
ィスプレイに適用可能である。電気泳動ディスプレイ、液晶ディスプレイ、(有
機光発光材料を含む)放射ディスプレイ、および回転ボールディスプレイ。液晶
ディスプレイについて、エラー限定は、ピクセルにわたる電圧の時間平均平方を
要求する。電流駆動放射ディスプレイについて、電圧変動における許容可能な許
容度は、放射がピクセルを通る電流でどのように変化するかに依存する。概して
、光学状態において徐々に変化するのではなく、切換に関連してしきい値を有す
る切換要素を有するディスプレイタイプは、エラーをより許容する。
【0023】 許容可能なクロストークを有するトランジスタのアレイは、図2を参照して本
明細書中に提供される設計規則に従うことによって準備され得る。図2は、ディ
スプレイを駆動するための導電性リードおよび素子の平面図を示す。アレイは次
のものを含む。データ線30、32、選択線36、46、およびピクセル電極3
4、38、40、42。ピクセル電極34、38、40、42をアドレス指定す
るために、電圧が、適切なデータ線30、32および選択線36、46に印加さ
れる。例えば、特定のピクセル電極34をアドレス指定するために、電圧がデー
タ線46および選択線36に印加される。ディスプレイ素子の光学的特性におけ
る変化は、ディスプレイ素子に関連するピクセル電極34、38、40、42を
アドレス指定することによって達成される。
明細書中に提供される設計規則に従うことによって準備され得る。図2は、ディ
スプレイを駆動するための導電性リードおよび素子の平面図を示す。アレイは次
のものを含む。データ線30、32、選択線36、46、およびピクセル電極3
4、38、40、42。ピクセル電極34、38、40、42をアドレス指定す
るために、電圧が、適切なデータ線30、32および選択線36、46に印加さ
れる。例えば、特定のピクセル電極34をアドレス指定するために、電圧がデー
タ線46および選択線36に印加される。ディスプレイ素子の光学的特性におけ
る変化は、ディスプレイ素子に関連するピクセル電極34、38、40、42を
アドレス指定することによって達成される。
【0024】 好適な実施形態は、適切に機能するディスプレイのための2つの設計基準を含
む。まず、図2を参照して、隣接するデータ線30、32の間の抵抗のリークは
、各データ線30、32に印加される電圧が関連ドライバ素子によって所望の許
容度内に制御され得るように、小さくなければならない。隣接するデータ線間の
抵抗のリークは、ドライバ回路またはデータ線における許容不可能な抵抗の電圧
降下に至る場合は、非常に大きい。第二に、相当するトランジスタが「オフ」に
切り換えられた場合、ピクセル電極34を有するピクセル電極34に隣接する2
つのデータ線30または32の各々からの電流のリークは、許容不可能な光学的
アーチファクトを避けるためには十分小さい必要がある。
む。まず、図2を参照して、隣接するデータ線30、32の間の抵抗のリークは
、各データ線30、32に印加される電圧が関連ドライバ素子によって所望の許
容度内に制御され得るように、小さくなければならない。隣接するデータ線間の
抵抗のリークは、ドライバ回路またはデータ線における許容不可能な抵抗の電圧
降下に至る場合は、非常に大きい。第二に、相当するトランジスタが「オフ」に
切り換えられた場合、ピクセル電極34を有するピクセル電極34に隣接する2
つのデータ線30または32の各々からの電流のリークは、許容不可能な光学的
アーチファクトを避けるためには十分小さい必要がある。
【0025】 電気泳動およびツイストネマチックディスプレイなどのピクセル電極上の時間
可変電圧プロファイルによって、光学的特性が主に決定されるディスプレイでは
、電流のリークは、ピクセルが所定の光学的状態を維持することが要求される期
間(フレーム時間)にわたって十分小さい必要があり、それによりピクセル電圧
は、ある期間の間、許容不可能な量によって変化しない。データ線30とピクセ
ル電極34との間の大きな電流のリークは、ピクセル電圧において意図されない
シフトを引き起こし、従って、そのピクセルの光学的状態を変化させる。発光材
料を使用するディスプレイにおいて、そのような寄生リークの電流は、ピクセル
からの所望でない光発光を引き起こし得る。
可変電圧プロファイルによって、光学的特性が主に決定されるディスプレイでは
、電流のリークは、ピクセルが所定の光学的状態を維持することが要求される期
間(フレーム時間)にわたって十分小さい必要があり、それによりピクセル電圧
は、ある期間の間、許容不可能な量によって変化しない。データ線30とピクセ
ル電極34との間の大きな電流のリークは、ピクセル電圧において意図されない
シフトを引き起こし、従って、そのピクセルの光学的状態を変化させる。発光材
料を使用するディスプレイにおいて、そのような寄生リークの電流は、ピクセル
からの所望でない光発光を引き起こし得る。
【0026】 以下の説明は、上述の2つの設計基準がどのように計算され得るかを示す。半
導体層は、電気素子間の横方向ギャップよりはるかに薄いために、抵抗の計算は
薄膜近似を使用し得る。
導体層は、電気素子間の横方向ギャップよりはるかに薄いために、抵抗の計算は
薄膜近似を使用し得る。
【0027】 (第一の設計基準)隣接したデータ線30、32間の導電性は、列のピクセル
電極34、40の存在によって大いに促進される。効率的な伝導経路は、以下の
ように近似され得る。電流は、第一のデータ線30を介してデータ線30の隣の
列のピクセル電極34、40へリークし得る。ディスプレイは、第一の行のピク
セル電極34、38および第二の行のピクセル電極40、42を有することに留
意されたい。より一般的には、特定のディスプレイにN行あり、Nが整数である
場合、隣接データ線30、32間に平行なN個の導電経路が存在し、隣接データ
線30、32間の抵抗経路は、図3に示される抵抗素子によって近似され得る。
電極34、40の存在によって大いに促進される。効率的な伝導経路は、以下の
ように近似され得る。電流は、第一のデータ線30を介してデータ線30の隣の
列のピクセル電極34、40へリークし得る。ディスプレイは、第一の行のピク
セル電極34、38および第二の行のピクセル電極40、42を有することに留
意されたい。より一般的には、特定のディスプレイにN行あり、Nが整数である
場合、隣接データ線30、32間に平行なN個の導電経路が存在し、隣接データ
線30、32間の抵抗経路は、図3に示される抵抗素子によって近似され得る。
【0028】 図3を参照して、RTFTは、「オフ」状態における薄膜トランジスタチャネル
を介して第一のデータ線30とピクセル電極34との間の抵抗であり、R1は第
一のデータ線30とピクセル電極34との間のギャップの残りを介する抵抗であ
り、R2はピクセル電極34と第二のデータ線32との間のギャップを介する抵
抗である。隣接する電極34、40間の領域に沿って隣接するデータ線30、3
2間に直接提供される抵抗経路は、ピクセル電極34、40によって提供される
経路と比較して重要でないとして無視され得る。すなわちピクセル電極34、4
0は、良好な導体である。このモデルを使用して、隣接するデータ線30、32
をわたる抵抗(Rdd)は、次のように表され得る: Rdd=1/N[R2+(1/RTFT+1/R1)-1] ここで RTFT=ρL/Wh R1=ρL1/(Yp−W)h R2=ρL2/Yph Nはピクセル電極のろうの数であり、ρは半導体層のバルク抵抗であり、Lは
ソース電極とドレイン電極との間の距離であり、L1はデータ線と隣接するピク
セル電極との間の距離であり、L2は、ピクセル電極と隣接するデータ線との間
の距離であり、Ypはピクセル電極の幅であり、Wはチャネルの幅であり、そし
てhは連続した半導体層の厚さである。
を介して第一のデータ線30とピクセル電極34との間の抵抗であり、R1は第
一のデータ線30とピクセル電極34との間のギャップの残りを介する抵抗であ
り、R2はピクセル電極34と第二のデータ線32との間のギャップを介する抵
抗である。隣接する電極34、40間の領域に沿って隣接するデータ線30、3
2間に直接提供される抵抗経路は、ピクセル電極34、40によって提供される
経路と比較して重要でないとして無視され得る。すなわちピクセル電極34、4
0は、良好な導体である。このモデルを使用して、隣接するデータ線30、32
をわたる抵抗(Rdd)は、次のように表され得る: Rdd=1/N[R2+(1/RTFT+1/R1)-1] ここで RTFT=ρL/Wh R1=ρL1/(Yp−W)h R2=ρL2/Yph Nはピクセル電極のろうの数であり、ρは半導体層のバルク抵抗であり、Lは
ソース電極とドレイン電極との間の距離であり、L1はデータ線と隣接するピク
セル電極との間の距離であり、L2は、ピクセル電極と隣接するデータ線との間
の距離であり、Ypはピクセル電極の幅であり、Wはチャネルの幅であり、そし
てhは連続した半導体層の厚さである。
【0029】 適切に機能するディスプレイは、データ線30、32間の抵抗よりはるかに大
きな隣接するデータ線30、32間の抵抗電圧源(Rd)を有する。薄膜トラン
ジスタチャネルの幅が、ピクセル幅(Yp)よりはるかに小さい近似において、
この条件は、2つの不等式に従うディスプレイによって達成され得る: R1+R2>>NRd および RTFT>>NRd データ線はまた、選択線がオフ(アレイが選択されていない)間は、隣接するピ
クセルを電荷する必要はない。この要求は、次のように変換され得る: RTFT>>Rp および R2>>Rp Rpは、ピクセルを通る抵抗である。
きな隣接するデータ線30、32間の抵抗電圧源(Rd)を有する。薄膜トラン
ジスタチャネルの幅が、ピクセル幅(Yp)よりはるかに小さい近似において、
この条件は、2つの不等式に従うディスプレイによって達成され得る: R1+R2>>NRd および RTFT>>NRd データ線はまた、選択線がオフ(アレイが選択されていない)間は、隣接するピ
クセルを電荷する必要はない。この要求は、次のように変換され得る: RTFT>>Rp および R2>>Rp Rpは、ピクセルを通る抵抗である。
【0030】 アモルファスシリコンについて、(ドープされていない)抵抗率は、ほぼ10 8 ohm-cmである。典型的な半導体の厚さは、約500オングストロームであ
る。この情報およびピクセルの寸法は、関連した抵抗を計算するために使用され
得る。
る。この情報およびピクセルの寸法は、関連した抵抗を計算するために使用され
得る。
【0031】 (第二の設計基準) ピクセル電極34のデータ線30に対する最小間隔、L ms は、ピクセル電圧に対するリークの影響を考慮することにより得られ得る。ピ
クセル上の所望でない電圧の変化を避けるために、次の条件が適合され得る必要
がある: IleakTf≦CpδVp Ileakは、パターンニングされていない半導体層を通してデータ線からピクセル
電極へのリーク電流であり、Tfはフレーム時間であり、そしてCpはピクセルの
全キャパシタンスである。δVpは、ピクセル電極上のリークに誘導された電圧
シフトに対する最大許容度である。この値は、電圧の変化がピクセルの光学状態
およびディスプレイのパラメータによって規定される許容度にどのような影響を
与えるかに依存する。
クセル上の所望でない電圧の変化を避けるために、次の条件が適合され得る必要
がある: IleakTf≦CpδVp Ileakは、パターンニングされていない半導体層を通してデータ線からピクセル
電極へのリーク電流であり、Tfはフレーム時間であり、そしてCpはピクセルの
全キャパシタンスである。δVpは、ピクセル電極上のリークに誘導された電圧
シフトに対する最大許容度である。この値は、電圧の変化がピクセルの光学状態
およびディスプレイのパラメータによって規定される許容度にどのような影響を
与えるかに依存する。
【0032】 最大間隔におけるIleakは、次によって表され得る: Ileak=σwh(Vp−Vd)/Lms σは半導体材料の導電率であり、wはリーク経路の幅であり、hは下部の半導体
材料の厚さであり、そしてVdはデータ線の電圧である。
材料の厚さであり、そしてVdはデータ線の電圧である。
【0033】 上の2つの式を結合して、最小間隔Lmsを規定する次の関係を与える: Lms≧σwh(Vp−Vd)/CpixδVp 上記の説明は、単一のリーク源での実施形態に適用する。複数のリーク源が存在
する場合は、Ileakは、各リーク源からのリーク電流を含み、そして各リーク経
路についての最小間隔Lmsは、それに従って得られる必要がある。
する場合は、Ileakは、各リーク源からのリーク電流を含み、そして各リーク経
路についての最小間隔Lmsは、それに従って得られる必要がある。
【0034】 カプセル型電気泳動ディスプレイに使用のための薄膜トランジスタの好適な実
施形態は、図4aに示される。図4aを参照して、この好適な実施形態は、デー
タ線30’、32’、選択線36’、ピクセル電極34’、およびコンデンサ9
2’を含む。様々な物理的寸法は、ミクロンで示される。
施形態は、図4aに示される。図4aを参照して、この好適な実施形態は、デー
タ線30’、32’、選択線36’、ピクセル電極34’、およびコンデンサ9
2’を含む。様々な物理的寸法は、ミクロンで示される。
【0035】 図4aの実施形態は、図4bに断面図で示されるが、目盛りは示されない。図
4bを参照して、実施形態は、ゲート電極53’、SiN誘電体層54’、アモ
ルファスシリコン層56’、アモルファスシリコンコンタクト58’ドレイン電
極およびピクセル電極59’、およびコンデンサ92’を含む。
4bを参照して、実施形態は、ゲート電極53’、SiN誘電体層54’、アモ
ルファスシリコン層56’、アモルファスシリコンコンタクト58’ドレイン電
極およびピクセル電極59’、およびコンデンサ92’を含む。
【0036】 図4の実施形態の動作特性を示すために、サンプルは、好適なものとして2マ
スクプロセスまたは比較のため3マスクプロセスのいずれかを通して調整された
。2マスクプロセスにおいて、SiN誘電体層54’およびアモルファスシリコ
ン層56’は、パターンニングされなかったが、一方3マスクプロセスにおいて
は、SiN誘電体層54’およびアモルファスシリコン層56’両方がパターン
ニングされた。これら2つのサンプルについての物理的特性および実験的に測定
された電気特性は、下の表に与えられる。
スクプロセスまたは比較のため3マスクプロセスのいずれかを通して調整された
。2マスクプロセスにおいて、SiN誘電体層54’およびアモルファスシリコ
ン層56’は、パターンニングされなかったが、一方3マスクプロセスにおいて
は、SiN誘電体層54’およびアモルファスシリコン層56’両方がパターン
ニングされた。これら2つのサンプルについての物理的特性および実験的に測定
された電気特性は、下の表に与えられる。
【0037】
【表1】 予想されたように、パターンニングされなかったサンプルについてのリーク電
流およびオン/オフ比は、パターンニングされたサンプルより劣っている。しか
し、パターンニングされなかったサンプルは、上記で説明したように、多くのデ
ィスプレイアプリケーションについて適切でありかつ好適の両方である。図5を
参照して、2マスクサンプルのドレイン電流対ゲート電圧特性が示される。ドレ
イン電流は、ゲート電圧をゼロから30ボルトに変化させることによって大きさ
を5桁より大きく変化させ得る。この大きな範囲で、このトランジスタは、多く
のディスプレイのアプリケーションに適する。
流およびオン/オフ比は、パターンニングされたサンプルより劣っている。しか
し、パターンニングされなかったサンプルは、上記で説明したように、多くのデ
ィスプレイアプリケーションについて適切でありかつ好適の両方である。図5を
参照して、2マスクサンプルのドレイン電流対ゲート電圧特性が示される。ドレ
イン電流は、ゲート電圧をゼロから30ボルトに変化させることによって大きさ
を5桁より大きく変化させ得る。この大きな範囲で、このトランジスタは、多く
のディスプレイのアプリケーションに適する。
【0038】 薄膜トランジスタアレイのさらに別の実施形態が次に与えられる。図6を参照
して、底部のゲートトランジスタのアレイ50は、基板52、基板52に隣接し
て設けられた各トランジスタについてのパターンニングされたゲート電極53、
ゲート電極53および基板52に隣接して設けられた誘電体層54、誘電体層5
4に隣接して設けられたボロンをドープしたアモルファスシリコン層56、アモ
ルファスシリコンをドープした層56に隣接して設けられた複数のパターンニン
グされたn+をドープしたアモルファスシリコンコンタクト58、およびパター
ンニングされたn+をドープしたアモルファスシリコンコンタクト58に隣接し
て設けられたパターンニングされたソース電極、ドレイン電極またはピクセル電
極59を含む。各パターンニングされたn+をドープしたアモルファスシリコン
コンタクト58は、より良好な電気的接触を提供するために、アモルファスシリ
コン層56とパターンニングされた電極60との間に設けられる。金属半導体の
界面でのコンタクト58は、オームの挙動を確実にする。コンタクト58は、気
相においてPH3をSiH4に添加することによって堆積され得る。コンタクト5
8はまた、真性のアモルファスシリコン層56の選択された領域にn型ドーパン
トを直接イオン注入し、その後追加のn+アモルファスシリコンの堆積工程の代
わりとして、高温アニーリングによって達成され得る。しかし、コンタクト58
は、十分に機能するトランジスタを製造するためには必須ではない。
して、底部のゲートトランジスタのアレイ50は、基板52、基板52に隣接し
て設けられた各トランジスタについてのパターンニングされたゲート電極53、
ゲート電極53および基板52に隣接して設けられた誘電体層54、誘電体層5
4に隣接して設けられたボロンをドープしたアモルファスシリコン層56、アモ
ルファスシリコンをドープした層56に隣接して設けられた複数のパターンニン
グされたn+をドープしたアモルファスシリコンコンタクト58、およびパター
ンニングされたn+をドープしたアモルファスシリコンコンタクト58に隣接し
て設けられたパターンニングされたソース電極、ドレイン電極またはピクセル電
極59を含む。各パターンニングされたn+をドープしたアモルファスシリコン
コンタクト58は、より良好な電気的接触を提供するために、アモルファスシリ
コン層56とパターンニングされた電極60との間に設けられる。金属半導体の
界面でのコンタクト58は、オームの挙動を確実にする。コンタクト58は、気
相においてPH3をSiH4に添加することによって堆積され得る。コンタクト5
8はまた、真性のアモルファスシリコン層56の選択された領域にn型ドーパン
トを直接イオン注入し、その後追加のn+アモルファスシリコンの堆積工程の代
わりとして、高温アニーリングによって達成され得る。しかし、コンタクト58
は、十分に機能するトランジスタを製造するためには必須ではない。
【0039】 図7を参照して、上部ゲートトランジスタ60のアレイは、基板62、基板6
2に隣接して設けられた各トランジスタに対してパターンニングされたソース電
極、ドレイン電極、および/またはピクセル電極64、各電極64に隣接して設
けられたパターンニングされたn+アモルファスシリコンコンタクト66、コン
タクト66および基板62に隣接して設けられたボロンをドープしたアモルファ
スシリコン層68、ボロンをドープしたアモルファスシリコン層68に隣接して
設けられた誘電体層70、および誘電体層70に隣接して設けられた各トランジ
スタに対するゲート電極72を含む。
2に隣接して設けられた各トランジスタに対してパターンニングされたソース電
極、ドレイン電極、および/またはピクセル電極64、各電極64に隣接して設
けられたパターンニングされたn+アモルファスシリコンコンタクト66、コン
タクト66および基板62に隣接して設けられたボロンをドープしたアモルファ
スシリコン層68、ボロンをドープしたアモルファスシリコン層68に隣接して
設けられた誘電体層70、および誘電体層70に隣接して設けられた各トランジ
スタに対するゲート電極72を含む。
【0040】 図8を参照して、底部ゲートトランジスタ80のアレイは、図6のトランジス
タ50に実質的に類似する。図8のトランジスタ80は、ボロンをドープしたア
モルファスシリコン層56の露出された領域の上に設けられた不活性層82を含
む。不活性層82は、電極59のパターンニング後堆積され得る。例えば、不活
性層82は、窒化シリコンから成り得る。1実施形態において、光遮断層が、任
意の露出されたシリコン層56を保護するために、トランジスタのアレイに組み
込まれる。光遮断層は、光吸収または光反射のいずれかであり得る。
タ50に実質的に類似する。図8のトランジスタ80は、ボロンをドープしたア
モルファスシリコン層56の露出された領域の上に設けられた不活性層82を含
む。不活性層82は、電極59のパターンニング後堆積され得る。例えば、不活
性層82は、窒化シリコンから成り得る。1実施形態において、光遮断層が、任
意の露出されたシリコン層56を保護するために、トランジスタのアレイに組み
込まれる。光遮断層は、光吸収または光反射のいずれかであり得る。
【0041】 図9を参照して、底部ゲートトランジスタ90のアレイは、図8のトランジス
タ80のアレイに実質的に類似する。トランジスタ90のアレイは、基板コンデ
ンサ92をさらに組み込む。基板コンデンサ92は、前のゲート線53にわたっ
てピクセル電極94を単に延ばすことによって形成され得る。キャパシタンスは
、重なる領域に直接比例している。
タ80のアレイに実質的に類似する。トランジスタ90のアレイは、基板コンデ
ンサ92をさらに組み込む。基板コンデンサ92は、前のゲート線53にわたっ
てピクセル電極94を単に延ばすことによって形成され得る。キャパシタンスは
、重なる領域に直接比例している。
【0042】 1つの別の実施形態において、安価なディスプレイは、パターンニングの工程
数を最小化することによって製造され得る。そのようなディスプレイは、異なる
形式を取り得、大領域ディスプレイ、低ピクセル密度から中間のピクセル密度を
有するディスプレイ、またはマイクロカプセル型電気泳動ディスプレイデバイス
を含むが、これらに限定されない。好適な実施形態において、半導体層18、5
6、または68は、パターンニングされない。あるいは、誘電体層16、54、
または70は、パターンニングされない。あるいは、半導体層18、56、また
は68および誘電体層16、54、または70の両方が、パターンニングされな
い。
数を最小化することによって製造され得る。そのようなディスプレイは、異なる
形式を取り得、大領域ディスプレイ、低ピクセル密度から中間のピクセル密度を
有するディスプレイ、またはマイクロカプセル型電気泳動ディスプレイデバイス
を含むが、これらに限定されない。好適な実施形態において、半導体層18、5
6、または68は、パターンニングされない。あるいは、誘電体層16、54、
または70は、パターンニングされない。あるいは、半導体層18、56、また
は68および誘電体層16、54、または70の両方が、パターンニングされな
い。
【0043】 電子ディスプレイは、上述したようにトランジスタのアレイを組み込み得る。
図10を参照して、電子ディスプレイ100は、電極102を支持する基板10
1、電極102に隣接して設けられるディスプレイ媒体106、ディスプレイ媒
体106に隣接して設けられる複数のピクセル電極104、および分離した(d
iscrete)電子デバイスに隣接しかつ電気的につながって設けられた基板
110によって支持されるピクセル電極104に隣接しかつ電気的につながって
設けられた複数の分離した電子デバイス(例えば、トランジスタ)を含む。この
実施形態において、分離した電子デバイスは、トランジスタである。ゲート電極
112、ゲート誘電体層100、半導体層118およびトランジスタのソース電
極120が、この断面図に示される。
図10を参照して、電子ディスプレイ100は、電極102を支持する基板10
1、電極102に隣接して設けられるディスプレイ媒体106、ディスプレイ媒
体106に隣接して設けられる複数のピクセル電極104、および分離した(d
iscrete)電子デバイスに隣接しかつ電気的につながって設けられた基板
110によって支持されるピクセル電極104に隣接しかつ電気的につながって
設けられた複数の分離した電子デバイス(例えば、トランジスタ)を含む。この
実施形態において、分離した電子デバイスは、トランジスタである。ゲート電極
112、ゲート誘電体層100、半導体層118およびトランジスタのソース電
極120が、この断面図に示される。
【0044】 基板101は、透明な材料から作製され得る。基板101はまた、可撓性基板
であり得る。例えば、基板101は、ポリエステルから成り得る。電極102は
、通常の電極であり得る。あるいは、電極102は、複数のアレイの電極であり
得る。電極102は、透明な導電材料から成り得る。例えば、インジウムすず酸
化物(ITO)、ポリアニリン、またはポリチオフェンコーティングが、基板1
01の内部表面に設けられ得る。
であり得る。例えば、基板101は、ポリエステルから成り得る。電極102は
、通常の電極であり得る。あるいは、電極102は、複数のアレイの電極であり
得る。電極102は、透明な導電材料から成り得る。例えば、インジウムすず酸
化物(ITO)、ポリアニリン、またはポリチオフェンコーティングが、基板1
01の内部表面に設けられ得る。
【0045】 ディスプレイ媒体106は、バインダー126内に分散された複数のマイクロ
カプセル124を含み得る。各マイクロカプセル124は、電子光学材料を含み
得る。電子光学材料とは、電気的信号に応答して光学特性を表示する材料を言う
。電子光学材料は、例えば、溶媒中に分散された電気泳動粒子または液晶であり
得る。電子光学材料はまた、溶媒に分散された重クロム酸球(bichroma
l sphere)であり得る。マイクロカプセル124内の電子光学材料の詳
細は、以下で説明される。マイクロカプセル124内の電子光学材料の重要な特
性は、材料が電界の印加の際に1つの可視状態および異なる電界の印加の際に異
なる可視状態を表示し得ることである。
カプセル124を含み得る。各マイクロカプセル124は、電子光学材料を含み
得る。電子光学材料とは、電気的信号に応答して光学特性を表示する材料を言う
。電子光学材料は、例えば、溶媒中に分散された電気泳動粒子または液晶であり
得る。電子光学材料はまた、溶媒に分散された重クロム酸球(bichroma
l sphere)であり得る。マイクロカプセル124内の電子光学材料の詳
細は、以下で説明される。マイクロカプセル124内の電子光学材料の重要な特
性は、材料が電界の印加の際に1つの可視状態および異なる電界の印加の際に異
なる可視状態を表示し得ることである。
【0046】 1実施形態において、ディスプレイ媒体106は、粒子ベースのディスプレイ
媒体を含む。1つの詳細な実施形態において、粒子ベースのディスプレイ媒体は
、電子インクを含む。電子インクは、少なくとも2つの相:電気泳動対照媒体の
位相およびコーティング/結合相を含む光電子的にアクティブな材料である。電
気泳動位相は、幾つかの実施形態において、透明な媒体または着色された媒体に
分散された一種類の電気泳動粒子、あるいは透明な媒体または着色された媒体に
分散された異なる物理的特性および電気的特性を有する2つ以上の種類の電気泳
動粒子を含む。幾つかの実施形態において、電気泳動位相はカプセル型、すなわ
ち、2つの位相間にカプセル壁の相がある。コーティング/結合相は、1実施形
態において、電気泳動位相を囲むポリマーマトリクスを含む。この実施形態にお
いて、重合バインダー内のポリマーは、従来のインクと同じように、乾燥、架橋
、そうでなければ加硫(cure)され得、従って印刷プロセスは、電子インク
を基板上へ堆積するために使用され得る。
媒体を含む。1つの詳細な実施形態において、粒子ベースのディスプレイ媒体は
、電子インクを含む。電子インクは、少なくとも2つの相:電気泳動対照媒体の
位相およびコーティング/結合相を含む光電子的にアクティブな材料である。電
気泳動位相は、幾つかの実施形態において、透明な媒体または着色された媒体に
分散された一種類の電気泳動粒子、あるいは透明な媒体または着色された媒体に
分散された異なる物理的特性および電気的特性を有する2つ以上の種類の電気泳
動粒子を含む。幾つかの実施形態において、電気泳動位相はカプセル型、すなわ
ち、2つの位相間にカプセル壁の相がある。コーティング/結合相は、1実施形
態において、電気泳動位相を囲むポリマーマトリクスを含む。この実施形態にお
いて、重合バインダー内のポリマーは、従来のインクと同じように、乾燥、架橋
、そうでなければ加硫(cure)され得、従って印刷プロセスは、電子インク
を基板上へ堆積するために使用され得る。
【0047】 電子インクの光学特性は、他の電子ディスプレイ材料とはかなり異なる。最も
顕著な違いは、電子インクは、(通常の印刷インクと同じように)顔料ベースで
あるため、高度な反射率およびコントラスト両方を提供することである。電子イ
ンクから散乱された光は、観測(viewing)表面の上部に近接する顔料の
非常に薄い層から生じる。この点において、それは普通の印刷された画像に似て
いる。さらに、電子インクは、印刷されたページと同じ方法で、幅広い範囲の視
角から容易に見られ、そしてそのようなインクは、他の任意の電子ディスプレイ
材料よりランベルトのコントラストカーブにより接近して近づく。電子インクは
印刷されることが可能であるため、従来のインクを含めて他のすべての印刷材料
で同じ表面上に含まれ得る。電子インクは、すべてのディスプレイの構成におい
て光学的に安定させることが可能である。すなわち、インクは持続的光学状態に
設定され得る。電子インクを印刷することによるディスプレイの製造は、この安
定性のため低電力の用途に特に有用である。
顕著な違いは、電子インクは、(通常の印刷インクと同じように)顔料ベースで
あるため、高度な反射率およびコントラスト両方を提供することである。電子イ
ンクから散乱された光は、観測(viewing)表面の上部に近接する顔料の
非常に薄い層から生じる。この点において、それは普通の印刷された画像に似て
いる。さらに、電子インクは、印刷されたページと同じ方法で、幅広い範囲の視
角から容易に見られ、そしてそのようなインクは、他の任意の電子ディスプレイ
材料よりランベルトのコントラストカーブにより接近して近づく。電子インクは
印刷されることが可能であるため、従来のインクを含めて他のすべての印刷材料
で同じ表面上に含まれ得る。電子インクは、すべてのディスプレイの構成におい
て光学的に安定させることが可能である。すなわち、インクは持続的光学状態に
設定され得る。電子インクを印刷することによるディスプレイの製造は、この安
定性のため低電力の用途に特に有用である。
【0048】 電子インクディスプレイは、それらがDC電圧によってアドレスされ得、そし
てほとんど電流を引きつけない点において新規である。電圧を電子インクディス
プレイへ送達するために使用される導電リードおよび電極は、比較的に高い抵抗
率であり得る。抵抗導電体を使用する能力は、電子インクディスプレイにおいて
導電体として使用され得る材料の数とタイプを実質的に広げる。特に、液晶デバ
イスの標準的な材料である、高コストな真空スパッタリングされたインジウムす
ず酸化物(ITO)導電体は必要とされない。コストを節約することとは別に、
ITOを他の材料に取り替えることで、外観、処理能力(印刷導電体)、可撓性
、および耐久性における利益を提供し得る。加えて、印刷された電極は、(液晶
のように)流体層とではなく、固体のバインダーとのみ接触している。このこと
は、固体でなければ液晶と接触して融解したり劣化されたりする幾つかの導電材
料が、電子インクの用途に使用され得ることを意味する。これらは、後方電極の
ための不透明な金属インク(例えば、銀インクおよびグラファイトインク)、お
よびいずれかの基板のための導電性透明インクを含む。これらの導電性コーティ
ングは、導電性または半導電性のコロイドを含み、その例はインジウムすず酸化
物およびアンチモンをドープした酸化すずである。有機導体(重合性導電体およ
び分子性有機導電体)もまた使用され得る。ポリマーは、ポリアニリンおよびそ
の誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシ
チオフェン)(PEDOT)およびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体
、そしてポリフェニルエネビニレン(PPV)およびその誘導体を含むが、これ
らに限定されない。有機分子性導体は、ナフタレン、フタロシアニンおよびペン
タセンの誘導体を含むが、これらに限定されない。導電率の要求が厳格でないた
め、ポリマー層は、従来のディスプレイより薄くおよびより透明に作製され得る
。
てほとんど電流を引きつけない点において新規である。電圧を電子インクディス
プレイへ送達するために使用される導電リードおよび電極は、比較的に高い抵抗
率であり得る。抵抗導電体を使用する能力は、電子インクディスプレイにおいて
導電体として使用され得る材料の数とタイプを実質的に広げる。特に、液晶デバ
イスの標準的な材料である、高コストな真空スパッタリングされたインジウムす
ず酸化物(ITO)導電体は必要とされない。コストを節約することとは別に、
ITOを他の材料に取り替えることで、外観、処理能力(印刷導電体)、可撓性
、および耐久性における利益を提供し得る。加えて、印刷された電極は、(液晶
のように)流体層とではなく、固体のバインダーとのみ接触している。このこと
は、固体でなければ液晶と接触して融解したり劣化されたりする幾つかの導電材
料が、電子インクの用途に使用され得ることを意味する。これらは、後方電極の
ための不透明な金属インク(例えば、銀インクおよびグラファイトインク)、お
よびいずれかの基板のための導電性透明インクを含む。これらの導電性コーティ
ングは、導電性または半導電性のコロイドを含み、その例はインジウムすず酸化
物およびアンチモンをドープした酸化すずである。有機導体(重合性導電体およ
び分子性有機導電体)もまた使用され得る。ポリマーは、ポリアニリンおよびそ
の誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシ
チオフェン)(PEDOT)およびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体
、そしてポリフェニルエネビニレン(PPV)およびその誘導体を含むが、これ
らに限定されない。有機分子性導体は、ナフタレン、フタロシアニンおよびペン
タセンの誘導体を含むが、これらに限定されない。導電率の要求が厳格でないた
め、ポリマー層は、従来のディスプレイより薄くおよびより透明に作製され得る
。
【0049】 ピクセル電極104は、バインダーを通してディスプレイ媒体106に接着さ
れ得る。例えば、バインダーは、感圧接着材であり得る。ピクセル電極104は
、任意の導電材料で製造され得る。ピクセル電極104は、透明または不透明で
あり得る。例えば、ピクセル電極104は、ハンダペースト、銅、銅クラッドポ
リイミド、グラファイトインク、銀インク、および他の金属含有導電性インクで
作製され得る。ピクセル電極104は、基板110上に形成され、その後ディス
プレイ媒体106に結合され得る。
れ得る。例えば、バインダーは、感圧接着材であり得る。ピクセル電極104は
、任意の導電材料で製造され得る。ピクセル電極104は、透明または不透明で
あり得る。例えば、ピクセル電極104は、ハンダペースト、銅、銅クラッドポ
リイミド、グラファイトインク、銀インク、および他の金属含有導電性インクで
作製され得る。ピクセル電極104は、基板110上に形成され、その後ディス
プレイ媒体106に結合され得る。
【0050】 個別の電極デバイスは、ディスプレイのピクセルをアドレスするためのトラン
ジスタなどの非線形のデバイスであり得る。あるいは、非線形のデバイスはダイ
オードであり得る。
ジスタなどの非線形のデバイスであり得る。あるいは、非線形のデバイスはダイ
オードであり得る。
【0051】 電極112、120は、透明または不透明いずれかの任意の導電材料で作製さ
れ得る。導電材料は、印刷され、コーティングされ、または真空スパッタリング
され得る。例えば、電極102、112,120はまた、インジウムすず酸化物
などの透明な材料、およびポリアニリンまたはポリチオフェンなどの導電性ポリ
マーを使用して作製され得る。あるいは、電極102、112,120は、ハン
ダペースト、銅、銅クラッドポリイミド、グラファイトインク、銀インク、およ
び他の金属含有導電性インクなどの不透明な材料で作製され得る。
れ得る。導電材料は、印刷され、コーティングされ、または真空スパッタリング
され得る。例えば、電極102、112,120はまた、インジウムすず酸化物
などの透明な材料、およびポリアニリンまたはポリチオフェンなどの導電性ポリ
マーを使用して作製され得る。あるいは、電極102、112,120は、ハン
ダペースト、銅、銅クラッドポリイミド、グラファイトインク、銀インク、およ
び他の金属含有導電性インクなどの不透明な材料で作製され得る。
【0052】 図10に示される電子ディスプレイ100のアーキテクチャは、例示的のみで
あり、そして電子ディスプレイのための他のアーキテクチャも、本発明に従って
使用され得る。
あり、そして電子ディスプレイのための他のアーキテクチャも、本発明に従って
使用され得る。
【0053】 (電気泳動ディスプレイに使用のための材料) 上記で説明したカプセル型電気泳動ディスプレイを製造するための有用な材料
は、以下に詳細に説明される。これらの材料の多くは、従来の電気泳動ディスプ
レイを製造する当業者、またはマイクロカプセル化の当業者に周知である。カプ
セル型電気泳動ディスプレイに見られる他の必要な成分と共にこれらの材料およ
びプロセスの組合せが、本明細書中に記載される本発明を構成する。
は、以下に詳細に説明される。これらの材料の多くは、従来の電気泳動ディスプ
レイを製造する当業者、またはマイクロカプセル化の当業者に周知である。カプ
セル型電気泳動ディスプレイに見られる他の必要な成分と共にこれらの材料およ
びプロセスの組合せが、本明細書中に記載される本発明を構成する。
【0054】 (A.粒子) 上記で説明したように、電気泳動ディスプレイに使用のための粒子の選択にお
いて多くの適応性がある。本発明の目的のために、粒子は、帯電されるかまたは
電荷を獲得する可能性がある(すなわち、電気泳動移動度を有するまたはその性
能がある)任意の成分であり、そして、幾つかの場合において、この移動度は、
ゼロまたはゼロに接近し得る(すなわち、粒子は移動しない)。粒子は、ニート
顔料、または着色された(レーキされた)顔料あるいは顔料/ポリマーの複合体
、あるいは帯電されるかまたは電荷を獲得するがあるすべての他の成分であり得
る。電気泳動粒子について典型的に考慮することは、その光学特性、電気特性、
および表面の化学的性質である。粒子は、有機または無機の化合物であり得、光
を吸収または光を散乱するかいずれかであり得る。本発明に用いるための粒子は
、散乱する顔料、吸収する顔料および発光顔料をさらに含み得る。粒子は、コー
ナーキューブなどのように逆反射し得るか、またはAC電界によって励起された
場合、光を発する硫化亜鉛粒子などの電子ルミネセンスであり得るか、光ルミネ
センスであり得る。最後に、粒子は、帯電することまたは帯電剤との相互作用を
改善するため、すなわち分散性を改善するために、表面処理され得る。
いて多くの適応性がある。本発明の目的のために、粒子は、帯電されるかまたは
電荷を獲得する可能性がある(すなわち、電気泳動移動度を有するまたはその性
能がある)任意の成分であり、そして、幾つかの場合において、この移動度は、
ゼロまたはゼロに接近し得る(すなわち、粒子は移動しない)。粒子は、ニート
顔料、または着色された(レーキされた)顔料あるいは顔料/ポリマーの複合体
、あるいは帯電されるかまたは電荷を獲得するがあるすべての他の成分であり得
る。電気泳動粒子について典型的に考慮することは、その光学特性、電気特性、
および表面の化学的性質である。粒子は、有機または無機の化合物であり得、光
を吸収または光を散乱するかいずれかであり得る。本発明に用いるための粒子は
、散乱する顔料、吸収する顔料および発光顔料をさらに含み得る。粒子は、コー
ナーキューブなどのように逆反射し得るか、またはAC電界によって励起された
場合、光を発する硫化亜鉛粒子などの電子ルミネセンスであり得るか、光ルミネ
センスであり得る。最後に、粒子は、帯電することまたは帯電剤との相互作用を
改善するため、すなわち分散性を改善するために、表面処理され得る。
【0055】 本発明の電気泳動ディスプレイに使用するための好適な粒子は、チタニアであ
る。チタニア粒子は、例えば、酸化アルミニウムまたは酸化シリコンなどの酸化
金属でコーティングされ得る。例えばチタニア粒子は、1つか2つまたはそれ以
上の金属酸化物コーティング層を有し得る。例えば、本発明の電気泳動ディスプ
レイに使用のためのチタニア粒子は、酸化アルミニウムのコーティングおよび酸
化シリコンのコーティングを有し得る。コーティングは、任意の順序で粒子に添
加され得る。
る。チタニア粒子は、例えば、酸化アルミニウムまたは酸化シリコンなどの酸化
金属でコーティングされ得る。例えばチタニア粒子は、1つか2つまたはそれ以
上の金属酸化物コーティング層を有し得る。例えば、本発明の電気泳動ディスプ
レイに使用のためのチタニア粒子は、酸化アルミニウムのコーティングおよび酸
化シリコンのコーティングを有し得る。コーティングは、任意の順序で粒子に添
加され得る。
【0056】 電気泳動粒子は、通常顔料、ポリマー、レーキされた顔料、または上記の幾つ
かの組合せである。ニート顔料は、任意の顔料であり得、そして通常明るい色の
粒子については、例えば、ルチル(チタニア)、アナターゼ(チタニア)、硫酸
バリウム、カオリン、または酸化亜鉛などの顔料が有用である。幾つかの典型的
な粒子は、高屈折率、高散乱係数、および低吸収係数を有する。他の粒子は、ペ
イントやインクに使用されるカーボンブラックまたは着色顔料、などの吸収性の
あるものである。顔料はまた、懸濁流体に不溶性である必要がある。ジアリライ
ドイエロー、ハンザエロー、およびベンジジンイエローなどのイエロー顔料もま
た、類似のディスプレイの使用に見られる。任意の他の反射材料が、金属粒子な
どの非顔料材料を含めて明るい色の粒子のために使用され得る。
かの組合せである。ニート顔料は、任意の顔料であり得、そして通常明るい色の
粒子については、例えば、ルチル(チタニア)、アナターゼ(チタニア)、硫酸
バリウム、カオリン、または酸化亜鉛などの顔料が有用である。幾つかの典型的
な粒子は、高屈折率、高散乱係数、および低吸収係数を有する。他の粒子は、ペ
イントやインクに使用されるカーボンブラックまたは着色顔料、などの吸収性の
あるものである。顔料はまた、懸濁流体に不溶性である必要がある。ジアリライ
ドイエロー、ハンザエロー、およびベンジジンイエローなどのイエロー顔料もま
た、類似のディスプレイの使用に見られる。任意の他の反射材料が、金属粒子な
どの非顔料材料を含めて明るい色の粒子のために使用され得る。
【0057】 有用なニート顔料は、PbCrO4,Cyan Blue GT 55−32
95(American Cyanamid Company,Wayne,N
J), Cibacron Black BG(Ciba Company I
nc., Newport, DE),Cibacron Turquoise
,Blue G(Ciba), Cibalon Black BGL(Cib
a), Orasol Black BRG(Ciba), Orasol B
lack RBL(Ciba), Acetamine Blac, CBS(
E.I.du Pont de Nemours and Comapny,
Inc., Wilmington, DE), Crocein Scarl
et N Ex(du Pont)(27290), Fiber Black
VF(DuPont)(30235), Luxol Fast Black
L(DuPont)(Solv. Black 17), Nirosine
Base No.424(DuPont)(50415B), Oil Bl
ack BG(DuPont)(Solv. Black 16), Rota
lin Black RM(DuPont), Sevron Brillia
nt Red 3 B(DuPont); Basic Black DSC(
Dye Specialties, Inc.), Hectolene Bl
ack(Dye Specialties, Inc.), Azosol B
rilliant Blue B(GAF, Dyestuff and Ch
emical Division, Wayne, NJ)(Solv.Blu
e 9), Azosol Brilliant Green BA(GAF)
(Solv.Green 2), Azosol Fast Brillian
t Red B(GAF), Azosol Fast Orange RA
Conc.(GAF)(Solv. Orange 20), Azosol
Fast Yellow GRA Conc.(GAF)(13900A),
Basic Black KMPA(GAF), Benzofix Bla
ck CW−CF(GAF)(35435), Cellitazol BNF
V Ex Soluble CF(GAF)(Disp. Black 9),
Celliton Fast Blue AF Ex Conc(GAF)(
Disp. Blue 9), Cyper Black IA(GAF)(B
asic Blk. 3), Diamine Black CAP Ex C
onc(GAF)(30235), Diamond Black EAN H
i Con. CF(GAF)(15710), Diamond Black
PBBA Ex(GAF)(16505); Direct Deep Bl
ack EA Ex CF(GAF)(30235), Hansa Yell
ow G(GAF)(11680); Indanthrene Black
BBK Powd.(GAF)(59850), Indocarbon CL
GS Conc. CF(GAF)(53295), Katigen Dee
p Black NND Hi Conc. CF(GAF)(15711),
Rapidogen Black 3 G(GAF)(Azoic Blk.
4); Sulphone Cyanine Black BA−CF(GA
F)(26370), Zambezi Black VD Ex Conc.
(GAF)(30015); Rubanox Red CP−1495(T
he Sherwin−Williams Company, Clevela
nd, OH)(15630); Raven 11(Columbian C
arbon Company, Atlanta, GA),(カーボンブラッ
クは、約25μmの粒子サイズで凝集する), Statex B−12(Co
lumbian Carbon Co.)(33μmの平均粒子サイズのファー
ネスブラック)、およびクロムグリーンを含むが、これらに限定されない 粒子
はまた、レーキされた、または着色された顔料を含み得る。レーキされた顔料は
、沈殿した色素を有するか、または染色された粒子である。レーキは、容易に溶
解可能なアニオン色素の金属塩である。これらは、1つ以上のサルホン酸または
カルボン酸群を含むアゾトリフェニルメタン構造体またはアントラキノン構造体
の色素である。これらは、通常カルシウム塩、バリウム塩、またはアルミニウム
塩によって基板上へと沈殿される。典型的な例は、ピーコックブルーレーキ(C
I Pigment Blue 24)およびペルシャオレンジ、(CI Ac
id Orange 7のレーキ)、Black M Toner(GAF)(
レーキ上に沈殿したカーボンブラックおよびブラック色素の混合物)。
95(American Cyanamid Company,Wayne,N
J), Cibacron Black BG(Ciba Company I
nc., Newport, DE),Cibacron Turquoise
,Blue G(Ciba), Cibalon Black BGL(Cib
a), Orasol Black BRG(Ciba), Orasol B
lack RBL(Ciba), Acetamine Blac, CBS(
E.I.du Pont de Nemours and Comapny,
Inc., Wilmington, DE), Crocein Scarl
et N Ex(du Pont)(27290), Fiber Black
VF(DuPont)(30235), Luxol Fast Black
L(DuPont)(Solv. Black 17), Nirosine
Base No.424(DuPont)(50415B), Oil Bl
ack BG(DuPont)(Solv. Black 16), Rota
lin Black RM(DuPont), Sevron Brillia
nt Red 3 B(DuPont); Basic Black DSC(
Dye Specialties, Inc.), Hectolene Bl
ack(Dye Specialties, Inc.), Azosol B
rilliant Blue B(GAF, Dyestuff and Ch
emical Division, Wayne, NJ)(Solv.Blu
e 9), Azosol Brilliant Green BA(GAF)
(Solv.Green 2), Azosol Fast Brillian
t Red B(GAF), Azosol Fast Orange RA
Conc.(GAF)(Solv. Orange 20), Azosol
Fast Yellow GRA Conc.(GAF)(13900A),
Basic Black KMPA(GAF), Benzofix Bla
ck CW−CF(GAF)(35435), Cellitazol BNF
V Ex Soluble CF(GAF)(Disp. Black 9),
Celliton Fast Blue AF Ex Conc(GAF)(
Disp. Blue 9), Cyper Black IA(GAF)(B
asic Blk. 3), Diamine Black CAP Ex C
onc(GAF)(30235), Diamond Black EAN H
i Con. CF(GAF)(15710), Diamond Black
PBBA Ex(GAF)(16505); Direct Deep Bl
ack EA Ex CF(GAF)(30235), Hansa Yell
ow G(GAF)(11680); Indanthrene Black
BBK Powd.(GAF)(59850), Indocarbon CL
GS Conc. CF(GAF)(53295), Katigen Dee
p Black NND Hi Conc. CF(GAF)(15711),
Rapidogen Black 3 G(GAF)(Azoic Blk.
4); Sulphone Cyanine Black BA−CF(GA
F)(26370), Zambezi Black VD Ex Conc.
(GAF)(30015); Rubanox Red CP−1495(T
he Sherwin−Williams Company, Clevela
nd, OH)(15630); Raven 11(Columbian C
arbon Company, Atlanta, GA),(カーボンブラッ
クは、約25μmの粒子サイズで凝集する), Statex B−12(Co
lumbian Carbon Co.)(33μmの平均粒子サイズのファー
ネスブラック)、およびクロムグリーンを含むが、これらに限定されない 粒子
はまた、レーキされた、または着色された顔料を含み得る。レーキされた顔料は
、沈殿した色素を有するか、または染色された粒子である。レーキは、容易に溶
解可能なアニオン色素の金属塩である。これらは、1つ以上のサルホン酸または
カルボン酸群を含むアゾトリフェニルメタン構造体またはアントラキノン構造体
の色素である。これらは、通常カルシウム塩、バリウム塩、またはアルミニウム
塩によって基板上へと沈殿される。典型的な例は、ピーコックブルーレーキ(C
I Pigment Blue 24)およびペルシャオレンジ、(CI Ac
id Orange 7のレーキ)、Black M Toner(GAF)(
レーキ上に沈殿したカーボンブラックおよびブラック色素の混合物)。
【0058】 着色されたタイプの濃い粒子は、カーボンブラックまたは無機の黒色材料など
の任意の光吸収材料から構成され得る。濃い材料はまた、選択的に吸収性があり
得る。例えば、濃い緑の顔料が使用され得る。黒い粒子もまた、ブタジエン、ス
チレン、イソプレン、メタクリル酸、メチルメタクリル酸メチル、アクリロニト
リル、塩化ビニル、アクリル酸、スチレンスルホン酸ナトリウム、酢酸ビニル、
クロロスチレン、ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、イソシアノエチル
メタクリレート、およびN−(イソブトキシメタクリルアミド)から成り、およ
び随意にジアクリレート、トリアクリレート、ジメチルアクリレートおよびトリ
メタクリレートなどの共役ジエン化合物を含むラテックス共重合体などの金属酸
化物でラテックスを染色することによって形成され得る。黒い粒子はまた、分散
重合技術によって形成され得る。
の任意の光吸収材料から構成され得る。濃い材料はまた、選択的に吸収性があり
得る。例えば、濃い緑の顔料が使用され得る。黒い粒子もまた、ブタジエン、ス
チレン、イソプレン、メタクリル酸、メチルメタクリル酸メチル、アクリロニト
リル、塩化ビニル、アクリル酸、スチレンスルホン酸ナトリウム、酢酸ビニル、
クロロスチレン、ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、イソシアノエチル
メタクリレート、およびN−(イソブトキシメタクリルアミド)から成り、およ
び随意にジアクリレート、トリアクリレート、ジメチルアクリレートおよびトリ
メタクリレートなどの共役ジエン化合物を含むラテックス共重合体などの金属酸
化物でラテックスを染色することによって形成され得る。黒い粒子はまた、分散
重合技術によって形成され得る。
【0059】 顔料およびポリマーを含む系において、顔料およびポリマーは、電気泳動粒子
内の複数のドメインを形成し得、またはより小さな顔料/ポリマー結合粒子の集
合体であり得る。あるいは、中心顔料核がポリマー殻で囲まれ得る。顔料、ポリ
マー、またはこの両方が色素を含み得る。粒子の光学的目的は、光を散乱するこ
と、光を吸収すること、またはこの両方であり得る。有用なサイズは、粒子が境
界をするカプセルより小さい限りは、1nm〜約100μmまでの範囲であり得
る。好適な実施形態において、電気泳動粒子の密度は、懸濁(すなわち、電気泳
動の)流体の密度と実質的に適合され得る。本明細書中に規定されるように、懸
濁流体は、それぞれの密度の差が約0〜約2g/mlである場合に、粒子の密度
と「実質的に適合される」密度を有する。この差は、好適には約0〜約0.5g
/mlである。
内の複数のドメインを形成し得、またはより小さな顔料/ポリマー結合粒子の集
合体であり得る。あるいは、中心顔料核がポリマー殻で囲まれ得る。顔料、ポリ
マー、またはこの両方が色素を含み得る。粒子の光学的目的は、光を散乱するこ
と、光を吸収すること、またはこの両方であり得る。有用なサイズは、粒子が境
界をするカプセルより小さい限りは、1nm〜約100μmまでの範囲であり得
る。好適な実施形態において、電気泳動粒子の密度は、懸濁(すなわち、電気泳
動の)流体の密度と実質的に適合され得る。本明細書中に規定されるように、懸
濁流体は、それぞれの密度の差が約0〜約2g/mlである場合に、粒子の密度
と「実質的に適合される」密度を有する。この差は、好適には約0〜約0.5g
/mlである。
【0060】 粒子のための有用なポリマーは、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、フェノール樹脂、Du Pont Elvax樹脂(エチレン−酢酸ビニル
の共重合体)、ポエステル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、エチレン
アクリル酸共重合体またはメタクリル酸共重合体(Nucrel Resins
−DuPont, Primacor Resins−Dow Chemica
l)、アクリル共重合体ならびにターポリマー(Elvacite Resin
s, DuPont)、およびPMMAを含むがこれらに限定されない。高シア
ーメルト(shear melt)におけるホモポリマー/顔料の相分離のため
の有用な材料は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、
ポリイソブチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレ
ン、ポリイソブチレン、ポリアウリル(polyauryl)メタクリレート、
ポリステアリルメタクリアレート、ポリイソボルニル(polyisoborn
yl)メタクリレート、ポリ−t−ブチルメタクリレート、ポリエチルメタクリ
レート、ポリメチルアクリレート、ポリエチルアクリレート、ポリアクリロニト
リル、およびこれらの材料の2つ以上の共重合体を含むが、これらに限定されな
い。市販に利用可能な幾つかの有用な顔料/ポリマー錯体(complex)は
、Process Magenta PM 1776(Magruder Co
lor Company,Inc.,Elizabeth,NJ), Meth
yl Violet PMA VM6223(Magruder Color
Company,Inc.,Elizabeth, NJ),およびNapht
hol FGR RF6257(Magruder Color Compan
y,Inc.,Elizabeth, NJ)を含むが、これらに限定されない
。
ン、フェノール樹脂、Du Pont Elvax樹脂(エチレン−酢酸ビニル
の共重合体)、ポエステル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、エチレン
アクリル酸共重合体またはメタクリル酸共重合体(Nucrel Resins
−DuPont, Primacor Resins−Dow Chemica
l)、アクリル共重合体ならびにターポリマー(Elvacite Resin
s, DuPont)、およびPMMAを含むがこれらに限定されない。高シア
ーメルト(shear melt)におけるホモポリマー/顔料の相分離のため
の有用な材料は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、
ポリイソブチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレ
ン、ポリイソブチレン、ポリアウリル(polyauryl)メタクリレート、
ポリステアリルメタクリアレート、ポリイソボルニル(polyisoborn
yl)メタクリレート、ポリ−t−ブチルメタクリレート、ポリエチルメタクリ
レート、ポリメチルアクリレート、ポリエチルアクリレート、ポリアクリロニト
リル、およびこれらの材料の2つ以上の共重合体を含むが、これらに限定されな
い。市販に利用可能な幾つかの有用な顔料/ポリマー錯体(complex)は
、Process Magenta PM 1776(Magruder Co
lor Company,Inc.,Elizabeth,NJ), Meth
yl Violet PMA VM6223(Magruder Color
Company,Inc.,Elizabeth, NJ),およびNapht
hol FGR RF6257(Magruder Color Compan
y,Inc.,Elizabeth, NJ)を含むが、これらに限定されない
。
【0061】 顔料−ポリマー複合体は、物理的処理(例えば、摩擦(attrition)
またはボールミリング)、化学的処理(例えば、マイクロカプセル化または分散
重合)、または粒子生産分野で公知の任意の他の処理によって形成され得る。以
下の非限定的例から、粒子製造および粒子電荷の両方のための処理および材料は
、一般的に液体トナーまたは液体浸漬開発の分野から得られることが理解され得
る。従って、任意の液体開発からの公知の処理が、排他的ではないが、特に関連
する。
またはボールミリング)、化学的処理(例えば、マイクロカプセル化または分散
重合)、または粒子生産分野で公知の任意の他の処理によって形成され得る。以
下の非限定的例から、粒子製造および粒子電荷の両方のための処理および材料は
、一般的に液体トナーまたは液体浸漬開発の分野から得られることが理解され得
る。従って、任意の液体開発からの公知の処理が、排他的ではないが、特に関連
する。
【0062】 新規かつ有用な電気泳動粒子は、なおも発見され得るが、電気泳動ディスプレ
イおよび液体トナーの当業者にすでに公知である幾つかの粒子はまた、有用であ
ると判明し得る。概して、液体トナーおよびカプセル型電気泳動インクへのポリ
マーの要求は、顔料または色素が、物理的、化学的、または物理化学的な処理の
いずれかによってその要求に容易に組み込まれる必要がある点で同様であり、コ
ロイドの安定を促進し得、電荷部位を含み得、または電荷部位を含む材料を組み
込むことが可能であり得る。カプセル型電気泳動インクによって共有されない液
体トナー産業からの1つの一般的要求は、トナーが、画像を「定着させる」、す
なわちともに熱融解させトナー粒子の堆積後均一の膜を生成可能である必要があ
ることである。
イおよび液体トナーの当業者にすでに公知である幾つかの粒子はまた、有用であ
ると判明し得る。概して、液体トナーおよびカプセル型電気泳動インクへのポリ
マーの要求は、顔料または色素が、物理的、化学的、または物理化学的な処理の
いずれかによってその要求に容易に組み込まれる必要がある点で同様であり、コ
ロイドの安定を促進し得、電荷部位を含み得、または電荷部位を含む材料を組み
込むことが可能であり得る。カプセル型電気泳動インクによって共有されない液
体トナー産業からの1つの一般的要求は、トナーが、画像を「定着させる」、す
なわちともに熱融解させトナー粒子の堆積後均一の膜を生成可能である必要があ
ることである。
【0063】 粒子のための典型的な製造技術は、液体トナーおよび他の技術からもたらされ
、そしてボールミリング、摩擦、ジェットミリングなどを含む。プロセスは、着
色した重合体粒子の場合について例示される。そのような場合において、顔料は
ポリマー中に、通常はスクリュー押出機などのある種の高シアメカニズム中に合
成される。複合材料は次に、約10μmの開始の大きさまで(ウェットまたはド
ライ)研磨される。材料は次に、例えばISOPAR(登録商標)(Exxon
, Houston, TX)などのキャリア液体の中でいくつかの導電制御材
と共に分散され、そして最終的な粒子サイズおよび/または大きさの分布まで数
時間高シアで粉砕される。
、そしてボールミリング、摩擦、ジェットミリングなどを含む。プロセスは、着
色した重合体粒子の場合について例示される。そのような場合において、顔料は
ポリマー中に、通常はスクリュー押出機などのある種の高シアメカニズム中に合
成される。複合材料は次に、約10μmの開始の大きさまで(ウェットまたはド
ライ)研磨される。材料は次に、例えばISOPAR(登録商標)(Exxon
, Houston, TX)などのキャリア液体の中でいくつかの導電制御材
と共に分散され、そして最終的な粒子サイズおよび/または大きさの分布まで数
時間高シアで粉砕される。
【0064】 液体トナー分野からもたらされる粒子のための別の製造技術は、ポリマー、顔
料、および懸濁流体を媒体ミルに加えることである。ミルが始動され、同時に、
ポリマーが実質的に溶媒で膨張する温度まで加熱される。この温度は通常100
℃付近である。この状態で、顔料は膨張したポリマーに容易に密閉される。適切
な時間、通常は数時間後、ミルは、かき混ぜる間に次第に周囲の温度まで冷却さ
れる。ミリングは、十分小さな粒子のサイズ、通常は直径数ミクロンを達成する
ためにしばらくの時間続けられ得る。帯電剤がこの時点で添加され得る。随意に
より多くの懸濁流体が添加され得る。
料、および懸濁流体を媒体ミルに加えることである。ミルが始動され、同時に、
ポリマーが実質的に溶媒で膨張する温度まで加熱される。この温度は通常100
℃付近である。この状態で、顔料は膨張したポリマーに容易に密閉される。適切
な時間、通常は数時間後、ミルは、かき混ぜる間に次第に周囲の温度まで冷却さ
れる。ミリングは、十分小さな粒子のサイズ、通常は直径数ミクロンを達成する
ためにしばらくの時間続けられ得る。帯電剤がこの時点で添加され得る。随意に
より多くの懸濁流体が添加され得る。
【0065】 分散重合、ミニエマルジョン重合すなわちマイクロエマルジョン重合、懸濁重
合沈殿、相分離、溶媒蒸着、インサイチュ重合、シードされた(seed)エマ
ルジョン重合、あるいはマイクロカプセル化の一般的範疇に入る任意の処理など
の化学処理が、使用され得る。このタイプの典型的な処理は、溶解した重合材料
が、溶媒の希釈、蒸着、または温度変化を通して分散された顔料表面上へ溶液か
ら沈殿される相分離処理である。他の処理は、例えば金属酸化物または色素で重
合ラテックスを染色するための化学手段を含む。
合沈殿、相分離、溶媒蒸着、インサイチュ重合、シードされた(seed)エマ
ルジョン重合、あるいはマイクロカプセル化の一般的範疇に入る任意の処理など
の化学処理が、使用され得る。このタイプの典型的な処理は、溶解した重合材料
が、溶媒の希釈、蒸着、または温度変化を通して分散された顔料表面上へ溶液か
ら沈殿される相分離処理である。他の処理は、例えば金属酸化物または色素で重
合ラテックスを染色するための化学手段を含む。
【0066】 (B.懸濁流体) 粒子を含む懸濁流体は、密度、屈折率、および溶解度などの特性に基づいて選
択され得る。好適な懸濁流体は、低誘電率(約2)、高体積抵抗率(約1015o
hm−cm)、低粘度(5cst未満)、低毒性ならびに低環境影響、低水溶性
(10ppm未満)、高比重(1.5より大きい)、高沸点(90℃より高い)
、および低屈折率(1.2未満)を有する。
択され得る。好適な懸濁流体は、低誘電率(約2)、高体積抵抗率(約1015o
hm−cm)、低粘度(5cst未満)、低毒性ならびに低環境影響、低水溶性
(10ppm未満)、高比重(1.5より大きい)、高沸点(90℃より高い)
、および低屈折率(1.2未満)を有する。
【0067】 懸濁流体の選択は、化学不活性、電気泳動粒子に適合する密度、または電気泳
動および結合カプセル両方との化学適合性の関連に基づき得る。流体の粘度は、
粒子の移動を望む場合は、低い必要がある。懸濁流体の屈折率はまた、粒子の苦
節率と実質的に適合し得る。本明細書中に使用されるように、懸濁流体の屈折率
は、それぞれの屈折率の差が、0〜約0.3、好適には約0.05〜約0.2で
ある場合、粒子の屈折率と「実質的に適合する」。
動および結合カプセル両方との化学適合性の関連に基づき得る。流体の粘度は、
粒子の移動を望む場合は、低い必要がある。懸濁流体の屈折率はまた、粒子の苦
節率と実質的に適合し得る。本明細書中に使用されるように、懸濁流体の屈折率
は、それぞれの屈折率の差が、0〜約0.3、好適には約0.05〜約0.2で
ある場合、粒子の屈折率と「実質的に適合する」。
【0068】 加えて、流体は、幾つかのポリマーに対して弱い溶媒を選択し得、これは微粒
子の製造の使用のために有利である。なぜなら、それがポリマーおよび顔料の粒
子を製造する際に有用な重合材料の範囲を増大させるからである。ハロゲン化有
機溶媒、飽和直鎖炭化水素または分枝炭化水素、シリコーン油、および低分子量
ハロゲン含有ポリマーなどの有機溶媒は、幾つかの有用な懸濁流体である。懸濁
流体は、単一の流体を含み得る。しかし、流体は、その化学的および物理的特性
を調整するために、しばしば2つ以上の流体の混合物である。さらに、流体は、
電気泳動粒子または境界カプセルの表面エネルギーまたは電荷を修正するための
表面修飾剤を含み得る。マイクロカプセル化処理のための反応剤または溶媒(例
えば、油溶性モノマ)もまた、懸濁流体に含まれ得る。電荷制御剤もまた、懸濁
流体に追加され得る。
子の製造の使用のために有利である。なぜなら、それがポリマーおよび顔料の粒
子を製造する際に有用な重合材料の範囲を増大させるからである。ハロゲン化有
機溶媒、飽和直鎖炭化水素または分枝炭化水素、シリコーン油、および低分子量
ハロゲン含有ポリマーなどの有機溶媒は、幾つかの有用な懸濁流体である。懸濁
流体は、単一の流体を含み得る。しかし、流体は、その化学的および物理的特性
を調整するために、しばしば2つ以上の流体の混合物である。さらに、流体は、
電気泳動粒子または境界カプセルの表面エネルギーまたは電荷を修正するための
表面修飾剤を含み得る。マイクロカプセル化処理のための反応剤または溶媒(例
えば、油溶性モノマ)もまた、懸濁流体に含まれ得る。電荷制御剤もまた、懸濁
流体に追加され得る。
【0069】 有用な有機溶媒は、例えば、デカンエポキシドおよびドデカンエポキシドなど
のエポキシド;例えば、シクロヘキシルビニルエーテルおよびDecave(登
録商標)(Internation Flavors & Fragrance
s,Inc.,New York, NY)などのビニルエーテル;および例え
ば、トルエンおよびナフタリンなどの芳香族炭水化物を含むが、これらに限定さ
れない。有用なハロゲン化有機溶媒は、テトラフルオロジブロモエチレン、テト
ラクロロエチレン、トリフロロクロロエチレン、1,2,4−トリクロロベンゼ
ン、カーボンテトラクロリドを含むが、これらに限定されない。これらの材料は
、高密度を有する。有用な炭水化物は、Isopar(登録商標)シリーズ(E
xxon, Houston, TX)、Norpar(登録商標)(通常のパ
ラフィン系液体シリーズ)、Shell−Sol(登録商標)(Shell,
Houston, TX)、ならびにSol−Trol(登録商標)(Shel
l)におけるドデカン、テトラデカン、脂肪族の炭水化物、ナフサ、および他の
石油溶媒を含むが、これらに限定されない。これらの材料は、通常低密度を有す
る。シリコン油の有用な例は、オクタメチルシクロシルキサンならびにより高分
子量環状シロキサン、ポリ(メチルフェニルシロキサン)、ヘキサメチルジシロ
キサン、およびポリジメチルシロキサンを含むが、こられに限定されない。これ
らの材料は、通常低密度を有する。有用な低分子量ハロゲン含有ポリマーは、ポ
リ(クロロトリフルオロエチレン)ポリマー(Halogenated hyd
rocarbon Inc.,River Edge, NJ)、Galden
(登録商標)(Ausimont,Morristown,NJからのペルフル
オロ(perfluorinated)エーテル)、またはDupont(Wi
lmington,DE)からのKrytox(登録商標)を含むが、これらに
限定されない。好適な実施形態において、懸濁流体は、ポリ(クロロトリフルオ
ロエチレン)ポリマーである。特に好適な実施形態において、このポリマーは、
約2から約10までの重合度を有する。上記の材料の多くは、粘度、密度、およ
び沸点の範囲において利用可能である。
のエポキシド;例えば、シクロヘキシルビニルエーテルおよびDecave(登
録商標)(Internation Flavors & Fragrance
s,Inc.,New York, NY)などのビニルエーテル;および例え
ば、トルエンおよびナフタリンなどの芳香族炭水化物を含むが、これらに限定さ
れない。有用なハロゲン化有機溶媒は、テトラフルオロジブロモエチレン、テト
ラクロロエチレン、トリフロロクロロエチレン、1,2,4−トリクロロベンゼ
ン、カーボンテトラクロリドを含むが、これらに限定されない。これらの材料は
、高密度を有する。有用な炭水化物は、Isopar(登録商標)シリーズ(E
xxon, Houston, TX)、Norpar(登録商標)(通常のパ
ラフィン系液体シリーズ)、Shell−Sol(登録商標)(Shell,
Houston, TX)、ならびにSol−Trol(登録商標)(Shel
l)におけるドデカン、テトラデカン、脂肪族の炭水化物、ナフサ、および他の
石油溶媒を含むが、これらに限定されない。これらの材料は、通常低密度を有す
る。シリコン油の有用な例は、オクタメチルシクロシルキサンならびにより高分
子量環状シロキサン、ポリ(メチルフェニルシロキサン)、ヘキサメチルジシロ
キサン、およびポリジメチルシロキサンを含むが、こられに限定されない。これ
らの材料は、通常低密度を有する。有用な低分子量ハロゲン含有ポリマーは、ポ
リ(クロロトリフルオロエチレン)ポリマー(Halogenated hyd
rocarbon Inc.,River Edge, NJ)、Galden
(登録商標)(Ausimont,Morristown,NJからのペルフル
オロ(perfluorinated)エーテル)、またはDupont(Wi
lmington,DE)からのKrytox(登録商標)を含むが、これらに
限定されない。好適な実施形態において、懸濁流体は、ポリ(クロロトリフルオ
ロエチレン)ポリマーである。特に好適な実施形態において、このポリマーは、
約2から約10までの重合度を有する。上記の材料の多くは、粘度、密度、およ
び沸点の範囲において利用可能である。
【0070】 流体は、カプセルが形成される前に小液滴へ形成され得る必要がある。小液滴
を形成するためのプロセスは、フロースルージェット、膜、ノズル、またはオリ
フィス、およびシアベースの乳状化する方式を含む。小滴の形成は、電界または
音響場(sonic field)によって促進され得る。界面活性剤およびポ
リマーは、エマルジョンタイプのカプセル化の場合に液滴の安定化および乳化を
促進するために使用され得る。本発明のディスプレイに使用するための好適な界
面活性剤は、ドデシル硫酸ナトリウムである。
を形成するためのプロセスは、フロースルージェット、膜、ノズル、またはオリ
フィス、およびシアベースの乳状化する方式を含む。小滴の形成は、電界または
音響場(sonic field)によって促進され得る。界面活性剤およびポ
リマーは、エマルジョンタイプのカプセル化の場合に液滴の安定化および乳化を
促進するために使用され得る。本発明のディスプレイに使用するための好適な界
面活性剤は、ドデシル硫酸ナトリウムである。
【0071】 懸濁流体が光吸収色素を含むことは、幾つかのディスプレイに有利であり得る
。この色素は、流体に溶解可能である必要があるが、一般的にカプセルの他の成
分には、不溶性である。色素材料の選択には多くの柔軟性がある。色素は、黒を
含めてある特定の色を達成するために、純粋な化合物、または色素の混合物であ
り得る。色素は、蛍光性であり得、それにより蛍光特性が粒子の位置に依存する
ディスプレイを製造する。色素は、光活性であり、別の色へ変化し、あるいは可
視光または紫外光のいずれかで放射して無色になり、光学反応を獲得するための
別の手段を提供し得る。色素はまた、重合可能であり、境界殻内部のポリマーを
吸収する固体を形成し得る。
。この色素は、流体に溶解可能である必要があるが、一般的にカプセルの他の成
分には、不溶性である。色素材料の選択には多くの柔軟性がある。色素は、黒を
含めてある特定の色を達成するために、純粋な化合物、または色素の混合物であ
り得る。色素は、蛍光性であり得、それにより蛍光特性が粒子の位置に依存する
ディスプレイを製造する。色素は、光活性であり、別の色へ変化し、あるいは可
視光または紫外光のいずれかで放射して無色になり、光学反応を獲得するための
別の手段を提供し得る。色素はまた、重合可能であり、境界殻内部のポリマーを
吸収する固体を形成し得る。
【0072】 カプセル型電気泳動ディスプレイに使用のために選択され得る多くの色素があ
る。本明細書において重要な特性は、光定着性、懸濁液体中の溶解度、色、およ
びコストである。これらは、アゾ、アントラキノン、およびトリフェニルメタン
タイプの色素の部類のものであり、油相において溶解度を増すために化学的に修
飾され、そして粒子表面による吸収を低減し得る。
る。本明細書において重要な特性は、光定着性、懸濁液体中の溶解度、色、およ
びコストである。これらは、アゾ、アントラキノン、およびトリフェニルメタン
タイプの色素の部類のものであり、油相において溶解度を増すために化学的に修
飾され、そして粒子表面による吸収を低減し得る。
【0073】 電気泳動ディスプレイの当業者にすでに公知の幾つかの色素は、有用であるこ
とが判明する。有用なアゾ色素は、Oil Red色素、ならびにSudan
RedおよびSudan Blackシリーズの色素を含むが、これらに限定さ
れない。有用なアントラキノン色素は、Oil Blue色素、およびMacr
olex Blueシリーズの色素を含むが、これらに限定されない。有用なト
リフェニルメタンの色素は、Michlerのハイドロール、Malachit
e Green、Crystal Violet、およびAuramine O
を含むが、これらに限定されない。
とが判明する。有用なアゾ色素は、Oil Red色素、ならびにSudan
RedおよびSudan Blackシリーズの色素を含むが、これらに限定さ
れない。有用なアントラキノン色素は、Oil Blue色素、およびMacr
olex Blueシリーズの色素を含むが、これらに限定されない。有用なト
リフェニルメタンの色素は、Michlerのハイドロール、Malachit
e Green、Crystal Violet、およびAuramine O
を含むが、これらに限定されない。
【0074】 (C.電荷制御剤および粒子安定剤) 電荷制御剤は、良好な電気泳動移動度を電気泳動粒子に提供するために使用さ
れる。安定剤は、電気泳動粒子の塊状化を防ぎ、および電気泳動粒子がカプセル
壁上へ不可逆的に堆積することを防ぐために使用される。いずれの成分も、広範
囲な分子量(低分子量、オリゴマー、またはポリマーの)にわたる材料から構成
され得、純粋または混合物であり得る。詳細には、適切な電荷制御剤は、一般的
に液体トナー技術から適合される。粒子表面の電荷を調整するおよび/または安
定させるために使用される電荷制御剤は、液体トナー、電気泳動ディスプレイ、
非水溶性ペイント分散、およびエンジンオイル添加剤の技術において一般的に公
知であるとして適用される。これらの技術のすべてにおいて、電荷種が、電気泳
動移動度を増大させ、または静電安定化を増大させるために、非水溶性媒体に添
加され得る。材料は、同様に立体的安定化を改善し得る。電荷の異なる理論は、
選択的イオン吸着、プロトン転移、および接触帯電を含めて、仮定される。
れる。安定剤は、電気泳動粒子の塊状化を防ぎ、および電気泳動粒子がカプセル
壁上へ不可逆的に堆積することを防ぐために使用される。いずれの成分も、広範
囲な分子量(低分子量、オリゴマー、またはポリマーの)にわたる材料から構成
され得、純粋または混合物であり得る。詳細には、適切な電荷制御剤は、一般的
に液体トナー技術から適合される。粒子表面の電荷を調整するおよび/または安
定させるために使用される電荷制御剤は、液体トナー、電気泳動ディスプレイ、
非水溶性ペイント分散、およびエンジンオイル添加剤の技術において一般的に公
知であるとして適用される。これらの技術のすべてにおいて、電荷種が、電気泳
動移動度を増大させ、または静電安定化を増大させるために、非水溶性媒体に添
加され得る。材料は、同様に立体的安定化を改善し得る。電荷の異なる理論は、
選択的イオン吸着、プロトン転移、および接触帯電を含めて、仮定される。
【0075】 随意の電荷制御剤すなわち電荷ディレクタが使用され得る。これらの成分は通
常、低分子量の界面活性剤、重合剤、または1つ以上の成分の混合物から成り、
そして電気泳動粒子上の電荷の徴候および/または大きさを安定させるため、そ
うでなければ調整するために作用する。顔料自体の電荷特性は、顔料の酸性また
は塩基表面特性を考慮に入れることによって説明され得、あるいは電荷位置は、
(存在する場合は)キャリア樹脂表面、またはこの2つの組合せで生じ得る。関
連し得る別の顔料特性は、粒子サイズ分布、化学組成、および光定着性である。
粒子の表面電荷を調整および/または安定させるために使用される電荷制御剤は
、液体トナー、電気泳動ディスプレイ、非水溶性ペイント分散、およびエンジン
オイル添加剤の分野に一般的に公知であるのと同じように適用される。これらの
技術のすべてにおいて、電荷種は、電気泳動移動度を増大させ、または静電安定
化を増大させるために、非水溶性媒体に添加され得る。材料は、同様に立体的安
定化を改良し得る。電荷の異なる理論は、選択的イオン吸着、プロトン転移、お
よび接触帯電を含めて、仮定される。
常、低分子量の界面活性剤、重合剤、または1つ以上の成分の混合物から成り、
そして電気泳動粒子上の電荷の徴候および/または大きさを安定させるため、そ
うでなければ調整するために作用する。顔料自体の電荷特性は、顔料の酸性また
は塩基表面特性を考慮に入れることによって説明され得、あるいは電荷位置は、
(存在する場合は)キャリア樹脂表面、またはこの2つの組合せで生じ得る。関
連し得る別の顔料特性は、粒子サイズ分布、化学組成、および光定着性である。
粒子の表面電荷を調整および/または安定させるために使用される電荷制御剤は
、液体トナー、電気泳動ディスプレイ、非水溶性ペイント分散、およびエンジン
オイル添加剤の分野に一般的に公知であるのと同じように適用される。これらの
技術のすべてにおいて、電荷種は、電気泳動移動度を増大させ、または静電安定
化を増大させるために、非水溶性媒体に添加され得る。材料は、同様に立体的安
定化を改良し得る。電荷の異なる理論は、選択的イオン吸着、プロトン転移、お
よび接触帯電を含めて、仮定される。
【0076】 電荷補助剤も添加され得る。これらの材料は、電荷制御剤すなわち電荷ディレ
クターの実効性を増大する。電荷補助剤は、ポリヒドロキシ化合物またはアミノ
アルコール化合物であり得、これらは、少なくとも2重量%の量で懸濁流体中に
好適に溶解可能である。少なくとも2つのヒドロキシル群を含むポリヒドロキシ
化合物の例は、エチレングリコール、2,4,7,9−テラメチル−デシン−4
、7−ジオール、ポリ(プロピレングリコール)、ペンタエチレングリコール、
トリプロピレングリコール、トリエチレングリコール、グリセロール、ペンタエ
リトリトール、グリセロールトリス(12ヒドロキシステアレート)、プロピレ
ングリセロールモノヒドロキシステレート、およびエチレングリコールモノヒド
ロキシステレートを含むが、これらに限定されない。同じ分子内に少なくとも1
つのアルコール作用および1つのアミノ作用を含むアミノアルコール化合物の例
は、トリイソプロパノールアミン、トリエタノールアミン、エタノールアミン、
3−アミノ−1−プロパノール、o−アミノフェノール、5−アミノ−1−ペン
タノール、およびテトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミンを含む
が、これらに限定されない。電荷補助剤は、粒子の質量の約1mg/gから約1
00mg/gで好適に、そして約50mg/gから約200mg/gでより好適
に懸濁流体中に存在する。
クターの実効性を増大する。電荷補助剤は、ポリヒドロキシ化合物またはアミノ
アルコール化合物であり得、これらは、少なくとも2重量%の量で懸濁流体中に
好適に溶解可能である。少なくとも2つのヒドロキシル群を含むポリヒドロキシ
化合物の例は、エチレングリコール、2,4,7,9−テラメチル−デシン−4
、7−ジオール、ポリ(プロピレングリコール)、ペンタエチレングリコール、
トリプロピレングリコール、トリエチレングリコール、グリセロール、ペンタエ
リトリトール、グリセロールトリス(12ヒドロキシステアレート)、プロピレ
ングリセロールモノヒドロキシステレート、およびエチレングリコールモノヒド
ロキシステレートを含むが、これらに限定されない。同じ分子内に少なくとも1
つのアルコール作用および1つのアミノ作用を含むアミノアルコール化合物の例
は、トリイソプロパノールアミン、トリエタノールアミン、エタノールアミン、
3−アミノ−1−プロパノール、o−アミノフェノール、5−アミノ−1−ペン
タノール、およびテトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミンを含む
が、これらに限定されない。電荷補助剤は、粒子の質量の約1mg/gから約1
00mg/gで好適に、そして約50mg/gから約200mg/gでより好適
に懸濁流体中に存在する。
【0077】 粒子表面はまた、例えば、分散を促進し、表面電荷を改良し、および分散の安
定を改良するために、化学的に調整され得る。表面調整剤は、有機シロキサン、
有機ハロゲンシラン、および他の官能基を有するシランバインダー(Dow C
orning(登録商標)Z−6070、Z−6124、および3添加剤、Mi
dland, MI);有機チタン酸塩およびジルコン酸塩(Tyzor(登録
商標)TOT、TBT、およびTE Series、DuPont, Wilm
ington, DE);長い原子連鎖(C12からC50)のアルキルおよび
アルキルベンゼンスルホン酸、脂肪性アミンまたはジアミン、およびそれらの塩
または4級誘導体などの疎水剤;および粒子表面へ共有結合的に結合され得る両
親媒性(amphipatic)ポリマーを含む。
定を改良するために、化学的に調整され得る。表面調整剤は、有機シロキサン、
有機ハロゲンシラン、および他の官能基を有するシランバインダー(Dow C
orning(登録商標)Z−6070、Z−6124、および3添加剤、Mi
dland, MI);有機チタン酸塩およびジルコン酸塩(Tyzor(登録
商標)TOT、TBT、およびTE Series、DuPont, Wilm
ington, DE);長い原子連鎖(C12からC50)のアルキルおよび
アルキルベンゼンスルホン酸、脂肪性アミンまたはジアミン、およびそれらの塩
または4級誘導体などの疎水剤;および粒子表面へ共有結合的に結合され得る両
親媒性(amphipatic)ポリマーを含む。
【0078】 概して、電荷は、連続相において存在するある部分と粒子表面との間の酸塩基
反応によって起こると信じられている。従って、有用な材料は、当該技術分野で
公知と同じ様な反応または任意の他の電荷反応に協力し得る材料である。
反応によって起こると信じられている。従って、有用な材料は、当該技術分野で
公知と同じ様な反応または任意の他の電荷反応に協力し得る材料である。
【0079】 有用な、異なる限定されないクラスの電荷制御剤は、有機硫酸塩または有機ス
ルホン酸塩、金属石鹸、ブロック共重合体またはコーム共重合体、有機アミド、
有機両性イオン、ならびに有機リン酸塩および有機亜リン酸塩を含む。有用な有
機硫酸塩および有機スルホン酸塩は、ビス(2−エチルヘキシル)スルホスクシ
ン酸(sulfosuccinate)ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン
酸カルシウム、ペトロリアム(petroleum)スルホン酸カルシウム、塩
基性または中性ジノニルナフタレンスルホン酸バリウム、中性または塩基性ジノ
ニルナフタレンスルホン酸カルシウム、ドデキルベンゼンスルホン酸ナトリウム
、およびアンモニウムラウリル硫酸塩を含むが、これらに限定されない。有用な
金属石鹸は、中性または塩基性ペトロネート(petronate)バリウム、
ペトロネートカルシウム、ナフテン酸のCo−,Ca−,Cu−,Mn−,Ni
−,Zn−,およびFe−塩、ステアリン酸のBa−,Al−,Zn−,Cu−
,Pb−,およびFe−塩、ならびにトリステアリン酸アルミニウム、オクタン
酸アルミニウム、ヘプタン酸リチウム、ステアリン酸鉄、ジステアリン酸鉄、ス
テアリン酸バリウム、ステアリン酸クロム、オクタン酸マグネシウム、ステアリ
ン酸カルシウム、ナフタテン酸鉄、およびナフテン酸亜鉛などの2価および3価
の金属カルボン酸、Mn−およびZn−ヘプタン酸塩、ならびにBa−,Al−
,Co−,Mn−,およびZn−オクタン酸塩を含むが、これらに限定されない
。有用なブロック共重合体またはコーム共重合体は、(A)メチル−p−トルエ
ン硫酸塩で4分割された2−(N,N)−ジメチルアミノエチルメタクリレート
ポリマー、および(B)ポリ−2−エチルヘキシルメタクリレートのABジブロ
ック共重合体、およびポリ(12−ヒドロキシステアリン酸)の溶解可能末端(
tail)および約1800の分子量を有し、ポリ(メチルメタクリレートメタ
クリル酸)の石油溶解可能アンカー群上にペンダントを有するコームグラフト共
重合体を含むが、これらに限定されない。有用な有機アミドは、OLOA 12
00、およびN−ビニルピロリドンポリマーなどのポリイソブチレンスクシンイ
ミドを含むが、これらに限定されない。有用な有機両性イオンは、レチチンを含
むが、これに限定されない。有用な有機リン酸塩および有機亜リン酸塩は、飽和
および不飽和酸置換体を有するリン酸塩化されたモノグリセリドおよびジグリセ
リドのナトリウム塩を含むが、これらに限定されない。
ルホン酸塩、金属石鹸、ブロック共重合体またはコーム共重合体、有機アミド、
有機両性イオン、ならびに有機リン酸塩および有機亜リン酸塩を含む。有用な有
機硫酸塩および有機スルホン酸塩は、ビス(2−エチルヘキシル)スルホスクシ
ン酸(sulfosuccinate)ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン
酸カルシウム、ペトロリアム(petroleum)スルホン酸カルシウム、塩
基性または中性ジノニルナフタレンスルホン酸バリウム、中性または塩基性ジノ
ニルナフタレンスルホン酸カルシウム、ドデキルベンゼンスルホン酸ナトリウム
、およびアンモニウムラウリル硫酸塩を含むが、これらに限定されない。有用な
金属石鹸は、中性または塩基性ペトロネート(petronate)バリウム、
ペトロネートカルシウム、ナフテン酸のCo−,Ca−,Cu−,Mn−,Ni
−,Zn−,およびFe−塩、ステアリン酸のBa−,Al−,Zn−,Cu−
,Pb−,およびFe−塩、ならびにトリステアリン酸アルミニウム、オクタン
酸アルミニウム、ヘプタン酸リチウム、ステアリン酸鉄、ジステアリン酸鉄、ス
テアリン酸バリウム、ステアリン酸クロム、オクタン酸マグネシウム、ステアリ
ン酸カルシウム、ナフタテン酸鉄、およびナフテン酸亜鉛などの2価および3価
の金属カルボン酸、Mn−およびZn−ヘプタン酸塩、ならびにBa−,Al−
,Co−,Mn−,およびZn−オクタン酸塩を含むが、これらに限定されない
。有用なブロック共重合体またはコーム共重合体は、(A)メチル−p−トルエ
ン硫酸塩で4分割された2−(N,N)−ジメチルアミノエチルメタクリレート
ポリマー、および(B)ポリ−2−エチルヘキシルメタクリレートのABジブロ
ック共重合体、およびポリ(12−ヒドロキシステアリン酸)の溶解可能末端(
tail)および約1800の分子量を有し、ポリ(メチルメタクリレートメタ
クリル酸)の石油溶解可能アンカー群上にペンダントを有するコームグラフト共
重合体を含むが、これらに限定されない。有用な有機アミドは、OLOA 12
00、およびN−ビニルピロリドンポリマーなどのポリイソブチレンスクシンイ
ミドを含むが、これらに限定されない。有用な有機両性イオンは、レチチンを含
むが、これに限定されない。有用な有機リン酸塩および有機亜リン酸塩は、飽和
および不飽和酸置換体を有するリン酸塩化されたモノグリセリドおよびジグリセ
リドのナトリウム塩を含むが、これらに限定されない。
【0080】 粒子分散安定剤は、粒子のカプセル壁への綿状沈殿または付着を防ぐために添
加され得る。電気泳動ディスプレイ中の懸濁流体として使用される典型的な高抵
抗率液体のために、非水溶性界面活性剤が使用され得る。これらは、グリコール
エーテル、アセチレングリコール、アルカノールアミド、ソルビトール誘導体、
アルキルアミン、4級アミン、イミダゾリン、ジアルキル酸化物、およびサルフ
ォスクシン酸塩を含むが、これらに限定されない。
加され得る。電気泳動ディスプレイ中の懸濁流体として使用される典型的な高抵
抗率液体のために、非水溶性界面活性剤が使用され得る。これらは、グリコール
エーテル、アセチレングリコール、アルカノールアミド、ソルビトール誘導体、
アルキルアミン、4級アミン、イミダゾリン、ジアルキル酸化物、およびサルフ
ォスクシン酸塩を含むが、これらに限定されない。
【0081】 (D. カプセル化) カプセル化には長く豊かな歴史があり、多くのプロセスおよびポリマーがカプ
セルを作成するのに有用であることが示されている。内部相のカプセル化は、多
くの異なる方法で達成され得る。マイクロカプセル化に対する多くの適切なプロ
シージャは、「Microencapsulation, Processes
and Application,(I.E.Vandegaer, ed.)
,Plenum, Press, New York, NY (1974)お
よびGutcho,Microcapsules and Microenca
psulation Techniques, Nuyes Data Cor
p., Park Ridge N.J.(1976)の両方に詳述されている
。そのプロセスは、いくつかの一般的なカテゴリー内に分類され、それらのすべ
ては、本発明に適用され得る。これらは、界面重合、インサイチュ重合、共押出
成形および他の相分離プロセスなどの物理的プロセス、液体内硬化、および単純
な/複雑な(simple/complex)コアセルベーションである。
セルを作成するのに有用であることが示されている。内部相のカプセル化は、多
くの異なる方法で達成され得る。マイクロカプセル化に対する多くの適切なプロ
シージャは、「Microencapsulation, Processes
and Application,(I.E.Vandegaer, ed.)
,Plenum, Press, New York, NY (1974)お
よびGutcho,Microcapsules and Microenca
psulation Techniques, Nuyes Data Cor
p., Park Ridge N.J.(1976)の両方に詳述されている
。そのプロセスは、いくつかの一般的なカテゴリー内に分類され、それらのすべ
ては、本発明に適用され得る。これらは、界面重合、インサイチュ重合、共押出
成形および他の相分離プロセスなどの物理的プロセス、液体内硬化、および単純
な/複雑な(simple/complex)コアセルベーションである。
【0082】 多くの材料およびプロセスが、本発明のディスプレイを明確に説明するのに有
用であることが示されるべきである。単純なコアセルベーションプロセスに対し
て有用な材料は、ゼラチン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、セ
ルロース誘導体(例えば、カルボキシメチルセルロース)を含むが、これらに限
定されない。複雑なコアセルベーションプロセスにたいして有用な材料は、ゼラ
チン、アカシア、カラギーナン、カルボキシメチルセルロース、加水分解スチレ
ン無水物コポリマー、寒天、アルギナート、カゼイン、アルブミン、メチルビニ
ルエーテル−co−無水マレイン酸およびセルロースフタラートを含むが、これ
らに限定されない。相分離プロセスに対して有用な材料は、ポリスチレン、PM
MA、ポリエチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、エチルセルロー
ス、ポリビニルピリジン、ポリアクリロニトリルを含むがこれに限定されない。
インサイチュ重合プロセスに有用な材料は、アルデヒト、メラミンまたは尿素と
ホルムアルデヒドを有するポリヒドロキシアミド、メラミンまたは尿素とホルム
アルデヒドの縮合体の水溶性オリゴマー、ビニルモノマー(例えば、スチレン、
MMA、アクリロニトリルなど)を含むが、これらに限定されない。最後に、界
面重合プロセスに対して有用な材料は、ジアシルクロライド、例えば、セバコイ
ル(sebacoyl)、アジポリ、ジまたはポリ−アミンまたはアルコールお
よびイソシアネートを含むが、これらに限定されない。有用な乳化重合材料は、
スチレン、ビニルアセテート、アクリル酸、ブチルアクリレート、t−ブチルア
クリレート、メチルアクリレート、ブチルメタアクリレートを含むが、これらに
限定されない。
用であることが示されるべきである。単純なコアセルベーションプロセスに対し
て有用な材料は、ゼラチン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、セ
ルロース誘導体(例えば、カルボキシメチルセルロース)を含むが、これらに限
定されない。複雑なコアセルベーションプロセスにたいして有用な材料は、ゼラ
チン、アカシア、カラギーナン、カルボキシメチルセルロース、加水分解スチレ
ン無水物コポリマー、寒天、アルギナート、カゼイン、アルブミン、メチルビニ
ルエーテル−co−無水マレイン酸およびセルロースフタラートを含むが、これ
らに限定されない。相分離プロセスに対して有用な材料は、ポリスチレン、PM
MA、ポリエチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、エチルセルロー
ス、ポリビニルピリジン、ポリアクリロニトリルを含むがこれに限定されない。
インサイチュ重合プロセスに有用な材料は、アルデヒト、メラミンまたは尿素と
ホルムアルデヒドを有するポリヒドロキシアミド、メラミンまたは尿素とホルム
アルデヒドの縮合体の水溶性オリゴマー、ビニルモノマー(例えば、スチレン、
MMA、アクリロニトリルなど)を含むが、これらに限定されない。最後に、界
面重合プロセスに対して有用な材料は、ジアシルクロライド、例えば、セバコイ
ル(sebacoyl)、アジポリ、ジまたはポリ−アミンまたはアルコールお
よびイソシアネートを含むが、これらに限定されない。有用な乳化重合材料は、
スチレン、ビニルアセテート、アクリル酸、ブチルアクリレート、t−ブチルア
クリレート、メチルアクリレート、ブチルメタアクリレートを含むが、これらに
限定されない。
【0083】 生成されるカプセルは、硬化性キャリアに分散され得、その結果生じるインク
は、従来の印刷およびコーティング技術を用いて、大きく且つ任意に形作られた
または曲がった表面にプリントし得るか、コーティングし得る。
は、従来の印刷およびコーティング技術を用いて、大きく且つ任意に形作られた
または曲がった表面にプリントし得るか、コーティングし得る。
【0084】 本発明の観点から、当業者は、所望なカプセル特性に基づいて、カプセル化プ
ロシージャおよび壁材料を選択する。これらの特性は、カプセル半径の分布と、
カプセル壁の電気的、機械的、拡散および光学的特性と、カプセルの内部相との
化学的適合性とを含む。
ロシージャおよび壁材料を選択する。これらの特性は、カプセル半径の分布と、
カプセル壁の電気的、機械的、拡散および光学的特性と、カプセルの内部相との
化学的適合性とを含む。
【0085】 カプセル壁は、一般に、高い電気抵抗率を有する。比較的低い抵抗率を有する
壁を使用することもできるが、これは比較的高いアドレス電圧を必要とする際に
パフォーマンスを制限する。カプセル壁は、また、機械的に強固であるべきであ
る(しかし完成したカプセル粉末がコーティングのための硬化性重合体バインダ
ーに分散される場合、機械的強度は重要ではない)。カプセル壁は、一般に、多
孔性であるべきではない。しかし、多孔性カプセルを生成するカプセルプロシー
ジャを使用することが望まれる場合、これらは、処理後の工程においてオーバー
コーティング(すなわち、第2のカプセル化)され得る。さらに、カプセルは硬
化性バインダーに分散される場合、バインダーは細孔を閉じるように機能する。
カプセル壁は光学的に透明であるべきである。しかし、その壁材料は、カプセル
の内相(すなわち、懸濁流体)の屈折率、または、カプセルが分散されるバイン
ダーにマッチするように選択され得る。あるアプリケーション(例えば、2つの
固定電極間への挿入)において、単分散のカプセル半径が望ましい。
壁を使用することもできるが、これは比較的高いアドレス電圧を必要とする際に
パフォーマンスを制限する。カプセル壁は、また、機械的に強固であるべきであ
る(しかし完成したカプセル粉末がコーティングのための硬化性重合体バインダ
ーに分散される場合、機械的強度は重要ではない)。カプセル壁は、一般に、多
孔性であるべきではない。しかし、多孔性カプセルを生成するカプセルプロシー
ジャを使用することが望まれる場合、これらは、処理後の工程においてオーバー
コーティング(すなわち、第2のカプセル化)され得る。さらに、カプセルは硬
化性バインダーに分散される場合、バインダーは細孔を閉じるように機能する。
カプセル壁は光学的に透明であるべきである。しかし、その壁材料は、カプセル
の内相(すなわち、懸濁流体)の屈折率、または、カプセルが分散されるバイン
ダーにマッチするように選択され得る。あるアプリケーション(例えば、2つの
固定電極間への挿入)において、単分散のカプセル半径が望ましい。
【0086】 カプセル化プロシージャは、負に帯電された、カルボキシ置換された、線状炭
化水素高分子電解質材料の存在下で、水中油滴型エマルジョンの水相内における
尿素とホルムアルデヒドとの間の重合に関する。その結果として生じたカプセル
壁は、内部相を個別に囲む尿素/ホルムアルデヒド共重合体である。カプセルは
透明であり、機械的に強く、良好な抵抗率特性を有する。
化水素高分子電解質材料の存在下で、水中油滴型エマルジョンの水相内における
尿素とホルムアルデヒドとの間の重合に関する。その結果として生じたカプセル
壁は、内部相を個別に囲む尿素/ホルムアルデヒド共重合体である。カプセルは
透明であり、機械的に強く、良好な抵抗率特性を有する。
【0087】 インサイチュ重合の関連技術は、水中油滴型エマルジョンを使用する。水中油
滴型エマルジョンは、電気泳動成分(すなわち、色素粒子の懸濁を含む誘電体液
体)を水性環境に分散することによって形成される。モノマーは重合され、水相
より内部層に対してより高い親和性を有するポリマーを形成する。それにより、
乳化された油質のドロップレットの周囲に凝縮する。特に有用な1つのインサイ
チュ重合プロセスにおいて、尿素およびホルムアルデヒドは、ポリ(アクリル酸
)の存在下で縮合する(例えば、米国特許第4,001,140号参照)。他の
有用なプロセスにおいて、水溶液内に生じた任意の多様な架橋試薬が、微視的油
質ドロップレットの周囲に堆積する。そのような架橋剤は、アルデヒド、特には
、ホルムアルデヒド、グリオキサールまたはグルタルアルデヒド;ミョウバン;
ジルコニウム塩;ポリイソシアネートを含む。先に示した米国特許第4,001
,140号および米国特許第4,273,672号の全体の開示を本明細書にお
いて参考として援用する。
滴型エマルジョンは、電気泳動成分(すなわち、色素粒子の懸濁を含む誘電体液
体)を水性環境に分散することによって形成される。モノマーは重合され、水相
より内部層に対してより高い親和性を有するポリマーを形成する。それにより、
乳化された油質のドロップレットの周囲に凝縮する。特に有用な1つのインサイ
チュ重合プロセスにおいて、尿素およびホルムアルデヒドは、ポリ(アクリル酸
)の存在下で縮合する(例えば、米国特許第4,001,140号参照)。他の
有用なプロセスにおいて、水溶液内に生じた任意の多様な架橋試薬が、微視的油
質ドロップレットの周囲に堆積する。そのような架橋剤は、アルデヒド、特には
、ホルムアルデヒド、グリオキサールまたはグルタルアルデヒド;ミョウバン;
ジルコニウム塩;ポリイソシアネートを含む。先に示した米国特許第4,001
,140号および米国特許第4,273,672号の全体の開示を本明細書にお
いて参考として援用する。
【0088】 コアセルベーションアプローチは、また、水中油滴型エマルジョンを使用する
。1つ以上のコロイドは、水相からコアセルベート(すなわち、凝集化)され、
油質ドロップレット周囲の殻として、温度、pHおよび/または相対濃度の制御
を介して堆積され、それにより、マイクロカプセルを生成する。コアセルベーシ
ョンに適切な材料は、ゲラチンおよびアラビアゴムを含む。
。1つ以上のコロイドは、水相からコアセルベート(すなわち、凝集化)され、
油質ドロップレット周囲の殻として、温度、pHおよび/または相対濃度の制御
を介して堆積され、それにより、マイクロカプセルを生成する。コアセルベーシ
ョンに適切な材料は、ゲラチンおよびアラビアゴムを含む。
【0089】 界面重合アプローチは、電気泳動成分の油溶性モノマーの存在に依存する。油
溶性モノマーは、水相内のエマルジョンとして再びあらわれる。わずかに疎水性
ドロップレット内のモノマーは、水相に導入されたモノマーと反応し、ドロップ
レットと周囲の水媒体との間の界面で重合し、ドロップレット周囲の殻を形成す
る。その結果として生じる壁は比較的薄く、透過性であり得るが、このプロセス
は他のいくらかのプロセスの上昇温度特性を必要としない。したがって、誘電体
の液体を選択する観点から、より大きな柔軟性を有する余裕がある。
溶性モノマーは、水相内のエマルジョンとして再びあらわれる。わずかに疎水性
ドロップレット内のモノマーは、水相に導入されたモノマーと反応し、ドロップ
レットと周囲の水媒体との間の界面で重合し、ドロップレット周囲の殻を形成す
る。その結果として生じる壁は比較的薄く、透過性であり得るが、このプロセス
は他のいくらかのプロセスの上昇温度特性を必要としない。したがって、誘電体
の液体を選択する観点から、より大きな柔軟性を有する余裕がある。
【0090】 コーティング支援物を用いて、コーティングされたまたは印刷された電気泳動
インク材料の均一性および品質を向上させ得る。一般に、湿潤剤を追加して、コ
ーティング/基板界面での界面張力を調整し、液体/気体界面張力を調整する。
湿潤剤は、アニオン性またはカチオン性界面活性剤と、シリコーンまたはフルオ
ロポリマーベース材料などの非イオン種とを含むが、これらに限定されない。分
散剤を用いて、カプセルとバインダーとの間の界面張力を修正し得、凝集および
粒子沈殿に対する制御を提供する。
インク材料の均一性および品質を向上させ得る。一般に、湿潤剤を追加して、コ
ーティング/基板界面での界面張力を調整し、液体/気体界面張力を調整する。
湿潤剤は、アニオン性またはカチオン性界面活性剤と、シリコーンまたはフルオ
ロポリマーベース材料などの非イオン種とを含むが、これらに限定されない。分
散剤を用いて、カプセルとバインダーとの間の界面張力を修正し得、凝集および
粒子沈殿に対する制御を提供する。
【0091】 表面張力改質材を追加して、空気/インク界面張力を調整し得る。一般に、ポ
リシロキサンをそのようなアプリケーションに使用し、表面レベルを向上させな
がらコーティング内の他の欠陥を最小化し得る。表面張力改質材は、例えば、D
uPont(Wilmington, DE)からZonyl(登録商標)系列
(series)、3M(St. Paul, MN)からのFluorod(
登録商標)系列(series)およびAutoChem(Glen Rock
,NJ)からのフルオロアルキル系列(series)などのフッ素化された界
面活性剤と;例えば、Union Carbride(Danbury、CT)
からのSilwet(登録商標)などのシロキサン、ならびにポリエトキシおよ
びポリプロポキシアルコールを含むが、これらに限定されない。消泡剤(例えば
、シリコーンおよびシリコーンのない重合材料)を添加して、インク内部から表
面への空気の運動を高め、コーティング表面での気泡の破壊を容易にし得る。他
の有用な消泡材は、グリセリルエステルと、多価アルコールと、アルキルベンゼ
ン、天然脂肪、脂肪酸および金属石鹸の油溶液などの合成された消泡材と、ジメ
チルシロキサンポリマーおよびシリカの組み合わせから作成されたシリコーン消
泡材試薬とを含むが、これらに限定されない。uv−吸収体および抗酸化剤など
の安定剤も追加して、インクの寿命を向上させ得る。
リシロキサンをそのようなアプリケーションに使用し、表面レベルを向上させな
がらコーティング内の他の欠陥を最小化し得る。表面張力改質材は、例えば、D
uPont(Wilmington, DE)からZonyl(登録商標)系列
(series)、3M(St. Paul, MN)からのFluorod(
登録商標)系列(series)およびAutoChem(Glen Rock
,NJ)からのフルオロアルキル系列(series)などのフッ素化された界
面活性剤と;例えば、Union Carbride(Danbury、CT)
からのSilwet(登録商標)などのシロキサン、ならびにポリエトキシおよ
びポリプロポキシアルコールを含むが、これらに限定されない。消泡剤(例えば
、シリコーンおよびシリコーンのない重合材料)を添加して、インク内部から表
面への空気の運動を高め、コーティング表面での気泡の破壊を容易にし得る。他
の有用な消泡材は、グリセリルエステルと、多価アルコールと、アルキルベンゼ
ン、天然脂肪、脂肪酸および金属石鹸の油溶液などの合成された消泡材と、ジメ
チルシロキサンポリマーおよびシリカの組み合わせから作成されたシリコーン消
泡材試薬とを含むが、これらに限定されない。uv−吸収体および抗酸化剤など
の安定剤も追加して、インクの寿命を向上させ得る。
【0092】 コーティング粘性および発泡のような性質を制御するための他の添加剤をコー
ティング流体内に使用し得る。安定剤(UV−吸収体、抗酸化剤)および他の添
加剤は、実際的な材料における有用性を示し得る。
ティング流体内に使用し得る。安定剤(UV−吸収体、抗酸化剤)および他の添
加剤は、実際的な材料における有用性を示し得る。
【0093】 (E.バインダー材料) 電極材料をカプセル分散系に結合するとともに、カプセルを支持および保護す
る非導電性、付着媒体としてバインダーを使用する。バインダーは、多くの形態
および化学的形式で利用可能である。これらには、水溶性ポリマーの中で、水媒
介ポリマー、油溶性ポリマー、熱硬化性および熱可塑性ポリマーならびに放射硬
化性ポリマーがある。
る非導電性、付着媒体としてバインダーを使用する。バインダーは、多くの形態
および化学的形式で利用可能である。これらには、水溶性ポリマーの中で、水媒
介ポリマー、油溶性ポリマー、熱硬化性および熱可塑性ポリマーならびに放射硬
化性ポリマーがある。
【0094】 水溶性ポリマーには、さまざまなポリサッカライド、ポリビニルアルコール、
N−メチルピロリドン、N−ビニルピロリドン、さまざまなCarbowax(
登録商標)系列(species)(Union Carbide、Danbu
ry、CT)およびポリ―2―ヒドロキシエチルアクリレートがある。
N−メチルピロリドン、N−ビニルピロリドン、さまざまなCarbowax(
登録商標)系列(species)(Union Carbide、Danbu
ry、CT)およびポリ―2―ヒドロキシエチルアクリレートがある。
【0095】 水分散または飲料水媒介系は、一般に、ラテックス組成物である。これは、N
eorez(登録商標)およびNeocryl(登録商標)樹脂(Zeneca
Resins,Wilmington,MA)、Acrysol(登録商標)
(Rohm and Haas,Philadelphia,PA)、Bayh
ydrol(登録商標)(Bayer,Pittsburgh,PA)およびC
ytec Industies(West Paterson,NJ)HP l
ineによって代表される。これらは、一般に、ポリウレタンのラテックスであ
り、時に、1つ以上のアクリル、ポリエステル、ポリカーボネート、またはシリ
コーンの化合物であり、それぞれは、ガラス転移温度、「タック(tack)」
の程度、ソフトネス(softness)、透明度、可撓性、水透過性、溶媒耐
久性、伸び弾性率、引張り強度、熱可塑性流量、固体レベルによって規定される
特性の特定のセットで最終の硬化性樹脂に寄与する。ある水媒介系は反応性モノ
マーと混合され、触媒化されて、より複雑な樹脂を形成し得る。例えば、カルボ
キシル基と反応するアジリジンなどの架橋試薬の使用によってさらに架橋され得
るものもある。
eorez(登録商標)およびNeocryl(登録商標)樹脂(Zeneca
Resins,Wilmington,MA)、Acrysol(登録商標)
(Rohm and Haas,Philadelphia,PA)、Bayh
ydrol(登録商標)(Bayer,Pittsburgh,PA)およびC
ytec Industies(West Paterson,NJ)HP l
ineによって代表される。これらは、一般に、ポリウレタンのラテックスであ
り、時に、1つ以上のアクリル、ポリエステル、ポリカーボネート、またはシリ
コーンの化合物であり、それぞれは、ガラス転移温度、「タック(tack)」
の程度、ソフトネス(softness)、透明度、可撓性、水透過性、溶媒耐
久性、伸び弾性率、引張り強度、熱可塑性流量、固体レベルによって規定される
特性の特定のセットで最終の硬化性樹脂に寄与する。ある水媒介系は反応性モノ
マーと混合され、触媒化されて、より複雑な樹脂を形成し得る。例えば、カルボ
キシル基と反応するアジリジンなどの架橋試薬の使用によってさらに架橋され得
るものもある。
【0096】 水媒介樹脂のおよび水溶性カプセルの一般的なアプリケーションは、以下のよ
うである。粒子の塊を遠心分離して、過剰な水と分離する。所定の遠心プロセス
、例えば、60×Gで10分後、カプセルは遠心管の底で見出され、水部分は上
方で見出される。その水部分は慎重に(デカントまたはピペットによって)取り
除かれる。残ったカプセルの質量を測定し、樹脂の質量を追加して、それにより
、樹脂の質量はカプセルの重量の8分の1から10分の1である。この混合物は
徐々に混合され、振動ミキサで穏やかに、適切に1時間半の間、混合される。1
時間半後、混合物は適切な基板上にコーティングできるように用意される。
うである。粒子の塊を遠心分離して、過剰な水と分離する。所定の遠心プロセス
、例えば、60×Gで10分後、カプセルは遠心管の底で見出され、水部分は上
方で見出される。その水部分は慎重に(デカントまたはピペットによって)取り
除かれる。残ったカプセルの質量を測定し、樹脂の質量を追加して、それにより
、樹脂の質量はカプセルの重量の8分の1から10分の1である。この混合物は
徐々に混合され、振動ミキサで穏やかに、適切に1時間半の間、混合される。1
時間半後、混合物は適切な基板上にコーティングできるように用意される。
【0097】 熱硬化性樹脂系は、エポキシ系によって例示される。これらの2成分系は粘度
が大きく変化し、対の反応性は混合物の「ポットライフ」を決定する。ポットラ
イフがコーティング動作を可能にするのに十分に長い場合、カプセルは、樹脂硬
化および固化の前のコーティングプロセスにおいて秩序化された構成でコーティ
ングされ得る。
が大きく変化し、対の反応性は混合物の「ポットライフ」を決定する。ポットラ
イフがコーティング動作を可能にするのに十分に長い場合、カプセルは、樹脂硬
化および固化の前のコーティングプロセスにおいて秩序化された構成でコーティ
ングされ得る。
【0098】 熱可塑性ポリマーは(しばしば、ポリエステルである)、高温で溶融される。
製品のこのタイプの一般的なアプリケーションは、ホットメルト接着剤である。
耐熱性カプセルの分散は、そのような媒体においてコーティングされ得る。凝固
プロセスは冷却時に始まり、最終的な硬度、透明度、可撓性は、ポリマーの分岐
および分子量によって影響される。
製品のこのタイプの一般的なアプリケーションは、ホットメルト接着剤である。
耐熱性カプセルの分散は、そのような媒体においてコーティングされ得る。凝固
プロセスは冷却時に始まり、最終的な硬度、透明度、可撓性は、ポリマーの分岐
および分子量によって影響される。
【0099】 油質または溶媒可溶性ポリマーは、水そのものを明らかに除いて、しばしば水
媒介樹脂系の構成と同様である。溶媒系の処方における許容度は大きく、溶媒選
択およびポリマー溶解性によってのみ制限される。カプセル自身の生存力は溶媒
ベース系においてかなり重要である。カプセル壁の整合性は溶媒によって任意の
方法において妥協され得ない。
媒介樹脂系の構成と同様である。溶媒系の処方における許容度は大きく、溶媒選
択およびポリマー溶解性によってのみ制限される。カプセル自身の生存力は溶媒
ベース系においてかなり重要である。カプセル壁の整合性は溶媒によって任意の
方法において妥協され得ない。
【0100】 放射硬化性樹脂は、概して、溶媒ベース系間に見出される。カプセルは、その
ような媒体内に分散され、コーティングされ得る。次いで、樹脂は紫外線放射の
閾値レベルまでの時限露出によって硬化され得る。その放射の波長は、長いかま
たは短い。ポリマー樹脂を硬化する全ての場合において、最終的な特性は分岐、
モノマー、オリゴマーの分子量、架橋によって決定される。
ような媒体内に分散され、コーティングされ得る。次いで、樹脂は紫外線放射の
閾値レベルまでの時限露出によって硬化され得る。その放射の波長は、長いかま
たは短い。ポリマー樹脂を硬化する全ての場合において、最終的な特性は分岐、
モノマー、オリゴマーの分子量、架橋によって決定される。
【0101】 しかし、多くの減水モノマーおよびオリゴマーが市販されている。厳密な意味
では、それらは水溶性ではないが、水は低濃度において許容された希釈剤であり
、比較的容易に混合物内に分散され得る。これらの環境下で、水を用いて粘性を
減らす(初期的には数千から数十万センチポイズ)。水ベースのカプセルは(例
えば、たんぱく質または多糖類材料から形成されるものなど)、粘性が十分に低
くできるのであれば、そのような媒体内に分散され、コーティングされ得る。そ
のような系の硬化は一般に紫外線放射による。
では、それらは水溶性ではないが、水は低濃度において許容された希釈剤であり
、比較的容易に混合物内に分散され得る。これらの環境下で、水を用いて粘性を
減らす(初期的には数千から数十万センチポイズ)。水ベースのカプセルは(例
えば、たんぱく質または多糖類材料から形成されるものなど)、粘性が十分に低
くできるのであれば、そのような媒体内に分散され、コーティングされ得る。そ
のような系の硬化は一般に紫外線放射による。
【0102】 図11aを参照して、本発明の薄膜トランジスタアレイを使用した電気泳動デ
ィスプレイの実施形態を示す。図11aは、電子インクを用いて構成された電気
泳動ディスプレイ130の断面図を示す。バインダー132は少なくとも1つの
カプセルを含む。そのカプセルは複数の粒子136で満たされ、懸濁流体138
に染められる。ある実施形態において、粒子136はチタニア粒子である。適切
な極性の直流電場をカプセル134に印加する場合、粒子136はディスプレイ
の表示面に移動し、光を散乱する。印加電場を反転する場合、粒子136はディ
スプレイの裏面に移動し、次いで、ディスプレイの表示面を暗くする。
ィスプレイの実施形態を示す。図11aは、電子インクを用いて構成された電気
泳動ディスプレイ130の断面図を示す。バインダー132は少なくとも1つの
カプセルを含む。そのカプセルは複数の粒子136で満たされ、懸濁流体138
に染められる。ある実施形態において、粒子136はチタニア粒子である。適切
な極性の直流電場をカプセル134に印加する場合、粒子136はディスプレイ
の表示面に移動し、光を散乱する。印加電場を反転する場合、粒子136はディ
スプレイの裏面に移動し、次いで、ディスプレイの表示面を暗くする。
【0103】 図11bは、電子インクを用いて構成された別の電気泳動ディスプレイ140
の断面を示す。このディスプレイは、カプセル141内に、第1の粒子セット1
42と第2の粒子セット144とを備える。第1の粒子セット142および第2
の粒子セット144は対称的な光学特性を有する。例えば、第1の粒子セット1
42および第2の粒子セット144は、異なる電気泳動移動度を有し得る。さら
に、第1の粒子セット142および第2の粒子セット144は、対称的な色を有
し得る。例えば、第1の粒子セット142は白色でもよく、一方、第2の粒子セ
ット144は黒色でもよい。カプセル141は実質的に透明な流体をさらに含む
。カプセル141は、カプセル141に近接して配置される電極146および電
極146’を有する。電極146および電極146’は電圧源148に接続され
る。電圧源148はカプセル141に電場を供給する。ある実施形態において、
電場を電極146および電極146’に印加する際、第1の粒子のセット142
は電極146’の方に移動し、一方、第2の粒子のセット144は電極146の
方に移動する。別の実施形態において、電場を電極146および電極146’に
印加する際に、第1の粒子のセット142は電極146’の方に急速に移動し、
一方、第2の粒子のセット144はゆっくりと電極146の方に移動するか、ま
たは全く動かない。それにより、第1の粒子のセットは、電極146’に近接す
るマイクロカプセル表面で優先的に密集する。
の断面を示す。このディスプレイは、カプセル141内に、第1の粒子セット1
42と第2の粒子セット144とを備える。第1の粒子セット142および第2
の粒子セット144は対称的な光学特性を有する。例えば、第1の粒子セット1
42および第2の粒子セット144は、異なる電気泳動移動度を有し得る。さら
に、第1の粒子セット142および第2の粒子セット144は、対称的な色を有
し得る。例えば、第1の粒子セット142は白色でもよく、一方、第2の粒子セ
ット144は黒色でもよい。カプセル141は実質的に透明な流体をさらに含む
。カプセル141は、カプセル141に近接して配置される電極146および電
極146’を有する。電極146および電極146’は電圧源148に接続され
る。電圧源148はカプセル141に電場を供給する。ある実施形態において、
電場を電極146および電極146’に印加する際、第1の粒子のセット142
は電極146’の方に移動し、一方、第2の粒子のセット144は電極146の
方に移動する。別の実施形態において、電場を電極146および電極146’に
印加する際に、第1の粒子のセット142は電極146’の方に急速に移動し、
一方、第2の粒子のセット144はゆっくりと電極146の方に移動するか、ま
たは全く動かない。それにより、第1の粒子のセットは、電極146’に近接す
るマイクロカプセル表面で優先的に密集する。
【0104】 図11cは、懸濁粒子ディスプレイ150の断面図を示す。懸濁粒子ディスプ
レイ150は、透明流体154内のニードル状粒子152を含む。粒子152は
、電極156および電極156’にAC場を印加する際に、粒子152の配向が
変化する。AC場を印加する場合、粒子152はディスプレイ表面に対して垂直
に配向され、ディスプレイは透明にみえる。AC場を取り除く場合、粒子152
はランダムに配向され、ディスプレイ150は不透明にみえる。
レイ150は、透明流体154内のニードル状粒子152を含む。粒子152は
、電極156および電極156’にAC場を印加する際に、粒子152の配向が
変化する。AC場を印加する場合、粒子152はディスプレイ表面に対して垂直
に配向され、ディスプレイは透明にみえる。AC場を取り除く場合、粒子152
はランダムに配向され、ディスプレイ150は不透明にみえる。
【0105】 図9a〜図9cにおいて提供された電気泳動および懸濁粒子ディスプレイは単
なる例示であり、他の電気泳動ディスプレイは本発明に従って使用され得る。
なる例示であり、他の電気泳動ディスプレイは本発明に従って使用され得る。
【0106】 別の詳細な実施形態において、ディスプレイ媒体106は、図11dに示され
る複数のバイクロマル(bichromal)球を含み得る。バイクロマル球1
60は、一般に、液体媒体166内において、第1の色の正電荷半球162と第
2の色の負電荷半球164とを含む。対の電極168、168’を介して球16
0に電場を印加すると、球160は回転し、2つの半球162、164の一方の
色を表示する。
る複数のバイクロマル(bichromal)球を含み得る。バイクロマル球1
60は、一般に、液体媒体166内において、第1の色の正電荷半球162と第
2の色の負電荷半球164とを含む。対の電極168、168’を介して球16
0に電場を印加すると、球160は回転し、2つの半球162、164の一方の
色を表示する。
【0107】 代替の実施形態において、クロストークが減少したトラジスタのアレイは、半
導体層の抵抗率を増加させることによって作成される。例えば、半導体層がわず
かにn型であるアモルファスシリコンである場合、半導体は、半導体層の抵抗率
を増加させるために、ボロンまたは等価なp型ドーパントを少しドープし得る。
半導体層にドープするボロンが多すぎる場合、半導体層はp型になり、抵抗率は
減少する。例えば、ディスプレイのアプリケーションにおいて、ボロンドーピン
グを調整して、ディスプレイのピクセルを駆動するのに、最低限必要な「オン」
電流をトランジスタに供給し、同時に隣接素子または信号間の十分な絶縁を保持
する。議論したように、トランジスタの隣接するソース電極およびドレイン電極
と金属信号線との間の空間は、本実施形態において、下にある半導体層を介する
電荷リークを抑制するのに十分な大きさでなければならない。様々な材料のリー
ク電流、電極電位、半導体導電率および厚さが分かれば、この最小の空間は、抵
抗の計算を介して導出することができる。
導体層の抵抗率を増加させることによって作成される。例えば、半導体層がわず
かにn型であるアモルファスシリコンである場合、半導体は、半導体層の抵抗率
を増加させるために、ボロンまたは等価なp型ドーパントを少しドープし得る。
半導体層にドープするボロンが多すぎる場合、半導体層はp型になり、抵抗率は
減少する。例えば、ディスプレイのアプリケーションにおいて、ボロンドーピン
グを調整して、ディスプレイのピクセルを駆動するのに、最低限必要な「オン」
電流をトランジスタに供給し、同時に隣接素子または信号間の十分な絶縁を保持
する。議論したように、トランジスタの隣接するソース電極およびドレイン電極
と金属信号線との間の空間は、本実施形態において、下にある半導体層を介する
電荷リークを抑制するのに十分な大きさでなければならない。様々な材料のリー
ク電流、電極電位、半導体導電率および厚さが分かれば、この最小の空間は、抵
抗の計算を介して導出することができる。
【0108】 本発明は、特定の好適な実施形態を参照して、特定に示され且つ記載されるが
、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の意図および範囲から逸脱す
ることなく、形態および詳細の様々な変更が為され得ることが当業者に理解され
るべきである。例えば、能動素子または受動素子のアレイは本発明に従って作成
され得る。素子のアレイは、ディスプレイ以外のデバイスにおいて使用され得る
。
、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の意図および範囲から逸脱す
ることなく、形態および詳細の様々な変更が為され得ることが当業者に理解され
るべきである。例えば、能動素子または受動素子のアレイは本発明に従って作成
され得る。素子のアレイは、ディスプレイ以外のデバイスにおいて使用され得る
。
【図1】 図1は、本発明の1実施形態による薄膜トランジスタアレイの断面図を示す。
【図2】 図2は、ディスプレイ媒体が削除された電子ディスプレイの1実施形態の平面
図を示す。
図を示す。
【図3】 図3は、図2のディスプレイの抵抗のあるリーク経路の位置を示す。
【図4a】 図4aは、薄膜トランジスタの1実施形態の平面図を示す。
【図4b】 図4bは、図4aに示されるトランジスタの実施形態に相当する断面図の略図
を示す。
を示す。
【図5】 図5は、図4aに示されたタイプの2マスクトランジスタの1サンプルについ
てのドレイン電流対ゲート電圧のグラフを示す。
てのドレイン電流対ゲート電圧のグラフを示す。
【図6】 図6は、本発明の1実施形態による薄膜トランジスタアレイの断面図を示す。
【図7】 図7は、本発明の1実施形態による薄膜トランジスタアレイの断面図を示す。
【図8】 図8は、本発明の1実施形態による薄膜トランジスタアレイの断面図を示す。
【図9】 図9は、本発明の1実施形態による薄膜トランジスタアレイの断面図を示す。
【図10】 図10は、本発明の1実施形態による電子ディスプレイの断面図を示す。
【図11a】 図11aは、本発明の1実施形態による電子ディスプレイの断面図の略図を示
す。
す。
【図11b】 図11bは、本発明の1実施形態による電子ディスプレイの断面図の略図を示
す。
す。
【図11c】 図11cは、本発明の1実施形態による電子ディスプレイの断面図の略図を示
す。
す。
【図11d】 図11dは、本発明の1実施形態による電子ディスプレイの断面図の略図を示
す。
す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZW ),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU, TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT,AU, AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA,CH,C N,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DZ,EE ,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,HR, HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,KG,K P,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU ,LV,MA,MD,MG,MK,MN,MW,MX, NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE,S G,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT,TZ ,UA,UG,UZ,VN,YU,ZA,ZW (72)発明者 ダザラー, グレッグ エム. アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02146, ケンブリッジ, ビーコン ス トリート 1243, アパートメント 6イ ー (72)発明者 カズラス, ピーター ティー. アメリカ合衆国 マサチューセッツ 01776, サドバリー, ダットン ロー ド 405 (72)発明者 チェン, ユ アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02138, ケンブリッジ, トローブリッ ジ ストリート 77 Fターム(参考) 5C094 AA42 AA43 BA03 BA43 BA75 BA76 CA19 EA04 EA07 5F110 AA16 BB01 CC05 CC07 CC08 DD01 DD02 DD05 EE01 EE02 FF01 FF02 FF03 GG02 GG05 GG13 GG15 GG32 GG35 HJ13 HJ23 HK01 HK02 HK09 HK16 HK21 HK34 NN02 NN24 NN41 NN72
Claims (13)
- 【請求項1】 少なくとも第1のトランジスタと第2のトランジスタと第3
のトランジスタとを備える薄膜トランジスタアレイ(10)であって、該トラン
ジスタの各々が、 ソース電極(20)と、 該ソース電極(20)から間隔があいたドレイン電極(22)と、 該ソース電極(20)および該ドレイン電極(22)の両方と電気的につなが
る半導体層(18)と、 該半導体層(18)と近接するように配置されるゲート電極(14)であって
、該ゲート電極(14)の電位を変化させることによって、該ソース電極(20
)と該ドレイン電極(22)との間の該半導体層の抵抗を変化させることができ
る、ゲート電極(14)と、 を備え、 該トランジスタアレイ(10)は、 該第1のトランジスタおよび該第2のトランジスタのそれぞれの該ソース電極
(20)および該ドレイン電極(22)の一方とつながる第1のデータ線(32
)と、 該第3のトランジスタのソース電極(20)およびドレイン電極(22)の対
応する方とつながる第2のデータ線(32)と、 該第1のトランジスタと該第3のトランジスタのゲート電極(14)とつなが
る第1の選択線(36)と、 該第2のトランジスタのゲート電極(14)とつながる第2の選択線(46)
と、 をさらに備え、 該アレイは、該半導体層(18)が第1のトランジスタ、第2のトラジスタ、
第3のトランジスタの間を連続して伸びることを特徴とする、薄膜トランジスタ
アレイ。 - 【請求項2】 前記半導体層(18)が、非パターンニングされたされてい
ることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ。 - 【請求項3】 前記半導体層(18)に近接する非パターンニングされた誘
電体層(16)を特徴とする、請求項1または2に記載の薄膜トランジスタアレ
イ。 - 【請求項4】 前記第1のトランジスタは電子ディスプレイの第1の画素電
極(34)をさらに備え、この第1の画素電極(34)は該第1のトランジスタ
の前記ドレイン電極(22)とつながり、前記第2のトランジスタは該電子ディ
スプレイの第2の画素電極(40)をさらに備え、該第2の画素電極(40)は
該第2のトランジスタの前記ドレイン電極(22)とつながり、前記第3のトラ
ンジスタは該電子ディスプレイの第3の画素電極(38)をさらに備え、該第3
の画素電極(38)は該第3のトランジスタの前記ドレイン電極(22)とつな
がり、該第1のトランジスタおよび該第2のトランジスタの前記ソース電極(2
0)は前記第1のデータ線とつながり、該第3のトランジスタの前記ソース電極
(20)は前記第2のデータ線につながることを特徴とする、請求項1から3の
いずれかに記載の薄膜トランジスタアレイ。 - 【請求項5】 前記半導体層(18)は、有機半導体材料またはシリコンを
含むことを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の薄膜トランジスタア
レイ。 - 【請求項6】 前記半導体層(18)がアモルファスシリコンを含むことを
特徴とする、請求項5に記載の薄膜トランジスタアレイ。 - 【請求項7】 前記半導体層(18)は、p型ドーパントを有するアモルフ
ァスシリコンを含むことを特徴とする、請求項6に記載の薄膜トランジスタアレ
イ。 - 【請求項8】 少なくとも1つのトランジスタが、 (a) 前記半導体層(18)と、該トランジスタのソース電極(20)およ
びドレイン電極の少なくとも一方との間に設けられるパターンニングされたnド
ープシリコン層と、 (b) 該半導体層(18)に近接して設けられたパシベーション層と をさらに含むことを特徴とする、請求項1から7のいずれかに記載の薄膜トラン
ジスタアレイ。 - 【請求項9】 請求項1から8のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイ
(10)と、 ディスプレイ媒体(106)と によって特徴付けられる、電子ディスプレイ(100)。 - 【請求項10】 前記媒体(106)が電気泳動であることを特徴とする、
請求項9に記載の電子ディスプレイ。 - 【請求項11】 前記電気泳動媒体(106)は、少なくとも1つのタイプ
の粒子と懸濁流体とを含むことを特徴とする、請求項10に記載の電子ディスプ
レイ。 - 【請求項12】 前記電気泳動媒体(106)をカプセル化することを特徴
とする、請求項10または11に記載の電子ディスプレイ。 - 【請求項13】 前記トランジスタアレイの前記半導体層に近接する光ブロ
ック層によって特徴付けられる、請求項9から12のいずれかに記載の電子ディ
スプレイ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13264299P | 1999-05-05 | 1999-05-05 | |
US60/132,642 | 1999-05-05 | ||
PCT/US2000/012193 WO2000067327A1 (en) | 1999-05-05 | 2000-05-05 | Minimally-patterned semiconductor devices for display applications |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002543625A true JP2002543625A (ja) | 2002-12-17 |
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---|---|---|---|
JP2000616077A Pending JP2002543625A (ja) | 1999-05-05 | 2000-05-05 | ディスプレイアプリケーションのための最小パターンニングされた半導体デバイス |
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