JP2001194681A

JP2001194681A - 液晶装置および電子機器

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Publication number: JP2001194681A
Application number: JP2000116788A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Tanaka; 千浩田中; Tadashi Tsuyuki; 正露木; Yoshio Yamaguchi; 善夫山口; Takeyoshi Ushiki; 武義宇敷; Takashi Inami; 隆志居波
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-04-18
Filing date: 2000-04-18
Publication date: 2001-07-19

Abstract

(57)【要約】【課題】【解決手段】カラーフィルタの着色層Ｒ、Ｇ、Ｂはデ
ルタ配列となっている。それらのサブ画素に電圧を印加
するためのデータ線（２１２）は、各色に対応するサブ
画素の画素電極（２３４）に、一定の順番で繰り返して
ＴＦＤ（２２０）を介し接続される一方、１本のデータ
線（２１２）に共通接続される画素電極（２３４）は、
当該データ線（２１２）に対して同じ側に配置されてい
る。これにより、特定色におけるサブ画素の電位は、他
色におけるサブ画素の電位から均等に影響を受ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、異なる３色に対応
するサブ画素がデルタ状に配列した液晶装置、および、
この液晶装置を有する電子機器に関する。

【０００２】

【背景技術】近年、小型コンピュータや、デジタルカメ
ラ、携帯電話機等といった電子機器に液晶装置が広く用
いられている。この液晶装置は、一般に、液晶を挟んで
互いに対向する一対の基板と、これらの基板の対向面に
それぞれ形成された電極とを有する。さらに、これらの
両電極と、電極間に挟まれる液晶とによってドット状の
画素が形成されて、マトリクス状に配列している。ここ
で、画素を形成する電極間に電圧が選択的に印加される
と、液晶の配向が変化し、液晶を通過する光量が制御さ
れて、ドット表示が行われることとなる。

【０００３】さて、このような液晶装置においてカラー
表示を行う場合、１画素がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ
（青）の３原色にそれぞれ対応するサブ画素に分割され
て、これらのサブ画素が所定のパターンにてマトリクス
状に配列する。なお一般に、サブ画素における着色は、
一方の基板に形成されたカラーフィルタによって行われ
る。

【０００４】ここで、液晶装置において、サブ画素の色
配列、すなわち、カラーフィルタにおける着色層の配列
としては、図１５に示されるようなＲＧＢストライプ配
列や、図１６に示されるようなＲＧＢモザイク配列、図
１７に示されるようなＲＧＧＢモザイク配列、図１８に
示されるようなＲＧＢデルタ配列などが知られている。
なお、これらの各図において、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」
は、それぞれサブ画素によって着色される色を示し、具
体的には「Ｒ」は赤、「Ｇ」は緑、「Ｂ」は青を、それ
ぞれ示している。

【０００５】さて、図１５に示されるＲＧＢストライプ
配列は、トリオ配列とも呼ばれ、文字や直線等を表示す
るデータディスプレイなどの用途に適しているが、他の
配列に比べて解像度が低い。

【０００６】また、図１６に示されるＲＧＢモザイク配
列は、右上がりの斜線と左上がりのの斜線とにおいて表
示品位に差があるので、画像全体に斜線状のノイズが生
じる。特に、サブ画素数が少ないとき、そのノイズが顕
著となる。

【０００７】一方、図１７に示されるＲＧＧＢモザイク
配列は、視感度の高い「Ｇ」の数が多いため、一般に解
像度が高いと言われているが、主観評価の実験では必ず
しも評価が高くない。さらに、視認距離が短いと、
「Ｂ」、「Ｒ」の数が少ないために、画像のザラツキ感
が目立つ。

【０００８】そして、図１８に示されるＲＧＢデルタ配
列は、ＲＧＢモザイク配列と比較して１．５倍の水平解
像度を有する。なお、斜め成分が劣るためにＲＧＧＢモ
ザイク配列と比較して画像の輪郭等に難があるとされる
が、主観評価実験では評価が最も高い。

【０００９】以上のように、サブ画素の密度を同一とし
て各配列を比較した場合において、高い水平解像度が得
られるＲＧＢデルタ配列が、高精細および高画質を図る
際に適した配列であると考えられる。

【００１０】次に、ＲＧＢデルタ配列において、サブ画
素と、それを駆動するための導通ライン（例えばデータ
線または走査線）とを接続するには、次のような２つの
配線パターンが知られている。すなわち、図１９に示さ
れるように、１本のデータ線２１２が、ＲＧＢの３色の
うち、２色のサブ画素の画素電極２３４に接続される配
線パターン（以下、タイプ１と称する）と、図２０に示
されるように、１色のサブ画素のみの画素電極２３４に
接続される配線パターン（以下、タイプ２と称する）と
が知られている。なお、ここでは、導通ラインをデータ
線とした場合を示している。また、これらの図におい
て、各データ線２１２と各画素電極２３４とを結ぶ短い
線２２０ｄは、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）や、Ｔ
ＦＤ（ThinFilm Diode）などのようなアクティブ素子を
示している。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、タイプ１の
配線パターン（図１９参照）では、ある１本のデータ線
２１２において共用される２色のサブ画素のうち、一方
の色に対応するサブ画素の電位変動が、他方の色に対応
するサブ画素の電位に影響を受ける。このため、いわゆ
る縦クロストークが発生し、その結果、表示画像にスジ
状のムラ（スジムラ）が発生して、表示品質が低下す
る、という問題があった。

【００１２】この問題は、１本のデータ線２１２によっ
て１色のみを受け持たせるタイプ２の配線パターン（図
２０参照）を採用することにより解消できる。ただし、
このタイプ２の配線パターンにおいては、あるサブ画素
に隣接するデータ線２１２の電位が変動すると、そのサ
ブ画素の電位も変動する。このため、いわゆる横クロス
トークが発生し、その結果、表示画像にスジムラが発生
して、表示品質が低下する、という別の問題を引き起こ
すことになった。

【００１３】したがって、本発明の目的は、縦クロスト
ークに起因する表示画像のスジムラとともに、横クロス
トークに起因する表示画像のスジムラをも防止して、表
示の高品質化を図った液晶装置、および、この液晶装置
を有する電子機器を提供することにある。

【００１４】本発明を開示する前に、上記スジムラにつ
いて詳細に検討してみる。

【００１５】まず、図１９に示されるタイプ１の配線パ
ターンにおいて、縦クロストークに起因する表示画像の
スジムラとは、具体的には、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」と
それぞれ補色の関係にあるシアン、マゼンタ、イエロー
のいずれかの単色パターン（ベタパターン）を表示した
際に１行毎に明暗が発生する、というものである。

【００１６】ここで、液晶装置として、電圧無印加状態
で白（オフ）を表示するノーマリーホワイトモードを例
に説明すると、例えばシアンを表示する場合、「Ｒ」の
サブ画素については黒（オン）、「Ｇ」および「Ｂ」の
サブ画素については白（オフ）となるので、Ｒのサブ画
素についてのみ書き込みをする必要がある。

【００１７】なお、タイプ１の配線パターンにおいて、
のデータ線２１２には、「Ｒ」と「Ｇ」とのサブ画素
の画素電極２３４に接続され、のデータ線２１２に
は、「Ｇ」と「Ｂ」とのサブ画素の画素電極２３４に接
続され、のデータ線２１２には、「Ｂ」と「Ｒ」との
サブ画素の画素電極２３４に接続されている。

【００１８】さて、偶数行に位置する「Ｇ」の画素電極
２３４は、のデータ線２１２のみに接続されているの
で、のデータ線２１２において奇数行に位置する
「Ｒ」のサブ画素に書き込みが行われると、そののデ
ータ線２１２に接続された「Ｇ」のサブ画素の電位と
のデータ線２１２の電位との差が大きくなる。このた
め、偶数行における「Ｇ」のサブ画素の電位は、図２１
においてで示されるように「Ｒ」のサブ画素に対する
書き込み電位に引き込まれる。これが縦クロストークの
一種である。

【００１９】一方、奇数行に位置する「Ｇ」の画素電極
２３４は、のデータ線２１２のみに接続されており、
のデータ線２１２には、「Ｒ」のサブ画素が接続され
ていないので、のデータ線２１２に接続された「Ｇ」
のサブ画素の電位とのデータ線２１２の電位との差は
小さいままである。このため、「Ｇ」のサブ画素の電位
は、図２１においてで示されるように「Ｒ」のサブ画
素に対する書き込み電位の影響をほとんど受けない。

【００２０】この結果、偶数行における「Ｇ」のサブ画
素に印加される電圧実効値が、奇数行における「Ｇ」の
サブ画素に印加される電圧実効値よりも低下するので、
偶数行の「Ｇ」のサブ画素は明るく、奇数行の「Ｇ」の
サブ画素が暗くなる、という現象に帰結する。同様な現
象は、図２１におけるでも判るように、「Ｂ」のサブ
画素についても発生し、偶数行の「Ｂ」のサブ画素は暗
く、奇数行の「Ｂ」のサブ画素が明るくなる。

【００２１】結局、１行おきに明暗の差が生じてスジム
ラが発生することとなる。イエロー、マゼンタを表示す
る場合についても同様であり、奇数行および偶数行で明
暗が生じてスジムラが発生することとなる。

【００２２】なお、図２１において、、、の各々
は、シアンのベタパターンが表示される場合に、図１９
における、、のデータ線２１２に対応させたビデ
オ信号の電位を、横軸を時間として表したものである。
また、この図において、ビデオ信号が電圧変調方式で表
現されているが、ＴＦＤを用いた液晶装置の標準的な駆
動方式であるパルス幅変調（ＰＷＭ）方式においても概
念的には同じである。

【００２３】さて、上記縦クロストークは、１本のデー
タ線２１２が２色のサブ画素の画素電極２３４に接続さ
れていることに起因して発生するものである。したがっ
て、図２０に示されるタイプ２の配線パターンを採用す
れば、そのような縦クロストークが解消されるはずであ
る。

【００２４】しかしながら、このタイプ２の配線パター
ンにおいては、横クロストークに起因してスジムラが発
生するという別の問題がある。これは、「Ｒ」、
「Ｇ」、「Ｂ」の補色（すなわち、シアン、マゼンタ、
イエロー）を表示した場合に顕著に表れる。すなわち、
この横クロストークに起因するスジムラとは、図２０に
おいて、例えば「Ｂ」のサブ画素が黒（オン）となり、
「Ｒ」および「Ｇ」のサブ画素が白（オフ）となるイエ
ローが表示される場合、奇数行に位置する「Ｇ」のサブ
画素が、偶数行に位置する「Ｇ」のサブ画素よりも明る
くなり、また、偶数行に位置する「Ｒ」のサブ画素が、
奇数行に位置する「Ｒ」のサブ画素よりも明るくなる、
という現象である。

【００２５】ここで、本発明者は、配線パターンに着目
したところ、かかる横クロストークに起因するスジムラ
とは、黒の書き込みに関与するのデータ線（「Ｂ」の
サブ画素に接続されたデータ線）２１２によって囲まれ
るサブ画素（すなわち、奇数行に位置する「Ｇ」のサブ
画素および偶数行に位置する「Ｒ」のサブ画素）が明る
く、黒の書き込みに関与しない、のデータ線２１２
によって囲まれるサブ画素（すなわち、偶数行に位置す
る「Ｇ」のサブ画素および奇数行に位置する「Ｒ」のサ
ブ画素）が暗い、という現象であることを確認した。

【００２６】この現象をマクロ的に観察すると、明るい
縦ライン（ＧＲＧＲ）と暗い縦ライン（ＲＧＲＧ）とが
交互に現れるため、縦スジとして視認される。表示色を
入れ替えてシアン表示（「Ｒ」のサブ画素が黒）の場
合、マゼンタ表示（「Ｇ」のサブ画素が黒）の場合に
も、黒の書き込みに関与するデータ線によって囲まれる
サブ画素は明るく、黒の書き込みに関与しないデータ線
によって囲まれるサブ画素は暗い、という現象が同様に
確認された。なお、サブ画素のピッチによっては、同様
な現象が横スジとして視認される場合もあった。

【００２７】さらに、詳細に検討するために、本発明者
らは、サブ画素のＶＴカーブ（電圧−透過率特性）につ
いて、周辺のサブ画素の条件を変化させて測定した。図
２２および図２３は、この測定結果である。このうち、
図２２は、偶数行に位置する「Ｇ」のサブ画素において
測定されたオフ（白）波形を示し、また、図２３は、同
様に偶数行に位置する「Ｇ」のサブ画素において測定さ
れたオン（黒）波形を示し、両者とも、測定対象である
「Ｇ」のサブ画素に対して、周辺の「Ｒ」および「Ｂ」
のサブ画素においてオン（黒）／オフ（白）を変化させ
た場合に、波形変化の様子を測定したものである。

【００２８】これらの図で示されるＶＴカーブから判明
するように、偶数行の「Ｇ」のサブ画素に印加される電
圧は、「Ｂ」のサブ画素の白黒にかかわらず、「Ｒ」の
サブ画素が黒の場合には、高電圧側にシフトする一方、
「Ｒ」のサブ画素が白の場合に波形が低電圧側にシフト
する傾向がある。これは、特に図２２におけるオフ
（白）波形において顕著であり、このような光学特性の
シフトは、肉眼で観察した場合の現象と良く一致してい
る。なお、Ｒ：白／Ｂ：白の条件とＲ：黒／Ｂ：黒の条
件とにおいて、Ｖ５０（すなわち、透過率が５０％とな
る電圧）を比較すると、図２２では１．４Ｖの差があ
り、図２３では１．８Ｖの差があった。

【００２９】以上の測定結果から、ある色に対応するサ
ブ画素（仮に「Ｒ」のサブ画素とする）を駆動するため
の配線が、それに隣接するサブ画素（仮に「Ｇ」のサブ
画素とする）の周辺を囲むことによって寄生容量が発生
して、実効的な容量比に変動が生じる結果、サブ画素に
印加される電圧のシフトが発生している、と推測され
る。

【００３０】例えば、図２２および図２３において、偶
数行の「Ｇ」のサブ画素におけるＶＴカーブの挙動が
「Ｒ」のサブ画素の点灯状態に支配されている理由は、
当該「Ｇ」のサブ画素には、専ら「Ｒ」のサブ画素に接
続されるのデータ線２１２が容量的にカップリングし
て、その電圧変動が「Ｇ」のサブ画素に印加される電圧
に影響を与えているからである。このようにサブ画素の
明度が、そのサブ画素に行方向で隣接する配線の影響を
受けることから、この現象は横クロストークということ
になる。

【００３１】さて、アクティブ素子にＴＦＤを用いた液
晶装置において、素子側の配線をデータ線とし、対向基
板側（すなわちカラーフィルタ側）の電極を走査線とす
る場合に、あるサブ画素を駆動するデータ線は、そのサ
ブ画素の画素電極に対して右か左かどちらか一方にしか
なく、他方には他の色のサブ画素を駆動するデータ線が
存在することになる。したがって、横クロストークは、
デルタ配列に限られず、モザイクや、ストライプなどの
他の配列でも同様に発生し得るものであるといえる。

【００３２】事実、同一サブ画素数および同一サブ画素
ピッチの液晶装置であって、サブ画素の色配列のみがモ
ザイク配列である液晶装置において、サブ画素単位のＶ
Ｔカーブを測定してみると、デルタ配列の場合と同様に
電圧のシフトが発生していることが、本発明者らによっ
て明瞭に確認された。しかし、デルタ配列では深刻なス
ジムラとして視認される現象は、モザイク配列では問題
とならない。この理由は、モザイク配列の場合には、奇
数行および偶数行の区別がなく、全体が一様に影響を受
けていることに他ならないからである。横クロストーク
がデルタ配列特有の問題として顕在化するのはこのため
である。

【００３３】逆に言えば、デルタ配列においてタイプ２
の配線パターンで見られる横クロストークは、基本的に
サブ画素の色配列とは無関係に存在するが、その影響が
全ての色のサブ画素に対して均一であれば、表示上の不
具合とはならないと考えられる。したがって、重要なポ
イントは、ある色のサブ画素にカップリングする配線に
よって駆動されるサブ画素の色が、行毎に入れ替わらな
い、ということであると考えられる。ただし、横クロス
トークによる影響が全てのサブ画素に対して均一であっ
たとしても、先に述べたように縦クロストークのおそれ
のあるタイプ１の配線パターンを採用することはできな
い。

【００３４】このような経緯から、本発明者らは、デル
タ配列における新たな試みとして、１本のデータ線に
「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の３色が接続される配線パター
ンについて検討した。このような配線パターンとして
は、図２４に示されるタイプ３、図２５に示されるタイ
プ４および図１に示されるタイプ５の３種が想定され
た。そして、本発明者は、これら３種の配線パターンに
ついて、サブ画素に対する配線のカップリング影響度を
評価した。この評価結果が図５である。

【００３５】なお、この評価結果では、着目したサブ画
素において画素電極の４辺の１／２が囲まれる場合の影
響度を「２」、Ｌ字型に囲まれる場合の影響度を「１．
５」、直線（１辺）のみの場合の影響度を「１」とし、
さらに、着目したサブ画素の画素電極に対して左側に位
置するデータ線（左配線）からの影響をマイナス、右側
に位置するデータ線（右配線）からの影響をプラスとし
た。さらに、影響度における最小値と最大値との差（レ
ンジ）のみならず、隣接する走査線間における最大変化
量についても考慮された。

【００３６】ここで、図２４に示されるタイプ３の配線
パターン、および、図２５に示されるタイプ４の配線パ
ターンでは、ある色のサブ画素にカップリングするデー
タ線によって駆動されるサブ画素の色が６行毎に入れ替
わるので、タイプ２の配線パターン（図１９参照）と同
様に横クロストークの関係上好ましくない。

【００３７】したがって、図１に示されるタイプ５の配
線パターンが、カップリング影響度の評価結果を考慮し
ても、また、クロストークの発生を事前に抑止する観点
からも、最も望ましいと考えられる。

【００３８】

【課題を解決するための手段】そこで、本件第１の発明
は、異なる３色にそれぞれ対応するサブ画素が三角配置
された液晶装置であって、それらのサブ画素に電圧を印
加するための導通ラインは、前記３色に対応するサブ画
素の画素電極に、一定の順番で繰り返して接続される一
方、１本の導通ラインに共通接続される画素電極は、当
該導通ラインに対して同じ側に配置されていることを特
徴としている。この構成によれば、どの行のサブ画素に
着目しても、いずれか一方の側に位置する導通ラインに
よって接続され、かつ、各サブ画素は、その他方の側に
位置する導通ラインとしかカップリングしない。このた
め、各行に存在する同一色のサブ画素を見たとき、それ
らのサブ画素にカップリングするデータ線によって駆動
されるサブ画素の色は各行にわたって同一となる。した
がって、横クロストークの影響は、全てのサブ画素に対
して均一となるので、スジムラの発生しない良好な表示
品質を得ることができる。

【００３９】ここで、本件の第１の発明においては、導
通ラインによる画素電極の囲む形態が行毎に異なるの
で、導通ラインとそれに隣接する画素電極と距離が各行
毎に同一であると、両者の間のカップリング容量が行毎
に異なってしまう。このため、本件第１の発明におい
て、前記導通ラインは、データ線であって、そのデータ
線のうち画素電極に沿う部分の長さが長くなるにつれ
て、データ線と画素との間の距離を長くするか、また
は、データ線を細くした構成が望ましい。この構成によ
れば、データ線と、それに隣接する画素電極とのカップ
リング容量を各行にわたって均一化されるので、スジム
ラのない良好な表示が可能となる。

【００４０】また、上記第１の発明において、いわゆる
デルタ配列において用いられる色数が「３」であること
との関係上、前記導通ラインは、６の倍数を１周期とす
るパターンにて、前記画素電極に接続されている構成が
望ましい。

【００４１】さらに、上記第１の発明において、前記導
通ラインは、前記画素電極に対し、アクティブ素子を介
して接続されている構成が望ましく、そのアクティブ素
子は、導電体／絶縁体／導電体からなる薄膜ダイオード
素子であることが望ましい。このようなアクティブ素子
により、オンさせるサブ画素とオフさせるサブ画素とを
電気的に分離でき、また、アクティブ素子として画素電
極と並列な保持容量を形成することが困難な薄膜ダイオ
ードを用いる場合であっても、均一な表示画像を得るこ
とが可能となる。

【００４２】次に、上記目的を達成するために本件第２
の発明は、異なる３色にそれぞれ対応するサブ画素が三
角配置された液晶装置を有する電子機器であって、それ
らのサブ画素に電圧を印加するための導通ラインは、前
記３色に対応するサブ画素に対応する画素電極に、一定
の順番で繰り返して接続される一方、１本の導通ライン
に共通接続される画素電極は、当該導通ラインに対して
同じ側に配置されることを特徴としている。この電子機
器によれば、スジムラのない良好な表示を得ることが可
能となる。

【００４３】続いて、上記目的を達成するために本件第
３の発明は、異なる３色にそれぞれ対応するサブ画素が
三角配置された液晶装置であって、それらのサブ画素に
電圧を印加するための導通ラインは、サブ画素の画素電
極との寄生容量が各サブ画素にわたって均等化されて形
成されていることを特徴としている。

【００４４】ここで、サブ画素の画素電極との寄生容量
が各サブ画素にわたって均等にするためには、第１に、
前記画素電極の周辺は、その画素電極に接続される導通
ラインによって囲まれている構成が考えられる。この構
成によれば、画素電極にカップリングするデータ線は、
当該画素電極に接続されるデータ線だけとなるので、寄
生容量の均等化という面だけを考慮すれば、最も望まし
いと考えられる。

【００４５】また、サブ画素の画素電極との寄生容量が
各サブ画素にわたって均等にするためには、第２に、前
記画素電極において、隣接する導通ラインに対向する辺
以外の周辺は、その画素電極に接続される導通ラインに
よって略同一幅にて囲まれている構成が考えられる。こ
の構成によれば、画素電極の１辺は、隣接する導通ライ
ンとカップリングするが、製造プロセスにおける短絡低
下や、開口率向上などの面で有利となる。

【００４６】さらに、上記第３の発明において、前記導
通ラインは、６の倍数を１周期とするパターンにて、前
記画素電極に接続されている構成が望ましい。上記第１
の発明と同様に、いわゆるデルタ配列において用いられ
る色数が「３」であるからである。

【００４７】また、上記第３の発明においては、上記第
１の発明と同様に、前記導通ラインは、前記画素電極に
対し、アクティブ素子を介して接続されている構成が望
ましく、そのアクティブ素子は、導電体／絶縁体／導電
体からなる薄膜ダイオード素子であることが望ましい。

【００４８】そして、上記目的を達成するために本件第
４の発明は、異なる３色にそれぞれ対応するサブ画素が
三角配置された液晶装置を備える電子機器であって、そ
れらのサブ画素に電圧を印加するための導通ラインは、
サブ画素の画素電極との寄生容量が各サブ画素にわたっ
て均等化されて形成されていることを特徴としている。
この電子機器によれば、スジムラのない良好な表示を得
ることが可能となる。

【００４９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について、実施形態毎に図面を参照して説明する。

【００５０】＜第１実施形態＞まず、本発明の第１実施
形態に係る液晶装置について図３および図４を参照して
説明する。ここで、図３は、本実施形態に係る液晶装置
の構成を示す斜視図であり、図４は、この液晶装置の構
成を示す断面図である。

【００５１】これらの図に示されるように、この液晶装
置１００は、一対の透光性基板２００、３００を有す
る。このうち、基板２００は、アクティブ素子が形成さ
れる素子側基板であり、他方、基板３００は、素子側基
板２００に対向する対向基板である。

【００５２】このうち、素子側基板２００の内側表面に
は、図４に示されるように、複数本のデータ線２１２
と、それらのデータ線２１２に接続される複数のＴＦＤ
２２０と、それらのＴＦＤ２２０と１対１に接続される
画素電極２３４とが、例えばフォトリソグラフィー法等
によって形成されている。ここで、各データ線２１２
は、図４において紙面と鉛直方向に延在して形成される
一方、ＴＦＤ２２０および画素電極２３４は、ドットマ
トリクス状に配列している。そして、画素電極２３４な
どの表面には、一軸配向処理、例えばラビング処理が施
された配向膜２１４が形成されている。

【００５３】一方、対向基板３００の内側表面には、カ
ラーフィルタ３０８が形成されて、「Ｒ」、「Ｇ」、
「Ｂ」の３色の着色層を構成している。なお、これら３
色の着色層の隙間には、ブラックマトリクス３０９が形
成されて、着色層の隙間からの入射光を遮蔽する構成と
なっている。カラーフィルタ３０８およびブラックマト
リクス３０９の表面にはオーバーコート層３１０が形成
され、さらに、その表面には、走査線として機能する対
向電極３１２が、データ線２１２と直交する方向に形成
されている。なお、オーバーコート層３１０は、カラー
フィルタ３０８およびブラックマトリクス３０９の平滑
性を高めて、対向電極３１２の断線を防止する目的など
のために設けられる。さらに、対向電極３１２の表面に
は、ラビング処理が施された配向膜３１４が形成されて
いる。なお、配向膜２１４、３１４は、一般にポリイミ
ド等から形成される。

【００５４】そして、素子側基板２００と対向基板３０
０とは、スペーサ（図示省略）を含むシール材１０４に
よって一定の間隙を保って接合されるとともに、この間
隙に、液晶１０５が封入された構成となっている。ま
た、素子側基板２００の外側表面には、配向膜２１４へ
のラビング方向に対応した光軸を有する偏光板３１７が
貼着されている。同様に、対向基板３００の外側表面に
は、配向膜３１４へのラビング方向に対応した光軸を有
する偏光板２１７が貼着されている。

【００５５】また、液晶装置１００は、ＣＯＧ（Chip O
n Glass）技術が適用されて、素子側基板２００の表面
に直接、液晶駆動用ＩＣ（ドライバ）２５０が実装され
ている。この結果、液晶駆動用ＩＣ２５０の各出力端子
が、データ線２１２のそれぞれに接続されている。同様
に、対向基板３００の表面にも直接、液晶駆動用３５０
が実装されて、液晶駆動用ＩＣ３５０の各出力端子が、
走査線たる対向電極２１２のそれぞれに接続されてい
る。

【００５６】なお、ＣＯＧ技術に限られず、それ以外の
技術を用いて、ＩＣチップと液晶装置とが接続された構
成としても良い。例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bon
ding）技術を用いて、ＦＰＣ（Flexible Printed Circu
it）の上にＩＣチップがボンディングされたＴＣＰ（Ta
pe Carrier Package）を液晶装置に電気的に接続する構
成としても良い。また、ＩＣチップをハード基板にボン
ディングするＣＯＢ（Chip On Board）技術を用いても
良い。

【００５７】さて、素子側基板２００の内側表面におい
て、ＴＦＤ２２０および画素電極２３４は、図１に示さ
れるようにドットマトリクス状に配列されている。特
に、画素電極２３４は、行（すなわち、横方向の並び）
ごとに０．５ピッチずつシフトして配列している。一
方、対向基板３００の表面内側に形成される対向電極３
１２は、素子側基板２００に形成される画素電極２３４
の１行分と対向する位置関係にあり、さらに、対向基板
３００に形成されるカラーフィルタ３０８のうち、１色
分の着色層は、画素電極２３４と対向電極３１２との交
差領域に対応して設けられている。したがって、１つの
サブ画素は、画素電極２３４と、対向電極３１２と、こ
の間に挟持された液晶１０５と、カラーフィルタ３０８
における１色分の着色層とから構成されることとなる。

【００５８】ここで、図１において、各画素電極２３４
に付された「Ｒ」は、これと対向する対向基板３００に
形成されるカラーフィルタ３０８において、赤色光を透
過する着色層が配置していることを示している。同様に
「Ｇ」は、緑色光を透過する着色層が配置していること
を示し、「Ｂ」は、青色光を透過する着色層が配置して
いることを示している。特に本実施形態では、「Ｒ」、
「Ｇ」、「Ｂ」の各着色層が三角形すなわちデルタの頂
点に位置しており、ＲＧＢデルタ配列となっている。

【００５９】さらに、本実施形態では配線パターンとし
て図１に示されるタイプ５が採用されている。すなわ
ち、１本のデータ線２１２は、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」
の３色に対応するサブ画素の画素電極２３４に対し、一
定の順番で繰返してＴＦＤ２２０を介し接続される一
方、ある１本のデータ線２１２に共通接続される画素電
極２３４は、そのデータ線２１２からみて、同一サイド
（図１では左サイド）に配置している。そして、この配
置は、すべてのデータ線２１２にわたって共通となって
いる。なお、本実施形態におけるサブ画素の画素電極２
３４と、それと左側に位置するデータ線２１２との距離
は、図２に示されるように各行毎に同一となっている。
詳細には、画素電極２３４とデータ線との間の距離を、
データ線２１２が画素電極２３４の１辺だけに沿って位
置する場合にはＳ３とし、データ線２３４が画素電極２
３４をＬ字形状に囲む場合にはＳ２とし、データ線２３
４が画素電極２３４の周囲の１／２を囲む場合にはＳ１
としたときに、それらには、Ｓ１＝Ｓ２＝Ｓ３が成立し
ている。

【００６０】このように構成された液晶装置１００にお
いて、液晶駆動用ＩＣ２５０、３５０が作動すると、選
択されたサブ画素では、画素電極２３４と対向電極３１
２との間にオン電圧またはオフ電圧が印加される結果、
かかる電圧制御によって液晶１０５の配向状態が各サブ
画素ごとに制御される。そして、この配向制御に基づい
て特定色のサブ画素を通過する光が変調されるので、文
字や、数字、絵柄等といった画像がカラー表示されるこ
ととなる。

【００６１】また、本実施形態の液晶装置１００では、
カラーフィルタの配列がＲＧＢデルタ配列となっている
ので、ＲＧＢストライプ配列や、ＲＧＢモザイク配列、
ＲＧＧＢモザイク配列と比較して、高い水平解像度を得
ることができ、その結果、高精細および高画質の液晶表
示を行うことが可能となっている。さらに、本実施形態
では、１本のデータ線２１２が３色分のサブ画素を駆動
する、という配線パターンが採用されているので、タイ
プ１の配線パターン（図１９参照）における縦クロスト
ークが抑えられる結果、これに起因する表示画質の低下
が回避される。

【００６２】くわえて、本実施形態では、どの行のサブ
画素に着目しても、常に右側に位置するデータ線２１２
に接続され、かつ、各サブ画素は、その反対の左側に位
置する導通ラインとしかカップリングしない。このた
め、各行において同一色のサブ画素を見たとき、それら
のサブ画素にカップリングするデータ線２１２によって
駆動されるサブ画素の色は、各行にわたって同一とな
る。したがって、各行において各色のサブ画素に及ぼさ
れるクロストークの影響は、全てのサブ画素に対して均
一となるので、スジムラの発生しない良好な表示品質を
得ることができる。

【００６３】＜第２実施形態＞さて、上述した第１実施
形態において、データ線２１２が画素電極２３４を囲む
形態としては、図１または図２に示されるように、デ
ータ線２１２が画素電極２３４の１辺だけに沿って配置
する場合と、データ線２１２が画素電極２３４をＬ字
状に囲む場合と、データ線２１２が画素電極２３４の
周辺約１／２を囲む場合との３種類が存在する。

【００６４】ここで、データ線２１２が画素電極２３４
の周辺約１／２を囲むの場合、そのデータ線２１２と
画素電極２３４とのカップリング容量が大きくなるの
で、そのデータ線２１２の電位変動が、その右側に位置
するサブ画素の電位に与える影響も大きい。一方、デー
タ線２１２が画素電極２３４の１辺だけに沿って位置す
るの場合、そのデータ線２１２と画素電極２３４との
カップリング容量が小さくなるので、そのデータ線２１
２の電位変動が、その右側に位置するサブ画素の電位に
与える影響も小さい。この結果、データ線２１２が画素
電極２３４を囲む形態によって、サブ画素の電位に与え
る影響に差が生じるので、第１実施形態のようにＳ１＝
Ｓ２＝Ｓ３では、表示品質が低下する可能性がある。

【００６５】これを回避するために本発明の第２実施形
態では、図６に示されるように、Ｓ１＞Ｓ２＞Ｓ３に設
定したものである。すなわち、データ線２１２が画素電
極２３４の１辺だけに沿って位置する場合の距離Ｓ３
を小さく設定し、次に、データ線２１２が画素電極２３
４の周辺約１／２を囲む場合の距離Ｓ１を大きく設定
し、さらに、データ線２１２が画素電極２３４をＬ字状
に囲む場合の距離Ｓ２を、それらの中間の大きさに設
定したものである。

【００６６】この構成によれば、画素電極２３４と、こ
れに左側に位置するデータ線２１２との間に生じる寄生
容量を各行毎に等しくすることができるので、寄生容量
の相違によって表示品質がサブ画素ごとにばらつくこと
を防止することが可能となる。なお、データ線２１２の
うち画素電極２１２に沿う長さが長くなるにつれて、囲
むデータ線２１２の線幅を細くするようにしても同様な
効果を得ることができる。

【００６７】＜第３実施形態＞次に、本発明の第３実施
形態に係る液晶装置について説明する。この第３実施形
態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態と、図３お
よび図４に示される構成において同一であるが、素子側
基板２００のレイアウトにおいて相違している。そこ
で、この相違点を中心に説明することとする。図７は、
この液晶装置における素子基板２００のレイアウトを示
す平面図である。

【００６８】この図に示されるように、「Ｒ」、
「Ｇ」、「Ｂ」の各色に対応する画素電極２３４は、第
１実施形態と同様にＲＧＢデルタ配列となっている。例
えば、Ａ行に属する画素電極２３４は、隣接するＢ行に
属する画素電極２３４とは、行方向（図においてＸ方
向）に０．５ピッチずつシフトして配列している。

【００６９】一方、ある１本のデータ線２１２ｘは、図
においてＡ行に位置するＲの画素からＤ行に位置するＲ
の画素まで下左方向に進んだ後、今度は、Ａ行に位置す
るＲの画素まで下右方向に進んでいる。データ線２１２
ｘは、このようにＡ〜Ｆ行にわたる６個の画素を１周期
とする折返しパターンにて列方向に延在して、マクロ的
にみて画素電極２３４の一列において共用されている。
ここで、データ線２１２ｘは、共用される画素電極２３
４の周辺を、画素電極２３４毎に囲むとともに、画素電
極２３４に対してＴＦＤ２２０を介して接続されてい
る。

【００７０】ここで、１サブ画素の構成について、デー
タ線２１２ｘに接続され、Ｂ行あるいはＣ行に位置する
ものを例にとって説明する。図８Ａは、その１サブ画素
のレイアウトを示す平面図であり、図８Ｂは、そのＡ−
Ａ線に沿って示す断面図である。これらの図に示される
ように、ＴＦＤ２２０は、第１のＴＦＤ２２０ａおよび
第２のＴＦＤ２２０ｂとからなり、素子側基板２００
と、この表面に形成された絶縁膜２０１と、第１金属膜
２２２と、この表面に陽極酸化によって形成された絶縁
体たる酸化膜２２４と、この表面に形成されて相互に離
間した第２金属膜２２６ａ、２２６ｂとから構成されて
いる。また、第２金属膜２２６ａは、そのままデータ線
２１２ｘとなる一方、第２金属膜２２６ｂは、画素電極
２３４に接続されている。

【００７１】さて、第１のＴＦＤ２２０ａは、データ線
２１２ｘからみると順番に、第２金属膜２２６ａ／酸化
膜２２４／第１金属膜２２２となって、金属／絶縁体／
金属のサンドイッチ構造を採るため、ダイオードスイッ
チング特性を有することになる。一方、第２のＴＦＤ２
２０ｂは、データ線２１２ｘから順番にみると、第１金
属膜２２２／酸化膜２２４／第２金属膜２２６ｂとなっ
て、第１のＴＦＤ２２０ａとは、反対のダイオードスイ
ッチング特性を有することになる。ここで、両者は、２
つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっ
ているため、１つのＴＦＤを用いる場合と比べると、電
流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化
されることになる。

【００７２】なお、データ線２１２ｘの断面は、第１金
属膜２２２、酸化膜２２４、第２金属膜２２６ａとなっ
ているが、データ線２１２ｘに接続される端子は、最上
層の第２金属膜２２６ａのみに接続されているため、デ
ータ線２１２ｘがＴＦＤとして機能することはない。

【００７３】また、基板２００自体は、絶縁性および透
明性を有するものであり、例えば、ガラスやプラスチッ
クなどから構成される。ここで、絶縁膜２０１が設けら
れる理由は、第１金属膜２２２の堆積後における熱処理
により、第１金属膜２２２が下地から剥離しないように
するため、および、第１金属膜２２２に不純物が拡散し
ないようにするためである。したがって、これらが問題
にならない場合には、絶縁膜２０１は省略可能である。
また、画素電極２３４は、透過型として用いる場合には
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜から形成
され、反射型として用いる場合にはアルミニウムや銀な
どの反射率の大きな金属膜から形成される。

【００７４】さらに、Ｅ行あるいはＦ行に位置する画素
についても、データ線２１２ｘの囲み部分が対称となる
以外同様であり、Ａ行あるいはＤ行に位置する画素につ
いても、データ線２１２の囲み部分が上半分あるいは下
半分のみが対称となる以外同様である。

【００７５】次に、このような素子側基板２００の製造
プロセスについて、ＴＦＤ２２０を中心に説明する。ま
ず、図９（１）に示されるように、基板２００上面に絶
縁膜２０１が形成される。この絶縁膜２０１は、例え
ば、酸化タンタルからなり、スパッタリング法で堆積し
たタンタル膜を熱酸化する方法や、酸化タンタルからな
るターゲットを用いたスパッタリングあるいはコスパッ
タリング法などにより形成される。この絶縁膜２０１
は、上述したように、第１金属膜２２２の密着性を向上
させ、さらに基板２００からの不純物の拡散を防止する
ことを主目的として設けられるので、その膜厚は、例え
ば、50〜200nm程度で十分である。

【００７６】次いで、同図（２）に示されるように、絶
縁膜２０１上面に第１金属膜２２２が成膜される。この
第１金属膜２２２の組成は、例えば、タンタル単体ある
いはタンタル合金からなる。タンタル合金とする場合、
主成分のタンタルに、例えば、タングステン、クロム、
モリブデン、レニウム、イットリウム、ランタン、ディ
スプロシウムなどの周期律表において第６〜第８族に属
する元素を添加しても良い。なお、添加する元素として
は、タングステンが好ましく、その含有割合は、例え
ば、0.1〜6重量％が望ましい。

【００７７】また、第１金属膜２２２は、スパッタリン
グ法や電子ビーム蒸着法などで形成可能であり、タンタ
ル合金からなる第１金属膜２２２を形成する場合には、
混合ターゲットを用いたスパッタリング法や、コスパッ
タリング法、電子ビーム蒸着法などが用いられる。な
お、第１金属膜２２２の膜厚は、ＴＦＤ２２０の用途に
よって好適な値が選択され、通常、100〜500nm程度であ
る。

【００７８】そして、同図（３）に示されるように、第
１金属膜２２２が、一般に用いられているフォトリソグ
ラフィおよびエッチング技術によってパターニングされ
る。

【００７９】続いて、同図（４）に示されるように、酸
化膜２２４が第１金属膜２２２の表面に形成される。詳
細には、第１金属膜２２２の表面が、陽極酸化法によっ
て酸化することで形成される。このとき、データ線２１
２ｘの基礎となる部分の表面も同時に酸化されて酸化膜
２２４が形成される。酸化膜２２４の膜厚は、その用途
によって好ましい値が選択され、例えば、10〜35nm程度
であり、１つの画素について１個のＴＦＤを用いる場合
と比べると半分である。陽極酸化で用いられる化成液
は、特に、限定されないが、例えば、0.01〜0.1重量％
のクエン酸水溶液を用いることができる。

【００８０】次いで、同図（５）に示されるように、第
２金属膜２２６が成膜される。この第２金属膜２２６
は、例えば、クロムや、アルミニウム、チタン、モリブ
デンなどであり、スパッタリング法などによって堆積さ
せることによって形成される。また、第２金属膜２２６
の膜厚は、例えば、50〜300nm程度である。

【００８１】続いて、図１０（６）に示されるように、
第２金属膜２２６が、一般に用いられているフォトリソ
グラフィおよびエッチング技術によってパターニングさ
れる。これにより、第１、第２のＴＦＤにおける第２金
属膜２２６ａ、２２６ｂが離間して形成されるととも
に、データ線２１２ｘにおける最上層も第２金属膜２２
６によって被覆されることになる。

【００８２】次に、同図（７）に示されるように、画素
電極２３４となる導電膜が成膜される。この導電膜は、
透過型の液晶装置ではＩＴＯが好適であり、反射型の液
晶装置ではアルミニウムなどが好適であって、いずれも
スパッタリング法などによって膜厚30〜200nmで堆積さ
せることで成膜される。

【００８３】続いて、同図（８）に示されるように、導
電膜が、一般に用いられているフォトリソグラフィおよ
びエッチング技術によってパターニングされて、画素電
極２３４が形成される。

【００８４】そして、同図（９）に示されるように、デ
ータ線２１２ｘから枝分かれした酸化膜２２４のうちの
波線部分２２９が、その基礎となっている第１金属膜２
２２とともに、一般に用いられているフォトリソグラフ
ィおよびエッチング技術により除去される。これによ
り、第１、第２のＴＦＤで共用される第１金属膜２２２
が、データ線２１２ｘの最下層たる第１金属膜２２２か
ら電気的に分離されることになる。

【００８５】このようなプロセスにより、基板２００に
は、第１のＴＦＤ２２０ａと第２のＴＦＤ２２０ｂとか
らなるＴＦＤ２２０が、画素電極２３４とともに、デル
タ配列で形成される。

【００８６】なお、このようなＴＦＤの製造プロセスに
ついては、上記工程の順番に限られない。例えば、図９
（４）における工程によって第１金属膜２２２の表面に
酸化膜２２４が形成された直後に、図１０（９）におけ
る工程によって、データ線２１２ｘから分離して、この
後、図９（５）の工程、および、図１０の（６）〜
（８）の工程を実行することによっても可能である。

【００８７】そして、このように構成される素子側基板
２００には、上述した第１実施形態と同様に、画素電極
２３４と交差して行方向に延在する対向電極（走査線）
や、画素電極２３４に対応する各色のカラーフィルタな
どが形成された対向基板３００が、シール材によって、
一定のギャップ（間隙）を保って貼り合わせられ、さら
に、この閉空間に、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）
型の液晶が封入されて、最終的に液晶装置として構成さ
れることとなる。

【００８８】このような第３実施形態に係る液晶装置で
は、データ線２１２ｘに接続される画素電極２３４の周
辺がデータ線２１２ｘ自身により囲まれるので、隣接す
るデータ線２１２（ｘ−１）あるいは２１２（ｘ＋１）
によるカップリングの影響が排除される。すなわち、自
身のデータ線２１２ｘとのカップリングだけが問題とな
る。隣接するデータ線２１２（ｘ−１）、２１２（ｘ＋
１）に接続される画素電極２３４についても同様であ
る。したがって、このような液晶装置によれば、Ａ行〜
Ｆ行に位置するサブ画素の寄生容量は互いに均等になる
ため、表示画像の均一化を図ることが可能となる。

【００８９】＜第４実施形態＞次に、本発明の第４実施
形態に係る液晶装置について説明する。

【００９０】上述した第３実施形態にあっては、画素電
極２３４の周辺がそこに接続されるデータ線自身によっ
て囲まれるので、隣接するデータ線によるカップリング
容量が問題とならない。このため、表示画像の均一化の
点では優れている、と言える。しかしながら、図８Ａに
示されるように、互いに隣接する画素電極２３４の間に
は、２本のデータ線、詳細には、データ線２１２ｘのう
ちのラインＬ１と、それに隣接するデータ線２１２（ｘ
＋１）のうちのラインＬ２とが配設される結果、上述し
た第１金属膜２２２のパターニング工程および第２金属
膜２２６のパターニング工程において短絡の可能性が高
まる点や、さらに、画素電極２３４の占める領域の割合
（開口率）が低下して、画面全体が暗くなってしまう点
などの問題もある。

【００９１】そこで、各行に位置する画素電極の寄生容
量が均等となるようにした上で、第３実施形態における
短絡や開口率の問題点を解決した第４実施形態について
説明することとする。

【００９２】図１１は、この液晶装置における素子基板
２００のレイアウトを示す平面図である。この図に示さ
れるように、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の各色に対応する
画素電極２３４がＲＧＢデルタ配列をとっている点にお
いて第１や第３実施形態と同様であるが、データ線によ
って画素電極の周辺すべてが囲まれるのではなく、隣接
するデータ線と対向する辺以外の三辺のみが同じ幅のデ
ータ線によって囲まれている点において第３実施形態と
相違している。

【００９３】ここで、１つのサブ画素の構成について、
データ線２１２ｘに接続されてＢ行あるいはＣ行に位置
するものを例にとって説明する。図１２Ａは、その１サ
ブ画素分のレイアウトを示す平面図である。

【００９４】この図に示されるように、第２実施形態に
おける１サブ画素は、図８ＡにおけるラインＬ１および
領域Ｍ１が削除されるとともに、画素電極２３４が、矢
印で示されるようにラインＬ１のあった部分にまで拡大
した構成となっている。したがって、互いに隣接する画
素電極２３４の間には、隣接するデータ線（ラインＬ
２）のみが配設されるだけなので、パターニング工程で
の短絡の可能性は低下する一方、サブ画素の間隔が維持
された状態で画素電極２３４の面積が拡大するので、開
口率が向上することとなる。

【００９５】ところで、領域Ｍ１の削除は、短絡を防止
する点や開口率の向上させる点に直接には結びつかな
い。しかしながら、この領域Ｍ１が削除されないと、画
素電極２３４を囲むデータ線２１２の幅が一様でなくな
るため、さらに、この領域Ｍ１は、例えば、図１２Ａに
示されるようなＢ行あるいはＣ行のサブ画素と、図１２
Ｂに示されるようなＤ行のサブ画素と相違して、行毎に
相違することになるため、寄生容量も行毎に相違するこ
とになる。そこで、領域Ｍ１が削除されているのであ
る。

【００９６】このような構成により、各行に位置する画
素電極２３４では、その三辺が、等しく同じ幅のデータ
線により囲まれるとともに、残り一辺のみが隣接するデ
ータ線と容量的にカップリングするので、その寄生容量
が互いに均等になる。このため、第４実施形態にかかる
液晶装置によれば、短絡や開口率の低下を防止した上
で、表示画像の均一化を図ることが可能となる。

【００９７】なお、第３、第４実施形態にかかる液晶装
置にあっては、いずれも、ＴＦＤ２２０がデータ線の側
に接続されていたが、これとは逆に、ＴＦＤ２２０を走
査線の側に接続する構成でも同じことである。

【００９８】また、第３、第４実施形態に係る液晶装置
にあっては、いずれも、ＴＦＤ２２０を、互いに逆向き
に直列接続された第１のＴＦＤ２２０ａおよび第２のＴ
ＦＤ２２０ｂから構成したが、ひとつのＴＦＤにより構
成しても良いのはもちろんである。

【００９９】さらに、実施形態にかかる液晶装置にあっ
ては、いずれも、第２金属膜２２６および画素電極２３
４を異なる金属膜により構成したが、第２金属膜および
画素電極を、ＩＴＯ膜やアルミニウム膜等の同一導電膜
から構成しても良い。このような構成によれば、第２金
属膜２２６および画素電極２３４を同一の工程により形
成できる利点がある。

【０１００】また、第１〜第４実施形態に係る液晶装置
にあっては、データ線２１２が、６個のサブ画素毎に折
返すパターンとなっていたが、６の倍数のサブ画素数を
１周期として折り返すようにすれば足りる。例えば、１
２個、１８個、……周期で折り返すようにしても良い。
ただし、折返しパターンにおける１周期のサブ画素数が
多くなると、表示領域の端部においてデータ線のはみ出
し量が大きくなる等の問題が生じる。

【０１０１】さらに、アクティブ素子としてはＴＦＤ２
２０のほかに、ＴＦＴのような３端子型素子を用いるこ
ともできる。さらに、各サブ画素により表示される色の
順序は、実施形態に示した組み合わせに限定されるもの
でなく、各ラインにおいて６の倍数で１巡する順序で配
列すれば良いことはいうまでもない。

【０１０２】＜電子機器＞次に、上述した実施形態に係
る液晶装置を電子機器に用いた例について説明する。

【０１０３】＜モバイルコンピュータ＞まず、この液晶
装置をモバイルコンピュータに適用した例について説明
する。図１３は、このモバイルコンピュータの構成を示
す斜視図である。この図に示されるように、このモバイ
ルコンピュータ１２００は、複数のキー１２３２を備え
たキーボード１２３３と、そのキーボード１２３３に対
して矢印Ａのように開閉するカバー１２３４と、そのカ
バー１２３４に埋め込まれた液晶装置１００とを含んで
構成されている。ここで、液晶装置１００は、図３およ
び図４に示される液晶装置にバックライトや、その他の
付帯機器が装着されたものである。

【０１０４】また、キーボード１２３３の内部には、モ
バイルコンピュータとしての機能を果たすための各種の
演算を実行するＣＰＵ（中央処理装置）を含む制御部が
格納される。そして、その制御部は、液晶装置１００に
所定の映像を表示するための演算処理を実行する。

【０１０５】このモバイルコンピュータ１２００によれ
ば、表示ユニットに、上述した実施形態に係る液晶装置
１００を適用したので、高精細および高画質の液晶表示
を行うことでき、さらに、縦クロストークや横クロスト
ークに起因する表示画質の低下を回避することが可能と
なる。

【０１０６】＜ページャ＞次に、この液晶装置を用いた
ページャについて説明する。図１４は、このページャの
構造を示す分解斜視図である。この図に示すように、ペ
ージャ１３００は、金属フレーム１３０２において、液
晶装置１００を、バックライト１３０６ａを含むライト
ガイド１３０６、回路基板１３０８、第１、第２のシー
ルド板１３１０、１３１２とともに収容する構成となっ
ている。そして、この構成においては、液晶装置１００
と回路基板１３０８との導通が、素子側基板２００に対
してはフィルムテープ１３１４によって、対向基板３０
０に対してはフィルムテープ１３１８によって、それぞ
れ図られている。

【０１０７】なお、図１３および図１４を参照して説明
した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファイン
ダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビ
ゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、
ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、POS端
末、タッチパネルを備えた装置等などが電子機器の例と
して挙げられる。そして、実施形態に係る液晶装置を、
これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもな
い。

【０１０８】さらに、本発明は、上述した実施形態に限
定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲
内で種々に改変することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置におい
て、サブ画素への配線（タイプ５）を模式的に示す平面
図である。

【図２】同液晶装置におけるサブ画素の配列を拡大して
示す平面図である。

【図３】同液晶装置の構成を示す斜視図である。

【図４】同液晶装置の構成を示す断面図である。

【図５】各配線において、データ線とサブ画素の画素電
極とのカップリング容量が、当該サブ画素に与える影響
度を各行毎に評価した表である。

【図６】本発明の第２実施形態に係る液晶装置におい
て、サブ画素の配列を拡大して示す平面図である。

【図７】本発明の第３実施形態に係る液晶装置におい
て、素子基板のレイアウトを示す平面図である。

【図８】Ａは、同液晶示装置における１画素分のレイア
ウトを示す部分拡大図である。Ｂは、図８ＡにおいてＡ
−Ａ線で切断した断面図である。

【図９】同装置におけるＴＦＤの製造プロセスを示す図
である。

【図１０】同装置におけるＴＦＤの製造プロセスを示す
図である。

【図１１】本発明の第４実施形態に係る液晶装置におい
て、素子基板のレイアウトを示す平面図である。

【図１２】Ａは、同液晶装置における１画素分のレイア
ウトを示す部分拡大図である。Ｂは、同液晶装置におけ
る１画素分のレイアウトを示す部分拡大図である。

【図１３】本発明の実施形態に係る液晶装置を適用した
電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示
す斜視図である。

【図１４】本発明の実施形態に係る液晶装置を適用した
電子機器の一例たるページャの構成を示す分解斜視図で
ある。

【図１５】ＲＧＢストライプ配列を示す平面図である。

【図１６】ＲＧＢモザイク配列を示す平面図である。

【図１７】ＲＧＧＢモザイク配列を示す平面図である。

【図１８】ＲＧＢデルタ配列を示す平面図である。

【図１９】ＲＧＢデルタ配列における配線（タイプ１）
を示す平面図である。

【図２０】ＲＧＢデルタ配列における配線（タイプ２）
を示す平面図である。

【図２１】液晶装置における駆動信号の一例を示す電圧
波形図である。

【図２２】特定色に対応するサブ画素において、白表示
（オフ）時のＶＴカーブを示すグラフである。

【図２３】特定色に対応するサブ画素において、黒表示
（オン）時のＶＴカーブを示すグラフである。

【図２４】ＲＧＢデルタ配列における配線（タイプ３）
を示す平面図である。

【図２５】ＲＧＢデルタ配列における配線（タイプ４）
を示す平面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５１０ (72)発明者山口善夫長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内 (72)発明者宇敷武義長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内 (72)発明者居波隆志長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FD04 GA02 GA13 LA16 2H092 JA03 JA07 JB03 JB04 JB32 JB35 KA07 MA05 MA24 NA01 NA23 PA08 5C094 AA03 BA03 BA43 CA19 DA09 EB02 ED02 HA02 HA05 HA08 HA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】異なる３色にそれぞれ対応するサブ画素
が三角配置された液晶装置であって、それらのサブ画素に電圧を印加するための導通ライン
は、前記３色に対応するサブ画素の画素電極に、一定の
順番で繰り返して接続される一方、１本の導通ラインに共通接続される画素電極は、当該導
通ラインに対して同じ側に配置されていることを特徴と
する液晶装置。
【請求項２】前記導通ラインは、データ線であって、
そのデータ線のうち画素電極に沿う部分の長さが長くな
るにつれて、データ線と画素との間の距離を長くする
か、または、データ線を細くしたことを特徴とする請求
項１に記載の液晶装置。
【請求項３】前記導通ラインは、６の倍数を１周期と
するパターンにて、前記画素電極に接続されていること
を特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】前記導通ラインは、前記画素電極に対
し、アクティブ素子を介して接続されていることを特徴
とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】前記アクティブ素子は、導電体／絶縁体
／導電体からなる薄膜ダイオード素子であることを特徴
とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】異なる３色にそれぞれ対応するサブ画素
が三角配置された液晶装置を有する電子機器であって、それらのサブ画素に電圧を印加するための導通ライン
は、前記３色に対応するサブ画素に対応する画素電極
に、一定の順番で繰り返して接続される一方、１本の導通ラインに共通接続される画素電極は、当該導
通ラインに対して同じ側に配置されることを特徴とする
電子機器。
【請求項７】異なる３色にそれぞれ対応するサブ画素
が三角配置された液晶装置であって、それらのサブ画素に電圧を印加するための導通ライン
は、サブ画素の画素電極との寄生容量が各サブ画素にわ
たって均等化されて形成されていることを特徴とする液
晶装置。
【請求項８】前記画素電極の周辺は、その画素電極に
接続される導通ラインによって囲まれていることを特徴
とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】前記画素電極において、隣接する導通ラ
インに対向する辺以外の周辺は、その画素電極に接続さ
れる導通ラインによって略同一幅にて囲まれていること
を特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項１０】前記導通ラインは、６の倍数を１周期
とするパターンにて、前記画素電極に接続されているこ
とを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項１１】前記導通ラインは、前記画素電極に対
し、アクティブ素子を介して接続されていることを特徴
とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項１２】前記アクティブ素子は、導電体／絶縁
体／導電体からなる薄膜ダイオード素子であることを特
徴とする請求項１１に記載の液晶装置。
【請求項１３】異なる３色にそれぞれ対応するサブ画
素が三角配置された液晶装置を備える電子機器であっ
て、それらのサブ画素に電圧を印加するための導通ライン
は、サブ画素の画素電極との寄生容量が各サブ画素にわ
たって均等化されて形成されていることを特徴とする電
子機器。