JP2000155210A - カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタ用顔料分散レジストの精製方法 - Google Patents
カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタ用顔料分散レジストの精製方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】顔料分散レジスト中の金属不純物とキレート化
剤を反応させてキレートを生成することにより、所定の
波長において必要な透過光光量が確保可能なカラーフィ
ルタの製造方法を提供する。 【解決手段】貯留タンク２内の金属不純物を含む顔料分
散レジスト４に高分子不溶性キレート化剤６を添加し、
金属不純物と高分子不溶性キレート化剤６を反応させて
高分子不溶性キレートを形成する。さらに、高分子不溶
性キレートを含む顔料分散レジスト４からフィルタ１０
によって高分子不溶性キレートを取り除く。そして、高
分子不溶性キレートが取り除かれた顔料分散レジスト４
をノズル１２からウェハ基板１４上に塗布する。
剤を反応させてキレートを生成することにより、所定の
波長において必要な透過光光量が確保可能なカラーフィ
ルタの製造方法を提供する。 【解決手段】貯留タンク２内の金属不純物を含む顔料分
散レジスト４に高分子不溶性キレート化剤６を添加し、
金属不純物と高分子不溶性キレート化剤６を反応させて
高分子不溶性キレートを形成する。さらに、高分子不溶
性キレートを含む顔料分散レジスト４からフィルタ１０
によって高分子不溶性キレートを取り除く。そして、高
分子不溶性キレートが取り除かれた顔料分散レジスト４
をノズル１２からウェハ基板１４上に塗布する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、カラーフィルタ
の製造方法に関するものであり、特に顔料分散レジスト
の精製及び塗布方法に関するものである。
の製造方法に関するものであり、特に顔料分散レジスト
の精製及び塗布方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＣＣＤなどに設けられるカラ
ーフィルタの製造には、顔料分散レジストが使用されて
いる。この顔料分散レジストは、カラーフィルタにおけ
るＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、ＣＮ（シアン）、マ
ゼンタ等のパターン形成に用いられる。以下に、カラー
フィルタの製造工程における顔料分散レジストの塗布方
法について説明する。
ーフィルタの製造には、顔料分散レジストが使用されて
いる。この顔料分散レジストは、カラーフィルタにおけ
るＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、ＣＮ（シアン）、マ
ゼンタ等のパターン形成に用いられる。以下に、カラー
フィルタの製造工程における顔料分散レジストの塗布方
法について説明する。
【０００３】図７は、従来の顔料レジストの塗布に用い
られる装置の構成を示す図である。ここでは、赤色の顔
料レジストを塗布するものとする。
られる装置の構成を示す図である。ここでは、赤色の顔
料レジストを塗布するものとする。
【０００４】図７に示すように、貯留タンク１００に貯
えられた顔料分散レジスト１０２は、フィルタ１０４に
て設定されたサイズ（例えば、０．４［μｍ］）以上の
物質が取り除かれた後、ノズル１０６よりフォトセンサ
などが形成されたウェハ基板１０８上に塗布されてい
る。
えられた顔料分散レジスト１０２は、フィルタ１０４に
て設定されたサイズ（例えば、０．４［μｍ］）以上の
物質が取り除かれた後、ノズル１０６よりフォトセンサ
などが形成されたウェハ基板１０８上に塗布されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記顔
料分散レジストには、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、ニ
ッケル（Ｎｉ）などの金属不純物が含まれており、これ
らはフィルタ１０４にて取り除くことはできない。この
ため、ウェハ基板１０８上に顔料分散レジストが成膜さ
れた後、図８に示すように、これらの鉄（Ｆｅ）、クロ
ム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属不純物１１０
が顔料分散レジスト１０２膜中に析出する。これら金属
不純物１１０は、光１１２を遮断するため、カラーフィ
ルタの特性を著しく悪化させてしまう。
料分散レジストには、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、ニ
ッケル（Ｎｉ）などの金属不純物が含まれており、これ
らはフィルタ１０４にて取り除くことはできない。この
ため、ウェハ基板１０８上に顔料分散レジストが成膜さ
れた後、図８に示すように、これらの鉄（Ｆｅ）、クロ
ム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属不純物１１０
が顔料分散レジスト１０２膜中に析出する。これら金属
不純物１１０は、光１１２を遮断するため、カラーフィ
ルタの特性を著しく悪化させてしまう。
【０００６】そこでこの発明は、前記課題に鑑みてなさ
れたものであり、顔料分散レジスト中の金属不純物とキ
レート化剤を反応させてキレートを生成することによ
り、所定の波長において必要な透過光光量が確保可能な
カラーフィルタの製造方法及び顔料分散レジストの精製
方法を提供することを目的とする。
れたものであり、顔料分散レジスト中の金属不純物とキ
レート化剤を反応させてキレートを生成することによ
り、所定の波長において必要な透過光光量が確保可能な
カラーフィルタの製造方法及び顔料分散レジストの精製
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、この発明に係るカラーフィルタの製造方法は、金属
不純物を含む顔料分散レジストにキレート化剤を添加
し、前記金属不純物と前記キレート化剤を反応させてキ
レートを形成する工程と、前記キレートを含む顔料分散
レジストから前記キレートを取り除く工程と、前記キレ
ートを取り除いた顔料分散レジストを基板上に塗布する
工程とを具備することを特徴とする。
に、この発明に係るカラーフィルタの製造方法は、金属
不純物を含む顔料分散レジストにキレート化剤を添加
し、前記金属不純物と前記キレート化剤を反応させてキ
レートを形成する工程と、前記キレートを含む顔料分散
レジストから前記キレートを取り除く工程と、前記キレ
ートを取り除いた顔料分散レジストを基板上に塗布する
工程とを具備することを特徴とする。
【０００８】また、この発明に係るカラーフィルタの製
造方法は、金属不純物を含む顔料分散レジストにキレー
ト化剤を添加し、前記金属不純物と前記キレート化剤を
反応させてキレートを形成する工程と、前記キレートを
含む顔料分散レジストを基板上に塗布する工程とを具備
することを特徴とする。
造方法は、金属不純物を含む顔料分散レジストにキレー
ト化剤を添加し、前記金属不純物と前記キレート化剤を
反応させてキレートを形成する工程と、前記キレートを
含む顔料分散レジストを基板上に塗布する工程とを具備
することを特徴とする。
【０００９】また、この発明に係る顔料分散レジストの
製造方法は、顔料分散レジスト中にキレート化剤を添加
及び攪拌し、レジスト中にキレートを形成する工程と、
フィルタにより前記キレートを除去する工程とを具備す
ることを特徴とする。
製造方法は、顔料分散レジスト中にキレート化剤を添加
及び攪拌し、レジスト中にキレートを形成する工程と、
フィルタにより前記キレートを除去する工程とを具備す
ることを特徴とする。
【００１０】また、この発明に係る顔料分散レジストの
製造方法は、顔料分散レジストを、キレート化剤を充填
した配管中を通過させる工程と、前記配管中を通過した
前記顔料分散レジストをフィルタに通す工程とを具備す
ることを特徴とする。
製造方法は、顔料分散レジストを、キレート化剤を充填
した配管中を通過させる工程と、前記配管中を通過した
前記顔料分散レジストをフィルタに通す工程とを具備す
ることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１２】この発明の第１の実施の形態のカラーフィ
ルタの製造工程における顔料分散レジストの精製及び塗
布方法について説明する。
ルタの製造工程における顔料分散レジストの精製及び塗
布方法について説明する。
【００１３】図１は、第１の実施の形態の顔料分散レジ
ストの塗布に用いられる装置の構成を示す図である。こ
こでは、赤色の顔料分散レジストが塗布されるものとす
る。
ストの塗布に用いられる装置の構成を示す図である。こ
こでは、赤色の顔料分散レジストが塗布されるものとす
る。
【００１４】貯留タンクに貯えられた顔料分散レジスト
は、高分子不溶性キレート化剤が添加された後、フィル
タにて不純物が取り除かれ（フィルタ処理）、ノズルよ
りウェハ基板上に塗布される。以下に、この塗布方法の
詳細を説明する。
は、高分子不溶性キレート化剤が添加された後、フィル
タにて不純物が取り除かれ（フィルタ処理）、ノズルよ
りウェハ基板上に塗布される。以下に、この塗布方法の
詳細を説明する。
【００１５】貯留タンク２には、顔料分散レジスト４が
貯えられている。この顔料分散レジスト４中に、高分子
不溶性キレート化剤（例えば、ポリビニルベンジルアミ
ン）６を添加し、攪拌する。すると、顔料分散レジスト
４に含まれる鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル
（Ｎｉ）などの金属不純物が高分子不溶性キレート化剤
と反応し、高分子不溶性キレートが生成される。
貯えられている。この顔料分散レジスト４中に、高分子
不溶性キレート化剤（例えば、ポリビニルベンジルアミ
ン）６を添加し、攪拌する。すると、顔料分散レジスト
４に含まれる鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル
（Ｎｉ）などの金属不純物が高分子不溶性キレート化剤
と反応し、高分子不溶性キレートが生成される。
【００１６】高分子不溶性キレートを含む顔料分散レジ
スト４は導管８を通り、フィルタ１０に流れ込む。フィ
ルタ１０は、設定されたサイズ（例えば、０．４［μ
ｍ］）以上の物質を通過させず、それ以外は通過させ
る。よって、高分子不溶性キレートは、０．４［μｍ］
以上のサイズを有しているため、フィルタ１０によって
顔料分散レジスト４中から取り除かれる。
スト４は導管８を通り、フィルタ１０に流れ込む。フィ
ルタ１０は、設定されたサイズ（例えば、０．４［μ
ｍ］）以上の物質を通過させず、それ以外は通過させ
る。よって、高分子不溶性キレートは、０．４［μｍ］
以上のサイズを有しているため、フィルタ１０によって
顔料分散レジスト４中から取り除かれる。
【００１７】その後、高分子不溶性キレートを含まない
顔料分散レジスト４が導管８を通り、ノズル１２に流れ
る。そして、顔料分散レジスト４は、ノズル１２からフ
ォトセンサ等が形成されたウェハ基板１４上に塗布され
る。
顔料分散レジスト４が導管８を通り、ノズル１２に流れ
る。そして、顔料分散レジスト４は、ノズル１２からフ
ォトセンサ等が形成されたウェハ基板１４上に塗布され
る。
【００１８】前記高分子不溶性キレート化剤としては、
例えば、ジメチルグリオキシム、アセチルアセトン、オ
キシン、グリシン、エチレンジアミン、ＥＤＴＡ、ビピ
リジン、フェナントロリン、ＥＨＰＧ、ヒドロキシキノ
リン、過酢酸、ピペリジン、アミノ酢酸、フェニルアラ
ニン、次リン酸、アセチル酸、ＴＲＩＳ、ジケトン、ビ
ニルベンジルアミン、安息香酸、ピロール、チオリン、
ＰＶＡ、ＰＶＭＡＥ、ＰＭＭＡ、ＰＶＡＣ、ジエチルチ
オカルボン酸、ポルフィリン類、フタロシアニン類、ヘ
ミン類などを有する高分子が用いられる。前記塗布方法
では、高分子不溶性キレート化剤を用いて高分子不溶性
キレートを生成したが、高分子難溶性キレート化剤を用
いて高分子難溶性キレートを生成してもよい。
例えば、ジメチルグリオキシム、アセチルアセトン、オ
キシン、グリシン、エチレンジアミン、ＥＤＴＡ、ビピ
リジン、フェナントロリン、ＥＨＰＧ、ヒドロキシキノ
リン、過酢酸、ピペリジン、アミノ酢酸、フェニルアラ
ニン、次リン酸、アセチル酸、ＴＲＩＳ、ジケトン、ビ
ニルベンジルアミン、安息香酸、ピロール、チオリン、
ＰＶＡ、ＰＶＭＡＥ、ＰＭＭＡ、ＰＶＡＣ、ジエチルチ
オカルボン酸、ポルフィリン類、フタロシアニン類、ヘ
ミン類などを有する高分子が用いられる。前記塗布方法
では、高分子不溶性キレート化剤を用いて高分子不溶性
キレートを生成したが、高分子難溶性キレート化剤を用
いて高分子難溶性キレートを生成してもよい。
【００１９】前述した顔料分散レジストの塗布方法で
は、顔料分散レジスト中の金属不純物と高分子不溶性キ
レート化剤を反応させて高分子不溶性キレートを生成
し、この高分子不溶性キレートをフィルタにて取り除く
ことにより、ウェハ基板上に塗布される顔料分散レジス
トから金属不純物を除去する。
は、顔料分散レジスト中の金属不純物と高分子不溶性キ
レート化剤を反応させて高分子不溶性キレートを生成
し、この高分子不溶性キレートをフィルタにて取り除く
ことにより、ウェハ基板上に塗布される顔料分散レジス
トから金属不純物を除去する。
【００２０】図２は、顔料分散レジスト中の顔料と金属
不純物の吸収スペクトルを示す図である。図２中のＡは
顔料分散レジストを形成する顔料の吸収スペクトルであ
り、Ｂは顔料分散レジストに含まれる金属不純物の吸収
スペクトルである。図７に示す従来の塗布方法による顔
料分散レジストの吸収スペクトルは、図２中のＡとＢを
合わせたものとなるが、第１の実施の形態の塗布方法に
よる顔料分散レジストの吸収スペクトルは図３中のＡに
示す顔料のみの吸収スペクトルとなる。
不純物の吸収スペクトルを示す図である。図２中のＡは
顔料分散レジストを形成する顔料の吸収スペクトルであ
り、Ｂは顔料分散レジストに含まれる金属不純物の吸収
スペクトルである。図７に示す従来の塗布方法による顔
料分散レジストの吸収スペクトルは、図２中のＡとＢを
合わせたものとなるが、第１の実施の形態の塗布方法に
よる顔料分散レジストの吸収スペクトルは図３中のＡに
示す顔料のみの吸収スペクトルとなる。
【００２１】この図３からわかるように、光を遮断して
いた金属不純物を除去することにより、所定の波長Ｌに
おける吸光率を低下させることができ、所望の透過率を
確保することができる。
いた金属不純物を除去することにより、所定の波長Ｌに
おける吸光率を低下させることができ、所望の透過率を
確保することができる。
【００２２】以上説明したようにこの第１の実施の形態
によれば、顔料分散レジスト中の金属不純物を、高分子
不溶性キレート化剤を用いて高分子不溶性キレートに転
化して除去することにより、成膜後の顔料分散レジスト
おいて所定の波長に対する透過率を高めることができ
る。
によれば、顔料分散レジスト中の金属不純物を、高分子
不溶性キレート化剤を用いて高分子不溶性キレートに転
化して除去することにより、成膜後の顔料分散レジスト
おいて所定の波長に対する透過率を高めることができ
る。
【００２３】また、第１の実施の形態において、顔料分
散レジスト中の金属不純物と高分子不溶性キレート化剤
と反応させて高分子不溶性キレートを生成し、この高分
子不溶性キレートをフィルタにて取り除くという方法
は、金属不純物を含む顔料分散レジストからその金属不
純物を取り除くための顔料分散レジストの精製方法とし
て用いることができる。
散レジスト中の金属不純物と高分子不溶性キレート化剤
と反応させて高分子不溶性キレートを生成し、この高分
子不溶性キレートをフィルタにて取り除くという方法
は、金属不純物を含む顔料分散レジストからその金属不
純物を取り除くための顔料分散レジストの精製方法とし
て用いることができる。
【００２４】次に、この発明の第２の実施の形態のカラ
ーフィルタの製造工程における顔料分散レジストの精製
及び塗布方法について説明する。
ーフィルタの製造工程における顔料分散レジストの精製
及び塗布方法について説明する。
【００２５】図４は、第２の実施の形態の顔料分散レジ
ストの塗布に用いられる装置の構成を示す図である。こ
こでは、赤色の顔料分散レジストが塗布されるものとす
る。
ストの塗布に用いられる装置の構成を示す図である。こ
こでは、赤色の顔料分散レジストが塗布されるものとす
る。
【００２６】貯留タンクに貯えられた顔料分散レジスト
は、フィルタ、キレート化剤が充填された処理管、及び
フィルタを通って不純物が取り除かれ（フィルタ処
理）、ノズルよりウェハ基板上に塗布される。以下に、
この塗布方法の詳細を説明する。
は、フィルタ、キレート化剤が充填された処理管、及び
フィルタを通って不純物が取り除かれ（フィルタ処
理）、ノズルよりウェハ基板上に塗布される。以下に、
この塗布方法の詳細を説明する。
【００２７】貯留タンク２には、顔料分散レジスト４が
貯えられている。この顔料分散レジスト４は、導管８を
通りフィルタ１６に流れ込む。フィルタ１６は、設定さ
れたサイズ（例えば、０．４［μｍ］）以上の物質を通
過させず、それ以外は通過させる。よって、顔料分散レ
ジスト中の０．４［μｍ］以上の物質は、フィルタ１６
によって取り除かれる。
貯えられている。この顔料分散レジスト４は、導管８を
通りフィルタ１６に流れ込む。フィルタ１６は、設定さ
れたサイズ（例えば、０．４［μｍ］）以上の物質を通
過させず、それ以外は通過させる。よって、顔料分散レ
ジスト中の０．４［μｍ］以上の物質は、フィルタ１６
によって取り除かれる。
【００２８】フィルタ１６を通過した顔料分散レジスト
４は処理管１８に流れ込む。処理管１８には、高分子不
溶性キレート化剤（例えば、ポリビニルベンジルアミ
ン）６が充填されている。よって、処理管１８内におい
ては、顔料分散レジスト４に含まれる鉄（Ｆｅ）、クロ
ム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属不純物が高分
子不溶性キレート化剤６と反応し、高分子不溶性キレー
トが生成される。
４は処理管１８に流れ込む。処理管１８には、高分子不
溶性キレート化剤（例えば、ポリビニルベンジルアミ
ン）６が充填されている。よって、処理管１８内におい
ては、顔料分散レジスト４に含まれる鉄（Ｆｅ）、クロ
ム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属不純物が高分
子不溶性キレート化剤６と反応し、高分子不溶性キレー
トが生成される。
【００２９】高分子不溶性キレートを含む顔料分散レジ
スト４はフィルタ２０に流れ込む。フィルタ２０は、設
定されたサイズ（例えば、０．４［μｍ］）以上の物質
を通過させず、それ以外は通過させる。よって、高分子
不溶性キレートは、０．４［μｍ］以上のサイズを有し
ているため、フィルタ２０によって顔料分散レジスト４
中から取り除かれる。
スト４はフィルタ２０に流れ込む。フィルタ２０は、設
定されたサイズ（例えば、０．４［μｍ］）以上の物質
を通過させず、それ以外は通過させる。よって、高分子
不溶性キレートは、０．４［μｍ］以上のサイズを有し
ているため、フィルタ２０によって顔料分散レジスト４
中から取り除かれる。
【００３０】その後、高分子不溶性キレートを含まない
顔料分散レジスト４が導管８を通り、ノズル１２に流れ
る。そして、顔料分散レジスト４は、ノズル１２からフ
ォトセンサ等が形成されたウェハ基板１４上に塗布され
る。
顔料分散レジスト４が導管８を通り、ノズル１２に流れ
る。そして、顔料分散レジスト４は、ノズル１２からフ
ォトセンサ等が形成されたウェハ基板１４上に塗布され
る。
【００３１】前記処理管１８内に充填される高分子不溶
性キレート化剤としては、前記第１の実施の形態と同様
に、例えば、ジメチルグリオキシム、アセチルアセト
ン、オキシン、グリシン、エチレンジアミン、ＥＤＴ
Ａ、ビピリジン、フェナントロリン、ＥＨＰＧ、ヒドロ
キシキノリン、過酢酸、ピペリジン、アミノ酢酸、フェ
ニルアラニン、次リン酸、アセチル酸、ＴＲＩＳ、ジケ
トン、ビニルベンジルアミン、安息香酸、ピロール、チ
オリン、ＰＶＡ、ＰＶＭＡＥ、ＰＭＭＡ、ＰＶＡＣ、ジ
エチルチオカルボン酸、ポルフィリン類、フタロシアニ
ン類、ヘミン類などを有する高分子が用いられる。前記
塗布方法では、高分子不溶性キレート化剤を用いて高分
子不溶性キレートを生成したが、高分子難溶性キレート
化剤を用いて高分子難溶性キレートを生成してもよい。
性キレート化剤としては、前記第１の実施の形態と同様
に、例えば、ジメチルグリオキシム、アセチルアセト
ン、オキシン、グリシン、エチレンジアミン、ＥＤＴ
Ａ、ビピリジン、フェナントロリン、ＥＨＰＧ、ヒドロ
キシキノリン、過酢酸、ピペリジン、アミノ酢酸、フェ
ニルアラニン、次リン酸、アセチル酸、ＴＲＩＳ、ジケ
トン、ビニルベンジルアミン、安息香酸、ピロール、チ
オリン、ＰＶＡ、ＰＶＭＡＥ、ＰＭＭＡ、ＰＶＡＣ、ジ
エチルチオカルボン酸、ポルフィリン類、フタロシアニ
ン類、ヘミン類などを有する高分子が用いられる。前記
塗布方法では、高分子不溶性キレート化剤を用いて高分
子不溶性キレートを生成したが、高分子難溶性キレート
化剤を用いて高分子難溶性キレートを生成してもよい。
【００３２】前述した顔料分散レジストの塗布方法で
は、顔料分散レジスト中の金属不純物と高分子不溶性キ
レート化剤と反応させて高分子不溶性キレートを生成
し、この高分子不溶性キレートをフィルタにて取り除く
ことにより、ウェハ基板上に塗布される顔料レジストか
ら金属不純物を除去する。
は、顔料分散レジスト中の金属不純物と高分子不溶性キ
レート化剤と反応させて高分子不溶性キレートを生成
し、この高分子不溶性キレートをフィルタにて取り除く
ことにより、ウェハ基板上に塗布される顔料レジストか
ら金属不純物を除去する。
【００３３】第２の実施の形態の塗布方法による顔料分
散レジストの吸収スペクトルは、図３中のＡに示す顔料
のみの吸収スペクトルとなる。この第２の実施の形態で
も、図３からわかるように、光を遮断していた金属不純
物を除去することにより、所定の波長Ｌにおける吸光率
を低下させることができ、所望の透過率を確保すること
ができる。
散レジストの吸収スペクトルは、図３中のＡに示す顔料
のみの吸収スペクトルとなる。この第２の実施の形態で
も、図３からわかるように、光を遮断していた金属不純
物を除去することにより、所定の波長Ｌにおける吸光率
を低下させることができ、所望の透過率を確保すること
ができる。
【００３４】以上説明したようにこの第２の実施の形態
によれば、顔料分散レジスト中の金属不純物を、高分子
不溶性キレート化剤を用いて高分子不溶性キレートに転
化して除去することにより、成膜後の顔料分散レジスト
おいて所定の波長に対する透過率を高めることができ
る。
によれば、顔料分散レジスト中の金属不純物を、高分子
不溶性キレート化剤を用いて高分子不溶性キレートに転
化して除去することにより、成膜後の顔料分散レジスト
おいて所定の波長に対する透過率を高めることができ
る。
【００３５】また、第２の実施の形態において、顔料分
散レジスト中の金属不純物と高分子不溶性キレート化剤
と反応させて高分子不溶性キレートを生成し、この高分
子不溶性キレートをフィルタにて取り除くという方法
は、金属不純物を含む顔料分散レジストからその金属不
純物を取り除くための顔料分散レジストの精製方法とし
て用いることができる。
散レジスト中の金属不純物と高分子不溶性キレート化剤
と反応させて高分子不溶性キレートを生成し、この高分
子不溶性キレートをフィルタにて取り除くという方法
は、金属不純物を含む顔料分散レジストからその金属不
純物を取り除くための顔料分散レジストの精製方法とし
て用いることができる。
【００３６】次に、この発明の第３の実施の形態のカラ
ーフィルタの製造工程における顔料分散レジストの塗布
方法について説明する。
ーフィルタの製造工程における顔料分散レジストの塗布
方法について説明する。
【００３７】図５は、第３の実施の形態の顔料分散レジ
ストの塗布に用いられる装置の構成を示す図である。こ
こでは、赤色の顔料分散レジストが塗布されるものとす
る。
ストの塗布に用いられる装置の構成を示す図である。こ
こでは、赤色の顔料分散レジストが塗布されるものとす
る。
【００３８】貯留タンクに貯えられた顔料分散レジスト
は、キレート化剤が添加された後、フィルタにて不純物
が取り除かれ（フィルタ処理）、ノズルよりウェハ基板
上に塗布される。以下に、この塗布方法の詳細を説明す
る。
は、キレート化剤が添加された後、フィルタにて不純物
が取り除かれ（フィルタ処理）、ノズルよりウェハ基板
上に塗布される。以下に、この塗布方法の詳細を説明す
る。
【００３９】貯留タンク２には、顔料分散レジスト４が
貯えられている。この顔料分散レジスト４中に、キレー
ト化剤（例えば、ビピリジン）２２を添加し、攪拌す
る。すると、顔料分散レジスト４に含まれる鉄（Ｆ
ｅ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属不
純物がキレート化剤２２と反応し、キレートが生成され
る。
貯えられている。この顔料分散レジスト４中に、キレー
ト化剤（例えば、ビピリジン）２２を添加し、攪拌す
る。すると、顔料分散レジスト４に含まれる鉄（Ｆ
ｅ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属不
純物がキレート化剤２２と反応し、キレートが生成され
る。
【００４０】キレートを含む顔料分散レジスト４は導管
８を通り、フィルタ１０に流れ込む。フィルタ１０は、
設定されたサイズ（例えば、０．４［μｍ］）以上の物
質を通過させず、それ以外は通過させる。よって、顔料
分散レジスト中の０．４［μｍ］以上の物質は、フィル
タ１０によって取り除かれる。しかし、生成されたキレ
ートは、０．４［μｍ］以上のサイズを有していないた
め、フィルタ１０によって取り除かれず、フィルタ１０
を通過する。
８を通り、フィルタ１０に流れ込む。フィルタ１０は、
設定されたサイズ（例えば、０．４［μｍ］）以上の物
質を通過させず、それ以外は通過させる。よって、顔料
分散レジスト中の０．４［μｍ］以上の物質は、フィル
タ１０によって取り除かれる。しかし、生成されたキレ
ートは、０．４［μｍ］以上のサイズを有していないた
め、フィルタ１０によって取り除かれず、フィルタ１０
を通過する。
【００４１】その後、キレートを含む顔料分散レジスト
４は導管８を通り、ノズル１２に流れる。そして、顔料
分散レジスト４は、ノズル１２からフォトセンサ等が形
成されたウェハ基板１４上に塗布される。
４は導管８を通り、ノズル１２に流れる。そして、顔料
分散レジスト４は、ノズル１２からフォトセンサ等が形
成されたウェハ基板１４上に塗布される。
【００４２】前記キレート化剤としては、例えば、ジメ
チルグリオキシム、アセチルアセトン、オキシン、グリ
シン、エチレンジアミン、ＥＤＴＡ、ビピリジン、フェ
ナントロリン、ＥＨＰＧ、ヒドロキシキノリン、過酢
酸、ピペリジン、アミノ酢酸、フェニルアラニン、次リ
ン酸、アセチル酸、ＴＲＩＳ、ジケトン、ビニルベンジ
ルアミン、安息香酸、ピロール、チオリン、ＰＶＡ、Ｐ
ＶＭＡＥ、ＰＭＭＡ、ＰＶＡＣ、ジエチルチオカルボン
酸、ポルフィリン類、フタロシアニン類、ヘミン類など
が用いられる。
チルグリオキシム、アセチルアセトン、オキシン、グリ
シン、エチレンジアミン、ＥＤＴＡ、ビピリジン、フェ
ナントロリン、ＥＨＰＧ、ヒドロキシキノリン、過酢
酸、ピペリジン、アミノ酢酸、フェニルアラニン、次リ
ン酸、アセチル酸、ＴＲＩＳ、ジケトン、ビニルベンジ
ルアミン、安息香酸、ピロール、チオリン、ＰＶＡ、Ｐ
ＶＭＡＥ、ＰＭＭＡ、ＰＶＡＣ、ジエチルチオカルボン
酸、ポルフィリン類、フタロシアニン類、ヘミン類など
が用いられる。
【００４３】前述した顔料分散レジストの塗布方法で
は、顔料分散レジスト中の金属不純物とキレート化剤を
反応させてキレートを生成することにより、ウェハ基板
上に塗布される顔料レジストから金属不純物をなくして
いる。
は、顔料分散レジスト中の金属不純物とキレート化剤を
反応させてキレートを生成することにより、ウェハ基板
上に塗布される顔料レジストから金属不純物をなくして
いる。
【００４４】第３の実施の形態の塗布方法による顔料分
散レジストの吸収スペクトルは、図６中のＡに示す顔料
のみの吸収スペクトルと、Ｃに示すキレートの吸収スペ
クトルとを合わせたものになる。キレートの吸収スペク
トルは、Ｃのように特定波長の光を吸収あるいは透過す
る特性となる。なお、キレートは、顔料分散レジストが
感光する波長領域以外の波長に、高吸収率の波長領域を
有している。したがって、この第３の実施の形態では、
図６からわかるように、光を遮断していた金属不純物
を、図６中のＣに示す特性を持つキレートに転化するこ
とにより、所定の波長Ｌにおける吸光率を低下させるこ
とができ、所望の透過率を確保することができる。
散レジストの吸収スペクトルは、図６中のＡに示す顔料
のみの吸収スペクトルと、Ｃに示すキレートの吸収スペ
クトルとを合わせたものになる。キレートの吸収スペク
トルは、Ｃのように特定波長の光を吸収あるいは透過す
る特性となる。なお、キレートは、顔料分散レジストが
感光する波長領域以外の波長に、高吸収率の波長領域を
有している。したがって、この第３の実施の形態では、
図６からわかるように、光を遮断していた金属不純物
を、図６中のＣに示す特性を持つキレートに転化するこ
とにより、所定の波長Ｌにおける吸光率を低下させるこ
とができ、所望の透過率を確保することができる。
【００４５】以上説明したようにこの第３の実施の形態
によれば、顔料分散レジスト中の光を遮断する金属不純
物を、キレート化剤を用いてキレートに転化することに
より、成膜後の顔料分散レジストおいて所定の波長に対
する透過率を高めることができる。
によれば、顔料分散レジスト中の光を遮断する金属不純
物を、キレート化剤を用いてキレートに転化することに
より、成膜後の顔料分散レジストおいて所定の波長に対
する透過率を高めることができる。
【００４６】前述した実施の形態においては、顔料分散
レジスト中の金属不純物をキレート化剤を用いて処理
し、金属不純物をキレートに転化させる。これにより、
顔料分散レジスト中の金属不純物をフィルタにて除去可
能にできる。さらに、前述のように顔料分散レジスト中
の金属不純物をキレートに転化してフィルタにて除去す
ることにより、また顔料分散レジスト中の金属不純物
を、特定波長の光を吸収あるいは透過するキレートに転
化することにより、所定の波長において必要な透過光光
量が確保可能な顔料分散レジスト膜、すなわちカラーフ
ィルタの赤色パターンを形成することができる。カラー
フィルタのその他の緑色パターン、青色パターンも、前
記実施の形態と同様の製造方法によって形成することが
できる。
レジスト中の金属不純物をキレート化剤を用いて処理
し、金属不純物をキレートに転化させる。これにより、
顔料分散レジスト中の金属不純物をフィルタにて除去可
能にできる。さらに、前述のように顔料分散レジスト中
の金属不純物をキレートに転化してフィルタにて除去す
ることにより、また顔料分散レジスト中の金属不純物
を、特定波長の光を吸収あるいは透過するキレートに転
化することにより、所定の波長において必要な透過光光
量が確保可能な顔料分散レジスト膜、すなわちカラーフ
ィルタの赤色パターンを形成することができる。カラー
フィルタのその他の緑色パターン、青色パターンも、前
記実施の形態と同様の製造方法によって形成することが
できる。
【００４７】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、顔
料分散レジスト中の金属不純物とキレート化剤を反応さ
せてキレートを生成することにより、所定の波長におい
て必要な透過光光量が確保可能なカラーフィルタの製造
方法及び顔料分散レジストの精製方法を提供することが
できる。
料分散レジスト中の金属不純物とキレート化剤を反応さ
せてキレートを生成することにより、所定の波長におい
て必要な透過光光量が確保可能なカラーフィルタの製造
方法及び顔料分散レジストの精製方法を提供することが
できる。
【図１】第１の実施の形態の顔料分散レジストの塗布に
用いられる装置の構成を示す図である。
用いられる装置の構成を示す図である。
【図２】顔料分散レジスト中の顔料と金属不純物の吸収
スペクトルを示す図である。
スペクトルを示す図である。
【図３】第１の実施の形態によって塗布された顔料分散
レジストの吸収スペクトルを示す図である。
レジストの吸収スペクトルを示す図である。
【図４】第２の実施の形態の顔料分散レジストの塗布に
用いられる装置の構成を示す図である。
用いられる装置の構成を示す図である。
【図５】第３の実施の形態の顔料分散レジストの塗布に
用いられる装置の構成を示す図である。
用いられる装置の構成を示す図である。
【図６】第３の実施の形態によって塗布された顔料分散
レジスト中の顔料とキレートの吸収スペクトルを示す図
である。
レジスト中の顔料とキレートの吸収スペクトルを示す図
である。
【図７】従来の顔料レジストの塗布に用いられる装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図８】図７に示す従来の塗布装置によって塗布された
顔料分散レジスト膜の断面図である。
顔料分散レジスト膜の断面図である。
２…貯留タンク ４…顔料分散レジスト ６…高分子不溶性キレート化剤 ８…導管 １０…フィルタ １２…ノズル １４…ウェハ基板 １６…フィルタ １８…処理管 ２０…フィルタ ２２…キレート化剤 １００…貯留タンク １０２…顔料分散レジスト １０４…フィルタ １０６…ノズル １０８…ウェハ基板
Claims (6)
- 【請求項１】 金属不純物を含む顔料分散レジストにキ
レート化剤を添加し、前記金属不純物と前記キレート化
剤を反応させてキレートを形成する工程と、 前記キレートを含む顔料分散レジストから前記キレート
を取り除く工程と、 前記キレートを取り除いた顔料分散レジストを基板上に
塗布する工程と、 を具備することを特徴とするカラーフィルタの製造方
法。 - 【請求項２】 前記キレートを形成する工程は、不溶性
あるいは難溶性の前記キレート化剤を添加し、不溶性あ
るいは難溶性のキレートを形成する工程であることを特
徴とする請求項１に記載のカラーフィルタの製造方法。 - 【請求項３】 前記キレートを形成する工程は、高分子
キレート化剤を添加し、高分子キレートを形成する工程
であることを特徴とする請求項１又は２に記載のカラー
フィルタの製造方法。 - 【請求項４】 金属不純物を含む顔料分散レジストにキ
レート化剤を添加し、前記金属不純物と前記キレート化
剤を反応させてキレートを形成する工程と、 前記キレートを含む顔料分散レジストを基板上に塗布す
る工程と、 を具備することを特徴とするカラーフィルタの製造方
法。 - 【請求項５】 顔料分散レジスト中にキレート化剤を添
加及び攪拌し、レジスト中にキレートを形成する工程
と、 フィルタにより前記キレートを除去する工程と、 を具備することを特徴とする顔料分散レジストの精製方
法。 - 【請求項６】 顔料分散レジストを、キレート化剤を充
填した配管中を通過させる工程と、 前記配管中を通過した前記顔料分散レジストをフィルタ
に通す工程と、 を具備することを特徴とする顔料分散レジストの精製方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33079898A JP2000155210A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタ用顔料分散レジストの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33079898A JP2000155210A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタ用顔料分散レジストの精製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000155210A true JP2000155210A (ja) | 2000-06-06 |
Family
ID=18236679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33079898A Pending JP2000155210A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタ用顔料分散レジストの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000155210A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002351061A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | 保存安定性に優れた着色感光性樹脂組成物およびそれを用いたカラーフィルターの製造方法 |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP33079898A patent/JP2000155210A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002351061A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | 保存安定性に優れた着色感光性樹脂組成物およびそれを用いたカラーフィルターの製造方法 |
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